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UNIVERSIDAD NACIONAL DE MORENO

Ingeniera Electrnica

Monografa: Tiristores (SCR)


Dispositivos Electrnicos
Becerra Juan Manuel

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Monografa Tiristores, Dispositivos Electrnicos, Ing. Electrnica

Indice
Introduccin ........................................................................................................................... 3 Un poco de historia ................................................................................................................ 4 Dispositivos semiconductores de potencia ........................................................................ 4 El Tiristor ................................................................................................................................. 7 Estructura y Simbologia ...................................................................................................... 8 Funcionamiento del Tiristor en bloqueo o polarizacin inversa ................................. 9 Modelo de SCR de dos transistores: ................................................................................. 10 Funcionamiento del Tiristor en conduccin o polarizacin directa........................... 11 Principio de Encendido por Compuerta (Gate) ................................................................ 12 Activacin del SCR ............................................................................................................. 14 Accin de la Compuerta (Gate) ......................................................................................... 15 Curva caracterstica del SCR.............................................................................................. 16 Definicin de los smbolos ................................................................................................ 17 Tipos de Tiristores ............................................................................................................. 20 Algunas aplicaciones tpicas.............................................................................................. 28 Hojas de Datos ...................................................................................................................... 31 Bibliografia ............................................................................................................................ 47

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El Tiristor o SCR (Rectificador Controlado de Silicio)


Introduccin
Durante muchos aos ha existido la necesidad de controlar la potencia elctrica de los sistemas de traccin y de los controles industriales impulsados por motores elctricos; esto ha llevado a un temprano desarrollo del sistema Ward-Leonard con el objeto de obtener un voltaje de corriente directa variable para el control de los motores e impulsores. La electrnica de potencia ha revolucionado la idea del control para la conversin de potencia y para el control de los motores elctricos. La electrnica de potencia combina la energa, la electrnica y el control. El control se encarga del rgimen permanente y de las caractersticas dinmicas de los sistemas de lazo cerrado. La energa tiene que ver con el equipo de potencia esttica y rotativa o giratoria, para la generacin, transmisin y distribucin de energa elctrica. La electrnica se ocupa de los dispositivos y circuitos de estado slido requerido e el procesamiento de seales para cumplir con los objetivos de control deseados. La electrnica de potenciase puede definir como la aplicacin de la electrnica de estado slido para el control y la conversin de energa elctrica. La electrnica de potencia se basa, en primer termino, en la conmutacin de dispositivos semiconductores de potencia. Con el desarrollo de la tecnologa de los semiconductores de potencia, las capacidades del manejo de la energa y la velocidad de conmutacin de los dispositivos de potencia han mejorado tremendamente. El desarrollo de la tecnologa de los microprocesadores - microcomputadoras tiene un gran impacto sobre el control y la sntesis de la estrategia de control para los dispositivos semiconductores de potencia. El equipo de electrnica de potencia moderno utiliza (1) semiconductores de potencia, que puede compararse con el msculo, y (2) microelectrnica, que tiene el poder de la inteligencia del cerebro.

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Un poco de historia
La historia de la electrnica de potencia empez e el ao 1900, con la introduccin del rectificador de arco de mercurio. Luego aparecieron gradualmente, el rectificador de tanque metlico, el rectificador de tubo al alto vacio de rejilla controlada, el fanotron y el tiratron. Estos dispositivos se aplicaron al control de la energa hasta la dcada de 1950. La primera revolucin electrnica inicia en1948 con la invencin del transistor de silicio en los Bell Telephone Laboratories por los seores Bardeen, Brattain y Shockley. La mayor parte de las tecnologas electrnicas avanzadas actuales tienen su origen en esta invencin. A travs de los aos la microelectrnica moderna ha evolucionado a partir de los semiconductores de silicio. El siguiente gran parte aguas, en 1956, tambin provino de los Bell Telephone Laboratories: la invencin del transistor de disparo PNPN, que se defini como un tiristor o rectificador controlado de silicio (SCR) por sus siglas en ingles. La segunda revolucin electrnica empez en 1958 con el desarrollo del tiristor comercial por General Electric Company. Ese fue el principio de una nueva era en la electrnica de potencia. Desde entonces, se han introducidos muy diversos tipos de dispositivos semiconductores de potencia y tcnicas de conversin. La revolucin de microelectrnica nos dio la capacidad de procesar una gran cantidad de informacin a una velocidad increble. La revolucin de la electrnica de potencia nos esta dando la capacidad de dar forma y controlar grandes cantidades de energa con una eficiencia cada vez mayor. Debido a la fusin de la electrnica de potencia que es el msculo, con la microelectrnica, que es el cerebro, se han descubierto muchas aplicaciones potenciales de la electrnica de potencia, y se descubrirn ms. Dentro de los siguientes 30 aos, la electrnica de potencia formara y condicionara la electricidad, en alguna parte de la lnea de transmisin, entre el punto de generacin y todos los usuarios. La revolucin de la electrnica de potencia ha ganado inercia, desde el fin de los aos 80 y principios de los 90.

Dispositivos semiconductores de potencia Desde que se desarroll el primer tiristor de rectificador controlado de silicio (SCR), a fines de 1957, ha habido grandes adelantos en los dispositivos semiconductores de potencia. Hasta 1970, los tiristores convencionales se haban utilizado en forma exclusiva para el

