L CIRCUITO INTEGRADO

74HCTLS192
Contador Bidireccional Con preseleccin.
Jue 27.11.2014
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INTRODUCCIN.
En esta ocasin vamos a describir cmo es y funciona
el dispositivo 74LS192 o su equivalente 74HCTLS192.
El SN74LS192 es un contador de dcadas Up/Dw en BCD
(8421) y es el SN74LS193 es un contador binario de 4
bits Up/Dw. Utiliza entradas separadas de reloj,
contador adelante y contador atrs, en el modo de
conteo, los circuitos funcionan de forma sncrona.
Cambio sincrnico del estado de las salidas con la
transicin BAJO a ALTO en las entradas de reloj. El
funcionamiento sncrono es proporcionado, por tener
todos los registros flip-flops simultneos, de modo que
las salidas, cambian juntas segn la lgica de control.
Este modo de funcionamiento, elimina los picos de
conteo de salida que, normalmente se asocian con los
contadores asncronos (ondulacin de reloj). Las
entradas y salidas son totalmente compatibles con
dispositivos TTL, NMOS y CMOS, con un ancho de
operatividad de 4,5V a 5,5V.
A la derecha, se muestra el
diagrama de los circuitos
integrados 74LS192/LS193
as
como
sus
homlogos 74HCTLS192/LS

193.
Ambos,
contadores
Decimal/Binario
son
reversibles, sncronos de 4 bits, Up/Dw, (formados por 4
flip-flops principal - secundario, junto a su lgica), todos
estn concebidos para minimizar la lgica adicional entre
etapas, cuando estos trabajan en cascada. De la misma
familia se puede encontrar dispositivos similares el
74LS190/LS191.

Las salidas de los cuatro flip-flops maestro-esclavo se

disparan por una transicin de nivel BAJO a ALTO de
cualquiera de las entradas de conteo (reloj). La direccin
de conteo se determina, segn la entrada de conteo que
es pulsada, mientras que la otra entrada de conteo se
mantiene alta.
El circuito integrado 74LS192, dispone de cuatro
entradas de datos (Da - Dd) para cargar las salidas (Qa
- Qd) a un determinado estado, aplicando los datos a
dichas entradas. Se aplica el nivel bajo L a la patilla 11
de carga ('load'), esta operacin de carga es
independiente del nivel de reloj y del estado del
contador, a partir de haber aplicado el nivel bajo, en la
salida del contador, se tendrn los datos de carga en las
salidas (Qa, Qb, Qc, Qd). Y a partir de este momento
segn el nivel aplicado en la entrada de reloj Up/Dw,
as har avanzar o retroceder el contador, har cambiar
el estado previo de las salidas.
En la imagen siguiente, se aprecian la posicin y
nombre de los pines del CI. Este dispositivo contador
tiene dos entradas de reloj; la de conteo ascendente
(subida, patilla 5) y la de conteo descendente (bajada,
patilla 4). La cuenta se produce durante la transicin del
nivel L a nivel H en cualquiera de estas dos entradas que
cambiar el estado de la cuenta, segn el nivel aplicado
en estas entradas Eu (5) y Ed (4).

La entrada de PAC (puesta a cero, patilla 14, Clear)

permite situar las salidas del contador, en el estado 0,
cuando se le aplica el nivel H. Esta entrada es
igualmente independiente del nivel aplicado en las
entradas de carga o de las de conteo, bien ascendente o
descendente.
La salida acreedora (descuento o 'Borrow', patilla 13)
producir un impulso de longitud similar al de conteo,
cuando el contador alcance el estado 0 y pase a 9. En
cambio la salida acarreo ('Carry', patilla 12) producir
un impulso de longitud similar al de conteo, cuando el
contador alcance el estado mximo 9 y salte a 0, en el
caso del CI 74LS193, por ser binario, lo har cuando la
salida pase de 1111 (F) a 0.

DESCRIPCIN.
Las entradas de carga de datos (Da-Dd), nos sirven
para preestablecer un nmero de partida en las salidas,
llamado preseleccin, tanto para el conteo ascendente
como el conteo descendente ('Up/Dw'), a partir del cual
se producir la cuenta con cada pulso del reloj de
entrada. Para cargar el nmero preseleccionado, la
patilla 11 de carga ('Load'), se debe llevar por un
instante
al
nivel L y
volver
al

nivel H permanentemente. Por lo que se entiende que

cada vez que se aplique un nivel L a esta patilla 11, se
vuelve a cargar el nmero preseleccionado, con este
comportamiento, se puede constituir un divisor de
frecuencias, con solo establecer un nmero en la carga
de preseleccin, aunque demostrar esto no es nuestro
cometido ahora.
Para evitar en gran medida que se produzcan
problemas parasitarios en este tipo de dispositivos, es
recomendable cargar todas las patillas del circuito
integrado a un nivel predeterminado, segn lo previsto
para su funcionamiento y la aplicacin que el proyecto
requiera. Que quiere decir esto; que debemos conectar
una resistencia de 10k entre la patilla que no usemos y
el +Vcc si su nivel ha de ser H (Alto) o si ha de ser L
(Bajo) se conectar a masa. En cuanto a las entradas de
preseleccin, es conveniente utilizar un preselector
rotativo codificado a BCD por cada dgito, como el
mostrado ms abajo.

FUNCIONAMIENTO.
El punto de mayor importancia de este dispositivo en
esta aplicacin prctica, se ha resaltado dentro de un
rectngulo,
en
el
que
se
aprecian
3
puertas NANDcorrespondientes a un 74LS00, una de
ellas conectada a su vez como inversor, adems de 1
pulsador de puesta a cero PAC, 1 conmutador arribaabajo 'Up/Down' y una resistencias de 1k5 de 1/4 W.
De modo que, cuando se aplica una serie de impulsos
en la entrada, en esta disposicin, los pulsos pasaran
por la patilla 2 a la salida 3 de esta puerta para ingresar
en la entrada Eu ascendente del circuito integrado
74HCTLS192, independientemente del estado previo de
conteo. Si lo que deseamos es descontar una serie de
impulsos, debemos cambiar la posicin del conmutador
C, de modo que la patilla 6 del 74LS11 permanezca a
nivel L (0) por lo que los impulsos ahora pasaran por la
patilla 5 hacia la patilla Ed de descuento. Los impulsos

no pueden pasar a la patilla 3, como antes ya que en la

patilla 2 hay un nivel H que impide cualquier salida,
segn su tabla de la verdad.
Por lo tanto para esta prctica, necesitaremos los
siguientes componentes:
1 - 74LS11
- 4 puertas NAND de dos
entradas.
1 - 74LS192 - contador decimal Up-Dw.
1 - 74LS47 o CD4511 - Decodificador BCD a 7
segmentos.
1 - Preselector codificador de 10 a BCD o un
conjunto de 4 interruptores DIL.
1 - FD500 - Display a LED de 7 segmentos 1/2
Pulgada.
6 - Resistencias de 1k5 de 1/4 de vatio.

Un ejemplo del funcionamiento de este circuito

integrado lo podemos ver en la leccin 6 y siguientes.
A continuacin se muestra el diagrama del que
hablamos, ver la figura 02.

Fig. 02

A este diagrama
esquemtico
que
constituye por s

slo, un contador de un dgito, al que se le pueden

aadir nuevos dgitos en cascada, conectndolos a
las salidas SC y SB de ste con las correspondientes EU y
ED respectivas del siguiente dgito (cada dgito est
formado por este conjunto, excepto el contenido dentro
del marco y el pulsador PAC que, es comn a todos los
dgitos.
A la derecha, una imagen de un preselector
decodificador rotativo de decimal a BCD, cada dgito
necesitar un preselector, con el que fijar el ajuste de
inicio de cuenta. No obstante diremos que, si el
propsito del proyecto no requiere cambiar esta
preseleccin, estas entradas de carga, pueden fijarse a
un cierto nmero mediante su conexin directa al nivel
requerido, garantizando su funcionamiento. Por ejemplo,
si ni se necesita el preselector, todas las entradas de
carga, se pueden poner a masa (L), ya que cuando
llegue a la mxima cuenta volver a cero (0) y en caso
de querer poner a 0 el contador, pulsaremos el botn de
PAC.
La figura 03, nos muestra la forma de conectar
esquemticamente
entre
s,
varios
contadores
74HCTLS192 o bien 74LS192, mediante un montaje en
serie o cascada, tiene varias formas de conectarse, es
interesante ver las hojas de caractersticas del
fabricante.

Fig. 03 Conexin de tres contadores en serie.

En esta figura 03, se pueden apreciar las lneas de

conteo arriba y abajo, las salida de acarreo y descuento
as como las comunes para todos ellos de PAC y carga,

en un montaje serie asncrono con propagacin retenida

entre etapas. Y finalmente, en la siguiente figura se
presenta el diagrama de lo descrito para dos dgitos y
una salida a un rel.

