1

MODUL ELEKTRONIKA DASAR

PENGUAT BASIS DITANAHKAN
A.

TUJUAN
1. Mempelajari karakteristik masukan transistor basis ditanahkan.
2. Mempelajari karakteristik keluaran transistor basis ditanahkan.

B.

DASAR TEORI
Penguat basis ditanahkan adalah penguat yang kaki basis transistor di

groundkan, lalu input di masukkan ke emitor dan output diambil dari kaki kolektor.
Penguat Common Base Mempunyai Karakter sebagai berikut :
Adanya isolasi yang tinggi dari output ke input sehingga meminimalkan efek
umpan balik.
Mempunyai impedansi input yang relative tinggi sehingga cocok untuk
penguat sinyal kecil (Pre Amplifier).
Sering dipakai pada penguat frekuensi tinggi pada jalur VHF dan UHF.
Bisa juga dipakai sebagai buffer atau penyangga

1.

Ciri Masukan Common Basis

Lengkung ciri masukan transistor dengan hubungan basis ditanahkan sama

dengan lengkungan ciri Statik dioda dalam keadaan panjar maju oleh karena
sambungan emitor-basis diberi panjar maju, gambar berikut:

Gambar 2. Lengkung ciri statik masukan transistor basis ditanahka.

Pada ciri statik masukan transistor perlu diperhatikan hal berikut :

a. Bentuk ciri statik masukan serupa dengan ciri statik dioda dalam
keadaan panjar maju. Ini tak mengherankan oleh karena sambungan
emitor basis merupakan suatu dioda dengan panjar maju.
b. Ciri statik masukan hampir berimpit untuk berbagai nilai VCB. Hal ini
berarti tegangan keluaran (VCB) tak banyak berpengaruh pada masukan.
Suatu penguat memang seharusnya demikian. Apa yang terjadi pada
keluaran tak terasa pada masukan.
Kedua sifat di atas membuat transistor dapat digunakan untuk memperkuat
isyarat. Suatu perubahan kecil pada VCB oleh suatu isyarat masukan yang kecil akan
menyebabkan perubahan arus emitor iE yang besar. Perubahan ini diteruskan menjadi
arus isyarat iC, yang diubah menjadi isyarat tegangan oleh R C, yaitu vo = iCRC, yang
lebih besar daripada tegangan isyarat masukan.
2.

Ciri Keluaran Common Basis

Ciri keluaran statik menyatakan bagaimana arus kolektor i C berubah dengan

VCB untuk berbagai nilai arus statik dari emitor IE. Lengkung ciri statik transistor
dengan hubungan basis ditanahkan ditunjukkan pada gambar di bawah ini untuk
transistor jenis npn.

Gambar 3. Lengkung ciri statik keluaran transistor basis ditanahka.

Pada ciri keluaran transistor dengan hubungan basis ditanahkan perlu

diperhatikan hal berikut :
a. iC iE, karena iC = iEA dan 1. Hal ini juga berarti arus keluaran iC
berbanding lurus dengan arus masukan iE. Dikatakan transistor
dwikutub adalah suatu piranti yang dikendalikan oleh arus.
b. Ciri statik keluaran mempunyai kemiringan amat kecil (sangat
horizontal). Ini berarti hambatan keluaran transistor yang merupakan
kebalikan kemiringan ic(vCB) mempunyai nilai amat besar yaitu sama
dengan hambatan isyarat kecil dioda yang ada dalam keadaan tegangan
mundur, yaitu dioda sambungan kolektor basis.

Pada rangkaian tersebut dapat dilihat bahwa persambungan basis-emiter

(base-emiter junction) dalam kondisi prategangan maju (forward bias) sehingga
elektron-elektron yang bersumber dari tegangan masukan S E siap untuk masuk ke
dalam emiter. Elektron-elektron yang telah berada di daerah emiter tersebut
kemudian menyebrangi persambungan basis-emiter (base-emitter junction) untuk
masuk ke dalam daerah basis (base region), karena daerah basis (base region)
yang sangat tipis, maka daerah basis (base region) tersebut memiliki nilai tahanan
yang lebih besar daripada tahanan yang terdapat pada daerah emiter (emitter
region) maupun daerah kolektor (collector region). Daerah basis (base region)
yang memiliki nilai tahanan yang kecil tersebut membuat elektron elektron yang (CB)
amplifier.
Pada rangkaian tersebut terlihat bahwa basis (base) digunakan secara
bersama-sama oleh sinyal masukan ES dan sinyal keluaran EO sehingga rangkaian
seperti itu dinyatakan sebagai rangkaian penguat basis bersama atau common-base
(CB) amplifier

C.

ALAT-ALAT
1. Circuit Trainer (PH-62)

4. Power Supply (PH-47)

2. Voltmeter DC (PH-103)

5. Regulator DC Power Supply (PH-107)

3. Ampermeter DC (PH-104)

karena I B

IE
1
dengan kemiringan lengkung adalah 1 kali lebih
1

besar, yang berarti hambatan masukan (1 ) kali lebih besar daripada

common emitor