C

i
r
c
u
i
t
e
I
n
t
e
g
r
a
t
e
A
n
a
l
o
g
i
c
e
Tranzistoare si surse de curent
1). Se da circuitul din Figura 1. Sa se calculeze rezistent ele echivalente n nodurile:
a). grila G;
b). dren a D;
c). surs a S.
M
V
DD
R
S
g
m
V
GS
R
D
R
S
R
D
r
DS
G
D
S
G
S
D
Figura 1
Rezolvare:
a). Se redeseneaza schema echivalenta de semnal mic ca n Figura 2.
g
m
V
GS
R
S
R
D
r
DS
V
test
I
test
V
S
V
D
Figura 2
Pentru a calcula rezistent a vazuta n G se aplica tensiunea V
test
n grila tranzistorului.
Rezistent a se poate evalua din raportul dintre V
test
si curentul I
test
stabilit prin sursa
de intrare. Datorita rezistent ei grila-sursa foarte mari a tranzistorulul MOS, grila
act ioneaza ca o ntrerupere, iar I
test
este zero. Drept urmare, rezistent a vazuta n grila
tinde la innit.
b). Se redeseneaza schema de semnal mic ca n Figura 3. Toate conexiunile la o
tensiune constanta devin masa. Rezistent a echivalenta n D se calculeaza din nou ca
si raportul dintre V
test
si I
test
.
1
C
i
r
c
u
i
t
e
I
n
t
e
g
r
a
t
e
A
n
a
l
o
g
i
c
e
g
m
V
GS
R
S
R
D
r
DS
I
1
I
2
I
test
V
test
I
1
V
S
Figura 3
Teorema lui Kirchho pentru curent i si legea lui Ohm duc la urmatorul sistem de
ecuat ii:

I
test
= I
1
+I
2
I
2
=
V
test
R
D
I
1
= g
m
V
GS
+
V
test
V
S
r
DS
I
1
=
V
S
R
S
V
GS
= V
S
(1)
Eliminand variabilele V
S
si V
GS
din ultimele trei ecuat ii rezulta expresia curentului I
1
.
I
1
=
V
test
r
DS
+R
S
+g
m
r
DS
R
S
(2)
Rezulta expresia curentul de test:
I
test
=
V
test
r
DS
+R
S
+g
m
r
DS
R
S
+
V
test
R
D
(3)
Rezistent a echivalenta n drena este de forma:
R
Dech
=
V
test
I
test
=
1
1
r
DS
+R
S
+g
m
r
DS
R
S
+
1
R
D
= R
D
|| (r
DS
+R
S
+g
m
r
DS
R
S
) (4)
2
C
i
r
c
u
i
t
e
I
n
t
e
g
r
a
t
e
A
n
a
l
o
g
i
c
e
Considerand r
DS
si R
S
mult mai mici decat g
m
r
DS
R
S
, rezistent a echivalenta n D se
poate aproxima:
R
Dech

= R
D
|| (g
m
r
DS
R
S
) (5)
Se observa ca o rezistent a conectata n sursa tranzistorului se va reecta n drena
nmult ita cu castigul g
m
r
DS
al tranzistorului.
c). Schema de semnal mic redesenata pentru cazul n care dorim sa calculam rezistent a
echivalenta din suesa este data n Figura 4.
g
m
V
GS
R
S
R
D
r
DS
I
test
V
test
V
D
Figura 4
Scriind din nou teorema lui Kirchho pentru curent i si legea lui Ohm se ajunge la
urmatorul sistem de ecuat ii:

I
test
+g
m
V
GS
+
V
D
V
test
r
DS
=
V
test
R
S
g
m
V
GS
+
V
D
V
test
r
DS
+
V
D
R
D
= 0
V
GS
= V
test
(6)
Dupa rezolvarea sistemul se obt ine:
R
Sech
=
1
g
m
+
1
r
DS
+
1
R
S

R
D
+g
m
r
DS
R
D
r
DS
(r
DS
+R
D
)

