Electronică - Manualul Studentului

CAPITOLUL
Noiuni introductive

I
A
B
5 V
generator
electric
+ -
GND
3 V
C D E
F
GND
1 V
2 V
3 V
4 V
5 V
0 V
B
C
D
E
F
A
0 V

A. Elemente de circuit, reale i ideale 2
B. Intensitatea curentului 3
C. Tensiunea electric 5
D. Legea lui Ohm; rezistoare 8
E. Analiza circuitelor 10
F. Msurarea intensitilor de regim continuu 12
G. Msurarea tensiunilor continue 14
H. Msurarea curenilor i tensiunilor alternative (regim sinusoidal) 17
I. Msurarea curenilor i tensiunilor alternative de form oarecare 18
Probleme rezolvate 25, probleme propuse 27
Lucrare experimental 31

2 Mihai P. Dinc, Electronic - Manualul studentului

A. Elemente de circuit, reale i ideale

Electronica utilizeaz multe concepte cu care suntei familiarizai de la studiul capitolului de
Electricitate din fizica predat la liceu i de la cursul de Electricitate i Magnetism. Cu toate acestea, n
electronic semnificaia unora dintre ele este uor diferit iar, pentru calculul circuitelor, este mai avantajos s
utilizai alte metode dect cele folosite acolo. Ne propunem, n acest capitol, s trecem n revist cteva
concepte i metode de calcul, aa cum sunt ele utilizate n electronic.
ntreaga fizic utilizeaz modele pentru a surprinde caracteristicile eseniale ale comportrii lumii
reale. Legile sunt formulate pentru aceste modele i ceea ce putem spera este ca modelarea s fi pstrat ceea ce
este important n comportarea sistemului fizic real; dac avem suficiente informaii i nu greim n aplicarea
legilor sau la efectuarea calculelor, putem prezice, cu precizie satisfctoare, rezultatul unui experiment.
Acelai lucru se ntmpl i n electronic. Firul conductor (numit, pentru simplificare, conductor) ce
leag dou elemente de circuit este modelat cu un conductor ideal, fr rezisten, i desenat pe scheme ca o
linie continu. Corespondentul su fizic are, ns, ntodeauna o rezisten electric diferit de zero, prezint
acumulri de sarcini electrice care, prin cmpul electrostatic creat, interacioneaz cu celelalte conductoare din
apropiere, i, n plus, prin cmpul magnetic creat, interacioneaz cu ceilali cureni electrici din circuit.
Continum s utilizm modelul conductorului ideal nu pentru c nu cunoatem aceste fenomene ci pentru c
tim c n problema de care ne ocupm ele produc efecte neglijabile.
Nici atunci cnd mrimea acestor efecte conteaz, nu renunm la modelul conductorului ideal ci
adugm n circuit modelele unor alte elemente de circuit, modele la fel de ideale: de exemplu, interaciunea
unui conductor cu un alt conductor nvecinat, prin cmp electrostatic, este modelat prin adugarea unui
condensator ideal, al crui cmp electric nu se extinde n afara armturilor. Regula jocului este simpl: utiliznd
elemente de circuit ideale modelm elemente i interaciuni reale. Nu trebuie s uitm, ns, c simbolurile pe
care le vedem pe scheme reprezint modele idealizate, chiar dac poart aceleai nume cu dispozitivele fizice
reale, i c legile pe care le vom formula se refer la aceste modele.
Elementul de circuit ideal este, deci, un model care descrie un sistem fizic ce schimb energie i
informaie cu restul lumii (reprezentat de circuitul exterior lui) numai prin curenii i tensiunile de la bornele
sale. Legturile ntre aceste elemente de circuit se realizeaz prin conductoare ideale.
Schemele circuitelor cu care vei lucra trebuie desenate n aa fel nct s faciliteze nelegerea
funcionrii, s conin suficiente informaii pentru construirea circuitelor i, de asemenea, s ajute la
depanarea acestora; o schem desenat prost sau creia i lipsesc informaii importante produce numai
confuzii. Singurul mod n care putei nva sa desenai bine scheme electronice este chiar desenarea acestora,
cu mna liber, eventual pe hrtie cu caroiaj orizontal i vertical. Utilizai numai creionul i pregtii-v guma,
nici cei cu mult experien nu pot desena ntodeauna o schem "bun" din prima ncercare. Mult mai mult
dect din seturi de reguli complicat formulate putei nva prin desenarea pe caiet a schemelor circuitelor pe
care le gsii n manual. Completai-le ntodeauna cu informaii care v ajut la nelegerea funcionrii, cum
sunt sensurile curenilor i polaritile tensiunilor pe ramurile importante, precum i cele legate de
desfurarea concret a experimentului: tipul aparatelor de msur folosite, polaritatea legrii lor n circuit,
scala pe care au fost utilizate i rezistenele lor interne.
Exist mai multe principii, reguli i trucuri care v ajut s desenai corect o schem electronic;
enunm n continuare cteva dintre acestea.
- Schemele nu trebuie s conin ambiguiti; simbolurile componentelor, valorile parametrilor lor
(inclusiv unitile de msur), polaritile, etc., trebuie s fie trecute cu claritate pentru evitarea confuziilor.

Cap. 1. Noiuni introductive 3

- O schem bun sugereaz limpede funcionarea circuitului; din acest motiv desenai distinct regiunile
cu funcionare diferit, fr s va temei c lsai zone libere. Pentru multe tipuri de circuite exist moduri
convenionale de a le desena, care permit recunoaterea lor imediat; le putei nva numai desenndu-le aa
cum le gsii n manuale.
- Interconectarea conductoarelor este bine s fie figurat prin
cercuri pline, ca n Fig. 1.1. a). Uneori vom uita i noi acest lucru
pentru c respectarea altor reguli elimin pericolul unei confuzii.
-Dei muli consider aceasta demodat, noi v sftuim s
desenai dou conductoare care se intersecteaz fr conexiune cu un
mic semicerc, ca n desenul b al figurii; fii pregtii, totui, s gsii
n scheme aceast situaie reprezentat ca n desenul c).
- Pentru a evita orice posibilitate de confuzie nu desenai
niciodat patru conductoare conectate ntr-un singur punct, ca n
Fig. 1.1 d) ci folosii reprezentarea din desenul e) al figurii.
- ncercai, pe ct posibil, s aliniai orizontal i vertical
componentele, astfel nct conductoarele de legtur s fie i ele
orizontale sau verticale.
- Punei linia de alimentare cu tensiune pozitiv n partea
superioar a desenului i cea negativ n partea inferioar, astfel nct
curenii s curg (pe desen) de sus n jos.
-Circuitele prelucreaz semnale; n general, acestea trebuie s
"mearg" de la stnga la dreapta, intrarea fiind n stnga iar ieirea n partea dreapt a schemei.
-Dac schema se complic, nu insistai s strngei toate firele care merg la mas ntr-un singur punct ci
utilizai local simbolul de mas ; acelai lucru este valabil i pentru firele care merg la alimentare, pentru
care putei scrie, pur i simplu, valoarea tensiunii de alimentare (fa de mas).

B. Intensitatea curentului

Mrimile fizice care descriu starea unui circuit sunt intensitile curenilor i tensiunile electrice ntre
diferitele puncte ale circuitului. S ne ocupm puin de aceste mrimi. Intensitatea curentului electric
ntr-un punct al unui conductor (mai corect ar fi ntr-o seciune a sa, dar noi vom neglija grosimea sa fizic)
este, prin definiie "debitul" de sarcin electric transportat prin acel punct

I t q t ( ) = d d
. (1.1)

Unitatea de msur este amperul, care corespunde trecerii unui coulomb (aproximativ 6 10
18
sarcini
elementare) n timp de o secund. Chiar i la curenii foarte slabi de ordinul nanoamperilor
(produi de unele traductoare cu care msurm diferite mrimi fizice) numrul de sarcini elementare
transportate ntr-o secund este imens, de ordinul a cteva miliarde.
Cum transportul poate avea loc n oricare dintre cele dou sensuri, este obligatoriu s atribuim acestei
mrimi un sens. A spune c prin punctul M al conductorului intensitatea este de 3 A este o informaie util, dar
cu siguran incomplet. Pentru a simplifica exprimarea, vom spune adesea "un curent de 2 A" n loc de un
"curent cu intensitatea de 2 A", pentru c acest lucru nu poate duce la nici o confuzie.
b) c) a)
cu conectare fara conectare
d)
INTERZIS
e)
PERMIS

Fig. 1.1. Reprezentarea pe scheme a
conductoarelor

Putem msura intensitatea, la un moment dat, n
orice punct al conductorului dorim. Cum vor fi valorile
obinute ? n majoritatea textelor introductive gsii
afirmaia c din conservarea sarcinii decurge faptul c
intensitatea este aceeai pe un circuit neramificat.
Adevrul este c legea conservrii sarcinii electrice (lege
fundamental a fizicii) nu este suficient pentru a
justifica o astfel de proprietate.
S presupunem, n plus, c avem stabilit un regim
de curent continuu, adic toate intensitile i potenialele
din circuit au ncetat s mai depind de timp. Aceasta
nseamn i c sarcina electric total a conductorului
dintre punctele M i N de pe Fig. 1.2 a), trebuie s rmn
constant. Cum ea nu poate fi creat sau distrus,
"debitul" de sarcin care intr prin punctul M trebuie s
fie exact egal cu debitul de sarcin care iese prin punctul
N

I I
M N
= ; (1.2)

aceasta proprietate poate fi generalizat i n cazul n care ntre punctele M i N sunt legate alte elemente de
circuit, cu condiia ca s le putem nchide imaginar cu o suprafa netraversat de alte conductoare (desenul b
al figurii).
Electronica opereaz ns, cel mai adesea, cu tensiuni i cureni variabili n timp. Revenind la situaia
simpl din Fig. 1.2 a) putem spune acum c la orice moment de timp avem egalitatea I t I t
M N
( ) ( ) = ?
Numai dac o perturbaie n distribuia de sarcin de pe ntregul circuit se deplaseaz instantaneu. O
asemenea perturbaie se deplaseaz, ns, cu vitez finit, aproape egal cu viteza luminii n mediul respectiv
(atenie, nu este vorba de viteza de drift a unui purttor de sarcin individual). Ajungem, astfel, la concluzia c
putem considera intensitile egale

I t I t
M N
( ) ( ) = (1.3)

numai dac privim fenomenele la o scar de timp mult mai mare dect d c
MN
' unde d
MN
este distana ntre
punctele M i N iar ' c viteza luminii n mediul respetiv. Pentru semnale sinusoidale, condiia anterioar
conduce la

d c T
MN
<< ' = (1.4)

adic dimensiunile circuitului trebuie s fie
mult mai mici dect lungimea de und. Pentru
circuite de dimensiuni obinuite, aceasta
nseamn frecvene pn n domeniul sutelor de
MHz (pn n domeniul undele radio ultrascurte
i a emitoarelor de televiziune). Peste aceste
frecvene, modelarea circuitelor se face complet
diferit, cu parametri distribuii, ecuaiile care le
descriu fiind cu derivate pariale. Aa este cazul
M
a) b)
N
I
M
I
N
I
M
= I
N
I
M I
N
M
N
I
M
= I
N

Fig. 1.2. La curent continuu, intensitatea
este aceeai n orice punct al unui circuit
neramificat.
grosimea sagetilor este proportionala
cu intensitatea curentului

Fig. 1.3. Intensitatea instantanee a curenilor pe o
poriune din conductorul central al unui cablu CATV.


cablului pe care primii semnalul de televiziune CATV (CAble TeleVision): lungimea de und este de ordinul a
ctiva metri i, la un moment dat curenii prin firul central arat ca n
Fig. 1.3. Noi nu vom aborda acest domeniu, aa c relaia (1.3) va fi ntodeauna respectat.

Circuitele de mari dimensiuni nu respect relaia (1.3) nici la frecvenele joase; aa sunt, de exemplu,
cablurile telefonice transcontinentale sau reelele de distribuie a energiei electrice. Considernd
' ~ c 3 10
8
m s, estimai pn la ce frecven este respectat relaia (1.3) n cazul unui conductor de
dimensiunile "diametrului" rii noastre .

Dac relaiile (1.2-1.3) sunt ndeplinite, aa cum va fi ntodeauna cazul n circuitele cu care vom
lucra, la punctul de conexiune a mai multor conductoare, numit nod, suma intensitilor curenilor care intr
este egal cu suma intensitilor curenilor care ies din nodul respectiv (Fig. 1.4). De multe ori este comod s
tratm identic aceste intensiti, acordndu-le semne algebrice, dup o anumit convenie, de exemplu
considernd pozitivi curenii care intr i negativi pe cei care ies. n acest mod, proprietatea anterioar se scrie

I
k
nod
= 0
(1.5)

sumarea efectundu-se peste toi curenii care ajung la nodul respectiv.
Relaia anterioar este esenial n circuitele electronice i este cunoscut
sub numele de legea (sau teorema) I a lui Kirchhoff sau legea curenilor.
Dei acum intensitatea este reprezentat printr-un numr pozitiv sau
negativ, nu trebuie s uitm c, n spatele acestei convenii, curentul
are un sens, intrnd sau ieind din nodul respectiv. Ori de cte ori
analizm un circuit este mult mai bine s figurm printr-o sgeat sensul
curentului dect s spunem c "intensitatea este negativ", deoarece
caracterul negativ i-a fost acordat de convenia noastr, care putea, la fel
de bine, s fie aleas exact pe dos.

C. Tensiunea electric

ntre bornele elementelor de circuit parcurse de curent electric exist tensiuni electrice, ele neavnd
acelai potenial. Cum la efectuarea diferenei de potenial ordinea este esenial, va trebui s spunem
ntodeauna ce nelegem prin tensiunea U ntre punctele A i B, diferena V V
A B
sau diferena V V
B A
.
Exist mai multe variante de a reprezenta pe desen convenia pe care am ales-o; nou ni se pare c cea mai
simpl i sigur este trecerea semnelor + i - la capetele unui arc de cerc, desenat ntre punctele respective, ca
n Fig. 1.5. Aceste semne ne spun modul n care efectum diferena ntre poteniale i nu faptul c
potenialele respective sunt ele nsele pozitive sau negative.
n electronic, regula general este msurarea potenialelor nodurilor fa de un nod anumit, numit
mas i s se lucreze, pe ct posibil numai cu potenialele nodurilor. Raiunea este simpl: este mult mai uor
s vorbeti despre altitudinea fa de nivelul mrii a fiecruia dintre cinci orae dect despre cele 10 diferene
de nivel dintre aceste orae; oricnd o anumit diferen poate fi calculat rapid din altitudinile celor dou
orae. Vom utiliza pentru nodul de mas simbolul din Fig. 1.5 i, uneori, prescurtarea GND, ca n limba
englez (de la ground).
suma algebrica a curentilor este nula
I
1 I
2
I
3
I
4
I
5
I
1
- I
2
- I
3
+ I
4
I
5
- = 0

Fig. 1.4. Legea curenilor.

Astfel, ori de cte ori vei ntlni poteniale (sau tensiuni) care
au un singur indice inferior (V U
A in
, , etc) este vorba despre
potenialul nodului respectiv (tensiunea sa msurat fa de mas).
Cnd va trebui s vorbim despre tensiunea ntre dou puncte
oarecare, vom utiliza doi indici inferiori, care s se refer la
nodurile respective (V
AB
) sau vom trece ca indice inferior
elementul de circuit la bornele cruia msurm tensiunea (U
R1
).
Tensiunea electric se msoar n voli; prescurtarea acestei
uniti de msur, V, poate s produc confuzii, deoarece i
potenialele se noteaz, de regul tot cu litera V . Pentru evitarea
confuziilor, este bine s se respecte regula ncetenit n literatura
tiinific i anume ca variabilele corespunztoare mrimilor
fizice s fie notate cu litere italice (cursive). Astfel, 3V nseamn
trei voli, pe cnd 3V este produsul dintre constanta trei i
potenialul notat cu litera V .
n fenomenele ntlnite n natur i tehnic, att curentul ct i tensiunea pot avea valori pe o gam foarte
larg. Diagrama prezentat n Fig. 1.5 b) se refer la cteva fenomene mai cunoscute; faptul c pentru
supraconductori tensiunile sunt mult mai mici dect cele figurate iar pentru acceleratoarele de particule ele sunt
mult mai mari a fost reprezentat pe diagram prin sgei. Acelai lucru se ntmpl n cazul "loviturilor" de
trznet, pentru care i tensiunea i curentul pot fi mai mari dect valorile reprezentate pe diagram.

1m 10m 100m 1 10 100 1k 10k 100k 1M
100p
1n
10n
100n
1
10
100
1m
10m
100m
1
10
100
1k
10k
100k
sistemul
nervos
stimulatoare
cardiace
baterii si
generatoare mici
termocupluri
celule
solare
sudura in
puncte
genaratoare
Van der Graaff
acceleratoare
de particule
aplicatii
casnice
baterii
auto
acoperiri
galvanice
linii de
transmisie
a energiei
electrice
legaturi
moleculare
scintei
mici,
lovituri
de traznet
supraconductori
tensiune (volti)
curent (A)
adeziune
electrostatica

Fig. 1.5. b). Diagrama valorilor curent-tensiune pentru cteva fenomene din natur i tehnic.
Tensiunea electric ntre dou puncte se definete prin lucrul mecanic efectuat de cmpul electrostatic la
deplasarea unei sarcini de valoare unitar. Aceasta nseamn c, fiind parcurs de un curent electric, un element
A
B
V
A
V
B
+
_
U
U V
A
= -
V
B
GND
(nodul de masa)

Fig. 1.5 a). Convenia grafic
pentru tensiunea ntre dou
puncte ale unui circuit.


de circuit transfer sarcinilor energie (este un generator electric) sau primete de la acestea energie (este un
consumator electric). Consumatoarele sunt numite elemente pasive, pe cnd generatoarele sunt elemente
active.
Cnd curentul electric intr n elementul de circuit pe la borna de potenial ridicat (la borna pozitiv vom
spune, adesea, prin abuz de limbaj), sarcinile electrice sunt accelerate de cmpul electrostatic i "frnate" prin
interacia cu structura intern a elementului de circuit. n acest caz, elementul de circuit este un consumator de
energie electric, aa cum este cazul poriunilor BC i DE din Fig. 1.6.

ntr-un consumator de energie electric, curentul curge de la borna cu potenial ridicat la borna cu
potenial cobort.

Pe de alt parte, exist elemente de circuit care furnizeaz energie electric, fie primind-o din exterior
sub o alt form (lumin n cazul fotoelementelor, mecanic n cazul generatoarelor hidrocentralelor, etc), fie
avnd-o stocat sub o form diferit (chimic n cazul elementelor galvanice). Dup cum se poate observa n
Fig. 1.6,

ntr-un generator de energie electric, curentul curge de la borna cu potenial cobort la borna cu
potenial ridicat.

GND
1 V
2 V
3 V
4 V
5 V
0 V
B
C
D
E
F
A
I
A
B
5 V
generator
electric
+
-
GND
3 V
C D E
F
0 V

Fig. 1.6. Evoluia potenialului de-a lungul unui circuit electric.

Enunurile anterioare, sintetizate n Fig. 1.7, pot fi
memorate uor prin analogie cu micarea unor corpuri n cmp
gravitaional: generatorul le transport de la nlime mic la
nlime mare, iar ele coboar, transfernd energia, prin frecare,
corpurilor cu care vin n contact.
Dup cum v amintii, introducerea potenialului
electrostatic a fost posibil deoarece ntr-un astfel de cmp
lucrul mecanic efectuat de cmp nu depindea de drum.
Aceasta afirmaie este echivalent cu aceea c pe orice contur
nchis lucrul mecanic este nul. n circuitele electrice, orice
contur nchis nseamn "orice ochi (bucl) a circuitului"; cum
lucrul mecanic este proporional cu tensiunea electric

L qV
AB AB
= (1.6)

rezult imediat c

pe orice ochi al circuitului, suma algebric a variaiilor de potenial este nul

AV
ochi
= 0
, (1.7)

aa cum se poate vedea n Fig. 1.8.
Aceasta implic parcurgerea ochiului ntr-un sens
oarecare i considerarea ca pozitive a variaiilor care duc la
creterea potenialului i negative a celor care coboar
potenialul. Relaia anterioar este cunoscut ca a doua lege a
lui Kirchhoff sau legea tensiunilor. Astfel, pe circuitul din Fig.
1.6, parcurgnd circuitul n sensul ABCDEFA avem

+ = 2 3 5 0

iar parcurgndu-l n sens invers, AFEDCBA ajungem la relaia
echivalent

+ + = 5 3 2 0.

I
+
_
U
I
consumator generator
+ +
_ _

Fig. 1.7. Identificarea generatoarelor
i consumatoarelor de energie
electric.
+
_
+
_
+
_
+
_
+
_
U
B
U
C
U
E
U
A
U
D
A
B
C
D
E
U
A
+ - U
B
- U
C
- U
D
U
E = 0
suma algebrica a variatiilor de potential este nula

Fig. 1.8. Legea tensiunilor.


D. Legea lui Ohm; rezistoare

Un element de circuit cu dou borne de acces se numete dipol. Conform cu
cele discutate anterior, intensitile la cele dou borne trebuie s fie egale (Fig. 1.9).
n plus, mai avem pentru descrierea strii sale electrice tensiunea la bornele sale.
Vom adopta o convenie care este natural pentru dipolii consumatori de energie:
curentul intr n dipol pe la borna cu potenial ridicat. Cu acestea, comportarea
dipolului n regim de curent continuu este complet descris de relaia funcional
I f U = ( ), numit caracteristic static a dipolului.
Pentru conductoarele reale confecionate din metale sau multe alte tipuri de
materiale, relaia functional este una de proporionalitate

I
R
U =
1
, (1.8)

cunoscut ca legea lui Ohm. Constanta R caracterizeaz conductorul respectiv i poart numele de rezisten
electric. Dei multe materiale o respect, relaia de mai sus nu este altceva dect o relaie de material. Nu
toi dipolii respect, deci, legea lui Ohm, "dac legea lui Ohm ar fi general valabil, electronica n-ar mai
exista"
1
. Elementele de circuit care respect legea lui Ohm cu destul acuratee sunt numite rezistoare i sunt
utilizate pe scar larg n circuitele electronice.

I
U
0
0
I
+
_
U
b)
a)
I
A B
6 V 3 V
I
R
V
1
V
2
I =
V
1
-
V
2
R
d)
c)
potential nul (masa)
A
B
1 V
2 V
3 V
4 V
5 V
6 V

Fig. 1.10. Rezistorul: simboluri recomandate (a), caracteristica sa static (b) i scrierea legii lui Ohm (c i d).

1
Edward M. Purcell, "Electricitate i magnetism, Cursul de fizic Berkeley, vol. II", Ed. Didactic i Pedagogic,
Bucureti, 1982.
I
+
_
U
I
dipol

Fig. 1.9. Dipol.

Rezistorul ideal respect cu exactitate legea lui Ohm. Simbolurile recomandate pentru el sunt cele din
Fig. 1.10 a). Caracteristica sa static este o linie dreapt (desenul b al figurii) i, din acest motiv, el este un
dispozitiv de circuit liniar. Dac n relaia (1.8) schimbai simultan semnele intensitii i tensiunii, relaia
continu s rmn valabil. Aceasta nseamn c, de fapt, putei inversa rezistorul la borne fr ca restul
circuitului s sesizeze modificarea: rezistorul este un dispozitiv simetric. n aplicarea legii lui Ohm trebuie s
acordai ntodeauna atenie conveniei de sensuri: dac ai stabilit sensul curentului, atunci relaia trebuie scris

I
V V
R
amonte aval
=

(1.9)
aa cum este exemplificat n desenele c) i d) ale figurii.
Chiar atunci cnd sunt fabricate n condiii foarte bine
controlate, rezistoarele au valoarea mprtiat statistic; astfel
productorii de dispozitive electronice ofer rezistoare n mai multe
game de toleran. Cele mai puin precise au o toleran de +/- 20
% n jurul valorii nominale (valoarea marcat pe rezistor). Cu
aceast toleran, valorile nominale standardizate pentru o decad
de valori sunt cele din seria E6, prezentat n Fig. 1.10 e). Se
observ c aceste valori sunt aproximativ echidistante pe scara
logaritmic; cu linie subire au fot trasate intervalele de toleran
pentru fiecare din valori. Pentru celelalte decade, valorile nominale
se nmulesc cu puteri ale lui 10, ca de exemplu 33 O, 330 O, 3.3 k
O, ...etc.
Seria E12, prezentat i ea n figur, este utilizat pentru
valorile nominale n cazul rezistoarelor cu tolerana +/- 10 % iar
pentru tolerana de +/- 5% valorile sunt cele din Tabelul 1.1 (seria
E24). Aceste serii se gsesc i n Anexa 1 i ntodeauna cnd vei
rezolva probleme va trebui s le folosii la alegerea valorile
rezistoarelor, inind seama de precizia necesar.

Tabelul 1.1. Seria de valori E24 (+/- 5%)

1.00 1.10 1.20 1.30 1.50 1.60
1.80 2.0 2.2 2.4 2.7 3.0
3.30 3.60 3.90 4.30 4.70 5.1
5.6 6.2 6.8 7.6 8.2 9.1

E. Analiza circuitelor

Cele dou legi ale lui Kirchhoff, mpreun cu caracteristicile statice ale elementelor de circuit,
furnizeaz ntodeauna numarul necesar de ecuaii din care rezult starea de curent continuu a circuitului,
numit i punct static de funcionare. Aceast operaie este numit analiza circuitului. Cu toate acestea, n
analiza circuitelor efectuat "manual" legea a II este rar utilizat n forma "suma algebric a variaiilor de
potenial este nul pe orice ochi al circuitului" deoarece, n primul rnd, conductorul de mas nu mai
conecteaz explicit pe scheme diversele elemente de circuit i, din acest motiv, ochiurile de circuit nu mai sunt
1.0
1.5
2.2
3.3
4.7
6.8
10
1.0
1.2
1.5
1.8
2.2
3.3
3.9
2.7
4.7
5.6
6.8
8.2
10
Seria E6 Seria E12
+/- 20% +/- 10%
2
4
6
8
1
10
3
5
7
9
2
4
6
8
1
10
3
5
7
9

Fig. 1.10.e) Seriile de valori
standardizate E6 (+/- 20%) i E12
(+/- 10%).


evidente. n al doilea rnd, n multe cazuri, scrierea legii tensiunilor pe ntregul
ochi complic problema mrind inutil numrul de ecuaii. Chiar n cazul
efecturii automate a analizei, de ctre calculator, metoda preferat este, de
obicei, aceea a potenialelor nodurilor.
De exemplu, va trebui s calculai frecvent potenialul unui nod al unui
circuit cunoscnd potenialele altora i anumite tensiuni; n aceast situaie
legea a II a lui Kirchhoff este o alegere proast pentru c v oblig s
parcurgei un ntreg ochi de circuit i s introducei necunoscute
suplimentare. Atunci va trebui s v aducei aminte c variaia total de
potenial ntre dou puncte nu depinde de drumul ales i s pornii de la un nod
cu potenial cunoscut, mergnd pe ramuri de circuit cu tensiuni cunoscute, ca n
exemplul din Fig. 1.11, unde va trebui s calculm potenialele nodurilor C i
E, folosind informaiile existente pe schem.

n aceast figur apare un simbol care v este, poate, necunoscut,
tranzistorul bipolar, dar avei suficiente informaii ca s rezolvai problema propus fr s tii modul n
care funcioneaz tranzistorul (adic relaiile ntre curenii i tensiunile la bornele sale).

Nodul A are potenialul de +10 V, cunoatem curentul prin rezistena R
C
i valoarea acestei rezistene;
trebuie s calculm potenialul nodului C. Cum rezistena este un consumator, curentul circul prin ea "de la +
la -" adic de la potenial ridicat la potenial cobort. Pornim de la nodul A i avem imediat potenialul nodului
C

V V
C A
= - 4. 7 V = 10 V- 4. 7V = 5.3 V.

Pentru potenialul nodului E pornim de la nodul de mas i avem

V
E
= + 0 1 V = 1 V.

Cnd vom fi interesai de valoarea tensiunii ntre nodurile C i E, nu trebuie dect s scdem potenialele

V V V
CE C E
= = 4 3 . V;

tim ns, n plus, un lucru care nu depinde de convenia de definiie a tensiunii: potenialul nodului C este
mai ridicat dect al nodului E.
Dac dorii s v complicai i s cretei ansele de a grei la calcul, v sftuim s utilizai legea a II a
lui Kirchhof, aa cum ai nvat-o n liceu. Mai nti va trebui s presupunei c ntre nodul A i mas este
legat un "generator cu tensiunea electromotoare E = 10 V ". Am spus s presupunei pentru c nu aceasta
este situaia real, n circuit ntre nodul A i mas fiind legat cu totul altceva. Apoi, s definii tensiunea ntre
C i E, cu o anumit convenie; s zicem c ai ales s fie pozitiv dac V V
C E
> . Vei ajunge, dup oarecare
trud cu regulile mnemotehnice nvate, la ecuaia

E V
CE
= + 4 1 0 . 7 V + V .

care nu v va rezolva imediat problema : ct este potenialul nodului C (fa de mas) ?
Alteori, nodul al crui potenial trebuie s-l calculai este legat numai prin rezistoare de noduri cu
poteniale cunoscute, ca n Fig. 1.12 a).
+10 V
4.7 k
R
C
C
1 mA
A
+
-
4.7 V
E
1.0 k
R
E
1 mA
+
-
1.0 V

Fig. 1.11. Circuit cu
tranzistor.


V
1
V
2
V
3
V
M
R
1
R
2
R
3
R
M
V
a)
V
1
V
2
V
3
R
1
R
2
R
3
V
I
0
b)
R
M
V
M

Fig. 1.12. Exemple de moduri n care poate fi legat un nod de circuit.
Dac scriei c suma algebric a curenilor la nodul de potenial V este nul, exprimai curenii prin
legea lui Ohm i rearanjai puin ecuaia, obinei c

V
V
R
R
k
k
k
M
k
k
M
=
=
=
1
1
1
(1.10)

relaie pe care merit s o inei minte, pentru c leag direct potenialele nodurilor. Teorema pe care tocmai
ai demonstrat-o se numete teorema Milman i este frecvent utilizat n electronic. Din relaia (1.10) se
poate arta imediat c potenialul V al nodului de care ne ocupm este cuprins ntodeauna ntre valorile
minim i maxim ale potenialelor V
k
. Vei descoperi ntr-una din problemele de la sfritul capitolului c
aceast proprietate se pstreaz i dac rezistoarele sunt nlocuite cu alte dispozitive, neliniare, cu condiia ca
acestea s fie consumatoare de energie. Din aceeai relaie se poate vedea de asemenea c, dac una dintre
rezistene, s zicem R
3
, tinde la zero, atunci potenialul V este tras ctre potenialul nodului respectiv (V
3
n
exemplul nostru).
S-ar putea ca una din ramurile care sunt legate la nod s nu fie rezistiv dar s cunoatei curentul prin
ea, ca n desenul b) al Fig. 1.12. Legea curenilor i legea lui Ohm v conduc imediat la relaia

I
V V
R
I
V
R
V
R
k
k
k
M
k
k
k
M
k
k
M
0
1
0
1 1
1
0 +

= + =
= = =

(1.11)

din care se obine uor potenialul necunoscut V .

F. Msurarea intensitilor de regim continuu

Aa cum am spus, intensitatea curentului se definete ntr-un punct dar rmne aceeai de-a lungul unui
circuit neramificat. Pentru msurarea sa, conductorul trebuie secionat ntr-un anumit punct, ca n Fig. 1.13
a), i trebuie introdus n circuit un aparat de msur numit ampermetru (desenul b). Bornele sale nu sunt
echivalente, fiind marcate cu semnele + i -; innd seama c el este un consumator de energie,


curentul intr n ampermetru pe la borna marcat cu +.
Ampermetrul "clasic" msoar intensitatea prin deflexia unui ac indicator, deflexie datorat forelor de
interacie dintre un magnet permanent i o bobin mobil
parcurs de curentul pe care l msurm. Este un instrument
analogic deoarece poziia acului este o funcie continu care
poate lua orice valoare dintr-un anumit interval cuprins ntre
zero i captul de scal.
Aparatele disponibile au mai multe scale de
sensibilitate, selectabile cu un comutator rotativ, ca n
Fig. 1.14. Pentru msurarea curenilor i a tensiunilor, poziia
comutatorului arat ntodeauna valoarea corespunztoare
captului de scal
, 10 mA n exemplul din figur. Scala este gradat, ns, ntr-
un numr convenabil de diviziuni, 100 n exemplul nostru, aa
c valoarea msurat se calculeaz cu regula de trei simpl.
Noi v sftuim s calculai, mai nti ct reprezint o diviziune
pe scala respectiv i s nmultii valoarea citit cu aceast
constant: 65 diviziuni x 0.1 mA/diviziune= 6.5 mA.
Cele mai sensibile ampermetre clasice au captul de scal
la cteva zeci de A, uzual la 50 A i, din acest motiv se numesc
microamperemetre (uneori "instrumente"). Pentru a putea
msura asemenea intensiti mici, bobina trebuie s fie uoar i,
deci, srma bobinajului s fie subire. Astfel, rezistena intern a
microamperemetrului nu poate fi redus prea mult, ea fiind de
600 O -2 kO. Vom considera, pentru fixarea ideilor, c ea are o
rezisten "tipic" de 2 kO. Rezult c, pentru ca
microampermetrul s ne arate c prin circuit trece curentul de
50 A, ntre bornele sale va trebui s existe o tensiune de 100 mV
! Or, nainte de introducerea sa, tensiunea ntre punctele A i B
era nul, ntreaga funcionare a circuitului a fost perturbat i
ceea ce msurm nu este intensitatea curentului care trecea
nainte de conectarea aparatului. Acest lucru poate fi neles
mai uor pentru cazul particular din Fig. 1.13 c), unde ntre cele
dou noduri avem un rezistor de rezisten R. Dup legarea
aparatului, rezistena dintre noduri va crete, devenind R R
a
+ . Intensitatea citit se apropie de cea existent
iniial numai dac

R R
a
<< (1.12)

adic rezistena ampermetrului este mult mai mic dect aceea a poriunii de circuit neramificat unde se
msoar intensitatea. Mai mult, n aceast situaie putem estima i eroarea relativ, ea fiind de ordinul
R R
a
: cu R R
a
= 10 ne ateptm la o eroare de 10 % dar cu R R
a
= 100 eroarea scade la 1 %. Exist,
ns, situaii cnd nu ne intereseaz dect intensitatea curentului cu ampermetrul montat. n aceste situaii, nu
mai vorbim despre o eroare de msur datorat rezistenei sale interne.

A B
I
A B
I'
A
U
a
+
-
+
-
I'
A
+
-
R
R
a
a)
b)
c)

Fig. 1.13. Conectarea ampermetrului n
circuit.
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0 100
capat de scala
10 mA
comutator de scala

Fig. 1.14. Scala i comutatorul de scal
ale unui miliampemetru "clasic".


Cnd dorim s masurm intensiti de N ori mai mari dect cei 50 A ai
instrumentului, soluia este ca ( ) N N 1 din curent s fie deviat printr-un
rezistor numit shunt i numai 1 N din curent s treac prin instrument, ca n
Fig. 1.15. Rezult imediat rezistena de shunt R R N
sh a
= ( ) 1 i noua
rezisten a aparatului de masur

' = R R N
a a
. (1.13)
Rezistena ampermetrului a sczut exact cu factorul cu care a fost
desensibilizat. Nu trebuie s ne amgim, ns: pentru ca acul s ajung la captul
de scal, la bornele aparatului trebuie s avem aceeai tensiune de 100 mV ! Ea
este o msur a perturbaiei introdus de ampermetru independent de mrimea curentului pe care trebuie
s-l masurm.
Chiar dac relaia (1.12) este ndeplinit, precizia msurrii rmne limitat de modul de afiare a
rezultatului. ntr-adevr, pe o scal de dimensiunea a 10 cm putem, n cel mai bun caz, efectua citiri cu
precizia de 1 la sut. Dac avem ghinionul ca poziia acului s fie n prima treime, imprecizia relativ ajunge
la 3 %; din acest motiv aceast situaie trebuie evitat prin trecerea aparatului pe o scar mai sensibil. La
aparatele profesionale, secvena n care merg capetele de scal este 1, 3, 10, 30, .a.m.d., tocmai pentru a evita
aceast situaie.
Aparatele de msur moderne sunt electronice i cu afiaj digital. Curentul msurat nu mai este utilizat
pentru a deplasa corpuri ci informaia sa este prelucrat electronic, prin amplificare. Dei primele aparate de
msur electronice utilizau tot un sistem de afiaj analogic cu ac indicator, datorit preciziei limitate de citire a
poziiei acului ele au fost nlocuite complet de cele cu afiare digital (numeric). Dac aparatul este unul cu
2000 de puncte se pot afia numere ntre 0000 i 2000; ultima cifra poate fi afectat de o eroare egala cu o
unitate i precizia relativ de citire este la captul de scal 0.05 %, de 20 de ori mai bun dect la afiarea
analogic. Un astfel de aparat se mai numete cu "trei cifre i 1/4", deoarece cifra cea mai semnificativ nu
acoper dect aproximativ un sfert din domeniul posibil (0..9).
Ampermetrele electronice cu afiaj digital pot msura, deci, cu precizie relativ mult mai bun dect cele
clasice. Cu toate acestea, ele nu ofer o rezisten intern mult mai mic dect cele clasice, deoarece, n
general, ele msoar (electronic) cderea de tensiune pe un rezistor prin care curentul de msurat este obligat
s treac. De exemplu, pentru scala de 200.0 A (rezoluie 0.1 A), un asemenea aparat msoar cderea de
tensiune pe un domeniu de 200.0 mV; rezult, de aici, c rezistena microampermetrului este de
1 kO, numai de dou ori mai mic dect a microampermetrului clasic.
Chiar dac ampermetrele electronice pot fi parcurse de curent n ambele sensuri, ele afind i semnul,
bornele lor trebuie s fie marcate n continuare cu + i -, n absena acestei convenii informaia 10 mA
neavnd nici un sens logic.

G. Msurarea tensiunilor continue

Tensiunea electric se definete ntodeauna ntre dou puncte. Chiar dac, pentru comoditate, vorbim
uneori despre "tensiunea unui punct", nelegem c este vorba despre tensiunea fa de mas a acelui punct.
Aparatul care msoar tensiuni electrice, numit voltmetru, trebuie legat, deci, ntre aceste puncte, ca n
Fig.1.16 b).
Voltmetrul "clasic" msoar tensiunea indirect: el conecteaz ntre punctele respective o rezisten
cunoscut, msoar intensitatea curentului prin acea rezisten i, utiliznd legea lui Ohm, ne anun victorios
c "tensiunea ntre bornele voltmetrului este de...". Aa se face c cel mai sensibil voltmetru clasic, numit
I
A
+
-
R
a
R
sh
I N

Fig. 1.15. Montarea
rezistenei de shunt.


milivoltmetru, este tocmai microampermetrul (instrumentul), care msura la capt de scal 50 A i avea o
rezisten de 2 kO; nu mai trebuie dect s desenm o alt scal pe care s scrie la capt 100 mV !

U
AB
A
B
I
+
-
a)
b)
-
U'
AB
A
B
I'
+
I''
+ -
V
I
V
c)
+
+
+
+
+
+
_
_
_
_
_
_
conductori incarcati
aer (izolator)
A
B
V
-
+
+
-
voltmetrul arata zero
I
V
= 0

Fig. 1.16. Legarea voltmetrului ntr-un circuit electric (desenele a i b); n cmp electostatic firele de msur
ale voltmetrului foreaz la zero tensiunea ntre punctele A i B.

Ceea ce am scris n paragraful precedent poate fi citit ns i altfel: pentru a putea msura o tensiune de
100 mV, milivoltmetrul nostru trebuie s "extrag" din circuitul pe care l msoar un curent de 50 A. Din
acest motiv, cu el nu putem msura tensiuni ntr-un cmp electrostatic ntr-o regiune unde nu exist cureni
electrici, aa cum se vede n Fig. 1.16 c); mai mult, sarcinile mobile din conductoarele legate la voltmetru se
deplaseaz puin sub influena cmpului electrostatic i egaleaz potenialele punctelor ntre care doream s
masurm tensiunea. Chiar n circuitele electronice parcurse de cureni, cei civa microamperi cerui de
milovoltmetru pot reprezenta o perturbaie care s afecteze funcionarea circuitului: la conectarea
milivoltmetrului n baza tranzistorului din Fig. 1.17 punctul su de funcionare se modific ntr-att nct
circuitul nceteaz s mai funcioneze ca amplificator.

+10 V
4.7 k
R
C
0.24 mA
10 k
R
E
3.0 V
8.8 V
7 A
4 A
2.4 V
+10 V
4.7 k
R
C
0.063 mA
10 k
R
E
1.18 V 9.7 V
1.76 A
8.82 A
0.65 V
V
scala de 10V
rezistenta 200 k O
5.89 A
+
-
O
O
1M O
1M O
1M O
1M O

Fig. 1.17. Conectarea voltmetrului n baza unui tranzistor i poate modifica puternic punctul de
funcionare, scond amplificatorul din funciune.

Dac ntre punctele ntre care msurm tensiunea exist o rezisten de valoare R, iar rezistena
voltmetrului verific relaia

R R
v
>> , (1.14)

atunci perturbaia introdus de voltmetru poate fi neglijat. Prin rezistena R trebuie neleas rezistena
echivalent dintre aceste puncte; conceptul de rezisten echivalent va fi clarificat n capitolul urmtor, aici
este suficient s tim c aceasta este todeauna mai mic sau egal cu cea conectat direct ntre punctele de
mur, datorit celorlalte drumuri posibile prin circuit, care apar n paralel.
n practic, dac R R
v
> 10 putem conta pe o precizie de msurare de 10 %; n cazul n care
R R
v
> 100 , precizia ajunge la 1 %. Ca i la msurarea intensitii,
perturbaia produs constituie o eroare numai dac ne intereseaz valoarea
tensiunii nainte de conectare aparatului de msur, dac nu dorim s
tim dect valoarea tensiunii cu voltmetrul conectat nu mai avem despre ce
eroare s vorbim.
Atunci cnd tensiunea de msurat are valori de N ori mai mari dect
cele cuprinse pe scala milivoltmetrului nostru, soluia este intercalarea n
serie cu el a une rezistene adiionale, astfel nct pe instrument s cad
numai a N-a parte din tensiunea de msurat (Fig. 1.18). Rezistena
adiional trebuie s aib, deci, valoarea, ( ) N R
v
1 iar rezistena "noului"
aparat este

R NR
v v
'
=
, (1.15)
multiplicat cu acelai factor cu care a fost multiplicat captul de scal. Din acest motiv, indiferent de noua
valoare V
max
a captului de scal obinut, raportul R V
aparat max
rmne constant i caracterizeaz
aparatul. Astfel, n exemplul nostru instrumentul msura la captul de scal 100 mV i 50 A, avnd
rezistena de 2 kO, fiind caracterizat de raportul 20 k V O ; acest raport ne permite s calculm imediat
rezistena pe orice scal, de exemplu pe scala de 30 V aparatul va avea o rezisten de 600 kO.

Artai c raportul R V
aparat max
ce caracterizeaz voltmetrul este inversul valorii I
max
de capt
scal a instrumentului propriu-zis (50 A n exemplul nostru) independent de valoarea rezistenei
instrumentului.

I
+ -
R
v
R
ad
mV
+ -
+
-
U
N U

Fig. 1.18. Montarea
rezistenei adiionale.


Pe msur ce desensibilizm voltmetrul, rezistena sa
crete apropiindu-se de un voltmetru ideal. Cu toate acestea,
indiferent de scala utilizat, pentru o deviaie complet (capt
de scal) aparatul va cere s primeasc acelai curent de 50
A ! Aceast valoare de curent reprezint o caracteristic a
modului n care el va perturba circuitul, indiferent de mrimea
tensiunii msurate.
Microampermetrul (instrumentul), mpreun cu rezistenele
de shunt care i modific sensibilitatea ca amperemetru i cu
rezistenele adiionale care l fac s funcioneze ca voltmetru cu
diferite sensibiliti, formeaz un aparat complex, cruia i se mai
adaug, de regul, i funcia de ohmetru. El se numete, atunci,
avohmetru sau aparat universal de msur sau multimetru (volt-
ohm-meter, prescurtat VOM, n limba englez).
Pentru funcionarea ca ohmetru, marcarea scalelor i
citirea valorilor se face complet diferit: indiferent de sensibilitate,
scala de ohmetru are zero la unul din capete i infinit la cellalt capt. Din acest motiv, la poziiile
comutatorului nu se mai trece valoarea corespunztoare captului de scal ci un factor cu care trebuie
multiplicat numrul citit. Pentru evitarea confuziilor, naintea factorului este scris ntodeauna semnul operaiei
de nmulire ( , sau * , ), aa cum se vede n Fig. 1.19, unde ohmetrul ne spune ca avem o rezisten de 100
kO..
Ca i la ampermetre, voltmetrele electronice cu afiaj digital permit citirea rezultatului cu o precizie
mult mai bun dect cele clasice. Dar, spre deosebire de cazul ampermetrelor, voltmetrele electronice aduc
mbuntiri semnificative n ceea ce privete rezistena intern.
n primul rnd, voltmetrele electronice au aveeai rezisten pe oricare scal de sensibilitate,
nemaifiind nevoie s recalculm rezistena intern ori de cte ori schimbm scala. Dar, ceea ce este mai
important, aceast rezistena este foarte mare n comparaie cu aceea a voltmetrelor clasice. Dac un
voltmetru clasic avea 2 kO pe scala de 100 mV i abia ajungea la 2 MO pe scala de 100 V, un voltmetru
electronic are o rezisten tipic de 10 MO pe toate scalele. Modificarea cea mai spectaculoas se produce pe
scala cea mai sensibil (100 mV cap de scal) unde rezistena voltmetrului electronic este de cinci mii de ori
mai mare; dac cel clasic cerea ntodeauna cureni de ordinul 50 A, voltmetrul electronic are nevoie, pe
aceast scal, de numai 10 nA !

H. Msurarea curenilor i tensiunilor alternative (regim sinusoidal)

Dac un circuit coninnd numai elemente liniare (rezistoare, condensatoare, inductane, etc.) este excitat
sinusoidal, atunci, dup stingerea regimului tranzitoriu toate potenialele i toi curenii evolueaz
sinusoidal cu frecvena de excitaie. Ceea ce difer sunt numai amplitudinile i fazele acestor mrimi.
Exemplul tipic l constituie circuitele alimentate direct sau prin transformatoare de la reeaua de distribuie a
energiei electric. Aceat reea furnizeaz ntre cele dou borne o tensiune care evolueaz sinusoidal n timp, cu
frecvena de 50 Hz (perioada de 20 ms), ntre - 311 V i + 311 V; 311 V este, deci, amplitudinea tensiunii
sinusoidale a reelei.
n electronic trebuie s fim prudeni cu noiunea de amplitudine pentru c ea este utilizat ntr-un sens
mai general dect n fizic. Astfel, pentru tensiunea reelei, 311 este valoarea de vrf (de pic, din englezescul
peak) dar, cum vom vedea imediat, de multe ori este mai comod de msurat amplitudinea vrf la vrf, care n
cazul reelei este de 622 V
pp
(pentru a evita orice confuzie este bine s adugai indicele inferior "pp" sau "vv"
la unitatea de msur).
100
10
1
0.1
0
comutator de scala
x 10 kO

Fig. 1.19. Scala i comutatorul de
scal la un ohmetru clasic.

Dup cum tii, puterea instantanee comunicat unui rezistor, prin efect Joule, este

P t U t R I t R ( ) ( ) ( ) = =
2 2
(1.16)

adic depinde de ptratul valorii instantanee a curentului sau tensiunii. Curentul i tensiunea modificndu-se
periodic, este intersant s tim puterea medie pe o perioad, aceasta fiind practic egal cu puterea medie
calculat pe un interval de timp mult mai mare dect o perioad. Conform ecuaiei precedente, puterea medie
va depinde de media ptratului tensiunii sau curentului. Este, ns, mai comod, s se lucreze cu nite mrimi
echivalente, care sunt cele efective sau eficace

( ) = ( ) = P t U t R U t R
ef
( ) ( ) ( )
2 2
(1.17)

definite ca radical din media ptratului mrimii respective

U U t
ef
= ( )
2
( )
; (1.18)

n limba englez aceast operaie este notat prescurtat RMS (Root Mean Square) iar valorile respective se
numesc "valori RMS"); este bine s adugai indicele inferior "ef" sau "RMS" la unitatea de msur.
Pentru o dependen sinusoidal, operaia de radical din media ptratului produce valoarea
amplitudinea amplitudinea 2 0 707 = . ; reeaua de alimentare are tensiunea efectiv de 220 V. Trebuie
reinut, ns, c aceasta este valabil numai pentru o dependen sinusoidal. De exemplu, pentru forma de
und din Fig. 1.19 b, tensiunea efectiv nu este 0 707 . amplitudinea ci este egal chiar cu amplitudinea.
Att aparatele de msur clasice ct i cele
electronice pot msura i tensiuni i cureni
sinusoidali (pentru aceste funcii se efectueaz o
redresare cu diode). Pentru comoditatea
utilizatorului, ele afieaz valoarea efectiv, dar
nu o msoar, de fapt, de-adevratelea, conform
definiiei (1.18). Ce msoar, ele de fapt ? Ele
msoar amplitudinea (sau ceva proporional cu
aceasta, media valorii absolute), aplic un factor
de corecie adecvat i ne comunic "valoarea
efectiv". Aceasta funcioneaz numai pentru
forme de und sinusoidale. Dac ai msura
tensiunea formei de und din Fig. 1.20 b),
aparatul va spune c tensiunea efectiv este
0.707 V, cnd de fapt, valoarea efectiv
adevrat este de 1 V. Pentru msurarea
tensiunilor efective ale formelor de und care nu
sunt sinusoidale se utilizeaz aparate de msur
care chiar msoar valoarea efectiv, efectund radicalul din media ptratului; ele se numesc aparate de
valoarea efectiv adevrat (true RMS) i pot realiza acest lucru, de exemplu, prin msurarea puterii
disipate pe o rezisten etalon.

-1
0
1
amplitudine 1 V
tensiune efectiva 0.707 V
-1
0
1
amplitudine 1 V
tensiune efectiva 1 V
a)
b)
U
U
t
t

Fig. 1.20. Amplitudinea i valoarea efectiv pentru dou
forme de und: sinusoidal (a) i una rectangular (b).


I. Msurarea curenilor i tensiunilor alternative de form oarecare

Dei foarte important, regimul sinusoidal nu este utilizat n practic dect la transmiterea energiei
electrice i testarea n laborator a unor anumite circuite; imensa majoritate a formelor de und produse,
amplificate i msurate n electronic nu sunt sinusoidale. Ajunge s v gndii la evoluia tensiunii pe
difuzorul cu care ascultai muzica, ea nu este sinusoidal, sinusoidal (pe durat scurt) este semnalul cu care
radiodifuziunea puncteaz secundele atunci cnd transmite ora exact; nu credem c ai dori s-l ascultai mai
mult de cteva fraciuni de secund.
n cazul semnalelor nesinusoidale, informaia este codificat n ntreaga evoluie a lor, nereducndu-se la
trei numere reale (frecven, amplitudine i faz) ca n cazul celor sinusoidale. Din acest motiv, este esenial
vizualizarea formei lor de und. Pentru tensiunile care variaz n timp, acest lucru poate fi realizat cu un
aparat numit osciloscop (prescurtat uneori scope n limba englez). El este, esenialmente, un voltmetru, lucru
artat, de altfel, i de rezistena sa de intrare, care are valoarea tipic de 1 MO. Afiarea este efectuat de ctre
un punct luminos (spot, din limba englez) care traverseaz (baleiaz, din limba francez) ecranul de la stnga
la dreapta, se stinge i apoi se deplaseaz rapid n stnga ecranului pentru o nou curs. Linia luminoas lsat
de trecerea spotului este numit, uneori, tras (din limba francez).
Osciloscoapele clasice, analogice, nu fac dect s afieze forma de und pe un ecran cu dimensiunile
laturii de ordinul a 10 cm i precizia de citire nu este mai bun de cteva procente. n schimb, osciloscoapele
moderne, digitale (eventual cuplate la calculator), memoreaz valorile consecutive ale semnalului, msurate cu
un voltmetru digital foarte rapid, i permit obinerea de precizii mai bune, sub 0.1 %.
Tensiunea a crei evoluie trebuie vizualizat este afiat pe vertical (axa Y) i, de aceea, blocul care o
prelucreaz se numete amplificator Y iar mufa de intrare este notat cu "Y input". Osciloscopul permite
vizualizarea tensiunilor foarte mici (chiar de ordinul a 1 mV) iar rezistena sa intern este mare (1 MO); n
aceast situaie el este sensibil la cureni de intrari infimi (1 1 mV 1M nA O = ) . Pentru a prentmpina
influena perturbatoare a cmpurilor electrice i magnetice generate de reeaua de alimntare sau de alte aparate
electrice, amplificatoarele sale sunt ecranate, iar ecranul este legat, prin cablul tip "shuko", la 'nulul de
protecie" adic la pmnt. Astfel, masa osciloscoapelor este legat constructiv la pamnt, ceea ce impune o
atenie deosebit la conectarea sa n circuite la care sursa de alimentare are i ea o born legat la pamnt.
Acesta este cazul reelei de alimentare, unde firul de "nul" este legat la pmnt iar cel de "faz" se afl la o
tensiune de 220 V
ef

fa de pmnt.
De la borna de intrare pn la
circuitul care trebuie msurat, legtura se
face cu o sond (probe n limba englez)
care const ntr-o bucat de cablu coaxial,
care continu ecranul, i niste elemente
mecanice de prindere, aa cum se poate
vedea n Fig. 1.21. Intrarea poate fi legat
la amplificator n curent continuu (DC),
permiind vizualizarea tuturor frecvenelor
ntre 0 Hz (nivel constant de tensiune) i o
frecven limit (tipic 30 MHz pentru oscilosoapele de joas i medie frecven). n acest mod, dac tensiunea
nu evolueaz cu o vitez prea mare, ea apare pe ecran aa cum este n realitate.
osciloscop
sonda
R
1
pamint
prin cablul de
alimentare

Fig. 1.21. Osciloscopul.

Pentru a ti unde este linia de zero, exist lng mufa de intrare un comutator care, prin trecerea lui pe
poziia ground (GND sau GD), pune la mas intrarea amplificatorului Y (manevra nu este periculoas,
semnalul de intrare nu este pus la mas ci decuplat de la intrarea amplificatorului). Dup aceasta, din butonul
"Y POSTION" aducem linia ntr-o poziie convenabil pe
ecran (uzual la milocul lui) i nu uitm s trecem din nou
comutatorul de la intrare pe poziia DC, altfel vom
continua s vedem pe ecran doar linia de zero. De
exemplu, n Fig. 1.22, linia de zero a fost stabilit la
jumtatea ecranului de unde rezult c tensiunea afiat
are numai valori nule sau pozitive.
Scala cu care osciloscopul afieaz tensiunea pe axa
Y se modific de la un comutator rotativ; poziiile sale sunt
marcate n V diviziune sau mV diviziune; diviziunea
este ptratul de pe ecran, ntregul ecran avnd, dup tipul
osciloscopului, ntre opt i zece diviziuni. Pe exemplul din
figura precedent, tensiunea maxim corespunde la trei
diviziuni.

Atenie, n afara comutatorului rotativ mai exist (pe axul lui) un poteniometru care regleaz
continuu sensibilitatea pe Y; dac acest potenioometru nu este adus n poziia "calibrat" indicaia de
sensibilitate de la comutatorul rotativ nu este valabil. Dac vrei s i msurai o tensiune, nu numai s-
vedei forma de und, asigurai-v c acest poteniometru este n poziia calibrat. Unele osciloscoape v
atrag atenia cnd amplificatorul nu este calibrat, aprinznd un becule, cele mai multe nu o fac.

Uneori, ns, urmrim vizualizarea doar a unor
mici variaii, care sunt "suprapuse" peste un nivel
continuu (ca n Fig. 1.23) i am dori s amplificm doar
aceste variaii pentru c, altfel, imaginea nu ar mai
ncpea n ecran. Pentru aceasta, osciloscopul are la
comutatorul intrrii, pe lng poziia DC, i o poziie AC
care nseamn cuplarea semnalului n curent alternativ;
n aceast situaie ntre intrare i amplificator este
conectat un condensator care "blocheaz" componenta
de curent continuu. Aceasta nseamn c, indiferent de
forma de und, semnalul afiat va avea media zero,
adic osciloscopul va "trage" ntodeauna semnalul pe
vertical, astfel nct aria de deasupra liniei de zero
("pozitiv") s fie egal cu cea de sub aceast linie ("negativ"); dac tensiunea din Fig. 1.22, avnd frecvena
de 50 Hz, este vizualizat n acest mod, forma afiat pe ecran va fi cea din Fig. 1. 24.

Fig. 1.22. Form de und pe ecranul
osciloscopului.
t
0
valoarea medie
(componenta continua)

Fig. 1.23. Variaii mici "suprapuse" peste o
valoare medie.


Semnalele sinusoidale vor rmne sinusoidale, dar
cele de frecven mic (sub 10 Hz) vor aprea cu att mai
mici cu ct frecvena lor va fi mai mic. Vestea cea
proast este, ns, aceea c semnalele care nu sunt
sinusoidale vor fi deformate. De fapt, vor fi deformate
acele poriuni din ele care se ncpineaz s evolueze
prea lent sau s rmn constante, aa cum se poate
vedea n Fig. 1.24. Din acest motiv, la semnalele
periodice de frecven mic, cuplarea n curent alternativ
trebuie folosit cu pruden. ntodeuana este bine s
vizualizai semnalul mai nti cu un cuplaj n curent
continuu.
Aproape toate osciloscoapele au dou canale Y
(notate, de obicei, cu Y
A
i Y
B
) care permit vizualizarea
simultan a dou tensiuni diferite. Cele dou canale pot fi
afiate separat cte unul, alternat (cele dou semnale sunt
afiate consecutiv la trecerile succesive ale punctului
luminos de la stnga la dreapta) sau choppat (din
chopped n limba englez), cnd punctul luminos sare
nainte i napoi rapid (0.1- 1 MHz) ntre cele dou curbe
pe care le deseneaz.
Deplasarea punctului luminos pe axa X este
controlat de blocul de amplificare X. Pentru a vizualiza
evoluia n timp a tensiunilor, acest bloc primete un
semnal n dini de fierstru care comand deplasarea
punctului luminos cu vitez constant de la stnga la dreapta i, apoi, ntoarcerea rapid la captul din stnga.
Blocul care produce semnalul n dini de fierstru se numete baz de timp. Viteza de deplsare stabilete
scala de timp a axei X, care se poate modifica de la comutatorul rotativ al bazei de timp; poziiile sale sunt
marcate n timp/diviziune. Ca i la amplificatorul pe axa X, i aici exist un poteniometru care v poate
pcli: dac dorii s msurai intervale de timp, va trebui s-l trecei n poziia "calibrat".
Ceea ce vedem pe ecran, la osciloscoapele analogice, nu este rezultatul unei singure treceri a punctului
luminos ci o mediere a unui mare numr de "desene", fiecare decupnd din semnalul original un segment de
aceeai durat (dac vizualizai, de exemplu, patru perioade ale unui semnal de 1 MHz, avei peste 200 de mii
de "desene" pe secund). Figura vzut va fi inteligibil numai dac toate desenele mediate (de ineria
ecranului i de ineria ochiului) vor fi identice. Nu putem s vizualizm dect forme de und periodice i, n
plus, fiecare desen trebuie s nceap exact din acelai punct al perioadei semnalului. Cu alte cuvinte,
pornirea punctului luminos n cursa lui de traversare a ecranului trebuie sincronizat cu semnalul care trebuie
vizualizat (trigherat de acest semnal, n jargon). n exemplul din Fig. 1.25 a) au fost reprezentate cinci
"desene" efectuate de spot la cinci trecerii consecutive. Pentru c aceste desene ncep exact din acelai punct al
perioadei semnalului, medierea lor, reprezentat n Fig. 1.25 b) tridimensional, ca i cum ar fi aezate unul sub
altul produce o imagine clar, care va fi stabil pe ecranul osciloscopului.

aria pozitiva
aria negativa
0

Fig. 1.24. Forma de und afiat pentru semnalul
din Fig. 1.22, cu intrarea osciloscopului cuplat n
"curent alternativ".

a II-a trecere a III-a trecere
a)
prima trecere
stinga
dreapta
intoarcere
rapida
asteapta
semnalul de
sincronizare
semnalul
afisat
comanda
deplasarii
spotului
b)
mediata
imaginea

Fig. 1.25. Principiul sincronizrii baleierii osciloscopului (a) i medierea traselor diferitelor treceri ale spotului
(b).
Sincronizarea se face prin compararea unei copii a semnalului afiat cu un nivel de referina i pornirea
baleierii exact n acel moment (dac spotul a ajuns mai devreme n stnga ecranului, va trebui s atepte
cuminte acest moment). Poziia acestui nivel poate fi modificat de utilizator cu un poteniometru (n mod de
funcionare trigherat) sau este stabilit de osciloscop n modul de lucru automat. Cum trecerea peste nivelul de
referin (prag ) poate s se fac fie n sus, fie n jos, avem dou posibiliti de selecie, pe front cresctor (up)
sau pe front descresctor (down).

Atenie: la unele osciloscoape, pe modul de funcionare trigerat, dac semnalul nu traverseaz
nivelul stabilit, baleierea este oprit i spotul este invizibil; la altele, este utilizat un oscilator nesincronizat
i imaginea, chiar dac este instabil, este afiat. Acesta poate fi unul dintre motivele pentru care nu gsii
spotul.

nainte de a fi utilizat la sincronizare, copia semnalului care trebuie afiat poate fi prelucrat prin
ndeprtarea nivelului continuu (sincronizare n curent alternativ) sau prin ndeprtarea unor frecvene pe care
nu dorim s facem sincronizarea (frecvene joase, LF - low frequency sau frecvene nalte, HF -high
frequency). Modul de sincronizare descris pn acum utilizeaz chiar semnalul care a fost aplicat canalului Y,
este o sincronizare intern i, dac avem dou canale Y, va trebui s alegem dup care facem sincronizare.
Osciloscoapele ofer i posibilitatea sincronizarii cu un semnal extern, introdus la o muf special.
Pentru vizualizarea unor pulsuri care apar neperiodic, au fost produse osciloscoape analogice cu
memorie, la care ecranul poate menine vizibil urma unei singure treceri a spotului pe durate de timp de
ordinul minutelor, pentru a putea fi fotografiat; i n acest caz sincronizarea este esenial, cursa spotului
trebuind s nceap odat cu apariia pulsului de tensiune. Odat cu apariia oscilosoapelor digitale, la care
memorarea face parte din principiul de funcionare, memoria analogic ecranului a ncetat s mai fie utilizat.


Dei este un voltmetru, osciloscopul poate permite i
vizualizarea evoluiei ntensitii unui curent, dac se
utilizeaz un truc: informaia de curent este convertit n
informaie de tensiune, trecnd curentul pe care dorim s-l
vizualizm printr-o rezisten de valoare cunoscut. Cum o
born de intrare este obligatoriu masa circuitului, rezistena
trebuie montat cu un capt la mas, ca n Fig. 1.26. Pentru
a nu modifica funcionarea iniial a circuitului, valoarea
rezistenei trebuie aleas att de mic nct cderea de
tensiune pe ea s fie neglijabil fa de tensiunea pe
ramura de circuit unde este intercalat. Deoarece
osciloscopul poate vizualiza chiar tensiuni de ordinul 1 mV -
10 mV, aceasta nu constituie o problem.

intrarea Y
a osciloscopului
masa
osciloscopului
2kO
O 20
curentul
ce trebuie
vizualizat

Fig. 1.26. Vizualizarea cu osciloscopul a
evoluiei unui curent.

Enunuri frecvent utilizate
(att de frecvent nct merit s le memorai)

- ntr-un generator de energie electric, curentul curge de la borna cu potenial cobort la borna cu
potenial ridicat.
- ntr-un consumator de energie electric, curentul curge de la borna cu potenial ridicat la borna
cu potenial cobort.
-Suma intensitilor curenilor care intr ntr-un nod este egal cu suma intensitilor curenilor
care ies din nodul respectiv (legea curenilor); considernd pozitivi curenii care intr i negativi pe cei
care ies, suma lor algebric este nul

I
k
nod
= 0.

- Pe orice ochi al circuitului, suma algebric a variaiilor de potenial este nul (legea tensiunilor)
AV
ochi
= 0.

- Potenialul unui nod oarecare poate fi obinut plecnd de la un nod cu potenialul cunoscut i
adunnnd (algebric) variaiile de potenial (tensiunile) poriunilor de drum parcurse.
- Rezistoarele respect legea lui Ohm
I
V V
R
amonte aval
=

.
- Potenialul unui nod legat numai prin rezistoare la noduri cu potenialele V V
M 1
, ... , poate fi
exprimat prin teorema Milman
V
V
R
R
k
k
k
M
k
k
M
=
=
=
1
1
1
.
-Pentru ca intensitatea "citit" s fie pozitiv, curentul trebuie s intre n ampermetru pe la borna
marcat cu +.
- Rezistena unui ampermetru clasic este invers proporional cu valoarea corespunztoare a
captului de scal; totui, pe orice scal, la deviaia maxim, tensiunea pe aparat are aceeai valoare.
- Rezistena unui voltmetru clasic este direct proporional cu valoarea corespunztoare captului
de scal; totui, pe orice scal, la deviaia maxim, curentul prin aparat are aceeai valoare.
- Rezistena unui voltmetru elecronic nu depinde de scala pe care se msoar i are valoare foarte
mare (1-10 M).
- Valoarea efectiv (RMS) a unei mrimi care variaz periodic este egal cu radicalul din media
ptratului ei; numai pentru o mrime care variaz sinusoidal valoarea efectiv este amplitudinea 2 .
-Osciloscopul este, n esen, un voltmetru electronic; el permite vizualizarea evoluiei n timp a
tensiunii.


Termeni noi

-conductor ideal (fir) conductor cu rezisten electric nul, fr inductan sau
capacitate;
-rezistor ideal dispozitiv de circuit care respect exact legea lui Ohm;
-mas (ground) nod al unui circuit la care potenialul este considerat zero, prin
convenie;
-generator (element activ) element de circuit care, n cazul considerat, convertete o energie
neelectric n energie electric, transferat circuitului;
- consumator (element pasiv) element de circuit care, n cazul considerat, convertete energia
electric primit de la circuit n alt form de energie (de multe ori
termic);
-dipol element de circuit cu dou borne de acces;
-regim de curent continuu (DC) starea unui circuit n care potenialele i curenii nu mai variaz n
timp;
-caracteristic static dependena funcional curent-tensiune, pentru diferitele regimuri
de curent continuu;
-ampermetre (voltmetre) clasice aparate de msur cu ac indicator, bazate pe interacia curentului
cu un cmp magnetic;
-aparat de msura analogic aparat de msur la care informaia este afiat prin deplasarea
continu, proporional cu valoarea msurat a unui ac sau altui
element indicator (de exemplu, spot luminos);
-multimetru (avohmetru) clasic aparat de msur clasic, care permite msurarea, pe diferite scale
de sensibilitate, a tensiunilor, curenilor i rezistenelor;
-voltmetru electronic aparat de msur, de rezisten foarte mare, bazat pe amplificarea
electronic a tensiunii msurate;
- multimetru digital aparat de msur electronic, cu afiaj digital (numeric), care
permite msurarea, pe diferite scale de sensibilitate, a
tensiunilor,
curenilor i rezistenelor;
-regim sinusoidal (AC) starea unui circuit n care toate potenialele i toi curenii variaz
sinusoidal n timp, cu diferite amplitudini i faze;
-baz de timp bloc funcional al uni osciloscop care comand baleierea automat
a spotului, pentru a afia evoluia temporal a tensiunii investigate;
-sincronizare (trigerare) nceperea baleierii la un anumit moment, cu poziie fix n cadrul
perioadei semnalului afiat, pentru ca diferitele treceri ale spotului,
prin mediere, s conduc la o imagine stabil;
-cuplaj n curent continuu (DC) conectare printr-un conductor (ideal) care permite s treac
componentele de orice frecven, inclusiv componenta de curent
continuu;
- cuplaj n curent alternativ (AC) conectare printr-un condensator care "blocheaz" componenta
continu (de frecvena nul) dar permite s treac toate celelalte
frecvene; semnalele sinusoidale cu frecvena mai mic dect
frecvena de tiere sunt atenuate, cu att mai mult cu ct frecvena
lor e mai mic.

Probleme rezolvate

Problema 1. Pentru un anumit dipol
(diod semiconductoare) trebuie s se
traseze experimental caracteristica static
I f U = ( ). Curentul va fi modificat n
domeniul 0, ... ,10 mA i se tie c, n
aceste condiii, tensiunea pe dispozitiv va fi
ntre zero i 0.8 V. Curentul i tensiunea
vor fi msurate cu multimetre clasice
identice, care au marcat pe cea mai
sensibil scal indicaia 50 A / 100 mV.
S se discute, din punctul de vedere al
erorii de msur, cele dou configuraii
posibile, "amonte" i "aval" din Fig. 1.27
i s se decid care trebuie utilizat.

Rezolvare

Este evident c n circuitul din desenul a) miliampermetrul nu msoar ceea ce dorim noi ci suma dintre
curentul prin diod i curentul prin voltmetru pe cnd n circuitul din desenul b) voltmetrul este cel care se
pclete, indicnd suma dintre tensiunea pe diod i tensiunea pe miliampermetru,. n care din cele dou
situaii eroarea relativ este mai mic ?
Pentru a rspunde la aceast ntrebare prima tentaie ar fi s calculm rezistenele aparatelor de msur
pe scalele pe care le utilizm i s le comparm cu ...., cu ce ? Dioda nu respect legea lui Ohm i nu este
carcaterizat de o rezisten. Ne amintim ns c, pe orice scal ar fi, pentru o deviaie complet, voltmetrul
necesit aceeai valoare de curent (rezistenele adiionale i-au fost adugate n serie !). Rezult c dac vrem
s citim ceva pe cadranul voltmetrului din desenul a) (dac nu vrem, trecem voltmetrul pe scala de 100 V i
acul nu se va mica practic de la zero), prin el va trebui s treac un curent ordinul a 50 A (captul de
scal). Este mult fa de curentul prin diod pe care vrem, de fapt, s-l msurm ? Acesta, ne spune textul
problemei, va fi ntre 0 i 10 mA. Chiar dac dorim s desenai un grafic excepional, scala sa vertical va fi
tot ntre zero i 10 mA; eroarea de 50 A reprezint 0.5 % din valoarea sa; la un desen de 10 cm vei avea o
eroare de 0.5 mm, de grosimea minei de creion cu care desenai graficul.
S vedem ce se ntmpl n cazul circuitului din desenul b); dac dorim s citim ceva pe scala
miliampermetrului acul trebuie s devieze iar pe miliampermetru s cad o tensiune de ordinul a 100 mV
(exact 100 mV la captul de scal). Tensiunea pe diod este ns de cel mult 0.8 V, aceasta nseamn c la
msurrea fcut la curentul maxim de 10 mA, vom avea o eroare relativ asupra tensiunii de 0.1 V 0.8 V
adic de 12.5 % !
Concluzia este evident: n aceast situaie concret trebuie s preferm montajul din desenul a) cu
voltmetrul montat "n aval", acesta asigurndu-ne o eroare de metod mai mic de 0.5 % din valoarea captului
de scal al graficului, cu siguran mai mic chiar dect eroarea de msur pe care fabricantul o garanteaz
pentru multimetrul (uzual 1 % pentru cele profesionale). Numai dac vom dori s investigm comportarea
diodei la valori mult mai mici ale curentului, trecnd miliampermetrul pe scala corespunztoare, va trebui s
efectum corecia de voltmetru, scznd din valoarea indicat de miliampermetru curentul U R
d v
prin
voltmetru; aceast corecie va fi sigur s50 A.

a)
mA
V
+
-
+ -
+
-
U
d
b)
+
-
mA
+ -
V
I
d

Fig. 1.27. Montarea aparatelor de msur pentru trasarea
caracteristicii statice a unei diode.


Problema 2. Un circuit electronic este alimentat de la o singur surs de tensiune continu, de valoare
V
alim
, legat cu minusul la mas i n el se stabilete un regim de curent continuu (potenialele i curenii nu
variaz n timp). Artai c, n absena altor generatoare de energie, nici un nod nu poate avea potenialul
mai mic dect zero (potenialul masei) sau mai mare dect V
alim
.

Rezolvare

Alegem un nod oarecare A, care este legat de alte N noduri, cu
potenialele V V
N 1
,..., , prin elemente de circuit cu dou borne (dipoli),
aa cum se vede n Fig. 1.28. Presupunem, mai nti, c potenialul V
A

este mai mare dect cel mai mare dintre potenialele V V
N 1
,..., , pe care
l vom numi V
max
. Cum toii dipolii sunt consumatori de energie,
curenii circul prin ei de la potenial ridicat la potenial cobort, adic
toi curenii ies din nodul A. Aceasta este o situaie imposibil pentru
c ncalc legea I a lui Kirchhoff: suma curenilor care ies trebuie s fie
egal cu suma curenilor care intr. Rezult, n consecin, c
potenialul nodului A este obligatoriu mai mic dect V
max
. (prin
condiia ca toi dipolii s fie consumatori de energie am eliminat i posibilitatea ca nodul A s fie scurtcircuitat
la nodul cu potenialul V
max
).

V
1
V
2
V
3
+V
alim
zero (potentialul masei)
Exceptind bornele de alimentare,
potentialele celorlalte noduri se
gasesc obligatoriu intre
si zero.
+V
alim

Fig. 1. 29. Diagrama potenialelor ntr-un circuit alimentat de la o singur surs de tensiune continu,
conectat cu borna minus la mas.

n mod asemnntor, se arat c potenialul nodului A este mai mare dect V
min
, cel mai mic dintre
potenialele V V
N 1
,..., . Avem n circuit dou noduri speciale: masa, cu potenialul zero, i linia de alimentare
cu potenialul V
alim
; ntre ele este conectat singurul generator de energie disponibil. Orice alt nod (care nu este
scurtcircuitat la mas sau alimentare) este conectat numai prin consumatoare de energie. El nu poate avea,
conform rezultatului anterior, dect un potenial cuprins n intervalul ( ; ) 0
alim
V , aa cum se poate observa pe
diagrama potenialelor din Fig. 1.29.
V
1
V
2
V
3
V
N
V
A

Fig. 1.28.

Probleme propuse

P 1.1. n circuitul din Fig. 1.30, stabilii, acolo unde se poate, sensurile curenilor i polaritile
tensiunilor pe rezistoare. Pentru aceasta, utilizai rezultatul problemei rezolvate de la Cap. 1 i faptul c
tranzistorul este un consumator de energie.

R
B2
Tranzistor
R
E
+20 V
R
C
R
B1

T
1
R
C
+ 15V
R
C
R
EE
T
2
- 15V
R
B
R
B
B B

Fig. 1.30 Fig. 1.31

P 1.2. Efectuai aceeai operaie pentru circuitul din Fig. 1.31.
P 1.3. n circuitul din Fig. 1.32 potenialele (de curent continuu)
ale nodurilor sunt ncadrate n dreptunghiuri, aa cum le vei gsi i n
schemele profesionitilor; tot ca acolo, la valorile rezistenelor s-a omis
simbolul O. Avei suficiente informaii ca s calculai intensitile
tuturor curenilor i, n plus, valoarea rezistenei necunoscute. Nu uitai
s trecei pe schem sensurile curenilor, altfel valorile calculate nu au
nici o semnificaie.
P 1.4. Subcircuitul din Fig. 1.33 este conectat cu exteriorul
doar prin conductoarele numerotate 1...N i in el se stabilete un
regim de curent continuu. Cunoatei toate potenialele fa de mas ale
acestor conductoare, V V
N 1
... , precum i intensitile curenilor
I I
N 1
... .
a) Calculai puterea electric total pe care o primete
subcircuitul din exterior, prin
curenii I I
N 1
... . Sugestie: separai curenii n dou categorii (care intr
n subcircuit i care ies din subcircuit) i gndii-v c sarcinile electrice
au o anumit energie potenial ntr-un cmp electrostatic.
b) Reformulai expresia puterii primite de subcircuit considernd
intensitile mrimi algebrice, pozitive cnd curentul intr n subcircuit.
c) Verificai c expresia pe care ai gsit-o produce aceeai valoare
a puterii primite i dac msurai potenialele fa de alt punct de
referin.

+15 V
+10 V
+10.7 V
5 k
2 k
1 k
+5 V 10 k

Fig. 1.32.
V
1
V
2
V
3
V
4
V
5
V
6
V
N

Fig. 1.33.


P 1.5. Expresia pe care ai gsit-o la problema precedent reprezint puterea primit de subcircuit sau
puterea total disipat de componentele subcircuitului ? Cnd sunt egale aceste puteri ? Verificai pe cazul
particular al unui subcircuit constituit dintr-un rezistor legat n serie cu o surs ideal de tensiune.
P 1.6. Calculai puterea disipat de tranzistorul din Fig. 1.34, utiliznd expresia dedus la problema P
1.4 (tranzistorul nu conine generatoare de energie electric). Nu
uitai de legea I a lui Kirchhoff.
P 1.7. Utilizai teorema Milman pentru calcularea
potenialului produs de divizorul rezistiv, prezentat n Fig. 1. 35,
n punctul A.
. P 1.8. Demonstrai teorema Milman folosind teorema
superpoziiei, valabil pentru circuite liniare:
-alegei un nod oarecare "k" din cele 1..N noduri adiacente i
considerai c potenialele tuturor celorlalte noduri
adiacente sunt nule (acele noduri sunt legate la
mas);
-redesenai circuitul calculnd rezistena
echivalent a gruprii serie i descoperii un divizor
rezistiv;
-calculai potenialul nodului n aceast situaie
- considerai c ai aplicat acest procedeu de N ori, pentru fiecare nod adiacent, i
adunai rezultatele individuale.
P 1.9. Dac avei dou surse de tensiune i dorii ca potenialul unui punct s fie
proporional cu suma celor dou tensiuni ale surselor, cel mai simplu este s le conectai n
serie (Fig. 1.36 a). De multe ori trebuie s rezolvm aceast problem n electronic (sumarea a
dou tensiuni) dar sursele care le produc nu pot fi legate n serie deoarece ambele au cte o
born legat la mas, ca n desenul b al figurii (n jargon se spune c nu sunt flotante). Imaginai-v un
circuit la care potenialul unui nod s fie proporional cu suma celor dou tensiuni.

+
+
-
-
U
1
U
2
+
-
U = U
1
U
2
+
a)
+
-
U
1 U
2
a)
+
-
+
-
U = U
1
U
2
+
?
k ( )

Fig. 1.36.

P 1.10. n circuitul din Fig. 1.37 avei dou surse de tensiune: una de tensiune continu U
1
= constant
i una de tensiune sinusoidal U t U t
m 2 2
( ) sin( ) = , condensatorul C avnd la frecvena o reactan
neglijabil fa de rezistena R (se comport ca un scurtcircuit la aceast frecven). Calculai potenialul
nodului A. Indicaie: utilizai teorema superpoziiei, anulnd pe rnd cte una dintre tensiunile surselor, i
calculai potenialul cu teorema Milman.

Tranzistor
+20 V
5 A
+10 V
+1 V
0.2 A
+2 V

Fig. 1.34.
R
1
R
2
V
alim
A
+15 V
2.5 k
4.7 k

Fig. 1. 35.

Observaie: Merit s reinei rezultatul acestei probleme deoarece n
acest mod este aplicat semnalul care trebuie amplificat (tensiunea variabil)
la majoritatea amplificatorelor utilizate n electronic.

P 1.11.. Determinai potenialul nodului B din Fig. 1.38 (baza
tranzistorului) considernd neglijabil curentul bazei (amintii-v teorema
Milman). Apoi recalculai acelai potenial pentru un curent de baz de 50 A.
Comparai rezultatele i decidei dac prima aproximaie era rezonabil.
P 1.12. n problema precedent ai investigat precizia aproximaiei
I
B
~ 0 prin comparaia valorilor potenialului bazei, calculat cu i fr
aceast aproximaie. Ai putea decide dac este bun aproximaia fr s
calculai potenialul bazei ? Gndii-v c un curent nu poate fi comparat dect
cu un alt curent. Cu care ?
R
B2
Tranzistor
V
A
+20 V
R
C
10 k
R
B1
15 k
R
E
B
I
B

Fig. 1.38.
P 1.13. Comutatorul unui multimetru clasic este pe poziia
0.3 V DC (curent continuu) iar cea mai sensibil scal a sa poart
inscripia 50 A / 30 mV. Cnd acul are poziia din Fig. 1.39
a) care este tensiunea la bornele voltmetrului ?
b) estimai curentul prin voltmetru;
c) ct este rezistena voltmetrului pe aceast scal ?
P 1.14. Forma de und a unei tensiuni, aa cum apare ea pe
ecranul unui osciloscop, este cea din Fig. 1.40. Comutatoarele
osciloscopului sunt pe poziiile 0.2 V/div i 5 ms/div iar linia de
zero a fost reglat n prealabil s coincid cu axa orizontala de la mijlocul ecranului. Determinai:
a) valoarea vrf la vrf a tensiunii;
b) amplitudinea ei (valoarea de vrf);
c) perioada semnalului;
d) frecvena sa.
n final, artai dac valoarea efectiv este, n acest caz , amplitudinea 2 .

+
-
U
1 U
2
~
(t)
R C
A

Fig. 1.37.
30
20 10
0

Fig. 1.39.


P 1.15. Intensitatea unui curent electric este o
funcie periodic i are forma de und din Fig. 1.41.
Valoarea perioadei T este fix dar se poate modifica
raportul = T T
1
, numit factor de umplere (duty
cycle).
a) calculai, n funcie de valoarea de vrf I
m
i
factorul de umplere, valoarea medie a curentului
I
med
.
b) calculai, n funcie de aceleai variabile,
valoarea efectiv a curentului.
c) acum ncercai ceva mai complicat: modificai
valoarea factorului de umplere meninnd constant
valoarea medie a curentului i calculai cum depinde
intensitatea efectiv de factorul de umplere.
Ultimul punct al problemei se refer la un caz
ntlnit n practic la redresoarele alimentatoarelor:
curentul mediu este constant (cel necesar
consumatorului) dar este "extras" din secundarul
transformatorului n pulsuri mai scurte sau mai
lungi, dar care se repet cu o frecven fix,
dictat de frecvena reelei.

Fig. 1.40.
t
T
T
1
0
I
m

Fig. 1.41.

Lucrare experimental

Scopul acestor experimente este familiarizarea dumneavoastr cu modul de utilizare a aparatelor de
msur pe care le vei folosi sistematic n experimentele ulterioare. Din acest motiv, trebuie s citii cu atenie,
nainte de a v prezenta n laborator, descrierea principiului lor de funcionare, prezentat n paginile
anterioare, s nelegei problemele rezolvate i s rezolvai cu fore proprii problemele propuse. Altfel,
orele petrecute n laborator vor fi ore pierdute n care rsucii nite butoane i scriei nite numere a cror
semnificaie v scap. Ca n gluma cu miliienii care nvau tabla nmulirii cntnd, vei rmne, n cel mai
bun caz, cu amintirea unei melodii.

Acest mod de pregtire prealabil a experimentelor din laborator este valabil pentru toate temele
pe care le vom aborda n acest manual i el va trebui s devin o obinuin. Profesorii cu care vei
efectua lucrrile practice v vor ajuta n acet sens, acceptnd-v n laborator numai dac v-ai pregtit
corespunztor.

Experimentul 1. Msurarea schimbului de putere electric ntre dou subcircuite
(n curent continuu).

Va trebui s alimentai planeta de la o surs de alimentare cu tensiune continu. Aceast surs are o
mulime de borne, comutatoare, poteniometre i instrumente indicatoare. Scriei pe caiet tipul ei i desenai
panoul frontal cu toate elementele de control i afiare. ntrebai, apoi, profesorul despre funcia fiecrui
element i trecei aceste informaii pe caiet; vei avea nevoie de ele la toate experimentele viitoare. n plus,
trebuie s tii c informaiile de acest tip sunt nelipsite din orice manual de utilizare a unui aparat.
Alimentai acum planeta, cu o tensiune ntre
10 i 12 V, respectnd polaritatea indicat pe
planet. Circuitul de pe planet const din dou
subcircuite (blocuri) conectate ntre ele cu dou
conductoare ca n Fig. 1.42; unul dintre ele conine
i sursa de alimentare pe care ai conectat-o. Cele
dou noduri ale conductoarelor au fost notate cu A
i B; unul din conductoare este legat fix, cellalt
trebuie s-l conectai dumneavoastr, ntre dou
bornele A' i A''. Desenai-v pe caiet schema din
figura anterioar.
Aparatul de masur pe care l vei folosi este un multimetru clasic (analogic), care poate fi utilizat att
ca voltmetru ct i ca ampermetru; nu ne vom pune, deocamdat, problema modului n care el perturb starea
circuitului care trebuie investigat, lsnd acest lucru pentru experimentul urmtor.
Determinai, mai nti, polaritatea tensiunii dintre nodurile A i B. Pentru a nu deteriora voltmetrul n
cazul n care l conectai invers i acul se deplaseaz spe stnga, alegei la nceput o scal puin sensibil, s
zicem 100 V. Conectai voltmetrul cu polaritatea la ntmplare, observai sensul deviaiei acului i stabilii
polaritatea tensiunii. Notai acest lucru pe schema desenat pe caiet, punnd semnele + i - .
Conectai acum voltmetrul cu polaritatea corect. Mrii sensibilitatea trecnd pe scale cu valori de
capt de scal mai mici, pn cnd poziia acului poate fi citit comod. Dac mrii prea mult sensibilitatea
voltmetrului, acul va iei din scal n partea dreapt i aparatul se va deteriora. Notai-v pe schem valoarea
tensiunii msurate.
Trebuie acum s aflm sensul i valoarea curentului care circul ntre cele dou blocuri prin
conductorul A. Pentru aceasta deconectm aparatul de msur de la circuit (fiind conectat ca voltmetru, deci n
_
subcircuitul
1
subcircuitul
2
B
A' A''
A

Fig. 1.42.


paralel, deconectarea lui nu afecteaz funcionarea circuitului. Apoi l trecem pe funcia de ampermetru,
curent continuu, alegnd o scal puin sensibil (1 A capt de scal). Pentru conectarea lui n circuit va trebui
s ntrerupem circuitul ntre bornele A
'
i A
''
, i s intercalm acolo ampermetrul. Desenai-v pe caiet
schema modificat, cu ampermetrul conectat. Dac ai nimerit polaritatea corect acul va devia spre dreapta,
dac nu, va trebui s inversai legturile la ampermetru. Dup ce l-ai legat corect, trecei pe simbolul su din
schema pe care tocmai ai desenat-o polaritile bornelor. Din aceast informaie, deducei sensul curentului i
desenai sgeata corespunztoare pe schem. n sfrit, alegei o scal adecvat pentru a msura valoarea
intensitii i notai-v valoarea obinut pe schem. Nu uitai niciodat unitatea de msur, fr ea
rezultatul nu are nici o semnificaie; utilizai obligatoriu submultiplii (A sau mA) n locul notaiei
exponeniale (1 2 10
4
.

A) sau a unora de genul 0.015 A sau 1200 A. Cei care chiar lucreaz electronic
nu msoar niciodat n 10
4
sau 10
5
ci n pico, micro, mili, kilo, mega i giga (dup care urmeaz ohm,
amper, watt sau volt).
Avei acum informaiile necesare pentru a decide care bloc furnizeaz energie electric i care bloc
primete energie electric. Scriei aceast concluzie pe caiet. Calculai valoarea puterii electrice care este
schimbat ntre cele dou blocuri. Atenie la rezultatul calculului, el nu trebuie s aib mai multe cifre
semnificative dect valorile care au fost introduse n formul.

Cifrele semnificative se numr ncepnd cu prima cifr diferit de zero: 0.0120 are trei cifre
semnificative, ca i 34.5. Numrul lor determin precizia relativ cu care este dat rezultatul, de exemplu
cu trei cifre semnficative nu putei avea o precizie mai bun de 1 999 0 1 ~ . % dar nici mai proast de
1 100 1 = %.

