Professional Documents
Culture Documents
ice
1). Sǎ se proiecteze un amplificator operaţional Miller cu urmǎtoarele specificaţii:
GBW =10MHz, SR=15V/µs, CL =3pF, fzp =10GBW, mφ =60◦ şi VDD = -VSS =1,5V.
Lungimea canalului tranzistoarelor se considerǎ L=1µm. Tensiunea de overdrive a
tranzistoarelor care nu rezultǎ din calcul se recomandǎ sǎ fie Vod =200mV. Tranzistoa-
g
rele de intrare sunt de tipul NMOS.
alo
M ID W/L Vod VT h
NMOS 50µA 10µm/1µm 175mV 450mV
PMOS 50µA 20µm/1µm 225mV 450mV
An
Tabelul 1: Parametrii tranzistoarelor
VDD
e
at
M3 M4
r
eg
M6
Vout
M1 M2 CM
t
Im Ip CL
In
M5
M7
Vbiasn
ite
VSS
Figura 1
r cu
Rezolvare:
Conform expresiilor lui GBW si fzp şi ţinând cont de relaţia dintre frecvenţa zeroului
şi GBW datǎ ı̂n specificaţii, vom avea:
1
Gm1
GBW =
2πCM
ice
(1)
Gm2
⇒
fzp =
Gm2 = 10Gm1
2πCM
g
Determinarea raportului dintre frecvenţa polului al doilea şi produsul amplificare-
bandǎ, se face dupǎ cum urmeazǎ:
alo
◦ GBW GBW
mφ = 90 − arctan − arctan ⇔
fp2 fzp
An
GBW ◦ −1 GBW
= tan 90 − mφ − tan ⇒ fp2 ≥ 2, 22GBW (2)
fp2 fzp
Ţinând cont de acest rezultat, de legǎtura dintre transcoductanţele celor douǎ etaje şi
e
de expresiile lui GBW si fp2 , rezultǎ relaţia dintre capacitatea Miller şi cea de sarcinǎ:
at
Gm1
GBW =
2πCM
r
(3)
G
eg
fp2 = m2 ⇒ CM ≥ 0, 22CL
2πCL
t
Pe baza acestei relaţii şi ştiind cǎ CL = 10pF , putem alege capacitatea de compensare
CM = 2, 5pF .
In
I5
SR = ⇒ I5 = SR · CM = 37, 5µA (4)
r cu
CM
Gm1
GBW = ⇒ Gm1 = 2πCM · GBW = 157µS ⇒ gm1 = 157µS (5)
2πCM
Am arǎtat anterior cǎ ı̂ntre transconductanţele celor douǎ etaje exitǎ relaţia:
2
Gm2 = 10Gm1 = 1, 57mS ⇒ gm6 = 1, 57mS (6)
ice
Ştiind valorile transconductanţei şi a curentului prin M1 , putem afla tensiunea de
overdrive a acestui tranzistor:
g
2I1 I5 I5
alo
gm1 = = ⇒ Vod1 = = 239mV (7)
Vod1 Vod1 gm1
An
Folosind setul de referinţǎ pentru tranzistoare NMOS (I = 50µA, Vod = 175mV ,
W/L = 10µ/1µ) se face o scalare pentru a obţine setul de parametrii doriţi (I1 =
18, 75µA, Vod1 = 239mV, W1 /L1 ):
50µ
=
10L1
·
175m
e2
⇒
W1
=2=
2µ
(8)
at
18, 75µ W1 239m L1 1µ
2
50µ 10L5 175m W5 5, 7µ
= · ⇒ = 5, 7 = (9)
In
37, 5µ W5 200m L5 1µ
Din nou scalǎm, de data aceasta folosind setul de referinţǎ pentru tranzistoare PMOS
(I = 50µA, Vod = 225mV, W/L = 20µ/1µ). Parametrii doriţi sunt
(I3 = 18, 75µA, Vod3 = 200mV, W3 /L3 ):
r cu
2
50µ 20L3 225m W3 9, 5µ
= · ⇒ = 9, 5 = (10)
18, 75µ W3 200m L3 1µ
Ci
Pasul 8: Calculul curentului prin etajul al doilea de câştig şi dimensionarea lui M6 .
3
Vod3 = Vod4 = Vod6 = 200mV (11)
ice
2I6 1
gm6 = ⇒ I6 = · gm6 · Vod6 157µA (12)
Vod6 2
g
Raportul dintre lǎţimea şi lungimea canalului lui M6 se poate calcula:
alo
2
50µ 20L6 225m W6 80µ
= · ⇒ = 80 = (13)
157µ W6 200m L6 1µ
An
Pasul 9: Dimensionarea lui M7 .
2
50µ 10L7 175m W7 23, 8µ
= · ⇒ = (14)
157µ W7 200m e L7 1µ
relor care nu rezultǎ din calcul se considerǎ Vod =200mV. Intrarea se face pe tranzistoare
NMOS.
b). Desenaţi caracteristicile de amplitudine şi fazǎ pentru circuitul proiectat, consi-
ite
Solutie: a). Se repetǎ paşii de proiectare de la problema 1), iar ı̂n final se obţin
dimensiunile tuturor tranzistoarelor din schemǎ.
