Amplicatoare simple.

Amplicatoare diferent iale

1). S a se proiecteze un amplicator inversor cu sarcin a rezistiv a, av and c a stigul de joas a frecvent a |A0 | = 20dB (10abs ), frecvent a polului dominant fp = 8M Hz , tensiunea continu a la ie sire Vout = 1, 6V , capacitatea de sarcin a CL = 2pF si = 0, 05V 1 . Lungimea canalului tranzistoarelor este L=1m. a). S a se determine valoarea lui R si geometria tranzistorului W/L. b). C at este transconductant a de semnal mic gm ? c). Determinat i valoarea tensiunii continue la intrare. d). Este optim aleas a valoarea tensiunii continue la ie sire de 1, 6V ? e). Trasat i caracteristicile Bode, tin and cont de faptul c a amplicatoruul are un pol dominant si un zero pozitiv introdus de calea direct a de semnal intrare-iesire prin capacitatea parazit a CGD = 16f F a tranzistorului. M NMOS PMOS ID 50A 50A W/L 10m/1m 20m/1m

at e
CL

Vod 230mV 340mV

Ci r cu ite

In t

eg r
VDD R I M
Figura 1

Tabelul 1: Parametrii tranzistoarelor

Vin

Rezolvare:

a). Scriem legea lui Ohm pe rezistent a pasiv aR si avem: I= VDD Vout R (1)

An
Vout

VT h 850mV 980mV

alo g

ice

Polul dominant este introdus de rezistent a si capacitatea echivalent a a nodului de ie sire. Prin urmare, expresia acestuia este: fp = rDS + R 1 + IR 1 = = 2CL (rDS || R) 2CL rDS R 2CL R

Relat iile (1) si (2) formeaz a un sistem de dou a ecuat ii cu necunoscutele, R si I . In urma rezolv arii sistemului se obt ine: I = 132A , R = 10, 6k , rDS = 152k

An
gm = 1mS W 19 = L 1

alo g

Rezistent a dren a-surs a de semnal mic a tranzistorului MOS este rDS =

Este indicat s a se foloseasc a metoda simplicat a, deoarece d a rezultate similare cu cele obt inute din calculul riguros si proiectarea nu este afectat a. In continuare folosim vaorile: I=140A si R=10k.

|A0 | = Gm Rout = gm R

In t

Din expresia c a stigului de semnal mic si joas a frecvent a putem obt ine valoarea transconductant ei: (4) 2I . Vod

Dar, totodat a transconductant a de semnal mic a tranzistorului MOS este gm = Astfel vom g asi valoarea tensiunii de overdrive Vod =280mV.

Av and calculate tensiunea de overdrive si curentul, se face o scalare si obt inem geometria tranzistorului:

Ci r cu ite

k 10 2 50 = 2 1 (230m) 140 = k W (280m)2 2L

eg r

at e

Observat ie: determinarea curentului si a rezistent ei pasive se poate face mai simplu, dac a presupunem c a R este mai mic cu un ordin de m arime ca rDS . Atunci avem a R = 10k . Apoi, conform R || rDS = R. Drept urmare, din exprsia lui fp va rezulta c legii lui Ohm, curentul I va 140A. In nal, se g ase ste rDS = 143k si compar and aceast a valoarea cu cea a rezistent ei pasive, se veric a presupunerea de la care am pornit.

ice
1 . I

(2)

(3)

(5)

b). Transconductant a de semnal mic a fost deja calculat a si are valoarea gm =1mS. c). Valoarea tensiunii continue la intrare este: Vin = VGS = VT h + Vod = 850mV + 280mV = 1, 13V

d). Pentru a g asi valoarea optim a a tensiunii continue la ie sire se calculeaz a limitele admise de variat ie a acesteia si se face media aritmetic a:

V M AX = V DD = 3V out

Vout = 1, 64V

valoarea tensiunii continue la ie sire a fost aleas a judicios.

d). In Figura 2 sunt ridicate caracteristicile Bode, consider and frecven tele singularit a tilor ca n sistemul 8.
30 20 10 0 -10 -20 -30 -40 -50

eg r

at e

Ci r cu ite

180d 160d 140d 120d 100d 80d 60d 40d 20d 0d 10KHz 100KHz

In t

1.0MHz

10MHz

100MHz 1.0GHz

An
fp1=8MHz fzp=10GHz GBW=80MHz A0=20dB 10GHz

M IN Vout = Vod = 280mV

alo g

Figura 2

ice

(6)

(7)

VDD M2 I M1

Vin

VG1

Rezolvare:

Ci r cu ite

a). Polul dominant este introdus de rezistent a si capacitatea echivalent a a nodului de ie sire. Prin urmare, expresia acestuia este: fp = 1 = 1 I = CL rDS 1 CL I = 125A (9)

2CL (rDS 1 || rDS 2 )

Tranzistorul M1 implementeaz a sarcina surs a de curent. Tensiunea de overdrive a acestuia se alege Vod1 = 250mV . Tranzistorul de intrare M2 este responsabil de castigul circuitului, prin urmare tensiunea lui de overdrive va rezulta conform valorii lui A0 . |A0 | = Gm Rout = gm2 (rDS 1 || rDS 2 ) = gm2 1 2I gm2 = 1mS (10)

In t

eg r

Figura 3

at e

CL

An
Vout

2). a). S a se proiecteze un amplicator inversor cu sarcin a surs a de curent, av and c a stigul de joas a frecvent a |A0 | = 32dB (40abs ), frecvent a polului dominant la fp = 2M Hz , capacitatea de sarcin a CL = 2pF si = 0, 1V 1 . Lungimea canalului tranzistoarelor este L=0,25m. Tensiunea de intrare se aplic a n grila tranzistorului PMOS. In Tabelul 1 sunt dat i parametrii de referint a ai tranzistoarelor. b). Desenat i schema echivalent a de semnal mic si nalt a frecvent a corespunz atoare amplicatorului si dat i expresiile parametrilor acesteia.

alo g

ice

fp1 = 8M Hz gm fzp = = 10GHz 2CGD GBW = |A0 | fp = 80M Hz

(8)

Dar transconductant a de semnal mic se mai poate scrie: gm2 = 2I Vod2 Vod2 = 250mV (11)

Acum se pot face dou a scal ari si obt inem dimensiunile tranzistoarelor. Pentru NMOS avem: kn 10 2 50 = 2 1 (230m) 125 = kn W1 (250m)2 2L1 Iar pentru tranzistorul PMOS, scriem: kp 20 2 50 = 2 1 (340m) 125 = kp W2 (250m)2 2L2

alo g
Vout

at e

An
CL

W1 5, 3 = L1 0, 25

W2 23, 1 = L2 0, 25

Tensiunea de polarizare aplicat a n grila tranzistorului M1 se calculeaz a: VG1 = VT hn + Vod1 = 850m + 250m = 1, 1V (14)

b). Schema echivalent a de semnal mic si nalt a frecvent a este prezentat a n Figura 4.

