J AUVRAY Systmes Electroniques

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Transistors Bipolaires
1
N
P
N
E
B
C
B
E
C
IB
IC
IE
IE
IB
IC
Zone de charge d'espace
W
Emetteur Collecteur Base
N P N
Concentration d'lectrons dans la base
z
iB iC
iE
Base Collecteur
Emetteur
h11
Schma pour
petits signaux
Beta.IB
LES COMPOSANTS ACTIFS
LE TRANSISTOR BIPOLAIRE
Il est constitu de 3 couches de semi-conducteur respectivement N P et N (ou PNP) .La
couche centrale, la base ,est mince, sa largeur doit tre trs infrieure la longueur de diffusion des
porteurs injects dans cette zone. Test avec un ohmtre un transistor se comporte comme deux
diodes tte bche. Avec un tel appareil il est ainsi possible de dterminer si un transistor est en bon
tat et de reprer son 'sexe' PNP ou NPN et la position de sa base.
En fonctionnement normal la jonction base
metteur est polarise dans le sens passant
( V
BE
0,7V) et la jonction base collecteur dans
le sens bloquant (V
C
>V
B
) Pour un dopage
d'metteur trs suprieur celui de la base, le
courant Emetteur-Base est essentiellement
constitu par les porteurs ngatifs passant de
E vers B .La largeur de la base tant infrieure
la longueur de diffusion de ces lectrons
dans le matriau de base, la plus grande partie
d'entre eux parvient dans la rgion de charge
d'espace de la jonction BC , polarise en
inverse, ou ils sont capturs et atteignent le
collecteur.
C'est l'effet transistor qui se traduit par la
relation simple I
C
=I
E
. infrieur 1 est le
gain en courant en base commune.
En introduisant
I
E
=I
C
+I
B
on obtient la formule
fondamentale du transistor :
I
C
=I
B
avec =/(1-)
est le gain en courant du transistor.
Le fonctionnement du transistor est
dcrit l'ordre zro (utilis pour calculer sa
polarisation ) :
I
C
=I
B
et V
BE
0,7V
Ce modle simple considre que la tension base metteur est constante, il est donc inadapt
au calcul d'un montage amplificateur dans lequel la tension d'entre modifie prcisment cette
tension. , pour un fonctionnement en rgime variable il faut introduire la caractristique exacte de la
jonction :
) / exp(
0

BE B
V I I =
Pour de petites variations de I et V autour d'un point de
polarisation on est donc conduit au schma du premier ordre
classique reproduit ci contre.
Ces schmas ne donnent cependant qu'une approximation
grossire du fonctionnement du transistor, aussi bien en
courant continu que pour les petits signaux..
Modlisation
Modle continu : Ebers et Moll
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Transistors Bipolaires
2
Ba se
Emetteur
Collecte
I direct
A
B
A
B
IB=Cte
Vce
Ic
0
V Early
B C
E
Rbe
Rbc
Rce
gVbe
Cbc
Cbe
B
C
E
h11
I1
i1
Pour faire travailler un transistor bipolaire autour de V
CE
=0 il faut tenir compte des deux
diodes EB et BC ..
Dans le sens direct (collecteur du cot + pour un NPN) le comportement en continu du
transistor est reprsent convenablement par le schma [A] ci dessous.
Le comportement inverse s'obtient en inversant le schma, la jonction de commande tant
la diode BC. Figure [B].
Le modle d'Ebers et Moll est obtenu en associant les deux schmas prcdents.
Le transistor est alors dcrit par les deux quations :
) 1 (exp ) 1 (exp
) 1 (exp ) 1 (exp
0
0 0
=
+ =