Ci
4
Gm1 = gm1 = 314, 16µS , Gm2 = gm6 = 942, 47µS
W1 4µ W5 11, 4µ W3 19µ
ice
= , = , =
L1 1µ L5 1µ L3 1µ
W6 47, 7µ W7 14, 3µ
= , =
L6 1µ L7 1µ
g
Vbiasn = 0, 65V (17)
alo
b). Frecvenţele singularitǎţilor se calculeazǎ conform urmatoarelor relaţii:
GBW
An
fp1 = = 10kHz
A0
fp2 = gm6 = 50M Hz
2πCL (18)
fzp = 3GBW = 30M Hz
e
at
GBW = 10M Hz
r
60
eg
fp1=10kHz
40 fp2=50MHz
fzp=30MHz
20 GBW=10MHz
t
0 A0=60dB
In
-20
-40
ite
-60
0d
-30d
r cu
-60d
-90d
-120d
-150d
-180d
Ci
-210d
-240d
-270d
100Hz 1.0KHz 10KHz 100KHz 1.0MHz 10MHz 100MHz 1.0GHz
Figura 2
5
Diagramele Bode sunt desenate ı̂n Figura 2.
c). Schema echivalentǎ de semnal mic şi ı̂naltǎ frecvenţǎ este datǎ ı̂n Figura 3, iar
expresiile parametrilor sunt conform sistemului (19).
ice
V1
g
CM Vout
Vin
alo
Gm1Vin R1 C1 Gm2V1 R2 CL
An
Figura 3
Gm1 = gm1
R1 = rDS2 || rDS4
e
at
C1 = CBD2 + CBD4 + CGS6 + CGD6 (Gm2 R2 ) (19)
Gm2 = gm6
r
R2 = rDS6 || rDS7
eg
VDD
t
In
M7
Vbiasp M5
Vout
ite
M1 M2 CM
Im Ip CL
M6
r cu
M3 M4
VSS
Ci
Figura 4
6
gimea canalului tranzistoarelor se va lua L=0,5µm. Tensiunea de overdrive a tranzis-
toarelor care nu rezultǎ din calcul se considerǎ Vod =200mV. Intrarea se face pe tran-
zistoare PMOS. Care este domeniul de variaţie a tensiunii de ieşire, dacǎ amplitudinea
semnalului la ieşire este Vsemn =0,4V.
ice
Rezolvare: vom urma aceeaşi paşi de proiectare ca la problema 1).
g
Pasul 1: Determinarea capacitǎţii de compensare ı̂n raport cu cea de sarcinǎ.
alo
CM ≥ 0, 59CL (20)
Pe baza acestei relaţii şi ştiind cǎ CL = 5pF , putem alege capacitatea de compensare
CM = 3pF .
An
Pasul 2: Calculul curentului de polarizare a etajului diferenţial.
I5
SR = ⇒ I5 = SR · CM = 75µA
e (21)
CM
at
Pasul 3: Calculul valorilor transconductanţelor celor douǎ etaje.
r
Gm1
GBW = ⇒ Gm1 = 2πCM · GBW = 283µS (22)
eg
2πCM
2I1 I5 I5
gm1 = = ⇒ Vod1 = = 265mV (24)
Vod1 Vod1 gm1
r cu
2
50µ 20L1 225m W1 5, 4µ
= · ⇒ = 10, 8 = (25)
37, 5µ W1 265m L1 0, 5µ
Ci
2
50µ 20L5 225m W5 19µ
= · ⇒ = 38 = (26)
75µ W5 200m L5 0, 5µ
7
Pasul 7: Dimensionarea tranzistoarelor M3 -M4 .
2
50µ 10L3 175m W3 2, 8µ
= · ⇒ = 5, 7 = (27)
ice
37, 5µ W3 200m L3 0, 5µ
Pasul 8: Determinarea curentului prin etajul al doilea de câştig şi dimensionarea lui
M6 . Stiind ca Vod3 = Vod4 = Vod6 = 200mV , rezulta:
g
alo
Din formula transconductanţei pentru M6 , rezultǎ curentul prin acest tranzistor.
2I6 1
gm6 = ⇒ I6 = · gm6 · Vod6 = 140µA (28)
Vod6 2
An
Facem o nouǎ scalare pentru a obţine dimensiunea lui M6 :
2
50µ 10L6 175m W6 10, 6µ
= · ⇒ = 21, 2 = (29)
140µ W6 200m e L6 0, 5µ
= · ⇒ = 70, 8 = (30)
140µ W7 200m L7 0, 5µ
eg
Pasul 11: Pentru a asigura regimul de saturaţie a tranzistoarelor se ia VDS = Vod +∆V ,
iar ∆V = 100mV . În acest caz, domeniul de variaţie a tensiunii de ieşire este:
ite
VoutM IN = VSS + VDS6 + Vsemn = −1, 2 + (0, 2 + 0, 1) + 0, 4 = −0, 5
(32)
r cu
tranzistoarelor este L=1µm. Curentul prin ramurile etajului cascodǎ este Icas =1,5*Iin .