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control de la energa en aplicaciones industriales. A partir de 1970, se desarrollaron varios tipos de dispositivos semiconductores de potencia que quedaron disponibles en forma comercial. stos se pueden dividir en cinco tipos principales: (1) diodos de potencia, (2) tiristores, (3) transistores bipolares de juntura de potencia (BJT), (4) MOSFET de potencia, y (5) transistores bipolares de compuerta aislada (IGBT) y transistores de induccin estticos (SIT). Los tiristores se pueden subdividir en ocho tipos: (a) tiristor de conmutacin forzada, (b) tiristor conmutado por lnea, (e) tiristor desactivado por compuerta (GTO), (d) tiristor de conduccin inversa (RCT), (e) tiristor de induccin esttico (SITH), (o tiristor desactivado con asistencia de compuerta (GATT), (g) rectificador controlado de silicio foto activado (LASCR), y (h) tiristores controlados por MOS(MCT). Los transistores de induccin estticos tambin estn disponibles en forma comercial. Los diodos de potencia son de tres tipos: de uso general, de alta velocidad (o de recuperacin rpida) y Schottky. Los diodos de uso general estn disponibles hasta 3000 V, 3500 A, y la especificacin de los diodos de recuperacin rpida puede llegar hasta 3000 V, 1000 A. El tiempo de recuperacin inversa vara entre 0.1 y 5s. Los diodos de recuperacin rpida son esenciales para la interrupcin de los convertidores de potencia a altas frecuencias. Un diodo tiene dos terminales: un ctodo y un nodo. Los diodos Schottky tienen un voltaje bajo de estado activo y un tiempo de recuperacin muy pequeo, tpicamente en nanosegundos. La corriente de fuga aumenta con el voltaje y sus especificaciones se limitan a 100 V, 300 A. Un diodo conduce cuando el voltaje de su nodo es ms alto que el de su ctodo; siendo la cada de voltaje directa de un diodo de potencia muy baja, tpicamente 0.5 y 1.2 V. Si el voltaje de ctodo es ms alto que el voltaje de nodo, se dice que el diodo est en modo de bloqueo. Existen varias configuraciones de diodos de uso general, mismos que se agrupan bsicamente en dos tipos. Uno se conoce como de perno o montado en perno y el otro como de disco empacado a presin o de disco de hockey. En el de perno, tanto el nodo como el ctodo podran ser el perno. Un tiristor tiene tres terminales: un nodo, un ctodo, y una compuerta. Cuando una pequea corriente pasa a travs de la terminal de la compuerta hacia el ctodo, el tiristor conduce, siempre y cuando la terminal del nodo est a un potencial ms alto que el ctodo. Una vez que el tiristor est en un modo de conduccin, el circuito de la compuerta no tiene ningn control y el tiristor continuara conduciendo. Cuando un tiristor est en un modo de conduccin, la cada de potencial en directa es muy pequea, tpicamente 0.5 a 2 V. Un tiristor que conduce se puede desactivar haciendo que el potencial del nodo sea igual o menor que el potencias de ctodo. Los tiristores conmutados en lnea se desactivan en
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razn de la naturaleza senoidal del voltaje de entrada, y los tiristores conmutados en forma forzada se desactivan mediante un circuito adicional conocido como circuitera de conmutacin. Existen varias configuraciones de tiristores de control de fase (o de conmutacin de lnea): tipo perno, tipo disco de hockey, tipo plano, y tipo de aguja. Los tiristores naturales o conmutados en lnea estn disponibles con especificaciones de hasta 6000V, 3500 A. El tiempo de desactivacin de los tiristores de bloqueo inverso de alta velocidad ha mejorado en forma sustancial y es posible obtener de 10 a 20 s con un tiristor de 1200-V, 2000-A. El tiempo de desactivacin se define como el intervalo de tiempo entre el instante en que la corriente principal se reduce a cero despus de la interrupcin externa del circuito de voltaje principal, y el instante en que el tiristor es capaz de aceptar un voltaje principal especificado, sin activarse. Los RCT y los GATT se utilizan en gran medida para la interrupcin de alta velocidad, en especial en aplicaciones de traccin. Un RCT se puede considerar como un tiristor que incluye un diodo inverso en paralelo. Los RCT estn disponibles hasta 2500 V, 1000 (y 400 A de conduccin inversa) con un tiempo de interrupcin de 40 s. Los GATT estn disponibles hasta 1200 V, 400 A con una velocidad de interrupcin de 8 s. Los LASCR, que se fabrican hasta 6000V, 1500 A, con una velocidad de interrupcin de 200 a 400 s, son adecuados para sistemas de energa de alto voltaje, especialmente en HVDC. Para aplicaciones de corriente, alterna de baja potencia los TRIAC, se utilizan ampliamente en todo tipo de controles sencillos de calor, de iluminacin, de motor, as como interruptores de corriente alterna. Las caractersticas de los TRIAC son similares a dos tiristores conectados en inverso paralelo con una sola terminal de compuerta. El flujo de corriente a travs de un TRIAC se puede controlar en cualquier direccin. Los GTO y los SITH son tiristores auto desactivados. Los GTO y los SITH se activan mediante la aplicacin de un pulso breve positivo a las compuertas, y se desactivan mediante la aplicacin de un pulso corto negativo a las mismas. No requieren de ningn circuito de conmutacin. Los GTO resultan muy atractivos para la conmutacin forzada de convertidores y estn disponibles hasta 4000 V, 3000A. Los SITH, cuyas especificaciones pueden llegar tan alto como 1200 V, 300A, se espera que puedan ser aplicados a convertidores de mediana potencia con una frecuencia de varios cientos de Khz. y ms all del rango de frecuencia de los GTO. Existen varias configuraciones de GTO. Los transistores bipolares de alta potencia son comunes en los convertidores de energa a frecuencias menores que 10 Khz. y su aplicacin es eficaz en las especificaciones de potencia de hasta 1200 V, 400 A. Un transistor bipolar tiene tres terminales: base, emisor y colector. Por lo general, se opera en forma de interruptor en la configuracin de emisor comn. Mientras que la base de un transistor NPN est a un potencial ms alto que el emisor, y la corriente de base sea lo suficientemente grande
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como para excitar al transistor en la regin de saturacin, el transistor se conservar activado, siempre que la unin del colecto ral emisor est correctamente polarizada. La cada directa de un transistor en conduccin est en el rango de 0.5 a 1.5 V. Si el voltaje de excitacin de la base es retirado, el transistor se conserva en modo de no conduccin (es decir desactivado). Los MOSFET de potencia se utilizan en convertidores de potencia de alta velocidad y estn disponibles en una especificacin de relativamente poca potencia en rango de 1000 V, 50 A, en un rango de frecuencia de varias decenas de Khz. Los IGBT son transistores de potencia controlados por voltaje. Por naturaleza, son ms rpidos que los BJT, pero an no tan rpidos como los MOSFET. Sin embargo, ofrecen caractersticas de excitacin y de salida muy superiores a las de los BJT. Los IGBT son adecuados para altos voltajes, altas corrientes y frecuencias de hasta20 Khz. Los IGBT estn disponibles hasta 1200 V, 400 A.