=
1
g
m
|| r
DS
|| R
S

=
1
g
m
|| R
S
(7)
3
C
i
r
c
u
i
t
e
I
n
t
e
g
r
a
t
e
A
n
a
l
o
g
i
c
e
2). Se da circuitul din Figura 5. Sa se calculeze rezistent ele echivalente n nodurile:
a). baza B;
b). colector C;
c). emitor E.
Q
V
CC
R
E
g
m
V
BE
R
C
R
E
R
C
r
CE
E
r
BE
C
E
B C
Figura 5
Rezolvare:
a). Pentru calculul rezistent ei echivalente vazute n baza este folosita schema echiva-
lenta de semnal mic din Figura 6. Se poate observa ca fat a de varianta cu tranzistor
MOS, n acest caz trebuie t inut cont si de rezitent a nita baza-emitor a tranzistorului
bipolar.
g
m
V
BE
R
E
R
C
r
CE
r
BE
V
test
I
test
V
E
V
C
Figura 6
Pe schema de semnal mic se pot scrie teorema lui Kirchho pentru curent i, atat n
emitor cat si n colector, mpreuna cu legea lui Ohm. Astfel rezulta sitemul de ecuat ii:
4
C
i
r
c
u
i
t
e
I
n
t
e
g
r
a
t
e
A
n
a
l
o
g
i
c
e

V
E
R
E
= I
test
+g
m
V
BE
+
V
C
V
E
r
CE
g
m
V
BE
+
V
C
V
E
r
CE
+
V
C
R
C
= 0
I
test
=
V
test
V
E
r
BE
V
BE
= V
test
V
E
(8)
Din primele doua ecuat ii se determina tensiunea V
E
:
V
E
=
g
m
V
test
+

1
r
CE
+
1
R
C

R
C
I
test
g
m
+
1
r
CE
+
R
C
R
E

1
r
CE
+
1
R
C
(9)

Inlocuind expresia lui V

E
n cea de-a treia ecuat ie a sistemului se poate obt ine raportul
dintre tensiunea V
test
si curentul I
test
, dupa cum urmeaza:
V
test
I
test
=
r
BE

g
m
+
1
r
CE
+
R
C
R
E
r
CE
+
1
R
E

+
R
C
r
CE
+ 1
1
r
CE
+
R
C
R
E
r
CE
+
1
R
E
(10)
Deoarece rezistent a colector-emitor a unui tranzistor bipolar este cu cateva ordine de
marime mai mare decat valorile uzuale ale lui R
E
si R
C
putem neglija termeni din
ecuat ia (10). Astfel expresia aproximativa a R
Bech
devine:
R
Bech
=
V
test
I
test

= r
BE
+R
E
+g
m
r
BE
R
E
(11)
O alta forma uzuala a R
Bech
este obt inuta daca notam castigul de curent al tranzisto-
rului bipolar cu = g
m
r
BE
:
R
Bech
= r
BE
+R
E
( + 1) (12)
b). Calculul rezistent ei echivalente vazuten colector se face pe baza schemei de semnal
mic din Figura 7
5
C
i
r
c
u
i
t
e
I
n
t
e
g
r
a
t
e
A
n
a
l
o
g
i
c
e
g
m
V
BE
R
E
R
C
r
CE
r
BE
V
test
I
test
I
2
I
1
V
E
Figura 7
Scriind din nou teorema lui Kirchho pentru curent i, legea lui Ohm si explicitand
tensiunea baza-emitor putem scrie urmatorul sistem de ecuat ii:

I
test
= I
1
+I
2
I
2
=
V
test
R
C
I
1
= g
m
V
BE
+
V
test
V
E
r
CE
I
1
+
V
E
r
BE
=
V
E
R
E
V
BE
= V
E
(13)
Din ultimele trei ecuat ii se poate determina expresia curentului I
1
:
I
1
=
V
test
r
CE
+
1 +g
m
r
CE
1
r
BE
+
1
R
E
(14)

Inlocuind curent ii I
1
si I
2
n prima ecuat ie a sistemului (13) rezulta dependent a ten-
siunii de test de curentul de test:
V
test
I
test
=
1
1
R
C
+
1
r
CE
+
1 +g
m
r
CE
1
r
BE
+
1
R
E
(15)
6
C
i
r
c
u
i
t
e
I
n
t
e
g
r
a
t
e
A
n
a
l
o
g
i
c
e
T inand cont de relat ia dintre rezistent e r
BE
>> R
E
si de castigul tranzistorului
g
m
r
CE
>> 1, rezulta expresia aproximativa a R
Cech
:
R
echC
=
1
1
R
C
+
1
g
m
r
CE
R
E
= R
C
|| (g
m
r
CE
R
E
) (16)
c). Rezistent a R
echE
se determina folosind schema echivalenta de semnal mic din
Figura 8
g
m
V
BE
R
E
R
C
r
CE
r
BE
V
test
I
test
V
C
Figura 8
Teorema lui Kirchho pentru curent i si legea lui Ohm ne vor conduce n acest caz la
sitemul de ecuat ii (17).