CB
CO
BE
E D C
CB
C I
BE
E E
V
I
V
I I
V
I
V
I I
On constate en particulier que pour VCB=0 le
comportement est dcrit par la seule quation:
I
E
=-I
E0
exp(V
BE
/)
Mais ce modle n'explique pas l'augmentation du avec la tension de collecteur , pour
l'expliquer il faut faire appel l'effet Early .Les porteurs injects dans base sont capturs par le
champ interne existant dans la zone de charge d'espace de la jonction collecteur. Les quations de
diffusion des porteurs montrent que la concentration des porteurs varie linairement entre l'metteur
et le bord de cette zone, c'est ce qui a t reprsent sur une figure prcdente. Si la tension de
collecteur augmente il en est de mme de l'paisseur W de la zone , tout se passe comme si la
largeur de la base tait rduite, ce qui se
traduit par une augmentation du .Le calcul
montre que toutes les caractristiques d'un
transistor convergent vers un point sur la
partie ngative de l'axe des tensions ,c'est la
tension d'Early .Figure ci contre. Pour un
transistor rel cette convergence n'est
qu'approximative .
Le modle de Gummel et Pound
utilis par SPICE est une modification du modle d'Ebers et Moll qui inclus l'effet Early.
Modle pour petits signaux
Le transistor considr comme un quadriple est le plus souvent dcrit par sa matrice h :
2 22 1 21 2
2 12 1 11 1
v h i h i
v h i h v
+ =
+ =
avec v
1
=V
BE
v
2
=V
CE
i
1
=I
B
i
2
=I
C
On peut lui associer le schma quivalent
en reprsent ci contre , ou:
R
BE
h
11
R
CE
1/h
22
R
BE
/R
CB
h
12 et
g/h
11
Modle dordre 1
Lorsque la charge extrieure
place entre collecteur et metteur est petite devant le 1/h
22
et pour des frquences faibles les termes
h
12
et h
22
peuvent tre ngligs ,(il faut les garder ou les ngliger tous
les deux )Il ne reste alors que les quations du modle simplifi , ordre 1 , :
1 2
1 11 1
i i
i h v
=
=

correspondant au schma simplifi ci contre :
Ce schma simplifi donne toujours une valeur trop grande du gain dun tage, lerreur tant dautant
plus grande que le rsultat est proche de la valeur du
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Transistors Bipolaires
3
nB
Base
Zone charge d'espace
Collecteur
Vce
Vce+DVce
x
C
E
Rce
gVbe
B' B
Rbb'
Cb'e Rb'e
Rb'c
Cb'c
C
E
Rce
B' B
Rbb'
Cb'e Rb'e
Cb'c
gVb'e
Modle HF , schma de Giacoletto
Pour tenir compte du comportement du
transistor lorsque la frquence augmente on introduit
les capacits internes C
be
et C
bc.
Ce ne sont pas
seulement les capacits normales des jonctions
polarises mais des capacits de diffusion.
Considrons d'abord C
BE
; nous avons vu
plus haut que la concentration des porteurs
minoritaires dans la base ( des lectrons pour un
transistor NPN ) dcroissait linairement de
l'metteur la zone de charge d'espace de la
jonction de collecteur. Ces porteurs en transit ont
une charge totale qui est proportionnelle la surface
colore en bleu ple dans la figure ci contre , donc proportionnelle au courant metteur I
E
.
Q=k I
E

