Professional Documents
Culture Documents
V22
RL
1
Junction Field Effect Transistor
Simbol : Simbol :
JFET Kanal n JFET Kanal p
2
Junction Field Effect Transistor
JFET pada kondisi Non saturasi (ohmic region)
Berlaku :
W
I D = AqN D µ n E x = 2bWqN D µ n = 2bqN D µ n
L
Dimana :
2b = sisa lebar kanal setelah ada
depletion region
W = lebar
L = lebar kanal
Pada kondisi ini JFET akan berperilaku seperti resistor yang nilainya
bergantung pada VGS
ID bergantung pada W/L yang disebut sebagai faktor skala arus dari JFET
Rasio perbandingan VDS = rDS (ON ) disebut sebagai ON drain resistance ,
ID
3
Junction Field Effect Transistor
JFET pada kondisi breakdown
Nilai tegangan maksimum yang dapat diberikan pada JFET adalah nilai
tegangan minimum yang akan mengakibatkan avalanche breakdown.
Dari karakteristik volt ampere JFET dapat diketahui bahwa untuk nilai reverse
biased VGS yang semakin besar maka kondisi breakdown terjadi untuk nilai VDS
yang lebih rendah.
JFET pada kondisi cutoff
Pada kondisi ini maka JFET akan berperilaku seperti open switch
Pada kondisi tegangan |VGS| > |VP|, maka ID ≈ 0 dan VDS dapat bernilai besar.
Karakteristik Volt Ampere JFET Kanal N
7
Karakteristik Volt Ampere JFET Kanal n
ID
IDSS
VP
-VGS
4
Metal Oxide Semiconductor FET (MOSFET)
Bagan Depletion MOSFET
Depletion MOSFET kanal N
S G D(+)
body
Silikon
---------
n --------- n Dioksida
(SiO2)
Kanal n
substrat tipe p
- + + -
- + + -
- + + -
- + + -
G substrat
S
Depletion Mosfet tipe N
(Depletion NMOS)
G substrat
S
Depletion Mosfet tipe P
(Depletion PMOS)
10
5
Metal Oxide Semiconductor FET (MOSFET)
S G D(+) S G(-) D (+)
body body
Silikon
Dioksida
---------
---------
(SiO2) ---------
n n n --- n
Kanal n Kanal n
substrat tipe p substrat tipe p
Silikon
Dioksida
---------
---------
(SiO2) ---------
-- -- -- - - - - - -
n n n n
Kanal n Kanal n
substrat tipe p substrat tipe p
12
6
Metal Oxide Semiconductor FET (MOSFET)
Karakteristik Volt Ampere MOSFET kanal N (Depletion NMOS)
W 2 • Kondisi Non Saturasi :
ID (µA)
I D = k VDS
L
W
VGS=+2,0 [
I D = k 2(VGS − VT )VDS − VDS
L
2
]
300
+1,5 • Kondisi Saturasi :
250
Enhancement W 2
200 +1,0 ID = k (VGS − VT ) ≡ I DS
150 L
+0,5 Dimana :
100 k = process parameter
0
-0,5
L = Panjang kanal
50
VGS=-1,0 Depletion W = Lebar kanal dengan panjang
kanal L
1 2 3 4 5 6 VDS (V)
MOSFET :
Jenis : Depletion MOSFET kanal n (Depletion NMOS)
k = 20µA/V2 ; W/L = 1 ; VT = -2 V
Asumsi : channel length modulasi diabaikan sehingga nilai ID
konstan pada kondisi saturasi 13
Depletion Enhancement
• Kondisi VGS < VT :
300 • ID ≈ 0
250
• Kondisi VGS > VT ; VDS = VGS-VT ; VDS ≥ 0
200
W
• ID = k (VGS − VT )
2
150
L
100 Dimana :
IDSS k = process parameter
50
VT L = Panjang kanal
VGS (V) W = Lebar kanal dengan panjang
-3 -2 -1 1 2 3
kanal L
MOSFET:
Depletion MOSFET kanal n (Depletion NMOS)
