Samsung

707-S09
REV.29 DE JULIO DE 2006
JORDAN I. SIEGEL
JAMES JINHO CHANG
Samsung Electronics
Introduccin
Kun Hee Lee, presidente del grupo Samsung, reflexionaba sobre la estrategia de su empresa
sentado en el despacho instalado en el stano de su casa. De la pared de su despacho colgaba una
pantalla de cien pulgadas, y frente a la pantalla se encontraba una mesita baja, de unos treinta
centmetros de altura. Gran parte de la jornada de Lee transcurra en esta habitacin, estudiando las
estrategias de sus competidores y supervisando decisiones de inversin de miles de millones de
dlares. Al lado de la mesita haba cientos de cintas de vdeo y DVD, en muchas de las cuales se
analizaba la trayectoria y estrategias de sus competidores. Arrimados a la pared se acumulaban todos
y cada uno de los productos que Samsung y sus competidores iban lanzando. Fiel a su formacin
como ingeniero, Lee los iba estudiando uno a uno para examinar su diseo y calidad de fabricacin1.
Sentado frente a su mesa baja con una taza de t verde coreano en la mano, Lee se preguntaba si
su legin de empleados de Samsung seguira su insistente recomendacin de exigir siempre lo mejor
en cuanto al diseo del producto y a la eficiencia en los procesos. Le preocupaba mucho que se
produjera cierta autocomplacencia en su empresa. Recordaba cmo haba aludido a ello en una
reunin con los altos ejecutivos de la empresa: Para una persona de fuera, parecera aberrante
reprender al directivo responsable de una divisin que acumula beneficios (de miles de millones de
dlares). Pero mi punto de vista no es se. Es cierto que nuestras capacidades y nuestro esfuerzo nos
han ayudado en nuestro xito, pero debemos ser conscientes de que la mayor parte de dicho xito
proviene de las negligencias de las empresas lderes, de la pura suerte y del sacrificio de nuestros
predecesores2.
A las rdenes de Lee, Samsung haba logrado convertirse en el primer fabricante mundial de
memorias para todo tipo de ordenadores personales, cmaras digitales, consolas de juegos y otros
aparatos electrnicos. Tan slo en 1987, Samsung no era ms que un pequeo competidor, a aos luz
de sus principales rivales japoneses. Pero en 2003, la divisin de memorias de Samsung destacaba
sobre sus rivales japoneses tanto en volumen como en beneficios. Samsung empleaba las ganancias
de esta divisin para invertir en otros productos tecnolgicos. En el ao 2003, gracias a los telfonos
mviles, las pantallas de cristal lquido y los productos con componentes de memoria, Samsung haba
logrado el segundo mayor beneficio neto de todas las empresas electrnicas fuera de Estados Unidos.
A pesar del xito del que disfrutaba Samsung en aquel momento, a Lee le preocupaban las
compaas de la China continental que estaban empezando a hacer la competencia a Samsung de la
misma forma que Samsung le haba hecho la competencia a las empresas japonesas veinte aos antes.
En 2005 se esperaba que el sector de los microprocesadores de memoria sufriera un declive cclico, y
El caso de LACC nmero 707S09 es la versin en espaol del caso de HBS nmero 9-705-508. Los casos de HBS se desarrollan
unicamente para su discusin en clase. No es el objetivo de los casos servir de avales, fuentes de datos primarios, o ejemplos de
una administracin buena o deficiente.
Copyright 2005 President and Fellows of Harvard collage. No se permitir la reproduccin, almacenaje, uso en planilla de
clculo o transmisin en forma alguna: electrnica, mecnica, fotocopiado, grabacin u otro procedimiento, sin permiso de
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aunque Samsung haba superado los dos ltimos ciclos bajistas con los mejores resultados de todo el
sector, algunos analistas externos pensaban que la entrada de China podra cambiar radicalmente las
condiciones del sector en los prximos aos.
El sector de memorias
La importancia econmica del sector de los semiconductores haba crecido a lo largo de las cinco
ltimas dcadas. En 2000, se haban alcanzado unas ventas globales de doscientos mil millones de
dlares estadounidenses, y el sector creca a una media anual del diecisis por ciento desde 19603.
Dentro de los semiconductores, los productos se englobaban en dos grandes categoras de
microprocesadores: los microprocesadores de memoria y los microprocesadores lgicos. Los
microprocesadores lgicos se empleaban para procesar informacin y para el control de procesos, y
los microprocesadores de memoria almacenaban informacin. Los microprocesadores de memoria
pasaron a clasificarse ms adelante en tres tipos: memorias DRAM (siglas inglesas de memoria
dinmica de acceso aleatorio), memorias SRAM (siglas inglesas de memoria esttica de acceso
aleatorio) y memorias Flash. Este estudio de caso prctico se centra en el sector mundial de
microprocesadores de memoria, cuyas ventas en 2003 alcanzaron los 33.700 millones de dlares.
Las ventas de memorias DRAM suponan algo ms de la mitad del volumen del mercado de los
microprocesadores de memoria en el ao 2003. Tradicionalmente, las memorias DRAM se haban
empleado sobre todo en los ordenadores personales, pero la proporcin de memorias de este tipo que
se destinaba a este uso haba descendido del 80 al 67 por ciento entre 1990 y 2003. En 2003 tanto el
mercado de las telecomunicaciones como el de los aparatos electrnicos de consumo demandaban
cada vez ms memorias DRAM. Las previsiones apuntaban a que el peso especfico de los productos
relacionados con las comunicaciones, como telfonos mviles, conmutadores y anillos centrales como
destino de memorias DRAM, iba a crecer del 3,5 al 7,9 por ciento en 2008; los aparatos de televisin,
los mdulos de conexin y las consolas de videojuegos, como la PlayStation, suponan en 2003 el 7
por ciento de este mercado.
Entre los dems tipos de microprocesadores de memoria, las memorias SRAM y Flash
representaban en 2003 el 10 y 32 por ciento, respectivamente, de las ventas del sector. La memoria
SRAM era un tipo de memoria intermedia que facilitaba los procesos de los ordenadores y las
funciones de los telfonos mviles. La memoria Flash, que era el producto con un mayor crecimiento,
se empleaba mucho en cmaras digitales y telfonos mviles. Mientras que las memorias DRAM
perdan la informacin cuando se cortaba la alimentacin de energa, las memorias Flash podan
seguir almacenando datos aunque no recibieran corriente.
El sector de las memorias contaba con proveedores muy poderosos y con clientes que daban
mucha importancia a los precios. Con cada nueva generacin de equipos de semiconductores, la
tecnologa se haca ms compleja y se reduca el nmero de proveedores. Entre slo dos o tres
grandes empresas, entre ellas Applied Materials, Tokyo Electrn y ASML, dominaban los segmentos
clave del mercado de equipos. Los proveedores de materias primas para la fabricacin de memorias
ofrecan descuentos de hasta el 5% a los compradores de grandes volmenes. Los clientes se
encontraban mucho ms fragmentados, no habiendo en 2005 ningn fabricante de equipos originales
que controlara ms del 20% del mercado mundial de ordenadores personales. Las memorias
suponan entre el 4 y el 12 por ciento de los costes de material para un fabricante de ordenadores
personales originales, y entre el 4 y el 7 por ciento de los costes de material para un fabricante de
telfonos mviles. Debido a la gran rivalidad que exista entre los fabricantes de ordenadores
personales y tambin a que los fabricantes de ordenadores personales tenan que tratar con clientes
que daban mucha importancia a los precios, los fabricantes de equipos originales negociaban muy
duramente los precios. Sin embargo, tambin influa mucho el hecho de que una memoria defectuosa
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poda arruinar el valor de todo el producto. Y dado que las memorias defectuosas eran muy difciles
de detectar, los fabricantes de equipos originales estaban dispuestos a pagar hasta un 1% ms de
media en el precio a un proveedor fiable4.
En 2005, el sector sufri una dura competencia y la llegada masiva de las empresas chinas. A
finales de 2004, Samsung haba anunciado que en 2005 se iba a producir una bajada considerable de
los precios de mercado. La reduccin de precios se deba en parte a un aumento de la capacidad del
sector y en parte a un declive cclico normal. Mientras Samsung lograba comercializar con xito
nuevos tipos de microprocesadores de memoria de ltima generacin, las empresas chinas que
competan en las lneas de producto ms antiguas estaban dispuestas incluso a renunciar a los
beneficios con tal de lograr mayor cuota de mercado. Aunque los costes de construccin de una
nueva fbrica haban aumentado de 200 millones de dlares en 1985 a 3.000 millones de dlares en
2004, las empresas chinas no estaban encontrando muchas dificultades para conseguir el dinero de
fuentes nacionales e internacionales. Las sociedades chinas se haban encontrado con enormes
dificultades incluso para comenzar a fabricar productos de vanguardia, ya que carecan de la
experiencia necesaria en cuanto a la organizacin y a los conocimientos tcitos necesarios para
controlar el proceso de diseo y fabricacin. An as, gracias a su facilidad para acceder a la
financiacin exterior y a la profesionalidad de sus ingenieros nacionales, los chinos lograron estos
conocimientos y capacidades en la dcada siguiente. En 2005, no exista ninguna alternativa eficaz
que pudiera hacer la competencia a las memorias DRAM o Flash. Sin embargo, a pesar de que los
beneficios de los nuevos tipos de memoria eran muchas veces nicamente tericos, se empezaba a
pensar en las memorias basadas en la nanotecnologa. Si las pequeas empresas pioneras del sector
llegaban alguna vez a crear nuevos tipos de tecnologa, la opinin de los analistas externos era que las
empresas consolidadas del sector se iban a concentrar en los diseos ya establecidos y en los mtodos
de fabricacin ya conocidos, y que tendran una reaccin demasiado lenta ante el cambio tecnolgico.
El proceso de fabricacin de los semiconductores

Los semiconductores se empleaban para desempear una funcin determinada en un dispositivo
electrnico (para almacenar datos o bien para procesar datos). Una vez que los diseadores haban
confeccionado un proyecto segn la funcin que se persiguiera, la forma fsica del microprocesador
se plasmaba en una plantilla que poda utilizarse para fabricar microprocesadores idnticos. Aparte,
se moldeaba un lingote cilndrico de silicio del dimetro deseado (en 2005 era de unos treinta
centmetros), y a continuacin este lingote se cortaba en obleas que eran increblemente delgadas (tan
slo de entre 250 y 350 micras de espesor, ms finas que un cabello humano). A continuacin,
empresas como Samsung Electronics empleaban estas obleas para fabricar microprocesadores de
memoria mediante una serie de procesos trmicos, metalrgicos y qumicos. Durante este proceso de
fabricacin se definan miles de millones de circuitos electrnicos dentro de varios microprocesadores
individuales (tambin llamados dados) sobre la oblea de treinta centmetros. El resultado de este
proceso de fabricacin era la creacin de una matriz de microprocesadores rectangulares sobre la
oblea. Por ltimo, las obleas se cortaban para obtener los microprocesadores individuales. Durante
todo el proceso de produccin se comprobaba la fiabilidad de los microprocesadores.
Uno de los principales objetivos del fabricante de microprocesadores de memoria era producir la
mayor cantidad posible de chips en un solo paso al tiempo que se minimizaba el nmero de
microprocesadores defectuosos. Para cumplir este objetivo, los fabricantes realizaban mejoras en
cuanto al diseo y a los procesos que permitieran, por una parte, que cupieran cada vez ms circuitos
electrnicos en microprocesadores de tamao cada vez menor y, por otra, garantizaran una mayor
uniformidad en el proceso de fabricacin5. Apenas una vez cada dcada, las nuevas tecnologas
haban permitido a los fabricantes de microprocesadores de memoria trabajar con obleas de mayor
tamao de forma que en cada paso de fabricacin se pudieran recortar ms microprocesadores.
Aparte de esto, los fabricantes de microprocesadores de memoria invertan en tecnologa para
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mejorar los procesos de forma que se enviaran cada vez menor nmero de microprocesadores
defectuosos al fabricante de equipos originales.
Principales competidores del sector de memorias en 2005

En este apartado se analizan los principales competidores de Samsung en el sector de
microprocesadores de memoria en 2005 (las empresas figuran por orden alfabtico). Los resultados
econmicos de Samsung y de los competidores que cotizan en Bolsa se recogen en el Anexo 1.
Elpida Memory, Inc.

