Electrónica para Ingenieros-Transistores Bjts y Fets en DC 10.0

2014
TRANSISTORES BJT Y
FET: ANLISIS DC
ELECTRNICA PARA INGENIEROS
Este documento tiene como objetivo guiar al estudiante de electrnica
en ciencias de ingeniera, en el tpico de polarizacin de los transistores
BJT y FETs. El texto cuenta con la teora requerida para comprender los
conceptos y con ejercicios tanto resueltos como propuestos, para
aplicarlos..
Borrador 10.0
Gmer Rubio Roldn-Profesor ESPOL
20/10/2014
Gmer Rubio Roldn-Profesor ESPOL | TRANSISTORES BJT Y FETs: ANLISIS DC 1
TRANSISTORES BJT Y FETs: ANLISIS DC
Problema 1:
Halle el punto de operacin de Q1, Q2 y Q3
Datos:
{
Gmer Rubio Roldn-Profesor ESPOL | TRANSISTORES BJT Y FETs: ANLISIS DC
Solucin:
Observando el circuito podemos analizar que:
)(
Tambin al analizar el circuito e igualando ecuaciones se obtiene que:

(
(
)(
)
(
(
(
)(
)(
|
|
|
|
|
|
|
|
Los transistores no estn saturados, puesto que sus respectivos VDS son mayores a los VDS
codo. Adems no estn en corte, debido a que sus respectivos VGS son mayores a sus voltajes
de ruptura.
Problema 2:
a. Determine el valor de Vdd(Asuma que todos los transistores estn en regin activa
y que
)
b. Calcule los puntos de Operacin para Q1, Q2 y Q3.
Datos:
Solucin:
(
Analizando el circuito e igualando ecuaciones se obtiene:
Al obtener el valor de VG2 se puede obtener el valor de VDD:
Problema 3:
Calcular el punto de operacin del transistor Q3.
Datos:
Solucin:
Analizando el circuito se obtiene las siguientes ecuaciones:
(
(
)(
)(
Problema 4:
Determine los puntos de operacin de los transistores Q1 y Q2.
Datos:
Solucin:
Reemplazando el valor hallado en la ecuacin anterior se obtiene que:
Problema 5:
En el siguiente circuito determine los puntos de operacin de Q1(I D,VDS), Q2(IC, VCE).
Datos:
{
Solucin:
Con el capacitor C1 en circuito abierto y calculando el voltaje VGS para el MOSFET:
)( )
10
Ya que la relacin de las corrientes es:

(
(
)
)
Se tiene la siguiente ecuacin:

(
Aplicando la ecuacin para el transistor mosfet:

(
)
(
Resolviendo se tiene:
Sumando voltajes se tiene:
)
( )
)(
)(
11
Problema 6:
Para el siguiente circuito calcular Vo y Vx.
Datos:
{
Solucin:
Como se observa en el circuito
Reemplazando en la ecuacin para Q2:

(
(
)
)
12
Asumiendo
despreciable con respecto a
se tiene que:
Resolviendo la ecuacin:
{
Por lo tanto
ya que el valor de -6 es menor a
Sumando voltajes se tiene que:
13
Problema 7:
En el siguiente circuito, encontrar los puntos de operacin de los transistores.
Vcc
R1
R3
C1
Q1
V1
Q2
R2
C2
20V
El circuito equivalente quedara as
20V
Solucin:
R1
R3
10M
1k
Q3
IG=0
ID=Is
e ID=IB
Q4
2N1711
)
R2
50
14
Ahora igualando ecuaciones y resolviendo la ecuacin cuadrtica se obtiene que:

(
(
)
)( )
Reemplazando el valor obtenido, se obtiene que:
(
(
)
(
15
Por mallas:
(
)
(
Por malla:
Entonces:
| |
Entonces el MOSFET estar en zona activa
16
Problema 8:
En el siguiente circuito:
a) Calcule VDS, ID, VCE y Ic.
Vcc
Vcc
b) Si VCEsat=0, calcule Rb mnima para saturar al transistor.
R2
R5
Q1
C1
Q2
C4
C3
Vo
V1
R1
R3
R4
R6
Datos:
17
Solucin:
El circuito queda as:
BJT
Vcc
Vcc
FET
R2
R5
Q5
Q6
R1
R3
R4
R6
Literal a:
Trabajando con el circuito del FET, analizando el circuito se obtiene las siguientes
ecuaciones:
Igualando ecuaciones, se llega una ecuacin cuadrtica:

(
(
)
)(
18
Por malla:
(
Entonces:
| |
Entonces el FET estar en zona activa
El punto de operacin del FET ser:

PQ : (ID =1.6mA, VDS=11.68 V)
Trabajando con el circuito del BJT

(
19
( )
(
)
(
Por malla:
Literal b:
Pero:
20
Problema 9:
Vcc
Vcc
Vcc
En el circuito mostrado a continuacin, calcular los puntos de operacin tanto del BJT
como del FET
C3
R1
Vo
R3
Q8
Q7
C1
Vi
R5
R2
C2
R4
R6
Datos:
21
Solucin:
Vcc
Vcc
En anlisis DC se abren los capacitores y redibujando el circuito se obtiene lo siguiente:
R3
Q2
Q1
R2
R5
R4
Vcc
R1
R6
Aplicando Thevenin obtenemos lo siguiente:
=1,4809V
Vcc
Vcc
Redibujamos y obtenemos lo siguiente:
R3
Q2
Q1
R2
R5
VTH
RTH
R6
22
Aplicando mallas:
Aplicando shotky:
(
(
)
(
)
(
)
)
23
Igualando las ecuaciones se obtiene lo siguiente:
Resolviendo la ecuacin general se obtiene:
Por lo tanto
ID= 0.3785mA
Reemplazando ID tenemos:
(
(
)(
)
)(
Por mallas:
24
Se debe recordar que el voltaje VCE es negativo debido a que es una configuracin
PNP. Por malla:
(
)
(
( )
(
Entonces:
| |
25
Problema 10:
Vcc
Vcc
En el circuito mostrado a continuacin, calcular los puntos de operacin tanto para el

BJT como para el FET.
R3
R4
C6
Vi
Q1
R5
Q2
C5
Vi
R1
R2
Datos:
{
{
Solucin:
Vcc
Vcc
Al realizar el anlisis DC se abren los capacitores, por lo que al aplicar Thevenin y

redibujar el circuito, se obtiene:
R3
R4
Q1
(
(
R5
Q2
R1
(
(
)(
)(
)
)
)
)
R2
26
A partir del circuito podemos obtener:
Igualando ecuaciones, se obtiene la siguiente expresin:

(
Por malla:
(
(
)( )
)
))
Entonces:
|
Por malla:
Entonces:
, recordando que es una configuracin PNP.
27
Problema 11:
Para el siguiente circuito calcule el punto de operacin de cada transistor,
indicando en que zona se encuentran operando.
Datos:
{
{
|
Solucin:
)
(
( )
28
{
Con
Con
[ ] el mosfet se encuentra en zona de corte.

[ ] tenemos que:
[
(
Con lo que nos podemos dar cuenta que
corte.
]
(
por lo que el transistor
est en zona de
Analizando el nuevo circuito:

( )
(
(
)
)
( )
El voltaje
es negativo debido a que se trata de una unin PNP. El transistor est operando
en zona lineal.
29
Problema 12:
Datos:
{
Encontrar el valor de IE en Q2
a) 0.35mA
b) 0.07mA
c) 1.9mA
d) 2.09mA
30
Solucin:
Redibujando el circuito en DC:
)
(
Reemplazando VGS en la ecuacin 1

(
El JFET (Q1) es de canal tipo n => VP = - 4[V]

Reemplazando valores:
(
31
Resolviendo la ecuacin cuadrtica:

[
[ ]
[ ]
Calculando el valor de la corriente de emisor:
)(
[ ]
32
Problema 13:
Encontrar
en Q2
a) 0.35mA
b) 0.07ma
c) 1.9mA
d) 2.09mA
Datos:
{
{
33
=
=
-(
=-
(
(
)
(
)(
Resolviendo la ecuacin cuadrtica se obtiene:

= (1mA)(1 - 1.1
0 = 1m 2.1
-(
+ 302.5
= 6.43mA
+ 302.5
= 0.514mA
=24-6.1166
=17.8834V
=0
) (
=
=
)(
(
= 2.11mA
34
Problema 14:
Datos:
{
{
Determine el voltaje
a) 2.1V
b) 5.34V
c) 6.0V
d) 4.6V
en
Analizando el circuito se obtiene

las siguientes ecuaciones:
=
= (2.09mA)(2.2k)
= 4.598V
35
Problema 15:
Datos:
{
{
Determinar
a)
b)
c)
d)
en
17.9 V
11.3 V
4.7 V
23.3 V
36
Solucin:
-(
=24-6.1166
=17.8834V
==-1.1308
=| |
= 4 1.1308
= 2.869V
<
2.869 < 17.88
37
Problema 16:
Datos:
{
{
Determinar en el transistor de
a)
b)
c)
d)
el voltaje
23.3 V
11.3 V
19.4 V
17.9 V
Solucin:
=0
=0
(2.2K)(2.09m)
= 19.402V
38
Problema 17:
R2
C
Q1
Q2
R1
R3
R4
R5
Datos:
{
{
Determine la corriente ID en (DC) del transistor Q1

