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MEMORIA RAM
CONCEPTO: Se utilizan como memorias de trabajo de computadoras para el sistema operativo,
los programas y la mayor parte del software. En la RAM se cargan todas las instrucciones que
ejecuta la unidad central de procesamiento (procesador) y otras unidades del computador.
SRAM (Static Random Access Memory), RAM esttica, memoria esttica de acceso
aleatorio.
Una memoria SRAM tiene tres estados distintos de operacin: standby, en el cual el
circuito est en reposo, reading o en fase de lectura, durante el cual los datos son ledos
desde la memoria, y writing o en fase de escritura, durante el cual se actualizan los datos
almacenados en la memoria.
voltiles.
no voltiles:
CAPACIDAD Y VELOCIDAD
Cada bit en una SRAM se almacena en cuatrotransistores, que forman un biestable.
Este circuito biestable tiene dos estados estables, utilizados para almacenar
(representar) un 0 o un 1. Se utilizan otros dos transistores adicionales para controlar el
acceso al biestable durante las operaciones de lectura y escritura. Una SRAM tpica
utilizar seis MOSFET para almacenar cada bit. Adicionalmente, se puede encontrar
otros tipos de SRAM, que utilizan ocho, diez, o ms transistores por bit.
2. DRAM son las siglas de la voz inglesa Dynamic Random Access Memory, que
significa memoria dinmica de acceso aleatorio (o RAM dinmica), para denominar a un
tipo de tecnologa de memoria RAM basada en condensadores, los cuales pierden su carga
progresivamente, necesitando de un circuito dinmico de refresco que, cada cierto perodo,
revisa dicha carga y la repone en un ciclo de refresco.
FPM RAM
Fast Page Mode RAM (FPM-RAM) fue inspirado en tcnicas como el Burst Mode usado en
procesadores como el Intel 486,3 se implant un modo direccionamiento en el que el
controlador de memoria enva una sola direccin y recibe a cambio esa y varias
consecutivas sin necesidad de generar todas las direcciones. Esto supone un ahorro de
tiempos ya que ciertas operaciones son repetitivas cuando se desea acceder a muchas
posiciones consecutivas. Funciona como si deseramos visitar todas las casas en una calle:
despus de la primera vez no sera necesario decir el nmero de la calle nicamente seguir
la misma. Se fabricaban con tiempos de acceso de 70 60 ns y fueron muy populares en
sistemas basados en el 486 y los primeros Pentium.
EDO RAM
Extended Data Output RAM (EDO-RAM) fue lanzada al mercado en 1994 y con tiempos de
accesos de 40 o 30 ns supona una mejora sobre FPM, su antecesora. La EDO, tambin es capaz
de enviar direcciones contiguas pero direcciona la columna que va utilizar mientras que se lee la
informacin de la columna anterior, dando como resultado una eliminacin de estados de espera,
manteniendo activo el bferde salida hasta que comienza el prximo ciclo de lectura.
BEDO RAM
Burst Extended Data Output RAM (BEDO-RAM) fue la evolucin de la EDO-RAM y
competidora de la SDRAM, fue presentada en 1997. Era un tipo de memoria que usaba
generadores internos de direcciones y acceda a ms de una posicin de memoria en cada
ciclo de reloj, de manera que lograba un desempeo un 50 % mejor que la EDO. Nunca
sali al mercado, dado que Intel y otros fabricantes se decidieron por esquemas de memoria
VELOCIDAD
La velocidad en memorias DRAM viene limitada por el tiempo que cuesta drenar
(en lectura) o almacenar (en escritura) la corriente en las celdas. En MRAM, se
basa en la medicin de voltajes en lugar de corrientes, por lo que el tiempo de
asentamiento (settling) es mejor. Se ha demostrado que los dispositivos MRAM
tienen accesos en el orden de 2 ns, algo mejores que los de las DRAM ms
avanzadas, que utilizan procesos de fabricacin mucho ms recientes.6 La
diferencia con Flash es mucho ms acusada, con rendimientos similares en lectura,
pero miles de veces mejor en escritura.
SDRAM (Synchronous Dynamic Random-Access Memory,) memoria de acceso aleatorio
dinmica sincrnica (DRAM) que tienen una interfaz sncrona, usadas ya desde principios
de 1970.
XDR DRAM (eXtreme Data Rate Dynamic Random Access Memory) es una
implementacin de alto desempeo de las DRAM, el sucesor de las memorias
Rambus RDRAM y un competidor oficial de las
tecnologas DDR2 SDRAM y GDDR4. XDR fue diseado para ser efectivo en
sistemas pequeos y de alto desempeo que necesiten memorias de alto desempeo
as como en GPUs de alto rendimiento.
