Materiale compozite

magnetoelectrice

Profesor coordonator:

Student :

Prof.dr.ing. Ovidiu Dumitrescu

Tufan Viviana

I. Introducere
I.1. Materiale compozite magnetoelectrice
Compozitele magnetoelectrice sunt alctuite din cel puin dou materiale care separat nici
unul dintre ele nu posed proprieti magnetoelectrice ns atunci cnd sunt ncorporate n
compozit acesta are proprieti magnetoelectrice. Unul din materialele care constituie compozitul
magnetoelectric este piezoelctric iar cellalt magnetostrictiv. Prin aplicarea unui cmp magnetic,
componenta magnetostrictiv i modific dimensiunile fizice. Aceast deformare mecanic a
componentei magnetostrictive este transferat fazei piezoelectrice, care are ca efect apariia de
sarcini electrice induse. [1]

Fig I.1 Principalele moduri de conectivitate a fazei magnetostrictive i a celei piezoelectrice [1]
I.2. Materiale feroelectrice. Titanatul de bariu (BaTiO3)
Materialele feroelectrice sunt materiale solide, nemetalice n care celula elementar
prezint un moment electric dipolar nenul, chiar n absena unui camp electric exterior. Prezena
momentului electric dipolar n absena cmpului electric extern poate fi explicat lund n
considerare structura cristalin a acestor materiale. Mare parte din materialele feroelectrice au
structura cristalin asemnatoare cu cea a mineralului numit perovskit (CaTiO3) [47]. Structura
perovskit este o structur n care cristalizeaz compuii de tip ABO3 unde raza ionului A este
mult mai mare dect cea a ionului B. Structura unui perovskit clasic este reprezentat n Fig. I.2
[1]

Fig. I.2. Reprezentarea schematic a celulei elementare dintr-un material perovskit [2]
1.3. Materiale ferimagnetice.Ferita de cobalt (CoFe2O4)
Feritele sunt materiale ferimagnetice a cror formul general este: ( MeO,Fe2O3 ), unde
Me este un metal bivalent. Spinelii fac parte din categoria materialelor ferimagnetice cu structur
de tipul mineralului numit spinel (MgAl2O4), a cror formul molecular general este: X Y2 O4,
X reprezint unul dintre ionii divaleni: Mn2+, Fe2+, Co2+, Ni2+,Cu2+, Zn2+ sau Mg2+, iar Y
reprezint unul dintre ionii trivaleni: Mn3+, Fe3+, Co3+, Al3+, Ga3+. Celula elementar a unei
structuri spinelice ideale conine 8 uniti moleculare XY2O4 n care ionii de O2- formeaz o
reea de tip CFC n intersitiiile creia sunt distribuii ionii metalici. [2]
II. METODE DE PREPARARE
II.1. Prepararea feritelor folosind metoda ceramic clasic
Obinerea pulberii de ferit de cobalt prin procedeul ceramic convenional implic reacia
n faz solid la temperaturi relativ ridicate, a oxizilor sau a compuilor care se descompun
termic n oxizi (carbonai, azotai, sulfati, oxalai etc.) ce conin ionii metalici de fier i cobalt.[1]
Folosind metoda ceramic clasic, au fost preparate 3 serii de eantioane de compozite
x%CoFe2O4-(100-x)%BaTiO3 i 3 serii de eantioane de composite x%CoMn0,2Fe1,8O4-(100x)%BaTiO3 unde x=20, 40 i 60. Pulberea de CoFe2O4 a fost preparat prin reacie n faz solid
la 900C, timp de 5 ore, a -Fe2O3 i Co3O4,n proporii corespunztoare compoziiei chimice.
CoMn0,2Fe1,8O4 a fost preparat prin reacia n faz solid la 950C, timp de 5 ore, a -Fe2O3,
Co3O4 i MnCO3, n proporii corespunztoare compoziiei chimice. Pentru ambele compoziii
ciclul de operaii calcinare-mcinare a fost reluat de dou ori pentru a asigura omogenitatea
corespunztoare pulberilor de ferit. Pulberile mcinate au avut o suprafata specifica de ~5m2/g
(metoda BET). Prin amestecare mecanic n mori cu bile a pulberii de ferit i a celei de
feroelectric, au fost preparate 6 materiale compozite. Din amestecurile omogenizate au fost
presate discuri (Do = 15.6mm, h ~ 5 mm) la 50MPa care au fost supuse tratamentelor termice.[1]

