FET Tranzistori 2

Osnovi elektronike
Tranzistori sa efektom polja - drugi dio
Prof. dr. Aljo Mujcic
Decembar 2010
Fakultet elektrotehnike Univerziteta u Tuzli

Laboratorij za informacijsko-komunikacijske tehnologije
1 / 33
Metal oksidni poluprovodni

cki tranzistor sa efektom polja
Sadr
zaj
Metal oksidni poluprovodnicki tranzistor sa efektom polja
Parametri MOSFET-a
Jednosmjerni rezim rada MOSFET-a

2 / 33

Tranzistori sa efektom polja
Tranzistori sa efektom polja:

I
Tranzistore sa efektom polja (engl. Field Effect Transistor- FET) nazivamo i

unipolarni tranzistori.
Naziv efekt polja dolazi iz cinjenice da su osiromasena podrucja u kanalu

rezultat djelovanja elektricnog polja na inverzno polarisanom PN spoju
(upravljacka elektroda - kanal).
Postoje dva osnovna tipa tranzistora sa efektom polja.
Prvi uklju
cuje PN spoj (junction) i ozna
cava se skra
ceno JFET (engl. Junction
Field Effect Transistor),
Drugi se sastoji od strukture metal oksid poluprovodnik (metal-oxide
semiconductor MOS) i ozna
cava se skra
ceno sa MOSFET (Metal-Oxide
Semiconductor Field Effect Transistor)

3 / 33

Nazivaju se i kao tranzistori s efektom polja sa izoliranom upravljackom

elektrodom.
MOSFET se proizvodi sa ugraenim i indukovanim kanalom N i P tipa.
Za dobijanje N kanalnog MOSFET-a se na podlozi od visokootpornog (slabo

dopiranog) poluprovodnog materijala P tipa difuzijom oformljuju dva podrucja
od jako dopiranog materijala N tipa.
U slicaju P kanalnog MOSFET-a podloga je N tipa a oformljuju se oblast P tipa.

4 / 33


Source
S
SiO2
Gate
G
Drain
D
n
p
substrat
Source substrat SS
Source
S
SiO2
Gate
G
Drain
D
p
n
substrat
Source substrat SS
Slika: Struktura MOSFET-a s indukovanim kanalom N tipa

5 / 33


Source
S
SiO2
G ate
G
kanal n
D rain
D
p
substrat
Source substrat SS
Source
S
SiO2
G ate
G
kanal p
D rain
D
n
substrat
Source substrat SS
Slika: Struktura MOSFET-a s ugraenim kanalom N tipa

6 / 33


I
Analizu rada MOSFET-a pokazat cemo na primjeru P-kanalnog MOSFET-a sa

indukovanim kanalom.
Napon izmeu drain-a (D) i source-a (S) prikljucen je tako da negativan pol
doe na prikljucak drain-a a shodno polarizaciji i oznacavanju elektroda kod
spojnog tranzistora sa efektom polja.
UG
+
S
SiO2
p kanal
p
barijera
n
substrat
UDD
+
Source substrat SS
Slika: Princip rada MOSFET-a s indukovanim kanalom P tipa

7 / 33

Ako je prikljucak upravljacke elektrode (G) slobodan tada dva N podrucja i

zajednicka podloga P tipa predstavljaju dvije PN diode (suprotno orjentirane)
izmeu kojih je serijski vezan otpornik.
Ako se na gate dovede negativni potencijal u odnosu na poluprovodnik, u N tipu

(substrat) ce se indukovati pozitivno naelektrisanje i to na nacin da se elektroni
udalje od gornjeg dijela (kanala) i ostave nekompenzovane pozitivno
naelektrisane donore.
Povecanjem napona UG po apsolutnoj vrijednosti elektroni se sve vise

je
udaljavaju, a zatim nastupa inverzija privlacenjem pozitivnih supljina. Sto
veci napon |UG | to je veci broj supljina u kanalu. Otpor kanala je manji i za dati
napon UD D veca struja kroz kanal.