CONCLUSIN.
Muchos de los dispositivos denominados circuitos
contadores que podemos construir mediante un CI
estndar, son de caractersticas similares y su
configuracin de puesta en marcha difiere en aspectos
concretos, por lo que se recomienda estudiar las
caractersticas del fabricante. Por otra parte, como ya se
ha
comentado
es
conveniente
utilizar
como
preselectores unos dispositivos similares a los de la
imagen de arriba. Todo lo descrito, puede aplicarse a
otros dispositivos de similares funciones incluso de
distintas familias.
http://hispavila.com/3ds/tutores/ls192.htm

LECCIN 6
El Contador Digital
13/02/06

INTRODUCCIN.
En electrnica es bastante frecuente verse necesitado de
contabilizar eventos y por tanto se requiere utilizar un contador, en
nuestro caso se tratar de un contador electrnico digital. Por otra
parte, en nuestros das estamos rodeados de dispositivos que
disponen de algn tipo de contador digital, incluso en la mayora de
los electrodomsticos vienen equipados con uno. Un contador digital,
bsicamente consta de una entrada de impulsos que se encarga de
conformar (escuadrar) las seales, de manera que el conteo de los
pulsos no sea alterado por seales no deseadas, las cuales pueden
falsear el resultado final. Estos impulsos son acumulados en un
contador propiamente dicho cuyo resultado, se presenta mediante un
visor que puede estar constituido por una serie de sencillos dgitos de
siete segmentos o en su caso mediante una sofisticada pantalla de
plasma.
Nosotros empezaremos por considerar un circuito de entrada que
nos permita tomar la seal motivo del conteo, para lo cual hemos de
pensar en la forma de tomar la seal a medir, de modo que le demos
a sta una forma adecuada que nos asegure una cuanta correcta.
Para que el mencionado circuito sea lo ms universal posible es
importante:
Tener la entrada de alta impedancia (Z). Nuestro circuito
no debera absorber demasiada seal para no inducir errores.

Dicha seal, la deberemos escuadrar de forma segura.

El circuito constar de un separador de corriente continua mediante

un condensador cermico de baja capacidad (47nf/400V), para
detectar las seales de alta frecuencia, separando la alta tensin, si
es el caso. La salida, se conectar a un diferenciador constituido por
una puerta lgica, para una mayor seguridad dicha puerta ser un
disparador Schmitt (triger Schmitt). Si utilizamos un transistor, ste
debe ser de alta velocidad, similar al 2N2222. En la figura 01, se
presenta el esquema sinptico de un contador de dos dgitos formado
por dos contadores (74HCT192 o 74LS192), dos decodificadores
(74HCT48 o 74LS48) y sus correspondientes visualizadores (display)
MAN74 o FND500.

Fig. 01 Esquema sinptico

ADAPTADOR DE SEAL.
El circuito de la figura 02, representa la entrada descrita, en la
figura 03, ms elaborada, se aprecia el circuito de entrada completo
que, puede servirnos en la mayora de los casos, en la figura 04, se
presenta un nuevo circuito con mejores prestaciones, al que se le a
aadido el mencionado disparador Schmitt, formado por la puerta de
alta velocidad 74HCT14 (6 inversores Schmitt). En el cual resaltamos
el punto (A) ya que en l, los impulsos detectados an no estn
totalmente escuadrados, como ocurre con los obtenidos a su salida.

Fig. 02

Fig. 03

Fig. 04
En la figura 02, se pueden apreciar dos componentes, el
condensador separa la tensin continua y el resistor que eleva la
impedancia lo suficiente para nuestro cometido. En la figura 03, se
propone un circuito que utiliza un transistor como seguidor de emisor
con un limitador de tensin a 6V, mediante el diodo zener, al que le
sigue un nuevo transistor separador que mejora la salida,

permitiendo as, un mayor impedancia de entrada, algo

imprescindible en estos casos y una alimentacin con un amplio
margen.
En la figura 04, los limitadores de tensin son los dos diodos D1 y
D2, su punto comn como se aprecia, est conectado a la base de un
transistor mediante un divisor de tensin formado por R2 y R4 y la
salida del transistor T1 como seguidor de emisor, nos da la seal que
utilizaremos para el contador, no obstante, se ha intercalado un
inversor o puerta triger-Schmitt para escuadrar al mximo dicha
seal.

EL CONTADOR.
Hasta aqu, hemos visto cmo detectar y escuadrar los impulsos
que posteriormente se han de contar, un paso importante. Ahora,
trataremos el que considero corazn del contador propiamente dicho,
es decir, la parte del circuito que se encarga de contar, almacenar y
acumular cada pulso de la cuenta al siguiente y si es el caso cambiar
de dcada, pero ser mejor empezar por el principio.
Ms adelante analizaremos en profundidad los circuitos que
componen un contador, en estos momentos nos centraremos en lo
que se necesita para construir un contador unido a un visor, en el
que se muestre los totales contados.
El circuito bsico que se use, depender de la tecnologa disponible,
esto lo podemos apreciar mejor en la tabla siguiente:
FAMILIA TIPO
Frec.
Vol. Decodificador Relacin V/C
TTL
74LS192
32 MHz
5,5
74LS48
+ velocidad + consumo
CMOS CD4510B
4 MHz 3 12
CD4511
- velocidad - consumo
HCTLS 74HCTLS192 54 MHz. 3 6
74HC48
+ velocidad - consumo

EL CIRCUITO DIGITAL 74LS192

CONTADOR DECIMAL.
Atendiendo a que la velocidad es muy importante y en cualquier

momento se puede requerir esta capacidad, nos centraremos en la

opcin de la serie 74HCTLS192 o en su defecto por la 74LS192 ya
que se trata del mismo dispositivo, lo nico que cambia es el
consumo, la tensin de trabajo y poco ms.
El dispositivo 'LS192, constituye un contador asncrono reversible
con entrada paralela, preparado para efectuar el conteo decimal en
cdigo binario BCD, que adems dispone de preseleccin de carga.
Para cargar las salidas a un determinado estado, se aplican los
datos a las entradas DA, DB, DC y DD y se aplica el nivel bajo L a la
patilla 11 'load', esta operacin de carga es independiente del reloj y
del estado del contador. Por ejemplo: cargar el preselector a 9, esto
quiere decir que en las lneas de datos pondremos los siguientes
niveles: 1001, donde DA1, DB0, DC0 y DD1, es decir DA-DD al
positivo y DB-DC al negativo.
En la figura 07, se muestra la disposicin de las patillas de este
circuito integrado. Para ms informacin, a cerca del funcionamiento
de este dispositivo, 74HCT192 puedes pulsar sobre este enlace,
donde se presenta una aplicacin y la configuracin de las seales de
entrada y salida E/S en modo serie o cascada.

Fig. 07
El circuito de la figura 08, es una aplicacin prctica que, se
complementar aadiendo 3 puertas NAND correspondientes a un
74LS00, una de ellas conectada a su vez como inversor, o sea, sus
dos entradas unidas adems de unos pocos elementos, como 1
pulsador de puesta a cero PAC, 4 preselectores, 1 conmutador
arriba-abajo 'Up-Down' y unas resistencias de 1k5 de 1/4 W.
Tambin se puede hacer que el contador se ponga a una
determinada cuenta de forma automtica, esto lo dejo para que se
investigue por quien este interesado.

Obsrvese que, las entradas ABCD, estn forzadas a positivo

(permanentemente conectadas a +Vcc mediante sendas resistencias
[1k ]), esto es necesario, si queremos que no haya saltos en la
cuenta, debidos a diversas seales e interferencias espreas que,
suelen afectar bastante a los circuitos integrados cuando no se utiliza
este mtodo, adems recomiendo, aunque no se muestra en el
circuito, aplicar un condensador cermico tipo lenteja de 100nf/100V
(marcados como 104), a los pines de alimentacin de cada circuito
integrado del montaje.

Fig. 08
Esquema del contador para 1 dgito.
Como se desprende del circuito, para incrementar el nmero de
dgitos, tan solo habr que aadir otros tantos contadores como
dgitos se deseen y conectarlos en serie o cascada, prescindiendo de
las subsiguientes puertas de los nuevos contadores, o sea, las salidas
Sc y Sb a las respectivas entradas Eu y Ed del siguiente contador,
conectando las patillas de carga del mismo modo a sus respectivos
interruptores, de igual forma todas las patillas de puesta a creo,
utilizaran el mismo y nico pulsador de PAC.
Por otra parte, se encuentran los CD4511 o el 74LS48,
convertidores o decodificadores de BCD a 7 segmentos, el primero se
trata de un dispositivo de la serie CMOS por ser el ms tpico al igual
que por ser compatible con los HCT y el segundo de la serie TTL.
Esto es si se decide utilizar los dgitos a 7 segmentos led de nodo
comn, como el MAN72 o FND500, pongo por caso.

En la figura 09, se presenta la imagen correspondiente al circuito

impreso visto por la cara de los componentes, el cual puede utilizarse
para generar la placa de circuito impreso, atencin, obsrvese el
punto indicando la patilla 1, de cada circuito integrado en el circuito
impreso.

Fig. 09
Nota.- Si alguien desea hacer una adaptacin para presentar la
cuenta del contador para tres dgitos mediante un display del tipo
plasma, sta pgina est abierta a sugerencias y aportaciones de los
lectores.