Intrarea se face pe tranzistoare NMOS.
a). Care este domeniul de variaţie al tensiunii de ieşire, dacǎ amplitudinea semnalului
de ieşire Vsemn =0,5V.
b). Calculaţi tensiunile de polarizare Vbiasn , Vcasp şi Vbiasp .
8
c). Dimensionaţi tranzistoarele din schemǎ.
d). Desenaţi schema echivalentǎ de semnal mic şi ı̂naltǎ frecvenţǎ şi daţi expresiile
parametrilor acesteia.
ice
VDD
M4a
M4b
g
Vbiasp P
alo
M3a
Iin Iin M3b
Vcasp
Icas Icas Vout
An
Mina Minb CL
Ip Im M2a M2b
M5
e
M1a M1b
at
Vbiasn
VSS
r
Figura 5
eg
Rezolvare:
t
a). Valorile tensiunilor de overdrive se aleg Vod = 250mV pentru tranzistoarele de po-
In
Domeniul de variaţie al tensiunii de ieşire trebuie ales astfel ı̂ncât tranzistoarele sǎ fie
polarizate ı̂n regim saturat. Rezultǎ cǎ limitele de variaţie ale tensiunii de ieşire sunt:
r cu
VDD − VoutM AX = VDS3 + VDS4
VoutM AX = VDD − (Vod3 + ∆V ) + (Vod4 + ∆V )
Ci
⇒ VoutM AX = 0, 85V
(33)
VoutM IN − VSS = VDS1 + VDS2
VoutM IN = VSS + Vod1 + Vod2 + 2∆V
⇒V
outM IN = −0, 85V
9
Rezultǎ cǎ variaţia maximǎ vârf la vârf a tensiunii de ieşire este:
M AX M IN
∆Vout = Vout − Vout = 0, 85 − (−0, 85) = 1, 7V (34)
ice
Pentru aplicaţia noastrǎ considerǎm cǎ variaţia vârf la vârf a semnalului de ieşire este
de 1V . Aceasta este mai micǎ decât valoarea teoreticǎ maximǎ calculatǎ ı̂n (34).
g
b). Calculul tensiunii continue la iesire si apoi a tensiunilor de polarizare din grilele
tranzistoarelor se face in condiţiile ı̂n care tensiunile de mod comun la intrare şi ieşire
alo
sunt egale, Vin =Vout .
An
M5 sǎ funcţioneze ı̂n regim saturat.
Pe de altǎ parte, valoarea minimǎ a tensiunii continue la ieşire se poate obţine conform
t
ecuaţiei (37). Ţinem seama de faptul cǎ amplitudinea semnalului de ieşire, notatǎ cu
In
M IN
Vout − VSS = VDS1 + VDS2 + Vsemn , (37)
ite
unde:
(
VDS1 = Vod1 + ∆V = 0, 16 + 0, 1 = 0, 26V
r cu
(38)
VDS2 = Vod2 + ∆V = 0, 2 + 0, 1 = 0, 3V
M IN
De aceastǎ datǎ, rezultǎ Vout =-0,35V.
Ci
Valoarea minimǎ a tensiunii continue care acoperǎ ambele valori parţiale calculate mai
sus este VinM IN = Vout
M IN
=-0,35V.
10
Limita superioarǎ a domeniului de variaţie a tensiunii continue la ieşire trebuie sǎ
permitǎ funcţionarea tranzistoarelor M3 şi M4 ı̂n regim saturat, ı̂n condiţiile ı̂n care
semnalul de ieşire atinge valoarea sa maximǎ.
ice
M AX
VDD − Vout + Vsemn = VSD3 + VSD4 , (39)
unde:
g
(
VSD3 = Vod3 + ∆V = 0, 3V
alo
(40)
VSD4 = Vod4 + ∆V = 0, 35V
M AX
Rezultǎ valoarea maximǎ a tensiunii continue la iesire, ca fiind Vout =0,35V.
An
Teoretic, tensiunea continuǎ la ieşire poate fi ı̂n intervalul -0,35V şi +0,35V. Pentru
maximizarea domeniului de variaţie a semnalului de ieşire alegem Vin = Vout =0V.
Pentru calculul tensiunilor de polarizare Vbiasp , Vcasp si Vbiasn , mai ı̂ntâi stabilim cǎderile
e
de tensiune pe fiecare tranzistor din schemǎ, astfel ı̂ncât ele sǎ fie polarizate ı̂n regim
at
saturat. În aceste condiţii, tensiunile drenǎ-sursǎ se aleg cu o margine de 100mV faţǎ
de tensiunile de overdrive.
r
Deoarece schema este simetricǎ, tranzistoarelor M1 -M2 şi M3 -M4 vom aloca 1,5V. Vom
eg
repartiza mai mult spatiu ı̂n tensiune tranzistoarelor cascodǎ. Prin urmare, alegem
VDS1 = VSD4 =0,5V şi VDS2 = VSD3 =1V.
t
Tensiunea VDS5 este condiţionatǎ de valoarea tensiunii continue la intrare şi se calcu-
leazǎ conform ecuaţiei:
In
În Figura 6 sunt marcate tensiunile drenǎ-sursǎ şi curenţii prin tranzistoare.