Experimentul 2. Efectul rezistenei interne a voltmetrului

Vom investiga, n acest experiment, modul n
care un voltmetru perturb starea circuitului n care
este conectat. Pentru aceasta, alimentai, mai nti,
planeta la o tensiune continu cu valoarea undeva
ntre 8 i 10 V . Apoi vom conecta pe circuitul din
Fig. 1.43, pe care l gsii realizat pe planet, un
voltmetru electronic, astfel nct s msurm
tensiunea pe rezistena R
2
100 = kO. Cum
voltmetrul electronic are o rezisten intern de cel
puin 5 MO (de 50 de ori mai mare dect valoarea lui
R
2
), putem considera c el nu perturb starea
circuitului.

Dac suntei foarte pretenioi, putei spune c valoarea tensiunii msurate nu este mai mic dect
cea existent nainte de conectarea voltmetrului cu mai mult de 1 50 2 = %.

Citii valoarea tensiunii i notai-o pe caiet. Alegei, apoi, pentru voltmetrul analogic (cu care ai
efectuat experimentul precedent) o scal adecvat pentru murarea acestei tensiuni i calculai valoarea
rezistenei sale pe aceast scal. Utilizai fie inscripiile de pe cea mai sensibil scal a sa (curent i
tensiune), fie constanta aparatului (n kO pe volt capt de scal) care trebuie, de asemenea, s fie
inscripionat pe aparat. Estimai, acum, ct de mult va modifica tensiunea voltmetrul analogic cnd l vom
conecta la bornele rezistenei R
2
. i dup ce ai estimat i ai trecut rezultatul estimrii pe caiet, legai
R
1
220 k
R
2
100 k
+
_
+
_
sursa de
alimentare
R
3
100 k
8 - 10 V

Fig. 1.43.

voltmetrul analogic n circuit, fr s-l deconectai pe cel electronic. Notai-v cu ct a sczut indicaia
voltmetrului electronic din cauza conectrii celui analogic. Corespunde cu estimarea dumneavoastr ?
Avei acum dou voltmetre care msoar exact aceeai tensiune. Citii i indicaia celui analogic. Care
dintre ele v ofer o informaie cu precizie mai bun ? Formulai concluzia n scris.
Vom repeta acum experimentul, msurnd tensiunea pe rezistena R
3
100 = kO, de aceeai valoare cu
rezistena pe care am msurat anterior tensiunea. Ce observai la conectarea voltmetrului analogic ? ncercai
s gsii o explicaie; dac nu reuii, ntrebai profesorul. n orice caz, nu uitai s-o trecei pe caiet.

Experimentul 3. Msurarea tensiunilor periodice

Vom msura acum tensiuni periodice,
sinusoidale i nesinusoidale, ncercnd s
utilizm voltmetrul clasic (analogic),
voltmetrul electronic i osciloscopul.
ncepem cu o tensiune sinusoidal.
Alimentai planeta introducnd techerul n
priza; pe planet (Fig. 1.44) exist un
transformator care ofer ntre bornele A i B
o tensiune sinusoidal cu valoarea sub 50 V,
deci nepericuloas. Trecei multimetrul clasic
pe funcia de tensiuni sinusoidale (AC) i
scala de 100 V i determinai valoarea acestei
tensiuni. Amintii-v c, pentru tensiuni
sinusoidale, aparatele indic valoarea
efectiv; artai acest lucru utiliznd unitatea
de msur V
ef
. Msurai acum aceeai
tensiune cu voltmetrul electronic i convingei-v c i el afieaz tot valoarea efectiv.
Vom msura acum tensiunea ntre bornele A i B cu osciloscopul (secundarul transformatorului, fiind
izolat fa de primar, este flotant fa de pmnt i, deci, putei conecta masa osciloscopului la oricare din
borne). Pornii aparatul, trecei amplificatorul Y pe o poziie puin sensibil (de exemplu, 1V pe diviziune)
sincronizarea pe modul automat i din poteniometrul "Y position" ncercai s aducei trasa pe ecran. Stabilii
linia de zero la mijlocul ecranului i verificai funcionarea canalului Y, atingnd cu degetul firul central al
sondei (firul cald, n jargon). Pe ecran va trebui s apar o form de und aproximativ sinusoidal cu
frecvena de 50 Hz.

Ai devenit, astfel, cel mai ieftin generator de semnal, generator cu care putei verifica osciloscopul
(inclusiv continuitatea firului cald). Explicaia st n faptul c, fiind conductor mpreun cu corpul
dumneavoastr formeaz armtura unui condensator, cealalt armtur fiind firul de "faz" al reelei; dei
capacitatea acestuia este mic (cel mult civa pF), curentul (220 V reactanta
ef
) este suficient pentru a
produce deflexia spotului, deoarece rezistena de intrare a amplificatorului Y este foarte mare. Acelai lucru
se ntmpl i dac atingei intrarea unui voltmetru electronic; numai c atunci, n loc s vedei o sinusoid
care va aduce aminte de cauza ei, vei vedea nite numere care pot s v provoace confuzie. Din acest
motiv, firul cald este ecranat n interiorul sondei iar captul su neecranat este foarte scurt.

Conectai intrarea Y la bornele A i B i gsii poziiile optime ale comutatoarelor de sensibilitate i
baz de timp, astfel nct s avei pe ecran imaginea a 2-3 perioade. Dac nu reuii, nu dezarmai imediat,
~
Retea
220 V , 50 Hz
0
Transformator
ef
A
B
Generator
de semnal
C
D
0

Fig. 1.44.


osciloscopul este un aparat complex i obinuina de a lucra cu el se capt n timp. n cazul n care impasul se
prelungete, cerei ajutorul profesorului i ncercai s reinei modul n care procedeaz el.
Dup ce ai obinut o imagine stabil, ncercai s msurai valoarea vrf la vrf; asigurai-v, mai nti,
c poteniometrul este pe poziia "calibrat". Notai-v valoarea msurat, n uniti V
vv
. De aici calculai
valoarea de vrf (amplitudinea) i, apoi, prin mprire la 2 , valoarea efectiv. Comparai-o cu valoarea
obinut cu ajutorul voltmetrelor.
Vom pune voltmetrele, n ceea ce urmeaz, la o ncercare mai dur, ncercnd s msurm o tensiune
care este periodic dar nu este sinusoidal. Aceasta este una aproximativ dreptunghiular, de medie nul; este
produs de un generator de semnal care este construit pe planet i alimentat din secundarul
transformatorului. Tensiunea furnizat de acesta este disponibil ntre bornele C i D. Mai nti vizualizai-o
cu osciloscopul i desenai-v pe caiet forma ei (o idee bun este s facei mai nti un caroiaj similar cu acela
al ecranului). Apoi msurai valoarea vrf la vrf, valoarea vrfului negativ i valoarea vrfului pozitiv
(verificai n prealabil poziia liniei de zero). Din forma ei i valorile msurate, calculai valoarea efectiv ca
radical din media ptratului. Cum forma este una dreptunghiular, media se face uor.
Acum s "msurm" aceeai tensiune (repetm, de medie zero, deci fr component continu) cu
voltmetrul clasic, pe poziia AC (curent alternativ). Este valoarea pe care o afieaz voltmetrul clasic
tensiunea efectiv, aa cum se ntmpla n cazul tensiunii sinusoidale ? Sau poate este valoarea vrfului pozitiv
? Sau a vrfului negativ ? Sau a valorii vrf la vrf ?
Dezamgii de voltmetrul clasic, ne punem speranele n cel electronic. Este indicaia lui egal cu a celui
clasic ? Este indicaia lui egal cu tensiunea efectiv, valoarea vrfului pozitiv, a vrfului negativ sau a valorii
vrf la vrf ? Formulai o concluzie, notai-o pe caiet i discutai-o cu profesorul. S-ar putea ca el s v
lmureasc cum au ajuns voltmetrele la valorile pe care le afieaz.

Experimentul 4. Adunarea unei tensiuni periodice cu o tensiune continu

Rezolvnd problema P 1.10, ai aflat cum putem aduna peste un nivel de tensiune continu o tensiune
alternativ sinusoidal. Acelai principiu l putem aplica pentru o tensiune variabil nesinusoidal dac
variaz suficient de rapid (chiar i cea mai mic frecven din spectrul su trebuie s "vad" condensatorul ca
un scurtcircuit. Pe planet avei realizat o surs de tensiune continu a crei valoare o putei regla de la un
poteniometru. Tensiunea produs de ea este adunat cu tensiunea periodic dreptunghiular pe care tocmai ai
studiat-o, ca n Fig. 1.45: sursa de tensiune continu este legat prin rezistena R iar sursa de tensiune
variabil prin condensatorul C. Mai apare n plus rezistena R
s
care reprezint "consumatorul" sau sarcina
(load n limba englez), care beneficiaz de suma celor dou tensiuni.

Sursa de
tensiune continua
0
Generator de
semnal
dreptunghiular
R
C
R
s
(sarcina)

Fig. 1.45.
Verificai dac intrarea Y a osciloscopului este cuplat n curent continuu (DC) i vizualizai, pe rnd,
tensiunile celor dou surse, desenndu-v pe caiet formele de und. Conectai apoi sonda la rezistena de

sarcin i verificai c acolo tensiunea este suma tensiunilor celor dou surse. Modificai apoi poziia
poteniometrului sursei de tensiune continu i obsevai ce se ntmpl.
Ce s-ar fi ntmplat dac am fi lsat, din greeal, intrarea Y a osciloscopului cuplat n "curent
alternativ" (AC) ? Trecei comutatorul pe aceast poziie i observai modificarea formei de und la
modificarea valorii sursei de tensiune continu. Formulai, n scris, o concluzie.


Pagin distractiv

Dei n cteva cri excelente traduse n limba romn
2,3
generatorul electric este prezentat ntr-o
manier corect i foarte intuitiv, n majoritatea manualelor de liceu sau universitare aprute la noi elementul
central n descrierea funcionrii acestui dispozitiv continu s fie "cmpul imprimat (de acceleraie, galvanic,
termoelectric, fotovoltaic)"
4
. Am putea s ne ntrebm cam ce este cmpul imprimat fotovoltaic, dar nu o
facem. Dei cmpul imprimat este un concept corect pentru anumite tipuri de generatoare, utilizarea sa fr
discernmnt poate conduce la confuzii, mai ales cnd se introduce "tensiunea electromotoare", deoarece acest
cmp nu deriv dintr-un potenial (nu este conservativ). Din acest motiv, "tensiunea electromotoare" nu este
o tensiune ntre dou puncte (o diferen de potenial) ci depinde de drumul particular parcurs.
Aceast formalizare excesiv poate amei chiar autori cu pretenii, care n efortul lor de a ne explica
cum funcioneaz un generator electric, scriu lucruri absolut nzdrvane, ca n "Compediu de Fizic", Ed.
tiinific i Enciclopedic, 1988. Astfel, putem citi acolo c "... pe circuitul volum cu sarcini-conductor
exterior se stabilete un curent electric continuu....Pentru a-l menine avem nevoie, n primul rnd, de un
rezervor de sarcin, iar n al doilea rnd, de un cmp electric aplicat din exterior." De ce fel de cmp electric
aplicat din exterior (adic de unul care s aib nenul integrala de drum pe conturul nchis al circuitului) nu ni
se spune. Ni se ofer, ns, desenul edificator prezentat mai jos. Cmpul exterior (imprimat) este produs cu
un condensator ncrcat ! Toi ar trebui s tim c un asemenea cmp este conservativ.

Un aa generator ne-am dori fiecare. Din pcate exist un mic impediment: legea conservrii energiei.

2
Edward M. Purcell, "Electricitate i magnetism, Cursul de fizic Berkeley, vol. II", Ed. Didactic i Pedagogic,
Bucureti, 1982.
3
F.W. Sears, M.W. Zemansky, H.D. Young, "Fizic", Ed. Didactic i Pedagogic, 1983.
4
Fizic, Manual pentru clasa a X-a, Ed. Niculescu, 2000, Aprobat de Ministerul Educaiei Naionale.
CAPITOLUL

Surse de tensiune i surse de curent

+
_
E
Th
R
Th
I
N
E
Th
R
Th
= =I
sc
R
Th
= R
N
I
+
-
U
U = E
Th
-
I R
Th
I
N
R
N
I
+
-
U
I =I
N
-
U R
N
Thvenin Norton

A. Surse de tensiune 38
B. Reprezentarea Thvenin 41
C. Sursa ideal de curent; reprezentarea Norton 42
D. Rezistena echivalent 45
E. Divizorul rezistiv 46
Problem rezolvat 50, probleme propuse 52

A. Surse de tensiune

Un generator de energie electric determin existena unui curent electric staionar pentru c menine la
bornele sale o diferen de potenial, n interiorul su curentul fiind "forat" s treac de la potenial cobort la
potenial ridicat, aa cum se vede n desenul din Fig. 2.1. Ce se ntmpl ns cu tensiunea de la bornele sale
dac se schimb intensitatea curentului prin circuit datorit modificrii circuitului extern ?

I
A
B
5 V
generator
electric
+
-
GND
3 V
C D E
F
GND
1 V
2 V
3 V
4 V
5 V
0 V
B
C
D
E
F
A
0 V

Fig. 2.1. Evoluia potenialului de-a lungul unui circuit electric.

Generatoarele reale se comport n moduri diferite, dup structura lor intern, principiul de funcionare
i condiiile externe n care opereaz. La unele dintre ele, modificarea tensiunii la borne este neglijabil pentru
variaii mari ale curentului furnizat. Aceasta a condus la introducerea unui element de circuit (model ideal),
numit surs ideal de tensiune:

tensiunea la bornele unei surse ideale de tensiune este independent de curentul care o strbate

(adic de circuitul extern). n particular, dac se face un scurtcircuit (rezisten nul) la bornele sale, curentul
debitat devine infinit.

Cap. 2. Surse de tensiune i surse de curent 39

Pentru sursa ideal de tensiune se utilizeaz simbolurile din
Fig. 2.2; n lucrrile de teoria modern a circuitelor i majoritatea
manualelor i articolelor contemporane se folosete simbolul din
desenul a). Un alt simbol des utilizat este cel din desenul b), care
amintete de o baterie de elemente galvanice. Simbolul din desenul
c) este cel recomandat de standardul european DIN dar este
extrem de rar utilizat. De cele mai multe ori, pentru simplitate, n
schemele electronice se obinuiete s nu se mai deseneze sursele
de alimentare, aa cum sunt ele legate, cu o born la mas, ci se
deseneaz simbolul din Fig. 2.2 d) la nodurile unde sunt legate aceste surse, artndu-se astfel c potenialul
acestora este meninut constant la valoarea +V (fa de mas); frecvent, nici cerculeul nu se mai deseneaz,
scriindu-se doar potenialul la care este meninut nodul respectiv. Noi vom utiliza sistematic simbolurile din
desenele a) i d).

Faptul c tensiunea la bornele sursei de alimentare nu depinde de intensitatea curentului este o
proprietate esenial n aplicaiile practice. O treime din apartamentele unui cartier sunt alimentate de la
aceeai surs; imaginai-v ce s-ar ntmpla dac tensiunea de la priz ar scdea chiar i numai cu o zecime
de volt pentru o variaie de 1 A a curentului total (fiecare apartament poate contribui la aceasta variaie cu
cantitate ntre zero i cteva zeci de amperi).

Dei conceptul de surs ideal de tensiune a aprut la nceput pentru modelarea generatoarelor
galvanice, nu trebuie s numii tensiunea de la bornele sale tensiune electromotoare. Sursa ideal de
tensiune este un concept mult mai general i este utilizat, de exemplu, pentru modelarea unei diode
semiconductoare n zona de strpungere invers unde, orict ne-am strdui, nu putem gsi nici urm de
tensiune electromotoare sau contraelectromotoare. Nici mcar la sursele de alimentare profesionale, care
se apropie foarte mult de sursa ideal de tensiune, nu putei vorbi de valoarea tensiunii electromotoare de
la borne, factura de la compania de electricitate va arta cu totul altceva.

Sursa ideal de tensiune controleaz numai tensiunea la bornele sale, curentul este determinat de
restul circuitului i poate avea oricare dintre cele dou sensuri posibile. Sursa ideal de tensiune poate
funciona, astfel, att ca generator de energie electric ct i ca un consumator de energie electric. Faptul
c o numim n continuare surs nu trebuie s v mire, trebuie s aib i ea un nume, aa cum ascensorului
i spunei ascensor i cnd cobori cu el.

Electronica modern poate realiza aparate numite surse de alimentare (power supply n limba englez)
a cror tensiune la borne s sufere variaii fracionare infime (10
-5
este o valoarea obinuit), apropiindu-se
astfel de aceea a sursei ideale de tensiune. Aceast comportare este, ns, ntodeauna limitat la un anumit
domeniu de intensiti. Exist, astfel, un curent
maxim admis, dincolo de care sursa de alimentare
nceteaz s mai pstreze constant tensiunea, fie
limitnd curentul, fie ntrerupndu-l, pentru a se
proteja. n Fig. 2.3 putei vedea comportarea unei
astfel de surse de alimentare, desenat cu linie
groas, n comparaie cu cea a unei surse ideale,
trasat cu linie subire.

+
E
E
+
_
a) b)
+V
d) c)

Fig. 2.2. Simboluri pentru sursa ideal de
tensiune.
I
U
0
0
+
_
U
I
+
_ E
E
max
I
sursa ideala

Fig. 2.3. Caracteristica tensiune-curent a unui
alimentator electronic.

Un alt aspect important la o surs de alimentare este comportarea la schimbarea sensului curentului,
atunci cnd se leag n circuitul extern o alt surs cu tensiunea mai mare, n opoziie cu ea. De exemplu, n
aceast situaie, sursele de alimentare electronice, dac nu se distrug, nceteaz s se mai comporte ca surse
ideale, cel mai adesea nepermind trecerea curentului.
Comportarea multor surse de alimentare reale nu se apropie de aceea a sursei ideale de tensiune i,
adesea, acest lucru nici nu este necesar. Tensiunea la bornele lor are o valoare maxim atunci cnd sunt operate
n gol (curent nul) i dar valoarea tensiunii scade la creterea curentului. De cele mai multe ori, aceast
dependen este liniar (de gradul nti)

U U R I
gol int
=
(2.1)

unde constanta R
int
trebuie s aib dimensiune de rezisten electric. Relaia precedent, reprezentat grafic
n Fig. 2.4 a), permite modelarea unei astfel de surse liniare cu o surs ideal de tensiune n serie cu un
rezistor a crui valoare se spune c este rezistena intern a sursei (Fig. 2.4 b). Acest rezistor nu exist fizic
n interiorul sursei, el doar modeleaz scderea tensiunii la borne care poate avea i alte cauze dect rezistena
electric a circuitului intern.

max
I I
U
0
0
sursa ideala
sc
I
U
gol
scaderea
la
lui
s
R
a)
I
+
_
U
+
_
R
int
b)
U
gol s
R
panta graficului este-R
int

Fig. 2.4. Caracteristica tensiune-curent a unui generator cu comportare liniar.

Schema din desenul b) modeleaz numai dependena U I ( ) i, corespunztor, schimbul de energie
ntre generator i restul circuitului; ea nu spune nimic despre bilanul energetic intern al generatorului, adic
despre energia neelectric ce este convertit n energie electric; tensiunea U
gol
nu trebuie privit ca o
tensiune electromotoare care ar rmne constant, pentru c scderea tensiunii la borne din desenul a) poate
fi produs inclusiv de scderea tensiunii electromotoare la creterea curentului.
S-ar putea obiecta c la regimul de gol tensiunea electromotoare chiar este egal cu U
gol
, dar acest lucru este
complet neinteresant deoarece nu am cumprat sursa de alimentare ca s o inem n dulap n regim de gol i s
putem spune fericii "acum suntem siguri c tensiunea electromotoare este 4.5 V".
Valoarea rezistenei interne se poate determina din valoarea curentului de scurtcircuit (la U = 0)

I
U
R
sc
gol
int
=
, (2.2)


dar n practic acest curent este rareori msurabil direct, deoarece sursele reale nceteaz s se comporte
liniar la valori mari ale curentului.
Strict vorbind, nici un circuit electronic nu se comport, nici mcar pe un domeniu limitat de curent,
exact ca o surs ideal de tensiune, prezentnd o anumit
rezisten intern nenul. Dac aceasta este foarte mic,
pentru dispoztivul real se utilizeaz denumirea de surs de
tensiune. De multe ori, acolo unde nu exist pericol de
confuzie, vom numi, pentru simplificarea exprimrii, chiar i
sursa ideal de tensiune, surs de tensiune.
Nu trebuie s rmnem cu impresia c toate sursele de
alimentare sunt liniare. n Fig. 2.5 este reprezentat
dependena tensiunii pentru un generator fotoelectric
(fotocelul sau fotodiod). Dei putem vorbi despre tensiune n
gol i curent de scurtcircuit, dependena nu este liniar i
dispozitivul nu poate fi modelat cu o rezisten intern, ca n
paragrafele precedente.

B. Reprezentarea Thvenin

n scrierea relaiei (2.1) nu a intervenit n nici un fel faptul c circuitul pe care l descrie era o surs de
alimentare. Singura condiie impus a fost ca circuitul s se comporte liniar: aceasta nseamn c
reprezentarea printr-o surs ideal de tensiune n serie cu un rezistor este valabil pentru orice circuit liniar
accesibil la dou borne (Fig. 2.6), rezultat ce este cunoscut ca teorema Thvenin.

+
_
+
_
+
_
+
_ +
_
E
Th
R
Th
a) b)

Fig. 2.6. Reprezentarea Thvenin a unui circuit liniar, accesibil la dou borne.

Formulat mai nti n 1853 de ctre Hermann von Helmholtz ntr-un articol despre "electricitatea
animal" , teorema a fost redesoperit 30 de ani mai trziu, n 1893, de ctre inginerul francez Leon
Charles Thvenin care lucra n domeniul telegrafiei. Demonstraia simpl dat de Thvenin i utilizatea ei
de ctre acesta n descrierea circuitelor complicate pe care ncepea s le utilizeze telegraful electric a fcut
ca teorema s poarte numelui lui.

Utilitatea teoremei este dat de faptul c un circuit, orict de complex, alctuit numai din elemente
liniare, este la rndul su liniar, deci poate fi echivalat cu o surs ideal de tensiune i un rezistor.
ntr-adevr, orict am complica circuitul din Fig. 2.6 a), prin adugarea de surse ideale de tensiune i
rezistoare, el nu poate face n exteriorul su dect ceea ce face circuitul su echivalent din desenul b) al
0 2 4 6 8
0.00
0.05
0.10
0.15
0.20
I
U (V)
(mA)

Fig. 2.5. Caracteristica tensiune-curent a
unui fotoelement.

aceleiai figuri; orice efort de modificare a circuitului nu produce dect schimbarea celor dou mrimi fizice
care i descriu funcionarea, tensiunea i rezistena Thvenin.
Conform celor spuse anterior, tensiunea Thvenin E
Th
este chiar tensiunea n gol iar curentul de
scurtcircuit ntre borne este E R
Th Th
. Vom vedea mai trziu cum se determin n practic rezistena
Thvenin. Acum s ne ntrebm de ce este util s cunoatem aceast rezisten. Rspunsul este simplu: pentru
c circuitul nu este operat niciodat n regim de gol, ci prin conectarea unei rezistene de sarcin, a crei
valoare se poate modifica n timpul funcionrii. n acest caz, tensiunea la borne nu va fi tensiunea E
Th
(de
mers n gol) ci

U E
R
R R
Th
s
s Th
=
+
. (2.3)

Dac, de exemplu, rezistena de sarcin este egal chiar cu rezistena Thvenin, vom obinem la borne numai
jumtate din tensiunea msurat n gol iar, la variaia sarcinii, variaia relativ a tensiunii pe sarcin va fi
dU
U
dR
R
s
s
~ . n cazul n care rezistena de sarcin va fi de zece ori mai mare dect rezistena Thvenin,
tensiunea la borne va fi aproximativ egal cu tensiunea n gol (de fapt 1 1 1 0 91 . . ~ din aceasta). La variaia
rezistenei de sarcin, variaia relativ a tensiunii la borne va fi acum
dU
U
dR
R
s
s
~
1
10
, de zece ori mai mic
dect nainte.

C. Sursa ideal de curent; reprezentarea Norton

Exist, ns, anumite circuite pentru care echivalarea Thvenin, dei posibil, este incomod. De
exemplu, pentru circuitul cu tranzistor din Fig. 2.7 a), dependena tensiunii pe rezistena de sarcin arat ca n
desenul b) al figurii. Circuitul se comport liniar n condiii apropiate de scurtcircuit (regiunea din
caracteristic ncadrat n dreptunghiul haurat) dar nceteaz s fac asta cnd tensiunea la bornele sale crete
(prin creterea rezistenei din circuitul extern). Tensiunea echivalent Thvenin, obinut prin extrapolarea
dependenei liniare, are o valoare de sute de voli, pe cnd comportarea liniar nceteaz deja la 10 V. Astfel,
pentru utilizatorul circuitului, tensiunea Thvenin i pierde semnificaia de tensiune care se msoar n gol.

0 2 4 6 8 10
0
2
4
6
8
10
12
14
U
I
(V)
(mA)
I
V
alim
+
-
U
sarcina
a) b)

Fig. 2.7. Caracteristica tensiune-curent a sursei de curent cu tranzistor.


Din acest motiv, n regiunea specificat a caracteristicii, se utilizeaz o echivalare dual a celei
Thvenin, justificat de teorema Norton. Ea a aprut n anul 1926, ntr-un raport tehnic intern al inginerului
Edward Lawry Norton de la Bell Laboratory i, aproape simultan, ntr-un articol al fizicianului german Hans
Ferdinand Mayer de la firma Siemens. Teorema se bazeaz pe un alt element ideal de circuit, sursa ideal de
curent:

sursa ideal de curent debiteaz un curent cu intensitatea independent de tensiunea la bornele sale

adic de circuitul extern conectat la bornele sale.

Sursa ideal de curent nu este un concept aa de straniu cum pare multor ncropitori de capitole sau
manuale de electricitate de pe la noi, autori care cred c "orice generator electric este caracterizat de
tensiunea electromotoare i rezistena sa intern". La vitez constant a benzii transportoare i cu un
rezistor conectat ntre poli, binecunoscutul generator Van der Graaf este o surs de curent aproape ideal.

Pentru sursa ideal de curent sunt utilizate simbolurile din
Fig. 2.8. Crile de teoria modern a circuitelor, ca i imensa majoritatea
a lucrrilor contemporane, folosesc simbolul din desenul a). n unele
lucrri mai putei ntlni i simbolul din desenul b) care seamn cu un
transformator. Standardul european DIN recomand simbolul din desenul
c), dar acesta este extrem de rar utilizat. Noi vom folosi sistematic numai
simbolul din desenul a).
Pentru dumneavoastr, care ai fcut liceul n Romnia, simbolul
din Fig. 2.8 a) este o veche cunotin; l-ai ntlnit n manualele de
fizic sub numele de "generator" i avnd scrise lng el tensiunea
electromotoare i rezistena intern. Aceast nzdrvnie se datoreaz
originalitii unor corifei ai colii de ingineri de pe Dmbovia care, n ciuda unor lucrri clasice traduse n
romn i a unor cri excelente ale unor profesori romni
1
, au adoptat acest simbol pentru sursa ideal de
tensiune. Probabil c aceti autori, dup ce i cumpr baterii pentru telecomand, terg cu nverunare
semnele + i - , deseneaz pe ele sgeata i apoi se gndesc la "sensul tensiunii electromotoare" care ar
face telecomanda s funcioneze. }i cum cei civa fizicieni, autori ai capitolelor de electricitate din
manualele preuniversitare, nu au citit dect electronic de Dmbovia, simbolul a ajund repede n colile
generale i licee, odat cu pudoarea care le-a interzis s mai deseneze explicit rezistena intern n serie cu
sursa ideal de tensiune. Astfel, plvrgeala de acolo despre "tensiunea intern" i "tensiunea extern"
ncepe s semene cu literatura absurdului.
Sursa ideal de curent nu controleaz dect intensitatea curentului, tensiunea la bornele sale este
determinat de restul circuitului. Astfel, aceast tensiune poate avea oricare din cele dou polariti, sursa
ideal de curent putnd funciona att ca generator de energie electric ct i ca un consumator de energie
electric.
Dac am fi acceptat s numim tensiune electromotoare tensiunea de la bornele sursei ideale de
tensiune, ar fi fost acum natural s vorbim despre curentul electromotor al sursei ideale de curent ?

1
De exemplu Gh. Cartianu, M. Svescu, I. Constantin, D. Statomir, "Semnale, circuite i sisteme", Ed.
Didactic i Pedagogic, Bucureti, 1980.
I
0
I
0
I
0
a) b) c)

Fig. 2.8. Simboluri acceptate
pentru sursa ideal de curent


+
_
E
Th
R
Th
I
N
R
N
I
N
E
Th
R
Th
= =I
sc
R
Th
=R
N
I
+
-
U
I
+
-
U
+
-
I R
Th
U = E
Th
-
I R
Th
U R
N
I =I
N
-
U R
N
Thevenin: undeva se pierde o tensiune
proportionala cu intensitatea curentului
Norton: undeva se pierde un curent
proportional cu tensiunea la borne

Fig. 2.9. Reprezentrile Thvenin i Norton.

Teorema Norton afirm c orice circuit liniar accesibil la dou borne este echivalent cu o surs ideal de
curent I
N
n paralel cu o rezisten R
N
, aa cum se poate vedea n Fig. 2.9. Trecerea ntre reprezentarea
Thvenin i reprezentarea Norton este extrem de simpl : valoarea rezistenei interne este aceeai (difer numai
modul de conectare, serie sau paralel) iar sursa ideal de curent are o valoare egal cu aceea a curentului de
scurtcircuit.
Pentru circuitele practice, reprezentarea Thvenin trebuie preferat atunci cnd rezistena intern este
mic n comparaie cu cea extern, cnd funcionarea liniar se pstreaz i la regimul de gol; n aceast
situaie tensiunile prezente n circuitul extern au valori de ordinul de mrime al tensiunii Thvenin. (mai mici
dect aceasta) Reprezentarea Norton e de preferat atunci cnd rezistena intern este mare n comparaie cu
cea extern sau atunci cnd funcionarea liniar se pstreaz la scurtcircuit dar nceteaz la tensiuni mai mari;
n acest caz curenii din circuitul extern sunt de ordinul de mrime al curentulului Norton (de scurtcircuit).
n calcule ns, unde criteriul suprem este comoditatea, pentru circuitele care se vor lega n serie trebuie
preferat echivalarea Thvenin (pentru c se adun pur i simplu tensiunile i rezistenele echivalente) iar
pentru circuitele care se leag n paralel e de preferat reprezentarea Norton, pentru c, din nou, nu avem dect
de adunat curenii Norton i conductanele echivalente. Trecerea repetat ntre cele dou tipuri de
reprezentri, combinat cu echivalri serie i paralel, poate s rezolve simplu probleme care, altfel, conduc la
sisteme cu un numr mare de ecuaii.
Anumite dispozitive reale se pot apropia foarte mult de comportarea unei surse ideale de curent; atunci
cnd rezistena lor intern este foarte mare ele sunt numite, simplu, surse de curent. Pentru simplitate, atunci
cnd nu exist pericol de confuzie, i sursele ideale de curent vor fi numite tot surse de curent.
Spuneam mai nainte c sursa ideal de tensiune i sursa ideal de curent sunt concepte mult mai
generale dect dispozitivele fizice care le-au inspirat apariia. n primul rnd, nu este de loc necesar ca valorile
lor s fie constante n timp, ele trebuie s fie doar independente de circuitul extern. Cu alte cuvinte, o surs de
tensiune va debita sau absorbi la un moment dat atta curent ct este necesar pentru a stabili la bornele sale
exact valoarea de tensiune pe care a fost "programat" s o realizeze la acel moment. De exemplu, priza reelei
de alimentare cu energie electric, la care a fost conectat o inductan L va debita sau va absorbi curent
astfel nct tensiunea la borne s-i pstreze dependena U t = 311 2 V 20 ms sin( ) pe care ar fi avut-o i
n absena inductanei. }tii c, spre deosebire de un banal rezistor, inductana va cere un curent defazat cu 90
0

n urma tensiunii.
Mai mult, valorile surselor ideale de tensiune sau curent pot nceta s mai fie independente de restul
circuitului; ajungem, astfel, la sursele comandate (sau controlate), care se mpart n patru categorii:


a) surse ideale de tensiune comandate de o tensiune electric ntre dou puncte oarecare ale circuitului
(VCVS - Voltage Controlled Voltage Source n limba englez);
a) surse ideale de tensiune comandate de intensitatea unui curent electric din circuit (ICVS - Intensity
Controlled Voltage Source n limba englez);
a) surse ideale de curent comandate de o tensiune electric ntre dou puncte oarecare ale circuitului
(VCIS);
a) surse ideale de tensiune comandate de intensitatea unui curent electric din circuit (ICIS).
Dei lucrrile pretenioase utilizeaz pentru sursele controlate alte simboluri dect pentru cele
independente, noi vom proceda ca n multe lucrri (la fel de serioase ca primele), folosind aceleai simboluri
pentru sursele constante, cu variaie independent sau surse controlate. Textul va elimina orice posibilitate de
confuzie.

D. Rezistena echivalent

Am vzut c un circuit liniar accesibil la dou borne poate fi echivalat att cu un circuit serie Thvenin
ct i cu unul paralel Norton. n ambele reprezentri, valoarea rezistenei utilizate pentru modelare este
aceeai; din acest motiv nu o vom mai numi rezisten Thvenin sau Norton ci, pur i simplu rezistena
echivalent.
Cum se poate determina aceasta pentru un circuit real sau unul pentru care avem schema ? Prima soluie
este legat direct de dependena tensiunii la borne de intensitatea curentului (Fig. 2.4). Dac avem un circuit
real, modificm valoarea rezistenei de sarcin, trasm experimental graficul U f I = ( ), identificm regiunea
de funcionare liniar i calculm acolo panta graficului

R U I
echiv
= A A
. (2.4)

Dac avem schema unui circuit, lsm rezistena de sarcin ca variabil i calculm teoretic (analiza
circuitului) dependena tensiunii la borne n funcie de intensitate U f I = ( ): va trebui s obinem o
dependen liniar de tipul U U R I
gol echiv
= . Aceast procedur este destul de laborioas i, din acest
motiv, vom cuta altele mai simple.
O a doua variant este utilizarea relaiei R U I
echiv gol sc
= , tensiunea n gol i curentul de scurtcircuit
putnd fi calculate teoretic. Sunt dou calcule, spre deosebire de unul singur implicat de gsirea relaiei
U f I = ( ), dar acestea sunt efectuate n regimuri particulare i analiza este mai simpl. Aceeai relaie
R U I
echiv gol sc
= poate fi utilizat pentru un circuit real, dac acesta se comport liniar pe toat
regiunea de la regimul de gol la cel de scurtcircuit; determinarea experimental a tensiunii n gol i a
curentului de scurtcircuit sunt operaii simple i rapide.
Pentru a descoperi ultima variant, s ne ntrebm cum msoar un ohmetru valoarea unei rezistene. El
are o surs de alimentare proprie i stabilete prin rezistena care trebuie msurat un regim de curent
continuu; determin apoi valorile tensiunii pe rezisten i a curentului i face raportul R U I = . S privim
acum la cele dou circuite echivalente, Thvenin i Norton. Am putea s utilizm aceeai metod, legnd un
ohmetru la borne ? Evident c nu, deoarece ele sunt active, n afara curentului produs de ohmetru ar circula i
curenii produi de sursa Thvenin sau sursa Norton. Dar dac aceste surse ar avea cte un buton de un am
putea regla E
Th
= 0 i I
N
= 0 ? Ne putem da seama imediat c acum metoda funcioneaz. Ceea ce am fcut
noi se numete pasivizarea surselor (Fig . 2.10): sursa ideal de tensiune are tensiune nul la borne, deci
poate fi nlocuit cu un scurtcircuit (conductor fr rezisten) iar sursa ideal de curent are curentul nul, deci

poate fi nlturat pur i simplu. Pentru schemele circuitelor, pasivizarea surselor conduce adesea la grupri
serie i paralel de rezistene, astfel nct o simpl privire conduce la expresia rezistenei echivalente; n
exemplul din Fig. 2.10 aceasta este R
4
n paralel cu ( ) R R R
1 2 3
+ + . n jargonul electronitilor se spune c la
aceste borne se "vede" rezistena R
echiv
, cu semnificaia c, dup pasivizare, ohmetrul chiar msoar aceast
rezisten ntre bornele respective. Simbolul utilizat pentru a arta bornele ntre care se vede aceast rezisten
echivalent este prezentat n desenul c) al figurii.

+
_
+
_
+
_
R
1
R
2
R
3
R
4
R
1
R
2
R
3
R
4
R
1
R
2
R
3
R
4
a)
b)
c)
R
echiv

Fig. 2.10. Pasivizarea surselor pentru calculul rezistenei echivalente.

E. Divizorul rezistiv

Un circuit electronic este alimentat, de regul, de la una sau dou surse de alimentare cu tensiune
continu, cel mai adesea de la una singur. Diferitele componente au ns nevoie de tensiuni de valori diferite i
este total neeconomic s utilizm cte o surs de alimentare pentru fiecare. Divizorul rezistiv ne permite
realizarea, pornind de la o susr de alimentare cu tensiunea V
alim
, a unei surse echivalente, cu orice tensiune
Thvenin dorim, ntre zero i V
alim
. Vom vedea ns c noua surs nu mai este una ideal de tensiune;
putem, ns, micora rezistena ei echivalent pltind un anumit pre: trecerea unui curent de intensitate mare
prin rezistenele divizorului.
Divizorul rezistiv din Fig. 2.11 a), conectat la sursa de alimentare, poate fi echivalat Thvenin ntre
bornele sale de acces masa i nodul A, ca n desenul b) al figurii. n gol, acelai curent strbate rezistenele i
regula de trei simpl conduce la valoarea tensiunii Thvenin

U V
R
R R
gol alim
=
+
2
1 2
, (2.5)


cu valori ntre zero i tensiunea de alimentare.
Rezistena echivalent se calculeaz uor prin pasivizare, dac nu uitm c, dei nu este desenat explicit,
sursa ideal de tensiune este legat cu un capt la mas (desenul c). Astfel,
rezistena echivalent a divizorului rezistiv este egal cu combinaia paralel a celor dou rezistene

R
R R
R R
echiv
=
+
1 2
1 2
(2.6)

Presupunem c ntr-o aplicaie dorim s obinem o
anumit tensiune n gol U
gol
; atunci, conform ecuaiei
(2.5), ntre cele dou rezistene trebuie s existe relaia
R mR
1 2
= cu m V U
alim gol
= 1 Rezistena echivalent
se obine ca R R
m
m
echiv
=
+
2
1
i, dac dorim micorarea
ei de un numr de N ori pentru a ne apropia de o surs
ideal de tensiune, pstrnd ns valoarea tensiunii
Thvenin, trebuie s micorm ambele rezistene n aceeai
proporie. Din acest motiv, curentul care va circula prin
divizor (n condiii de gol) va fi i el de N ori mai mare.
Aceasta poate constitui un impediment att pentru sursa de
alimentare ct i prin faptul c va trebui s utilizm
rezistoare capabile s disipe o putere mai mare. n practic
se realizeaz, de obicei, urmtorul compromis: rezistena
echivalent a divizorului se ia cel mult egal cu o zecime
din rezistena sarcinii care va fi alimentat. n acest mod,
tensiunea obinut nu difer cu mai mult de o zecime de
tensiunea n gol, ceea ce este un rezultat adesea mulumitor
i divizorul lucreaz practic "nencrcat". Atunci cnd
sarcina nu este rezistiv dar se cunoate curentul pe care l
va absorbi ea cnd va fi alimentat, curentul prin divizor se alege s fie suficient de mare (cel puin de zece ori
mai mare) dect curentul prin sarcin.
a)
R
1
R
2
+ V
alim
A I
+
_
U
R
echiv
b)
A
+
_ Ugol
c)
R
1
R
2
A
R
1 R
2
A
R
echiv

Fig. 2.11. Divizorul rezistiv.



-Tensiunea la bornele unei surse ideale de tensiune este independent de curentul care o strbate.
- Pentru sursa ideal de tensiune se utilizeaz simbolurile
+
+
_
+V
E
E
.
- La un generator electric liniar, tensiunea la borne are dependena

U U R I
gol int
=

- Orice dipol liniar poate fi echivalat (Thvenin) cu o surs ideal de tensiune legat n serie cu o
rezisten; valoarea sursei este egal cu tensiunea n gol iar valoarea rezistenei este legat de curentul de
scurtcircuit prin relaia

R U I
echiv gol sc
= .

-Ssursa ideal de curent debiteaz un curent cu intensitatea independent de tensiunea la bornele
sale.
- Pentru sursa ideal de curent se utilizeaz simbolurile
I
0
I
0
.
- Orice dipol liniar poate fi echivalat (Norton) cu o surs de ideal de curent legat n paralel cu o
rezisten; valoarea sursei este egal cu intensitatea curentului de scurtcircuit iar valoarea rezistenei este
aceeai de la repreentarea Thvenin.
- Dac avem dependena funcional U f I = ( ) de la bornele unui dipol, rezistena echivalent
(aceeai n ambele reprezentri, Thvenin i Norton) se determin din relaia

R U I
echiv
= A A .

-Tensiunea de ieire a unui divizor rezistiv, fr sarcin, se obine cu regula de trei simpl.
- Rezistena echivalent a unui divizor (la bornele de ieire) este egal cu combinaia paralel a
rezistenelor ce alctuiesc divizorul.
- Dac rezistena de sarcin este mult mai mare dect rezistena echivalent a divizorului, atunci
conectarea acesteia nu modific semnificativ tensiunea de ieire a divizorului; el funcioneaz practic
"nencrcat", furniznd aproximativ tensiunea de mers n gol.


Termeni noi

-surs ideal de tensiune dipol a crui tensiune la borne este independent de curent
-surs de tensiune dispozitiv real de circuit a crui funcionare se apropie de aceea a
sursei ideale de tensiune;
-generator liniar generator electric a crui tensiune la borne scade liniar la creterea
curentului;
-surs ideal de curent dipol prin care curentul are o intensitate independent de tensiunea
la borne;
- surs de curent dispozitiv real de circuit a crui funcionare se apropie de aceea a
sursei ideale de curent;
-rezisten echivalent valoarea rezistenei care apare n reprezentrile Thvenin i
Norton ale unui circuit liniar accesibil la dou borne;
-rezisten vzut la dou borne rezistena echivalent a circuitului, considerat accesibil numai la
acele borne;
- divizor rezistiv subcircuit format din dou rezistene i alimentat la o surs de
tensiune; potenialul (fa de mas) al punctului median este
cuprins ntre zero i potenialul alimentarii, fiind dictat de raportul
celor dou rezistene; divizorul rezistiv este utilizat pentru a
produce, pornind de la o surs de alimentare, "surse de tensiune"
cu valori mai mici.

Problem rezolvat

Un circuit electronic este alimentat la tensiunea V
alim
= +12 V. Un anumit dispozitiv, legat cu o born
la mas are nevoie la cealalt born (notat cu A) de un potenial V
A
= 4 V i va absorbi din acel nod un
curent de cel mult 0.1 mA. Proiectai un divizor rezistiv care s realizeze acest lucru. Vom fi mulumii dac
potenialul acelui nod va fi predictibil cu o precizie de 10 %.

Rezolvare
Potenialul la borna A este msurat fa de mas; vom monta i noi divizorul
cu un capt la mas i unul la tensiunea de alimentare, ca n Fig. 2.12. }tim c putem
obine la borna sa de ieire orice valoare ntre zero i V
alim
. l vom proiecta astfel
nct tensiunea sa n gol s aib valoarea cerut de 4 V. Pe rezistena R
1
trebuie s
cad diferena pn la V
alim
V = +12 , adic 8 V; regula de trei simpl ne conduce
la raportul R R
1 2
2 = . Mai rmne s stabilim valorile acestor rezistene. Cum
precizia cerut este de 10 % , vom trimite prin divizorul n gol un curent cel puin de
zece ori mai mare dect valoarea maxim ce se va extrage de la borna sa de ieire,
adic vom trimite cel puin 1 mA. Aceasta nseamn c suma R R
1 2
+ va trebui s
fie mai mic dect 12 V/1 mA=12 kO.
Avem, pentru cele dou rezistene constrngerile

R R
R R R
1 2
1 2 2
2
3 12
=
+ = < kO
(9)

care conduc la R
2
< 4 kO. Rezistoarele oferite de productorii de componente sunt disponibile n anumite
game de toleran, pentru fiecare gam valorile centrale fiind standardizate (vezi Anexa 1). Astfel, pentru
gama de toleran 10 %, avem disponibil seria de valori E12

1.0 1.2 1.5 1.8 2.2 2.7 3.3 3.9 4.7 5.6 6.8 8.2

Dac avem un rezistor pe care scrie 2.2 kO, aceasta nu nseamn c valoarea lui este cunoscut cu
precizie de 0.1 k, fiind undeva ntre 2.1 k i 2.3 k. Putei s v ntrebai, pe bun dreptate, de ce nu se
respect regula cifrelor semnificative. Rspunsul e simplu, pentru c productorul nu ne spune c 2.2 kO este
valoarea msurat a exemplarului pe care l deinem ci c trebuie s ne ateptm la o distribuie ntmpltoare
a valorilor, distribuie centrat pe 2.2 kO i cu lrgimea de 10 %. Rezistorul pe care l avem are cu
siguran valoarea ntre 2.0 kO i 2.4 kO.
Pentru economie, vom proiecta mai nti cu rezistoare n aceast toleran. ncercm s gsim dou
valori care s se apropie ct mai mult de raportul 2 i s ndeplineasc i condiia R
2
< 4 kO. Alegem
R
2
3 = 3 k . O i R
1
= 6.8 kO. S vedem la ce putem s ne ateptm datorit mprtierii valorilor. Expresia
valorii tensiunii n gol este

U V
R
R R
gol alim
=
+
2
1 2

R
1
R
2
+ 12 V
A
+
-
8 V
+
-
4 V

Fig. 2.12.


i are valoarea maxim cnd R
2
atinge limita superioar i, simultan, R
1
atinge limita sa inferioara; astfel,
cea mai mic valoare n gol va fi

U
gol max
=
+
= 12
3 6
6 1 3 6
4 5 V V
.
. .
. ;

Pe de alt parte, tensiunea n gol atinge valoarea minim cnd R
2
atinge limita inferioar i, simultan, R
1

atinge limita sa superioar

U
gol min
=
+
= 12
3 0
7 5 3 0
3 4 V V
.
. .
. .

Ceea ce am fcut acum se numete analiza cazurilor cele mai defavorabile (worst case analysis) i ea
arat c lund rezistoare la ntmplare dintre cele cumprate, obinem valori ale tensiunii n gol mprtiate
ntre 3.4 V i 4.5 V.
Dac nu suntem mulumii cu asta, avem dou posibiliti:
- n cazul n care construim unul sau cteva circuite, putem s sortm, n prealabil, rezistoarele, dac am
avut grij s cumprm mai multe;
-n cazul unei producii de serie va trebui s utilizm rezistoare cu gam de toleran mai strns, de
exemplu 5%, 2% sau 1%; ele vor fi, ns, din ce n ce mai scumpe.
Dac ne-am hotrt pentru gama de 5%, din seria de valori E24, aferent ei, alegem R
2
1 = 1 k . O i
R
1
2 = 2 k . O (pentru a avea un raport de doi); analiza cazurilor cele mai defavorabile conduce acum la

U
gol max
=
+
= 12
116
2 09 116
4 28 V V
.
. .
.

i

U
gol min
=
+
= 12
1 045
2 31 1 045
3 74 V V
.
. .
. .

Ultimul aspect care trebuie luat n consideraie n proiectare este disiparea de putere. Curentul de
12 V 3.3 k = 3. 6 mA O , va disipa pe ntregul divizor o putere de 12 V 3. 6 mA = 43 mW . Putem utiliza,
astfel, chiar rezistoare miniatur care disip cel puin 250 mW.

Probleme propuse

P 2.1. Dei datorit randamentului mic nu sunt utilizate n practic, exist sisteme fizice care pot
transforma energia mecanic direct n energie electric de curent continuu nepulsatoriu. Unul din acestea
(reprezentat n Fig. 2.13) l-ai ntlnit n problemele de
inducie electromagnetic: un disc metalic de raz l este
rotit cu viteza unghiular ntr-un cmp magnetic
omogen i constant n timp de inducie B. Tensiunea
electric este culeas cu dou contacte alunectoare,
unul pe ax iar cellalt la circumferina discului.
Calculnd tensiunea electromotoare produs, obinei
relaia E Bl = =
1
2
2
. Pe de alt parte, dac
circuitul extern este nchis i parcurs de curentul I ,
momentul mecanic de "rezisten" la rotaie este
M Bl I I
em
= =
1
2
2
. Momentul forelor de frecare,
care se opune i el micrii, are expresia M
f
= , cu o constant. Presupunem c fora extern care
nvrte discul are momentul M
0
constant. Calculai:
a) tensiunea electromotoare de mers n gol (numai frecarea limiteaz viteza de rotaie);
b) tensiunea electromotoare produs atunci cnd de la generator se "extrage" curentul de intensitate I ;
c) reprezentai grafic dependena E f I = ( );
d) se comport generatorul n condiiile din problem liniar ?
e) ce semnificaie are aici "rezistena intern a generatorului" ?
f) calculai valoarea acestei rezistene interne dac B = 0 1 . T, l = 0 1 . m.
g) ce ar trebui s facem ca tensiunea electromotoare s rmn constant ?
P 2.2. Un circuit de curent continuu conine numai surse ideale de tensiune, surse ideale de curent i
rezistoare. Una din rezistene este reglabil. Putei argumenta c dependena ntre curentul prin acea rezisten
i tensiunea la bornele ei trebuie s fie obligatoriu o funcie de gradul nti (liniar) ? Gndii-v la ecuaiile ce
trebuie scrise pentru a alctui un sistem care s conduc la valorile tuturor curenilor (legea Ohm, ecuaiile ce
descriu funcionarea surselor, legile lui Kirchhoff).
P 2.3. La bornele unei surse ideale de tensiune se leag un dipol (liniar sau neliniar). Cu ce este
echivalent aceast grupare paralel ? Ce putei spune, ns, despre aceeai situaie n care este implicat un
dispozitiv real, care numai pentru I e( ; ) 0 5A se comport ca o surs ideal de tensiune.
P 2.4. Revenind la problema precedent, ce ar trebui s fie dipolul pentru ca legea lui de funcionare s
conduc la un conflict cu sursa ideal de tensiune ?
P 2.5. n serie cu o surs ideal de curent se leag un dipol. Cu ce este echivalent combinaie serie a
acestor elemente ? Ce se poate ntmpla, ns, n cazul real al unui dipol care se comport ca surs de curent
numai dac tensiunea la bornele sale este cuprins ntr-un anumit interval ?
P 2.6. Ce fel de dipol este interzis s legm n serie cu o surs ideal de curent ?
P 2.7. Carcateristica static a unei fotodiode, n condiii constante de iluminare, arat ca n Fig. 2.14,
unde sunt date i sensurile de referin pentru curent i tensiune, utilizate la desenarea caracteristicii.
a) Identificai poriunea de caracteristic unde fotodioda poate fi modelat (aproximativ) cu o surs
ideal de tensiune. Stabilii valorile curentului pentru care acest model este corect i desenai alturat fotodioda
i modelul ei echivalent.
rezistenta
de sarcina
cimp
omogen
B
e
I
+
-
magnetic
l

Fig. 2.13.


b) Identificai poriunea de
caracteristic unde fotodioda poate fi
modelat cu o surs ideal de curent.
Stabilii valorile tensiunii pentru care
acest model este corect i desenai
alturat fotodioda i modelul ei
echivalent.
c) Pe poriunea unde fotodioda
se comport ca o surs ideal de
curent, intensitatea curentului este
proporional cu iluminarea i, pe
aceast regiune a carateristicii, ea
este utilizat ca traductor.
Osciloscopul, cu care vrem s vizualizm evoluia intensitii luminii, este, ns, un voltmetru. Desenai un
circuit (coninnd o surs de tensiune, fotodioda i un rezistor) n care o tensiune electric s fie proporional
cu intensitatea luminii. n foaia de catalog a fotodiodei este specificat o sensibilitate de 100

A
W m
2
.
Stabilii valoarea rezistenei pentru ca osciloscopul s msoare o tensiune de 1 V dac fotodioda este supus
unei iluminri de 5 W m
2
..
P 2.8. Fabricanii de componente semiconductoare ofer nite dispozitive cu dou borne, numite diode
stabilizatoare de curent (current-regulator diodes) care nu sunt altceva dect nite tranzistoare JFET (vom
vedea mai trziu ce sunt acestea) cu dou dintre cele trei terminale scurtcircuitate ntre ele. Cu o tensiune
aplicat avnd polaritatea din Fig. 2.15 a) i valoarea ntre 2 V i 100 V, ele se comport ca nite surse de
curent. Totui, funcionarea lor nu este identic cu a unor surse ideale, pentru echivalarea lor Norton fiind
nevoie i de o rezisten de ordinul a 1 MO. Dac un astfel de dispozitiv, cu o intensitate nominal de 1 mA,
este legat ntr-un circuit ca n Fig. 2.15 b), iar sarcina i modific n timp caracteristica astfel nct tensiunea
pe stabilizatorul de curent nu variaz cu mai mult de 10 V, calculai cu ce precizie relativ rmne constant
curentul prin sarcin.

S
D
G
+
-
2
100 V
R
a)
sarcina
+ V
alim
b)
1 mA
1N5297
1 mA
1 mA 1 MO
1 MO

Fig. 2.15.

+
_
U
a)
I
lumina
I
U
0
b)
intuneric
cresterea
intensitatii
luminii
1
-1 0 1 (V)
(mA)
2
-1

Fig. 2.14

P 2.9. Pentru msurarea temperaturii se poate utiliza, ca senzor, circuitul integrat AD590. El este un
dispoztiv cu dou borne, care funcioneaz ca o surs de curent, intensitatea (n A) fiind numeric egal cu
temperatura msurat n K (sensibiltatea sa este de 1A/K). Pentru a se comporta ca surs de curent,
tensiunea la bornele sale trebuie s fie cuprins ntre 4 i 30 V. Precizia lui de conversie temperatur-curent
este, pe domeniul (-55
o
C; +150
o
C), mai bun de un grad. Cum informaia care se poate prelucra comod este
tensiunea, proiectai un circuit care s produc o tensiune proporional cu temperatura (n K), cu o
sensibiltate de 10 mV/K. Utilizai, pentru aceasta, un circuit integrat AD590, o surs de tensiune i un rezistor.
Care ar trebui s fie tolerana rezistorului astfel nct s nu deterioreze precizia de 1 grad a senzorului ? Ce
soluie practic propunei, avnd n vedere valoarea necesar a acestei tolerane ?
P 2.10. Utilizai legea curenilor i legea lui
Ohm i calculai, pentru circuitul din Fig. 2.16,
dependena curentului I n funcie de tensiunea
U, atunci cnd rezistena R este modificat.
Indicaie: dac pe o poriune neramificat
schimbai ordinea componentelor, potenialelor
nodurilor i curenii din circuit nu si modific
valoarea; folosii acest truc pentru a avea sursele
de tensiune cu o born la mas.
P 2.11. Construii o reprezentare Thvenin
pentru poriunea de circuit ncadrat ntr-un
dreptunghi, din exemplul de la problema precdent
(desenai schema echivalent i trecei valorile
componentelor).
P 2.12. Pentru aceeai poriune de circuit,
construii o reprezentare Norton (desenai schema
echivalent i trecei valorile componentelor).
P 2.13. Aa cum v ateptai, n cele dou reprezentri rezistena echivalent este aceeai. ncercai s
gsii valoarea ei pe o cale mai direct: pasivizai sursele de tensiune i de curent i privii circuitul dinspre
cele dou borne de acces.
P 2.14. Un aparat electronic are o singur surs de alimentare, de 15 V, legat cu borna - la mas. Un
anumit nod al circuitului trebuie adus la potenialul de 5 V, cu precizie +/- 10 %. Se estimeaz c acel nod va
absorbi de la "sursa" care l va alimenta un curent ntre zero i 0.2 mA. Proiectai un divizor rezistiv care s
rezolve aceast problem.
P 2.15. La cuplarea unei rezistene de sarcin de valoare R
s
la bornele unui circuit liniar, tensiunea la
borne (egal iniial cu cea n gol) a sczut la jumtate. Ct este rezistena echivalent (de ieire) a acelui circuit
?
P 2.16. Utiliznd rezultatul problemei precedente, propunei o metod pentru msurarea rezistenei de
ieire a unui generator de semnal (un aparat care furnizeaz la borne o tensiune dependent de timp dup o
anumit lege, sinusoidal, dreptunghiular, dini de fierstru, etc.). Artai cnd metoda nu este aplicabil.
P 2.17. Echivalrile Thvenin i Norton sunt valabile i pentru regimul sinusoidal, nlocuind rezistenele
cu impedane. O doz piezoelectric de pick-up poate fi considerat un generator de semnal cu o impedan
"rezistiv" n jur de 1 MO i o tensiune n gol de 1 V. Discutai ce se ntmpl dac ea este legat la un
amplificator a crui intrare este echivalent cu o rezisten de
a) 10 kO;
b) 1 MO;
c) 10 MO;
+
_
+
_
5 V
3 V
2 mA
2 k O
1 k O
1 k O
I
+
-
U
R

Fig. 2.16.



Experimentul 1. Sursa de tensiune (aproape ideal)

Un alimentator utilizeaz, de obicei, tensiunea alternativ (cu valoarea efectiv de 220 V i frecvena
50 Hz) a reelei de distribuie a energiei electrice (numit, simplu, reea). Mai nti, printr-un transformator,
tensiunea (rmnnd alternativ) este adus la o valoare convenabil, apoi ea este convertit n tensiune
continu cu un redresor (rectifier n lb. englez) i n final prelucrat de un stabilizator de tensiune (voltage
regulator n lb. englez).
Pe planet avei un stabilizator integrat cu trei borne, ca n Fig. 2.17. La intrarea sa este aplicat o
tensiune continu nestabilizat, obinut de la un adaptor extern (transformator plus redresor), alimentat la
reea. Scopul experimentului este s investigai funcionarea acestui montaj (care este o surs de alimentare
stabilizat) la bornele sale de ieire. Pentru aceasta, montai la bornele de ieire ale stabilizatorului un
voltmetru electronic digital care v va permite citirea tensiunii cu rezoluie de cel puin 0.01 V. Notai-v, mai
nti, valoarea tensiunii n gol (fr sarcin).
Conectai, apoi, pe rnd, ca sarcin, rezistoarele de pe
planet i notai-v valoarea tensiunii la borne. Cum intensitatea
curentului nu trebuie cunoscut cu precizie deosebit,
determinai-o din legea lui Ohm (rezistenele au tolerana de +/- 5
%). Reprezentai grafic tensiunea la borne, n funcie de curent,
cu ambele scale pornind de la valoarea zero (nu uitai s trecei i
tensiunea n gol). Identificai poriunea pe care sursa se comport
practic ca o surs ideal de tensiune. Reprezentai grafic n
detaliu aceast regiune, i estimai variaia maxim a tensiunii n
interiorul ei. De aici, tragei o concluzie asupra valorii rezistenei interne a sursei stabilizate. Estimai, de
asemenea, curentul maxim pn la care sursa de alimentare studiat menine tensiunea constant.

Experimentul 2 (imaginar). Sursa ideal de tensiune comandat

n experimentul precedent tensiunea la bornele sursei nu depindea de valoarea curentului (adic de
dispozitivul care era conectat ca sarcin). n plus, aceast tensiune nu depindea nici de timp. Aceast ultim
proprietate nu este obligatorie pentru o surs ideal de tensiune; valoarea ei poate fi programat s depind de
timp conform unei anumite funcii sau s depind de alt mrime electric din circuit.
Un exemplu extrem de frecvent ntlnit este reeaua de distribuie de energie electric. Aici tensiunea
evolueaz sinusoidal, cu o frecven de 50 Hz i o amplitudine de 311 V, corespunztoare unei tensiuni
efective de 220 V. Presupunei c ea nu s-ar comporta ca o surs ideal de tensiune ci ca una care are
rezistena intern de 1 O. Calculai cu ct s-ar micora tensiunea efectiv la priz la cuplarea unui calorifer
electric ce consum o putere de 2 kW.

IN
COM
OUT
V
+
-
tensiune
continua
nestabilizata
stabilizator
I

Fig. 2.17.

Experimentul 3. Divizorul rezistiv

Pe planet avei un divizor rezistiv care este deja conectat la o anumit tensiune de alimentare.
Msurai valoarea acesteia i, utiliznd valorile rezistenelor, calculai ct ar trebui s fie tensiunea de ieire n
gol a divizorului i rezistena sa intern.
Legai acum voltmetrul la bornele de ieire ale divizorului i msurai tensiunea n gol. Comparai-o cu
valoarea calculat. Legai, apoi, pe rnd, rezistoarele de sarcin i msurai
tensiunile corespunztoare, ca la experimentul precedent. Ca i acolo,
reprezentai rezultatele n form grafic. Se apropie funcionarea divizorului
rezistiv de aceea a unei surse ideale de tensiune ? Estimai, din grafic,
rezistena echivalent (de ieire) a divizorului i comparai-o cu valoarea
calculat. Desenai reprezentarea Thvenin a divizorului rezistiv, trecnd
valorile determinate experimentale pentru tensiune i rezisten
Dac suntem interesai n pstrarea tensiunii de ieire cu o precizie de
numai 10 %, cum trebuie s fie rezistena de sarcin fa de aceea de ieire
a divizorului ? Dar dac suntem mai pretenioi i dorim o precizie de 1 % ?

Experimentul 4. Sursa de curent (aproape ideal)

Vom studia acum un circuit a crui funcionare se apropie de aceea a unei surse ideale de curent:
intensitatea curentului nu depinde de tensiunea la borne, deci de circuitul extern. Este evident c acest model
nu poate funciona "n gol", sursa ar produce o tensiune infinit dar curentul ar rmne nul.
Avei pe planet un astfel de circuit, realizat cu un tranzistor bipolar (Fig. 2.18). El este deja legat la
borna de alimentare, aa c, dac nu ai decuplat
alimentarea de la reea, totul e n ordine. nainte s
ncepei investigarea funcionrii sa la bornele de
ieire, asigurai-v c avei comutatorul K pe
poziia "curent constant". Pentru a evita msurarea
direct a curentului cu un miliampermetru digital
(unul analogic nu ar fi avut rezoluia necesar) vei
folosi un truc frecvent ntlnit: intercalai n calea
curentului rezistorul R
ref
de valoare foarte mic (1
O) i msurai cderea de tensine U
1
pe acest
rezistor. (vei realiza un "miliampermetru" cu
rezistena intern de 1 O).
Msurai mai nti curentul de scurtcircuit i
notai valoarea sa. Apoi, nlocuii scurtcircuitul cu
rezistoare de diferite valori, determinnd, pentru
fiecare din ele, intensitatea curentului. Cum
valoarea tensiunii U la bornele sursei de curent nu
trebuie cunoscut cu precizie deosebit, calculai-o
din legea lui Ohm ( R
ref
care apare n serie este foarte mic i poate fi neglijat).
Reprezentai grafic, tensiunea U n funcie de curent, cu ambele scale pornind de la zero. Identificai
regiunea n care circuitul investigat se comport aproximativ ca o surs de curent. Estimai compliana sa de
tensiune (tensiunea maxim la borne pn la care se observ aceasta comportare). Reprezentai apoi, n
detaliu, aceast regiune i estimai rezistena echivalent. Cu aceasta i cu valoarea curentului de scurtcircuit,
V
I
R
1
R
2
+
-
U
+V
alim

Fig. 2.17.
+
sursa de
curent
I
+
U
-
scurtcircuit
1 O
I
V
voltmetru
electronic
+
-
U
1
R
ref

Fig. 2.18.


desenai circuitul echivalent Norton. Notai pe desen pn la ce valoare a tensiunii de ieire este valabil
aceast echivalen.
Dup cum tii, un circuit liniar accesibil la dou borne poate fi echivalat att cu un circuit Norton ct i
cu unul Thvenin. Pornind de la circuitul Norton desenat anterior, propunei un circuit echivalent Thvenin.
Ct este valoarea tensiunii Thvenin ? Cum este ea n comparaie cu tensiunile existente n circuitul studiat ?
Care dintre reprezentri vi se pare mai comod pentru un utilizator ?

Experimentul 5. Sursa de curent comandat

La sursele ideale, tensiunea (sau, respectiv, curentul) sunt independente de circutul extern. Aceasta nu
nseamn c ele sunt obligatoriu constant n timp. Aa cum am vzut, reeaua de alimentare cu energie
electric poate fi privit ca o surs ideal de tensiune a carei valoare evolueaz sinusoidal n timp. De
asemenea, valoarea unei surse de curent poate s evolueze n timp dupa o anumit lege.
n acest experiment vei relua investigarea sursei de curent studiat anterior, dar de data aceasta ea va fi
comandat de un circuit care va impune ca valoarea intensitii s urmeze o anumit dependen temporal.
Pentru aceasta, va trebui s trecei comutatorul K pe poziia "semnal" i s legai n locul voltmetrului
electronic intrarea unui osciloscop. Desenai-v pe caiet forma de und i notai-v valoarea tensiunii vrf la
vrf. Modificai apoi valoarea rezistenei de sarcin, urmrind tot timpul forma de und i valoarea sa vrf la
vrf. Notai modificrile formei de und vizualizate.
De multe ori, n practic, nu avem conectat un rezistor "spion" pe care s urmrim evoluia intensitii ci
avem accesibile doar bornele sursei de curent. Ce v ateptai s observai acolo la variaia rezistenei de
sarcin ? Conectai i dumneavoastr osciloscopul cu firul cald la ieirea sursei de curent i conectai diferitele
rezistene de sarcin. Formulai o concluzie.

Pagin distractiv

1. Nimic nu poate sta n calea autorilor zeloi atunci cnd acetia vor s complice lucrurile, teoretiznd
pn nu se mai nelege nimic. Nemulumii cu simplitatea crilor de referin de Teoria Modern a Circuitelor
(pe care le trec, de altfel, la bibliografie), doi autori "profesori-doctori-ingineri"
2
, cum nu scap ocazia s ne
anune pe coperta interioar, ne nva c
"sursa independent de curent este un caz particular de rezistor neliniar controlat n tensiune,
deoarece, conform ecuaiei caracteristice, pentru orice tensiune curentul este unic specificat".
C autorii numesc rezistor orice dipol care foreaz o legtur funcional curent-tensiune, am mai
putea nelege, chiar dac mai devreme cu 16 pagini rezistorul era clasificat, la 1.2.4.1 n categoria elementelor
pasive. 16 pagini nseamna mult i pe parcursul lor multe se pot uita. Dar s consideri sursa independent ca
fiind controlat n tensiune i s crezi despre ea c este neliniar i trebuie o logic cu totul i cu totul
original. }i dac stpneti aceast logic poi scrie linitit c "Ecuaia u t e t i ( ) ( ), = poate fi dedus pe
baza teoriei cmpului electromagnetic".
2. Lucruri i mai vesele gsim n deja citatul Compediu de fizic
3
despre "generatorul Thvenin i
generatorul Norton". Auzii numai :"...e vorba de dou montaje diferite n care o surs de tensiune poate
alimenta un circuit exterior (rezisten de sarcin)". }i ca nu cumva s credem din greeal c sursele ideale
din cele dou reprezentri sunt lucruri diferite, autorul are grij sa le reprezinte cu acelai simbol i fr nici o
indicaie care le-ar diferenia. Ca s ne lmurim la ce folosesc aceste generatore, citim mai jos: "dipolul
constitue un generator Thvenin i el servete la alimentarea unei rezistene de sarcin mic...". Cu totul altfel
stau lucrurile cu "generatorul Norton" care "servete la alimentarea unei rezistene de sarcin mare R
s

(mare)". Mare... e rbdarea hrtiei tiprite, am comenta noi.
3. Cnd se aventureaz s explice lucruri cu care nu sunt familiari, chiar autori foarte serioi produc
minunii. Iat ce gsim n excelenta carte a lui Richard Dorf
4
:

Din text reiese indubitabil c tensiunea notat cu v pe grafic este tensiunea la bornele sursei de curent.
Astfel, graficul ne comunic faptul c sursa de curent se abate de la idealitate la scurtcircuit, adic acolo unde
orice practician tie c sursa de curent se simte n elementul su, necazurile aprnd, din contra, la tensiuni
mari.

2
Lucia Dumitriu, Mihai Iordache, "Teoria modern a circuitelor electrice", Ed. All Educaional, Bucureti,
1998.
3
***, "Compediu de Fizic", Ed. }tiinific i Enciclopedic, Bucureti,1988.
4
Richard C. Dorf, "Introduction to Electric Circuits", John Wiley & Sons, Inc., 1989.
CAPITOLUL

Diode semiconductoare

0.0 0.2 0.4 0.6 0.8
1E-11
1E-10
1E-9
1E-8
1E-7
1E-6
1E-5
1E-4
1E-3
0.01
siliciu
germaniu
U (V)
I (A)
-0.4 -0.2 0.0 0.2 0.4 0.6 0.8
0
10
20
I (mA)
U (V)

A. Caracteristica static 60
B. Date de catalog 65
C. Metoda dreptei de sarcin 66
D. Circuitul echivalent pentru variaii mici 68
E. Verificarea experimental a unei dependene exponeniale 70


A. Caracteristica static

Circuitele electrice sunt, ntr-o anumit
msur, similare celor bazate pe circulaia fluidelor
(pneumatice sau hidraulice). O funcie esenial n
aceste circuite este permiterea curgerii fluidului
numai ntr-un anumit sens; ea este realizat cu
dispozitive numite supape. De unde tiu supapele
sensul n care fluidul are tendina s circule pentru
a decide s-l lase sau nu s treac ? Simplu, fluidul
curge de la presiune mare la presiune mic iar
supapele sesizeaz tocmai aceast diferen de presiune, deoarece ea este proporional cu fora net exercitat
de fluid asupra supapei. Dac fora are sensul corect i dac mrimea ei depete o anumit valoare de
prag, supapa se deschide i fluidul poate s treac.
n circuitele electronice, aceeai funcie este ndeplinit de ctre diode. Aa cum se vede n Fig. 3.1,

dioda este un dispozitiv de circuit cu dou borne (un dipol) care conduce, practic, numai ntr-un sens: de la
anod la catod .

Simbolul utilizat pentru ea este cel din figura anterioar; sensul sgeii arat sensul n care dioda conduce.
b)
-0.4 -0.2 0.0 0.2 0.4 0.6 0.8
0
10
20
I (mA)
U (volti)
I
+
_
U
anod
catod
sensurile de referinta
pentru curent si
tensiune
0
0
I
U
a)

Fig. 3.2. Caracterstica static a unei diode ideale (a) i a unei diode semiconductoare cu siliciu (b).
Comportarea dispozitivelor electronice la curent continuu i la frecvene mici este descris de
caracteristica lor static. Pentru o diod ideal, aceasta ar trebui s arate ca n Fig. 3.2 a) : la polarizare
invers (potenialul anodului mai cobort dect cel al catodului) curentul este nul pentru ca la atingerea
tensiunii zero dioda s se deschid i s se comporte ca un scurtcircuit. Este clar dioda nu se comport ca un
rezistor, fiind un element nesimetric i neliniar.
Primele diode au fost realizate ca tuburi electronice dar astzi se utilizeaz aproape exclusiv diodele
semiconductoare, realizate din germaniu sau siliciu. Caracteristica static curent-tensiune a unei diode
semiconductoare cu siliciu arat ca n Fig. 3.2. b).
I
+
_
U
anod
catod +
_
U
anod
catod
polarizare directa polarizare inversa
I ~ 0

Fig. 3.1. Dioda semiconductoare: polarizare
direct i invers.

Cap. 3. Diode semiconductoare 61

S privim mai nti regiunea de polarizare direct (forward n limba englez), unde potenialul anodului
este mai ridicat dect cel al catodului. Dioda ideal se comport ca un scurtcircuit i nu exist cdere de
tensiune pe diod, dei curentul poate avea orice valoare. Spre deosebire de aceasta, prin dioda
semiconductoare trece un curent semnificativ numai dac tensiune depete o anumit valoare, numit
tensiune de deschidere. Astfel, pentru diodele cu germaniu tensiunea de deschidere este de 0.2-0.3 V iar
pentru cele cu siliciu tensiunea de deschidere este de 0.6-0.7 V . Dup deschidere, curentul crete foarte rapid
cu tensiunea; dac ncercm s mrim cu mai mult de cteva zecimi de volt tensiunea pe diod, curentul ajunge
la valori att de mari nct dioda este distrus.
Exist un punct special pe caracteristic ce permite definirea precis a tensiunii de deschidere ?
La polarizare direct, caracteristica diodei semiconductoare este foarte bine descris de relaia

|
|
.
|
\
|
= 1
T
mV
U
s
e I I
; (3.1)

unde mrimea V k T e
T B
= este tensiunea termic, egal cu 25 mV la temperatura camerei, iar I
s
este numit
curent invers de saturaie i are valori de ordinul 10
-11
A -10
-6
A, dup tipul materialului i destinaia diodei.
Parametrul m , numit factor de idealitate sau coeficient de emisie, depinde de locul din structura diodei unde
are loc o anumit faz a mecanismului intern de transport al curentulu; coeficientul de emisie m are valoarea 1
pentru diodele cu germaniu, n timp ce pentru diodele cu siliciu are o valoare apropiat de 2, care poate diferi
ns dup mrimea curentului prin diod.
S considerm, deocamdat, o diod cu germaniu i s urmrim n Fig. 3.3 evoluia curentului raportat
la valoarea celui de saturaie, I I
s
. n desenul a) avem reprezentat variaia sa n jurul tensiunii nule; se
observ c intensitatea este nul la tensiune nul, caracteristica static a diodei trecnd exact prin origine).
a)
0 20 40 60 80 100
0
10
20
30
40
50
60
U (mV)
s
I I
b)
-75 -50 -25 0 25 50 75
-2
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
U (mV)
s
I I
s
I I = 1

Fig. 3.3 a) i b). Evoluia raportului I I
s
la dioda cu germaniu; pe desenul b) a fost figurat cu linie subire i
dependena I I
s
= 1
Este acest lucru obligatoriu ? S privim sensurile de referin pentru curent i tensiune, aa cum au fost
ele alese : curentul intr n diod pe la borna de potenial ridicat. Aceasta nseamn c dac valorile tensiunii
sunt fie ambele pozitive (cadranul I al graficului caracteristicii), fie ambele negative (cadranul III), dioda

funcioneaz ca un consumator de energie. Din contra, n cadranele II i IV dispozitivul ar trebui s fie un
generator de energie electric.

0 100 200 300
0.0
5.0x10
1.0x10
1.5x10
2.0x10
4
5
5
5
U (mV)
s
I I
c)
0 60 120 180 240 300
10
10
10
10
10
10
10
-1
0
1
2
3
4
5
U (mV)
s
I I
d)

Fig. 3.3 c) i d).. Evoluia raportului I I
s
n conducie direct, la o diod cu germaniu.
Deoarece dioda semiconductoare este un consumator de energie, caracteristica s trebuie s treac din
cadranul III n cadranul I, evitnd cadranele II i IV. Acest lucru nu se poate face dect prin origine
Al doilea aspect pe care l observm este c intensitatea are comportri diferite la polariti diferite ale
tensiunii. La polarizare invers (tensiuni negative) curentul variaz lent i pe la - 75 mV ajunge practic la
valoarea de saturaie I I
s
= . Pentru polarizare direct, exponeniala crete rapid i curentul crete i el
puternic cu tensiunea. Desenele b) i c) exploreaz caracteristica n conducie direct pe o scar din ce n ce
mai mare de tensiuni. Se observ c, privind la scara 300 mV=0.3 V, exponeniala face, pur i simplu,
explozie, raportul I I
s
ajungnd peste 150 000; pe la aceste valori ale curentului este utilizat dioda n
conducie direct. La scara la care suntem obligai acum s privim lucrurile, raportul I I
s
are valori
semnificative ncepnd de pe la 200 mV=0.2V, ca i cum ar exista o tensiune de prag. De fapt, nu exist nici
un punct special pe caracteristic, aa cum se poate constata i n desenul c) al figurii, unde am reprezentat
raportul I I
s
n scar logaritmic.
Dei nu exist un punct special de deschidere pe caracteristic, tensiunea de deschidere are
semnificaie clar
Un anumit tip de diod este proiectat s funcioneze
garantat pn la o valoare maxim I
FDmax
a curentului.
Dioda din Fig. 3.4 a) este una destinat s lucreze la
cureni de cteva zecimi de amper, cele din desenele b) i
c) au un curent maxim de 1 A i, respectiv, 6 A, pe cnd
"monstrul" din desenul d) poate suporta cureni de 50 A.
Spunem c dioda este deschis cnd intensitatea este
semnificativ la scara lui I
FDmax
(este undeva pe la
I I
FD FD max max
100 10 ). De ce exist, atunci, o
tensiune tipic pentru germaniu ? n primul rnd, pentru c
o modificare de 1000 de ori a curentului la care msurm
a) c) b) d)

Fig. 3.4. Diode semiconductoare.


tensiunea nu nseamn dect o variaie de 0.18 V a tensiunii. Iar n al doilea rnd, diodele de cureni mari au
aria mai mare, ceea ce, aa cum se poate constata n Fig. 3.5 a), conduce la mrirea corespunztoare a
curentului de saturaie. Pe figur sunt desenate caracteristicile statice pentru dioda 1N4148 de 10mA i dioda
1N1183 cu un curent maxim de 35 A. Considernd deschiderea la I
FDmax
100, tensiunea pe diode este
aproape aceeai, deoarece raportul I I
s
are aproape aceeai valoare.
0.0 0.2 0.4 0.6 0.8
1E-11
1E-9
1E-7
1E-5
1E-3
0.1
10
0.0 0.2 0.4 0.6 0.8
1E-11
1E-10
1E-9
1E-8
1E-7
1E-6
1E-5
1E-4
1E-3
0.01
U (V)
I
s
I
s
15 pA
40 nA
I
FDmax
I
FDmax
35A
10mA
tensiune de
deschidere
1N4148
1N1183
I (A)
siliciu
germaniu
U (V)
I (A)
a) b)
d

Fig. 3.5. Diodele destinate s lucreze la cureni mari au i curentul de saturaie mai mare, astfel c
tensiunea de deschidere este practic aceeai (a); explicaia diferenei de tensiune de deschidere ntre
diodele cu germaniu i cele cu siliciu (b).

S privim acum mai atent caracteristica de conducie direct reprezentat n scar semilogaritmic n
Fig. 3.3 d). Observm c, la tensiuni mai mari de 100 mV, caracteristica n scar logaritmic este dreapt,
adic dependena curentului poate fi aproximat cu una exponenial; cum la germaniu coeficientul de emisie
m este unitar,

I I e
s
U
V
T
~
. (3.2)

Extrapolarea acestei dependene aproximative la U = 0 n scar semilogaritmic permite determinarea
comod a curentului de saturaie.
Cum baza logaritmilor naturali e = 2 7182 . nu este un numr prea confortabil pentru experimentatori,
se obinuiete s se dea variaia de tensiune pentru care curentul crete de 10 ori nu de e ori, ci de 10 ori; din
figur rezult c

la o diod cu germaniu, valoarea curentului se multiplic cu zece la fiecare cretere cu 60 mV a tensiunii.
Deoarece la siliciu valoarea coeficientului de emisie este aproape egal cu 2, n scar semilogaritmic
intensitatea curentului crete cu tensiunea de dou ori mai lent dect la germaniu; astfel
la o diod cu siliciu, valoarea curentului se multiplic cu zece la fiecare cretere cu aproximativ 120 mV a
tensiunii.

De ce diodele cu siliciu au alt tensiune de deschidere dect cele cu germaniu
Aa cum spus anterior, tensiunea de deschidere este la diodele cu siliciu 0.6 V- 0.7 V, diferit de aceea a
diodelor cu germaniu (0.2- 0.3 V). Aa cum se poate constata pe Fig. 3.5 b), dou cauze contribuie la aceast
deosebire. n primul rnd, la diodele cu siliciu valorile curenilor de saturaie sunt de aproximativ 1000 de ori
mai mici dect la germaniu i factorul exponenial trebuie s fie de 1000 de ori mai mare pentru a produce
acelai curent ca la o diod cu germaniu. (1 mA pe exemplul din figur). n consecin, tensiunea trebuie s fie
mai mare. Cum valoarea curentului se multiplic cu 10 pe 60 mV, aceasta ar justifica o cretere cu
3 60 mV = 0.18 V a tensiunii de deschidere (dreapta punctat notat cu d pe figur). n plus, ns, la
diodele cu siliciu parametrul de recombinare m are valoarea 2 i variaia curentului este de cou ori mai lent,
valoarea curentul multiplicndu-se cu zece abia pe 120 mV. Deci, pentru recuperarea handicapului curentului
de saturaie, va fi necesar un plus nu de 0.18 V ci de 0.36 V. Adunai aceast valoare la tensiunea de
deschidere a diodelor cu germaniu i o vei obine pe aceea a diodelor cu siliciu. Nu uitai c aceste valori nu
sunt foarte bine precizate, pentru siliciu tensiunea de deschidere considerndu-se 0.6 - 0.7 V.
Este dat tensiunea de deschidere n cataloage ?
Problema utilizatorului nu este cunoaterea precis a tensiunii de deschidere ci o estimare maximal a
cderii de tensiune pe diod (forward voltage drop n limba englez), la curentul nominal de utilizare. Din acest
motiv, n cataloage se d cderea de tensiune maxim garantat la o anumit valoare a curentului.
Cderea de tensiune poate ajunge la diodele de cureni mari pn la valori de 1 - 2 V, datorit rezistenelor
ohmice interne.
Ce se ntmpl la polarizare invers ?
La polarizare invers (potenialul anodului mai cobort dect cel al catodului), curentul prin dioda
ideal este nul. Pe de alt parte, pentru dioda semiconductoare relaia (3.1), care rezult dintr-un model fizic
simplificat al jonciunii semiconductoare, arat existena unui curent invers nenul. Atunci cnd tensiunea, n
modul, este mult mai mare dect V
T
~ 25 mV, dioda intr n conducie invers i relaia (3.1) prezice un
curent independent de tensiune, de mrime I
s
, de unde i numele dat acestei mrimi, de curent invers de
saturaie. n dioda real, ns, exist cteva mecanisme care produc cureni de scurgere ntre anod i catod, alii
dect cel de saturaie. Aceti cureni de scurgere erau complet neglijabili fa de curentul n conducie direct
(de ordinul mA-sute de mA) dar conteaz fa de I
s
, aa c n conducie invers curentul unei diode variaz
cu tensiunea aplicat, putnd crete de cteva ori. Astfel, curenii inveri sunt, n general, de ordinul zecilor de
A pentru diodele cu germaniu i de ordinul zecilor de nA pentru cele cu siliciu. Chiar i aa, diodele
semiconductoare conduc, practic, ntr-un singur sens: curenii inveri sunt mai mici de 1000 de ori (pentru
germaniu) i de 1 milion de ori (pentru siliciu) dect curenii n conducie direct.
Dac modulul tensiunii inverse depeste o anumit valoare, U
BR
, numit tensiune de strpungere
(break-down), curentul crete brusc cu tensiunea, ca n desenul a) al Fig. 3.6. Pentru diodele redresoare, care
nu trebuie s conduc dect ntr-un singur sens, se urmrete ca aceast valoare s fie mare (sute i chiar mii
de voli) pentru a nu fi depit n funcionarea circuitului din care dioda face parte.
Exist, ns, o categorie special de diode, numite stabilizatoare, destinate s funcioneze chiar pe
strpungerea invers, pentru care sunt utilizate simbolurile din desenul b) al figurii. La ele, valoarea tensiunii
de strpungere este adus intenionat la valori mici (3-100 V); putei, astfel, s cumprai diode cu tensiunea
de strpungere egal cu, de exemplu, 3.9, 4.7, 5.1, 5,6,..., 10,..., 12,..., 24,...100 V etc. Utilizarea lor ca
stabilizatoare de tensiune se bazeaz pe faptul c, n regiunea de strpungere, curentul, care are valori
semnificative (zeci de mA) poate varia cu aproape un ordin de mrime n timp ce tensiunea pe diod rmne
practic constant. Exist dou mecanisme fizice care contribuie la strpungere: efectul Zener (dominant dac


tensiunea de strpungere are valori mai mici de 5V) i strpungerea prin avalan, dominant dac
strpungerea are loc la tensiuni mai mari de 8 V. Cnd tensiunea de strpungere este ntre 5 i 8 V,
strpungerea are loc prin ambele mecanisme. Este important de reinut c sensul variaiei cu temperatura a
tensiunii de strpungere, dU dT
BR
, este opus pentru cele dou mecanisme discutate; efectele temperaturii
tind s se anuleze reciproc pentru diodele cu tensiunea de strpungere de 5.1- 5.6 V. De multe ori, n
terminologia de limb romn, diodele stabilizatoare snt numite diode Zener, indiferent de mecanismul
strpungerii.
a)
-10 -8 -6 -4 -2 0
-5
-4
-3
-2
-1
0
U (volti)
I (mA)
anod
catod
anod
catod
b)

Fig. 3.6. Caracteristica invers a unei diode semiconductoare (a) i simbolurile utilizate pentru diodele
stabilizatoare (b).

O alt categorie de diode, aparinnd dispozitivelor optoelectronice, este aceea a diodelor care emit
radiaii luminoase: necoerente n cazul diodelor luminescente (LED light emitting diodes) i coerente n cazul
diodelor laser. La ele, n conducie direct, peste o intensitate de prag (care depinde de tipul materialelor
utilizate), trecerea curentului produce emisia luminii.

B. Date de catalog

Fabricanii furnizeaz n foile de catalog (data sheet n limba englez) informaii detaliate asupra
componentelor pe care le ofer. Pentru familiarizare, am nceput seciunea cu prezentarea unui extras din foaia
de catalog a diodelor 1N401 - 1N407, diode redresoare de uz general. Un grup important de informaii l
constituie valorile maximale (maximum ratings) ale tensiunilor i curenilor, pentru anumite condiii

specifice. Depirea acestor valori maxime conduce la deteriorarea performanelor i poate chiar distruge
dispozitivul
Primele trei liniii din tabel se refer la tensiunea invers (reverse voltage) garantat pentru diverse
condiii de funcionare (vrfuri de tensiune, tensiune continu, etc). Pentru curent continuu, diodele 1N4001 au
aceast valoare de numai 50 V pe cnd diodele 1N4007 rezist pn la o tensiune invers de 1000 V.
Urmeaz apoi informaii despre curentul maxim admis. Valoarea curentului mediu redresat este aceeai pentru
toate tipurile discutate, egal cu 1 A.. n condiii nerepetitive, diodele accept ns un curent de vrf foarte
mare, de 30 A. Ultima linie a tabelului se refer la gama de temperaturi de stocare i funcionare, care se
ntinde ntre -65
o
C i +175
o
C.
O alt categorie de informaii o reprezint caracteristicile electrice (de funcionare) :

n primele dou linii gsim informaii despre cderea de tensiune n conducie direct. Valoarea
instantanee este maxim la vrful de curent; pentru un curent redresat mediu de 1 A, n cel mai defavorabil caz
cderea de tensiune ajunge la 1.1 V, dar tipc este de 0.93 V. Media pe o perioad a acestei cderi de tensiune
nu depete 0.8 V. Ultimele dou linii se refer la curentul invers. n curent continuu acesta este mai mic de
10A la 25
o
C dar poate ajunge 50A la 100
o
C; acestea reprezint cazul cel mai defavorabil, valorile tipice
fiind mult mai mici. La 25
o
C curentul invers tipic e numai de 50 nA. n cazul redresrii, valoarea medie a
curentului invers nu depete 30 A.

