ANTONIO JAVIER GUERRERO ANGULO

TRANSISTOR IGBT
El transistor IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) es un semiconductor de caractersticas
combinadas de los transistores MOSFET y los BJT esto es: tiene la capacidad de excitarse como
un MOSFET a la par que tiene las propiedades de conduccin de corriente de un BJT. Por ello
son capaces de manejar altas tensiones de bloqueo, conducir intensidades bastante elevadas y
ser controlado con facilidad mediante tensin.

FUNCIONAMIENTO
En el estado de bloqueo la tensin VGS es nula. Al aplicar un voltaje VGS en la puerta el transistor
IGBT comienza a conducir, la corriente ID es mayor cuanto mayor es la tensin aplicada a la
puerta siempre y cuando el drenador est polarizado positivamente frente al surtidor. Si esto
no es as, estaremos en la regin de VDS negativa y el transistor trabajar en la zona de corte. No
conducir ninguna corriente.
Si la tensin de bloqueo VDS supera un cierto valor mximo tanto en el umbral de trabajo positivo
como negativo, el dispositivo entrar en avalancha.

Figura 1. Curva de funcionamiento del IGBT

Figura 2. Representacin simblica del transistor IGBT.

a) Como BJT

b) Como MOSFET