Vin

CGD2

Ci r cu ite

In t

eg r

GmVin

Rout

Figura 4

Parametrii schemei echivalente de semnal mic au expresiile: Gm = gm2

Rout = rDS 1 || rDS 2 C = C out BD1 + CBD2 + CGD1 + CL = CL

ice

(12)

(13)

(15)

VDD RS Vin CGD2 M2 I M1 Vout CL Vin A0CGD2 VG1 RS

VDD M2 I

alo g
-CGD2

a)
Figura 5

Rezolvare: Circuitul are trei singularit a ti:

polul introdus de rezistent a si capacitatea echivalent a a nodului de ie sire;

polul Miller introdus de rezistent a sursei de semnal, RSS , care se combin a cu CGD2 reectat a la intrare multiplicat a cu c a stigul circuitului. Frecvent ele polilor, a zeroului pozitiv si produsul amplicare-band a sunt: 1 gm2 fp = = 80M Hz = 2CL (rDS 1 || gm2 ) 2CL 1 fpM = = 2M Hz 2Rss (A0 CGD2 ) gm2 fzp = = 1, 3GHz 2CGD2

Ci r cu ite

In t

zeroul pozitiv introdus de calea direct a de semnal dintre intrarea si ie sirea circuitului prin capacitatea parazit a CGD a tranzistorului de intrare;

eg r

at e

An
b)
(16)

VG1

M1

Se observ a a sezarea n frecvent a a singularit a tilor: polul Miller a devenit polul dominant, apoi urmeaz a polul dat de nodul de ie sire (care are frecvent a egal a cu GBW) si apoi zeroul pozitiv.

ice
Vout CL

3). Fie amplicatorul inversor de la problema 2) conectat ntr-un lant de amplicare. Rezistent a sursei de semnal este Rss =400k. Capacitatea parazit a gril a-dren a CGD =50fF. Calculat i singularit a tile circuitului si ridicat i caracteristicile de frecvent a.

Diagramele Bode sunt desenate n Figura 6.

40 20 0 -20 -40 -60 -80 -100 180d 140d 100d 60d 20d -20d -60d

-100d 1.0KHz 10KHz 100KHz 1.0MHz 10MHz 100MHz 1.0GHz 10GHz

Figura 6

4). S a se proiecteze un amplicator inversor cascod a simetric a ca n Figura 7 a). Specicat iile sunt: c a stigul de joas a frecvent a |A0 | = 46dB (200abs ), frecvent a polului 1 dominant fp = 250kHz , capacitatea de sarcin a CL = 1pF si = 0, 5V . Lungimea canalului tranzistoarelor este L=1m, nafar a de cele cascod a care au L=0,5m. Capacitatea parazit a n nodul din drena lui M1 este CX = 200f F , iar capacitatea CGD1 = 50f F . In Tabelul 1 sunt dat i parametrii de referint a ai tranzistoarelor. a). G asit i dimensiunile tranzistoarelor. b). Calculat i tensiunile de polarizare Vcasn , Vcasp si Vbiasp . c). Desenat i diagramele Bode. d). Desenat i schema echivalent a de semnal mic si nalt a frecvent a corespunz atoare amplicatorului si dat i expresiile parametrilor acesteia.

Ci r cu ite

In t

eg r
7

at e

An

alo g
fpMiller=2MHz fp2=8MHz fzp=1.3GHz A0=32dB

ice

Observat ie: analiz and frecvent ele singularit a tilor se observ a c a ambii poli sunt situat i n frecvent a mai jos dec at produsul amplicare-band a. Pentru aceste cazuri GBW si pierde semnicat ia.

VDD M4 I Vcasp M3 Vout Vcasn M2 X Vin M1 Vin CL Vcasn Vcasp

VDD M4 0,7V

M3

0,8V

M2

M1

a)
Figura 7

Rezolvare:

a). Deoarece polul dominant este dat de rezistent a si capacitatea echivalent a a nodului de ie sire, frecvent a fp1 este de forma:

In t

fp1 =

eg r
Rout =

at e
1 = 636, 6k 2CL fp1

An
b)
1 2 Vod1 =

alo g
Vout=1,5V 0,8V 0,7V

2CL Rout

Dar rezistent a de ie sire a circuitului are urm atoarea expresie:

Ci r cu ite

Rout = (gm2 rDS 2 rDS 1 ) || (g3 rDS 3 rDS 4 ) =

2I 1 1 Vod I I

Pentru tranzistoarele M2 , M3 si M4 alegem tensiunea de overdrive Vod = 200mV . Din ecuat iile (17) si (18) rezult a valoarea curentului I = 31, 4A. C a stigul de semnal mic si joas a a circuitului este de forma: |A0 | = Gm Rout = gm1 Rout = 2I Rout Vod1 2IRout = 200mV |A0 | (19)

Pentru determinarea geometriei tranzistoarelor se fac urm atoarele scal ari:

ice
(17) (18)

Vbiasp

Vbiasp

50 10L1 = 31, 4 W1

230m 200m

8, 2 W1 = L1 1

(20)

Deoarece prin M2 trece acela si curent si are aceea si tensiune de overdrive ca M1 , rezult a c a dimensiunea lui e egal a cu cea a lui M1 . T inem cont doar de faptul c a pentru tranzistoarele cascod a se ia lungimea canalului de 0,5m. W2 4, 1 = L2 0, 5 In mod similar facem scal ari pentru tranzistoarele PMOS. 50 20L4 = 31, 4 W4 340m 200m
2

alo g

An

W4 35, 8 = L4 1

W2 17, 9 = L2 0, 5

at e

Pentru tranzistorul cascod a PMOS avem:

