Curs 14 Sef Luc Dr. Petru A.

COTFAS

Starea solid este o stare condensat a materiei, caracterizat prin interacii interatomice suficient de puternice pentru a conferi materialului un volum propriu i o form proprie. Corpurile solide pot fi:
(i) cristaline, care sunt caracterizate printr-o stuctur ordonat, pe domenii ntinse avnd aceeai configuraie (ii) amorfe, care prezint o structur de ordine numai pe domenii foarte restrnse, configuraia fiind diferit n spaiu.

un cristal este perfect dac reeaua cristalin se prelungete nentrerupt n tot materialul. Reeaua cristalin se caracterizeaz prin constantele de reea, care sunt distane caracteristice ntre atomii reelei. Cristalele reale prezint unele abateri de la aceast structur ideal.
Atomi strini (impuriti), care ocup locuri n reea dislocaii n reeua cristalin, adic plane de atomi care au alunecat fa de alte 3 plane ale reelei cristaline.

Forele responsabile de aranjarea atomilor n cristal determin trei tipuri de cristale:

(i) cristale ionice, (ii) cristale covalente (iii) cristale metalice.

Cristalele ionice sunt formate din ioni pozitivi i ioni negativi ai elementelor chimice, aranjai altenativ. Cristalele ionice sunt izolatoare la orice temperatur, deoarece n structura lor nu se gsesc electroni liberi. Cristalele metalice sut formate din ioni care pun n comun electronii lor de valen. Aceti electroni formeaz un nor electronic uniform distribuit n reeaua cristalin. Nefiind legai de un atom anume, aceti electroni se mic liberi prin metal, ei putnd circula printre ionii reelei metalice i pot conduce curentul electric. Astfel metalele conduc curentul electric la orice 4 temperatur.

Cristalele covalente se realizaez cu atomi ai grupei a patra a sistemului periodic. Aceti atomi au cte patru electroni de valen. n reeaua cristalin fiecare atom este nconjurat de patru vecini (cei mai apropiai) cu care pune n comun cte un electron de valen. La anumite temperaturi, nu foarte ridicate, unii dintre electronii de valen pot rupe legtura covalent i devin electroni liberi n cristal. Locul rmas liber n legtura covalent de unde a plecat electronul se numete gol de conducie. Att electronii liberi ct i golurile de conducie particip la conducia curentului electric din cristalul covalent. Cele mai importante cristale de acest tip se numesc cristale semiconductoare
5

Pentru corpurile solide o caracteristica importanta este rezistivitatea electrica, si dependenta acesteia de temperatura Rezistivitatea electric reprezint intensitatea cmpului electric pe unitatea de densitate de curent.
Cu ct rezistivitatea electric este mai mare, cu att este mai intens cmpul electric necesar pentru stabilirea unei densitti de curent date. n SI unitatea de msur pentru rezistivitatea electric este [] = 1 m.

Cu ct rezistivitatea electric a unui material este mai mare, cu att conductivitatea electric este mai redus. Conductivitatea electric a unui material reprezint posibilitatea ca sarcinile electrice s fie mobile prin corpuri realizate din aceste materiale, astfel nct s conduc curentul electric prin corp, la aplicarea unei diferene de potenial.
6

In cazul metalelor rezistivitatea electric variaz cu temperatura dup legea:

unde 0 este rezistivitatea la temperatura de referin T0, este coeficientul termic al rezistivitii, iar T= T- T0, este diferena dintre temperatura T la care este exprimat rezistivitatea electric i temperatura de referin.

Semiconductori formeaz o clas aparte n ceea ce privete conducia electric. Sarcinile electrice de conducie din semiconductori, sau purttorii, sunt electronii de conducie i golurile. Procesul de generare de electroni de conducie i de goluri const n ruperea legturilor covalente dintre anumii atomi, rolul principal fiind jucat de temperatura la care se afl semiconductorul:
cu ct temperatura este mai mare cu att crete numrul de legturi covalente din care unii electroni de valen sunt pui n libertate, ei devenind electroni de conducie. Locurile lsate vacante de aceti electroni poart numele de goluri de conducie
8

intrinseci (puri).
structura unui cristal de Si pur ne arata ca prin realizarea legturilor covalente atomii sunt astfel aezai nct fiecare atom de Si este nconjurat de patru atomi vecini de Si, cu fiecare avnd n comun cte un electron de valen. Astfel structura de pe stratul exterior al fiecrui atom de Si este una de octet => fiecare atom de Si se comport ca i cum ar avea el singur toi cei opt electroni pe stratul de valen, dei ai lui sunt doar patru (o structur cu un numr de opt electroni pe ultimul strat confer atomului o stabilitate deosebit). Semiconductorii puri, sau intrinseci, se caracterizeaz prin egalitatea numrului de purttori de sarcin electric negativ i pozitiv (ni = ne = np). Conductivitatea semiconductorilor puri este redus (o parte din electronii de valenta sunt liberi) Conducia electric din semiconductorii puri se numete conducie intrinsec.
9