8 / 33


Izmeu drain-a i source-a ne postoji veza kod MOSFET-a sa indukovanim kanalom
sve dok ne nastupi inverzija tipa poluprovodnika. Napon pri kojem se stvori kanal od
source-a do drain-a se naziva naponom praga i oznacava sa Ut . Kod MOSFET-a sa
ugraenim kanalom, kanal postoji i pri naponu UG = 0 asamim tim i odgovarajuca
struja ID kada je prikljucena baterija UDD .
Napon pod cijim se uticajem mijenja provodnost kanala se naziva efektivnim
naponom gate-a i oznacava sa
UGeff = UG Ut
(1)
Na slici 4 je prikazan idealizovani model MOSFET-a u 3D prikazu. Gustina struje u

kanalu se moze odrediti na osnovu izraza
J = qpv = qpp Ey
(2)

9 / 33

d
p
z
dy
Slika: Trodimenzionalni prikaz rada MOSFET-a s indukovanim kanalom P tipa

10 / 33

Na osnovu date gustine moze se odrediti struja kroz kanal koja iznosi
Z
I = qp Ey d
pdx
(3)
x kanala
U prethodnom izrazu Ey je jacina polja u smjeru y ose, p koncentracija supljina u

kanalu uz pretpostavku da ne postoji njihova promjena u smjeru z -ose.
Za izracunavanje integrala u prethodnom izrazu izvrsit cemo izjednacavanje integrala
sa ukupnom kolicinom elektriciteta po jedinici povrsine kanala a koja zavisi od
elektricnog polja u dielektriku

11 / 33

Z
q
pdx = s =
dQ
= Dx = ox Ex
dSx
(4)
gdje je s kolicina elektriciteta po jedinici povrsine gejta na mjestu y, Dx dielektricni

pomjeraj, Ex elektricno polje normalno na povrsinu gate-a, ox dielektricna konstanta
oxida, Q kolicina elektriciteta na povrsini Sx gate-a. Sada se izraz 3 moze zapisati u
obliku
I = p ox Ey Ex d
(5)

12 / 33

Elektricno polje u pravcu y-ose (smjer kanala) je

Ey =
dUy
dy
(6)
Elektricno polje u dielektriku koje utice na provodnost kanala zavisi od efektivnog

napona gate-a i potencijala tacke y u kanalau. Ako je dielektrik homogen i bez
prostornog naelektrisanja debljine tox , dobit ce se
Ex =
UGeff Uy
UG Ut Uy
=
tox
tox
(7)

13 / 33

Zmjenom Ey iz 6 i Ex iz 7 u izraz 5 dobijamo

I =
p ox d
dUy
(UG Ut Uy )
tox
dy
Razdvajanjem promjenljivih i integracijom dobija se

Z L
Z
p ox d UD
I
dy =
(UG Ut Uy )dUy
tox
0
0
(8)
(9)
Poslije integracije dobija se

I =
p ox d
[2(UG Ut )UD UD2 ]
2tox L
(10)

14 / 33

Zamjenom
ID = I
p ox d
2tox L
(11)
dobija se
I = [2(UG Ut )UD UD2 ]
(12)
|UG Ut | |UD |
(13)
Jednacina 12 vazi samo za

15 / 33

Za UG Ut = UD izvod ID /UD = 0 Sve dok je |UG Ut | > |UD | kanal postoji

izmeu source-a i drain-a. Daljim povecavanjem UD kanal se suzava i za
UG Ut = UD kanal se prekida slicno kao i kod JFET-a.
Po prekidanju kanala raspored P i N oblasti MOSFET-a odgovara strukturi
bipolarnog PNP tranzistora. Kod N-kanalnog tranzistora struktura MOSFET-a je
slicna NPN tranzistoru. Source sa kanalom je emiter a drain je kolektor. Osnova
MOSFET-a je baza.
Kod MOSFET-a nastaje proboj izmeu kanala i drain-a. Struju ogranicava otpor
dijela kanala L0 . Struja drain-a ce porasti za odreenu vrijednost u odnosu na struju
pri UG Ut = UD .
Na osnovu jednacine 12 i stavljajuci da je UGeff = UG Ut = const odnosno
UG = const moze se nacrtati familija statickih karakteristika MOSFET-a. u triodnoj
oblasti.