Si ce courant varie de I
E
Q varie de Q=kI
E
mais I
E
= V
BE
/h
11
Donc Q=k/h
11
.V
BE
qui est de la forme Q=C
BE
V
BE
ou C
BE
est la capacit de diffusion.
La nature de C
BC
fait intervenir l'effet Early. Si la tension collecteur base varie, il en est de
mme de la largeur effective de la base, la rpartition des porteurs en transit est donc modifie , la
charge varie d'une quantit proportionnelle au triangle color en bleu fonc. Cette variation est
sensiblement proportionnelle V
CB
, le coefficient de proportionnalit est la capacit de diffusion
annonce.
Mme en faisant intervenir ces
condensateurs internes , le modle n'est
pas satisfaisant car on constate que
l'impdance d'entre ne tend pas vers zro
lorsque la frquence augmente ( ce qui
serait le cas cause de C
BE
qui court-
circuite l'entre ) Il faut faire intervenir la
rsistance du matriau de base qui se
comporte comme une rsistance en srie
avec l'entre. Le modle obtenu est le
schma de Giacoletto , il est reprsent ci contre .
Pour un transistor de faible puissance h
12
est de lordre de 10
-3
, Rbc est donc 1000 fois
plus grand que Rbe cest dire de lordre du M et son action est ngligeable devant celle de Cbc
on le nglige le plus souvent.
Frquences de coupure :
Le gain en courant apparent du quadriple est le quotient Ic/Ib pour Vce=0.
En ngligeant Cbc devant Cbe si un courant i
1
est inject dans la base, la tension sur la base
interne est :
1
' '
'
'
1
i
C jr
r
v
e b e b
e b
e b
+
=
Le courant de sortie tant
e b
gv i
' 2
=
On en dduit le gain en courant de la forme :

j +
=
1
1
0
avec
e b
gr
' 0
=
et
e b e b
C r
' '
1
=

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Transistors Bipolaires
4
E
B' B
Rbb'
Rb'e
Cb'e+gRLCb
v1
Gv1
C
Ze
G
E
B' B
Rbb'
Cb'e+gRLCb'c
gb'e
gvb'e
RL v2 v1
wS
RLC
RL
0
Frequence de coupure
cest la pulsation de coupure du gain en courant, pour les transistors courants elle est de lordre de
quelques MHz au plus. On donne plus souvent dans les documentations commerciales la pulsation

I
au del de laquelle le gain en courant tombe en dessous de 1 . En crivant que le module de est
gal 1 il est facile de montrer que
I
=o.
Amplificateur charge rsistive, effet Miller
Nous considrerons que la rsistance de charge R
L
est faible devant r
CE
et limpdance du condensateur C
bc
Alors la tension de sortie scrit :
L e b
R gv v
' 2
=
Si i est le courant dentre on peut crire au nud
B : (avec g=1/R)
0 ) ( ) (
' ' 2 ' ' '
= + +
c b e b e b e b e b
jC v v jC g v i
on en dduit limpdance dentre sur la base :
[ ]
c b L e b e b
bb E
C gR C j g
r Z
' ' '
'
1
+ +
+ =

Ce qui correspond au schma ci contre:

La capacit apparente dentre nest pas seulement due C
be
mais surtout C
bc
multiplie
par le gain de ltage.Cest leffet Miller.
De faon gnrale soit un amplificateur de gain G shunt par un condensateur C, le courant
circulant dans C vaut :
=
1 2 1
) 1 ( ) ( v G jC jC v v
Cest dire que limpdance dentre est celle dun
condensateur C(1-G) qui si G est grand et ngatif scrit |G|C
.Le condensateur est multipli par le gain.
Avec les approximations faites le schma de
lamplificateur est reprsent ci dessous.
Le calcul montre alors que le gain global
peut se mettre sous la forme :
S
j
G G

+
=
1
1
0
avec :
' '
0
1
bb e b
r g
Rg
G
+

=
et la frquence de coupure du gain en tension :
LC
L
e b bb e b
e b bb
S
R
R
r r C
r r
+

+
=
1
1
' ' '
' '
et
c b
e b
LC
C
C
g
R
'
'
1
=
Cette frquence de coupure est trs
infrieure la frquence de transition prsente plus
haut, quelques dizaines de MHz au plus, elle ne
tend pas vers linfini si la charge RL tend vers zro et
chute rapidement si cette charge augmente au del
de R
LC
,qui vaut en gnral quelques centaines dohms seulement.
Avec un 2N2925 on a par exemple :
C
be
=80pF C
bc
=10pf r
bb
=100 r
be
=2k g=30 10
-3