C. Metoda dreptei de sarcin

Peste pragul de deschidere, o mic variaie a tensiunii produce creteri foarte mari ale curentului. Din
acest motiv deschiderea diodei cu o surs ideal de tensiune (sau cu una avnd rezisten intern mic) ca n
Fig. 3.7 a) este cea mai sigur cale de distrugere a sa: puin sub tensiunea de deschidere dioda este blocat,
puin peste pragul de deschidere nu mai avei diod. ntodeauna trebuie intercalat n circuit un rezistor pentru
limitarea curentului (Fig. 3.7 b).
S presupunem cunoscute tensiunea
E, valoarea rezistenei R i caracteristica
static a diodei. Cum putem determina, de
aici, valorile curentului I i ale tensiunii U
la bornele diodei ? Metoda att de utilizat n
liceu, bazat pe legea lui Ohm pe ntregul
circuit nu este aplicabil deoarece dioda nu
respect legea lui Ohm. Legea tensiunilor
conduce imediat la relaia

_
+
siliciu
0.7 V
a)
circuit de polarizare recomandat
pentru distrugerea diodelor
_
+
R
E
b)
circuit de polarizare pentru
utilizare in practica
+
_
U
I
+
-

Fig. 3.7. Polarizarea diodelor semiconductoare: greit
(a) i corect (b).


E I R U = 0 (3.3)

care trebuie completat cu dependena I f U = ( ) care caracterizeaz funcionarea diodei, adic ceea ce numim
caracteristic static. Dac o scriem n form analitic, ca n ecuaia (3.2) (presupunnd cunoscute
constantele I
s
i m), sistemul de ecuaii obinut este unul neliniar i rezolvarea sa poate fi efectuat numai
numeric, de ctre calculator.
Dac ne mulumim, ns, cu o precizie rezonabil, de cteva procente, putem rezolva sistemul de ecuaii
printr-o metod grafic. Reprezentarea ecuaiei I f U = ( ) o avem, este caracteristica static a diodei (Fig.
3.8). Mai rmne s reprezentm grafic i relaia (3.6), care descrie funcionarea circuitului extern diodei.
Aceast relaie poate fi pus sub forma

I
E
R R
U =
1
; (3.4)

graficul ei este o linie dreapt, cu panta 1 R, care intersecteaz axele la E R i E.

0.0 1.0
0
10
20
I (mA)
U (V)
2.0
E
R E
punctul static
de functionare
(PSF)
dreapta de sarcina
caracteristica diodei

Fig. 3.8. Determinarea PSF prin metoda dreptei de sarcin.
Memorarea interseciilor cu axele nu este necesar: cu mrimile E i R nu putei construi alt
mrime cu dimensiuni de tensiune dect E (i o tensiune trebui s fie coordonata de intersecie ca axa
tensiunilor) i alt mrime cu dimensiuni de curent dect E R.
Deoarece n multe aplicaii scopul urmrit este controlul tensiunii pe rezistena R, aceast rezisten
este considerat rezisten de sarcin. Din acest motiv, graficul determinat de relaia (3.4) este numit dreapt
de sarcin (load line n limba englez). Soluia sistemului de ecuaii, adic punctul static de funcionare
(PSF), se gsete la intersecia celor dou curbe, aa cum se vede n figur.
Puterea metodei nu st n precizie ci n caracterul ei foarte sugestiv, mai ales atunci cnd una din
ecuaiile sistemului se modific datorit variaiei unui parametru. De exemplu, s presupunem c modificm
continuu, dar suficient de lent pentru ca dioda s se comporte cuasistatic, valoarea E a sursei de tensiune.
Cum panta dreptei de sarcin este 1 R, aceasta va rmne connstant, adic dreapta de sarcin se
deplaseaz paralel cu ea nsi, ca n Fig. 3.9 a). Putem urmri, astfel, cum punctul de funcionare se
deplaseaz pe caracteristica diodei, n funcie de valoarea tensiunii E. Curentul este bine controlat i el nu
depete valoarea (E R 0. 7 V) . Dac am fi ncercat s polarizm dioda ca n Fig. 3.7 a), direct de la
sursa ideal de tensiune, dreapta de sarcin ar fi fost vertical i, la modificarea tensiunii E, punctul de

funcionare ar fi evoluat dup deschiderea diodei ca n Fig. 3.9 b): o foarte mic cretere a tensiunii ar fi
aruncat punctul de funcionare la valori ale curentului care ar fi distrus dioda.

0
10
20
I (mA)
U (volti)
0
10
20
I (mA)
U (volti)
punctul de functionare
este aruncat la curenti
foarte mari
a) b)

Fig. 3.9. Evoluia punctului de funcionare la modificarea tensiunii E, cu rezisten de limitare a curentului
(a) i cu dioda legat direct la sursa de tensiune (b).
De fapt, n practic, pentru determinarea aproximativ a punctului de funcionare, nu avem nevoie nici
mcar de metoda dreptei de sarcin: tensiunea pe dioda deschis este cunoscut cu suficient precizie i
valoarea curentului rezult imediat

I
E
R
=
0 V .7
(3.5)

(am considerat cazul diodei din siliciu). Mai mult, cel mai frecvent avem E >> 0 V . 7 i putem scrie

I
E
R
~
. (3.6)

Ce eroare am introdus, prin neglijarea tensiunii de deschidere, pentru E = 10 V? Numai 7 %. Iar dac am fi
luat n consideraie tensiunea de deschidere, imprecizia de 0.2 V n valoarea ei ar produs o eroare relativ
asupra curentului de numai 2 %.


D. Circuitul echivalent pentru variaii mici

Atunci cnd curentul sufer variaii relative mici A I I << 1,
putem considera c poriunea de caracteristic pe care se deplaseaz
punctul de funcionare este practic o linie dreapt (Fig. 3.10) i putem
introduce rezistena dinamic r dU d I = . Prin diferenierea relatiei
(3.2) se obine imediat expresia acestei rezistene dinamice

r dU d I mV I
T
= =
(3.7)

care este invers proporional cu valoarea curentului de repaus.
Astfel, la diodele cu germaniu

r
I
=
25 mV
(3.8)

iar la cele cu siliciu

r
I
~
50 mV
(3.9)

Chiar la valori mici ale curenilor, cum este 1 mA, rezistena dinamic are valori mici; pentru m = 1, ea este
de 25 O. La cureni mari, rezistena dinamic scade i mai mult, devenind, de exemplu, numai 0.25 O la
curentul de 100 mA.
S presupunem acum c tensiunea E a sursei din Fig. 3.7 b), cu care am polarizat dioda, sufer o mic
variaie AE i dorim s calculm modificarea strii circuitului, adic variaia AI a curentului i variaia AU
a tensiunii pe diod. Am putea s utilizm, n continuare metoda dreptei de sarcin, desennd un detaliu mrit
al caracteristicii, dar exist o cale mult mai simpl i mai elegant: putem considera c, pentru intervalul de
variaie considerat, caracteristica diodei este un segment de dreapt (atenie, o dreapt care nu trece prin
origine). Acest lucru nu ajut mult metoda grafic, dar ne permite s utilizm rezistena dinamic, calculat
n punctul static n jurul cruia are loc variaia. Dac relum legea tensiunilor pe circuit

E I R U = 0,

o difereniem i scriem c, pentru diod, A A U r I = , obinem

A A A E R I r I = + (3.10)
A I
A U
r
=
A U
A I

Fig. 3.10. Definirea rezistenei
dinamice.


Este mult mai comod s privim la circuite dect la ecuaii; or
relaia anterioar caracterizeaz un circuit serie (Fig. 3.11), alctuit
dintr-o surs care produce tensiunea AE, n serie cu rezistorul de
limitare a curentului R i cu rezistena dinamic a diodei r .
Mrimile electrice implicate sunt variaiile tensiunilor i curenilor;
am obinut un circuit echivalent pentru variaii mici, cu care se
lucreaz mult mai uor dect cu relaia (3.10). Fiind un circuit
liniar, putem scrie imediat (legea lui Ohm)

A
A
I
E
R r
=
+
(3.11)

iar variaia tensiunii AU se obine cu regula de trei simpl (avem un divizor rezistiv fr sarcin)

A A U E
r
R r
=
+
. (3.12)

E. Verificarea experimental a unei dependene exponeniale

Am vzut c, n conducie direct, caracteristica static I f V = ( ) a unei diode semiconductoare este
descris conform relaiei (3.2) de

I I e
s
V
mV
T
= . (3.13)

Vom ncerca s verificm experimental acest lucru; numai c ntr-un grafic desenat n coordonate liniare
(prescurtare "lin-lin" n literatura tiinific) aceasta este o operaie dificil, datorit variaiei puternic neliniare
a funciei exponeniale. O soluie mai simpl va aprea dac vom logaritma relaia precedent. Atenie ns, nu
putei aplica operaia de logaritmare dect numerelor adimensionale, altfel vei ajunge la ntrebarea
fundamental: n ce uniti se msoar log( ) I ? Avem dou posibilti, fie imprim relaia la I
s
, fie la o
alt valoare de curent, s zicem 1 mA. Vom avea dreptul s scriem

( ) ( ) BV A
mV
V
I I y
T
s
+ = + = =
) 10 ln(
1
mA 1 log mA 1 log (3.14)

unde A i B sunt constante. Am obinut o relaie de gradul nti, care va avea drept grafic o linie dreapt, ca
n Fig. 3.12. a). Panta graficului este legat direct de
1
mV
T
iar punctul de la V = 0 (obinut prin extrapolarea
graficului) furnizeaz valorea curentului de saturaie.

_
+
R
E A
I A
+
_
U A r
+ -
+
-
-

Fig. 3.11. n circuitul echivalent
pentru variaii mici, dioda este
nlocuit cu rezistena ei dinamic.


-5
-1
-4
0.1 0.2 0.3 0.4 0.0
-2
-3
-6
log ( 1mA) I
tensiunea (volti) U
curentul (mA)
1E-5
0.001
0.01
0.1
1E-4
0.1 0.2 0.3 0.4 0.0
1
2
3
4
5
6
10
octava
octava
a)
b)
tensiunea (volti) U

Fig. 3.12. Caracteristica diodei, n coordonate liniar pentru tensiune i logaritmic pentru curent.

Acesta este un procedeu absolut corect dar prezint, n special pentru experimentatori, un inconvenient
major: dac alegem un punct oarecare de pe grafic, avnd coordonata y , i dorim s aflm valoarea curentului
va trebui s efectum operaia matematic 10 1
y
mA; or rolul esenial al unui grafic este s permit
citirea comod i rapid a informaiei. Din acest motiv, gradarea axei y (liniue ajuttoare i etichete) nu se
face cu valorile logaritmului ci direct cu valorile mrimii reprezentate, ca n desenul b) al figurii. Evident,
ele nu vor fi echidistante, dar vor prezenta nite proprieti eseniale pentru o reprezentare logaritmic.
Dac pe o ax liniar o deplasare A y este proporional cu variaia I I
final initial
a mrimii reprezentate,
pe o scara logaritmic ea este proporional cu raportul de multiplicare a mrimii reprezentate, I I
final initial
.
Astfel, distanele pe scara logaritmic se msoar n decade (corespunztoare multiplicrii cu zece) sau octave
(corespunztoare multiplicrii cu doi).
n desenul b) avei desenat, n detaliu, o decad. Se poate observa c diviziunile 1, 2, 5 i 10 sunt
aproximativ echidistante. Aceast observaie v permite s v construii rapid i fr efort o scar logaritmic
aproximativ; din acelai motiv, dac dorii s avei puncte experimentale echidistante pe axa y, va trebui s
facei msurtorile n aceast secven de valori.
Cum extragem, ns, informaiile din acest grafic ? Revenind la relaia (3.14), pe o decad de curent
( ) mA 1 log I y = crete cu o unitate i, deci, tensiunea variaz cu ln . 10 2 30 = mV mV
T T

AU mV I I
T ( )
.
10
2 30 10 =
. (3.15)

Pentru o dublare a curentului, variaia de tensiune necesar este log ln . 2 10 0 69 = mV mV
T T

AU mV I I
T ( )
.
2
0 69 2 =
. (3.16)

Dup determinarea din graficul experimental a oricreia dintre tensiunile AV
( ) 10
sau AV
( ) 2
, putem
utiliza una din relaiile (3.15) sau (3.16) pentru calcularea produsului mV
T
. Ct despre curentul de saturaie
I
s
, el poate fi citit acum direct pe grafic, dup extrapolare.



-Dioda este un dipol care conduce, practic, ntr-un singur sens: de la anod la catod.
- Pentru diod se utilizeaz simbolul
anod
catod
, unde sgeata arat sensul n care poate s treac
curentul.
- La polarizare direct, curentul devine semnificativ dup depirea tensiunii de deschidere.
Aceast tensiune este de 0.2-0.3 V la diodele cu germaniu i 0.6-0.7 V la diodele cu siliciu.
- n conducie direct, curentul crete exponenial, valoarea sa multiplicndu-se cu 10 la fiecare
cretere a tensiunii de 60 mV la diodele cu germaniu i 120 mV la cele cu siliciu.
- Pentru variaii mici putem defini rezistena dinamic; ea este 25 mV I la diodele cu germaniu i
aproximativ 50 mV I la cele cu siliciu.
- Curentul invers nu este chiar nul; valorile sale sunt de ordinul zecilor de A la diodele cu siliciu i
de ordinul zecilor de nA la cele cu siliciu. Oricum, el este de 10
3
-10
6
ori mai mic dect cel de conducie
direct.
- Dac tensiunea invers depeste o anumit valoare, dioda se strpunge invers i curentul devine
important. Diodele stabilizatoare (Zener) sunt destinate utilizrii n aceast regiune, tensiunea de
strpungere fiind intenionat adus la valori mici (3V - 100 V).
- Pentru diodele stabilizatoare se utilizeaz simbolurile .
- Diodele stabilizatoare cu tensiunea nominal apropiat de 5 V sunt cele mai puin sensibile la
temperatur.
- Punctul static de funcionare (PSF) al unui circuit cu dispozitive neliniare poate fi calculat
aproximativ prin metoda grafic a dreptei de sarcin. Metoda este util mai ales n vizualizarea evoluiei
PSF atunci cnd unul din parametrii circuitului este modificat.
- Pentru variaii mici n jurul unui anumit punct de funcionare, modificare strii circuitului poate
fi calculat utiliznd circuitul echivalent pentru variaii. n acest circuit, dioda este nlocuit cu un
rezistor avnd rezistena egal cu rezistena dinamic a diodei, calculat n jurul acelui punct de
funcionare.
- Verificarea experimental a unei dependene exponeniale se face comod prin reprezentarea
dependenei n scar logaritmic pentru funcie i scar liniar pentru variabila independent. n aceast
reprezentare, graficul devine o linie dreapt.


Termeni noi

-diod dipol care permite trecerea curentului doar ntr-un sens, de la anod
la catod;
-polarizare (conducie) direct polarizarea diodei astfel nct potenialul anodului s fie mai
ridicat dect al catodului;
-polarizare invers polarizarea diodei astfel nct potenialul anodului s fie mai
cobort dect al catodului;
-tensiune de deschidere valoarea tensiunii n polarizare direct, de la care valoarea
curentului ncepe s fie semnificativ;
-tensiunea termic valoarea expresiei k T e
B
, unde k
B
este constanta Boltzman, T
temperatura n K iar e este sarcina electronului; la temperatura
camerei tensiunea termic este aproximativ 25 mV;
-parametru de recombinare parametru adimensional, cu valori ntre 1 i 2, care caracterizeaz
mecanismul de conducie n jonciunile semiconductoare; la
diodele cu germaniu are valoarea 1, la cele cu siliciu se apropie de
valoarea 2, depinznd de valoarea curentului;
- rezisten dinamic raportul A A U I , calculat pentru variaii mici n jurul unui punct
de funcionare; la dispozitivele neliniare valoarea rezistenei
dinamice depinde de punctul de funcionare;
-strpungere invers creterea rapid a curentului atunci cnd tensiunea invers
depeste o anumit valoare;
-diod stabilizatoare (Zener) diod construit astfel nct tensiunea de strpungere invers s fie
adus la o valoare mic, convenabil; dioda este utilizat n
regiunea de strpungere invers;
-rezisten de sarcin rezisten (rezistor) pe care circuitul electronic controleaz
tensiunea (i puterea disipat);
-dreapt de sarcin graficul relaiei liniare care caracterizeaz funcionarea circuitului
extern dipolului neliniar; el intersecteaz axele la E i E R;
-circuit echivalent pentru variaii un circuit care este utilizat pentru "vizualizarea" comod a
relaiilor existente ntre variaiile (mici) ale curenilor i
tensiunilor; n el, dispozitivele neliniare sunt "nlocuite" cu
rezistenele lor dinamice;
- decad interval de lungime constant pe scara logaritmic, corespunznd
multiplicrii cu zece a valorii variabilei;
- octav interval de lungime constant pe scara logaritmic, corespunznd
dublrii valorii variabilei.

Probleme rezolvate

Problema 1. Sursa de tensiune V
g
produce o evoluie a potenialului nodului A ca n Fig. 3.13.
Determinai evoluia n timp a curentului prin diod, aceasta fiind una redresoare cu siliciu, avnd tensiunea de
strpungere invers mult mai mare dect 10 V. Aflai, de asemenea, cum evolueaz potenialul nodului B
(ieirea circuitului). Propunei o aplicaie pentru acest circuit.

_
+
10 kO
V
g
A B
-10 V
0
10 V
t
V
g
siliciu

Fig. 3.13.
Rezolvare
Analizm mai nti situaia cnd potenialul punctului A este pozitiv; n acest caz dioda va fi polarizat
direct. Atta timp, ns, ct tensiunea pe diod nu va depi tensiunea de deschidere (0.6 V pentru c dioda este
din siliciu), curentul va fi practic nul. n consecin, cderea de tensiune U
R
pe rezistor ( I 10 kO) va fi i ea
nul i deci

U V V V V
R g B B g
= = = 0 .

Relaia anterioar este valabil ct vreme V
g
< 0. 6 V:

0 0 s < = V t I V t V t
g B g
( ) ( ) ( ) 0. 6 V = si

La depirea de ctre V
g
a tensiunii de deschidere, dioda ncepe s se deschid; dei curentul crete,
tensiunea pe diod rmne practic constant. Putem, astfel, calcula valoarea instantanee a curentului

0. 6 V =
0. 6 V
si constant 0. 6 V s

= = V t I
V t
R
V t
g
g
B
( )
( )
( ) .

Valoarea maxim a curentului este atins cnd V
g
= 10 V i este de 0.94 mA. n Fig. 3.14 a), evoluia
potenialului V
g
a fost reprezentat cu linie punctat, pe cnd evoluia potenialului V
B
(tensiunea pe diod)
este trasat cu linie groas. Trebuie remarcat c distana ntre aceste curbe este chiar tensiunea pe rezisten,
U V V
R g B
= , proporional n orice moment cu intensitatea curentului, reprezentat i ea n desenul b).
Pentru cazul n care potenialul punctului A este negativ, situaie este simpl, dioda fiind invers
polarizat. Curentul prin diod este practic nul i nodurile A i B au acelai potenial; avem

V t I V t V t
g B g
( ) ( ) ( ) < = 0 0 = si .


-10 V
0
10 V
t
V
g
0.6 V
V
B
a)
I
t
0.94 mA
b)

Fig. 3.14.

n concluzie, dei tensiunea generatorului evolueaz ntre + 10 V i -10 V, tensiunea pe diod evolueaz
numai ntre -10 V i + 0.6 V (tensiunea de deschidere n conducie direct). Circuitul acioneaz ca un
limitator de tensiune (clipper n limba englez), "reteznd" orice vrf care depeste 0.6 V. Astfel, circuitul
poate fi utilizat pentru protecia unor dispozitive mpotriva unor tensiuni pozitive prea mari. Valoarea
rezistenei trebuie aleas suficient de mare astfel nct intensitatea curentului prin diod s nu devin
periculoas pentru diod. Absena rezistenei (o valoare R = 0) conduce la distrugerea diodei sau la prsirea
de ctre sursa a regimului liniar (intrarea n regimul de protecie prin depirea curentului maxim).
Dezavantajul circuitului este c pragul la care se face limitarea nu poate fi stabilit de proiectant, fiind egal cu
tensiunea de deschidere a diodei.

Problema 2.
a) S relum problema precedent, pentru circuitul modificat din Fig. 3.15 a).

Rezolvare
De data aceasta, pentru ca dioda s se deschid, potenialul anodului trebuie s treac de
V
REF
+ 0. 6 V = 2. 6 V. Circuitul va limita valorile pozitive ale tensiunii la valoarea 2.6 V, curentul maxim
fiind de 0.74 mA. Putem, astfel, produce limitarea la orice valoare dorim, prin alegerea tensiunii V
REF
.

_
+
10 kO
V
g
A B
siliciu
_
+
V
REF
2 V
a)
10 kO
V
g
A B
siliciu
V
REF
10 V
_
+
_
_
+
_
b)

Fig. 3.15.

b) Circuitul din Fig. 3.15 b) permite ajustarea continu a nivelului la care se face limitarea, prin
intermediul unui poteniometru. Acesta este echivalent cu un divizor rezistiv, la care se modific raportul
rezistenelor, suma lor rmnnd constant.
-ntre ce limite poate fi modificat nivelul la care se face limitarea ?
- ce valoarea trebuie s aib rezistena poteniometrului (ntre bornele sale extreme), pentru ca circuitul
s funcioneze corect ?

Rezolvare
-n poziiile extreme, catodul diodei este inut fie la zero fie la 10 V; nivelul de limitare va putea fi
reglat, deci, ntre 0.6 V i 10.6 V.
-Pentru ca circuitul s funcioneze corect este necesar ca potenialul catodului s fie meninut constant,
chiar cu dioda n conducie. Astfel, rezistena echivalent a divizorului trebuie s fie mult mai mic dect
rezistena de 10 kO care limiteaz curentul prin diod. Dac nu suntem foarte pretenioi, un poteniometru cu
rezistena de 1 kO este o alegere bun; n cel mai defavorabil caz, cnd cursorul este la jumtate, rezistena
vzut de catodul diodei va fi aceea a dou rezistene de 500 O legate n paralel, adic 250 O, de 40 de ori mai
mic dect rezistena de limitare de 10 kO.


Probleme propuse

P 3.1. Calculai valoarea curentului prin circuitul din Fig. 3.16, dac dioda
este
a) cu siliciu
b) cu germaniu.
P 3.2. Sursa de tensiune din
problema precedent sufer o variaie
AE = 1V. Considernd o diod cu siliciu,
desenai circuitul echivalent pentru variaii
i calculai cu ct se modific intensitatea
curentului i tensiunea pe diod (va trebui
s calculai, mai nti, rezistena dinamic a
diodei, la curentul determinat anterior).
P 3.3. Caracteristica unei diode, n
zona de strpunngere invers, este cea din
Fig. 3.17. Calculai, din grafic, rezistena
dinamic n jurul punctului M.
P 3.4. n circuitul de limitare din Fig. 3.18., au fost montate antiparalel, dou diode cu siliciu. Evoluia
tensiunii generatorului se face ntre -10 V i 10V, cu o form de und identic
cu cea de la problema rezolvat. Deducei, din nou, evoluiile potenialului
punctului B i a curentului.
P 3.5. Proiectai un limitator care s taie vrfurile mai mici de 3 V i
vrfurile mai mari de 7 V; utilizai o surs de alimentare de +12 V, o rezisten
de limitare a curentului de 1 kO, dou diode cu siliciu i dou divizoare
rezistive.
P 3.6. Dioda luminescent (LED) din Fig. 3.19 are tensiunea de
deschidere n jur de 2 V i dorim s fie operat la un curent de aproximativ 10
mA (+ sau - 10%). Calculai valoarea rezistenei. Cu ct se modific
intensitatea curentului dac ne-am nelat cu 0.5 V asupra tensiunii de deschidere ?
P 3.7. Utiliznd acelai circuit, trebuie s alimentm o diod laser. Ea are tensiunea de deschidere de
aproximativ 2 V iar curentul de prag (de la care apare efectul laser) este de
50 mA. Curentul maxim la care funcionarea este sigur este de 100 mA.
Alegei o valoare adecvat pentru rezisten. Calculai apoi :
- puterea produs de surs
- puterea pierdut pe rezisten
- puterea absorbit de dioda laser
La curentu de 100 mA dioda laser emite o radiaie luminoas cu
puterea de 5 mW. Estimai randamentul total (putere laser/putere
consumat) i randamentul diodei laser (putere laser/putere diod).

_
+
12 V
10 k O

Fig. 3.16.
U (volti)
I (mA)
-5.0 -4.9
-10
-8
-6
-4
-2
0
M

Fig. 3.17.
_
+
1 k O
V
g
A B

Fig. 3.18.
_
+
10 V
R
LED

Fig. 3.19.


Vei studia caracteristicile statice la trei diode semiconductoare: una cu germaniu, una cu siliciu i o
diod luminescent (LED).

Experimentul 1. Conducia direct

Desenai-v schema circuitului din Fig. 3.20
i apoi stabilii sensurile curenilor i polaritile
necesare pentru aparatele de msur, completnd
schema desenat. Realizai apoi circuitul, alegnd
dioda cu germaniu. Selectai scala de 10 mA pentru
miliampermetru i cea de 1 V pentru voltmetru.
Cretei progresiv tensiunea sursei de alimentare
urmrind evoluia curentului. Observai deschiderea
diodei i notai-v valoarea aproximativ a tensiunii
de deschidere.
Reluai apoi experimentul, msurnd, dup
deschiderea diodei, 10-12 puncte experimentale curent-tensiune. Nu uitai c miliampermetrul nu msoar
curentul prin diod ci suma sa cu cel prin voltmetru. Determinai rezistena R
V
a voltmetrului i facei
corecia necesar pentru a obine curentul prin diod cu o precizie de 1-5 %

I I U R
D mamp V
=

V (volti)
I
mamp
(mA) I
V
(mA) I
D
(mA)
0 0 0 0

Repetai experimentul i pentru celelalte diode i desenai caracteristicile statice (curent n funcie de
tensiune) pe acelai grafic, n scar liniar, cu ambele scale ncepnd de la valoarea 0.

Experimentul 2. Este dependena curentului exponenial ?

Reluai investigarea conduciei directe la diodele cu germaniu i siliciu, urmrind acum evoluia
curentului pe o gam mai larg de valori. Pentru c vei reprezenta curentul pe o scar logaritmic i este de
dorit ca punctele experimentale s fie aproximativ echidistante, vei efectua msurtori la urmtoarele valori
ale curentului (n mA) : 10; 5; 2; 1; 0.5; 0.2; 0.1; 0.05; 0.02; 0.01; 0.005; 0.002; 0.001. De data aceasta, la
valori att de mici ale curenilor, corecia de voltmetru nu mai poate fi aplicat (justificai de ce !). Din acest
motiv, va trebui s utilizai un voltmetru electronic, care are o rezisten intern de civa MO.
Reprezentai apoi, pe acelai grafic, dependenele I f U = ( ), cu o scar logaritmic pentru curent i una
liniar pentru tensiuni. Determinai variaia de tensiune necesar, n cazul fiecrei diode, pentru ca intensitatea
curentului s creasc de 10 ori. Cunoscnd potenialul termic V
T
~ 26 mV, determinai pentru diodele cu
germaniu i, respectiv, siliciu, parametrul de recombinare m. Determinai, de asemenea, valoarea curentului
I
s
de saturaie.

_
+
R
E
mA
V
0 - 15 V
1 k O
I
mamp
I
V
voltmetru
miliampermetru
I
D

Fig. 3.20. Montajul experimental.


Experimentul 3. Curentul invers

Dac am da crezare expresiei teoretice (3.1), la polarizare invers, dup ce trece prin origine, curentul
devine practic constant la tensiuni mai negative dect cteva zecimi de volt. deoarece la U mV
T
>>
exponeniala devine neglijabil fa de unitate i

I I
REV S
~ .

La diodele reale apar cureni de scurgere care fac ca valoarea curentului invers s depind de valoarea
tensiunii pe diod. Din acest motiv vei determina numai ordinul de mrime al acestui curent. Pentru aceasta,
aplicai pe rnd, pe diodele cu germaniu i siliciu, o tensiune invers de aproximativ 5 V. Nu uitai s inversai,
n prealabil, polaritile aparatelor de msur. Pentru a fi siguri c ceea ce msurai este curentul prin diod,
deconectai voltmetrul dup stabilirea tensiunii.
Determinai ordinul de mrime al curenilor inveri. Dac microampermetrul care msoar curentul nu
este suficient de sensibil, tragei concluzia c intensitatea curentului este mai mic dect valoarea minim care
ar putea fi pus n eviden cu aparatul.
Cum snt valorile curenilor inveri pentru cele dou tipuri de diode ? De cte ori sunt mai mici dect
valorile curenilor n conducie direct ?

Experimentul 4. Strpungerea invers

Dioda cu siliciu pe care o avei pe planet este una stabilizatoare. Polarizai-o invers i cretei acum
tensiunea peste 5 V. Atenie, miliampermetrul trebuie s fie pe scala de 10 mA ! Observai intrarea n
strpungere invers i notai-v valoarea tensiunii de strpungere. Determinai, apoi, 10-12 puncte
experimentale de pe caracteristic, dup intrarea n strpungere invers. Desenai graficul caracteristicii
inverse, n scara liniar, cu tensiunea ncepnd de la 0 voli. Reprezentai, apoi, n detaliu, n alt desen, regiunea
de strpungere invers. Determinai din grafic rezistena dinamic A A U I din regiunea de strpungere.

Pagin distractiv

n cele mai multe cri de electronic putei ntlni graficul caracteristicii statice a diodei
semiconductoare avnd forma
1
din desenul a) al figurii alturate. Pe axe nu sunt trecute nici un fel de valori iar
textul care l nsoete este o niruire de formule fr valori numerice. Dei seamn cu
Fig. 3.3 a), graficul este incorect pentru c nu sunt specificate scrile de valori la care este fcut
reprezentarea.

a) b)

Ali autori
2
sunt mai generoi, comunicndu-ne c tensiunea se msoar n voli i curentul n amperi
(desenul b al figurii). Despre valorile numerice ale axelor respective elevii sunt liberi s cread orice.
Rezultatul inevitabil al acestui tip de literatur didactic este acela c elevii sau studenii rmn cu informaia
c intensitatea curentului n conducie direct este mai mare doar de cteva ori dect aceea a curentului invers.
O alt soluie n reprezentarea caracteristicii diodei este utilizarea de scale diferite pentru cadranele I i
III al graficului
3
. Dei corect i utilizat frecvent ntre profesioniti (care tiu bine ordinele de mrime ale
tensiunii i curentului), aceast soluie are dezavantajul c linia graficului prezint un punct de frngere n
origine, proprietate pe care dependena real nu o are (vezi Fig. 3.3 a) i b)). n plus, forma graficului este
reinut automat de nceptori dar nu i faptul c scalele sunt complet diferite.

Ne putem explica evitarea cu ndrjire a desenrii corecte n coordonate liniare i completarea sa cu
reprezentri de detaliu numai prin procesul greoi de realizare a graficelor utilizat naintea apariiei
calculatoarelor personale. Dar noi bnuim c muli autori nu au vzut niciodat o curb real pe
caracterograf. Care exista cu mult naintea PC-urilor.

1
Z. Schhlett, I. Hoffman, A. Cmpeanu, "Semiconductoare i aplicaii", Ed. Facla, Timioara, 1981.
2
***,"Fizic", Manual pentru clasa a X-a, Ed. Teora Educaional, Bucureti, 2000.
3
***, "Dispozitive i circuite electronice - partea I", Universitatea din Bucureti, 1985.
CAPITOLUL

Tranzistoare bipolare -
caracteristici statice

I
B
I
C
I
E
I
E
foarte mic
+
_
+
_
0.6 V 10 V
10 mA 9.9 mA
0.1 mA
I
B
I
C
I
E
I
E
foarte mic
+
_
+
_
0.62 V 10 V
20 mA 19.8 mA
0.2 mA

4.1. Conexiunea baz comun 83
4.2. Conexiunea emitor comun 113

4.1. Conexiunea baz comun
1.A. Tranzistoare: structur, simboluri i mod de funcionare 83
1.B. Caracteristica de intrare 88
1.C. Carcteristicile de transfer 89
1.D. Caracteristica de ieire 90
1.E. Saturaia tranzistorului 93
1.F. Depirea dificultilor conexiunii cu baz comun 95
1. G. Surse de curent cu tranzistoare bipolare 97


0 2 4 6 8 10
V
alim
I
B
50 A
I
B
= 0
0
2
4
6
8
10
(mA) I
C
(V) V
CE
rezervor 1
rezervor 2
rezervor 1
rezervor 2
regiunea de saturatie
robinetul nu mai
controleaza debitul
regiunea activa
robinetul controleaza
debitul
M
N
O
rezervor 1 rezervor 2
robinet complet inchis
regimul de blocare

4.2. Conexiunea emitor comun
2.A. Configuraia cu emitor comun 113
2.B. Caracteristica de intrare 117
2.C. Caracteristicile de transfer 118
2.D. Caracteristica de ieire 120
2.E. Saturaia tranzistorului 123
2.F. Date de catalog 126

Cap. 4. Tranzistoare bipolare - caracteristici statice 83

4.1. Conexiunea baz comun

1. A. Tranzistoare: structur, simboluri i mod de funcionare

Am vzut c dioda, acionnd ca i supapa n circuitele n care circul fluide, permite curentului s
treac ntr-un singur sens, ca un ntreruptor care s-ar deschide i nchide singur, dup sensul curentului. Un
alt dispozitiv esenial n circuitele cu fluide este robinetul, care controleaz debitul conform unei aciuni
externe, mecanice.
Pentru circuitele electrice, o aciune asemntoare o are releul electromagnetic, care controleaz
trecerea unui curent de intensitate mare, fiiind comandat electric cu un curent mult mai mic. Releul
electromagnetic are dou proprieti care l fac s mai fie nc utilizat n unele aplicaii: curentul de scurgere n
starea "ntrerupt" este extrem de mic iar rezistena n starea de conducie este infim. Cu toate acestea, el are
dou dezavantaje majore. n primul rnd, pentru c are piese mecanice n micare, este prea lent, neputnd fi
utilizat la frecvene de peste cteva sute de Hz. Pe de alt parte, el nu permite controlul gradual al curentului
ci doar unul de tipul tot sau nimic (on-off n limba englez). Un control gradual l putem realiza cu un rezistor
reglabil ('poteniometru") dar acesta trebuie acionat mecanic.
Primul dispoztiv care putea controla gradual curentul i era comandat printr-o tensiune a fost un tub
electronic, trioda. Tuburile erau ns mari, grele i fragile, i aveau nevoie de puteri electrice mari. Din acest
motiv, inventarea tranzistorului n 1947 de ctre John Bardeen i Walter Brattain de la Bell Laboratories a
marcat un pas important n dezvoltarea electronicii; n Fig. 4.1 a) putei admira primul tranzistor realizat, cu
contacte punctiforme. Bazat pe conducia electric la suprafaa cristalului i pe contacte punctiforme cu fire
metalice, acest "tranzistor de tip A" era instabil i nu functiona de dou ori la fel; n plus curentul controlat era
puternic afectat de zgomot. Primul tranzistor utilizabil, cu jonciuni (Fig. 4.1 b), este pus la punct n 1950 i
n 1951 laboratoarele Bell l fac cunoscut public
1
. Electronica modern putea ncepe. Ulterior apare
posibilitatea integrrii mai multor tranzistoare ntr-un circuit integrat i revoluia tehnologic schimb faa
secolului XX.
a) b)

Fig. 4.1 a) i b). Primul tranzistor cu contacte punctiforme i primul tranzistor cu jonciuni.
Imaginat nc din 1948 de ctre William Shockley, tranzistorul bipolar cu jonciuni (prescurtat
BJT - Bipolar Junction Transistor n lb. eng.) este un dispozitiv semiconductor de tip sandwich, a crui
structur fizic conine trei regiuni semiconductore distincte: emitorul, baza i colectorul, aa cum se vede n
Fig. 4.1 c) i d) Pentru tranzistoarele PNP, emitorul i colectorul sunt de tip p, adic purttorii majoritari sunt

1
O istorie fascinant a inventrii tranzistorului bipolar putei gsi la www.pbs.org/transistor/index.html.


golurile, pe cnd baza este de tip n, aici purttorii majoritari fiind electronii. Dei de acelai tip, emitorul i
colectorul difer prin concentraia de purttori majoritari, care este mult mai mare n emitor. La tranzistoarele
NPN tipurile sunt inversate, emitorul i colectorul fiind de tip n iar baza de tip p. Elementele cheie n
funcionarea tranzistorului sunt grosimea mic a bazei i nivelul ei sczut de dopare (conductivitate redus).

c)
PNP
I
E
I
C
I
B
E C
B
+
-
-
+
I
E
I
C
I
B
+
- +
-
NPN
p p n
emitor colector baza
n n p
emitor colector baza
E C
B
25 m
3.7 mm
25 m
3.7 mm
d)
e)

Fig. 4.1 c), d) i e). Tranzistoare bipolare, structur, simboluri i cteva dintre tipurile de capsule utilizate.
n figur sunt date i simbolurile pentru cele dou tipuri de tranzistoare.
Sgeata arat care este terminalul emitorului; sensul ei este sensul n care conduce jonciunea emitor
baz, jonciune care controleaz starea "robinetului"
Primele tranzistoare cu jonciuni erau fabricate prin extragerea unui monocristal de tip bar dintr-o
topitur de germaniu dopat n; n timpul extragerii, extrem de lente, regiunea bazei era dopat p. Au aprut
apoi alte tehnologii mai perfecionate care au mbuntit performanele tranzistoarelor bipolare obinute.
Astzi se realizeaz o gam foarte larg de tranzistoare, pentru diferite aplicaii: joas i medie frecven,
nalt frecven, aplicaii liniare, aplicaii de comutaie, etc.. n acest manual atenia noastr va fi concentrat
asupra aplicaiilor de joas i medie frecven. n acest domeniu, capsulele tranzistoarelor (Fig. 4.1 e) sunt
diferite dup mrimea curentului maxim pe care l pot suporta (de la 100 mA la 10 A) i dup puterea termic
pe care o pot disipa (de la 300 mW la 110 W)
Deocamdat ne vom focaliza atenia numai asupra tranzistoarelor NPN; dup ce vom ntelege bine
cum funcioneaz acestea, cnd va trebui s utilizm tranzistoare PNP nu va trebui dect s inversm sensurile
tuturor tensiunilor i curenilor. Dei primul material semiconductor utilizat n construcia tranzistoarelor a


fost germaniul, datorit puternicei lor sensibiliti termice aceste tranzistoare au fost nlocuite complet de
tranzistoarele cu siliciu; din acest motiv
vom aborda n cele ce urmeaz numai tranzistoarele cu siliciu,
chiar dac nu vom meniona de fiecare dat acest lucru explicit.

h)
E
B
C
E
B
C
+
_
+
_ 0.6 V
10 V
+
_
0.6 V
10 V
E
B
C
g)
E C
B
circuit
extern
circuit
extern

E
B
C
circuit
extern
E
B
C
circuit
extern
+
_
f)

Fig. 4.1 f), g) i h). Tranzistoare bipolare: echivalena cu dou diode dac numai una din jonciuni este
polarizat (e, f) i absena acestei echivalene cnd ambele jonciuni sunt polarizate (g).

Tranzistorul are dou jonciuni semiconductoare, una emitor-baz i cealalt baz-colector. Dac le
investigm separat (al treilea terminal fiind lsat n gol), ele se comport ca nite diode, aa cum se poate
observa n Fig. 4.1 f) i g). La tranzistoarele de putere mic, jonciunea emitor baz are tensiunea invers de
strpungere cobort n jur de 6 V; din acest motiv e bine s privim aceast jonciune ca o diod Zener aa cum
am figurat i noi n aceste desene. Efectul de tranzistor apare atunci cnd polarizm ambele jonciuni: cea
emitor baz n sens direct iar cea colector baz n sens invers: datorit grosimii mici a bazei, cele dou
jonciuni nu funcioneaz independent, aa cum ar fi fcut-o dou diode legate ntre ele prin conductoare (Fig.
4.1 h).

Atenie, acesta este un experiment imaginar i l-am construit ct mai simplu posibil; dac l
ncercai n practic i tensiunea sursei care polarizeaz jonciunea baz-emitor crete accidental cu
numai 0.180 V, curentul de emitor va crete de 1000 de ori i jonciunea va fi pulverizat. n circuitele
practice se utilizeaz todeauna o rezisten legat n serie, pentru limitarea curentului prin jonciune.


S vedem n ce const efectul de tranzistor. Dac dorim ca tranzistorul s funcioneze ca un robinet
controlat, cele dou jonciuni trebuie polarizate ntr-un anumit mod: jonciunea emitor baz, care va controla
robinetul, trebuie s fie direct polarizat (deschis) iar jonciunea colector baz trebuie s fie invers polarizat.
Regimul de lucru al tranzistorului cu jonciunea emitor baz deschis iar jonciunea colector baz invers
polarizat este denumit regim activ normal.

c)
a)
I
B
I
C
I
E
I
E
foarte mic
+
_
+
_
0.6 V 10 V
10 mA 9.9 mA
0.1 mA
I
E = 0
+
_
I
CB0 0 ~
10 V
I
B
I
C
I
E = 0
+
_
0.6 V
I
B
I
C
I
E
I
E
foarte mic
+
_
+
_
0.62 V 10 V
20 mA 19.8 mA
0.2 mA
I
B
I
C
I
E
I
E
foarte mic
+
_
+
_
0.6 V 10 V
10 mA 9.9 mA
0.1 mA
I
B
I
C
I
E
I
E
foarte mic
+
_
0.6 V
10 mA 9.9 mA
0.1 mA
e)
b)
d)
f)

Fig. 4.2. Efectul de tranzistor.
Polarizm mai nti jonciunile, separat, pe rnd; aa cum am spus, n aces caz, tranzistorul se
comport ca un ansamblu de dou diode montate "spate la spate". Jonciunea emitor-baz se deschide i ntre
emitor i baz circul un curent de ordinul de ordinul mA - zeci de mA (Fig. 4.2 a). Dependena curentului de
tensiune este una exponenial


|
|
.
|
\
|
~ 1
T
mV
EB
V
E
e I ; (4.1)

cu m apropiat de valoarea 2, ca la o diod cu siliciu. n ceea ce privete jonciunea colector baz (desenul b),
aceasta este invers polarizat (am desenat lng simbol dioda echivalent pentru ca acest lucru s fie evident) i
curentul de colector (notat cu I
CB0
pentru a arta c emitorul este "n gol") este practic nul.
Aplicm apoi simultan sursele de tensiune, ca n desenul c) al figurii, i, surpriz, curentul de emitor,
n loc s circule prin terminalul bazei, circul practic integral prin terminalul colectorului, dei jonciunea
colector baz este invers polarizat.
Aplicarea atent a legii curenilor arat c, dei curentul de baz este foarte mic, la cealalt
born a sursei de 0.6 V curentul este egal cu I
E
, la fel ca la borna legat n emitor. Pentru a nu complica
desenul, sgeile "groase", care sugereaz mrimea curenilor, au fost desenate numai la terminalele
tranzistorului.
Dac modificm polarizarea jonciunii emitor baz, deschiznd-o mai mult (desenul d), curenii de
emitor i colector, rmnnd n continuare practic egali ntre ei, cresc. Spre deosebire de circuitul cu dou
diode,
n tranzistor, curentul de colector este controlat de tensiunea aplicat pe jonciunea emitor baz.
Acest efect este datorat grosimii mici a bazei, mult mai mic dect lungimea de difuzie a electronilor, i doprii
sale slabe; astfel, la strbaterea acesteia, electronii injectai din emitor au foarte puine anse s ntlneasc
goluri i s se recombine cu ele.
Mai mult, la tranzistoarele de putere mic (sute de mW), curentul de baz este de sute de ori mai mic
dect ceilali i
curentul de colector este practic egal cu cel de emitor, curentul de baz fiind mult mai mic dect
acetia.
Chiar i la tranzistoarele de putere mare curentul de baz este foarte mic, de 20 -50 ori mai mic dect ceilali
doi i afirmaia anterioar rmne valabil.
Pentru I
E
= 0, rezult, conform afirmaiei anterioare c i curentul ar trebui s fie nul. La
polarizarea invers a jonciunii colector baz cu cel puin cteva zecimi de volt, acest lucru nu este perfect
exact pentru c jonciunea colector-baz fiind invers polarizat, vom avea n colector curentul invers I
CB0
al
jonciunii. Relaia ce leag curenii de colector i emitor se scrie

I I I
C E CB0
= +
(4.2)

unde constanta se numete amplificare n curent (n conexiunea baz comn) i are valori foarte apropiate
de unitate (fiind mprtiat de la exemplar la exemplar i dup tipul tranzistorului aproximativ ntre 0.95 i
0.998).
Pentru tranzistoarele cu germaniu, curentul I
CB0
nu putea fi neglijat, mai ales cnd temperatura
tranzistorului cretea, i din aceast cauz aceste tranzistoare nu se mai utilizeaz. n schimb, pentru
tranzistoarele cu siliciu, curentul invers al jonciunii colector-baz este de aproape 1000 de ori mai mic dect la
cele cu germaniu. Putem, astfel, s uitm complet de el. Ni-l vom aminti doar atunci cnd vom studia efectul


modificrii temperaturii asupra caracteristicilor tranzistoarelor. i vom trage concluzia c nu el este vinovatul
principal.
i aceasta nu e tot. Revenim la polarizarea iniial a jonciunii emitor-baz (desenul e) i modificm
acum valoarea tensiunii care polarizeaz invers jonciunea colector-baz, cobornd-o chiar la zero, cu un
scurtcircuit ntre colector i baz (desenul f). Curentul de colector rmne insensibil la manevra noastr !
n regiunea activ normal, curentul de colector este practic independent de tensiunea colector
baz.

Scopul circuitelor electronice este, n majoritatea cazurilor, prelucrarea semnalelor (informaiei).
Exist o pereche de borne de intrare, numit port de intrare, ntre care se aplic o tensiune variabil din
exterior. La o alt pereche ce borne, numit port de ieire este legat un consumator de energie pe post de
sarcin (eventual un alt circuit). Rolul circuitului este ca starea portului de ieire (tensiunea i curentul de
ieire) s fie controlat de starea portului de intrare, dup o anumit relaie funcional. Pe de alt parte, ne-ar
conveni ca starea portului de intrare s fie influenat ct mai puin de cea a portului de ieire.
Tranzistorul are numai trei terminale; astfel, unul dintre ele va trebui s fie comun att portului de
intrare ct i celui de ieire. n configuraia n care am investigat noi comportarea tranzistorului, baza era
terminalul comun celor dou porturi; am utilizat, deci, o configuraie cu baza comun.
n conexiunea cu baz comun, portul de intrare este ntre emitor i baz iar portul de ieire este
ntre colector i baz, baza fiind astfel comun celor dou porturi.
Aceast conexiune permite explicarea mai comod a funcionrii tranzistorului pentru c cele dou
surse de tensiune controleaz separat tensiunile pe cele dou jonciuni. n plus, conexiunea ofer anumite
avantaje n cteva tipuri de aplicaii.
Funcionarea n regim static a unui dipol poate fi descris prin dependena funcional curent-
tensiune, numit caracteristic static. Starea unui dispozitiv care are un port de intrare i unul de ieire, cum
este tranzistorul, este determinat, ns, de patru variabile, care sunt curenii i, respectiv, tensiunile la fiecare
din porturi. Vom avea nevoie, deci, de mai multe tipuri caracteristici:
- caracteristica de intrare (dependena curent-tensiune la portul de intrare)
- caracteristica de ieire (dependena curent-tensiune la portul de ieire)
- caracteristici de transfer, care leag o mrime de la ieire (curent sau tensiune) de o mrime de la
intrare. Dac dorim s nelegem cum se comport tranzistorul n circuitele n care este utilizat, va trebui s
vedem cum arat caracteristicile sale statice.

1. B. Caracteristica de intrare

Prin caracteristic de intrare nelegem dependena curent-tensiune de la portul de intrare, adic I
E

n funcie de V
EB
. Dei baza tranzistorului este i ea legat la portul de intrare, curentul de baz nu este
curent de intrare deoarece, aa cum am subliniat anterior, la ambele borne ale sursei de tensiune care
realizeaz controlul curentul are valoarea I
E
. Pentru a nu complica discuia, vom nelege aici, prin tensiunea
V
EB
, mrimea (fr semn) a tensiunii de polarizare a jonciunii emitor baz; cu alte cuvinte, nu vom mai lsa
n seama caracteristicii de intrare s ne aminteasc polaritatea necesar pentru a ne situa n regiunea activ
normal. Acelai lucru l aplicm i pentru curentul de intrare. Aceast abordare are avantajul c forma
caracteristicii arat la fel i pentru tranzistoarele PNP.


Caracteristica de intrare trebuie trasat la anumite condiii constante la portul de ieire. Cum I
C

este practic egal cu I
E
, nu pe el l putem pstra constant; nu avem de ales, va trebui s pstrm constant
tensiunea de ieire V
CB
. n aceste condiii, caracteristica de intrare I f V
E EB
V
CB
=
=
( )
. const
este una
exponenial,

I I e
E
V
V
EB
T
=
0
(4.3)

tensiunea de deschidere fiind, pentru tranzistoarele bipolare cu siliciu, n jur de 0.6 V. Cnd curentului de
colector i se ofer o cale pe care s circule (colectorul nu este n gol) parametrul m este unitar deoarece baza
este foarte subire i recombinrile au loc exclusiv n regiunea neutr a colectorului. Din acest motiv numitorul
de la exponenial este exact V
T
i curentul de emitor se multiplic cu 10 la fiecare cretere cu 60 mV a
tensiunii emitor-baz, ca la o diod cu germaniu.
La portul de intrare, tranzistorul nu se comport ca un rezistor, caracteristica sa fiind neliniar i
similar cu aceea a unei diode. Pentru a caracteriza efectul unei mici variaii a tensiunii V
EB
, introducem
rezistena dinamic, ce caracterizeaz local caracteristica (depinde de punnctul unde se calculeaz)

r V I
eb EB E
= d d ; (4.4)

Din relaia (4.3) rezult c ea are expresia

r V I
eb T E
= (4.5)

fiind invers proporional cu valoarea curentului. Astfel, la 1 mA ea este de 25 O, pe cnd la 10 mA coboar la
2.5 O.

Depinde caracteristica de intrare de tensiunea de la portul de ieire ?
n mod ideal, ar trebui ca starea portului de ieire s nu afecteze starea portului de intrare de unde se
face controlul dispozitivului. Pentru tranzistorul bipolar, acest lucru este aproximativ adevrat. Cu toate
acestea, o analiz mai atent poate constata
modificarea caracteristicii de intrare, dac se
schimb valoarea tensiunii V
CB
colector-baza la
care este ea trasat. Acest efect, numit efect Early,
se pune n eviden mai comod pe o scar
logaritmic pentru curent (Fig. 4.3) . Astfel, dac
V
CB
se modific de la 0 la 10V, caracteristica de
intrare este pur i simplu translatat n sus. Aceasta
nseamn c putem descrie efectul fie la V
EB

constant, prin nmulirea curentului de emitor cu un
factor de aproximativ 1.1 (cretere de 10 %), fie la
I
E
constant, fiind necesar acum o tensiune V
EB
cu
aproximativ 2 mV mai mic. Cele mai multe texte
prefer a doua variant, afirmnd c la creterea
tensiunii colector-baz scade tensiunea emitor baz,
factorul A A V V
EB CB
fiind n valoare absolut de
0.50 0.55 0.60
0.01
0.10
1.00
curent de emitor (mA)
tensiune emitor-baza (volti)
V
CB
= 0 V
V
CB
= -10 V

Fig. 4.3. Modificarea caracteristicii de intrare la
variaia tensiunii colector baz.


ordinul a 10
-4
(de cele mai multe ori informaia c aceasta se ntmpl dac pstrm constant curentul I
E
este
omis, producnd confuzie pentru nceptori).

Observaie: Pentru diferite valori constante ale tensiunii de ieire V
CB
se obin curbe diferite
I f V
E EB
= ( ); acest ansamblu de curbe este numit de multe ori "familia caracteristicilor" de intrare. Noi
vom continua s utilizm ns o terminologie mai simpl, vorbind despre caracteristica de intrare i
influenarea sa de ctre parametrul V
CB
. Acest lucru va fi valabil i pentru celelalte tipuri de caracteristici.

1.C. Caracteristicile de transfer

Mrimea de ieire care este controlat prin starea portului de intrare este curentul de colector.
Putem considera, cu egal ndreptire, c el este controlat fie de curentul de emitor (curentul de la portul de
intrare), fie de tensiunea emitor-baz (tensiunea de la portul de intrare). n ambele cazuri, parametrul care
trebuie meninut constant este tensiunea colector baz.
Aa cum am spus, la tranzistoarele cu siliciu curentul rezidual de colector este neglijabil i avem
ndeplinit relaia (4.2)

I I
C E
=
.

Cum ~ 1, caracteristica de transfer I f I
C E
V
CB
=
=
( )
const.
este o linie dreapt, practic identic cu prima
bisectoare. La modificarea tensiunii V
CB
, factorul de amplificare se modific extrem de puin, crescnd cam
cu 10
4
volt .
Considernd c tensiunea emitor baz controleaz curentul de colector, caracteristica de transfer
I f V
C EB
V
CB
=
=
( )
const.
este descris de relaia

I I e
C s
V
V
EB
T
=
; (4.6)

dac privim tranzistorul ca un robinet controlat de tensiune, funcionarea sa este foarte neliniar. Pentru
tensiuni pn la 0.6 V curentul este nesemnificativ, pentru ca apoi creterea s fie exploziv. Avem, de fapt,
aceeai comportare de la dioda cu germaniu:
dublare a curentului la fiecare cretere cu 18 mV i multiplicare cu 10 la fiecare cretere de 60 mV.
Pentru a caracteriza sensibilitatea controlului se definete un parametru dinamic, numit
transconductan dinamic

g
d I
dV
m
C
EB
=
; (4.7)

se poate arta imediat c


g
I
V
m
C
T
=
(4.8)

unde I
C
este valoarea n jurul creia s-a calculat transconductana iar V
T
este potenialul termic (25 mV la
temperatura camerei).

1.D. Caracteristica de ieire

Pstrind constant intensitatea curentului de emitor, caracteristica de ieire I f V
C CB
= ( ) are forma
din Fig. 4.4 a), adic o dreapt orizontal. Ecuaia care descrie caracteristica este I I
C E
= i cum I
E
este
constant....Ct de constant este, ns, factorul la variaia tensiunii colector baz ? El variaz cam cu 10
-4

pe volt i cum noi am produs o variaie de 10 V, curentul de colector a crescut cam cu o miime din valoare lui,
cretere insesizabil cu un aparat de msur analogic (cu ac indicator) i la fel de insesizabil pe graficul
nostru).
Tranzistorul se comport la portul de ieire ca o surs de curent aproape ideal, aa cum este artat
n desenul c) al figurii. La o valoare a curentului de 1 mA, rezistena ei echivalent este de ordinul a
10V
I 10
10V
1mA 10
M
-3 -3
E

=
=10 O. Cum la aceeai modificare a tensiunii colector-baz variaia curentului este

proporional cu valoarea sa iniial, valoarea rezistenei este invers proporional cu valoarea curentului de
emitor.

I
C
(0)
C
B
I
C
V
CB
V
CB
(V)
I
C
(mA)
0 2 4 6 8 10
0
1
2
3
4
5
6
I
C
(0)
r
cb =
A
A
V
CB
I
C
V CB
(V)
I
C (mA)
0 2 4 6 8 10
0
1
2
3
4
5
6
a)
I
E = constant = 5 mA
V EB
= constant
b)
c)
r
cb
+
-

Fig. 4.4. Caracteristica de ieire i modelarea portului de ieire.


Ce s-ar fi ntmplat dac ne-am fi hotrt s pstrm, la portul de intrare, tensiunea emitor-baz
constant n locul curentului de emitor ? De data aceasta, n expresia I I
C E
= , s-ar fi modificat i i
valoarea I
E
a curentului de emitor iar caracteristica de ieire ar fi artat ca n Fig. 4.4 b), curentul de colector
modificndu-se aproximativ cu o zecime din valoarea sa atunci cnd tensiunea colector baz variaz de la zero
la 10 V. Cnd am discutat modificarea caracteristicii de intrare la variaia tensiunii de ieire am remarcat pe
graficul din Fig . 4.3 o variaie a curentului de emitor de 10%. Cum variaz extrem de puin, aceasta este
acum cauza principal a variaiei curentului de colector. Acum portul de ieire nu mai este aa de aproape de o
surs ideal de curent: rezistena sa dinamic, calculat tot la un curent de 1 mA este n jur de
10V
1mA 10
k
-1
= 100 O, performan ce este de 100 de ori mai modest dect n cazul n care menineam I
E

constant.
Cine pstreaz constant curentul de emitor n circuitele practice ?

I
B
I
C
I
E
+
_
+
_
E
a)
R
E
0.0 1.0 2.0 3.0 4.0 5.0 6.0 7.0
0
1
2
3
4
5
6
7
curentul de emitor (mA)
tensiunea emitor-baza (volti)
E
panta = -
1
R
E V
CB
b)
2 mV
noul PSF
dreapta de
sarcina
c)
M
N
+
-
0.1
C
(0)
I
C
(0)
I

Fig. 4.5. Modificarea PSF de la intrare la variaia tensiunii colectr-baz n cazul unui circuit
practic.

n circuitele practice nu se pstreaz nici tensiunea V
EB
constant (nu ne convine pentru c
performanele sunt modeste) i nici I
E
(ne-ar trebui o surs ideal de curent, or tocmai asta vrem s realizm
cu tranzistorul nostru). Jonciunea emitor baz este polarizat cu un circuit care conine o surs de tensiune E
i un rezistor cu rezistena R
E
, ca n Fig. 4.5 a). Punctul de funcionare (curentul de emitor i tensiunea emitor
baz) se gsete la intersecia caracteristicii cu dreapta de sarcin, care are panta A A I V R
E EB E
= 1 , aa
cum se vede n Fig. 4.5 b).


Metoda dreptei de sarcin a fost descris pe larg n Cap. 3 la pag. 66.
Pentru a urmri cum se modific acest punct de funcionare (PSF) la schimbarea tensiunii colector-
baz, cele mai comode sunt coordonatele liniare (desenul c al figurii). S presupunem c la V
CB
= 0 punctul
de funcionare se gsete la I
CB
( ) 0
. La creterea tensiunii colector baz la valoarea de 10 V, avem o nou
caracteristic de intrare: cunoatem dou puncte de pe aceasta, punctul M la 2 mV la stnga pe orizontal i
punctul M cu o zecime din I
CB
( ) 0
mai sus, pe vertical ca n desenul c) al figurii.
Este evident din figur c tensiunea emitor baz-emitor scade cu mai puin de 2 mV. Din acest motiv
vei ntlni n multe texte afirmaia c "tensiunea emitor baz scade cu 2 mV..."; aceasta trebuie neleas n
sensul cazului cel mai defavorabil: "tensiunea scade cu cel mult 2 mV..." Putem deduce imediat c valoarea
curentului de emitor crete cu mai puin de 2mV R
E
. Dac pe rezistena R
E
am fi acceptat s pierdem o
tensiune I R U
E
E RE
( ) 0
= , variaia relativ a curentului de emitor A I I
E
E
( ) 0
ar fi mai mic dect
2mV
U
RE
. Cu o
cdere de tensiune de 2 V pe rezistena din emitor (ceea ce nu constituie o problem), curentul de emitor crete
la variaia cu 10 V a tensiunii colector baz cu numai o miime din valoarea sa; efectul este de aceeai mrime
cu cel produs de variaia factorului .
n concluzie, la o variaie de 10 V a tensiunii colector baz, curentul de colector crete cu
0.2 - 0.5 %. Aceasta este performana pe care ne-o poate oferi sursa de curent realizat cu circuitul simplu din
Fig. 4.5 a). Dac o exprimm n termeni de rezisten dinamic a portului de colector, la un curent de 1 mA,
obinem o valoare n jur de 2 - 5 MO.
Rezistena dinamic obinut va fi, ns, invers proporional cu valoarea curentului.

1.E. Saturaia tranzistorului

Ce condiie trebuie s respectm pentru ca
portul colector-baz s se comporte ca o surs de
curent ? Din Fig. 4.4 a) rezult c dac tensiunea
colector baz este mai mare ca zero, totul este n
regul. Aceast tensiune nu poate depi o anumit
valoare maxim, peste care jonciunea colector-baz se
strpunge invers. Dar dac polaritatea tensiunii V
CB
se
schimb ? Jonciunea colector baz devine direct
polarizat i, dup depirea tensiunii de deschidere,
prin ea ncepe s treac un curent din ce n ce mai
mare, care are sensul invers celui determinat de
curentul de emitor. Astfel, curentul total de colector
ncepe s scad (Fig. 4.6), ajunge la zero, schimb
sensul i crete n continuare puternic (n valoare
absolut), deoarece devine dominant curentul de
conducie direct al jonciunii colector-baz.

n regiunea n care jonciunea colector-baz este deschis, numit regiune de saturaie, relaia I I
C E
=
nceteaz s mai fie respectat i curentul de colector nu mai este controlat de portul de intrare.
V CB
(V)
I
C
(mA)
-0.2 -0.8 -0.6 -0.4 0.0 0.2 0.4 0.6 0.8
-1
0
1
I
E
= 1 mA
jonctiunea colector-baza
polarizata direct
jonctiunea colector-baza
polarizata invers

Fig. 4.6. Caracteristica de ieie la inversarea
polaritii tensiunii colecor baz.


Pentru ca tranzistorul s se comporte sigur ca o surs de curent, tensiunea V
CB
trebuie s fie cuprins ntre
valoarea zero i valoarea V
CBmax
specificat de fabricant. Aceasta este compliana de tensiune a sursei de
curent realizat cu tranzistorul nostru.
Utilizarea unei surse de curent nu se face, ns, prin cuplarea direct la bornele sale a unei surse de
tensiune ci prin intercalarea unei sarcini care s beneficieze de curentul constant al sursei de curent, ca n Fig.
4.7 a). n general, parametrul care se modific este valoarea rezistenei de sarcin i vom analiza evoluia
punctului de funcionare prin metoda dreptei de sarcin.
a)
I
0 I
E
+
_
+
_
R
E
sarcina R
s
E
E
E
C
V CB (V)
I
C
(mA)
Rs = 0
Rs = E
C
I
0
Rs > E
C
I
0
Rs
=
-0.8 -0.4 0.0 0.4 0.8

0
1.2 1.6 2.0
M
N
O
E
C
I
0
b)
-

Fig. 4.7. Efectul modificrii rezistenei de sarcin cuplat la sursa de curent.

La polarizare invers a jonciunii colector baz, portul colector-baz se comport ca o surs de
curent de valoare I
0
. Pe de alt parte, intersecia cu axele ale dreptei de sarcin sunt situate la E
C
i E R
C s
.
Dac sarcina este un scurtcircuit ( R
s
= 0), dreapta este vertical i punctul de funcionare este n poziia M,
n regiunea unde portul colector-baz se comport ca o surs de curent. Pe msur ce rezistena de sarcin
crete, punctul de funcionare se deplaseaz spre stnga pe caracteristica de ieire a tranzistorului. Atunci cnd
R E I
s C
=
0
, toat tensiunea sursei E
C
cade pe rezistena de sarcin i tensiunea colector-baz ajunge la
valoarea zero (punctul de funcionare N); aici, nc portul de ieire se comport ca o surs de curent.
Creterea rezistenei de sarcin peste valoarea R E I
s C
=
0
duce, ns, la schimbarea polaritii
tensiunii colector-baz dei sursa de alimentare nu i-a modificat polaritatea (punctul O pe figur).
Jonciunea colector baz ncepe s devin direct polarizat i apoi se deschide.
Regimul de funcionare al tranzistorului cu ambele jonciuni deschise se numete regim de saturaie ;
n acest regim circuitul nceteaz s se mai comporte ca o surs de curent.
Cum structura tranzistorului este simetric, emitorul i colectorul avnd acelai tip de dopare iar ambele
jonciuni sunt deschise,

n regimul de saturaie potenialele colectorului i emitorului devin practic egale.

La creterea n continuare a rezistenei de sarcin, punctul de funcionare se deplaseaz n jos,
ajungnd la limita R
s
= (circuit ntreupt n colector) la valoarea I
C
= 0, aa cum era de ateptat. Trebuie
menionat c n regiunea de saturatie curenntul de colector nceteaz s mai fie controlat de curentul de emitor.


n concluzie,
pentru ca tranzistorul s se comporte ca surs de curent, rezistena de sarcin din colector trebuie s aib
valoarea ntre zero (scurtcircuit) i R E I
s C
=
0
.

1.F. Depirea dificultilor conexiunii baz comun

Am vzut c efectul fundamental al tranzistorului este controlul curentului de colector (independent
de tensiunea colector baz) de ctre curentul de emitor. Caracteristica de transfer I f V
C EB
V
CB
=
=
( )
const.

este una exponenial i, pentru a putea face acest lucru, jonciunea baz-emitor trebuie, mai nti, deschis
prin aplicarea unei tensiuni n jur de 0.6 V; aceasta stabilete un curent de repaus (quiescent n lb. englez).
Operaia este numit polarizare (bias n lb. englez). Peste regimul de repaus se adun, apoi, mici variaii
provocate de o surs de semnal (de exemplu, un microfon) care modific puin tensiunea emitor-baz
A A V r I
EB be E
= , aa cum se observ n Fig. 4.8. Modificarea curentului de colector A A I I
C E
= provoac,
datorit valorii mari a rezistenei R
C
(mult mai mari dect a rezistenei dinamice r
eb
egal cu cteva zeci de O
), variaii ale tensiunii de colector de sute de ori mai ample dect ale tensiunii de intrare.
I
B
I
E
I
C
I
E
+
_
+
_
0.6 V
30 V
~ V
s
+5 mV
-5 mV
0
Vs
R
C
10 kO
15 V
V
C
3 V

Fig. 4.8. Amplificarea variaiilor tensiunii de intrare.

Tranzistorul este, fr ndoial un consumator de energie. Cu toate acestea, dac lum n
consideraie numai variaiile, acestea au la ieire o putere electric mai mare dect cea de la intrare; diferena
este, desigur, furnizat de sursa de alimentare din colector, tranzistorul controlnd numai modul n care aceast
energie este furnizat sarcinii. Pentru c reuete s "amplifice" puterea semnalului variabil, tranzistorul este
considerat n electronic un element activ de circuit. Nu trebuie s uitm, ns, c acest lucru este aparent i
valabil numai pentru variaii.
Circuitul din Fig. 4.8 prezint, ns, inconveniente majore, ce afecteaz att sursa de tensiune
continu necesar pentru polarizare ct i sursa de semnal. n ceea ce privete polarizarea, cele dou surse de
tensiune continu au polariti opuse fa de borna lor comun i va trebui obligatoriu s construim dou
surse de alimentare diferite. Aceast variant este complet neeconomic i este evitat prin deplasarea sursei
de polarizare lng terminalul bazei, ca n Fig. 4.9 a). Pentru a pstra 25 V ntre colector i baz, cretem cu
0.6V tensiunea sursei din ochiul colectorului. Aceasta dac suntem exagerat de scrupuloi; putem la fel de bine


s nu o facem deoarece tim c o variaie de 0.6 V a tensiunii colector baz nu afecteaz practic funcionarea
tranzistorului. n acest mod, am reuit s facem ca ambele surse de tensiune continu s fie legate cu borna
negativ la mas; putem s construim o singur surs de alimentare de 25 V, iar tensiunea de 0.6 V s o
realizm cu un divizor rezistiv, ca n desenul b) al figurii. Mai mult, acum curentul care strbate sursa este
curentul de baz. Merit s exprimm valoarea acestuia

I I I I I
B E C E C
= = ~ ( ) ( ) 1 1 ; (4.9)

cum este foarte aproape de unitate, factorul ( ) 1 are valori sub 1 100. n consecin, sursa de polarizare
va trebui s debiteze un curent sub o zecime de mA, uurnd astfel realizarea divizorului rezistiv. Aceasta este
ntodeauna soluia aleas n circuitele practice.

I
B
I
E I
C
I
E
foarte mic
+
_
0.6 V
25.6 V
+
_
a)
I
B
I
E I
C
I
E
+
_
0.6 V
25 V ~ V
s
polarizare
semnal
c)
I
B
I
E I
C
I
E
+
_
0.6 V
25 V
+
_
polarizare
semnal
d)
I
B
I
E I
C
I
E
+
_
0.6 V
25 V
-
+
0.1 mA
1 mA
R
C
R
1
R
2
b)
~ V
s
+
_

Fig. 4.9.
S ne ocupm acum i de sursa de semnal, care produce variaia curentului de colector. Pe circuitul
cu baz comun (Fig. 4.8) sursa de semnal trebuie s debiteze cureni A A I I
E C
= egali cu cei pe care i
controleaz. Cu alte cuvinte, dac dorim s controlm curentul de nclzire de 10 A al unui cuptor, va trebui s
avem o surs de semnal capabil s vehiculeze i ea 10 A. Cam neplcut, nu ? Rezolvarea dificultii se face
deplasnd i sursa de semnal lng terminalul bazei, ca n Fig. 4.9 c). Curentul de intrare este acum curentul de
baz, curentul cerut de la sursa de semnal fiind de o sut de ori mai mic dect nainte. Putem acum controla
curentul de 10 A ai cuptorului cu un curent de numai 0.1 A; l putem obine chiar i de la o baterie de lantern.
n noua configuraie, n care emitorul este comun, curentul de colector este controlat de curentul de
baz. Dependena se obine simplu, din legea curenilor i I I
C E
=


I I I
C B B
=

1
. (4.10)

Deoarece aceast conexiune este de departe cea mai utilizat, factorul , numit factor de amplificare n curent
n conexiunea emitor comun, este parametrul interesant n aplicaii.
Exist, ns, aplicaii unde conexiunea cu baz comun ofer anumite avantaje. n aceste cazuri, dei
sursa de polarizare s-a deplasat lng terminalul bazei, sursa de semnal rmne n ochiul emitorului (Fig. 4.10
d).

1.G. Surse de curent cu tranzistoare bipolare

I
B
I
C
I
E
+
_
+
_
a)
R
E
I
B
I
C
I
E
+
_
R
E
sarcina sarcina
E
E
E
E
E
C
E
C
b)
+
_

Fig. 4.10 a) i b). Sursa de curent cu tranzistor NPN.
Am vzut c dac polarizm jonciunea emitor-baz trecnd curentul de emitor printr-un rezistor pe
care pierdem civa voli, portul de ieire dintre colecor i baz se comport ca o surs de curent cu rezistena
echivalent de ordinul MO. S relum schema circuitului, ca n Fig. 4.10 a) unde am desenat i o sarcin, care
nu este neaprat liniar i care se poate modifica n timp. Circuitul prezint un inconvenient pe care tocmai l-
am discutat: cele dou surse au polariti diferite fa de borna comun (baza). Utilizm trucul prezentat acolo,
deplasnd una din surse de-a lungul ochiului de circuit, ca n desenul b) al figurii. Realizm apoi aceast surs
cu un divizor rezistiv (Fig. 4.10 c). Nu mai rmne dect s redesenm schema mai elegant, cu linia de potenial
ridicat n partea de sus a figurii, s alegem ca nod de mas borna negativ a sursei de alimentare i, n final, s
renunm la desenarea explicit a sursei de alimentare, trecnd doar valoarea ei. Ceea ce am obinut (desenul d)
este configuraia tipic n care vei gsi n scheme sursa de curent cu tranzistor NPN.
Va trebui s nvtai s o desenai n aceast form i s nelegei funcionarea sa n aceast
form. Aceasta este extrem de simpl: curentul de baz fiind foarte mic, divizorul format din rezistoarele R
1

i R
2
este practic nencrcat i menine constant tensiunea notat pe schem cu U
2
. Cum i tensiunea emitor
baz este practic constant, rezult c tensiunea pe rezistorul din emitor este constant, deci curentul de
emitorul este meninut constant. n final nu trebuie dect s v amintii c valoarea curentului de colector este
practic egal cu aceea a curentului de emitor:

const. const. const.
const.
const.
1
= = =
)
`
=
=
C E RE
EB
I I U
V
U


c)
I
B
I
C I
E
+
_
sarcina
V
alim
R
E
R
1
R
2
I
C
I
E
sarcina
sarcina
V
alim
R
E
R
1
R
2
V
alim
complianta de tensiune : V
C
V
E
< s V
alim
+
+
+
_
U
2
d)
+
-
0.6 V

Fig. 4.10 c) i d). Sursa de curent cu tranzistor NPN, realizare practic.

i acum, merit s ne aducem aminte c
exist i tranzistoare bipolare PNP la care
sensurile tensiunilor i curenilor sunt inverse fat
de cele de la tranzistoarele NPN. Cu un asemenea
tranzistor NPN, sursa de curent arat ca n Fig.
4.11. ntre cele dou surse de curent exist o
deosebire esenial: sursa cu tranzistor PNP
debiteaz curent nspre nodul de mas (fiind
legat cu o born la alimentarea pozitiv) n timp
ce sursa cu tranzistor NPN absoarbe curent
nspre nodul de mas, fiind legat cu o born la
mas. Din acest motiv, aceasta din urm se mai
numete uneori n limba englez "current sink"
(absorbant de curent).
Trebuie s ne ntrebm, pentru aceste
surse, ct de mare este compliana de tensiune. Pe
de o parte potenialul colectorului poate s ajung
pn la borna sursei de alimentare, cea de mas n circuitul cu tranzistor PNP i, respectiv, cea de potenial
pozitiv n circuitul cu tranzistor NPN. Pe de cealalt parte, excursia acestui potenial este limitat de intrarea
n saturaie a tranzistorului, prin deschiderea jonciunii colector baz. n amndou circuitele, indiferent de
tipul tranzistorului, la saturaie potenialul colectorului devine practic egal cu cel al emitorului, aceasta fiind a
doua limit a domeniului permis pentru potenialul colectorului.
Procedur de proiectare
Cum proiectm o surs de curent cu tranzistor NPN ca cea din Fig. 4.10, alimentat la 12 V i care
s debiteze un curent I
0
2 = mA ? Mai nti ne hotrm ct de mare s fie tensiunea pierdut pe rezistena din
emitor. Dac va fi prea mic, sursa va fi mai departe de idealitate, deoarece aa cum am vzut cnd am
discutat caracteristica de ieire, curentul de emitor va suferi variaii mai mari. Pe de alt parte, dac aceast
I
C
I
E
sarcina sarcina
V
alim
R
E
R
1
R
2
V
alim
C
V
E
< s 0
+
_
U
1
+
-
+
-
U
EB

Fig. 4.11. Surs de curent cu tranzistor PNP.


cdere de tensiune va fi prea mare, va diminua compliana de tensiune a sursei de curent. Astfel, o tensiune de
1- 2 voli pierdut pe rezistena din emitor este o alegere rezonabil.
Cunoatem, deci, potenialul emitorului. Din legea lui Ohm rezult imediat valoarea rezistenei din
emitor

R V I
E E
= =
0
2 V 2 mA = 1 kO.

Tot din potenialul emitorului rezult potenialul bazei, cu 0.6 V mai ridicat,

V V
B E
= + 0.6 V = 2.6 V.

Mai rmne s proiectm divizorul rezistiv. Cum valoarea curentului de baz va fi cam de
I I I
B
= ~
0 0
100 , valoarea curentului prin divizor va trebui s fie de cel puin 10 ori mai mare, adic
I
0
10. Rezult, astfel, suma celor dou rezistene

R R V I
1 2 0
10 60 + < =
alim
kO.

Raportul celor dou rezistene se obine cu regula de trei simpl, din raportul tensiunilor care cade pe ele

R
R
V V
V
B
B
1
2
3 6 =

= =
alim
9. 4 V
2.6 V
. .

Putem opta, de exemplu, pentru valorile R R
2 1
3 = = 12 k ; 4 k O O, care sunt standardizate.
n Fig. 4.12, avei reprezentat sugestiv procedura de proiectare pe care am utiliazt-o.

I
0
V
E
sarcina
V
alim
R
E
R
1
R
2
C
V
E
< s V
alim
+
1. alegem potentialul V
E
de 1-2 volti
2. R
E
V
E
I
0
=
3. V
E
=
V
B
+ 0.6 V
V
alim
R
1
+ R
2
< 10 I
0
R
1
R
2
= V
alim
V
B
- 1
4.
V
B

Fig. 4.12. Procedura de proiectare a unei surse de curent cu tranzistor NPN.



-Tranzistorul bipolar cu jonciuni (BJT) este constituit din trei regiuni semiconductoare,
emitorul, baza i colectorul. Tipul de dopare al emitorului i al colectorului este diferit de cel al bazei,
care este foarte subire. Apar astfel, dou jonciuni, emitor-baz i colector-baz.
-Dup tipul regiunilor, exist tranzistoare PNP i tranzistoare NPN, pentru care se utilizeaz
simbolurile
B
E
C
PNP
i
B
E
C
PNP
. Sgeata arat ntodeauna sensul n care conduce
jonciunea emitor baz; de aici putei determina uor sensurile curenilor de emitor i de baz.
-Funcionarea tranzistorului n regiunea activ normal este cu jonciunea emitor-baz direct
polarizat (deschis) iar jonciunea colector-baz invers polarizat.
-n aceast situaie I I
C E
= , curentul de colector fiind practic egal cu cel de emitor (cu o
precizie n jur de 1 %); putei, de aici, s gasii sensul curentului de colector, dac cel de emitor intr n
tranzistor, cel de colector trebuie s ias i reciproc (din legea curenilor).
- n conexiunea cu baza comun, portul de intrare este ntre emitor i baz iar portul de ieire
este ntre colecor i baz: baza este, astfel, comun celor dou porturi.
- Portul de intrare se comport ca o diod, caracteristica sa fiind foarte puin afectat de
valoarea tensiunii de ieire (colector baz).
- La portul de ieire, tranzistorul se comport ca o surs de curent comandat de starea portului
de intrare. Comportarea este foarte apropiat de aceea a unei surse de curent constant ideale dac se
menine constant curentul de emitor. n circuitele practice, n care polarizarea jonciunii emitor baz se
face cu o surs de tensiune i un rezistor, performanele nu sunt mult nrutite, rezistena echivalent
avnd valori de ordinul M.
- Dac rezistena sarcinii are valori prea mari, tranzistorul ajunge n regiunea de saturaie, unde
jonciunea colector baz se deschide i relaia I I
C E
= nu mai este respectat.
- Circuitele cu tranzistoare PNP i respectiv NPN, cu care se realizeaz n practic surse de
curent au configuraiile:

I
0
sarcina
V
alim
R
E
R
1
R
2
PNP
tranzistor
sarcina
V
alim
R
E
R
1
R
2
NPN
tranzistor
I
0

-Cel cu tranzistor PNP trimite spre mas un curent constant pe cnd cel cu tranzistor NPN
absoarbe nspre mas un curent constant.


Termeni noi

-tranzistor bipolar cu jonciuni dispozitiv semiconductor constituit din trei regiuni, emitorul, baza
i colectorul ntre care se formeaz dou jonciuni, emitor-baz i
colector-baz; baza trebuie s aib grosimea foarte mic i s fie
mult mai slab dopat;
-tranzistoare PNP tranzistoare bipolare cu jonciuni la care emitorul i colectorul sunt
de tip p iar baza de tip n;
-tranzistoare NPN tranzistoare bipolare cu jonciuni la care emitorul i colectorul sunt
de tip n iar baza de tip p;
-factorul factorul de proporionalitate ntre curentul de colector i cel de
emitor, n funcionare normal (factor de amplificare n curent n
conexiunea baz comun); are valori ntre 0.95 i 0.995;
-port pereche de borne ntre care se aplic sau se extrage un semnal de
tensiune;
-conexiunea baz comun configuraia n care tranzistorul bipolar este legat astfel nct baza
s fie comun att portului de intrare (emitor-baz) ct i celui de
ieire (colector-baz)
-caracteristic de intrare dependena curent-tensiune la portul de intrare, n condiii ale
portului de ieire bine precizate (adesea tensiune constant);
-caracteristic de ieire dependena curent-tensiune la portul de ieire, n condiii ale
portului de ieire bine precizate (adesea tensiune constant sau
curent constant);
-conexiunea emitor comun configuraia n care tranzistorul bipolar este legat astfel nct
emitorul s fie comun att portului de intrare (baz-emitor) ct i
celui de ieire (colector-emitor);
-factorul factorul de proporionalitate ntre curentul de colector i cel de
baz, n funcionare normal (factor de amplificare n curent n
conexiunea emitor comun); are expresia = ( ) 1 avnd
valori peste o sut;
- saturaie regim de funcionare al tranzistorului n care jonciunea colector-
baz ajunge s fie deschis; n acest regim curentul de
colector nu mai este controlat de curentul de emitor;
- polarizarea tranzistorului stabilirea unui regim de curent continuu, prin deschiderea
(bias)jonciunii baz-emitor, regim peste care se suprapun apoi
variaiile ce reprezint semnalul care conine informaia;
- curent de repaus curentul regimului de curent continuu produs de polarizare; poate
(quiescent) fi msurat n absena variaiilor produse de sursa de semnal;


Probleme rezolvate

Problema 1.
Circuitul din Fig. 4.13 este o surs de curent. Schema este desenat aa cum o putei ntlni n
textele de electronic i pentru a o nelege trebuie s facem cteva precizri asupra conveniilor utilizate de
electroniti. n primul rnd, observm o mulime de elemente legate cu un capt la un simbol de forma ;
este simbolul pentru nodul de mas, toate aceste puncte sunt legate ntre ele prin firul (sau planul) de mas
care nu se mai deseneaz explicit pentru a nu complica schema. O alt deosebire fa de schemele desenate
de noi pn acum apare n privina surselor de alimenatre care nu se mai deseneaz nici ele explicit, cu
simbolurile corespunztoare lor. Cum ele sunt legate ntodeauna cu un capt la mas, se deseneaz pur i
simplu un cercule (dac se mai deseneaz i acela) i se scrie valoarea tensiunii sursei, fa de mas. Ultima
observaie este legat de valoarea rezistenelor: atunci cnd se utilizeaz un prefix (kilo sau mega) nu se mai
trece simbolul O. De multe ori, aa cum se ntmpl la marcarea rezistoarelor, prefixul nlocuiete delimitatorul
zecimal: 2k2 nseamn 2.2 kO iar M22 nseamn 0.22 MO.

I
0
sarcina
V
alim
R
E
R
1
R
2
15 V
10 k
4.7 k
5.1 k
a)
I
0
sarcina
V
alim
R
E
R
1
R
2
15 V
10 k
4.7 k
5.1 k
b)
I
E
I
B
10.2 V
+
-
10.8 V
+
-
0.82 mA
0.82 mA

Fig. 4.13. Surs de curent.
a) Calculai valoarea curentului furnizat de aceast surs. tiind c tranzistorul are factorul de cel
puin 100.
b) Modificai apoi circuitul astfel nct s obinei o surs de curent de 5 mA.

Rezolvare

a) Desenm sensurile curenilor, ca n Fig. 4.13 b). Pentru aceasta ne aducem aminte c sensul
sgeii de pe simbolul tranzistorului ne d sensul curentului n jonciunea baz emitor. Avem, deci, sensul
curentului de baz i al celui de emitor. Curentul intr n emitorul tranzistorului i, cum curentul de colector
este practic egal cu cel de emitor, curentul de colector iese din tranzistor.
Divizorul format din rezistenele R
1
i R
2
determin potenialul bazei. Trebuie s aflm, mai nti
dac putem s considerm c el este practic nenccat de curentul cerut de baz. Pentru aceasta estimm rapid
curentul de baz. Curentul de colector (egal practic cu cel de emitor) nu poate fi mai mare de
15 3 V 5.1 k mA O ~ (ar lua aceast valoare dac pe sarcin i ntre colector i emitor nu ar cdea de loc


tensiune). Deoarece I I
B C
= i > 100, rezult c, n funcionare normal,
I
B
< = 3 mA 100 mA = 30 A 0 03 . . Pe de alt parte, prin divizorul nencrcat ar circula un curent de
15 4 7 1 V (10 k k mA O O + ~ . ) . Acesta este mai mare de 1 0 03 33 . ~ ori dect curentul cerut de baza
tranzitorului. Cu o aproximaie rezonabil (1 33 3 ~ %) putem considera c divizorul nu este ncrcat de
curentul bazei.
Cu aceasta, potenialul bazei rezult aplicnd regula de trei simpl

V
B
=
+

10
10 4 7
15
k
k k
V = 10.2V
O
O O .
;

cel al emitorului fiind cu aproximativ 0.6 V mai sus

V
E
= 10 8 . V.

Nu mai avem dect s aplicm legea lui Ohm pe rezistena R
E

I
V V
R
E
a E
E
=

= =
lim
.
15
0 82
V -10.8 V
5.1 k
mA
O

i s ne aducem aminte c n colector curentul este egal practic cu cel din emitor

I I
C E
= = 0.82 mA.

b) Trebuie s modificm circuitul astfel nct sursa de curent s debiteze 5 mA. Avem dou variante,
fie modificm divizorul rezistiv, fie modificm valoarea rezistorului din emitor. Cea de-a dou este mai
tentant, att calculele ct i nlocuirea efectiv fiind mai simpl, deoarece este vorba de o singur rezisten.
Cum valoarea sursei de curent este egal cu intensitatea curentului din emitor, scriem din nou legea lui Ohm pe
rezistena R
E

I
V V
R R
E
a E
E E
=

= 5
15
mA =
V -10.8 V
lim

de unde rezult R
E
= 0. 84 k = 840 O O.
n aceste condiii, curentul de baz ajunge 0.05 mA, de 20 de ori mai mic dect curentul prin divizor,
care poate fi considerat n continuare nencrcat. Valoarea 840 O nu este standardizat n seria E12 (vezi
Anexa 1), cea mai apropiat fiind cea de 820 O. Cu ea sursa de curent debiteaz 5.1 mA; dac dorim s avem
o valoare mai precis, innd seama i de faptul c noi am fcut n calcul o seam de aproximaii (divizorul
nencrcat, tensiunea emitor baz egal cu 0.6 V), cel mai bine este s realizm rezistorul R
E
dintr-o
combinaie serie: o rezistena semireglabil de 250 O (mai mic este greu de gsit) i una fix, standardizat,
de 680 O. n acest fel, valoarea lui R
E
va putea fi ajustat ntre 680 O i 930 O "la cald", n timp ce msurm
cu un miliampermetru curentul furnizat de sursa de curent.


Problema 2.

Circuitul din Fig. 4.14 este utilizat ntr-un amplificator de anten pentru recepia de televiziune,
funcionnd n banda FIF, canalul 6 (aproximativ 175-180 MHz). Alimentarea este realizat cu o surs de
6 V, legat cu minusul la mas i cu borna pozitiv la captul comun al rezistenelor R
1
i R
2
.

I
B
I
E
I
C
R
1
+6 V
out in
C
1
C
2
C
3
C
4
C
5
C
6
R
2 R
3
R
4
1k
1k
2.2k
2.2k
1 nF
1 nF
3.3 pF
5.6 pF
5.6 pF
33 pF
L
1
L
2

Fig. 4.14. Amplificator de anten TV.
a) Determinai, cu aproximaie de cteva procente, punctul static de funcionare al tranzistorului.
Calculai, apoi, rezistenele dinamice ale porturilor emitor-baz i colector-baz. Tranzistorul este cu siliciu i
putem miza pe un factor de amplificare n curent de cel puin 50 (tranzistoarele de nalt frecven au factori
de amplificare mai mici).
b) ncercai s explicai rolul fiecruia dintre condensatoarele C C
1 6
. (numai pentru curioi,
ceilali pot omite acest punct la prima lectur).