g
m
V
BE
+
V
C
r
CE
+
V
C
R
C
= 0
g
m
V
BE
+
V
C
r
CE
+
V
test
r
BE
+I
test
=
V
test
R
E
V
BE
= V
test
(17)
Eliminand variabila V
C
, rezulta raportul tensiunii si a curentului de test, care este chiar
rezitent a vazuta n emitor R
echE
:
R
echE
=
V
test
I
test
=
1
1
r
BE
+
1
R
E
+
1 +g
m
r
CE
R
C
+r
CE
(18)
7
C
i
r
c
u
i
t
e
I
n
t
e
g
r
a
t
e
A
n
a
l
o
g
i
c
e
Considerand din nou ca g
m
r
CE
1 si parametrii de semnal mic r
BE
, r
CE
sunt cel put in
cu un ordin de marime mai mari decat rezistent ele pasive R
E
si R
C
, ecuat ia (18) devine:
R
echE

=
1
g
m
+
1
r
BE
+
1
R
E
=
1
g
m
|| r
CE
|| r
BE
|| R
E
(19)
3). Sa se calculeze rezistent a echivalenta R
ech
vazuta in punctul A. Cat este valoarea
sa pentru r
DS
= 100k si g
m
= 1mS.

M
1
V
DD
M
2
M
3
M
4
M
5
M
6
M
7
M
8
A
R
ech
Figura 9
Rezolvare:
R
ech
= {g
m3
r
DS3
r
DS4
} || {r
DS5
} || {g
m2
r
DS2
[r
DS1
|| r
DS8
|| (g
m7
r
DS7
r
DS6
)]}
R
ech
= 5M (20)
4). Sa se calculeze rezistent a echivalenta R
ech
vazuta n punctul A. Cat este valoarea
sa pentru 2V
od6
= V
od5
= 200mV , I
6
= I
3
= 10I, I
7
= 9I, I
8
= I = 100A, W
1
/L
1
=
W
2
/L
2
, W
3
/L
3
= W
4
/L
4
si
n
= 2
p
= 0, 1V
1
.
Rezolvare: Rezistent a echivalenta vazuta la iesire este:
8
C
i
r
c
u
i
t
e
I
n
t
e
g
r
a
t
e
A
n
a
l
o
g
i
c
e
M
1
V
DD
M
2
M
3
M
4
M
5
M
6
M
7
M
8
R
ech
A
Figura 10

R
ech
= R
n
||R
p
R
n
= g
m6
r
DS6
(r
DS7
||r
DS8
) =
1
5IV
od6

2
n
R
p
= (g
m5
r
DS5
)(r
DS4
||r
DS3
||r
DS1
||r
DS2
) =
1
10IV
od5

2
n
(21)

In calcule se t ine cont de expresiile transconductant ei si a rezistent ei drena-sursa de

semnal mic pentru un tranzistor MOS.
g
m
=
2I
V
od
, r
DS
=
1
I
(22)
Valoarea numerica este R
ech
= 1M.
5). Se da topologia de circuit din Figura 11 si parametrii tranzistoarelor tabelar.
a). Sa se identice care tranzistoare sunt surse de curent si care surse de tensiune.
b). Cine stabileste potent ialul n punctul A?
c). Care sursa de curent se apropie cel mai mult de o sursa ideala?
9
C
i
r
c
u
i
t
e
I
n
t
e
g
r
a
t
e
A
n
a
l
o
g
i
c
e