CONTADOR DIGITAL CON

PRESELECCIN.
El contador que abordaremos en esta seccin, estar dotado de un
preselector que nos permitir indicarle que cuenta mxima debe
hacer y de este modo a su salida dispondremos de un pulso, con el
que podremos ejecutar una orden, bien con la ayuda de un rel o
mediante una seal luminosa u otro sistema digital al que le
indiquemos cuando debe realizar una nueva funcin.
El contador digital que proponemos, permitir realizar la cuenta
aditiva y regresiva, dependiendo de lo que en cada momento
necesitemos en nuestro programa de trabajo. La utilidad de un

contador digital que cuente en ambos sentidos, tiene una mayor

ventaja si le aadimos un sistema que nos permita utilizar la seal
de fin de cuenta para que a la salida podamos poner en marcha o
parar un proceso que dependa directamente de dicha cuenta.
Basndonos en el circuito integrado que hemos visto en la segunda
parte, como es el 74LS192, si vemos el circuito de la figura 08 y la
descripcin que all se hace, podemos deducir que para cada dcada
(dgito), son necesarios los mismos componentes, es decir:
1- Display de 7 segmentos (tener en cuenta su polaridad), nodo
comn
o
ctodo
comn.
1- Decodificador de 7 segmentos con la salida para nodo o
ctodo comn (el 74LS48 es de salida H y el 74LS47 de salida L).
1- Un contador decimal bidireccional (up/down) con preselector
en
paralelo,
como
el
74LS192.
1- Un preselector decimal codificado en BCD (a ser posible
rotativo, esto ltimo no es imprescindible).
En esencia poco ms tendremos que aadir, si bien deberemos
tener en cuenta los siguientes puntos:
- En primer lugar, tendremos en cuenta cuantos dgitos
vamos
a
disponer,
en
nuestro
caso
dos.
- Los preselectores que necesitaremos depender de
los
dgitos
que
hayamos
considerado.
- Los display que utilicemos, si utilizamos los
comerciales de 1" (una pulgada) o los fabricamos
nosotros mediante dos o tres lmparas por segmento
o
tubos
fluorescentes
de
encendido
rpido.
- La corriente de consumo del equipo tambin
depender de estos elementos, tengamos en cuenta
que los dispositivos implicados en cada dgito se
repiten para cada dcada y puede ser considerable.
- Por ltimo, sera conveniente disponer de un tablero
de control desde el cual, deberemos poder manejar los
diferentes pulsadores, conmutador de avance o
retroceso o los distintos selectores.
En principio y solo en principio, podemos estar ante un control de
tanteo de un marcador de un evento deportivo, esto se tratar en

otra leccin que ya tenemos previsto poner a disposicin de los

interesados. En este momento, vamos a continuar con nuestro
contador digital de dos dcadas para alcanzar una cuenta mxima de
100 (tener en cuenta que el 00, tambin es una cuenta), o si
apuramos el sistema, podremos llegar con dos dgitos hasta 1000,
pero no 1001.
Ahora presentamos el circuito de la figura 07 de la anterior seccin,
para mayor comprensin, en ella podemos diferenciar tres partes
fundamentales:

Fig. 08 Contador digital con preselector.

Un punto muy importante a considerar con mucha atencin es la
parte encerrada en un cuadro que hemos denominado 'Control de
cuenta', esta sencilla disposicin de estas tres puertas NAND (que
pueden pertenecer a un 74LS00), un conmutador de dos posiciones y
una resistencia de 1k, son la parte esencial de comando del contador
en la forma ms simple y que al mismo tiempo nos permite la mayor
garanta de buen funcionamiento.
Otro punto de los tres enumerados es el formado por el preselector
y el propio contador decimal 74LS192. Estas dos piezas son las
responsables de la que podemos considerar forma concreta de
conteo particular al que podemos dar lugar, basndonos en la
disposicin exacta del preselector.

Veamos con detalle lo que queremos decir con la posicin del

preselector, si utilizamos uno pequeo de los llamados 'switch dual-in
line' de 4 u 8 contactos que van en un dispositivo similar a un
circuito integrado, como los representados en la figura 08, hemos de
tener en cuenta que el usuario ha de conocer muy bien contar en
binario, ya que no todos son capaces de hacer una conexin
adecuada con soltura.
CUENTA

5
7
9
3
4
8
6

0
0
1
0
0
1
0

1
1
0
0
1
0
1

0
1
0
1
0
0
1

1
1
1
1
0
0
0

Naturalmente para nosotros es bastante sencillo de comprender

este sistema de contar y fcilmente podemos deducir que un 1
significa que el contacto en cuestin, segn la citada figura, lo
tendremos que dejar al 'aire' como decimos en el argot de la
electrnica, en cambio para cada 0 (cero), deberemos poner en
contacto cerrado cada contacto que le corresponda. Obsrvese la
disposicin que le hemos dado a los contactos (DCBA), esto es
debido al peso que corresponde a cada lnea de entrada al circuito
integrado y que se debe respetar escrupulosamente para su buena
comprensin.

Fig. 10 Detalle elctrico de un decodificador 10 a BCD y muestra real.

En la figura 10, mostramos las caractersticas de construccin de un
decodificador rotativo decimal a BCD. Los cuatro crculos
concntricos pretenden ser cada uno un contacto en el que los
tramos de mayor espesor representa las pistas de contacto de la
escobilla que unir cada uno con el eje central el cual se conectar a
masa en nuestro caso, obsrvese que cada lnea se conecta a travs
de una resistencia de 1k al positivo. Comparemos las dos imgenes
de la figura 10 y observemos la similitud que existe entre ambas.
Visto el decodificador, resultar ms sencillo comprender cmo acta
sobre el circuito contador decimal integrado en el dispositivo 74LS192,
al que lo conectaremos en las entradas denominadas de preseleccin.
Para cargar las salidas a un determinado estado, se aplicar la
informacin a las entradas de datos (patillas 15,1,10 y 9), esto nos
permite preseleccionar el inicio de la cuenta. Conectamos la entrada de
carga (patilla 11) a nivel bajo L. Esta funcin de carga es
independiente de la entrada de reloj y del estado del contador. El
74LS193 es un contador similar al que se describe 74LS192, la
diferencia es que el 74LS193 realiza un conteo en binario puro.
En este dispositivo contador, (las entradas que no reciben
impulsos, deben permanecer a nivel alto H), dispone de dos entradas
independientes de reloj, la de conteo (subida 'Up', patilla 5) y la de
descuento (bajada 'down', patilla 4). La patilla 14 'puesta cero' PAC,
es la que nos permite situar el contador a 0, al aplicarle un nivel alto
H. Las salidas del contador cambian de estado durante la transicin
del nivel L al nivel H en cualquiera de ellas.
La salida de descuento ('borrow' patilla 13) nos presenta un impulso
de la misma duracin que el de entrada cuando el contador alcanza

la cuenta mnima (estado 0). La salida de acarreo ('carry', patilla 12)

nos dar un impulso de la misma duracin que el de entrada al
alcanzar la cuenta mxima (estado 9). Estas dos lneas nos sirven
para interconectar con otros contadores en serie o cascada,
permitiendo el acarreo o descuento en las respectivas dcadas.
De manera que cuando hemos cargado el nmero de partida en el
preseleccionador, debemos cargar dicha cuenta con un impulso L en
la patilla de carga (pin 11), devolvindolo al estado H. Es decir, cada
vez que se lleva a L esta patilla, se iniciar la cuenta desde ese
nmero preseleccionado.

EL RELOJ DIGITAL.
El contador que abordaremos en esta seccin, como indica el ttulo,
se trata de un reloj. Ahora, podemos abordar la realizacin de un
reloj digital desde dos perspectivas: El tradicional reloj que nos
muestre los dgitos desde el 1 al 12 o el reloj de nmeros binarios
para complacer a los entusiastas de este tipo menos visto y sin
embargo no menos atractivo.
En principio el planteamiento es el mismo: un generador de pulsos,
un contador/divisor por 10, un contador/divisor por 12, un
contador/divisor por 6 y si queremos un preselector para una alarma.
En un caso usaremos, displays y en el otro caso unos diodos LED
para representar los bits. Propongo usar los circuitos integrados de la
serieCMOS, por sus caractersticas, en caso de disponer de los
clsicos TTL, el lector debe encontrar los equivalentes.

RELOJ DIGITAL CON DIODOS LED.

Dependiendo de las exigencias que le pidamos, el generador de
impulsos debe ser de dcimas de segundo como ya hemos visto
en base de tiempos y el 'segundo mtodo' en la leccin 2, donde
podemos aprender cmo conseguir fcilmente los pulsos de 10Hz/s y
1Hz/s. Ver imagen.

LOS CONTADORES.
Como ya he apuntado, son necesarios dos
tipos de contadores, las unidades y las
decenas de segundos minutos y horas. Para
todos usaremos un contador decimal, el cual
como ya veremos mediante una combinacin
de puertas podemos adaptarlo a nuestras
necesidades. Otra cuestin a tener en cuenta es, reducir al mximo
los componentes utilizados y aprovechar todos sus recursos.
Como contador vamos a usar un doble contador Binario como puede
ser el CD4520B o el 74LS393, el cual se muestra en la figura de la
derecha, este contador por sus caractersticas como veremos, lo
podemos configurar como divisor por 10 y como divisor por 6, ambos
son
los
que
necesitamos.
La figura de la
izquierda
muestra
el
contador
por
diez para los
segundos,
se
puede apreciar
el pulsador para
poner la cuenta a "0" para sincronizar la hora, este pulsador pone a
cero los segundos y las dcimas de segundo al mismo tiempo. En la
figura de la derecha se muestra el conexionado del mismo contador
para dividir por seis para la cuenta de las decenas de segundo para
los 60 segundos .

De este modo aprovechamos ambos contadores contenidos en el

mismo dispositivo y reducimos al mnimo los circuitos integrados que
intervienen en el montaje.
El esquema que se muestra a continuacin muestra la configuracin
para construir un reloj digital, constituido por 20 diodos LED, el
conocido como reloj binario, diodos dispuestos de forma que se
puede leer la hora sumando los bits de cada columna. Si, es un tanto
extrao para la mayora, sin embargo hay muchos que les gustan las
cosas personalizadas (como algunos dicen "tuneadas").

Click para ampliar

La figura siguiente muestra la disposicin de los 20 diodos LED en
un panel que dispondremos para su presentacin.

LISTA DE COMPONENTES.
La lista de componentes para construir este reloj digital de lectura
binaria es la siguiente:
1
1
1
3
2
10
21
1
1
2
3
1
1
1
1
3
21
4

CD4022B - Divisor
CD4017B - Divisor decimal
Johnson
CD4093B - 4 Puertas NAND
Schmit Trigger
CD4520B - Doble divisor
Binario
CD4081B - 4 Puertas AND
1N4148 - Diodos pequea
seal
LED ROJO - 5m/m de Alta
luminosidad
LED VERDE - 5m/m de Alta
luminosidad
BC549C - Transistor universal
NPN
Diodos Zener de 5'1V
0'5Watios
Pulsadores NO (Normalmente
abiertos)
Conmutador dos posiciones
(para 50 o 60 Hz)
Interruptor de red.
Transformador de red de 220240 / 9 + 9 Voltios 500mA
Porta Fusible con fusible de
0'5A
Resistencias de 10KOhms 5%
0'5 W
Resistencias de 100Ohms 5%
0'5W
Resistencias de 2K2Ohms 5%
'05W

LECTURA.
La lectura de este tipo de reloj, se efecta sumando el peso de cada

LED encendido en cada columna, de modo que en la imagen que se

muestra debajo, la hora indicada es mostrada como: 13:50:25

En la foto que sigue (no es ma, aunque sirve al caso), se aprecia

un nuevo ejemplo en un montaje ms personalizado y con ms
detalle.