Rezolvare

a) Rezistoarele R
2
i R
3
formeaz un divizor rezistiv; n absena curentului de baz, ele ar fi
parcurse de un curent de 6 V 4. 4 k = 1. 4 mA O . Este curentul de baz suficient de mare pentru a modifica
semnificativ aceast situaie ? l putem estima imediat: curentul de emitor ar avea valoarea maxim dac
potenialul emitorului s-ar duce la cea mai cobort valoarea posibil, adic la zero (la mas). n acest caz el ar
fi 6 V 6 mA R
1
= , iar curentul de baz ar avea valoarea 6 mA 0.12 mA = . El ar fi, astfel, sub o zecime
din curentul de 1.4 mA care parcurge divizorul: efectul cuplrii bazei tranzistorului n nodul comun al
rezistenelor R
2
i R
3
poate fi neglijat n aproximaia n care lucrm. Cel care a proiecat circuitul tia ce
face, spre deosebire de muli autori de culegeri de probleme.
Astfel, am ajuns la un prim rezultat: potenialul bazei este la jumtate din tensiunea de alimentare,
adic la + 3V (regula de trei simpl aplicat pe divizorul rezistiv), V
B
= +3 V. Cum colectorul este legat n
curent continuu direct la mas prin bobina L
1
, potenialul su este nul, V
C
= 0, i jonciunea colector baz
este invers polarizat, aa cum este necesar pentru a avea tranzistorul n regiunea activ.
De aici lucrurile devin att de simple c pot prea plictisitoare: jonciunea emitor baz este polarizat
direct i tranzistorul este cu siliciu, deci potenialul emitorului este cu 0.6 V mai sus, V
E
= +3. 6 V. Legea lui
Ohm aplicat pe R
1
conduce imediat la I
R
E
=

=
6V 3. 6V
mA
1
2 4 . i, deoarece curentul de colector este
egal cu acesta, I
C
= 2. 4mA.


ntruct factorul nu este cunoscut cu precizie, tiind despre el c este pe undeva peste 50, curentul
de baz poate fi numai estimat I
B
< 5 ~ 2. 4mA 0 mA 0 05 . . Aceasta nseamn mai puin de 4% din curentul
divizorului; cam cu att ne-am nelat cnd am calculat potenialul bazei.
n ceea ce privete rezistena dinamic a portului emitor-baz r d V d I
dEB EB E
= , calculat n
jurul punctului de funcionare determinat anterior I
E
= 2 4 . mA, ea rezult simplu din formula
r V I
dEB T E
= = ~ 25mV 2. 4mA 10O. Pentru rezistena dinamic dintre colector i baz nu putem s
facem dect o estimare. Contribuia factorului , conform celor spuse la seciunea C, va fi
10 4 M 2. 4 M O O ~ . n plus, variaia curentului de emitor datorat variaiei lui V
EB
va mai produce un efect
ce poate fi modelat cu o rezistena dinamic tot de aproape 4 MO (cderea de tensiune pe rezistena din
emitor este de 2.4 V, aproximativ egal cu cea din exemplul discutat la seciunea 1.C). Cele dou rezistene
apar n paralel (sunt dou variaii de curent, produse de dou mecanisme diferite, care se adun), aa c
rezistena dinamic ntre colector i baz va fi pe undeva pe la 2 MO.

Observaie: n funcionarea amplificatorului, la frecvene mari, n paralel cu aceste rezistene
dinamice (calculate pentru variaii cuasistatice) trebuie considerate capacitile echivalente emitor-baz i
colector-baz. Cea dintre emitor i baz nu conteaz pentru c este n paralel cu o rezisten dinamic
foarte mic (10 n cazul nostru) dar cea dintre colector i baz are un rol esenial n funcionare. Pentru
un tranzistor de nalt frecven aceasta este de ordinul a 0.5 pF. Astfel, la frecvena de lucru de 180 MHz,
ea are o reactan de numai 1.8 k..

b) Am vzut c, pentru a putea amplifica, tranzistoarele bipolare trebuie polarizate, adic aduse ntr-
un anumit punct static de funcionare caracterizat prin valorile curenilor i potenialelor de repaus. Cnd
circuitul conine mai multe etaje, polarizarea se rezolv (n general) separat pentru fiecare etaj. Ce trebuie s
facem pentru ca, la cuplarea etajelor ntre ele, rezultatul efortului nostru de a polarizara etajele s nu se
spulbere? S mpiedicm curentul continuu s circule ntre diferite etaje. Variaiile (semnalul), care trebuie
amplificate, trebuie, totui s treac. Acest rol l ndeplinesc condensatoarele de separare C
1
i C
6
.
Condensatorul C
2
este cuplat ntre alimentarea pozitiv i mas, adic ntre terminalele sursei de
alimentare. El ne amintete de condensatorul de filtraj care avea rolul s furnizeze consumatorului variaiile
brute de curent. La frecvena de lucru, inductanele firelor care merg la sursa de alimentare nu pot fi neglijate
i ele se comport ca nite ocuri mpiedicnd variaiile rapide ale curentului. Din acest motiv aceste variaii
trebuie furnizate de undeva din apropierea tranzistorului, cu un condensator capabil s lucreze la frecvene
mari (cu inductan proprie foarte mic): acesta este rolul lui C
2
, care de multe ori este unul fr terminale.
Condensatoarele C
4
i C
5
sunt legate n paralel pe nite inductane, formnd nite circuite
rezonante. Aceasta deoarece circuitul este destinat s amplifice numai o band ngust de frecvene.
A mai rmas condensatorul C
3
. Pentru a nelege rolul lui trebuie s ne ntrebm mai nti ce fel de
configuraie are amplificatorul, cu emitorul comun sau cu baz comun. Pentru a rspunde la ntrebare,
cutm bornele de intrare i ieire ale semnalului (variaiilor). Ieirea este legat, prin transformatorul
L
1
L
2
, n colector, aa cum ne ateptam (ntodeauna curentul de colector este mrimea controlat la un
tranzistor bipolar). Borna de intrare, prin C
1
, este legat n emitor. A mai rmas un singur terminal, baza.
Amplificatorul este, deci, cu baz comun. Acest terminal trebuie inut la potenial constant, pentru ca acolo
variaiile s fie nule i variaiile de la intrare (ale potenialului V
E
) s se regseasc integral n variaiile
tensiunii emitor baz (A A A A A V V V V V
EB E B E E
= = = 0 ) deoarece tranzistorul este controlat de
tensiunea emitor-baz. Pentru a ine practic constant potenialul bazei, dei curentul de baz variaz n timp,
soluia este legarea unui condensator ntre baz i mas. Datorit rezervei sale de sarcin, el va furniza
variaiile de curent fr s-i modifice semnificativ tensiunea de ncrcare. Acesta este rolul condensatorului


C
3
. El scurtcircuiteaz, numai n curent alternativ, baza la mas i este numit n jarrgonul electronitilor
condensator de decuplare.


Probleme propuse

P 4.1.1. Un coleg a nceput desenarea unei scheme, pe care nu
a mai continuat-o, astfel c multe informaii lipsesc (Fig. 4.15). tiind
c simbolurile pentru tranzistoare au fost utilizate corect i c
tranzistorele se gsesc n regiunea normal de funcionare, completai
schema cu polaritatea surseei de alimentare i sensurile curenilor prin
terminalele tranzistoarelor. De ce tip sunt tranzistoarele ?
P 4.1.2. De fapt, colegul vostru a nceput s deseneze mai
multe scheme; aa c mai avei de lucru. Completai i schema din
Fig. 4.16 a), cu aceleai informaii ca la problema precedent.

T
R
s
sarcina
4.7 k
560 O
15 V
T
1
R
E1
T
2
R
E2
R
B1
R
B2
R
s
20 V
a) b)

Fig. 4.16.

P 4.1.3 i, n sfrit, ultima schem,care trebuie completat cu polaritatea sursei de alimentare i
sensurile curenilor: aceea din Fig. 4.16 b).
P 4.1.4. Reluai schema din Fig. 4.16 a) pe care tocmai ai completat-o. Ai recunoscut ce este ?
tiind c cele trei diode sunt din siliciu, calculai potenialul din baza tranzistorului. Determinai apoi
potenialul emitorului i curentul din emitor. Ct este curentul din colector ? Dac nu ai recunoscut de la
nceput ce este circuitul, aceasta este ultima ans: a intervenit n calcularea curentului de colector mrimea
rezistenei de sarcin ? Ce semnificaie are acest lucru ?
P 4.1.5. n circuitul de la problema precedent, nlocuii cele trei diode cu un rezistor, astfel nct
valoarea curentului de colector s rmn nemodificat. Pentru tranzistor putei conta pe un factor de cel
puin 100.
P 4.1.6. Avei dou circuite care ndeplinesc aceeai funcie. Considerai acum c tensiunea de
alimentare are o variaie de 10 % i determinai efectul asupra curentului de colector, pentru fiecare din
circuite. Formulai o concluzie.
P 4.1.7. Utiliznd un tranzistor NPN cu factorul mai mare dect 100 i o surs de alimentare de
12 V, proiectai o surs de curent care s absoarb spre mas un curent de intensitate 5 mA. Stabilii
T
1
10 V
T
2

Fig. 4.15.


potenialul bazei cu un divizor rezistiv, ca n procedura de proiectare din Fig. 4.12.. Determinai compliana de
tensiune a sursei proiectate.
P 4.1.8. Reluai aceeai problem de proiectare dar rezolvai stabilirea potenialului bazei cu trei
diode n serie, inspirndu-v din Fig. 4.16 a)
P 4.1.9. Am vzut c la modificarea tensiunii colector baz,
valoarea curentului de colector nu rmnea perfect constant din dou
motive: variaia lui cu V
CB
i variaia curentului de emitor cu V
CB
.
Apropierea maxim de sursa de curent ideal avea loc dac valoarea
curentului de emitor putea fi meninut constant. Circuitul din
Fig. 4.17 ncearc s fac acest lucru. Mai nti, neglijnd curenii bazelor,
calculai potenialele celor dou baze. Determinai apoi potenialele
emitoarelor i, n final, curenii de emitor i colector ai celor dou
tranzistoare.
P 4.1.10. Cu o valoare a rezistenei de sarcin de 5 kO,
determinai potenialul de colector al tranzistorului T
1
. S presupunem,
acum, c rezistena de sarcin se modific, schimbnd potenialul de
colector tocmai calculat. ntre ce limite se poate modifica aceast
rezistena, fr s aduc tranzistorul T
1
n saturaie ?
P 4.1.11. Afecteaz variaia rezistenei de sarcin tensiunea
colector baz a tranzistorului T
2
? Ce putei spune, n aceste condiii
despre variaia curentului su de colector ?
P 4.1.12. Afecteaz variaia rezistenei de sarcin tensiunea colector baz a tranzistorului T
1
?
Considernd c potenialul colectorului a efectuat ntreaga variaie permis fr a aduce tranzistorul n
saturaie, ncercai s estimai variaia curentului su de colector. Nu uitai c n emitorul su curentul este
exact curentul de colector al tranzistorului T
2
.
P 4.1.13. ncercai o comparaie ntre performanele sursei de curent cu un singur tranzistor i
performanele sursei de curent perfecionate pe care tocmai ai analizat-o.
V
alim
T
1
T
2
+20 V
sarcina
5 k
5 k
10 k
4.3 k

Fig. 4.17.



Pregtirea experimentelor

+
_
V
A2
+
_
R
E
mA
V
I
mA
I
C
0 ... 10 V
V
A1
aparat
I
E C
B
V
tranzistor
PNP
6 V
500 O

Fig. 4.18. Circuit pentru trasarea caracteristicilor statice.
Desenai-v pe caiet circuitul din Fig. 4.18, pe care l vei utiliza pentru trasarea caracteristicilor
statice. Determinai sensurile curenilor i polaritile necesare pentru aparatele de msur i completai
schema cu aceste informaii. Realizai apoi circuitul.
Sursa V
A2
, legat direct ntre colector i baz, va menine constant tensiunea V
CB
iar
miliampermetrul va msura valoarea curentului de colector. Sursa V
A1
i rezistena R
E
vor asigura
deschiderea jonciunii emitor-baz. Pentru controlul mai fin al punctului de funcionare a mai fost montat un
poteniometru pe planet. Voltmetrul msoar tensiunea tensiunea V
EB
ntre baz i emitor. Cunoscnd
tensiunea de deschidere (tranzistorul este cu siliciu), stabilii scala pe care va trebui utilizat voltmetrul i notai
aceasta pe schema desenat.
Pentru determinarea curentului de emitor a fost intercalat un miliampermetru. El nu msoar ns
curentul de emitor ci suma dintre acesta i curentul prin voltmetru

I I
V
R
aparat E
EB
V
= + ;

dac al doilea termen este semnificativ, va trebui s facei corecia necesar.

Determinai rezistena voltmetrului, decuplnd emitorul tranzistorului (legnd miliampermetrul
numai la voltmetru) i ajustnd sursa V
A1
astfel nct tensiunea pe voltmetru s fie pe scala de 1V, acolo
unde voltmetrul va fi utilizat. Comparai valoarea aflat cu cea nscris pe aparat.


Experimentul 1. Caracteristica de intrare

Caracteristica de intrare este dependena curentului de emitor n fncie de tensiunea baz-
emitor. Ea trebuie trasat meninnd constant tensiunea colector-baz, care este parametrul la care se
traseaz caracteristica.
Vei modifica valoarea curentului de emitor ntre 0 i 10 mA. Stabilii la 10 V tensiunea V
CB
i apoi
variai polarizarea jonciunii emitor-baz, observnd deschiderea jonciunii emitor-baz i faptul c ea
controleaz curentul de colector. nainte s trasai caracteristica, determinai aproximativ tensiunea de
deschidere. Pentru a trasa caracteristica de intrare n scar liniar, determinai 10-12 puncte experimentale,
pe ct posibil cu valori I
E
echidistante. Msurai, n acelai timp, i valorile curentului de colector, trecnd
datele ntr-un tabel de forma

V
EB
(V) I
aparat
(mA) I V R
V EB V
= (mA) I I I
E aparat V
= (mA) I
C
(mA) = I I
C E

0 0 0 0 0

Completai apoi tabelul, fcnd msurtori la valori mult mai mici ale curenilor. Utilizai, pentru
valorile curentului de emitor, secvena 1 mA, 0.5 mA, 0.2 mA, 0.1 mA, 0.05 mA, 0.02 mA, 0.01 mA, 0.005
mA, 0.002 mA, 0.001 mA deoarece aceste valori vor aprea practic echidistante pe scar logoritmic.
Modificai acum tensiunea colector-emitor la valoarea 0 V scond firele de alimentare de la bornele
sursei V
A2
i legndu-le ntre ele. Refacei msurtorile tensiunii V
EB
la valorile 10 mA, 1 mA,
0.1 mA ale curentului de emitor.
Reprezentai, apoi, grafic, n coordonate liniare, ncepnd de la V
EB
= 0, caracteristica
I f V
E EB
= ( ) ridicat la V
EB
= 10V. Se comport portul de intrare ca un rezistor ? Pentru mici variaii n
jurul unui punct de funcionare, putem introduce rezistena dinamic r V I
eb EB E
= A A . Calculai, din
grafic, valorile ei la curent de colector de 0.1 mA i 1 mA.
Desenai pe acelai grafic i punctele experimentale ridicate la V
CB
= 0V. Cum depinde
comportarea portului de intrare de tensiunea de la portul de ieire ? Dac ai avut un voltmetru digital,
ncercai s punei n eviden deosebirile dintre cele dou grafice reprezentnd n detaliu o regiune a
carcteristicii de la cureni mari, pe care tensiunea emitor baz nu variaz cu mai mult 50 mV.
Dac nu ai avut un voltmetru digital, mprumutai unul i, la curentul de emitor constant de
10 mA, msurai tensiunea emitor baz cu V
CB
= 10 V i apoi cu V
CB
= 0 V. Determinai cu ct s-a
modificat tensiunea emitor baz n aceste condiii.
Verificai acum c expresia caracteristicii de intrare este una exponenial. Pentru aceasta desenai
caracteristica I f V
E EB
= ( ) cu o scar logaritmic pentru curent. Ce form are graficul obinut ? Ce
concluzie tragei de aici ? Determinai pe ce interval de variaie a tensiunii curentul crete cu o decad (se
multiplic cu un factor de 10). Din aceast valoare calculai potenialul termic V
T
, utiliznd relaia (4.3).


10
10
10
10
-2
-1
0
1
0.50 0.55 0.60 0.65 0.70 0.75 0.80
curentul de emitor (mA)
tensiunea emitor-baza (volti)

Experimentul 2. Caracteristica de transfer I f I
C E
= ( )

Avei, n tabelul completat la primul experiment, date asupra curentului de emitor i a celui de
colector. Estimai mai nti eroarea absolut cu care ai determinat aceste valori. Apoi comparai ntre ele
valorile I
E
i I
C
i formulai o concluzie asupra valorii factorului .

Experimentul 3. Caracteristica de ieire

Mutai voltmetrul din ochiul emitorului n acela al colectorului, astfel nct s msoare tensiunea
colector-baz; atenie la polaritate ! Fixai apoi I
E
la o anumit valoare (s zicem 2 mA) i micorai gradual
tensiunea V
CE
de la 10 V pn la 0 V, urmrind evoluia curentului de colector. Cum sursa V
A2
nu coboar
tensiunea exact pn la zero, pentru obinerea acestei valori desfacei firele de la surs i legai-le ntre ele.
Reconectai sursa i refacei experimentul pentru alte cteva valori ale curentului de emitor (4 mA, 6 mA, 8
mA) . Desenai aceste dependene I f V
C CB I const
E
=
=
( )
.
pe acelai grafic, obinnd o parte din familia de
caracteristici de ieire. Cunoscnd eroarea absolut cu care ai msurat curentul de colector, estimai valoarea
rezistene dinamice dintre colector i baz. Este ea concordant cu predicia fcut pe baza cunoaterii cderii
de tensiune pe rezistena R
E
(pag. 93) ?

Experimentul 4. Ohmmetrul electronic

Multimetrele electronice digitale ofer, n afara funciilor de voltmetru i ampermetru, i pe aceea de
ohmmetru. Principiul de funcionare pentru aceasta din urm este foarte simplu: prin rezistena de valoarea
necunoscut se trece un curent constant, de valoare cunoscut, furnizat de la o surs de curent i se msoar
tensiunea. Vei realiza i dumneavoastr un ohmetru electronic de acest tip. Mai nti, desenai-v schema
sursei de curent din Fig. 4.19 a) i calculai potenialul bazei, potenialul emitorului i valoarea curentului de
colector.
Calculul pe care l-ai fcut este numai unul aproximativ deoarece nu cunoatem cu suficient
precizie valoarea rezistenei din emitor i caracteristcile statice neliniare ale diodelor i tranzistorului. Din acest
motiv, sursa de curent trebuie "etalonat" (calibrat) la cald, adic n stare de funciune. Pentru aceasta,
alimentai circuitul de pe planet, conectai un miliampermetru analogic i ajustai rezistena reglabil din


emitor pentru a obine un curent de 100 A. Montai apoi n serie cu miliampermetrul diferite valori de
rezistene i verificai ct de "ideal" este sursa de curent.
Ohmmetrul nostru este gata, nu mai rmne dect s conectm un voltmetru electronic i rezistena de
valoare necunoscut (Fig. 4.19 b). Msurai, astfel, valorile rezistenelor necunoscute existente pe planet.

a)
T
4.7 k
15 V
mA
12 k
}
T
4.7 k
15 V
12 k
}
V
rezistenta
necunoscuta
ohmetru
b)
Si

Fig. 4.19. Ohmmetru electronic.

Ce se ntmpl dac ncercm s msurm "rezistena" n polarizare direct a unor diode ? Avei pe
planet dou diode cu care putei experimenta acest lucru. Formulai o concluzie.


Pagin distractiv

Ani buni de munc le-au fost necesari cercettorilor de la Bell Laboratories ca s realizeze primele
tranzistoare cu jonciuni. Cum sandwich-ul are trei straturi, ntre acestea exist dou jonciuni
semiconductoare. Mult mai eficieni, specialitii notri autori de manuale
2
inventeaz dintr-un condei
tranzistorul bipolar cu trei jonciuni, cea suplimentar fiind ntre colector i emitor :

Este de mirare cum aa refereni serioi i o aa competent comisie de avizare a Ministerului nu au
valorificat aceast prioritate romneasc. Punem acest lucru pe seama caracterului lor modest, modest ...
Noutate plutea ns n aer nc de la pagina anterioar, unde simbolul tranzistorului este printete
tras de urechi pentru a nu arta sensul curentului prin jonciunea baz-emitor dect n conexiunea emitor
comun :
"n simbolul tranzistorului, sgeata indic sensul conduciei n prima jonciune (E-B), n montaj cu emitorul
comun ...."
Ce trebuie s fac simbolul n celelalte conexiuni este treaba lui, ori sgeata dispare, ori, mai bine, arat
todeauna nspre aceti autori inventivi.
C treaba este serioas i tranzistorul acestor domni autori este ceva cu totul nou, ne putem convinge
imediat. Cum credei c se comport "jonciunea colector-emitor ? Aa e c nu ghicii ? Ca un rezistor : "Dac
un tranzistor se deschide ..., atunci rezistena dintre colector i emitor ( R
CE
) scade foarte mult...." i asta nu e
nc nimic, pentru c "U
CE
devine neglijabil (zecimi de volt) cnd curentul I
C
atinge valorile maxime
admise (notate n cataloagele de dispozitive semiconductoare)". Trebuie s recunoatem c acest tranzistor,
care se uit n cataloage ca s tie s intre n saturaie cnd curentul I
C
atinge "valorile maxime admise" este
ntr-adevr ceva revoluionar.
i comportarea sa n circuite este la
fel de revoluionar. De exemplul, n cel din
figura alturat: "Cnd fotorezistena FR este
luminat, rezistena ei scade, tranzistorul
intr puternic n conducie i ....". Oricare alt
tranzistor NPN s-ar fi blocat la scderea
rezistenei R
2
, cel al autorilor citai "intr
puternic n conducie". Numai s fie
fotorezistena "luminat", vorba
(inconfundabil) a acestor autori.
Ca orice realizare important i
inventarea acestui tranzistor a necesitat o
pregtire anterioar. Gndii-v numai prin
cte cri or fi cutat pn au gsit simbolurile
stranii pe care le folosesc pentru rezistoare, becuri i diode. Sau poate ne nelm noi, le-au gsit n prima (i
singura) ....

2
***, "Fizic", Manual pentru clasa a X-a, Ed. Teora Educaional, Bucureti, 2000.


4.2. Conexiunea emitor comun

2.A. Configuraia cu emitor comun

Structura i modul de funcionare ale tranzistorului bipolar cu jonciuni au fost descrise n seciunea 4.1.
n regimul de funcionare activ normal, jonciunea emitor-baz este direct polarizat (deschis), n timp ce
jonciunea colector-baz este invers polarizat. n aceste condiii, curentul de colector este dat de relaia

I I I
C E CB
= +
0
; (4.11)

deorece I
CB0
(curentul invers rezidual colector-baz cu emitorul n gol) este complet neglijabil la tranzisoarele
moderne cu siliciu, iar factorul este extrem de aproape de unitate, curentul de colector este practic egal cu
cel de emitor, aa cum se poate constata i n Fig. 4.20.

I
B
I
E
foarte mic
+
_
+
_
0.6 V
10 V
I
C
I
E
+ I
CB0
a)
10 V
I
CB0
I
E
=0
b)
+
_

Fig. 4.20. Curenii n regiunea activ normal (a) i semnificaia curentului rezidual I
CB0
.
Configuraia cu baz comun din figura precedent prezint dou dezavantaje:
- cele dou surse au polariti opuse n raport cu masa i, de aceea, nu se utilizeaz aproape niciodat
pentru regimul de curent continuu (polarizare);
- curentul de emitor are valori egale cu acelea ale curentului pe care l comand; din acest motiv, pentru
regimul de variaii (prelucrarea semnalelor) configuraia cu baz comun este utilizat numai n puine
aplicaii.
10.6 V
I
B foarte mic
0.6 V
+
_
I
C
I
E
+ I
CB0
I
B
I
E
foarte mic
0.6 V
10.6 V
+
_
_
+
I
C
I
E
+ I
CE0
a)
b)
+
_

Fig. 4.21. Conexiunea cu emitor comun.
Prin deplasarea sursei de tensiune de 0.6 V de-a lungul buclei de circuit, se ajunge la configuraia cu
emitorul comun din Fig. 4.21 a) care este cea mai utilazt configuraie pentru tranzistoarele bipolare. Pentru a


avea portul de intrare n stnga, schema trebuie redesenat ca n Fig. 4.21 b), aa cum o vei ntlni ntodeana n
aplicaii.
n conexiunea cu emitorul comun, portul de intrare este ntre baz i emitor iar cel de ieire este ntre colector
i emitor, terminalul de emitor fiind comun.
Dei perechea de borne de intrare este aceeai ca la conexiunea baz comun, curent de intrare este
acum curentul bazei, care este de cel puin o sut de ori mai mic dect cel de emitor. Prin aplicarea legii
curenilor i utilizarea relaiei (4.11), curentul de colector poate fi exprimat n funcie de curentul de baz prin

I I I
C B CB
=
1
1
1
0
. (4.12)

Factorul

=
1
(4.13)

este esenial pentru descrierea funcionrii acestei configuraii i se numete factor de amplificare a curentului
n conexiunea emitor comun. Cum este foarte apropiat de unitate, factorul are valori mari, de ordinul
sutelor. Numai n cazul tranzistoarelor de mare putere factorul are valori mai mici, de ordinul
20 - 50.
Deoarece la numitorul relaiei (4.13) este o diferen ntre dou numere foarte apropiate, valoarea ei este
extrem de sensibil la variaiile lui . Difereniind relaia, putem arta c

d d d d

= + ~
1
1
1 ( ) ; (4.14)

astfel
variaiile relative ale factorului provoac variaii relative ale factorului de sute de ori mai mari.
Din acest motiv, dei factorul este controlat tehnologic rezonabil de bine,
factorul are o mprtiere tehnologic foarte mare.
Astfel, n practic, la montarea unui tranzistor ntr-un circuit, asupra lui exist o incertitudine destul de mare,
extremitile acestui interval fiind cel puin n raportul 1:2. De exemplu, la BC 171A factorul este ntre 125
i 260 (litera A nseamn ca productorul a fcut deja o sortare prealabil, dac ai cumprat
BC 171 putei s v ateptai la valori ntre 40 i 1000). Din aceast cauz,
orice circuit cu tranzistoare ale crui performane (punct static de funcionare, amplificri, etc) depind
puternic de factorul este contraindicat n aplicaiile practice.


Observaie: Ai scpat, astfel, de rezolvarea unui mare numr de probleme din culegerile scrise de o
serie de autori romni, specialiti n "electronic teoretic".

Exprimnd cu ajutorul factorului relaia (4.12), avem

I I I
C B CB
= + + ( ) 1
0
;

dac definim curentul rezidual colector-emitor (cu baza n gol) prin I I
CE0 CB0
= + ( ) 1 , relaia anterioar
capt forma

I I I
C B CE0
= +
. (4.15)

La siliciu curenii reziduali sunt extrem de mici; de exemplu, chiar la un tranzistor de curent mare
(15 A) cum e 2N3055, curentul I
CE0
este sub 20 nA la temperatura camerei i abia ajunge spre 100 A dac
l nclzim la 130
o
C. Putem, deci, scrie cu foarte bun aproximaie

I I
C B
=
(4.16)

iar cu o aproximaie mai bun de un procent

I I
C E
~
. (4.17)

Curentul de colector este practic egal cu cel de emitor i de ori mai mare dect curentul de baz.

S privim acum un tranzistor NPN ntr-o schem
practic cu emitorul comun (Fig. 4.22). Funcionarea sa
poate fi neleas cu un model extrem de simplu. ntre baz
i emitor exist o jonciune semiconductoare care se
comport ca o diod: curentul poate s treac numai ntr-
un singur sens, dac tensiunea baz emitor depete
tensiunea de prag, egal cu 0.6-0.7 V. Peste aceast
valoare, curentul crete foarte abrupt (valoarea sa
multiplicndu-se cu 10 la fiecare variaie de aproximativ
60 mV). Putem astfel considera, n prim aproximaie, c
dup deschidere, tensiunea baz-emitor rmne
constant, valoarea curentului de baz fiind determinat
de circuitul exterior;

n absena unei rezistene de limitare a curentului, polarizarea jonciunii baz-emitor direct cu o surs de
tensiune cu rezisten mic este o cale sigur pentru distrugerea tranzistorului.

+
_
0.6 V
I
B
I
C
I
B

I
E
I
C
E
B
+
_
R
C
V
C
V
alim
V
alim
R
B

Fig. 4.22. Tranzistorul NPN ntr-un circuit
practic cu emitorul comun.


Dac ntre colector i emitor s-ar face scurtcircuit (manevr absolut inofensiv pentru tranzistor), am
obine o valoare maxim a curentului

I
V
R
Cmax
alim
C
= ; (4.18)

ndeprtnd scurtcircuitul, curentul de colector nu poate fi dect mai mic sau egal cu aceast valoare
0 s s I I
C Cmax
. Tranzistorul se comport ca un robinet controlat: el nu produce curent ci numai las s
treac unul de valoare I I
C B
= | , indiferent de circuitul extern (tensiunea de alimentare V
alim
i rezistena
R
C
), atta timp ct circuitul extern poate furniza aceast valoare de curent, aa cum se poate vedea n
Fig. 4.23. Putem nlocui rezistena R
C
cu o diod conectat n polarizare direct (desenul b): valoarea
curentului de colector va rmne practic neschimbat, se va modifica numai potenialul colectorului, de la
V I R
alim C C
la V
alim
0 6 . V. La fel de bine putem s o nlocuim cu un scurtcircuit, potenialul
colectorului se va duce la V
alim
dar curentul de colector va rmne nemodificat (desenul c).

0.6 V
V
alim
+10 V
10 mA
500 O
5V
5A
0.6 V
V
alim
+10 V
10.5 mA
9.4V
5A
0.6 V
V
alim
+10 V
10.5 mA
10V
5A
+
-
5 V
+
-
0.6 V

Fig. 4.23. n regiunea activ normal curentul de colector este practic constant (egal cu I
B
)
indiferent de dispozitivul conectat n colector.

Funcia tranzistorului este controlul curentului de colector, control efectuat prin starea portului de
intrare. S ne ntoarcem la situaia din desenul a) al figurii precedente, n care avem o rezisten legat n
colector, i s cretem curentul bazei, ca n Fig. 4.24 a). Tranzistorul acioneaz ca un robinet controlat
permind ca un curent mai mare s fie absorbit din rezistena de colector. n acelai timp ns, conforme
relaiei V V R I
C C C
=
alim
, potenialul colectorului coboar, aa cum se ntmpl cu nivelul lichidului din
rezervorul 2 din echivalentul hidraulic reprezentat n desenul b). n circuitul hidraulic, nivelul rezervorului 1
este presupus constant, aa cum este meninut potenialul de +10 V, iar debitul prin conducta ce leag
rezervoarele este aproximativ proporional cu diferena de nivel n cele dou rezervoare (echivalentul legii lui
Ohm pe rezistena din colector).


0.6 V
V
alim
+10 V
10 mA
500 O
5V
5A
+
-
5 V
0.6 V
V
alim
+10 V
15 mA
500 O
2.5V
7.5 A
+
-
7.5 V
a)
b)

Fig. 4.24. Creterea curentului de baz deschide mai mult tranzistorul, provocnd creterea curentului de
colector i coborrea potenialului colectorului.

2.B. Caracteristica de intrare

Aa cum spuneam, portul de intrare este echivalent cu o diod, caracteristica sa static I f V
B BE
= ( )
fiind aproximativ exponenial i foarte puin influenat de tensiunea colector-emitor, atunci cnd valoarea
acesteia este modificat ntre 1 V i cteva zeci de voli (pn la valoarea maxim garantat de fabricant). Nu
discutm aici situaia n care colectorul este lsat n gol ( I
C
= 0) pentru c aceasta nu se ntlnete n
aplicaii. Cnd V
BE
este mai mic dect tensiunea de deschidere (n jur de 0.6 V), curentul de baz este practic
nul; dup depirea tensiunii de deschidere el crete foarte rapid, astfel nct la valorile permise pentru I
B

tensiunea V
BE
este aproximativ constant.
Dac efectum msurtori mai precise, constatm c mrirea tensiunii colector-emitor deplaseaz
extrem de puin caracteristica de intrare. Pentru aceeai valoare a curentului de baz, tensiunea necesar ntre
baz i emitor este un pic mai mare. Pentru o variaie V
CE
ntre 1 i 11 voli, aceasta, care are valori pe la 600
mV, crete cu mai puin de 1mV ! Dac meninem constant tensiunea emitor-baz, la aceeai variaie a lui
V
CE
, curentul de baz scade cu mai puin de 3%.


2.C. Caracteristicile de transfer

Vom pstra constant tensiunea colector-emitor, la
o valoarea care asigura funcionarea in regiunea activ.
Mrimea de ieire este curentul de colector dar, ca
mrime de intrare avem de ales ntre curentul de baz i
tensiunea baz emitor. Dac alegem curentul de baz,
conform relaiei I I
C
B
= , ne ateptm la o linie
dreapt care trece prin origine. Dac pe graficul
I f I
C B
= ( ) e puin probabil s observm (cu ochiul
liber) o abatere de la linia dreapt, calcularea raportului
I I
C B DC
= , numit factor static de amplificare (n
curent continuu), arat c acesta nu rmne constant. Pe
o scar lin-lin acest fenomen nu este evident deoarece
este localizat foarte aproape de originea axelor. Din acest
motiv, e mai bine s reprezentm chiar dependena lui
DC
n funcie de curentul de colector. La un tranzistor
de mic putere, ea are forma din Fig. 4.25. Se observ c
dac tranzistorul este operat la cureni de colector foarte mici, n domeniul microamperilor, factorul de
amplificare
DC
scade aproape la o zecime din valoarea sa maxim.
Observaie: n cataloage, factorul de amplificare static
DC
este notat adesea cu h
FE
("h" pentru c
este considerat unul din parametrii hibrizi, "F" de la forward i "E" de la emitor comun). Indicele "FE" este
scris cu litere mari pentru a arta c factorul este definit la curent continuu.
Cum dependena I f I
C B
= ( ) nu este strict liniar, este clar c nici panta ei nu este constant. Se
definete, din acest motiv, factorul dinamic de amplificare n curent
AC
C
B
I
I
=
d
d
, pentru a caracteriza
funcionarea tranzistorului la variaii mici n jurul unui anumit punct de funcionare. Evoluia acestui factor
dinamic n funcie de curentul de colector este similar cu variaia celui static: are valori mici la valori foarte
coborte ale lui I
C
i trece printr-un maxim puin nainte ca I
C
s ajung la valoarea maxm admis.
Observaie: Factorul dinamic de amplificare
AC
este notat n cataloage cu h
fe
.
Strict vorbind, n modelele pentru variaii ar trebui s apar
AC
iar la calculul polarizrii (curent
continuu) ar trebui s utilizm factorul static
DC
. Dar chiar pentru tranzistoare sortate de fabricant, aceti
factori au valori cu o mprtiere tehnologic att de mare nct distincia dintre ei este un academism complet
inutil. Pentru c nu-i tim dect foarte aproximativ, i vom considera ntodeauna egali i i vom nota de
aici nainte, simplu, cu .

Am ales anterior, ca mrime de intrare, curentul I
B
. Dac alegem ca mrime de intrare tensiunea baz-
emitor, n regiunea activ caracteristica de transfer respect o lege exponenial

I I e
C s
V V
BE T
=
(4.19)

1E-3 0.01 0.1 1 10 100
0
50
100
150
200

(mA) I
C
DC

Fig. 4.25. Variaia factorului
DC
cu
intensitatea curentului de colector la tranzistorul
2N2222.


pe aproape apte decade de variaie a curentului; ca i pn acum, V
T
este potenialul termic, egal cu
aproximativ 25 mV la temperatura camerei. Astfel,
curentul de colector se dubleaz la fiecare cretere cu 18 mV a tensiunii baz-emitor i se multiplic cu zece
la fiecare cretere de 60 mV.
0.0 0.2 0.4 0.6 0.8
0
20
40
60
80
100
curent de colector (mA)
tensiune baza-emitor (V)
0.55 0.60 0.65
0.1
1
10
tensiune baza-emitor (V)
curent de colector (mA)
a) b)
V
CE
= 20 V
V
CE
= 10 V

Fig. 4.26. Caracteristica de transfer I f V
C BE
= ( ).
Reprezentat n coordonate liniare, caracteristica de transfer are forma din Fig. 4.26 a) i arat c
modul n care este controlat robinetul este foarte neliniar. Sensibilitatea controlului poate fi descris cu un
parametru diferenial, numit transconductan dinamic (adesea numit simplu transconductan), definit prin
viteza de cretere a curentului n raport cu tensiunea de control

g
d I
d V
m
C
BE
= ; (4.20)

din relaia (4.19) se obine imediat c transconductana nu depinde dect de curentul de colector la care
opereaz tranzistorul,

g
I
V
m
C
T
=
. (4.21)
Cu alte cuvinte,
dac am stabilit valoarea curentului de colector, orice tranzistor are aceeai transconductan, indiferent de
parametrii si I
s
i .
Diferenele n parametrii I
s
i afecteaz numai modul n care trebuie polarizm tranzitorul pentru a obine
curentul de colector I
C
dorit: modificarea lui I
s
va cere o tensiune V
BE
uor diferit, iar variaia lui va
conduce la o alt valoare a curentului absorbit de baza tranzistorului.


Mai mult, aa cum se vede n desenul b) al figurii, modificarea tensiunii colector-baz nu face dect s
translateze caracteristica n coordonate logaritmice, adic s afecteze numai factorul multiplicativ I
s
din
relaia (4.19). Astfel, modificarea transconductanei la variaia tensiunii de ieire coletor-baz are loc numai
prin variaia curentului I
C
la care este operat tranzistorul, conform relaiei (4.21).

2.D. Caracteristica de ieire

Pstrnd constant tensiunea baz-emitor, caracteristica de ieire I f V
C CE
= ( ) are forma din
Fig. 4.27 a). Constatm c valoarea curentului de colector este aproximativ independent de V
CE
numai
pentru valori ale lui V
CE
mai mari de cteva zecimi de volt. Aceasta este numit regiune activ normal.

0.0 0.1 0.2
0
2
4
6
8
0 5 10
0
2
4
6
8
V
CE
(V) (V)
I
C
(mA) (mA)
0.0 0.1 0.2
0
2
4
6
8
0 5 10
0
2
4
6
8
(V)
(V)
(mA) (mA)
a) Caracteristici de iesire la constant
V
BE
= 0.65 V
V
BE = 0.63 V
= 0.65 V
= 0.63 V
b) Caracteristici de iesire la constant
I
B = 34 A
= 34 A
= 17 A
= 17 A
I
C
V
BE
V
BE
V
CE
V
BE
V
CE
V
CE
I
C
I
C
I
B
I
B
I
B
I
B

Fig. 4.27. Caracteristici de ieire n conexiunea emitor comun.

Ce se ntmpl la valori mai mici ? n plus fa de jonciunea baz-emitor, tranzistorul mai are o
jonciune ntre baz i colector, jonciune care n mod normal este invers polarizat (Fig. 4.28 a). Cnd
tensiunea colector emitor coboar sub 0.6 V, potenialul colectorului coboar sub potenialul bazei (Fig. 4.28
b) i jonciunea baz-colector ncepe s fie direct polarizat, iar la poteniale de colector sub 0.1 V ncepe chiar
s se deschid, curentul produs prin acest mecanism ieind prin terminalul de colector i diminund progresiv


curentul total de colector, aa cum se poate observa n desenul b) al figurii.. n final, la V
CE
= 0, curentul de
emitor este practic nul ntregul curent de baz ieind prin colector ( I
C
este negativ), ca n desenul c) al figurii.
Trebuie notat c nici n acest regim tranzistorul nu se comport ca i cum ar fi alctuit din dou diode montate
"spate la spate", jonciunea baz-colector acaparnd tot curentul de baz, dei cealalt jonciune este polarizat
cu exact aceeai tensiune. Deschiderea nedorit a jonciunii colector baz, cunoscut sub numele de saturaie,
este un dezavantaj congenital al tranzistoarelor bipolare.
E
C
B
I
B
I
C
I
E
I
C
V
C
V
B
>
regiunea activa normala
E
C
B
I
B
I
C
I
E
I
C
V
C
V
B
<
=
C
B
I
B
V
C
= = 0
E
V
B
~
~ 0.6 V
a)
b)
c)
V
E
I
E = 0
I
C

Fig. 4.28. Intrarea n saturaie la coborrea potenialului de colector; potenialul bazei este meninut la
0.6 V.
n circuitele practice nu tensiunea baz-emitor este meninut constant, ci curentul de baz
(aproximativ constant). n aceste condiii, caracteristicile de ieire au forma din Fig. 4.27 b). Ele difer de cele
trasate la V
BE
= const . doar n regiunea de saturaie, deoarece acum potenialul bazei nu mai este fixat.
Astfel, curentul de colector scade la zero pentru V
CE
= 0, fr s mai ajung la valori negative.
n oricare din situaii ns, n regiunea de saturaie sensibilitatea controlrii curentului de colector scade
dramatic, astfel c putem afirma c, practic, acest curent nceteaz s mai fie controlat de starea portului de
intrare.
n conexiunea emitor comun, saturaia tranzistorului se manifest prin imposibilitatea de a controla
curentul de colector prin valoarea curentului de baz.
S ne ocupm acum i de cealalt regiune a caracteristicii de ieire, numit activ normal. Spuneam c
aici practic curentul de colector nu depinde de tensiunea colector-emitor: la portul de ieire tranzistorul nu se
comport ca un rezistor. La o privire mai atent, constatm ns o uoar cretere a curentului de colector
atunci cnd cretem tensiunea colector-emitor. Ea apare la fel, indiferent dac meninem V
BE
= const . sau
I
B
= const., deci nu putem da vina pe modificarea caracteristicii de intrare produs de variaia tensiunii de
ieire V
CE
. Cu I
B
= const. curentul ar trebui s fie I I
C B
= | , indiferent de valoare tensiunii V
BE
; rezult
c aceast nclinare a caracteristicii de ieire este provocat de variaia lui cu V
CE
.
La conexiunea baz comun, pstrnd curentul de intrare I
E
constant, curentul de colector se modific
extrem de puin la variaia tensiunii de ieire. De ce oare n conexiunea emitor comun efectul este mult mai
mare ? n cazul conexiunii baz comun, variaia curentului I I
C E
= este produs datorit variaiei
factorului care se modific extrem de puin, cam cu 0.01 % (10
-4
) pe volt. n cazul conexiunii emitor
comun, I I
C B
= i, dac meninem constant curentul de baz, curentul de colector se modific numai
datorit variaiei factorului . Am vzut ns anterior c o variaie a lui provoac o variaie relativ a lui


de ori mai mare, deci de cteva sute de ori mai mare. Vom avea, deci, pe fiecare volt de variaie a
tensiunii V
CE
, o variaie a curentului de colector de cel puin 1%; aceasta nseamn, pe un interval de zece
voli, o variaie apreciabil : 10 %. Sursa de curent echivalent este de o sut de ori mai modest dect aceea de
la baz comun.
Presupunnd o variaie liniar (de gradul nti) a lui n funcie de V
CE

( )
EA CE
V V + = 1
0
(4.22)

cu valoarea V
EA
constant, ajungem la o expresie a curentului de colector

I I I V V I I V V
C B B CE EA
C C
CE EA
= + = +
0 0
0 0 ( ) ( )
(4.23)

unde am notat cu I I
C
B
( ) 0
0
= curentul de colector "extrapolat" la V
CE
= 0 (Fig. 4.29 a).

0 5 10
0
2
4
6
8
V
CE
(V)
I
C
(mA)
I
B = 34 A
extrapolare
r
ce =
A
A
V
CE
I
C
I
C
(0)
I
C
(0) r
ce
C
E
I
C
V
CE
a)
b)

Fig. 4.29. Efectul Early n conexiunea emitor comun.

Rezistena dinamic n regiunea activ se obine simplu

r
V
I
V
I
ce
CE
C
EA
C
= =
A
A
( ) 0
(4.24)

fiind invers proporional cu valoarea curentului de colector. n regiunea activ normal, portul de ieire
poate fi echivalat cu o surs ideal de curent de valoare I I
C
B
( ) 0
= n paralel cu un rezistor cu rezistena
r V I
ce EA
C
=
( ) 0
, ca n Fig. 4.26 b).
Relaia (4.23) are i o consecin geometric. S calculm intersecia cu axa orizontal a carateristicii
extrapolate; punem I
C
= 0 i obinem intersecia la

V V
CE EA
= (4.25)

indiferent de valoarea lui I
B
. n consecin, aa cum se poate vedea n Fig. 4.30,


toate prelungirile caracteristicilor se ntlnesc ntr-un singur punct, la tensiunea V
EA
, numit tensiune Early;
aceasta are valori de ordinul a o sut de voli.

0 10
I
C
extrapolari
ale regiunii
active
V
CE
(V)
V
EA
-

Fig. 4.30. Toate dreptele obinute prin extrapolarea caracteristicii din regiunea activ se ntlnesc ntr-un
singur punct.

Mai rmne s discutm al treilea regim de funcionare, acela n care curentul de colector este nul.
Cnd curentul de colector este nul, tranzistorul se afl n regiunea de blocare (tiere).
Practic, cel mai adesea, blocarea este
realizat prin aducerea la zero a tensiunii baz-
emitor sau polarizarea invers a acestei
jonciuni. n principiu, ns, deoarece la
tranzistoarele cu siliciu curentul rezidual de
colector este neglijabil, aducerea tranzistorului
n regiunea de blocare se poate face i prin
lsarea n gol a bazei ( ) I
B
= 0 .
Aa cum se poate constata n
Fig. 4.31, unde am reprezentat circuitul cu
emitor comun i echivalentul su hidraulic,
cderea de tensiune pe rezistorul din colector
devine nul (legea lui Ohm) i potenialul
colectorului devine egal cu cel al alimentrii
pozitive, ca i cum tranzistorul nu ar exista.

Prin blocarea tranzistorului, potenialul su de colector urc la nivelul potenialului alimentrii.

a) b)
rezervor 1
rezervor 2
0 V
Valim
+10 V
500 O
10V
+
-
0 V
curent nul
robinet inchis

Fig. 4.31. Regimul de blocare.


2.E. Saturaia tranzistorului

Pentru trasarea caracteristicilor am legat ntre colector i emitor o surs ideal de tensiune care s
menin ntre aceste puncte tensiunea la valoarea dorit de noi. Astfel, intrarea n saturaie s-a fcut prin
coborrea tensiunii acestei surse care, continuat, cobor la
zero curentul de colector.
n circuitele practice n care tranzistorul este utilizat
(i nu studiat, cum am fcut noi pn acum), lucrurile stau
cu totul altfel, aa cum se vede n Fig. 4.32. Diferena
esenial este c sursa V
alim
nu mai menine constant
tensiunea ntre colector i emitor ci potenialul "n amonte"
de rezistena R
C
. Astfel, tensiunea colector emitor este
dictat de legea lui Ohm

V V V I R
CE C C C
= =
alim
. (4.26)

0 2 4 6 8 10
V
alim
R
C
I
C act
V
CE act
I
B
= 10 A
I
B
= 50 A
40 A
30 A
20 A
I
B
= 0
0
2
4
6
8
10
(mA) I
C
(V) V
CE
rezervor 1
rezervor 2
rezervor 1
rezervor 2
robinetul nu mai
controleaza debitul
robinet complet inchis
regimul de blocare
regiunea activa
robinetul controleaza
debitul
M
N
O

Fig. 4. 33. Regimurile de funcionare a tranzistorului.
+
_
0.6 V
I
B
I
C
I
B

I
E
I
C
E
B
+
_
R
C
V
C
V
alim
V
alim
R
B

Fig. 4.32. Circuit cu emitor comun.


Putem urmri starea tranzistorului pe familia de caracteristici de ieire, prin metoda dreptei de sarcin.
Aceast dreapt intersecteaz axele la V
alim
i V R
alim C
, aa cum se vede n Fig. 4.33. S presupunem c
am stabilit curentul de baz la 20 A i punctul de funcionare se gsete n poziia M de pe desen. Se vede c
tensiunea colector-emitor nu este ntreaga tensiune de alimentare, cantitatea R I
C C act
cznd pe rezistena
din colector, conform relaiei precedente. Mrirea sau micorarea curentului de baz deschide mai mult sau
mai puin robinetul de curent, modificnd simultan valoarea curentului de colector i tensiunea colector emitor
(echivalentul nivelului din rezervorul 2). Aceasta este regiunea activ. Aici curentul de colector i potenialul
colectorului sunt controlate de curentul de baz

I I
V V R I
C B
C C B
=
=
alim
(4.27)

tranzistorul putnd fi utilizat ca un amplificator.
Dac valoarea curentului de baz este
adus la zero, i curentul de colector devine
zero, robinetul fiind complet nchis (punctul O
de pe desen); n consecin, potenialul
colectorului urc la nivelul tensiunii de
alimentare. Am ajuns, astfel, n regimul de
blocare.
Ce se ntmpl ns dac mrim prea mult
curentul de baz ? Deplasndu-se spre stnga de-
a lungul dreptei de sarcin, punctul de
funcionare ajunge, n poziia N, n regiunea de
saturaie a tranzistorului, figurat cu un
dreptunghi haurat. Aici curentul de colector
nceteaz s mai depind practic de curentul de
baz; degeaba cretem noi curentul de baz de
la 40 A la 60 A, punctul de funcionare
rmne practic tot n poziia N, la un curent de
colector foarte puin sub valoarea V R
alim C
la
care dreapta de sarcina intersecteaz axa
vertical.
Dac desenm dependena curentului de
colector n funcie de curentul de baz, obinem
graficul din Fig. 34 a). ncepnd de la o valoare
a curentului de baz egal cu

I
V
R
Bsat
C
~
alim
(4.28)

curentul de colector nceteaz s mai creasc, plafonndu-se la o valoare de

0
5
10
I
C
(mA)
I
B
0
V
alim
R
C
a)
0
V
C
I
B
0
V
alim
b)
V
alim R
C
( | )

Fig. 4.34. Saturaia curentului de colector n raport cu cel de
baz.


I
V
R
Csat
C
~
alim
; (4.29)
astfel,
valorile curenilor (de baz i de colector) la care tranzistorul ajunge n saturaie depind numai de circuitul
extern.
Dac n locul rezistenei R
C
am fi legat colectorul direct la tensiunea de alimentare, dreapta de sarcin
din Fig. 4.33 ar fi devenit vertical, deoarece potenialul colectorului nu s-ar fi clintit de la V
alim
. n
consecin, orict am fi mrit curentul de baz, tranzistorul ar fi rmas n regiunea activ, urmnd ca la un
moment dat s se distrug prin supraclzire, fr s fi ajuns s afle ce nseamn saturaia.
n circuitele practice, tranzistorul poate ajunge n saturaie datorit dipolului legat n colector: la
creterea curentului, pe acest dipol cade o tensiune din ce n ce mai mare, tensiunea ntre colector i emitor
putnd astfel scdea pn spre valoarea nul.
n general, atunci cnd o mrime y , care depinde de o alta, x , nceteaz practic s mai creasc la
mrirea lui x , spunem c avem saturaia lui y n raport cu x .
n cazul tranzistoarelor bipolare, prin saturaie neleem saturaia curentului de colector n raport cu cel
de baz.

Vom vedea c, parc pentru a ncurca lucrurile, n cazul tranzistoarelor cu efect de cmp, prin
saturaie se ntelege cu totul altceva.

Potenialul de la captul inferior al rezistenei R
C
ar fi ajuns la zero i dac am fi controlat curentul cu
un rezistor reglabil sau un tranzistor cu efect de cmp. Ce aduce n plus tranzistorul este impedimentul legat de
jonciunea sa baz-colector: la valori ale potenialului de colector de cteva zecimi de volt aceasta se deschide
i mpiedic potenialul de colector s ajung la zero voli, aa cum se observ n Fig. 4.4 b). Aceast tensiune
rezidual poate fi micorat puin prin mrirea exagerat a curentului de baz (se spune c tranzistorul intr
adnc n saturaie) dar ea rmne i reprezint o dificultate pentru unele tipuri de circuite cu tranzistoare
bipolare. De exemplu, la cureni de zeci de amperi, valoarea ei ajunge spre 1 V, ceea ce produce o disipaie de
putere de cteva zeci de wai pe tranzistorul deschis.

2.F. Date de catalog

Utilizatorul gsete informaiile relevante despre tranzistoarele pe care dorete s le foloseasc n foile
da catalog oferite de productor. Dei pentru unii dintre parametri sunt date definiiile, majoritatea au
semnificaia acceptat n manuale sau alte publicaii care standardizeaz terminologia. Prezentm, n
continuare, extrase din foia de catalog tranzistoarelor BC107 - BC108, limitnd comentariile la mrimile care
au fost prezentate n acest capitol sau a cror semnificaie este evident. Ali parametri importani vor fi
discutai n capitolele ulterioare, cnd ne vom ocupa de circuitele n care sunt utilizate tranzistoarele.
Foaia de catalog ncepe cu prezentarea succint a tranzistoarelor: amplificatoare (aplicaii liniare) de
uz general (general purpose) la frecvene joase (audio), avnd n plus specificaia particular de zgomot


redus (low noise). Urmeaz apoi cteva rnduri din care aflm c tranzistoarele sunt de tip NPN, cu siliciu, i
tipul capsulei. Ni se dau, de asemenea, cteva sugestii de aplicaii, complementarele lor PNP i simbolu
tranzistorului. De aici aflm un lucru important, care trebuie reinut: i foile de catalog pot conine erori. n
aceast foaie, de la SGS Thomson Microelectronics, simbolul desenat este al unui tranzistor PNP !.

Primele date numerice prezentate sunt acelea ale valorilor maxime admise; pentru exemplificare, ne vom
referi numai la BC107. Tensiunea invers maxim ntre colector i baz este de 50 V (este invers pentru c
este definit ca V
CB0
i este pozitiv, deci potenialul colectorului este mai ridicat). ntre colector i emitor
tensiunea nu trebuie s depeasc 45 V iar jonciunea baz-emitor strpunge invers dac cretem tensiunea
peste 6 V. Curentul maxim de colector este de 100 mA.


Valorile maxime pentru V
CE
i I
C
nu pot fi obinute simultan deoarece puterea disipat (egal cu
produsul lor) nu poate depi 300 mW i aceasta numai dac aerul ambiant nu are o temperatur mai mare de
25
o
C. Tranzistorul poate disipa o putere mai mare (750 mW) dac reuim s meninem capsula sub 25
o
C.
Ultimele linii din tabel se refer la temperaturile de depozitare i funcionare. Aflm astfel c performanele
sunt garantate pn la o temperatur a jonciunii de +175
o
C.
Urmeaz grupa parametrilor legai de funcionare, "caracteristicile electrice". Dintre ele menionm
curentul rezidual colector baz, care este de 15 nA dar crete la 15 A dac jonciunea ajunge la 150
o
C.
Pentru jonciunea baz-emitor este dat cderea de tensiune n conducie direct V
BE on ( )
. Recunoatem apoi
factorii de amplificare a curentului n conexiunea emitor comun, att cel static h
FE DC
= ct i cel dinamic
h
fe AC
= . Observm c pentru cel dinamic sunt date numai valorile tipice, nu i intervalul de mprtiere
tehnologic.


Acelai lucru se ntmpl i pentru alt parametru important, impedana de intrare n conexiune emitor
comun h
ie
(la V
CE
constant). Situaia poate conduce la confuzii, mai ales pentru nceptori, deoarece, n
realitate, aceti parametri h
fe
i h
ie
au aceeai dispersie tehnologic ca i factorul de amplificare static.



- n conexiunea cu emitorul comun, portul de intrare este ntre baz i emitor iar portul de ieire
este ntre colector i emitor; colectorul este, astfel, comun celor dou porturi.
- Cel mai frecvent, tranzistoarele bipolare sunt utilizate n conexiunea emitor comun.
- Portul de intrare se comport ca o diod, caracteristica sa fiind foarte puin afectat de valoarea
tensiunii de ieire (colector-baz).
- Curentul de colector este controlat exponenial de tensiunea baz-emitor; fiecare cretere de 60
mV produce o multiplicare cu 10 a curentului.
- Sensibilitatea acestui control poate fi caracterizat de un parametru dinamic numit
transconductan, g d I dV
m C BE
= ; transconductana nu depinde dect de valoarea curentului de
colector n jurul creia s-a efectuat mica variaie, conform relaiei g I V
m C T
= , unde V
T
este tensiunea
termic (25 mV la temperatura camerei).
- Pe de alt parte, valoarea curentului de colector este proporional cu valoarea curentului de
baz. Factorul de amplificare are valori peste o sut i are o mprtiere tehnologic mare.
- La portul de ieire, tranzistorul se comport aproximativ ca o surs de curent. Comportarea este
mai deprtat de idealitate n comparaie cu situaia de la conexiunea baz comun, deoarece factorul
sufer variaii relative de > 100 ori mai mari dect factorul .
- Rezistena dinamic a portului de ieire este invers proporional cu valoarea curentului de
colector, conform relaiei r V I
ce EA C
= , unde parametrul V
EA
este tensiunea Early; aceast tensiune
are valori de ordinul a 100 V.
- Regimul n care curentul de colector este controlat de starea portului de intrare se numete regim
activ normal.
- Prin aducerea la zero a tensiunii baz-emitor, curentul de colector se anuleaz i tranzistorul
ajunge n regimul de blocare; curentul de colector poate fi adus foarte aproape de zero i prin anularea
curentului de baz.
- Dac n colector este montat o rezisten i dac valoarea curentului de baz crete n aa fel
nct practic ntreaga tensiune de alimentare s cad pe rezisten, tranzistorul ajunge n regiunea de
saturaie, potenialul colectorului devenind practic egal cu cel al emitorului. n acest regim, curentul de
colector nu mai este controlat de starea portului de intrare, fiind stabilit de circuitul extern la
I V R
Csat C
~
alim
.


Termeni noi

- factorul factorul de amplificare a curentului n conexiunea emitor comun;
este egal cu ( ) 1 i are valori peste 100, prezentnd o
mprtiere tehnologic mare;
- transconductan parametru dinamic ce caracterizeaz sensibilitatea cu care
tensiunea baz-emitor controleaz curentul de colector, definit ca
g d I d V
m C BE
= ;
- tensiune Early parametru care caracterizeaz dependena liniar a factorului de
tensiunea colector baz; este utilizat la exprimarea rezistenei
dinamice ntre colector i emitor prin relaia r V I
ce EA C
= i
are valori de ordinul a 100 V;
- saturaie regim de funcionare a tranzistorului n care jonciunea colector-
baz ajunge s fie n conducie direct; n acest regim, curentul de
colector nu mai este controlat de starea portului de intrare;
- curent de colector de saturaie valoare a curentului de colector la care tranzistorul ajunge n
saturaie; este stabilit de circuitul extern I V R
Csat C
~
alim
;
- tensiune de saturaie colector valorea tensiunii colector-emitor n regimul de saturaie; depinde
emitor de curentul de colector la care a aprut saturaia
- regim de blocare regim de funcionare a tranzistorului n care curentul de colector
este nul;


Probleme rezolvate

Problema 1. Circuitul din Fig. 4.35 reprezint o variant de
polarizare, cunoscut n multe texte de limb romn ca "polarizare fix".
a) Tranzistorul are factorul egal cu 200. Determinai punctul static
de funcionare.
b) Reluai calculul de la punctul precedent n situaiile n care
factorul are valorile 100 i, respectiv, 400. Formulai o concluzie asupra
sensibilitii potenialului de colector la modificarea factorului .
c) Revenind la valoarea de 200 a factorului , calculai care este
efectul asupra potenialului de colector produs de modificarea cu 0.2 V a
tensiunii baz-emitor (datorit, de exemplu, mprtierii tehnologice a
curentului I
s
).

Rezolvare
a) Emitorul este legat la mas, tranzistorul este din siliciu, deci potenialul bazei va fi pe undeva pe la
tensiunea de deschidere de 0.6 V. Legea lui Ohm aplicat pe rezistorul din baz conduce la valoarea curentului
la acest terminal

I
B
= =
12
11 4
V - 0. 6 V
1 M
A
O
. ;

de aici calculm imediat curentul de colector

I I
C B
= = 200 11 4 . A = 2.3 mA.

Pe rezistena din colector va cdea tensiunea U
R
C
= 2.3 mA 3.3 k = 7.6 V O , aa c potenialul din
colector este

V
C
= 12 V - 7. 6 V = 4. 4 V.

b) Cu valoarea 100 pentru factorul obinem I
C
= 1 1 . mA, U
R
C
= 3 6 . V i V
C
= 8 4 . V.
Potentialul de colector nu mai este pe la jumtatea tensiunii de alimentare ci s-a apropiat de aceasta; cu toate
acestea, mai avem o rezerv de 3.6 V pna la regimul de blocare.
Relum acum calculele pentru = 400. Curentul de colector rezult I
C
= 4.6 mA, de unde rezult
U
R
C
= 15 2 . V i obinem V
C
= 12 V -15. 2 V = -3. 2 V. Aa s fie, un potenial negativ al colectorului
cnd singura tensiune de alimentare pe care am o avem este pozitiv ? Este clar c am greit pe undeva.
Refacem calculele i aritmetica ne conduce la acelai rezultat V
C
= -3. 2 V. Verificm acum ce relaii am
aplicat la fiecare pas de calcul. Tensiunea baz emitor este sigur de ordinul a 0.6 V; i dac ar fi mai mic
potenialul de colector ar rezulta i mai negativ. Legea lui Ohm este cu siguran valabil pe rezistorul de
1 MO. Putem, deci, s contm pe valoarea obinut pentru curentul de baz, el este de 11 4 . A .
Mai departe am scris c I I
C B
= ; este aceast relaie valabil ntodeauna ? Recitim textul capitolului
i descoperim c aceasta nu se mai ntmpl dac tranzistorul intr n saturaie. Putem chiar verifica faptul
c tranzistorul este n saturaie, exist o valoare a curentului de colector fixat de circuitul extern pe care
tranzistorul nu o poate depi; aceasta se calculeaz simplu

+ 12 V
3.3 k
1 M

Fig. 4.35.


I
C sat
= =
12 V
3.3 k
3. 64 mA
O
.

Or, cu relaia I I
C B
= , curentul de colector a rezultat egal cu 4.6 mA. Concluzia este una singur, cu
= 400 tranzistorul este n saturaie. Din acest motiv, valoarea corect pentru potenialul de colector nu
este V
C
= -3. 2 Vcum a ieit din calcul, ci

V V
C E
~ = 0 V;

de fapt, vom avea o tensiune de saturaie de cteva zecimi de volt.
Dac am fi calculat valoarea lui I
C sat
de la nceput, n momentul n care am fi ajuns la
I
C
= 4. 6 mAclopoelul ar fi sunat imediat, anunndu-ne c tranzistorul a ajuns n saturaie. Este bine, deci,
s ncepem rezolvarea unei astfel de probleme prin calcularea curentului de colector la care tranzistorul
ar ajunge n saturaie.
S tragem acum concluziile. Am modificat factorul de la 200 la 100 i, apoi, la 400. La prima
operaie, potenialul colectorului s-a deplasat n sus cu 4 V, dar tranzistorul a rmas n regiunea activ. Prin
creterea la 400 ns, tranzistorul a intrat n saturaie i colectorul a ajuns la potenialul mase, tranzistorul
ncetnd s mai funcioneze ca un robinet controlat. Morala este c polarizarea tranzistorului cu o rezisten
direct de la alimentare este total contraindicat, deoarece punctul static de funcionare depinde puternic
de parametrul .
c) Valoarea curentului de baz, calculat n ipoteza V
BE
= 0.6 V, a fost de 11.4 A. Dac tensiunea
baz-emitor crete cu 0.2 V, noua valoare va fi

I
B
= =
12
11 2
V - 0.8 V
1 M
A
O
.

cu numai 1.8 % mai mic. n consecin, rezistena din baz stabilete
practic valoarea curentului de baz, indiferent de parametrii tranzistorului.
O denumire mai corect a acestei variante de polarizare ar fi "la curent de
baz fixat".

Problema 2. Circuitul din problema precedent a fost modificat i
acum arat ca n Fig. 4.36.
a) Pentru valoarea factorului de 200, calculai punctul static de
funcionare. ncercai s gsii o cale de a reduce o parte a rezolvrii la
cazul precdent.
b) Aflai ce se ntmpl dac factorul se modific, ajungnd la 400.
Rezolvare
a) De data aceasta nu mai cunoatem potenialul emitorului. Va
trebui s aplicm legea tensiunilor, efectund o excursie de la nodul de mas
prin rezistena din emitor, jonciunea emitor baz i rezistena din baz. Ecuaia care rezult este

0 1 + + + I I
E B
k 0. 6 V 1 M = 12 V O O ;

dac inem seama c I I I
E C B
~ = , relaia devine

+12 V
3.3 k
1 M
1 k
+
-
+
-
+
-
0.6 V

Fig. 4.36.


( ) V 12 = k 1 M 1 V 0.6 O + O +
B
I
care conduce la

I
B
=
12 V- 0.6 V
1 M k
11.4 V
1.2 M
A
O O O +
= =

1
9 5 . .

De aici urmm calea cunoscut, I I
C B
= = 1 mA .9 , U
R
C
= 6 3 . V i
V
C
= 5 7 . V. Pe de alt parte, V I
E E
= 1 k =1.9 V O iar
V V
B E
= + 0.6 V = 2.5 V. Circuitul, cu toate valorile calculate, este
prezentat n Fig. 4.37.
Dac analizm relaia din care am obinut valoarea curentului de
baz, constatm c rezistena din emitor apare multiplicat cu i
adunat cu rezistena din baz. Astfel, pentru calcularea curentului din
baz am putea considera c ea dispare din emitor i apare, de mai
mare, n serie cu rezistena din baz. Acest truc funcioneaz numai
pentru calcularea curentului din baz. Pentru etapele ulterioare ale
calculului ea trebuie s revin la locul ei n circuitul emitorului.

b) Cu = 400 curentul de baz se obine

I
B
=
12 V- 0.6 V
1 M k
11.4 V
1.4 M
A
O O O +
= =

1
8 14 . .

Creterea lui a micorat un pic curentul de baz dar efectul creterii rmne puternic asupra curentului de
colector, care rezult acum I I
C B
= = 3 3 . mA. n acest caz, pe rezistorul din colector ar cdea tensiunea
U
R
C
=10 7 . V de unde ar rezulta c potenialul colectorului ar fi la 1.3 V. Pe de alt parte, pe rezistorul din
emitor ar cdea 3.3 V i emitorul ar urca la V
E
= 3 3 . V. Am ajuns la o soluie n care potenialul colectorului
(1.3 V) este mai cobort dect al emitorului. Acest lucru este imposibil, deci tranzistorul a ajuns n saturaie.

Problema 3. n circuitul din Fig. 4.38 s-a utilizat un alt mod de polarizare al bazei. Considernd n
continuare c = 200,
a) decidei dac divizorul rezistiv din baz poate fi considerat
nencrcat i calculai punctul de static funcionare.
b) Reluai punctul precedent, pentru = 400. Formulai o concluzie.

Rezolvare
a) Rezistena echivalent a divizorului rezistiv este puin mai mic
dect valoarea rezistenei de 10 kO. Dac dorii o valoare mai precis,
calculai combinaia lor paralel i obinei 8.3 kO. Din rezolvarea problemei
precedente am nvat c, pentru calcularea curentului de baz, putem s
deplasm rezistena din emitor n circuitul bazei, dac o multiplicm cu .
Avem, astfel, o valoare pentru rezistena care constituie sarcina divizorului,
ea este 1 k = 200 k O O, de 200 8 3 24 . ~ de ori mai mare dect
rezistena echivalent a divizorului. n concluzie, cu o aproximaie de 4 %
+12 V
3.3 k
1 M
1 k
1.9 mA
1.9 V
5.7 V
2.5 V
9.5 A

Fig. 4.37.
+12 V
3.3 k
10 k
1 k
+
-
+
-
0.6 V
50 k

Fig. 4.38.


putem considera c divizorul este operat n gol. Prezena cderii de tensiune pe jonciunea baz-emitor
contribuie suplimentar la micorarea curentului extras din divizor, astfel c eroarea este chiar mai mic de
4 %.
n continuare, readucem rezistena din emitor la locul ei. Apoi calculm tensiunea de ieire n gol a
divizorului, prin regula de trei simpl. Ea este identic cu potenialul bazei tranzistorului

V
B
=
10 k
60 k
V = 2 V
O
O
12 ;

de aici calculm potenialul emitorului V V
E B
= 0. 6 V = 1. 4 V i, cu legea lui Ohm, curentul de emitor,
care este practic egal cu cel de colector, I
C
= 1. 4 mA. Urmeaz la rnd tensiunea pe rezistena din colector
V
R
C
= 4.6 V i, n final, potenialul colectorului V
C
= 12 V - 4. 6 V = 7. 4 V. Colectorul este mai sus cu
6 V dect emitorul, tranzistorul este departe de regimul de saturaie.
b) Acum divizorul rezistiv "vede" n locul rezistenei de sarcin de 200 kO una de valoare dubl, egal
cu 400 kO. Dac n cazul anterior cuplarea rezistenei de sarcin cobora cu 4 % tensiunea de ieire (faa de
cea de mers n gol), acum coborrea este numai de 2 %. n concluzie, modificarea lui de la 200 la 400
produce numai o cretere a potenialului bazei de 2 % din tensiunea n gol a divizorului, adic de numai 0.04
V. Aceeai cretere se va regsi i n emitor, provocnd o cretere a curentului de colector de numai 0.04 mA,
adic sub 3 %. n consecin, potenialul de colector va cobor cu 0.13 V de la valoarea anterioar de 7.4 V.
S ne aducem aminte c, n cazul circuitulor de la problemele 1 i 2, aceeai cretere a factorului
aducea tranzistorul n saturaie, pe cnd acum modificarea potenialului de colector este practic neglijabil.
Circuitul de polarizare din Fig. 4.38, care fixeaz potenialul bazei i nu curentul de baz, este circuitul care
asigur predictibilitatea punctului static de funcionare n condiiile mprtierii mari a factorului .


Probleme propuse

P 4.2.1. ncercnd s realizai circuitul din Fig. 4.39, luai un
tranzistor din cutie i l montai. S presupunem c tranzistorul are
= 200. Calculai curentul de baz, curentul de colector i
potenialul colectorului. Este el n regiunea activ sau n saturaie ?
P 4.2.2. Lund un alt exemplar din aceeai cutie trimis de
fabricant, tranzistorul are, s zicem, = 450 . Reluai problema
precedent i stabilii n ce regiune de funcionare se gsete
tranzistorul.
P 4.2.3. Stabilii acum n ce interval trebuie s fie factorul
pentru ca potenialul colectorului s nu se apropie la mai puin de doi
voli de potenialul alimentrii i, de asemenea, de potenialul masei.
n cutia cu tranzistoare, valorile lui | snt distribuite cu egal probabilitate ntre limitele 200 i 450. Dac
dorim s realizm un amplificator dup schema precedent, ct la sut dintre amplificatoarele realizate trebuie
aruncate pentru c nu ndeplinesc condiia asupra potenialului de colector enunat mai sus ?
P 4.2.4. Utiliznd circuitul din Fig. 4.40, prin
comutatorul K dorim s controlm aprinderea becului, care
are valorile nominale de funcionare 0.2 A i 4.5 V. n ceea
ce privete tranzistorul, contm pe un factor | de cel puin
50. Ct ar trebui s fie valoarea rezistenei din baz pentru ca
becul s funcioneze normal ? Dar dac ne lum o rezerv,
pentru orice eventualitate (de exemplu, cu filamentul rece
becul absoarbe mai mult curent dect cel nominal) ?
P 4.2.5. n circuitul din Fig. 4.41, tensiunea sursei
ideale E
B
a fost ajustat fin astfel nct V V
C
=
alim
2 . O
nclzire cu 8
o
C a tranzistorului este echivalent cu o
cretere de aproximativ 18 mV a tensiunii baz emitor (prin
modificarea parametrului I
s
din ecuaia (4.19)). Utilizai ecuaia
citat i calculai de cte ori crete curentul de colector. Mai rmne
tranzistorul n regiunea activ ? Este o idee bun s polarizm
tranzistorul n acest mod ?
P 4.2.6. Circuitul de la problema precedent mai are un
dezavantaj. Imaginai-v c E
B
sufer o variaie necontrolat, de
scurt durat, de la aproximativ 0.6 V la 1 V. Calculai de cte ori ar
crete curentul de colector dac rezistena R
C
ar fi nul (sau n locul
ei s-ar afla o diod). Care ar fi consecinele ?
P 4.2.7. n Fig. 4.42 avei schema unui amplificator cu emitor
comun, cu dou etaje. Ne vom ocupa numai de polarizare (regimul de
curent continuu) aa c nu trebuie s luai n seam condensatoarele,
ele nu afecteaz regimul de curent continuu. Nu le tergei de pe
schem, obinuii-v s lucrai cu ele acolo i s le ignorai cnd
vorbii despre polarizare. Mai nti stabilii sensurile curenilor i estimai ct de mari ar putea fi (n cea mai
defavorabil situaie) curenii de colector.
P 4.2.8. tiind c ambele tranzistoare au factorul de amplificare mai mare de 100, decidei dac
divizorul din baza lui T
1
poate fi considerat nencrcat. Calculai apoi, pentru primul tranzistor, potenialul
560 O
220 k O
+10 V

Fig. 4.39 .
+5 V
bec incandescenta
valori nominale
0.2 A; 4.5 V
R
B
K

Fig. 4.40.
+
_
0.6 V
E
B
R
C
V
C
V
alim

Fig. 4.41 .


bazei, potenialul emitorului i curentul de colector.
Scriei aceste valori pe schem, obinuii-v s
lucrai n principal pe schem i s scriei ct mai
puine ecuaii sub form literal.
P 4.2.9. Pentru determinarea potenialului de
colector al lui T
1
ar trebui s cunoatem curentul de
baz al lui T
2
, pe care nu l tim. Putei afirma,
ns, c el nu este mai mare dect o anumit valoare,
pentru c avei deja o estimare maximal a
curentului de colector. Suntei, astfel, n msur s
aflai i potenialul de colector al primului
tranzistor.
P 4.2.10. n sfrit, determinai, pentru al
doilea tranzistor, potenialul de emitor, curentul de
colector i potenialul colectorului.
P 4.2.11. Am vzut c putem considera curentul de colector ca
fiind controlat de tensiunea baz-emitor, parametrul care depinde de
tranzistorul particular pe care l folosim fiind factorul multiplicativ I
s
.
Acest fapt are o aplicaie important n circuite ca cel din Fig. 4.43,,
numit oglind de curent.
a) Determinai curentul de colector al tranzistorului T
1
(curenii
de baz se pot neglija).
b) Considernd c cele dou tranzistoare sunt "mperecheate",
avnd aceeai valoare pentru parametrul I
s
, calculai curentul de
colector al tranzistorului T
2
.
c) Rezistena sarcinii se modific; cu ce este echivalent
tranzistorul T
2
?
d) Care este compliana de tensiune a sursei de curent ?
e) Este aceasta o surs cu rezisten dinamic mare ? Revedei
caracteristica de ieire cu V
BE
= const .
P 4.2.12. Circuitul din Fig. 4.44 este o oglind de curent
perfecionat.
a) Calculai curentul de colector al tranzistorului T
1
.
b) Determinai curentul de colector al tranzistorului T
2
,
considernd tranzistoarele identice.
c) Estimai cu ct se modific valoarea curentului de colector al
tranzistorului T
2
dac parametrul su I
s
devine de 10 ori mai mare.
Formulai o concluzie n privina predictibilitii curentului dac
tranzistoarele nu sunt mperecheate.
d) Calculai ct este acum compliana de tensiune a sursei de
curent.
e) Ce se ntmpl cu valoarea rezistenei dinamice a sursei de
curent ? Indicaie: potenialul bazei lui T
2
este meninut constant dar
tensiunea baz - emitor nu mai este constant; ai ntlnit o situaie
similar atunci cnd am discutat conexiunea cu baz comun.
90 k
+20 V
in
out
10 k 1.5 k
5 k
2.2 k
2.5 k
T
1
T
2

Fig. 4.42.
+10 V
sarcina
4.7 k
T
1
T
2

Fig. 4.43.
+10 V
sarcina
4.2 k
T
1
T
2
500 O 500 O

Fig. 4.44.



Pregtirea experimentelor

Desenai-v pe caiet circuitul din Fig. 4.45. pe care l vei utiliza pentru trasarea caracteristicilor statice.
Determinai sensurile curenilor i polaritile necesare pentru aparatele de msur. Realizai apoi circuitul.
+
_
V
A2
+
_
B
I
R
B
A
V V
BE
V
I
mA
I
C
0 - 10 V
V
A1
ap
I
E
C
B
Pot.

Fig. 4.45 Circuit pentru trasarea caracteristicilor statice.
Sursa V
A2
, legat direct ntre colector i emitor, va menine constant tensiunea V
CE
iar
miliampermetrul va msura valoarea curentului de colector. Sursa V
A1
i rezistena R
B
vor asigura
deschiderea jonciunii baz-emitor. Curentul de baz poate fi reglat din valoarea acestei surse i, mai fin, cu
poteniometrul Pot. montat pe planet. Voltmetrul msoar tensiunea tensiunea V
BE
ntre baz i emitor.
Cunoscnd tensiunea de deschidere (tranzistorul este cu siliciu), stabilii scala pe care va trebui utilizat
voltmetrul i notai aceasta pe schema desenat.
Pentru determinarea curentului de baz a fost intercalat un microampermetru. El nu msoar ns
curentul de baz ci suma dintre acesta i curentul prin voltmetru

I I
V
R
ap B
BE
V
= + ; (3)

al doilea termen fiind semnificativ, va trebui s facei corecia necesar. Determinai rezistena voltmetrului,
decuplnd baza tranzistorului (legnd microampermetrul numai la voltmetru) i ajustnd sursa V
A1
astfel
nct tensiunea pe voltmetru s fie pe scala de 1V, acolo unde voltmetru va fi utilizat. Comparai valoarea
aflat cu cea nscris pe aparat.

Experimentul 1. Caracteristica de intrare

Caracteristica de intrare este dependena curentului de baz n fncie de tensiunea baz-emitor. Ea
trebuie trasat meninnd constante anumite condiii de la portul de ieire. Cum valoarea curentului de colector
este controlat de la intrare, se menine constant tensiunea colector-emitor, care este parametrul la care se
traseaz caracteristica. Modificnd valoarea parametrului, obinem familia de caracteristici de intrare.
Vom modifica valoarea curentului de baz ntre 0 i 100 A. Presupunnd c tranzistorul are un factor
de amplificare de 100, estimai valorile curentului de colector i alegei o scal adecvat pentru
miliampermetrul din colector. Stabilii la 5 V tensiunea V
CE
i variai curentul de baz cu ajutorul
poteniometrului, observnd deschiderea jonciunii baz emitor i faptul c ea controleaz curentul de colector.
nainte s trasai caracteristica, determinai aproximativ tensiunea de deschidere i factorul | . Pentru a trasa


caracteristica de intrare n scar liniar, determinai 10-12 puncte experimentale, pe ct posibil cu valori I
C

echidistante. Msurai, n acelai timp, i valorile curentului de colector, trecnd datele ntr-un tabel de forma

V
BE
(V) I
ap
(A) I V R
V BE V
= (A) I I I
B ap V
= (A) I
C
(mA) | = I I
C B

0 0 0 0 0

Completai apoi tabelul, fcnd msurtori la valori mult mai mici ale curenilor. Utilizai, pentru
valorile curentului de colector, secvena 5 mA, 1 mA, 0.5 mA, 0.2 mA, 0.1 mA, 0.05 mA, 0.02 mA, 0.01 mA,
0.005 mA, 0.002 mA, 0.001 mA deoarece aceste valori vor aprea practic echidistante pe scara
logoritmic.
Modificai acum tensiunea colector-emitor la valoarea 10 V i trasai din nou caracteristica de intrare
(numai msurtorile pentru scar liniar).
Reprezentai, apoi, grafic, n coordonate liniare, ncepnd de la V
BE
= 0, caracteristica I f V
B BE
= ( )
msurat la V
CE
= 5 V. Se comport portul de intrare ca un rezistor ? Pentru mici variaii n jurul unui punct
de funcionare, putem introduce rezistena dinamic r V I
be BE B
= A A . Calculai valorile ei la curent de
colector de 1 mA i 10 mA.
Desenai pe acelai grafic i caracteristica ridicat la V
CE
= 10V. Cum depinde comportarea portului
de intrare de tensiunea de la portul de ieire ? Caracterizai cantitativ aceast dependen, alegndu-v o
anumit valoare a curentului de baz (de exemplu I
B
= 50 A ) i msurnd cu ct s-a modificat tensiunea
baz-emitor la modificarea tensiunii colector emitor; estimai factorul A A V V
BE CE
.

Experimentul 2. Caracteristicile de transfer

ncepei cu caracteristica I f I
C B
= ( ). Avei deja valori msurate pentru trasarea acestei caracteristici.
desenai-o i verificai c ea este apropiat de o linie dreapt. Este util n practic s cunoatem cum se abate
un tranzistor de la caracteristica ideal. Pentru aceasta, va trebui s calculai valorile factorului | i s le
reprezentai n funcie de curentul de colector = f I
C
( ), deoarece acest curent este cunoscut n aplicaii.
Utilizai o scar logaritmic pentru curentul de colector. Formulai o concluzie asupra dependenei factorului
de amplificare n curent |.
i pentru dependena I f V
C BE
= ( ) avei deja datele. Mai nti reprezentai-o n coordonate liniare, cu
tensiunea ncepnd de la zero. Rspundei la ntrebarea: este tranzistorul bipolar un element de circuit liniar ?
Determinai transconductana sa

g I V
m C BE
= A A .

la I
C
= 1 mA i I
C
= 10 mA i verificai c ea respect relaia g I V
m C T
= .
Ne ateptm ca dependena s fie descris de relaia I I e
C S
V V
BE T
= . Pentru a verifica aceasta,
desenai din nou caracteristica, cu o scar logaritmic pentru curent. (atenie, pe axa logaritmic "etichetele"
trebuie s arate valoarea curentului i nu a logaritmului !); alegei o scar liniar convenabil pentru tensiune,
chiar dac nu ncepe de la zero. Ce form are graficul i ce concluzie putei trage asupra dependenei
I f V
C BE
= ( ) ? Determinai pe ce interval de variaie a tensiunii baz-emitor curentul variaz cu o decad
(multiplicare cu 10). Din aceast valoare, determinai valoarea lui V
T
i apoi, utiliznd un punct de pe grafic,
calculai valoarea parametrului I
s
.


0.50 0.55 0.60 0.65 0.70 0.75 0.80
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
curentul de colector (mA)
tensiunea baza-emitor (volti)

Desenai pe acelai grafic i dependena curentului de baz (caracteristica de intrare). Are curentul de
baz aceeai comportare ca cel de colector ?


Deconectai voltmetrul din baza tranzistorului i legai-l ntre colector i emitor. Fixai I
B
la o anumit
valoare (s zicem 10 A) i micorai gradual tensiunea V
CE
de la 10 V pn la 0 V, urmrind evoluia
curentului de colector. Dac valoarea curentului de baz are tendina s se modifice fa de cea stabilit la
nceput, reajustai-i valoarea cu ajutorul poteniometrului de pe planet.
Refacei experimentul pentru alte cteva valori ale curentului de baz (20 A, 30 A, 40 A) i desenai
aceste dependene I f V
C CE I const
B
=
=
( )
.
pe acelai grafic, obinnd o parte din familia de caracteristici de
ieire. Estimai din grafic, pentru fiecare din caracteristicile de ieire, valoarea rezistene dinamice n regiunea
activ. Cum depinde ea de valoarea curentului de colector ? (desenai un grafic) Determinai, n final, valoarea
tensiunii Early, fie din valoarea rezistenei dinamice, fie prin extrapolarea caracteristicilor.

Experimentul 4. Saturaia tranzistorului n circuitele practice

Cnd am trasat caracteristica de ieire am legat o surs ideal de tensiune ntre colector i emitor, surs
care meninea tensiunea ntre aceste puncte la valoarea dorit de noi. Astfel, intrarea n saturaie s-a fcut prin
coborrea tensiunii acestei surse, care continuat, cobor la zero curentul de colector. n circuitele practice n
care tranzistorul este utilizat (i nu studiat), lucrurile stau cu totul altfel. Diferena esenial este c ntre sursa
V
A2
i colector se intercaleaz intercaleaz o rezisten R
C
.

Stabilii la 10 V tensiunea de alimentare V
A2
i modificai circuitul, cuplnd o rezisten de colector de
10 kO . Calculai ct trebuie s fie valoarea curentului de colector la saturaie. Mrii, apoi, valoarea
curentului de baz i observai ce se ntmpl cu valoarea curentului de colector i cu tensiunea colector emitor.


Dup ce V
CE
coboar sub 1 V, msurai dependena acesteia n funcie de curentul de baz V f I
CEsat B
= ( ) ;
cretei curentul de baz pn la 100 A.
+
_
B
I
R
B
A
V V
CE
mA
I
C
+
_
V
a2
10 V
Va1
E
C
B
Pot.
R
C

Fig. 4.46.

Schimbai apoi rezistena de colector cu una de 1 kO. Calculai curentul de colector la care se va satura
acum tranzistorul i refacei msurtorile V f I
CEsat B
= ( ) . De data aceasta mrii curentul de baz pn la 1
mA. Desenai apoi, pe acelai grafic, ambele dependene. Pentru curentul de baz alegei o scar logaritmic
iar pentru tensiunea colector emitor utilizai o scara liniar, ntre zero i 1 V. Pe fiecare din curbe notai
valoarea curentului de colector la care a fost trasat.