III. TEHNICI EXPERIMENTALE

III.1. Tehnica depunerii laser pulsate (PLD)
Structurile subtiri joaca un rol deosebit in fotonica, nanoelectronica si biotehnologii. In
cateva domenii, dezvoltarea unor noi dispozitive, ce incorporeaza noi materiale, este strans
legata de dezvoltarea proceselor de formare a straturilor subtiri. Astfel, utilizarea tehnicilor de
depunere reprezinta o cale rapida pentru realizarea structurilor complexe tridimensionale
(layer-by-layer) cerute in domeniile nanotehnologiei si microelectronicii. In fig. I.1. este o
diagrama schematic a unui sistem de ablatie laser. Asa cum reiese din figura I.1, componentele
de baza ale PDL-ului implica:

sursa de lumina laser;

o camera de vid din otel inoxidabil, cu un suport care se invarte;

incalzitor de substrat.
Intr-un proces de ablatie cu laser, fasciculul este fixat pe o anumita tinta de catre o lentil

externa de focalizare, fixata la camera. Materialele sunt disociate de pe suprafata tintei si sunt
transportate in afara cu ajutorul unor particule catre substraturi. [2]
Aparatul experimental tipic pentru PLD sau RPLD (Fig. III. 1)consta dintr-o camera
vidata in care sunt plasate tinta si substratul. Fasciculul laser pulsat este, de obicei, incident sub
un unghi de 45. Tinta este rotita la o frecventa de cativa Hz pentru a evita perforarea. Materia
ablata este colectata pe un suport, in general plan-paralel cu tinta si situat la cativa centimetri de
aceasta. Incalzirea substantei substratului nu este, in mod obisnuit, necesara, exceptand cazul
cand este incurajata cresterea epitaxiala. Faptul ca PLD si RPLD necesita un buget termic redus
reprezinta un mare avantaj. Intr-adevar, metodele traditionale pentru obtinerea filmelor subtiri
necesita temperaturi foarte inalte (de 3000 K sau mai mult). Facsiculul laser incident in PLD si
RPLD este uzual setat la o fluenta de cativa Joules pe cemtimetru patrat. Procesul de ablatie are
loc intr-o camera vidata fie in prezenta unor gaze naturale. In cazul filmelor de oxizi, oxigenul
este cel mai des utilizat gaz Un process de impulsuri de depunere cu laser implica fenomene

fizice complexe, cum ar fi: excitare si ionizare, excitare termica, exfoliere si pulverizare
hidrodinamica. [2]
In general, un proces PDL poate fi impartit in urmatoarele etape:
i.)

Fasciculul laser interactioneaza cu obicetivul

ii.)

Dinamica materialelor transportate

iii.)

Depunerea materialelor transportate pe substrat

iv.)

Nucleatia si cresterea filmelor subtiri pe suprafata substratului

Fiecare din pasii de mai sus este esential in obtinerea calitatii si caracteristicilor filmelor

obtinute, cum ar fi: cristalinitate, stoichiometrie, uniformitate si suprafata rugoasa. In timpul

depunerii, parametrii sunt optimizati pentru a realiza filmul de inalta calitate. Aceasta implica
temperatura substratului, densitatea de energie si frecventa, distanta obiectiv-substrat, presiunea
de baza si depozitarea presiunii aerului. Temperatura de substrat este critica pentru obtinerea
cristalinitatea filmelor. In mod normal, fazele amorfe se formeaza atunci cand temperatura
substratului se afla sub o anumita valoare. Pe masura ce temperature substratului reste, fimele
incep sa cristalizeze. Pentru a realiza o crestere epitaxiala, temperatura substratului ar trebui sa
fie optimizata, care este diferita in functie de material. [2]

Fig.III.1. Schema de principiu a instalatiei experimentale [2]

In prezent este general acceptat ca in comparatie cu alte tehnici aplicate la depunerea de

straturi subtiri de inalta calitate, PLD are cel putin urmatoarele avantaje :

capacitatea de a reproduce in straturi subtiri starea stoechiometrica si cristalografica a

multor materiale complexe,

rata de crestere relativ inalta de 1-5 A/puls si chiar mai mare;

sursa de energie independenta de mediul de depunere;

lipsa necesitatii unui vid inalt; presiunea gazului relativ inalta (mai mare decat cateva sute
de pascali);

relativa simplitate a instalatiei de crestere oferind o mare versatilitate experimentala (de

exemplu, multistraturi si dopari) si o foarte redusa contaminare a stratului datorita
folosirii luminii pentru provocarea ablatiei.

