ELECTROTECNIA

INICIACIN A LA ELECTRNICA
1. Semiconductores
Se trata de materiales como el selenio, el germanio y el silicio que en condiciones
normales son aislantes, pero con ciertas modificaciones de su organizacin molecular se
pueden convertir en conductores.
El procedimiento ms habitual para
conseguirlo consiste en introducir en el
interior de estos materiales sustancias con
una estructura atmica determinada,
proceso que recibe el nombre de dopado.
El silicio es un cuerpo cristalino con
cuatro electrones de valencia que, para
obtener los 8 electrones de valencia que
hacen estable a cualquier cuerpo, rodea
cada una de sus molculas de otras cuatro
mediante enlaces covalentes. En estas
condiciones, el silicio es aislante, ya que no
existen en su seno electrones libres
capaces de establecer una corriente
elctrica.

1.1. Semiconductor tipo N

Cuando en un cristal de silicio con 4
electrones de valencia por tomo, se
introducen algunos tomos de antimonio,
arsnico o bismuto, que poseen 5
electrones de valencia, se producen
enlaces covalentes incompletos dando
lugar a electrones libres (-) en el cristal.
A esta operacin se la llama dopado y
las impurezas introducidas aumentan la
conductividad elctrica del material.
Este tipo de dopado da lugar a un
semiconductor tipo N.

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1.2. Semiconductor tipo P

Si al silicio en estado puro se le
introducen impurezas que, como el indio, el
aluminio, el galio o el boro, slo dispongan
de tres electrones de valencia, el enlace
covalente ser otra vez incompleto,
quedando en el cristal huecos positivos
(+) sin rellenar por un electrn.
Al rellenarse estos huecos por
electrones cercanos da la impresin de
desplazamiento del hueco como si fuese
una carga positiva mvil.
El dopado de tipo P tambin aumenta
la conductividad del cristal, an cuando la
naturaleza del mismo sea diferente.

2. El Diodo
El diodo es un elemento semiconductor que solo permite la paso de corriente en
un sentido.

2.1. El Diodo de Unin PN

El diodo de unin PN se forma al unir un cristal tipo P con otro tipo N. La zona tipo
N se denomina ctodo (terminal negativo) y se marca mediante un anillo de color y la
zona P se denomina nodo (terminal positivo).

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2.2. Caracterstica de Polarizacin Directa

Al representar la intensidad a travs del diodo en funcin de la tensin en sus
extremos, cuando al nodo se aplica una tensin positiva (polarizacin directa), la curva
tiene forma exponencial en las proximidades del cero para crecer muy rpidamente
despus. Esto indica que la resistencia del diodo es de muy bajo valor.

2.3. Tensin Umbral

Al polarizar directamente el diodo, ste

no comienza a conducir hasta que
apliquemos una mnima diferencia de
potencial (tensin umbral). En el caso del
germanio esta tensin es de 0,3V y en el
silicio 0,7V. Por debajo de esta tensin la
corriente es muy pequea y por encima
aumenta considerablemente.

2.4. Caracterstica de Polarizacin Inversa

Al someter al diodo a una polarizacin
inversa, cuando al nodo se le aplica una
tensin negativa, aparece una corriente de
fuga IR (corriente inversa). Esta corriente es
del orden de nA (10-9 A).

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Si se aumenta esta tensin inversa se

llega a la tensin de ruptura del diodo VZ.
En este momento aparece un efecto de
avalancha y aumenta bruscamente la
intensidad de corriente inversa, lo que
provoca la destruccin del diodo por
excesiva disipacin de calor.
Para que esto no ocurra se deben de
disear las condiciones de trabajo del diodo
de forma que la tensin inversa sea siempre
menor a la de ruptura.

2.5. Potencia Nominal

Los diodos poseen una cierta capacidad para disipar el calor que se produce en el
mismo durante su funcionamiento. Este calor depende de la potencia a la que trabaja, es
decir, del producto de la corriente por la tensin en el mismo.
Bastar con no sobrepasar la potencia nominal dada por el fabricante, o bien, no
llegar a la corriente mxima de polarizacin directa para evitar su destruccin.

2.6. Caracterstica Directa e Inversa Aproximada

Se considera que cuando el diodo est
polarizado con una tensin inversa, este se
comporta como un interruptor abierto y no
deja pasar ninguna corriente elctrica. Por
otro lado se supone que se necesitan unos
0,7V de polarizacin directa para que
conduzca como un interruptor cerrado.