RELOJ CON DGITOS.

Para los interesados en lo tradicional, pueden usar el mismo circuito
de base para adaptarlo a los visualizadores de 7 segmentos, debe
realizarse un cambio en el esquema mostrado ms arriba, en el dual
puede apreciarse los puntos dispuestos a la salida de cada divisor,
justo antes de las resistencias de 100 Ohmios limitadores de los
diodos LED, estos puntos se han previsto en el esquema como
referencia para este proyecto.
Este es el punto o mejor dicho,
estos son los puntos donde
conectaremos las entradas BCD
de los decodificadores que se
encargarn
de
convertir
las
cuentas de binario a decimal de
los
divisores.
Los
circuitos
integrados que se deben usar
vienen condicionados por el tipo
de display disponible en el mercado, as pues, para unos displays de

http://hispavila.com/3ds/lecciones/lecc6.htm
Ejemplo de diseo de interruptor o switch con transistor bipolar
Para calcular el valor de Rb (resistencia de base) que se utilizar para que el circuito funcione
como un interruptor (conectar y esconectar un voltaje de 12 voltios en A). Ver el diagrama.
Los datos que tenemos son:
Voltaje
de
alimentacin
- Bombillo
(foco) 12V,
- B (beta) mnimo del transistor es: 200

12

V
1.2W

Transistor en saturacin
-

Para obtener Ic se sigue el siguiente procedimiento:

De
la
frmula
de
Potencia: Potencia del
bombillo
=
P
=
VxI.
Despejando I se obtiene: I = Ic = P/V = 1.2 watts / 12 voltios = 100 mA
Se escoge el B (beta) menor (200) para asegurar de que el transistor se sature.
La corriente de
base
es:
Ib
=
Ic/B
=
100
mA/200
=
0.5
mA.
Esta es la corriente de base necesaria para que el transistor se sature y encienda el bombillo.
Para calcular Rb se hace una malla en el circuito de la base: 12 V = Rb x Ib Vbe
Rb = (120.7)/Ib = 11.3 V/0.5 mA = 2260 ohmios. Para efectos prcticos Rb = 2.2 Kohms

Nota: Vbe = 0.7 Voltios en un transistor tpico de silicio. (aproximadamente)

Transistor en corte
Para que el bombillo se apague, basta que la corriente (Ic) que pase a travs de l sea cero.
Para lograrlo se hace que la corriente de base Ib sea cero (Ic = BxIb), poniendo el voltaje que
alimenta el circuito de la base en cero (0 Voltios)*
El siguiente video muestra el funcionamiento del transistor como switch. Slo hay que aclarar de
que las letras de los terminales de base (B) y colector (C) estn invertidas. (alrededor del
segundo: 16)

L TRANSISTOR BIPOLAR
1 INTRODUCCION
La Figura 1 muestra el smbolo de un transistor bipolar o BJT (Bipolar Junction Transistor), con la
nomenclatura habitual de sus terminales.

Figura 1: Smbolo y tipos de transistor BJT

Internamente, el BJT se compone de tres capas de silicio, segn la configuracin mostrada en la
Figura 2.

Figura 2: Estructura interna del transistor bipolar

Como puede apreciarse, la flecha que indica el tipo de transistor, apunta al sentido de la
corriente en polarizacin directa del diodo BE. En principio, parece una estructura simtrica, en
la que es imposible distinguir el emisor del colector. Sin embargo la funcin que cumple cada
uno es completamente distinta, y en consecuencia, se fabrican con diferentes caractersticas. Por
lo tanto no es un componente simtrico.
Un transistor tiene dos formas principales de operacin: como un interruptor o como una
resistencia variable.

1.1 TRANSISTOR COMO INTERRUPTOR

La funcin del transistor como interruptor es exactamente igual que la de un dispositivo
mecnico: o bien deja pasar la corriente, o bien la corta. La diferencia est en que mientras en
el primero es necesario que haya algn tipo de control mecnico, en el BJT la seal de control es
electrnica. En la Figura 3 se muestra la aplicacin al encendido de una bombilla.

Figura 3: El transistor bipolar como interruptor de corriente

En el primer caso, bajo la seal de control adecuada, que es introducida a travs de la base, el
transistor se comporta como un circuito abierto entre el emisor y el colector, no existe corriente
y la bombilla estar apagada. En el segundo caso, cambiando la seal de control, se cierra el
circuito entre C y E, y los 12 V se aplican a la bombilla, que se enciende.
Este funcionamiento entre los estados de corte y conduccin se denomina operacin
en conmutacin. Las aplicaciones tpicas de este modo de operacin son la electrnica de
potencia y la electrnica digital, en la que los circuitos operan con dos niveles de tensin fijos
equivalentes al

lgicos.

1.2 TRANSISTOR COMO RESISTENCIA VARIABLE

En la Figura 4 se presenta la comparacin entre un potencimetro y un transistor colocados en
un circuito.

Figura 4: Transistor bipolar operando como resistencia variable

Si el valor de la resistencia del potencimetro se fija en 5 kW, la tensin de salida V OUT ser de 5
V. Al aumentar esta resistencia, la salida tambin aumentar de valor. Por ejemplo, con 20 kW
VOUT resulta ser 8 V. Modificando el valor del potencimetro se puede obtener cualquier valor en
la salida comprendido entre 0 V y 10 V, ya que:

Al igual que en el potencimetro, en el transistor se puede ajustar su resistencia entre colector y

emisor, con la diferencia de que la seal de mando no es mecnica, sino elctrica a travs de la
base. Como se ver ms adelante, con una pequea seal aplicada en la base puede gobernarse
el BJT, con lo que aparece un concepto nuevo: la amplificacin de seales. Esta funcin es la
base de la electrnica analgica, aquella en la que se procesan seales de tensin respetando su
forma de onda temporal.

2 PRINCIPIO DE OPERACION
En este apartado se va a trabajar exclusivamente con el transistor NPN. No obstante, cabe
sealar que los razonamientos necesarios para entender el transistor PNP son completamente
anlogos, por lo que se deja al lector la tarea de deducir los modelos caractersticos de su
funcionamiento.
En la Figura 2 pueden verse las dos uniones PN del transistor: la unin Base-Emisor (BE), y la
unin Base-Colector (BC). Cada una por separado constituye un diodo, pero la conjuncin de
ambas provoca un efecto nuevo, denominado efecto transistor. Obviamente, el estado global del
transistor depende de la polarizacin, directa (PD) o inversa (PI), de las dos uniones.
Los casos posibles se adjuntan en la tabla siguiente:
Estado

Unin

Unin

PI

PI

Corte

PD

PD

Saturacin

PD

PI

RAN

PI

PD

RAI

Los dos ltimos casos, la Regin Activa Normal (RAN) y la Regin Activa Inversa (RAI) son
conceptualmente similares. Si el transistor fuera simtrico, estaramos ante la misma regin de
funcionamiento, solo que con los terminales intercambiados. Sin embargo el colector y el emisor
se fabrican de forma diferente, precisamente para adaptar su funcionamiento a la RAN. Por ello
no se suele trabajar en la RAI. Una vez aclarado este punto se va a analizar el funcionamiento
en cada regin de operacin.

2.1 REGION DE CORTE

Como elemento bsico para la discusin en este apartado se va a emplear el circuito de la Figura
5.

Figura 5: Transistor BJT polarizado en la regin de corte

En el circuito de la Figura 5:

En este caso las dos uniones estn polarizadas en inversa, por lo que existen zonas de
depleccin en torno a las uniones BE y BC. En estas zonas no hay portadores de carga mviles,
por lo tanto, no puede establecerse ninguna corriente de mayoritarios. Los portadores
minoritarios s pueden atravesar las uniones polarizadas en inversa, pero dan lugar a corrientes
muy dbiles. Por lo tanto, un transistor en corte equivale a efectos prcticos, a un circuito
abierto.
A partir de esta definicin, se pueden deducir fcilmente los modelos matemtico y circuital
simplificados para este estado. El transistor BJT en la regin de corte se resume en la Figura

Figura Modelo del

en corte para seales de continua

Obviamente, en estos modelos no se tiene en cuenta el efecto de las corrientes de fuga de las
dos uniones, y slo son vlidos para realizar una primera aproximacin al comportamiento de un
circuito.
EJEMPLO 1: Calcular las tensiones VBE, VBC y VCE as como las corrientes IB, IC e IE del circuito
de la figura 7, cuando EB = 0 V.

Figura 7: Circuito del ejemplo 1

SOLUCIN: La base del transistor est conectada a la fuente a travs de una resistencia RB.
Puesto que la diferencia de potencial entre los extremos del generador es nula, no puede
polarizarse la unin BE en directa, por lo que el transistor est en corte, es decir:

VBC = VBE - VCE = 0 - 10 = - 10 V

Pueden obtenerse los mismos resultados si se sustituye el transistor en el circuito por su modelo
equivalente:

2.2 REGION ACTIVA NORMAL

Para facilitar el estudio y comprensin de los fenmenos que suceden cuando se polariza el
transistor en RAN, se va a analizar en primer lugar el comportamiento del transistor en las
situaciones descritas en la Figura 8 a) y b).

Figura 8: Transistor NPN.

