Professional Documents
Culture Documents
MOSFET
MOSFET daya
dalam kemasan D2PAK
Simbol
Pengayaan kanal-P
Pemiskinan kanal-P
Pengayaan kanal-N
Pemiskinan kanal-N
Tipe
Komponen aktif
Kategori
Transistor FET
Penemu
Komponen
sejenis
Kemasan
1Etimologi
2Komposisi
3Simbol sirkuit
4Operasi MOSFET
o
4.1Struktur SemikonduktorLogamOksida
4.3Moda operasi
4.3.2Moda trioda
4.4Moda penjenuhan
5.1.1FinFET
5.3Logika NMOS
5.4MOSFET daya
5.5DMOS
6Referensi
7Pranala luar
Etimologi[sunting
| sunting sumber]
Kata 'logam' pada nama yang sekarang digunakan sebenarnya merupakan nama yang salah karena
bahan gerbang yang dahulunya lapisan logam-oksida sekarang telah sering digantikan dengan
lapisan polisilikon (polikristalin silikon). Sebelumnyaaluminium digunakan sebagai bahan gerbang
sampai pada tahun 1980 -an ketika polisilikon mulai dominan dengan kemampuannya untuk
membentuk gerbang menyesuai-sendiri. Walaupun demikian, gerbang logam sekarang digunakan
kembali karena sulit untuk meningkatkan kecepatan operasi transistor tanpa pintu logam.
IGFET adalah peranti terkait, istilah lebih umum yang berarti transistor efek-medan gerbangterisolasi, dan hampir identik dengan MOSFET, meskipun dapat merujuk ke semua FET dengan
isolator gerbang yang bukan oksida. Beberapa menggunakan IGFET ketika merujuk pada perangkat
dengan gerbang polisilikon, tetapi kebanyakan masih menyebutnya MOSFET.
Komposisi[sunting
| sunting sumber]
Biasanya bahan semikonduktor pilihan adalah silikon, namun beberapa produsen IC, terutama IBM,
mulai menggunakan campuran silikon dan germanium (SiGe) sebagai kanal MOSFET. Sayangnya,
banyak semikonduktor dengan karakteristik listrik yang lebih baik daripada silikon,
seperti galium arsenid (GaAs), tidak membentuk antarmuka semikonduktor-ke-isolator yang baik
sehingga tidak cocok untuk MOSFET. Hingga kini terus diadakan penelitian untuk membuat isolator
yang dapat diterima dengan baik untuk bahan semikonduktor lainnya.
Untuk mengatasi peningkatan konsumsi daya akibat kebocoran arus gerbang, dielektrik tinggi
menggantikan silikon dioksida sebagai isolator gerbang, dan gerbang logam kembali digunakan
untuk menggantikan polisilikon[1].
Gerbang dipisahkan dari kanal oleh lapisan tipis isolator yang secara tradisional adalah silicon
dioksida, tetapi yang lebih maju menggunakan teknologi silicon oxynitride. Beberapa perusahaan
telah mulai memperkenalkan kombinasi dielektrik tinggi + gerbang logam di teknologi 45
nanometer.
Simbol sirkuit[sunting
| sunting sumber]
Berbagai simbol digunakan untuk MOSFET. Desain dasar umumnya garis untuk saluran dengan
kaki sumber dan cerat meninggalkannya di setiap ujung dan membelok kembali sejajar dengan
kanal. Garis lain diambil sejajar dari kanal untuk gerbang. Kadang-kadang tiga segmen garis
digunakan untuk kanal peranti moda pengayaan dan garis lurus untuk moda pemiskinan.
Sambungan badan jika ditampilkan digambar tersambung ke bagian tengan kanal dengan panah
yang menunjukkan PMOS atau NMOS. Panah selalu menunjuk dari P ke N, sehingga NMOS (kanalN dalam sumur-P atau substrat-P) memiliki panah yang menunjuk kedalam (dari badan ke kanal).
Jika badan terhubung ke sumber (seperti yang umumnya dilakukan) kadang-kadang saluran badan
dibelokkan untuk bertemu dengan sumber dan meninggalkan transistor. Jika badan tidak
ditampilkan (seperti yang sering terjadi pada desain IC desain karena umumnya badan bersama)
simbol inversi kadang-kadang digunakan untuk menunjukkan PMOS, sebuah panah pada sumber
dapat digunakan dengan cara yang sama seperti transistor dwikutub (keluar untuk NMOS, masuk
untuk PMOS).
Kanal-P
Kanal-N
JFET
MOSFET pengayaan
MOSFET pemiskinan
Untuk simbol yang memperlihatkan saluran badan, di sini dihubungkan internal ke sumber. Ini
adalah konfigurasi umum, namun tidak berarti hanya satu-satunya konfigurasi. Pada dasarnya,
MOSFET adalah peranti empat saluran, dan di sirkuit terpadu banyak MOSFET yang berbagi
sambungan badan, tidak harus terhubung dengan saluran sumber semua transistor.