1
0
k
V
1
.
0

0
0
I
16
0
u
1
0
k

M4
M3
200
A
10

M
2
50

M
1
100
M1
M2
Figura 11
Param M
1
M
2
M
3
M
4
I
D
[A] 100 50 10 200
V
od
[mV ] 200 300 250 180
[V
1
] 0.01 0.02 0.01 0.01
Tabelul 1: Parametrii tranzistoarelor
Rezolvare:
a). Deoarece tranzistoarele M
2
si M
3
au drena conectata la nodul A acestea functio-
neaza ca surse de curent. Pe de alta parte, tranzistoarele M
1
si M
4
au sursa conectata
la nodul A, deci pot privite ca surse de tensiune.
Observat ii:
sursele de curent au rezistent a echivalenta de valoare mare (n cazul ideal );
sursele de tensiune au rezistent a echivalenta de valoare mica (n cazul ideal zero);
un nod este considerat de nalta impedant a, daca rezistent ele echivalente ale
tuturor componentelor conectate n acel nod sunt de tipul r
DS
;
se poate arma ca un nod este de joasa impedant a, daca exista cel put in o
componenta cu rezistent a de tipul 1/g
m
cu sursa legata la nod.
10
C
i
r
c
u
i
t
e
I
n
t
e
g
r
a
t
e
A
n
a
l
o
g
i
c
e
b). Sursele de tensiune stabilesc potent ialul n nodul A, mai precis V
1
si tranzistoa-
rele M
1
, M
4
. Potent ialul n A va avea valoarea mai apropiata de valoarea sursei cu
rezistent a echivalenta mai mica, adica sursa mai ideala.
Rezistent a unei surse de tensiune implementate cu tranzistor MOS este:
R
echS

=
1
g
m
=
V
od
2I
D
(23)
Sursele de tensiune din schema au rezistent a echivalenta de valorile:

R
ech(M1)
=
200m
200
= 1k
R
ech(M4)
=
180m
400
= 450
R
ech(V 1)
= 10k
(24)
sursa de tensiune implementata cu tranzistorul M
4
este cea mai apropiata de o sursa
ideala, deci va impune potent ialul n A.
c). O sursa de curent ideala are rezistent a sa echivalenta innita, prin urmare sursa
care are rezistent a mai mare va avea performant ele cele mai ridicate. Rezistent a unei
surse de curent imlementate cu tranzistor MOS este:
R
echD
=
1
I
D
(25)
Pentru problema de fat a avem:

R
ech(M2)
=
1
0.02 50
= 1M
R
ech(M3)
=
1
0.01 10
= 10M
R
ech(I1)
= 10k
(26)
sursa de curent implementata cu tranzistorul M
3
este cea mai apropiata de o sursa
ideala.
11
C
i
r
c
u
i
t
e
I
n
t
e
g
r
a
t
e
A
n
a
l
o
g
i
c
e
6). Se da schema din Figura 12, reprezentand un tranzistor MOS conectat n congura-
t ie de dioda.

In urma unei simulari s-a stabilit ca tensiunea de overdrive este 250mV .
a). Sa se demonstreze ca tranzistorul n congurat ie de dioda este ntotdeauna n
regim de saturat ie.
b). Sa se determine curentul I, astfel ncat V
od
= 200mV .
c). Sa se redimensioneze tranzistorul M, pentru I = 70A si V
od
= 220mV
d). Cate grade de libertate exista la stabilirea punctului static de funct ionare?
M
W
V
DD
L
=
I=100A
15
1
Figura 12
Rezolvare:
a). Condit ia ca un tranzistor MOS sa e saturat este:
V
DS
> V
od
, V
od
= V
GS
V
Th
(27)
Analizand schema se poate vedea ca drena si grila tranzistorului sunt conectate mpreu-
na, prin urmare:
V
DS
= V
GS
(28)
Din ecuat iile (27) si (28) rezulta inegalitatea ntotdeauna adevarata:
V
GS
> V
GS
V
Th
(29)
Astfel s-a demonstrat ca tranzistorul M este saturat.
b). Setul de referint a este (I, V
od
, W/L) = (100A, 250mV, 15/1), iar setul dorit este
(I

, V

od
, W/L) = (I

, 200mV, 15/1). Din expresia curentului unui tranzistor MOS n

regim saturat scrisa pentru cele doua seturi de parametrii, rezulta:
12
C
i
r
c
u
i
t
e
I
n
t
e
g
r
a
t
e
A
n
a
l
o
g
i
c
e
I
I

V
od
V

od

2
I

= 64A (30)
c). Din nou setul de referint a este (I, V
od
, W/L) = (100A, 250mV, 15/1), iar cel
dorit (I

, V

od
, (W/L)

) = (70A, 220mV, (W/L)