El Tiristor
En la industria hay numerosas operaciones, las cuales requieren se entregue una cantidad de potencia elctrica variable y controlada. La iluminacin, el control de velocidad de un motor, la soldadura elctrica y el calentamiento elctrico, son las cuatro operaciones ms comunes. Siempre es posible controlarla cantidad de potencia elctrica que se entrega a una carga si se utiliza un transformador variable para proporcionar un voltaje de salida variables. Sin embargo, para grandes potencias, los transformadores variables son fsicamente grandes y costosos y necesitan un mantenimiento frecuente, estos tres factores hacen que los transformadores variables sean poco utilizados. Otro mtodo para controlar la potencia elctrica que se entrega a una carga, es intercalar un restato en serie con la carga, para as controlar y limitar la corriente. Nuevamente para grandes potencias, los restatos resultan de gran tamao, costosos, necesitan mantenimiento adems, desperdician una cantidad apreciable de energa. Los restatos no son la alternativa deseable frente a los transformadores variables en el control de potencia industrial. Desde 1960 est disponible un dispositivo electrnico, el cul no adolece de las fallas antes mencionadas. El SCR es pequeo y relativamente barato, no necesita mantenimiento y su consumo de potencia es muy pequeo. Algunos SCR modernos pueden controlar corrientes del orden de cientos de amperios en circuitos que operan a

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voltajes tan elevados como 1000 volts. Por estas razones, los SCR son muy importantes en el campo del control industrial moderno. Dentro de la familia de dispositivos pnpn, el rectificador controlado de silicio (SCR) es, sin duda, el de mayor inters hoy en da, y fue presentado por primera vez en 1956 por los Bell Telephone Laboratories. Algunas de las reas ms comunes de aplicacin de los SCR son controles de relevador, circuitos de retardo de tiempo, fuentes de alimentacin reguladas, interruptores estticos, controles de motores, recortadores, inversores, cicloconversores, cargadores de bateras, circuitos de proteccin, controles de calefaccin y controles de fase. En aos recientes han sido diseados SCR para controlar potencias tan altas de hasta 10 MW y con valores individuales tan altos como de 2000 A a 1800 V. Su rango de frecuencia de aplicacin tambin ha sido extendido a cerca de 50 kHz, lo que ha permitido algunas aplicaciones de alta frecuencia.

Estructura y Simbologia El tiristor es un nombre genrico de una serie de dispositivos semiconductores de potencia. Uno de ellos llamado SCR (rectificador controlado de silicio) es un semiconductor slido de silicio formado por cuatro capas P y N alternativamente, dispuestas como se ve en la Figura 1, donde tambin se representa su smbolo.

Figura 1 Smbolo y circuito equivalente del SCR

Figura 2 Seccin longitudinal del SCR

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El dispositivo cumple varias misiones que podemos clasificar un poco arbitrariamente como sigue: Rectificacin: consiste en usar la propiedad de funcionamiento unidireccional del dispositivo, el cual realiza entonces la misma funcin de un diodo. Interrupcin de corriente: usado como interruptor, el tiristor puede reemplazar a los contactores mecnicos. Regulacin: la posibilidad de ajustar el momento preciso del encendido permite emplear el tiristor para gobernar la potencia o la corriente media de salida. Amplificacin: puesto que la corriente de mando puede ser muy dbil en comparacin con la corriente principal, se produce un fenmeno de amplificacin en corriente o en potencia. En ciertas aplicaciones esta "ganancia" puede ser de utilidad.

Funcionamiento del Tiristor en bloqueo o polarizacin inversa Para simplificar el siguiente anlisis admitiremos que el ctodo del tiristor est siempre a tierra y que la puerta no est conectada ("flotando"). En estas condiciones, se puede comparar el tiristor a tres diodos conectados en oposicin. En efecto, las capas P2N2 y P1N2 forman diodos que aseguran el aguante en tensin del dispositivo. De esta forma: Si el nodo es positivo, el elemento est polarizado directamente, pero el diodo P1N2 bloquea la tensin aplicada. Si, por el contrario, el nodo es negativo, los diodos P2N2 y P1N1 tienen polarizacin inversa. Por ser dbil la tensin de avalancha de P1N1, su papel es despreciable y es P2N2 el que ha de limitar la corriente inversa de fuga.

La tensin mxima viene limitada, prcticamente, por la tensin de avalancha de los diodos P2N2 y P1N2 en serie.

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Figura 3 - Las tres uniones del tiristor pueden representarse mediante tres diodos equivalentes Figura 4 El SCR polarizado en Inversa

Modelo de SCR de dos transistores: La accin regenerativa o de enganche debido a la retroalimentacin directa se puede demostrar mediante un modelo de un SCR de dos transistores. Un SCR se puede considerar como dos transistores complementarios, un transistor PNP, T1, y un transistor NPN, T2 :

Figura 5 A) SCR simplificado. B) SCR como dos Transistores. C) Circuito Equivalente

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Funcionamiento del Tiristor en conduccin o polarizacin directa Se comprender mejor el funcionamiento del tiristor si nos referimos al montaje con dos transistores, PNP y NPN, de la Figura 5, que resulta equivalente. Estos dos transistores estn conectados de forma que se obtenga una realimentacin positiva. Supongamos que sea positiva la regin P2 con relacin a la N1. Las uniones J3 y J1 emiten portadores positivos y negativos respectivamente hacia las regiones N2 y P1. Estos portadores, tras su difusin en las bases de los transistores, llegan a la unin J2, donde la carga espacial crea un intenso campo elctrico. Siendo 0.3 la ganancia de corriente que da la fraccin de la corriente de huecos inyectada en el emisor y que llega al colector del PNP, y siendo por otro lado a la ganancia de corriente que da lafraccin de la corriente de electrones inyectada en el emisor que llega al colector del NPN, podemos escribir:

La corriente total de nodo IA es evidentemente la suma de lc1 e lc2, a la que hay que sumar la corriente de fuga residual que pasa por la unin central J2 y a la que llamaremos Icx. Se tiene entonces:

Lo que nos queda:

Ahora bien, en muchos transistores de silicio la ganancia es baja para valores reducidos de corriente, aumentando cuando crece la corriente. Luego, si Icx es reducida, el denominador de la fraccin anterior se acerca a 1 (para corrientes dbiles) y la corriente IA es apenas mayor que la corriente de fuga.
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Aunque polarizada directamente, la estructura PNPN permanece pues bloqueada presentando una elevada impedancia. Cuando aumenta, por cualquier motivo, la corriente de fuga lcx, aumentan la corriente y la ganancia. La suma tiende entonces a 1 y la corriente IA tiende a infinito. En realidad, esta corriente toma un valor muy alto, limitado slo porel circuito externo. El tiristor est entonces en estado conductor (tambin se dice que est desbloqueado o disparado). Hagamos observar que este tipo de encendido por aumento de la corriente de fuga esto es, en general, por aumento de la tensin aplicada entre nodo y ctodo del elemento es desaconsejable en la mayora de los casos.

