INSTITUTO POLITCNICO NACIONAL UNIDAD INTERDISCIPLINARIA DE BIOTECNOLOGA

TPICOS SELECTOS DE INGENIERA BIOMDICA I

Profra. Rosa Mara Ocampo Romo Deposicin de materiales en MEMS Grupo. 7MV1

Integrantes: Gutirrez Santiago Alberto Jair Rocha Gutirrez Giovanni Tern Gonzlez Ana Berenice

Fecha de entrega: 22-03-2013

Procesos de Deposicin en MEMS Uno de los elementos bsicos en el procesamiento de MEMS es la capacidad de depsito de pelculas delgadas de materiales. En este texto asumimos que una fina pelcula puede tener un espesor de entre unos pocos nanmetros a unos 100 micrmetros. Los procesos de deposicin de uso comn son: Electroenchapado (Electroplating), Deposicin pulverizada (Sputter deposition), la deposicin fsica de vapor (PVD) y deposicin qumica de vapor (CVD). Deposicin fsica de vapor La deposicin mediante arco catdico o Arc-PVD es una tcnica de deposicin fsica de vapor en la cual se utiliza un arco elctrico para vaporizar material de un ctodo. El material vaporizado luego se condensa en un sustrato, formando una pelcula delgada. La tcnica se puede utilizar para depositar films metlicos,cermicos, y compuestos. El proceso de evaporacin mediante arco comienza con la descarga de un arco de elevada corriente y bajo voltaje en la superficie de un ctodo (conocido como el blanco) que produce una pequena zona emisora altamente enrgetica (de unos pocos micrmetros de dimetro), que se denomina punto ctodo. La temperatura local en el punto ctodo es extremadamente elevada (unos 15000 C), lo que produce un chorro de material vaporizado del ctodo de alta velocidad (10 km/s), que deja un crter en la superficie del ctodo. El punto ctodo solo permanece activo durante un lapso de tiempo corto, luego se autoextingue y se re-inicia en una zona prxima al crter anterior. Este comportamiento es el causante del movimiento aparente del arco. Dado que el arco es bsicamente una corriente la misma puede ser influenciada si se aplica un campo electromagntico, lo que se utiliza en la prctica para desplazar rpidamente el arco por toda la superficie del blanco, de forma tal que toda la superficie sea erosionada. El arco posee una densidad de potencia extremadamente elevada lo que produce un alto grado de ionizacin (30-100%), iones con mltiples cargas, partculas neutras, racimos y macro-partculas (gotas). Si se introduce un gas reactivo durante el proceso de evaporacin, se puede producir disociacin, ionizacin y excitacin durante la interaccin con el flujo de iones y se puede depositar un film compuesto. Deposicin pulverizada (Pulverizacin catdica) La pulverizacin catdica (o por su designacin en ingls: sputtering) es un proceso fsico en el que se produce la vaporizacin de los tomos de un material slido denominado "blanco" mediante el bombardeo de ste por iones energticos. Este es un proceso muy utilizado en la formacin de pelculas delgadas sobre materiales, tcnicas de grabado y tcnicas analticas.

La pulverizacin catdica est causada principalmente por el intercambio de momento entre los iones y los tomos del material, debido a colisiones. Se puede pensar en el proceso como una partida de billar a nivel atmico, con los iones (bola blanca) golpeando una agrupacin de tomos densamente empaquetados (bolas de billar). Aunque la primera colisin empuja a los tomos ms hacia dentro en la agrupacin, colisiones posteriores entre los tomos pueden tener como resultado que algunos de los tomos cerca de la superficie sean expulsados. El nmero de tomos expulsados de la superficie por ion incidente es el rendimiento de pulverizacin ("sputter yield") y es una medida importante de la eficiencia del proceso. Algunos factores que influyen en este parmetro, son la energa de los iones incidentes, sus masas y las de los tomos del blanco y la energa de enlace del slido. Los iones para el proceso de pulverizacin se obtienen de un plasma que se genera en el interior del equipo de pulverizacin. En la prctica se usa una variedad de tcnicas para modificar las propiedades del plasma, especialmente la densidad de iones, y as conseguir unas condiciones de pulverizacin ptimas. Entre ellas est el uso de una corriente alterna de radiofrecuencia, el uso de campos magnticos y la aplicacin de un potencial de polarizacin al blanco. Los tomos pulverizados, aqullos expulsados a la fase gaseosa, no estn en su estado de equilibrio termodinmico. Por tanto, tienden a condensarse de vuelta a su estado slido al chocar con cualquier superficie en la cmara de pulverizacin. Esto tiene como resultado la deposicin del material pulverizado en todas las superficies de la cmara.