Tensiunile de polarizare din grilele tranzistoarelor se calculeaz a astfel:

Vcasn = VGS 2 + VDS 1 = (VT hn + Vod2 ) + VDS 1 = 0, 85 + 0, 2 + 0, 7 = 1, 75V VDD Vbiasp = VSG4 Vbiasp = VDD (|VT hp | + Vod4 ) Vbiasp = 3 0, 98 0, 2 = 1, 82V VDD Vcasp = VSD4 + VSG3 Vcasp = VDD VSD4 (|VT hp | + Vod3 ) Vcasp = 3 0, 7 (0, 98 + 0, 2) = 1, 12V

Ci r cu ite

In t

b). Deoarece schema este simetric a, alegem tensiunea continu a la ie sire de valoare jum atate din tensiunea de alimentare Vout = 1, 5V . Acum putem alege VDS 1 = VSD4 = 700mV si VDS 2 = VSD3 = 800mV (am alocat mai mult spat iu n tensiune tranzis toarelor cascod a, c aci ele p ar asesc primele regimul de saturat ie). In Figura 7 b) sunt marcate tensiunile dren a-surs a pentru ecare tranzistor din schem a.

eg r

c). Circuitul are doi poli si un zero pozitiv. Polul dominant este introdus de rezistent a si capacitatea echivalent a a nodului de ie sire, polul de nalt a frecvent a se datoreaz a nodului intermediar din drena lui M1 (nodul X), iar zeroul pozitiv este dat de calea direct a de semnal de la intrare la iesire prin CGD1 . Frecvent ele singularit a tilor sunt:

ice

(21)

(22)

(23)

(24)

p1

Caracteristicile de frecvent a, amplitudine si faz a, sunt trasate n Figura 8.

40 20 0 -20 -40 -60 -80

Ci r cu ite

180d 150d 120d 90d 60d 30d 0d -30d -60d -90d 1.0KHz 10KHz 100KHz 1.0MHz 10MHz 100MHz 1.0GHz 10GHz

d). Schema echivalent a de semnal mic si nalt a frecvent a corespunz atoare amplicatorului este prezentat a n Figura 9. Parametrii schemei echivalente de semnal mic au expresiile:

In t

eg r

Figura 8

at e

10

An

alo g
fp1=250kHz fp2=250MHz fzp=1GHz GBW=50MHz A0=46dB

1 fp1 = = 250kHz 2CL Rout gm2 fp2 = 250M Hz = 2CX gm1 fzp = = 1GHz 2CGD1 GBW = |A | f = 50M Hz

ice

(25)

X Vin

CGD1 Gm1Vin RX CX

VX

Vout

|A0 | = Gm1 RX Gm2 Rout = Gm1 Rout

eg r

C a stigul amplicatorului se scrie ca si produsul c a stigurilor celor dou a etaje: (27)

Rezolvare: a). Produsul amplicare-band a se scrie:

Ci r cu ite

5). S a se proiecteze un amplicator inversor cu sarcin a surs a de curent si av and tranzistorul de intrare cascodat ca n Figura 10 a). C a stigul de joas a frecvent a este |A0 | = 40dB (100abs ), produsul amplicare-band a GBW = 31, 8M Hz , capacitatea de sarcin a CL = 5pF si = 0, 1V 1 . Lungimea canalului tranzistoarelor este L=0,5m. Capacitatea parazit a n nodul din drena lui M1 este CX = 50f F , iar capacitatea CGD1 = 30f F . In Tabelul 2 sunt dat i parametrii de referint a ai tranzistoarelor. a). Dimensionat i tranzistoarele si g asit i tensiunile de polarizare Vcasn si Vbiasp . b). Determinat i domeniul de variat ie al tensiunii de ie sire, dac a amplitudinea semnalului de ie sire este Vsemn = 0, 5V . c). G asit i singularit a tile circuitului, calculat i frecvent ele lor si desenat i diagramele Bode. d). Dac a rezistent a sursei de intrare este Rss = 100, redesena ti diagramele Bode.

In t

at e

Gm1 = gm1 1 RX = gm2 CX = CBD1 + CBD2 + CGD2 Gm2 = gm2 Rout = (gm2 rDS 2 rDS 1 ) || (g3 rDS 3 rDS 4 ) Cout = CBD2 + CBD3 + CGD2 + CGD3 + CL = CL

An

alo g
(26)

Figura 9

11

ice

Gm2VX

Rout

CL

M NMOS PMOS

ID 50A 50A

W/L 10m/1m 20m/1m

Vod 175mV 225mV

VT h 450mV 450mV

Tabelul 2: Parametrii tranzistoarelor

Vbiasp

M3 I Vout M2 X CL

Vbiasp

M3

Vcasn

Vcasn

Vin

M1

Vin

a)

Figura 10

GBW =

C a stigul de semnal mic si joas a frecvent a are urm atoarea expresie: 1 |A0 | = Gm Rout = gm1 rDS 3 = gm1 I I = 100A (29)

Transconductant a de semnal mic a lui M1 se poate scrie: gm1 = 2I Vod1 vod1 = 200mV (30)

Pentru tranzistorul cascod a M2 si pentru cel de sarcin a M3 se alege tensiunea de overdrive Vod2 = Vod3 =200mV. Av and valorile curentului si a tensiunii de overdrive prin toate tranzistoarele schemei, se pot face scal ari pentru dimensionarea lor.