CAPACIDAD
Nombre
Velocidad
estndar
del bus
Tiempo
entre
seales
Velocidad
del mdulo
Datos
Nombre
Mxima
transferidos
del
capacidad de
por segundo
mdulo
transferencia
SDR-66
15 ns
66,6 MHz
66 Millones
PC-66
533 MB/s
SDR-100
10 ns
100 MHz
100 Millones
PC-100
800 MB/s
SDR-133
7,5 ns
133,3 MHz
133 Millones
PC-133
1066 MB/s
Nombre
Frecuencia
Frecuencia de
estndar
deBus
memoria
Datos
Nombre
transferidos por
del
segundo
mdulo
Mxima capacidad de
transferencia
100 MHz
200 Millones
PC-1600
133 MHz
266 Millones
PC-2100
166 MHz
333 Millones
PC-2700
200 MHz
400 Millones
PC-3200
DDR2 SDRAM funcionan con 4 bits por ciclo, es decir 2 de ida y 2 de vuelta en
un mismo ciclo mejorando sustancialmente el ancho de banda potencial bajo la
misma frecuencia de una DDR SDRAM tradicional (si una DDR a 200 MHz reales
entregaba 400 MHz nominales, la DDR2 por esos mismos 200 MHz reales entrega
800 MHz nominales). Este sistema funciona debido a que dentro de las memorias
hay un pequeo buffer que es el que guarda la informacin para luego transmitirla
fuera del mdulo de memoria.
VELOCIDAD Y CAPACIDAD
Operan tanto en el flanco alto del reloj como en el bajo, en los puntos de 0 voltios y
1,8 voltios, lo que reduce el consumo de energa en aproximadamente el 50 por ciento
del consumo de las DDR, que funcionaban a 0 y 2,5 voltios.
DDR3 SDRAM DDR3 SDRAM permite usar integrados de 1 MiB a 8 GiB, siendo
posible fabricar mdulos de hasta 16 GiB. Los DDR3 tienen 240 contactos, los
DIMMs son fsicamente incompatibles, debido a una ubicacin diferente de la
muesca.
CAPCIDAD
DDR3 SDRAM permite usar integrados de 1 MiB a 8 GiB, siendo posible fabricar
mdulos de hasta 16 GiB.
CAPACIDAD
La capacidad de transferir simultneamente datos por dos canales distintos en un
mismo ciclo de reloj. Los mdulos DDR soportan una capacidad mxima de 1 GiB (1
073 741 824 bytes).
MODULOS
DIMM son reconocibles externamente por tener cada contacto (o pin) de una de sus
caras separado del opuesto de la otra, a diferencia de los SIMM en que cada
contacto est unido a su opuesto. La disposicin fsica de los DIMM duplica el
nmero de contactos diferenciados con el bus. Los mdulos DIMM comenzaron a
reemplazar a los SIMM como el tipo predominante de memoria cuando
los microprocesadores IntelPentium tomaron dominio del mercado. Un DIMM
puede comunicarse con la cach a 64 bits (y algunos a 72 bits), a diferencia de los
32 bits de los SIMM.
SO-DIMM tienen 100, 144 200 pines. Los de 100 pines soportan transferencias
de datos de 32 bits, mientras que los de 144 y 200 lo hacen a 64 bits. Estas ltimas
se comparan con los DIMM de 168 pines (que tambin realizan transferencias de
64 bits). A simple vista se diferencian porque las de 100 tienen 2 hendiduras gua,
las de 144 una sola hendidura casi en el centro y las de 200 una hendidura parecida
a la de 144 pero ms desplazada hacia un extremo.
TECNOLGAS
Cantida
d de
pines
Tipos
de
DIMM
072
Usados por:
Observaciones
SODIMM
FPM-DRAM y EDO-DRAM
100
DIMM
printer SDRAM
144
SODIMM
SDR SDRAM
168
DIMM
SDR SDRAM
172
MicroDIMM
DDR SDRAM
184
DIMM
DDR SDRAM
200
SODIMM
DDR SDRAM
y DDR2 SDRAM
204
SODIMM
DDR3 SDRAM
Cantida
d de
pines
240
244
Tipos
de
DIMM
DIMM
MiniDIMM
Usados por:
DDR2
SDRAM, DDR3 SDRAM
y Fully Buffered DIMM (FBDIMM) DRAM
DDR2 SDRAM
Observaciones