2.7. Resistencia de un Diodo

Viene dada por el cociente entre la tensin del diodo y la corriente que lo recorre.
Como existen diferentes valores de tensin y corriente para cada punto de
funcionamiento del mismo, la resistencia variar en cada caso. Esta variacin va desde
algunas decenas de ohmios, en polarizacin directa, a varios megaohmios en
polarizacin inversa.

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2.8. Comprobacin del Estado de un Diodo

Basta comprobar la resistencia en ambos sentidos, debiendo dar muy baja en un
sentido y muy grande en el otro.

3. Circuitos Rectificadores
Son aquellos cuya funcin es la de convertir o rectificar la corriente alterna en
corriente continua.

3.1. Circuito Rectificador de Media Onda

En el circuito de la figura, en el
momento en que los valores de tensin en
el nodo son positivos, y superiores a la
tensin umbral del diodo, ste se polariza
directamente y aparece una corriente
elctrica por la carga. En el instante en que
la tensin en el nodo se hace negativa, el
diodo queda polarizado inversamente y la
corriente se interrumpe. Por esta razn,
este semiciclo no aparece a la salida.
Despreciando la cada de tensin en
el diodo, el valor medio de tensin e
intensidad a la salida del circuito ser:

Vm =

2 V
Vmx
=

1 V
Im =
2 R

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3.2. Circuito Rectificador de Onda Completa

Este circuito, denominado puente rectificador, consta de cuatro diodos que en
muchos casos se encierran en un nico componente compacto.
En el semiciclo positivo dos diodos se polarizan directamente, lo que provoca la
circulacin de una corriente por la carga en la direccin que se muestra en la figura. Por
otro lado, los otros dos diodos estn polarizados inversamente y no conducen.
En el semiciclo negativo los otros dos diodos comienzan a conducir por estar
polarizados directamente y dejan de hacerlo los dos primeros, mantenindose la misma
direccin de corriente en la carga.

En conclusin, la tensin que aparece en la carga posee siempre la misma

polaridad y su valor medio as como el de la intensidad a la salida del circuito ser:

Vm =

2 Vmx 2 2 V
=

Im =

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V
R

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4. Fuentes de Alimentacin. Filtros

La tensin obtenida a la salida del puente rectificador no es continua ya que, a
pesar de mantener sus valores positivos, vara de forma pulsatoria con periodos en forma
de semionda sinusoidal.

4.1. Filtrado Mediante Condensador

Para mantener constante el nivel de
tensin en la salida se pueden utilizar filtros,
el ms simple de los cuales est constituido
por un condensador.

Cuando la tensin crece el

condensador se carga, de tal forma que
cuando la tensin empieza a descender,
la
del
condensador
la
mantiene
descargndose, siguiendo una curva que
depende de la constante de tiempo RC y
que sigue una pendiente menor que la de
la onda sinusoidal.
El ciclo se repite para cada nueva
semionda.
Cuanto mayor sea la capacidad del
condensador y la resistencia de carga,
menor ser la pendiente.

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4.2. Estabilizacin y Regulacin de la Tensin

Las fuentes de alimentacin ms perfeccionadas, disponen de elementos tales
como diodos zener, transistores, circuitos integrados, etc., que mantienen la tensin de
salida ms estable y que pueden permitir regular el valor de la misma entre amplios
mrgenes.

El diodo zener est diseado para trabajar en polarizacin inversa.

Hasta una determinada tensin, llamada tensin de zener (VZ), la
intensidad que pasa por el diodo es despreciable. A partir de la tensin de
zener, la intensidad que pasa por el diodo aumenta rpidamente,
manteniendo prcticamente constante la tensin en sus extremos. El diodo
zener se conecta en paralelo con la salida de la fuente de alimentacin y
se encarga de evitar las variaciones en la tensin de salida ante
variaciones de carga.

En dichas fuentes de alimentacin se compara constantemente la seal de salida

con una seal de referencia ajustada previamente, regulndose automticamente el
circuito para mantener el nivel de salida deseado cuando ste tienda a desviarse. As
mismo, variando la seal de referencia se puede lograr modificar la seal de salida a
voluntad entre ciertos lmites.

Algunos de estos circuitos reguladores, o parte de ellos, se han incluido dentro de

circuitos integrados diseados para esta funcin (LM78XX, LM79XX, L200, etc.). El
circuito de la siguiente imagen es un ejemplo de fuente de alimentacin estable y
regulable para distintos valores de tensin de salida.

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5. El transistor
El transistor es un elemento electrnico con tres terminales formado por tres capas
de material semiconductor que alternan el dopado tipo N y tipo P.
Segn la disposicin de estas tres capas nos encontramos con dos
configuraciones diferentes, transistores NPN y PNP.

