DIODOS ESPECIAIS

ELETRNICA ANALGICA ENG. EDERSON ZANCHET

DIODOS COMPORTAMENTO DINMICO

O estudo do diodo em condies dinmicas leva em conta os efeitos associados ao bloqueio e conduo do diodo. De acordo com as caractersticas do material empregrado, efeito capacitivo gerado em condio reversa e a taxa de variao da corrende em polarizao direta em funo do tempo, fatores como esses, associdos determinam as caractersticas dinmicas do componete alm do

tempo de recuperao do diodo que determinar a frequncia mxima que o componente pode
operar. Os diodos podem ser classificado como: Lentos, Rapidos e Ultra-rpidos, como exemplo para correntes de at 50A e tenses de at 500V, os diodos lentos apresentam tempos recuperao superiores 1s, diodos rapidos trr menores que 200ns e os ultra rpidos tempos menores que 70ns.

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DIODO DE SCHOTTKY - FUNCIONAMENTO

Seu nome uma homenagem ao fsico alemo Walter Hermann Schottky. Diodo Schottky um tipo de diodo que se utiliza o efeito Schottky na semiconduo. Sua construo diferente da juno PN convencional. O semicondutor normalmente empregado

apresenta caracterstica tipo N, entretanto em alguns casos utilizado material tipo P. Na Figura 9 temos

exemplo da estrutura do diodo de schottky, onde

tem-se a juno metal-semicondutor, de acordo com o metal empregado o componente apresentar caractersticas diferentes, nveis de tenso e faixa de

frequncia.

Figura 9 Estrutura interna do diodo schottky Pagina 3

DIODO DE SCHOTTKY CURVA CARACTERSTICA

De acordo com a forma construtiva e o emprego de materiais metlicos a injeo de outros materiais para processo de dopagem, esse como possuem um nvel energtico maior so conhecidos como portadores quentes, devido esse arranjo de metal semicondutor as caracterstivas se assemelham ao diodo de germnio. A figura 10 apresenta um comparativo da curva

do diodo retificador comum com diodo de schottky,

observa-se que na regiao reversa a capacidade de bloqueio inferior a do diodo retificador comum, embora essa caracteristica foi melhorada em

diversos componentes.
A capacidade de conduo vai at 75, mas h verses at 100A.

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Figura 10 Curva caracterstica do diodo schottky

DIODO DE SCHOTTKY - APLICAES

A principal aplicao dessa estrutura em sistemas com chaveamento de alta frequncia devido a sua capacidade de recuperao (frequncia de chaveamento), tambm tem sido aplicado em fontes de potncia de baixa tenso/alta corrente, em conversores CACC (20KHz), radares, logica TTL para computadores, sistemas de comunicao, instrumentao e conversores A/D e D/A [2]. Para aplicao em fontes pode suportar uma corrente de 50 para uma tenso direta de 0,6V (25C) e tempo de recuperao de 10ns, enquanto o diodo comum ira operar proximo de 1,1V e tempo de recuperao que vai de 20 a 30ns, a diferena parace despresvel, mas se obtivervos o valor da potncia Pschottky = 0,6*50 = 30W e Pretificador = 1,1*50 = 55W, quando

comparo em termos de efecincia o primeiro apresenta grande vantagem [2].

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DIODO DE SCHOTTKY

A figura 11 apresenta simbologia para diodo de schottky, embora exista variaes do simbolo. Na figura 12 temos dois modelos de encapsulamento utilizados, nota-se semalhana com diodo retificador comum.

Figura 11 Simbologia do diodo de Schottky

Figura 12 Modelos de encapsulamento do diodo schottky Pagina 6

DIODO VARACTOR- FUNDAMENTOS

O varactor, capacitncia varivel com a tenso, varicap, epicap ou tambm diodo de sintonia) amplamente utilizado nos receptores de televiso, receptores de FM e outros equipamentos de comunicao e tambmem circuitos resonantes. Os materias semicondutores P e N comportam-se como as placas de um capacitor e a camada de depleo funciona como o dieltrico.

Quando um diodo reversamente polarizado a largura da camada de depleo cresce com

o aumento da tenso reversa, assim a camada de depleo fica mais larga com a tenso reversa, a capacitncia diminui. Isso equivalente ao afastamento das placas de um capacitor, em termos bsicos a capacitncia controlada pela tenso [1].

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Figura 12 Estrutura Interna do Varactor

DIODO VARACTOR CURVA CARACTERSTICA

A figura 13 apresentatam simbologia utilizada para identificao bem como curva caracterstiva em termos de tenso reversa e capacitncia.

