Fakultet elektrotehnike i raunarstva

Zavod za elektroniku, mikroelektroniku,

raunalne i inteligentne sustave

Elektronika 1
. Butkovi, J. Divkovi Pukec, A. Bari

5. Unipolarni tranzistori

Unipolarni tranzistor
Aktivni element s tri prikljuka
ulazni, izlazni i zajedniki prikljuak
promjenom napona u ulaznom krugu upravlja se struja u izlaznom
krugu
primjena: pojaalo, sklopka
prednost: beskonaan ulazni otpor upravljanje bez potroka
snage

5. Unipolarni tranzistori

Nazivi i tipovi
Nazivi
unipolarni tranzistor struju vodi samo jedan tip nosilaca
tranzistor s efektom polja elektrikim poljem (naponom) u
ulaznom krugu modulira se poluvodiki otpornik u izlaznom krugu
FET skraenica engleskog naziva Field Effect Transistor
Tipovi
MOSFET Metal-Oxide-Semiconductor FET
JFET spojni FET (od Junction FET)
MESFET Metal-Semiconductor FET

5. Unipolarni tranzistori

Struktura MOSFET-a (1)

Struktura n-kanalnog MOSFET-a
Prikljuci
uvod S (engl. Source)
odvod D (engl. Drain)
upravljaka elektroda
G (engl. Gate)
podloga B (engl. Body)
Dimenzije budueg kanala
L duina
W irina

5. Unipolarni tranzistori

Struktura MOSFET-a (2)

za n-kanal p-podloga
osnovni dio strukture - MOS
M metal (engl. Metal)
O oksid SiO2
(engl. Oxide)
S poluvodi
(engl. Semiconductor)
struja MOS strukture IG = 0
n+ podruja kontakti uvoda i
odvoda
Podloga (B) se najee kratko spaja s uvodom (S)
5. Unipolarni tranzistori

Prikljuak malog napona UDS

Napon UDS > 0 zaporno polarizira pn-spoj odvod-podloga

Izmeu odvoda i uvoda ne tee struja
Uz mali UDS jednake irine osiromaenih slojeva na stranama uvoda i
odvoda
5. Unipolarni tranzistori

Utjecaj napona UGS

formiranje kanala
Napon UGS > 0 na povrinu
podloge ispod oksida
privlai elektrone i odbija
upljine
Uz dovoljno velik UGS > 0
povrina postaje n-tip
inverzijski sloj n-kanal
Stvaranjem n-kanala
izmeu uvoda i odvoda
formira se poluvodiki
otpornik n-tipa
Granica stvaranja kanala: UGS = UGS0 koncentracija elektrona u kanalu
jednaka je koncentraciji upljina u podlozi
UGS0 napon praga
5. Unipolarni tranzistori

Rad uz mali napon UDS

Za UGS > UGS0 i za mali napon
UDS > 0 tee struja odvoda ID
Za mali napon UDS > 0 pad napona
u kanalu je zanemariv;
MOSFET je linearni otpornik
Poveanjem napona UGS raste
koncentracija elektrona u kanalu
i vodljivost kanala; MOSFET je
naponom upravljani linearni
otpornik
UGS0 = 1 V
5. Unipolarni tranzistori

Rad uz vei napon UDS

suavanje kanala
Poveanjem napona UDS nastaje pad
napona u kanalu
Koncentraciju elektrona u kanalu
odreuje:
na strani uvoda UGS
na strani odvoda UGD = UGS UDS
Kanal se prema odvodu suava
otpor kanala raste

5. Unipolarni tranzistori

Rad uz vei napon UDS

zatvaranje kanala
Za napon UDSS = UGS UGS0
UGD = UGS0 na strani odvoda
kanal se zatvara

5. Unipolarni tranzistori

10

Promjena struje ID s naponom UDS

Za male napone UDS struja ID raste
linearno s UDS linearno podruje
Za vee napone UDS < UGS UGS0
otpor kanala raste; struja ID raste
sporije s UDS triodno podruje
Za UDS = UGS UGS0 = UDSS kanal se
zatvara; struja postie maksimalnu
vrijednost IDS
Za UDS > UGS UGS0 kanal je
zatvoren; struja ostaje konstantna ID
= IDS podruje zasienja
5. Unipolarni tranzistori