Elpida, nica sociedad japonesa que segua fabricando memorias DRAM, haba surgido como una
empresa conjunta constituida por NEC y Hitachi en diciembre de 1999. En sus tres primeros aos de
vida, Elpida tuvo que afrontar un perodo de prdidas econmicas debido a un declive en el mercado
de las memorias DRAM, as como la decisin de no invertir en nuevos productos ni en nueva
capacidad para productos hasta que el mercado se recuperara. Ms adelante, Elpida decidi
concentrarse en el desarrollo de productos relacionados con las memorias para dispositivos mviles y
aparatos electrnicos de consumo. De esa forma, Elpida poda intentar vender principalmente a
clientes japoneses que hasta entonces haban comprado los microprocesadores de memoria a
Samsung y a Micron. En junio de 2004, Elpida anunci el inicio de la construccin de su segunda
fbrica de obleas de 30 centmetros cerca de sus actuales instalaciones de produccin en Hiroshima.
El coste de las nuevas instalaciones fue de 4.500 millones de dlares, y Elpida financi parcialmente la
nueva planta mediante una inversin de Intel de 100 millones de dlares y una emisin pblica de
acciones.
Hynix Semiconductor, Inc.

Esta empresa con sede social en Corea del Sur fue constituida en el ao 1983 como Hyundai
Electronics, y cambi su razn social en 2001 cuando se separ del grupo Hyundai, que atravesaba
graves dificultades financieras. A principios de los aos noventa, Hynix se benefici de algunas de las
ventajas de costes que tambin estaba logrando su competidora coreana Samsung, pero perdi el
liderazgo tecnolgico. Por otro lado, Hynix tuvo dificultades para sincronizar sus inversiones de
capital a la hora de aprovechar los nuevos avances del mercado. En 1996, ao en el que el mercado de
las memorias DRAM estaba experimentando un declive cclico, Samsung mantuvo los gastos de
capital mnimos imprescindibles para un desarrollo fluido de las operaciones, mientras que Hynix
aument de forma drstica sus inversiones de capital cuando se estaba produciendo la fase de
recesin. Hynix perdi an ms terreno frente a Samsung en 1999 cuando el mercado empez a
crecer de forma importante. Samsung aument sus inversiones de forma significativa respondiendo
de forma rpida al crecimiento del mercado, mientras que Hynix de hecho redujo sus inversiones de
capital6. En 1999, Hyundai Electronics compr LG Semiconductor, la unidad de semiconductores del
Grupo LG. Esta adquisicin lastr a Hyundai Electronics con la enorme deuda de LG Semiconductor,
lo que unido a un declive cclico en el sector arrastr a Hynix a estar prxima a la quiebra entre 2001 y
2002. Una ayuda financiera de varios miles de millones de dlares permiti que la empresa pudiera
sobrevivir. An as, Hynix se vio obligada a despedir al 30 por ciento de su plantilla y a vender todas
las divisiones de negocio no fundamentales. Hace poco, Hynix constituy una empresa conjunta con
ST Microelectronics con el fin de construir unas instalaciones de fabricacin de memorias cerca de
Shangai, en China.
Adems, en abril de 2005 Hynix tuvo que pagar 185 millones de dlares en concepto de sancin
impuesta por el Ministerio de Justicia de Estados Unidos que le acusaba, junto al resto de fabricantes
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de memorias, de conspirar para alterar el precio de stas en ese pas entre abril de 1999 y junio de
2002. A cambio de denunciar dicha infraccin ante la justicia estadounidense, el Ministerio de Justicia
se haba comprometido a absolver a la empresa Micron. En septiembre de 2004, la empresa Infineon
hizo frente a sus cargos en el sumario mediante el pago de una multa de 160 millones de dlares7. En
diciembre de 2004, Samsung realiz una provisin de 100 millones de dlares en concepto de
contingencias para cubrir un posible pago futuro. Toda la informacin fundamental que se ha
manejado para la elaboracin de este estudio de caso prctico corresponde al ao 2003, en el que
segn la causa judicial del Ministerio de Justicia estadounidense la supuesta cooperacin para alterar
los precios del sector ya haba cesado.
Infineon Technologies AG
La empresa Infineon, con sede social en Alemania, se escindi de Siemens en el ao 1999. Siemens
haba estado en el negocio de los semiconductores desde que se cre este sector. A lo largo de la
historia de la empresa, la unidad de semiconductores de Siemens se haba aliado con otras empresas
del sector para reducir el riesgo de inversin y acortar el plazo de lanzamiento de los productos al
mercado. Gracias a esta confianza en las alianzas estratgicas, la empresa siempre haba conseguido
permanecer cerca del grupo de cabeza del sector. En los ltimos aos, Infineon haba formalizado un
contrato sobre capacidad y compra de productos con el fabricante de memorias DRAM de Taiwn
Winbond, por el cual Infineon se comprometa a conceder a Winbond la licencia sobre su tecnologa
de memorias DRAM de 0,11 um a cambio de la produccin resultante de la utilizacin de dicha
tecnologa. Infineon tambin constituy una sociedad conjunta con la empresa taiwanesa Nanya
Technology con el propsito de construir una nueva planta en Taiwn. En los aos inmediatos,
Infineon tena previsto invertir 1.500 millones de dlares (ms de la mitad de su presupuesto de
capital) en Asia. En 2005, Infineon contaba con ms de veinticinco centros de I + D repartidos por
todo el mundo.
Micron Technology
La empresa Micron, con sede social en Boise, en el estado de Idaho (EE UU), se constituy en el
ao 1978. Vendi su primer producto DRAM fabricado en sus propias instalaciones en 1982, y en
1984 empez a cotizar en Bolsa. Micron era el nico fabricante estadounidense que quedaba en este
sector, y haba multiplicado su negocio de memorias principalmente a travs de adquisiciones. En
1998, Micron compr el negocio de microprocesadores de memoria de Texas Instruments, incluidas
sus fbricas en Texas, Italia, Japn y Singapur. Posteriormente, Micron compr Dominion
Semiconductor, una filial de Toshiba con sede en Virginia (EE UU). A lo largo de sus veintisis aos
de existencia, Micron haba atravesado muchos perodos de dificultades econmicas graves. A partir
de finales de los noventa, Micron se deshizo de muchas de sus divisiones no relacionadas con las
memorias DRAM y redujo su personal en un diez por ciento. En 2003, Micron ya estaba concentrada
casi completamente en la fabricacin de memorias DRAM (lo que representaba el 96% de sus ventas).
En septiembre de 2003, Micron recibi una inversin por parte de Intel de 500 millones de dlares, y
la empresa acord destinar este dinero a invertir en tecnologas DRAM de nueva generacin.
Nanya Technology Corporation

La empresa Nanya, con sede social en Taiwn, era el quinto mayor fabricante de memorias DRAM
del mundo, y contaba con dos plantas de fabricacin. En 1998, Nanya compr la actual generacin de
tecnologa DRAM a IBM Corporation. En diciembre de 2002, Nanya e Infineon pusieron en marcha el
desarrollo de una nueva generacin de tecnologa para mejorar los procesos. Ambas sociedades
constituyeron una empresa conjunta con la denominacin de Inotera, e invirtieron entre las dos un
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total de 2.200 millones de dlares destinados a una gran instalacin de fabricacin cerca de Taipei.
Inotera comenz a fabricar memorias DRAM de 256 Mbit en junio de 2004.
Semiconductor Manufacturing International Corp. (SMIC)

La empresa SMIC, constituida en el ao 2000 y con sede social en Shangai, era la mayor empresa
de fundicin de China, y fabricaba productos de lgica y de memoria, incluidas las memorias DRAM.
Las empresas de fundicin no diseaban los microprocesadores, como haca Samsung, sino que
utilizaban los diseos de otras sociedades para fabricar los microprocesadores a partir de sus
maquetas. En 2003, SMIC e Infineon firmaron un acuerdo por el cual Infineon conceda a SMIC la
licencia para emplear su tecnologa y a cambio adquira los derechos sobre una parte importante de la
produccin. SMIC tambin hizo una alianza similar con la empresa japonesa Elpida. Con el fin de
aumentar su capacidad de produccin, SMIC compr a Motorola una planta de fabricacin en China
en octubre de 2003 por 1.000 millones de dlares. Como parte de este acuerdo, Motorola adquiri una
participacin minoritaria en SMIC y tambin se comprometi a conceder a su socio chino la licencia
para emplear su tecnologa a cambio de la adquisicin exclusiva de su capacidad productiva. Los
ingresos de SMIC haban aumentado de 50,3 millones de dlares en 2002 a 365,8 millones de dlares
en 2003. En marzo de 2004, la empresa empez a cotizar simultneamente en los mercados burstiles
de Nueva York y de Hong Kong.
Aunque SMIC era el nico fabricante chino de memorias DRAM, otros productores chinos ya se
haban introducido en otros mercados de semiconductores para microprocesadores lgicos. En 2005,
muy pocos fabricantes chinos seguan teniendo todava capacidad para realizar su propio diseo, y
fabricaban sus microprocesadores bajo licencia de otras empresas consolidadas utilizando para sus
procesos tecnologa atrasada en una o dos generaciones. An as, debido a la cantidad de recursos
que haban captado de inversores chinos y extranjeros, estos nuevos competidores chinos se podan
permitir el lujo de vender sus productos a bajo precio y aumentar su cuota de mercado a costa de la
rentabilidad. En 2005, entre estos fabricantes chinos de microprocesadores lgicos se encontraban
Advanced Semiconductor Manufacturing Corp. (ASMC), de Shangai, Grace Semiconductor
Manufacturing Corp., HeJian Technology (Suzhou) Co. y Shanghai Hua Hong NEC Electronics Co.
Grace Semiconductor, fundada en 2000 y uno de cuyos fundadores era el hijo del anterior dirigente
chino Jiang Zemin, comenz la fabricacin de microprocesadores lgicos en 2003, despus de
conseguir ms de 1.600 millones de dlares8. La suma total de las ventas de los fabricantes chinos se
elev en 2003 hasta los 771 millones de dlares, frente a slo 354 millones de dlares en 20029. Este
aumento se deba atribuir principalmente a SMIC, el fabricante ms avanzado del pas, y a los otros
dos principales fabricantes (Shanghai Hua Hong NEC Electronics y ASMC), que en conjunto eran
responsables en 2003 del 84 por ciento de la produccin china de semiconductores10. En 2004, China
contaba con el cuatro por ciento de la capacidad mundial de fabricacin de microprocesadores, pero
se esperaba que esa cifra hubiera aumentado en 2007 hasta el nueve por ciento11. Aunque el resto de
fabricantes chinos, aparte de SMIC, se haba concentrado hasta ese momento en los
microprocesadores lgicos, caba la posibilidad de que cualquiera de ellos se introdujera en el
mercado de los microprocesadores de memoria en cualquier momento.
Samsung Electronics: anlisis general de la empresa