En la Figura 8 a), como la tensin EC est aplicada al colector, la unin base-colector estar
polarizada en inversa. A ambos lados de la unin se crear la zona de depleccin, que impide la
corriente de portadores mayoritarios. No existir corriente de colector significativa, y el
transistor se encontrar operando en la regin de corte.
En el caso de la Figura 8 b), la fuente EB polariza la unin base-emisor en directa, que se
comporta como un diodo normal, es decir, la zona P inyecta huecos en la zona N, y esta
electrones en aquella. Si el dopado de la base es muy inferior al del emisor, la inyeccin de
huecos ser muy inferior a la de electrones, y se puede describir el proceso as: el emisor
inyecta electrones en la base. Estos se recombinan con los huecos que provienen de la fuente de
alimentacin y se crea una corriente IB. En este caso el colector no entra en juego.
La operacin en RAN se da cuando la unin BE se polariza en directa y la BC en inversa. Los tres
puntos caractersticos de esta regin de operacin son:
1. Corriente de colector no nula: conduccin a travs de la unin BC pese a que est
polarizada en inversa.
2. La corriente de base es muy inferior a la de colector.
3. La corriente de colector es proporcional a la corriente de base.

Figura 9: Transistor NPN en RAN.

Conduccin a travs de la unin BC
En el circuito de la Figura 9 la unin BE se polariza en directa, mientras que si EC es mayor que
EB, la unin BC estar en inversa, luego no debera circular corriente a travs de esta ltima. Lo
que sucede es que el emisor (tipo N) inyecta electrones en la base (tipo P), en la que los
portadores mayoritarios son los huecos, y los minoritarios son los electrones. Como se explic
anteriormente, una unin PN en inversa bloquea el paso de mayoritarios, pero no de minoritarios
(que constituyen la corriente de fuga en inversa). Por lo tanto, los electrones inyectados desde
el emisor a la base, atrados por el potencial positivo aplicado al colector, pueden atravesar la
unin BC, y dar origen a la corriente de colector IC. Mediante el emisor, se inunda la base de
electrones, aumenta drsticamente el nmero de portadores minoritarios del diodo basecolector, con lo que su corriente inversa aumenta tambin.
As que la primera contradiccin queda resuelta. El diodo BC no conduce realmente en inversa,
sino que sus corrientes de fuga se equiparan con la corriente normal gracias al aporte de
electrones que provienen del emisor.
La corriente de base es muy inferior a la de colector
En este punto de la explicacin surge una pregunta: y por qu los electrones llegan hasta la
unin BC y no se recombinan como en la Figura 8.b)?. La Figura 10 muestra la distribucin de
corrientes.

Figura 10: Distribucin de corrientes en un transistor NPN en RAN.

Si la base es estrecha y est poco dopada, es relativamente probable que un electrn la
atraviese sin encontrarse con un hueco. Tpicamente, los BJT se construyen para que se
recombine el 1% de los electrones. En este caso se obtiene una ganancia de corriente de 100, es
decir, la corriente de base es 100 veces inferior a la del colector. Como la corriente de emisor es
la suma de estas dos, es obvio que su valor es cercano al de la corriente de colector, con lo que
en la prctica se consideran iguales (slo operando en RAN).
La corriente de colector es proporcional a la corriente de base
Centrando la atencin en la recombinacin de los electrones en la base procedentes del emisor.
All donde haba un hueco pasa a haber, tras la recombinacin, un ion negativo inmvil. Si
desaparecen los huecos de la base y se llena de iones negativos, se carga negativamente, y se
repelen los electrones procedentes del emisor. En este caso se impedira la circulacin de
corriente, es decir, es necesario que la corriente de base reponga huecos para que haya
corriente de colector.
Por tanto, por cada electrn recombinado hay que introducir un hueco nuevo que neutralice la
carga negativa. Si la reposicin de huecos es lenta (corriente IB pequea), la capacidad de
inyectar electrones ser baja, debido a la repulsin elctrica. Este fenmeno tiene la propiedad
de ser aproximadamente lineal, con lo que se puede establecer que:

en donde es un coeficiente adimensional denominado ganancia directa de corriente, o

bien ganancia esttica de corriente.
Resumiendo.
El transistor bipolar operando en la RAN se comporta como un amplificador de corriente. La
corriente dbil

se reproduce amplificada en un factor

en

Los modelos y condicin de existencia se presentan en la Figura 11. De nuevo hay que resear
que se trata de un modelo muy simplificado, que slo da cuenta de los fenmenos bsicos
sealados anteriormente.

Figura 11: Modelo del BJT en RAN para seales de continua.

La condicin de corriente de base mayor que cero se refiere a corriente entrante en el
dispositivo, es decir, la corriente debe entrar por la base para que el
est en RAN. Para los
valores habituales de IB, la tensin VBE se sita en torno a los 0,7 V. Por ello, en muchas
ocasiones se toma este valor para realizar un anlisis aproximado de los circuitos.
EJEMPLO 2: En el circuito de la Figura 7 calcular VBE, VBC y VCE as como las corrientes IB, IC e
IE cuando EB = 5 V y cuando EB = 7 V. La ganancia de corriente del transistor es F = 100.
SOLUCIN: Al aplicar una diferencia de potencial positiva (> 0,7) a la base se polariza la unin
BE en directa. Adems, si EB, es inferior a la de la fuente conectada al colector, la tensin de
colector ser superior a la de la base, con lo que la unin BC estar polarizada en inversa. Se
dan, por lo tanto, las condiciones necesarias para la operacin en RAN, con lo que se verifica
aproximadamente que:

;
Estas dos ecuaciones pueden introducirse en el circuito empleando el modelo equivalente:

Figura : Anlisis del transistor en RAN

El anlisis del circuito permite aadir dos ecuaciones nuevas para el clculo de IB, IC y VCE:

De la primera expresin se obtiene

Teniendo en cuenta que

Finalmente:

En la tabla siguiente se adjuntan los resultados numricos de los dos casos requeridos en el
enunciado:
IB

IC

IE

VBE

VCE

VBC

EB = 5 V

43 A

4,3 mA

4,343 mA

0,7 V

5,7 V

-5 V

EB = 7 V

63 A

6,3 mA

6,363 mA

0,7 V

3,7 V

-3 V

Los resultados obtenidos en el ejemplo 2 sugieren los siguientes comentarios:

La tensin VBC obtenida en ambos casos es negativa, lo que significa que la polarizacin
de la unin BC es inversa. Como adems la corriente de la base es positiva queda
comprobado que el transistor est operando en RAN.
La corriente IE tiene un valor muy cercano al de IC. En la prctica, sera difcil de detectar
la diferencia entre ambas mediante aparatos de medida convencionales. Por ello, en
ocasiones se realiza la aproximacin IC = IE.
Una variacin de corriente en la base de tan slo 20 A provoca una variacin en la
tensin VCE de 2 V. Este es el principio de la amplificacin analgica de seales.

Centremos ahora la atencin en la evolucin de VCE. Cuando el transistor est en corte VCE = 0
V. En la RAN, a medida que aumenta EB disminuye VCE. Este resultado es lgico, puesto que
IC es directamente proporcional a EB. Como VCE = EC- RCIC, al aumentar el trmino negativo
disminuye el valor de la resta. Grficamente puede representarse este hecho como sigue (Figura
13):

Figura 13: Evolucin de las tensiones y corrientes en el ejemplo 2

Si RC fuera una bombilla, en el caso A estara apagada, mientras que en los casos B y C
proporcionara luz. Evidentemente, en el caso C la intensidad de la luz ser mayor que en el B,
puesto que la tensin aplicada es mayor. Aqu se pone de manifiesto claramente el
funcionamiento del transistor como resistencia variable, ya que el comportamiento entre C y E
es similar al de un potencimetro: modificando la seal de control convenientemente podemos
variar la tensin de alimentacin de la bombilla entre 0 y 10 V.

2.3 REGION DE SATURACION

Supongamos que tenemos un transistor polarizado en la RAN segn el circuito de la Figura 7).
En la tabla de resultados del ejemplo 2 queda claro que segn aumenta la tensin EB (o bien la
corriente IB) el valor absoluto de la tensin VBCdisminuye. Llegar un momento en el que, si
IB crece lo suficiente VBC cambiar de signo y pasar a ser positiva. En ese instante, la unin BC
dejar de estar polarizada en inversa, y entrar en polarizacin directa. La consecuencia es que
el colector pierde su capacidad de recolectar electrones, y la corriente IC resulta ser inferior al
valor IB.

Figura 14: Transistor BJT polarizado en la regin de saturacin

Por otra parte, segn se muestra en la Figura 14, al estar las dos uniones polarizadas en directa,
la tensin entre el colector y el emisor en saturacin ser:
VCE SAT = VBE ON - VBC ON
Si los diodos BE y BC fueran idnticos, la tensin de conduccin de ambos sera prcticamente
igual, y entonces la tensin VCE SAT sera nula. Sin embargo, tal y como se ha comentado
anteriormente, el colector y el emisor se fabrican con distintas caractersticas. Normalmente la
tensin VBE ON es aproximadamente igual a 0,7 V, mientras que VBC ON se sita en torno a los 0,5
V. Ello conlleva una tensin cercana a 0,2 V. Dado que la tensin de codo de los diodos
permanece prcticamente constante para las corrientes de operacin habituales, la tensin VCE
SAT es tambin independiente de las corrientes IB IC. Con ello el transistor pierde su capacidad
de gobierno sobre la corriente de colector, que ser controlada nicamente por el circuito
externo.
Anlogamente al resto de regiones de funcionamiento, tambin puede hallarse un modelo
simplificado para realizar clculos con un transistor polarizado en la regin de saturacin:

Figura 15. Modelo simplificado del BJT en saturacin.

Como puede observarse, en este modelo se toma la tensin VCE SAT nula, pero podra
considerarse cualquier valor sin ms que incluir una fuente de tensin independiente del valor
deseado entre el colector y el emisor.