Acum se pot calcula tensiunile de polarizare:
r cu
Vbiasn − VSS = VGS5 ⇒ Vbiasn = −0, 8V
VDD − Vbiasp = VSG4 ⇒ Vbiasp = 0, 8V (42)
VDD − Vcasp = VSD4 + VSG3 ⇒ Vcasp = 0, 35V
Ci
11
VDD=1,5V
M4a 0,5V
M4b
Vbiasp
ice
M3a 1V
1,61V M3b
Vcasp
g
Vout
Mina Minb
alo
Ip Im M2a M2b CL
1V
An
Vbiasn 0,5V
VSS=-1,5V
Figura 6
e
c). Dimensionarea tranzistoarelor AO cascodǎ pliatǎ este structuratǎ pe paşi. Aceştia
at
sunt prezentaţi ı̂n cele ce urmeazǎ:
I5
SR = ⇒ I5 = SR · CL = 200µA (43)
CL
t
In
Curentul prin cele douǎ ramuri ale etajului diferenţial de intrare este egal cu jumǎtate
din curentul prin M5 .
Curentul prin tranzistoarele M4a -M4b este 250µA, conform teoremei lui Kirchhoff pen-
r cu
12
2Iin
gmin = (46)
Vodin
ice
Din ecuaţiile (45) şi (46) rezultǎ valoarea tensiunii de overdrive pentru tranzistoarele
de intrare.
2Iin
g
Vodin = = 160mV (47)
gmin
alo
Pasul 3: dimensionarea tranzistoarelor.
În Tabelul 2 sunt daţi curenţii şi tensiunile de overdrive ale tranzistoarelor din schemǎ.
An
Tip ID Vod VDS
Min 100µA 160mV 1,61V
M1 150µA 250mV 0,5V
M2 150µA 200mV 1V
M3
M4
150µA
250µA
e
200mV
250mV
1V
0,5V
at
M5 200µA 250mV 0,89V
Deoarece curenţii din ramurile circuitului sunt multiplii unui curent unitate, egal cu
50µA, se vor face scalǎri pentru tranzistoarele de tip NMOS şi PMOS având curentul
t
egal cu unitatea şi tensiunea de overdrive de 200mV şi 250mV , dupa caz. Rezultǎ:
In
Wn = 7, 5µ ,
Wp
=
25, 3µ
, pentru Vod = 200mV
Ln
1µ Lp 1µ
(48)
ite
Wn 4, 8µ Wp 16, 2µ
= , = , pentru Vod = 250mV
Ln 1µ Lp 1µ
r cu
M Min M1 M2 M3 M4 M5
Ci
13
d). Schema echivalentǎ de semnal mic şi ı̂nalta frecvenţa este datǎ ı̂n Figura 7, iar
expresiile parametrilor sunt conform sistemului 49.
ice
Vp Vout
g
alo
Figura 7
An
Gm1 = gm1
1
RP ∼
=
gm3
e (49)
CP = CBD4 + CBS3 + CBD1 + CGD4 + CGS3
Gm2 = gm3
at
R = g r r
out || g r r
m2 DS2 DS1 m3 DS3 DS4
r
VDD
eg
M3 M10 M11
Vbiasp
t
In
M8 M9
M1 M2 Vout
Im Ip
ite
M6 M7 CL
Vcasn P
r cu
M4
M5
Vbiasn
VSS
Ci
Figura 8
14
canalului tranzistoarelor este L=1µm. Intrarea se face pe tranzistoare PMOS.
a). Care este domeniul de variaţie al tensiunii de ieşire, dacǎ valoarea tensiunii de
ieşire vârf la vârf diferenţiale este 2V?
b). Calculaţi tensiunile de polarizare Vbiasn , Vcasn şi Vbiasp .
ice
c). Dimensionaţi tranzistoarele din schemǎ.
d). Desenaţi caracteristicile de amplitudine şi fazǎ pentru circuitul proiectat. Prin
simulǎri se obţine câştigul de joasǎ frecvenţǎ A0 =60dB. Se neglijeazǎ efectul Miller pe
g
tranzistoarele de intrare şi perechea pol-zero introdusǎ de oglinda de curent M8 -M9 -
M10 -M11 .
alo
Rezolvare:
An
polarizare M3 , M4 - M5 , M10 -M11 şi Vod = 200mV pentru tranzistoarele cascodǎ M6 -
M7 , M8 -M9 . Tensiunea de overdrive a tranzistoarelor de intrare M1 -M2 rezultǎ Vod =
160mV , dupǎ cum se va aratǎ la punctul c). Adiţional, tensiunea drenǎ-sursǎ a fiecǎrui
tranzistor se alege cu o margine ∆V = 100mV faţǎ de valoarea VDS minimǎ admisǎ.
e
Domeniul de variaţie al tensiunii de ieşire trebuie ales astfel ı̂ncât tranzistoarele sǎ fie
at
polarizate ı̂n regim saturat. Rezultǎ cǎ limitele de variaţie ale tensiunii de ieşire sunt:
M AX
VDD − Vout = VSD9 + VSD11
r
M AX
Vout = VDD − (Vod9 + ∆V ) + (Vod11 + ∆V )
eg
M AX
⇒ Vout
= 2, 35V
(50)
M IN
t
Vout = VDS7 + VDS5
M IN
In
M AX M IN
∆Vout = Vout − Vout = 2, 35 − 0, 65 = 1, 7V (51)
r cu
Variaţia vârf la vârf a semnalului de ieşire este de 1V, deci este mai micǎ decât va-
loarea teoreticǎ maximǎ calculatǎ ı̂n (51). Notam amplitudinea semnalului la iesire cu
Vsemn =0,5V.