10 100 1m
0.0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
A A A
I
B
V
CE sat
(V)


Pagini distractive

Am vzut, la sfritul seciunii 4.1, c, la instigarea unor autori "alternativi"
3
, Ministerul Educaiei
Naionale i ordon bietului tranzistor bipolar (Ordinul nr. 4055 din 26.06.200 prin care avizeaz manualul)
s aib o jonciune ntre colector i emitor, s se satureze la valoarea maxim admis n catalog pentru
I
C
i, cel mai dureros, s intre n conducie la un scurtcircuit ntre baz i emitor. Supliciul la care e supus
acest dispozitiv onest nu se oprete, ns, aici. Cum specialiti de calibrul autorilor se pare c se gsesc din
belug pe la noi, suntem delectai cu o bijuterie de problem, propus la Olimpiada naional de fizic, 1998.
Pentru c al treilea punct al problemei nu cere dect reproducerea unor cuvinte de prin manuale, ne vom referi
numai la primele dou.
"ntr-un etaj de amplificare cu un tranzistor n
montaj cu emitorul comun (vezi figura alturat) este
folosit un tranzistor n-p-n. Pentru polarizarea bazei
tranzistorului se folosete un divizor compus din
rezistoarele R
1
i R
2
. n lipsa semnalului electric de la
bornele de intrare 1 - 1', pentru punctul static de
funcionare, situat pe poriunea liniar a caracteristicii de
curent I f U
C CE
= ( ), se consider cunoscui parametrii
electrici: I
E
= 5 mA, I
B
=10 A , U
BE
= 0.6 V,
R
2
= 6 kO, R
C
= 1 kO, E =12 V, r = 0, R
E
= 1 O".
Pentru a uura discuia, ne-am permis s trecem pe
schema original valorile unora dintre "parametrii electrici" (rezistenele i curentul de emitor). S citim acum
cerinele problemei i s le rezovm cu ceea ce tim noi despre tranzistoare.
"a) Ce valoare are tensiunea U
CE
(ntre colectorul i emitorul tranzistorului) dac ntreruptorul K este
nchis i ce valoare va avea curentul din baz cnd K este deschis, dac U
BE
i I
E
se menin practic la
aceleai valori."
Sunt, de fapt, dou chestiuni. Tensiunea U
CE
rezult imediat dup ce calculm cderile de tensiune pe
rezistorul din emitor (5 mA 1 = 5 mV O ) i pe cel din colector
U
R
C
= (5 mA-10 A) 1 k = 4.99 V 5 V ~ O . Cum tensiunea de alimentare este de 12 V, ntre colector i
emitor mai rmne s cad 12 V- 5 V- 5 mV V 7 V = ~ 6 995 . .
A doua chestiune se refer la situaia n care contactul K se ntrerupe (K deschis): ni se cere valoarea
curentului din baz, dndu-ni-se informaia suplimentar c "U
BE
i I
E
se menin practic la aceleai valori".
tim c tensiunea pe jonciunea baz-emitor nu se va modifica semnificativ dar autorul problemei i cere
tranzistorului s-i menin practic neschimbat curentul de emitor cnd contactul K se ntrerupe ! C doar
de aia este el autor naional de probleme.
Ce ar face totui un tranzistor umil, dac ar fi lsat n pace de autorul respectiv ? Observm, mai nti
c nu tim valoarea rezistenei R
1
; o putem calcula, deoarece cunoatem curentul de baz i potenialul bazei.
Prin R
2
curge la mas un curent de 0.605 V 6 k mA O = 0101 . , iar rezistena R
1
trebuie s furnizeze
suplimentar i curentul bazei, deci n total 0.101 mA+ 0.01 mA = 0.111 mA. Cum pe ea cade
12 V- 0.605 V =11.4 V, ea are valoarea 11.4 V 0.111 mA k =103 O. Tot din datele problemei putem
afla factorul al tranzistorului, este 5 mA 10 A + = ~ 1 501 500. Acum avem tot ce ne trebuie. Tensiunea
de alimentare cade pe R
1
, pe jonciunea baz-emitor i pe rezistorul din emitor. Astfel, curentul de baz se
obine prin ( ( 1 V- 0.6 V) 1 k + 500 1 ) = 0.11 mA 2 03 O O Cu un asemenea curent de baz, dac
tranzistorul ar mai rmne n regiunea activ, curentul de colector ar trebui s fie de 55 mA. Dar rezistena din

3
***, "Fizic", Manual pentru clasa a X-a, Ed. Teora Educaional, Bucureti, 2000.
1 O
6 k
1 k
R
C
R
1
R
2
R
E
1
1'
2
2'
+ 12 V
5 mA
K
+
-
0.6 V


colector, de 1 kO, nu permite curentului de colector s ajung dect pe la 12 mA, unde tranzistorul intr n
saturaie. Cum rezistena din emitor este extrem de mic (numai Dumnezeu poate ti de ce a ales-o aa
autorul, vom reveni n alt capitol asupra acestui lucru), n regim de saturaie emitorul st pe la 12 mV,
potenialul bazei este pe la 0.612 mV i curentul de baz este doar cu o miime mai mic dect cel calculat
anterior.
n concluzie, cnd contactul K este ntrerupt, tranzistorul este saturat la I
C
~12 mA iar curentul de
baz este de 0.11 mA. Curentul de emitor este, deci, de 12.1 mA. Autorul problemei i ncordeaz, ns,
muchii i oblig tranzistorul s menin curentul de emitor "practic" la aceeai valoare, adic la 5 mA.
S ne ocupm acum i de chestiunea de la punctul urmtor.
"b) Se aplic un semnal electric de tensiune u U t
i
= sin( ) , U E << , la bornele de intrare 1 -1' ale
etajului de amplificare (peste valoarea de regim static, se suprapune componenta de tensiune variabil n
timp). Se cere s se exprime dependena tensiunii de la bornele de ieire 2 -2' n funcie de valorile instantanee
ale curentului de colector i
C
, cnd K este nchis. Condensatoarele las semnalul variabil s treac."
Ne minunm un pic de faptul c, pentru a pune condiia de semnal mic, autorul problemei compar
amplitudinea semnalului cu tensiunea de alimentare. Noi tiam c numai 18 mV variaie a tensiunii baz-
emitor dubleaz curentul de colector i duce tranzistorul aproape de saturaie. 18 mV nu nseamn semnal mic
pentru acest amplificator, dei este de peste 600 de ori mai puin dect tensiunea de alimenatare. Nu merit s
ne minunm, totui, prea tare; fa de meninerea constant a lui I
E
de la punctul precedent aceast este o
otie nevinovat. Ne mai ntrebm numai de ce e nevoie s tim forma semnalului de intrare dac dependena
cerut trebuie exprimat n funcie "de valorile instantanee ale curentului de colector". S rspundem, totui la
ntrebarea problemei. Considernd variaiile de la regimul de repaus, ntoteauna A A V R I
C C C
= ; dac
variaiile sunt de frecven suficient de mare, la ieirea 2 -2' tensiunea instantanee va fi egal n orice
moment cu abaterea instantanee a potenialului colectorului de la regimul de repaus u R I
C C 2 2
=
'
A . Aici
A I i
C c
= este abaterea instantanee a curentului de colector de la valoarea de repaus. Dac dorm s apar
valoarea instantanee a curentului de colector i
C
, va trebui s o punem sub forma u R i t I
C C CQ 2 2
=
'
( )
unde I
CQ
este curentul de colector n repaus.
i acum s ncetm comentariile i s admirm rezolvarea dat de autorii manualului:

Tranzistorul este "uor n conducie" i nu se satureaz la ntreruperea lui K pentru c, dup tiina
autorilor manualului, aceasta are loc la valoarea maxim admis a lui I
C
. Pentru calculul tensiunii de ieire
sunt scrise o mulime de relaii complet inutile. Un lucru extraordinar ne lumineaz spre sfrit: autorii au aflat
c intensitaile curenilor de emitor i de colector sunt "de acelai ordin de mrirme".
CAPITOLUL

Redresarea i stabilizarea

~ Redresor Filtru Stabilizator
Sarcina
Re\ea
0 0 0 0
Transformator
bleeder
50 Hz
220 V
ef

A. Structura unui alimentator electronic 144
B. Redresorul monoalternan 144
C. Filtrul capacitiv 145
D. Redresorul dubl alternan 148
E. Stabilizatorul de tensiune cu diod Zener 150


A. Structura unui alimentator electronic

Producerea i distribuia energiei electrice se face cu o tensiune care evolueaz sinusoidal n timp, avnd
media zero; frecvena este de 50 de Hz n Europa i de 60 Hz n America de Nord. Alegerea acestei forme este
legat de comoditatea producerii dar, mai ales, de posibilitatea utilizrii transformatoarelor pentru modificarea
valorilor tensiunii i a curentului. Totui, aparatura electronic are nevoie de energie electric furnizat sub
forma unei tensiuni continue, care nu-i schimb polaritatea i care rmne practic constant n timp. Aceasta
este produs de un alimentator, a crui structur general este prezentat n Fig. 5.1.

~
Redresor
Filtru
Stabilizator
de netezire
Sarcina
0 0 0 0
Transformator
Bleeder
50 Hz
220 V
ef
Re\ea

Fig. 5.1. Schema bloc a unui alimentator.

Transformatorul modific amplitudinea tensiunii sinusoidale (de la valoarea de 311 V corespunznd
tensiunii efective de 220 V n Europa) la valoarea convenabil aparatului care trebuie alimentat. Urmeaz apoi
redresorul, care determin ca tensiunea (i curentul) de la ieirea sa s fie monopolare (s nu-i schimbe sensul
n timp). Forma de und redresat are o medie nenul dar prezint o ondulaie inacceptabil de mare (riplu, n
jargonul electronitilor, de la englezescul ripple). Urmeaz apoi un filtru de netezire care micoreaz aceast
ondulaie. Dac precizia cu care tensiunea de alimentare trebuie s rmn constant n timp este mare, dup
filtru se intercaleaz un stabilizator de tensiune care micoreaz substanial efectele asupra tensiunii de ieire
produse att de variaiile tensiunii nestabilizate de la intrarea sa ct i de modificrile curentului absorbit de
sarcin.
n situaia cnd ntreruperea alimentrii s-ar face cu alimentatorul n gol (absena sarcinii)
condensatoarele de filtrare ar rmne ncrcate pentru mult timp i ar reprezenta un inconvenient, mai ales
dac alimentatorul este reglabil i este repornit la o tensiune mai mic. Din acest motiv, este bine s montm
permanent la bornele sale o rezisten de valoare mare, cunoscut n jargon ca "bleeder", care la deconectare
s coboare la zero tensiunea de ieire ntr-un timp rezonabil, de ordinul secundelor.

B. Redresorul monoalternan
Prin redresare (rectification n limba englez), o tensiune alternativ, care trece att prin valori pozitive
ct i prin valori negative, este convertit ntr-una care are valori de o singur polaritate.
n consecin, dac tensiunea redresat este aplicat unui consumator (sarcin), curentul va circula ntr-un
singur sens.
Principiul redresrii const n comutarea cii de curgere a curentului astfel nct, dei la intrare el
circul n ambele sensuri, trecerea sa prin sarcin s se fac ntr-un singur sens. Din acest motiv, comutarea
trebuie s se fac sincron cu schimbarea sensului curentului alternativ de la intrare. Acest lucru se

Cap. 5. Redresarea i stabilizarea 145

realizeaz la generatoarele magnetoelectrice de curent continuu printr-un comutator mecanic care se nvrte
odat cu axul generatorului.
Existena diodelor semiconductoare a fcut posibil construirea unor redresoare statice (fr piese
mecanice n micare) care s poat fi conectate oriunde n circuitul de curent alternativ. Conducnd numai ntr-
un singur sens, dioda sesizeaz automat momentul schimbrii sensului tensiunii alternative i, n acelai timp,
comut calea de curent, blocndu-se sau intrnd n conducie. Cel mai simplu redresor este cel
monoalternan, prezentat n Fig. 5.2.

+
_
~
U
s U
1
U
s
U
1
R
s
0
t
dioda conduce
dioda este blocata
+
_

Fig. 5.2. Redresorul monoalterna.

Tensiunea alternativ U
1
este desenat cu linie subire iar tensiunea redresat cu linie groas. Atta
timp ct tensiunea la bornele secundarului este negativ, dioda este invers polarizat i este blocat; curentul
prin ea este nul i, conform legii lui Ohm, nul este i tensiunea pe rezistena de sarcin. Pentru semialternana
pozitiv, dioda este polarizat direct i intr n conducie. Dac neglijm, n prim aproximaie, cderea de
tensiune pe diod (cu valoarea sub 1 V), ntreaga tensiune de la bornele secundarului (cu valori uzuale de zeci
de volti) se regsete la bornele rezistenei de sarcin, ca i cum aceasta ar fi legat direct la bornele
secundarului.
n concluzie, rezistena de sarcina este conectat la tensiunea alternativ numai pe parcursul
semialternanelor pozitive; n timpul semialternanelor negative ea este lsat, pur i simplu, n gol.

C. Filtrul capacitiv

Dei are o singur polaritate, tensiunea produs de redresor nu poate fi utilizat direct la alimentarea
unui aparat electronic deoarece ea sufer variaii importante n timp; mai mult, curentul prin sarcin este zero
jumtate din timp. Trebuie s gsim o soluie ca furnizarea curentului prin rezistena de sarcin s se fac
mult mai uniform; aceasta revine la nmagazinarea sarcinilor electrice pe intervalul de timp ct dioda conduce
i utilizarea acestei rezerve pe durata ct dioda este blocat. Dispozitivul care poate nmagazina sarcin
electric este condensatorul i cu el se construiete filtrul de netezire, ca n Fig. 5.3.

+
_
U
s
R
s ~ U
1
C
f
0
U
1
U
s
t
U
U
s max
A t aprox.
A t exact
evolutia aprox.

Fig. 5.3. Redresor monoalternan cu filtru capacitiv.

S considerm c, la trecerea prin zero a sinusoidei, condensatorul este iniial descrcat. Pe
semialternana pozitiv dioda intr n conducie i furnizeaz, pe lng curentul prin sarcin (determinat de
legea lui Ohm), un curent de ncrcare a condensatorului, aa cum se vede n Fig. 5.4 a). Rezistena intern a
secundarului este suficient de mic astfel nct ncrcarea este practic instantanee i tensiunea pe condensator
urmrete tensiunea de la bornele secundarului, atingnd o valoare maxim egal cu amplitudinea tensiunii
sinusoidale a secundarului minus valoarea tensiunii U
FD
care cade pe dioda n conducie (mai mare, n
general, dect 0.6 V, datorit curenilor mari)

U U U
s max 1 ef FD
= 2
. (5.1)

Rs Rs
U
1
C
f
dioda
conduce
dioda este
blocata
U
1
C
f
+
-
+
-
+
-
U
1
C
f
+
-
+
-
aceasta s-ar fi intimplat daca
in locul diodei am fi avut un
conductor
evolutia tensiunii
pe condensator
condensatorul
se descarca
prin secundar
a) b) c)

Fig. 5.4. ncrcarea i descrcarea condensatorului de filtrare.

Din acest moment, tensiunea la bornele secundarului ncepe s scad. Dac n locul diodei am fi avut
un simplu fir conductor, ca n Fig. 5.4 c), condensatorul ar fi nceput s se descarce prin secundar, tensiunea
sa urmnd n continuare sinusoida, care acum este descendent. Dioda ns nu permite trecerea curentului n
acest sens i ea se blocheaz imediat ce sinusoida a atins valoarea maxim, izolnd secundarul de restul
circuitului aa cum se vede n desenul b) al figurii. Condensatorul rmne s se descarce numai prin rezistena


de sarcin; aa cum tii, evoluia tensiunii este exponenial, cu o constant de timp egal cu produsul R C
s f
.
Pentru valori mari ale acestei constante de timp ( R C
s f
>> perioada retelei ), tensiunea, scznd ncet, este
aproximativ constant i, confom legii lui Ohm, curentul de descrcare este i el aproximativ constant
I I
s
~ = const.
0
. n cazul n care dup redresor este montat un stabilizator, aa cum vom vedea, tensiunea pe
sarcin este meninut practic constant (variaii sub 0.01 %) i curentul de descrcare este ntr-adevr
constant.
Cum pe condensator viteza de variaie a tensiunii dU dt I C =
0
este practic constant, evoluia
tensiunii se face aproximativ dup o linie dreapt. Condensatorul nu se descarc complet pn la nceperea noii
semialternane pozitive, aa c dioda nu se mai deschide ncepnd chiar din acest moment, ci abia cnd
tensiunea secundarului, crescnd sinusoidal, devine mai mare dect tensiunea pe condensator, care scdea.
Dup deschidere, dioda conduce din nou pn n momentul cnd sinusoida ajunge la valoarea maxim,
asigurnd condensatorului o nou rezerv de sarcin electric. Din acest moment dioda se blocheaz i
procesul se repet periodic. Pentru ca ondulaia s fie vizibil, cazul reprezentat n Fig. 5.3 este acela al unei
filtrri extrem de modeste. n aplicaiile practice
majoritatea timpului rezistena de sarcin primete curent de la condensator i nu de la diod.
Astfel, putem considera, pentru o filtrare bun, c durata At a descrcrii condensatorului este aproximativ
egal cu perioada reelei de alimentare At T ~ = 20 ms . Din acest motiv, adncimea ondulaiei rezult
simplu

AU
I T
C
f
~
0
, (5.2)

relaie utilizat n proiectarea redresoarelor.
De multe ori este nevoie s caracterizm efectul filtrrii printr-un factor adimensional, astfel nct s nu
mai conteze mrimea tensiunii obinute. Se introduce, astfel, factorul de ondulaie, ca fiind raportul dintre
amplitudinea AU 2 a ondulaiei i mrimea medie a tensiunii

=
AU
U
med
2
1
. (5.3)

n cazul nostru, nlocuind valoarea medie a tensiunii de pe sarcin cu I R
s 0
, obinem expresia factorului
de ondulaie ca

mono
s f
T
R C
~
2
. (5.4)

Trebuie subliniat c aceast aproximaie este valabil pentru filtrri bune, adic la valori << 1.

Dac, dintr-un motiv sau altul, ondulaia crete, aceasta provoac o scdere a tensiunii medii. Analiznd
desenul din Fig. 5.3, se constat c

U U U
med s max
= A 2
. (5.5)

Am considerat, pentru simplitate, c sarcina redresorului este un rezistor. n realitate nu se ntmpl
aproape niciodat aa, pentru c rezistoarele pot fi nclzite i n curent alternativ i, deci, nu au nevoie
neaprat de tensine continu. Sarcina este, n general, un circuit complex, care nu respect legea lui Ohm i
care are nevoie de o tensiune constant dar necesit un curent care nu este constant n timp. Ce se ntmpl
dac intensitatea curentului prin sarcin sufer o variaie foarte rapid ? Panta cu care coboar tensiunea pe
condensator se schimb brusc dar rmne n continuare suficient de mic pentru ca tensiunea la bornele
sarcinii s nu varieze semnificativ. Curentul suplimentar este furnizat instantaneu de imensa rezerv de sarcin
de pe condensator.
n realitate, ns, condensatoarele de valori foarte mari (mii i zeci de mii de F) utilizate la filtrare sunt
condensatoare electrolitice cu aluminiu i sunt realizate prin nfurarea unui sandwich metal-izolator-metal.
Din acest motiv, ele prezint o inductan semnificativ, care se comport ca un "oc" pentru variaiile brute
de curent. Din acest motiv, condensatorul nu poate furniza rapid vrfurile de curent cerute de sarcin i, n
consecin, n aceste momente tensiunea pe sarcin coboar brusc.
Rezolvarea const n montarea, n paralel cu condensatorul de valoare foarte
mare, a unui condensator de valoare mic, dar cu inductan neglijabil (Fig. 5.5).
Acesta poate fi unul electrolitic cu tantal (disponibil de valori de
civa F) sau unul ceramic (valori de 0.1 F). Acum vrfurile scurte de curent
sunt suplinite de condensatorul de valoare mic (dar care rspunde rapid) iar
variaiile lente sunt suplinite de condensatorul de valoare mare care are o rezerv
de sarcin mult mai mare. Cnd firele ntre alimentator i circuitul care trebuie
alimentat sunt lungi, pentru a elimina efectul inductanei lor, un alt condensator rapid trebuie montat chiar pe
circuitul alimentat.

D. Redresorul dubl alternan

n circuitul descris anterior, ncrcarea condensatorului se fcea o singur dat ntr-o perioad, n
timpul semialternaei pozitive. Datorit preului sczut al diodelor,
azi se folosete aproape exclusiv redresarea dubl alternan care ofer, n aceleai condiii, un riplu redus la
jumtate.
O astfel de schem, care utilizeaz o punte de diode, este prezentat n Fig. 5.6. n timpul
semialternanei pozitive conduc diodele D
2
i D
4
, pe cnd n timpul semialternanei negative intr n conducie
diodele D
1
i D
3
. Rezultatul este acela c prin rezistena de sarcin sensul curentului rmne neschimbat.

4700 F 0.1 F
ceramic

Fig. 5.5.


U
s
0
t
U
s
U
1
+
_
~
U
1
R
s
D
1 D
2
D
3
D
4
_
+
_
U
1
R
s
D
1
D
3
+
+
_
U
1
R
s
D
2
D
3
D
4
+
_

Fig. 5.6. Redresorul dubl alternan.

Dac aplicm i filtrarea, forma de und a tensiunii de pe sarcin
arat ca n Fig. 5.7, unde am desenat cu linie ntrerupt evoluia
tensiunii redresate n absena filtrrii. Tensiunea maxim este egal cu
amplitudinea tensiunii sinusoidale, din care trebuie sczute cderile de
tensiune pe cele dou diode n conducie

U U U
s max 1 ef FD
= 2 2
. (5.6)

De data aceasta, condensatorul se descarc un timp egal practic
cu jumtate din durata perioadei sinusoidei de la intrare, de dou ori mai
scurt dect la redresarea monoalternan. Din acest motiv, pentru acelai
produs R C
s f
, adncimea ondulaiei i, corespunztor, factorul de
ondulaie au valori de dou ori mai mici dect n cazul filtrrii monoalternan

dubla alt
s f
T
R C
.
~
4
. (5.7)

cu T = 20 ms, perioada reelei de alimentare. Pentru un curent de ieire I
0
adncimea riplului este

AU
I T
C
f
~
0
2
. (5.8)

0
t
U
s
T

Fig. 5.7. Tensiunea de ieire a unui
redresor dubl alternan, dup
filtrare.

S vedem de ce condensatoare avem nevoie pentru un curent de 1 A i un riplu rezonabil, de 1 V. Cum
perioada reelei n Europa este de 20 mS, obinem o valoare
C
I T
U
f
~ =

=
0
2
1
10
A
A 20mS
2V
mF = 10 000 F , adic o valoare destul de mare. Dac dorim cureni mai
mari, valoarea necesar crete proporional cu valoarea curentului. Condensatoarele electrolitice cu aluminiu
ajung pn pe la 68 000 F, dar cele care suport tensiuni i cureni mari sunt voluminoase i scumpe.
Scderea riplului de un numr de ori se poate realiza cu preul creterii capacittii de filtraj de acelai numr
de ori. E bine, deci, s nu ne ncpnm s obinem un riplu prea mic, mai ales c acesta poate fi redus
ulterior de mii de ori, mult mai comod i ieftin, prin stabilizare. Un riplu de 1-2 V este, din aceste motive, o
alegere bun.
Merit subliniat c la redresarea dubl alternan, ondulaia are frecvena de 100 Hz i nu de 50 Hz ca
la redresarea monoalternan. Prezena unui riplu de 50 Hz la un redresor dubl alternan este semnul sigur
c una sau dou diode din punte sunt ntrerupte i el funcioneaz ca unul monoalternan.

E. Stabilizatorul de tensiune cu diod Zenner

Aa cum am vzut, tensiunea medie dup redresare i filtrare depinde de amplitudinea tensiunii
sinusoidale de la bornele secundarului transformatorului care, la rndul ei, este proporional cu amplitudinea
tensiunii de la reea. Or, aceasta nu este riguros constant, datorit mrimii variabile a curentului absorbit de
consumatori. n plus, chiar dup filtrare, tensiunea produs mai are o component variabil, numit ondulaie,
cu frecvena de 50 Hz sau 100 Hz (dup tipul redresrii).
Stabilizatorul (voltage regulator n limba englez) are rolul de a micora aceste variaii, forma tensiunii
la ieirea sa apropiindu-se foarte mult de o funcie constant. Acest efect este msurat prin factorul de
stabilizare S
U
, definit ca raportul variaiilor tensiunii la intrarea i respectiv, ieirea sa

S
U
U
U
nestab
stab
=
A
A
. (5.9)

Cu ct acest factor are valori mai mari, cu att stabilizatorul este mai eficient.
O alt cauz a variaiei tensiunii produse de alimentator este modificarea n timp a curentului prin
sarcin. Aceast variaie a tensiunii poate fi exprimat ca
A A U R I
s s
=
0
unde R
0
este rezistena sa echivalent
Thevenin. Dup cum am artat, tensiunea medie dup
filtrare este U U U
med smax
~ A 2, deci scade la
creterea ondulaiei.

Astfel, n absena stabilizatorului, alimentatorul ar avea o rezisten intern inacceptabil de mare.
Aa cum se vede n Fig. 5.8, diodele Zener prezint la polarizare invers o regiune pe caracteristica
static unde tensiunea pe diod rmne practic constant la variaii importante ale curentului. Aici, rezistena
U
I
0
0
-10 mA

Fig. 5.8. Caracteristica invers a unei diode
Zener.
Scderea tensiunii produse atunci cnd sarcina
absoarbe mai mult curent se datoreaz i rezistenei
ecundarului transformatorului dar, n principal, mririi
ondulaiei, care este proporional cu valoarea curentului


dinamic r dU dI
Z
= are valori de ordinul 5-10 O. Utiliznd aceast proprietate, se pot realiza stabilizatoare
de tensiune, avnd schema din Fig. 5.9 a).

Pentru ca dioda Zener s stabilizeze tensiunea, curentul prin ea nu trebuie s scad nici un moment sub
valoarea de 10 mA.

Pentru variaiile tensiunii de intrare, aa cum se vede n desenul b) al figurii, circuitul se comport ca un
divizor format din rezisorul R i rezistena dinamic r
Z
a diodei Zener (rezistena de sarcina are valori mult
mai mari dect r
Z
). Pentru a obine un factor bun de stabilizare rezistena de "balast" R trebuie s fie mult
mai mare dect rezistena dinamic a diodei Zener: R r
Z
>> .

U
in
nestabilizata
stabilizata
R
U
out
R
s DZ
I
out
a) c)
T
U
out
R
s DZ
I
out
U
in
nestabilizata
24 O
50 mA
U
in
R
U
out
R
s
I
out
r
Z
A
A
A
b)

Fig. 5.9. Stabilizator cu diod Zener (a), schema sa echivalent pentru variaii (b) i varianta
perfecionat, cu surs de curent (c).
n aceast aproximaie, obinem factorul de stabilizare n tensiune ca

S
R r
r
R
r
U
Z
Z Z
~
+
~
(5.10)

Pe de alt parte, pentru a beneficia de rezistena dinamic mic a diodei, trebuie s trimitem prin ea un curent
de cel puin 10 mA, astfel c rezistena R va fi parcurs de I
S
+ 10 mA i va trebui s pierdem o tensiune
cel puin egal cu 10 mA R . n consecin, nu putem obine un factor de stabilizare prea mare. Dac
tensiunea pierdut este de 5 V, R = 500 O i S
U
este pe undeva ntre 50 i 100.
Mrirea acestui factor, fr sacrificarea unei tensiuni mai mari, se poate face dac nlocuim rezistorul
R cu o surs de curent, ca n Fig. 5.9 c). Dei tensiunea pierdut va fi aceeai, rezistena dinamic (la variaii)
prezentat de acest dispozitiv va fi mult mai mare; cu un simplu tranzistor bipolar putem obine rezistene
echivalente de ordinul MO, crescnd astfel de 1000 de ori factorul de stabilizare.
Privit dinspre rezistena de sarcin (Fig. 5.9 b), rezistena de ieire R
0
a stabilizatorului este rezistena
echivalent a divizorului


R
Rr
R r
r
Z
Z
Z 0
~
+
~
(5.11)
i este, deci, de ordinul a 5-10 O.
O micorare semnificativ a acestei rezistene se poate
obine dac circuitului i se adaug un tranzistor, ca n Fig.
5.10. Sarcina este acum legat n emitorul tranzistorului, unde
potenialul este cu 0.6 V mai cobort dect potenialul bazei.
Astfel,

Aa cum se vede n figur, numai 1 1 1 100 ( ) + < din curentul prin sarcin este absorbit din anodul
diodei Zener ( fiind factorul de amplificare al tranzistorului). Putem scrie, deci, rezistena de ieire a
stabilizatorului perfecionat ca

R
U
I
V
I
s
s
B
B
0
1
=

=
A
A
A
A
; (5.12)

dar fracia din dreapta este chiar rezistena de ieire a stabiliaztorului fr tranzistor, care era practic
rezistena dinamic a diodei Zener. n concluzie,

R
r
Z
0
=
. (5.13)

Astfel,
tranzistorul reduce de ori rezistena de ieire a stabilizatorului
care ajunge, n acest mod, la valori sub 0.1 O.
Performane mult mai bune snt oferite de stabilizatoarele
integrate, disponibile odat cu apariia tehnologiei circuitelor integrate; n
Fig. 5.11 sunt reprezentate dou astfel de stabilizatoare, de +12 V i
-12V, cu un curent maxim de 1 A. Creterea factorului de stabilizare este
realizat prin nlocuirea rezistorului de balast cu o surs de curent. De
asemenea, utilizarea reaciei negative face posibil atingerea unor valori
infime pentru rezistena de ieire. Chiar msurat cu un voltmetru digital,
tensiunea de ieire apare a fi constant, stabilizatorul apropiindu-se foarte
mult de sursa ideal de tensiune.
O categorie special de stabilizatoare o constituie referinele de
tensiune. Ele nu snt destinate alimentrii unor circuite ci producerii unei tensiuni electrice extrem de
constante, necesare n operaii de comparaie cu alte tensiuni. Principala calitate a unei referine de tensiune
U
in
U
out
R
s
R
DZ
I
B
I
B
|
I
s
I
B
| ( +1)
+
-
0.6 V
V
Z

Fig. 5.10. Stabilizator cu diod Zener
i tranzistor.

Fig. 5.11. Stabilizatoare de tensiune
integrate.
variaiile tensiunii pe sarcin sunt egale cu cele ale
tensiunii de pe dioda stabilizatoare, factorul de stabilizare
rmnnd acelai.


este deriva ei cu temperatura. Cele mai bune performane sunt de ordinul a civa ppm/
o
C (1 ppm nseamn o
parte la un milion, adic 10
-6
).


-Schema bloc a unui alimentator electronic, care preia energia de la reeaua de curent alternativ i
o furnizeaz apoi la o tensiune continu, conine transformatorul, redresorul, filtrul de netezire,
stabilizatorul i rezistena de descrcare (bleeder).
- Transformatorul furnizeaz n secundar o tensiune alternativ de valoare convenabil; aceast
valoare este determinat de tensiunea din primar i valoarea raportului de transformare.
- Redresorul convertete tensiunea alternativ (care i schimb periodic polaritatea) ntr-o
tensiune continu, cu o singur polaritate. Valoarea acesteia nu este ns constant n timp, evolund
periodic ntre zero i valoarea de vrf.
- La redresarea monoalternan, energia este primit numai n decursul unui anumit tip de
semialternane (fie numai pozitive, fie numai pozitive); n timpul celorlalte semialternane, secundarul
este izolat faa de consumator (sarcin).
- Introducerea unui filtru capacitiv face ca tensiunea pe sarcin s nu mai coboare la zero, avnd
variaii mult mai mici; acest lucru se obine prin ncrcarea periodic a condensatorului de la
transformator prin pulsuri de curent scurte i intense i descrcarea sa, n restul timpului, prin sarcin.
Practic, majoritatea timpului sarcina primete curent de la condensator.
- Ondulaia (riplul) este proporional cu perioada reelei, cu intensitatea curentului prin sarcin i
invers proporional cu capacitatea condensatorului.
- Pentru a msura gradul de netezire indiferent de mrimea tensiunii, se definete factorul de
ondulaie prin raportul ntre amplitudinea ondulaiei (jumtate din valoarea vrf la vrf) i valoarea
medie a tensiunii.
- La redresarea dubl alternan (folosit aproape exclusiv azi) condensatorul se ncarc pe fiecare
semialternan, timpul de descrcare fiind jumtate din cel de la redresarea monoalternan iar riplul de
dou ori mai mic.
- Cu redresarea dubl alternan, pentru a obine un riplu de 1 V
vv
la un curent de 1 A avem
nevoie de un condensator de 10 000 F ; capacitatea necesar variaz proprional cu intensitatea
curentului i invers proporional cu mrimea riplului.
- Stabilizatorul micoreaz variaiile tensiunii de ieire, att cele produse de variaia tensiunii de
intrare, ct i cele produse de variaia curentului prin sarcin. Performanele sale sunt caracterizate de
factorul de stabilizare, care trebuie s fie mare, i de rezistena de ieire, care trebuie s fie ct mai mic.
- La un stabiliator cu diod Zener, factorul de stabilizare este egal cu raportul dintre rezistena de
balast i r
Z
(rezistena dinamic a diodei Zener) iar rezistena de ieire este egal cu r
Z
.
- Pentru ca stabilizatorul s funcioneze trebuie ca valoarea curentului prin dioda Zener s nu
coboare nici un moment sub 10 mA (altfel rezistena r
Z
crete mult).
- Rezistena de ieire poate fi micorat prin cuplarea unui tranzistor la ieire; n plus, dac
rmnem la aceeai valoare a curentului prin sarcin, putem mri rezistena de balast i, n consecin,
factorul de stabilizare.
- O cale suplimentar de mrire a factorului de stabilizare este nlocuirea rezistenei de balast cu o
surs de curent.
-Toate aceste performane pot fi atinse mult mai comod i ieftin prin cumprarea unui stabilizator
integrat.


Termeni noi

-schem bloc desen n care se reprezint structura unui sistem complex prin
simboluri (de obicei dreptunghiuri) ce desemneaz blocuri cu
funcii diferite i linii care urmresc transmiterea informaiei sau
energiei de la un bloc la altul;
-transformator dispozitiv electromagnetic, utilizat n cele mai multe cazuri pentru
convertirea unei tensiuni alternative (sinusoidale) ntr-a alt
tensiune de acelai tip, dar cu amplitudine diferit;
-primar nfurarea transformatorului la care se aplic sursa se tensiune
extern;
-secundar nfurarea transformatorului unde se obine tensiunea
"transformat";
-redresare convertirea unei tensiuni alternative (care i schimb periodic
polaritatea) ntr-o tensiune cu o singur polaritate care evolueaz
periodic;
- filtrare prelucrarea unui semnal n urma creia componentele de anumite
frecvene sunt favorizate iar altele atenuate.
- filtru de netezire filtru care transmite componenta continu (de frecven nul) i
atenueaz variaiile;
-ondulaie (riplu) variaia periodic a unei tensiuni, rmas dup aciunea filtrului de
netezire;
-factor de ondulaie mrime adimensional care caracterizeaz eficiena filtrrii
tensiunii redresate; se definete prin raportul dintre amplitudinea
ondulaiei i valoarea medie a tensiunii;
- stabilizator de tensiune circuit care micoreaz variaiile tensiunii, att cele provocate de
modificrile tensiunii de intrare ct i pe cele cauzate de variaia
curentului prin sarcin;

Probleme rezolvate

Problema 1. S se proiecteze un alimentator nestabilizat care s produc la ieire o tensiune V
out
de
minimum 12 V cu un riplu de cel mult 2 V vrf la vrf i s debiteze un curent I
out
de pn la 1 A. Vor trebui
alese capacitatea de filtraj, tensiunea efectiv n secundarul transformatorului, rezistena bleeder-ului,
siguranele conectate n primarul i secundarul transformatorului precum i raportul de transformare.

220 V
ef
~
+
sarcina
+
_
bleeder
siguranta
siguranta

Fig. 5.12.

Mai nti desenm schema, fr valorile componentelor (Fig. 5.12). Alegem, binenteles, redresarea
dubl alternan. n circuitul primarului, imediat ce firul de alimentare intr n carcas, naintea
ntreruptorului, trebuie conectat sigurana pentru a proteja att mpotriva defectrii tranformatorului ct i a
unui scurtcircuit pe circuitul ntreruptorului.
a) Tensiunea transformatorului
Cum tensiunea minim trebuie s fie 12 V iar riplul va avea o adncime de 2 V, valoarea de vrf a
tensiunii redresate va fi 14 V. Tensiunea n secundar va trebui ns s fie mai mare, datorit pierderii pe cele
dou diode prin care circul curentul n ochiul secundarului. La cureni mari tensiunea de deschidere a unei
diode cu siliciu se apropie de 1 V, aa c tensiunea n secundar va avea amplitudinea (valoarea de vrf) egal
cu 16 V. Cum pentru circuitele de curent alternativ se obinuiete s se dea valorile efective, va trebui s
nmulim cu 1 2 0 707 = . : tensiunea efectiv n primar va trebui s fie 11.2 V. Alegem valoarea
standardizat de 12 V.
b) Condensatorul de filtraj
Pentru ca n timp de o semiperioad (At =10 ms) condensatorul s se descarce cu AV = 2 V sub un
curent de 1 A, capacitatea trebuie s aib valoarea C I t V
out
= = A A 5000F. Este o valoare mare, dar
rezonabil. Condensatorul va trebui s aib tensiunea de funcionare de cel puin 25 V (valoarea standardizat
imediat inferioar, 16 V, este chiar la limit).
S observm ce s-ar fi ntmplat dac am fi impus un riplu mult mai mic, de exemplu de numai 0.1 V.
Am fi avut atunci nevoie de o condensator cu o capacitate de 100 000 F, o valoare total nepractic.
c) Rezistorul "bleeder"
Rostul lui este ca la deconectarea alimentatorului, n absena rezistenei de sarcin, s descarce ntr-un
timp convenabil condensatorul de filtraj. Dac ne mulumim cu o constant de timp = RC de cteva
secunde, rezult valoarea bleeder-ului de 1 kO.
d) Siguranele
Curentul mediu absorbit de sarcin este de maximum 1 A dar dac am pune o astfel de siguran n
secundar, ea ar fi spulberat imediat. 1 A este curentul mediu (n modul) dar pentru a calcula efectele nclzirii
trebuie s inem seama de valoarea sa efectiv. Or, aa cum am vzut, condensatorul este ncrcat cu pulsuri


scurte de curent. Din aceast cauz, forma curentului prin secundar este cea din Fig. 5.13 a), unde se observ,
suplimentar, pulsul foarte mare de la momentul iniial cnd condensatorul era descrcat.
0 5 10 15 20 25 30
0
-10
-5
5
10
15
20
25
I
s
(A)
(ms) t
a)
I
s
T 2
T (2 m)
m I
s med
t
b)

Fig. 5.13. Evoluia curentului prin secundar.

Pentru intensitatea efectiv vom face un calcul aproximativ. Dac presupunem (pentru simplitate)
pulsurile ca fiind rectangulare (desenul b al figurii) i de durat
T
m 2
, adic a m-a parte din semiperioad, ele
vor avea intensitatea mI mI
s med out
= iar valoarea efectiv va fi I
T
m
m I
T
m I
ef out out
= =
2
2 2
b g . Cu
ct filtrarea va fi mai bun, cu att valoarea efectiv a curentului va fi mai mare i sigurana se va nclzi mai
mult.
Din acest motiv vom multiplica cu 4 valoarea curentului mediu, obinnd 4 A. Este bine, ns, s avem
i o rezerv, pentru cazul n care sarcina absoarbe timp ndelungat curentul maxim. nmulim cu un factor de 2
i obinem valoarea final de 8 A. Nu trebuie s uitm s alegem o siguran temporizat (lent), altfel la
punerea sub tensiune, condensatorul ncrcndu-se de la zero va absorbi un curent important i o va arde.
Raportul de transformare estei 220 12 18 / ~ , astfel c n primar va trebui s punem o siguran de
8 A 18 0. 5 A ~ . Evident, i ea trebuie s fie o siguran temporizat.
e) Dimensionarea transformatorului
Curenii n primar i secundar nu sunt sinusoidali ci sub forma unor pulsuri scurte i intense, cu att
mai scurte i intense cu ct filtrarea este mai bun. Am vzut c valoarea efectiv a curenilor crete la
mbuntirea filtrrii i, bineneles, i nclzirea transformatorului. Din acest motiv, la alegerea puterii
transformatorului trebuie s multiplicm cu un factor (pentru filtrri rezonabile 4 este o valoare bun) valorile
medii ale curenilor.
Este bine, deci, s admitem un riplu de ordinul a 1 V, cu att mai mult cu ct el va fi redus foarte mult de
ctre stabilizator.

Problema 2. Reproiectai alimentatorul, pentru a obine o tensiune stabilizat de 12 V, la un curent de
1 A.

220 V
ef
~
+
sarcina
+
_
bleeder
siguranta
IN
GND
OUT
7812
siguranta

Fig. 5.14.

a) Alegerea stabilizatorului
Cum tensiunea de ieire este fix, alegem un stabilizator integrat de tensiune fix pozitiv din seria
78XX cu tensiunea nominal de 12 V, adic un stabilizator 7812. Exist mai multe variante, codificate cu
litere dup tipul capsulei, tip care stabilete i curentul maxim i puterea maxim disipat. Va trebui s
utilizm unul cu valoarea curentului maxim de 1 A; n ceea ce privete puterea disipat, aa cum vom vedea,
ea va trebui s fie de 5-7 W. La ieirea sa este bine s conectm un condensator de filtrare de valoare modest
(electrolitic, 10 F), dublat de unul care funcioneaz la frecvene mari (ceramic, 100 nF).
b) Tensiunea transformatorului
Pentru a putea stabiliza tensiunea de la ieire, la intrarea stabilizatorului tensiunea nu trebuie s coboare
nici un moment sub 12 V+ 3 V= 15 V. Cu alte cuvinte, pe stabilizator trebuie s pierdem n orice moment cel
puin 3 V (Fig. 5.15). Pstrnd riplul de 2 V de la proiectarea precedent, avem acum nevoie de o amplitudine
dup redresare de cel puin 17 V. Adugnd i pierderea de tensiune pe diode, ajungem la amplitudinea
tensiunii din secundar, 19 V. Este exact cu trei voli mai mare
dect n cazul proiectrii precedente, tocmai datorit pierderii
suplimentare pe stabilizator. Rezult de aici tensiunea efectiv din
secundar 13.4 V
ef
. Aceasta este o tensiune minim, este clar c
nu vom gasi un transformator cu aceast valoare. Putem gsi,
ns, unul cu tensiunea n jur de 16 V
ef
, ceea ce va produce o
amplitudine n secundar 23 V, crescnd la
7 V tensiunea pierdut pe stabilizator. n aceste condii,
stabilizatorul nostru va trebui s disipe, la curent maxim, aproape
7 W. Din acest motiv nu este indicat utilizarea unui
transformator cu tensiunea de ieire mai mare.
c) Condensatorul de filtraj i sigurana din primar vor avea aceleai valori ca la problema
precedent, deoarece ele au fost determinate de mrimea curentului. De asemenea, i rezistorul bleeder
rmne acelai, numai c este bine s fie mutat la ieirea stabilizatorului.
d) Dimensionarea transformatorului
n urma creterii tensiunii efective de la 12V
ef
la 16V
ef
, puterea a crescut cu o treime. Este bine, deci,
s inem seama de aceast cretere n alegerea transformatorului.
0
t
U
nestabilizat
U
stabilizat
minimum 3V
12V
15V
17V

Fig. 5.15.


Probleme propuse

P 5.1. Evoluia n timp a tensiuni pe
condensatorul de filtrare, cu valoarea de
10 000 F, vizualizat cu osciloscopul, arat
ca n Fig. 5.16. Valorile de tensiune sunt n
voli.
a) Identificai tipul redresorului (mono
sau dubl alternan).
b) Calculai i reprezentai grafic
evoluia n timp a curentului prin
condensator.
c) Determinai valoarea rezistenei de
sarcin.
P 5.2. Circuitul din Fig. 5.17 este o
variant de redresor dubl alternan, care
folosete dou diode n loc de patru.
a) Explicai funcionarea lui, desennd sensurile curenilor pe fiecare semialternan;
b) Care este preul pltit pentru cele dou diode economisite ? Ce soluie credei c este mai ieftin azi ?

C
f
+
220 V
ef
~
sarcina
D
1
D
2

220 V
ef
~
+
+
+V
_
V
masa
alimentarii
alim
alim

Fig. 5.17. Fig. 5.18.
P 5.3. n Fig. 5.18 avei un redresor care furnizeaz simultan dou tensiuni de alimentare, egale dar de
polariti opuse (pentru aa-numita alimentare diferenial).
a) Explicai funcionarea sa, desennd sensurile curenilor.
b) Identificai tipul redresrii, monoalternan sau dubl alternan.
P 5.4. Dioda Zener din stabilizatorul prezentat n Fig. 5.19 are tensiunea
nominal de 10 V iar n jurul valorii curentului de 10 mA prezint o rezisten
dinamic de 10O. Tensiunea redresat i nestabilizat are o valoare medie de
15 V cu un riplu de 2 V
vv
.
a) Calculai curentul prin rezistena de balast R .
b) Ce curent maxim poate aborbi sarcina, cu condiia ca valoarea curentului
prin diod s nu scad sub 10 mA ?
d) Estimai factorul de stabilizare n tensiune i, de aici, mrimea ondulaiei
tensiunii stabilizate.
e) Tensiunea la reeaua de 220 V
ef
se modific cu 10 %. Estimai variaia
0.0 10.0ms 20.0ms
12.0
12.5
13.0
13.5

Fig. 5.16.
R
U
out
R
s
DZ
I
out
10 V
15 V
+/- 1 V
62 O

Fig. 5.19.

tensiunii nestabilizate i pe aceea a tensiunii stabilizate.
f) Determinai rezistena de ieire a stabilizatorului; calculai cu ct se modific tensiunea pe sarcin
dac valoarea curentului absorbit de aceasta variaz ntre zero i cea maxim, calculat la punctul b).
P 5.5. Intercalai la ieirea stabilizatorului din problema precedent un tranzistor, ca n Fig. 5.10, care
are un factor de amplificare = 50.
a) Ce curent maxim poate aborbi acum sarcina, cu condiia ca valoarea curentului prin diod s nu
scad sub 10 mA ?
b) Ce rezistena de ieire are acum stabilizatorul perfecionat ?
P 5.6. Dac sarcina nu are nevoie de un curent aa de mare, utilizarea tranzistorului v permite s
ameliorai factorul de stabilizare. Presupunnd c sarcina nu cere mai mult de 50 mA,
a) calculai curentul maxim pe care baza tranzisttorului l absoarbe din anodul diodei;
b) alegei o rezisten de balast mai mare, asigurndu-v ns c valoarea curentului prin dioda Zener nu
scade nici un moment sub 10 mA;
c) determinai ce factor de stabilizare ai obinut acum;
d) n final, calculai mrimea riplului tensiunii stabilizate.
P 5.7. Avei la dispoziie o tensiune redresat, cu valoarea medie de 15 V i cu o ondulaie de 2 V
vv
i
trebuie s obinei o tensiune stabilizat de 9 V, sarcina avnd nevoie de un curent ntre zero i 100 mA.
a) Proiectai un stabilizator cu diod Zener (curentul prin diod nu trebuie s scad sub 10 mA).
b) Presupunnd ca dioda Zener are o rezisten dinamic de 10 O, calculai factorul de stabilizare i
rezistena de ieire.
c) Estimai puterea disipat pe dioda Zener, cnd curentul de sarcin este 50 mA i cnd acesta este nul.
P 5.8. Perfecionai stabilizatorul precedent, prin adugarea unui "tranzistor compus" la ieire, care are
factorul = 1000 (tranzistorul compus este realizat prin interconexiunea a dou tranzistoare). Estimai ct va
fi curentul absorbit din anodul diodei Zener i modificai corespunztor rezistena de balast. Ce valoare a
factorului de stabilizare ai obinut ?



Experimentul 1. Redresarea monoalternan

Avei pe planet (Fig. 5.20) un redresor monoalternan cu o diod redresoare, care este deja legat la
secundarul transformatorului. n partea din dreapta, jos, se gsesc trei rezistene de sarcin, legate cu unul din
capete la un fir comun. Conectai borna negativ a redresorului la acest fir comun iar borna pozitiv la una din
rezistenele de sarcin. Vizualizai tensiunea redresat i desenai-o pe caiet.. Poate fi ea utilizat la
alimentarea unui aparat electronic ? De ce ?

220 V
ef
~
+
_
~
~
+
_
+ +
IN
COM
OUT
7812
C
1
C
2
DZ
T
R
s1
R
s2
R
s3

Fig. 5.20.
Legai acum n paralel pe rezistena de sarcin unul din condensatoarele de filtrare din stnga planetei.
Cum se modific forma de und a tensiunii de pe sarcin ? Desenai pe caiet forma de und i identificai
duratele de timp n care dioda conduce. Schimbai acum condensatorul de filtrare i explicai ce observai.
Care din condensatoare are valoare mai mare ?
Vei msura n continuare factorul de ondulaie, utiliznd numai condensatorul cu capacitate mai mare i
legnd, pe rnd, cele trei rezistene de sarcin. Pentru aceasta va trebui s determinai, cu osciloscopul,
adncimea ondulaiei i tensiunea medie.
Calculai teoretic factorul de ondulaie, utiliznd formula aproximativ (5.6). Comparai valorile
msurate cu cele calculate. Pentru care situaii sunt ele mai apropiate i de ce ?

Experimentul 2. Redresarea dubl alternan

Desfacei legturile de la ieirea redresorului monoalternan. Pe aceeai planet, puin mai jos, avei
un redresor dubl alternan, realizat cu o punte redresoare ce conine patru diode. Legai borna sa de ieire
negativ la firul comun al rezistenelor de sarcin iar borna pozitiv la captul unei rezistene de sarcin;
refacei, punct cu punct, toate determinrile de la experimentul 1. De data aceasta, pentru calculul teoretic al
factorului de ondulaie va trebui s folosii relaia (5.7). Comparai valorile factorului de ondulaie pentru cele

dou redresoare. Ce concluzie practic tragei ? Cum s-ar fi putut, pe alt cale, micora la jumtate ondulaia,
pstrnd redresorul monoalternan ?

Experimentul 3. Stabilizatorul de tensiune cu diod Zener

Legai acum ieirile redresorului dubl alternan direct la condensatorul de filtrare de valoare mare;
atenie, borna negativ trebuie obligatoriu legat la firul comun. Apoi, de la captul condensatorului, mergei
la intrarea stabilizatorului, ca n Fig. 5.21. Deocamdat nu conectai nici o rezisten de sarcin, opernd
stabilizatorul "n gol".
Msurai ondulaia la intrarea n stabilizator i apoi pe
dioda stabilizatoare. Din raportul lor, calculai factorul de
stabilizare n tensiune la funcionare n gol. Cunoscnd valoarea
rezistorului de balast R, determinai rezistena dinamic a diodei
stabilizatoare cu relaia (5.9). Tragei o concluzie n privina
efectului stabilizatorului asupra ondulaiei. Mai este acum nevoie
de capaciti foarte mari pentru filtrare ?
Cuplai acum la ieirea stabilizatorului, pe rnd, cele trei
rezistene de sarcin i msurai cu un voltmetru digital tensiunea
de ieire. Calculai, cunoscnd valorile rezistenelor, intensitile curenilor i desenai dependena tensiunii de
ieire n funcie de curent. Determinai, de aici, rezistena de ieire a stabilizatorului.
Dac stabilizatorul reduce att de mult ondulaia, nu am putea renuna total la filtrare ? ndeprtai
condensatorul de filtrare de la intrare legnd borna pozitiv a redresorului direct la stabilizator. Vizualizai
forma tensiunii pe rezistena de sarcin i explicai ce se ntmpl. Formulai o concluzie asupra mrimii
ondulaiei permis la intrarea unui stabilizator.

Experimentul 4. Perfecionarea stabilizatorului pentru micorarea rezistenei de
ieire

Conectai acum, ntre stabilizatorul
anterior i rezistena de sarcin, un tranzistor,
ca n Fig. 5.22. Legai, pe rnd, cele trei
rezistene de sarcin n emitorul tranzistorului
i msurai tensiunea. Procednd ca la
experimentul precedent, determinai rezistena
de ieire i calculai de cte ori este acum mai
mic.
Determinai i factorul de stabilizare. A
fost el afectat de perfecionarea efectuat ?

~
+
_
+ R

Fig. 5.21.
~
+
_
+
sarcina

Fig. 5.22.


Experimentul 5. Perfecionarea stabilizatorului pentru mrirea factorului de
stabilizare

Curentul absorbit din anodul diodei
Zener a fot micorat de ori prin introducerea
tranzistorului. Am putea acum s mrim de
ori rezistena de balast, mrind de acelai
numr de ori factorul de stabilizare. Vom fi,
ns, mult mai ambiioi i, dac tot nlocuim
rezistena de balast, o vom nlocui cu o surs
de curent (Fig. 5.23). Determinai factorul de
stabilizare i comparai-l cu valoarea sa
anterioar. A meritat efortul ?

Experimentul 6. Stabilizatorul de tensiune integrat

Vom investiga acum comportarea unui
stabilizator integrat, de tipul 7812 (12 V, tensiuni
pozitive) care trebuie conectat ca n Fig. 5.24.
Determinai, ca i la experimentul anterior, factorul de
stabilizare i rezistena de ieire. Comparai aceste
valori cu cele obinute pentru stabilizatorul cu diod
Zener i pentru variantele sale perfecionate de la
experimentele 4 i 5..

~
+
_
+
sarcina
15 mA

Fig. 5.23.
~
+
_
+
IN
GND
OUT
7812
Rs

Fig. 5.24.
CAPITOLUL

Dispozitive cu rezisten
dinamic negativ

amorsare
blocare

6.1. Comportarea general 165
6.2. Tranzistorul unijonciune 175
6.3. Diacul, tiristorul i triacul 197

6.1. Comportarea general
1.A. Evoluia punctului de funcionare pe caracteristic 165
1.B. Rezistena dinamic negativ poate produce instabilitate 169


E B
2
B
1
+
-
V
BB
I
E
+
-
V
E
I
0
C
0
t 0
V
E
t 0
0
I
E

6.2. Tranzistorul unijonciune
2.A. Structur i simbol 175
2.B. Cum apare rezistena dinamic negativ 176
2.C. Aplicaia tipic: oscilatorul de relaxare 180
2.D. Cte jonciuni are tranzistorul unijonciune programabil 185
2.E. Proiectarea unui oscilator de relaxare cu TUJ 187

G
A
2
A
1
3.3 k
500 k
100 nF
220 V
50 Hz
~
100 nF
C
2
100 nF
100 O
0.2 mH
15 k
D
1
D
2

6.3. Diacul, tiristorul i triacul
3.A. Diacul 197
3.B. Tiristorul 198
3.C. Triacul 199
3.D. Variatoare de putere 200
3.E. Redresoare controlate 204
Probleme propuse 207

Cap. 6. Dispozitive cu rezisten dinamic negativ 165

6.1. Comportarea general

Printr-un dispozitiv de circuit cu dou borne (dipol) care este consumator de energie electric curentul
circul de la potenial ridicat la potenial cobort. La majoritatea dispozitielor, creterea mrimii curentului se
obine odat cu creterea tensiunii la borne, rezistena dinamic (sau diferenial) fiind pozitiv, adic
dU d I > 0. Aa se ntmpl n cazul rezistorului, al diodelor semiconductoare "obinuite", etc. Exist ns i
dispozitive la care, pe anumite poriuni, tensiunea scade la creterea curentului, rezistena dinamic fiind
negativ. Astfel de dispozitive sunt tranzistorul unijonciune, dioda tunel, diacul, tiristorul i triacul; unele
dintre ele vor fi studiate n detaliu n acest capitol.
Din aceast cauz, funcionarea lor este stranie: un tub fluorescent (cunoscut n Romna de cartier sub
denumirea improprie de tub cu neon) are nevoie pentru aprindere de o tensiune mult mai mare dect vrful de
311 V furnizat de reeaua de distribuie dar, dup aprindere, tensiunea la borne trebuie s scad sub tensiunea
reelei, altfel tubul s-ar distruge.
Pentru ntelegerea acestui tip de comportare va trebui s ne amintim c regimul de curent continuu este
rezultatul unui echilibru dinamic ntre micarea purttorilor de sarcin i acumulrile de sarcin care creaz
cmpul electric ce determin aceast micare. Ca i n mecanic, putem avea stri de echilibru stabile i stri
de echilibru instabile. Toate acestea devin eseniale atunci cnd avem de-a face cu dispozitivele cu rezisten
dinamic negativ.

1.A. Evoluia punctului de funcionare pe caracteristic

S legm un dipol "cuminte", cum este dioda semiconductoare, ntr-un circuit cu o surs ideal de
tensiune cu valoarea E i un rezistor cu rezistena R
s
, ca n Fig. 6.1 a). Punctul static de funcionare poate fi
gsit prin metoda grafic a dreptei de sarcin (desenul b al figurii). Strile de echilibru n care poate s se
gseasc dipolul sunt cele de pe caracteristica sa static I f U = ( ); pe de alt parte, restul circuitului face s
fie respectat ecuaia U E I R
s
= care se reprezint grafic prin dreapta de sarcin. Interseciile acesteia cu
axele se afl la E i la E R
s
iar panta, n modul, este 1 R
s
.
E
a)
b)
I
+
_
U
+
_
+
_
R s I
R s
I
U 0
0
E/R
s

s
E
dipol circuit extern
caracteristica
dipolului
ecuatia circuitului extern (dreapta de sarcina)
punctul static de
functionare
dipolul este legat in serie cu
circuitul extern
punctul de functionare trebuie sa respecte atit
ecuatia de functionare a dipolului (caracteristica
sa statica) cit si pe cea a circuitului extern

Fig. 6.1. Sistemul de ecuaii care descrie funcionarea unui circuit cu diod are ntodeauna soluie unic.

Punctul de funcionare trebuie s ndeplineasc
ambele relaii i se gsete la intersecia celor dou grafice.
Observm c orice valore am fi luat pentru tensiunea E, am
fi obinut o singur intersecie ntre grafice:
pentru dispozitivele fr rezisten dinamic negativ,
soluia sistemului de ecuaii este ntodeauna unic.
nlocuim acum dioda cu un alt dipol, care are o
caracteristic "cu ntoarcere" ca cea din Fig. 6.2. Cu
excepia poriunii AB, caracteristica este una obinuit:
intensitatea curentului crete la creterea tensiunii pe
dispozitiv. n limbaj matematic, derivata dU d I , numit
rezistena dinamic, este pozitiv. Caracteristica devine vertical n punctele A i B; ntre aceste puncte
dispozitivul se comport straniu, intensitatea scade la creterea tensiunii. Aici rezistena dinamic este
negativ.
S vedem ce efect are acest lucru asupra comportrii circuitului. Pstrm constant rezistena R
s
i
cretem lent, pornind de la zero, tensiunea E a sursei. Dreapta de sarcin, pstrndu-i panta constant, se va
deplasa paralel cu ea nsi, intersecia ei cu axa orizontal fiind ntodeauna la valoarea E, aa cum se vede n
Fig. 6.3.
I
U 0
0
I
+
_
E
R s
+
_
U dipol
E
dreapta de sarcina se deplaseaza paralel
cu ea insasi
panta= -1/R
s

tensiunea E este variata lent
noua valoare
a lui E

Fig. 6.3. Metoda dreptei de sarcin pentru un
circuit construit cu un dipol cu rezisten
dinamic negativ
innd cont de aceasta, s urmrim n
Fig. 6.4 aventura punctului static de
funcionare pe msur ce cretem tensiunea
E. Atta timp ct valoarea E este mic
(poziiile i i ii ale dreptei de sarcin),
intersecia ntre grafice este unic: curentul
prin dipol crete mpreun cu tensiunea pe
dipol, dar rmne la valori foarte mici, practic
nule. Dipolul este blocat.
I
U 0
0
A
B
rezistenta dinamica
pozitiva
rezistenta dinamica
pozitiva
rezistenta dinamica
negativa

Fig. 6.2. Caracteristic static cu regiune
de rezisten dinamic negativ.
I
U 0
0
F
E
C D
(i)
(ii)
(iii)
(iv)
(v)
(vi)
G
H
I

Fig. 6.4. Evoluia punctului de funcionare.


Crescnd n continuare tensiunea E,
obinem la un moment dat dou soluii distincte
ale sistemului de ecuaii (poziia iii a dreptei de
sarcin) i apoi trei soluii distincte (poziia iv).
Circuitului i sunt accesibile, deci, trei ramuri
diferite: CG, IH i IG. Punctele de pe ramura cu
pant negativ reprezint stri instabile (vom
vedea mai trziu de ce), i circuitul nu poate fi
observat n aceste stri. Mai rmn dou ramuri
de stabilitate, CG i IH; cu acelei valori ale lui
E i R
s
circuitul se poate gsi pe oricare dintre
ele i, dac nimic nu se modific, rmne pentru
todeauna n acea stare. Avem un circuit ce
prezint un fenomen de bistabilitate.
i totui, noi am efectuat un experiment
bine controlat: am crescut lent i continuu
tensiunea E, ncepnd de la zero. Circuitul ar fi
trebuit s fie obligat s aleag. Aa se i ntmpl,
nainte de a avea la dispoziie dou ramuri de
stabilitate, punctul de funcionare a evoluat
obligatoriu pe traseul OC i va prefera ramura de
stabilitate care continu acest traseu, adic
ramura CG (Fig. 6.5). Dei creterea curentului
este mai pronunat, valoarea acestuia rmne nesemnificativ i dispozitivul continu s fie blocat.
Aceasta se ntmpl (vezi Fig. 6.4) pn cnd
dreapta de sarcin ajunge n poziia (iv), devenind
tangent la caracteristica static a dipolului n punctul
G. Creterea ulterioar a tensiunii E face ca soluia
sistemului de ecuaii s devin din nou unic (poziia v
a dreptei de sarcin). Fiind singura stare de echilibru (n
plus, este i una de echilibru stabil), ea devine
obligatorie pentru circuit (Fig. 6.6). Circuitul prsete
brusc starea G i trece n starea H, fr stri de
echilibru intermediare. Din acest motiv, procesul nu
are loc pe caracteristica static i nu poate fi
reprezentat pe graficul nostru. Circuitul dispare practic
din starea G i apare n starea H. De aceea, n Fig. 6.7
am unit aceste stri cu o linie punctat. un salt brusc,
ajungnd n punctul H
Comutarea brusc ntre aceste stri determin
apariia unui curent important prin dispozitiv
(dispoztivul se "amorseaz"), concomitent cu scderea
tensiunii la bornele sale. Raportul A A U I este negativ
pentru aceast schimbare de stare, semn clar c avem un
dispozitiv cu rezisten dinamic negativ.
Amorsarea este un fenomen cu totul diferit de
Ooops ! unde mai
gasesc acum o stare
de echilibru ?
G
0
starea circuitului sufera un salt
brusc, ajungind in punctul H
G
H

Fig. 6.6. Comutarea din starea blocat n
starea de conducie (amorsarea).
0
I
C
Sa merg in C, sa merg
in I, sa merg in C...
dilema ...
0 C D
Circuitul alege ramura CG pentru
ca este in continuarea traiectoriei
initiale
si rezolvarea ei :
G

Fig. 6.5. Soluie multipl a sistemului de ecuaii.

intrarea n conducie direct a diodelor sau strpungerea lor invers. Acolo, evoluia are loc prin stri de
echilibru i este gradual i reversibil; modificnd tensiunea sursei putem plimba nainte i napoi punctul de
funcionare pe caracteristic. n cazul amorsrii, ns, odat atins tensiunea de prag, evoluia scap de sub
control i punctul de funcionare "sare" n alt loc pe caracteristic; micorarea tensiunii sursei nu aduce napoi
punctul de funcionare, nici mcar printr-un salt invers. Toate aceste ciudenii sunt cauzate de rezistena
dinamica negativ
n ce loc, pe caracteristica dipolului, pierdem controlul asupra punctului de funcionare i are loc saltul
de amorsare ? Din cele spuse anterior rezult c acest lucru se ntmpl n punctul G, acolo unde caracteristica
este tangent la dreapta de sarcin. Cum "ntoarcerea" caracteristicii este brusc, aceast poziie este practic
indentic cu punctul de ntoarcere unde caracteristica devine vertical.
Amorsarea are loc atunci cnd tensiunea pe dipol ajunge la tensiunea de amorsare (breakover voltage
n limba englez) ; aceasta este egal, practic, cu tensiunea de la punctul de ntoarcere a caracteristicii.
Revenind la Fig. 6.4, creterea n continuare a tensiunii E deplaseaz punctul de funcionare dincolo de
punctul H, pe poriunea cu pant pozitiv, curentul i tensiunea pe dispozitiv crescnd. Creterea tensiunii este
ns foarte lent, aa c putem considera c ea rmne practic constant. Aceast valoare este tensiunea
rezidual n starea amorsat.
S efectum acum experimentul n sens invers, micornd continuu i lent tensiunea E. ncepnd cu
poziia (v) a dreptei de sarcin avem din nou trei soluii, dintre care numai dou sunt stri de echilibru stabil.
Numai c, acum, punctul de funcionare va evolua pe ramura HI, pentru c ea este n continuarea traiectoriei
iniiale. Cnd dreapta de sarcin coboar
sub poziia (iii), soluia redevine unic i
circuitul trece brusc din starea I n starea
C. Curentul scade brusc n timp ce
tensiunea are un salt pozitiv; din nou
raportul A A U I este negativ, trdnd
rezistena dinamic negativ a
dispozitivului.
Acest salt a produs blocarea
dipolului. Deoarece nainte de blocare
caracteristica este aproape vertical,
tensiunea modificndu-se puin, trebuie s
identificm punctul unde are loc blocarea
prin valoarea curentului. Astfel, dipolul se
blocheaz dac intensitatea curentului
coboar i atinge o limit numit curent
minim de meninere, sau, mai simplu,
curent de meninere (holding current n
limba englez). Curentul de meninere este aproximativ egal cu intensitatea la care are loc a doua ntoarcere a
caracteristicii (minim local pentru tensiune). n concluzie,
pentru a bloca dispozitivul, curentul trebuie cobort sub curentul minim de meninere.
S recapitulm (Fig. 6.7). Crescnd i apoi scznd tensiunea E a sursei, am deplasat lent punctul de
funcionare pe caracteristic, putnd msura coordonatele, adic am trasat experimental caracteristica. Exist,
ns, o poriune a caracteristicii care a fost inaccesibil, aceea dintre punctele G i I, puncte unde dreapta de
G
H
I
C
amorsare
blocare
tensiunea de
amorsare
curent minim
de mentinere
tensiunea reziduala
in starea amorsata

Fig. 6.7. Evoluia cu histerezis a punctului de funcionare.


sarcin este tangent la caracteristic. Evitarea poriunii inaccesibile se face prin dou salturi brute;
descrierea caracteristicii se face pe un drum la creterea tensiunii E (ntre punctele C i G i apoi saltul GH)
i pe altul la scderea tensiunii (ntre punctele H i I i apoi saltul IC). Datorit acestora, descrierea
caracteristicii a fost fcut cu histerezis: ramura CG poate fi parcurs numai nainte de amorsare, pe cnd
ramura HI este parcurs numai dup amorsare.

1.B. Rezistena dinamic negativ poate produce instabilitate

Putem spera c utiliznd o surs ideal de curent i dreapta de sarcin devenind orizontal, ca n
Fig. 6.8, am putea vizualiza ntreaga caracteristic, pentru c vom avea peste tot soluie unic.

prin utilizarea unei surse ideale de curent
obtinem intodeauna solutie unica
I
1

I
2

I
3

I
+
_
U
dipol
0

Fig. 6.8. ncercarea de a trasa caracteristica prin utilizarea unei surse de curent.
Realitatea este nsa necrutoare: ntre capetele dipolului exist ntodeauna o capacitate parazit i
starea circuitului este instabil. Astfel, producerea de oscilaii este una din aplicaiile frecvente ale
dispozitivelor cu rezisten dinamic negativ.
S vedem de ce este circuitul instabil. Pentru ca circuitul s fie ntr-o stare de echilibru, tensiunea pe
condensator (Fig. 6.9) trebuie s fie constant, deci curentul prin el trebuie s fie nul. Deoarece intensitatea
curentului este egal cu viteza de variaie a sarcinii I dQ dt
C
= iar capacitatea este, prin definiie,
C Q U = , curentul prin condensator este legat de tensiune prin relaia

I C
dU
dt
C
= . (6.1)

La echilibru tensiunea nu mai variaz, I
C
trebuie s fie zero, ceea ce nseamn c intensitatea curentului prin
dipol este perfect egal cu cea furnizat de sursa de curent I I =
0
, ca n Fig. 6.9 a).
Presupunem c am atins aceast stare undeva pe o poriune cu rezistena dinamic pozitiv. Apoi,
datorit unor fluctuaii, sarcina de pe condensator crete cu cantitatea AQ, foarte mic. Din acest motiv,
tensiunea pe condensator crete cu A A U U U ( << ) i modific punctul de funcionare, ca n desenul b).
Cum rezistena dinamic a dipolului este pozitiv n acest punct, are loc o cretere a curentului prin dipol,
curentul suplimentar descarcnd condensatorul i eliminnd sarcina aprut n exces. Pe masur ce tensiunea
U scade, scade i curentul prin dipol, restabilindu-se din nou echilibrul I I =
0
.


dU
dt
=
1
C
I
C
= 0
+
_
U
dipol
I
0 I
I
C
C
1.0 mA 1.1 mA
0.1 mA
3.1 V
+
_
U
dipol
I
0 I
I C
C
1.0 mA 0.9 mA
0.1 mA
3.1 V
+
_
U
dipol
I
0 I
I
C
C
1.0 mA 1.0 mA
0.0 mA
3.0 V
starea initiala de echilibru
Pe condensator a aparut un surplus de
sarcina. Daca rezistenta dinamica a
dipolului este pozitiva, surplusul este
evacuat si echilibrul este restabilit.
Daca rezistenta dinamica a dipolului
este negativa, dezechilibrul se
accentueaza si nu se mai poate stabili un
nou echilibru..

Fig. 6.9. Rezistena dinamic negativ produce instabilitate.

Dac, ns, am fi fost iniial pe poriunea cu rezisten dinamic negativ, ca n desenul c) al figurii,
ncrcarea suplimentar a condensatorului ar fi provocat micorarea curentului I prin dipol; astfel, n loc ca
sarcina aprut suplimentar s fie eliminat, abaterea de la echilibru ar fi fost accentuat prin ncrcarea n
continuare a condensatorului. n regiunea cu rezisten dinamic negativ este, astfel, imposibil atingerea
unui nou punct de echilibru . Rezultatul imediat este prsirea poriunii de rezistena dinamic negativ prin
blocarea dipolului i continuarea ncrcrii cu vitez constant a condensatorului. Vom vedea mai trziu, la
studiul tranzistorului unijonciune, c ncrcarea nu continu la nesfrit, circuitul ncepnd s oscileze ciclic.



- La circuitele cu dispozitive care nu au rezisten dinamic negativ soluia sistemului de ecuaii
care stabilete punctul static de funcionare este unic.
- n cazul dispozitivelor cu regiuni de rezisten dinamic negativ, n anumite condiii, soluia
sistemului de ecuaii este multipl.
- Din acest motiv, circuitul prezint fenomenul de bistabilitate: la aceleai condiii externe se poate
gsi n oricare dintre dou stri stabile.
- Circuitul are memorie, pstrndu-i starea chiar la anumite modificri ale condiiilor externe.
- Pentru ca dispozitivul s se amorseze (printr-un salt brusc) este nevoie ca tensiunea pe dispozitiv
s ajung la tensiunea de amorsare (punctul de ntoarcere a caracteristicii situat n dreapta).
- Din aceast cauz, aceste dispozitive pot fi utilizate ca i comparatoare de tensiune.
- Dac intensitatea curentului scade sub valoarea minim de meninere, dispozitivul se blocheaz;
curentul de meninere este aproximativ egal cu coordonata punctului de ntoarcere din stnga.
- Datorit salturilor de amorsare i blocare, parcurgerea caracteristicii se face cu histerezis,
poriunea cu rezisten dinamic negativ fiind n cea mai mare parte inaccesibil.
- Nici nlocuirea rezistenei de sarcin cu o surs de curent nu permite trasarea poriunii cu
rezisten dinamic negativ din caracteristic, aceast poriune producnd instabilitate n prezena unei
capaciti parazite.
- Din acest motiv, dispozitivele cu rezisten dinamic negativ sunt utilizate n oscilatoare.

Termeni noi

- bistabilitate existena a dou stri stabile diferite, pentru aceleai condiii
externe; starea anume n care se gsete circuitul depinde de istoria
sa;
- amorsare trecerea brusc, prin stri de neechilibru, din starea de curent
practic nul ntr-o stare n care mrimea curentului este
semnificativ;
- blocare trecerea brusc, prin stri de neechilibru, din starea amorsat n
starea blocat, unde curentul este prcatic nul;
- tensiune de amorsare valoarea tensiunii pe dispozitiv la atingerea creia are loc saltul de
amorsare;
- curent minim de meninere valoarea minim posibil a curentului n starea amorsat; la
atingerea acesteia, dispozitivul se blocheaz;


Problem rezolvat

Un dispozitiv ce are caracteristica din Fig. 6.10 a) este legat ntr-un circuit, ca n desenul b) al acelei
figuri. Tensiunea sursei nu este meninut constant ci evolueaz, avnd forma de und din desenul c).
Determinai evoluia n timp a tensiunii pe dispozitiv i a curentului.
a)
b)
E
I
+
_
U
+
_
R
s
0 5 10 15 20 25 30 35 40
I
U
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
(mA)
(V)
0 20 40 60 80 100
0
10
20
30
40
50
t (ms)
E (V)
c)
2.5 k

Fig. 6.10.

Rezolvare
Iniial tensiunea sursei este nul, deci dispozitivul este blocat. Tensiunea E crete liniar, cu o vitez de
50 V 20 ms V ms = 2 5 . i ct timp aceasta nu ajunge la tensiunea de amorsare, dispozitivul rmne blocat.
n stare de blocare I = 0, cderea de tensiune pe rezisten e nul i, deci, U t E t ( ) ( ) = , aa cum se vede n
Fig. 6.11 a), unde am desenat cu linie punctat evoluia lui E. Pentru a afla ct dureaz aceast situaie,
trebuie s estimm din caracteristic tensiunea de amorsare. Aceasta este de 38 V i sursei E i trebuie
38 V
2.5V ms
15. 2 ms = ca s ajung la ea. n concluzie starea de blocare dureaz primele 15.2 ms.
La atingerea tensiunii de amorsare are loc saltul specific dispozitivelor cu rezisten dinamic negativ
i valoarea tensiunii U pe dispozitiv se prbuete brusc la valoarea tensiunii reziduale, pe care o citim din
grafic: aproximativ 25 V. n consecin, la t = 15. 2 ms , curentul crete brusc de la zero la
38 V - 25 V
2.5 k
5. 2 mA
O
= , dup cum se vede n graficul din Fig. 6.11 b). n continuare, atta timp ct
dispozitivul rmne amorsat, tensiunea pe el va fi practic 25 V iar curentul va evolua conform ecuaiei

I t
E t
( )
( )
=
25 V
2.5 kO
;


cum variaia lui E este liniar, liniar va fi i evoluia curentului. El va atinge valoarea maxim odat cu
tensiunea E , ajungnd acolo la (50 V - 25 V) 2.5 k 10 mA O = . Ct timp va rmne dispozitivul n starea
amorsat ? Dac am uitat, ne ntoarcem pe pagina anterioar i aflm c valoarea curentului trebuie s scad
pn la valoarea minim de meninere. Din caracteristic, aceasta rezult a fi la 1 mA. Introducem n expresia
curentului i gsim tensiunea E

1 mA
25 V
2. 5 k
25 V + 2.5 V = 27. 5V =

=
E t
E
( )
O
.

.
0 20 40 60 80 100
0
10
20
30
40
50
t (ms)
U (V)
a)
tensiunea
de amorsare
tensiunea
reziduala
27.5
0 20 40 60 80 100
t (ms)
b)
0
2
4
6
8
10
(mA) I
curent minim
de mentinere
c)
E

Fig. 6.11.

Ca s coboare de la valoarea maxim de 50 V pna la aceast valoare, trebuie s treac un timp de
50 V - 27.5 V
2.5V ms
22.5 V
2. 5V ms
= 9 ms = . La momentul (20 + 9) ms = 29 ms, dispozitivul se blocheaz: curentul
sare brusc la zero iar tensiunea pe dispozitiv se schimb de la valoarea rezidual de 25 V la valoarea lui E din
acel moment, adic la 27.5 V. n continuare, dispozitivul fiind blocat, curentul este nul iar tensiunea U este
identic cu E. Cum forma de und a sursei de tensiune este periodic, la momentul t = 40 ms ciclul se reia.
Dac suntem exagerat de scrupuloi putem ine seama c, dup amorsare, tensiunea pe dispozitiv crete
puin la creterea curentului, fiind de 26 V la curentul de 10 mA. Putem corecta, astfel, evoluia tensiunii U,
ca n desenul c) al figurii.


Probleme propuse

P 6.1.1. Un dispozitiv cu rezisten dinamic negativ
are o caracteristic de forma celei din Fig. 6.12. Tensiunea
de amorsare este de 25 V, tensiunea rezidual n starea
amorsat este de 15 V iar curentul minim de meninere are
valoarea de 0.2 mA. Dispozitivul este polarizat cu o surs
de tensiune de 20 V legat n serie cu o rezisten de 5 kO.
Unde se gsete punctul de funcionare al circuitului, i care
este starea sa (amorsat sau blocat) ?
P 6.1.2. Tensiunea sursei este crescut la 30 V.
Estimai unde se va gsi noul punct de funcionare i n ce
stare se gsete circuitul.
P 6.1.3. Cu aceeai tensiune a sursei de 30 V,
rezistena extern este crescut la valoarea 150 kO. n ce
stare se va gsi circuitul ?
P 6.1.4. Un bec cu neon pentru semnalizarea funcionrii unui fier de clcat are tensiunea rezidual n
stare amorsat de 100 V i, pentru a fi vizibil, are nevoie de un curent de aproximativ 0.3 mA. Ce rezisten
trebuie montat n serie cu becul, pentru a asigura acest regim de funcionare cnd circuitul este alimentat la
reea ?
P 6.1.5. Cum trebuie s fie tensiunea de amorsare a becului din problema precedent, pentru a nu avea
nevoie de dispozitive speciale pentru aprindere (tuburile fluorescente au).
P 6.1.6. i acum, o ntrebare mai delicat. n stare amorsat, printr-un tub flurescent utilizat la
iluminare, curentul este alternativ i trece de dou ori ntr-o perioad prin valoarea nul. n consecin, tubul
ar trebui s se blocheze i s aib nevoie s fie amorsat din nou la fiecare semiperioad. tii bine c nu
aceasta este situaia, amorsarea se face numai la pornirea tubului. Ce semnificaie are, pentru tub,
caracteristica static ?
I
U 0
0

Fig. 6.12.


6.2. Tranzistorul unijonciune

2.A. Structur i simbol
Primul dispozitiv cu rezisten dinamic negativ pe care l studiem este tranzistorul unijonciune
(prescurtat TUJ n lb. romn i UJT n lb. englez), numit la nceputuri i diod cu baz dubl. El a fost
creat pentru a fi utilizat n oscilatoare de relaxare pentru producerea unor tensiuni cu form de und
periodic triunghiular i a unor pulsuri de curent scurte i intense. Tranzistorul unijonciune este un
dispozitiv cu trei terminale, folosit pentru caracteristica sa de intrare care are o regiune de rezisten
dinamic negativ. Simbolul su este prezentat n Fig. 6.1 a) ntr-un circuit tipic; ntre cele dou baze se
aplic tensiunea continu V
BB
, de ordinul 10-30 V, iar caracteristica de intrare se definete ntre emitorul E i
baza B
1
.

E
B
2
B
1
+
-
V
BB
I
E
+
-
V
E
B
1
B2
E
R
B2
R
B1
n
p
E
B
2
B
1
+
-
V
BB
+
-
V
E
R
B2
R
B1
V
'
a) b) c)
emitor
baza 2
baza 1
intrare

Fig. 6.13. Tranzistorul unijonciune: simbol (a), structur fizic (b) i model (c).
Deoarece structura sa este simpl, merit s ne ocupm de principiul su de funcionare, cu sperana de
a vedea cum apare rezistena dinamic negativ. Una din variantele sale constructive, simplificat, este
reprezentat n Fig. 6.13 b). Unei bare de siliciu de tip n i se ataeaz la capete contacte metalice, care
constituie cele dou baze, B
1
i B
2
. Pe aceast bar, aproximativ la jumtate, se realizeaz prin dopare, o
jonciune pn, regiunea p fiind conectat la terminalul extern al emitorului.
n absena curentului de emitor, tranzistorul poate fi modelat ca n desenul c). ntre punctul unde
s-a realizat jonciunea i baze exist "rezistenele" electrice R
B1
i R
B2
, suma lor fiind egal cu "rezistena"
interbaz R
BB
, de ordinul a 5-10 kO.. Am folosit aici ghilimele, deoarece materialul este semiconductor i
comportarea nu este aceea a unui rezistor: de exemplu R
BB
depinde de valoarea tensiunii V
BB
. n continuare,
ns, din comoditate, vom renuna la ghilimele. Rezistena R
B1
a fost desenat ca una reglabil deoarece, aa
cum vom vedea, valoarea ei se schimb datorit golurilor aduse de curentul de emitor.
Cele dou rezistene se comport ca un divizor de tensiune fr sarcin i determin un potenial al
punctului de interconexiune egal cu

' =
+
= =
=
V
R
R R
V
R
R
V V
R
R
B
B B
BB
B
BB
BB BB
B
BB
1
1 2
1
1
cu
. (6.2)

Factorul adimensional = R R
B BB 1
este numit raport de divizare intrinsec (intrinsic standoff
ratio n lb. englez); pentru cele mai multe tipuri de TUJ el este aproximativ egal cu 1 2.

2.B. Cum apare rezistena dinamic negativ

Pstrnd tensiunea V
BB
constant, s investigm caracteristica de intrare I
E
n funcie de potenialul
V
E
(Fig 6.14). Att timp ct V V
E
s ' , jonciunea este blocat i prin ea curentul este practic nul. De fapt,
curentul de emitor nu este chiar zero ci are valori de ordinul zecilor de nA, ca la orice diod cu siliciu
polarizat invers. Evoluia acestuia poate fi observat pe detaliul din aceeai figur. Pentru ca jonciunea s se
deschid este nevoie ca potenialul V
E
s fie cu aproximativ 0.6 V mai ridicat dect ' = V V
BB
.
0
0
V
E
V
P
V
P
= q V
BB
+ 0.6 V
0
0
V
E
V
P
I
E
q V
BB
dilatare de 1000
de ori pe axa curentului
V
V
I
V
I
P
E
B
2
B
1
+
-
V
BB
+
-
V
E
R
B2
R
B1
V '
I
E
I
E

Fig. 6.14. Caracteristica de intrare a tranzistorului unijonciune.

n momentul n care jonciunea ncepe s se deschid (V V
E BB
~ + 0 6 . V) un curent de goluri
(purttori de sarcin pozitivi) este injectat n bar prin contactul emitorului. Curentul electric se ntoarce la
mas prin contactul B
1
, pe unde sosesc electroni ce neutralizeaz golurile. Scriind bilanul curenilor

I
V V
R
V
R
E
BB
B B
+
'
=
'
2 1
(6.3)

obinem evoluia potenialului intern ' V

' =
+
+
+
V
R
R R
V I
R R
R R
B
B B
BB E
B B
B B
1
1 2
1 2
1 2
. (6.4)

Dac R
B1
i R
B2
ar fi fost rezistoare, rezistenele lor nu s-ar fi modificat datorit creterii curentului
I
E
; astfel, primul termen al sumei din relaia anterioar ar fi rmas constant iar al doilea ar fi crescut. n
consecin, ' V ar fi crescut la creterea lui I
E
i, cum V V
E
~ ' + 0 6 . V(tensiunea pe jonciunea deschis
crete extrem de puin), mpreun cu el ar fi crecut i potenialul emitorului.
n cazul tranzistorului unijonciune ns, lucrurile se ntmpl cu totul altfel. Apariia n poriunea
inferioar a barei de siliciu a unor purttori suplimentari determin scderea semnificativ a rezistenei R
B1
,


deoarece concentraia iniial de purttori liberi nu era prea mare. n consecin, raportul
R
R R
B
B B
1
1 2
+
se
micoreaz. Scderea acestui raport este att de accentuat nct, dei I
E
crete, ambii termeni ai relaiei (6.3)
scad, ducnd la scderea lui ' V . Astfel, tensiunea pe jonciune V V
E
' crete i mai mult ducnd n
continuare la creterea curentului de emitor .a.m.d.. Acesta este un fenomen de reacie pozitiv, n care
efectul (creterea lui I
E
) accentueaz cauza
care l-a produs (deschiderea diodei). Dei
tensiunea pe jonciune crete cu cteva
zecimi de volt, datorit prbuirii
potenialului intern ' V tensiunea emitorului
V
E
scade puternic la creterea curentului
de emitor.
Avem de-a face aici cu un efect cu
importan excepional n viaa de fiecare zi
i att de utilizat n electronic nct i vom
dedica dou capitole speciale: este reacia
(feed-back n limba englez). O consecin
(creterea curentului prin rezistena R
B1
)
acioneaz asupra cauzei care a produs-o
(deschiderea jonciunii datorat creterii
diferenei de potenial V V
E
' ) . Aceasta se
ntmpl deoarece creterea curentului
provoac ea nsi scderea rezistenei R
B1

prin care trece, aa cum se poate observa n
echivalentul hidraulic din Fig. 6.15.
Nu este prima dat cnd ntilnii
reacia, ea era o prezen tcut n
majoritatea sistemelor fizice pe care le-ai
studiat. Deplasarea punctului material pe
fundul gropii de potenial din Fig. 6.16 a)
conduce la apariia unei fore ce produce o
acceleraie care, n timp, determin o deplasare a punctului material n sens invers deplasrii iniiale. Spunem
c reacia este negativ, ea avnd tendina s diminueze orice modificare a strii.
Reacia negativ este responsabil pentru caracterul stabil al echilibrului.
Ori de cte ori scriem ecuaii pentru regimul de curent continuu (un regim de echilibru dinamic stabil),
nu facem dect s exprimm mai sintetic nite proprietai ale unei mulimi de stri; reacia negativ detemin
ns, de fiecare dat, ca circuitul s rmn stabil n fiecare din aceste stri. Caracteristica static ascunde,
deci, n spatele ei, efortul depus de reacia negativ. Chiar n cazul banal al divizorului rezistiv, dac scriem
ecuaiile circuitului i le reprezentm prin blocuri (desenul b al figurii), reacia negativ este evident:
creterea curentului determin creterea potenialului V
A
care, la rndul ei, prin legea lui Ohm pe rezistena
R
1
, provoac scderea curentului.

nivel constant
echivalentul lui
V
BB
nivel variabil
echivalentul lui
V '
robinet
echivalentul
rezistentei R
B1
echivalentul
curentului I
E

Fig. 6.15. Reacia pozitiv responsabil de apariia
rezistenei dinamice negative: debitul deschide el nsui
robinetul prin care trece.

R
1
R
2
V
A
V
alim
I
V alim
E
+
-
V
A
V alim
-
V
A
I
1
R 1
R
2
V
alim
-
V
A
I =
R
1
V
A
= I R
2
sumator
deplasare initiala
echilibru
stabil
forta
a) b) c)
I
deplasare initiala
echilibru
instabil
forta

Fig. 6.16. Reacia negativ produce stabilitatea echilibrului (a i b), pe cnd reacia pozitiv determin
instabilitatea acestuia (c).

Observaie n schema bloc din desenul b), dreptunghiurile reprezint diferite operaii matematice
(sumare, nmulire cu constante, etc) pe cnd liniile cu sgei simbolizeaz modul n care mrimile de stare
ale circuitului sunt prelucrate de aceste operaii. Este, de fapt, o reprezentare grafic a sistemului de dou
ecuaii scris mai jos. Nu confundai acest tip de scheme bloc cu schemele circuitelor unde liniile reprezint
conductoarele de legtur prin care circul cureni electrici.
Spre deosebire de aceast situaie, n cazul sistemului din Fig.6.16 c) fora care apare ca urmare a
deplasrii produce, la rndul ei, o deplasare n acelai sens, accentund deplasarea iniial. Reacia este
pozitiv i sistemul nu se mai ntoarce spre poziia de echilibru. Dac exista un punct de echilibru, acela era
instabil i la o fluctuaie, orict de mic, reacia pozitiv ndeprteaz rapid sistemul de acea stare, fr
posibilitatea atingerii unui nou echilibru.
Dei simplu, exemplul din Fig.6.16 c) este unul atipic. n general, pentru a provoca instabilitatea
sistemului gradul de reacie pozitiv trebuie s depeasc o anumit valoare critic (vom defini riguros gradul
de reacie n alt capitol, aici este suficient s tim c reaciile pot fi mai slabe sau mai intense).
Dac reacia pozitiv depete un anumit grad critic, ea provoac instabilitatea sistemului.
nelegem acum de ce poriunea de caracteristic cu rezisten dinamic negativ nu putea fi investigat
experimental: strict vorbind, ea nici nu exist, reacia pozitiv face ntregul circuit instabil i n absena unei
stri de echilibru nu putem vorbi de un punct static de funcionare.
S revenim la caracteristica tranzistorului unijonciune. Scderea potenialului emitorului la creterea
curentului de emitor, reprezentat prin poriunea de pant negativ, nu continu la nesfrit deoarece la cureni
I
E
mai mari concentraia de purttori injectai ajunge att de mare nct devin dominante alte procese care
scurteaz durata lor de via. Astfel, R
B1
scade din ce n ce mai lent i, datorit creterii lui I
E
, creterea
termenului al doilea al relaiei (6.3) ncepe s domine scderea lent a primului termen. De la o anumit
valoare a lui I
E
, potenialul ' V i, corespunztor, potenialul emitorului, ncep din nou s creasc. Reacia a
devenit din nou negativ i regiunea cu rezisten dinamic negativ s-a ncheiat.
Textele care au descris primele tranzistoare unijonciune realizate obinuiau s deseneze caracteristica
de intrare n coordonate V f I
E E
= ( ), ca n Fig 6.16. n acest mod, punctul n care tensiunea avea un maxim
aprea ca un "vrf" (peak n lb. englez) iar cel n care tensiunea avea un minim aprea ca o "vale" (valley n
lb. englez). Aceste puncte sunt extrem de importante pentru c delimiteaz regiunea cu rezistena dinamic


negativ, iar coordonatele lor sunt date n foile de catalog i sunt
eseniale n proiectarea aplicaiilor. Cum n limba romn
cuvntul vrf ncepe cu aceeai liter ca i vale, vom utiliza, ca
peste tot n tiin, termenul de jargon "pic".
Dei azi se lucreaz cel mai frecvent n coordonatele
I f V
E E
= ( ), denumirile de pic i vale s-au pstrat i sunt
utilizate sistematic atunci cnd este vorba despre tranzistoare
unijonciune. Curenii de pic sunt de ordinul a zece microamperi,
pe cnd cei de vale sunt de aproape 1000 de ori mai mari, de
ordinul a zece miliamperi. Tensiunea de vale depinde slab de
valoarea tensiunii interbaz V
BB
i este n domeniul 1-3 V.
Comparnd caracteristica TUJ din Fig. 6.14 cu
caracteristica considerat la sectiunea 6.1 pentru un dipol
oarecare cu rezisten dinamic negativ, constatm c au
aceeai form. Tensiunea de amorsare se numete la TUJ
tensiune de vrf, tensiunea rezidual este practic tensiunea de vale iar curentul minim de meninere este
curentul de vale. Poate c e bine s ne construim un "dicionar", ca n Tabelul 6.1.