EJEMPLO 3: En el circuito de la Figura 7 calcular VBE, VBC y VCE as como las corrientes IB, IC e
IE cuando EB = 15 y 20 V. La ganancia de corriente del transistor es F = 100.
SOLUCIN: En este caso la tensin aplicada a la base con respecto al emisor es claramente
superior a la aplicada al colector. Por lo tanto el transistor est operando en la regin de
saturacin. Sustituyendo el modelo correspondiente en el circuito original se tiene que:

En la tabla siguiente se presentan los resultados numricos para los casos indicados en el
enunciado del problema:
IB

IC

IE

VBE

VCE

VBC

EB = 5 V

143 A

10 mA

10,14 mA

0,7 V

0,7 V

EB = 7 V

193 A

10 mA

10,19 mA

0,7 V

0,7 V

La corriente IC se mantiene constante en 10 mA, pese a las variaciones de IB, puesto que la
tensin VCE es ahora constante. Ntese adems que en ambos casos se cumple que IC es menor
que el producto FIB.
Retomando de nuevo el caso en el que RC sea una bombilla, los resultados obtenidos muestran
que ahora la intensidad luminosa ser ahora constante, luego se ha perdido la capacidad de
regular, y el dispositivo se comporta ahora como un interruptor cerrado.
A modo de recapitulacin, la siguiente figura muestra la evolucin global de IC con respecto a EB,
donde se puede apreciar el paso del transistor por las tres regiones de operacin.

Figura 16: Grfica

frente a

3 CURVAS CARACTERISTICAS. PUNTO DE OPERACION

Al ser el transistor bipolar un dispositivo triterminal son necesarios seis parmetros para
determinar el estado elctrico del mismo: tres tensiones y tres corrientes. Aplicando las leyes
bsicas de resolucin de circuitos pueden presentarse dos ecuaciones:

Por ello, los parmetros independientes se reducen a cuatro. En un circuito determinado y bajo
la accin de unas excitaciones concretas, existirn unos valores de estos cuatro parmetros que
caracterizan por completo el estado del transistor. Dicho cuarteto se denomina punto de
operacin (Q).
Las curvas caractersticas ms empleadas en la prctica son las que relacionan VBE con IB y
VCE con IC e IB. Con frecuencia, estas curvas son facilitadas por los fabricantes.

3.1 CARACTERISTICA VBE-IB

La funcin que liga VBE con IB es la caracterstica de un diodo, y puede aplicarse todo lo dicho
cuando se estudi aqul.

Figura 17: Caracterstica IB-VBE.

La curva representada en la Figura 17 sigue la expresin:

3.2 CARACTERISTICA VCE-IC

Segn lo explicado hasta ahora, la caracterstica VCE - IC debera ser la siguiente:

Figura 18: Caracterstica VCE -IC ideal.

Idealmente, en la RAN la corriente de colector depende exclusivamente de la de base, a travs
de la relacin
. Por lo tanto, en el plano
, la representacin estar
formada por rectas horizontales (independientes de VCE) para los diversos valores de IB (en este
caso se ha representado el ejemplo para

). Evidentemente, no se dibujan ms que

unos valores de IB para no emborronar el grfico. Para

, la corriente de colector tambin
debe ser nula. La regin de corte est representada por el eje de abscisas. Por contra,
para
el transistor entra en saturacin, luego esta regin queda representada por el eje
de ordenadas.
Hasta aqu se presenta la caracterstica ideal, pero como era de esperar, la realidad es un poco
ms compleja (Figura 19):

Figura 19: Caracterstica

real.

Las diferencias son claras:

En la RAN la corriente de colector no es totalmente independiente de la tensin colectoremisor. Para valores altos de la corriente cobra importancia la resistencia interna del
transistor.

La regin de saturacin no aparece bruscamente para

, sino que hay una
transicin gradual. Tpicamente se suele considerar una tensin de saturacin
comprendida entre 0,1 V y 0,3 V.

3.3 PRINCIPALES PARAMETROS COMERCIALES

De entre los numerosos datos que suministran los fabricantes de componentes electrnicos, con
respecto a los transistores

cabe destacar los siguientes:

Tensin mxima en entre colector y emisor, colector-base y emisor-base (VCEO, VCBO y

VEBO): son las tensiones mximas a las que se puede someter a los terminales del
transistor. Tensiones mayores pueden provocar una ruptura en inversa y la destruccin
del transistor.

Corriente continua mxima de colector,

: es la corriente mxima que puede
circular por el colector sin que el transistor sufra ningn dao.
Ganancia de corriente en DC (DC Current Gain): se suele especificar la ganancia para
varios puntos de operacin, incluso pueden ser suministradas las grficas de la ganancia
en funcin de la corriente de colector. La fluctuacin de su valor es debida a los efectos
de segundo orden.
Tensiones de saturacin VCE(sat), VBE(sat): son las tensiones que aparecen entre los
terminales en la regin de saturacin.

Potencia mxima disipable (Total Device Dissipation):

potencia mxima que puede disipar el transistor sin sufrir ningn dao.

es la

Adems es habitual facilitar la influencia de la temperatura en el funcionamiento del transistor.

4 MODELOS DELTRANSISTOR BIPOLAR

Existen dos tipos principales de seales aplicadas al transistor BJT:

Seales de continua
Seales de alterna de pequea amplitud que oscilan respecto a un punto de operacin
en RAN

En este apartado se presentan modelos del transistor BJT vlidos para el anlisis de ambas
situaciones. En primer lugar se presenta el modelo de Ebers-Moll, con el que puede realizarse el
clculo de las corrientes y tensiones de polarizacin de un transistor sea cual fuere su regin de
operacin. A partir de las ecuaciones dictadas por este modelo, se deducen posteriormente las
expresiones necesarias para el anlisis de seales de alterna de pequea amplitud, a travs del
modelo de parmetros hbridos.

4.1 MODELO DE EBERS-MOLL

En el apartado 2 se han presentado los modelos parciales para cada una de las regiones de
funcionamiento (corte, saturacin, RAN) del transistor bipolar. Sin embargo, existe un modelo
esttico general vlido para las tres regiones: el modelo de Ebers-Moll.
El modelo est basado en el hecho de que un transistor BJT se compone de dos uniones PN, la
unin base-emisor y la unin base-colector. Por lo tanto se puede expresar las corrientes del
transistor como la superposicin de las corrientes en las dos uniones PN. En la Figura 20 se
muestra la notacin empleada durante este apartado.

Figura 20: Notaciones empleadas en este apartado

Considerando el modelo ideal para los diodos BE y BC se tiene que:

donde ICS, IES son las corrientes de saturacin de ambos diodos.

Sin embargo, el comportamiento del transistor es ms complejo que el de dos diodos conectados
en serie. Se debe tener el cuenta el efecto transistor descrito en el captulo 2: debido a que las
uniones se encuentran muy prximas entre s se produce una interaccin electrnica entre ellas.

En la Figura 7.21 se muestra el modelo de Ebers-Moll para un transistor NPN. Este se compone
de dos diodos de unin PN y dos fuentes de intensidad dependientes.

Figura 7.21: Modelo de Ebers-Moll para el transistor bipolar NPN.

El efecto transistor viene caracterizado por las fuentes de corriente dependientes. Como se ha
explicado, parte de la corriente IDBE, que circula por la unin base-emisor es atrapada por la
unin base-colector. Este hecho se modela mediante la fuente de corriente aFIDBE. aF es un
parmetro caracterstico de cada transistor que toma valores prximos a la unidad.
De igual manera, parte de la corriente IDBC atraviesa la regin de base para alcanzar el emisor.
Esto se modela con la fuente de corriente aRIDBC. Debido a que la estructura de un transistor no
es simtrica, sino que est optimizada para obtener valores altos de aF, aR es generalmente
pequea (desde 0.02 a 0.5).
Adems, aplicando las leyes de la fsica de semiconductores se obtiene la condicin de
reciprocidad, que se concreta en la siguiente expresin:

IS toma valores entre 10-14 y 10-15A para transistores de baja potencia.

Si se aplica la ley de los nudos en el emisor, el colector y la base

Se puede sustituir en esta ecuacin las corrientes de los diodos IDBE y IDBC. Adems, si se definen
las constantes bF y bR de manera que

las ecuaciones anteriores, resultan

que son las ecuaciones de las intensidades en los tres terminales del transistor NPN segn el
modelo de Ebers-Moll. Estas ecuaciones son vlidas para cualquier regin de funcionamiento.
An siendo un modelo complejo del transistor, el modelo de Ebers-Moll no describe todos los
efectos que tienen lugar en el dispositivo. Los llamados efectos de segundo orden como la
tensin de ruptura en inversa de las uniones PN, o la dependencia de IC con VCE no estn
incluidos en este modelo.

4.2 APLICACION DEL MODELO DE EBERS-MOLL A LA REGION

ACTIVA NORMAL
En este apartado se van a simplificar las ecuaciones de Ebers-Moll, deducidas en el apartado
anterior para el caso de que el transistor se encuentre funcionando en la RAN.
Como ya se ha comentado, el funcionamiento en la RAN de un transistor se caracteriza por tener
la unin PN polarizada en directa (con VBE 0.7V) y la unin base colector polarizada en inversa (VBC < 0).
Obsrvese que bajo estas condiciones las expresiones exponenciales de las ecuaciones de
Ebers_Moll se pueden simplificar

y las ecuaciones quedan reducidas a:

Como el segundo sumando de estas ecuaciones suele ser despreciable frente al valor de IB, IC e
IE, a partir de las ecuaciones B. y C., se puede obtener la relacin

que concuerda con la deducida en el apartado 2.2.