0
=200 f

=1Mhz f
I
=200Mhz
mais f
S
=21Mhz et RLC=270
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Transistors Bipolaires
5
Rb
Rc
v1
v2
E
V1
V2
E
Re
V2
Re
H11
I1
( +1)I1
i1
Uo
Rg
Les trois montages
Il est d'usage de distinguer trois montages de base suivant l'lectrode qui est commune
l'entre et la sortie .
Le montage metteur commun
C'est le plus naturel et aussi le plus employ . Nous rappellerons
rapidement ses proprits en utilisant le modle dordre 1, le modle d'ordre
0 ( VBE=0,7V et Ic= Ib ) est utilis pour le calcul du point de polarisation
Impdance dentre h
11
en parallle sur la rsistance de polarisation
R
B

Impdance de sortie Rc
Gain en tension -R
c
/h
11
Le paramtre h
11
tant inversement proportionnel au courant base , h
11
=/I
B
et =kT/q=26mV pour 300K
Le montage collecteur commun
Trs utilis lui aussi pour ses qualits dadaptateur dimpdance .
En premire approximation le gain vaut 1 V
2
=V
1
-0,7V relation entre
les tensions continues sur la base et lmetteur.
Le schma quivalent permet dcrire :
1 2
1 1 11 1
) 1 (
) 1 (
i R v
i R i h v
E
E
+ =
+ + =

dou limpdance dentre
E E
R h Z ) 1 (
11
+ + =
qui pour des valeurs pas trop faible de R
E
est de lordre de R
E,
rsultat important retenir .
Le courant de sortie circulant dans la charge est i
2
=(+1)i
1
mais si on fait intervenir la source dattaque de rsistance interne
R
G
:
v
2
=u
0
-(R
G
+h
11
).I
1
cest dire :
2
11
1 2
1
i
R h
v v
G
+
+
=

expression qui montre que limpdance de sortie sur lmetteur est

1
11
+
+

G
R h
, si limpdance de source est leve et grand devant 1
,cette expression se simplifie en
Z
S
=R
G
/ autre rsultat
fondamental .
Remarque importante :
Le montage
collecteur commun est trs
souvent utilis comme
adaptateur dimpdances, on
constate cependant parfois des
instabilits ( oscillations ) qui
sont surprenantes puisque son
gain est infrieur lunit. Le
schma de Giacoletto permet de
comprendre lorigine des ces
problmes, en effet si la charge
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Transistors Bipolaires
6
Rc
+E
Re
R1
R2
Cb
V1 V2 h11 Rc
V1
V2
I1
I1 Ie
dmetteur est capacitive limpdance dentre dun montage CC peut avoir une partie relle ngative.
La courbe prcdente est obtenue avec un 2N2222 dont lmetteur est charg par une
rsistance de 1k en parallle avec un condensateur de 1nF.La partie relle de limpdance atteint
5k au voisinage de 1Mhz.La mise en place dune rsistance dans le circuit de collecteur modifie la
courbe mais ne touche pas notablement au rsultat. Une telle impdance ngative peut tre lorigine
doscillations quil est trs difficile dliminer ,une rsistance en srie avec la base peut tre
ncessaire .
Le montage base commune
Dans ce dernier cas cest la base qui est le point commun entre lentre et la sortie , cest
dire la masse pour les petites variations. Le signal dentre est alors appliqu lmetteur .
Sur le schma quivalent au nud emetteur
0
1 1
= + + i i i
E

