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  • MOS Transistor Historia y Tipos

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    Giovanni Huayta Mallqui
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    El documento describe el transistor MOS, inventado por Dawon Kahng y Mohammed Atalla en 1959. El MOSFET es una implementación plana del FET que es menos afectado por ruido, más estable con la temperatura y más útil en circuitos integrados, aunque tiene menor ganancia que los BJT. Existen los MOS de canal N y P, así como los de potencia VMOS. Los transistores NMOS y PMOS pueden conectarse como un inversor CMOS. Tras el JFET, investigadores mejoraron características de los dispositivos como densidad de integración

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    Mosfet

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    El documento describe el transistor MOS, inventado por Dawon Kahng y Mohammed Atalla en 1959. El MOSFET es una implementación plana del FET que es menos afectado por ruido, más estable con la temperatura y más útil en circuitos integrados, aunque tiene menor ganancia que los BJT. Existen los MOS de canal N y P, así como los de potencia VMOS. Los transistores NMOS y PMOS pueden conectarse como un inversor CMOS. Tras el JFET, investigadores mejoraron características de los dispositivos como densidad de integración

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    El documento describe el transistor MOS, inventado por Dawon Kahng y Mohammed Atalla en 1959. El MOSFET es una implementación plana del FET que es menos afectado por ruido, más estable con la temperatura y más útil en circuitos integrados, aunque tiene menor ganancia que los BJT. Existen los MOS de canal N y P, así como los de potencia VMOS. Los transistores NMOS y PMOS pueden conectarse como un inversor CMOS. Tras el JFET, investigadores mejoraron características de los dispositivos como densidad de integración

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    (Metal Oxido Semiconductor)

    A finales de 1959 Dawon (David) Kahng y Mohammed (John) Atalla inventaron en los Laboratorios Bell el transistor MOS, una nueva implementacin del FET en forma plana, el mosfet.

    - Son afectados menos por el ruido.


    - Mas estables a la temperatura. - Mas til en los Circuitos integrados. - Menor ganancia en comparacin que los BJT

    - Saturacion (Amplificacion) - Lineal(Aplicacin Digital)-Cerrado - Corte(Aplicacin Digital)-Abierto

    Dependiendo del tipo de canal con el que se realicen y de la forma de fabricarles recibieron diferentes nomenclaturas, a saber: NMOS y PMOS para transistores MOS de canal N y canal P respectivamente; o bien VMOS para los transistores MOS de potencia de estructura vertical. Existe una conexin particular de transistores NMOS y PMOS conocida como inversor CMOS

    Tras la invencin del JFET varios investigadores dedicaron su tiempo a mejorar las caractersticas de estos dispositivos. Solucionaron algunos inconvenientes de los JFET como la alta densidad de integracin, la estabilidad con la temperatura o el consumo de corriente de puerta y por consiguiente la impedancia de entrada.

    De estos estudios y su evolucin, surgieron dos modelos de transistores MOS, los de enriquecimiento (Acumulacin) y los de empobrecimiento (Deplexin), ambos existentes en canal N y canal P. Por diferentes motivos han triunfado los primeros en la industria electrnica.

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