11

Izvod strujno-naponske
karakteristike (1)
UGS > UGS0, UDS < UGS UGS0

Kapacitet oksida po jedinici povrine:

Cox = ox/tox
Naboj elektrona:
d Q = Cox (d y W ) [U GS U GS 0 U ( y )]

Driftna struja:
I Fn =

dQ dQ d y dQ
vdn ( y)
=
=
dt d y dt d y

vdn ( y ) = n F ( y) = n d U ( y) /d y

I Fn = n Cox W [U GS U GS 0 U ( y ) ]

d U ( y)
dy

Struja odvoda: I D = I Fn
5. Unipolarni tranzistori

12

Izvod strujno-naponske
karakteristike (2)
Diferencijalna jednadba:
I D d y = n Cox W [U GS U GS 0 U ( y )]d U ( y )

Integriranjem po kanalu: od y = 0 do y = L; od U(0) = 0 do U(L) = UDS

2
U DS

struja ID u triodnom podruju

I D = K (U GS U GS 0 )U DS

W
strujni koeficijent
K = n Cox
L

Za UDS = UDSS = UGS UGS0

I D = I DS =

K
(U GS U GS 0 )2 struja ID u podruju zasienja
2

5. Unipolarni tranzistori

13

Izlazne karakteristike
triodno podruje
za 0 UDS UGS UGS0
2
U DS

I D = K (U GS U GS 0 )U DS
2

podruje zasienja
za UDS UGS UGS0

K
(U GS U GS 0 ) 2
2
linearno podruje za mali UDS
I D = I DS =

I D K (U GS U GS 0 )U DS

obogaeni tip UGS0 = 1 V

5. Unipolarni tranzistori

podruje zapiranja za UGS < UGS0

ID = 0
14

Prijenosne karakteristike
za UDS = 3 V podruje zasienja
za UDS = 1 V podruje zasienja
i triodno podruje
za podruje zasienja nelinearna
prijenosna karakteristika
izlazne karakteristike nisu
ekvidistantne

5. Unipolarni tranzistori

15

Veza prijenosnih i izlaznih

karakteristika
Prijenosne karakteristike mogu se konstruirati iz izlaznih karakteristika

5. Unipolarni tranzistori

16

Tipovi n-kanalnog MOSFET-a

obogaeni tip kanal se stvara
pozitivnim naponom UGS = UGS0
osiromaeni tip vodi struju uz
UGS = 0 V; kanal se zatvara
negativnim naponom UGS = UGS0
n-kanalni MOSFET vodi struju
uz UGS > UGS0

5. Unipolarni tranzistori

17

Elektriki simboli n-kanalnog

MOSFET-a

osiromaeni tip

obogaeni tip

puna crta izmeu uvoda i odvoda postojanje kanala uz UGS = 0 V

isprekidana crta izmeu uvoda i odvoda izostanak kanala uz UGS = 0 V
strelica od p-podloge prema n-kanalu

5. Unipolarni tranzistori

18

Primjer 5.1
Prijenosna karakteristika MOSFET-a podruju
zasienja prikazana je na slici. Debljina
sloja SiO2 iznad kanala je 20 nm, a
pokretljivost veinskih nosilaca u kanalu je
400 cm2/Vs
a) Koliki je omjer irine i duine kanala W/L?
b) Kolika je duina kanala L ako kapacitet
upravljake elektrode prema kanalu mora
biti CG 20 fF?