En 2005, el Grupo Samsung, dentro del cual se encontraba la sociedad Samsung Electronics,
constitua el mayor grupo de empresas (denominado chaebol) de Corea del Sur. Las ventas netas
totales del Grupo Samsung haban alcanzado en 2004 los 135.000 millones de dlares
estadounidenses. Ese mismo ao el Grupo contaba con 337 delegaciones en 58 pases y daba empleo a
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unas 212.000 personas en todo el mundo. Las tres principales reas de negocio dentro del Grupo eran
la electrnica, las finanzas y el comercio y servicios.
La sociedad Samsung Electronics, a la que en adelante llamaremos simplemente Samsung, fue
constituida en el ao 1969 con el objeto de fabricar aparatos de televisin en blanco y negro. A finales
de 2004, la compaa tena unas ventas netas de 78.500 millones de dlares, unos activos de 66.000
millones de dlares y una plantilla de 113.000 empleados. Segn los datos de Interbrand, el valor de
la marca de la empresa aument de 5.200 millones de dlares en 2000 (lo que supona ocupar el
puesto cuarenta y tres de todo el mundo) a 12.600 millones de dlares en 2004 (lo que supona el
puesto veintiuno de todo el mundo). En 2004, Samsung se mantuvo por delante de muchas marcas
como Philips, Kodak o Panasonic. Sony, por ejemplo, se situ en el puesto veinte de esa misma
clasificacin. En 2005, Samsung estaba formada por cinco divisiones de negocio, entre las que se
encontraba la unidad de Semiconductores que es objeto de este caso prctico. El resto de divisiones
eran la unidad de Medios Digitales, que fabricaba televisores, equipos audiovisuales y ordenadores;
la unidad de Telecomunicaciones, que fabricaba telfonos mviles y equipos para redes; la unidad de
Pantallas LCD, que fabricaba pantallas de cristal lquido para ordenadores porttiles, monitores de
sobremesa y televisores de alta definicin; y, por ltimo, la unidad de Electrodomsticos Digitales,
que fabricaba y venda frigorficos, aparatos de aire acondicionado y lavadoras. El organigrama de la
empresa se muestra en el Anexo 2.
Evolucin del negocio de las memorias

El sector coreano de los semiconductores inici la fabricacin de obleas de silicio en 1974, cuando
una joven y pequea empresa denominada Korea Semiconductor Company comenz a fabricar
obleas en octubre de dicho ao. Sin una financiacin slida ni una tecnologa propia especfica, esta
pequea empresa pionera no tard en encontrarse con problemas financieros. Kun Hee Lee, tercer
hijo del fundador del Grupo Samsung, Byung Chull Lee (y que en ese momento era tambin
presidente del Grupo), decidi comprar la compaa Korea Semiconductor empleando para ellos sus
ahorros personales12. Kun Hee Lee consider otras empresas coreanas con inversiones en el sector del
acero y otras industrias pesadas, pero pens que invertir en el sector de los semiconductores ofreca
un potencial de crecimiento mayor y la posibilidad de ir ms all de la industria tradicional e
introducirse en el diseo y la comercializacin de tecnologas avanzadas. En aquella poca, la propia
Samsung Electronics fabricaba aparatos electrnicos de consumo de gama baja. La empresa
concentraba sus actividades en las cadenas de montaje intensivas en mano de obra, e importaba los
semiconductores y otros productos avanzados del extranjero. Kun Hee Lee fusion las dos empresas
con la intencin de crear un gigante mundial de los semiconductores y de los aparatos electrnicos de
consumo. El primer semiconductor que desarroll la joven empresa fue el chip para reloj, que se
utilizaba en los relojes de pulsera. El entonces presidente de Corea del Sur, Jung Hee Park, estaba tan
orgulloso de los logros de la empresa que hizo grabar su nombre en muchos de estos relojes. El
presidente Park en persona entregaba estos relojes como obsequio a los dignatarios extranjeros que
visitaban el pas13.
Durante la dcada de los ochenta, Kun Hee Lee convenci a su padre de que los semiconductores
constituan el futuro del Grupo Samsung, y en este sentido Samsung Electronics se convirti en la
empresa estrella del Grupo, asignndosele la mayora de los recursos del mismo. El Grupo quera
entrar en el mercado de las memorias DRAM, que fue el segmento de mayor crecimiento dentro del
sector de las memorias en las dcadas de los ochenta y los noventa14. De esta forma, entre los aos
1983 y 1985, an cuando el mercado mundial de los semiconductores estaba sufriendo una recesin y
la empresa Intel haba abandonado el negocio de las memorias DRAM, Samsung asign ms de cien
millones de dlares para el desarrollo de las memorias DRAM15. En aquel momento, el coste de
producir un microprocesador sencillo de memoria DRAM de 64K era de 1,30 dlares, mientras que
los precios de mercado del momento estaban por debajo de un dlar. An as, Samsung confiaba en
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que el crecimiento del mercado dara la razn a su estrategia de inversin, y por tanto el hecho de
perder dinero durante los primeros aos no disuadi al Grupo de seguir realizando inversiones
adicionales. Las necesidades de capital de las empresas aumentaron en los ltimos aos de la dcada
de los ochenta y primeros de los noventa, y los competidores japoneses se esforzaban por hacer las
inversiones necesarias para poder competir en las nuevas generaciones de microprocesadores.
A mediados de los ochenta, Samsung estaba construyendo su primer gran centro de fabricacin.
Construir las instalaciones para fabricar semiconductores era difcil y exiga mucho tiempo, ya que la
maquinaria necesaria era muy sensible al polvo y a las descargas electrnicas. En aquel momento, el
plazo normal para la construccin de una fbrica nueva era de ao y medio. Sin embargo, la empresa
pretenda completar esa misma tarea en slo seis meses. Para ello, los equipos de obreros de la
construccin trabajaron en turnos que cubran las veinticuatro horas del da en medio de un crudo
invierno coreano. Un hecho memorable acaecido durante el proceso de construccin fue la
terminacin de una carretera de cuatro kilmetros de longitud en un solo da. El da que se recibi
desde el extranjero la mayor parte del equipo de fabricacin, el equipo de instaladores de Samsung
no se lo poda creer, ya que el mismo trayecto que por la maana era un camino en obras se haba
convertido por la tarde en una carretera de dos carriles perfectamente asfaltada16. Los trabajadores
manuales no fueron los nicos que demostraron estar dispuestos a trabajar las horas que hiciera falta
por su compromiso voluntario con la misin de la empresa. En la dcada de los ochenta, la gran
mayora de los ingenieros que trabajaba en la investigacin y desarrollo de las memorias DRAM
reconoca que su horario de trabajo semanal cubra los das siguientes: lunes, martes, mircoles,
jueves, viernes, viernes y viernes17.
La empresa se convirti en la principal fuente de valor del Grupo Samsung, y cuando el fundador
del Grupo Byung Chull Lee se jubil, cedi el control al actual presidente, (su hijo) Kun Hee Lee. Era
una recompensa para la que Kun Hee Lee haba hecho ya mritos suficientes al haber logrado
convertir a Samsung Electronics en un competidor viable dentro del sector mundial de las memorias.
Desde el ao 1992, los semiconductores haban constituido la mayor fuente de exportacin para
Corea del Sur, y en 2004 las exportaciones totales de semiconductores de este pas alcanzaron los
25.100 millones de dlares, nada menos que el 10,4 por ciento del volumen total de exportaciones del
pas. Slo Samsung fue el responsable en 2004 del 22 por ciento de todas las exportaciones coreanas, y
la empresa representaba el 23 por ciento de la capitalizacin burstil total de la Bolsa de Valores de
Corea18.
Evolucin de las tecnologas