Figura 6 El SCR en polarizacin Directa

Principio de Encendido por Compuerta (Gate) El encendido por puerta es el mtodo ms usual de disparo de tiristores. El razonamiento siguiente aparecer mucho ms claro si nos referimos a la Figura 7.

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Una vez polarizado directamente el tiristor se inyecta un impulso positivo de mando en su puerta (este ataque es en corriente, denominndose lG a esta ltima). El transistor NPN designado T1 recibe una corriente de base lG, pasando a ser su corriente de colector de , donde es la ganancia de corriente de este transistor (montaje en emisor comn). Esta corriente se inyecta a su vez en la base del transistor T2 (PNP) que entrega entonces una corriente de (siendo la ganancia de corriente de T2). Esta corriente, que aparece en el colector de T2, vuelve a aplicarse a la base de T1. Hay que considerar entonces dos casos: 1. El producto es inferior a 1, en cuyo caso el elemento no se enciende

2. El producto tiende a la unidad, con lo que se realiza el proceso de amplificacin y el elemento pasa al estado de conduccin.

Estas dos condiciones ( < 1 y = 1) caracterizan el estado del tiristor en funcin de la corriente. En efecto, la ganancia de un transistor de silicio crece normalmente, por lo general, en funcin de la corriente (Figura 8). As pues: Si la corriente de puerta es dbil, el producto se enciende el dispositivo es inferior a la unidad y no

Si el impulso de mando es suficiente, las corrientes de emisor son lo bastante elevadas para que el producto tienda a 1.

En cuanto se produce el encendido, la realimentacin hace que los dos transistores conduzcan a saturacin (por cuanto la corriente de colector de uno se inyecta sistemticamente en la base del otro). Una vez en conduccin, los transistores se mantienen ya en ese estado, incluso aunque desaparezca el impulso inicial de puerta, hasta que el circuito exterior deje de mantener la corriente IA.

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Figura 7 Modelo SCR con transistores

Figura 8 Curva Beta en funcin de la IE

Activacin del SCR Como ya hemos visto, el tiristor puede adoptar uno de estos estados: De bloqueo, cuando est polarizado en sentido inverso; De bloqueo o de conduccin, cuando la polarizacin es directa, segn que est encendido o no.

En este ltimo caso, para hacerlo pasar del estado de bloqueo al de conduccin se recurre, como se ha dicho ya, a la propiedad esencial del transistor de silicio: la de poseer una ganancia de corriente que crece con la corriente de emisor, le. Por tanto, se pueden usar todos los medios capaces de provocar un aumento de la corriente IE. Los ms importantes son:

LA TENSIN: Cuando aumenta la tensin nodo-ctodo del tiristor, llega un momento en que la corriente de fuga es suficiente para producir un brusco aumento de la corriente IE. Esta forma de disparo se usa sobre todo con los diodos de 4 capas (diodos- tiristores). LA DERIVADA DE LA TENSIN: Ya se sabe que una unin PN presenta una cierta capacidad. As, pues, si se hace crecer bruscamente la tensin nodo-ctodo, esta
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capacidad se carga con una corriente: Y, si esta corriente I es suficientemente elevada, provocar el encendido del tiristor. LA TEMPERATURA: La corriente inversa de fuga de un transistor de silicio aumenta al doble, aproximadamente, cada 14 C (al aumentar la temperatura). Cuando la corriente alcanza un valor suficiente, se produce el disparo del tiristor por los mismos fenmenos ya vistos. EL EFECTO TRANSISTOR: Es la forma clsica de gobernar un tiristor. En la base del transistor equivalente se inyectan portadores suplementarios que provocan el fenmeno de disparo (la base es la puerta del tiristor). EL EFECTO FOTOELCTRICO: La luz, otra de las formas de energa, puede tambin provocar el encendido del tiristor al crear pares electrn-hueco. En este caso se emplea un fototiristor, que es un tiristor con una "ventana" (esto es una lente transparente que deja pasar los rayos luminosos) en la regin de puerta.

Accin de la Compuerta (Gate) Si se aplica una seal de mando a la puerta del tiristor se modifica la tensin de encendido de ste, tal como muestra las curvas de la Figura 9. Cuando es nula la corriente lG de puerta, el tiristor no se ceba hasta que se alcanza la tensin de disparo entre nodo y ctodo del elemento. A medida que aumenta la corriente de puerta lG, disminuye el valor de la tensin de disparo del tiristor. En el lmite, el tiristor se comporta como un diodo, esto es, para una corriente de puerta suficientemente elevada, la menor tensin de nodo provoca la conduccin en el tiristor. Para prevenir los posibles encendidos espordicos del tiristor se puede conectar un resistor en paralelo con la unin puerta-ctodo (siguiente figura). Esto es especialmente interesante cuando la ganancia del transistor NPN (del par equivalente) es elevada. (Por lo general suele ser ms elevada que la ganancia del PNP.) Por otra parte, casi todos los fabricantes integran ya un resistor de difusin entre la puerta y el ctodo del tiristor; esta tecnologa es la que se conoce como "shorted emitter", con un cortocircuito puerta-emisor. Al aumentar el valor de la corriente de puerta necesaria para el encendido del tiristor, este resistor en paralelo mejora las caractersticas del elemento en bloqueo, y
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aumenta la inmunidad ante transitorios parsitos. La resistencia depende de la temperatura y de las tolerancias de fabricacin, y vara entre los valores extremos RG, (mn.) y RG (mx.).