16 / 33

Struja na granici triodne oblasti i oblasti zasicenja se dobija kada je UG Ut = UD ,

odnosno struja draina ima vrijednost
ID = (UG Ut )2
(14)
Jednacina 14 vazi za |UG Ut | |UD |

U oblasti zasicenja struja drain-a raste sa porastom napona. Ako se uzme u obzir
samo promjena duzine kanala moze se struja drain-a aproksimirati sa
ID = ID0
L
L0
(15)
gdje je ID struja draina-a, ID0 struja draina izracunata primjenom izraza 14, L duzina
preostalog dijela kanala i L0 duzina dijela zatvorenog kanala.

17 / 33


Prenosne i izlazne karakteristike MOSFET-a su prikazane na slici.
Razlicita podrucja MOSFET-a imaju ista svojstva kao kod JFET tranzistora, to je
source, drain i gate. Source i drain podrucja su suprotnog provodnog tipa od
supstrata. Osim toga P-tip supstrata source i drain su N tipa i kanal koji formiran
ispod gate je takoder N-tipa, i tranzistor je N-kanalni. Za N-tip supstrata, source i
drain su P-tipa i oni formiraju P kanalni tranzistor. Simboli MOSFET tranzistora su
prikazani na slici 5.
a)
b)
c)
d)
Slika: Simboli MOSFET-a: a) P kanalni sa indukovanim kanalom, b) P kanalni sa ugraenim

kanalom, c) N kanalni sa indukovanim kanalom, d) N kanalni sa ugraenim kanalom
18 / 33

Pored razlike u tipu provodnosti kanala postoji jos i razlika nastala od prisustva ili
odsustva kanala za nulti prednapon gate-a. Ako je kanal prisutan kada je napon na
gate nula, onda je rezim rada MOSFET-a poznat kao mod osromasenja (slika 6).
Kanal je formiran kroz proizvodni proces i primjenu odgovarajuceg napona gate-a
praznog kanala.
Kada struja drain-a protece kroz kanal doe do pada napona duzinom kanala koji
ima isti efekat kao pad napona u kanalu JFET-a, tacka prelaska iz triodne oblast u
oblast zasicenja je dostignuta kada kanal postane zatvoren.

19 / 33

Slika: Prikaz prenosne karakteristike MOSFET-a sa ugraenim kanalom koji mo

ze raditi u
re
zimima osiromasenja i oboga
cenja

20 / 33

Slika: Prikaz izlazne i prenosne karakteristike MOSFET-a sa ugraenim kanalom

21 / 33

Za P-kanalni tranzistor potreban je negativni napon na gate-u da se odbiju elektroni,

koji formiraju n-tip kanala. Kod N kanalnog tranzistora potreban je pozitivan napon.
Za razliku od JFET-a, napon koji dolazi na gate moze imati oba polariteta, zato sto
je gate-oksid savrsen kondenzator. Kod JFET, za PN spoj moramo obezbijediti
inverznu polarizaciju.
Tranzistori sa indukovanim kanalom mogu raditi jedino u modu obogacenja. Rad
tranzistora u rezimu obogacenja detaljno je opisan ispred.

22 / 33
Parametri MOSFET-a
Sadr
zaj
Parametri MOSFET-a

23 / 33
Parametri MOSFET-a
Parametri MOSFET-a
U parametre spojnog tranzistora sa efektom polja spadaju: Strmina gm
Odreuje se iz nagiba prijenosne karakteristike primjenom izraza (slika 8):

ID mA
gm =
|UDS =const
UG V
(16)
ID
UG1
ID1
UG2
ID2
UD1
UD
Slika: Odreivanje strmine gm sa stati

ckih karakteristika

24 / 33
Parametri MOSFET-a
Parametri MOSFET-a
Strmina se moze odrediti i iz izraza 10 deriviranjem struje ID po naponu UG

gm =
dID
p ox d
=
UD |UD =const
dUG
tox L
(17)
U oblasti zasicenja strmina iznosi

gm =
dID
= 22(UG Ut )
dUG
(18)

