DASAR ELEKTRONIKA

FIELD EFFECT TRANSISTOR

(FET)

Field-Effect Transistors
Field-Effect Transistor (FET) adalah
piranti tiga-terminal seperti halnya
transistor BJT.
Perbedaan utama dari kedua
transistor ini adalah bahwa BJT
adalah piranti yang dikontrol oleh
arus, sedangkan FET adalah piranti
yang dikontrol tegangan.

Field-Effect Transistors
(kontrol arus)
IB

ID

IC

BJT

FET

VGS
(kontrol tegangan)

BJT

Bipolar device
Dua carrier : elektron & holes

FET

Unipolar device
Satu carrier :
elektron (n-channel)
atau holes (p-channel)

Field-Effect Transistors
Karakteristik
High Input Impedance
Temperature Stable
Small size -> Integrated Circuit
Type
Junction FET
MOSFET (Metal Oxide Semikonductor FET)

JFET (nchannel )
Piranti 3 terminal
Drain
Source
Gate

VGS = 0 ; VDS (+)

IDSS adalah arus
drain-source
maksimum (saturasi)
Pada VGS = 0 dan VDS
> |VP|
Vp = Tegangan
Pinch-off

VGS < 0

Nilai VGS yang menghasilkan ID=0 adalah VGS-VP,

dimana VP (-) untuk n-channel JFET

p channel JFET

Simbol

n - channel

p - channel

Karakteristik Transfer
ID

VGS

I DSS 1

Vp

Karakteristik ini tidak dipengaruhi oleh

rangkaian

Menggambar Kurva
Cari 4 buah titik :
ID
ID
ID
ID

=
=
=
=

0
IDSS/2
IDSS/4
IDSS

Soal
Sket Kurva Katakteristik JFET dengan IDSS
= 12 mA dan VP = - 6V

ID

VGS

I DSS 1

Vp

ID = 12 mA

VGS = 0 V

ID = 0 mA

VGS = Vp = - 6V

ID =
=
ID =
=

IDSS/2
6 mA
IDSS/4
3 mA

VGS = 0.3 VP = -1.8 V

VGS = 0.5 VP = -3 V

Sket Kurva JFET p-channel dengan

IDSS = 4 ma dan VP = 3 V

Depletion Type MOSFET

Karakteristik

Sket Kurva
Sket Kurva karakteristik MOSFET
tipe depletion dengan arus drainsource saturasi = 10 mA dan
tegangan pinch-off 4 V.

Simbol

Enhancement-Type
MOSFET

Enhancement-Type
MOSFET

I D k (VGS VT )
k

I D ( on )

GS ( on )

VT

Karakteristik ( p-channel)

Sket Kurva Karakteristik n-channel

Enhancement type MOSFET
dengan :
ID(on) = 10 mA
VGS(on) = 8V
VT = 2 V

Simbol

FET BIASING