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Lmites de Operacin
Para cada transistor existe una regin de operacin sobre las caractersticas, la cual asegurar que los valores nominales mximos no sean excedidos y la seal de salida exhibe una distorsin mnima.
Lmites de Operacin
ICmx
VCEsat
VCEmx = VCEO
Disipacin de Potencia
El mximo nivel de disipacin se define por la siguiente ecuacin: PCmx = VCEIC Cmo graficar la curva de disipacin de potencia de colector? PCmx = VCEIC = 300mW
En cualquier punto sobre las caractersticas el producto de VCE e IC debe ser igual a 300 mW.
Disipacin de Potencia
Si elegimos para IC el valor mximo de 50 mA y lo sustituimos en la relacin anterior, obtenemos VCEIC = 300 mW VCE(50 mA) = 300 mW VCE = 6 V S elegimos para VCE su valor mximo de 20 V, el nivel de IC es el siguiente: (20 V)IC = 300 mW IC = 15 mA
Disipacin de Potencia
Si ahora escogemos un nivel de IC a la mitad del intervalo como 25 mA, resolvemos para el nivel resultante de VCE obtenemos VCE(25 mA) = 300 mW VCE = 12 V
Lmites de Operacin
Si las curvas de caractersticas no estn disponibles o no aparecen en la hoja de especificaciones (como ocurre con frecuencia), simplemente debe estar seguro que IC, VCE y su producto caigan dentro del intervalo que aparece en la siguiente ecuacin: ICEO IC Icmx VCEsat VCE VCEmx VCEIC PCmx
Para las caractersticas de base comn la curva de potencia mxima se define por el siguiente producto de cantidades de salida:
PCmax = VCBIC