Ci r cu ite

In t

Gm gm1 = 2CL 2CL

eg r

at e

Gm = gm1 = 1mS

An
M1 1V

M2

b)

alo g
1V Vout=2V 1V

VDD

VDD

12

ice
(28)

50 10L1 = 100 W1

175m 200m

7, 5 W1 = L1 0, 5

(31)

Deoarece M2 are aceea si tensiune de overdrive si este str ab atut de acela si curent ca si M1 , va avea aceea si dimensiune. 50 20L1 = 100 W1 225m 200m
2

W3 25, 3 = L3 0, 5

alo g

at e

Vcasn = VGS 2 + VDS 1 = (VT hn + Vod2 ) + VDS 1 = 0, 45 + 0, 2 + 1 = 1, 65V VDD Vbiasp = VSG3 Vbiasp = VDD (|VT hp | + Vod3 ) Vbiasp = 3 0, 45 0, 2 = 2, 35V

An

Se calculeaz a bugetul de tensiune, astfel aloc am ec arui tranzistor o tensiune dren asurs a de 1V. Drept urmare, tensiunea de ie sire va Vout =2V. In Figura 10 b) sunt marcate tensiunile dren a-surs a pentru ecare tranzistor din schem a. In aceste condit ii, tensiunile continue din grilele lui M2 si M3 vor :

In t

M IN Vout = Vod1 + Vsemn = 700mV

M AX Vout = VDD Vod2 Vod3 Vsemn = 2, 1V

eg r

b). Pentru un semnal de ie sire cu amplitudinea de 0, 5V , domeniul de variat ie al tensiunii de ie sire este urm atorul:

Ci r cu ite

c). Circuitul are trei singularit a ti: polul dominant introdus de rezistent a si capacitatea echivalent a a nodului de ie sire, un pol de nalt a frecvent a introdus de nodul intermediar din drena lui M1 si un zero pozitiv datorat c aii directe de semnal dintre intrare si ie sire prin CGD1 . Frecvent ele singularit a tilor sunt:

GBW = 300kHz f = p 1 |A0 | gm2 2I fp2 = 3GHz , gm2 = = 1mS = 2CX Vod2 gm1 fzp = = 5, 3GHz 2CGD1

Diagramele Bode sunt trasate n Figura 11.

13

ice

(32)

(33)

(34)

(35)

40 20 0 -20 -40 -60 -80

In t

d). Pentru cazul n care rezistent a sursei de semnal este Rss =100, aceast a rezistent a se combin a cu capacitatea CGD1 reectat a la intrare prin efect Miller, si duce la aparit ia unui pol suplimentar. Frecvent a acestuia se calculeaz a conform relat iei: fp3 = 1 = CGD1 1 = 53GHZ gm1 2Rss CGD1 gm2 (36)

Ci r cu ite

2Rss gm1 rDS 1 ||

Capacitatea CGD1 este reectat a la intrare cu valoarea multiplicat a cu c a stigul tranzistorului afectat de efectul Miller. In aceste condit ii, diagramele Bode se redeseneaz a ca n Figura 12.

eg r
Figura 11

1 gm2

at e
14

180d 150d 120d 90d 60d 30d 0d -30d -60d -90d 1.0KHz 10KHz 100KHz 1.0MHz 10MHz 100MHz 1.0GHz 10GHz

An

alo g

ice

fp1=300kHz fp2=3GHz fzp=5.3GHz GBW=30MHz A0=40dB

40 20 -20 -40 -60 -80 fp1=300kHz fp2=3GHz fzp=5.3GHz fpMiller=53GHz GBW=30MHz A0=40dB

Rezolvare:

a). Din expresia frecvent ei polului dominat se poate determina rezistent a de ie sire, astfel:

Ci r cu ite

6). S a se proiecteze un amplicator inversor cascod a pliat a cu intrarea pe tranzistor PMOS. C a stigul de joas a frecvent a este |A0 | = 46dB (200abs ), frecvent a polului dominant este fp1 = 250kHz , capacitatea de sarcin a CL = 1pF si = 0, 3V 1 . Lungimea canalului tranzistoarelor este L=1m. Capacitatea parazit a n nodul din drena lui M2 este CX = 200f F , iar capacitatea CGD1 = 50f F . Curentul n ramura de ie sire este de 1,5 ori mai mare ca cel din ramura de intrare I5 = 1, 5I1 . Se recomnad a ca tensiunile de overdrive a tranzistoarelor care nu sunt r aspunz atoare de c a stigul circuitului s a e 200mV. In Tabelul 2 sunt dat i parametrii de referint a ai tranzistoarelor. a). Dimensionat i tranzistoarele si g asit i tensiunile de polarizare Vcasn , Vcasp si Vbiasp . b). Determinat i domeniul de variat ie al tensiunii de ie sire, dac a amplitudinea semnalului de ie sire este Vsemn = 0, 7V . c). G asit i singularit a tile circuitului, calculat i frecvent ele lor si trasat i diagramele Bode.

In t

eg r
Figura 12

at e
15

180d 150d 120d 90d 60d 30d 0d -30d -60d -90d -120d -150d -180d 1.0KHz 10KHz 100KHz 1.0MHz 10MHz 100MHz 1.0GHz 10GHz

An

alo g

ice

VDD

Vbiasp 1,5 I

I M3 X 2,5 I M2 Vbiasn Vcasn

CL

fp1 =

1 2CL Rout

at e

Figura 13

Rout = 637k

An
(37) (38) I = 35A (39) (40) (41)

Dar, totodat a rezistent a de ie sire se scrie:

Ci r cu ite

Dac a nlocuim rezistent a dren a-surs a si transconductant a de semnal mic cu rDS = 1/I , respectiv gm = 2I/Vod , rezult a o ecuat ie din care se obt ine valoarea curentului I . Trebuie tinut cont de valorile curentilor: I1 = I , I3 = I4 = I5 = 1, 5I si I2 = I1 + I3 = 2, 5I . Tensiunile de overdrive sunt Vod2 = Vod3 = Vod4 = Vod5 = 200mV . Rout = 2I3 1 Vod3 I3 1 1 || I2 I1 || 2I4 1 1 Vod4 I4 I5

Castigul de semnal mic si joas a frecvent a este de forma: |A0 | = Gm Rout = gm1 Rout Gm = gm1 = 314S

Transconductant a de semnal mic a lui M1 se mai poate scrie: gm1 = 2I1 Vod1 Vod1 = 223mV

In t

Rout = [gm3 rDS 3 (rDS 2 || rDS 1 )] || [gm4 rDS 4 rDS 5 ]

eg r
16

alo g
Vout

Vin

M1

M4

Vcasp

ice

M5

 In tabelul 3 sunt date valorile curent ilor si a tensiunilor de overdrive pentru toate tranzistoarele din schema. M I Vod M1 35A 223mV M2 87, 5A 200mV M3 52, 5A 200mV M4 52, 5A 200mV M5 52, 5A 200mV