5. Unipolarni tranzistori

19

p-kanalni MOSFET
tehnoloki presjek jednak
presjeku n-kanalnog
MOSFET-a uz zamjenu
tipova primjesa
za p-kanal n-podloga

p+ podruja kontakti uvoda i

odvoda

5. Unipolarni tranzistori

20

Elektriki simboli p-kanalnog

MOSFET-a

osiromaeni tip

obogaeni tip

puna crta izmeu uvoda i odvoda postojanje kanala uz UGS = 0 V

isprekidana crta izmeu uvoda i odvoda izostanak kanala uz UGS = 0 V
strelica od p-kanala prema n-podlozi

5. Unipolarni tranzistori

21

Tipovi p-kanalnog MOSFET-a

struja je ID negativna
obogaeni tip kanal se stvara
negativnim naponom UGS = UGS0
osiromaeni tip vodi struju uz
UGS = 0 V; kanal se zatvara
pozitivnim naponom UGS = UGS0
p-kanalni MOSFET vodi struju
uz UGS < UGS0

5. Unipolarni tranzistori

22

Izlazne karakteristike
p-kanalnog MOSFETa
triodno podruje
za UGS UGS0 UDS 0
2
U DS

I D = K (U GS U GS 0 )U DS
2

podruje zasienja
za UDS UGS UGS0

K
(UGS UGS 0 )2
2
koeficijent struje
ID =

K = pCox

obogaeni tip UGS0 = 1 V

5. Unipolarni tranzistori

W
L

podruje zapiranja za UGS > UGS0

ID = 0
23

CMOS struktura

nMOS na p-podlozi
pMOS u zasebnom n-otoku
Zbog elektrike izolacije p-podloga se spaja na najnii, a n-otok na najvii
potencijal u sklopu

5. Unipolarni tranzistori

24

Primjer 5.2 (1)

MOSFET ima strujni koeficijent K iznosa 0,4 mA/V2 i napon praga
UGS0 = 1 V. Nacrtati izlazne karakteristike ako je MOSFET
a) n-kanalni,
b) p-kanalni.
a)
U GS , V

U GS U GS 0 , V

I D , mA

0,2

0,8

1,8

3,2

U GS , V

U GS U GS 0 , V

I D , mA

0,2

0,8

1,8

3,2

b)

5. Unipolarni tranzistori

25

Primjer 5.2 (2)

5. Unipolarni tranzistori

26

Porast struje u zasienju

n-kanalni MOSFET obogaenog tipa

UGS0 = 1 V
5. Unipolarni tranzistori

27

Modulacija duine kanala

Toka dodira pomie se prema
uvodu
Kanal se skrauje
U kanalu elektroni se ubrzavaju
naponom UDS = UDSS = UGS UGS0

U podruju zasienja struja ID raste s naponom UDS

1
1
W
(U GS U GS 0 )2 = I DS
I D = n Cox
2
L L
1 (L / L)
5. Unipolarni tranzistori

28

Struktura spojnog FET-a

Struktura n-kanalnog JFET-a
Prikljuci
uvod S
odvod D
upravljaka elektroda G
druga upravljaka elektroda G2
Kanal
L duina
W irina
2a tehnoloka debljina

5. Unipolarni tranzistori

29

Elektriki simboli JFET-a

n-kanalni

p-kanalni

strelica od p-tipa prema n-tipu poluvodia

za n-kanalni od p-upravljake elektrode prema n-kanalu
za p-kanalni od p-kanala prema n-upravljakoj elektrodi

5. Unipolarni tranzistori

30

Napon dodira i
linearno podruje rada
UGS < 0 zaporno polarizira pn-spoj
upravljaka elektroda-kanal
Uz mali UDS zanemariv pad napona u kanalu
Poveanjem iznosa UGS osiromaena
podruja se ire kanal se suava
Za UGS = UP kanal se zatvara
UP napon dodira
Za mali napon UDS JFET je linearni otpornik
U U 1 / 2
GS
U DS
I D = G0 1 K
U
U

UK kontaktni potencijal
upravljaka elektroda-kanal
G0 vodljivost potpuno otvorenog kanala
5. Unipolarni tranzistori

31

Rad uz vei napon UDS

Poveanjem napona UDS nastaje pad
napona u kanalu
pn-spoj upravljaka elektroda-kanal
jae se zaporno polarizira na strani
odvoda
Kanal se prema odvodu suava
otpor kanala raste
Struja ID sve sporije raste s naponom
UDS triodno podruje