Deposicin Qumica de vapor La Deposicin Qumica de Vapor o CVD (de sus siglas en ingls Chemical Vapor Deposition) es un proceso qumico utilizado para producir productos de alta pureza y de alto rendimiento de materiales slidos. El proceso se utiliza a menudo en la industria de semiconductores para producir pelculas delgadas. En un proceso CVD estndar el sustrato (oblea) se expone a uno o ms precursores voltiles, que reaccionan o se descomponen en la superficie del sustrato para producir el depsito deseado. Con frecuencia, tambin se producen subproductos voltiles, que son eliminados por medio de un flujo de gas que pasa a travs de la cmara de reaccin. Los procesos de microfabricacin CVD se emplean ampliamente para depositar materiales en diversas formas, incluyendo :monocristalino, policristalino, amorfo, y epitaxial. Estos materiales incluyen: silicio, fibra de carbono, nanofibras de carbono, filamentos, nanotubos de carbono, SiO2, silicio-germanio, tungsteno, carburo de silicio, nitruro de silicio, oxinitruro de silicio,nitruro de titanio, y diversos dielctricos de alta k. El proceso de CVD se utiliza tambin para producir diamantes sintticos.

Existen numerosos procesos, dependiendo del campo de aplicacin. Estos procesos se diferencian en el medio por que se inician las reacciones qumicas (por ejemplo, proceso de activacin) y las condiciones del proceso.

Clasificada por la presin de funcionamiento:

A presin atmosfrica ECV (APCVD) - procesos de CVD a presin atmosfrica. CVD de baja presin (LPCVD) -. procesos CVD a presiones subatmosfricas1 presiones reducidas tienden a reducir reacciones no deseados en fase gaseosa y mejorar la uniformidad de la pelcula sobre la oblea. Los procesos CVD ms modernos son bien LPCVD o UHVCVD. Ultra vaco, CVD (UHVCVD) - los procesos CVD a una presin muy baja, por lo general por debajo de 10-6 Pa (~ 10-8 torr ). Tenga en cuenta que en otros campos, la divisin inferior entre el alto y ultra alto vaco, es a menudo 10-7 Pa.

Clasificada por las caractersticas fsicas de vapor:

Aerosol CVD asistida (AACVD) - Un procedimiento de CVD en la que los precursores son transportados al sustrato por medio de un aerosol lquido/gas, que puede ser generado por ultrasonidos. Esta tcnica es adecuada para su uso con precursores no voltiles. Inyeccin directa de lquido CVD (DLICVD) - Un procedimiento de CVD en la que los precursores se encuentran en forma lquida (lquido o slido disuelto en un disolvente conveniente). Las soluciones lquidas se inyectan en la cmara de vaporizacin mediante inyectores (por lo general inyectores de automviles). A continuacin, los vapores precursores son transportados al sustrato como en clsico procedimiento de CVD. Esta tcnica es adecuada para su uso en precursores lquidos o slidos. Altas tasas de crecimiento se puede alcanzar con esta tcnica.

CVD asistido con Plasma

Mtodos con Plasma (vase tambin el procesamiento de plasma ):

Microondas asistida por plasma CVD (MPCVD) Mejorada por plasma CVD (PECVD) - procesos que utilizan CVD de plasma. para mejorar la tasa de reaccin qumica de los precursores procesamiento PECVD

permite la deposicin a temperaturas ms bajas, lo cual es a menudo crtico en la fabricacin de semiconductores.

Remoto mejorada por plasma CVD (RPECVD) - Similar a PECVD excepto que el sustrato (oblea) no est directamente en la regin de descarga de plasma. La separacin de la oblea de la regin del plasma permite procesar menores temperaturas hasta la temperatura ambiente.

ECV de capa Atmica (ALCVD ) - Depsitos de las capas sucesivas de diferentes sustancias para producir capas, cristalinas pelculas. Ver epitaxia de capas atmicas. Deposicin de combustin de vapor qumico (CCVD) - propietaria nGimat de combustin qumica proceso de deposicin de vapor es un ambiente abierto, basado en la tcnica de llama para el depsito de alta calidad las pelculas delgadas y los nanomateriales. ECV de alambre caliente (HWCVD) - tambin conocida como catalizador enfermedades cardiovasculares (ECV-Cat) o caliente filamento de las enfermedades cardiovasculares (HFCVD). Utiliza un filamento caliente para descomponer qumicamente los gases primarios.3 Deposicin de vapor mediante procesos qumicos organometlicos (MOCVD) procesos CVD basado en precursores organometlicos. Hbrido fsico-deposicin de vapor qumico (HPCVD) - procesos de deposicin de vapor que involucran tanto la descomposicin qumica del gas precursor como la vaporizacin de una fuente slida. Rpido CVD trmico (RTCVD) - procesos de CVD que utilizan lmparas de calefaccin u otros mtodos para calentar rpidamente el sustrato de la oblea. Calentar slo el sustrato en lugar de las paredes de gas o cmara ayuda a reducir las reacciones en fase de gas no deseadas que pueden conducir a la formacin de partculas. Vapor de epitaxia en fase (VPE) Deposicin de vapor asistida por eyeccin electroesttica (ESAVD)