Figura 9 Curva IA en funcin de la IG Figura 10 Tecnologa Shorted Emitter

Curva caracterstica del SCR En la Figura 11 se presenta la curva caracterstica tpica de un tiristor (elemento unidireccional), representndose la corriente IA en funcin de la diferencia de tensin nodo-ctodo. Cuando es nula la tensin V, lo es tambin la corriente IA. Al crecer la tensin V en sentido directo se la designar como VF, siendo F la inicial de "forward" (directo, en ingls) se alcanza un valor mnimo (Vd) que provoca el encendido; el tiristor se hace entonces conductor y cae la tensin nodo-ctodo mientras aumenta la corriente IA. Por lo mismo que hemos dicho de la tensin, a esta corriente directa la llamaremos IF. Si se polariza inversamente el tiristor, aplicndole una tensin VR(donde R es la inicial de "reverse", esto es, inverso en ingls) observaremos la existencia de una dbil corriente inversa de fuga (esta corriente inversa recibir el smbolo IR) hasta que se alcanza un punto de tensin inversa mxima que provoca la destruccin del elemento. El tiristor es pues conductor slo en el primer cuadrante. El disparo ha sido provocado en este caso por aumento de la tensin directa. La aplicacin de una corriente de mando en la puerta desplaza, como veremos, hacia la derecha el punto de disparo Vd.

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Figura 11 Curva caracterstica del SCR

Figura 12 Zonas de Trabajo del SCR

Definicin de los smbolos La curva caracterstica del tiristor puede pues dividirse en 6 regiones, de las que 4 estn situadas en el primer cuadrante. A continuacin definiremos los smbolos principales relativos a puntos notables de esta curva. Debido a que la mayor parte de la bibliografa existente sobre tiristores procede de Estados Unidos, se han conservado aqu las designaciones simblicas del ingls. Las magnitudes directas llevarn el ndice F (de forward) y las inversas R (de reverse). El siguiente cuadro resume el significado de las abreviaturas usadas:

CORRIENTE DIRECTA MEDIA Se define as el valor medio de los valores instantneos de corriente directa nodoctodo en el tiristor, para un intervalo dado de tiempo. Su smbolo es IF(AV).

CORRIENTE ACCIDENTAL DE PICO Es el valor que puede alcanzar un pico de corriente nodo-ctodo en forma accidental, esto es transitoriamente y no de modo recurrente. Su smbolo es IFSM y define pues el valor mximo admisible de las extracorrientes, en el curso de regmenes

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transitorios aleatorios. Normalmente se especifica para , 1, o 10 ciclos a una frecuencia dada.

CORRIENTE MXIMA DE PUERTA La corriente mxima de puerta se simboliza IGFS, y es el valor mximo instantneo que puede alcanzar un pico de corriente en el electrodo de mando del tiristor. Este valor define tambin el valor mximo de la corriente de mando en rgimen de impulsos de muy corta duracin.

TENSIN DIRECTA DE DISPARO La tensin directa de disparo Vd (o tambin VBO) es la tensin directa por encima de la cual se enciende el tiristor por disparo directo.

TENSIN INVERSA DE RUPTURA La tensin inversa que produce la ruptura del elemento se designa como VRR.

TENSIN INVERSA REPETITIVA La tensin inversa recurrente es VRWM. Se define as el valor mximo que puede tomar la amplitud de la tensin inversa peridica aplicada entre el nodo y ctodo del tiristor.

TENSIN INVERSA REPETITIVA DE PICO La tensin inversa recurrente de pico es VRPM y es el valor mximo que pueden alcanzar las punas recurrentes de tensin inversa. Este valor es numricamente superior al valor mximo de tensin inversa del tiristor (valor de pico mximo).

TENSIN INVERSA TRANSITORIA O ACCIDENTAL La tensin inversa transitoria o accidental es VRSM. Este valor limita la tensin inversa ctodo-nodo a la que puede someterse el tiristor, durante un intervalo dado de tiempo.

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TENSIN DIRECTA DE PICO EN BLOQUEO La tensin directa de pico en estado de bloqueo es VDWM (o tambin VFDM). Su valor fija un lmite a la tensin mxima aplicable entre nodo y ctodo del tiristor, con puerta flotante, sin riesgo de disparo. Esta tensin es pues ligeramente inferior a la tensin de disparo en ausencia de seal de mando.

POTENCIA TOTAL DISIPADA La potencia total disipada en el tiristor es Pav. En ella se consideran todas las corrientes: directa, media e inversa (IFAV e IRR); de fuga, directa e "inversa (IFD e IR); de mando (IG); corriente capacitiva, etc. Su valor permite calcular el radiador, si es que el tiristor precisa de uno.

POTENCIA MEDIA DISIPABLE DE PUERTA La potencia media disipable de puerta es PGAV. Es el valor de la potencia disipada en la unin puerta-ctodo. POTENCIA DE PICO DE PUERTA La potencia de pico de puerta es PGFS. Corresponde a la potencia mxima disipada en la unin puerta-ctodo, en el caso de aplicarse una seal de disparo no continua. Su valor es superior al de PGAV y su lmite depende de las condiciones de encendido.

CORRIENTE DE ENGANCHE La corriente de enganche IL es la corriente IA mnima que hace bascular el tiristor del estado de bloqueo al de conduccin. Su valor es por lo general de dos o tres veces la corriente de mantenimiento, definida a continuacin.

CORRIENTE DE MANTENIMIENTO Para conservar su estado de conduccin el tiristor debe suministrar una comente de nodo, IA, mnima que recibe el nombre de corriente de mantenimiento, IH. A veces se denomina tambin a esta corriente, corriente hipo-esttica.

TENSIN DE ENGANCHE A la corriente LI , de enganche le corresponde una tensin de enganche VL.


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TENSIN DE MANTENIMIENTO Del mismo modo, se podra definir una tensin de mantenimiento VH que sera la tensin que, aplicada al nodo, permitira el paso de la corriente In de mantenimiento.

CORRIENTE DE PUERTA La corriente de puerta se designa GI . En una serie dada de tiristores teniendo en cuenta la dispersin de las caractersticas el valor mximo necesario para asegurar el encendido de cualquier elemento se designa lGT.