Tabelul 3: Punctele statice ale tranzistoarelor

14, 2m W2 13, 4m W3 8m W4 W5 26, 5m W1 = , = , = , = = L1 1m L2 1m L3 1m L4 L5 1m

An
Vout=1,5V

Folosind setul de referint a se fac c ateva scal ari pentru a dimensiona tranzistoarele din schem a. In urma calculelor va rezulta:

alo g

In t

eg r

Tensiunile dren a-surs a aplicate tranzistoarelor din ramura de ie sire se aleg astfel nc at tensiunea continu a la ie sire s a e 1, 5V (jumatate din tensiunea de alimentare). Vom aloca mai mult spat iu n tensiune tranzistoarelor cascod a, deoarece ele p ar asesc primele regimul de saturat ie, atunci c and tensiunile dren a-surs a scad. O posibil a mp art ire este: VDS 2 = VSD5 = 0, 5V si VDS 3 = VSD4 = 1V . In Figura 14 sunt marcate tensiunile dren a-surs a pentru ecare tranzistor din schem a.
VDD

0,5V

Ci r cu ite

Vin

M1 1V

1V

0,5V

Figura 14

at e

M5

Vbiasp

M4

Vcasp

M3

Vcasn

M2

Vbiasn

17

ice
(42)

Tensiunile continue care trebuie aplicate n grilele tranzistoarelor se calculeaz a conform relat iilor (43):

alo g
fp1=250kHz fp2=400MHz fzp=1GHz GBW=50MHz A0=46dB

Vcasn = VGS 3 + VDS 2 = (VT hn + Vod3 ) + VDS 2 = 0, 45 + 0, 2 + 0, 5 = 1, 15V VDD Vbiasp = VSG5 Vbiasp = VDD (|VT hp | + Vod5 ) Vbiasp = 3 0, 45 0, 2 = 2, 35V VDD Vcasp = VSD5 + VSG4 Vcasp = VDD VSD5 (|VT hp | + Vod4 ) Vcasp = 3 0, 5 (0, 45 + 0, 2) = 1, 85V

b). Pentru un semnal de ie sire cu amplitudinea de 0, 7V , domeniul de variat ie al tensiunii de ie sire este urm atorul: M IN Vout = Vod2 + Vod3 + Vsemn = 1, 1V

at e

An

M AX Vout = VDD Vod4 Vod5 Vsemn = 1, 9V

40 20 0 -20 -40 -60 -80 -100

Ci r cu ite

180d 150d 120d 90d 60d 30d 0d -30d -60d -90d -120d 1.0KHz 10KHz 100KHz 1.0MHz 10MHz 100MHz 1.0GHz 10GHz
Figura 15

In t

eg r

18

ice
(43) (44)

c). Circuitul are doi poli si un zero pozitiv. Frecvent ele acestora se calculeaz a dup a cum urmeaz a:

alo g
R Op Im 0,5V

fp1 fp2 fzp

= 250kHz gm3 2I3 = 525S = = 400M Hz , gm3 = 2CX Vod3 gm1 = = 1GHz 2CGD1

eg r

VDD

at e

7). S a se proiecteze un amplicator diferent ial cu sarcin a rezistiv a si ie sire simetric a ca n Figura 16 a). C a stigul de joas a frecvent a este |A0 | = 20dB , frecvent a polului dominant este fp1 =2MHz, tensiunea continu a la ie sire este Vout =2V, capacitatea de sarcin a CL =2pF si capacitatea CGD1 =50fF. Lungimea canalului tranzistoarelor este L=1m. In Tabelul 2 sunt dat i parametrii de referint a ai tranzistoarelor.
VDD 1V

R CL Om M1

In t

Op

Om M1 1,5V M 2

Ip

M2

Im

Ip

Ci r cu ite

Vbiasn

M3

Vbiasn

a)

Figura 16

a). Dimensionat i tranzistoarele si g asit i tensiunea de polarizare Vbiasn . b). Determinat i domeniul de variat ie al tensiunii de ie sire, dac a semnalului de ie sire are 1V v arf la v arf. c). Determinati domeniul de variat ie al tensiunii de intrare.

19

An
R M3

Diagramele Bode sunt trasate n Figura 15.

b)

ice
(45)

a). Frecvent a polului dominant este: fp =

Curentul prin rezistent a de sarcin a R, se scrie conform legii lui Ohm astfel:

eg r

I VDD Vout = 2 R

at e

1 1 1 = = 2Rout CL 2 [2(R || rDS )]CL 2RCL

An
R = 20k (46) I = 100A (47) gm1 = 500A (48) Vod1 = 200mV (49)
2

Rezolvare:

C a stigul amplicatorului are urm atoarea expresie: |A0 | = Gm Rout =

Ci r cu ite

Dac a scriem transconductant a de semnal mic a tranzistorului M1 , va rezulta valoarea curentului de polarizare: 2(I/2) Vod1

gm1 =

Pentru tranzistorul M5 care implementeaz a sursa de curent ce furnizeaz a curentul de polarizare al etajului diferent ial se alege tensiunea de overdrive Vod5 = 200mV . Tranzistoarele de intrare se dimensioneaz a astfel: 50 10L1 = 50 W1 175m 200m W1 W2 7, 6 = = L1 L2 1

In t

gm1 [2(R || rDS )] = gm1 R 2

alo g

d). Desenat i caracteristicile de frecvent a (amplitudine si faz a). e). Cum variaz a tensiunea n nodul de circuit care este comun surselor tranzistoarelor de intrare? f ). Modicat i circuitul astfel nc at c a stigul s a r am an a neschimbat, dar banda s a se dubleze. g). Ce se nt ampl a dac a Vbiasn = 600mV ? h). C at este amplitudinea semnalului de ie sire, pentru un semnal la intrare de amplitudine 500mV si frecvent a 1kHz ? i). Dac a Vin = 0, 01sin(125, 66 106 t), c at este amplitudinea semnalului de ie sire? j). Desenat i schema echivalent a de semnal mic corespunz atoare amplicatorului si dat i expresiile parametrilor acesteia.