U U + U 3 / 2 U U 3 / 2
U K U P U DS
GS
DS
GS
2 K
I D = G0
K

3
3
UK UP

U K U P

U K U P
Struja ID mijenja se s naponima UDS i UGS
5. Unipolarni tranzistori

32

Zatvaranje kanala
Za napon UDSS = UGS UP UGD = UP
kanal se na strani odvoda
zatvara
Struja postie maksimalnu vrijednost
ID = IDS podruje zasienja

I D = I DS

3/ 2
U K U GS
UK UP
U K U GS
+ 2
= G0

1 3
UK UP
3
U K U P

Struja ID mijenja se samo s naponom UGS

5. Unipolarni tranzistori

33

Modulacija duine kanala

Toka dodira pomie se prema uvodu
Kanal se skrauje
U kanalu elektroni se ubrzavaju
naponom UDS = UDSS = UGS UP

U podruju zasienja struja ID raste s naponom UDS

I D = I DS

5. Unipolarni tranzistori

L
L L

34

Karakteristike JFET-a

prijenosna karakteristika

izlazne karakteristike

IDSS maksimalna struja JFET-a

za UDS = UDSS < UGS UP triodno podruje
za UDS = UDSS > UGS UP podruje zasienja
5. Unipolarni tranzistori

35

JFET u podruju zasienja

JFET se najvie koristi u pojaalima radi u podruju zasienja
Umjesto tonog i nepraktinog izraza u
sklopovskoj analizi koristi se
jednostavniji izraz
I D = I DS

U
= I DSS 1 GS
UP

puna crta toan izraz

crtkano jednostavniji izraz
5. Unipolarni tranzistori

36

MESFET

Radi se u galij-arsenidu velika brzina rada

Slian JFET-u
Upravljaka elektroda- kanal je ispravljaki spoj metal-poluvodi
Za ispravan rad UGS < 0

5. Unipolarni tranzistori

37

Temperaturna svojstva FET-ova

MOSFET porastom temperature
smanjuju se K i UGS0
JFET - porastom temperature
smanjuje se pokretljivost i
suavaju osiromaeni slojevi
Kod obje vrste FET-ova
porastom temperature pri
manjim strujama struja ID se
poveava, a pri veim strujama
se smanjuje

5. Unipolarni tranzistori

38

Proboji FET-ova
MOSFET
lavinski proboj spoja odvod-podloga
prohvat
proboj oksida

JFET
lavinski proboj spoja odvod-kanal;
uz probojni napon UB proboj
nastupa uz UDS = UB + UGS

5. Unipolarni tranzistori

39

Dinamiki parametri FET-a

Opisuju odnose malih izmjeninih veliina u reimu malog signala
Uz mali signal: iD = f(uGS, uDS)

d iD =

iD
i
d uGS + D d uDS
uGS
uDS

id = g m u gs + g d uds

Dinamiki parametri:
strmina

gm =

d iD
d uGS

=
uDS = konst

id
u gs

uds = 0

izlazna dinamika vodljivost

i
d iD
gd =
= d
d uDS u = konst uds u = 0
GS

5. Unipolarni tranzistori

gs

izlazni dinamiki otpor

rd =

1
gd
40

Model FET-a za mali signal

Koristi se u podruju zasienja
Slijedi iz: id = gm ugs + uds/rd

faktor naponskog pojaanja

Drugi oblik
uds = ugs + rd id , = gm rd

d uDS
d uGS

=
iD = konst

uds
u gs

id = 0

Za neoptereen izlaz id = 0 uds = gm rd ugs = ugs

maksimalno naponsko pojaanje FET-a
5. Unipolarni tranzistori

41

Model za visoke frekvencije

Kapaciteti Cgs i Cgd:

za MOSFET kapacitet MOS strukture
za JFET kapacitet zaporno polariziranih pn-spojeva
za MESFET kapacitet zaporno polariziranog spoja metal-poluvodi