25 / 33
Parametri MOSFET-a
Parametri MOSFET-a
Otpor draina rD
Odreuje se se sa izlaznih karakteristika tranzistora primjenom izraza:
rD =
UDS
[] |UG =const
ID
(19)
Provodnost draina moze se odrediti iz izraza 10 deriviranjem struje ID po naponu UG

dID
p ox d
=
(UG Ut UD )|UG =const
dUD
tox L
(20)

26 / 33
Parametri MOSFET-a
Parametri MOSFET-a
Naponsko pojacanje
= gm rD
(21)
Disipacija Ulazni otpor gate-a je veoma velik i moze se izostaviti iz analize.

27 / 33
Jednosmjerni re
zim rada MOSFET-a
Sadr
zaj
Parametri MOSFET-a

28 / 33
Jednosmjerni re
zim rada MOSFET-a
Jednosmjerni re
zim rada MOSFET-a
Polarizacija MOSFET tranzistora za jednosmjerni rezim rada u rezimu osiromasenja

se moze realizirati na slican nacin kao i polarizacija klasicnog spojnog tranzistora sa
efektom polja. Kod MOSFET tranzistora se moze koristiti polarizacija kod koje je
napon na elektrodi gate jednak nuli. U rezimu osiromasenja napon gate-a moze biti
pozitivan, negativan i nula jer ce postojati struja ID u sva tri slucaja. To se vidi iz
prenosne karakteristike ID = f (UGS ). To nije bio slucaj kod JFET-a.
Elektricna sema polarizacije MOSFET-a pri nultom potencijalu gate-a je prikazana
na slici 9. Za UGS = 0 struja drain-a je IDSS . U tom slucaju napon UDS iznosi
UDS = UDD IDSS RD
(22)
Otpor RG obezbjeuje jednosmjerni put za naponski nivo UGS i uzima se otpornik

reda velicine 10 M

29 / 33
Jednosmjerni re
zim rada MOSFET-a
Jednosmjerni re
zim rada MOSFET-a
+UDD
RD
ID
+
RG
UGS
Slika: Polarizacija MOSFET-a u re

zimu osiromasenja

30 / 33
Jednosmjerni re
zim rada MOSFET-a
Jednosmjerni re
zim rada MOSFET-a
Polarizacija MOSFET-a u rezimu obogacenja se razlikuje od polarouacije u rezimu

osiromasenja jer MOSFET ne provodi struju ID dok se ne formira kanal odnosno sve
do napona praga Ut . Jednosmjerni naponi u kolu tranzistora moraju obezbijediti
plozaj radne tacke iznad napona Ut . Za N-kanalni MOSFET jednosmjerni naponi i
struje su osigurani djeliteljem napona kao sto je prikazano na slici. Napon izmeu
gate-a i source-a je
R2
UGS = UDD
.
(23)
R1 + R2
Napon drain-source iznosi
UDS = UDD ID RD
(24)
pri cemu je struja ID definisana izrazom REF.

31 / 33
Jednosmjerni re
zim rada MOSFET-a
Jednosmjerni re
zim rada MOSFET-a
+UDD
R1
RD
ID
+
R2
UGS
Slika: Polarizacija MOSFET-a u re

zimu oboga
cenja

32 / 33
Jednosmjerni re
zim rada MOSFET-a
Literatura
T. E. Price,
Analog Electronics,
Prentice Hall, 1997.
D. Milatovic:,
Osnove elektronike,
Svjetlost, Sarajevo 1995.
P.Biljanovic,
Elektronicki elementi,
, Skolska
knjiga, Zagreb, 1997
P.Biljanovic,
Elektronicki sklopovi,
Skolska
knjiga, Zagreb, 1995.
Z.Butkovic,
G.Zelic,
Elektronicki sklopovi, zbirka zadataka,
FER Zagreb, interno izdanje, 2002.