Ci
b). Dacǎ tensiunile continue la intrare şi ieşire sunt egale, Vin = Vout , valoarea acestora
se gǎseşte dupǎ cum urmeazǎ:
Limita superioarǎ a domeniului de variaţie a tensiunii continue la intrare trebuie sǎ per-
mitǎ tranzistoarelor M1 -M2 şi lui M3 care polarizeaza etajul diferenţial sǎ funcţioneze
ı̂n regim saturat.
15
VDD − VinM AX = VSD3 + VSG1 ⇒
VinM AX = 3 − (0, 25 + 0, 1) − (0, 45 + 0, 16) = 2, 04V
ice
(52)
Pe de altǎ parte, valoarea tensiunii continue la ieşire se poate obţine conform ecuaţiei
g
(53).
alo
M AX
VDD − Vout = VDS9 + VDS11 + Vsemn ⇒
M AX
Vout = 3 − (0, 2 + 0, 1) − (0, 25 + 0, 1) − 0, 5 = 1, 85V (53)
An
Valoarea maximǎ a tensiunii continue la intrare şi ieşire, care acoperǎ ambele valori
parţiale calculate mai sus este VinM AX = Vout
M AX
=1,85V.
Limita inferioarǎ a domeniului de variaţie a tensiunii continue la ieşire trebuie sǎ per-
e
mitǎ funcţionarea tranzistoarelor M4 -M5 şi M6 -M7 ı̂n regim saturat, ı̂n condiţiile ı̂n
at
care semnalul de ieşire atinge valoarea sa maximǎ.
r
M IN
Vout + Vsemn = VDS5 + VDS7 ⇒
eg
M IN
Vout = (0, 25 + 0, 1) + (0, 2 + 0, 1) + 0, 5 = 1, 15V (54)
Teoretic, tensiunea continuľa ieşire a poate fi ı̂n intervalul 1,15V si 1,85V. Pentru
t
Pentru calculul tensiunilor de polarizare Vbiasp , Vcasn si Vbiasn , mai ı̂ntâi stabilim cǎderile
de tensiune pe fiecare tranzistor din schemǎ, astfel ı̂ncât ele sǎ fie polarizate ı̂n regim
ite
Deoarece schema este simetricǎ, vom aloca 1, 5V tranzistoarelor PMOS, la fel si celor
r cu
NMOS. Repartizam mai mult spatiu ı̂n tensiune tranzistoarelor cascodǎ, deci alegem
VDS4 = VDS5 = VSD10 = VSD11 = 0, 5V şi VDS6 = VDS7 = VSD8 = VSD9 = 1V .
Tensiunea VSD3 este condiţionatǎ de valoarea tensiunii continue la intrare şi se calcu-
Ci
În Figura 9 sunt marcate tensiunile drenǎ-sursǎ şi curenţii prin tranzistoare.
16
VDD=3V
ice
M8 M9 1V
M1 M2 Vout
g
Im Ip
1,61V
M6 M7 CL
alo
Vcasn 1V
M4
M5 0,5V
Vbiasn
An
VSS=0V
Figura 9
Vcasn = VDS4 + VGS6 ⇒ Vcasn = 1, 65V
eg
I3
In
SR = ⇒ I3 = SR · CL = 200µA (57)
CL
Curentul prin cele douǎ ramuri ale etajului diferenţial de intrare este egal cu jumǎtate
ite
I1 = I2 = I3 /2 = 100µA (58)
Curentul prin ramurile etajului de iesire este Icas = 1, 5 ∗ Iin = 150µA.
r cu
Curentul prin tranzistoarele M4 -M5 este 250µA, conform teoremei lui Kirchhoff pentru
curentii din nodul de pliere.
Ci
17
Pe de altǎ parte, transconductanţa lui M1 se poate scrie astfel:
2I1
gm1 = ⇒ Vod1 = 160mV (60)
Vod1
ice
Pasul 3: dimensionarea tranzistoarelor.
În Tabelul 4 sunt daţi curenţii şi tensiunile de overdrive ale tranzistoarelor din schemǎ.
g
alo
Tip ID Vod VDS
M1 -M2 100µA 160mV 1,61V
M10 -M11 150µA 250mV 1V
M8 -M9 150µA 200mV 0,5V
An
M6 -M7 150µA 200mV 1V
M4 -M5 250µA 250mV 0,5V
M3 200µA 250mV 0,89V
Wn = 3, 8µ ,
Wp
=
12, 6µ
, pentru Vod = 200mV
Ln
1µ Lp 1µ
t
(61)
Wn 2, 4µ Wp 8, 1µ
In
= , = , pentru Vod = 250mV
Ln 1µ Lp 1µ
W 5 ∗ 16µ 8, 1µ 2, 4µ 3, 8µ 3, 8µ 12, 6µ
8* 9* 3* 3* 3*
L 1µ 1µ 0, 5µ 0, 5µ 1µ 1µ
d). Circuitul are un pol dominant introdus de rezistenţa şi capacitatea echivalentǎ a
nodului de ieşire şi un pol de ı̂naltǎ frecvenţǎ datorat nodului de pliere. Frecvenţele
singularitǎtilor sunt:
18
fp1 = GBW = 50kHz
A0
ice
gm6 (62)
fp2 = = 1, 2GHz
2πCp
GBW = 50M Hz
g
alo
Diadramele Bode sunt conform Figurii 10.