Operasi MOSFET[sunting
| sunting sumber]
oksida silikon merupakan bahan dielektrik, struktur MOS serupa dengan kondensator planar dengan
salah satu elektrodenya digantikan dengan semikonduktor.
Ketika tegangan diterapkan membentangi struktur MOS, tegangan ini mengubah penyebaran
muatan dalam semikonduktor. Umpamakan sebuah semikonduktor tipe-p (dengan NA merupakan
kepadatan akseptor, p kepadatan lubang; p = NA pada badan netral), sebuah tegangan positif
dari gerbang ke badan membuat lapisan pemiskinan dengan memaksa lubang bermuatan positif
untuk menjauhi antarmuka gerbang-isolator/semikonduktor, meninggalkan daerah bebas pembawa.
Jika
cukup tinggi, kepadatan tinggi pembawa muatan negatif membentuk lapisan inversi
dibawah antarmuka antara semikonduktor dan isolator. Umumnya, tegangan gerbang dimana
kepadatan elektron pada lapisan inversi sama dengan kepadatan lubang pada badan disebut
tegangan ambang.
Struktur badan tipe-p ini adalah konsep dasar dari MOSFET tipe-n, yang mana membutuhkan
penambahan daerah sumber dan cerat tipe-n.
keduanya harus dari tipe yang sama, dan berlawanan tipe dengan daerah badan. Daerah sumber
dan cerat yang dikotori berat biasanya ditandai dengan '+' setelah tipe pengotor. Sedangkan daerah
yang dikotori ringan tidak diberikan tanda.
Jika MOSFET adalah berupa salur-n atau NMOS FET, lalu sumber dan cerat adalah daerah 'n+' dan
badan adalah daerah 'p'. Maka seperti yang dijelaskan di atas, dengan tegangan gerbang yang
cukup, di atas harga tegangan ambang, elektron dari sumber memasuki lapisan inversi atau salurn pada antarmuka antara daerah-p dengan oksida. Kanal yang menghantar ini merentang di antara
sumber dan cerat, dan arus dialirkan melalui kanal ini jika ada tegangan yang dikenakan di antara
sumber dan cerat.
Jika tegangan gerbang dibawah harga ambang, kanal kurang terpopulasi dan hanya sedikit arus
bocoran praambang yang dapat mengalir dari sumber ke cerat.
dengan
= kapasitansi dari lapisan pemiskinan dan
= kapasitansi dari lapisan
oksida.
Beberapa sirkuit daya-mikro didesain untuk mengambil keuntungan dari bocoran
praambang.[7][8][9] Dengan menggunakan daerah inversi-lemah, MOSFET pada sirkuit
tersebut memberikan perbandingan transkonduktansi terhadap arus yang tertinggi (
), hampir seperti transistor dwikutub. Sayangnya lebar-jalur rendah
dikarenakan arus penggerak yang rendah.[10][11]
Irisan MOSFET dalam noda linier (ohmik), daerah inversi kuat terlihat bahkan
didekat cerat
Irisan MOSFET dalam moda penjenuhan (aktif), terdapat takik didekat cerat
dimana
adalah pergerakan efektif pembawa muatan,
adalah lebar gerbana,
adalah panjang gerbang dan
adalah kapasitansi oksida gerbang tiap unit luas. Transisi
dari daerah eksponensial praambang ke daerah trioda tidak setajam seperti yang
diperlihatkan perhitungan.
Tipe MOSFET
lainnya[sunting |
sunting
sumber]
MOSFET gerbang
ganda[sunting | sunting sumber]
MOSFET gerbang ganda mempunyai
konfigurasi tetroda, dimana semua
gerbang mengendalikan arus dalam
peranti. Ini biasanya digunakan untuk
peranti isyarat kecil pada penggunaan
frekuensi radio dimana gerbang kedua
gerang keduanya digunakan sebagai
pengendali penguatan atau
pencampuran dan pengubahan
frekuensi.
FinFET[sunting | sunting sumber]
MOSFET moda
pemiskinan[sunting | sunting
sumber]
Peranti MOSFET moda pemiskinan
adalah MOSFET yang dikotori
sedemikian rupa sehingga sebuah
kanal terbentuk walaupun tidak ada
tegangan dari gerbang ke sumber.
Untuk mengendalikan kanal, tegangan
negatif dikenakan pada gerbang untuk
peranti salur-n
sehingga "memiskinkan" kanal, yang
mana mengurangi arus yang mengalir
melalui kanal. Pada dasarnya, peranti
ini ekivalen dengan sakelar normalhidup, sedangkan MOSFET moda
pengayaan ekivalen dengan sakelar
normal-mati.[17]
Karena peranti ini kurang berdesah
pada daerah RF dan penguatan yang
lebih baik, peranti ini sering digunakan
pada peralatan elektronik RF.