Con el fin de disear y fabricar sus primeras memorias DRAM de 64 K en los aos ochenta,
Samsung tuvo que recurrir a tecnologa externa. Los directivos de la empresa buscaron por todo el
mundo una empresa que pudiera conceder a Samsung la licencia para utilizar su tecnologa DRAM.
De ese modo, descubrieron que la empresa estadounidense Micron estaba dispuesta a aceptar un
pago en metlico a cambio de ensear a Samsung cmo fabricar memorias DRAM de 64 K19.
Para desarrollar tecnologa de vanguardia para la nueva generacin de memorias DRAM,
Samsung cre lo que resultaba, en aquel momento, una inusual competencia interna entre los centros
de I+D de todo el mundo. La empresa contrat un equipo compuesto principalmente por
norteamericanos de origen coreano con una amplia experiencia en el sector de los semiconductores y
destin este equipo a California. Al mismo tiempo, Samsung organiz otro equipo de trabajo en
Corea del Sur, tambin dirigido por dos norteamericanos de origen coreano con amplia experiencia
en el sector20. Se pidi a los dos grupos que colaboraran, pero cada uno de ellos deba dar con su
propia solucin. El equipo de California fue el vencedor de la competicin a la hora de disear la
memoria DRAM de 256 K, pero en la siguiente generacin de tecnologa de 1 Mbit el vencedor fue el
Samsung Electronics
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equipo de Corea21. En los aos siguientes, la empresa cre grupos competidores para el desarrollo de
productos de todas sus operaciones.
Cuando a finales de los aos ochenta se empez a trabajar con las memorias DRAM de 4 Mbit, las
empresas se enfrentaron a la decisin crtica de cmo encajar cuatro millones de clulas en un chip
diminuto. Cada clula, un espacio donde almacenar informacin, estaba formada por un transistor y
un condensador. Dentro del sector se debatan dos ideas posibles sobre cmo colocar ms clulas en
un microprocesador. Una de las ideas, denominada apilamiento, supona desechar lo que haba
sido la construccin en un nivel sobre el microprocesador y sustituirlo por una estructura de clulas
en forma de pisos. Cada nivel de clulas se apilara sobre la anterior en la forma conveniente. La otra
idea se denominaba trincheras, y consista en horadar por debajo de la superficie del
microprocesador y crear pisos por debajo del mismo. Las dos tecnologas presentaban ventajas e
inconvenientes, y mientras IBM, Toshiba y NEC utilizaron el mtodo de las trincheras, Matsushita,
Fujitsu e Hitachi adoptaron el mtodo de apilamiento. El presidente Lee era el responsable personal
de tomar la decisin final, por lo que despus de estudiar detenidamente la informacin eligi el
mtodo de apilamiento. Desde su punto de vista, el mtodo de trincheras era demasiado complejo
para su propio funcionamiento22. Si se descubra un problema en un microprocesador de tipo
trinchera, era imposible mirar dentro para localizar dnde estaba el error porque todo estaba cubierto
y careca de acceso visual. Por el contrario, el proceso de apilamiento era simple y modular, lo cual
haca mucho ms fcil localizar y reparar los errores.
Posteriormente, IBM, Toshiba y NEC se encontraron con problemas en el sistema de trincheras,
pero para entonces ya haban comprometido varios miles de millones de dlares en esa tecnologa y
haban creado rutinas de diseo que slo funcionaban con el sistema de diseo de trincheras. Cuando
estas empresas quisieron cambiar la tecnologa al sistema de apilamiento, ya haban perdido aos de
trabajo en tareas de desarrollo. Mientras tanto, Hitachi se convirti por un tiempo en el nmero uno
del sector, y Samsung comenz a acercarse cada vez ms a Hitachi23.
A principios de los aos noventa, Samsung haba entrado en el grupo de lite del sector. Pero
Samsung aspiraba a ser la nmero uno, as que sus altos directivos idearon un plan para agrandar el
tamao de las obleas de las que posteriormente se recortaban los microprocesadores DRAM hasta
slo veinte centmetros24. Con una oblea ms grande se podan recortar ms microprocesadores al
mismo tiempo. Ninguna otra empresa del sector estaba dispuesta a correr el riesgo de invertir en la
fabricacin a gran escala en el tamao de veinte centmetros tan pronto. An faltaba mucho para
saber si la tecnologa de fabricacin que se necesitaba era factible, pero Samsung sigui adelante con
el proyecto e invirti 1.000 millones de dlares para hacerse con el control de la nueva tecnologa. La
decisin dio sus frutos. Samsung logr la primera posicin en cuota de mercado del sector de
memorias DRAM en 1992, y mantuvo su liderazgo durante los treces aos siguientes25. Este liderazgo
se mantuvo durante las subidas y bajadas del mercado. En el Anexo 3 se muestra la evolucin de los
costes y los precios de Samsung a lo largo del tiempo en comparacin con los de sus competidores
durante el ciclo ms reciente del sector (del primer trimestre de 2000 al primer trimestre de 2004).
Cartera de productos
En el ao 2003, Samsung ofreca ms de 1.200 variedades distintas de productos DRAM. Los
productos DRAM siempre se haban considerado como una materia prima, por lo cual tener
capacidad para fabricar 1.200 referencias distintas era algo sin precedentes en el sector de las
memorias. Las gamas de producto iban desde los denominados productos de vanguardia (la
memoria DRAM de 512 Mbit, por ejemplo) que incorporaban las ltimas tecnologas, hasta los
denominados productos antiguos (la memoria DRAM de 64 Mbit, por ejemplo) que Samsung
segua ofreciendo a sus clientes aunque el sector hubiera evolucionado a nuevas generaciones. Dentro
de cada generacin de productos existan tambin productos especializados (las memorias DDR2
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SDRAM y Rambus DRAM, por ejemplo) que utilizaban arquitecturas personalizadas diseadas para
demandas de mercados de nicho. En los Anexos 4 y 5 se compara la cartera de productos de Samsung
con las de sus competidores. En el sector de los semiconductores los precios de los productos de
nueva generacin permanecan altos slo durante slo unos pocos trimestres antes de desplomarse
rpidamente (Anexo 6). Sin embargo, ya pasada una generacin, algunas lneas de productos
antiguos podan convertirse en productos de nicho de gran valor. En 2003, por ejemplo, el precio de
un microprocesador de 16 Mbit era de 19,04 dlares, mientras que el precio del microprocesador de
256 Mbit, ms avanzado y ms extendido, era nicamente de 4,65 dlares. En el Anexo 7a se muestra
el conjunto de precios y estructuras de costes de Samsung en comparacin con los de sus
competidores en 2003. En los Anexos del 7b al 7e se comparan los precios y estructuras de costes en
2003 de los distintos competidores para cada distinta generacin de productos: 64 Mbit, 128 Mbit, 256
Mbit y 512 Mbit. En los Anexos del 7f al 7i se comparan los precios y las estructuras de costes en 2003
por lneas de producto de la entonces popular generacin de 256 Mbit. En los Anexos 7j y 7k se
comparan los precios y las estructuras de costes en 2003 de los productos especializados de la
generacin de 128 Mbit.
En 2004, Samsung tambin intent obtener con la memoria Flash las mismas ventajas competitivas
que haba logrado con las DRAM. Como se muestra en el Anexo 8, Samsung pretenda trasladar parte
de su capacidad de fabricacin de las memorias DRAM a la memoria Flash. Mientras el mercado de
las memorias DRAM an segua estrechamente ligado al crecimiento del mercado de ordenadores
personales, el cual empezaba a ser un mercado maduro, con un crecimiento de cifras de un solo
digito, la memoria Flash dependa del crecimiento de los mercados de cmaras digitales y de
telfonos mviles con cmara fotogrfica. Se esperaba que el mercado de la memoria Flash tuviera un
fuerte crecimiento durante al menos otros cinco aos. Gracias a este crecimiento se esperaba que los
precios de las memorias Flash se mantuvieran bastante altos en comparacin con los de las memorias
DRAM26. El presidente de Samsung Semiconductors propuso una nueva Ley de Hwang que
superara la teora de Gordon Moore. En 1965, Moore predijo que la densidad de semiconductores se
duplicara cada dieciocho meses; su teora result cierta durante los cuarenta aos siguientes. Chang
Gyu Hwang, director de la divisin de Memorias de Samsung, propuso la Ley de Hwang, que
sostena entre otras cosas que la densidad de memorias Flash se duplicara cada doce meses. Adems,
Hwang pronostic que Samsung sera la encargada de alcanzar sistemticamente ese objetivo durante
los aos siguientes27. En el Anexo 9 se ofrece un resumen de los resultados obtenidos por Samsung en
el mbito de la memoria Flash.
Diseo y fabricacin
A diferencia de sus competidores, Samsung trataba de crear nuevos usos para sus memorias
DRAM poniendo sus actividades de fabricacin y de I+D al servicio de empresas de diseo como
Rambus. Con el paso del tiempo, Samsung haba lanzado nuevos productos DRAM con aplicaciones
especficas de productos en ordenadores porttiles y consolas de videojuegos, por ejemplo. Muchas
de estas aplicaciones tenan un diseo bsico comn. Incluso dos arquitecturas aparentemente
distintas, la memoria DDR DRAM y la Rambus DRAM, tenan el mismo diseo bsico. La diferencia
entre ellas era que la memoria Rambus contaba con un componente mejorado, una interfaz de alta
velocidad de entrada y salida (E/S), lo que obligaba a Samsung a realizar un trabajo de diseo
adicional para conectar el diseo principal de la memoria DRAM a la interfaz de alta velocidad de
tipo E/S. Samsung siempre busc por todos los medios personalizar sus productos en torno a un
diseo bsico.
El principal centro de I+D de Samsung y todas sus lneas de fabricacin se encontraban en un
nico emplazamiento al sur de Sel (Corea del Sur). Por el contrario, las instalaciones de sus
competidores estaban repartidas por todo el mundo28. Gracias al consiguiente ahorro logstico y a las
economas de escala de sus inversiones de fabricacin, se calculaba que Samsung poda haberse
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ahorrado una media del 12 por ciento en los costes de construccin de las fbricas. En el recinto
principal de investigacin de Samsung, los ingenieros de I+D y los ingenieros de fabricacin
convivan en las mismas viviendas facilitadas por la empresa. Coincidan a diario en las comidas, y
sus lugares de trabajo se encontraban prximos, de forma que podan resolver con rapidez los
problemas de ingeniera, tanto en el diseo como en los procesos, de forma conjunta. El
emplazamiento estaba situado en un terreno explanado en plena montaa, en un lugar donde el aire
era totalmente puro y sin un rastro de polvo ni otras partculas contaminantes. El terreno tena una
extensin de varios kilmetros y conservaba el arbolado en su mayor parte.
En sus fbricas, Samsung produca varias arquitecturas de producto en cada lnea de fabricacin.
Los ingenieros de procesos haban resuelto de forma brillante el problema de modificar sus equipos
de fabricacin para todo tipo de contingencias. Como para cualquier fabricante de semiconductores,
la rentabilidad de produccin de Samsung dependa del nmero de microprocesadores no
defectuosos que se pudieran recortar de una oblea, lo cual a su vez dependa totalmente del tamao
de la oblea y de la precisin de las normas de diseo que se utilizaran para cortar la oblea. Samsung
tena capacidad para incorporar y aprender nuevas normas de diseo y a continuacin aplicar esas
nuevas pautas a la fabricacin de todas las clases de producto (incluidos algunos productos
antiguos). En los Anexos del 10a a 10c se comparan los distintos tamaos de oblea, las normas de
diseo y la rentabilidad de Samsung con relacin a sus competidores.
Samsung presuma de la fiabilidad de sus productos y de su capacidad para personalizar
productos a la medida de las necesidades de los clientes. Durante los aos ochenta y parte de los
noventa, Lee haba comprobado que su empresa estaba fabricando algunos productos de muy mala
calidad29. En 1994, envi un manual a todos los empleados en el que explicaba que el Grupo Samsung
haba perdido el camino de la calidad porque su negocio haba empezado haca cincuenta y cinco
aos vendiendo materias primas como azcar y tejidos en un mercado coreano en crecimiento. Lee
expona que en ese momento los empleados deban pensar por encima de todo en la calidad30. Lee
tambin orden quemas masivas de productos de mala calidad de Samsung, lo cual supuso la
destruccin de decenas de millones de dlares en productos con algn defecto se quemaron al aire
libre, al tiempo que el propio Lee reconvena a sus empleados con tono de predicador sobre la
atencin que deban prestar a la calidad. A finales de los aos noventa, la empresa gan
sistemticamente los principales concursos de fiabilidad del sector. Antes de 1995, la empresa haba
ganado un concurso importante. Entre 1995 y 2003, la compaa obtuvo distinciones por su fiabilidad
y sus resultados por parte de la mayora de sus grandes clientes. Muchos clientes, incluso algunos
que eran rivales entre ellos, eligieron a Samsung como proveedor favorito. As, por ejemplo, la
empresa estaba desarrollando al mismo tiempo un nuevo microprocesador de memoria Flash para
Sony Ericsson y un microprocesador de memoria Flash personalizado para Nokia.
Polticas de recursos humanos

