Comanda tranzistoarelor bipolare de putere

1. Circuitele pentru comanda tranzistoarelor bipolare de putere sunt relativ mai complicate dect dispozitivele de comand de uz general, n primul pentru c factorul de amplificare sczut al tranzistoarelor bipolare de putere duce la cureni de ordinul sutelor de miliamperi sau chiar de ordinul amperilor, i al doilea rnd deoarece este necesar polarizarea negativ pe baz pentru blocarea rapid i cu pierderi reduse a tranzistorului de putere. Circuitul de comand cu dou surse de polariti diferite (comand bipolar) este prezentat n figura .
V+ Vd C+ Df R4 R3 + C Tb+ TBP TbV!ig. Circuit de comand bipolar a "#$

R1 Vcom

Rs
C

R2

C-

$entru deschiderea tranzistorului de putere, tranzistorul intern din comparator trebuie s se blocheze, iar pentru blocarea tranzistorului de putere, tranzistorul intern din comparator se va deschide. %e multe ori n serie cu baza tranzistorului bipolar de putere se conecteaz un grup &C paralel numit circuit de accelerare. 'n scopul creterii performanelor la blocare se pot aduce mbuntiri prezentate n schema de mai (os. %ioda notat cu % )* este numit diod antisaturaie i are rolul de limitare a saturaiei prin meninerea tensiunii VCE uor deasupra pragului de saturaie VCEsat. 'n acest mod se micoreaz pierderile prin comutaie i timpul de stocare, crescnd frecvena de lucru.
V+ R1 Vcom + C R4 R3 Tb+ C+ Df Vd

DAS D1 D2

Rs
TBP C

R2

Tb-

C-

V!ig. + ,ontarea a diodei antisaturaie n baza "#$

$rin realizarea monta(ului din figura + se poate, practic, scoaterea "#$ din zona de saturaie profund i aducerea acestuia n zona de saturaie incipient. modifica valoarea tensiunii VCE(ON) n sensul deci i starea de saturaie a tranzistorului de putere. )stfel pentru blocarea "#$ vor trebui e-trase un numr mai mic de purttori de sarcin. "ensiunea .) poate fi scris astfel/

VA = VD1 + VBE VA = VDAS + VCE VCE = VBE VD1 = VDAS

( )

%ioda %+ este necesar pentru a furniza o cale pentru curentul negativ de baz la blocare. %ioda antisaturaie trebuie s aib timpul de revenire mai mic dect timpul de stocare al tranzistorului bipolar de putere i tensiunea invers similar cu a acestuia. 1 alt posibilitate de montare a diodei antisaturaie este prezentat n figura de mai (os.
V+ R1 Vcom + C R4 R3 Tb+ TbR5 C+ DAS Df Vd

Rs
TBP C

R2

C-

V!ig. 2 ,ontarea a diodei antisaturaie n baza "b3

'n acest caz dioda antisaturaie a(usteaz curentul de baz al tranzistorului de comand "b3, astfel nct tranzistorul " b3 furnizeaz curentul de baz necesar meninerii tranzistorului de putere n apropierea saturaiei. %in acest motiv trebuie avut n vedere c acest tranzistor funcioneaz n zona liniar i este necesar montarea acestuia pe radiator. Curentul prin dioda % )* este mai mic n acest caz, iar un rezistor montat n serie cu % )* va duce la reducerea oscilaiilor ce apar la comutare. 4. Partea practic a lucrrii Se studiaz comportarea dinamic a "#$ comandat pe rnd cu schemele din figura 4, prin conectarea (umperilor (montai pe placa de test, prezentat n figura 5) dup cum urmeaz/ o realizarea monta(ului din figura 4.a prin conectarea 6 7 o realizarea monta(ului din figura 4.b prin conectarea 6 i 657 o realizarea monta(ului din figura 4.c prin conectarea 627 o conectarea condensatorului Ca se face prin intermediul lui 6+7 o conectarea diodei %)* se face prin conectarea 64 i 68. *e msoar (cu a(utorul osciloscopului) i se noteaz timpii de intrare n conducie, respectiv ieire din conducie ai tranzistorului. )poi, utiliznd aceleai scheme din figura 9, se monteaz n paralel cu & # un condensator cu rol de condensator de accelerare. *e analizeaz cum se modific timpii de tranziie ai tranzistorului fa de cazurile precedente. *e analizeaz, de asemenea, efectul pe care:l are dioda antisaturaie asupra tranzistorului.

V+ R2 Tb+ RB TbVa)

Vd Df D1 TBP

V+ R2 Tb+ RB D1 Df

Vd

V+ R2 Tb+ Df RB

Vd

Rs

Rs
TBP

Rs
TBP

TbV-

RBE
b)

TbVc)

!ig. 4 *cheme practice cu "#$

( & 9+; &5 +.=< 3 : &8 +.=<

.3

< & ;;n (8 <

&2 5.=< &+ +.+<

&4 4=; "3

(+

(2 (4

< (5 < <

"#$

.:

":

!ig. 5 *chema plcii de test cu "#$