C

i
r
c
u
i
t
e
I
n
t
e
g
r
a
t
e
A
n
a
l
o
g
i
c
e
Referint e
1). Se da referint a de curent bipolara cu dioda din Figura 1 (a).
a). Sa se determine senzitivitatea tensiunii de iesire cu tensiunea de alimentare, S
V
DD
V
o
.
b). Sa se calculeze coecientul de temperatura al tensiunii de iesire.
R R
M Q
V
DD
=3V
I I
V
o
V
o
(a) (b)
V
DD
=3V
Figura 1
Rezolvare:
a). Se calculeaza tensiunea de iesire astfel:
_

_
I =
V
DD
V
o
R
V
o
= V
BE
= V
T
ln
_
I
I
S
_
V
o
= V
T
ln
_
V
DD
V
o
RI
S
_
(1)
Pentru calculul senzitivitat ii tensiunii de iesire cu tensiunea de alimentare, trebuie
gasita expresia lui V
o
/V
DD
, dupa cum urmeaza:
V
o
V
DD
=

V
DD
_
V
T
ln
_
V
DD
V
o
RI
S
__
= V
T
RI
S
V
DD
V
o
1
RI
S
_
V
DD
V
DD

V
o
V
o
_
(2)
Din relat ia de mai sus putem obt ine V
o
/V
DD
:
V
o
V
DD
=
V
T
V
DD
V
o
+V
T
(3)
Expresia senzitivitat ii va :
1
C
i
r
c
u
i
t
e
I
n
t
e
g
r
a
t
e
A
n
a
l
o
g
i
c
e
S
V
DD
V
o
=
V
o
V
DD
V
DD
V
o
=
V
T
V
DD
V
o
(V
DD
V
o
+V
T
)
(4)
b). Pentru a calcula TC
V
o
, trebuie sa t inem cont de faptul ca tot i termenii din expresia
tensiunii de iesire variaza cu temperatura. Prin urmare, TC
V
o
va o funct ie de forma
f(TC
V
DD
, TC
V
T
, TC
R
, TC
I
S
, V
o
, V
DD
, V
T
, R, I
S
).
Mai ntai vom determina V
o
/T, astfel:
V
o
T
=
V
T
T
ln
_
V
DD
V
o
RI
S
_
+V
T
RI
S
V
DD
V
o

T
_
V
DD
V
o
RI
S
_
(5)
Se t ine cont ca
_
ln
V
DD
V
o
RI
S
_
este egala cu (V
o
/V
T
), prin urmare relat ia se poate
rescrie:
V
o
T
=
V
T
T
V
o
V
T
+V
T
RI
S
V
DD
V
o

T
_
V
DD
V
o
RI
S
_
(6)

In urmatorul pas calculam derivata cu temperatura a expresiei (V

DD
V
o
)/RI
S
:

T
_
V
DD
RI
S

V
o
RI
S
_
=
1
RI
S
V
DD
T
+V
DD

T
_
1
RI
S
_

1
RI
S
V
o
T
V
o

T
_
1
RI
S
_
(7)

In continuare trebuie gasita derivata part iala cu temperatura a expresiei (1/RI

S
). Dupa
rearanjarea termenilor n relat ia anterioara, vom avea:

T
_
V
DD
V
o
RI
S
_
=
1
RI
S
_
V
DD
T

V
o
T
_
+(V
DD
V
o
)
_

1
R
2
I
S
R
T

1
RI
2
S
I
S
T
_
(8)

In aceasta expresie cautam sa formam termeni de tipul coecient ilor de temperatura

pentru V
DD
, V
T
, R si I
S
. Astfel, rezulta:

T
_
V
DD
V
o
RI
S
_
=
1
RI
S
[V
DD
TC
V
DD
V
o
TC
V
o
(V
DD
V
o
)(TC
R
+TC
I
S
)] (9)

Inlocuim aceasta identitate n relat ia lui V

o
/T si efectuam calculele
2
C
i
r
c
u
i
t
e
I
n
t
e
g
r
a
t
e
A
n
a
l
o
g
i
c
e
V
o
T
= TC
V
DD
V
DD
V
T
V
DD
V
o
+V
T
+TC
V
T
V
o
(V
DD
V
o
)
V
DD
V
o
+V
T