El encapsulado de los transistores vara en funcin de la potencia y de otros

parmetros. En la figura se muestra la distribucin de los terminales para algunos de los
encapsulados existentes en el mercado.

5.1. Polarizacin del Transistor

Para que el transistor
funcione correctamente debe
aplicarse una tensin continua
a sus terminales. Si mediante
dos bateras aplicamos una
tensin positiva a la base y al
colector de un transistor NPN
respecto del emisor y la base
respectivamente, el diodo PN
formado por la base y el
emisor
estar
polarizado
directamente, produciendo una
corriente base-emisor.

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Sera de esperar que esta corriente de electrones que sale del emisor (corriente
"electrnica" inversa a la "tradicional") llegase ntegramente a la base, pero sto no
ocurre as, sino que, atrados por la tensin positiva del colector, la mayora se dirige al
mismo.
Para acentuar este efecto, la base se construye poco dopada y muy estrecha. Se
cumple que IE = IB + IC, pero IE es prcticamente igual a IC, siendo IB muy pequea.
Se define el parmetro como la ganancia del transistor, respondiendo a la
relacin: = IC / IB, es decir: IC = IB
En la prctica el valor de suele estar entre 50 y 300, en algunos transistores
puede llegar a 1000.

5.2. Curvas Caractersticas del Transistor

La curvas ms interesantes del transistor son las de salida, es decir, la
representacin de la intensidad de colector en funcin de la tensin colector-emisor para
diferentes valores de la intensidad de base. En ellas se pueden apreciar las siguientes
zonas:
Zona activa. Es la zona blanca de la grfica, en ella, para cada intensidad de base
resulta una intensidad de colector veces mayor, mantenindose sensiblemente
constante la tensin colector-emisor.
Zona de saturacin: al
entrar en esta zona la
intensidad de colector se
dispara, convirtindose el
transistor en un circuito
cerrado.
Zona de corte: en esta
zona la intensidad de
colector se anula. El
transistor
se
comporta
como un circuito abierto.
Zona prohibida: en ella
el producto de tensin por
intensidad
supera
la
potencia soportable por el
transistor.

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5.3. Recta de Carga del Transistor

El transistor es un elemento activo que acta sobre un receptor que tiene una
determinada resistencia (Rc). La recta de carga de un transistor refleja la variacin de los
valores de la intensidad que circula por el colector en funcin de la tensin entre colector
y emisor, para un valor determinado de la Rc. Como tal recta viene definida por dos
puntos:

Punto de corte: Valor de la tensin

colector-emisor para una corriente de
colector nula.

IC = 0

VCE = VCC

Punto de saturacin: Valor de la corriente

de colector para una tensin colector-emisor
nula .

VCE = 0

IC = VCC/RC

En todo caso, la recta de carga debe mantenerse siempre fuera de la zona

prohibida para evitar que el transistor pueda destruirse.

5.4. Circuitos de Polarizacin del Transistor

Dado que un transistor tiene solamente tres terminales, las posibles
configuraciones que se pueden realizar en un circuito son aquellas en las que uno de los
terminales es comn a la entrada y la salida.

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De todas ellas, para trabajar en la zona activa como amplificador, la ms utilizada

es la configuracin en emisor comn con una nica fuente de alimentacin. Mediante un
divisor de tensin formado por dos resistores, se consigue el valor de tensin necesario
en la base.
La resistencia del colector es la resistencia de carga, por la que circular la
intensidad del colector. La resistencia del emisor se coloca para compensar los cambios
de con la temperatura y hacer que los clculos no dependan de sta.
Para el clculo del circuito se procede como sigue:

Suponemos que IB es despreciable frente a IDIV, y en el divisor de tensin

calculamos IDIV y las tensiones VRB1 y VRB2.
Suponiendo VBE = 0,6V para transistores de silicio y de 0,2V para los de germanio,
calculamos VRE en la malla inferior.
En RE calculamos IE, que ser igual a IC pues hemos despreciado IB.
Conocida IC, calculamos VRC.
La tensin VCE ser la de la fuente de alimentacin menos la que cae en las
resistencias de colector y de emisor.

Idiv =

VCC
RB1 + RB 2

VRB 2 = RB 2 Idiv
VRE = VRB 2 VBE = VRB 2 0,6
VRE
IE =
RE
IC = IE
VRC = RC IC
VCE = VCC VRC VRE

Como puede comprobarse, los clculos son independientes de . Esto se

consigue gracias a la resistencia de emisor. Si eliminamos sta, ser necesario obtener
la intensidad de base en la malla inferior y a partir de ella calcular la intensidad de
colector veces mayor.