Este unanim acceptat ca depunerile cu ajutorul laserului pot reduce foarte mult costurile si
pot permite cresteri mai complexe de straturi subtiri. In afara acestor consideratii exista de
asemenea, interesul in testarea posibilitatii depunerilor cu ajutorul laserului pentru a salva timp,
energie si materiale scumpe, cu minimum de poluare a biosferei.
Foarte simplificat, interactiile dintre radiatia laser de inalta intensitate si tinta, in scopul de a
provoca expulzarea de substanta fina (ablatie) consta in secvente de incalzire, topire, vaporizare
si ionizare a tintei, urmata de generare, absorbtie, emisie si reglare optica a plasmei. Este de
asteptat ca temperatura inalta a plasmei (10 K si chiar mai mare) sa mareasca reactiile chimice
dintre elemente. [2]
Cand PLD este realizata in mediul unui gaz activ chimic, substanta ablata interactioneaza cu
molecule de gaz prin canale lineare sau in special nelineare si un strat cu compozitie ce difera
mult de materialul de baza eventual depus. Aceasta metoda este cunoscuta de obicei ca PLD
reactiv (RPLD). In cazul RPLD, compusul format in reactiile chimice este mai scump si/sau are
caracteristici mai bune din punct de vedere al unei aplicatii precise decat acela al materialului
tinta.[2]

Neajunsul major al proceselor PLD si RPLD este prezenta particulelor de dimensiuni si

forme variate (rotunjite sau neregulate) in intervale milimetrice pe ambele suprafete ca si in
adancimea filmelor obtinute. Prezenta particulelor distruge sau limiteaza aplicatiile
straturilelor subtiri depuse prin PLD si RPLD in domenii tehnologice importante ca
microelectronica VLSI, optoelectronica, micro- si nanomecanica, s.a.m.d..
Conform literaturii actuale, particulele sunt in principal formate si/sau depuse ca un efect
al :
(i)

dislocarii explozive a substantei, cauzata de supraincalzirea subsuprafetei tinte;

(ii)

condensarii materialului evaporat ;

(iii)

expulzarii fazei lichide sub actiunea presiunii de recul a substantei ablate, si

(iv)

suflului undei exploziei la interfata lichid-solid sau topitura-solid .

Dupa unele opinii, pentru descresterea densitatii si chiar eliminarea completa a

particulelor in crater in timpul interactiei laser-tinta. O posibila solutie aplicabila pentru atingerea
acestui scop este alegerea potrivita a lungimii de unda laser. Intr-adevar, cand coeficientul de
atenuare este mic, energia laser absorbita este disipata intr-o zona oarecum mare. Tinta este
topita intr-un volum extins si multe particule se formeaza si sunt expulzate. Trebuie aleasa acea
combinatie tinta-laser pentru care coeficientul de atenuare este suficient de mare. Conform cu
literatura, un criteriu aplicabil practic este un coeficient de atenuare de peste 5*10 cm. Alta
solutie este ca setarea fluentei incidente a laserului sa ableze (vaporizeze) toata substanta topita
(de exemplu, fluenta de 25-30 J/cm pentru Al si pulsuri laser de ns) sau folosirea de pulsuri
laser foarte scurte (in domeniul sub-picosecundelor). [2]

III.2. Microscopie electrinica prin transmisie (TEM)

Un alt avantaj major al PLD si RPLD il constituie depunerea de filme de uniformitate
inalta, foarte aderente la substrat. O imagine tipica este prezentata in figura II.1. Filmul din
fotografie este uniform pe toata suprafata de cativa centimetri patrati, cu o variatie de grosime
mai mica de 1%. Morfologia filmului se schimba de la interfata colectorului cu suprafata. Filmul
este amorf pe primii 20 nm de la interfata, urmeaza o zona de tranzitie de alti 10 nm, apoi, la
suprafata, o structura policristalina pe coloane. Se considera ca aceasta structura speciala este
probabil responsabila de duritatea mare a acestui film (26Gpa, depasind valorile raportate
anterior pentru carbura de wolfram). [1]