(TC
R
+TC
I
S
)
V
DD
V
o
V
DD
V
o
+V
T
(10)

In nal se poate scrie expresia lui TC

V
o
, dupa cum urmeaza:
TC
V
o
=
V
o
T
1
V
o
= TC
V
DD
V
DD
V
T
V
o
(V
DD
V
o
+V
T
)
+TC
V
T
V
DD
V
o
V
DD
V
o
+V
T

(TC
R
+TC
I
S
)
V
DD
V
o
V
o
(V
DD
V
o
+V
T
)
(11)
2). Se da referint a de curent MOS cu dioda din Figura 1 (b).
a). Sa se determine senzitivitatea tensiunii de iesire cu tensiunea de alimentare, S
V
DD
V
o
.
b). Sa se calculeze coecientul de temperatura al tensiunii de iesire.
Rezolvare:
a). Se calculeaza tensiunea de iesire astfel:
_

_
I =
V
DD
V
o
R
V
o
= V
GS
= V
Th
+
_
I

V
o
= V
Th
+
_
V
DD
V
o
R
(12)
Senzitivitatea tensiunii de iesire cu tensiunea de alimentare este:
S
V
o
V
DD
=
V
o
V
DD

V
DD
V
o
=
V
DD
2V
o
_
R(V
DD
V
o
)
(13)
Coecientul de temperatura este o funct ie de variat iile cu temperatura a tuturor pa-
rametrilor de circuit. Determinarea expresiei exacte se face prin derivare n raport cu
temperatura.
TC
V
o
=
V
o
T

1
V
o
= f (TC
V
DD
, TC
V
Th
, TC

, TC
R
, V
o
, V
DD
, V
Th
, R, ) (14)
Calculand derivatele partiale n mod similar ca la referinta bipolara cu dioda, n nal
obt inem:
3
C
i
r
c
u
i
t
e
I
n
t
e
g
r
a
t
e
A
n
a
l
o
g
i
c
e
TC
V
o
=
V
DD
TC
V
DD
+ 2
_
R(V
DD
V
o
) V
Th
TC
V
Th
(V
DD
V
o
)(TV

+TC
R
)
V
o
_
2
_
R(V
DD
V
o
) + 1
_ (15)
3). Se da referint a de curent Widlar cu tranzistoare bipolare.
a). Sa se calculeze curentul de iesire. Este I
out
un curent PTAT? b). Sa se determine
senzitivitatea curentului de iesire cu tensiunea de alimentare, S
V
DD
I
out
.
c). Sa se gaseasca valoarea rezistent ei R
2
, astfel ncat sa avem 100A la iesire si
S
V
DD
I
out
= 0, 1 S
V
DD
I
ref
. Cat trebuie sa e I
ref
n acest caz?
Q
1

Q
2
R
1
R
2
V
DD
I
ref
I
out
V
BE1
V
BE2
Figura 2
Rezolvare:
a). Se scrie teorema lui Kirkhho pentru tensiuni:
_

_
V
BE1
= V
BE2
+R
2
I
out
V
BE1
= V
T
ln
_
I
ref
I
S
_
V
BE2
= V
T
ln
_
I
out
I
S
_
(16)

Inlocuind ecuat iile de dispozitiv ale tranzistoarelor bipolare n prima ecuat ie a siste-
mului si efectuand calculele, rezulta:
4
C
i
r
c
u
i
t
e
I
n
t
e
g
r
a
t
e
A
n
a
l
o
g
i
c
e
I
out
=
V
T
R
2
(lnI
ref
lnI
out
) =
V
T
R
2
ln
_
I
ref
I
out
_
(17)
Comform acestei relat ii se poate vedea dependent a lui I
out
de V
T
, prin urmare referint a
Widlar bipolara este de tipul PTAT.
b). Pentru calculul senzitivitat ii curentului de iesire cu tensiunea de alimentare se face
o derivare cu V
DD
n relat ia lui I
out
dedusa la puncul a). Astfel, stiind ca I
out
si I
ref
variaza cu V
DD
, vom avea:
I
out
V
DD
=
V
T
R
2
_
1
I
ref
I
ref
V
DD