Tradicionalmente, las empresas coreanas contrataban muy a menudo empleados por provenir del
centro de enseanza apropiado o de la regin adecuada, pero Samsung intent erradicar esta
costumbre. En Samsung estaba muy mal visto preguntar a un compaero de trabajo acerca de su
universidad o sobre su regin de origen31. Los candidatos a empleados deban pasar un examen de
aptitud que inclua pruebas de conocimiento de idiomas, de formacin matemtica, de razonamiento
y de percepcin espacial. Samsung tambin trat de desmontar el sistema tradicional de promocin
basado nicamente en la antigedad, an muy extendido en Asia. Los empleados reciban una
calificacin anual en una escala que iba de la A a la D, y nicamente los trabajadores que obtuvieran
dos A en el plazo de tres aos podan optar a la promocin. Gracias a este sistema de evaluacin
centrado ms en los mritos, muchos directivos ms jvenes, con gran potencial y que hablaban
ingls pronto ascendieron en el organigrama de la empresa. De entre los directivos de mayor rango
de la compaa, algunos haban alcanzado sus cargos actuales recin cumplidos los cuarenta aos, y
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de esta forma haban dejado atrs a otros empleados de ms edad que podran haber alcanzado con
anterioridad ese nivel gracias a su antigedad.
Samsung tambin puso en marcha programas para invertir en la formacin de sus empleados en
gestin internacional. El denominado programa de especialistas regionales, por ejemplo, destinaba
a empleados con alto potencial a un pas extranjero para aprender el idioma y la cultura locales
durante un ao. A su regreso, el especialista regional elaboraba informes sobre sus experiencias,
que pasaban a formar parte de una base de datos codificada de conocimientos. Samsung financiaba
cientos de cursos MBA y de doctorado en el extranjero para sus empleados.
Al contrario que otras empresas coreanas, Samsung seleccionaba continuamente profesionales
cualificados extranjeros, incluyendo occidentales y coreanos que haban participado en los grandes
movimientos migratorios del pas y haban abandonado Corea haca mucho tiempo para vivir y
trabajar en Estados Unidos y Europa. Despus de contratar a un alto directivo norteamericano a
finales de los aos noventa, el consejero delegado de Samsung, Jong Yong Yun, temi que la empresa
poda resentirse de esta nueva incorporacin, la de un extrao que no saba hablar coreano
correctamente. Yun declar entonces: A algunos de vosotros os gustara subirlo a lo alto de un rbol
y despus tirarlo de all. Si alguien lo intenta, se deber atener a las consecuencias!32. El consejero
delegado logr convencer a sus directivos para que aceptaran al extranjero. En muchos puestos de
alta responsabilidad de Samsung Electronics poda encontrarse personal internacional incorporado a
la empresa que haba trabajado anteriormente en importantes empresas tecnolgicas
estadounidenses. Entre los casos ms destacables estaban los de Chang Gyu Hwang, actual
presidente de la divisin de Semiconductores de Samsung, Oh Hyun Kwon, director de la divisin
del Sistema LSI de Samsung, y Dae Je Chin, hasta haca poco presidente de la divisin de Medios
Digitales de Samsung y actual ministro coreano de Informacin y Comunicaciones.
Ms recientemente, el presidente Lee haba creado el denominado grupo de estrategia global de
Samsung, destinado a captar profesionales cualificados de todo el mundo para la organizacin. Este
grupo de estrategia global constitua un recurso corporativo que ayudaba a resolver problemas de la
empresa en cada una de sus unidades de negocio y formaba a los directivos internacionales para
ocupar puestos de responsabilidad. David Steel, que era el directivo occidental de ms alto nivel de
Samsung, entr en el grupo de estrategia global en el ao 1997. Posteriormente, Steel fue ascendido al
puesto de vicepresidente de Desarrollo de Negocios de la divisin de Medios Digitales.
Samsung tambin presuma de invertir en sus empleados ms que casi cualquier otra empresa
competidora del sector. Cuando Lee fue nombrado presidente del Grupo en el ao 1987, declar en el
discurso de su nombramiento: Qu es lo que preocupa a nuestros empleados cuando abren la
puerta de sus casas para ir al trabajo? Probablemente ms del noventa por ciento pensar en su salud
y la de su familia, en la educacin de sus hijos y en su jubilacin.
En consecuencia, Lee propuso que la empresa se hiciera cargo del 90% de estos gastos, de forma
que ellos pudieran concentrarse en la innovacin y la productividad. Lee tambin declar que la
empresa recompensara generosamente a los trabajadores por su rendimiento, pero al mismo tiempo
no despedira a nadie por sus errores. En el manual de la empresa declaraba lo siguiente: Fijmonos
en el ejemplo del adiestrador de caballos: un buen adiestrador nunca utiliza el ltigo ni la fusta, sino
nicamente zanahorias como recompensa. En Samsung, premiamos los resultados extraordinarios;
no castigamos los errores. Esta es mi filosofa personal y en lo que creo. Slo se debe castigar a
aqullos que carecen de tica profesional, que no actan honestamente, que faltan a la verdad, que
perjudican a otros o que se oponen al avance de todo el grupo33.
En 2003, el sueldo medio en Samsung era de 44.000 dlares; este mismo dato para Micron,
Infineon, Hynix y SMIC se calculaba en unos 54.000, 72.400, 24.600 y 10.800 dlares estadounidenses,
respectivamente. En 2005, adems del sueldo base, Samsung ofreca tres tipos distintos de incentivos
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en funcin de los resultados. El primer tipo, denominado incentivos por proyecto, premiaba a los
miembros de un proyecto fuera cual fuera su puesto dentro del mismo con gratificaciones
extraordinarias en metlico cuando un proyecto finalizaba con xito, como por ejemplo el
lanzamiento de la memoria DDR2. Los incentivos por proyecto podan oscilar entre unos pocos miles
de dlares y ms de un milln de dlares para el equipo responsable de un proyecto determinado. El
segundo tipo, los incentivos por productividad, premiaba a los empleados por los resultados de toda
una divisin (la divisin de Memorias, por ejemplo), pero estos incentivos se podan modificar para
cada departamento o equipo de la divisin en funcin de sus resultados y su contribucin. Los
incentivos por productividad podan suponer hasta un 300% del salario base anual. La tercera clase
de incentivos, que consista en un programa de participacin en los beneficios, premiaba a cada
miembro de una divisin, y poda llegar a suponer hasta el 50% del salario base anual dependiendo
de los resultados de la divisin medidos por el valor aadido econmico logrado por dicha divisin.
Samsung adopt procedimientos que favorecan el debate y que alentaban a que todos los
empleados buscaran soluciones consensuadas. Por ejemplo, antes de decidir cmo disear y fabricar
un nuevo producto, la empresa animaba a todos los profesionales, desde los de menor nivel y los
ingenieros hasta los ms altos directivos, para que debatieran intensamente, y a todos se les peda
encarecidamente que expresaran sus opiniones. Despus de tener en cuenta todos los puntos de vista,
los altos directivos tomaban la decisin final, y se esperaba que todos trabajaran para lograr el
objetivo comn.
Retos estratgicos
En el ao 2005, haba cambiado el entorno competitivo de forma sustancial?, y haca necesario
este cambio que Samsung modificara su estrategia? La empresa se enfrentaba a nuevas amenazas por
la incorporacin de los nuevos competidores chinos que estaban irrumpiendo en el mercado de las
memorias DRAM de una forma muy similar a como lo hiciera Samsung haca veinte aos. Estas
empresas se valan de alianzas para aprender de empresas veteranas en el sector como Infineon o
Elpida, y estaban captando miles de millones de dlares en financiacin externa para construir
instalaciones de fabricacin equipadas con las ltimas tecnologas. Al igual que Samsung en los aos
ochenta, estos fabricantes chinos estaban dispuestos a soportar aos de prdidas para lograr una
cuota de mercado significativa. En el Anexo 11 se muestran datos estadsticos en los que se evala la
capacidad tecnolgica del sector chino de semiconductores. Aunque el gobierno estadounidense
haba prohibido a los fabricantes nacionales exportar equipos avanzados de semiconductores a China
y el gobierno de Taiwn haba prohibido a sus empresas exportar tecnologa de fabricacin de ltima
generacin a China, esto slo iba a significar un pequeo obstculo temporal para la trayectoria de
China. En vez de adquirir equipos de Taiwn o Estados Unidos, los fabricantes chinos simplemente
los compraban a otros pases. China careca de la infraestructura fundamental que le permitiera
mantener un sector de semiconductores que incorporara las ltimas tecnologas, pero el gobierno se
haba comprometido firmemente a subvencionar todas las infraestructuras necesarias en los
alrededores de Shangai y Beijing. El gobierno chino estaba en disposicin de ofrecer financiacin
barata, suelo en abundancia, suministros pblicos baratos, ingenieros cualificados, incentivos fiscales
y otros recursos fundamentales para cualquiera que quisiera construir una instalacin de
semiconductores con las ltimas tecnologas con un socio chino34.
Una de las posibilidades con las que contaban los directivos de Samsung en 2005 era colaborar de
forma activa con un socio chino. Se esperaba que en 2010 China se convirtiera en el segundo mayor
comprador mundial de semiconductores, detrs de Estados Unidos35. A pesar del hecho de que todo
el sector de microprocesadores de memoria haba estado creciendo de forma moderada en el ltimo
ao, los principales fabricantes se contuvieron a la hora de hacer nuevas inversiones de importancia
en China. An as, si el crecimiento del sector se disparara repentinamente, los analistas de Nikkei
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Electronics Asia prevean que los principales fabricantes de memorias DRAM recurriran a socios
chinos para desarrollar inversiones conjuntas36. El riesgo de trabajar con fabricantes chinos era que los
derechos de propiedad intelectual an no contaban con una proteccin completa, por lo que
compartir proyectos y conocimientos expertos con un socio chino poda llevar a que en algn
momento el socio se convirtiera en rival. Adems, si la ventaja competitiva de Samsung se haba
logrado creando una cultura de empresa nica en su centro principal de actividades de I+D al sur de
Sel, no pondra en peligro la supervivencia de esa cultura nica el hecho de trasladar la fabricacin
a China?
Una opcin alternativa que tena Samsung era potenciar sus inversiones en productos de memoria
de vanguardia, sobre todo buscando nuevos nichos de mercado. Si Samsung era lder del mercado en
cuanto a bajos costes y productividad, muchos pensaban que Samsung no deba ensear a los
competidores chinos cmo lograr costes ms bajos y ser ms productivos. Al contrario, Samsung
deba posiblemente ceder el segmento ms bajo del mercado a los chinos al tiempo que intentaba
desarrollar otros productos de nichos de mercado de valor ms elevado.
Cmo deban reaccionar el presidente Lee y el equipo de alta direccin de Samsung ante la
amenaza de la competencia china?
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828
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9150
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3925
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4658
3509
394
11314
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20898
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4546
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889
-99
31
4851
13048
8975
896
87
1967
966
9171
8205
536
24251
1998
6288
4739
29
-129
338
578
8966
8388
941
1096
11742
3175
2149
637
-775
-232
906
1253
347
94
3078
4471
3012
2125
272
-234
242
649
865
215
65
4688
16629
11571
1378
259
4426
983
8461
7477
924
14852
1999
8035
6584
68
167
1607
811
10379
9568
1055
9204
20911
4208
2421
733
60
613
878
996
118
22
3861
6088
3764
2107
322
-69
827
1614
1639
26
132
6965
22802
15419
1390
2768
6179
1026
5016
3990
630
20774
2000
9489
4648
254
-2280
2788
280
10545
10265
1222
7097
18217
7757
3492
1092
1199
2077
1074
284
-791
0
6368
9254
7336
2963
428
1548
2629
2466
982
-1485
111
9632
27216
17459
1603
4775
7506
1534
3224
1690
273
23788
2001
4097
3011
264
-3844
-69
452
4910
4458
846
7892
11165
6371
4245
1336
-663
287
955
414
-541
1
8093
10483
3936
1984
490
-521
1578
1678
531
-1147
27
8363
24418
18486
1824
2222
4744
2129
2040
-89
155
21629
2002
3739
2015
338
-1560
933
255
3414
3159
434
24813
8891
4966
3085
1011
-974
73
1847
1745
-102
24
7735
9662
2589
1146
561
-907
698
986
454
-532
27
7431
33167
21910
2451
5875
9325
4734
1355
-3379
84
27437
2003
4030
2272
296
-1770
1171
529
3231
2702
253
4267
7218
4884
2522
864
-345
757
2185
1978
-207
41
6539
8018
3091
1895
656
-1280
447
922
1086
164
40
7075
36385
24644
2947
4975
8222
6667
968
-5699
80
32892
* Slo la empresa matriz.
Nota: Hyundai Semiconductor sali a cotizar en Bolsa en diciembre de 1996. Esta empresa adquiri LG Semiconductor en 1999 y cambi su nombre por el de Hynix. Micron fue constituida en 1978. Infineon se fund en abril de 1999, cuando la
divisin de semiconductores de su compaa matriz Siemens AG se escindi para constituir una entidad legal independiente. En marzo de 2000, esta empresa sali a cotizar en Bolsa y sigue cotizando en las Bolsas de Valores de Frankfurt y
Nueva York. Para los aos 1985 a 1998 se han utilizado los datos de Siemens AG.
Fuente: Thomson Datastream
49
43
3
-34
-13
5
44
39
0
132
76
46
7
0
18
1
36
34
2
133
1986
2271
1954
14
37
116
45
467
422
51
991
1903
1652
11
24
75
49
435
386
48
748
1985
Resultados financieros (en millones de dlares estadounidenses)
Samsung*
Ingresos netos
Coste de los productos vendidos
I+D
Resultado neto
Flujo de efectivo de explotacin
Caja y equivalentes (a)
Deuda a largo y corto plazo (b)
Deuda neta (b a)
Gastos financieros / Deuda
Activo total
Micron
Ingresos netos
I+D
Resultado neto
Deuda neta (b a)
Activo total
Infineon
Ingresos netos
I+D
Resultado neto
Deuda neta (b a)
Recursos propios totales
Activo total
Hynix
Ingresos netos
I+D
Resultado neto
Deuda neta (b a)
Recursos propios totales
Activo total
Anexo 1:
707-S09 -1 5 -
707-S09
Anexo 2:
Samsung Electronics
Organigrama de la empresa en el ao 2005
Presidente
Kun Hee Lee
Vicepresidente y Consejero
Delegado
Jong Yong Yun
Director General de
Tecnologa
Director General de
Finanzas
Yoon Woo Lee
Doh Seck Choi
Unidad de
Semiconductores
-Memoria
-Sistema LSI
-Unidad de disco duro
-Almacenamiento ptico
__________________
Presidente
Chang Gyu Hwang
Unidad de Medios
Digitales
-Televisores
-Aparatos audiovisuales
-Monitores
-Reproductores de DVD
__________________
Presidente
Gee Sung Choi
Unidad de
Telecomunicaciones
-Telfonos mviles
-Asistentes personales
digitales
-Equipos para redes
__________________
Presidente
Ki Tae Lee
Unidad de Pantallas
LCD
-Pantallas de cristal
lquido para ordenadores
porttiles y televisores de
alta definicin
__________________
Presidente
Sang Wan Lee
Unidad de
Electrodomsticos
Digitales
-Frigorficos
-Aparatos de aire
acondicionado
-Lavadoras
__________________
Presidente
Hyun Bong Lee
Fuente: Datos de la compaa
16
16,95
57%
Margen operativo
34,75
-7%
Coste operativo ($)
Margen operativo
18,11
32%
Coste operativo ($)
Margen operativo
23%
Margen operativo
Fuente: Merrill Lynch.
competidores)
menos la media de los
Margen operativo (Samsung
de sus competidores
venta de Samsung sobre el
Exceso del precio medio de
precio medio de venta
Variacin trimestral del
Precio medio de venta ($)
41%
33%
36
22,21
Coste operativo ($)
Mundial
28,72
Hynix
26,62
Infineon
32,49
Micron
39,08
Coste operativo ($)
1T 00
Samsung
45%
42%
-6%
33,8
17%
24,68
29,83
37%
16,69
26,50
4%
24,00
25,13
65%
13,64
38,44
2T 00
22%
32%
8%
36,5
37%
23,94
37,76
65%
10,88
30,93
34%
20,31
30,83
67%
14,41
43,79
3T 00
36%
60%
-37%
22,9
17%
17,40
20,95
12%
14,14
16,01
23%
19,65
25,65
53%
15,70
33,42
4T 00
57%
75%
-37%
14,30
5%
11,82
12,42
-27%
13,46
10,58
-26%
15,81
12,59
41%
12,36
20,82
1T 01
70%
68%
-37%
9,02
-19%
8,73
7,35
-73%
13,76
7,98
-92%
15,96
8,30
9%
12,02
13,24
2T 01
86%
23%
-47%
4,80
-142%
9,33
3,86
-186%
12,00
4,20
-219%
12,01
3,76
-96%
9,53
4,86
3T 01
101%
41%
-27%
3,49
-152%
9,38
3,73
-151%
11,00
4,38
-134%
6,67
2,85
-45%
7,46
5,16
4T 01
54%
24%
146%
8,58
29%
6,08
8,56
-10%
9,80
8,90
-65%
8,28
5,01
39%
5,72
9,31
1T 02
57%
11%
-14%
7,36
-45%
9,15
6,30
-14%
8,20
7,20
-20%
8,98
7,48
31%
5,33
7,75
2T 02
77%
33%
-16%
6,21
-59%
7,47
4,71
-36%
7,50
5,50
-52%
7,97
5,25
28%
4,92
6,86
3T 02
68%
44%
-1%
6,14
-33%
6,56
4,92
-35%
7,96
5,90
-45%
7,25
4,99
30%
5,33
7,58
4T 02
Anexo 3: Precio medio de venta de las memorias DRAM, coste operativo y margen operativo (equivalente a 256 Mbit)
53%
19%
-17%
5,12
-35%
6,16
4,57
-15%
5,62
4,89
-56%
7,96
5,10
17%
4,77
5,76
1T 03
42%
17%
-10%
4,62
-24%
5,61
4,50
-9%
5,10
4,69
-53%
6,65
4,33
13%
4,60
5,27
2T 03
30%
10%
19%
5,47
12%
4,82
5,46
13%
4,69
5,41
-22%
6,06
4,97
31%
4,00
5,79
3T 03
27%
11%
-2%
5,37
18%
4,37
5,36
10%
4,69
5,21
-5%
5,57
5,32
35%
3,82
5,90
4T 03
28%
26%
-6%
5,06
25%
3,89
5,16
4%
4,75
4,95
-5%
4,75
4,51
36%
3,92
6,15
1T 04
707-S09
53%
34%
-5%
12,63
6%
10,68
11,42
6%
9,90
10,58
-13%
12,51
11,09
44%
8,50
15,25
Media
-1 7 -
707-S09
Samsung Electronics
Anexo 4: Volumen de fabricacin de memorias DRAM por densidad en 2003
Volumen de fabricacin (millones de unidades, equivalente a 256 Mbit)