5. Unipolarni tranzistori

42

Grafiko odreivanje
dinamikih parametara (1)
Strmina:

gm =

5. Unipolarni tranzistori

iD
uGS

U DS = konst

43

Grafiko odreivanje
dinamikih parametara (2)
Izlazni dinamiki otpor:

rd =

5. Unipolarni tranzistori

uDS
iD

U GS = konst

44

Analitiko odreivanje
dinamikih parametara (1)
Strmina:
MOSFET

K
(uGS UGS 0 )2
2
di
gm = D = K (U GS UGS 0 ) = 2 K I D
d uGS

iD =

JFET

u
iD = I DSS 1 GS
UP
gm =

d iD
2I
2
U
= DSS 1 GS =
I DSS I D
UP UP
d uGS U P

5. Unipolarni tranzistori

45

Analitiko odreivanje
dinamikih parametara (2)
Izlazni dinamiki otpor:
model nagiba izlaznih
karakteristika u podruju zasienja

MOSFET

K
(uGS UGS 0 )2 (1 + uDS )
2
d iD
K
2
gd =
= (U GS U GS 0 )
d uDS
2

iD =

JFET
2

u
iD = I DSS 1 GS (1 + uDS )
UP

gd =
za oba FET-a
5. Unipolarni tranzistori

rd =

d iD
d uDS

U
= I DSS 1 GS
UP

1 1 + U DS
1
=

gd
ID
ID
46

Primjer 5.3
Parametri n-kanalnog MOSFET-a su koeficijent K = 80 A/V2, napon praga
UGS0 = 2 V i faktor modulacije duine kanala = 0,005 V-1. FET radi s
naponom UGS = 5 V. Izraunati struju odvoda ID, strminu gm, izlazni dinamiki
otpor rd i faktor naponskog pojaanja uz:
a)

UDS1 = (UGS UGS0)/2,

b)

UDS2 = 2(UGS UGS0).

5. Unipolarni tranzistori

47

Primjer 5.4
Napon praga p-kanalnog MOSFET-a je UGS0 = 1,5 V. Kada MOSFET radi u
podruju zasienja pri naponu UGS = 4 V vodi struju od 1 mA. Koliki su
napon UGS i strmina gm tog FET-a u podruju zasienja uz struju od 4 mA?
Zanemariti porast struje odvoda u podruju zasienja.

5. Unipolarni tranzistori

48

Primjer 5.5
Izlazne karakteristike nekog realnog
MOSFET-a, dobivene mjerenjem,
prikazane su na slici.
a) U radnoj toki A odrediti dinamike
parametre: strminu gm, izlazni
dinamiki otpor rd i faktor
naponskog pojaanja .
b) Odrediti parametar modulacije
duine kanala koji aproksimira
nagib izlaznih karakteristika u
podruju zasienja.
c) Koritenjem parametra izraunati
izlazni dinamiki otpor za UDS = 7 V i
za sva tri napona UGS sa slike.

5. Unipolarni tranzistori

49

Pregled bitnih jednadbi (1)

MOSFET strujno naponske karakteristike
podruje zapiranja

ID = 0 za UGS < UGS0 (n-kanalni) i za UGS > UGS0 (p-kanalni)

triodno podruje
2

U DS
I D = K (U GS U GS 0 )U DS
za 0 U DS U GS U GS 0
2

podruje zasienja za UDS UGS UGS0

I D = I DS =

K
(U GS U GS 0 ) 2 za U DS U GS U GS 0
2

strujni koeficijent

5. Unipolarni tranzistori

K = Cox

W
L
50

Pregled bitnih jednadbi (2)

MOSFET dinamiki parametri
struja odvoda
K
2
iD = ( uGS U GS 0 ) (1 + uDS )
2
strmina
di
g m = D = K (U GS U GS 0 ) = 2 K I D uz U DS << 1
d uGS
izlazni dinamiki otpor

gd =

d iD
K
2
= (U GS U GS 0 )
d u DS
2

rd =

1 1 + U DS
=
gd
ID

faktor naponskog pojaanja = gm rd

5. Unipolarni tranzistori

51