4.3 MODELO HIBRIDO PARA PEQUENTILDE;AS SENTILDE;ALES

DE ALTERNA
En este subapartado se presenta el modelo hbrido del transistor BJT, uno de los ms
ampliamente utilizados para el anlisis de las pequeas seales de alterna. Para la deduccin del
mismo se consideran las siguientes hiptesis:

Transistor polarizado en RAN

Oscilaciones alternas de baja amplitud y baja frecuencia

4.3.1 Expresiones generales

Segn se ha indicado en el apartado 3, el punto de operacin de un transistor bipolar viene
indicado por cuatro variables elctricas. De entre las diversas opciones posibles, para la
deduccin del modelo hbrido se escogen como variables independientes la corriente IB y la
tensin VCE, mientras que las dependientes son VBE e IC. De este modo, las ecuaciones
caractersticas del transistor vendrn dadas por dos funciones f1 y f2 tales que:

Las tensiones y corrientes de un punto de polarizacin concreto vendrn dadas por las
expresiones anteriores:

Supongamos que sobre este punto de operacin Q se aade una componente alterna,
caracterizada por un IB y por un VCE. Para calcular el VBE y el IC pueden sustituirse las funciones
f1 y f2 en las cercanas del punto Q por las tangentes respectivas en dicho punto. Como se trata
de funciones de dos variables independientes, las expresiones sern las siguientes:

A partir de este momento, para simplificar la notacin se escribirn con letra minscula los
incrementos de las variables. La expresin anterior admite una representacin matricial:

en donde los coeficientes hij se llaman parmetros hbridos, puesto que tienen diferentes
unidades entre s.

hie : Impedancia de entrada ()

hre: Ganancia inversa de tensin
hfe : Ganancia directa de corriente, o ganancia dinmica
hoe : Admitancia de salida (-1)

4.3.2 Clculo de los parmetros hbridos

Para el clculo de los parmetros hij se van a emplear las expresiones resultantes del modelo de
Ebers-Moll para la RAN.

Funcin f1 =>

Funcin f2 =>

Tal y como puede observarse, los coeficientes hre y hoe son nulos segn estos clculos. Este
resultado refleja las limitaciones del modelo de Ebers-Moll propuesto, ya que en realidad hre 5 x 105
y hoe 6 x 10-6 -1. Sin embargo, su valor es tan pequeo que en muchos casos son aceptables
las expresiones obtenidas anteriormente.

4.3.3 Representacin grfica

El modelo hbrido , con las simplificaciones mostradas en el subapartado anterior, admite la
siguiente representacin grfica:

Figura 22: Modelo hbrido para pequeas seales de alterna

5 EJEMPLO DE APLICACION: EL AMPLIFICADOR DE SEALES

ALTERNAS
El mundo est lleno de pequeas seales que necesitan amplificarse para procesar la
informacin que contienen. Por ejemplo: una guitarra elctrica. El movimiento de una cuerda
metlica en el interior de un campo magntico (creado por los captadores o pastillas) provoca
una pequea variacin de tensin entre dos terminales de una bobina. Para que esa dbil seal
pueda llegar a los odos de todo un auditorio, es evidente que se necesita una amplificacin. La
seal producida por la pastilla de la guitarra viaja por un par de terminales hasta el amplificador.
Aqu se produce la transformacin de la pequea seal, que es capaz ahora de excitar la
membrana de un altavoz con la potencia que se desee.
Para que se pueda or lo que se toca realmente, la amplificacin debe cumplir ciertas
condiciones:
1. Debe respetar la forma de onda de la tensin de entrada. Si no lo hace as, se produce
una distorsin, una prdida de la informacin que aporta.
2. La energa absorbida de la fuente que emite la onda que se desea amplificar ha de ser
mnima. El circuito amplificador necesita una fuente de alimentacin propia.

5.1 EL TRANSISTOR BIPOLAR

El esquema ms sencillo de amplificador de seales es el propio transistor bipolar.

Figura 23: Circuito con un transistor bipolar.

Si el transistor se encuentra en la RAN, hay una relacin lineal entre

Como
es reflejo de la entrada e
lo es de la salida, este esquema proporciona una ganancia
en corriente. Sin embargo presenta dos limitaciones muy importantes:

1. Slo amplifica la parte positiva de la seal: Cuando

es menor que 0,7 V Q pasa al

estado de corte, con lo que

.
2. Requiere seales de tensin grandes, por lo menos mayores que 0,7 V, ya que la seal
de entrada ha de polarizar en directa la unin BE y llevar el transistor a la RAN.
Con este dispositivo slo se puede trabajar con seales positivas mayores de 0,7 V. Por lo tanto
no es capaz de amplificar seales de alterna. La figura siguiente representa aproximadamente la
respuesta que se obtendra al tratar seales de alterna:

Figura 24: Corrientes en el circuito de la Figura 23.

5.2 POLARIZACION DEL TRANSISTOR Q A TRAVES DE LA BASE

Figura 25: Transistor polarizado a travs de la base.

Este esquema presenta la novedad de la resistencia RB. Gracias a ella, la base se polariza
mediante la fuente de alimentacin EC y no mediante
proviene de dos fuentes:

. La corriente que llega a la base

: Es la seal que queremos amplificar, por lo tanto, ser variable en el tiempo.

: Esta corriente es la suministrada por EC, que es una fuente de continua, para la
polarizacin del transistor.

La intensidad de colector ser, si Q est en la RAN:

Finalmente, puede calcularse la tensin de salida

La siguiente figura ayuda a comprender mejor estos conceptos.

Figura 26: Tensiones y corrientes en el circuito de la Figura 25.

La onda de salida es, efectivamente, proporcional a la entrada, pero est desplazada en el eje de
las "Y", es decir, tiene una componente de continua que ha sido introducida por la fuente de
polarizacin del transistor.
LOGROS DEL ESQUEMA:
1. El transistor es tambin capaz de amplificar la parte negativa de la seal.
2. La tensin de entrada puede ser pequea, ya que ahora el transistor se polariza a travs
de una fuente de alimentacin ajena a la entrada.
3. En la salida se dispone de una seal de tensin, gracias a RC, que cumple dos misiones:

o
o

Transforma
en una tensin
.
Junto con RB lleva el transistor a la RAN.

INCONVENIENTES:

1. Al conectar directamente el generador de seal a la entrada, IB ira a tierra a travs de

l. Esto podra daar el generador (en el ejemplo de la introduccin, las pastillas o
captadores de la guitarra elctrica)
2. Al conectar directamente la salida a la carga (altavoz), IC ira a tierra a travs de ella,
dandola.
Los inconvenientes de este esquema estn introducidos por la corriente continua de polarizacin.
Estas corrientes deben quedar limitadas al interior del dispositivo amplificador.

5.3 EL CONDENSADOR DE ACOPLAMIENTO

El condensador es un componente que se comporta como un circuito abierto para la corriente
continua. Por medio de l, se asla tanto la entrada como la salida de las componentes de
continua. Si elegimos correctamente el valor de la capacidad de acuerdo con la frecuencia a la
que se espera que trabaje el dispositivo, se logra adems que estos condensadores se
comporten como un cortocircuito para las seales de alterna que se quieren amplificar. En
cualquier caso, la respuesta frecuencial del amplificador queda limitada por los valores de C 1 y
C2.

Figura 27: Esquema amplificador con condensadores de acoplamiento.

Una vez visto el esquema bsico de un amplificador, se enuncian los parmetros ms
importantes de ste:

: Seal de entrada (pequea seal AC).

: Corriente de entrada, que se absorbe del generador de seal de entrada (AC).

: Seal de salida (AC).

,

: Corrientes de polarizacin del transistor (DC).

: Carga sobre la que se aplica la tensin de salida.

: Asla la entrada del circuito de la polarizacin en continua.

: Resistencias de polarizacin.

: Asla la salida del circuito de la polarizacin continua.

5.4 GANANCIA Y RESISTENCIA DE ENTRADA DE UN

AMPLIFICADOR
El esquema presentado es slo una de las posibles soluciones vlidas para la amplificacin de
seales. Para comparar las caractersticas de todos ellos, se definen dos parmetros de AC:
la ganancia en tensin y la resistencia de entrada:
Ganancia en tensin:
Es el cociente entre la seal de salida y la aplicada al dispositivo. Normalmente, la ganancia
depende de la carga que se conecte (

).

Ntese que en este parmetro se relacionan las amplitudes de las seales alternas entrada y de
salida y no los valores instantneos. Se da por supuesto que el circuito va a mantener en gran
medida la similitud de las formas de onda, y de lo que se trata es de cuantificar la magnitud de
la amplificacin. (El grado de distorsin de la seal de salida con respecto a la de entrada se
valora mediante otros parmetros).
Resistencia de entrada:
La resistencia de entrada da una idea de la cantidad de corriente que absorbe la fuente de seal
que se desea amplificar (no hay que confundir la con la fuente de alimentacin del amplificador).
Dado que interesa absorber poca energa de la fuente, el amplificador ser tanto mejor cuanto
mayor sea su resistencia de entrada.

Puesto que la seal de entrada es alterna, estamos de nuevo ante un parmetro que relaciona
las amplitudes de las oscilaciones de las magnitudes elctricas implicadas

5.5 METODO DE CALCULO

Cuando todos los componentes de un circuito responden a ecuaciones lineales, se puede aplicar
el principio de superposicin. En este caso, los transistores no son componentes lineales. Sin
embargo, teniendo en cuenta que las seales aplicadas son de baja amplitud, el transistor opera
soportando pequeas oscilaciones con respecto a unas magnitudes continuas, luego s que es
posible aplicar la superposicin teniendo en cuenta el punto de operacin:
1. Clculo del punto de operacin DC: Se sustituyen los condensadores por circuito
abierto. A continuacin se introduce el modelo DC del transistor en RAN y se calculan los
valores de las corrientes y tensiones de polarizacin.
2. Determinacin del modelo AC del transistor: Ha de emplearse el modelo
de pequeas seales, particularizando para en los resultados del punto 1.