Samsung
Micron
-
Infineon
Hynix
-
SMIC
4 Mbit
16 Mbit
1,3
0,1%
1,0
0,2%
0,0
0,0%
10,0
1,9%
64 Mbit
16,4
1,8%
29,7
4,4%
0,0
0,0%
33,6
6,4%
128 Mbit
151,6
16,9%
88,1
13,1%
43,7
8,2%
96,8
18,6%
256 Mbit
695,8
77,6%
540,1
80,3%
479,5
89,6%
374,2
71,8%
68,2
100,0%
512 Mbit
30,4
3,4%
13,7
2,0%
11,5
2,1%
6,8
1,3%
1 Gbit
1,0
0,1%
0,1
0,0%
0,6
0,1%
0,0
0,0%
Total
896,4
100,0%
672,8
100,0%
535,3
100,0%
521,5
100,0%
68,2
100,0%
Fuente: Estadsticas trimestrales de suministros y demanda de memorias DRAM en todo el mundo entre los aos 2003 y 2005, de
Gartner, Inc. Dado que el estudio tiene ms de doce meses de antigedad, Gartner lo considera como una perspectiva histrica.
Anexo 5: Volumen de fabricacin de memorias DRAM en 2003 por lneas de producto (en
millones, equivalente a 256 Mbit)
Volumen de fabricacin (millones de unidades, equivalente a 256 Mbit)

Samsung
Micron
Infineon
Hynix
Mundial
SDRAM
206,1
23,0%
191,8
28,5%
79,1
14,8%
117,5
22,5%
0,0
0,0%
DDR SDRAM
585,3
65,3%
475,6
70,7%
437,8
81,8%
401,4
77,0%
68,2
100,0%
DDR2 SDRAM
40,4
4,5%
0,0
0,0%
1,7
0,3%
0,0
0,0%
0,0
0,0%
RDRAM
37,9
4,2%
0,0
0,0%
2,4
0,4%
0,0
0,0%
0,0
0,0%
Otras DRAM
25,9
2,9%
5,4
0,8%
14,3
2,7%
1,3
0,2%
0,0
0,0%
Total
896,4
100%
672,8
100%
535,3
100%
521,5
100%
68,2
100%
Fuente: Estadsticas trimestrales de suministros y demanda de memorias DRAM en todo el mundo entre los aos 2003 y 2005, de
Gartner, Inc. Dado que el estudio tiene ms de doce meses de antigedad, Gartner lo considera como una perspectiva histrica.
18
8 Gbit
-77,6%
7,08
0,22
150,00
6,73
2,99
1,88
1,88
1,34
1,06
2001
-4,5%
6,76
0,21
42,11
6,22
3,30
1,55
1,61
1,28
1,10
2002
-23,3%
5,19
0,16
83,57
21,70
4,68
2,75
1,88
1,19
0,97
2003
5,8%
5,49
0,17
40,76
12,76
4,88
3,48
2,13
0,90
0,79
2004
-33,3%
3,66
0,11
82,93
18,04
6,75
3,67
2,41
1,39
0,62
0,51
2005 (E)
-55,1%
1,65
0,05
21,29
7,29
3,12
1,64
1,28
0,74
0,50
0,40
2006 (E)
-13,7%
1,42
0,04
125,15
11,70
5,54
2,79
1,21
1,01
0,70
0,50
2007 (E)
-9,9%
1,28
0,04
47,00
9,68
4,81
2,53
1,10
0,90
0,62
2008 (E)
672,8
-34,1%
-1,68$
1,28
0,57
1,88
0,94
1,93
6,61%
4,93$
Micron
535,3
0,5%
0,02$
0,46
0,71
1,50
0,76
1,58
5,02%
5,05$
Infineon
521,5
-7,3%
-0,36$
0,83
0,58
1,48
0,51
1,93
5,33$
4,97$
Hynix
68,2
-9,3%
-0,41$
0,34
0,80
1,63
0,23
1,84
4,84$
4,43$
SMIC
-15%
-0,74$
0,87
0,62
1,64
0,74
1,83
5,70$
-0,22
-0,02
-0,29
-0,19
-0,65
-1,39$
0,72$
133,8%
103,3%
121,5%
137,0%
155,1%
132,2%
87,3%
Samsung
4,96$
sus competidores
Media ponderada
de los competidores/
Samsung menos la
media ponderada de
los competidores
-28,3%
0,42
0,01
93,18
7,50
3,08
1,55
1,25
0,68
2010 (E)
Media ponderada de
-54,4%
0,58
0,02
13,02
3,99
2,22
1,78
0,84
0,66
2009 (E)
b El volumen total de fabricacin es la suma de los volmenes de fabricacin de memorias DRAM de todas las densidades (incluidas 16 Mb, 64 Mb, 128 Mb, 256 Mb,
512 Mb y 1 Gb).
Beneficio operativo en millones de dlares (a x b)