Tabelul 6.1
Termeni utilizai la TUJ

Termeni generali pentru dispozitive cu rezisten
dinamic negativ
Termeni utilizai la TUJ
tensiune de amorsare tensiune de vrf (pic)
tensiune rezidual tensiune de vale
curent minim de meninere curent de vale

Merit s comentm o caricatur, prezentat de
aproape toate textele introductive despre TUJ, drept
caracteristica sa static (Fig. 6.17). n primul rnd, pe axe
nu sunt trecute gradaiile: scalele nu sunt de nici un tip,
nici liniare, nici logaritmice (pe o scal logaritmic nu
poate aprea valoarea zero pentru simplul motiv c
log( ) 0 = ). De aceea, curentul de pic apare doar de
cteva ori mai mic dect cel de vale. De unde vine acest
desen, reprodus cu o consecven demn de cauze mai
bune ? Este schia calitativ prezentat n prima pagin a
foilor de catalog pentru definirea punctelor de pic i
vale. i cum autorii respectivi nu s-au aventurat dincolo
de prima pagin (i, bineneles, nici s msoare sau s
utilizeze un astfel de tranzistor) ...

2.C. Aplicaia tipic: oscilatorul de relaxare
I
E
0
0
V
E
V
P
V
V
I
V
V (vale)
P (pic, virf)

Fig. 6.16. Aceeai caracteristic de
intrare a tranzistorului unijonciune,
desenat cu tensiunea n funcie de
curent.

Fig. 6.17.


n fizic i electronic sunt ntlnite frecvent oscilaii de un tip special, numite oscilaii de relaxare.
Caracteristicile lor eseniale pot fi enunate pe un exemplu simplu: oscilaiile nivelului apei ntr-o cad de baie,
ntre dou praguri:
-exist un rezervor (cada) pentru mrimea care va oscila (cantitatea de ap);
-exist un proces continuu de alimentare a rezervorului: robinetul de alimentare este lsat deschis;
-exist un dispozitiv care determin momentul cnd nivelul apei atinge pragul superior (nivelul maxim
permis): de exemplu un operator uman;
-n momentul atingerii pragului superior se deschide o cale de golire a rezervorului, cu debitul mai mare
dect cea de alimentare: se scoate, de exemplu, dopul de evacuare;
-exist un dispozitiv care determin momentul cnd nivelul apei atinge pragul inferior (nivelul minim
permis): de exemplu un operator uman;
-n momentul atingerii pragului inferior se nchide calea de golire a rezervorului.
Un asemenea oscilator de relaxare poate fi realizat cu un TUJ, un condensator de capacitate C i o
surs ideala de curent cu intensitatea I
0
, legate ca n Fig. 6.18 a). Pentru ca circuitul s oscileze trebuie ca
I I I
P V
< <
0
; aceste condiii cer, de fapt, aa cum se poate vedea n figur, ca, n absena condensatorului,
punctul de funcionare intersecia curbelor s fie n regiunea de rezisten dinamic negativ.
E B
2
B
1
+
-
V
BB
I
E
+
-
V
E
I
0
I
C
C
a)
0
V
V
V
P
t 0
V
E
TUJ blocat
TUJ amorsat
b)
t 0
0
0
0
P
IV
I0
V
dreapta de sarcina
c)
V
P
V
V
V
E
I
E
I
E

Fig. 6.18. Oscilator de relaxare cu TUJ i surs de curent: schema circuitului (a), evoluia n timp a
potenialului emitorului i a curentului de emitor (b) i evoluia ciclic a punctului de funcionare n
planul caracteristicii de intrare (c)


Rolul rezervorului l joac aici condensatorul, mrimea care oscileaz fiind sarcina electric
nmagazinat pe condensator i, n consecin, tensiunea V
E
. Calea de alimentare este furnizat de sursa de
curent. Cine ndeplinete ns toate celelalte funcii (comparaia cu cele dou praguri, calea de golire i
comanda acesteia) ? Ei bine, aa cum vom vedea, dac alegem intensitatea I
0
s ndeplineasc relaia
specificat mai sus, tranzistorul unijonciune ndeplinete toate aceste funcii: el efectueaz comparaia cu cele
dou praguri (tensiunea de pic i tensiunea de vale), el i schimb starea prin salturile de amorsare i blocare
i el ofer chiar i calea de golire, prin curentul su de emitor. Astfel, dup cum se vede n desenul b) al
figurii,
tensiunea pe condensator evolueaz ciclic ntre valoarea tensiunii de pic V
P
a tranzistorului i valoarea
tensiunii sale de vale, V
V
.
Creterea se face liniar, cu viteza dV dt I C
E C
= constant, iar coborrea se face rapid, ntr-un interval de
timp, mult mai mic. Obinem o form de und care se numete n electronic "dini de fierstru". Pe de alt
parte, evoluia n timp a curentului de emitor const ntr-o serie de pulsuri scurte i intense. Limea pulsurilor
este determinat de capacitatea condensatorului i "rezistena" oferit de tranzistor pentru descrcarea sa.
Perioada oscilaiilor poate fi foarte bine aproximat cu

T
V V
I
C
osc
P V
~

0
. (6.5)

Coordonatele punctelor de pic i de vale nu sunt controlate tehnologic dect aproximativ, astfel c ele au
variaii semnificative de la exemplar la exemplar, nefiind, deci, perfect predictibile pentru exemplarul care va
fi montat n circuit. Din acest motiv, calculul performaelor circuitelor se face cu o aproximaie n jurul a 10
%.
Cum V
BB
are valori peste 10 V, cei 0.6 V din expresia tensiunii de pic se pot neglija n comparaie cu
V
BB
, aa c V V
P BB
~ . n plus, tensiunea de vale are valori de ordinul a 1 V i nici mcar nu este
specificat n foile de catalog. Ajungem, n final la relaia aproximativ

T
V
I
C
osc
BB
~

0
(6.6)
frecvena fiind

f
I
V C
osc
BB
~
0
. (6.6')

Frecvena oscilaiilor este proporional cu intensitatea sursei de curent.
Din acest motiv, aceast frecven poate fi comandat electronic prin curentul I
0
; circuitul poate fi utilizat ca
un convertor liniar curent-frecven.

Pentru a avea, ns, oscilaii, intensitatea sursei ideale de curent trebuie s ndeplineasc relaia


I I I
P V
< <
0
. (6.7)

i, n plus, compliana sursei de curent trebuie s-i permit acesteia s aduc potenialul V
E
la valoarea de
amorsare V
P
. Chiar i aa, putem s reglm continuu frecvena, fr s schimbm condensatorul, aproape pe
un domeniu de la 1 la 1000 .
Dac dorii, putei urmri pas cu pas ce se ntmpl n circuit, pe diagrama curent-tensiune din
Fig. 6.18 c). Considerm c la momentul t = 0 conectm condensatorul de capacitate C, iniial descrcat.
Cum tensiunea pe condensator nu poate suferi variaii instantanee (deoarece este proporional cu sarcina
electric nmagazinat, V Q C
E
= ), condenatorul foreaz n primul moment la zero potenialul emitorului,
aducnd punctul de funcionare n origine, unde I
E
= 0. Dei tensiunea V
E
ncepe s creasc i punctul de
funcionare se deplaseaz pe poriunea 0P a caracteristicii, tranzistorul rmne blocat. ntregul curent I
0
curge
nspre condensator, tensiunea sa crescnd cu liniar cu timpul (cu vitez constant), deoarece dV dt I C
E C
= .
Riguros vorbind, odat cu apropierea de punctul de "vrf" P, curentul de emitor I
E
ncepe s creasc, scznd
curentul I
C
( I
0
= constant ) i condensatorul se ncarc cu vitez din ce n ce mai mic.
Dac am fi ales iniial curentul sursei ideale mai mic dect curentul de vrf al tranzistorului, I I
P 0
< ,
procesul de ncrcare s-ar fi oprit pn la atingerea punctului P, acolo unde I
E
l-ar fi egalat pe I
0
i circuitul
ar fi ajuns ntr-o stare de echilibru, pe care ar fi pstrat-o un timp nedefinit.
Noi am stabilit, ns, curentul I
0
s fie mai mare dect curentul de la punctul de vrf I I
P 0
> ; n
aceast situaie, chiar i n punctul P condensatorul continu s se ncarce i s mreasc potenialul V
E
al
emitorului. Acest lucru nu se mai poate face, ns, pe ramura 0P a caracteristicii i circuitul comut brusc pe
cealalt ramur de stabilitate. Dac timpul de comutare este att de scurt nct condensatorul nu are timp s se
descarce semnificativ, saltul se face la tensiune constant adic pe o linie vertical (desenat punctat n
figur). n realitate, saltul nu este instantaneu i traiectoria este curbat, cu att mai mult cu ct capacitatea C
este mai mic.
n urma acestui salt, curentul de emitor ajunge la valori foarte mari, de ordinul amperilor, mult mai
mare dect I
0
, i condensatorul se descarc extrem de repede prin tranzistor. Scderea tensiunii pe
condensator coboar rapid potenialul V
E
, punctul de funcionare cobornd pe caracteristic. Odat cu
scderea potenialului V
E
, scade i curentul I
E
, descrcarea condensatorului fcndu-se din ce n ce mai lent.
Dac am ales fi ales curentul I
0
mai mare dect curentul de vale, I I
V 0
> , la un moment dat curentul I
E
,
scznd, ar fi egalat curentul I
0
, oprind descrcarea condensatorului nainte ca punctul de funcionare s fi
ajuns la punctul de vale. Circuitul ar fi ajuns, astfel, ntr-o stare de echilibru pe care nu ar mai fi prsit-o.
Am avut, ns, grij ca valoarea curentului I
0
s fie mai mic dect aceea a curentului de vale; chiar i
la atingerea punctului de vale, condensatorul continu s se descarce, potenialul V
E
scznd. Acest lucru nu
poate continua pe poriunea de rezisten dinamic negativ deoarece acolo potenialul V
E
crete. Astfel,
dispozitivul este obligat s comute pe cealalt ramur de stabilitate, saltul avnd loc la V
E
aproape constant.
n urma acestui salt, curentul I
E
devine practic nul i procesul de ncrcare al condensatorului cu viteza
dV dt I C
E
=
0
constant se reia. Se ajunge din nou n punctul de vrf i procesul continu la nesfrit.
Cnd nu suntem pretenioi n privina formei de und generate, putem simplifica structura oscilatorului
de relaxare cu TUJ, nlocuind sursa ideal de curent cu un rezistor conectat la tensiunea V
REF
, ca n Fig.
6.19. Condiiile care trebuie ndeplinite pentru ca circuitul s oscileze se obin n acelai mod ca la exemplul
precedent, exprimnd curenii prin rezistor n punctele critice V i P prin legea lui Ohm:


I
V V
R
V V
R
I
P
REF P
REF V
V
<

<
(6.8)
sau, sub o alt form,

V I R V V I R
P P REF V V
+ < < +
(6.8')

E B
2
B
1
+
-
V
BB
I
E
+
-
V
E
I
C
C
V
REF
I
E
0
0
V
E
V
P
V
V
P
IV V
V
REF
dreapta de sarcina
t
0
creste asimptotic spre
R
a) b)
c)
V
E
V
V
V
REF
V
P

Fig. 6.19. Oscilator de relaxare cu TUJ i rezisten: schema circuitului (a), poziia dreptei de sarcin
n planul caracteristicii de intrare (b) i evoluia n timp a potenialului de emitor (c).

De data aceasta, ncrcarea condensatorului pornind de la tensiunea V
V
nu se mai face liniar n timp, ci
dup legea

|
|
.
|
\
|
+ =

RC
t
V REF V E
e V V V V 1 ) ( (6.9)

care tinde asimptotic la V
REF
(am ales originea timpului n momentul blocrii tranzistorului, ca n desenul b
al figurii). Evoluia spre asimptot este ncheiat aproximativ la momentul T
osc
, cnd tensiunea V
E
a ajuns la
valoarea tensiunii de pic V
P
; astfel

T RC
V V
V V
osc
REF V
REF P
~

ln
. (6.10)

i n acest caz putem controla electronic frecvena de oscilaie, prin tensiunea continu V
REF
, dar dependena
nu mai este una liniar.
Dac nu dorim s controlm electronic frecvena, legm captul rezistenei R la tensiunea fix V
BB
. Cu
aceleai aproximaii ca i la oscilatorul cu surs de curent, obinem relaia

T RC
V
V V
RC
osc
BB
BB BB
~
ln ln

1
1
(6.11)

care, pentru valoarea tipic = 0 5 . , conduce la

T RC
osc
~ 0 7 .
(6.11')

n aproximaia n care a fost dedus relaia precedent, perioada oscilaiilor este insensibil la
variaiile accidentale ale tensiunii de alimentare, un avantaj interesant pentru aplicaiile ieftine n care
alimentarea nu este stabilizat.
Oscilatoarele de relaxare cu TUJ au, n general, dou tipuri de aplicaii:
a) Generarea unei tensiuni electrice oscilante, n form de dini de fierstru (sau aproximativ, cu arce
de exponenial, ca n Fig. 6.19 c). Aceast form de und este utilizat, spe exemplu, pentru deplasarea pe
orizontal a spotului unui osciloscop. Trebuie s avem grij, ns, ca circuitul care utilizeaz aceast tensiune,
prin curentul absorbit, s nu afecteze semnificativ bilanul de cureni din nodul emitorului. Cel mai bine este s
utilizm un etaj de separare care s poat furniza un curent mare pe rezistena de sarcin absorbind un curent
extrem de mic din nodul de emitor.
b) Generarea unor pulsuri intense i scurte de curent. Prin amorsarea TUJ, punctul de funcionare
ajunge la valori ale curentului de emitor foarte
mari (de ordinul amperilor) i sarcina
AQ C V V
P V
= ( ) este rapid evacuat din
condensator prin baza B
1
a tranzistorului. Astfel,
n Fig. 6.20, aceste pulsuri de curent sunt utilizate
pentru amorsarea unui dispozitiv numit tiristor,
prin trimiterea unor pulsuri de curent n poarta sa,
notat cu G. Transformatorul face separaia
galvanic ntre reeaua de alimentare de 220 V,
astfel nct circuitul de comand ce conine
tranzistorul TUJ este "flotant" i poate fi atins fr
pericol.

C
+12 V
~
220 V tiristor
G
R
bec

Fig. 6.20. Comanda unui tiristor cu pulurile de curent
generate de un oscilator de relaxare cu TUJ.


2.D. Cte jonciuni are tranzistorul unijonciune programabil

Odat cu trecerea la construirea sa din siliciu, n anul 1956, tranzistorul unijonciune devine un
dispozitiv consacrat, folosit pe scar larg n proiectare. Raportul de divizare , ca i curenii de pic i de
vale, nu puteau fi ns modificai n aplicaii, fapt resimit negativ de proiectani. Din acest motiv, n 1967,
acestora li se ofer un nou dispozitiv, cu aceeai comportare, dar la care raportul de divizare putea fi
programat extern prin raportul a dou rezistene. De asemenea, tot prin valorile acestor rezistene era posibil
modificarea curenilor de pic i de vale i cum denumirea de
tranzistor unijonciune se ncetenise, noul dipozitiv a primit
numele de tranzistor unijonciune programabil.
Electronica este o disciplin extrem de pragmatic: pentru
proiectani i utilizatori structura real a dispozitivului este puin
relevant. De fapt, tranzistorul unijonciune programabil conine
patru straturi de tip p i de tip n, alternate, ntre care se formeaz
trei jonciuni. Simbolul su este cel din Fig. 6.21, unde am
desenat i rezistenele care programeaz raportul de divizare.
Tranzistorul unijonciune programabil este similar ca structur
unui alt dispozitiv, tiristorul, pe care l vom aborda mai trziu. Din
acest motiv, i terminalele sale sunt denumite identic cu cele de la tiristor: anod, catod i poart (gate n limba
englez).
Structura fizic intern a tranzistorului unijonciune programabil este echivalent cu dou tranzistoare
bipolare complementare, montate ca n Fig. 6.22. De multe ori, n locul tranzistorului unijonciune
programabil, chiar se utilizeaz un asemenea circuit, numit tranzistor unijonciune simulat.

R
2
R
1
V
alim
+
A
K
G
A
K
G
R
2
R
1
V
alim
+
T
1
T
2
V'
I
A

Fig. 6.22. Simularea tranzistorului unijonciune cu dou tranzistoare bipolare complementare.

Atta timp ct potenialul n anod (emitorul lui T
1
) este mai mic dect V
alim
0.6 V + , ambele
tranzistoare sunt blocate i divizorul rezistiv este nencrcat. La depirea acestei valori, tranzistorul T
1

ncepe s se deschid, curentul su de colector este amplificat de
2
ori de ctre tranzistorul T
2
i aceast
valoare este absorbit din punctul median al divizorului. n consecin, potenialul ' V coboar i tranzistorul
T
1
se deschide i mai mult. Notnd cu R
div
rezistena echivalent a divizorului, putem scrie pentru variaii
urmtoarele relaii

( ) V V g I
I I
I R V
A m C
C C
C div
' A A = A
A = A
A = ' A
1 1
1 2 2
2
(6.12)
A
R
2
R
1
V
alim
+
anod
catod
poarta
K
G
q
=
R
1
R
1
R
2 +

Fig. 6.21. Tranzistorul unijonciune
programabil.

care pot fi reprezentate prin schema bloc din Fig. 6.23. Recunoatem aici caracterul pozitiv al reaciei,
deoarece pe bucl variaiile sunt nmulite de dou ori cu -1, la nmulirea cu R
div
i la sumator.

g
m1 |
2
R
div
(- )
A C1 I A I B2
= C2 I A A V '
A V '
E
A V A
+
-
A V A - A V '
aici are loc o
inmultire cu -1
aici are loc a
doua inmultire
cu -1

Fig. 6.23. Schema bloc (operaional) pentru tranzistorul unijonciune simulat.

Deoarece curentul de intrare n nodul A este curentul de emitor al primului tranzistor (aproximativ egal
cu cel de colector), din sistemul anterior de ecuaii putem calcula rezistena dinamica de intrare

A
A
V
I
g R
g
A
A
m div
m
=
1
1 2
1
. (6.13)

Aa cum am vzut sistemul este unul cu reacie pozitiv. Deoarece factorul g R
m div 1 2
nu schimb
semnul, reacia este pozitiv todeauna; totui, relaia precedent arat c semnul rezistenei dinamice este
determinat de mrimea gradului de reacie, existnd un prag la g R
m div 1 2
1 = .
Factorul este mic la cureni de colector foarte mici; n plus, transconductana primului tranzistor este
proporional cu valoarea curentului de intrare g I
m A 1
= 25 mV. Astfel, la deschiderea incipient a
tranzistoarelor, produsul g R
m div 1 2
este subunitar i rezistena dinamic este pozitiv.
La creterea curentului, produsul crete i, la o anumit valoare, rezistena dinamic schimb semnul
devenind negativ. Aici este punctul de vrf de pe caracteristic; curentul su poate fi estimat din condiia
g R
I
R
m div
P
div 1 2 2
1 = =
25 mV
ca

I
R
P
div
=
25 mV
2
; (6.15)

n aceast relaie trebuie s utilizm valoarea factorului de amplificare
2
de la cureni foarte mici. n
regiunea activ a tranzistoarelor, factorul g R
m div 1 2
este mult supraunitar i rezistena dinamic este
negativ.
Creterea n continuare a curenilor aduce, ns, tranzistorul T
2
n saturaie unde curentul de baz nu
mai controleaz pe cel de emitor. n consecin, relaia I I
C B 2 2 2
= nu se mai respect i raportul
A A I I
C B 2 2
devine aproape nul. Astfel, produsul g R
m div 1 2
ajunge mult mai mic dect unitatea, iar
rezistena dinamic devine din nou pozitiv. n acest regim, intrarea n nodul A se comport practic ca o
diod.
Putem estima, astfel, i coordonatele punctului de vale. Tensiunea sa este de 0.8 V (tensiunea de
deschidere a tranzistorului 1 plus tensiunea colector-emitor de saturaie a tranzistorului 2. La saturaie,


tranzistorul 2 scurtcircuiteaz practic rezistena R
1
, astfel c valoarea curentului de saturaie este
aproximativ I V R
C sat 2 2
=
alim
. Ajungem, deci, la valoarea curentului de vale

( )
2 alim
R V I
V
~ . (6.16)

2.E. Proiectarea unui oscilator de relaxare cu TUJ

Ne propunem s proiectm un oscilator de relaxare cu TUJ i cu
rezistor (Fig. 6.24). n afara datelor de catalog ale tranzistorului, mai
cunoatem frecvena f cu care trebuie s oscileze circuitul.
1. Alegem valoarea tensiunii de polarizare V
BB
, mai mic dect
cea maxim permis, furnizat de catalog (de ordinul a 30 V). Cu
aceasta, putem calcula tensiunea de pic V V
P BB
~ . Pentru simplitate,
vom lega rezistorul R tot la potenialul V
BB
.
2. Calculm intervalul de valori ale rezistenei R pentru care
circuitul oscileaz

V V
I
V
I
R R R
V
I
V V
I
BB V
V
BB
V
BB
P
BB P
P
~ = < < =

~

min max
( ) 1

3. Cum valoarile V V I I
P V P V
, , , nu sunt valori precise ci tipice (difer de la exemplar la exemplar),
este bine s alegem o valoarea sigur n acest interval, de exemplu, R
max
10. Cu ea, estimm valoarea
necesar pentru condensator

C
f R
=
1
1
1
ln

Aceasta este bine s nu fie mai mic de 10 nF, pentru ca stabilitatea frecvenei s fie bun. De
asemenea, dac ajungem la valori mai mari de 10 F, curenii de descrcare devin periculos de inteni i va
trebui s intercalm o rezisten n serie cu emitorul. Oricum, nu vom utiliza chiar valoarea obinut din
expresia anterioar, ci una apropiat, din seria de valori E6 (20%): 1; 1.5; 2.2; 3.3; 4.7; 6.8.
4. Recalculm, acum, valoarea rezistenei R, deoarece rezistoarele sunt disponibile n game de toleran
mult mai restrns; n plus, ele pot fi uor ajustate, prin utilizarea unui poteniometru semireglabil.

R
f C
=
1
1
1
ln
.

E
B
2
B
1 C
R
+ V
BB

Fig. 6.24


E
B
2
B
1 C
R
+ V
BB
1. Alegem
2. Alegem R intre
V
BB
I
V
I
P
V
BB
(1- ) q
3. Calculam
1
f R
1
1- q
BB
V
ln
C =
si

Fig. 6.25. Procedur simplificat de proiectare pentru un oscilator de relaxare cu TUJ.

5. Dac dorim s obinem de la oscilator pulsuri scurte i intense de tensiune, trebuie s intercalm n
circuitul bazei 1 o rezisten de zeci sau sute de ohmi. De asemenea, stabilitatea termic a circuitului este
mbuntit dac n circuitul bazei 2 se monteaz o rezisten de cteva sute de ohmi.
Procedura de proiectare, simplificat, este reprezentat n Fig. 6.25.



-Tranzistorul unijonciune (prescurtat TUJ n romn i UJT n englez) este un dispozitiv cu trei
terminale, emitorul, baza 1 i baza 2, pentru care se utilizeaz simbolul
E
B
2
B
1
; dac ntre cele
dou baze se aplic o tensiune continu constant V
BB
, caracteristica sa de intrare n emitor are o
regiune cu rezisten dinamic negativ.
- Regiunea cu rezisten dinamic negativ este efectul unei reacii pozitive.
-Tensiunea de amorsare, care la TUJ poart numele de tensiune de vrf (pic), este aproximativ
V
BB
, unde este raportul de divizare intrinsec, uzual egal cu 1/2; curentul de amorsare este de
ordinul microamperilor.
-Dup amorsare, tensiunea de emitor scade la o valoarea mic i crete foarte slab cu creterea
curentului.
- Curentul minim de meninere este aproximativ egal cu valoarea curentului de vale (punct care
delimiteaz regiunea cu rezisten dinamic negativ) i este de ordinul a 1 mA; tensiunea de vale are
valori de ordinul 1-2 V.
- Aplicaia tipic a tranzistorului unijonciune este oscilatorul de relaxare.
- ntr-un oscilator de relaxare cu TUJ, un condensator se ncarc printr-o rezisten (sau surs de
curent) pn la tensiunea de vrf a TUJ, moment n care tranzistorul se amorseaz i descarc rapid
condensatorul pn la tensiunea de vale. Dac n acest moment curentul este mai mic dect curentul da
vale, tranzistorul se blocheaz i procesul se repet periodic.
-Pentru ca un oscilator de relaxare cu TUJ s funcioneze, este necesar ca dreapta de sarcin s
intersecteze caracteristica TUJ n regiunea cu rezisten dinamic negativ.
-Dac ncrcarea condensatorului se face printr-o surs de curent, frecvena de oscilaie este
proporional cu valoarea curentului acestei surse; circuitul funcioneaz ca un convertor liniar curent-
frecven.
-Oscilatorul de relaxare se utilizeaz fie pentru obinerea unei tensiuni periodice cu form de dini
de fierstru, fie pentru obinerea unor pulsuri periodice de curent, scurte i intense.
- Tranzistorul unijonciune programabil este un dispozitiv de circuit cu funcionare similar cu cea
a TUJ; n cazul lui, raportul de divizare, ca i valorile curenilor de pic i de vale, sunt programabile prin
intermediul unui divizor rezistiv.


Termeni noi

-tranzistor unijonciune dispozitiv de circuit cu trei terminale (emitorul i cele dou baze) ;
dac ntre baze se aplic o tensiune continu constant,
carcateristica sa de intrare n emitor prezint o regiune cu

rezisten dinamic negativ
-raport de divizare intrinsec raportul cu care divizorul rezistiv echivalent cu TUJ divizeaz
tensiunea aplicat ntre baze
-reacie (feed-back n englez) aciunea unui efect asupra cauzei care l-a produs
-reacie negativ reacie n care aciunea se face cu sens schimbat, astfel nct
modificrile sunt atenuate;
-reacie pozitiv reacie n care aciunea are acelai sens, astfel nct modificrile
sunt accentuate
-punct de vrf (pic) punct pe caracteristica static de intrare a TUJ la care tensiunea
are valoarea maxim; delimiteaz regiunea cu rezisten dinamic
negativ; valoarea tensiunii de vrf reprezint tensiunea de
amorsare
- punct de vale punct pe caracteristica static de intrare a TUJ la care tensiunea
are un minim local; delimiteaz regiunea cu rezisten dinamic
negativ; valoarea curentului de vale reprezint curentul minim de
meninere
- oscilator de relaxare oscilator la care o mrime fizic evoleaz periodic ntre dou
praguri; la atingerea pragului de sus se deschide o cale rapid de
golire a "rezervorului" iar la atingerea pragului de jos calea de
golire este nchis
- convertor curent-frecven oscilator la care frecvena de oscilaia este controlat de
intensitatea unui curent; dac dependena este liniar, convertorul
este, la rndul lui, liniar


Problem rezolvat

Utiliznd un tranzistor unijonciune cu
V I A I
BB P V max
; = = = 35 12 8 V; = 0. 5; mA , s se proiecteze
un oscilator de relaxare cu rezistor, care s oscileze pe frecvena de 10
kHz. Desenm, mai inti schema circuitului, ca n Fig. 6.26.

Rezolvare

1. Alegem tensiunea de alimentare a circuitului V
BB
= 12 V. De
aici rezult imediat tensiunea de pic de aproximativ 6 V (nu are rost s
lucrm prea precis, nici raportul nu este acelai la fiecare exemplar ci
ntre 0.47 i 0.62.
2. Calculm intervalul de valori ale rezistenei:
R
V
min
. = =
12
8
1 5
mA
kO i R
max
= =
6
12
500
V
A
k
O
3. Alegem o valoare "sigur" de 20 kO i estimm valoarea condensatorului
C =
= =
1
10 2 10 2
0 72 10 7 2
4 4
8
ln
. . nF
Ne hotrm la o valoare un pic mai mare, i anume la 10 nF, din
considerentele artate anterior.
4. Calculm, n final, valoarea rezistenei:
R = = =
1
10 10 2
1 4 10 14
4 8
4
ln
. kO. Dac dorim s obinem o
valoare precis a frecvenei, realizm aceast rezisten dintr-una fix
de 10 kO i un poteniometru semireglabil de 10 kO, urmnd ca
ajustarea poteniometrului s fie fcut "la cald" n timp ce frecvena
de oscilaie este monitorizat cu un frecvenmetru. ncheiem
proiectarea cu desenarea schemei complete, cu valorile componentelor
(Fig. 6.27).

E
B
2
B
1
C
R
+ V
BB

Fig. 6.26.
E
B
2
B
1
C
R
10 nF
10 k
10 k
+ 12 V

Fig. 6.27.


Probleme propuse

P 6.2.1. Pentru circuitul din Fig. 6.28,
determinai :
a) curentul I
0
furnizat de sursa de curent
realizat cu tranzistorul bipolar T
1;
b) perioada i frecvena oscilaiilor;
c) cum trebuie s aib tranzistorul unijonciune
curenii de vrf i de vale pentru ca circuitul s oscileze
?
P 6.2.2. Oscilatorul de relaxare din Fig. 6.29
este unul sincronizat cu reeaua de alimentare.
a) Desenai forma de und a tensiunii produse de
redresorul dubl alternan n absena diodei Zener
Dz.
b) Determinai acum evoluia potenialului n punctul A n prezena diodei Zener. Dup ct timp de la
trecerea prin zero a tensiunii de la reea, potenialul punctului A atinge valoarea sa de palier ?
c) Calculai perioada de oscilaia a oscilatorului de relaxare cnd poziia rezistenei reglabile este
stabilit la jumtate..
d) Ce putei spune despre momentul apariiei primului puls pe rezistena de 100 O (numrat de la
trecerea prin zero a tensiunii reelei) ?
e) Dar dac n locul diodei Zener am fi montat un condensator de filtrare care ar fi meninut practic
constant potenialul nodului A ?

~
D
1 D
2
D
3
D
4 100 nF
100 k
Dz
12 V
220 V
ef
6.8 k
2 W
1 k
100 O
A

Fig. 6.29. Oscilator de relaxare sincronizat.

P 6.2.3. Circuitul prezentat n Fig. 6.30 este un circuit de temporizare. Rolul lui este ca, la aplicarea
tensiunii de alimentare, s produc un puls de comand, care s apar ns cu o ntrziere .
a) Presupunnd un raport de divizare intrinsec de 0.5, estimai aceast ntrziere.
b) Pulsul produs comand intrarea n conducie a "ntreruptorului" K. Justificai de ce circuitul de
temporizare nu a fost alimentat direct la V
alim
(rezistena de sarcin este de valoare mic).

E B
2
B
1
I
0
1 k
+12 V
2 k
10 k
33 k
22 nF

Fig. 6.28.


P 6.2.4. Circuitul din Fig. 6.31 este cunoscut
sub numele de multivibrator sau circuit astabil.
Principiul lui de funcionare nu este diferit de cel al
oscilatorului de relaxare: difer numai calea pe care se
descarc condensatorul.
a) Considernd c raportul de divizare intrinsec
este 0.5 i neglijnd cderea de tensiune pe diod,
calculai ce condiie trebuie s ndeplineasc raportul
R R
2 1
pentru ca tranzistorul unijonciune s ajung la
amorsare.
b) Neglijnd valoarea tensiunii de vale, calculai
timpul din perioad ct tranzistorul rmne blocat
(Indicaie: considerai dioda un scurtcircuit i echivalai
Thevenin divizorul rezistiv)
c) n sfrsit, identificai calea prin care se descarc
condensatorul i calculai timpul ct dureaz aceast
descrcare. Putei face egale duratele de ncrcare i descrcare
?
+ V
alim
K
sarcina
1k
100 O
1 F
330 k
12 V
6 O

Fig. 6.30. Circuit de temporizare
E
B
2
B
1
C
+ V
alim
R
1
R
2
R
3

Fig. 6.31. Circuit astabil cu TUJ.



Experimentul 1. Punerea n eviden a fenomenului de comutare; evidenierea
regiunii cu rezisten dinamic negativ.

E B
2
B
1
+
-
V
BB
I
E
+
-
V
E
V
+
-
mA
0..15 V
V
1
I
E
10 V
R
1 k

Fig. 6.32.

Vei lucra pe un circuit cu schema din Fig. 6.32. Desenai-v pe caiet aceast schem, completnd-o cu
informaii despre aparatura utilizat (voltmetru, ampermetru, surse de tensiune). Stabilii polaritatea necesar
pentru aparatele de msur i trecei-o pe schem. Realizai apoi circuitul. innd seama de gama de variaie
a tensiunii V
1
i de valoarea rezistenei R alegei pentru miliampermetru i voltmetru scalele adecvate. Trecei
i aceast informaie pe schema circuitului.
Alimentai circuitul. ncepei experimentul cu V
1
0 = i cretei ncet aceast valoare, urmrind
simultan curentul i tensiunea de emitor. Ce observai pentru valori mici ale lui V
E
? Ce putei spune despre
tranzistor, este n conducie sau blocat ?
La o anumit valoare a lui V
E
are loc un fenomen brusc. Dac v-a surprins i nu l-ai observat cu
atenie, cobori la zero valoarea lui V
1
i reluai. Ce se ntmpl cu valoarea intensitii din emitor ? Dar cu
tensiunea V
E
? Cum putei denumi noua stare a tranzistorului ? Ce semn are raportul A A V I
E E
i ce
concluzie putei trage de aici ? Notai-v pe caiet toate aceste observaii.
Cretei n continuare V
1
, pn la valoarea de aproximativ 15 V. Ce se ntmpl cu valorile lui V
E
i
I
E
? Notai ce ai descoperit.
Cobori acum ncet valoarea tensiunii sursei V
1
. La o anumit valoare, are loc un nou salt. Dac l-ai
pierdut, cretei din nou V
1
la 15 V i apoi reluai coborrea. Ce se ntmpl n timpul saltului cu valoarea
intensitii din emitor ? Dar cu tensiunea sa ? Cum putei denumi noua stare a tranzistorului ? Ce semn are
raportul A A V I
E E
i ce concluzie putei trage de aici ? Notai i aceste lucruri.
Formulai acum concluzii asupra acestor salturi i asupra caracterului rezistenei dinamice de intrare n
emitor.


Experimentul 2. Trasarea caracteristicii de intrare a TUJ

Utilizai acum o valoare de 10 kO pentru rezistena R i nlocuii voltmetrul analogic fr amplificator
cu unul electronic cu afiaj digital, care are o rezisten proprie mult mai mare. Reluai experimentul
precedent, notnd de fiecare dat perechea de valori (V I
E E
; ). Dup apariia curentului, ncercai s mergei n
pai echidistani ai acestei mrimi. La scderea tensiunii V
1
va trebui s luai date numai pe poriunea care nu
a fost parcurs la creterea lui V
1
.
Mrimea rezistenei a limitat valoarea curentului de emitor. Putem investiga regiunea de cureni mai
mari dac relum trasarea cu o valoare R = 560 O. Evident, vom nota numai datele cu valori ale lui I
E
care
depesc domeniul investigat anterior.
Avei acum suficiente date pentru desenarea caracteristicii statice I f V
E E
= ( ), n coordonate liniare,
ncepnd de la valoarea nul. Identificai pe grafic punctele de pic i de vale i determinai V V
P V
, i I
V
.
Pentru I
P
, facei o estimare.
Ai lucrat la o valoare a tensiunii V
BB
egal cu 10 V. Aceasta afecteaz ns valorile tensiunilor de vrf
i de vale. Modificai la 5 V aceast tensiune i determinai, din nou, tensiunile de vrf i vale V
P
i V
V
.

Experimentul 3. Oscilatorul de relaxare cu TUJ i surs de curent

Desenai-v pe caiet oscilatorul de relaxare din
Fig. 6.33. Realizai, apoi, circuitul utiliznd
elementele de pe planet. Alimentai circuitul i
conectai sonda osciloscopului n nodul emitorului.
Cretei ncet valoarea curentului sursei de curent,
rotind poteniometrul de control n sensul indicat. La
un moment dat, circuitul ncepe s oscileze. Pentru
msurarea curentului sursei de curent ajunge s
conectai n nodul emitorului firul de la
miliampermetru; determinai aceast valoare I
min
.
Desfacei firul de la miliampermetru i cretei
n continuare curentul sursei de curent pn cnd
oscilaia nceteaz. Determinai aceast valoare I
max
. Reamintii-v condiia de oscilaie a acestui tip de
oscilator i interpretai valorile I
min
i I
max
determinate.
Restabilii regimul de oscilaie i observai cu atenie forma de und a tensiunii. Desenai-o pe caiet,
notnd pe desen amplitunea i duratele. ntre ce limite evolueaz aceast tensiune i ce semnificaie au aceste
valori pentru tranzistorul unijonciune ?
Determinai, din forma de und desenat, viteza medie de descrcare a condensatorului A A V t
E
i, de
aici, intensitatea medie a pulsului de curent de descrcare. Comparai-o cu valoarea curentului I
0
cu care se
ncarc condensatorul. Pulsul de curent de descrcare circul spre mas prin baza 1 a tranzistorului. n calea
lui a fost intercalat rezistena R
1
de valoare suficient de mic pentru a nu ntrzia semnificativ descrcarea.
Astfel, pulsul de curent produce acum un puls de tensiune n baza 1, care poate fi vizualizat cu osciloscopul
(nu uitai c osciloscopul este un voltmetru). Observai acest puls i determinai mrimea sa sa. Comparai-o
cu cea medie, estimat anterior.
Pentru cteva valori ntre I
min
i I
max
, msurai valorile curentului I
0
i perioada de oscilaie.
Desenai dependena experimental f
osc
n funcie de I
0
..

E B
2
B
1
+
-
V
BB
V
E
I
0
C
mA
controlul
sursei de
curent
1 O
10 V
100 nF

Fig. 6.33.


Experimentul 4. Oscilatorul de relaxare cu TUJ i rezistor

Cu acelai tranzistor de la experimentul precedent vei
realiza acum un oscilator de relaxare la care condensatorul se
ncarc printr-un rezistor. Desenai-v pe caiet schema
oscilatorului. Cunoatei de la experimentul precedent
coordonatele punctelor de pic i de vale. Calculai ntre ce
valori trebuie s se gseasc rezistena R pentru ca circuitul s
oscileze. Apoi decidei care din cele trei rezistene de pe
planet respect aceast condiie. Verificai prin experiment
concluzia la care ai ajuns.
Atenie, n cazul rezistenei de 500 kO nu putei conecta
osciloscopul n punctul E, pentru c rezistena intern a
osciloscopului este de 1 MO, doar de dou ori mai mare dect rezistena R. Cum putei, totui, verifica cu
osciloscopul dac circuitul oscileaz ?

E B
2
B
1
+
-
V
BB
V
E
C
10 O
10 V
100 nF
10k 1k 500k

Fig. 6.34.


6.3. Diacul, tiristorul i triacul

3.A. Diacul

Diacul este un
dispozitiv cu dou borne (un
dipol) realizat pentru a
produce pulsuri de curent
necesare la amorsarea unor
dispozitive de comutaie,
cum sunt tiristoarele i
triacele. Momentul la care
apar aceste pulsuri este determinat de atingerea tensiunii de amorsare. O capsul tipic, simbolul su, precum
i forma caracteristicii statice sunt prezentate n Fig. 6.35. Se observ neliniaritatea i simetria
caracteristicii; astfel, cele dou borne ale diacului, numite anozi, sunt perfect echivalente, fapt reflectat i n
simbolul utilizat pentru dispozitiv. n plus, caracterstica static a diacului mai prezint o particularitate: exist
regiuni n care panta sa este negativ; aici rezistena dinamic definit ntr-un punct al caracteristicii prin
r dU dI = , este negativ. Vom vedea c aceast rezisten dinamic negativ este elementul cheie n
funcionarea i utilizarea sa.
n primul cadran, caracteristica static a diacului (Fig. 6.36) este de tipul celei studiate cnd am nceput
abordarea dispozitivelor cu rezisten dinamic negativ (Fig. 6.2). La creterea de la 0 a tensiunii sursei de
alimentare, dispozitivul este, deci, blocat, pn cnd tensiunea pe el ajunge aproximativ la valoarea "de
ntoarcere" a caracteristicii, cnd are loc comutaia n starea de conducie (amorsarea diacului). Pentru diac,
aceast valoare "de ntoarcere" a caracteristicii poart
numele de tensiune de amorsare sau de aprindere
(breakover voltage n limba englez), U
BO
; este, de fapt,
corespondenta tensiunii de pic de la caracteristica de intrare
a tranzistoarelor unijonciune. Cele mai utilizate valori
pentru tensiunea de amorsare sunt ntre 30 i 40 V, fiind
alese astfel datorit aplicaiei sale tipice, n circuite
alimentate la 220 V
ef
.
Dup
amorsare,
tensiunea pe diac
rmne practic
constant i valoarea ei este numit tensiune rezidual, U
REZ
; ea
este cu AU U U
BO REZ
= mai mic dect cea de amorsare;
aceast diferen, cu valoarea tipic de 5 V, este numit tensiune
dinamic de amorsare (dynamic breakover voltage). Pentru ca
diacul s rmn n conducie este necesar ca valoarea curentului s
nu coboare sub curentul de meninere I
H
; acesta este echivalentul
curentului de vale de la TUJ.
Aplicaia tipic a diacului este generarea unor pulsuri de
curent pentru comanda tiristoarelor i triacelor, ntr-o schem similar unui oscilator de relaxare. De exemplu,
n Fig. 6.37 pulsul de curent, fiind injectat n poarta tiristorului, comand deschiderea acestuia i astfel se
controleaz comutarea unor cureni de zeci i sute de amperi.
I
+
_
U
U
I
0
0

Fig. 6.35. Diacul i caracteristica sa static.
U
I
0
amorsare
blocare
U
BO
U
REZ
I
H

Fig. 6.36. Salturile de amorsare i
blocare evideniate n cadranul I al
caracteristicii diacului.
+E
I
C
R
tiristor
anod
catod
poarta

Fig. 6.37. Utilizarea diacului pentru
comanda tiristorului.

3.B. Tiristorul

Numit i diod controlat (n limba englez se
folosete frecvent prescurtarea SCR - Silicon Controlled
Rectifier), tiristorul este un dispozitiv cu trei borne
(Fig. 6.38). El poate s permit trecerea unor cureni
foarte mari (de la amperi la sute de amperi, dup tipul
constructiv) ntr-un singur sens: de la anod la catod.
Intrarea n conducie este comandat prin injectarea n
poart (gate n lb. englez) a unui curent mult mai mic
dect cel comandat.
Avnd un terminal n plus, poarta, ne ateptm ca
forma caracteristicii statice ntre anod i catod s
depind de curentul de poart. La o valoarea nul a
curentului de poart caracteristica anod-catod este una cu
rezisten dinamic negativ (Fig. 6.39). Deosebirile de cele
ntlnite la TUJ i diac sunt numai cantitative: tensiunea de
amorsare este foarte mare (peste 400 de voli la tiristorul cu
care lucrai) iar tensiunea rezidual este foarte mic
(aproximativ 1 V).
Tensiunea de amorsare are intenionat valori mari
pentru a nu putea fi depit accidental de tensiunile din
circuitele cu care se lucreaz. Astfel, fr curent de
poart, tiristorul nu poate fi amorsat i el este echivalent
ntre anod i catod cu un circuit ntrerupt.
Amorsarea tiristorului trebuie s fie fcut numai la comanda n poart. Din figur se observ cum
creterea curentului de poart micoreaz valoarea tensiunii de amorsare. La o valoare a curentului de
poart suficient de mare, caracteristica anod catod este identic practic cu aceea a unei diode, fr s se mai
vad poriunea de "ntoarcere". n aplicaiile practice curentul de poart nu se modific gradual. El este
meninut nul dac nu vrem s amorsm tiristorul (ca n Fig. 6.40 a), iar n momentul n care am decis s-l
trecem n conducie, curentul de poart este adus brusc la o valoare care s determine amorsarea sigur(
desenul b al figurii). Din circuit deschis, tiristorul devine brusc diod i curentul ncepe s circule.
ntreuperea ulterioar a curentului de poart, dei produce revenirea tensiunii de amorsare la o valoare
foarte mare (Fig. 6.40 c), nu poate bloca tiristorul deoarece nu afecteaz caracteristica n zona n care se
gsete acum punctul de funcionare. Singura posibilitate de blocare este coborrea curentului anod-catod la
valori sub curentul minim de meninere.
n concluzie,
tiristorul poate fi amorsat prin creterea curentului de poart dar nu se mai bloccheaz la revenirea la zero a
curentului de poart.

Blocarea tiristorului nu mai poate fi realizat dect prin aducerea la zero a curentului anod-catod,
tocmai curentul comandat, care este de valoare mare.

I
G
anod
catod
poarta
I
AK
A
K
G

Fig. 6.38. Tiristorul.
0
0
U
AK
I
AK
I
G
=0
I
G
=9 mA
I
G
=9.5 mA

Fig. 6.39. Caracteristica static anod-catod a
tiristorului.


Din acest motiv, funcionarea sa nu este echivalent cu aceea a unui releu electromagnetic (ntreruptor
mecanic controlat de bobina unui electromagnet) i el nu este utilizat, dect foarte rar, n circuitele de curent
continuu.

0
0
U
AK
I
AK
0
0
U
AK
I
AK
0
0
U
AK
I
AK
tiristorul este blocat
tensiunea este insuficient`
pentru amorsare
apari\ia unui curent [n poart`
coboar` tensiunea de amorsare
punctul de func\ionare este obligat
s` sar` [n M (amorsare)
M
dispari\ia curentului de poart`
readuce forma ini\ial` a
caracteristicii dar punctul de
(tiristorul r`m[ne amorsat)
a)
b)
c)
func\ionare r`m[ne in M
dreapta de sarcina dreapta de sarcina
dreapta de sarcina

Fig. 6.40. Amorsarea tiristorului prin creterea curentului de poarta.

n cazul regimului sinusoidal, ns, curenii trec automat prin valoarea nul de dou ori ntr-o
perioad.. Tiristorului i se spune (printr-un puls de curent n poart) cnd s se amorseze iar el se blocheaz
singur la coborrea curentului anod-catod la valoarea zero.

3.C. Triacul

Triacul (Fig. 6.41), este un dispozitiv cu trei
terminale, care are o funcionare similar cu aceea a
tiristorului. Deosebirea este c
triacul conduce n ambele sensuri.
Din acest motiv se mai numete i tiristor bilateral (de unde
i codificarea TB a productorului romn IPRS). Astfel,
bornele ntre care circul curentul comandat, de valori mari,
se numesc amndou anozi (n literatura de limb englez se
numesc simplu main terminals, terminale principale).
C i la tiristor, intrarea n conducie este comandat
prin curentul de poart. De data aceasta, trebuie s lum n consideraie relaia ntre sensul curentului de
poart i al celui comandat. Pentru aceasta, se definesc, ca n Fig. 6.42, patru cadrane de funcionare. Notaia
lor complet, care evit orice confuzie, conine semnul tensiunii la terminalul principal 2 i semnul curentului
de poart (considerat pozitiv cnd intr n triac). Astfel, n ordine cresctoare, cele patru cadrane sunt T2+G+,
T2+G-, T2-G- i T2-G+. Triacul poate fi amorsat n oricare din acestea, dar sensibilitatea (valorea necesar a
curentului de poart) este diferit.
anod
poarta
G
A
2
A
1
anod

Fig. 6.41. Triacul.


Fig. 6.42. Definirea cadranelor pentru comanda triacului.
Situaia optim (cureni de comand mai mici) se obine atunci cnd curentul de poart i curentul
comanadat au ntodeuana acelai sens (cadranele I i III); funcionarea n cadranul IV este bine s fie
evitat.
Aceasta nseamn c, dac pulsurile de comand sunt produse cu o singur polaritate, curentul trebuie s fie
absorbit din poart.

3.D. Variatoare de putere

Exist multe situaii practice cnd trebuie s modificm puterea pe o sarcin alimentat la tensiune
alternativ (nclzirea cuptoarelor, variaia puterii unui motor electric, controlul luminii emise de un bec cu
incandescen, etc.). Soluia utilizrii unui transformator reglabil (variac) este neeconomic datorit preului
mare al acestui dispozitiv. Intercalarea n serie cu sarcina a unei rezistene reglabile de putere (reostat) aduce,
n plus, i dezavantajul disiprii unei cantiti importante de energie. Existena tiristoarelor i triacelor face
posibil realizarea unor variatoare de putere care funcioneaz n curent alternativ i care elimin
dezavantajele aminitite mai sus. Disipaia de putere pe elementul de control este mult redus: n stare blocat
curentul este practic nul iar n stare de conducie tensiunea rezidual are valori mici (1 - 2 V).
Exist dou moduri complet diferite n care pot funciona variatoarele de putere.
n cazul variatoarelor cu und plin (static switches) triacul conduce un numr ntreg de semiperioade
i apoi este meninut blocat un alt numr de semiperioade; prin modificarea raportului celor dou numere,este
controlat puterea medie pe sarcin
Principiul acestui mod de control este reprezentat n Fig. 6.43 a). Dezavantajul su este viteza mic de
modificare a puterii medii pe sarcin. n figura anterioar, amorsarea triacului este fcut sincron cu reeaua,
la nceputul fiecrei semialternane, dar n circuitele economice, de puteri mici, poate fi fcut i asincron.
Al doilea mod de funcionare se bazeaz pe amorsarea triacului pe fiecare semialternan, dar cu
ntrziere diferit, ca n Fig. 6.43 b).


tensiune
de intrare
curentul
de poarta
curentul
prin sarcina
0
I
AK
t
I
AK
0
0 180 360 (grade)
unghi de conductie
unghi de intirziere
a) b)

Fig. 6.43. Controlul puterii cu und plin (a) i cu und tiat (b).
n funcionare cu und tiat (sau cu control n faz), prin rezistena de sarcin trece numai o "porie"
din semilaternana curentului. Lungimea poriei este controlat prin momentul amorsrii.
Momentul amorsrii este caracterizat, aa cum se vede
n figur, de unghiul de ntrziere. Atfel, unghiul de
conducie poate fi modificat de la zero (putere nul pe
sarcin) pn la aproape 180
o
(aproximativ puterea
maxim disponibil). Viteza cu care se poate controla
puterea medie este mai mare dar curentul prin sarcin
sufer acum salturi rapide care produc perturbaii
electromagnetice.
Ambele moduri de funcionare pot fi aplicate
consumatorilor care accept salturi brute ale tensiunii
aplicate (becuri, rezistene de nclzire) dar nu i celor
pentru care variaia sinusoidal este obligatorie (de
exemplu, primarul transformatorului de alimentare al
unui aparat de radio).
Principala problem care trebuie rezolvat este
producerea pulsurilor de amorsare la o ntrziere
controlat fa de trecerea prin zero a tensiunii reelei.
De fapt, nu trebuie s modificm ungiul de conducie
chiar pe ntreg domeniul 0 - 180
o
, deoarece, aa cum se
vede n Fig. 6.44, la un unghi de conducie 30
o
puterea
pe sarcin este abia 3 % din cea maxim, pe cnd la
unghiul de 150
o
ea a ajuns deja la 97 %.

Fig. 6.44. Dependena de unghiul de conducie a
tensiunii de pic (PEAK VOLTAGE), tensiunii
efective (RMS) i tensiunii medii (AVG), toate
normalizate la valoarea de 220 V. Este
reprezentat, de asemenea, puterea (POWER)
normalizat la valoarea sa maxim).


Cea mai simpl i comun cale de
producere a pulsurilor de amorsare este
prin utilizarea unui oscilator de relaxare
cu becuri cu neon, tranzistoare
unijonciune sau diace. ncrcarea
condensatorului se face de la o tensiune
sincron cu reeaua iar ntrzierea cu
care se atinge pragul de amorsare
depinde de capacitatea condensatorului i
rezistena prin care se ncarc.
Un circuit tipic este cel din
Fig. 6.45. Valoarea aleas pentru
condensatorul C
2
trebuie s fie suficient
de mare pentru ca pulsul de curent s
amorseze cu siguran triacul. n general,
o capacitate de 47 nF - 100 nF este
suficient pentru aceasta.
Efectul rezistenei R R
1 2
+ asupra momentului amorsrii are loc prin dou prin dou mecanisme. n
primul rnd, gruparea rezisten - condensator poate fi privit ca un divizor pentru semnale sinusoidale.
Creterea valorii rezistenei produce micorarea amplitudinii i valoarea de amorsare este atins mai trziu; n
consecin, unghiul de conducie scade, aa cum se vede n Fig. 6.46 a). De exemplu, la o valoare a rezistenei
de 350 kO, amplitudinea n punctul M este de 28 V i valoarea de amorsare de 32 V nu mai este atins,
unghiul de conducie devenind zero. Dac acesta ar fi singurul mecanism de aciune, nu s-ar putea obine
unghiuri de ntrziere mai mari de 90
o
i unghiul de conducie nu ar putea ajunge n intervalul
0 - 90
o
. n al doilea rnd, gruparea RC produce o defazare napoi a tensiunii sinusoidale, ca n Fig. 6.46 b).
De exemplu, la R R
1 2
+ = 32 kO, defazajul este de 45
o
; la ntrzierea produs de primul mecanism se
adaug, deci, i acest unghi.
Analiza anterioar a luat n considerare o form de und sinusoidal, dar amorsarea diacului face ca
potenialul nodului M s nu evoleze sinusoidal; n plus, la amorsarea triacului, tensiunea ntre anozii si scade
practic la zero i nici tensiunea la captul rezistenei R
1
nu este sinusoidal. n consecina, lucrurile sunt mai
complicate, aprnd un fenomen de histerezis al reglajului puterii la mofificare valorii rezistenei: cu triacul
blocat, la scderea rezistenei, se obin dintr-o dat unghiuri de conducie mari, urmnd ca numai la creterea
ulterioar a rezistenei s ajungem la unghiuri de conducie mici. Diminuarea histerezisului se poate face
modificnd reeaua de defazare, ca n Fig. 6.47.
n sfrit, s ne ocupm de celelalte elemente care apar n schemele variatoarelor. Inductana L
1
i
condensatorul C
1
formeaz un filtru de deparazitare care mpiedic perturbaiile produse de variaia brusc a
curentului s ajung n reeaua de alimentare i s afecteze funcionarea altor consumatori (fr acest filtru, un
aparat de radio pe unde medii nu ar putea fi utilizat n apropierea variatorului).
Dac tensiunea la bornele A
1
i A
2
ale triacului variaz prea repede, triacul se poate amorsa fr s fie
comandat n poart (autoamorsare prin efect dU dt ). Micorarea acestei viteze de variaie se face cu
gruparea serie R
3
- C
3
, numit snubber n limba englez.

G
A
2
A
1
3.3 k
500 k
100 nF
220 V
50 Hz
~
bec cu
incandescen\`
M
C
1
100 nF
C
2
C
3
100 nF
R
3
100 O
R
2
R1
L
0.2 mH

Fig. 6.45. Variator de putere.


0
0 180 360
(grade)
unghi de conductie
momentul amorsarii
tensiunea de
amorsare a
diacului
potentialul in M

0
0 180 360
(grade)
a)

0
0 180 360 (grade)

0
0 180 360 (grade)
tensiunea
retelei
b)
momentul amorsarii
momentul amorsarii momentul amorsarii
unghi de conductie
unghi de conductie unghi de conductie
potentialul in M
potentialul in M potentialul in M
tensiunea de
amorsare a
diacului
tensiunea de
amorsare a
diacului
tensiunea de
amorsare a
diacului

Fig. 6.46. Efectul rezistenei asupra momentului amorsrii: prin modificarea amplitudinii (a) i prin
defazare (b).

G
A 2
A 1
3.3 k
500 k
100 nF
220 V
50 Hz
~
M
C 1
100 nF
C 2
C 3
100 nF
R 3
100 O
R 2
R 1
L
0.2 mH
G
A 2
A 1
3.3 k
500 k
100 nF
220 V
50 Hz
~
bec cu incandescenta
M
100 nF
C
2
100 nF
100 O
L
0.2 mH
C 4
R 4 15 k
15 k
D
1
D 2
a) b)
C 1
R 1
R 2
R 4
C 3
R 3

Fig. 6.47. Variatoare de putere fr histerezis.

Circuitele de comand discutate au avantajul c funcioneaz alimentate direct de la reea i nu
complic aparatul cu alimentatoare suplimentare (transformatoare, redresoare, filtre...). n cazul n care se
urmrete realizarea unui sistem mai performant (ca, de exemplu, termostatarea unei incinte) sau sursele de

alimentare cu tensiune continu sunt oricum utilizate, controlul amorsrii tiristoarelor sau triacelor poate fi
efectuat cu circuite integrate specializate. Acestea permit controlul electronic al unghiului de deschidere prin
intermediul unei tensiuni electrice. Astfel, circuitul |A145, produs de IPRS, controleaz unghiul de conducie
ntre 0 i 178
o
cnd tensiunea sa de comand evolueaz ntre 0 i 8 V, dependena fiind liniar.

3.E. Redresoare controlate

Prima aplicaie a tiristoarelor a fost legat de redresare, din acest motiv ele fiind cunoscute n literatura
de limb englez ca "silicon controlled rectifiers" (rectifier nseamn redresor). Prin nlocuirea cu tiristoare a
dou diode dintr-o punte se obine un redresor dubl alternan comandat (Fig. 6.8 a). n absena pulsurilor de
comand, tiristoarele sunt blocate i curentul pe sarcin este identic nul. La cealalt extrem, dac tiristoarele
ar fi tot timpul amorsate, funcionarea lor ar fi identic cu aceea a unor diode i pe sarcin am gsi
binecunoscuta tensiune de la redresarea dubl alternan (desenul b al figurii).

0
t
U
s
~
U
1
U
s
+
_
R
s
D
1 Tr
1
D
2
Tr
2
G
1
G
2
0
t
U
s
a)
b)
c)

Fig. 6.48. Redresorul controlat.

n funcionare, ns, tiristoarele sunt amorsate cu un anumit unghi de ntrziere fa de nceputul
semialternanelor (ca n Fig. 6.48 c) i, astfel, tensiunea medie pe sarcin poate fi controlat gradual ntre zero
i valoarea maxim (care s-ar obine cu puntea obinuit). n figur nu a fost reprezentat circuitul de comand
pentru porile celor dou tiristoare. Acesta trebuie s genereze pulsuri de curent cu ntrzierere controlat, la
fel ca la variatoarele de putere discutate anterior.
Dezavantajul tiristoarelor de a conduce ntr-
un singur sens poate fi depit prin utilizarea unei
puni de diode, ca n Fig. 6.49. Evoluia curentului
prin sarcin este similar cu aceea furnizat de un
variator de putere cu triac dar tiristoarele se
fabric pentru cureni mai mari dect triacele (care
ajung numai pe la 10 A). Dei circuitul este
asemntor cu cel de la redresorul dubl
alternan, trebuie remarcat c aici tiristorul este
cuplat n locul unde era sarcina, pentru c el nu
poate conduce dect ntr-un singur sens. n schimb,
sarcina este acum legat naintea punii, ea find
alimentat n curent alternativ.

~
D 1
D 2
220 V
sarcina
circuit de
comanda
50 Hz
D 3
D 4

Fig. 6.49. Variator de putere dubl alternan cu tiristor
i punte.



-Diacul este un dipol care are o caracteristic simetric cu regiuni cu rezisten dinamic negativ;
tensiunea sa de amorsare este n domeniul 30-40 V.
- Diacul are simbolul i este utilizat n circuite alimentate direct de la reea pentru producerea
pulsurilor de curent necesare amorsrii tiristoarelor i triacelor.
- Tiristorul (sau dioda comandat, SCR n englez) este un dispozitiv cu trei borne destinat
controlrii unui curent mare, care trece ntr-un singur sens, de la anod la catod; controlul se efectueaz
prin intermediul curentului de poart.
-Pentru tiristor se utilizeaz simbolul
A
K G

- Caracteristica static anod-catod a tiristorului are tensiunea de amorare suficient de mare pentru
a nu putea fi atins n aplicaii; saltul de amorsare are loc numai la apariia unui curent de poart, care
coboar tensiunea de amorsare la valori foarte mici (1 - 2 V).
- Dup amorsare, dispariia curentului de poart nu mai poate produce blocarea tiristorului;
aceasta se poate face numai prin ntreruperea curentului anod-catod; din acest motiv tiristorul este
utilizat rar n aplicaii la curent continuu.
- Aplicaia tipic a tiristorului este n circuitele de curent alternativ; aici momentul amorsrii este
controlat prin impulsul de curent n poart iar blocarea se face automat la trecerea prin zero a
curentului.
- Triacul este un tiristor bilateral, la care curentul controlat poate s circule n ambele sensuri;
simbolul rezervat pentru el este
G
A
1
A2
.
- Comanda triacului se face printr-un terminal unic, numit poart. Pentru a obine sebsibiliti mai
bune, sensul curentului de poart trebuie s coincid cu sensul curentului comandat.
- La variatoarele de putere cu und plin, sarcina primete semialternane ntregi ale tensiunii
alternative de alimentare: una din dou, una din trei, .a.m.d.; acest tip de control al puterii medii pe
sarcin este lent.
- Principiul variatoarelor de putere cu und tiat const n alimentarea sarcinii cu poriuni de
semialternan, mai lungi sau mai scurte; fiecare din ele ncepe la un moment dictat de pulsul de
comand i se sfrete la trecerea prin zero a curentului.
- Conntrolul puterii cu und tiat este mai rapid dar variaiile brute ale curentului produc
perturbaii electromagnetice.
- Circuitele care comand variatoarele de putere cu und tiat furnizeaz pulsuri de curent,
sicronizate cu reeaua de alimentare dar ntrziate fa de trecerea prin zero a acesteia; prin modificarea
unghiului de ntrziere se controleaz unghiul de conducie i, astfel, puterea medie pe sarcin.
-Pentru producerea acestor pulsuri se utilizeaz dispozitive cu rezisten dinamic negativ: diace,
becuri cu neon sau tranzistoare unijonciune.
- Dac circuitul poate fi mai complicat i nu trebuie alimentat direct de la reea, pentru producerea
pulsurilor de comand se pot utiliza circuite integrate specializate.


Termeni noi

-diac dipol care are o caracteristic simetric cu regiuni cu rezisten
dinamic negativ; tensiunea sa de amorsare este n domeniul 30-
40 V i este utilizat pentru controlul amorsrii tiristoarelor i
triacelor;
-tiristor dispozitiv cu trei borne, destinat controlrii n regim de comutaie
a unui curent mare, care trece ntr-un singur sens, de la anod la
catod; controlul se
efectueaz prin intermediul curentului de
poart;
-triac dispozitiv cu trei borne, similar cu tiristorul, dar la care curentul
controlat trece n ambele sensuri;
-variator de putere circuit care controleaz puterea medie pe o sarcin;
-controlul puterii cu und plin control al puterii, realizat n curent alternativ prin trimiterea pe
sarcin numai a anumitor semialternane;
-controlul puterii cu und tiat control al puterii, realizat n curent alternativ prin trimiterea pe
sarcin a unor poriuni de semialternane, mai lungi sau mai

scurte; n practic se controleaz momentul de nceput al
conduciei;
-unghi de ntrziere ntrzierea fa de nceputul semialternanei, exprimat n grade, la
care ncepe s circule curent prin sarcin; o semialternana dureaz
180
o
;
-unghi de conducie durata, exprimat n grade, n care curentul circul prin sarcin;
-redresor comandat redresor la care cile de curent sunt controlate cu tiristoare, numite
i diode comandate; astfel, sarcina primete curent de la redresor,
pe fiecare semialternan, numai dup amorsarea tiristoarelor;


Probleme propuse

P 6.3.1. La bornele circuitului din Fig. 6.50 se aplic o tensiune
care evolueaz n timp conform desenului. Diacul are tensiunea de
amorsare de 38 V i curentul de meninere de 0.5 mA. Determinai i
reprezentai grafic evoluiile n timp a tensiunii la bornele diacului i a
curentului.
P 6.3.2. La circuitul din Fig. 6.49, care este un variator de putere
cu tiristor i punte de diode nu am desenat explicit circuitul de comand.
Acesta este legat ntre anodul i catodul tiristorului unde, cu tiristorul
blocat, tensiunea este cea obinut de la o punte dubl alternan . Din
acest motiv, putem utiliza pentru comand un oscilator de relaxare
sincronizat, cu tranzistor unijonciune (Fig. 6.51), ca cel studiat la
problema P 6.2.2. Formele de und desenate sunt valabile cnd tiristorul
este blocat.
a) Dup ct timp de la nceperea unei semialternane dioda Zener
ncepe s limiteze tensiunea ? Exprimai acest timp n grade
(o semialternan are 10 ms i 180
o
).
b) Presupunnd c tranzistorul unijonciune are un raport de divizare intrinsec de 0.5, calculai valoarea
rezistenei R astfel nct amorsarea tranzistorului s se produc cu o ntrziere de 30
o
de la nceputul
semialternanei (inei seama i de ntrzierea obinut la punctul precedent).
c) Calculai valoarea rezistenei R necesar pentru un unghi de ntrziere de 150
o
?
d) Ce procent din puterea maxim ajunge pe sarcin n cazurile celor dou puncte precedente ? (utilizai
graficul din Fig. 6.44)

100 nF
100 k
Dz
12 V
6.8 k
2 W
1 k
100 O
la puntea de
diode
R
0
311 V
0
12 V

Fig. 6.51.
E (V)
1 k
E
+
_
0 20 40 60 80 100
0
10
20
30
40
50
t (ms)
-10
-20
-30
-40
-50

Fig. 6.50.


Experimentul 1. Caracteristica static a diacului

Vom ncerca aici s explorm
caracteristica static a diacului i s vedem cu
ochii notri salturile i parcurgerea ei cu
histerezis, aa cum am discutat la Seciunea
6.1 despre dispozitive cu rezisten dinamic
negativ. Pentru aceasta, vom avea nevoie de
circuitul din Fig. 6.52. n stnga avei un bloc
care furnizeaz o tensiune continu, reglabil
cu un poteniometru ntre
- 50 V i +50 V. Acest bloc este deja realizat
pe planet, nu trebuie dect s-i furnizai
tensiunea alternativ necesar, din secundarul
transformatorului (traseele albastre) de pe
planeta cu variatorul de putere cu tiristor. De
asemenea, circuitul constnd n rezistena R
1

de
2 kO, diac i rezistena R
2
de 20 O este i el
gata construit i ateapt doar s-l completai cu un conductor la borna B i s-l legai la sursa de tensiune
reglabil.
Rezistena R
1
are rolul de a limita curentul, ea fiind rezistena de sarcin de la discuia caracteristicii
statice. Vom determina punctul static n care se gsete circuitul (tensiunea pe diac i curentul) cu ajutorul
unui osciloscop; el are avantajul c rspunde foarte rapid (mult mai rapid dect am putea noi s citim
indicatiile unui aparat de msur) i poate afia pe ecran chiar forma caracteristicii.
Osciloscopul este un voltmetru care are n general dou canale, notate cu Y
A
i Y
B
i afieaz pe ecran
dependena de timp a tensiunilor prezente la intrrile canalelor; pentru aceasta, spotul (punctul luminos) se
deplaseaz periodic pe axa X, cu vitez constant. Aparatul poate funciona ns i n modul XY; pentru
varianta cu care vei lucra poziia spotului pe axa X este controlat de tensiunea de intrare a canalului B,
canalul A rmnnd s controleze poziia pe axa Y a ecranului.
Cele dou intrri ale osciloscopului au, datorit principiului de construcie o born comun, masa. Ele
nu msoar deci dect tensiuni fa de mas. Din acest motiv, pentru vizualizarea caracteristicii statice
folosim un truc. Cum pe axa Y trebuie s avem informaia de curent, o convertim ntr-o tensiune fa de mas
prin intercalarea rezistenei R
2
. Vom lega intrarea canalului A (el controleaz deplasarea pe axa Y) n punctul
A de pe schem, avnd relaia de coresponden

U I
Y diac
= 20O.

Mai rmne s aplicm pe canalul B tensiunea de pe diac. Masa osciloscopului este legat la masa
montajului i dac legm intrarea canalului B al osciloscopului n punctul B al montajului, el va msura, de
fapt suma dintre tensiunea de pe diac i cea de pe rezistena R
2
. Nu este ceea ce dorim, dar putem alege
rezistena R
2
att de mic nct contribuia ei s fie neglijabil I R U
diac diac
<<
2
i astfel tensiunea vzut
de canalul B s fie practic tensiunea pe diac.

potentiometru
-50 V ... +50
V
~
sursa de
tensiune
reglabila
A
B
canalul A (Y)
al osciloscopului
canalul B (X)
al osciloscopului
masa
osciloscopului
R 1
R 2
2k O
20 O

Fig. 6.52. Circuitul pentru explorarea caracteristicii
statice a diacului.


Observaie: Micorarea rezistenei R
2
face ca tensiunea culeas de canalul A s devine mic dar
osciloscopul are posibilitatea modificrii independente a sensibilitii fiecrui canal ntr-un domeniu extrem
de larg (tipic ntre 5 mV/div i 20 V/div).
Dup ce ai legat unde trebuie sondele osciloscopului, trecei-l pe modul XY i, fr tensiune aplicat la
captului lui R
1
, reglai poziia spotului n mijlocul ecranului. Stabilii sensibilitatea la 10 V/div pe canalul B
(care msoar tensiunea pe diac) i 20 mV/div pentru canalul A. Aplicai tensiunea continu la captul de sus
al rezistenei R
1
i rotii poteniometrul aducnd tensiunea pe diac la zero (spotul n mijlocul ecranului).
Calculai ct nseamna n valori de intensitate, o diviziune pe axa vertical i pregtii-v s desenai
detaliat cadranul I al caracteristicii. ncepei rotirea lent a poteniometrului, deplasnd spotul spre dreapta.
inei seama c o diviziune (ptratul de pe scal) nseamn 10 V i observai ce se ntmpl. Dac saltul a fost
prea rapid i nu ai avut timp s reinei ultima valoarea a tensiunii dinainte de salt, reluai procesul, plecnd
din nou de la tensiune zero. Determinai, astfel, tensiunea de amorsare. Desenai pe graficul dumneavoastr,
cu linie continu, poriunea de caracteristic pe care diacul era blocat.
Msurai cu precizie coordonatele (tensiune i curent) ale punctelor de nceput i sfrsit ale saltului de
amorsare. Desenai acest salt pe grafic, cu linie punctat. Verificai c el se face pe linia dreptei de sarcin
(cunoatei valoarea acesteia !)
Dup amorsare, continuai s rotii poteniometrul n acelai sens, crescnd tensiunea E. Ce se ntmpl
cu tensiunea pe diac ? Notai-v aceas valoare, ea este tensiunea rezidual. Desenai i aceast poriune de
caracteristic, cu linie continu.
Dup ce ai ajuns cu poteniometrul la capt, rotii-l ncet n sens invers. Desenai restul din regiunea de
conducie, care apare acum. Observai, apoi, saltul de blocare i desenai-l i pe el.. Pentru a-l vedea mai bine,
mrii sensibilitatea pe axa Y. Determinai cu precizie coordonatele capetelor sale i verificai c i acest salt
se efecteaz pe linia dreptei de sarcin. Msurai valoarea curentului de meninere i notai-o pe caiet.
Efectuai acum de mai multe ori cele dou salturi rotind poteniometrul nainte i napoi. Tragei o
concluzie asupra modului n care evoleaz diacul pe diferitele poriuni din caracteristic i formulai-o n scris.
Dup ce ai neles ce se ntmpl n cadranul I al graficului curent-tensiune, rotii poteniometrul astfel
nct s producei amorsarea diacului n sensul cellalt al curentului (cadranul III al graficului). Este
funcionarea sa simetric ?
Trasarea automat a caracteisticii
Deplasarea manual a punctului de
funcionare a fost necesar pentru a putea
face diferena ntre evoluia pe
caracteristic i salturi. Dispozitivul
evolueaz cuasistatic i la viteze mult mai
mari, putei ncerca acest lucru rotind
rapid poteniometrul sau gsind o tensiune
care s fac acest lucru n locul
dumneavoastr, adic s evolueze
periodic ntre -50 V i 50 V. Aceast
tensiune o avei deja, este tensiunea
alternativ cu care ai alimentat sursa de
tensiune continu. Pentru aceasta, desfacei
legtura sursei continue de la captul de
sus al rezistenei R
1
i legai aici chiar
captul secundarului transformatorului, ca n desenul din Fig. 6.53. De data aceasta, tensiunea E va evolua
potentiometru
~
sursa de
tensiune
reglabila
A
B
canalul A (Y)
al
osciloscopului
canalul B (X)
al
osciloscopului
masa
osciloscopului
R 1
R 2
2k O
20 O

Fig. 6.53. Circuit pentru trasarea automat a caracteristicii
statice a diacului.

automat ntre -50 V i 50 V cu o frecven de 50 Hz. La aceste viteze, ineria ochiului ne ofer un efect
interesant: vizualizarea traiectoriei punctului de funcionare, adic imaginea caracteristicii. Deoarece salturile
sunt foarte rapide, ntre capetele lor apare o linie puin luminoas, care este de fapt numai traiectoria spotului,
el nefiind destul de rapid ca s urmreasc evoluia curentului i tensiunii pe diac. Desenai din nou
caracteristica static, de data aceasta n ambele cadrane. Completati desenul cu sensurile de parcurgere pe care
le-ai aflat la parcurgerea manual a caracteristicii.

Experimentul 2. Diacul n curent alternativ

Studiem n continuare circuitul de la experimentul precedent: un diac legat
n serie cu un rezistor i, alimentate la o tensiune alternativ sinusoidal (Fig.
6.54). Pentru a nelege ce se ntmpl, recitii problema rezolvat de la sfritul
seciunii 6.1 i problema P 6.3.1 de la aceast seciune.
Trecei osciloscopul n funcionare normal (deplasarea automat a
spotului pe axa X cu vitez constant) i vizualizai dependena de timp a
tensiunii i curentului. Ajustai viteza de baleiere (baza de timp) astfel nct s
avei pe ecran 1-2 perioade. Desenai sincron (unul sub altul, cu aceeai ax
orizontal) aceste grafice (este bine s v desenai, mai nti, cu linie punctat,
nite sinusoide). Explicai evoluia tensiunii i curentului n timp, artnd pe
grafice intervalele n care diacul este blocat sau amorsat.
Explicai de ce dac nmulim cu o constant adecvat dependena de timp
a curentului i o adunm cu aceea a tensiunii obinem o sinusoid. Putei utiliza aceast observaie pentru
deducerea imediat a formei de und a curentului, dup ce ai determinat-o pe aceea a tensiunii.

Experimentul 3. Amorsarea i blocarea tiristorului

Vei investiga acum comportarea unui tiristor de 1 A care rezist la o tensiune de cel puin 400 V. Mai
nti vei nva s-l amorsai i s-l blocai n curent continuu. Avei pe planet un circuit ca n Fig. 6.55.
Alimentai circuitul de la o surs de tensiune continu cu valoarea de 20 V. Observai i notai starea becului.
Cuplai apoi i sursa de alimentare din poarta tiristorului, dup ce ai reglat la zero tensiunea sa.
Avei un curent nul prin poart. Verificai nc o dat dac becul este aprins sau nu i ncepei s
cretei ncet curentul de poart prin mrirea tensiunii sursei V
A2
. Observai ce se ntmpl la o anumit
valoare a curentului de poart i notai aceast valoare. Dac nu ai avut timp s notai valoarea, ntrerupei
alimentarea planetei, alimentai-o din nou i reluai procesul. Formulai n scris aceast observaie.
Dup aprinderea becului, mai avem nevoie de curentul de poart ? Pentru a rspunde la aceast
ntrebare ntrerupei circuitul de poart (desfacei legtura ntre miliampermetru i punctul B). S-a blocat
tiristorul ? Formulai o concluzie n privina a ceea ce putem face prin curentul de poart.
Nici formularea concluziei nu ne-a ajutat s stingem becul. n absena curentului de poart, ncercai
o soluie de "for brut": ntrerupei chiar i pentru un timp foarte scurt curentul prin bec scoind firul de
alimentare a plcii. La revenirea alimentarii tiristorul mai este amorsat ? Formulai o concluzie asupra modului
n care putei bloca un tiristor deja amorsat.

I
+
_
U
R
~

Fig. 6.54.


I G
anod
catod
poarta
A
K
G
mA
+20 V
1 O
R G
B
+
-
-
+
0..10 V
1 k O
V A1
V A2
C

Fig. 6.55.Circuit pentru studiul amorsrii i blocrii tiristorului.
Este nevoie s anulm curentul prin bec sau doar curentul prin tiristor ? Noi i-am anulat pe amndoi
pentr c becul era n serie cu terminalul de anod al tiristorului. Putem ncerca un truc. Amorsm tiristorul,
anulm curentul de poart dar nu mai ntrerupem alimentarea. n schimb facem un scurtcircuit ntre anod i
catod. Becul continu s ard deoarece curentul care nainte trecea prin tiristor circul acum prin srma cu
care am realizat scurtcircuitul. Prin tiristor ns nu mai circul curent. Desfacei scurtcircuitul. i mai aduce
aminte tiristorul c era n conducie ? Formulai o concluzie.
Noi am meninut curentul nul prin tiristor un timp destul de lung. Putem ncerca i altceva. Amorsai
tiristorul i apoi anulai curentul de poart. Nu vom mai scurtcircuita cu un conductor bornele de anod i
catod. n schimb vom lega ntre ele un condensator decrcat complet (cu tensiune nul). l avei pe planet
n dreapta. Scurtcircuitai-i pentru un anumit interval bornele ca s v asigurai c este descrcat. Apoi legai-l
la anodul tiristorului amorsat (celalt born este legat constructiv la catod). Ce se ntmpl cu becul ?
Formulai o explicaie.
n ncheierea experimentului formulai o concluzie general asupra modului n care poate fi amorsat i
apoi blocat un tiristor.

Experimentul 4. Caracteristica static a tiristorului

Pentru trasarea automat a caracteristicii statice a tiristorului vom utiliza un circuit (Fig. 6.56) similar
cu cel de la diac. Singura deosebire este c acum avem un terminal n plus, poarta, prin care vom trimite un
curent constant. Dup ce v-ai copiat schema circuitului, alimentai cu tensiune alternativ de la
transformatorul plcii cu variator cu tiristor (traseele albastre). Trecei osciloscopul n modul XY, aducei
spotul n mijlocul ecranului i legai intrrile A i B ale osciloscopului la circuit.
ncepei cu un curent de poart egal cu zero. Cum arat forma caracteristicii ? De ce nu observai
punctul de ntoarcere (amorsarea) ? Amintii-v c avei un tiristor de 400 V. Cretei apoi ncet curentul de
poart. La un moment dat, punctul de ntoarcere "intr n ecran" venind din dreapta. Desenai caracteristica
pentru dou valori diferite ale curentului de poart. Formulai n scris o concluzie despre influena curentului
de poart asupra tensiunii de amorsare.

Cretei curentul de poart pn cnd caracteristica devine asemntoare cu aceea a unei diode.
Desenai-o i notai curentul de poart la care se ntmpl acest lucru. Msurai valoarea tensiunii reziduale.
I G
anod
catod
poarta
A
K
G
mA
1O
R G
B
canal X (prin Y )
B
canal Y
+
_
0..10 V
~
masa osciloscopului
A

Fig. 6.56. Circuit pentru trasarea automat a caracteristicii statice anod-catod a tiristorului.

Experimentul 5. Variatorul de putere cu tiristor

Exist o multitudine de variante de circuite care controleaz momentul apariiei pulsurilor de comand a
amorsrii. n schema realizat pe planet i prezentat n Fig. 6.57, modificarea valorii rezistenei R schimb
defazajul tensiunii ntre punctele M i N , amplitudinea sa rmnnd constant. Astfel, dioda D se deschide
mai devreme sau mai trziu, aplicnd pe poart curentul necesar amorsrii. Rezistena de 1 O a fost introdus
ca i la experimentele anterioare pentru a putea vizualiza evoluia curentului. Valoarea ei este suficient de mic
astfel nct cderea de tensiune la bornele sale s fie neglijabil fa de tensiunea anod catod.

220 V
ef
~
K
G
A
M
N
R
C
1 O

Fig. 6.57. Variator de putere cu tiristor.


Cuplai techerul la reeaua de alimentare a laboratorului (220 V, 50 Hz) i rotii axul poteniometrului,
observnd modificarea intensitaii luminoase a becului montat ca sarcin. Vizualizai pe cele dou canale ale
osciloscopului evoluia n timp a tensiunii anod catod i a curentului prin sarcin, pentru diverse poziii ale
poteniometrului. Dac nu reuii s descoperii cum trebuie legat osciloscopul, ntorcei-v la schema din Fig.
6.56: trebuie s utilizai acelai principiu. Conduce tiristorul pe amndou semialternanele ?
Alegei o poziie a poteniometrului pentru care unghiul de deschidere are o valoare intermediar i,
desenai cele dou forme de und, ale curentului i ale tensiunii, sincron, una sub cealalt (mai nti desenai
punctat cte o sinusoid pe fiecare grafic i liniile verticale corespunztoare salturilor). Notai intervalele n
care tiristorul este blocat sau conduce i calculai, aproximativ, unghiul de deshidere.
Explicai de ce blocarea tiristorului are loc nainte de trecerea prin zero a tensiunii de alimentare.
Determinai valoarea curentului de meninere i, de asemenea, a tensiunii reziduale.
Modificai valoarea unghiului de deschidere i desenai din nou graficele.

Experimentul 6. Variatorul de putere cu triac
220 V
ef
~
A
1
A
2
G
Triac
Bec
P
R
1
R
2
R
3
C
1
C
2
D
1 O

Fig. 6.58. Variator de putere cu triac.

Circuitul din Fig. 6.58, pe care l avei realizat pe planet, este un circuit tipic utilizat pentru controlul
puterii becurilor cu incandescen. Pentru a evita riscul unor electrocutrii, el a fost construit s funcioneze la
o tensiune mai mic dect 220 V. Rezistena de 1 O a fost introdus ca i la experimentele anterioare pentru a
putea vizualiza evoluia curentului. Valoarea ei este suficient de mic astfel nct cderea de tensiune la bornele
sale s fie neglijabil fa de tensiunea anod catod.
Utiliznd cele dou canale ale osciloscopului, vizualizai simultan evoluia n timp a curentului prin
sarcin i a tensiunii ntre anozii triacului. Formulai o concluzie asupra diferenei de comportare ntre tiristor
i triac. Determinai valorile curentului de meninere i a tensiunii reziduale.
Desenai sincron aceste forme de und. ncercai s justificai c dac le nmulim cu constante adecvate
i le adunm, obinem o sum care este o sinusoid.


Pagin distractiv

Dup ce ai citit cteva cri i manuale strine, ceea ce te uimete cnd revii la manualele scrise pe la noi
este preiozitatea limbajului, stilul "academic", parc mai accentuat pe msur ce vrsta cititorului cruia i se
adreseaz este mai mic. Autorii respectivi nu ar scrie nici n ruptul capului "rezistorul R
2
trage n sus
potenialul punctului M" sau "din circuitul integrat este absorbit un curent pe la borna 5". Complicarea inutil
a limbajului ncearc de multe ori s ascund netiina autorilor respectivi i conduce la afirmaii false, ca s
nu spunem aberante. Iat ce ne spun autorii unui manual de liceu
1
despre alimentatoarele electronice
"n practic, montajele electrice i electronice pot fi alimentate i de la surse (alimentatoare) electronice,
a cror rezisten intern variaz neliniar, deci nu putem aplica legea lui Ohm".
Care va s zic, pentru a putea aplica legea lui Ohm ar trebui ca rezistena intern s varieze liniar. Ne
ajunge att, nici nu ne mai ntrebm n raport cu ce variabil.
La cteva pagini distan, autorii i imagineaz cum ar sta lucrurile cu adaptarea de impedan,
necesar transferului maxim de putere:
"n circuitele cu cureni de mic intensitate (n radiotehnic, telecomunicaii), se spune c rezistena
receptorului este adaptat la rezistena generatorului. Aceast condiie rmne valabil i n regim variabil (ai
auzit, probabil, c "rezistena n regim variabil" a difuzoarelor sau a boxelor trebuie s fie egal cu cea a
amplificatorului, deoarece, n caz contrar, puterea acustic real este mai mic dect valoarea nominal
nscris n prospectul amplificatorului de ctre firma constructoare)."
n ciuda limbajului foarte serios (puterea acustic real, etc.), realitatea se ncpneaz s fie altfel. n
radiotehnic i telecomunicaii "rezistenele" chiar sunt adaptate (nu numai "se spune" cum afirm specialitii
notri) nu pentru c avem "cureni de mic intensitate" ci pentru c frecvenele sunt mari, circuitele sunt cu
parametri distribuii iar adaptarea se face cu impedana caracteristic a liniei de transmisie (a cablului). Ct
despre exemplul din audiofrecven cu egalitatea dintre impedana difuzorului i cea a amplificatorului, suntem
n plin suprarealism. Putei oricnd nlocui difuzorul de 8 O cu unul de 4 O, puterea obinut va fi mai mare i
n consecin vor crete distorsiunile i s-ar putea s distrugei amplificatorul prin supranclzire. Nici vorb
de egalitatea impedanelor, aceea a amplificatorului este mult mai mic.
tim c prin consumatoare curentul circul de la potenial ridicat la potenial cobort, pe cnd n
generatoare curentul trece de la potenial cobort la potenial ridicat; putem s inem minte uor acest lucru
prin analogie cu sistemele hidraulice. Iat ct de complicat apare aceasta n manualul citat mai sus:
"Tensiunea la borne (de la potenialul mai mare ctre potenialul mai mic) are acelai sens ca i
intensitatea curentului prin dipolii pasivi (prin rezistorul R, de exemplu) i sens opus prin dipolii generatori,
activi". Nu putem da vina numai pe autorii respectivi, aproape n toate textele de electrocinetic de pe la noi se
definete un sens pentru tensiunea electric n loc s se spun simplu c, de exemplu, potenialul punctului M
este mai ridicat dect al punctului N. Se deseneaz, astfel, tot felul de sgei, inclusiv pe sursele de tensiune, n
loc s se scrie binecunoscutele semne + i - . De ce aceast opiune ? Pentru a putea formula regulile
mnemotehnice ce constituie n aceste texte "legea a II-a a lui Kirchhoff E I R
k k k
=

".