TENSIN DE ENCENDIDO A esta corriente IGT le corresponde una tensin de encendido VGD (que en los dispositivos de uso corriente se aproxima a 1 V).

TENSIN MXIMA EN LA PUERTA SIN DISPARO Finalmente, la tensin mxima aplicable a la puerta s n provocar el disparo se simboliza por VGD. Esta tensin se define a la temperatura mxima y es siempre muy inferior a la tensin de encendido (puede ser, por ejemplo, de 0,3 V).

Tipos de Tiristores Los tiristores se fabrican casi exclusivamente por difusin. La corriente del nodo requiere de un tiempo finito para propagarse por toda el rea de la unin, desde el punto cercano a la compuerta cuando inicia la seal de la compuerta para activar el tiristor. Para controlar el di/dt, el tiempo de activacin y el tiempo de desactivacin, los fabricantes utilizan varias estructuras de compuerta. Dependiendo de la construccin fsica y del comportamiento de activacin y desactivacin, en general los tiristores pueden clasificarse en ocho categoras: 1. 2. 3. 4. Tiristores de control de fase o de conmutacin rpida (SCR). Tiristores de desactivacin por compuerta (GTO). Tiristores de triodo bidireccional (TRIAC). Tiristores de conduccin inversa (RTC).

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5. 6. 7. 8.

Tiristores de induccin esttica (SITH). Rectificadores controlados por silicio activados por luz (LASCR). Tiristores controlados por FET (FET-CTH). Tiristores controlados por MOS (MCT).

TIRISTORES DE CONTROL DE FASE O DE CONMUTACIN RPIDA (SCR) El miembro ms importante de la familia de los tiristores es el tiristor de tres terminales, conocido tambin como el rectificador controlado de silicio o SCR. Este dispositivo lo desarroll la General Electric en 1958 y lo denomin SCR. El nombre de tiristor lo adopt posteriormente la Comisin Electrotcnica Internacional (CEI). En la figura siguiente se muestra el smbolo de un tiristor de tres terminales o SCR. Tal como su nombre lo sugiere, el SCR es un rectificador controlado o diodo. Su caracterstica voltaje-corriente, con la compuerta de entrada en circuito abierto, es la misma que la del diodo PNPN. Lo que hace al SCR especialmente til para el control de motores en sus aplicaciones es que el voltaje de ruptura o de encendido puede ajustarse por medio de una corriente que fluye hacia su compuerta de entrada. Cuanto mayor sea la corriente de la compuerta, tanto menor se vuelve VBO. Si se escoge un SCR de tal manera que su voltaje de ruptura, sin seal de compuerta, sea mayor que el mayor voltaje en el circuito, entonces, solamente puede activarse mediante la aplicacin de una corriente a la compuerta. Una vez activado, el dispositivo permanece as hasta que su corriente caiga por debajo de I H. Adems, una vez que se dispare el SCR, su corriente de compuerta puede retirarse, sin que afecte su estado activo. En este estado, la cada de voltaje directo a travs del SCR es cerca de 1.2 a 1.5 veces mayor que la cada de voltaje a travs de un diodo directo-oblicuo comn.

Los tiristores de tres terminales o SCR son, sin lugar a dudas, los dispositivos de uso ms comn en los circuitos de control de potencia. Se utilizan ampliamente para cambiar o rectificar aplicaciones y actualmente se encuentran en clasificaciones que van desde unos pocos amperios hasta un mximo de 3,000 A.

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Un SCR: Se activa cuando el voltaje VD que lo alimenta excede VBO Tiene un voltaje de ruptura VBO, cuyo nivel se controla por la cantidad de corriente iG, presente en el SCR Se desactiva cuando la corriente iD que fluye por l cae por debajo de IH Detiene todo flujo de corriente en direccin inversa, hasta que se supere el voltaje mximo inverso.

Figura 13 Simbolo del SCR

TIRISTORES DE DESACTIVACIN POR COMPUERTA (GTO) Entre las mejoras ms recientes que se le han hecho al tiristor est el apagado por compuerta (GTO). Un tiristor GTO es un SCR que puede apagarse por una pulsacin suficientemente grande en su compuerta de entrada, aun si la corriente iD excede IH. Aunque los tiristores GTO se han venido usando desde 1960, solamente se volvieron prcticos para las aplicaciones de control de motores, al final de los aos setenta. Estos dispositivos se han vuelto ms y ms comunes en las unidades de control de motores, puesto que ellos eliminaron la necesidad de componentes externos para apagar los SCR en circuitos de cc. Un tiristor GTO requiere una mayor corriente de compuerta para encendido que un SCR comn. Para grandes aparatos de alta potencia se necesitan corrientes de compuerta del orden de 10 A o ms. Para apagarlos se necesita una gran pulsacin de corriente negativa de entre 20 y 30 s de duracin. La magnitud de la pulsacin de corriente negativa debe ser de un cuarto a un sexto de la corriente que pasa por el aparato.

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Figura 14 Simbolo del GTO

TIRISTORES DE TRIODO BIDIRECCIONAL (TRIAC) Es un dispositivo que se comporta como dos SCR conectados en contraposicin, con una compuerta de paso comn; puede ir en cualquier direccin desde el momento en que el voltaje de ruptura se sobrepasa. El smbolo del TRIAC se ilustra en la figura siguiente. El voltaje de ruptura en un TRIAC disminuye si se aumenta la corriente de compuerta, en la misma forma que lo hace en un SCR, con la diferencia que un TRIAC responde tanto a los impulsos positivos como a los negativos de su compuerta. Una vez encendido, un TRIAC permanece as hasta que su corriente cae por debajo de IH.