20

ice

(50)

Tranzistorul M3 are aceea si tensiune de overdrive ca si cele de intrare, dar curentul s au de dren a este dublu. Drept urmare, dimensiunea lui va de dou a ori mai mare dec at a celor de intrare, adic a: 15, 2 W3 = L3 1 Tensiunea Vbiasn se poate calcula:

Vbiasn = VGS 3 = VT hn + Vod3 = 650mV b). Domeniul de variat ie al tensiunii de ie sire este:

alo g

M IN Vout = Vod1 + Vod3 + Vsemn = 0, 2 + 0, 2 + 0, 5 = 0, 9V

An

c). Domeniul de variat ie al tensiunii de intrare este:

M IN Vin = VGS 1 + Vod3 = (VT hn + Vod1 ) + Vod3 = 0, 85V M AX = VDD = 3V Vin

eg r

at e

M AX = VDD Vsemn = 3 0, 5 = 2, 5V Vout

In Figura 16 b) sunt marcate tensiunile dren a-surs a pentru ecare tranzistor din schem a. d). Circuitul are un pol introdus de nodul de ie sire si un zero pozitiv datorat c aii directe de semnal dintre intrare si ie sire prin capacitatea gril a-dren a a tranzistoarelor de intrare. Frecvent ele singularit a tilor sunt:

Ci r cu ite

In t

fp = 2M Hz gm1 fzp = = 1, 6GHz 2 C GD 1 GBW = |A0 | fp = 20M HZ

Diagramele Bode sunt trasate n Figura 17.

21

ice

(51)

(52)

(53)

(54)

(55)

30 20 10 0 -10 -20 -30 -40 fp1=2MHz fzp=1.6GHz GBW=20MHz A0=20dB

f ). Dac a njum at a tim rezistent a de sarcin a si dubl am curentul de polarizare a etajului diferent ial, c a stigul va ram ane constant, iar banda se va dubla.

h). Semnalul de la ie sirea circuitului are urm atoarea form a: vout = |A0 | vin = |A0 | 0, 5sin(2 1kHz t) = 5sin(2 1kHz t) (56)

In condit iiele n care amplitudinea semnalului de ie sire dep a seste tensiunea de alimentare, cum este cazul de fat a, semnalul de ie sire va limitat la 3V. Am tinut cont si de faptul c a ne situ am n banda de frecvent e cu f = 1kHz .

Ci r cu ite

g). Deoarece tensiunea minim a care poate aplicata n grila M3 este VbiasnM IN =VGS 3 +Vod3 =0,65V, rezult a c a 0, 6V nu este de ajuns ca tranzistorul s a r am an a n regimul de saturat ie. Drept urmare, M3 nu va funct iona corect ca surs a de curent, deoarece este n regim liniar.

In t

e). In nodul de circuit care este comun surselor tranzistoarelor de intrare nu avem variat ie de semnal, deoarece acest nod este mas a virtual a.

eg r
Figura 17

at e
22

0d -20d -40d -60d -80d -100d -120d -140d -160d -180d -200d 1.0KHz 10KHz 100KHz 1.0MHz 10MHz 100MHz 1.0GHz 10GHz

An

alo g

ice

i). Semnalul la ie sire se scrie: vout = |A0 | vin = |A0 | 0, 01sin(125, 66M Hz t) = 0, 1sin(2 20M Hz t) (57)

j). Schema echivalent a de semnal mic este prezentat a n Figura 18

Vin

GmVin CGD2

Rout

An
CL
gm1 = 2mS

CGD1

Figura 18

Rezolvare:

a). Produsul amplicare-band a este de forma: GBW = Gm gm1 = 2CL 2CL (58)

Totodat a, transconductant a de semnal mic a unui tranzistor bipolar are expresia:

Ci r cu ite

8). S a se proiecteze un amplicator diferent ial cu sarcin a oglind a de curent si ie sire asimetric a, av and tranzistoare bipolare la intrare. Produsul amplicare-band a este GBW =80MHz, capacitatea de sarcin a CL = 2pF , capacitatea CBC 1 = 40f F , capacitatea total a n nodul comun grilelor oglinzii de curent este CX = 100f F si VEA = 50V . Lungimea canalului tranzistoarelor este L=0,5m. In Tabelul 2 sunt dat i parametrii de referint a ai tranzistoarelor. a). Dimensionat i tranzistoarele si g asit i tensiunea de polarizare Vbiasn . b). Trasat i diagramele Bode. c). Cum se schimb a GBW dac a tranzistoarele bipolare se nlocuiesc cu tranzistoare MOS, avand Vod =200mV.

In t

eg r
23

at e

alo g
Vout

Frecvent a semnalului este f = 20M Hz egal a cu produsul amplicare-band a. Prin urmare, c a stigul circuitului e unitar, iar semnalul de ie sire va avea amplitudinea egal a cu cea a semnalului de intrare, adic a Vout = Vin =100mV.

ice

VDD X

Vout CL Ip Q1 I Vbiasn M5 Q2 Im

Figura 19

gm1 =

I/2 VT

at e

I = 100A

An
(59) W3 W4 12, 6 = = L3 L4 0, 5 (60) W5 7, 5 = L5 0, 5 (61)

20L3 50 = 50 W3

In t

Se fac scal ari pentru aarea geometriei tranzistoarelor MOS. Pentru cele cu canal p, M3 si M4 , avem: 225m 200m
2

Ci r cu ite

Tranzistorul cu canal n se dimensioneaz a astfel: 100 10L5 = 50 W5 175m 200m

2

Tensiunea din grila lui M5 se calculeaz a ca la problema anterioar a: Vbiasn = 0, 65V . b). Circuitul are patru singularit a ti: polul dominant introdus de nodul de ie sire, un pol si un zero de nalt a frecvent a datorate nodului oglinzii de curent si un zero pozitiv dat de calea directa de semnal dintre intrare si ie sire prin capacitatea baz a-colector a tranzistoarelor de intrare. Frecvent ele singularit a tilor si produsul amplicare-band a sunt:

eg r
24

Pentru tranzistoarele M3 -M4 din oglinda de curent si pentru M5 care implementeaza sursa de curent, alegem Vod = 200mV .

alo g

ice

M3

M4

An
fp1=140kHz fp2=800MHz fzn=1.6GHz fzp=8GHz GBW=80MHz A0=55dB

alo g

1 VEA 1 fp1 = = 140kHz , Rout = rCE 2 || rDS 4 = || = 285k 2Rout CL I/2 (I/2) gm3 I/2 fp2 = = 800M Hz , gm3 = = 500S 2 C V X od 3 2gm3 flhz = = 1, 6GHz 2CX gm1 fzp = = 8GHz 2CBC 1 GBW = 80M Hz

Diagramele Bode sunt trasate n Figura 20.