1
***, "Fizic - Manual pentru clasa a X-a, F1", Editura Teora Educaional, Bucureti, 2000, pag. 97.
CAPITOLUL

Tranzistoare cu efect de cmp

0.0
5.0m
10.0m
15.0m
20.0m
25.0m
I
D
(A)
V
GS
(V)
I
DSS
-3 -2 -1 0 1
N JFET
NMOS
canal indus
canal initial
V
GS
0
V
P
g
m
0
N JFET

Prezentare general 217
7.1. Tranzistoare metal-oxid-semiconductor (MOSFET) 218
7.2. Tranzistoare cu poart jonciune (JFET) 239

control
D
S
G
D
S
G
+5 V
in
(out)
out
(in)
-5 V
off
on
-5 V
+5 V
inversor logic
NMOS PMOS

7.1. Tranzistoare metal-oxid-semiconductor (MOSFET)
1.A. Simboluri i mod de funcionare 218
1.B. Caracteristica de transfer 220
1.C. Caracteristica de ieire 222
1.D. Aplicaie: comutatorul analogic 224

0
out
in
R
1
VCONTR
s ( 0)
10 k
1 M
1 M
0 0
out
in
R
1 0
R
2

7.2. Tranzistoare cu poart jonciune (JFET)
2.A. Simboluri i mod de funcionare 239
2.B. Caracteristici statice 239
2.C. Surse de curent cu JFET 243
2.D. Repetorul pe surs 245
2.E. Atenuatorul controlat 246

Cap. 7. Tranzistoare cu efect de cmp 217

Prezentare general
Principiul de funcionare al triodei cu vid, primul dispozitiv electronic capabil s "amplifice", inventat n
1906 de ctre Lee De Forest, se bazeaz pe controlul unui flux de electroni, control realizat prin respingerea
parial a lor de ctre un cmp electric. Deoarece electronii sunt respini de electrodul de comand, numit gril
(grid n englez), iar suprafaa acestuia (de forma unei plase) este mic, intensitatea curentului de gril
necesar pentru comanda dispozitivului este practic nul.
Pentru a elimina dezavantajele tuburilor electronice, n anii 1930-1935 se fac ncercri de a construi un
dispozitiv la care un cmp electric aplicat din exterior s controleze curentul electric printr-un semiconductor;
tehnologia acestor materiale era abia la nceput i tentativa eueaz. n 1945, la Bell Laboratories, Shockley i
apoi Brattain ncearc, fr succes, realizarea unui astfel de dispozitiv. Trei ani mai trziu, acelai grup
descoper, din ntmplare, tranzistorul cu contacte punctiforme. Apoi Shockley imagineaz tranzistorul
sandwich, cu jonciuni, care se impune rapid ncepnd cu 1951. Tranzistorul cu contacte punctiforme rmne
doar n istorie; azi, prin tranzistoare bipolare nelegem, de fapt, tranzistoare bipolare cu jonciuni.
Controlul curentului de colector se realizeaz la acest tip de dispozitiv prin curentul ce strbate
jonciunea emitor-baz. Privit din afar ns, tranzistorul bipolar poate fi privit att ca un amplificator ce
amplific cu factorul | (aproximativ constant, de ordinul sutelor) curentul de baz, ct i ca un dispozitiv
transconductan n care curentul de colector este controlat de tensiunea-baz emitor. Dar, indiferent cum
privim noi lucrurile, sursa de semnal care comand tranzistorul bipolar trebuie s debiteze sau s absoarb
un curent care este de ordinul a 1 % din curentul comandat. }i aceasta, dac nu am ales cumva conexiunea cu
baz comun, n care sursa de semnal trebuie s debiteze ntregul curent comandat... Astfel, tranzistorul
bipolar era, ntr-un fel, o deziluzie. Din acest motiv, au continuat ncercrile de a construi un tranzistor la care
controlul s se efectueze printr-un cmp electric, fr s fie nevoie de existena unui curent de comand. Sunt
produse, mai nti tranzistoare cu efect de cmp cu poart jonciune iar n 1960, tot la Bell Laboratories,
pornind de la teoria lui Shockley, fizicianul John Atalla realizeaz primul tranzistor cu efect de cmp de tip
MOS (metal-oxid-semiconductor).
La tranzistoarele cu efect de cmp (FET - field effect transistors) conducia ntre dren i surs are loc
printr-o regiune limitat a semiconductorului, numit canal. Curentul ntre terminalul de dren i cel de surs
este controlat prin cmpul electric determinat de tensiunea aplicat pe poart (gate). Or, cel puin n principiu,
pentru a menine un cmp electric nu avem nevoie de un curent care s circule. Astfel,
avantajul esenal al tranzistoarelor cu efect de cmp este acela c intensitatea curentului n terminalul porii
este practic nul.
Din acest motiv,
la tranzistoarele cu efect de cmp, curentul ntre terminalul de dren i cel de surs este controlat de tensiunea
dintre poart i surs.

Exist dou tipuri constructive de tranzistoare cu efect de cmp.
n cazul tranzistoarelor cu poart jonciune (JFET), ntre poart i canalul conductor exist o jonciune
semiconductoare invers polarizat; astfel, curentul de poart are valori de ordinul zecilor de nanoamperi.
Cureni de poart de nc o mie de ori mai mici se obin n cazul celuilalt tip de tranzistoare cu efect de cmp.

La tranzistoarele MOSFET (Metal Oxide Semiconductor FET) poarta este izolat prin intermediul
unui strat de dioxid de siliciu i curentul de poart este de ordinul zecilor de picoamperi.
Clasificarea tranzistoarelor cu efect de cmp este complicat suplimentar de un alt aspect constructiv.
Unele tranzistoare conduc pn cnd facei ceva care s le micoreze curentul: sunt tranzistoarele care au canal
iniial (depletion mode n englez). Toate tranzistoarele JFET i anumite tranzistoare MOSFET funcioneaz
dup acest principiu. Tranzistoarele de cellalt tip sunt proiectate astfel nct s nu conduc dect dac aplicai
un cmp care s "sape" un canal conductor. Sunt tranzistoarele care au canal indus (enhancement mode n
englez). Marea majoritate a tranzistoarelor MOSFET au canal indus.
Dac mai inem seama de felul de dopare al
canalului, care poate fi n sau p, am avea n total
2 8
3
= tipuri de tranzistoare cu efect de cmp.
Dintre acestea, ase ar putea fi realizate, cinci sunt
chiar produse i numai patru sunt importante.
Arborele familiei de tranzistoare cu efect de cmp
poate fi admirat n Fig. 7.1. Din cauza jonciunii
porii care trebuie s fie ntodeauna invers
polarizat, tranzistoarele JFET (cu poart
jonciune) nu pot realizate dect cu canal iniial.
Tranzistoarele cu poart izolat pot avea oricare
dintre aceste tipuri de canale, dar cele cu canal
iniial nu au dect cteva aplicaii particulare, aa c
nu trebuie s ne ocupm dect de tranzistoarele
MOSFET cu canal indus. Ambele categorii pot
avea fie canal n, fie canal p. Cum funcionarea celor cu canal n este similar cu a tranzistoarelor bipolare
NPN, ne vom focaliza atenia numai asupra acestora.

7.1. Tranzistoare metal-oxid-semiconductor (MOSFET)

1.A. Simboluri i mod de funcionare

Tranzistoarele MOSFET (metal oxide semiconductor field effect transistor) sunt dipozitive electronice
cu trei terminale active: poarta G (de la gate - n lb. englez) , drena D i sursa D (Fig. 7.2 a). n plus, ele
mai au un terminal, legat la substratul pe care a fost realizat tranzistorul, care trebuie meninut la cel mai
cobort (sau ridicat, dup tipul tranzistorului) potenial din circuit. Poarta este izolat cu un strat de oxid de
siliciu, astfel nct curentul de poart este practic nul (putnd ajunge chiar la 1 pA) iar curenii de dren i
surs sunt practic egali. Funcionarea tranzistorului se bazeaz pe controlul conductanei electrice a canalului
ntre dren i surs, control efectuat prin tensiunea poart-surs.
Curentul de poart este att de mic nct condensatoarele realizate pe chip-ul de siliciu n cazul
memoriilor ROM (read-only memory), i care nu au alt cale de descrcare dect poarta tranzistoarelor
MOSFET cu care sunt "citite", i pstreaz sarcina electric un timp care ajunge spre zece ani de zile.

FET
JFET MOSFET
canal n canal p canal initial canal indus
canal n canal p
canal n
(numai cu
canal initial)

Fig. 7.1. Clasificarea tranzistoarelor cu efect de
cmp.


B
E
C
B
E
C
( )
( )
G
D
S
substrat
MOSFET cu canal n
G
D
S
substrat
MOSFET cu canal p
bipolar NPN
bipolar PNP
PEMOS
NEMOS
(cu canal indus)
a)
b)
c)

Fig. 7.2. Tranzistoare MOSFET i tipurile bipolare similare acestora.
Aa cum spuneam mai sus, dup polaritatea lor exist dou tipuri de tranzistoare MOS: cu canal n
(NMOS) sau canal p (PMOS), iar dup principiul de funcionare avem tranzistoare cu canal indus (nu exist
canal nainte de aplicarea unei anumite tensiuni pe poart) sau cu canal iniial (tensiunea aplicat pe poart
micoreaz conductana canalului existent). Pentru tranzistoarele NMOS cu canal indus se utilizeaz i
simbolurile i prescurtrile speciale din Fig. 7.2 b) dar noi vom utiliza sistematic numai simbolurile din desenul
a) al figurii.
Ar rezulta, astfel, patru tipuri de tranzistoare MOS. Cu o singur excepie (pentru foarte nalt
frecven), tranzistoarele MOS sunt realizate cu canal indus. Dintre acestea, ca tranzistoare discrete sunt
preferate cele NMOS, avnd performane mai bune. Din acest motiv vom discuta n continuare numai despre
tranzistoare NMOS cu canal indus. Modul lor de comand (Fig. 7.3 a) este similar cu acela al tranzistoarelor
bipolar NPN.

G
D
S
substrat
MOSFET cu canal n bipolar NPN
+
on
off
B
E
C
on
off
+
a)
D
S
G
+
_
V
GS
I
D
+
_
I
G
=0
V
DS
b)

Fig. 7.3. Modul de comand al tranzistoarelor NMOS i al tranzistoarelor NPN (a) i conexiunea cu
sus comun (b).
Spuneam mai nainte c, n afara terminalelor "active" (poarta, sursa i drena), tranzistoarele MOSFET
mai au un al patrulea terminal, legat la substratul pe care a fost construit tranzistorul. ntre canal i substrat
exist o jonciune semiconductoare, reprezentat pe simboluri prin sgeata desenat pe terminalul substratului.

Sensul sgeii arat sensul n care aceast jonciune conduce; jonciunea trebuie ns meninut ntodeauna
invers polarizat, altfel ar compromite funcionarea tranzistorului. Pentru ca aceast jonciune s fie blocat
n orice moment,
pentru un tranzistor cu canal n substratul trebuie s fie legat la cel mai cobort potenial din circuit.
Cea mai utilizat conexiune este accea cu sursa comun porturilor de intrare i ieire, echivalent cu
conexiunea emitor comun de la tranzistoarele bipolare (Fig. 7.3 b). Cum sursa este legat la potenialul cel mai
cobort, substratul a fost legat la surs. n aceast conexiune, portul de intrare este ntre poart i surs iar
portul de ieire este ntre dren i surs.
Deoarece nu exist curent de poart, nu are sens s vorbim despre caracteristica de intrare.
Vom studia, deci, numai caracteristica de transfer I f V
D GS V const
DS
=
=
( )
.
i cea de ieire
I f V
D DS V const
GS
=
=
( )
.

1.B. Caracteristica de transfer

Pentru tensiuni V
DS
suficient de mari (vom vedea mai trziu ct de mari) caracteristica de transfer arat
ca n Fig. 7.4 a). Cu tensiune nul ntre poart si surs, nu exist curent de dren; la aplicarea unei tensiuni
pozitive care depete o anumit valoare V
T
, numit tensiune de prag (threshold n englez), apare un canal
indus, valoarea curentului fiind controlat de tensiunea pe poart.
Dac tensiunea poart-surs V
GS
depete tensinea de prag V
T
, curentul depinde parabolic de V
GS
.

I V V
I K V V V V
D GS T
D GS T GS T
= <
= >
0
2
pentru
pentru ( )
(7.1)
Observaie: Dei sunt notate identic , V
T
, nu confundai tensiunea de prag de la tranzistoarele
MOSFET cu tensiunea termic; n general, cnd memorai o formul, ncercai s reinei mai nti
semnificaia mrimilor implicate i apoi simbolurile.
Trebuie remarcat c parabola are minimul chiar pe axa orizontal, la V V
GS T
= i I
D
= 0; a doua
ramur a parabolei (pentru V V
GS T
< ) nu face parte din caracteristica de transfer i a fost desenat punctat n
figur. Vom vedea c diferena V V
GS T
joac un rol important n relaiile care descriu funcionarea
tranzistorului MOSFET, aa c i vom acorda o denumuire special: comanda porii (gate drive n limba
englez). Peste tensiunea de prag, curentul are, deci, o dependen ptratic de comanda porii.
Tranzistorul este considerat "complet" deschis (n starea ON) la o anumit valoare a tensiunii V
GS
,
uzual de 10 V, unde se definete curentul I
D on ( )
.
Valoarea a curentului I
D on ( )
este dat n foile de catalog; de aici s-ar putea estima valoarea
parametrul K al tranzistorului


( )
2
) (
) (
T on GS
on D
V V
I
K
= . (7.2)
I
D
V
GS
0 2 4 6 8 10
0
2
4
6
8
10
12
14
16
(V)
(mA)
I
D(on)
I
D
0
V
T
0
blocat deschis
a) b)
V
GS
g
m
0
V
T
0
g
m (on)
V
GS (on)
g
m (on) =
I
D(on)
2
- V
T
V
GS (on)
la
V
GS (on)
la
c)
V
GS

Fig. 7.4. Caracteristica de transfer a unui tranzistor NMOS (a), limitele mprstierii sale tehnologice
pentru tranzistorul 2N4351 (b) i dependena transconductanei de tensiunea V
GS
(c).

Din pcate, att V
T
ct i I
D on ( )
sunt puternic mprtiate tehnologic n cadrul exemplarelor pe care
productorii le vnd ca fiind de acelai tip. De exemplu, pentru 2N4351 produs de Motorola, tensiunea de prag
este n domeniul 1.5 - 5 V, iar I
D on ( )
ntre 3 i 15 mA. Caracteristica de transfer are, astfel, o mprtiere
tehnologic mult mai mare dect la tranzistoarele bipolare; limitele acestei mprtieri, pentru tranzistorul
specificat, au fost desenate n Fig. 7.4 b).
La variaii mici n jurul unui punct de funcionare, aciunea tranzistorului poate fi descris prin
transconductana g
dI
dV
m
D
GS
= . Din relaia (7.1) rezult c transconductana este proporional cu comanda
porii

( )
D T GS m
I K V V K g 2 2 = =
(7.3)

aa cum se vede n graficul din Fig. 7.4 c); dac dorim s-o exprimm n funcie de curentul de dren,

transconductana este proporional cu radical din curentul de dren.

Valoarea sa cu tranzistorul complet deschis este

g
I
V V
m on
D on
GS on T
( )
( )
( )
=
2
(7.4)

Pentru tranzistorul 2N4351, n cel mai favorabil caz ( I
D on ( )
=15 mA i V
T
= 5 V), obinem
g
m
= 6 mA V. Un tranzistor bipolar, operat tot la 15 mA, are transconductana
g
m
= = 15 600 mA 25 mV mA V. n concluzie
tranzistoarele cu efect de cmp au transconductana cu 1-2 ordine de mrime mai mic dect cele bipolare.
Altfel spus, sensibilitatea controlului curentului este mult mai mic la tranzistoarele FET.

1.C. Caracteristica de ieire

Dac aplicm pe poart o tensiune mai mare dect tensiunea de prag (altfel tranzistorul ar fi blocat)
familia de caracteristici de ieire are forma din Fig. 7.5. Fiecare din caracteristici prezint dou regiuni
distincte.
La valori V
DS
mici, curentul de dren este aproximativ proporional cu tensiunea dren-surs:
tranzistorul se comport ca un rezistor.
0 5 10 15 20
-4
-2
0
2
4
6
8
10
12
14
V
DS
(V)
I
D
(mA)
= 1 V V
GS
-V
T
= 2 V V
GS
-V
T
= 3 V V
GS
-V
T
= 4 V V
GS
-V
T
panta
proportionala
cu V
GS
-V
T
sursa de curent (saturatie)
regiune de
rezistor
regiune de
curentul de saturatie
proportional cu
V
GS
-V
T
(
)
2

Fig. 7.5. Caracteristici de ieire pentru tranzistorul MOSFET 2N3797.
Valoarea rezistenei ohmice echivalente depinde de tensiunea aplicat pe poart; avem o regiune de
rezisten controlat. Un rezistor adevrat este ns un dispozitiv simetric: bornele sale pot fi inversate i
comportarea sa rmne aceeai. n consecin, pentru a putea nlocui un rezistor, tranzisorul ar trebui s-i
extind comportarea liniar a caracteristicii i la tensiuni negative. Pentru tensiuni dren-surs mici n valoare
absolut, aa se i ntmpl, dup cum se poate constata pe figur.
n aceast regiune, curentul de dren are expresia aproximativ

( )
DS T GS D
V V V K I ~ 2 (7.5)

tranzistorul fiind echivalent cu un rezistor de rezisten


( )
T GS
DS
V V K
R
=
2
1
, (7.6)

controlat de tensiunea aplicat pe poart. Cum parametrul K nu este dat explicit n foile de catalog, este mult
mai util s scriem relaia precedent n funcie de rezistena R
DS0
obinut la o valoare particular V
GS0
a
tensiunii poart-surs

R R
V V
V V
DS DS
GS T
GS T
=

0
0
.. (7.7)

Cea mai mic valoare a rezistenei se obine cnd tranzistorul este complet deschis; ea poate fi exprimat
prin parametrul I
D on ( )
ca

R
V V
I
DS on
GS on T
D on
( )
( )
( )
=

2
. (7.8)

n foile de catalog este dat valoarea sub care se gsete garantat aceast rezisten (cel mai defavorabil caz).
ntr-a doua regiune, tranzistorul se comport cu totul altfel:
la valori V
DS
mari, curentul nceteaz practic s mai depind de tensiunea dren-surs, ieirea comportndu-
se ca o surs de curent controlat de tensiunea de poart.
Am putea spune, ca majoritatea textelor, c se observ aici saturaia curentului de dren n raport cu
tensiunea dren-surs. Vom evita ns acest mod de exprimare, pentru a prentmpina eventualele confuzii cu
ceea ce se nelege prin saturaie la tranzistorul bipolar. n regiunea de surs de curent controlat, este valabil
relaia (7.1) i aici am ridicat caracteristica de transfer i am definit transconductana. Cu tranzistorul n
acest regim de funcionare putem realiza amplificatoare (pentru c I
D
nu este saturat n raport cu mrimea de
intrare V
GS
ci, din contr, este controlat practic numai de aceasta).
Este foarte important s cunoatem limita aproximativ ntre cele dou regiuni de funcionare. Astfel,
pentru o tensiune poart-surs fixat, frontiera ntre regiunea de rezistor controlat i aceea de surs de curent
controlat este la o valoare a tensinii dren-surs egal cu comanda porii V V V
DS GS T limita
= .
n Fig. 7.5 aceast frontier a fost desenat cu linie ntrerupt.
Comparaia relaiei (7.6) cu (7.3) arat un lucru extrem de interesant:
alegnd o tensiune de poart, rezistena din regiunea de rezisten controlat este inversul transconductanei din
regiunea de saturaie.
mbuntirea liniaritii n regiunea de rezisten controlat
Am vzut c, la tensiuni dren-surs mici, curentul de dren variaz aproximativ proporional cu
tensiunea dren-surs. De fapt, n aceast regiune, o relaie mai exact este

( ) | |
DS DS T GS D
V V V V K I 2 2 = ; (7.9)

dac V V V
DS GS T
<< , atunci al doilea termen din paranteza
ptrat poate fi neglijat i obinem proporionalitatea amintit mai
sus.
Relaia anterioar ne arat calea prin care liniaritatea poate fi
mbuntit: n loc s inem constant tensiunea V
GS
o facem s
varieze ca V V
GS DS
= + const . 2. Un circuit prin care putem s
realizm acest truc este cel din Fig. 7.6. Exprimnd prin teorema
Milman potenialul porii (atenie, nu exist curent de poart), avem
V V V V
GS G DS
= = +
1
2 2. nlocuind acum n relaia (7.9)
termenul V
DS
2 din parantez dispare i obinem o relaie de
proporionalitate ntre curent i tensiune fr s mai fie nevoie s
folosim aproximaia V V V
DS GS T
<< . Extinderea regiunii de
liniaritate nu este nsa prea mare, ntruct nsi relaia (7.9) i nceteaz valabilitatea la tensiuni dren surs
mari.

1.D. Aplicaie: comutatorul analogic

De foarte multe ori trebuie s ntrerupem i apoi s restabilim aplicarea unui semnal (tensiune variabil
n timp) la bornele unei sarcini. Curenii i puterile implicate sunt mici dar curentul este alternativ, trebuind s
circule prin sarcin n ambele sensuri. Putem rezolva acest lucru cu un comutator mecanic, ca n Fig. 7.7 a).
Dac atunci cnd este n conducie comutatorul are rezistena R
on
, pe sarcin ajunge fraciunea
R R R
s s on
( ) + din semnalul aplicat la intrare (regula divizorului rezistiv). ntrerupnd contactul, comutatorul
prezint o rezisten R
off
foarte mare, astfel nct pe sarcin tensiunea este practic nul. Dei au rezistena
R
on
extrem de mic, comutatoarele mecanice sunt lente i nu pot fi comandate electronic dect prin
complicarea dispozitivului (releu electromagnetic). Pentru aceast aplicaie nu putem folosi un tranzistor
bipolar deoarece tensiunea ntre colector i emitor nu coboar la zero fiind limitat la tensiunea de saturaie iar
tranzistorul nu se comport ca un rezistor ohmic..

a)
out
in
R
s
D
S
G
0
-10 V
+10 V
off
on
control
b)
-10 V
0
out in
R
s
0 0

Fig. 7.7. Comutatoare analogice.

S ncercm acum cu un tranzistor MOS, care nu are jonciuni ntre poart i canal (Fig. 7.7.b). Pentru
a fixa ideile s presupunem c teniunea sursei de semnal evolueaz ntre -5 V i + 5 V iar rezistena de sarcin
are valoarea R
s
= 50 kO; astfel, curentul prin sarcin evolueaz ntre -0.1 mA i +0.1 mA. Drept comutator
utilizm un tranzistor NMOS de uz general, 3N170, care la tensiunea V
GS on
= 10 V ofer o rezisten
100 k
100 k
V
1
V
D
= V
DS
V
G

Fig. 7.6. Circuit pentru
mbuntirea liniaritii n regiunea
de rezisten controlat.


dren-surs de 200 O i un curent I
DS on
=10 mA. Pentru el, tensiunea de prag garantat de fabricant este
de cel mult 2 V.
Legm substratul la un potenial mai cobort dect orice potenial din circuit, de exemplu -10 V i
aranjm s putem comuta potenialul porii ntre - 10 V i +10 V. Cu poarta legat la -10 V, potenialul
acesteia este n orice moment mai cobort dect potenialele drenei i sursei, care pot fi aduse de ctre sursa de
semnal numai pn la - 5V (Fig. 7.8 a). n aceste condiii, tranzistorul este tot timpul blocat, rezistena ntre
dren i surs avnd valori imense, de ordinul GO. Rezult, astfel, c tensiunea care ajunge pe sarcin este
practic nul; de fapt, prin capacitatea parazit existent ntre dren i surs o anumit tensiune ajunge totui
pe sarcin.
b) a)
out in
R
s
D S
G
-10 V
+10 V
- 5 V - 4.99 V
out in
R
s
D S
G
-10 V
+10 V
+5 V + 4.95 V
out in
R
s
D S
G
-10 V
-10 V
-5 V
0 V
+5 V
c)
tranzistor blocat tranzistor deschis
tranzistor deschis

Fig. 7.8 a). Funcionarea comutaturului cu tranzistor NMOS: tranzistorul blocat (a), tranzistorul n conducie
cu tensiunea de intrare -5 V (b) i tranzistorul n conducie cu tensiunea de intrare +5 V (c).
Legm acum poarta la potenialul de + 10 V. n momentul n care tensiunea semnalului ajunge la
-5 V, ca n Fig. 7.8 b), avem o tensiune poart-surs de +15 V i putem conta pe o rezisten dren-surs,
conform relaiei (7.6), de

200
10- 2
15- 2
O O =120 .

Cum rezistena de sarcin are 50 kO., pe sarcin ajunge "numai" 99.8 % din semnalul de intrare.
La cealalt situaie extrem, tensiunea semnalului este de +5 V i tensiunea poart surs scade la
+5 V, ca n desenul c) al figurii. Acum, rezistena tranzistorului este de 530 O. i pe sarcin ajunge 98.9 % din
semnalul de intrare. Vom avea, deci, o uoar distorsionare a semnalului, de aproape 0.9 %, datorit variaiei
rezistenei comutatorului. S verificm, n final c tranzistorul rmne n regiunea de rezisten controlat.
Pentru aceasta avem nevoie de valoarea tensiunii dren-surs; este exact valoarea tensiunii care nu ajunge pe
sarcin, adic ntre 0.2 % i 1.1 % din tensiunea semnalului, deci nu mai mult de 55 mV ! Tranzistorul este, cu
siguran, n regiunea de rezistena controlat.
Dac privim nc o dat la desenele b) i c) ale figurii 7.8, constatm c drena i sursa i inverseaz
rolurile ntre ele. De fapt,
la un tranzistor cu efect de cmp, drena i sursa sunt echivalente la curent continuu i pot fi interschimbate;
ele difer numai la curent alternativ drena avnd o capacitate mai mic fa de poart.
Comutatorul prezentat mai sus are ns un dezavantaj major: tensiunea semnaului nu se poate apropia
prea mult de tensiunea de alimentare pozitiv, altfel nu ar mai rmne o tensiune suficient pentru meninerea
deschis a tranzistorului. Soluia const n utilizarea unui comutator cu dou tranzistoare MOS

complementare (CMOS -complementary MOS),
adic unul cu canal n i unul cu canal p, ca n
Fig. 7.9. Ca s blocm ambelor tranzistoare este
suficient s aducem la -5 V poarta tranzistorului
NMOS i la +5 V poarta tranzistorului PMOS.
Pentru a comanda acest lucru de la un singur
punct se utilizeaz un inversor logic, care ofer
la ieire sa nivelul continuu de -5 V cnd intrarea
sa este la +5 V i reciproc..
Atunci cnd semnalul trebuie s treac prin
comutator, poarta tranzistorului NMOS este
meninut la alimentarea pozitiv iar poarta
tranzistorului PMOS este adus la alimentarea
negativ. Dac semnalul se apropie de +5 V,
tranzistorul NMOS se blocheaz, aa cum artam
mai sus, dar se deschide puternic tranzistorul PMOS. Din contr, cnd semnalul se apropie de -5 V, situaia
este inversat i tranzistorul NMOS este cel care conduce. Dac recitim observaia n legtur cu schimbarea
rolului ntre dren i surs, nelegem imediat de ce i intrarea i ieirea din comutator pot fi schimbate ntre ele
la fel ca la un comutator mecanic.
Comutatoare analogice CMOS sunt dispoibile ca circuite integrate. Astfel, circuitul 4066 conine patru
asemenea comutatoare independente. La o alimentare cu -5 V i +5 V, rezistena n starea ON a comutatorului
este aproximativ 75 O i nu variaz cu mai mult de 20 O dei semnalul poate evolua pe ntregul interval dintre
potenialele alimentrilor. Pentru aplicaii profesionale, comutatoarele AD7510 sau cele din seria 1H5140
ofer, la o alimentare de 5 V, o rezisten sub 100 O, variaia sa fiind redus la un raport 1:1.25.

Observaie: n circuitele cu tranzistoare FET se obinuiete s se noteze potenialul cel mai ridicat
al alimentrii cu V
DD
iar potenialul cel mai cobort al alimentrii cu V
SS
. Astfel, n circuitul din Fig.
7.9, V
DD
= +5 V i V
SS
= -5 V pentru c avem o alimentare simetric fa de mas. Circuitul
funcioneaz ns i cu o singur surs de alimentare, adic cu V
DD
= +10 V i V
SS
= 0 V.

n aceeai tehnologie CMOS se realizeaz circuite integrate logice (digitale) n care semnalul nu poate
avea dect dou stri, starea HIGH (de potenial cobort) i starea LOW (de potenial cobort). Circuitele
digitale CMOS depesc ca performane (vitez, consum de putere mic, imunitate la zgomot, etc.) circuitele
digitale cu tranzistoare bipolare i le nlocuiesc treptat n aparatura proiectat astzi.
Pn n 1970 tranzistoarele cu efect de cmp realizate abia puteau comanda cureni de cteva zeci de mA
la tensiuni de zeci de voli. Apoi, o nou tehnologie a permis realizarea tranzistoarelor MOS de putere (cu
nume depinznd de companie, VMOS, TMOS, HEXFET, etc.). Aceste noi tranzistoare sunt capabile s
opereze la tensiuni de ordinul a 1000 V i s vehiculeze cureni medii de pn la 70 A; pentru durate scurte, ele
pot conduce cureni de pn la 280 A (cureni de vrf). Pentru acestea, rezistena n starea ON a putut fi
cobort pn pe la 0.010 O, astfel c ele pot fi utilizate n comutatoare de cureni mari. n plus, tranzistoarele
MOS de putere sunt mult mai stabile termic dect corespondentele lor bipolare, la acelai tip de capsul putnd
opera la puteri disipate mai mari.

control
D
S
G
D
S
G
+5 V
in
(out)
out
(in)
-5 V
off
on
-5 V
+5 V
inversor logic
NMOS PMOS

Fig. 7.9. Comutator analogic CMOS.


Efectul Miller
Deoarece poarta este izolat fa de canal, curentul de
poart este practic nul (ajungnd chiar la pA). Acest lucru este
ns valabil numai n regim de curent continuu, cnd nici un
potenial i nici un curent nu mai variaz n timp. Dac dorim s
modificm starea tranzistorului, prin variaia tensiunii poart-
surs, va trebui neaprat s ncrcm (sau s descrcm)
anumite capaciti parazite, deci prin poart va circula un curent
ale crui valori nu sunt neglijabile. S presupunem c dorim s
nchidem i s deschidem, cu frecvena de 20 kHz, un comutator
de curent mare; poarta tranzistorului va trebui s evolueze ntre
zero i 10 V ntr-un interval de timp de ordinul a 10 s. Dac
utilizm un tranzistor de tipul IRL2203N produs de
International Rectifier ( R
DS on
de 7 mO la 60 A), vom avea
ntre poart i surs o capacitate C
gs
de 3500 pF iar ntre dren
i surs o alt capacitate, C
gd
, de 690 pF, aa cum se vede n Fig. 7.10.
La prima vedere s-ar prea c trebuie s ncrcm numai capacitatea poart-surs. Dac ar fi aa,
curentul mediu de ncrcare care trebuie trimis n poart ar fi

I C
U
t
F = = =
A
A
3500 10 3 5
12
10 V
10 s
mA
. .

V
G
A
C
gd
V
G
A V
D
A
V
G
A
C
gd
I =
C
gd
V
G
A
t A
(1+g R )
m s
I =
C
gd
V
G
A
t A
(1+g R )
m s
(1+g R )
m s
V
G
A
C
gd
V
G
A
V
G
A
I =
C
gd
V
G
A
t A
a) b) c)
(1+g R )
m s
variatia
tensiunii pe
condensator
variatia
tensiunii pe
condensator
variatia
tensiunii pe
condensator

Fig. 7.11. Efectul Miller la un tranzistor MOS: cazul n care drena are potenial constant (a), cazul
n care potenialul drenei variaz n opoziie cu cel al porii (b) i echivalarea acestei situaii cu un
condensator legat la mas.

Exist ns i o capacitate ntre poart i dren. Dac potenialul drenei ar rmne constant, situaia ar fi
echivalent cu aceea n care aceast capacitate ar fi legat la mas (Fig. 7.11 a): ea ar aprea n paralel cu
capacitatea poart-surs i ar mri-o de la 3500 la 4190 pF. Din pcate, ns, n dren este legat sarcina i
potenialul drenei nu este constant. Dac poarta sufer o variaie de potenial AV
G
pozitiv, curentul de dren
crete cu g V
m G
A i, n consecin, dup cum se observ n desenul b) al figurii, potenialul drenei coboar,
avnd o variaie A A V g R V
D m s G
= .. Cu alte cuvinte, obinem o amplificare a variaiilor de tensiune egal
cu
V
D
V
G
C
gs
C
gd
V
1
R
g
~
V
alim
R
s
R
1
C
1

Fig.7.10. Capaciti parazite la un
comutator cu tranzistor MOS.

A
V
V
g R
V
D
G
m s
= =
A
A
(7.8)

care la tranzistoarele cu efect de cmp are valori de ordinul zecilor.
Din acest motiv, variaia tensiunii pe condensator nu mai este egal cu AV
G
ci este de 1+ g R
m s
ori mai
mare; astfel, la aceeai variaie AV
G
, i curentul de ncrcare al condensatorului va fi de 1+ g R
m s
mai mare.
Lucrurile se ntmpl ca i cum capacitatea poart-dren ar fi devenit de 1+ g R
m s
mai mare, aa cum se
vede n Fig. 7.11 c)
Acest fenomen nu este specific circuitelor cu tranzistoare cu efect de cmp. El apare ori de cte ori o
capacitate este conectat ntre intrarea i ieirea unui amplificator care are amplificare de tensiune A
V
negativ
i este cunoscut ca efect Miller.
O capacitate legat ntre intrarea i ieirea unui amplificator de tensiune, cu amplificarea A
V
negativ,
este vzut dinspre intrare ca fiind multiplicat cu ( ) 1 A
V

( )
V echiv
A C C = 1
(7.9)

Aceleai probleme se ntlnesc i la circuitele cu tranzistoare bipolare; n cazul celor cu efect de cmp ele
ne pot surprinde deoarece pentru ele la curent continuu curentul de poart este nul i suntem tentai s
extindem automat aceast proprietate i pentru variaii.
Revenind la problema noastr concret, capacitatea de 690 pF va fi vzut dinspre poart ca o
capacitate de ordinul a 7000 pF ! Ea va necesita pentru ncrcare un curent n jur de 7 mA, ridicnd la 10 mA
curentul de poart.
Cum furnizm acest curent de poart ? Sursa de semnal care excit poarta are o rezisten intern R
g

(Fig. 7.10). La saltul iniial al tensiunii de la 0 la 10 V, pentru a obine un curent de 10 mA ar trebui ca
rezistena intern s fie de 1 kO. Dar aceasta va fi numai valoarea iniial a curentului. Odat cu ncrcarea
capacitii, potenialul poriii crete spre 10 V i curentul disponibil, conform legii lui Ohm, scade. Pentru a
compensa acest efect, micorm de zece ori rezistena intern a sursei de semnal iar, dac avem o rezisten
extern ( R
1
n Fig. 7.10) montat n serie cu poarta, o "scurtcircuitm" cu un condensator de accelerare C
1
,
care vor trimite un puls suplimentar de curent n poart.

Observaie: n Fig. 7.10 am notat tensiunea de alimentare, ca i n capitolele anterioare, cu V
alim
. Acest
manual fiind unul introductiv, am preferat s facem acest lucru pentru a reduce la minimum riscul unor
confuzii. n schemele profesionale, tensiunea de alimentare pozitiv a circuitelor ce conin tranzistoare cu efect
de cmp este notat cu +V
DD
. Sunt dou aspecte implicate n aceast convenie. n primul rnd,
dublarea indicelui unei tensiuni este rezervat exclusiv tensiunilor de alimentare iar att pentru litera V ct i
pentru indici se folosesc majuscule (sunt mrimi de curent continuu).
n al doilea rnd, se utilizeaz indicele D de la dren pentru c la alimentarea pozitiv este legat drena
unui tranzistor FET cu canal n. Tensiunea pozitiv se noteaz cu +V
DD
chiar i n cazul n care circuitul nu
conine dect FET cu canal de tip p, care au sursele legate la alimentarea pozitiv. Pentru simetria notaiei,
dac circuitul cu FET are i o alimentare negativ fa de mas, tensiunea ei este notat cu V
SS
.



- Spre deosebire de tranzistoarele bipolare, unde controlul curentului de ieire se face prin injecia
unui curent, la tranzistoarele cu efect de cmp (FET n lb. englez) controlul curentului de ieire se face
prin intermediul unui cmp electric.
- Curentul controlat circul printr-un canal ntre dren i surs.
- Cmpul electric este produs prin aplicarea unei tensiuni ntre terminalul porii (gate) i surs;
avantajul esenial al tranzistoarelor cu efect de cmp este c au curentul de poart cu mult mai mic dect
curentul de baz de la tranzistoarele bipolare.
- La tranzistoarele cu poart jonciune, ntre poart i canal exist o jonciune semiconductoare
invers polarizat; curentul de poart este de ordinul nanoamperilor.
-Tranzistoarele de tip metal oxid semiconductor (MOSFET) au poarta izolat cu un strat foarte
subire de dioxid de siliciu; curentul lor de poart este extrem de mic, ajungnd la picoamperi.
- Tranzistoarele cu efect de cmp pot fi construite cu canal iniial (depletion mode) sau cu canal
indus (enhancement mode); pe de alt parte, canalul poate fi de tip n sau de tip p.
- Tranzistoarele JFET se pot construi numai cu canal iniial, iar majoritatea tranzistoarelor
MOSFET au canal indus.
-Simbolurile generale pentru tranzistoarele MOSFET sunt
G
D
S
substrat
canal n
i
G
D
S
substrat
canal p
; ele sunt utilizate i ca simboluri speciale pentru cele cu canal iniial.
-Pentru tranzistoarele MOSFET cu canal indus se mai utilizeaz i simbolurile speciale
NEMOS
i
PEMOS
.
- La tranzistoarele MOSFET cu canal n (NMOS), substratul trebuie legat la cel mai cobort
potenial din circuit pentru ca jonciunea ntre el i substratul de tip n s fie ntodeauna invers polarizat.
- Pentru apariia canalului conductor ntre dren i surs, tensiunea poart surs trebuie s
depeasc o anumit valoare, numit tensiune de prag V
T
.
- Pentru tensiuni dren surs mari i valori ale tensiunii poart surs peste tensiunea de prag,
caracteristica de transfer I f V
D GS
V
DS
=
=
( )
. const
este parabolic I K V V
D GS T
= ( )
2
.
- Transconductana g I V
m D GS
= A A este proporional cu comanda porii V V
GS T
sau, altfel
spus, cu radical din curentul de dren.
- Tranzistoarele cu efect de cmp au transconductana cu 1-2 ordine de mrime mai mic dect a
celor bipolare.
- Caracteristicile de ieire I f V
D DS
V
GS
=
=
( )
. const
prezint dou regiuni distincte: la valori mici
ale tensiuii V
DS
tranzistorul se comport ca un rezistor ohmic cu rezistena controlat de tensiunea
poart-surs iar la tensiuni V
DS
mari tranzistorul se comport ca o surs de curent controlat de
tensiunea poart-surs.
-Frontiera ntre cele dou regiuni se gsete aproximativ la V V V
DS GS T
= .

-n regiunea de rezistor controlat, rezistena variaz invers proporional cu comanda porii
V V
GS T
.
- La aceeai tensiune de poart, rezistena din regiunea de rezistor controlat este inversul
transconductanei din regiunea de surs de curent.
- Datorit regiunii de rezistor, tranzistoarele MOSFET se pot utiliza ca i comutatoare analogice;
prin cuplarea a dou tranzistoare complementare (NMOS i PMOS) se realizeaz un comutator analogic
performant (CMOS) care este disponibil ca circuit integrat.
- Putnd fi operate la tensiuni de ordinul a 1000 V i cureni de zeci de amperi, tranzistoarele MOS
de putere ofer rezistene R
DS on
de civa m; ele sunt utilizate ca i comutatoare de cureni mari sau
n amplificatoare de putere.
-Viteza de operare a comutatoarelor este limitat de capacitile parazite ale tranzistoarelor.
-O capacitatea legat ntre intrarea i ieirea unui amplificator de tensiune, cu amplificarea A
V

negativ, este vzut dinspre intrare ca fiind multiplicat cu ( ) 1 A
V
; acesta este efectul Miller.

Precauii n manipularea tranzistoarelor MOSFET

Stratul de izolator dintre poart i canal este att de subire nct la tensiuni de cteva zeci de voli
poate fi strpuns i tranzistorul nceteaz ireversibil s funcioneze. Chiar energia sarcinilor acumulate
electrostatic este suficient pentru a distruge un tranzistor MOSFET. Din acest motiv, aceste
tranzistoare se livreaz ambalate n folii conductoare sau cu terminalele scurtcircuitate ntre ele prin
inele comductoare. Este indicat ca aceste dispozitive de protecie s fie ndeprtate abia dup conectarea
tranzistorului n circuit, dup aceea protecia fiind realizat chiar prin rezistoarele care fixeaz
potenialul porii. Ideal este ca operatorul s fie "legat la pmnt" printr-o brar metalic. Dac nu se
alege aceast soluie, o msur de minim siguran este ca, nainte de a lucra cu tranzistoare MOSFET,
operatorul s descarce sarcinile acumulate prin atingerea cu mna a unui conductor legat la pmnt iar
nainte de legarea n circuit a tranzistoarelor s ating doar carcasa nu i terminalele lor.


Termeni noi

-tranzistor cu efect de cmp (FET) tranzistor la care curentul ntre dren i surs este controlat de
mrimea unui cmp electric;
- canal regiune semiconductoare prin care circul curentul ntre dren i
surs;
-poart (gate) terminalul de comand al tranzistoarelor cu efet de cmp; ntre
poart i surs se aplic tensiunea de comand;
-tranzistor cu efect de cmp tranzistor cu efect de cmp la care poarta este o jonciune invers cu
poart jonciune (JFET) polarizat;
-tranzistor cu efect de cmp tranzistor cu efect de cmp la care poarta este izolat fa de canal;
metal-oxid-semiconductor
(MOSFET)
- substrat terminal legat la materialul semiconductor pe care a fost realizat
tranzistorul FET; ntre substrat i canal exist o jonciune
semiconductoare care trebuie s fie tot timpul inver polarizat; din
acest motiv substratul se leag la cel mai cobort (ridicat)
potenial, dup tipul canalului (n, respectiv, p);
-canal iniial (depletion mode) tip constructiv de FET pentru care tranzistorul conduce cu tensiune
de comand nul;
-canal indus (enhancement mode) tip constructiv de FET pentru care tranzistorul conduce dac
tensiunea de comand depete o valoare de prag;
-tensiune de prag V
T
valoarea tensiunii peste care intr n conducie tranzistoarele cu
canal indus;
-curent n starea ON curentul de dren la o anumit tensiune V
GS
la care tranzistorul cu
canal indus este considerat complet deschis; se definete n
regiunea de surs de curent (V
DS
mare);
-rezisten n starea ON rezistena dren surs la o anumit tensiune V
GS
la care
tranzistorul cu canal indus este considerat complet deschis; se
definete n regiunea de rezisten controlat (V
DS
mic);
- comutator analogic dispozitiv prin intermediul cruia pe o sarcin se poate aplica sau
nu un semnal de tensiune, n general cu polaritate variabil;
rezistena comutatorului trebuie s fie ct mai mic n starea ON i
ct mai mare n starea OFF;
-efect Miller efect care const n faptul c o capacitate legat ntre intrarea i
ieirea unui amplificator cu amplificarea de tensiune A
V
negativ
este vzut dinspre intrare ca fiind multiplicat cu ( ) 1 A
V
.


Probleme rezolvate

Problema 1.
Intenionm s utilizm un tranzistor NMOS ca un
amplificator de tensiune (FIg. 7.12). Pentru aceasta, trebuie
s stabilim un punct static de funcionare cu un curent de
dren de 2 mA i s avem un potenial de dren aproximativ
la jumtatea tensiunii de alimentare. Cunoatem, pentru
tranzistor, tensiunea de prag V
T
= 0. 5 V i curentul n
starea on I
D on ( )
=10 mA msurat la V
GS
= 20 V.
Trebuie s alegem divizorul rezistiv din poart i rezistena
din dren.

Rezolvare
Valoarea rezistenei de dren o putem stabili de la
nceput. Alegem un potenial de 10 V n dren i avem R
D
= = (20 V- 10 V) 2 mA 5 kO.
Din valoarea impus pentru curentul de dren am putea calcula tensiunea necesar ntre poart i surs.
Relaia pe care o avem este ( )
2
T GS D
V V K I = dar foaia de catalog nu furnizeaz direct valoarea
parametrului K. Avem, ns, curentul i tensiunea pentru starea on

( )
2
V 0.5 - V 20 = mA 10 K

de unde deducem
K = = 10 mA (19.5 V) mA V
2 2
0 026 . .

Putem, acum, s impunem curentul de dren cerut

( )
2
2
V 0.5
V
mA
0.026 mA 2 =
GS
V

i s calculm tensiunea poart surs necesar V
GS
= 9. 22 V.
Cum obinem aceast tensiune de la divizorul rezistiv ? Curentul de poart este nul, divizorul este
nencrcat i putem aplica regula de trei simpl

R R
2 1
= 9.22 V (20 V- 9.22 V) = 0.86.

Mai rmne s stabilim valorile rezistenelor. n cazul tranzistoarelor cu efect de cmp avem o foarte mare
libertate dar valori prea mici ar micora prea mult impedana vzut de generatorul de semnal iar rezistene de
valori exagerat de mari (peste 1 MO) nu sunt uor disponibile. O alegere bun este R
2
= 860 kO i
R
1
=1 MO.

V
D
V
G
V
1 ~
R
D
R
1
C
1
+20 V
R
2

Fig. 7.12.


Problema 2.
a) Tranzistoarele cu efect de cmp au o mare mprtiere a parametrilor. Pentru tranzistorul din
problema anterioar ne putem atepta la o tensiune de prag chiar de 2 V. Cu valorile de rezistene alese acolo,
recalculai punctul de funcionare dac V
T
= 2 V.
b) Nici curentul I
D on ( )
nu este controlat tehnologic mai precis. Ne putem atepta ca acesta s fie de 5
ori mai mic. Luai n consideraie i acest aspect la determinarea punctului de funcionare.

Rezolvare
a) Curentul de dren este proporional cu ptratul comenzii porii V V
GS T
. Aceast diferen se
modifc de la 9.22 V - 0.5 V =8.72 V la 9.22 V - 2 V = 7.22 V. Astfel, noul curent de dren va fi numai
0.686 din cel anterior, adic 1.37 mA. Noul potetial de dren va fi 20 V- 6.85 V=13.5 V n loc de 10 V.
b) Dac I
D on ( )
este de 5 ori mai mic, aceasta se ntmpl din cauza parametrului K, care este la rndul
lui de 5 ori mai mic. Noul tranzistor, montat n acelai circuit proiectat de noi, va avea un curent de dren de
numai 1 37 0 27 . . mA 5 mA = . n aceste condiii, potenialul drenei va fi 20 V - 1.37 V= 18.6 V. Iat c, dei
am proiectat cu grij circuitul pentru a avea potenialul drenei la 10 V (jumtatea alimentrii), datorit
mprtierii tehnologice a parametrilor el poate ajunge inacceptabil de aproape de potenialul alimentrii.
Predictibilitatea punctului de funionare este proast la tranzistoarele FET; de multe ori punctul de
funcionare se ajusteaz n funcionare cu un rezistor reglabil.

Probleme propuse

P 7.1.1. Pentru un tranzistor NMOS cu canal indus, rezistena n starea on R
DS on ( )
, definit la
V
DS
=10 V, este de 300 O iar tensiunea sa de prag este V
T
= 2 V . Care va fi rezistena ntre dren i surs
dac V
GS
= 4 V ?
P 7.1.2. n condiiile problemei precedente, la ce valoare a tensiunii dren surs ncepe regiunea de
saturaie ?
P 7.1.3. Pentru un tranzistor MOS cu tensiunea de prag V
T
= 3 V, curentul n starea ON, definit la
V
GS
=10 V, este de 5 mA. Ct este, n aceste condiii
transconductana ? Dar dac tensiunea de poart se micoreaz astfel
nct curentul scade la 1 mA ?
P 7.1.4. La captul unui divizor format dintr-un rezistor i
tranzistorul MOSFET, se aplic un semnal alternativ cu amplitudinea
de 100 mV n jurul valorii 0, ca n Fig. 5. ntre ce limite evolueaz
amplitudinea semnalului la ieire, dac potenialul porii este modificat
ntre 3 V i 10 V ? Tranzistorul are parametrii dai n problema P 7.1.1.
P 7.1.5. De ce nu a fost legat substratul la mas ci la - 1 V ?
P 7.1.6. Un tranzistor NMOS de putere este utilizat drept
comutaor ON-OFF pentru aprinderea unui bec cu valorile nominale
12 V i 5 A. Tranzistorul are rezistena R
DS on ( )
sub 100 mO.
a) Determinai tensiunea pierdut pe tranzistor i puterea disipat
pe acesta.
b) Un tranzistor bipolar de putere (2N3055), operat n aceeai gam de cureni, prezint o tensiune de
saturaie colector emitor de 3 V. Calculai i pentru el cderea de tensiune i puterea disipat.
c) Comparai rezultatele anterioare i decidei care tip de tranzistor este mai potrivit pentru aceast
aplicaie.
100 k
100 k
~
330 O
-1 V
+
-
V
control
~

Fig. 7.13.


Experimentul 1. Caracteristica de transfer

D
S
G
100 k
mA
+
-
+
-
V
A1 V
A2
0 - 10 V
0 - 15 V
V
voltmetru
electronic
10 k
5 k

Fig. 7.14. Montaj experimental pentru trasarea caracteristicilor statice.

Desenai pe caiet circuitul din Fig. 7.14 i stabilii sensurile curenilor i polaritile necesare pentru
aparatele de msur. Realizai, apoi, circuitul.
Observaii:
-n jurul tranzistorului au fost montate elemente de protecie i va trebui s utilizai ca terminal de
poart nodul de circuit marcat cu litera G
-substratul a fost legat deja la mas
-rezistorul de 10 kO are rolul de a mpiedica ncrcarea condensatorului poart -substrat (care are
cureni de scurgere extrem de mici) datorit electricitii statice.
Stabilii V
DS
= 10 V i trecei miliampermetrul legat n dren pe scala de 10 mA. Cretei apoi
tensiunea pe poart observnd deschiderea tranzistorului. Notai-v tensiunea de prag. Ridicai caracteristica
I f V
D GS
= ( ) obinnd 10 -12 puncte experimentale dup deschiderea tranzistorului, pn la V
GS
=10 V, i
desenai-o n scar liniar, cu tensiunea ncepnd de la 0 voli.
Pentru verificarea relaiei ptratice I f V
D GS
= ( ), cel mai simplu este s reprezentm grafic
I f V
D GS
1 mA = ( ), pentru c ar trebui s obinem a linie dreapt. Facei acest lucru i formulai o
concluzie asupra valabilitii acestei relaii.
Reluai determinarea tensiunii de prag i a caracteristicii, pentru o tensiune dren-surs de 15 V.
Desenai-o n scar liniar, pe acelai grafic cu cea trasat la V
DS
=10 V. Cum afecteaz tensiunea dren-
surs caracteristica de transfer ?
Determinai transconductana din panta graficului caracteristicii de transfer, la V
GS
=10 V(unde
I I
D DS on
=
( )
) i la I
D
=1 mA. La aceast ultim valoare a curentului, un tranzistor bipolar are o
transconductan de g
m
=1 mA 25 mV= 40 mS. Cum este, fa de aceasta, transconductana
tranzistorului MOSFET ?



Polarizai poarta cu un volt peste tensiunea de prag, la V V
GS T
= +1 V. Ridicai caracteristica de
ieire I f V
D DS V const
GS
=
=
( )
.
modificnd tensiunea dren-surs ntre zero i 10 voli. Repetai, apoi,
experimentul, pentru V V
GS T
= + 2 V i V V
GS T
= + 3 V. Desenai cele trei caracteristici pe un singur
grafic, n scar liniar. Marcai pe fiecare din cele trei caracteristici punctul care are coordonata V
DS
egal cu
valoarea V V
GS T
corespunztoare acelei caracteristici (datorit alegerii tensiunilor de poart, aceste valori
vor fi 1, 2 i, respectiv, 3 V). Putei trage o concluzie asupra frontierei aproximative dintre regiunea de
saturaie i cea de rezisten controlat ?

Experimentul 3. mbuntirea liniaritii n regiunea de rezisten controlat

D
S
G
100 k
mA
+
-
+
-
V
A1
V
A2
0 - 10 V
0 - 15 V
V
voltmetru
electronic
10 k
5 k
100 k
V

Fig. 7.15.
Modificai circuitul pe care efectuai experimentul pentru a realiza configuraia din Fig. 7.15, legnd n
poart i rezistena de 100 kO conectat la dren. Reluai trasarea caracteristicilor de ieire, la aceleai
tensiuni de poart ca n experimentul precedent. Nu depii valoarea de 10 mA (vei ridica numai regiunea de
rezisten controlat). Atenie, stabilirea tensiunii de poart se face de fiecare dat cu V
DS
= 0, ea
modificndu-se apoi datorit tensiunii dren surs.
Desenai caracteristicile de ieire i comparai-le cu cele obinute n experimentul anterior pe circuitul
standard. Formulai o concluzie.

Experimentul 4. Comutatorul analogic cu MOSFET

Avei pe planet circuitul din Fig. 7. 16 a) . La borna A generatorul de semnal furnizeaz o tensiune
alternativ cu amplitudinea de 1 V, suprapus peste un nivel continuu. Valoarea nivelului continuu poate fi
reglat cu poteniometrul Pot., aa cum se poate vedea n desenul b) al figurii. Tranzistorul NMOS este montat
ca un comutator analogic ntre ieirea generatorului de semnal i rezistena de sarcin. Prin intermediul
comutatorului K putei lega poarta tranzistorului fie la alimentarea pozitiv, fie la alimentarea negativ.
Alimentai planeta cu tensiune pozitiv i tensiune negativ, de la dou surse. Vizualizai cu
osciloscopul forma semnalului la borna A (atenie, intrarea osciloscopului trebuie conectat pe poziia DC

pentru a putea vizualiza i componenta continu). Rotii poteniometrului i verificai c nivelul continuu al
semnalului se modific, ca n desenul b) al figurii.

generator de
semnal
Pot.
b)
out
in
R
s
D S
G
-5 V
sarcina
K
5 k
A
-5 V
+5 V
GND
+
-
+
-
-5 V
+5 V
0 0
a)
alimentarea
plansetei
reglaj nivel
continuu
t t

Fig. 7.16. Comutator analogic cu tranzistor NMOS (a) i modificarea nivelului continuu al semnalului
produs de rotaia poteniometrului (b).

Reglai acum, cu poteniometrul, nivelul continuu aproximativ la zero i stabilii poziia comutatorului
astfel nct poarta s fie la tensiune negativ. Verificai dac semnalul ajunge pe rezistena de sarcin.
Formulai o concluzie. Schimbai poziia comutatorului, legnd poarta tranzistorului la alimentarea pozitiv.
Ajunge acum semnalul pe rezistena de sarcin ? Cum este valoarea lui comparat cu cea de la intrare ?
Efectuai msurtori mai precise i estimai valoarea R
DS on
a tranzistorului.
Pstrnd sonda osciloscopului conectat la sarcin, modificai acum, din poziia poteniometrului,
nivelul continuu al semnalului. Urmrii ce se ntmpl cu semnalul cnd acesta ajunge aproape de potenialul
alimentrii negative i. apoi, de cel al alimentrii pozitive. Formulai o concluzie.
Pe aceeai planet avei i un circuit integrat 4066 care conine patru comutatoare CMOS. nlocuii
comutatorul cu tranzistor NMOS cu unul CMOS coninut n circuitul integrat, ca n Fig. 7.17. Trecei
comutatorul n starea ON i observai din nou ce se ntmpl cu semnalul la ieire cnd modificai nivelul su
continuu. Formulai o concluzie.


generator de
semnal
Pot.
in
out
R
s
sarcina
5 k
K
-5 V
+5 V
-5 V
1
2
4
5
6
7
14
13
12
11
10
9
8
+5 V
3
4066

Fig. 7.17.

Experimentul 5. Comutatorul MOSFET de curent mare

Vei studia acum un comutator realizat cu un tranzistor NMOS de putere. Acesta este comandat astfel
nct s ntreup periodic curentul de alimentare al unui bec, cu o frecven de civa kHz, aa cum se vede n
Fig. 7.18. Cu ajutorul poteniometrului Pot. vei putea modifica factorul de umplere, adic raportul dintre
durata de conducie i perioad = T T
on
. Astfel, vei putea controla puterea medie pe care o primete becul.

circuit de
comanda
Pot.
D
S
G
+12 V
+12 V
GND
+
-
alimentarea
plansetei
bec cu
incandescenta
reglajul factorului
de umplere
on
off
T
on
T
t
o =
T
on
T
o

Fig. 7.18. Comutator de putere.

Desenai-v schema circuitului pe caiet i apoi alimentai planeta. Pentru cteva poziii ale
poteniometrului, vizualizai cu un osciloscop evoluia tensiuii pe bec i desenai forma de und pe caiet.
Estimai, de fiecare dat, factorul de umplere. Cunoscnd rezistena becului, determinai i puterea pe care o
primete becul.
Concentrai-v acum asupra comutatorului. Determinai valoarea tensiunii reziduale care cade pe
tranzistor i, din aceasta, rezistena sa n starea ON. Estimai puterea medie disipat pe tranzistor cnd factorul
de umplere are valoarea maxim.


7.2. Tranzistoare cu poart jonciune (JFET)

2.A. Simboluri i mod de funcionare
La tranzistoarele cu efect de cmp cu poart jonciune
(JFET), ntre poart i canalul conductor exist o jonciune invers
polarizat. Tensiunea aplicat ntre poart i surs controleaz
conducia n canalul dintre dren i surs. Deoarece jonciunea
este invers polarizat, curentul de poart este mult mai mic dect
curentul de baz de la tranzistoarele bipolare, avnd valori de
ordinul zecilor de nanoamperi.
Dac la tranzistoarele de tip metal oxid semiconductor
(MOSFET) putem avea fie canal iniial, fie canal indus, datorit
principiului de funcionare,
tranzistoarele JFET nu pot fi realizate dect avnd canal iniial.
Aceasta nseamn c la tensiune nul ntre poart i surs
( 0 =
GS
V ) tranzistorul conduce ntre dren i surs, urmnd ca
acest curent I
D
s fie micorat prin aplicarea unei tensiuni V
GS

care polarizeaz invers jonciunea porii.
Dup tipul de dopare, exist dou categorii de tranzistoare JFET: cu canal de tip n (similare
tranzistoarelor bipolare NPN) i cu canal p (similare tranzistoarelor bipolare PNP). Simbolurile lor sunt
prezentate n Fig. 7.19, alturi de corespondentele lor bipolare. Sgeata arat sensul direct al jonciunii; n
aplicaii, jonciunea porii trebuie todeauna polarizat invers. Vom aborda n continuare tranzistoarele JFET
cu canal n, care sunt mai frecvent utilizate, ca i corespondentele lor bipolare NPN. Modul de comand al
acestora este reprezentat n Fig. 7.20 a).
G
D
JFET cu canal n bipolar NPN
+
on
off
B
E
C
on
off
+
a)
D
+
_
V
GS
I
D
+
_
I
G
=0
V
DS
S
G
V
GS < 0
S
tensiune
negativ` !
b)

Fig. 7.20. Modul de comand pentru tranzistoarele JFET cu canal n (a) i conexiunea cu surs comun (b).

2.B. Caracteristici statice
Cea mai utilizat conexiune este accea cu sursa comun porturilor de intrare i ieire, echivalent cu
conexiunea emitor comun de la tranzistoarele bipolare (Fig. 7.20 b). n acest caz, portul de intrare este ntre
poart i surs iar portul de ieire este ntre dren i surs. Deoarece nu exist curent de poart, nu are sens s
S
D
G
B
E
C
S
D
G
B
E
C
( )
JFET cu canal n
JFET cu canal p
( )

Fig. 7.19. Tranzistoare JFET.i
corespondentele lor bipolare.

vorbim despre caracteristica de intrare. Vom studia, deci, numai caracteristica de transfer
I f V
D GS V const
DS
=
=
( )
.
i cea de ieire I f V
D DS V const
GS
=
=
( )
.

n Fig. 7.21 a) am reprezentat caracteristica de transfer a unui tranzistor JFET (care are obligatoriu
canal iniial) mpreun cu aceea a unui tranzistor MOSFET cu canal indus. Se observ faptul c ele sunt
asemntoare, aceea a tranzistorului JFET fiind deplasat pe axa tensiunilor spre valori negative. La
tranzistorul JFET, cu tensiune nul ntre poart i surs curentul de dren nu este nul i valoarea sa este un
parametru important al tranzistorului, fiind notat cu I
DSS
.

0.0
5.0m
10.0m
15.0m
20.0m
25.0m
I
D
(A)
V
GS
(V)
I
DSS
-3 -2 -1 0 1
N JFET
V
P
V
T
NMOS
canal indus
canal initial
V
GS
0
V
P
g
m max
=
g
m max
I
DSS
2
V
P
a)
b)
g
m
0

Fig. 7.21. Caracteristica de transfer pentru tranzistoare JFETi MOSFET cu canal indus (a) i dependena
transconductanei de tensiunea V
GS
pentru JFET (b).
Canalul existent iniial poate fi nchis progresiv prin aplicarea unei tensiuni poart-surs negative. Cnd
valoarea ei ajunge la V
P
, numit tensiune de blocare sau tiere (cutoff voltage sau pinch-off voltage n
englez), curentul de dren devine nul. Pentru tensiuni V
DS
suficient de mari (vom vedea mai trziu ct de
mari), curentul depinde parabolic de tensiunea poart-surs V
GS

P GS
P
GS
DSS D
P GS D
V V
V
V
I I
V V I
>
|
|
.
|
\
|
=
< =
pentru 1
pentru 0
2
(7.10)

S comparm relaia anterioar cu aceea de la tranzistorul MOSFET: I K V V
D GS T
= ( )
2
. La prima
vedere par diferite dar, dac facem nlocuirile

V V
I V K
P T
DSS
P
2 , (7.11)


observm c avem, de fapt, exact aceeai dependen. Formele sub care se utilizeaz sunt diferite pentru c la
JFET este comod s folosim ca parametru curentul de dren I
DSS
(definit la V
GS
= 0).
Din acest motiv,
toate relaiile de la seciunea precedent, unde am abordat tranzistoarele MOSFET, rmn valabile i pentru
tranzistoarele JFET.
Relaiile vor aprea puin diferite ca form, dar cu nlocuirile (7.11) ele devin identice.
Ca i la tranzistoarele MOSFET, parametrii tranzistoarelor sunt puternic mprtiai tehnologic:
tensiunea de tiere poate avea o dispersie de 5V iar I
DSS
o variaie n raportul 5 la 1. Aa cum am vzut,
aceasta produce o slab predictibilitate a punctului de funcionare.
La variaii mici n jurul unui punct de funcionare, aciunea tranzistorului poate fi descris prin
transconductana g
dI
dV
m
D
GS
= care este chiar panta caracteristicii de transfer n punctul respectiv. Din relaia
(7.10) rezult c transconductana este proporional cu radicalul din curentul de dren

( )
D
P
DSS
P GS
P
DSS
m
I
V
I
V V
V
I
g 2 2
2
= =
. (7.12)

Dependena transconductanei de tensiunea V
GS
a fost reprezentat n Fig. 7.21 b); valoarea ei maxim a
trasconductanei se obine cu poarta legat la surs, cnd V
GS
= 0:

g
I
V
m
DSS
P
max
= 2
. (7.13)
Dac aplicm pe poart o tensiune mai mare dect tensiunea de prag, familia de caracteristici de ieire
are forma din Fig. 7.22. Fiecare din caracteristici prezint dou regiuni distincte.

0 5 10 15 20
-4.0
-2.0
0.0
2.0
4.0
6.0
8.0
10.0
V DS (V)
I D
(mA)
= 3 V V GS -V P
= 2.5 V V GS -V P
= 2 V V GS -V P
= 1.5 V V GS -V P
V GS = 0 V
GS V = -0.5 V
GS V = -1.0 V
GS V = -1.5 V
curentul de saturatie
proportional cu
V GS -V P (
)
2
panta
proportionala
cu
V GS -V P
sursa de curent (saturatie)
regiune de
rezistor
regiune de

Fig. 7.22. Caracteristici de ieire pentru tranzistorul JFET.

La valori V
DS
mici, curentul de dren este aproximativ proporional cu tensiunea dren-surs,
tranzistorul comportnd-se ca un rezistor.
Valoarea rezistenei ohmice echivalente depinde de tensiunea aplicat pe poart; avem o regiune de rezisten
controlat. Pentru tensiuni dren surs mici n valoare absolut, aceast regiune se continu i la tensiuni
dren-surs negativ.
n aceast regiune, dependena curentului de surs poate fi aproximat prin

( )
DS P GS
P
DSS
D
V V V
V
I
I ~
2
2 ; (7.14)

tranzistorul are o comportare de rezistor, cu rezistena

( )
P GS DSS
P
DS
V V I
V
R
=
2
2
(7.15)

controlat de tensiunea aplicat pe poart. Valoarea minim a acestei rezistene se obine cnd poarta este
legat la surs i V
GS
= 0. n aceste condiii,

R
V
I
DS min
P
DSS
=
2
(7.16)

n cealalt regiune tranzistorul are o comportare complet diferit:
la valori V
DS
mari, curentul nceteaz practic s mai depind de tensiunea dren-surs, ieirea comportndu-
se ca o surs de curent controlat de tensiunea de poart..
n regiunea de surs de curent controlat, este valabil relaia (7.10) i aici am ridicat caracteristica de
transfer i am definit transconductana. Cu tranzistorul n acest regim de funcionare putem realiza
amplificatoare (pentru c I
D
nu este saturat n raport cu mrimea de intrare V
GS
ci, din contr, este
controlat practic numai de aceasta).
Comparaia relaiei (7.16) cu (7.12) arat un lucru interesant i util: alegnd o tensiune de poart,
rezistena din regiunea de rezisten controlat este inversul transconductanei din regiunea de saturaie.
De asemenea, este util s cunoatem o limit aproximativ ntre aceste dou regiuni. Astfel,
pentru o tensiune poart-surs fixat, frontiera ntre regiunea de rezistor controlat i aceea de surs de curent
controlat este la o valoare a tensinii dren-surs egal cu comanda porii V V V
DS GS P limita
= .
n Fig. 7.22 aceast frontier a fost desenat cu linie ntrerupt.


mbuntirea liniaritii n regiunea de rezisten controlat
n regiunea de rezistena controlat, dependena mai exact a curentului de dren este dat de relaia

( ) | |
DS DS P GS
P
DSS
D
V V V V
V
I
I 2 2
2
= ; (7.17)

Din analiza acesteia rezult c liniaritatea poate fi mbuntit dac tensiunea de poart, n loc s fie
inut constant, variaz dup legea V V
GS DS
= + const. 2 . Acest
lucru l realizeaz circuitul din Fig. 7.23. Exprimnd prin teorema
Milman potenialul porii, avem V V V V
GS G DS
= = +
1
2 2.
nlocuind acum n relaia (7.17) termenul V
DS
2 din parantez
dispare i obinem o relaie de proporionalitate ntre curent i
tensiune

( )
DS T D
V V V K I = 2 2
1
; (7.18)

astfel, rezult o comportare de rezistor fr s mai fie nevoie s
folosim aproximaia V V V
DS GS P
<< . Extinderea regiunii de
liniaritate nu este nsa prea mare, ntruct nsi relaia (7.17) este o
aproximaie care i nceteaz valabilitatea la tensiuni dren surs
mari.

2.C. Surse de curent cu JFET

Cel mai simplu circuit cu JFET este cel din Fig. 7.24 a): legm poarta la surs i am obinut o surs de
curent (de fapt, un "absorbant" de curent). Acest lucru este evident pe caracteristica de ieire trasat la
V
GS
= 0, adic cu poarta i sursa n scurtcircuit (desenul b). Singurul lucru de care trebuie s avem grij este
ca tensiunea dren-surs, cobornd, s nu se apropie de valoarea ( ) 0 = V V
P P
de unde tranzistorul ncepe
s semene cu o rezisten.
sarcina
+V
DD
I
DSS
a)
V
DS
I
D
V
GS
= 0 V
I
D nu este
perfect constant
c)
I
D
V
GS
I
DSS
0
V
P
0
b)
punct de
func\ionare

Fig. 7.24. Surs de curent cu JFET.

100 k
100 k
V 1
V D = V DS
V G
(negativa)

Fig. 7.23. Circuit pentru
mbuntirea liniaritii in
regiunea de rezisten controlat.

Circuitul precedent este simplu, dar prezint dou dezavantaje. n primul rnd, valoarea curentului
sursei nu poate fi programat de ctre proiectant, fiind egal cu I
DSS
(desenul c). }i cum acest parametru are
o mprtiere tehnologic mare (ajungnd chiar la 1:5)... Exist ns asemenea circuite, gata selectate de
productor dup valorile lui I
DSS
i vndute ca surse de curent. Totui, n aplicaii este nevoie uneori s
ajustm fin valoarea sursei de curent. Un al doilea dezavantaj al circuitului este acela c intensitatea curentului
de dren nu este perfect constant, crescnd uor cu tensiunea V
DS
: sursa de curent nu este una ideal.
O rezolvare comun pentru aceste dezavantaje poate fi gsit dac ne amintim c o problem
asemntoare am ntlnit la tranzistoarele bipolare cnd menineam V
BE
constant. Soluia era s intercalm o
rezisten n circuitul emitorului i aceasta este rezolvarea (parial) i a dezavantajelor amintite mai sus.
Ajungem, astfel, la sursa de curent perfecionat din Fig. 7.25 a).
sarcina
+V DD
I D
a)
R S
V S
+
-
-
V GS = I D R S
I D
V GS
I
DSS
0 V P
0
punct de
functionare
solutie falsa
b)
V GS V P
I D
0
0
M
P
Q
A I D
A I
D
c)
la V DS1
la V DS2
dreapta de
sarcina cu
panta -1/R
S

N
Fig. 7.25. Surs de curent cu rezistor conectat n sursa.tranzistorului.
Pentru determinarea punctului de funcionare putem ncerca s rezolvm nite ecuaii (sunt de gradul doi
i le putem rezolva prin radicali) sau putem apela la o metod grafic (desenul b). Una din ecuaii este chiar
caracteristica de transfer I f V
D GS
=
=
( )
V const.
DS
iar cealalt este V I R I R
GS D S D S
= = 0 . Aceasta din
urm, scris sub foma I V R
D GS D
= are ca reprezentare grafic o dreapt de pant negativ ce trece prin
origine. La intersecia celor dou curbe se gsete punctul de funcionare cutat.
Observaie: Dac am fi rezolvat sistemul de ecuaii am fi gsit dou soluii; cea cu valoare mai mare
pentru I
D
corespunde ramurii din stnga a parabolei, care nu face parte din caracteristic i trebuie
ignorat.
Dac modificm valoarea rezistenei din dren, se modific i panta "dreptei de sarcin" i putem,
astfel, ajusta valoarea sursei de curent ntre zero i I
DSS
. Introducerea rezistenei R
S
mbuntete i
comportarea sursei de curent, aa cum se poate constata n Fig. 7.25 c). Aici am trasat caracteristica de
transfer pentru dou valori diferite ale tensiunii dren-surs, exagernd influena acestei tensiuni asupra
caracteristicii.. Dac sursa ar fi legat direct la mas (V
GS
= 0), punctul de funcionare s-ar deplasa la
modificarea lui V
DS
, din M n N pe axa vertical a graficului. n cazul introducerii rezistenei R
S
,
modificarea punctului de funcionare are loc din poziia P n poziia Q. Este clar c variaia curentului I
D
este
mai mic dect n prima situaie i este cu att mai mic cu ct dreapta de sarcin se apropie de orizontal,
adic cu ct rezistena R
S
crete.
Creterea rezistenei din surs apropie funcionarea sursei de curent de cea ideal.


2.D. Repetorul pe surs (source follower n limba englez)

Introducerea rezistenei R
S
ne-a permis s aducem tranzistorul n punctul de funcionare dorit fr s
fie nevoie de utilizarea unei surse negative pentru polarizarea porii. Acest truc poart numele de negativare
automat i a fost inventat pe vremea tuburilor electronice. Acelai circuit poate fi utilizat i pentru a
ndeplini o cu totul alt funcie (Fig. 7.26 a).

a)
+V
DD
R
S
V
S
+
-
+
-
V
in
out
V
GS
= - I
D
R
S
V
in
I
D
V
GS
I
DSS
0 V
P
0
b)
V
in
AV
GS
AV
in
t
V
in
V
GS ~ const.
c)
V
out
=
V
GS
V
out

Fig. 7.26. Repetorul pe surs.

Conectm drena direct la alimentarea pozitiv, desfacem poarta de la mas i o legm la o tensiune de
intrare V
in
variabil i noul circuit este gata. Ca s nelegem funcionarea sa, revenim la metoda dreptei de
sarcin (desenul b). Acum ns, expresia lui V
GS
are forma V V I R
GS in D S
= , care conduce la

I
V
R
V
R
D
in
S
GS
S
= . (7.19)

Dreapta de sarcin are n continuare panta 1 R
S
dar nu mai trece prin origine ci intersecteaz axa orizontal
la coordonata V
in
.
S urmrim ce se ntmpl dac tensiunea de intrare V
in
sufer variaii mici (exagerate pe desen pentru
a fi mai uor vizibile). Dreapta de sarcin se deplaseaz paralel cu ea nsi, fiind translatat pe orizontal cu
AV
in
. Dac dreapta de sarcin are panta (n modul) mult mai mic dect panta g
m
a caracteristicii de transfer

1 1 R g R g
S m s m
<< >> ) (7.20)

atunci variaiile tensiunii poart-surs sunt mult mai mici dect acelea ale tensiunii de intrare

A A A A A A V V V V V V
GS in S in GS in
<< = ~ . (7.21)

n aceste condiii, variaiile tensiunii de intrare se regsesc (puin atenuate) ca variaii ale potenialului
sursei, aa cum se observ n desenul c, unde am desenat evoluiile n timp ale celor dou poteniale; am
obinut un circuit repetor. Avantajul lui esenial este c intensitatea curentului absorbit de la sursa de semnal
este extrem de mic (zeci de nA la frecven nul i determinat de capacitatea de intrare la frecvene mari).

Putem chiar s calculm ct de bine sunt repetate variaiile de tensiune. Dac presupunem c variaiile
lui V
in
sunt suficient de mici astfel nct AI I
D D
<<1, putem exprima variaia A I
D
a curentului
de dren cu ajutorul transconductanei calculate n acel punct de funcionare
( )
out in m GS m D
V V g V g I A A = A = A . Pe de alt parte, variaia tensiunii de ieire este dat de legea lui Ohm
A A V R I
out s D
= . Din cele dou relaii rezult amplificarea repetorului

A
V
V g R
V
out
in m S
= =
+
A
A
1
1 1 ( )
, (7.22)

ntodeauna subunitar.
Dei variaiile lor sunt aproximativ egale, ntre potenialul ieirii i cel al intrrii exist un decalaj
(offset n limba englez), potenialul ieirii fiind mai ridicat cu V V
GS P
< dect cel al intrrii.
Pentru ndeplinirea mai bun a condiiei (7.20), o soluie elegant este
intercalarea n circuitul sursei tranzistorului a unei surse de curent (pe care
tocmai am studiat-o), ca n Fig. 7.27. Astfel, dreapta de sarcin devine
practic orizontal. Pentru a nu avea probleme cu compliana sursei de curent
a trebuit s utilizm o alimentare diferenial (dou surse de alimentare,
una pozitiv fa de mas i una negativ).
Dac tranzistoarele sunt perfect identice (aceleai valori pentru V
P
i
I
DSS
) i mutm borna de ieire n drena lui T
2
, se mai ntmpl un miracol:
dispare decalajul dintre potenialele intrrii i ieirii. Acest lucru poate fi
explicat n modul urmtor. Ambele tranzistoare funcioneaz la acelai
curent de dren i, deci, vor avea obligatoriu aceeai valoare a tensiunii V
GS

poart-surs. Pe de alt parte, cele dou rezistoare sunt egale i sunt
parcurse de acelai curent. Pentru c, la tranzistorul T
2
, V I R
G D 2
0 = ,
acelai lucru se va ntmpla i a tranzistorul T
1
, adic potenialul V
out
va fi
egal cu potenialul V
in
. n realitate, chiar dac tranzistoarele sunt bine
mperecheate, fiind realizate pe acelai "chip" de siliciu, o mic valoare a
decalajului rmne.

2.E. Atenuatorul controlat

Am folosit de multe ori un divizor rezistiv pentru a produce o tensiune continu de valoare convenabil.
Acelai dispozitiv poate fi utilizat, ns, i ca atenuator, pentru a aplica pe o rezisten de sarcin un semnal
de tensiune de amplitudine mai mic dect cel produs de generator (Fig. 7.28 a). O aplicaie standard este
poteniometrul de volum cu care reglai intensitatea semnalului sonor la un amplificator audio.
Dezavantajul poteniometrului este c atenuarea sa nu poate fi controlat dect mecanic; dac am dori s-
o controlm electronic, ne-ar trebui un motora care s roteasc axul poteniometrului. Tranzistoarele cu efect
de cmp, datorit regiunii lor de rezisten controlat, permit realizarea unor atenuatoare controlate de o
tensiune electric.
+V
DD
+
-
V
in
V
S1
R
R
-V
SS
V
out
T
1
T
2
V
S2
V
D2
V
G1
V
G2
+
-
+
-
R I
D
R I
D

Fig. 7.27. Repetor
perfecionat.


a)
out
in
R
1
0
0
R
2
b)
out
in
R
1
0
0
V
CONTR
s ( 0)
10 k
c)
out
in
R
1
V
CONTR
s ( 0)
10 k
1 M
1 M

Fig. 7.28. Atenuator cu divizor rezistiv (a) i atenuatoare cu tranzistor JFET (b) i (c).
Tot ce avem de fcut este s nlocuim rezistena R
2
a divizorului cu tranzistorul FET i s controlm
tensiunea sa poart-surs (desenul b al figurii). La valoarea nul a tensiunii de control, tranzistorul prezint o
rezisten de valoare minim, egal, conform relaiei (7.16), cu V I
P DSS
( ) 2 . n aceste condiii, ntre
amplitudinile semnalelor de intrare i ieire avem relaia

A
A
V
V
R
R R
V
V I R
out
in
DS
DS
P
P DSS
=
+
=
+
1 1
2
. (7.23)

Pe de alt parte, cnd tensiunea de control, negativ, ajunge la V
P
tranzistorul este blocat i pe sarcin
se regsete ntregul semnal de intrare. La frecvene mari se produce, totui, o atenuare datorit capacitii
tranzistorului.
Pentru a apropia i mai mult comportarea tranzistorului de aceea a unui rezistor, se poate utiliza
adunarea, peste tensiunea de control, a cantitii V
DS
2 ca n Fig. 7.28 c), aa cum am discutat mai nainte.
Chiar i cu acest truc, trebuie s avem grij ca amplitudinea semnalului s nu fie mai mare de cteva zecimi de
volt, altfel acesta va fi distorsionat datorit dependenei neliniare I f V
D DS
= ( ).


-Tranzistoarele JFET nu pot fi realizate dect avnd canal iniial.
-Simbolurile utilizate pentru tranzistoarele JFET sunt
S
D
G
(canal n)
i
S
D
G
(canal p)
; tot ce
urmeaz se refer la tranzistoare JFET cu canal n.
- Jonciunea poart-surs trebuie s fie invers polarizat; astfel, la tranzistoarele JFET avnd
canal de tip n, tensiunea poart-surs trebuie s fie negativ.
- La tensiune poart-surs nul V
GS
= 0 exist un curent de poart. La V
DS
mari se definete
curentul I
DSS
pentru V
GS
= 0.
-Cu nlocuirile V V
P T
i I V K
DSS
P
2
, relaiile de la JFET sunt identice cu cele de la
OSFET.
- Negativarea porii fa de surs micoreaz curentul de dren, la V V
GS P
= acesta devenind nul.
- Pentru tensiuni dren surs mari i valori ale tensiunii poart surs peste tensiunea V
P
(de
blocare) , caracteristica de transfer I f V
D GS
V
DS
=
=
( )
. const
este parabolic ( )
2
1 =
P GS DSS D
V V I I .
- Transconductana g I V
m D GS
= A A este proporional cu comanda porii V V
GS P
sau, altfel
spus, cu radical din curentul de dren.
- Caracteristicile de ieire I f V
D DS
V
GS
=
=
( )
. const
prezint dou regiuni distincte: la valori mici
ale tensiuii V
DS
tranzistorul se comport ca un rezistor cu valoarea controlat de tensiunea poart-surs
iar la tensiuni V
DS
mari tranzistorul se comport ca o surs de curent controlat de tensiunea poart-
surs.
-Frontiera ntre cele dou regiuni se gsete aproximativ la V V V
DS GS P
= .
-n regiunea de rezistor controlat, rezistena variaz invers proporional cu comanda porii
V V
GS P
.
- La aceeai tensiune de poart, rezistena din regiunea de rezistor controlat este inversul
transconductanei din regiunea de surs de curent.
- Datorit regiunii de rezistor, tranzistoarele JFET se pot utiliza n atenuatoare controlate de o
tensiune electric.
-n regiunea de surs de curent controlat, tranzistoarele JFET sunt utilizate ca surse de curent
sau repetoare pe surs.

Avantajele generice ale tranzistoarelor cu efect de cmp sunt:
-curentul de poart extrem de mic n regim de curent continuu (la MOSFET ajunge la 1 pA !);
-la tensiuni dren-surse mici ele se comport ca nite rezistoare controlate, putnd fi utilizate ca i
comutatoare analogice sau atenuatoare comandate;
-tranzistoarele MOSFET de putere ajung la rezistene n starea ON de civa m;
-tranzistoarele MOSFET de putere pot manipula cureni de zeci de amperi i tensiuni de
ordinul kilovolilor, avnd rezistene n starea ON de ctiva m;
-sunt mai stabile cu temperatura (vom reveni asupra acestui subiect n capitolul urmtor).


Termeni noi

-tensiune de blocare (strangulare) valoarea tensiunii poart-surs care, polariznd invers jonciunea
poart-canal, produce anularea curentului de dren (blocarea
tranzistorului);
-repetor pe surs (source follower) circuit cu drena legat la un potenial constant n care variaiile
potenialulului sursei sunt aproximativ egale (ntodeauna mai
mici) cu variaiile potenialului porii; ntre cele dou poteniale
exist un decalaj, aproximativ constant;
-atenuator controlat circuit similar unui divizor rezistiv n care rezistorul legat la mas
este nlocuit cu un tranzistor cu efect de cmp, operat n regiunea
de rezisten controlat, a crui rezisten R
DS
este comandat
prin potenialul porii;

Problem rezolvat
Avem la dispoziie un tranzistor JFET care are canal n i ai crui parametri au fost
determinai: experimental: V
P
= - 4V i I
DSS
= 15 mA.
a) Ne propunem, mai nti, s proiectm o surs de curent care s absoarb spre mas
2 mA..
b) Cu aceast surs de curent vom mbunti performanele unui repetor pe surs,
realizat cu un tranzistor identic. Va trebui s alegem tensiunile de alimentare i s stabilim n
ce domeniu poate evolua tensiunea de intrare.

Rezolvare
a) Schema sursei de curent este cea din Fig. 7.29; va trebui s determinm valoarea
necesar pentru rezistena R
S
. Avem la dispoziie ecuaia caracteristicii de transfer a
tranzistorului

2
1
V 4
mA 15 = mA 2 |
.
|
\
|

GS
V
;

de aici putem obine valoarea necesar pentru tensiunea V
GS

( ) V -1.46 1 15 2 V -4 = + =
GS
V .

Aceast tensiune este produs prin cderea de tensiune pe rezistena R
S
; de aici rezult imediat valoarea
acestei rezistene
R
S
= =
1.46 V
2 mA
730 O.

b) Schema repetorului perfecionat este aceea prezentat n Fig.
7.27. O relum (Fig. 7.30), utiliznd sursa de curent gata proiectat i
innd seama c cele dou rezistene trebuie s fie egale. Trecem pe
schem tensiunile poart surs i cderile de tensiune pe rezistene,
alegem valorile tensiunilor de alimentare i acum putem s spunem ntre
ce valori poate evolua tensiunea de intrare. Sursa tranzistorului T
2
este
meninut la -15 V+1.46 V=-13.5 V. Pentru el, regiunea de rezisten
controlat (care trebuie evitat) ncepe la
V V V
DS GS P
= = -1.46- (-4 V) = 2.54 V. n concluzie, drena sa ar
putea cobor pn la -13.5+2.54=-11 V. Cum nu exist decalaj ntre
intrare i ieire, tragem concluzia c potenialul intrrii nu trebuie s
coboare aproape de -11 V.
Tranzistorul T
1
lucreaz n acelai punct de funcionare; din
acest motiv, sursa sa nu trebuie s urce la un potenial mai mare de
+ ~ + V
DD
2.54 V 12.4 V. Cum potenialul intrrii este cu -1.46 V
mai cobort dect potenialul sursei, rezult c potenialul intrrii nu
trebuie s urce aproape de +11 V.

R
S
V
S
2 mA

Fig. 7.29.
+15 V
+
-
V
in
V
out
T
1
T
2
+
-
+
-
730 O
730 O
1.46 V
1.46 V
-
+
1.46 V
-
+
1.46 V
-15 V

Fig. 7.30.


Probleme propuse

P 7.2.1. Un tranzistor JFET ce are canal n are caracteristica
de transfer din Fig. 7.31.
a) Determinai I
DSS
i V
P
.
b) n jurul crui punct de funcionare are tranzistorul
transconductana g
m
de valoare maxm i care este aceast
valoare ? n ce regiune de funcionare trebuie s se gseasc
tranzistorul i ct trebuie s fie V
DS
?
c) La ce tensiune V
GS
are tranzistorul rezistena R
DS
de
valoare minim i care este aceast valoare ? n ce regiune de
funcionare trebuie s se gseasc tranzistorul i ct trebuie s fie
V
DS
?
P 7.2.2. Calculai punctul static
de funcionare al circuitului din Fig.
7.32, dac tranzistorul are
caracteristica de transfer din Fig. 7.31 (utilizai metoda dreptei de sarcin).
P 7.2.3. Un tranzistor JFET are parametrii (msurai) I
DSS
= 3 mA i
V
P
= - 4 V; el este utilizat n circuitul din Fig. 7.24 a). Determinai ce rezisten
trebuie s montm n circuitul sursei, pentru a obine un curent I
D
= 1 mA.
P 7.2.4. Dup ce ai calculat i montat rezistena, ai luat, din greeal un
alt exemplar din cutia cu tranzistoare. Acesta are parametrii I
DSS
=1 mA 5 i
V
P
= - 1 V. Ce valoare va avea curenul de dren n locul celei impuse de 1 mA ?
P 7.2.5. Circuitul de la problema P 7.2.3
este utilizat ca repetor pe surs (Fig. 7.33),
tensiunea de intrare avnd variaii mici.
a) Calculai decalajul ntre tensiunea de
intrare i cea de ieire.
b) Determinai amplificarea repetorului.
P 7.2.6. Tensiunea de intrarea a repetorului din problema precedent a
crescut att de mult nct tensiunea V
GS
a ajuns aproape zero.
a) Ct este valoarea tensiunii de intrare la care se ntmpl acest lucru ?
b) Recalculai amplificarea repetorului pentru variaii mici n jurul
acestui nou punct de funcionare.
c) Comparai cele dou amplificri i tragei o concluzie asupra
distorsiunilor produse de repetor dac tensiunea de intrare are o excursie prea
mare.
P 7.2.7. Circuitul din Fig. 7.34 este un repetor perfecionat, care are montat n surs o surs de curent.
Presupunnd ambele tranzistoare identice, cu I
DSS
= 5 mA i V
P
= - 2 V, determinai valoarea necesar
pentru cele dou rezistene (identice). Ct va fi decalajul dintre tensiunea de ieire i cea de
intrare ?
P 7.2.8. ntre ce limite poate varia tensiunea de intrare cu condiia ca nici unul din tranzistoare s nu
ajung n regiunea de rezisten controlat ? (revedei problema rezolvat)

-3 -2 -1 0
0
5
10
15
V
GS
(V)
I
D (mA)

Fig. 7.31. + 15 V
240 O 1 M
1.5 k

Fig. 7.32.
+V
DD
R
S
V
S
+
-
V
in
out
V
out =
V
GS

Fig. 7.33.

P 7.2.9. Att n problema precedent ct i n cea rezolvat, calculul
domeniului maxim admis pentru tensiunea de intrare a fost fcut de la
nceput numeric. Din aceast cauz, am scpat un rezultat interesant.
Reluai calculul pstrnd tensiunea V
P
ca variabil literal (simbolic) i
ncercai s artai c limitele acestui domeniu sunt + V V
DD P
i
+ V V
SS P
.
P 7.2.10. La atenuatorul controlat din
Fig. 7.35 tensiunea de control poate fi
modificat ntre zero i o valoare negativ,
mai mare n valoare absolut dect
V
P
= -3 V. }tiind, n plus, c tranzistorul
are I
DSS
= 10 mA, calculai ntre ce limite
poate fi controlat atenuarea, definit ca
A A V V
in out
. ntre ce limite aproximative
trebuie s evolueze potenialul intrrii
pentru ca tranzistorul s se comporte ca o rezisten ?

