Professional Documents
Culture Documents
Nesosilicates (Pulau
silikat)
Sorosilicates (Double
Pulau silikat)
Cyclosilicates (Ring
silikat)
Phyllosilicates (Sheet
silikat)
Tectosilicates (Framework
silikat)
yang dijelaskan tadi etanol mendidih pada temperatur 78.4oC, air pada
100oC tapi azeotrop mendidih pada 78.1 oC, yang mana lebih kecil dari
SiC dapat dibuat dari hampir semua bahan baku yang mengandung
sumber Si dan sumber C. Hingga saat ini ada beberapa alternatif proses
pembuatan serbuk keramik SiC, di antaranya telah berhasil disintesa
SiC dari campuran serbuk logam Si dan gula. (Lee dan Rainforth, 1994)
Sekam padi juga telah dimanfaatkan dalam pembuatan SiC. (Sharma et
al., 1984)
Bahan kayu berupa serbuk hasil gergaji yang mengandung
karbohidrat sebagai sumber C dapat dimanfaatkan pula untuk membuat
SiC bila direaksikan dengan sumber yang mengandung Si. (Askeland,
1994) Penelitian ini mengikuti urutan proses seperti yang dilakukan
oleh Klingner namun bahan yang digunakan adalah kayu meranti dalam
bentuk serbuk. (Klingner, 2003) Proses infiltras digantikan dengan
mencampurkan serbuk Si dengan serbuk hasil pirolisa kayu meranti.
Silikon karbida (SiC) juga dapat dihasilkan melalui pemanfaatan
serbuk kayu meranti dan serbuk silikon yang diolah terlebih dahulu.
SiC dapat dihasilkan pada temperatur 15750C dengan laju pemanasan
proses ceramization adalah 200C / menit dan dalam atmosfer argon.
Tingginya temperatur ceramization yang berarti penggunaan energi
yang lebih banyak untuk mencapai temperatur tersebut. Dengan
memanfaatkan ball milling untuk mereduksi ukuran serbuk silikon dan
karbon diharapkan dapat meningkatkan luas penampang bidang yang
bereaksi sehingga SiC dapat dihasilkan pada temperatur yang lebih
rendah. Kayu meranti yang melewati proses pirolisa dapat
menghasilkan karbon 75% dan sisanya adalah zat lain seperti abu (ash
content), uap air (moisture content), dan bahan mudah menguap
(volatile matter content). Hal ini dapat diketahui melalui pengujian
proximate analysis dan energy dispersive x-ray (EDX). Dari hasil
pengujian x-ray diffraction (XRD) menunjukkan bahwa pada
temperatur 13000C dalam atmosfer argon telah diidentifikasi
pembentukan fasa SiC dengan jumlah yang sedikit.
Pemanfaatannya:
Silikon karbida (SiC) dapat digunakan untuk
1. Ampelas (abrasive).
2. Pelindung untuk pesawat ulang alik terhadap suhu yang tinggi
sewaktu kembali kebumi.