3. Estudio del circuito en AC. En este estudio las componentes de continua no afectan a
la relacin de las amplitudes de las ondas AC. Por consiguiente pueden cortocircuitarse
las fuentes de tensin continua. Si el diseo del circuito es correcto, los condensadores
pasan a comportarse como cortocircuitos.

5.6 EJEMPLO DE CALCULO

A continuacin se aplica este procedimiento al clculo de
presentado, en su funcionamiento en vaco.

en el ltimo esquema

1) Punto de operacin DC

Figura 28: Esquema equivalente DC del circuito Figura 27.

Segn el circuito equivalente DC:

2) Parmetros del modelo equivalente AC

Los parmetros del modelo AC son la resistencia de entrada

corriente

y la ganancia dinmica de

. Ambos han sido definidos en el subapartado 4.3.2 de este captulo.

;
3) Estudio AC
La figura 24 muestra el esquema equivalente del circuito para las seales de alterna.

Figura 29: Circuito equivalente AC

La resistencia RB est conectada por un terminal a la fuente de seales y a la base, y por el otro
a la fuente de alimentacin EC. Idealmente, esta fuente no ofrece ningn obstculo para las
seales de alterna (si su resistencia interna es nula), se comporta como un cortocircuito que
conecta RB con tierra. En el lado derecho del esquema, RC se une por una parte con el colector
del transistor, y por la otra con tierra a travs de la fuente de alimentacin.
Es de vital importancia que se tenga en cuenta que en este esquema slo se relacionan las
amplitudes de las ondas, y no sus valores instantneos.
Los valores de rIN y AV pueden obtenerse a partir del esquema de la figura 24.

Como

Ntese que para el clculo de los parmetros rIN y AV no es necesario definir el valor de vIN, ya
que en ambos casos se calcular variaciones de una magnitud con respecto a esa tensin de
entrada.

ETAPAS DE AMPLIFICACION ESTABILIZADAS

El esquema de la Figura 27 presenta un claro problema de inestabilidad: La tensin de la base
depende directamente de la corriente de base. Cualquier pequea variacin debido a la
influencia de la temperatura sobre la resistencia RBmodificar el punto de operacin, y con l la
ganancia. El esquema de la Figura 30 incluye dos mejoras con respecto al anterior:

Polarizacin de la base a travs de un divisor de tensin.

Estabilizacin mediante resistencia de emisor.

Figura 30: Circuito amplificador estabilizado.

Las funciones de estos subcircuitos son:

Divisor de tensiones: Mediante una correcta seleccin de las resistencias

puede conseguirse que la corriente

sea muy superior a
. Entonces, la tensin de
la base quedar fijada nicamente por el valor de las resistencias del divisor.

Resistencia de emisor (
): Un aumento de la corriente de colector provocar una
elevacin de la tensin de emisor. Con ello, como la tensin de base es fija, la tensin
base emisor disminuir, la corriente de base tambin y finalmente, la corriente de
colector volver a su valor de diseo. El condensador se encarga de cortocircuitar esta
resistencia en alterna.

1 Un transistor est polarizado en RAN como se indica en la figura. Tiene una corriente de base
de 8 mA y una corriente en el colector de 1.2 mA. Cul es valor de la corriente en el emisor?.
Cul es la ganancia (b) del transistor?.

2 Un transistor se conecta como se muestra en la figura del problema anterior. La corriente del
emisor es de 2.42 mA y la del colector es de 2.4 mA. Cunto vale la corriente en la base?. Y el
valor de b?
3 Un transistor est conectado como se indica en la figura del problema 1. Tiene una corriente
de base de 16 mA y una ganancia de 80. Cunto vale la corriente en el colector?. Y en el
emisor?
4 En el circuito de la figura b =80, IB = 10 mA, R1 = 50 KW, R2 = 6 KW y V2=10V.

Qu valor tomarn los medidores IE, IC y VCE, si se admite la hiptesis de que el

transistor est polarizado en la RAN?.
A la vista de los resultados del apartado 1, comprobar la validez de la hiptesis.

5 Si la corriente de base es 30 A y la corriente de emisor es 4mA, Cul es el valor de ?

6 Encontrar la tensin en el colector cuando el transistor de la figura del problema 8 se
encuentra en saturacin.
7 Encontrar la tensin del colector del transistor de la figura del problema 8 cuando se encuentra
en corte.
8 Si la b del transistor de la figura es 50, Qu tensin es necesaria a la entrada para saturar el
transistor?

9 Si la tensin de mnima en la entrada es de 3.7 V, Cul es el valor lmite de la resistencia

R1 de la figura del problema 8 antes de entrar en saturacin para un valor de b de 50?
10 Cuando la entrada en la figura del problema 8 es de 5V, Qu b se requiere para saturar el
transistor?
11 En el circuito de la figura del problema 8 suponer que la corriente del colector es de 4 mA
cuando la corriente de entrada es de 0.5 mA. En estas condiciones, Cul ser la corriente del
emisor?
12 En el circuito de la figura del problema 8 suponer que la corriente del colector es de 4 mA
cuando la corriente de entrada es de 0.5mA. Si la corriente de entrada se aumenta a 1.0 mA,
Qu le suceder a la corriente del colector?
13 Considerando el circuito y el grfico de la figura:

Calcular y dibujar la lnea de carga del circuito entre C y E.

Localizar el punto de operacin Q en la grfica cuando IC = 1,25 mA.
Determinar la tensin de VCE en el punto Q.
Calcular el valor de IB en el punto Q.

14 Sabiendo que VCC =12 V y dada la grfica de la figura, calcular el valor de RC y RB necesario
para que el transistor dado en la figura opere en el punto Q dado.

15 Calcular las tensiones y corrientes de polarizacin en DC para el circuito de la figura ( = 80).

16 Que resistencia RB se requiere para que el transistor opere en el punto medio de la recta de
carga si ECC es 20 V, RC es 5 KW y b es 125?
17 En el circuito amplificador de la figura:

Calcular el punto de operacin DC del transistor.

Determinar el modelo AC para pequeas seales
Calcular la ganancia y la resistencia de entrada del dispositivo

18 En el circuito de la figura:

Hallar el punto de operacin DC del transistor.

Determinar el modelo AC de pequeas seales equivalente para ese punto de operacin
Hallar el valor de la impedancia de entrada y la ganancia en tensin.
Tensin de salida del circuito si la entrada es una onda sinusoidal de 20 mV de tensin
entre pico y pico.

19 En el esquema amplificador de la figura:

Calcular RB y RC para que VCEQ = 5 V, e ICQ = 1 mA.

Determinar y dibujar el circuito equivalente para las seales de alterna.

20 Se tiene un amplificador como el de la figura, con un potencimetro en la entrada que puede

variar entre 0 y 1 KW.

Ganancia cuando RP = 0 KW.

Ganancia cuando RP = 1 KW.

21 Para el amplificador de la figura calcular:

Punto de operacin DC
Circuito equivalente AC
Ganancia y resistencia de entrada

1.
22 En el circuito de la figura calcular:

La ganancia de tensin.
La resistencia de entrada que opone al generador de seal.
Las tensiones y corrientes de polarizacin.

23 Para el circuito de la figura:

Encontrar la tensin en el colector cuando el transistor se encuentra en saturacin.

Encontrar la tensin del colector del transistor cuando se encuentra en corte.
Calcular la potencia consumida por el transistor en ambos casos.

24 Qu resistencia Rb se requiere para que el transistor opere en el punto medio de la recta si

Ecc es 20V, Rc es 4K y es 100?
25 Para el circuito de la figura, determinar:

Las tensiones y las corrientes de polarizacin del transistor.

Representar en la grfica Ic/Vce la recta de carga y el punto de operacin Q.
Calcular la resistencia de entrada.
Si manteniendo constantes los restantes valores dados en la figura, variamos Rb, para
qu valores de Rb el transistor se encontrara en saturacin?. Para esos valores de Rb,
determinar Vce, Vbe, Ic.

26 El transistor de la figura esta en configuracin de colector comn, tambin llamada seguidor

de tensin y adaptador de impedancias. En este sencillo circuito se pide:

1.- Hallar la relacin entre Vin y Vout (Vout=f(Vin))

2.- Particularizar la expresin del apartado anterior para Vin1=0.3V y Vin2=4V. Calcular
las intensidades de base para ambos casos.
3.- Calcular la resistencia de entrada Rin (Rin=Vin/Iin) entre la puerta de entrada y tierra.
4.- Calcular la resistencia de salida Rout entre la puerta de salida y tierra.
5.- Cual crees que es la tensin mxima que se puede aplicar a la base del circuito de
manera que el circuito siga comportndose como un seguidor?Por qu?

27 El esquema de la figura representa un circuito seguidor de tensin para pequeas seales.

Se pide calcular:

El circuito equivalente en DC.

El punto de operacin del transistor (VCEQ,ICQ).
El circuito equivalente en AC con sus parmetros.
Ganancia de tensin y resistencia de entrada.

28 En el sistema electrnico de la figura se pide el valor de VIN para que Q1 se sature suponiendo
que Q2 no se satura.

Datos: Vcc=15V; Vee=-15V; Rc=10KW; Re=1KW; VBE1(on)= VBE2(on)= 0.7V; b1=b2=100

29 El LED de la figura tiene una tensin de conduccin en directa Vf=1.5V y requiere al menos
de 1mA de corriente para conseguir un nivel apropiado de iluminacin. El LED puede disipar
como mximo 15mW. El valor de VCC es de 5V y el valor de la entrada Vin es producida por una
fuente digital con una tensin de salida de 5V. Calcular:

La mxima corriente admisible en el diodo.

Los valores mximos y mnimos de las resistencias RB y RC para que el diodo LED ilumine
correctamente.

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