meMory

Terdiri dari flip flop (8-9 gerbang) atau

terdiri dari 30-40 transistors
Memory cell adalah sebuah unit untuk
menyimpan 1 bit

Tipe memori
ROM (Read Only Memory)
ROM mask programmed (factory)
PROM Programmable ROM (one time)
EPROM Erasable PROM (UV light)

RAM (Random Access Memory)

Static RAM (SRAM)
Dynamic RAM (DRAM)

NV-RAM (Non-Volatile RAM)

EEPROM (Electrically Erasable PROM)
Flash

SRAM Static Memory

RAM Address Decoder

SRAM reading address 110101

DRAM Dynamic RAM

DRAM reading address 110101

stRuktur RAM 8KB

Input Latch

A0
A1
A2
A3
A4
.
.
.
.
A12

.
.
.
.
.
.

Addr
decoder

Memory
block

MemR

&

MemW
A13
A14
A15

&
Addr
comp

E
E
output
Latch
S1
S2
S3
D7 .D0

RAM 8kB 2x4kB

8kB 13 jalur alamat (A0.A12)
4kB 12 jalur alamat (A0.A11)
misal : alamat awal 8000H

8
A15

0
A12

A11

A0

100 0

0000

0000

100 0

1111

1111

100 1

0000

0000

100 1

1111

1111

0000
1111
0000
1111

8000H
8FFFH
9000H
9FFFH

IC 1
+1

IC 2

ranGkaian 2x4kB
bus data

A0

Ic 1
4kB

A11
MemR
MemW

CS1
A12

decoder
E

A13
A14
A15

Addr
comp

S1
S2
S3

Ic 2
4kB

CS2

ranGkaian deCoder
taBel kebeNaran
E A12 CS1 CS2
1

A12

CS1
CS2

IC aktif ketika CS (chips

select) bernilai 0

E
ranGkaian

ranGkaian addreS ComparatOr

taBel kebeNaran
A13

A14

A15 S1 S2

S3 E

keluaraN E berniLai 1 jika A=S

dan berNilai 0 jika AS

A13
A14
A15

S1
S2
S3

ranGkaian komparator