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Tiristor
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Contenido
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• 1 Funcionamiento básico
• 2 Formas de activar un tiristor
• 3 Aplicaciones
• 4 Los principales tipos de tiristores
• 5 Fabricación
• 6 Referencias
• 7 Enlaces externos
Fabricación [editar]
Técnica de Difusión-Aleación: La parte principal del tiristor está compuesta por un
disco de silicio de material tipo N, 2 uniones se obtienen en una operación de difusión
con galio, el cual dopa con impurezas tipo P las 2 caras del disco. En la cara exterior se
forma una unión, con un contacto oro-antimonio. Los contactos del ánodo y cátodo se
realizan con molibdeno. La conexión de puerta se fija a la capa intermedia (tipo P)
usando aluminio. Esta técnica se usa solamente para dispositivos que requieren gran
potencia.
Técnica "Todo Difusión": Se trata de la técnica más usada, sobre todo en dispositivos
de mediana o baja intensidad, el problema principal de esta técnica reside en los
contactos, cuya construcción resulta más delicada y problemática que en el caso de
difusión-aleación. Las 2 capas P se obtienen por difusión del galio o el aluminio,
mientras que las capas N se obtienen mediante el sistema de máscaras de óxido. El
problema principal de este método radica en la multitud de fases que hay que realizar.
Aunque ciertas técnicas permiten paralelizar este proceso.
Técnica de Barrera Aislante: Esta técnica es una variante de la anterior. Se parte de un
sustrato de silicio tipo N que se oxida por las dos caras, después en cada una de las 2
caras se hace la difusión con material tipo P. Una difusión muy duradera y a altas
temperaturas produce la unión de las 2 zonas P. Después de este proceso se elimina todo
el óxido de una de las caras y se abre una ventana en la otra, se realiza entonces en
orden a aislar más zonas de tipo N, una difusión tipo P. Después de una última difusión
N el tiristor ya está terminado a falta de establecer las metalizaciones, cortar los dados y
encapsularlos.
Referencias [editar]
1. ↑ Christiansen, Donald; Alexander, Charles K. (2005); Standard Handbook of
Electrical Engineering (5th ed.). McGraw-Hill, ISBN 0-07-138421-9
Enlaces externos [editar]
• Wikimedia Commons alberga contenido multimedia sobre Tiristor.
Obtenido de "http://es.wikipedia.org/wiki/Tiristor"
Categoría: Componentes electrónicos
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Diac
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DIAC
El DIAC (Diodo para Corriente Alterna) es un dispositivo semiconductor de dos
conexiones. Es un diodo bidireccional disparable que conduce la corriente sólo tras
haberse superado su tensión de disparo, y mientras la corriente circulante no sea inferior
al valor característico para ese dispositivo. El comportamiento es fundamentalmente el
mismo para ambas direcciones de la corriente. La mayoría de los DIAC tienen una
tensión de disparo de alrededor de 30 V. En este sentido, su comportamiento es similar
a una lámpara de neón.
Los DIAC son una clase de tiristor, y se usan normalmente para disparar los triac, otra
clase de tiristor.
Es un dispositivo semiconductor de dos terminales, llamados ánodo y cátodo. Actúa
como un interruptor bidireccional el cual se activa cuando el voltaje entre sus terminales
alcanza el voltaje de ruptura, dicho voltaje puede estar entre 20 y 36 volts según la
referencia.
Triac
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(Redirigido desde TRIAC)
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Símbolo.
Un TRIAC o Triodo para Corriente Alterna es un dispositivo semiconductor, de la
familia de los transistores. La diferencia con un tiristor convencional es que éste es
unidireccional y el TRIAC es bidireccional. De forma coloquial podría decirse que el
TRIAC es un interruptor capaz de conmutar la corriente alterna.
Su estructura interna se asemeja en cierto modo a la disposición que formarían dos SCR
en antiparalelo.
Posee tres electrodos: A1, A2 (en este caso pierden la denominación de ánodo y cátodo)
y puerta. El disparo del TRIAC se realiza aplicando una corriente al electrodo puerta.
Referencias [editar]
Tutorial sobre el tiristor
Obtenido de "http://es.wikipedia.org/wiki/Rectificador_controlado_de_silicio"
Categoría: Componentes electrónicos
Diodo Shockley
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Símbolo del diodo Shockley. El 4 en el interior del círculo hace referencia a las 4 capas.
Gráfica V-I del diodo Shockley
Un diodo Shockley es un dispositivo de dos terminales que tiene dos estados estables:
OFF o de alta impedancia y ON o baja impedancia. No se debe confundir con el diodo
de barrera Schottky.
Está formado por cuatro capas de semiconductor tipo n y p, dispuestas alternadamente.
Es un tipo de tiristor.
La característica V-I se muestra en la figura. La región I es la región de alta impedancia
(OFF) y la III, la región de baja impedancia. Para pasar del estado OFF al ON, se
aumenta la tensión en el diodo hasta alcanzar Vs, tensión de conmutación. La
impedancia del diodo desciende bruscamente, haciendo que la corriente que lo atraviese
se incremente y disminuya la tensión, hasta alcanzar un nuevo equilibrio en la región III
(Punto B). Para volver al estado OFF, se disminuye la corriente hasta Ih, corriente de
mantenimiento. Ahora el diodo aumenta su impedancia, reduciendo, todavía más la
corriente, mientras aumenta la tensión en sus terminales, cruzando la región II, hasta
que alcanza el nuevo equilibrio en la región I (Punto A).
Vrb es la tensión inversa de avalancha.
Este dispositivo fue desarrollado por W. Shockley tras abandonar los Laboratorios Bell
y fundar Shockley Semiconductor. Fueron fabricados por Clevite-Shockley.