+15 V
+
-
V
in
V
out
T
1
T
2
-15 V
R
R
V
DD
V
SS
+
-

Fig. 7.34.
out
in
V
CONTR
s ( 0)
10 k

Fig. 7.35.



Experimentul 1. Caracteristica de transfer

Desenai pe caiet circuitul din Fig. 7.36 i stabilii sensurile curenilor i polaritile necesare pentru
aparatele de msur. Divizorul rezistiv este utilizat pentru a putea controla mai fin tensiunea de poart din
butonul de reglaj al sursei V
A1
. Voltmetrul nu a fost legat chiar n poart pentru a nu fi neaprat necesar ca el
s fie electronic (justificai de ce !).

D
S
G
1 M
mA
+
-
+
-
V
A1
V
A2
0 - 10 V
0 - 15 V
V
10 k
5 k

Fig. 7.36. Montaj experimental pentru trasarea caracteristicilor statice.

Realizai circuitul. ncepei experimentul, determinnd curentul I
DSS
definit la V
GS
= 0. Pentru a fi
siguri c avei o tensiune poart-surs nul (unele surse de alimentare nu coboar exact la zero) desfacei firele
care merg la sursa V
A1
i legai-le n scurtcircuit. Comutai miliampermetrul legat n dren pe scala de 30 mA
i stabilii V
DS
= 10 V. Notai-v valoarea paramtrului I
DSS
al tranzistorului.
Desfacei acum scurtcircuitul i conectai sursa de alimentare V
A1
(atenie la polaritate, ea trebuie s fie
negativ fa de mas). Cretei (n valoare absolut) tensiunea pe poart observnd nchiderea progresiv a
tranzistorului. Notai-v tensiunea de prag, la care curentul de dren devine nul.
Ridicai caracteristica I f V
D GS
= ( ) obinnd 10 -12 puncte experimentale, i desenai-o n scar
liniar (graficul va fi n cadranul doi). Pentru verificarea relaiei ptratice I f V
D GS
= ( ), cel mai simplu este
s reprezentm grafic I I f V
D DSS GS
= ( ), pentru c ar trebui s obinem a linie dreapt. Facei acest
lucru i formulai o concluzie asupra valabilitii acestei relaii.
Reluai determinarea tensiunii de prag i a caracteristicii, pentru o tensiune dren-surs de 15 V.
Desenai-o n scar liniar, pe acelai grafic cu cea trasat la V
DS
=10 V. Cum afecteaz tensiunea dren-
surs caracteristica de transfer ? Este important valoarea V
DS
atunci cnd se d parametrul I
DSS
?
Determinai transconductana din panta graficului caracteristicii de transfer, la V
GS
= 0 V i la
I
D
=1 mA. La aceast ultim valoare a curentului, un tranzistor bipolar are o transconductan de
g
m
= 1 mA 25 mV = 40 mS. Cum este, fa de aceasta, transconductana tranzistorului JFET ?


Polarizai poarta la V V
GS P
= + 0 V .2 . Ridicai caracteristica de ieire I f V
D DS V const
GS
=
=
( )
.

modificnd tensiunea dren-surs ntre zero i 10 voli. Repetai, apoi, experimentul, pentru
V V
GS P
= + 0 V .4 i V V
GS P
= + 0 6 . V. Desenai cele trei caracteristici pe un singur grafic, n scar
liniar. Marcai pe fiecare din cele trei caracteristici punctul care are coordonata V
DS
egal cu valoarea
V V
GS P
corespunztoare acelei caracteristici. Putei trage o concluzie asupra frontierei aproximative dintre
regiunea de saturaie i cea de rezisten controlat ?

Experimentul 3. Repetorul pe surs

Vei utiliza acum un repetor pe surs cu JFET ntr-o aplicaie tipic: urmrirea evoluiei n timp a unui
potenial, absorbind un curent ct mai mic din acel nod pentru a nu perturba starea circuitului. Vom investiga
descrcarea unui condensator de 1 F (Fig. 7.37 a). La apsarea butonului B, condensatorul se ncarc rapid
prin rezistena de 1 kO la tensiunea de 5 V. ncetnd apsarea butonului, condensatorul rmne izolat de restul
circuitului i se va decrca extrem de ncet prin rezistena "de pierderi" a dielectricului, pe cae am figurat-o cu
linie puncatat. Am dori s vizualizm cu osciloscopul acest proces de descrcare. Pentru aceasta, trebuie s
conectm n punctul M sonda osciloscopului iar masa sa la masa circuitului.

B
+10 V
+5 V
1 k
1 F
sonda
osciloscopului
B
+10 V
+5 V
1 k
1 F
R
s
out
+10 V
in
a) b)
M
M

Fig. 7.37. Vizualizarea decrcrii unui condensator.
Amplificatorul de intrare al osciloscopului va extrage, ns, curent din condensator. Rezistena
echivalent a intrrii amplificatorului este notat pe carcasa osciloscopului : 1 MO. Din acest motiv, n
momentul iniial, curentul absorbit a fi I
ini
= 5 V 1 M = 5 A O . Datorit acestui curent, tensiunea pe
condensator va ncepe s scad cu o vitez iniial

A A V t I C
ini
= = = 5 A 1 F 5 V s ,

vitez care va deveni din ce n ce mai mic, pe msur ce condensatorul se descarc.
Alimentai planeta, cuplai sonda osciloscopului la condensator i ncercai s estimai viteza iniial de
variaie a tensiunii, apsnd i relaxnd butonul de ncrcare. Msurai apoi timpul necesar descrcrii
(considerai c s-a descrcat cnd tensiunea coboar sub o zecime din valoarea iniial).
Pentru a ti dac sonda perturb semnificativ descrcarea condensatorului, reluai experimentul, dar cu
o procedur modificat. Desfacei sonda de la condensator, ncrcai-l i apoi lsai-l s se descarce "singur"
(fr sond) un timp de cteva zeci de secunde. Apoi conectai sonda i notai-v valoarea iniial a tensiunii.


Aminitii-va c n experimentul precedent, n acest interval de timp, condensatorul s-ar fi descarcat aproape
complet prin rezistena de intrare a osciloscopului.
A venit momentul s utilizm repetorul cu JFET. Conectai sonda la ieirea sa (sursa tranzistorului) iar
intrarea (poarta) conectai-o la condensator, ca n desenul b) al figurii. Apsai butonul de ncrcare, care face
ca tensiunea pe condensator s devin 5 V. Fr s ncetai apsarea butonului, msurai tensiunea pe care o
arat osciloscopul la ieirea repetorului. Notai-v valoarea sa. De ce este mai mare dect tensiunea dect 5 V ?
Ridicai degetul de pe buton i urmrii descrcarea condensatorului. Repetai experimentul i ncercai s
estimai viteza de variaie a tensiunii. De aici, utiliznd formula precdent, estimai curentul de descrcare al
condensatorului. Ce putei spune despre mrimea curentului de poart ?

Experimentul 4. Atenuatorul controlat i modulaia de amplitudine

Avei pe planet un atenuator controlat, cu schema din Fig. 7.38. Alimentai planeta i apoi
determinai cu osciloscopul frecvena i amplitudinea (vrf la vrf) a semnalului produs de generatorul de
semnal, care este aplicat la intrarea atenuatorului. Legai poarta tranzistorului la poteniometru, mutai sonda
osciloscopului la ieire i urmrii modificarea amplitudinii, atunci cnd variai tensiunea de control a
atenuatorului, cu ajutorul poteniometrului.
generator de
semnal
-10 V
+10 V
GND
+
-
+
-
alimentarea
plansetei
A
-10 V
Pot.
V
CONTR
out
10 k
in
1 M
1 M

Fig. 7.38.

Determinai ntre ce limite se modifc atenuarea (raportul ntre amplitudinile de la intrare i ieire) i
calculai, de aici, rezistena minim a tranzistorului.
Modificarea atenurii o puteai face i prin montarea unei rezistene reglabile n locul tranzistorului.
Atenuatorul cu tranzistor v permite, n plus, controlul electronic al atenurii (prin variaia unei tensiuni). Pe
aceeai planet mai avei un generator de semnal, cu frecven mult mai cobort i form de und aproape
triunghiular. Desfacei poarta tranzistorului de la poteniometru i legai-o la ieirea acestui generator de
semnal, ca n Fig. 7.39. De data aceasta, generatorul de semnal B va face ce ai fi fcut dumneavoastr dac
ai fi modificat mereu nainte i napoi poziia poteniometrului: amplitudinea semnalului de la ieire se va
modifica periodic n timp.

Vizualizai cu osciloscopul semnalul dat de generatorul B i desenai-l pe caiet. Mutai, apoi, sonda
osciloscopului la ieirea atenuatorului i observai ce se ntmpl. Formulai o concluzie.
Se spune c semnalul de la intrare a fost modulat n amplitudine de ctre semnalul produs de
generatorul B, de frecven mult mai mic. Modulaia n amplitudine (prescurat MA n romn i AM n
englez) st la baza transmiterii radiofonice n benzile de unde lungi, medii i scurte. Acolo, un semnal
sinusoidal, de frecven ajungnd pn la civa MHz, numit purttoare (carrier n englez) este modulat n
amplitudine de ctre semnalul sonor care variaz mult mai lent, avnd componente doar pn la 20 kHz.
Motivul este acela c oscilaiile electromagnetice de frecvene mari pot fi mult mai uor transmise i
recepionate dect cele de frecvene mici.

out
in
10 k
generator de
semnal
A
generator de
semnal
B
100k
10 nF
D (germaniu)
demodulator MA
1 M
1 M

Fig.7.39.

La recepie, trebuie efecuat operaia invers, demodulaia de amplitudine. Un circuit simplu care
realizeaz aceast funcie este cel prezentat n figur. Conectai-l la ieirea atenuatorului i verificai c el
reface aproximativ semnalul produs de generatorul B.

CAPITOLUL

Efectul temperaturii asupra
caracteristicilor dispozitivelor
semiconductoare

2 mV
dreapta de
sarcina
u la temperatura
u
la temperatura
+ 1 grad
M
N
I
C
V
BE
0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6 1.8 2.0
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
2.0
polarizare fix`
polarizare colector-baz`
I
C
I
C
(o)
| |
(o)
aici a fost proiectat
s` func\ioneze circuitul
divizor rezistiv [n baz` ]i rezistor [n emitor
polarizare fix`
cu rezistor [n emitor

A. Termistori 258
B. Diode semiconductoare 259
C. Tranzistoare bipolare 262
D. Tranzistoare cu efect de cmp 275

Mecanismul conduciei n semiconductoare este diferit de acela al conduciei n metale. Din acest motiv,
n timp ce la metale modificarea temperaturii are un efect foarte slab asupra conductivitii (variaii de cteva
miimi pe grad), caracteristicile dispozitivelor semiconductoare sunt influenate mult mai puternic de
temperatur. n general, acesta este un inconvenient important n utilizarea lor n circuitele electronice, mai
ales n cazul tranzistoarelor i al amplificatoarelor integrate. n anumite situaii ns, cum este cazul
termistorilor i, mai rar, al diodelor, efectul temperaturii este utilizat pentru obinerea unor senzori de
temperatur.

A. Termistori

Termistorii sunt elemente de circuit cu dou
borne (dipoli), utilizai pentru c rezistena lor
depinde puternic de temperatur. Cei mai comuni
sunt aceia la care rezistena scade cu temperatura,
avnd coeficientul de temperatur
A
A
R
R T
negativ,
numii n limba englez NTC (Negative Temperature
Coefficient) thermistors. n anumite aplicaii se
ntlnesc, ns, i termistori cu coeficient de
temperatur pozitiv (PTC thermistors).
Ne vom referi n continuare numai la
termistorii NTC; ei sunt construii din materiale
semiconductoare intrinseci (oxid de mangan, oxid de
cupru, oxid de zinc, etc.). Dac temperatura n tot
volumul termistorului ar fi meninut constant,
termistorul ar avea o comportare de rezistor;
rezistena sa variaz, ns, puternic cu temperatura.
Aceast dependen este destul de bine descris de relaia

|
|
.
|
\
|
=
0
1 1
0
T T
B
e R R (8.1)

unde T este temperatura n K, R
0
este rezistena termistorului la temperatura T
0
iar B este o constant ce
depinde de material i tehnologia de fabricaie, avnd valori n jur de 4000 K. n Fig. 8.1 este reprezentat
grafic dependena de temperatur a unui astfel de termistor; pentru comoditatea interpretrii axa
temperaturilor a fost marcat n grade Celsius.
Coeficientul de temperatur, definit ca
A
A
R
R T
, este aproximativ constant, astfel c
rezistena unui termistor NTC scade cu aproximativ 4 % pe grad, njumtindu-se la o nclzire de 15-
20
o
C.
Temperatura termistorului se poate modifica datorit variaiei temperaturii ambiante (a corpului cu care
este n contact termic), termistorul fiind utilizat n aceast situaie ca senzor de temperatur. Datorit
sensibilitii sale termice ridicate, el este preferat atunci cnd trebuie sesizate varaiii foarte mici de
20 30 40 50 60 70 80 90 100
0.0
2.0k
4.0k
6.0k
8.0k
10.0k
temperatura ( C)
o
R ( ) O

Fig. 8.1. Dependena de temperatur a
rezistenei unui termistor NTC.

Cap. 8. Dependena de temperatur a caracteristicilor 259
dispozitivelor semiconductoare

temperatur (de exemplu, sisteme de termostatare care menin temperatura constant n limita a 10
-5
grade
sau msurarea nclzirii produse la absorbia unei radiaii electromagnetice). Din acelai motiv, utilizarea unui
senzor de temperatur cu termistor este o soluie bun atunci cnd electronica de prelucrare trebuie s fie
simpl. Pe de alt parte, termistorul este utilizat n anumite circuite unde variaia cu temperatura a rezistenei
sale compenseaz efectele nedorite ale variaiei cu temperatura a caracteristicilor altor componente (n special
tranzistoare). Dezavantajele sale ca senzor de temperatur sunt legate de puternica neliniaritate a variaiei
temperaturii (Fig. 8.1) i abaterile de la expresia simpl (8.1).
Dac termistorul este parcurs de un curent electric, o alt cauz a variaiei temperaturii sale o constituie
autonclzirea datorit puterii disipate prin efect Joule. Cnd termistorul este utilizat ca senzor de temperatur,
acest efect trebuie s fie fcut negliabil prin msurarea rezistenei sale cu un curent "de interogare" ct mai
mic.
Exist ns i aplicaii care folosesc scderea rezistenei prin autonclzire. Dac temperatura ambiant
este meninut constant iar curentul care l strbate este suficient de mare ca s-i modifice semnificativ
temperatura "intern", caracteristica static I f U = ( ) se modific, aprnd o regiune cu rezisten dinamic
negativ.

B. Diode semiconductoare

Caracteristica static a unei diode semiconductoare este descris de relaia

I I e
s
V
mV
T
= ( ) 1 (8.2)

unde I
s
este curentul invers de saturaie, V k T e
T B
= este potenialul termic (k
B
constanta Boltzman, T
temperatura absolut, e sarcina electronului). La temperatura camerei, potenialul termic, proporional cu
temperatura n kelvin, este de aproximativ 25 mV. Coeficientul de emisie m are valoarea 1 pentru diodele cu
germaniu i aproape 2 pentru cele cu siliciu. n regiunea V V
T
>> , unde dioda este deschis, I I
s
>> i
relaia anterioar devine

I I e
s
V
mV
T
~ . (8.2')

Logaritmnd n baza zece obinem

log .
I
I
V
mV
s T
= 0 43 (8.3)

adic o relaie liniar; valoarea curentului crete de zece ori la fiecare variaie a tensiunii egal cu 2 30 . mV
T
.
n Fig. 8.1 sunt reprezentate caracteristicile statice (cu intensitatea n scar logaritmic) pentru o diod
cu germaniu i una cu siliciu; aa cum prezice relaia (8.3), graficele sunt (aproximativ) linii drepte. Se
observ pantele diferite datorate valorilor lui m i curentul de saturaie mult mai mare la dioda cu germaniu.

0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7
1E-5
1E-4
1E-3
0.01
0.1
1
10
temperatura: 27 grade C
curentul (mA)
tensiunea (V)
siliciu
germaniu
m= 1
m 2 ~
0.1 0.2 0.3 0.4
1E-5
1E-4
1E-3
0.01
0.1
1
10
curentul (mA)
tensiunea (V)
80 C
o
60 C
o
40 C
o
20 C
o
dioda cu germaniu
a)
b)

Fig. 8.2. Caracteristici statice pentru o diod cu germaniu i una cu siliciu (a) i dependena de
temperatur a caracteristicii pentru o diod cu germaniu (b).

La prima vedere s-ar prea c dependena de temperatur a caracteristicii statice este una simpl:
creterea potenialului termic V
T
proporional cu temperatura ar micora panta caracteristicilor din
Fig. 8.2 a), rotind dreptele n sensul orar. Lucrurile sunt mai complicate, deoarece curentul de saturaie I
s
nu
este constant ci crete cu temperatura. Astfel, n afara rotaiei, dreptele sufer i o translaie n sus.
Pentru germaniu, dependena curentului de saturaie are expresia

I KT e KT e
s
V
T T
~ ~

2
0 78
2
9000
. V
; (8.4)

rezult, de aici, un coeficient de variaie de 11% pe grad. La dioda real apar, ns, i alte componente ale
curentului I
s
, care au o variaie mai lent cu temperatura. Din acest motiv,
dependena msurat a curentului invers de saturaie la diodele cu germaniu pune n eviden o variaie a
acestuia de aproximativ 7 % pe grad, adic o dublare a sa la fiecare variaie de 10 grade.
Combinnd efectul asupra lui I
s
cu efectul factorului e
V V
T
, variaia caracteristicii cu temperatura,
pentru o diod cu germaniu n conducie direct, poate fi urmrit pe Fig. 8.2 b). Efectul variaiei lui I
s
este
dominant: dac meninem tensiunea constant curentul crete practic exponenial cu temperatura,
dublndu-se la fiecare cretere cu 10 grade. Putem privi lucrurile, ns, i altfel:
meninnd curentul constant, obinem o scdere a tensiunii pe diod de aproximativ 2 mV pe grad.
Din grafic rezult c dependena tensiunii cu temperatura este suficient de liniar pentru ca dioda s fie
utilizat ca termometru de performane modeste.


Pentru diodele cu siliciu, recombinarea golurilor cu electronii are loc predominant n zona de trecere; din
acest motiv, curentul de saturaie depinde de temperatur conform relaiei

I KT e KT e
s
V
T T
= =

1 5
1
2 1 5
6900
. .
.21 V
(8.5)

care determin o cretere de aproximativ 8% pe grad.
n conducie direct att dependena lui I
s
ct i factorul e
V V
T
( ) 2
afecteaz caracteristica static, aa
cum se observ n Fig. 8.3. La creterea temperaturii, mrirea lui I
s
produce o translaie n sus a
caracteristicii, pe cnd factorul e
V V
T
( ) 2
determin o rotire a ei n sens orar, micorndu-i panta. La
temperaturi apropiate de temperatura camerei, meninnd constant tensiunea pe diod obinem o variaie a
curentului de aproximativ 7 % pe grad, aproape egal cu cea de la diodele cu germaniu. Dac se menine
constant curentul, tensiunea pe diod scade aproximativ liniar cu creterea temperaturii; pentru cureni
de ordinul miliamperilor
la curent constant, scderea tensiunii pe diodele cu siliciu este de aproximativ 2 mV pe grad, ca i la cele cu
germaniu.

0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7
1E-5
1E-4
1E-3
0.01
0.1
1
10 curentul (mA)
tensiunea (V)
40 C
o
20 C
o
60 C
o
80 C
o

Fig. 8.3. Influena temperaturii asupra caracteristicii unei diode cu siliciu.

n concluzie

indiferent de tipul lor, n conducie direct, la tensiune constant, curentul diodelor crete practic
exponenial cu temperatura, cu aproximativ 7 % pe grad, dublndu-se la fiecare nclzire cu 10 grade.
Dac se menine curentul constant, tensiunea pe diod scade liniar cu temperatura cu aproximativ
2 mV pe grad.

C. Tranzistoare bipolare

Tranzistorul ndeplinete funcia unui robinet controlat. Mrimea pe care o controleaz este intensitatea
curentului de colector iar controlul se efectueaz prin polarizarea direct a jonciunii emitor baz.
S vedem, n cteva aplicaii tipice, de ce curentul de colector trebuie s fie stabil n raport cu
temperatura ambiant. Circuitul din Fig. 8.4 a) trebuie s amplifice de 300 de ori variaii de tensiune cu
frecvena peste 20 Hz i amplitudini de ordinul milivoltului. Dac a fost proiectat corect, n absena
semnalului de intrare potenialul colectorului se gsete undeva pe la jumtatea tensiunii de alimentare, s
zicem la 8 V; aplicnd semnalul de intrare, potenialul colectorului va evolua n jurul nivelului de 8 V cu
amplitudini de ordinul a 0.3 V. Condensatorul de ieire blocheaz componenta continu i pe sarcin ajung
numai variaiile, de data aceasta ele efectundu-se n jurul nivelului de 0 V. Creterea prin nclzire a
curentului de colector coboar nivelul mediu al potenialului de colector, dar semnalul de pe sarcin va
continua s fie o versiune amplificat a semnalului de intrare; sarcina nu va sesiza c se ntmpl ceva cu
tranzistorul. Dac ns creterea curentului de colector este prea mare, potenialul colectorului coboar
aproape de nivelul masei i tranzistorul intr n saturaie ncetnd s amplifice. Cum nivelul iniial era la
jumtatea tensiunii de alimentare
o dublare a curentului de colector aduce cu siguran tranzistorul n saturaie, scond din uz amplificatorul.

T
0
V
alim
+15 V
R
C
8 V
C
2
0
V
out
a)
b)
+60 V
difuzor
T
1
T
2
R
1
R
2
R
3
I
H
I
H
sarcina

Fig. 8.4. Amplificator cu emitorul comun (a) i amplificator de putere n contratimp (b).

Nu trebuie s ajungem pn acolo pentru ca efectele s ne deranjeze. Vom vedea c la acest circuit
amplificarea variaiilor de tensiune este proporional cu valoarea medie a curentului de colector. Astfel,
nclzirea tranzistorului va produce mrirea amplitudinii variaiilor care ajung pe sarcin, lucru cu totul
neplcut, mai ales dac utilzm amplificatorul ntr-un lan de msur. Chiar n cazul unui amplificator audio,
o variaie de cteva procente a curentului de colector este tot ce putem accepta.
Situaia se schimb dramatic dac ceea ce dorim s amplificm pentru a msura este un nivel de
tensiune continu. n acest caz nu mai putem separa, cu un condensator, semnalul util de regimul de polarizare
pentru c ambele au aceeai frecven : 0 Hz. Vom vedea c o modificare cu 10 % a curentului de colector
este echivalent cu o variaie a semnalului de 2 mV. Cnd trebuie s sesizm semnale ntr-adevr mici (un


termocuplu ofer n jur de 50 V pe grad), curentul de colector ar trebui s varieze cu temperatura cu mult
mai puin de 0.1 la sut.
Dac nclzirea producea doar inutilitatea amplificatoarelor discutate pn acum, pentru tranzistoarele
din amplificatorul de putere desenat n Fig. 8. 4 b) stabilitatea termic este o chestiune de via i de moarte.
Fr semnal, circuitul de polarizare asigur trecerea unui curent de valoare mic (civa mA) prin cele dou
tranzistoare ctre mas. Principiul de funcionare al amplificatorului se bazeaz pe deschiderea pe rnd a
tranzistoarelor de ctre semnalul alternativ aplicat la intrare, curentul, cu amplitudinea de ordinul amperilor,
trecnd prin condensatorul de ieire spre difuzor. Astfel, pe tranzistoare se disip o putere apreciabil, de
ordinul zecilor de W, care produce nclzirea lor. Creterea temperaturii deschide simultan ambele tranzistoare
i un curent important I
H
ncepe s circule de la alimentarea pozitiv, prin cele dou tranzistoare, spre mas.
Puterea disipat crete suplimentar cu I V
H alim
i tranzistoarele se nclzesc i mai mult: avem o reacie
pozitiv de natur termic. Aa cum am vzut, dac gradul reaciei pozitive depete un anumit prag
sistemul devine instabil; n cazul nostru temperatura crete foarte rapid i procesul se sfrete prin distrugerea
tranzistoarelor, deoarece curentul I
H
nu este limitat de nici o rezisten.. Aceasta este ambalarea termic
(thermal run-away n englez) . Pentru a o prentmpina, n vremurile cnd se mai utilizau tranzistoare cu
germaniu, n locul rezistenei R
2
se conectau n serie doi termistori NTC n foarte bun contact termic cu
capsulele tranzistoarelor. La nclzirea excesiv a acestora, rezistena termistorilor scdea puternic, micornd
tensiunile baz-emitor ale tranzistoarelor i ncercnd s le blocheze. De multe ori, ns, creterea temperaturii
interne a tranzistoarelor, datorat reaciei pozitive, era att de rapid nct pn la nclzirea termistorilor
tranzistoarele erau deja distruse.

Observaie: n Fig. 8.4 am notat tensiunea de alimentare, ca i n capitolele anterioare, cu V
alim
. Acest
manual fiind unul introductiv, am preferat s facem acest lucru pentru a reduce la minimum riscul unor
confuzii. n schemele profesionale, tensiunea de alimentare pozitiv a circuitelor ce conin tranzistoare
bipolare este notat cu +V
CC
. Sunt dou aspecte implicate n aceast convenie. n primul rnd,
dublarea indicelui unei tensiuni este rezervat exclusiv tensiunilor de alimentare.; att pentru litera V ct i
pentru indici se folosesc majuscule deoarece este vorba de o tensiune continu.
n al doilea rnd, n cazul circuitelor cu tranzistoare bipolare tensiunea pozitiv are indicele "CC" pentru c
cele mai utilizate tranzistoare sunt cele de tip npn, la care colectorul este legat spre alimentarea pozitiv.
Tensiunea pozitiv se noteaz cu +V
CC
chiar i n cazul n care circuitul nu conine dect tranzistoare de tip
pnp, care au emitoarele legate spre alimentarea pozitiv. Pentru simetria notaiei, dac circuitul are i o
alimentare negativ fa de mas, tensiunea ei este notat cu V
EE
.

La modificarea temperaturii sau schimbarea tranzistorului cu alt exemplar, curentul de colector se
schimb. Circuitul de polarizare ncearc s "impun" tranzistorului valoarea unei anumite mrimi de control,
care s rmn constant. Dup configuraia circuitului de polarizare, aceast mrime meninut constant
poate fi curentul de emitor, curentul de baz sau tensiunea pe jonciunea emitor-baz. n oricare din aceste
situaii suntem interesai ca modificarea temperaturii s aib un efect ct mai mic asupra mrimii controlate,
care este curentul de colector. Vom analiza, pe rnd, aceste variante, identificnd modul n care temperatura
afecteaz curentul de colector.

i) Curentul de emitor este meninut constant
n funcionare normal, jonciunea emitor-baz
este polarizat direct iar jonciunea colector-baz este
polarizat invers, aa cum se vede pe desenul din
Fig. 4 a). Curentul de colector are dou componente

I I I
C E CB
= +
0
. (8.6)

Prima component, egal cu I
E
, este
determinat de curentul de emitor, unde factorul este
subunitar dar foarte apropiat de unitate (efectul de
tranzistor). Peste aceasta se suprapune curentul invers al
jonciunii colector baz, invers polarizat, care se poate
msura cu circuitul din desenul b), lsnd emitorul n gol;
cum tensiunea invers este n valoare absolut mult mai
mare dect V
T
~ 25 mV, acesta este practic curentul
invers de saturaie al jonciunii.
S presupunem c circuitul de polarizare menine
curentul de emitor constant. n aceste condiii, efectul
temperaturii asupra curentului de colector se poate
manifesta numai prin intermediului factorului sau al
curentului I
CB0
. Factorul are valori foarte apropiate
de unitate iar variaiile sale relative cu temperatura sunt
doar de cteva procente la o variaie ntre 20
o
C i 100
o
C.
Spre deosebire de acesta, curentul I
CB0
are o
dependen de temperatur extrem de puternic. El este
curentul invers de saturaie al unei jonciuni i ne ateptm
la o comportare asemntoare celei ntlnite la studiul
diodelor pentru mrimea I
s
, exprimat de relaiile (8.4) i
(8.5): o cretere aproape exponenial. Graficele din Fig.
8.5 , trasate pentru dou tranzistoare de putere mic,
confirm acest lucru; n plus, se observ c, chiar la
temperaturi apropiate de 100
o
C, curentul I
CB0
, este
neglijabil pentru tranzistoarele cu siliciu, deoarece ajunge
doar la 1 nA n timp ce curenii de colector de repaus sunt cel puin de ordinul a 100 A. La tranzistorul cu
germaniu, curentul I
CB0
ajunge pe la 10 A; el nu mai poate fi uor neglijat dar efectele sale sunt totui
acceptabile.
n Fig. 8.6 aceleai tranzistoare au fost operate la curent de emitor constant i s-a ridicat caracteristica
de ieire la 25
o
C i la 100
o
C. Dei efectul curentului curentului I
CB0
este complet neglijabil la tranzistorul cu
siliciu, curentul su de colector sufer totui o crestere vizibil datorit nclzirii. Aceasta se datoreaz
variaiei cu temperatura a factorului .

I
B
I
E
foarte mic
+
_
+
_ 0.6 V
10 V
I
C
I
E
+ I
CB0
+
_
10 V
I
CB0
I
E
=0
a)
b)

Fig. 8.4. Configuraia cu baz comun utilizat la
polarizare (a) i semnificaia curentului rezidual
I
CB0
.
20 40 60 80 100
10p
100p
1n
10n
100n
1
(A)
temperatura (grade Celsius)
I
CB0
germaniu
siliciu

Fig. 8.5. Dependena de temperatura a curentului
I
CB0
.


0 2 4 6 8 10
0.8
0.9
1.0
(V) V CB
I C
(mA)
0 2 4 6 8 10
0.8
0.9
1.0
(V) V CB
I C
(mA)
germaniu
siliciu
25 C
o
25 C
o
100 C
o
100 C
o
variatie de 0.7 %
a)
b)
variatie de 0.4 %

Fig. 8.6. Efectul temperaturii asupra caracteristicii de ieire la I
E
= const .

Un circuit de polarizare care s menin constant curentul de emitor necesit dou surse de alimentare
(una pozitiv i una negativ, ca n Fig. 8.4 a) i intercalarea n circuitul emitorului a unei surse de curent. Din
acest motiv, el este complet nepractic i dependenele din Fig. 8.6 constituie un caz foarte convenabil dar
nerealist. Vom vedea, mai trziu, cum ne putem apropia de aceast situaie, cu un circuit de polarizare adecvat.

ii) Curentul de baz este meninut constant
10 V
I
B foarte mic
0.6 V
+
_
_
+
I
C
+ I
CE0
10 V
I
B
= 0
+
_
I
CE0
a)
b)
I
B

Fig. 8.7. Configuraia cu emitor comun utilizat la polarizare (a) i semnificaia curentului rezidual I
CE0
.

Polarizarea tranzistoarelor bipolare se realizeaz dup principiul din Fig. 8.7 a), pentru c ambele surse
de tensiune au aceeai polaritate, permiind utilizarea, de fapt, a unei singur alimentator. n plus, pentru
prelucrarea variaiilor conexiunea cea mai frecvent folosit este cea cu emitorul comun. Curentul de intrare
este curentul de baz, mult mai mic dect cel de emitor; utiliznd relaia

I I I
E B C
= + (8.7)
i relaia (8.6), obinem


I I I
C B CB
=
1
1
1
0
(8.8)

unde

=
1
este numit factor de amplificare n curent n conexiunea emitor comun, iar
1
1
0 0
I I
CB CE
este un alt curent rezidual, ntre colector i emitor, definit cu baza n gol ( I
B
= 0), aa
cum se poate vedea n Fig. 8.7 b).
Astfel, pentru conexiunea cu emitorul comun avem relaia

I I I
C B CE
= +
0
(8.9).

Trebuie menionat c, deoarece ~ 1, factorul are valori mari. De asemenea, din aceast cauz, I
CE0
este
mult mai mare dect I
CB0

I I
CE CB 0 0
~ . (8.10)

Relaia (8.9) ne spune c, dac meninem constant curentul de baz, influena temperaturii se va manifesta
asupra curentului de colector prin intermediul factorului i prin intermediul curentului I
CE0
.
Deoarece factorul nu este constant cu temperatura, avem, de asemenea, o variaie cu temperatura a
factorului . Dar

d d d

~
1
1
. (8.11)
Variaia relativ a lui este de ori mai mare dect variaia relativ a factorului

n interpretarea ultimelor dou relaii trebuie
inut seama c factorul scade puternic (chiar cu
un ordin de mrime) atunci cnd curentul de colector
se micoreaz; din acest motiv, valoarea lui din
aceste relaii nu este aceea de la curenii nominali de
operare, de ordinul 100-500. Astfel, la o nclzire
cu 100 de grade, factorul nu crete cu mai mult
de 10-20 %. Din acest motiv, variaia cu
temperatura a curentului rezidual de colector cu
baza n gol, I I
CE CB 0 0
= , pstreaz caracterul
exponenial al dependenei lui I
CB0
, aa cum se
poate constata n Fig. 8.8, pentru dou tranzistoare,
cu germaniu i, respectiv, siliciu.

Dac ne-am hotrt s meninem constant
I
CE0
(A)
20 40 60 80 100
10p
100p
1n
10n
100n
1
10
100
temperatura (grade)
siliciu
germaniu

Fig. 8.8. Dependena de temperatur a curentului
rezidual I
CE0
.


curentul de baz, s urmrim ce se ntmpl cu caracteristica de transfer I f I
C B
= ( ) la nclzirea
tranzistorului de la 25
o
C la 100
o
C (Fig. 8.9). n primul rnd, mrirea temperaturii produce o cretere a pantei
dependenei, A A I I
C B
, adic a factorului de amplificare dinamic; acest efect este aproximativ de aceeai
mrime la ambele tranzistoare, cu germaniu i, respectiv, siliciu. Pentru tranzistorul cu germaniu ns, se
observ un fenomen suplimentar: odat cu nclzirea, caracteristica de transfer este translatat n sus, spre
cureni de colector mai mari. Acesta este efectul creterii curentului I
CE0
, care la germaniu ajunge de acelai
ordin de mrime cu cel de colector.

0 2 4 6 8 10 12 14
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
2.0
I
B
( A)
I
C
(mA)
25 C
o
100 C
o
germaniu
a)
0 2 4 6 8 10 12
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
I
B
( A)
I
C
(mA)
25 C
o
100 C
o
siliciu
b)
A I
CE0
{

Fig.8.9. Efectul temperaturii asupra caracteristicii de transfer I f I
C B
= ( )

Cumularea celor dou efecte face ca sensibiltatea tranzistoarelor cu germaniu s fie mai mare dect
aceea a tranzistoarelor cu siliciu. Dac mai aruncm o privire la figura anterioar, observm c la temperatur
mare, din cauza curentului I
CE0
, tranzistorul cu germaniu nici nu mai poate fi dus ntr-un regim apropiat de
cel de blocare prin anularea curentului de baz.
Din aceast cauz, tranzistoarele cu germaniu nu mai sunt astzi utilizate, ntlnindu-ne cu ele
numai n textele introductive de electronic.
iii) Tensiunea baz-emitor este meninut constant
A treia mrime prin intermediul creia putem controla tranzistorul bipolar este tensiunea baz-emitor.
Curenii de colector i emitor, fiind aproximativ egali, au practic aceeai dependen de V
BE
. n Fig. 8.10 am
reprezentat influena temperaturii asupra caracteristicii de transfer I f V
C BE
= ( ). n primul rnd constatm
c nu exist diferene semnificative ntre comportarea tranzistorului cu germaniu i a celui cu siliciu
(exceptnd, bineneles, diferena de aproximativ 0.25 V ntre valorile tensiunii de deschidere). Ecuaia care
descrie caracteristica de transfer I f V
C BE
= ( ) n regiunea activ este

I I e
C s
V
V
BE
T
= (8.12)

unde potenialul termic V
T
este proporional cu temperatura masurat n K. Graficele din Fig. 8.10 pun n
eviden dou modificri la variaia temperaturii. Mai nti, la creterea temperaturii panta graficelor scade;

aceasta se datoreaz variaiei lui V
T
, deoarece panta n scar semilogaritmic este proporional cu 1 V
T

adic invers proporional cu temperatura. Putem chiar s calculm de cte ori s-a micorat panta: de
( ) ( ) . 273 100 273 25 1 25 + + = ori.

0.0 0.1 0.2 0.3 0.4
1E-3
0.01
0.1
1
10
100
(V) V
BE
(mA) I
C
25 C
o
100 C
o
germaniu
0.2 0.3 0.4 0.5 0.6
1E-3
0.01
0.1
1
10
100
(V) V
BE
(mA) I
C
25 C
o
100 C
o
siliciu
a) b)

Fig. 8.10. Influena tempeaturii asupra caracteristicii de transfer I f V
C BE
= ( ).
Efectul cel mai puternic l prezint, ns, translatia n sus a caracteristicii, care se datorete creterii
factorului multiplicativ I
s
din relaia precedent. Acest este proporional cu I
CB0
, depinznd i de ali
parametri ai tranzistorului. Indiferent de tipul tranzistorului, nclzirea de la 25
o
C la 100
o
C, cu meninerea
constant a tensiunii baz-emitor, produce creterea puternic a curentului de colector. La un curent de
colector de 1 mA, aceast nclzire provoac o multiplicare de aproape 100 de ori a curentului de colector.
S privim n detaliu modificarea caracteristicii de
transfer I f V
C BE
= ( ) pentru o variaie de un grad
(Fig. 8.11). Dac meninem tensiunea baz-emitor
constant (aa cum nu trebuie s facem), curentul de
colector crete cu 10% pe grad. Dac, pe de alt parte,
dorim ca intensitatea curentului de colector s rmn
constant, trebuie ca tensiunea baz-emitor s scad cu
aproximativ 2 mV pe grad. n toate textele de electronic,
acest efect de modificare cu temperatura a caracteristicii
I f V
C BE
= ( ) este numit variaia cu temperatura a
tensiunii baz-emitor (sau a tensiunii de deschidere) a
tranzistorului, de multe ori fr s se mai specifice c
aceasta se ntmpl la curent constat de colector.
Raiunea pentru care se ntmpl acest lucru va aprea
evident puin mai trziu, cnd vom analiza un circuit real
de polarizare.
La curent de colector constant, tensiunea baz emitor scade liniar cu temperatura, aproximativ cu
2 mV pe grad.
Aa cum se vede n Fig. 8.11, la tensiune baz-emitor constant, valoarea curentului crete cu
aproximativ 10 % pe grad. Cum aceast cretere este exponenial,
(mV) V
BE
(mA) I
C
25 C
o
100 C
o
siliciu
540 550 560 570 580 590 600
0.1
1.0
0.2
0.3
0.4
0.5

Fig. 8.11. Influena temperaturii asupra
caracteristicii de transfer I f V
C BE
= ( ).


la V
BE
= const . curentul de colector se dubleaz la fiecare cretere cu 8 grade.

0.6 V
+10 V
1 mA
5 k
5V
+
-
5 V
+
-
la 20 C
o
0.6 V
+10 V
2 mA
5 k
0V
+
-
10 V
+
-
la 28 C
o
~
~
tranzistor in
saturatie !
dublarea curentului I
C

~
+10 V
1 mA
5 k
5V
+
-
5 V
+
-
termocuplu
a) b)
aduce tranzistorul in saturatie

Fig. 8.12. Efectul variaiei cu temperatura a tensiunii baz-emitor.
Pentru circuitele practice aceast variaie este inacceptabil de mare: un amplificator proiectat s
funcioneze bine la 20 de grade (Fig. 8.12 a) ar intra n saturaie i ar nceta s mai amplifice la temperatura
de 28 de grade ! Concluzia este una singur:
tensiunea baz-emitor nu trebuie meninut constant;
n cazul particular al schemei din Fig. 8.7, baza nu trebuie polarizat cu o surs ideal de tensiune, aa cum
am desenat noi acolo, pentru simplitate.
Din acelai motiv, un circuit simplu n conexiune emitor-comun nu poate fi utilizat pentru amplificarea
tensiunii continue furnizat de un termocuplu (Fig. 8.12 b). S presupunem c am ajustat cu grij tensiunea
sursei de polarizare din baz astfel nct la o anumit temperatur de referin
0
curentul de colector este de
1 mA i potenialul din colector este de 10 V-1 mA 5 k = 5 V O . La o nclzire a termocuplului cu un grad,
tensiunea furnizat de acesta crete cu aproximativ 50V aa c ne ateptm la o cretere a curentului de
colector de g V
m BE
A =
1 mA
mV
V = 2 A
25
50 care s coboare cu 10 mV potenialul colectorului. Am putea
spune c am amplificat de 200 de ori informaia de tensiune oferit de termocuplu. Realitatea este ns cu totul
alta. }i temperatura tranzistorului se poate modifica, nu numai a termocuplului, iar variaia echivalent a
tensiunii V
BE
pentru o nclzire cu un grad este de - 2 mV, de 40 de ori mai mare dect aceea dat de
termocuplu. Cu alte cuvinte, tranzistorul este un termometru de 40 de ori mai sensibil dect termocuplul.
Din acest motiv, dac vom observa o scdere a potenialului de colector cu 10 mV nu vom avea de unde s
tim dac termocuplul s-a nlzit cu un grad sau tranzistorul s-a nclzit cu 1 40 0 025 = .
o
C. n concluzie,
datorit sensibilitii sale termice, etajul cu emitor comun nu poate fi utilizat pentru amplificarea tensiunilor
continue.
n legtur cu circuitul din Fig. 8.12 b) mai trebuie s scoatem n eviden o dificultate. Chiar dac
printr-un miracol am aranjat ca tranzistorul s nu-i modifice caracteristica de transfer la variaia temperaturii
ambiante, mai rmne problema sursei de tensiune continue cu care polarizm baza tranzistorului i a crei
tensiune se adun cu informaia de tensiune de la termocuplu. Tensiunea sursei trebuie s aib o valoare

undeva pe la 600 mV i aceast valoare trebuie s se modifice cu mult mai puin de 50 V pe grad, altfel ar
masca semnalul de la termocuplu. Tensiunea sursei trebuie s aib, deci, un coeficient de temperatur mult
mai mic dect 50 V 600 mV pe grad, adic aproxmativ 80 ppm/grad (ppm este prescurtarea pentru "pri
pe milion"). Pentru o diod Zener obinuit putem conta, n cel mai bun caz, pe un coeficient de temperatur
(prescurtat tempco n englez) de 300 ppm/grad. Va trebui s utilizm o referin de tensiune integrat de
performan, care are coeficientul de temperatur de civa ppm/grad, evident cu diferena de pre
corespunztoare.

Observaie: n loc s discute acest aspect esenial, o mulime de dascli de electronic de pe la noi
risipesc zadarnic praful de cret ca s calculeze factorul de stabilitate termic S I I
I C CB
=
0
i uitnd
s mai calculeze variaia relativ a lui I
C
, care era, de fapt, scopul ntregului efort. Dei jocul cu derivate
pariale e foarte frumos, efectul variaiei curentului I
CB0
este neglijabil la tranzistoarele cu siliciu
(singurele folosite astzi), aa cum se poate constata din Fig. 8.7 b). Privind la graficele din figurile 8.10 i
8.9 nelegem ce efecte termice afecteaz curentul de colector al acestor tranzistoare: modificarea
carcteristicii de transfer I f V
C BE
= ( ) (aa numita scdere a tensiunii baz-emitor) i variaia factorului
. Ali coeficieni de sensibilitate ar trebui calculai, dar nu trebuie s avem pretenia ca ce predau
domniile lor s ne fie uttil; doar in nite cursuri aa de frumoase....

n cutarea unui circuit de polarizare
Aa cum tim, pentru a putea fi utilizat n regiunea activ, un tranzistor bipolar trebuie s fie mai nti
polarizat prin stabilirea unui regim de curent continuu cu jonciunea baz-emitor deschis. Acest lucru se
ntmpl deoarece caracteristica sa de transfer I f V
C BE
= ( ) este puternic neliniar, valori utile ale curentului
de colector obinndu-se abia dup ce V
BE
depete tensiunea de deschidere. S vedem acum n ce mod
putem realiza polarizarea unui tranzistor cu siliciu astfel nct punctul su de funcionare s nu se deplaseze
inacceptabil de mult la variaia temperaturii. n acelai timp, am dori ca intensitatea curentului de colector s
fie ct mai insensibil la modificarea lui , deoarece acest parametru este foarte mprtiat tehnologic.
Ca s tim precis despre ce vorbim, s considerm o tensiune de alimentare de 10 V i s polarizm
tranzistorul cu colectorul la jumtatea acestei tensiuni, la un curent de colector I
C
( ) 0
de 1 mA. Evident,
rezistena din colector va trebui s aib 5 kO. n Fig. 8.13 avem cteva circuite de polarizare. Pentru cel din
desenul a), numit de autorii romni "cu olarizare simpl", valoarea curentului de baz se obine din relaia

V I R V
alim B B BE
= 0; (8.13)

cum tensiunea baz-emitor este de aproximativ 0.6V, mult mai mic dect tensiunea de alimentare, curentul de
baz este aproximativ I V R
B alim B
~ . De aici putem obine valoarea necesar a rezistenei de polarizare
R V I R
B alim
C
C
= =
( ) ( ) ( ) 0 0 0
2 , unde am notat cu
( ) 0
valoarea lui la temperatura pentru care
proiectm circuitul.
Curentul de baz fiind I V R
B alim B
~ , tranzistorul este operat, astfel, la curent de baz practic
constant. Aa cum am vzut pe graficul din Fig. 8.9 b), curentul de colector este afectat de temperatur prin
intermediul factorului

I
V
R
V
R
I
C
B C
C
~ = =

alim alim
( )
( )
( ) 0
0
0
2
(8.14)


valoarea curentului de colector fiind proporional cu noua valoare a lui , aa cum se poate constata i pe
graficul din Fig. 8.14.

a) b)
R
C
I C
R
B
V
alim
I
B
R
C
R
B
V
alim
I
B
V
alim
R
C
R
E
+
-
E
B
V
alim
R
C
R
E
R
B1
R
B2
+
-
V
BE
+
-
c)
d)
10 V
5 k
1 mA
720 k
5 k
I
C
1 mA
430 k
I
C
1 mA
5 k
2k
2.6 V
10 V
10 V 10 V
5 k
I
C
1 mA
2k
20 k
56 k

Fig. 8.13. Circuite de polarizare care asigur un curent de colector de 1 mA i un potenial de 5 V n colector:
(a) polarizare fix, (b) polarizare colector-baz, (c) polarizare cu surs de tensiune n baz i rezisten n
emitor i (d) "autopolarizare" (proiectarea a fost efectuat cu =100).

Chiar dac factorul nu sufer variaii dramatice cu temperatura, nu merit s pieredem timpul cu
acest mod de polarizare pentru c la montarea unui tranzistor ntr-un circuit, n producia de serie, nimeni nu
tie, de exemplu, unde anume este ntre 100 i 250. Acest tip de polarizare trebuie utilizat doar dac vrem
s aruncm apoi peste jumtate din circuitele realizate; l-am discutat aici numai datorit omniprezenei sale n
literatura autohton.
O alt variant de polarizare este cea din desenul b), numit polarizare "colector-baz". Pentru
proiectarea circuitului observm c rezistena R
B
este legat acum n colector, deci la jumtate din tensiunea
de alimentare. Pentru a obine acelai curent de baz ca la primul circuit, valoarea ei trebuie s fie aproximativ
de dou ori mai mic dect la cazul anterior, deci aproape egal cu
( ) 0
R
C
(n aproximaia
V V
alim BE
2 >> ).
Ne intereseaz acum ce se ntmpl cu valoarea curentului de colector la modificarea temperaturii. Din
configuratia circuitului obinem relaia

V I R I R V
alim B C B B BE
1+ = ( ) 0 (8.15)

care, cu aproximaia de mai sus i + ~ 1 , conduce la

( )
) 0 (
+
~
+
~
C
alim
B C
alim
B
R
V
R R
V
I (8.16)

De data aceasta, tranzistorul nu mai este operat la curent de baz constant; la creterea factorului
se produce automat o scdere a curentului de baz, scdere care diminueaz efectele acestei creteri asupra
curentului de colector. Acest tip de polarizare introduce o reacie negativ. Dac exprimm curentul de
colector, obinem


( )
) 0 (
) 0 (
) 0 (
2

+
~
+
~
C
C
alim
C
I
R
V
I . (8.17)

n Fig. 8.14 am reprezentat dependena
( )
) 0 ( ) 0 (
f I I
C C
= i pentru polarizarea
colector-baz. Se observ mbuntirea adus
de polarizarea colector baz: la dublarea
factorului curentul de colector nu se mai
dubleaz ci crete doar cu 30 %. Circuitul
introduce complicaii n ceea ce privete
amplificarea variaiilor, astfel c este rar
utilizat.
S mai trecem odat n revist graficele
din figurile 8.6, 8.9 i 8.10. La toate am
considerat aceeai variaie de temperatur; cele
mai mici modificri ale curentului de colector
sunt cele din Fig. 8.6 b), unde am meninut
constant curentul de emitor, sub 1 % pentru o
nclzire de 75
o
C. Circuitul din Fig. 8.13 c)
ncearc s se apropie de aceast situaie. La
prima vedere se pare c nu suntem pe calea cea
bun, am legat o surs ideal de tensiune n
baz, or tim c meninnd V
BE
= const.
rezultatele sunt dezastruoase. A mai aprut, ns, i o rezisten n emitor, astfel nct putem scrie

E V I R
B BE C E
= 0 (8.18)

(am utilizat faptul c I I
C E
~ deoarece curentul I
CE0
este neglijabil). Valoarea necesar pentru tensiunea
E
B
se obine cu suficient precizie cu relaia E I R
B
C
E
~ + 0 6
0
.
( )
V .
Aceast aproximatie este, ns, insuficient pentru a calcula variaiile datorate temperaturii. Vom
utiliza, pentru acest scop metoda dreptei de sarcin aplicat caracteristicii de transfer I f V
C BE
= ( ), ca n
Fig. 8.15 a). Putem acum s vedem ce se ntmpl la creterea temperaturii cu un grad (desenul b).
Reprezentm n detaliu caracteristicile de la cele dou temperaturi i urmrim deplasarea punctului de
funcionare din M n N. Dac admitem s pierdem pe rezistena R
E
o tensiune mult mai mare dect 25 mV,
dreapta de sarcin va fi foarte puin nclinat n comparaie cu caracteristica de transfer a tranzistorului. Cum
distana pe orizontal ntre cele dou caracteristici este de 2 mV, avem valoarea variaiei curentului de colector
A I R
C E
~ 2 mV .
Dac dreapta de sarcin nu ar fi "suficient de orizontal", variaia curentului de colector ar fi cu
siguran mai mic dect 2 mV R
E
aa c aceast valoare reprezint cazul cel mai defavorabil. Din acest
motiv, n analiza stabiliii termice la astfel de circuite, variaia curentului de colector se calculeaz utiliznd
variaia lui V
BE
definit la curent de colector constant, o metod care poate prea paradoxal.

) 0 (
C C
I I
0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6 1.8 2.0 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6 1.8 2.0
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
2.0
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
2.0
polarizare fixa
polarizare colector-baza
aici a fost proiectat
sa functioneze circuitul
circuitul din Fig. 8.13 d)
polarizare fixa
cu rezistor in emitor
) 0 (
B B
I I

Fig. 8.14. Efectul modificrii factorului asupra
curentului de colector pentru polarizare fix, polarizare
colector-baz, polarizare cu divizor rezistiv i rezisten
n emitor (circuitul din Fig. 8.13 d) i polarizare fix cu
rezistor n emitor.


a)
0.0 1.0 2.0 3.0 4.0 5.0 6.0 7.0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
tensiunea baza-emitor (volti)
panta = -
1
R
E
curentul de colector (mA)
E
B
2 mV
dreapta de
sarcina
u la temperatura
u
la temperatura
+ 1 grad
b)
M
N

Fig. 8.15. Determinarea grafic a punctului de funcionare pentru circuitul din Fig. 8.13 c) (desenul a) i
modificarea acestuia la o nclzire cu un grad (desenul b).

Pentru a vedea ce mbuntire aduce acest tip de polarizare, s calculm variaia relativ a curentului
de colector la o variaie de temperatur A = 75
o
C, dac acceptm s pierdem pe rezistena R
E
o tensiune
V
R
E
= 2 V. Tensiunea baz-emitor scade liniar cu temperatura, cobornd n total cu
mV 150 grad mV 2 = A = A
BE
V . Cum sursa de tensiune pstreaz constant potenialul bazei, surplusul
de tensiune de 150 mV se va regsi pe rezistena din emitor, producnd o cretere a curentului de colector dat
de legea lui Ohm A A I V R
C BE E
= . Pe de alt parte, curentul de colector iniial ndeplinea relaia
A A I V R
C BE E
=
, de unde obinem

A A I
I
V
V
C
C
BE
R
E
= = =
0 15
2
7 5
.
. %. (8.19)

O asemenea variaie relativ, pentru o nclzire de 75
o
C, este acceptabil n majoritatea aplicaiilor.
Putem formula o prim comcluzie n legtur cu circuitul cu rezisten n emitor i surs ideal de
tensiune n baz:
Stabilitatea termic este cu att mai bun cu ct acceptm s pierdem o tensiune mai mare pe rezistena
din emitor; 2 voli asigur o variaie a curentului de colector de 1 la mie pe grad.
n practic, n locul sursei de tensiune ideale se utilizeaz un divizor rezistiv, ca n desenul d) al figurii,
variant numit n literatura de limb romn "autopolarizare". Dac
B
E este tensiunea Thevenin a
divizorului iar R
B
este rezistena sa echivalent, n locul ecuaiei (8.18) avem acum

E V I R I R
B BE C B C E
= 0 (8.20)

Prezena termenului ce conine R
B
produce acum o oarecare dependen a curentului de colector n raport cu
factorul , nedorit att pentru stabilitatea termic ct i pentru predictibilitatea punctului de funcionare
(factorul nu este cunoscut cu precizie pentru fiecare exemplar de tranzistor). Din acest motiv, valorile

rezistenelor din divizor se aleg att de mici nct divizorul s funcioneze practic nencrcat, astfel nct n
expresia A = 75
o
C termenul al doilea s poat fi neglijat

R
R
B
E
s

10
. (8.21)

Cu valoarea realist R R
B E
=
( ) 0
10, dependena curentului de colector de factorul devine

I I
C
C
=
+
( )
( )
.
.
0
0
11
1 0 1
; (8.22)

ea este reprezentat n Fig. 8. 14, unde se poate constata ct de insensibil a devenit acum curentul de colector
la modificrile factorului : la o dublare a factorului curentul de colector se modific doar cu 5 %. |innd
cont de mprtierea tehnologic a factorului , aceast predictibilitatea a punctului de funcionare este
suficient, tranzistoarele putnd fi montate fr s li se msoare individual acest factor.
Am fi putut ncerca introducerea rezistenei de emitor i n cazul circuitului cu polarizare simpl.
Deoarece tensiunea Thevenin E
B
nu mai poate fi acum aleas, fiind egal cu cea de alimentare, nici valoarea
rezistenei R
B
nu mai este parametru liber. Cu valorile numerice considerate, la utilizarea divizorului rezistiv
am ales-o s fie R R
B E
= =
( ) ( ) 0 0
10 200 O. n cazul polarizrii fixe ea nu poate fi dect
R
B
=
( ) 0
7.4 kO; o asemenea valoare pentru aceast rezisten crete sensibilitatea curentului de colector
n raport cu factorul , aa cum dovedete graficul din Fig. 8.14. Putem formula, deci, o a doua concluzie n
privina polarizrii n prezena rezistenei din emitor:

Rezistena echivalent a sursei cu care alimentm baza trebuie sa fie ct mai mic pentru a face curentul
de colector insensibil la variaiile factorului ; o valoare de
( ) 0
10 R
E
este suficient, producnd o cretere a
lui I
C
de numai 5 % la o dublare a lui .

Analiza comparativ a circuitelor de polarizare, n cazul tranzistoarelor cu siliciu (cele cu germaniu nu
se mai utilizeaz), a artat c
cea mai bun stabilitate termic se obine prin polarizarea bazei de la un divizor rezistiv i introducerea unei
rezistene n emitor; tensiunea care cade pe rezistena din emitor trebuie s fie n jur de 1-2 V iar rezistena
echivalent a divizorului s R
E
10; acest circuit asigur i o bun predictibilitate a punctului de funcionare
n condiiile n care valorile factorului prezint o mprtiere tehnologic mare.

Strpungerea secundar
Dei ambalarea termic nu mai apare la tranzistoarele de putere cu siliciu, datorit sensibilitii termice
mai mici a curentului de colector, ele sunt n continuare afectate de un fenomem mai subtil, strpungerea
secundar. Pentru a putea vehicula cureni mari, tranzistoarele de putere au arii mari i pot fi privite ca un
ansamblu de tranzistoare legate n paralel. Dac toate au aceeai temperatur local, atunci ele i mpart
frete curentul de colector. La cureni mari ns, acest echilibru nu mai este pstrat cu acuratee, unul dintre
tranzistoarele "elementare" se nclzete mai mult dect celelalte, curentul lui de colector crete pe seama


scderii curenilor de colector ai celorlalte tranzistoare care se rcesc (puterea disipat pe ele scade) n timp ce
tranzistorul ghinionist disip mai mult, se nclzete i mai mult, curentul lui de colector crete din nou... Ai
recunoscut fenomenul de ambalarea termic ce are loc, acum, local. Dei puterea total disipat, dac ar fi
repartizat uniform, nu ar conduce la o temperatur periculoas pentru tranzistor, la depirea unei anumite
valori a curentului de colector tranzistorul se distruge prin ceea ce se numete strpungere secundar.
n planul caracteristicilor de ieire, curba de putere disipat constant este o hiperbol
I P V P V
C d CE d CE
= =
1
; pentru ca ea s arate ca o linie dreapt, se deseneaz acest grafic n coordonate
dublu logaritmice (Fig. 8.16). Astfel, curba de putere disipat constant devine o dreapt cu panta de - 1
decad pe decad. Pe acest grafic se figureaz regiunea de operare sigur (SOA - Safe Operating Area n
lb. englez). Se observ c strpungerea secundar limiteaz regiunea de operare sigur mai drastic dect o
face puterea disipat maxim la care poate funciona capsula tranzistorului.

1 10 100
0.01
0.1
1
10
100
tensiunea colector-emitor (volti)
curentul de colector (amperi)
limita I
C max
limita P
d max
limita V CE max
limitarea
de strapungere
secundara
2N6274
REGIUNEA DE
OPERARE SIGURA
(npn, bipolar)
VNE003A
(NMOSFET)

Fig. 8.16. Regiunea de operare sigur pentru un tranzistor bipolar de putere i pentru unul MOSFET.

D. Tranzistoare cu efect de cmp

Diferena esenial a acestor dispozitive fa de tranzistoarele bipolare este aceea c se bazeaz pe
conducia furnizat numai de purttorii majoritari. De aici rezult i comportarea lor, total diferit, la
modificarea temperaturii. ntruct cele dou tipuri de tranzistoare cu efect de cmp (JFET i MOSFET) au
proprieti similare, vom discuta numai cazul tranzistoarelor MOSFET.
La tensiuni dren-surs mari (regiunea de surs de curent comandat V V V
DS GS T
>> ),
caracteristica de transfer a acestor tranzistoare este bine descris de relaiile


I V V
I K V V V V
D GS T
D GS T GS T
= <
= >
0
2
pentru
pentru ( )
(8.23)

unde I
D
este curentul de dren (Fig. 17 a), V
GS
tensiunea poart-surs iar V
T
este tensiunea de prag .
Caracteristica depinde de temperatur att prin intermediul factorului K ct i prin intermediul tensiunii de
prag: factorul K scade cu temperatura, fiind proporional cu T
3 2
, pe cnd tensiunea de prag scade
aproape liniar cu temperatura, cu (2 5 mV) C
o
.

D
S
G
V
GS
I
D
I
G
=0
V
DS
+
_
_
+
2 4 6 8 10
0
I D
+25 C
o
-50 C
o
+125 C
o
0 2 4 6 8 10
0
5
10
15
20
25
curentul de drena (mA)
tensiunea poarta-sursa (volti)
+125 C
o
-50 C
o
+25 C
o
2N3796
a) b)
c)
tensiunea poarta-sursa (volti)

Fig. 8.17. Influena temperaturii asupra caracteristicii de transfer la tranzistoarele MOSFET.

Aceste dou mecanisme au asupra curentului de dren efecte contrare, anulndu-se reciproc la o anumit
valoare a tensiunii poart-surs, unde curentul de dren nu mai depinde de temperatur, aa cum se vede n
Fig. 8.17 b). Pentru a vizualiza mai bine fenomenul, n desenul c) al figurii a fost reprezentat rdcina ptrat
din valoarea curentului de dren.
Putem proiecta, astfel, circuite foarte puin sensibile la variaiile de temperatur, numai prin
alegerea adecvat a punctului de funcionare. Mai mult, se observ c tocmai la valori mari ale curentului,
unde i disipaia de putere este mare, curentul de dren scade la creterea temperaturii. Din acest motiv,


tranzistoarele cu efect de cmp nu prezint fenomenul de ambalare termic. Corespunztor, ele nu intr
nici n strpungere secundar, ca tranzistoarele bipolare, i regiunea de operare sigur, la acelai tip de
capsul, este mai mare (vezi Fig. 8.16).


-Termistorii sunt elemente de circuit cu dou borne (dipoli) a cror rezisten depinde puternic de
temperatur; cei la care rezistena scade cu temperatura au coeficientul de temperatur
A
A
R
R T
negativ i
sunt numii n limba englez "NTC thermistors".
- Pentru aceti termistori, rezistena scade aproximativ cu 4 % pe grad, njumtindu-se la o
nclzire de 15-20 grade; sunt utilizai n principal ca senzori de temperatur i pentru compensarea
efectelor influenei temperaturii asupra altor componente electronice.
- n conducie direct la tensiune constant, curentul diodelor crete practic exponenial cu
temperatura, cu aproximativ 7 % pe grad, dublndu-se la fiecare variaie de 10 grade indiferent de
materialul din care sunt realizate (germaniu sau siliciu); dac se menine curentul constant, tensiunea pe
diod scade liniar cu temperatura cu aproximativ 2 mV pe grad.
- Creterea puternic cu temperatura a curenilor reziduali I
CB0
i I
CE0
poate conduce, la
tranzistoarele de putere, la fenomenul de ambalare termic i produce, n final, distrugerea
tranzistoarelor.
-Datorit valorii mari a curenilor reziduali I
CB0
i I
CE0
, tranzistoarele cu germaniu nu mai sunt
utilizate astzi.
-Influena temperaturii se manifest asupra tranzistoarelor cu siliciu preponderent prin
modificarea caracteristicii de transfer I f V
C BE
= ( ) (creterea curentului cu 10 % pe grad la
V
BE
= const . sau, echivalent, scderea tensiunii baz-emitor cu 2 mV pe grad la I
C
= const .) i prin
variaia factorului cu temperatura.
-Cea mai bun stabiltate a punctului de funcionare s-ar obine dac am pstra constant curentul
de emitor; din pcate aceasta ar necesita utilizarea a dou surse de alimentare de polariti diferite i
construirea unei surse de curent, soluie cu totul neeconomic.
- Meninerea constant a tensiunii baz-emitor este cea mai proast opiune: curentul de colector
se dubleaz la o nclzire de numai 8 grade.
-Datorit variaiei tensiunii baz-emitor cu 2 mV pe grad, configuraia cu emitor comun nu poate
fi utilizat pentru amplificare tensiunilor continue.
- O bun predictibiltate a punctului de funcionare n condiiile n care factorul are o mare
mprtiere tehnologc, n acelai timp cu o stabilitate termic acceptabil, se poate obine prin
introducerea n circuitul de emitor a unei rezistene R
E
pe care s cad o tensiune de 1-2 V simultan cu
polarizarea bazei cu un divizor rezistiv avnd rezistena echivalent s ( ) R
E
10; n aceste condiii
curentul de colector crete cu 5 % la dularea lui i cu 1 la mie la o nclzire de 1
o
C.
-Tranzistoarele bipolare sunt afectate de fenomenul strpungerii secundare care le limiteaz
regiunea de functionare sigur mai mult dect o face condia de putere disipat maxim.
-Tranzistoarele cu efect de cmp sunt mult mai puin sensibile la modificarea temperaturii
deoarece conducia este asigurat numai de purttorii majoritari.
- Peste o anumit valoare a curentului de dren, acesta scade cu creterea temperaturii; n
consecin, tranzistoarele cu efect de cmp nu se pot ambala termic.
- Din acelai motiv, tranzistoarele cu efect de cmp nu prezint fenomenul de strpungere
secundar; astfel, tranzistoarele MOSFET de putere sunt de preferat celor bipolare.


Termeni noi

-termistor dispozitiv cu dou borne (dipol) utilizat n circuite datorit
dependenei puternice a rezistenei sale n funcie de temperatur;
-coeficient de temperatur A A x x T ( ), viteza de variaie cu temperatura a mrimii, vitez
(al unei mrimi x) normalizat la valoarea mrimii respective;
-1 ppm o parte la un milion;
-termistor NTC termistor cu coeficient de temperatur negativ;
-termistor PTC termistor cu coeficient de temperatur pozitiv;
- ambalare termic proces care determin creterea rapid a temperaturii
dispozitivelor semiconductoare datorit reaciei pozitive termice
(creterea temperaturii determin creterea curentului care, la
rndul su, conduce la creterea puterii disipate i a temperaturii);
ambalarea termic poate produce distrugerea dispozitivului;
- stabilitate termic (a punctului proprietatea punctului de funcionare de a nu se modifica la
de funcionare) variaia temperaturii;
-polarizare fix legarea bazei tranzistorului, printr-o rezisten, la tensiunea de
alimentare, emitorul fiind conectat la mas; curentul de baz este
meninut practic constant;
-polarizare colector-baz legarea bazei tranzistorului, printr-o rezisten, la colector,
emitorul fiind conectat la mas; sensibiltatea curentului de
colector n raport cu factorul este micorat;
- autopolarizare polarizarea bazei prin intermediul unui divizor rezistiv; dac n
emitor este montat o rezistena pe care cade o tensiune de 1-2 V
iar divizorul este practic nencrcat, se obine o stabiltate termic
satisfctoare a punctului de funcionare;
- strpungere secundar fenomen care apare la tranzistoarele bipolare de putere i care
limiteaz funcionarea lor mai drastic dect puterea maxim ce
poate fi disipat de capsul; curentul printr-o regiune a seciunii
tranzistorului devine mai mare, temperatura local crete,
conducnd la un proces de ambalare termic local dei puterea
total pe dipozitiv nu a depit valoarea maxima admis;

Probleme rezolvate

Problema 1.
Pentru meninerea constant a temperaturii ntr-o incint, la coborrea temperaturii sub 60
o
C
tranzistorul din Fig. 8.18 a) trebuie s intre n conducie i s anclaneze releul electromagnetic montat n
colectorul su. Releul se anclaneaz sigur la un curent de 20 mA dar acest prag nu este perfect repetabil,
putndu-ne atepta i la anclanri la 10 mA. Ca senzor de temperatur avem de ales ntre trei termistori NTC
care au la 20
o
C rezistenele de 1kO, 10kO i, respectiv, 100 kO.
a) S se proiecteze un circuit de polarizare al tranzistorului care s asigure funcia solicitat.
b) S se estimeze imprecizia de temperatur provocat de variaia pragului de anclanare al releului.

V
alim
b)
10 V
releu
termistor
V
alim
a)
10 V
releu
V
alim
R
c)
10 V
250 O
releu
termistor
M
{
@ 60 C
o
2k
5k
M

Fig. 8.18.

Rezolvare
a) Avem la dispoziie un senzor de temperatur a crui informaie de ieire este rezistena. Pe de alt
parte, tranzistorul poate fi deschis prin controlul tensiunii baz-emitor. Va trebui s convertim informaia de
rezisten ntr-o informaie de tensiune; n plus, aceast tensiune trebuie s creasc la scderea temperaturii.
Cea mai simpl soluie de principiu este trimiterea prin termistor a unui curent constant de la o surs de curent,
ca n Fig. 8.18 b): la scderea temperaturii rezistena termistorului crete cu aproximativ 4 % pe grad i
acelai lucru l face i potenialul n punctul M. Realizarea unei surse de curent implic, ns, utilizarea unui
alt tranzistor i a ctorva rezistene, aa c ncercm o soluie mai simpl, cu un divizor rezistiv (desenul c al
figurii). Notnd cu R
T
rezistena termistorului, potenialul bazei tranzistorului (punctul M) este
V V
R
R R
B alim
T
T
=
+
(8.24)
acesta modificndu-se la variaia cu AR
T
a rezistenei termistorului cu
A A V V
R
R R
R
B alim
T
T
~
+ ( )
2
. (8.25)


Avem de ales termistorul i valoarea rezistentei R. Cum la 60
o
C tranzistorul trebuie s fie deschis,
potenialul punctului M trebuie s fie de aproximativ 0.6 V. Cu aceast condiie, din relaia (8.24) gsim
raportul necesar ntre rezistena R i rezistena R
T
o
( ) 60
a termistorului

16 1
V 0.6
) 60 (
~ =
alim
T
V
R
R
o
(8.26)

Curentul prin divizor va trebui s fie de cel puin 10 ori mai mare dectr curentul de baz. Acesta din
urm e de 20 0 2 mA mA ~ . (am mizat pe un factor de cel puin 100, realist pentru un tranzistor de
mic putere). Cu aceast condiie gsim

17 290
60 60
s s R R
T T
o o
( ) ( )
10 V
2 mA
O. (8.27)

Cunoatem rezistenele termistorilor la 20
o
C. Cum rezistena se njumtete la o nclzire de 15-20 grade, la
60
o
C rezistena ajunge cam la un sfert din cea de la 20
o
C. Termistorii vor avea, deci, la 60
o
C rezstenele de
250 O, 2.5 kO i, respectiv, 25 kO. Numai primul ndeplinete condiia (8.27), este cel care are 1 kO la 20
o
C.
Din O = 250
) 60 (
o
T
R rezult valoarea necesar pentru rezistena R

O ~ = k 4 16
) 60 (
o
T
R R .

Aceast estimare este una grosolan pentru c nu avem parametrul B al termistorului; din acest motiv vom
monta un rezistor ajustabil de 5 kO n serie cu unul fix de 2 kO care s permit variaia lui R ntre 2 i 7 kO
i l vom regla fin astfel nct releul s se anclaneze la coborrea sub 60
o
C.
Observaie: am ales termistorul cu rezistena cea mai mic, fiind obligai de valoarea necesar a
curentului de colector; aceasta este o soluie proast din punctul de vedere al autonclzirii termistorului dar nu
poate fi evitat dect prin introducerea unui alt tranzistor care s creasc amplificarea n curent.

b) Pragul de anclanare este mprtiat n intervalul 10-20 mA. O dublare a curentului de colector se
efectueaz, dup cum tim din dependena exponenial I f V
C BE
= ( ), la o variaie a tensiunii baz-emitor de
18 mV. Imprecizia de anclanare a releului este echivalent, deci, cu o imprecizie a potenialului bazei egal cu
18 mV. Pe de alt parte, dac utilizm relaia (8.25) putem calcula, pentru circuitul proiecat de noi, variaia
potenialului bazei determinat de o variaie de 1
o
C

A A
A
A
V V
R
R R
R V
RR
R R
R
R
V
R R
R R
R
R
B alim
T
T alim
T
T
T
T
alim
T
T
T
T
=
+
=
+
=
=
+
= ~
( ) ( )
( )
2 2
2
1
22 10 V
16
17
4
100
mV
2
.

Imprecizia datorat releului este echivalent, deci, cu aproape un grad.

Problema 2.
a) S se modifice circuitul proiectat la
problema precedent (fr introducerea altui
tranzistor) astfel nct aceast imprecizie s fie
redus de cteva ori; se poate mri, pentru
aceasta, tensiunea de alimentare la 15 V.
b) n Fig. 8.19 avei un circuit care
realizeaz aceeai funcie ca cel de la punctul
precedent. ncercai s explicai funcionarea
sa i s artai avantajele aduse.

Rezolvare

a) Asupra impreciziei de 18 mV n
tensiunea necesar pentru anclansarea releului
nu putem face nimic. Putem mbunti ns
sensibilitatea conversiei temperatur-tensiune; conform relaiei (8.25), aceasta este
R
R R
T
( ) +
2
i ajunge la
un maxim dac R R
T
o
=
( ) 60
. Aceasta nseamn ns c potenialul punctului M nu va mai fi de 0.6 V ci se va
duce pe la jumtatea tensiunii de alimentare. Aceasta
este i ideea de baz, s nu mai comparm dou tensiuni
de 0.6 V ci dou tensiuni de aproape zece ori mai mari.
Pentru aceasta nu vom mai ine potenialul emitorului la
mas ci l vom aduce la 5 V cu o rezisten i o diod
Zener (ne pstrm 10 V pentru anclanarea releului), ca
n Fig. 8.20. Rezistena de 1kO asigur un curent prin
dioda Zener de cel puin 10 mA, necesar pentru a
funciona ca stabilizatoare de tensiune.
Pentru deschiderea tranzistorului, este necesar
acum ca potenialul bazei s urce la 5.7 V; astfel,
raportul ntre rezistena R i rezistena R
T
o
( ) 60
a
termistorului este

R
R
V
T
alim
o
( )
.
60
1 1 7 = ~
5.7 V
.

n aceste condiii, variaia potenialului punctului M la o nclzire de un grad se obine ca

A A V V
R
R R
R
M
T
T
=
+
=
= ~
alim
2
15 V
1.7
2.7
4
100
1 mV
( )
2
40

V
alim
R
15 V
2.5 k
releu
termistor
{
@ 60 C
o
2 k
5 k
- 5 V
2.5 k
5 k
+5 V
T
1
T
2
R
T
R
1
R
2
M
25 mA

Fig. 8.19.
V
alim
R
15 V
2.5 k
releu
termistor
{
@ 60 C
o
2 k
5 k
dioda Zener
5.1 V
510 O
M

Fig. 8.20.


de ase ori mai mare dect n cazul circuitului proiectat la problema precedent. Astfel, imprecizia de 18 mV
datorat releului este echivalent acum cu numai 0.13 grade.
Modificarea punctului unde se produce comparaia determin i modificarea rezistenei termistorului.
Va trebui s alegem acum termistorul care avea 10 kO la 20
o
C. Disipaia de putere pe termistor va fi ns mai
mare decit n cazul precedent, tensiunea pe termistor crescnd iar curentul rmnnd constant.

b) n circuitul din Fig. 8.19 comparaia se efectueaz tot ntre dou tensiuni de aproximativ 5 V,
divizorul ce conine termistorul fiind de fapt identic cu cel proiectat la punctul a). Cnd potenialele bazelor
sunt riguros egale, curenii de colector ai celor dou tranzistoare vor fi egali. Creterea potenialului bazei 1 va
determina deschiderea tranzistorului T
1
i blocarea tranzistorului T
2
deoarece suma curenilor de colector
rmne constant datorit sursei de curent. Astfel, releul va fi anclanat la creterea potenialului punctului M,
la fel ca la circuitul de la punctul precedent.
Acel circuit avea o dificultate pe care nu am discutat-o, deoarece nu era foarte mare: scderea cu
2mV pe grad a tensiunii de deschidere a tranzistorului i, de, asemenea, variaia cu temperatura a tensiunii
furnizate de dioda Zener (un coeficient de temperatura de 300 ppm/grad produce o variaie de 1.5 mV pe
grad). Circuitul pe care trebuie s-l analizm elimin primul inconvenient, deoarece este sensibil la diferena
ntre tensiunile baz-emitor ale tranzistoarelor iar aceste tensiuni scad mpreun cu 2 mV pe grad.
Polarizarea bazei tranzistorului T
2
cu un divizor rezistiv diminueaz considerabil i efectele datorate
variaiei tensiunii de alimentare, deoarece aceste variaii, afecteaz aproape identic potenialele ambelor baze;
cum circuitul este sensibil numai la diferena ntre aceste poteniale, efectele lor se anuleaz reciproc.
Dac privim cu atenie schema circuitului, recunoatem un circuit n punte (rezistenele R R R
T
, ,
1
i
R
2
), dezechilibrul punii fiind sesizat de un etaj diferenial cu tranzistoare (numit aa deoarece amplific
practic numai diferena ntre potenialele intrrilor). Etajul diferenial este att de important n aplicaii nct i
vom dedica, mai trziu, un capitol special.

Probleme propuse

P 8.1. La nclzirea de la 20
o
C la 40
o
C rezistena unui termistor scade de 2.2 ori. Calculai parametrul
B al acestui termistor.
P 8.2. La 25
o
C, termistorul din problema precedent are rezistena egal cu 15.3 kO.
Scriei expresia rezistenei sale n funcie de temperatur. Care este valoarea rezistenei la
80
o
C ?
P 8.3. Circuitul din Fig. 8.21 este utilizat pentru msurarea temperaturii. La 20
o
C
tensiunea pe diod este de 0.653 V.
a) Ct va fi aceast tensiune la 80
o
C ? Indicaie: presupunei curentul constant.
b) Luai n consideraie variaia calculat a tensiunii pe diod i determinai cu cte
procente s-a modificat curentul. Era justificat presupunerea de la punctul precedent ?
P 8.4. Avem un termistor care are rezistena de 15 kO la 20
o
C i vrem s convertim n
informaie de tensiune variaii mici ale temperaturii n jurul valorii de 40
o
C. Trebuie s
realizm, pentru aceasta, un divizor alimentat de la tensiunea continu de 10 V, ca n Fig. 8.22.
a) Ce valoare aproximativ a rezistenei va avea termistorul la 40
o
C ?
b) Ct trebuie s fie valoarea rezistenei R astfel nct sensibilitatea conversiei
temperatur-tensiune (n jurul valorii de 40
o
C) la s fie maxim ?
c) Ct va fi n aceste condiii A A U T n jurul temperaturii de 40
o
C ?
d) Cte cifre trebuie s aib voltmetrul digital cu care se msoar tensiunea pentru a se
putea pune n eviden o variaie de 0.001
o
C ?

P 8.5.
a) Proiectai sursa de curent din Fig. 8.23 astfel nct s
debiteze un curent de 1 mA i s aib o stabilitate termic
satisfctoare (utilizai rezultatele analizei fcute asupra
circuitelor de polarizare).
b) Estimai efectul variaiei cu 10
o
C asupra curentului
furnizat de surs (luai n consideraie numai contribuia modificrii tensiunii
baz-emitor).
P 8.6. Utilizai proiectarea de la problema precedent pentru a obine un
amplificator cu emitor comun. Pentru aceasta, nlocuii sarcina cu o rezsten
R
C
, astfel nct potenialul colectorului s fie 6 V. Cu ct se modific acest
potenial la o nclzire de 8
o
C ?
15 V
15 k
Vout

Fig. 8.21.
10 V
termistor
V
out
R

Fig. 8.22.
R
E
R
B1
R
B2
10 V
1 mA
sarcina

Fig. 8.23.



Desfurarea experimentului
Vom studia deplasarea punctului de funcionare sub influena temperaturii la cteva circuite cu
tranzistoare bipolare i cu efect de cmp. Variaiile de temperatur le vom msura cu cel mai simplu
"termometru electronic", o diod polarizat direct la curent constant. Pentru c modificarea repetat a
temperaturii cere mult timp, vom urmri, n acelai experiment, i variaia rezistenei unui termistor, care altfel
ar fi necesitat reluarea operatiei de schimbare a temperaturii.
I
C
5 k
1 mA
I
B
5 k
I
C
1 mA
5 k
I
C
1 mA
15 k
D
T
1
T
2
T
3
5 k
I
C
1 mA
2k
5 k
I
C
1 mA
2k
germaniu !
1 k
I
D
5 mA
D
S
G
T
4
T
5
T
6
MOSFET
+
-
V
A2
R
h
[nc`lzire
V
A1
+15 V
+
-
O
ohmetru
termistor
rezisten\a de [nc`lzireR
h
, dioda D, termistorul ]i toate tranzistoarele sunt [n foarte bun contact termic

Fig. 8. 24.
Avei pe planet circuitele din Fig. 8.24. Curentul diodei D este practic constant deoarece diferena
V V
A1 D
(care cade pe rezistena R
1
) se va modifica doar cu 120 0 8 mV 15 V = . % la variaia de 60
o
C
pe care intenionm s o producem. Astfel, tensiunea pe diod va scdea cu aproximativ 2 mV pe grad, i ne
va permite s estimm variaia de temperatur cu o precizie mai bun de 10 %, suficient pentru scopul
nostru.
Tranzistoarele T
1
-T
4
sunt din siliciu i au fost alese s aib factorii aproximativ egali. Ele vor fi
polarizate iniial, la temperatua camerei la aceeai valoare a curentului de colector I
C
( ) 0
=1 mA. Modurile lor
de polarizare sunt ns diferite: polarizare fix, polarizare colector baz, polarizare la V
BE
~ const. i

autopolarizare (cu rezisten n emitor). Valoarea rezistenei din emitor va asigura o cdere de tensiune pe
aceasta de 2 V.
Cea mai bun stabilitate termic o va prezenta circuitul de autopolarizare, construit n jurul
tranzistorului T
4
. Exact n aceeai configuraie este conectat i tranzistorul T
5
, cu germaniu. El ne va permite
s facem o comparaie ntre stabilitatea tranzistoarelor cu germaniu i a celor cu siliciu. Tot pentru comparaie
am introdus tranzistorul T
6
de tip MOSFET cu canal indus; pentru el comportarea termic avantajoas apare
la ureni mai mari, aa c l vom polariza iniial la un curent de 5 mA.
Dup ce v-ai desenat pe caiet schemele circuitelor pe care le vei studia, alimentai planeta de la sursa
de alimentare V
A1
de 15 V i ajustai fin punctul de funcionare la fiecare tranzistor. Nu vei msura direct
curenii de colector i, respectiv, dren (explicai de ce) ci potenialele fa de mas ale nodurilor respective.
Valorile rezistenelor au fost astfel alese nct de fiecare dat va trebui s obinei aceeai valoare: 10 V. Dup
ce ai terminat de ajustat polarizrile, msurai i notai-v tensiunea pe dioda D, care va fi termometrul
nostru.
S nu uitm termistorul Th. Trecem ohmetrul pe scara de 100 kO, l etalonm dac este nevoie i l
conectm a bornele termistorului. Citim valoarea rezistenei i o notm. Avei multe valori de msurat, aa c
este bine s v construii un tabel ca cel de mai jos.

Potenialul de colector (sau dren) al tranzistoarelor (V)

Tensiunea pe
diod (mV)
T
1
T
2
T
3
T
4
T
5
T
6
Rezistena
termistorului
(O)

Legai acum la planet i sursa de alimentare V
A2
, dup ce ai reglat-o la tensiune nul. Ea va
nclzi rezistena de putere R
h
care este montat n foarte bun contact termic cu dioda D, termistorul i toate
tranzistoarele. Cretei la 1 V valoarea tensiunii i urmrii nclzirea diodei D prin scderea tensiunii la
bornele sale. Cnd scderea nceteaz, rezistena de nclzire, dioda i tranzistoarele au ajuns la un echilibru
termic. Msurai, n aceste condiii, tensiunea pe diod i potenialele de colector (dren) ale tuturor
tranzistoarelor. Citii i noua valoare a rezistenei termistorului.
Cretei cu nc un volt tensiunea de nclzire, ateptai s se realizeze echilibrul termic i reluai
msurtorile. Repetai procedeul pn cnd temperatura a crescut cu aproape 60 de grade fa de cea iniial
(120 mV scdere a tensiunii pe diod).
Prelucrarea rezultatelor pentru tranzistoare
Dup ce ai terminat msurtorile trebuie s interpretai rezultatele. Construim un alt tabel, pentru
aceste rezultate.

Curenii de colector (sau dren) ai tranzistoarelor (mA)

A
(
o
C)
T
1
T
2
T
3
T
4
T
5
T
6
Rezistena
termistorului
(O)
0 1.0 1.0 1.0 1.0 1.0 5.0

Mai nti, din valorle tensiunii pe diod calculai A =
ini
, tiind c tensiunea scade cu aproximativ
2 mV pe grad. Apoi, din potenialele de colector i dren ale tranzistoarelor determinai valorile curenilor


respectivi. Dac vreunul din circuite a ajuns cumva n saturaie, notai asta explicit pentru c n acest caz
curentul nu mai este determinat de variaia parametrilor tranzistorului.
Desenai apoi, pentru toate tranzistoarele cu siliciu, pe acelai grafic, dependenele I f
C
= ( ) A .
Comparai-le i formulai o concluzie n privina stabilitii termice ale diferitelor variante de polarizare.
Comparai acum tranzistorul cu germaniu i tranzistorul cu siliciu cu acelai tip de circuit de polarizare
(tranzistoarele T
4
i T
5
), desennd pe acelai grafic dependenele I f
C
= ( ) A . Formulai o concluzie.
Adugai, pe acelai grafic i dependena I f
D
5 mA = ( ) A obinut pentru tranzistorul MOSFET.
Comparai-o cu dependena de la tranzistorul cu siliciu i formulai o concluzie.
Prelucrarea rezultatelor pentru termistor
Vom prelucra acum datele de la termistor. Mai nti, ca s ne facem o idee asupra modului cum variaz
rezistena sa, reprezentm grafic R f T = ( ) A n coordonate liniare. Cum este dependena rezistenei sale ?
Formulai o concluzie.
n continuare, ncercm s verificm dac el respect relaia teoretic. Dac la temperatura T
0
(n
Kelvin) el are rezistena R
0
, atunci dependena R f T = ( ) se scrie sub forma

|
|
|
.
|
\
|
A +
A
|
|
.
|
\
|
= =
0
1 (
2
0
0
0
1 1
0
T T T
T
B
T T
B
e R e R R

unde B este o constant ce caracterizeaz termistorul. mprind la R
0
i logaritmnd, obinem
T
T T T
B
R R y A
A +
= =
0
2
0
0
1
1
ln .
Reprezentm i noi grafic dependena
y R R f T = = ln ( )
0
A , R
0
fiind rezistena
msurat la temperatura iniial (ambiant).
Ce form aproximativ are graficul ? Putei
estima cu cte procente pe grad scade
rezistena termistorului ?
Temperatua iniial era n jur de 300
K aa c pentru variaii AT nu foarte mari
a doua fracie din relaia precedent este
practic unitar. Graficul ar trebui s fie,
deci, n prima sa poriune o linie dreapt cu
panta B T
0
2
. "Fitm" o dreapt printre
punctele experimentale la AT s 20 K, i
msurm panta i cu T
0
300 ~ K estimm
parametrul B al termistorului.
Putem s obinem direct din grafic informaii asupra temperaturii iniiale. Extrapolm spre dreapta
graficului linia dreapta cu care am fitat anterior i msurm la ce valoare y
1
ajunge ea la A A T T =
max
. Pe de
alt parte, graficul experimental, care este descris de relaia neliniar, va ajunge la o valoare y
max
de
1
0
+ AT T
max
ori mai mic. De aici putem s estimm temperatura iniial T
0

T T
y y
0
1
1
1
=
A
max
max
.
0 10 20 30 40 50 60 70 80
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
=ln
R
0
R
AT (K) A T
max
y
max
y
y
1
dreapta y
=
B
T
0
2
AT

Electronică - Manualul Studentului

Uploaded by

Document Information

Original Title

Copyright

Available Formats

Share this document

Share or Embed Document

Sharing Options

Did you find this document useful?

Is this content inappropriate?

Copyright:

Available Formats

Electronică - Manualul Studentului

Uploaded by

Copyright:

Available Formats

CAPITOLUL

=10 O. Cum la aceeai modificare a tensiunii colector-baz variaia curentului este

-0.8 -0.4 0.0 0.4 0.8

You might also like