Figura 15 Simbolo del TRIAC

TIRISTORES DE CONDUCCIN INVERSA (RTC) En muchos circuitos pulsadores e inversores, se conecta un diodo antiparalelo a travs de un SCR, con la finalidad de permitir un flujo de corriente inversa debido a una carga inductiva, y para mejorar el requisito de desactivacin de un circuito de conmutacin. El diodo fija el voltaje de bloqueo inverso del SCR a 1 2v por debajo de las condiciones de rgimen permanente. Sin embargo, bajo condiciones transitorias, el voltaje inverso puede elevarse hasta 30v debido al voltaje inducido en la inductancia dispersa del circuito dentro del dispositivo. Un RCT es un intercambio entre caractersticas del dispositivo y requisitos del circuito; puede considerarse como un tiristor con un diodo antiparalelo incorporado, tal y como se
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muestra en la figura siguiente. Un RCT se conoce tambin como tiristor asimtrico (ASCR). El voltaje de bloqueo directo vara de 400 a 2000v y la especificacin de corriente llega hasta 500 A. El voltaje de bloqueo inverso es tpicamente 30 a 40v. Dado que para un dispositivo determinado est preestablecida la relacin entre la corriente directa a travs de un tiristor y la corriente inversa del diodo, sus aplicaciones se limitarn a diseos de circuitos especficos.

TIRISTORES DE INDUCCIN ESTTICA (SITH) Por lo general, un SITH es activado al aplicrsele un voltaje positivo de compuerta, como los tiristores normales, y desactivado al aplicrsele un voltaje negativo a su compuerta. Un SITH es un dispositivo de portadores minoritarios. Como consecuencia, el SITH tiene una baja resistencia en estado activo as como una baja cada de potencial, y se puede fabricar con especificaciones de voltaje y corriente ms altas. Un SITH tiene velocidades de conmutacin muy rpidas y capacidades altas de dv/dt y di/dt. El tiempo de conmutacin es del orden de 1 a 6m s. La especificacin de voltaje puede alcanzar hasta 2500v y la de corriente est limitada a 500 A. Este dispositivo es extremadamente sensible a su proceso de fabricacin, por lo que pequeas variaciones en el proceso de manufactura pueden producir cambios de importancia en sus caractersticas.

RECTIFICADORES CONTROLADOS DE SILICIO ACTIVADOS POR LUZ (LASCR) Este dispositivo se activa mediante radiacin directa sobre el disco de silicio provocada con luz. Los pares electrn-hueco que se crean debido a la radiacin producen la corriente de disparo bajo la influencia de un campo elctrico. La estructura de compuerta se disea a fin de proporcionar la suficiente sensibilidad para el disparo, a partir de fuentes luminosas prcticas (por ejemplo, LED y para cumplir con altas capacidades de di/dt y dv/dt). Los LASRC se utilizan en aplicaciones de alto voltaje y corriente [por ejemplo, transmisin de cd de alto voltaje (HVDC) y compensacin de potencia reactiva esttica o de voltamperes reactivos (VAR)]. Un LASCR ofrece total aislamiento elctrico entre la fuente de disparo luminoso y el dispositivo de conmutacin de un convertidor de potencia, que flota
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a un potencial tan alto como unos cuantos cientos de kilovoltios. La especificacin de voltaje de un LASCR puede llegar tan alto como 4 kv a 1500 A, con una potencia de disparo luminoso de menos de 100mw. El di/dt tpico es 250 A/m s y el dv/dt puede ser tan alto como 2000v/m s.

Figura 17 - LASCR

TIRISTORES CONTROLADOS POR FET (FET-CTH) Un dispositivo FET-CTH combina un MOSFET y un tiristor en paralelo, tal y como se muestra en la figura siguiente. Si a la compuerta del MOSFET se le aplica un voltaje suficiente, tpicamente 3v, se genera internamente una corriente de disparo para el tiristor. Tiene una alta velocidad de conmutacin, un di/dt alto y un dv/dt alto. Este dispositivo se puede activar como los tiristores convencionales, pero no se puede desactivar mediante control de compuerta. Esto servira en aplicaciones en las que un disparo ptico debe utilizarse con el fin de proporcionar un aislamiento elctrico entre la seal de entrada o de control y el dispositivo de conmutacin del convertidor de potencia.

Figura 18 Estructura FET-CTH 25

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TIRISTORES CONTROLADOS POR MOS (MCT) Un tiristor controlado por MOS (MCT) combina las caractersticas de un tiristor regenerativo de cuatro capas y una estructura de compuerta MOS. El circuito equivalente se muestra en la figura siguiente (b) y el smbolo correspondiente en la (a). La estructura NPNP se puede representar por un transistor NPN Q1 y con un transistor Q2. La estructura de compuerta MOS se puede representar por un MOSFET de canal p M1 y un MOSFET de canal n M2. Debido a que se trata de una estructura NPNP, en vez de la estructura PNPN de un SCR normal, el nodo sirve como la terminal de referencia con respecto a la cual se aplican todas las seales de compuerta. Supongamos que el MCT est en estado de bloqueo directo y se aplica un voltaje negativo VGA. Un canal, p (o una capa de inversin) se forma en el material dopado n, haciendo que los huecos fluyan lateralmente del emisor p E2 de Q2 (fuente S1 del MOSFET M1 del canal p) a travs del canal p hacia la base p B1 de Ql (que es drenaje D1 del MOSFET M1, del canal p). Este flujo de huecos forma la corriente de base correspondiente al transistor npn Q1. A continuacin e1 emisor n+ E1 de Q1, inyecta electrones, que son recogidos en la base n B2 (y en el colector n C1) que hace que el emisor p E2 inyecte huecos en la base n B2, de tal forma que se active el transistor PNP Q2 y engancha al MCT. En breve, un VGA de compuerta negativa activa al MOSFET M1 canal p, proporcionando as la corriente de base del transistor Q2. Supongamos que el MCT est en estado de conduccin, y se aplica un voltaje positivo V GA. Se forma entonces un canal n en el material contaminado p, haciendo que fluyan lateralmente electrones de la base n B2 de Q2 (fuente S2 del MOSFET M2 del canal n) a travs del canal n del emisor n+ fuertemente contaminado de Ql (drenaje D2 del MOSFET M2 del canal n+). Este flujo de electrones desva la corriente de base del transistor PNP Q2 de tal forma que su unin base-emisor se desactiva, y ya no habr huecos disponibles para recoleccin por la base p B1 de Q1 (y el colector p C2de Q2). La eliminacin de esta corriente de huecos en la base p B1, hace que se desactive el transistor NPN Q1, y el MCT regresa a su estado de bloqueo. En breve, un pulso positivo de compuerta V GA, desva la corriente que excita la base de Ql, desactivando por lo tanto el MCT. El MCT se puede operar como dispositivo controlado por compuerta, si su corriente es menor que la corriente controlable pico. Intentar desactivar el MCT a corrientes mayores que su corriente controlable pico de especificacin, puede provocar la destruccin del dispositivo. Para valores ms altos de corriente, el MCT debe ser conmutado como un SCR
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estndar. Los anchos de pulso de la compuerta no son crticos para dispositivos de corrientes pequeas. Para corrientes mayores, el ancho del pulso de desactivacin debe ser mayor. Adems, durante la desactivacin, la compuerta utiliza una corriente pico. En muchas aplicaciones, incluyendo inversores y pulsadores, se requiere, de un pulso continuo de compuerta sobre la totalidad del perodo de encendido/apagado a fin de evitar ambigedad en el estado.