1224,3$
-1129,5$
12,9$
-188,1$
-28,1$
Explicacin a la expresin anteriormente utilizada equivalente a 256 Mbit: cada empresa dentro del sector utiliza unas pautas de diseo y una tecnologa de procesos para cada producto que presentan ligeras diferencias, adems de
fabricar combinaciones diferentes en cuanto a arquitectura y tamao de las memorias. Por eso es muy difcil hacer comparaciones de igual a igual incluso para un mismo producto. Por ello los analistas del sector han establecido un criterio
comn para comparar la competitividad general de costes de una empresa. Las ventas totales y los costes de fabricacin de cada empresa se ponderan segn cada generacin de memorias, asignndosele a la generacin de memorias de 256
Mbit una ponderacin de 1,00, a las generaciones por encima de 256 Mbit una ponderacin por encima de 1,00 y proporcional a 256 Mbit, y a las generaciones por debajo de 256 Mbit una ponderacin por debajo de 1,00 proporcional a 256
Mbit.
896,4
Volumen de fabricacin equivalente a 256 Mbit (b)
0,65
Gastos generales, comerciales y administrativos

1,37$
0,60
I+D
24,1%
1,35
Amortizacin
Margen operativo
0,54
Beneficio operativo (a)
1,18
Materias primas
4,31$
Imputacin total de costes
Mano de obra
5,68$
Samsung
Comparacin del beneficio operativo de las memorias DRAM en 2003 (equivalente a 256 Mb)
Precio medio de venta
Anexo 7a:
Fuente: Previsiones: estadsticas del mercado de memorias DRAM en todo el mundo entre 2000 y 2010 (actualizado en el primer trimestre de 2005), Gartner, Inc.
-17,3%
4 Gbit
Crecimiento anual del precio medio de venta
2 Gbit
31,63
1 Gbit
Precio medio de venta por el equivalente a 256 Mbit
512 Mbit
0,99
48,59
256 Mbit
Precio medio de venta por megabyte
7,18
14,41
3,42
16 Mbit
128 Mbit
1,90
4 Mbit
64 Mbit
1,51
2000
Datos histricos y previsiones del precio medio de venta de las memorias DRAM en todo el mundo entre 2000 y 2010 (en dlares estadounidenses)
1 Mbit
Anexo 6:
707-S09 --1 9 -
707-S09
Samsung Electronics
Anexo 7b: Estructura de costes de las memorias DRAM de 64 Mbit en 2003 (equivalente a 256 Mbit)
Samsung
Micron
Infineon
Hynix
SMIC
Media
ponderada de
los
competidores
8,63 $
7,88$
8,10 $
8,00 $
2,99 $
4,19 $
3,98 $
4,07 $
Materias primas
0,99
0,98
1,67
1,35
Mano de obra
0,54
0,76
0,51
0,63
Amortizacin
0,35
0,42
0,43
0,42
I+D
0,15
0,13
0,17
0,15
Gastos generales, comerciales y
0,96
1,90
1,20
1,53
administrativos
Beneficio operativo
5,64 $
3,69 $
4,13 $
3,92 $
Margen operativo
65,4%
46,9%
50,9%
49,0%
16,4
29,7
0,0
33,6
0,0
63,3
1,8%
4,4%
0,0%
6,4%
0,0%
3,5%
Volumen de fabricacin (millones

de unidades)
Volumen de fabricacin / Volumen
total de fabricacin
Anexo 7c: Estructura de costes de las memorias DRAM de 128 Mbit en 2003 (equivalente a 256 Mbit)
Samsung
Micron
Infineon
Hynix
SMIC
Media
ponderada de
los
competidores
6,45 $
5,56$
6,34 $
5,45 $
5,66 $
3,89 $
6,22 $
4,49 $
5,08 $
5,40 $
Materias primas
1,09
1,81
1,43
1,83
1,75
Mano de obra
0,54
0,94
0,75
0,51
0,72
Amortizacin
1,09
1,60
1,21
1,33
1,41
I+D
0,48
0,48
0,57
0,52
0,52
0,70
1,39
0,52
0,88
1,01
0,25 $
administrativos
Beneficio operativo
2,56 $
-0,66 $
1,85 $
0,37 $
Margen operativo
39,6%
-11,9%
29,2%
6,8%
3,9%
Volumen de produccin
151,6
88,1
43,7
96,8
0,0
228,6
16,9%
13,1%
8,2%
18,6%
0,0%
12,7%
(millones de unidades)
Volumen de fabricacin /
Volumen total de fabricacin
Dentro del volumen de fabricacin de memorias DRAM de 128 Mbit est incluido el volumen de fabricacin de varias lneas
de producto de memorias DRAM de 128 Mbit (como las memorias SDRAM, DDR, DDR2 Rambus DRAM).
20
707-S09
Samsung Electronics
Anexo 7d: Estructura de costes de las memorias DRAM de 256 Mbit en 2003 (equivalente a 256 Mbit)
Samsung
Micron
Infineon
Hynix
SMIC
Media ponderada
de los
competidores
5,08 $
4,48$
4,73 $
4,58 $
4,43$
4,57 $
4,15 $
6,52 $
4,84 $
5,42 $
4,84$
5,61 $
Materias primas
1,19
1,98
1,57
2,01
1,84
1,84
Mano de obra
0,54
0,94
0,75
0,51
0,23
0,74
Amortizacin
1,27
1,86
1,41
1,56
1,63
1,63
I+D
0,56
0,56
0,67
0,61
0,80
0,62
0,59
1,18
0,44
0,74
0,34
0,79
administrativos
Beneficio operativo
0,94 $
-2,04 $
-0,11 $
-0,85 $
-0,41$
-1,04 $
Margen operativo
18,4%
-45,5%
-2,2%
-18,5%
-9,3%
-22,8%
Volumen de produccin (millones
695,8
540,1
479,5
374,2
68,2
1462,1
77,6%
80,3%
89,6%
71,8%
100%
81,3%
de unidades)
Volumen de fabricacin / Volumen
total de fabricacin
Dentro del volumen de fabricacin de memorias DRAM de 256 Mbit est incluido el volumen de fabricacin de varias lneas
de producto de memorias DRAM de 256 Mbit (como las memorias SDRAM, DDR, DDR2 Rambus DRAM).
Anexo 7e:
Mbit)
Estructura de costes de las memorias DRAM de 512 Mbit en 2003 (equivalente a 256
Samsung
Micron
Infineon
Hynix
SMIC
Media ponderada
de los
competidores
14,21 $
10,52 $
12,11$
17,58 $
13,60 $
11,99 $
12,62 $
13,26 $
13,81 $
15,22 $
Materias primas
1,29
3,17
2,47
2,97
2,87
Mano de obra
0,80
1,52
1,20
0,77
1,25
6,70
Amortizacin
4,89
7,78
5,82
6,00
I+D
2,16
2,36
2,74
2,34
2,49
1,38
2,75
1,02
1,73
1,91
administrativos
Beneficio operativo
3,69 $
-5,47 $
0,34 $
-1,82 $
-2,60 $
Margen operativo
26,0%
-45,1%
2,5%
-15,2%
-21,6%
30,4
13,7
11,5
6,8
0,0
32,0
3,4%
2,0%
2,1%
1,3%
0,0%
1,8%
Volumen de produccin (millones

de unidades)
21
707-S09
Samsung Electronics
Anexo 7f: Estructura de costes de las memorias SDRAM de 256 Mbit en 2003.
Samsung
Micron
Infineon
Hynix
SMIC
Media ponderada de
4,95 $
4,56$
5,00 $
4,58 $
4,67 $
4,16 $
6,62 $
4,97 $
5,54 $
5,95 $
los competidores
Materias primas
1,20
2,01
1,61
2,05
1,92
Mano de obra
0,54
0,95
0,77
0,52
0,80
Amortizacin
1,28
1,89
1,45
1,59
1,71
I+D
0,57
0,57
0,68
0,62
0,61
Gastos generales, comerciales
0,58
1,21
0,46
0,74
0,91
y administrativos
Beneficio operativo
0,79 $
-2,06 $
0,03 $
-0,95 $
-1,28 $
Margen operativo
15,9%
-45,2%
0,5%
-20,8%
-28,0%
160,0
162,0
76,7
84,2
0,0
323,0
17,9%
24,1%
14,3%
16,1%
0,0%
18,0%
Anexo 7g:
Estructura de costes de las memorias DDR SDRAM de 256 Mbit en 2003.
Samsung
Micron
Infineon
Hynix
SMIC
Media ponderada
de los
competidores
4,72$
4,45$
4,65$
4,57$
4,43$
4,55$
4,06$
6,48$
4,81$
5,39$
4,84$
5,51$
Materias primas
1,18
1,97
1,56
1,99
1,84
1,82
Mano de obra
0,53
0,93
0,75
0,51
0,23
0,72
Amortizacin
1,25
1,85
1,41
1,55
1,63
1,60
I+D
0,55
0,56
0,66
0,60
0,80
0,62
0,55
1,17
0,43
0,74
0,34
0,75
administrativos
Beneficio operativo
0,66$
-2,03$
-0,16$
-0,82$
-0,41$
-0,96$
Margen operativo
13,9%
-45,6%
-3,4%
-18,0%
-9,3%
-21,2%
290,0
68,2
1136,0
485,0
378,1
399,7
54,1%
56,2%
74,7%
55,6%
100,0%
63,2%
22
707-S09
Samsung Electronics
Anexo 7h: Estructura de costes de las memorias DDR2 SDRAM de 256 Mbit en 2003.
Samsung
Micron
Infineon
Hynix
SMIC
Media ponderada de los
8,83$
8,67 $
8,67 $
4,93$
5,72 $
5,72 $
Materias primas
1,31
1,75
1,75
Mano de obra
0,59
0,84
0,84
competidores
Amortizacin
1,39
1,58
1,58
I+D
0,62
0,74
0,74
1,03
0,80
0,80
Beneficio operativo
3,90 $
2,95 $
Margen operativo
44,1%
34,0%
25,7
0,0
1,2
0,0
0,0
1,2
2,9%
0,0%
0,2%
0,0%
0,0%
0,1%
y administrativos
2,95$
34,0%
Anexo 7i:
Estructura de costes de las memorias Rambus DRAM de 256 Mbit en 2003.