Semiconductori cu impuriti Pentru a mri conductivitatea electric a semiconductorilor se realizeaz cristale covalente n care se introduc impuriti n procesul de solidificare (Arseniu grupa V, Galiu grupa III) => un semiconductor impurificat sau extrinsec Impuritati din grupa a V-a - semiconductor de tip n (electroni liberi) Impuritati din grupa a III-a - semiconductor de tip p (goluri libere) Acest tip de conducie electric, prin intermediul impuritilor de concentraie controlat se numete conducie extrinsec, iar semiconductorii impurifiai cu impuriti de tip p sau de tip n se numesc semiconductori extrinseci. Putatorii de sarcina rezultati purtatori majoritari
10

Jonciunea semiconductoare p-n format dintr-un cristal de germaniu (sau siliciu) ce a fost impurificat ntr-o regiune cu atomi pentavaleni (de tip n) i n alta cu atomi trivaleni (de tip p), regiunile fiind separate de o zon numit jonciune. La contactul celor dou zone se realizeaz o regiune de baraj (zona de saracire): n zona n se afl o sarcin electric pozitiv net (obinut prin difuzia electronilor n zona p), iar n zona p se afl sarcin electric negativ (obinut prin difuzia golurilor spre zona n). n jonciune ia natere un cmp electric orientat dinspre zona n spre zona p.

11

Dioda semiconductoare Dac se conecteaz o jonciune p-n ntr-un circuit electric exterior, se obine o diod semiconductoare Aplicnd o tensiune variabil n circuitul din figura, se constat c dispozitivul conduce curentul electric dac polarizarea este cu potenialul pozitiv la zona p.

12

Functionare
Atunci cnd regiunea p se afl la un potenial pozitiv, deci mai ridicat dect regiunea n, se reduce valoarea potenialului electric din zona de baraj a diodei, astfel c este facilitat trecerea golurilor din regiunea p ctre regiunea n, iar a electronilor din zona n ctre regiunea p. Atunci cnd se inverseaz polaritatea aplicat pe diod, cmpul electric din zona de baraj crete i mai mult, mpingnd electronii din zona p n zona n i golurile din regiunea n spre regiunea p. Dar n regiunea n concentraia de goluri este foarte redus (se datorez numai conductivitii intrinseci i migraiei din zona p). n mod similar, n zona p concentraia de electroni este redus. De aceea la polarizare negativ pe zona p a diodei se obin cureni foarte redui http://wwwg.eng.cam.ac.uk/mmg/teaching/li nearcircuits/diode.html

13

Relaia dintre tensiunea i intensitatea curentului electric prin diod este de forma: unde I0 este o constant caracteristic tipului de semiconductor, e este sarcina electronului, k este constanta lui Boltzmann, iar T este temperatura absolut.

14

Tranzistorul Un tranzistor este un dispozitiv format din dou jonciuni p-n, aezate n configuraia p-n-p sau n-p-n. Cele trei zone ale tranzistorului se numesc baz, emitor i colector.

15

Se observ c tensiunea baz-colector este cu polarizare invers, ceea ce va determina ca n absena sursei dintre emitor i baz, prin colector s treac un curent foate redus. Aceste curent reprezint efectul polarizrii inverse a unei jonciuni p-n. Dac ntre emitor i baz se aplic o tensiune direct, Ue, atunci golurile din emitor se pun n micare i trec prin baz, spre jonciunea baz-colector. Ele trec apoi i prin colector, genernd un curent electric prin rezistena din circuitul baz colector. Astfel prin circuitul colectorului trece un curent a crui intensitate este controlat de curentul din circuitul emitorului. Tensiunea din circuitul colectorului, Uc, controleaz puterea electric disipat pe rezistorul R. Dac Uc >Ue, tranzistorul funcioneaz ca amplificator de tensiune.

16