33 / 33

FET Tranzistori 2

Uploaded by

Document Information

Copyright

Available Formats

Share this document

Share or Embed Document

Sharing Options

Did you find this document useful?

Is this content inappropriate?

Copyright:

Available Formats

FET Tranzistori 2

Uploaded by

Copyright:

Available Formats

Osnovi elektronike

Tranzistori sa efektom polja - drugi dio

Prof. dr. Aljo Mujcic

Fakultet elektrotehnike Univerziteta u Tuzli

Metal oksidni poluprovodni

Metal oksidni poluprovodnicki tranzistor sa efektom polja

Jednosmjerni rezim rada MOSFET-a

Fakultet elektrotehnike Univerziteta u Tuzli

Metal oksidni poluprovodni

Tranzistori sa efektom polja

Tranzistori sa efektom polja:

Tranzistore sa efektom polja (engl. Field Effect Transistor- FET) nazivamo i

Naziv efekt polja dolazi iz cinjenice da su osiromasena podrucja u kanalu

Fakultet elektrotehnike Univerziteta u Tuzli

Metal oksidni poluprovodni

Tranzistori sa efektom polja

Nazivaju se i kao tranzistori s efektom polja sa izoliranom upravljackom

Za dobijanje N kanalnog MOSFET-a se na podlozi od visokootpornog (slabo

U slicaju P kanalnog MOSFET-a podloga je N tipa a oformljuju se oblast P tipa.

Fakultet elektrotehnike Univerziteta u Tuzli

Metal oksidni poluprovodni

Tranzistori sa efektom polja

Slika: Struktura MOSFET-a s indukovanim kanalom N tipa

Fakultet elektrotehnike Univerziteta u Tuzli

Metal oksidni poluprovodni

Tranzistori sa efektom polja

Slika: Struktura MOSFET-a s ugraenim kanalom N tipa

Fakultet elektrotehnike Univerziteta u Tuzli

Metal oksidni poluprovodni

Tranzistori sa efektom polja

Analizu rada MOSFET-a pokazat cemo na primjeru P-kanalnog MOSFET-a sa

Slika: Princip rada MOSFET-a s indukovanim kanalom P tipa

Fakultet elektrotehnike Univerziteta u Tuzli

Metal oksidni poluprovodni

Tranzistori sa efektom polja

Ako je prikljucak upravljacke elektrode (G) slobodan tada dva N podrucja i

Ako se na gate dovede negativni potencijal u odnosu na poluprovodnik, u N tipu

Povecanjem napona UG po apsolutnoj vrijednosti elektroni se sve vise

Fakultet elektrotehnike Univerziteta u Tuzli

Metal oksidni poluprovodni

Tranzistori sa efektom polja

Na slici 4 je prikazan idealizovani model MOSFET-a u 3D prikazu. Gustina struje u

Fakultet elektrotehnike Univerziteta u Tuzli

Metal oksidni poluprovodni

Tranzistori sa efektom polja

Slika: Trodimenzionalni prikaz rada MOSFET-a s indukovanim kanalom P tipa

Fakultet elektrotehnike Univerziteta u Tuzli

Metal oksidni poluprovodni

Tranzistori sa efektom polja

U prethodnom izrazu Ey je jacina polja u smjeru y ose, p koncentracija supljina u

Fakultet elektrotehnike Univerziteta u Tuzli

Metal oksidni poluprovodni

Tranzistori sa efektom polja

gdje je s kolicina elektriciteta po jedinici povrsine gejta na mjestu y, Dx dielektricni

Fakultet elektrotehnike Univerziteta u Tuzli

Metal oksidni poluprovodni

Tranzistori sa efektom polja

Elektricno polje u pravcu y-ose (smjer kanala) je

Elektricno polje u dielektriku koje utice na provodnost kanala zavisi od efektivnog

Fakultet elektrotehnike Univerziteta u Tuzli

Metal oksidni poluprovodni

Tranzistori sa efektom polja

Zmjenom Ey iz 6 i Ex iz 7 u izraz 5 dobijamo

Razdvajanjem promjenljivih i integracijom dobija se