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5.5. El Transistor como Amplificador

Una vez polarizado en corriente continua el transistor puede llevar a cabo su
principal funcin, que es la de amplificar pequeas seales.
Para ello aplicamos la pequea seal de
entrada a la base, obtenindola en el colector
amplificada.
Estas seales se aplican a travs de
condensadores de acoplo, que permiten el
paso de seales variables pero no dejan pasar
la corriente continua de la polarizacin.
El condensador colocado en paralelo con la resistencia de emisor elimina sta
para las seales alternas, ya que slo es til para la polarizacin y estabilidad en
corriente continua.
Se llama ganancia a la relacin entre la seal de salida y la de entrada del
transistor que suele darse en decibelios (dB).

Av =

VS
VE

av = 20 log Av

6. El Tiristor
El Tiristor, tambin llamado diodo controlado, est formado por dos uniones P-N
que debidamente dispuestas hacen el efecto de dos transistores.
Posee tres terminales, un nodo y un ctodo, como los diodos, y adems un
tercer terminal llamado puerta.

Los terminales nodo y ctodo se

comportan como un circuito abierto hasta
que se de un impulso a la puerta, en ese
momento pasan a comportarse como un
interruptor cerrado dejando pasar la
corriente.

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La puerta no puede ordenar la interrupcin de la corriente establecida, que deber

interrumpirse por otros medios. En corriente continua debe incluirse el elemento que
haga cesar la corriente, pero en corriente alterna sta se interrumpe por s misma cuando
se hace cero en el paso de un semiciclo al siguiente.

Enviando a la puerta un tren de impulsos de frecuencia igual a la red con el

desfase adecuado, se puede recortar la onda en la carga en la cantidad deseada,
regulando la potencia que llega a la misma. Su empleo es muy habitual en circuitos de
regulacin y control de potencia.

7. El Triac
Si conectamos dos Tiristores como se indica
en la figura obtenemos un circuito equivalente al de un
Triac. As pues, con este componente se puede
controlar una corriente alterna en sus dos semiciclos.
En el caso del Tiristor la corriente slo puede
establecerse en un nico sentido. Con el Triac, la
combinacin de disparos positivos y negativos en la
puerta, permite la circulacin de corriente en ambos
sentidos controlando ambos semiperiodos.
El
bloqueo
del
Triac
se
produce
automticamente al paso por cero de la corriente
sinusoidal.

7.1. Circuito de Control del Triac

El diodo Shockley tiene la propiedad de conducir con
polarizacin directa, pero slo a partir de cierto valor de la
tensin a l aplicada. Colocando dos de estos componentes
como se indica en la figura se obtiene otro que es el Diac. A
travs de l se obtienen las seales que atacan la puerta del
Triac.

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La corriente alterna carga y descarga el condensador, en la figura, a travs del

potencimetro. Las descargas son cclicas segn la frecuencia de la tensin, mandando
impulsos al Diac. stos a partir de cierto valor (40V por ejemplo) pasan a la puerta del
Triac, alimentando, a potencia regulable, la carga.

8. Amplificadores operacionales
Es un circuito integrado en forma de chip, cuya caracterstica principal es su alta
ganancia en tensin. Esta formado por varias etapas amplificadoras constituidas por un
nmero indeterminado de componentes de los que los transistores son los principales.
Su smbolo es el de la figura y consta de los siguientes terminales:
-Posee dos entradas, Ve1 y Ve2.
-La salida Vs, est en fase con Ve1
(entrada no inversora) y desfasada
180 con Ve2, (entrada inversora).
-La salida es la diferencia Ve1-Ve2
amplificada.

La mayora de los circuitos con amplificadores operacionales utilizan la

realimentacin negativa, esto es, la salida y la entrada inversora estn unidas por algn
tipo de impedancia.
Para los clculos con este tipo de circuitos se puede suponer que la intensidad por
sus entradas, tanto inversora como no inversora, es nula, y por tanto la tensin en sus
entradas es la misma.
Ie1 = Ie2 = 0

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Ve1 = Ve2

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7.1. Amplificador Inversor

La salida de este circuito es la seal de entrada amplificada e invertida, es decir,
defasada 180 respecto a la de entrada.
Al estar la entrada no inversora a masa, la entrada inversora tambin.

IRA =

Ve 0
RA

IRB =

0 Vs
RB

Por la entrada no inversora no circula corriente.

IRA = IRB
Av =

Ve
Vs
=
RA
RB

Vs
Ve

Av =

Vs
RB
=
Ve
RA

RB
RA

La ganancia de tensin slo depende del valor de las dos resistencias exteriores
utilizadas.

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