).
I
I

W
L

L
W

V
od
V

od

W
L

=
10
1
(31)
d). Exista doua grade de libertate, deoarece al treilea parametru rezulta conform
ecuat iei (32).
I =
C
ox
W
2L
V
2
od
(32)
7). Fie circuitul din Figura 13 n care tranzistorul M opereaza n regim saturat.
a). Stiind ca k
n
= 80A/V
2
, V
Th
= 400mV , V
D
= 1, 5V si V
G
= 1V sa se calculeze
potent ialul V
X
.
b). Sa se redimensioneze schema astfel ncat potent ialul n nodul X sa devina V

X
=
500mV .
c). Daca tensiunea din grila tranzistorului este setata la V

G
= 1, 1mV , sa se determine
tensiunea minima necesara n drena pentru care tranzistorul mai este saturat.
M
W
V
DD
=1.5V
L
=
V
G
=1V
V
S
I=100A
5
1
Figura 13
Rezolvare:
a). Curentul prin tranzistorul M se scrie:
I =
k
n
W
2L
V
2
od
V
od
=

2IL
k
n
W
= 316mV (33)
13
C
i
r
c
u
i
t
e
I
n
t
e
g
r
a
t
e
A
n
a
l
o
g
i
c
e
Tensiunea grila-sursa se exprima n funct ie de tensiunea de overdrive astfel:
V
GS
= V
od
+V
Th
= 0.316 + 0.4 = 716mV (34)
Tensiunea n sursa tranzistorului este:
V
X
= V
G
V
GS
= 1 0.716 = 284mV (35)
b). Daca se doreste ca punctul static de funct ionare a tranzistorului sa ramana ne-
modicat, atunci tensiunea grila-sursa trebuie sa ramana constanta, V
GS
= V

GS
. Prin
urmare:
V
G
V
X
= V

G
V

X
V

G
= 1 0.284 + 0.5 = 1.216V (36)
c). Condit ia ca un tranzistor MOS sa e saturat este ca tensiunea sa drena-sursa sa
e mai mare decat tensiunea de overdrive, iar la limita avem egalitatea:
V
DSmin
= V
od
V
Dmin
= V

X
+V
od
(37)
Din nou, dorim acelasi punct static de funct ionare, deci V
GS
= V

GS
, de unde obt inem
noua valoare a tensiunii din sursa tranzistorului:
V
G
V
X
= V

G
V

X
V

X
= 1.1 1 + 0.284 = 0.384V (38)
Tensiunea minima n drena V
Dmin
rezulta:
V
Dmin
= 0, 384 + 0, 316 = 0, 7V (39)
8). Se da circuitul din Figura 14. Printr-o simulare de punct static de funct ionare
s-a obt inut valoarea tensiunii de overdrive V
od
= 250mV , pentru un tranzistor avand
geometria W/L = 30m/1m, n care s-a injectat un curent de 50A.
a). Sa se determine curentul prin tranzistor, daca dimensiunea sa ramane aceeasi, dar
tensiunea de overdrive se modica la V
od
= 200mV .
b). Sa se redimensioneze tranzistorul astfel ncat un curent de 90A sa produc a o
tensiune de overdrive de 230mV .
c). Care este numarul de tranzistoare unitate care trebuie conectaten paralel, necesare
pentru a avea un curent total de 209A. Tranzistorul unitate are W/L = 20m/1m
si V
od
= 280mV .
Solutie:
14
C
i
r
c
u
i
t
e
I
n
t
e
g
r
a
t
e
A
n
a
l
o
g
i
c
e
M
V
DD
W
L
=
I=50A
30
1
Figura 14
a). I

= 32A
b). W

/L

= 63, 8m/1m
c). I
unit
= 41, 8A, I
total
/I
unit
= 5
9). Pentru circuitul din Figura 15 sa se calculeze curentul I si sa se precizeze regimul de
funct ionare a tranzistoarelor.