60
An
fp1=50kHz
40 fp2=1.2GHz
20 GBW=50MHz
A0=60dB
0
-20 e
-40
at
-60
-80
r
0d
eg
-30d
-60d
t
-90d
In
-120d
-150d
ite
-180d
100Hz 1.0KHz 10KHz 100KHz 1.0MHz 10MHz 100MHz 1.0GHz
Figura 10
r cu
19
VDD
M4a M4b
ice
M3a M3b
g
Vout
alo
M2a CL
M2b
Vcasn X
An
M1a M1b
Ip Im
M5 e
Vbiasn
at
VSS
Figura 11
r
eg
Domeniul de variaţie al tensiunii de ieşire trebuie ales astfel ı̂ncât tranzistoarele sǎ nu
ajungǎ ı̂n regim liniar sau blocate. În consecinţǎ, limitele de variaţie ale tensiunii de
ieşire se pot scrie:
r cu
M AX
VDD − Vout = VSD3 + VSD4
M AX
Vout = VDD − (Vod3 + ∆V ) + (Vod4 + ∆V )
Ci
M AX
⇒ Vout
= 1, 35V
(63)
M IN
Vout − VSS = VDS1 + VDS2 + VDS5
V M IN = VSS + Vod1 + Vod2 + Vod5 + 3∆V
out
⇒ V M IN = −1, 1V
out
20
Rezultǎ cǎ variaţia maximǎ vârf la vârf a tensiunii de ieşire este:
M AX M IN
∆Vout = Vout − Vout = 1, 35 − (−1, 1) = 2, 45V (64)
ice
Valoarea teoreticǎ vârf la vârf a tensiunii de ieşire suportate de circuit farǎ distorsiuni
este 2,45V. Pentru aplicaţia noastrǎ considerǎm variaţia vârf la vârf a semnalului de
ieşire de 1V , deci mai micǎ decât maximul admis. Notǎm amplitudinea semnalului la
g
ieşire cu Vsemn =0,5V.
alo
Pentru ca AO sǎ funcţioneze corect atunci când este cascadat ı̂ntr-un lanţ de amplifi-
catoare, tensiunile continue la intrare şi ieşire trebuie sǎ fie egale, Vin = Vout .
An
permitǎ ca tranzistoarelor M1a -M1b şi celui de polarizare al etajului diferenţial, M5 , sǎ
fie ı̂n regim saturat:
VinM IN − VSS = VGS1 + VDS5 = (0, 15 + 0, 45) + (0, 25 + 0, 1) = −1, 05V (65)
e
Pe de altǎ parte, valoarea minimǎ a tensiunii de ieşire este:
r at
M IN
Vout − VSS = VDS1 + VDS2 + VDS5 + Vsemn ⇒
eg
M IN
Vout = −2 + (0, 15 + 0, 1) + (0, 2 + 0, 1) + (0, 25 + 0, 1) + 0, 5 = −0, 6V (66)
Pentru a afla valoarea minimǎ a tensiunii continue la intrare si ieşire, se ia cazul cel
t
M IN
mai defavorabil VinM IN = Vout =-0,6V.
In
M AX
VDD − Vout + Vsemn = VSD3 + VSD4 ⇒
r cu
M AX
Vout = 2 − (0, 2 + 0, 1) − (0, 25 + 0, 1) − 0, 5 = 0, 85V (67)
Teoretic, tensiunea continuǎ la ieşire poate fi aleasǎ oriunde ı̂ntre -0,6V şi +0,85V. În
Ci
practicǎ, variaţia optimǎ a semnalului la ieşire este obţinutǎ atunci când tensiunea con-
tinuǎ la ieşire este aleasǎ la aproximativ jumǎtatea intervalului dintre limitele admise.
Prin urmare, o posibilǎ valoare ar putea fi Vin = Vout =0V.
b). Pentru a determina tensiunile de polarizare, trebuie mai ı̂ntâi stabilite cǎderile
de tensiune drenǎ-sursǎ pe fiecare tranzistor. Se porneşte cu aşezarea ı̂n tensiune a
21
tranzistorului M5 . Tensiunea VDS5 este condiţionatǎ de valoarea tensiunii continue la
intrare, astfel:
ice
Vin − VSS = VGS1 + VDS5 ⇒ VDS5 = 1, 4V (68)
Dacǎ Vin = Vout , atunci valoarea teoreticǎ calculatǎ a tensiunii instantanee la ieşire
este limitatǎ de tensiunea grilǎ-sursǎ a tranzistorului de intrare şi de tensiunea drenǎ-
g
sursǎ a lui M5 . Deoarece la M5 asigurǎm 1, 4V , atunci restul de 0, 6V care rǎmân
alo
trebuie ı̂mpǎrţiţi ı̂ntre tranzistoarele M1 şi M2 . Vom aloca mai mult spaţiu ı̂n tensiune
tranzistorului cascodǎ, deoarece tranzistorul care intrǎ primul ı̂n regim liniar este cel
cascodǎ. Prin urmare, alegem VDS1 = 0, 25V şi VDS2 = 0, 35V .