k = 20µA/V2 ; W/L = 1 ; VT = -2 V
14
7
Metal Oxide Semiconductor FET (MOSFET)
Enhancement MOSFET
Bagan Enhancement MOSFET
S G D S G D
body body
Silikon
Dioksida
L L
Simbol :
15
Silikon
Dioksida
--------- ---------
--------- ----
16
8
Metal Oxide Semiconductor FET (MOSFET)
Karakteristik Fungsi Transfer VGS dan ID Enhancement MOSFET kanal n
(Enhancement NMOS)
ID (µA)
• Kondisi VGS < VT :
• ID ≈ 0
300
• Kondisi VGS > VT ; VDS = VGS-VT ; VDS ≥ 0 :
250
W
200 • I D = k (VGS − VT ) 2
150 L
Dimana :
100 k = process parameter
L = Panjang kanal
50
VT W = Lebar kanal dengan panjang
VGS (V) kanal L
1 2 3 4 5 6
Mosfet memiliki :
Enhancement MOSFET kanal n (Enhancement NMOS)
k = 20µA/V2 ; W/L = 1 ; VT = 2 V
Asumsi : channel length modulasi diabaikan sehingga nilai ID
konstan pada saturasi
17
Mosfet memiliki :
Enhancement MOSFET kanal n (Enhancement NMOS)
k = 20µA/V2 ; W/L = 1 ; VT = 2 V
Asumsi : channel length modulasi diabaikan sehingga nilai ID
konstan pada saturasi 18
9
Metal Oxide Semiconductor FET (MOSFET)
Enhancement MOSFET
Kanal N (Enhancement NMOS)
Dari bagan dan karakteristik volt ampere dapat diketahui bahwa :
Lapisan inversi (kanal) pada VDS = 0 hanya akan muncul jika VGS > VT. Pada VGS <
VT lapisan inversi tersebut tidak akan tersedia dan ID = 0, sehingga VT adalah serupa
dengan tegangan pinch off pada JFET. Kondisi ID =0 karena VGS < VT adalah kondisi
cut off dari MOSFET.
Pada kondisi non saturasi (ohmic) maka :
(VGS – VT > VDS) atau (VGD = VGS – VDS > VT)
W
[
I D = k 2(VGS − VT )VDS − VDS
L
2
]
Dimana :
µ n Co
k = process parameter =
2
L = Panjang kanal
W = Lebar kanal dengan panjang kanal L
µn = mobilitas elektron
Co = gate capacitance (kapasitansi gerbang) per unit area
19
W 2
I D = k (VGS − VT ) ≡ I DS
L
Garis pembatas daerah ohmic dan saturasi
terjadi pada VDS = VGS – VT dan besar
ID pada tegangan VDS ini adalah :
W 2
W 2 I D = k VDS
I D = k VDS L
L
20
10
Metal Oxide Semiconductor FET (MOSFET)
Karakteristik Enhancement MOSFET kanal P (Enhancement PMOS)
ID (mA)
-30
• Kondisi VGS < VT ; VDS = VGS-VT ; VDS ≤ 0 :
W 2
-20 • I D = −k (VGS − VT )
L
-10 Dimana :
VT k = process parameter
-4 -8 -12 -16 -20
VGS (V) L = Panjang kanal
W = Lebar kanal dengan panjang
kanal L
Dari kurva karakteristik dapat dilihat bahwa PMOS serupa dengan NMOS
dengan polaritas VDS dan IDS yang terbalik, dan pembawa muatan dalam
PMOS adalah hole.
21
W
VGS=-20 I D = −k
L
[
2(VGS − VT )VDS − VDS
2
]
-40
-18 • Kondisi Saturasi :
-30
-16
W 2
I D = − k (VGS − VT ) ≡ I DS
-20 -14
L
-12 Dimana :
-10 -10
VGS=-4 V k = process parameter
-8 L = Panjang kanal
VGS= -6
VDS (V)
W = Lebar kanal dengan panjang
-10 -20 -30 -40 kanal L
Dari kurva karakteristik dapat dilihat bahwa PMOS serupa dengan NMOS
dengan polaritas VDS dan IDS yang terbalik, dan pembawa muatan dalam
PMOS adalah hole.
22
11