mais
1 11 1
i h v =
soit
1
11
1
1
i
h
v
+
=

limpdance dentre au niveau metteur est

trs basse de lordre de h
11
/, cest la caractristique essentielle du montage , par contre le gain est
au signe prs le mme que pour le montage EC .
Le montage BC est surtout utilis en haute frquences car les impdances des sources sont
naturellement basses (50) et de plus la base la masse isole lentre de la sortie , la capacit
metteur collecteur est faible ce qui rduit leffet Miller .
Application : Montage cascode
La figure ci contre reprsente un amplificateur utilisant un 2N2222 et attaqu par une source
dimpdance interne 600.Son gain maximal est de lordre de 100 et sa bande passante. 3dB
denviron 1Mhz.
Le montage cascode consiste
placer en srie un transistor mont en
metteur commun et un autre en base
commune. L'impdance d'entre du base
commune constitue la charge de
collecteur de lmetteur commun.
Si les deux transistors sont
identiques, travaillant avec le mme Ic ils
ont le mme h
11
.
Or limpdance dentre dun
montage BC est h
11
/ et le gain dun
montage EC -R
c
/h
11.,
cest

au signe prs
le mme en BC.
Avec Rc= h
11
/ le montage EC
aura un gain de 1 seulement ,donc un effet Miller faible [ ( 1-G)=2 ] mais le montage BC redonne
au montage total le gain dun EC seul. Lensemble a donc le mme gain que le montage EC mais
une impdance dentre bien moins capacitive ce qui accrot normment la bande passante.
Dans le montage ci dessous RB dtermine le courant dans Q1 donc aussi dans Q2 alors
que le pont R1 R2 dfini le potentiel du collecteur de Q1 .Le condensateur C2 dcouple la base de
Q2 de faon que ce transistor fonctionne en base commune.
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Transistors Bipolaires
7
IC
Vce
Droite de charge
Caractristique IB=Cte
Rc
Rb
Rb < beta Rc
E
E
Les courbes de gain ci dessous montrent les performances remarquables du montage
cascode, pour un gain voisin de celui du montage EC la frquence de coupure est multiplie par 10 .