1
I
out
I
out
V
DD
_
(18)

In relat ia de mai sus vom forma termeni de tipul S

V
DD
I
out
sau S
ref
DD
si dupa efectuarea
calculelor
S
V
DD
I
out
=
V
T
V
T
+R
2
I
out
S
V
DD
I
ref
(19)
Daca notam
V
T
V
T
+R
2
I
out
= k, se observa ca S
V
DD
I
out
va mai mica decat S
V
DD
I
ref
, deoarece
k este ntotdeauna subunitar.
c). Pentru I
out
= 100A, V
T
= 26mV si k = 0, 1, avem:
V
T
V
T
+R
2
I
out
= k R
2
=
V
T
(1 k)
kI
out
= 2, 34k (20)
Curentul injectat n ramura de intrare se calculeaza conform relat iei care leaga I
out
de
I
ref
, gasite la puncul a).
I
ref
= I
out
exp
R
2
I
out
V
T
= I
out
exp
1 k
k
= 800mA (21)
Valoarea de 800mA pentru curentul de referint a este prea mare si nu este o valoare
uzuala n circuitele integrate. Prin urmare, vom folosi principiul referint elor Widlar
pentru a micsora senzitivitatea curentului din ramura de iesire, fata de cea din ramura
de intrare, dar schema trebuie mbunatat ita. O astfel de refeint a este cea de tipul
bootstrap din problema care urmeaza.
4). Se da referint a de tensiune din Figura 3.
a). Sa se demonstreze ca V
o
este o tensiune de tipul PTAT si sa se determine punctele
5
C
i
r
c
u
i
t
e
I
n
t
e
g
r
a
t
e
A
n
a
l
o
g
i
c
e
stabile de funct ionare ale circuitului.
b). Sa se gaseasca o modalitate de a compensa variat iile cu temperatura a tensiunii
de iesire.
c). La referint a bandgap de tip Song, sa se explice funct ionarea circuitului de pornire.
Q
1

Q
2
R
1
R
2
x1 xN
V
out
V
DD
M
1
M
2
M
3
M
4
M
5
M
6
I
1
I
2
I
out
Figura 3
Rezolvare:
a). Se scrie teorema lui Kirkhho pentru tensiuni:
_

_
V
BE1
= V
BE2
+R
2
I
out
V
BE1
= V
T
ln
_
I
1
I
S1
_
V
BE2
= V
T
ln
_
I
2
I
S2
_
(22)
Stiind c a raportul curent ilor de saturat ie a tranzistoarelor este I
S2
/I
S1
= N si datorita
oglinzii de curent cascoda avem I
1
= I
2
= I
out
, rezulta expresia curent ilor:
I
1
= I
2
= I
out
=
V
T
R
1
lnN V
out
= I
out
R
2
= V
T
R
2
R
1
lnN = V
T
(23)
6
C
i
r
c
u
i
t
e
I
n
t
e
g
r
a
t
e
A
n
a
l
o
g
i
c
e
Din expresia tensiunii de iesire se vede ca este de tipul PTAT.
Circuitul are doua puncte stabile de funct ionare, unul calculat n relat ia anterioara,
altul n origine unde tot i curent ii sunt zero. Din acest motiv este necesar un circuit de
pornire, pentru a ne asigura ca circuitul paraseste starea de echilibru din origine.
b). Modalitatea de a compensa variat ia tensiunii de iesire cu temperatura este introdu-
cerea unui tranzistor bipolar n conexiune de dioda n serie cu rezistent a R
2
. Deoarece
tensiunea termica variaza cu temperatura cu +0,087mV/

C, iar tensiunea baza-emitor

cu -2,2mV/

C, vom nsuma doua tensiuni ponderate si de semn opus. Astfel, daca

dimensionam corect circuitul, vom anula variat ia cu temperatura a tensiunii de iesire.
Principiul acestei metode este ilustrat n Figura 4.