Figura 13 Simbologia e Curva caracterstica do Varactor

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DIODO VARACTOR CURVA CARACTERSTICA

Segundo o princpio de funcionamento, a capacitncia varia de acordo com com a tenso reversa aplicada sobre o componente, conforme expresso pela equao:

Onde: k = Constante determinada pelo tipo de material semicondutor; Vt= potencial de joelho; Vr= valor do potencial de polarizao reverso aplicado; N=1/2 para junes de liga e 1/3 para junes difusas;

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DIODO VARACTOR CURVA CARACTERSTICA

A figura 14 apresenta um exemplo de circuito com varactor e imagem de um varicap comercial

Figura 13 Circuito ressonante e modelo de Diodo Varactor

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DIODO TNEL FUNDAMENTOS

Fabricado com um nvel de dopagem que vai de 100 1000 vezes o empregado em diodos retificadores comum, apresentado por Leo Esaki em 1958 apresenta caractersticas diferenciadas dos demais devido a regiao negativa existente na polarizao direta, conforme pode-se observar na figura 14. Devido a intensa dopagem, a regio de depleco muito estreita formando um tnel, e

produzindo portadores com velocidades superiores

a dos diodos comuns o que permite operao em altas frequncias.
Figura 14 Curva caracterstiva do diodo tunel

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DIODO TNEL FUNDAMENTOS

A caracterstica de resistncia negativa permite a construo de osciladores simples. Entretanto, os diodos tnel so pouco usados atualmente. As principais desvantagens so a baixa potncia e o custo, fatores que so

melhor atendidos por outras tecnologias.

Na figura 15 temos simbologia normalmente utilizada.

Figura 16 Diodo tnel Figura 15 Simbologia diodo Tnel

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DIODO GUNN FUNDAMENTOS

A sua construo interna diferente de outros diodos em que ela consiste apenas de material

semicondutor tipo N-dopado ao passo que a maioria

dos diodos consistem em P e N-dopado regies. No diodo Gunn, existem trs regies: dois deles so fortemente dopado em cada terminal, com uma fina camada de material levemente dopado no meio. Quando uma tenso aplicada ao dispositivo, o gradiente eltrico ir ser maior de um lado da camada mdia fina a conduo ocorrer como em qualquer material condutor com corrente
Figura 17 Curva Caracterstiva diodo Gunn

proporcional tenso aplicada [5].

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DIODO GUNN FUNDAMENTOS

assim denominado em homenagem a J Gunn, descobridor (em 1963) do efeito da gerao de microondas por semicondutores N. Devido sua capacidade de alta frequncia, os

diodos de Gunn so usados principalmente em frequncias de microondas e acima. A aplicao mais comum em osciladores , mas so tambm utilizados em amplificadores de microondas.

O dispositivo exibe caracterstica de resistncia negativa. O material semicondutor pode ser

arsenieto de glio (GaAs) ou nitreto de glio (GaN), este ltimo para freqncias mais elevadas. Podem oscilar em freqncias de cerca de 5 GHz at cerca de 140 GHz. [5]

Figura 18 Simbologia e Diodo Gunn Pagina 14

TERMISTORES FUNDAMENTOS

O termistor apresenta caracterstica de variao de sua resistncia de acordo com a

temperatura, no se trata de um componente de

juno do tipo PN, porm composto por

Figura 19 termistor

Germanio, Silicio ou mistura de xidos de cobalto, nquel ou mangans de acordo com o

coeficiente de temperatura desejado.

Principal aplicao em sistemas de

proteo e sensoriamento de temperatura, na figura 19 podemos observar o termistor e figura 20 a curva caracterstica, o termistor a, R25 = 100, termistor b, R25 = 1K e termistor c, R25= 5K.
Figura 20 Curva caracterstica do termistor Pagina 15

REFERNCIAS BIBLIOGRFICAS

[1] MALVINO, Albert Paul. Eletrnica. Vol. I - 4.; Ed. Makron Books: So Paulo, 1995. [2] BOYLESTAD, R. L. Dispositivos eletrnicos e teoria de circuitos; Ed. Prentice Hall: So Paulo, 2004. [3] BERTOLI, Roberto Angelo. Eletrnica; UNICAMP, 2000. [4] BARBI, Ivo, Eletrnica de Ptencia 6 edio, Ed. Do autor: Florianpolis, 2005. [5] Diodos Semicondutores II, disponvel em http://www.mspc.eng.br/eletrn/semic_220.shtml#diodo_tunel acesso em 27 ago. 2012.

EDERSON ZANCHET Mestrando em Engenharia Eltrica e Informtica Industrial - UTFPR Engenheiro de Controle e Automao - FAG Departamento de Engenharia FAG Docente Disciplina de Eletronica Analgica ederson.zt@gmail.com ezanchet@fag.edu.br www.fag.edu/professores/ederson

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