Un MCT tiene: Una baja cada de voltaje directo durante la conduccin; Un tiempo de activado rpido, tpicamente 0.4m s, y un tiempo de desactivado rpido, tpicamente 1.25m s, para un MCT de 300A, 500v; Bajas perdidas de conmutacin; Una baja capacidad de bloqueo voltaje inverso. Una alta impedancia de entrada de compuerta, lo que simplifica mucho los circuitos de excitacin. Es posible ponerlo efectivamente en paralelo, para interrumpir corrientes altas, con slo modestas reducciones en la especificacin de corriente del dispositivo. No se puede excitar fcilmente a partir de un transformador de pulso, si se requiere de una polarizacin continua a fin de evitar ambigedad de estado.

Figura 19 Estructura MCT

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Algunas aplicaciones tpicas REGULACIN DE LUZ Una de las aplicaciones ms tpicas de uso domestico es el regulador de luz. La figura 183 muestra un esquema de este circuito basado en el TRIAC MAC218A de Motorola y cuyo control de disparo se realiza a travs de un SBS. La resistencia R1+R2 carga el condensador C1 a travs de la propia tensin de alimentacin en alterna y cuando se alcanza la tensin de ruptura del SBS, este dispara el TRIAC haciendo circular la corriente por la carga (lmpara). El uso de TRIAC y SBS permite el control de potencia en semiperiodos positivos y negativos. El ngulo de conduccin se controla a travs de la resistencia variable R 1; contra mas pequeo sea su valor el ngulo de conduccin ser mayor, y viceversa. Las ecuaciones de funcionamiento del circuito son difciles de extraer pero en la Figura 20 se indican los valores tpicos de los diferentes componentes. Los diodos, la resistencia de R 4 y el condensador C2 actan como elementos de proteccin.

Figura 20 Regulador de Luz

Un segundo ejemplo de circuito de regulador de luz se indica en la Figura 21. En este caso, el UJT 2N4870 es el encargado de disparar al TRIAC. El circuito de polarizacin del UJT est constituido por un circuito rectificador de diodos, una resistencia y el diodo zener 1N4871 de 22V; con ello se consigue obtener la seal VS indicada en la parte inferior de la figura. Esta seal seria prcticamente una onda cuadrada si no existiese el TRIAC. El disparo del TRIAC hace que la cada de tensin en sus terminales sea muy baja (~1 a 2V) anulando el
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circuito de polarizacin (VS~ 0V). El UJT acta como oscilador de relajacin cuya frecuencia est determinada por R1 y C1. La activacin del UJT dispara a su vez el TRIAC a travs de un pequeo transformador. El ngulo de conduccin del TRIAC oscila entre =0 a 170 en cada semiperiodo.

Figura 22 Regulador de Luz con UJT

CONTROL DE VELOCIDAD DE MOTORES El control de velocidad de los motores se ha realizado en base a SCR en mayor medida que en TRIAC. A primera vista, el TRIAC presenta mayores ventajas debido a su simetra, lo que le confiere ciertas ventajas frente al SCR que nicamente conduce en un semiperiodo. Sin embargo, el TRIAC tiene unas caractersticas dv/dt inadecuadas para el control de motores y es difcil la realizacin de circuitos de control simtricos. Por otra parte, el SCR puede conducir en todo el periodo si se rectifica la seal de red. Las figuras 185a y 185b muestran dos ejemplos sencillos de control realizados a travs de SCR de un motor universal (Figura 23a) y un motor de imn-permanente (Figura 23b).

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Figura 23 Control de velocidad de motores - a)Motor universal b)Motor de imn permanente

CONTROL DE CALOR CON SENSOR DE TEMPERATURA El circuito de control de calor mostrado en la Figura 24 ha sido concebido para controlar la temperatura de una habitacin, bien utilizando una fuente de calor (por ejemplo, una resistencia elctrica o un horno) o bien utilizando un ventilador (o cualquier dispositivo refrigerador). El circuito de disparo se realiza a travs de un UJT que introduce un ngulo de conduccin de los TRIAC que va a depender de la temperatura de la habitacin medida a travs de una resistencia trmica (termistor) RT cuyo valor es de 2 k a 25 C; el rectificador de puente de diodos y el diodo zener 1N5250A alimentan a este circuito de disparo. R2 se ajusta para que el transistor bipolar 2N3905 este en corte a una temperatura dada. Cuando el 2N3905 est en corte ninguna corriente carga el condensador C y, por consiguiente, el UJT y los TRIAC estn cortados. Si el 2N3905 esta a ON, este carga el condensador C y dispara el UJT cuando alcanza la tensin V P. El tiempo que tarda en alcanzar la tensin VP del UJT depende de RT. Un incremento en la temperatura disminuye el valor de RT, y por consiguiente, disminuye el valor de corriente de colector del transistor aumentando a su vez el tiempo de carga del condensador (disminuye el ngulo de conduccin). Por el contrario, al disminuir temperatura aumenta el ngulo de conduccin. El modo de operar con la temperatura se invierte si se intercambia RT con R2.

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Figura 24 Circuito de control de calor

Hojas de Datos

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Bibliografia
Apuntes Academia de Instrumentacion - CECyTEM - Unidad I: Tiristores Rashid - Capitulo 7 - Teoria del Tiristor Universidad del Salvador Dispositivos Electronicos Tiristores y Triacs

Sitios Web
http://www.dte.uvigo.es/recursos/potencia/dc-ac/tiristor.htm#lascr http://www.datasheetcatalog.net

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