Figura 4

In aceste condit ii, tensiunea de iesire se scrie:

V
out
= V
BE
+ V
T

V
out
T
=
V
BE
T
+
V
T
T
(24)
Daca egalam V
out
/T cu zero si t inem cont de valorile numerice ale coecient ilor de
variat ie cu temperatura a tensiunii termice si a tensiunii baza-emitor = 25, 3.
Trebuie ment ionat faptul ca nu variaza cu temperatura deoarece este un raport de
rezistent e nmult it cu un numar N.
Circuitul se poate dimensiona, alegand R
1
= 1k si N = 3:
=
R
2
R
1
lnN = 25, 3 R
2
= 23k (25)
7
C
i
r
c
u
i
t
e
I
n
t
e
g
r
a
t
e
A
n
a
l
o
g
i
c
e
Schema n care s-a adaugat tranzistorul n conexiune de dioda n ramura de iesire si
circuitul de pornire este urmatoarea:
R
p

M
7
M
8
circuit
pornire
R
1
R
2
Q
1
Q
2
Q
3
x1 xN
M
1
M
3
M
2
M
4
M
6
M
5
V
DD
V
out
I
p
I
1
I
2
I
out
Figura 5
c). Circuitul de pornire funct ioneaza astfel:
- I
1
= I
2
= 0 n colectorul lui Q
1
avem potent ial zero, dar n grila lui M
7
avem
un potent ial egal cu V
GS8
M
7
conduce se injecteaza un curent n dioda Q
1
apare o cadere de tensiune pe rezistent a R
1
apare un curent I
2
in ramura
a doua I
2
este copiat n ramura de referint a curent ii I
1
si I
2
vor converge
spre o valoare de echilibru prin react ie pozitiva;
- tototdata potent ialul din colectorul lui Q
1
creste M
7
pierde V
GS
si se va bloca
treptat circuitul de pornire este dezactivat, curentul prin M
7
reducandu-se la
zero.
5). Se da referint a de tensiune din Figura 6a).
a). Sa se gaseasca gresala din schema. Daca aceasta gresala nu este eliminata, care
este punctul de funct ionare a circuitului?
b). Sa se calculeze V
out
. Este circuitul o referint a de tip bandgap?
c). Sa se dimensioneze componentele schemei, astfel ncat variat ia cu temperatura a
tensiunii de iesire sa e minima.
8
C
i
r
c
u
i
t
e
I
n
t
e
g
r
a
t
e
A
n
a
l
o
g
i
c
e
d). Sa se gaseasca o metoda de a obt ine valori mai mari pentru V
out
, dar tot compensate
cu temperatura.
Q
1
xN
Q
2
x1
R
2
R
1
M
1
M
3
M
4
M
2
V
DD
V
out
I
1
I
2
Q
1
xN
Q
2
x1
R
2
R
1
M
1
M
3
M
4
M
2
V
DD
V
out
I
1
I
2
a) b)
Figura 6
Rezolvare:
a). Gresala este ca tranzistorul Q
1
trebuia conectat ca dioda, iar Q
2
sa nu e n
conexiune de dioda, asa cum este aratat n Figura 6b).

In caz contrar pe ramura cu
diode se obt in doua surse de tensiunen paralel, n timp ce pe ramura opusa a circuitului
avem doua surse de curent n serie. Drept urmare, tensiunile n nodurile interne ale
circuitului si curent ii prin ramuri nu sunt univoc denit i, iar PSF ale tranzistoarelor
nu sunt corect setate.
b). Se scrie teorema lui Kirkhho pentru tensiuni:
9
C
i
r
c
u
i
t
e
I
n
t
e
g
r
a
t
e
A
n
a
l
o
g
i
c
e
_

_
V
BE2
= V
BE1
+R
1
I
1
V
BE1
= V
T
ln
_
I
1
I
S1
_
V
BE2
= V
T
ln
_
I
2
I
S2
_
(26)
Stiind c a raportul curent ilor de saturat ie a tranzistoarelor este I
S1
/I
S2
= N si datorita
oglinzii de curent cascoda avem I
1
= I
2
, rezulta expresia curent ilor:
I
1
= I
2
=
V
T
R
1
lnN V
out
= V
BE2
+ (I
1
+I
2
)R
2
= V
BE2
+V
T
2R
2
R
1
lnN (27)
Din expresia tensiunii de iesire se vede ca referint a este de tipul bandgap, adica:
V
out
= V
BE
+V
T
, unde =
2R
2
R
1
lnN (28)
Parametrul nu variaza cu temperatura deoarece este un raport de rezistent e, nmult it
cu un numar N.
c). Dimensionarea circuitului se face ca la problema anterioara. Considerand = 25, 3
si alegand N=4, R
1
=1k R
2
=9,12k.