60 50 40 30 20 10 0 -10 -20 -30 -40 -50

Ci r cu ite

0d -20d -40d -60d -80d -100d -120d -140d -160d -180d -200d 1.0KHz 10KHz 100KHz 1.0MHz 10MHz 100MHz 1.0GHz 10GHz
Figura 20

c). Dac a nlocuim tranzistoarele bipolare de intrare cu tranzistoare MOS si p astr am acela si valoare a curentului, se va modica valoarea lui gm1 conform urm atoarei relat ii:

In t

eg r

at e

25

ice
(62)

gm1 =

2(I/2) = 500S Vod1

1 gmM OS = gmT B 4

(63)

Rezult a c a |A0 | la circuitul implementat doar cu tranzistoare MOS, va sc adea de 4 ori fat a de varianta BiCMOS. 9). S a se proiecteze un amplicator diferent ial cu sarcin a surse de curent si ie sire simetric a ca n Figura 21 a). Produsul amplicare-band a este GBW = 80M Hz , c a stigul de joas a frecvent a |A0 | = 32dB (40abs ), capacitatea de sarcin a CL = 2pF , capacitatea CGD1 = 50f F si tensiunea de overdrive pentru toate tranzistoarele din schem a Vod = 200mV . Lungimea canalului tranzistoarelor este L=0,5m. In Tabelul 2 sunt dat i parametrii de referint a ai tranzistoarelor. a). Dimensionat i tranzistoarele si g asit i tensiunile de polarizare Vbiasp si Vbiasn . b). Determinat i domeniul de variat ie al tensiunii de ie sire, dac a semnalului de ie sire are 1, 2V v arf la v arf. c). Desenat i diagramele Bode. d). Presupun and valoarea tensiunii continue la ie sire egal a cu valoarea tensiunii continue la intrare, g asit i valoarea acestora.

at e
Vbiasp Om Ip

VDD M3 Vbiasp CL Om M1

eg r
M4 Op M2

An
VDD 1,3V M3 M1 Vbiasn

In t

Ip

Im

Ci r cu ite

Vbiasn

M5

a)

Figura 21

Rezolvare:

a). Produsul amplicare-band a este de forma:

26

alo g
M4 Op VMC=1,7V 0,65V M2 M5 1,05V

b)

ice
Im

GBW =

gm1 Gm = 2CL 2CL

gm1 = 1mS

(64)

Totodat a, transconductant a de semnal mic a unui tranzistor MOS are expresia: 2(I/2) Vod1 I5 = 100A 2

In urma scal arilor obt inem raportul W/L a tranzistoarelor: W1 W2 7, 5 = = , L1 L2 0, 5 W3 W4 25, 3 = = , L3 L4 0, 5

Tensiunile de poalrizare Vbiasn si Vbiasp se determin a astfel:

Vbiasn = VGS 5 = 0, 65V VDD Vbiasp = VSG3

at e

Vbiasp = 2, 35V

An

W5 15, 1 = L5 0, 5

alo g

gm1 =

I1 = I2 = I3 = I4 =

b). Domeniul de variat ie a tensiunii de ie sire este:

In t

M IN Vout = Vod1 + Vod5 + Vsemn = 0, 2 + 0, 2 + 0, 6 = 1V M AX = VDD Vod3 Vsemn = 3 0, 2 0, 6 = 2, 2V Vout

eg r

Ci r cu ite

c). Circuitul are un pol introdus de nodul de ie sire si un zero pozitiv datorat c aii directe de semnal dintre intrare si ie sire prin capacitatea gril a-dren a a tranzistoarelor de intrare. Frecvent ele singularit a tilor sunt:

GBW f = = 2M Hz p |A0 | gm1 fzp = = 3, 2GHz 2CGD1 GBW = 80M HZ

Diagramele Bode sunt trasate n Figura 22.

27

ice

(65)

(66)

(67)

(68)

(69)

0d -30d -60d -90d -120d -150d -180d

1.0KHz 10KHz 100KHz 1.0MHz 10MHz 100MHz 1.0GHz 10GHz

d). Pentru a aa valoarea tensiunii continue la ie sire, tinem cont de relat iile: tensiunile de continue la intrare si ie sire sunt egale, Vin = Vout ; amplitudinea semnalului la ie sire este Vsemn = 0, 6V ; tensiunea dren a-surs a este dat a de relat ia: VDS = Vod + V , cu V = 100mV ;

Tensiunea continu a la intrare are expresia: Vin = VGS 1 + VDS 5 = (VT hn + Vod ) + (Vod + V ) = 0, 95V (70)

Tensiunea continu a maxim a la ie sire se scrie:

Ci r cu ite

tensiunea gril a-surs a se scrie: VGS = VT h + Vod ; tensiunea de overdrive a tuturor tranzistoarelor din schem a este Vod = 200mV ; tensiunea de prag at at pentru tranzistoarele PMOS, c at si pentru cele NMOS este VT hn = |VT hp | = 450mV

In t

eg r
Figura 22

at e
28

An

alo g

-10 -20 -30 -40

ice

40 30 20 10 0

fp1=2MHz fzp=3.2GHz GBW=80MHz A0=32dB

M AX = VSD3 + Vsemn VDD Vout

M AX = VDD (Vod + V ) Vsemn = 2, 1V (71) Vout

Tensiunea continu a minim a la ie sire este:

M IN Vout = VDS 1 + VDS 5 + Vsemn

M IN Vout = 2(Vod + V ) + Vsemn = 1, 2V

alo g

In Figura 21 b) sunt marcate tensiunile dren a-surs a pentru ecare tranzistor din schem a.

