1. Analizar y sealar las caractersticas elctricas y electrnicas del Transistor BJT, en base a las hojas de datos de los diodos.

Funciona como un interruptor controlado por la corriente que entra por una de sus patas.

2. Explicar brevemente los tipos de transistores que operan como amplificadores y como conmutadores AMPLIFICADORES: Incrementar la intensidad de corriente en los terminales generalmente en el emisor o base donde se tiene un corriente mayor en el colector, la tensin o la potencia de la seal que se le aplica a su entrada; obtenindose la seal aumentada a la salida. Para amplificar la potencia es necesario obtener la energa de una fuente de alimentacin externa. En este sentido, se puede considerar al amplificador como un modulador de la salida de la fuente de alimentacin

| CONMUTADORES: Los conmutadores funcionan como un interruptor CORTE.-No circula intensidad por la base por que la intensidad del colector y emisor es nula. La tensin entre el colector y emisor es la de la batera. El transistor enter colector y emisor se comporta como un interruptor abierto SATURACION .- cuando la base circula una intneisdad se aprecia un incremento de la corriente de colector considerable, en este caso el transistor entre colector y emisor se comporta como interruptor cerrado

3. Explicar las diferencias internas y de polarizacin de los transistores NPN y PNP

NPN: el emisor est altamente impurificado y su funcin consiste en emitir o inyectar electrones en la base. La base est ligeramente impurificada y es muy delgada; por ella pasa la mayor parte de los electrones inyectados por el emisor y que se dirigen hacia el colector. El nivel de impurificacin de ste es intermedio y se le da ese nombre porque recibe o capta los electrones provenientes de la base; el colector es la mayor de las tres regiones y disipa ms calor que el emisor o la base. El transistor npn tiene dos uniones, una entre el emisor y la base y otra entre la base y el colector. Por esto, un transistor es similar a dos diodos: el de la izquierda diodo emisor-base, o simplemente diodo-emisor, y el de la derecha es el diodo colector-base, o diodo-colector PNP :Los portadores mayoritarios en el emisor son huecos en vez de electrones libres. Esto significa que intervienen corrientes y voltajes opuestos en la accin de un transistor pnp. Para evitar confusin, se concentrar la atencin en el transistor npn durante el estudio preliminar. La difusin de electrones libres a travs de la unin produce dos capas de agotamiento (Figura 2a). Para cada una de estas capas de agotamiento, el potencial de barrera es aproximadamente igual a 0.7 V a 25C, para un transistor de silicio (0.3 V para un transistor de germanio). Debido a que las tres regiones citadas tienen diferentes niveles de contaminacin o impurificacin, estas capas de agotamiento no tienen el mismo ancho. Cuanto mayor es la contaminacin de la regin, mayor ser la concentracin de iones cerca de la unin. Esto significa que las capas de agotamiento penetran slo ligeramente en la regin del emisor (altamente contaminado), pero se profundizan en la base, donde la contaminacin es ligera. La otra capa de agotamiento se interna bastante en la base y penetra en la regin del colector en una proporcin mucho menor. En la figura 2b se resume esta idea. La capa de agotamiento del emisor es pequea y la del colector es grande. Las capas de agotamiento estn sombreadas para indicar la escasez de portadores mayoritarios.

Figura 2

(a)

(b)

4. Sealar y explicar los diferentes tipos de transistores que se usan para baja frecuencia, alta frecuencia, baja potencia y alta potencia, sus principales aplicaciones, etc.

Transistores de baja potencia Se le llama transistor de baja potencia, o pequea seal, al transistor que tiene una intensidad pequea (IC pequea), lo que corresponde a una potencia menor de 0,5 W. En este tipo de transistores interesar obtener cc grandes (cc = 100 300).

Transistores de potencia Se le llama transistor de potencia al transistor que tiene una intensidad grande (IC grande), lo que corresponde a una potencia mayor de 0,5 W. En este tipo de transistores la cc que se puede obtener en su fabricacin suele ser bastante menor que en los de baja potencia (cc = 20 100).

5. Analizar y efectuar el clculo del siguiente circuito. Hallar y graficar Vce vs. Ic , recta de carga ( Si conoce algn programa simulador, verifique resultados)