a)
b)
c)
d)
6.49mA
2.02mA
0.51mA
2.24Ma
39
Problema 18:
Determine el valor de VDS
Datos:
{
40
Solucin:
(
Analizando el circuito e igualando las ecuaciones, se obtiene la siguiente expresin:
41
Problema 19:
Determine el valor de ID
Datos:
{
{
Solucin:
Analizando el circuito se obtiene las siguientes relaciones, donde se las iguala para
obtener un valor:
(
(
)
)
42
Solucin:
Como vamos a trabajar en DC, los capacitores desaparecen, y tambin como la resistencia R1
es muy grande podemos simplificar dicha impedancia. Por lo tanto nos queda el circuito
reducido.
V
R2
Q1
Q2
R1
R3
R4
R5
)
(
)
(
)
(
43
(
(
[
Incorrecto
)
(
Correcto
44
Problema 20:
+V
C2
R2
R4
Vo
Q2
Q1
C1
R5
R1
R3
C3
R6
Datos:
{
{
Calcule el Punto de operacin de Q1
a) {
b) {
c) {
d) {
45
Solucin:
Reduciendo el circuito, debido a que nos pide punto de Operacin de Q1, trabajamos en DC,
los capacitores desaparecen.
+V
R2
R4
Q2
Q1
R5
R1
R3
R6
46
Sacando las frmulas de corriente, podemos encontrar
[ ]
)
[
5.42)
[ ]
47
Problema 21:
+V
Vo
C2
R2
R4
Q2
Q1
C1
R5
R1
R3
C3
R6
Datos:
{
{
Calcule el Punto de operacin de Q2
a)
{
b)
{
48
c)
{
d)
{
Solucin:
+V
R2
R4
Q2
Q1
R5
R1
R3
R6
49
[ ]
50
Problema 22:
+V
C2
R2
Vo
R4
Q2
Q1
C1
R5
R1
R3
C3
R6
Datos:
{
{
Determine
de Q1
a) 1.567 V
b) 0.9728 V
c) 0.853 V
d) Ninguna de las anteriores
51
Solucin:
+V
R2
R4
Q2
Q1
R5
R1
R3
R6
[ ]
52
Problema 23:
Determine los puntos de operacin de Q1, Q2 y Q3.
Vcc
R1
Z1
R5
Q1
2
Q3
R2
Q2
2
R3
R6
R4
C1
Datos:
{
53
Solucin:
Analizando el circuito se obtiene que:
Con la siguiente ecuacin se puede obtener el valor de:

(
)
(
Con el valor obtenido anteriormente se obtiene que:
Por malla para obtener la corriente que pasa por la resistencia de 4k.
54
Por ley de nodos se obtiene la ecuacin:
Por mallas se obtiene:
55

Electrónica para Ingenieros-Transistores Bjts y Fets en DC 10.0

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TRANSISTORES BJT Y FETs: ANLISIS DC

Gmer Rubio Roldn-Profesor ESPOL | TRANSISTORES BJT Y FETs: ANLISIS DC

Observando el circuito podemos analizar que:

Tambin al analizar el circuito e igualando ecuaciones se obtiene que:

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Analizando el circuito e igualando ecuaciones se obtiene:

Al obtener el valor de VG2 se puede obtener el valor de VDD:

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Reemplazando el valor hallado en la ecuacin anterior se obtiene que:

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Ya que la relacin de las corrientes es:

Se tiene la siguiente ecuacin:

Aplicando la ecuacin para el transistor mosfet:

Sumando voltajes se tiene:

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Reemplazando en la ecuacin para Q2:

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despreciable con respecto a

ya que el valor de -6 es menor a

Sumando voltajes se tiene que:

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El circuito equivalente quedara as

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Ahora igualando ecuaciones y resolviendo la ecuacin cuadrtica se obtiene que:

Reemplazando el valor obtenido, se obtiene que:

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Entonces el MOSFET estar en zona activa

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b) Si VCEsat=0, calcule Rb mnima para saturar al transistor.

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Igualando ecuaciones, se llega una ecuacin cuadrtica:

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Entonces el FET estar en zona activa

El punto de operacin del FET ser:

Trabajando con el circuito del BJT

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En anlisis DC se abren los capacitores y redibujando el circuito se obtiene lo siguiente:

Aplicando Thevenin obtenemos lo siguiente:

Redibujamos y obtenemos lo siguiente:

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Igualando las ecuaciones se obtiene lo siguiente:

Resolviendo la ecuacin general se obtiene:

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Entonces el FET estar en zona activa

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En el circuito mostrado a continuacin, calcular los puntos de operacin tanto para el

Al realizar el anlisis DC se abren los capacitores, por lo que al aplicar Thevenin y

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A partir del circuito podemos obtener:

Igualando ecuaciones, se obtiene la siguiente expresin:

Entonces el FET estar en zona activa

, recordando que es una configuracin PNP.

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