In cazul acesta curent ii sunt de ordinul zecilor de A, o valoare uzuala n circuitele

integrate.
I
1
= I
2
=
V
T
R
1
lnN

= 36A (29)
d). Deoarece referint ele de tip bandgap furnizeaza la iesire tensiuni n domeniul (1,2-
1,3)V, o metoda de a mari valoarea lui V
out
este de a adauga o ramura suplimentara la
iesirea circuitului, ca n Figura 7.

In acest caz, se poate scrie:
_

_
V
out
= V
BE2
+V
T
2R
2
R
1
lnN
V
out
= V

out
R
4
R
3
+R
4
V

out
= V
out
_
1 +
R
3
R
4
_ (30)
10
C
i
r
c
u
i
t
e
I
n
t
e
g
r
a
t
e
A
n
a
l
o
g
i
c
e
Se observa ca V

out
este compensata cu temperatura, asa cum este si tensiunea V
out
,
caci raportul de rezistent e R
3
/R
4
este independent de temperatura.
Ca exemplu, pentru a dubla tensiunea la iesire, trebuiendeplinita egalitatea rezistent e-
lor R
3
= R
4
.
Q
1
xN
Q
2
x1
R
2
R
1
R
3
R
4
M
1
M
3
M
4
M
2
M
5
M
6
V
DD
I
1
I
2
V
out
*
Figura 7
6). Se da referint a de tensiune din Figura 8.
a). Sa se arate ca este de tipul bandgap si sa se determine expresia tensiunii de iesire.
b). Dimensionat i schema pentru ca variat ia cu temperatura a tensiunii de iesire sa e
minima.
c). Cat este n acest caz valoarea curentului prin ramurile circuitului si cat este V
out
?
Se cunosc:
V
T
T
= +0, 087
mV

C
si
V
BE
T
= 2, 2
mV

C
11
C
i
r
c
u
i
t
e
I
n
t
e
g
r
a
t
e
A
n
a
l
o
g
i
c
e
M
1

M
2
M
3
M
4
M
6
M
8
M
7
M
5
M
9
M
10
Q
1
Q
2
Q
3
x1 xN xN
R
kR
V
out
V
DD
I
1
I
2
I
3
Figura 8
Rezolvare:
a). Scriem teorema a doua a lui Kirchho pe bucla care cont ine diodele Q
1
si Q
2
:
V
GS1
+V
BE1
= V
GS2
+V
BE2
+RI
2
(31)
Deoarece tranzistoarele M
1
-M
2
sunt identice si perfect mperecheate, rezulta ca V
GS1
=
V
GS2
. Prin urmare, din relat ia anterioara se poate obt ine expresia curentului I
2
:
I
2
=
V
T
R
ln
_
I
1
I
2
I
S2
I
S1
_
=
V
T
R
lnN (32)
Oglinzile de curent cascoda PMOS formate din M
5
-M
6
-M
7
-M
8
si M
6
-M
8
-M
9
-M
10
asi-
gura egalitatea curent ilor I
1
= I
2
= I
3
.
Tensiunea de iesire se poate scrie:
12
C
i
r
c
u
i
t
e
I
n
t
e
g
r
a
t
e
A
n
a
l
o
g
i
c
e
V
out
= V
EB3
+kRI
3
= V
EB3
+kRI
2
V
out
= V
EB3
+V
T
klnN (33)
Aceasta relat ie arata ca referint a este de tipul bandgap. Produsul klnN nu variaza cu
temperatura deoarece este un numar.
b). Dimensionarea circuitului, n condit iile n care variat ia cu temperatura a tensiunii
de iesire trebuie sa e minima, se face alegand N:
klnN = 25, 3 si N = 6 k = 14 (34)
Aceasta nseamna ca daca R = 1k, atunci rezistent a din ramura de iesire va de
14k.
c).