Fig.III.2. Sectiune transversala obtinuta prin microscopie electrinica prin transmisie (TEM), a
unui film de carbonat de wolfram realizat cu un laser ce excimer KrF in atmosfera de metan la
presiune mica
Principalii parametrii ai PLD si RPLD determinand sinteza si caracteristicile finale ale
filmului depus sunt : natura si presiunea gazului ambiant, fluenta laser incidenta, geometria de
depunere, distanta tinta-colector si aplicarea de campuri externe magnetice sau electrice.
In ceea ce priveste rolul plasmei in PLD si RPLD, ea a fost pentru mult timp considerata
un canal suplimentar de pierderi. In prezent, experimentele au demonstrat ca, in absenta plasmei,

rata depunerilor este foarte mica, materialul ablat este pulverizat pe intreaga suprafata a camerei
de iradiere, straturile depuse sunt nestoechiometrice si se indeparteaza foarte usor. Dimpotriva,
pentru o plasma bine dezvoltata ratele de depunere sunt mari, contaminarea camerei este redusa,
straturile depuse sunt aderente la suprafata colectorului si filmele obtinute sunt de obicei
stoechiometrice. S-a demonstrat ca cel mai bun compromis pentru a obtine filme de calitate
buna, aderente, se obtine cand lungimea coloanei de plasma este egala cu distanta tinta-colector.
Se considera urmatoarele explicatii ale acestor evolutii:
(i)

diferitele tipuri de substante se separa in timpul tranzitiei post-plasma prin gaz a

substantei ablate de la tinta la colector, in timp ce

(ii)

plasma asigura un tranzit compact al substantei de-a lungul traiectoriei ei.

Profilul filmelor realizate prin PLD si RPLD este prezis teoretic de calcule numerice si

analitice. Expansiunea plasmei in vid poate fi considerata adiabatica. Spotul focal are o forma
eliptica cu semiaxele X si Y , in timp ce expansiunea plasmei are forma geometrica de elipsoid
triaxial, ale carui semiaxe sunt initial egale cu X , Y si Z . Este introdus un raport caracteristic
intre dimensiunile initiale ale plasmei k =Z /X . Aici Z este lungimea initiala a coloanei de
plasma, unde X , Y coincid practic cu dimensiunile spotului focal incident pe suptafata. Acest
raport devine k()=Z()/X() la momentul impactului plasmei pe colector. Din calcule
numerice s-a gasit ca plasma initiala intinsa sfarseste intr-o expansiune sferica, in timp ce plasma
initiala scurta evolueaza catre o plasma puternic orientata inainte.[1]
III.3. Analiza rezultatelor experimentale obinute n urma investigaiilor EDAX
Analiza EDX a compozitelor sinterizate la 1150oC a fost efectuat cu scopul de a studia
modul de distribuie a elementelor chimice pe suprafaa probelor n rupture. Rezultatele
experimentale prezentate n Fig. III.1. si III.2. Rezultatele experimentale obinute pentru CoFe2O4 i

CoMn0,2Fe1,8O4 indic faptul c toate elementele chimice sunt distribuite uniform pe suprafa.
n cazul compozitelor, elementele chimice nu sunt distribuite uniform. Se observ c elementele
chimice corespunztoare fazei de feroelectric i cele ale feritei sunt concentrate n zone distincte

pe suprafa ceea ce indic faptul c proba este format din gruni de material feroelectric
separai de grunii de ferit i c nu exist reacii chimice ntre cele dou faze. Odat cu
creterea cantitii de ferit se observ prezena aglomerrilor mari de gruni de ferit. Matricea
n cazul compozitelor cu 20% ferit este BaTiO3 n care sunt nglobai gruni de CoFe2O4 iar
pentru 60% ferit matricea este CoFe2O4.

Fig. III.1. Imaginile de microscopie electronic i cele care prezint distribuia

elementelor chimice pe suprafa pentru probele care conin CoFe2O4

Fig. III.2. Imaginile de microscopie electronic i cele care prezint distribuia

elementelor chimice pe suprafa pentru probele care conin CoFe1,8Mn0,2O4

IV. BIBLIOGRAFIE
[1] Boutiuc Luminia-Mirela Contribuii La Studiul Compozitelor Magnetoelectrice,
Universitatea Alexandru Ioan Cuza, Iasi, 2011
[2] Seva (Vsevolod) V. Khikhlovskyi The renaissance of multiferroics: bismuth ferrite
(BiFeO3) a candidate multiferroic material in nanoscience. University of Groningen Faculty
of Mathematics and Natural Sciences