22/08/2012

TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO (FET)

METALOXIDOSEMICONDUCTOR (MOSFET)
Al

SiO2

Si

+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+

VGB

Capacitor de Placas Paralelas

Q = C VGB

N+

D
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+

VDS
G

VGS

- - ----------- ---------------

N+

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IDS= Carga Mvil en el Canal = Q Mvil

Tiempo de Trnsito
TT

IDS

0 < VGS < VTH

N+

D
d
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+

VDS
G
VGS

Q Mvil = 0

W
VTH Tensin umbral

------ -- -- - --

P
VTH VGS Aparece carga movil
Q Mvil = Cg* ( VGS-VTH VDS/2)

L
B

Cg Capacidad de compuerta
Cg = W L / d
TT = L / vd = L / E = L2 / VDS
IDS = Cg* ( VGS-VTH VDS/2) VDS / L2

N+
IDS = W * ( VGS-VTH VDS/2) VDS
d L
3

IDS = W * ( VGS-VTH VDS/2) VDS

d L

= W
d L

IDS = ( VGS-VTH ) VDS V2DS

2
Para VDS bajo
IDS = ( VGS-VTH ) VDS

El dispositivo entre Drenador y

Fuente, se comporta como una
resistencia cuyo valor es
controlado por VGS

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IDS = ( VGS-VTH ) VDS V2DS

2

VDS no puede despreciarse

IDS f (V2DS)

VDS bajo
Zona Ohmica

SATURACION
IDS = ( VGS-VTH ) VDS V2DS
2
(VGS VDS) < VTH
VDS = (VGS VTH)

IDS = ( VGS-VTH ) ( VGS-VTH ) ( VGS-VTH )2

2

IDS = ( VGS-VTH )2
2

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ZONAS DE OPERACION

hmica:
VGS>VTH y VGS-VDS>VTH IDS=*(VGS-VTH)*VDS (/2)*VDS2

Saturacin:
VGS>VTH y VGS-VDS<VTH

IDS= (/2)*(VGS-VTH)2
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Caracterstica V-I MOS de Enriquecimiento

Materiales y Dispositivos Electrnicos Universidad Nacional de Tucumn

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Caracterstica V-I MOS de Deplexin

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Corriente de drenador en funcin de vGS en la regin de saturacin

dispositivos de canal n.
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para
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MOS de Enriquecimiento

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MOS de Deplexin

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Estructura Fsica

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Imagen de un MOS

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