In acest caz curent ii prin ramurile circuitului au valoarea de 46,6A. Iar tensiunea
de iesire este de 1,25V (pentru V
T
= 26mV si V
EB
= 0, 6V ).
7). Se da referint a de tensiune din Figura 9.
a). Determinat i tensiunea de iesire V
out
.
b). Este curentul I
2
de tip PTAT? Argumentat i raspunsul.
c). Calculat i coecientul de temperatura a tensiunii de iesire TC
V
out
n funct ie de
TC
V
EB
, TC
R
si TC
I

.
d). Propunet i o schimbare n circuit astfel ncat V
out
sa devina de tip bandgap.
Se cunosc:
V
T
T
= +0, 087
mV

C
si
V
BE
T
= 2, 2
mV

C
M
1
M
2
M
3
M
4
M
5
Q
1
R
1
R
2
V
out
V
DD
I
1
I
2
I
out
Figura 9
13
C
i
r
c
u
i
t
e
I
n
t
e
g
r
a
t
e
A
n
a
l
o
g
i
c
e
Rezolvare:
a). Datorita oglinzii de curent M
3
-M
4
, curent ii I
1
si I
2
sunt egali si se obt in prin
rezolvarea urmatoarei ecuat ii de gradul 2 cu necunoscta

I
2
:
V
SG1
= V
SG2
+R
1
I
2

I
1

1
=

I
2

2
+R
1
I
2

_
I
1
=
_
I
2
=
1
R
1
_
1

1
+
1

2
_
(35)
Tensiunea de iesire se calculeaza astfel:
V
out
= V
EB1
+R
2
I
out
= V
EB1
+
R
2
R
2
1
_
1

1
+
1

2
_
2
(36)
b). Curentul I
2
nu este PTAT, caci n expresia lui nu apare tensiunea termica.
c). Calculul coecientului de temperatura a tensiunii de iesire n cazul implementarii
referint ei Widlar cu tranzistoare MOS se face astfel:
TC
V
out
=
V
out
T
1
V
out
=
1
V
out

T
_
V
EB1
+
R
2
R
2
1
_
1

1
+
1

2
_
2
_
(37)

In aceasta relat ie se calculeaza derivatele part iale cu temperatura a tuturor termenilor

dependent i de temeperatura (V
BE
, R, ). Apoi se formeaza termeni de tipul TC, iar
n nal obt inem:
TC
V
out
=
V
EB
V
out
TC
V
EB
+
+
1
V
out
_
1
R
1
_
1

2
_
2
_
TC
R
_
1
2R
2
R
1
_
TC

R
2
R
1
_
_
(38)
d). Daca am nlocui tranzistoarele MOS, M
1
si M
2
, cu tranzistoare bipolare, curent ii
I
1
, I
2
ar de tipul PTAT, iar tensiunea la iesire de tipul bandgap. Trebuie sa avem
grija ca ariile emitoarelor acestor tranzistoare bipolare sa nu e egale, caci n acest caz
curent ii ar zero.
14
C
i
r
c
u
i
t
e
I
n
t
e
g
r
a
t
e
A
n
a
l
o
g
i
c
e
V
out
= V
EB1
+R
2
I
out
= V
EB1
+V
T
R
2
R
1
ln
_
I
S2
I
S1
_
(39)
8). Se da referint a de tip banda interzisa de joasa tensiune din Figura 10 [1].
a). Care este expresia tensiunii de iesire?
b). Explicat i ce dezavantaj aduce utilizarea tranzistoarelor npn la implementarea
celulei Brokaw, din punctul de vedere a tehnologiei actuale, si propunet i o transformare
a schemei (doar conceptul).
R
4
R
1
+
Q
3
R
7
_
R
6
+
R
3
Q
1
R
5
R
2
Q
2
_

V
DD
I
1
I
2
I
4
I
3
V
out
Figura 10
Rezolvare:
a). Funct ionarea circuitului se poate analiza pornind de la teorema lui Kirchho pentru
curent i scrisa n colectorul tranzistorului Q
3
:
I
1
+I
2
= I
3
+I
4
(40)
T inand cont ca tensiunea la borna inversoare este egala cu cea de la borna neinversoare
a unui AO, se poate admite egalitatea curent ilor I
1
si I
2
.