Samsung
Micron
Infineon
Hynix
SMIC
9,21 $
8,45 $
8,45 $
4,89 $
5,59 $
5,59 $
Materias primas
1,28
1,71
1,71
Mano de obra
0,57
0,82
0,82
competidores
Amortizacin
1,36
1,55
1,55
I+D
0,60
0,73
0,73
1,07
0,78
0,78
y administrativos
Beneficio operativo
4,32 $
2,86 $
2,86 $
Margen operativo
46,9%
33,8%
33,8%
25,0
0,0
1,7
0,0
0,0
1,7
2,8%
0,0%
0,3%
0,0%
0,0%
0,3%
23
707-S09
Samsung Electronics
Anexo 7j: Estructura de costes de las memorias DDR2 SDRAM de 128 Mbit en 2003 (equivalente a 256
Mbit).
Samsung
Micron
Infineon
Hynix
SMIC
11,30$
9,74 $
9,74 $
4,49$
5,27 $
5,27 $
competidores
Materias primas
1,13
1,58
1,58
Mano de obra
0,55
0,83
0,83
Amortizacin
1,12
1,34
1,34
I+D
0,50
0,63
0,63
1,19
0,89
0,89
y administrativos
Beneficio operativo
6,81$
4,47 $
Margen operativo
60,3%
45,9%
4,47$
7,1
0,0
0,4
0,0
0,0
0,4
0,79%
0,0%
0,08%
0,0%
0,0%
0,08%
45,9%
Anexo 7k:
Estructura de costes de las memorias Rambus DRAM de 128 Mbit en 2003
(equivalente a 256 Mbit).
Samsung
Micron
Infineon
Hynix
SMIC
11,06 $
9,64 $
9,64 $
4,65$
5,26 $
5,26 $
competidores
Materias primas
1,19
1,58
1,58
Mano de obra
0,58
0,83
0,83
Amortizacin
1,18
1,34
1,34
I+D
0,52
0,63
0,63
1,17
0,88
0,88
y administrativos
Beneficio operativo
Margen operativo
6,41$
4,38 $
4,38 $
58,0%
45,5%
45,5%
5,5
0,0
0,5
0,0
0,0
0,5
0,61%
0,0%
0,10%
0,0%
0,0%
0,10%
Fuente: Estimaciones realizadas por los autores de este caso prctico a partir del informe de Merrill
24
Lynch.
707-S09
Anexo 8:
Samsung Electronics
Composicin de la lnea de fabricacin de Samsung (lnea A)
DRAM
Grfica
SRAM
Flash
MROM
1998
78%
19%
3%
0%
0%
1999
45%
13%
41%
2%
0%
2000
28%
3%
52%
15%
2%
2001
40%
2%
46%
8%
5%
2002
27%
0%
44%
24%
5%
Total
100%
100%
100%
100%
100%
Fuente: Datos de la compaa.
Anexo 9:
Estructura de costes de la memoria NAND Flash (equivalente a 512 Mbit, primer
trimestre de 2004)
Precio medio de venta (en

dlares)
Materias primas
Mano de obra
Suministros pblicos
Gastos generales,
comerciales y administrativos
Amortizacin
I+D
Otros
Beneficio operativo
Toshiba (a)
Samsung (b)
(a) / (b)
Toshiba
Samsung
9,51
9,48
100,3%
4,55
1,15
0,74
0,13
0,28
3,28
0,79
0,45
0,10
0,24
138,5%
144,8%
165,3%
138,5%
119,3%
100,0%
25,2%
16,3%
2,9%
6,2%
100,0%
24,1%
13,6%
2,9%
7,2%
1,10
0,51
0,63
4,97
1,19
0,30
0,22
6,20
92,8%
170,9%
281,4%
80,1%
24,2%
11,3%
13,9%
36,1%
9,1%
6,9%
Fuente: Merrill Lynch
25
707-S09
Anexo 10a:
centmetros
Samsung Electronics
Cuadro comparativo entre la oblea de veinte centmetros y la oblea de treinta
Nmero de dados por oblea

ndice esperado de rentabilidad
Dados no defectuosos por oblea
Coste de fabricacin por oblea
Amortizacin por oblea
Coste de material por oblea
Coste por microprocesador
Oblea de 20 cm.
Oblea de 30 cm.
Oblea de 30 cm. / oblea de 20 cm.
257
87%
224
n.d.
n.d.
n.d
616
87%
536
n.d.
n.d.
n.d.
240%
100%
240%
210%
200%
270%
90%
Fuente: Datos de la compaa y estimaciones realizadas por los autores de este caso prctico.
El nmero de dados por oblea est calculado para la tecnologa de 0,13 m.
Anexo 10b:
Tecnologa de procesos, tamao de las obleas y produccin neta de dados
Tamao del microprocesador

Nmero de dados netos obtenidos
de una oblea de 20 cm.
Nmero de dados netos obtenidos
de una oblea de 30 cm.
0,25 m
0,18 m
0,15 m
0,13 m
0,11 m
208,9 mm
159,4 mm
120,9 mm
91,3 mm
68,6 mm
100
137
188
257
352
240
329
451
616
845
Fuente: Clculos realizados por los autores de este caso prctico.
Anexo 10c:
Cuadro comparativo de la fabricacin en funcin del tamao de la oblea, las normas
de diseo y el ndice de rentabilidad.
Samsung
Micron
Infineon
Hynix
Volumen de fabricacin por tamao

de oblea
Oblea de
Oblea de
Total
20 cm.
30 cm.
88%
12%
100%
97%
3%
100%
67%
33%
100%
100%
0%
100%
Tecnologa de procesos
Norma de diseo
principal (um)
0,11
0,13
0,14
0,13
% de
utilizacin
67%
80%
80%
72%
ndice de
rentabilidad
80%
60%
67%
50%
Fuente: Clculos realizados por los autores de este caso prctico a partir del informe de Gartner, Inc. de febrero de 2004.
La tasa de rentabilidad se basa en una tecnologa de 0,11 m para 256 Mbit.
26
707-S09
Anexo 11:
Samsung Electronics
Estructura de la capacidad china de fabricacin de microprocesadores en 2001
Fuente: Friedrich Wu y Chua Boon Loy: Rapid Rise of China,s Semicondutor Industry: What Are the Implications for Singapore?,
publicado en Thunderbird International Business Review 46 (2004): pg. 109-131.
27
707-S09
Samsung Electronics
Notas incluidas en el texto
La informacin sobre el despacho del presidente Lee proviene de Lee Kun Hee,s 10 year Reform, de Kim
Sung-Hong y Woo In-Ho, (Sel: Kimyoungsa, 2003).
Samsung,s Second New Management Vision, Monthly Chosun, julio de 2003.
Oliver Wojahn: Semiconductors: A Silver Lining on the Horizon, Berenberg Bank, 27 de agosto de 2001, pg.
5.
4
Estimaciones realizadas por los autores de este caso prctico.
Korean Semiconductor Industry, documento interno de Samsung, 2004, pg. 7.
Samsung Electronics; To Be Better than the Best, informe elaborado por J. J. Park y Seung-Hoon Lee, J.P.,
Morgan Securities (Far East) Ltd., febrero de 2004, pg. 13.
7
Korean Chipmaker Hynix Semiconductor Admits Price Fixing, publicado por Associated Press, 25 de abril de
2005.
8
La informacin que se ofrece en esta seccin proviene de Foundries in China Gearing Up for Rapid
Expansion, de James Hines y Kay-Yang Tan, Gartner Dataquest Research Brief, 27 de enero de 2004.
Kay-Yang Tang: Market Focus; China,s Foundry Industry Gaining Strength, Gartner Dataquest Focus
Report, 22 de julio de 2004; pg. 3.
10
Ibdem.
11
Friedrich Wu y Chua Boon Loy: Rapid Rise of China,s Semiconductor Industry: What are the
Implications for Singapore?, Thunderbird International Business Review 46 (2004): pg. 109-131.
12
Samsung, Semiconductor Stories Series #42: 15 de junio de 2004, Samsung Electronics (Corea); pgina web:
http://www.sec.co.kr/index.jsp
13
Samsung Rising: Why Is Samsung Strong?, publicado por el peridico Korea Economic Daily, 2002, pg. 35.
14
Samsung Rising: Why Is Samsung Strong?, pg. 67.
15
Korean Semiconductor Industry, documento interno de Samsung, 2004, pg. 21.
16
Korean Semiconductor Industry, pg. 19.
17
Samsung, Semiconductor Stories Series #43: 20 de julio de 2004, pgina web http://www.sec.co.kr/index.jsp
18
Just Being a Good Company is Not Enough, Maeil Business Newspaper, 2 de junio de 2005, A13.,
http://www.mk.co.kr/
28
707-S09
19
20
Samsung Electronics

Ibdem.
21
Linsu Kim: The Dynamics of Samsung,s Technological Learning in Semiconductors, California Management
Review 39: 3 (1997): pg. 86-100.
22
Samsung Rising: Why Is Samsung Strong?, pg. 74.
23
Samsung, Semiconductor Stories Series #7: 2 de junio de 2003, pgina web http://www.sec.co.kr/index.jsp
24
25
Samsung, Semiconductor Stories Series #3: 5 de mayo de 2003, pgina web http://www.sec.co.kr/index.jsp
26
Richard Gordon y Andrew Norwood: Worldwide Memory Forecast, 1Q04 Update, informe Gartner
Dataquest, febrero de 2004.
27
28
29

Ibdem, pg. 50.
Samsung Rising: Why is Samsung Strong?, pg. 69.
30
Kun Hee Lee: Samsung,s New Management (Sel: Office of the Executive Staff of the Samsung Group,
Second Revised Edition, 1997), pg. 69.
31
Samsung Rising: Why is Samsung Strong?, pg. 182.
32
Business Week, 16 de junio de 2003, pg. 64. Samsung Electronics esclareci las palabras utilizadas en la
segunda frase de la cita mediante un correo electrnico enviado a los autores de este caso prctico el 22 de junio
de 2005.
33
Kun Hee Lee: Samsung,s New Management, pg. 57.
34
Friedrich Wu y Chua Boon Loy: Rapid Rise of China,s Semiconductor Industry: What are the Implications
for Singapore?
35
Ibdem.
36
Dorothy Lai: 2004: A Turning Point for China,s Semiconductor Industry, Nikkei Electronics Asia, diciembre
de 2003, pgina web http://neasia.nikkeibp.com/nea/200312/srep_278997.html
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707-S09

REV.29 DE JULIO DE 2006

El proceso de fabricacin de los semiconductores

Principales competidores del sector de memorias en 2005

Elpida Memory, Inc.

Hynix Semiconductor, Inc.

Nanya Technology Corporation

Semiconductor Manufacturing International Corp. (SMIC)

Samsung Electronics: anlisis general de la empresa

Evolucin del negocio de las memorias

Evolucin de las tecnologas

Polticas de recursos humanos

* Slo la empresa matriz.

Fuente: Thomson Datastream

Resultados financieros (en millones de dlares estadounidenses)

Organigrama de la empresa en el ao 2005

Yoon Woo Lee

Doh Seck Choi

Fuente: Datos de la compaa

Coste operativo ($)

Coste operativo ($)

Fuente: Merrill Lynch.

menos la media de los

Margen operativo (Samsung

venta de Samsung sobre el

Exceso del precio medio de

precio medio de venta

Variacin trimestral del

Precio medio de venta ($)

Coste operativo ($)

Precio medio de venta ($)

Precio medio de venta ($)

Precio medio de venta ($)

Coste operativo ($)

Precio medio de venta ($)

Anexo 4: Volumen de fabricacin de memorias DRAM por densidad en 2003

Volumen de fabricacin (millones de unidades, equivalente a 256 Mbit)

Volumen de fabricacin (millones de unidades, equivalente a 256 Mbit)

Beneficio operativo en millones de dlares (a x b)

Volumen de fabricacin equivalente a 256 Mbit (b)

Gastos generales, comerciales y administrativos

Beneficio operativo (a)

Imputacin total de costes

Precio medio de venta

Crecimiento anual del precio medio de venta

Precio medio de venta por el equivalente a 256 Mbit

Precio medio de venta por megabyte

Precio medio de venta

Imputacin total de costes

Gastos generales, comerciales y

Volumen de fabricacin (millones

Precio medio de venta

Imputacin total de costes

Gastos generales, comerciales y

Precio medio de venta

Imputacin total de costes

Gastos generales, comerciales y

Volumen de produccin (millones

Precio medio de venta

Imputacin total de costes

Gastos generales, comerciales y

Volumen de produccin (millones

Precio medio de venta

Imputacin total de costes