An
În cazul tranzistoarelor PMOS dispunem de 2V pe care sǎ-i ı̂mpǎrţim ı̂ntre M3 şi
M4 . Din nou alocǎm mai mult tranzistorului cascodǎ şi vom avea VSD3 = 1, 5V şi
VSD4 = 0, 5V .
În Figura 12 sunt marcate tensiunile drenǎ-sursǎ şi curenţii prin tranzistoare.
e
at
VDD=2V
r
Vout
In
M2a CL
M2b 0,35V
Vcasn
ite
M1a M1b
Ip Im 0,25V
r cu
M5 1,4V
Vbiasn
VSS=-2V
Ci
Figura 12
22
Vcasn − VSS = VGS2 + VDS1 + VDS5 ⇒
Vcasn = −2 + (0, 45 + 0, 2) + (0, 15 + 0, 1) + 1, 4 = 0, 3V (69)
ice
Vbiasn − VSS = VGS5 ⇒ Vbiasn = −2 + (0, 45 + 0, 25) = −1, 3V (70)
g
alo
c). Pasul 1: Determinarea curentului de polarizare a etajului diferenţial.
An
I5
SR = ⇒ I5 = SR · CL = 200µA (71)
CL
Curentul prin cele douǎ ramuri ale etajului diferenţial este egal cu jumǎtate din curentul
dat de sursa implementatǎ cu M5 . e
I1 = I2 = I3 = I4 = I5 /2 = 100µA (72)
at
Pasul 2: Calculul tensiunii de overdrive a tranzistoarelor de intrare.
r
Gm1
GBW = ⇒ Gm1 = gm1 = 2πCL · GBW = 1, 33mS (73)
2πCL
t
2I1 2I1
gm1 = ⇒ Vod1 = = 150mV (74)
Vod1 gm1
ite
23
Curenţii şi tensiunile de overdrive a tuturor tranzistoarelor din schemǎ sunt date ı̂n
Tabelul 6. Conform acestor valori şi folosind setul de referinţǎ, se poate calcula raportul
W/L pentru fiecare tranzistor.
ice
M M1 M2 M3 M4 M5
W 26, 9µ 7, 5µ 25, 3µ 32, 4µ 19, 4µ
g
L 1µ 0, 5µ 0, 5µ 1µ 1µ
alo
Tabelul 7: Valorile W/L a tranzistoarelor
An
VDD
M3
Vbiasp
e
at
M1 M2
Ip X Im
r
eg
M4
M5
Vcasp Vout
t
M6 M7 CL
In
M8 M9
ite
VSS
Figura 13
r cu
Lungimea canalului tranzistoarelor cascodǎ si a celor de intrare este L=0,5µm, iar pen-
tru restul L=1µm. Intrarea se face pe tranzistoare PMOS.
a). Care este domeniul de variaţie al tensiunii de ieşire, dacǎ valoarea tensiunii de
ieşire vârf la vârf diferenţiale este 2V?
b). Calculaţi tensiunile de polarizare Vbiasp si Vcasp .
c). Dimensionaţi tranzistoarele din schemǎ.
24
d). Estimaţi marginea de fazǎ a amplificatorului, dacǎ se neglijeazǎ efectul Miller pe
tranzistoarele de intrare şi perechea pol-zero introdusǎ de oglinda de curent M6 -M7 -
M8 -M9 .
ice
Rezolvare: Valorile tensiunilor de overdrive se aleg Vod = 250mV pentru tranzistoarele
de polarizare M3 ŝi M8 -M9 şi Vod = 200mV pentru tranzistoarele cascodǎ M4 -M5 ŝi M6 -
M7 . Tensiunea de overdrive a tranzistoarelor de intrare M1 -M2 rezultǎ Vod = 160mV ,
g
dupǎ cum se va aratǎ la punctul c). Adiţional, tensiunea drenǎ-sursǎ a fiecǎrui tran-
zistor se alege cu o margine ∆V = 100mV faţǎ de valoarea VDS minimǎ admisǎ.
alo
a). Domeniul maxim de variaţie a semnalului la ieşire.
An
M AX
VDD − Vout = VSD3 + VSD1 + VSD4
M AX
= VDD − Vod3 − Vod1 − Vod5 − 3∆V
Vout
⇒ Vout
M AX
= 3, 09 e (75)
at
M IN
Vout = VDS7 + VDS9
M IN
Vout = Vod7 + Vod9 + 3∆V
r
⇒V
outM IN = 0, 75V
eg
M AX M IN
∆Vout = Vout − Vout = 3, 09 − 0, 75 = 2, 34V (76)
In
Valoarea teoreticǎ a tensiunii varf la varf de ieşire suportate de circuit farǎ distorsiuni
este 2,34V. Pentru aplicaţia noastrǎ variaţia vârf la vârf a semnalului de ieşire este
1V, deci mai mica decat maximul admis. Notam amplitudinea semnalului la iesire cu
ite
Vsemn =0,5V.