In calculele numerice se considera cunoscute R = 28k,
k
n
= 3 k
p
= 90A/V
2
, V
Thp
= 700mV , V
Thn
= 500mV si Wp/Lp = 3 Wn/Ln =
45m/0, 5m.
M
1
I
M
2
R
V
DD
Figura 15
Rezolvare:
Analizand circuitul putem scrie urmatoarea relat ie:
15
C
i
r
c
u
i
t
e
I
n
t
e
g
r
a
t
e
A
n
a
l
o
g
i
c
e
V
DD
= V
SG2
+RI +V
GS2
|V
Thp
| +

p
+RI +V
Thn
+ +

n
= V
DD
(40)
Unde
n
=
k
n
W1
2L1
si
p
=
k
p
W2
2L2
.
Rearanj am relat ia anterioara astfel ncat sa obt inem o ecuat ie de gradul 2 cu necunos-
cuta

I:
RI +

n
+
1

(V
DD
V
Thn
|V
Thp
|) = 0 (41)

Inlocuind valorile numerice si rezolvand ecuat ia, rezulta valoarea curentului de 50,4A.
Condit ia de saturat ie a unui tranzistor NMOS este ca V
DS
> V
GS
V
Th
. Deoarece,
n cazul circuitului analizat avem V
G
= V
D
, rezulta ndeplinirea condit iei de saturat ie.
Pin urmare, atat tranzistorul NMOS, cat si cel PMOS sunt n regimul saturat.
10). S a se dimensioneze tranzistoarele M
1
, M
2
si M
3
pentru ca sursele de curent
implementate de acestea sa furnizeze 105A, 45A, respectiv 30A. Se stie: V
biasn
=
750mV , V
Thn
= 500mV si k
n
= 120A/V
2
.
M
1
M
2
M
3
V
biasn
30A 45A 105A
Figura 16
Rezolvare:
Calculam cel mai mic divizor comun al numerelor care reprezinta curent ii dorit i. Astfel,
cmmdc(105A, 45A, 30A)=15A. Trebuie sa dimensionam un tranzistor, asa numit
unitate, care are curentul de drena I
unit
= 15A si o tensiune de overdrive rezultata
din valoarea lui V
biasn
. Tensiunea de overdrive este:
V
od
= V
GS
V
Th
= V
biasn
V
Th
= 250mV (42)
16
C
i
r
c
u
i
t
e
I
n
t
e
g
r
a
t
e
A
n
a
l
o
g
i
c
e
Pentru curentul unitate si tensiunea de overdrive gasita avem:
I
unit
=
k
n
W
unit
2L
unit
V
2
od

W
unit
L
unit
=
4
1
(43)
Raportul lat ime pe lungime a lui M
1
, M
2
si M
3
se determina nmult ind W
unit
/L
unit
a
tranzistorului unitate cu multiplicatorul corespunzator curentului dorit.
W
1
L
1
= m
1

W
unit
L
unit
= 7
4
1
,
W
2
L
2
= 3
4
1
,
W
3
L
3
= 2
4
1
(44)
11). Se da sursa de curent cu tranzistor MOS si degenerare rezistiva din Figura 17 a).
Valoarea transconductant ei este g
m
= 500S, a rezist entei drena-sursa r
DS
= 100k
si a rezistent ei pasive este R = 1k. Sa se calculeze rezistent a de iesire a sursei de
curent.
M
g
m
V
GS
r
DS
I
out
I
out
V
out
V
G
R
R
I
out
a) b)
Figura 17
Rezolvare:
Schema de semnal mic este data n Figura 17 b). Tensiunea de iesire reprezinta caderea
de tensiune pe rezistent a drena-sursa a tranzistorului nsumata cu cea pe rezistenta R,
conform ecuat iei (45).

V
out
= r
DS
(I
out
g
m
V
GS
) +RI
out
V
GS
= RI
out
(45)
Rezistent a de iesire echivalenta a sursei de curent este egala cu raportul tensiunii si a
curentului de iesire:
17
C
i
r
c
u
i
t
e
I
n
t
e
g
r
a
t
e
A
n
a
l
o
g
i
c
e
R
out
=
V
out
I
out
= R +r
DS
+g
m
r
DS
R = 150k (46)
12). Schema sursei de curent cascoda MOS este data n Figura 18 a). Se cunosc:
valoarea transconductant ei g
m
= 500S si a rezistent ei drena-sursa r
DS
= 100k. Sa
se calculeze rezistent a de iesire a acestei surse de curent.
g
m2
V
GS2
M
1
I
out
V
out
V
G1
I
out
r
DS2
r
DS1
g
m1
V
GS1
M
2
V
G2
I
out
a) b)
Figura 18
Rezolvare:
Schema de semnal mic este desenta n Figura 18 b). Pentru a gasi R
out
se scrie
urmatorul sistem de ecuat ii:

V
out
= r
DS1
(I
out
g
m
V
GS1
) +r
DS2
(I
out
g
m
V
GS2
)
V
GS1
= V
G1
V
S1
= 0
V
GS2
= V
G2
V
S2
= r
DS1
(I
out
g
m
V
GS1
) = r
DS1
I
out
(47)
Rezolvand sistemul de ecuat ii obt inem:
R
out
=
V
out
I
out
= r
DS1
+r
DS2
+g
m
r
DS2
r
DS1
= 5M (48)
13). Sa se repete problema anterioara pentru cazul n care tranzistorul cascoda M
2
se nlocuieste cu unul bipolar. Se mbunatat esc performant ele circuitului? Se cunosc:
pentru tranzistorul MOS g
m
= 500S, r
DS
= 100k, V
od
= 200mV si pentru cel
bipolar r
CE
= 100k, V
T
= 25mV .
18
C
i
r
c
u
i
t
e
I
n
t
e
g
r
a
t
e
A
n
a
l
o
g
i
c
e
g
m2
V
BE2
M
1
I
out
V
out
V
G1
I
out
r
BE2
r
DS1
g
m1
V
GS1
Q
2
V
B2
I
out
r
CE2
V
B2
a) b)
Figura 19
Rezolvare:
Se calculeaza transconductant a unui tranzistor MOS si a unuia bipolar pentru un curent
de dren a, respectiv colector, de aceeasi valoare.

g
mMOS
=
2I
V
od
=
I
100m
g
mTB
=
I
V
T
=
I
25m
(49)
Comparand valorile transconductant elor, rezulta ca g
mTB
= 4g
mMOS
. Prin urmare,
rezistent a de iesire a sursei de curent cu tranzistor cascoda bipolar este de patru ori
mai mare decat cea a variantei MOS.
R
out
= r
DS1
+r
CE2
+g
mTB
r
CE2
r
DS1
= 20M (50)
14). Fie schema sursei de curent cu rezistent a de iesire marita din Figura 20 a). Cu-
noscandu-se g
m
= 500S, r
DS
= 100k si a = 25, sa se calculeze valoarea rezistent ei de
iesire a sursei de curent. Sa se dea o posibila implementare a schemei amplidicatorului
la nivel de tranzistor.
Rezolvare:
Folosind schema echivalenta de semnal mic din Figura 20 b), se pot scrie teorema lui
Kirchho pentru curent i si legea lui Ohm:
19
C
i
r
c
u
i
t
e
I
n
t
e
g
r
a
t
e
A
n
a
l
o
g
i
c
e
g
m2
V
GS2
M
1
I
out
V
out
V
G1
I
out
r
DS1
g
m1
V
GS1
M
2
V
ct
r
DS2
+
V
G2
V
S2
-a
V
G2
V
S2
I
out
a) b)
Figura 20

V
out
= r
DS1
(I
out
g
m
V
GS1
) +r
DS2
(I
out
g
m
V
GS2
)
V
GS1
= V
G1
V
S1
= 0
V
GS2
= V
G2
V
S2
= aV
S2
V
S2
= (a + 1) r
DS1
I
out
(51)

Inlocuind expresiile lui V

GS1
si V
GS2
n prima ecuat ie a sistemului, rezulta R
out
:
R
out
=
V
out
I
out
= r
DS1
+r
DS2
+ (a + 1) g
m
r
DS2
r
DS1
= 125M (52)
Amplicatorul se poate implementa cu tranzistoarele M
3
si M
4
. Structura reprezinta
un amplicator inversor cu sarcina sursa de curent (M
4
), unde tranzistorul de intrare
este n conexiune de sursa comuna (M
4
).
20
C
i
r
c
u
i
t
e
I
n
t
e
g
r
a
t
e
A
n
a
l
o
g
i
c
e
g
m2
V
GS2
M
1
I
out
V
out
V
G1
I
out
r
DS1
g
m1
V
GS1
M
2
V
ct
r
DS2
V
DD
V
G2
V
S2
I
out
M
3
M
4
g
m4
V
GS4
g
m3
V
GS3
r
DS4
r
DS3
V
S2
=V
GS3
V
G2
Figura 21
21