In aceste condit ii tensiunea
de iesire se scrie:
V
out
= V
BE1
+R
4
(2I
1
I
3
) (41)
15
C
i
r
c
u
i
t
e
I
n
t
e
g
r
a
t
e
A
n
a
l
o
g
i
c
e
Curentul I
1
se exprima dintr-o ecuat ie specica celulei Widlar formata din tranzistoa-
rele bipolare Q
1
, Q
2
si rezistent a R
3
:
V
BE1
= V
BE2
+R
3
I
2
I
1
= I
2
=
V
T
R
3
lnN (42)
Curentul I
3
se determina din regulile divizorului si repetorului de tensiune:
I
3
=
R
7
R
6
+R
7
1
R
5
V
out
(43)
Din combinat ia ecuat iilor deduse pana acum, rezulta expresia nala a tensiunii de
iesire:
V
out
=
R
5
(R
6
+R
7
)
R
5
(R
6
+R
7
) +R
7
R
4
_
V
BE1
+V
T
2R
4
R
3
lnN
_
(44)
Se observa ca tensiunea de tip banda interzisa furnizata de celula Brokaw este pon-
derata cu un coecient subunitar, fapt care permite reducerea tensiunii generate si
implicit a tensiunii de alimentare necesare pentru o funct ionare corecta. Deasemenea,
se observa ca valoarea coecientului de ponderare depinde de un raport de rezistent e,
ind independent atat de temperatura cat si de tensiunea de alimentare. Astfel, se
pastreaza variat ia init iala scazuta a tensiunii de referint a cu temperatura si tensiunea
de alimentare.
b). Un dezavantaj important al acestei referint e de tensiune este acela ca necesita
tranzistoare bipolare de tip npn la implementare. Majoritatea proceselor moderne de
fabricat ie au ca elemente de baza tranzistoare de tip MOS pentru a potrivite circuite-
lor digitale de mare densitate. Aceste procese nu includ pasii necesari pentru realizarea
tranzistoarelor bipolare.

In aceste condit ii, structura referint ei poate transformata
astfel ncat sa utilizeze tranzistoare pnp parazite laterale, inerente structurilor CMOS.
Aceasta implica utilizarea unor surse de curent PMOS controlate de tensiunea de iesire
a AO. Amplicatorul operat ional are n continuare rolul de a egala curent ii I
1
si I
2
,
pentru ca funct ionarea celulei Brokaw sa e nealterata. Schema circuitului transformat
este prezentata n problema 9).
9).

In Figura 11 se da referint a de tip banda interzisa de joasa tensiune [1], bazata pe
tranzistoare pnp pentru implementarea celulei Widlar. Care este expresia tensiunii de
iesire?
16
C
i
r
c
u
i
t
e
I
n
t
e
g
r
a
t
e
A
n
a
l
o
g
i
c
e
_
+
+
_
Q
1

Q
2
Q
3
M
1
M
2
M
3
M
4 R
1
R
2
R
3
R
4
R
5
V
DD
V
out
I
1
I
2
I
3
I
4
Figura 11
Rezolvare:
Tensiunea de iesire a referint ei se determina printr-un calcul similar ca si pentru va-
rianta cu tranzistoare npn. Sistemul de ecuat ii corespunzator circuitului se scrie dupa
cum urmeaza:
_

_
I
1
= I
2
= I
3
+I
4
I
1
=
V
T
R
1
lnN
V
out
= V
BE3
+R
2
(I
1
I
4
)
I
4
= V
out
R
3
+R
5
R
3
(R
4
+R
5
)
(45)
Tensiunea de iesire rezulta:
V
out
=
R
3
(R
4
+R
5
)
R
3
(R
4
+R
5
) +R
2
(R
3
+R
5
)
_
V
BE3
+V
T
R
2
R
1
lnN
_
(46)
Similar ca la problema anterioara se vede ca tensiunea init iala generata de celula Bro-
kaw este ponderata de un coecient subunitar, independent de temperatura si de ten-
siunea de alimentare. Drept urmare, variat ia tensiunii de iesire cu temperatura si
17
C
i
r
c
u
i
t
e
I
n
t
e
g
r
a
t
e
A
n
a
l
o
g
i
c
e
tensiunea de alimentare ramane neschimbata fat a de celula Brokaw elementara, dar
valoarea sa este o fract iune din lat imea benzii interzise a siliciului.
10). Fie schema referint ei de tip banda interzisa si joasa tensiune din Figura 12 [2].
a). Explicat i pe ce principiu se bazeaza funct ionarea schemei. Care este expresia
tensiunii de iesire?
b). Ce dezavantaj prezinta circuitul?
Q
1