10). S a se proiecteze un amplicator diferent ial cu sarcin a surse de curent cascod a ca n Figura 23 a). Intrarea se face pe tranzistoare PMOS, iar ie sirea este simetric a. Produsul amplicare-band a este GBW = 80M Hz , c a stigul de joas a frecvent a |A0 | = 32dB (40abs ), capacitatea de sarcin a CL = 2pF , capacitatea CGD1 = 50f F si tensiunea de overdrive pentru toate tranzistoarele din schem a Vod = 200mV . Lungimea canalului tranzistoarelor de intrare si a celor cascod a este L=0,5m, iar restul au L=1m. In Tabelul 2 sunt dat i parametrii de referint a ai tranzistoarelor. a). Dimensionat i tranzistoarele si g asit i tensiunile de polarizare Vbiasn , Vcasn si Vbiasp . b). Determinat i domeniul de variat ie al tensiunii de ie sire, dac a semnalului de ie sire are 0, 8V v arf la v arf. c). Desenat i diagramele Bode. d). Dac a valoarea tensiunii continue la ie sire este egal a cu valoarea tensiunii continue de intrare, Vout = Vin , g asit iti o posibil a valoare pentru acestea. Se tine seama c a VDS = Vod + V , unde V = 100mV .

Ci r cu ite

In t

VSD3,4 = VDD Vout = 3 1, 7 = 1, 3V , VSD3 > Vod VDS 5 = Vin VGS 1 = 1, 7 (0, 45 + 0, 2) = 1, 05V , VDS 5 > Vod VDS 1,2 = VDD VSD3 VDS 5 = 3 1, 3 1, 05 = 0, 65 , VDS 1 > Vod

eg r

at e

Acum putem calcula tensiunile dren a-surs a a tuturor tranzistoarelor din schem a si vom verica dac a tranzistoarele sunt saturate.

An

Tensiunea continu a la ie sire se alege aproximativ la mijlocul intervalului (1,2; 2,1). O posibila valoare ar Vout =1,7V. Atunci si valoarea tensiunii continue la intrare e Vin =1,7V.

29

ice
(72) (73)

VDD M7 I M1 CL Om M3 Vcasn M5 Vbiasn Op M4 Om M3 Vcasn M2 M1

VDD M7 0,85V

Ip

Im

Ip

1V

M6

An
M5 0,5V

Vbiasn

a)

at e

b)

Rezolvare:

Ci r cu ite

a). Deoarece specicat iile sunt acelea si ca la problema 9), va rezulta aceea si valoare a curentului prin ramurile etajului diferent ial I1 = I2 = I3 = I4 = I5 = I6 = I7 /2 = 100A, ca la problema precedent a. Mai stim c a tensiunea de overdrive este Vod = 200mV pentru toate tranzistoarele din schem a. Pentru dimensionarea tranzistoarelor se fac scal ari. Astfel, rezult a: W1 W2 25, 3 W7 25, 3 = = , =4 L1 L2 0, 5 L7 1 W3 W4 7, 5 W5 W6 15, 1 = = , = = L3 L4 0, 5 L5 L6 1

In t

eg r

Figura 23

alo g
VCM=1,5V Op M4 M6

0,65V

M2

Tensiunile de polarizare din grilele tranzistoarelor se calculeaz a dup a cum urmeaz a:

Vbiasn = VGS 5 = 0, 65V Vcasn = VGS 3 + VDS 5 = 1, 15V VDD Vbiasp = VSG7 Vbiasp = 2, 35V

30

ice
Im

Vbiasp

Vbiasp

(74)

(75)

Observat ie: valoarea tensiunii VDS 5 se calculeaz a la punctul d). b). Domeniul de variat ie a tensiunii de ie sire este:

M IN Vout = Vod3 + Vod5 + Vsemn = 0, 2 + 0, 2 + 0, 4 = 0, 8V

0d -30d -60d -90d -120d -150d -180d

Ci r cu ite

1.0KHz 10KHz 100KHz 1.0MHz 10MHz 100MHz 1.0GHz 10GHz

Figura 24

c). Circuitul are un pol introdus de nodul de ie sire si un zero pozitiv datorat c aii directe de semnal dintre intrare si ie sire prin capacitatea gril a-dren a a tranzistoarelor de intrare. Frecvent ele singularit a tilor sunt:

In t

GBW fp1 = = 2M Hz |A0 | gm1 fzp = = 3, 2GHz 2CGD1 GBW = 80M HZ

eg r

at e

-10 -20 -30 -40

An
31

40 30 20 10 0

alo g
fp1=2MHz fzp=3.2GHz GBW=80MHz A0=32dB

M AX Vout = VDD Vod7 Vod1 Vsemn = 3 0, 2 0, 2 0, 4 = 2, 2V

ice

(76)

(77)

Diagramele Bode sunt trasate n Figura 24. d). Tensiunea continu a la intrare are expresia:

VDD Vin = VSD7 + VSG1

Vin = 3 (0, 2 + 0, 1) (0, 45 + 0, 2) = 2, 05V (78)

Tensiunea continu a maxim a la ie sire se scrie:

M AX VDD Vout = VSD7 + VSD1 + Vsemn

M IN Vout = 3 2(0, 2 + 0, 1) 0, 4 = 2V (79)

Tensiunea continu a minim a la ie sire este:

M IN = VDS 3 + VDS 5 + Vsemn Vout

M IN Vout = 2(0, 2 + 0, 1) + 0, 4 = 1V

An
(80)

Tensiunea continu a la ie sire se alege aproximativ la mijlocul intervalului (1V, 2V ). O posibil a valoare ar Vout =1, 5V . Atunci si valoarea tensiunii continue la intrare este Vin = 1, 5V . In Figura 23 b) sunt marcate tensiunile dren a-surs a pentru ecare tranzistor din schem a.

Ci r cu ite

VSD7 = VDD VSG1 Vin = 3 (0, 45 + 0, 2) 1, 5 = 0, 85V VDS 3 + VDS 5 = Vout = 1, 5V aleg VDS 3 = 1V , VDS 5 = 0, 5V VSD1 = VDD VSD7 VDS 3 VDS 5 = 0, 65V

In t

Acum putem calcula tensiunile dren a-surs a a tuturor tranzistoarelor din schem a:

eg r

at e

alo g

32

ice

(81)