Le transistor en saturation
Un transistor fonctionne en saturation
lorsque son courant collecteur est limit par les
lments extrieurs une valeur infrieure I
b
.Le
point de fonctionnement se trouve alors sur la partie
ohmique des caractristiques et la tension V
CE
est faible
,voisine de zro pour un courant faible. ( Pour des
courants plus importants cette tension est r.I
C
ou r est la
rsistance de saturation du transistor, pente de la
caractristique issue de l'origine.)
Dans ces conditions la puissance dissipe dans
le transistor est faible , sinon nulle, le composant se
comporte comme un interrupteur ferm.
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Transistors Bipolaires
8
En dehors des applications en commutation pure , il faut viter de saturer un transistor car
son retour l'tat bloqu est considrablement allong. En effet le courant base tant plus grand que
ncessaire, une charge importante est stocke dans la base et son vacuation prend du temps.
Considrons par exemple le montage suivant ; un signal carr 0 5V est appliqu l'entre et
compte tenu des valeurs de R
B
et R
C
sature
largement le transistor.
Le signal de sortie est reproduit ci
dessous , courbe 1 .
On constate:
Que le signal de sortie descend
aprs un retard d'environ 100nS mais
surtout , aprs la disparition du signal
d'entre ne commence remonter qu'aprs
un retard de prs de 400nS et ne retrouve
son tat de repos qu'au bout de 700nS .
Le temps de descente est amlior si l'on diminue la rsistance d'attaque R
B
, mais la
saturation est encore plus forte ce qui accrot encore le retard la remonte.
La solution est de placer en parallle sur R
B
un petit condensateur , dont la valeur est voisine
de la capacit d'entre du transistor, l'amlioration est spectaculaire comme le montrent les courbes ci
dessous ( Le signal d'entre est la trace infrieure , celle du milieu reprsente la tension de sortie
sans capacit acclratrice, celle du haut avec 47 pF , dans ce dernier cas le fonctionnement est
quasiment parfait . )
Les transistors de puissance
Il existe des transistors de puissance capable de grer des courants de plusieurs
dizaines dampres et pour certains des tensions jusqu' 1000V. Le calcul des circuits utilisant ces
transistors est dlicat car leurs paramtres h
12
et h
22
sont faibles et mal connus ce qui enlve
lapproximation habituelle ( et h11 seulement ) toute prcision. Le gain en courant de ces lments
est en gnral faible, 50 au plus pour un courant de 1A , quelques units seulement pour 10A et au
del .De plus ces transistors ont le plus souvent une frquence de coupure faible, le clbre 2N3055
a du mal travailler au del de la bande audio (20kHz).
Un problme permanent est le refroidissement de ces composants dont la jonction ne doit
jamais dpasser une temprature de 185C sous peine de destruction. Ce refroidissement est assur
garce des radiateurs, plaques de mtal fixes sur le botier du composant et qui vacuent la chaleur
par rayonnement ou conduction.
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Transistors Bipolaires
9
P
T1 T2
T1-T2=Rth.P
V
I
VI=Pmax
50V
Second claquage
0
Calcul des radiateurs :
Entre les deux faces dune paroi traverse par un flux thermique P (puissance en watts ) il
existe une diffrence de temprature :
P R T
TH
=
R
TH
est la rsistance thermique de la paroi.
Dans un transistor la puissance thermique P=V
CE
.I
C
est cre au
niveau de la jonction de collecteur. Cette puissance doit dabord passer
du matriau au botier , puis du botier au radiateur et enfin du radiateur
lair ambiant. Ces trois interfaces sont parcourues par la mme
puissance.
Or on peut crire :
T
jonction
T
ambiante
= (T
jonction
-T
boitier
)+(T
boitier
-T
radiateur
)+(T
radiateur
-T
ambiante
)
Cest dire en introduisant les rsistances thermiques :
T
jonction
T
ambiante
=T=(Rjb+Rbr+Rra)P
Ou les Rij sont les rsistances thermiques des interfaces jonction botier, botier radiateur et
radiateur ambiante .
La puissance maximale indique dans les caractristiques commerciales est toujours la
puissance maximale admissible 25C botier.
Considrons par exemple un 2N3055 donn pour 80W max. Cela veut dire que si le botier est
maintenu 25 la jonction atteint la limite 185C pour une puissance dissipe de 80W. La rsistance
jonction botier est donc :
Rjb=(185-25)/80 = 2C/W
Plaons ce transistor sur un radiateur dont la rsistance thermique est de 2C/W :
Rra=2C/W, si lon considre que le contact entre le botier et le radiateur est thermiquement
parfaite cest dire que Rbr=0 alors la puissance dissipable pour une temprature ambiante de 50C
est P=(185-50/(2+2)=33,75 Watts seulement.
Ce mode de calcul est valable pour tous les composants de puissance .Mais les transistors de
puissance sont lobjet dun phnomne trs gnant , le second claquage.
Le plus souvent un composant est caractris par la puissance maximale quil peut dissiper
cest dire le produit VI de la tension et du courant ses bornes. Sur le rseau de caractristique le
point de fonctionnement statique doit se trouver en
dessous de lhyperbole de dissipation dquation
VI=Pmax .Pour les transistors de puissance cela nest
malheureusement vrai que pour une tension infrieure
50V .Au del la dissipation admise est fortement rduite.
Par exemple un transistor capable de supporter 500V et
une puissance de 100W pourra tre polaris un
courant moyen de 10A si Vce=10V ,mais sera dtruit
pour 1A sous 100V .A cette tension de 100V la valeur
maximale du courant est peut tre de 200mA seulement
et 10mA pour 500V (au lieu de 200mA.)Ce second
claquage est un phnomne thermique local trs rapide.
Sous 100V et 0,9A le transistor est dtruit en quelques
dizaines de microsecondes bien que la puissance quil
dissipe ne soit que de 90W Aux tensions basses au contraire , lensemble du matriau constituant le
transistor intervient et la constante de temps thermique peut dpasser la seconde. En consquence si
un fusible est plac en srie avec le transistor, en dessous de 50V le fusible protge le transistor alors
quau del de 100V cest le transistor qui est dtruit avant le fusible.