Tensiunile continue la intrare şi ieşire trebuie sǎ fie egale, Vin = Vout . Limita inferioarǎ a
domeniului de variaţie a tensiunii continue la ieşire trebuie sǎ permitǎ ca tranzistoarele
r cu
M IN
Vout = VDS7 + VDS9 + Vsemn = (0, 2 + 0, 1) + (0, 25 + 0, 1) + 0, 5 = 1, 15V (77)
Ci
25
M AX
VDD − Vout + Vsemn = VSD3 + VSD2 + VSD5 ⇒
M AX
ice
Vout = 4 − (0, 25 + 0, 1) − (0, 16 + 0, 1) − (0, 2 + 0, 1) − 0, 5 = 2, 59V (78)
g
VDD − VinM AX = VSD3 + VSG2 ⇒
alo
VinM AX = 4 − (0, 25 + 0, 1) − (0, 45 + 0, 16) = 3, 04V (79)
Teoretic, tensiunea continuǎ la ieşire poate fi aleasǎ oriunde ı̂ntre 1,15V şi +3,04V. În
An
practicǎ, variaţia optimǎ a semnalului la ieşire este obţinutǎ atunci când tensiunea con-
tinuǎ de ieşire este aleasǎ la aproximativ jumǎtatea intervalului dintre limitele admise.
O valoare ar putea fi Vin = Vout =2V.
e
b). Pentru a determina tensiunile de polarizare, trebuie mai ı̂ntâi stabilite cǎderile
de tensiune drenǎ-sursǎ pe fiecare tranzistor. Se porneşte cu aşezarea ı̂n tensiune a
at
tranzistorului M3 . Tensiunea VSD3 este condiţionatǎ de valoarea tensiunii de mod
comun la intrare, astfel:
r
eg
Deoarece lui M3 ı̂i asigurǎm 1,39V, atunci restul de 0,6V care rǎmân trebuie ı̂mpǎrţiţi
t
În cazul tranzistoarelor NMOS dispunem de 2V pe care sǎ-i ı̂mpǎrţim ı̂ntre M7 şi M9 ,
astfel VDS7 =1,5V şi VDS9 =0,5V.
ite
În Figura 14 sunt marcate tensiunile drenǎ-sursǎ şi curenţii prin tranzistoare.
26
VDD=4V
M3 1,39V
Vbiasp
ice
M1 M2 0,26V
Ip Im
g
M4
alo
M5 0,35V
Vcasp Vout
M6 M7 CL
1,5V
An
M8 M9
0,5V
VSS=0V
e
at
Figura 14
I3
t
SR = ⇒ I3 = SR · CL = 200µA (83)
CL
In
Curentul prin cele douǎ ramuri ale etajului diferenţial este egal cu jumǎtate din curentul
dat de sursa implementatǎ cu M3 .
ite
I1 = I2 = I4 = I5 = I6 = I7 = I8 = I9 = I3 /2 = 100µA (84)
Pasul 2: Calculul tensiunii de overdrive a tranzistoarelor de intrare.
r cu
Gm1
GBW = ⇒ Gm1 = gm1 = 2πCL · GBW = 1, 25mS (85)
2πCL
Ci
2I1
gm1 = ⇒ Vod1 = 160mV (86)
Vod1
27
Tip ID Vod VDS
M1 − M2 100µA 160mV 0,26V
M4 − M5 100µA 200mV 0,35V
ice
M6 − M7 100µA 200mV 1,5V
M8 − M9 100µA 250mV 0,5V
M3 200µA 250mV 1,39V
g
Tabelul 8: Curenţii şi tensiunile de overdrive ale tranzistoarelor
alo
Curenţii şi tensiunile de overdrive a tuturor tranzistoarelor din schemǎ sunt date ı̂n
Tabelul 8. Conform acestor valori şi folosind setul de referinţǎ, se poate calcula raportul
W/L pentru fiecare tranzistor.
An
M M1 − M2 M3 M4 − M5 M6 − M7 M8 − M9
W 39, 5µ 64, 8µ 25, 3µ 7, 5µ 9, 7µ
L 0, 5µ 1µ
e
0, 5µ 0, 5µ 1µ
at
Tabelul 9: Valorile W/L a tranzistoarelor
r
eg
d). Pentru calculul marginii de fazǎ, trebuie ı̂n prealabil sa determinam frecvenţele
singularitǎţilor.
vspace3mm
t
In
GBW
fp1 = = 50kHz
A0
gm5 (87)
fp2 = = 1, 6GHz
2πCX
ite
GBW = 50M Hz
r cu
GBW GBW
mφ = 180◦ − arctan − arctan = 180◦ − 89, 94◦ − 1, 79◦ = 88, 27◦ (88)
Ci
fp1 fp2
28