Q
2
M
1
M
2
M
3
R
1
R
2
R
3
R
4
V
DD
V
out
I
1
I
2
Figura 12
Rezolvare:
a). Circuitul se bazeaza pe o varianta a celulei elementare Brokaw, n care curent ii
prin cele doua ramuri sunt echilibrat i cu ajutorul unei oglinzi de curent n locul am-
plicatorului operat ional. Prin urmare, egalitatea curent ilor I
1
si I
2
este asigurata de
oglinda de curent formata din tranzistoarele M
1
si M
2
. Tranzistorul M
3
mpreuna cu
rezistent ele R
3
si R
4
nchid bucla de react ie negativa, care compenseaza uctuat iile
nedorite ale tensiunii de iesire. Daca I
1
si I
2
sunt considerat i identici, atunci expresia
tensiunii de referint a este:
V
out
= V
BE1
+V
T
2R
2
R
1
lnN (47)
18
C
i
r
c
u
i
t
e
I
n
t
e
g
r
a
t
e
A
n
a
l
o
g
i
c
e
b). Dezavantajul acestei referint e este acela ca, n mod similar ca la varianta cu AO,
necesita o tensiune de alimentare relativ ridicata. Dupa examinarea schemei rezulta ca
toate tranzistoarele MOS sunt corect polarizate daca tensiunea de alimentare nu scade
sub valoarea (V
out
+V
DSsat
), unde tensiunea de iesire este aproximativ 1,2V, iar V
DSsat
este tensiunea drena-sursa minima necesara pentru ca tranzistorul MOS sa ramana n
regim saturat. Din aceasta formula se poate calcula valoarea minima a tensiunii de
alimentare, de aproximativ 1,5V.
11). Fie schema referint ei de tensiune din Figura 13 [2]. Circuitul este o varianta
mbunatat ita a a celui din problema 10), astfel ncat sa permita o scadere a tensiunii
minime de alimentare, prin conectarea doar a doua tranzistoarentre linia de alimentare
si masa.
a). Dati expresia tensiunii de iesire?
b). Ce dezavantaj are circuitul?
Q
1

Q
2
Q
3
Q
4
M
1
M
2
M
3
R
1
R
2
V
DD
V
out
I
1
I
2
I
3
I
4
I
5
Figura 13
Rezolvare:
a). Analiza funct ionarii circuitului se face pornind de la expresia curentului I
3
:
19
C
i
r
c
u
i
t
e
I
n
t
e
g
r
a
t
e
A
n
a
l
o
g
i
c
e
I
3
=
V
BE1
V
BE2
R
1
=
V
T
R
1
lnN (48)
Considerand funct ionarea perechilor de tranzistoare Q
2
-Q
3
, Q
1
-Q
4
si M
1
-M
2
ca si
oglinzi de curent, se ajunge la urmatoarea egalitate:
I
3
= I
1
= I
2
= I
5
(49)
Tensiunea de iesire se scrie:
V
out
= V
BE1
+I
4
R
2
= V
BE1
+R
2
(I
3
+I
5
) (50)

Inlocuind expresiile curent ilor, rezulta:

V
out
= V
BE1
+V
T
2R
2
R
1
lnN (51)
b). Se observa ca expresia tensiunii de iesire nu s-a schimbat fat a de celula Brokaw cla-
sica. Tensiunea de alimentare se poate aprecia calculand suma (V
CEmin
+V
GS
). Unde
V
CEmin
este tensiunea minima colector-emitor a unui tranzistor bipolar, iar V
GS
este
tensiunea grila-sursa care asigura polarizarea corecta a tranzistoarelor MOS. Tranzis-
torul M
3
serveste la stabilizarea tensiunii de iesire si compenseaza variat iile nedorite
ale acesteia. Dezavantajul circuitului este ca necesita prezent a tranzistoarelor bipolare
n procesul de fabricat ie, iar circuitul este dicil de reproiectat cu tranzistoare pnp.
20