Electrnica Transstores por Efeito de Campo

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TRANSSTORES POR EFEITO DE CAMPO

ndice
1. 2. Introduo ............................................................................................................................. 2 JFET ........................................................................................................................................ 2 POLARIZAO DE UM JFET.................................................................................................... 3 CURVA CARACTERSTICA DO DRENO .................................................................................... 3 CURVA DE TRANSCONDUTNCIA .......................................................................................... 4 AUTOPOLARIZAO .............................................................................................................. 5 RETA DE AUTOPOLARIZAO................................................................................................ 6 SELEO DO RS ..................................................................................................................... 7 TRANSCONDUTNCIA ........................................................................................................... 7 TRANSCONDUTNCIA DE UM TRANSISTOR BIPOLAR ........................................................... 8 AMPLIFICADOR FONTE COMUM ........................................................................................... 8 AMPLIFICADOR COM REALIMENTAO PARCIAL ................................................................. 9 AMPLIFICADOR SEGUIDOR DE FONTE ................................................................................. 10 3. MOSFET ............................................................................................................................... 10 MOSFET DE MODO DEPLEO ............................................................................................ 10 MOSFET DE MODO CRESCIMENTO OU INTENSIFICAO ................................................... 11 TENSO PORTA-FONTE MXIMA ........................................................................................ 13

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1. Introduo
At agora foram estudados os transstores bipolares, que se baseiam em dois tipos de cargas: lacunas e electres, e so utilizados amplamente em circuitos lineares. No entanto, existem aplicaes nos quais os transstores unipolares, com a sua alta impedncia de entrada, so uma alternativa melhor. Este tipo de transstor depende de um s tipo de carga, da o nome unipolar. H dois tipos bsicos: os transstores de efeito de campo de juno (JFET - Junction Field Effect transistor) e os transstores de efeito de campo de xido metlico (MOSFET).

2. JFET
Na Figura 1, mostrada a estrutura e smbolo de um transstor de efeito de campo de juno ou simplesmente JFET. (Drain) (Drain)

(Gate)

(Gate)

(Source)

(Source)

Electrnica Transstores por Efeito de Campo Figura 1

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A conduo d-se pela passagem de portadores de carga da fonte (S - Source) para o dreno (D), atravs do canal entre os elementos da porta (G - Gate). O transstor pode ser um dispositivo com canal n (conduo por electres) ou com canal p (conduo por lacunas). Tudo que for dito sobre o dispositivo com canal n aplica-se ao com canal p com sinais opostos de tenso e corrente. POLARIZAO DE UM JFET

A Figura 2 mostra a polarizao convencional de um JFET com canal n. Uma alimentao positiva VDD ligada entre o dreno e a fonte, o que permite estabelecer um fluxo de corrente atravs do canal. Esta corrente tambm depende da largura do canal.

Figura 2 Uma ligao negativa VGG ligada entre a porta e a fonte. Com isto a porta fica com uma polarizao inversa, circulando apenas uma corrente de fuga e, portanto, uma alta impedncia entre a porta e a fonte. A polarizao inversa cria camadas de depleo volta das regies p, o que origina uma diminuio do canal condutor (D-S). Quanto mais negativa a tenso VGG, mais estreito se torna o canal. Para um dado VGG , as camadas de depleo tocam-se e o canal condutor (D-S) desaparece. Neste caso, a corrente de dreno est cortada. A tenso VGG que produz o corte simbolizada por VGS(Off) .

CURVA CARACTERSTICA DO DRENO

Para um valor constante de VGS, o JFET funciona como um dispositivo resistivo linear (na regio hmica) at atingir a condio de estrangulamento. Acima da condio de estrangulamento e antes da ruptura, a corrente de dreno permanece aproximadamente constante. Os ndices IDSS referem-se corrente do dreno para a fonte com a porta em curto (VGS=0V). IDSS a corrente de dreno mxima que um JFET pode produzir.

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A Figura 3 mostrado um exemplo de curva para um JFET. Quando o JFET est saturado (na regio hmica), VDS situa-se entre 0 e 4V, dependendo da recta de carga. A tenso de saturao mais alta (4V) igual intensidade da tenso de corte da porta-fonte (VGS(Off) = -4V). Esta uma propriedade inerente a todos os JFETs. Para polarizar um transstor JFET necessrio saber a funo do estgio, isto , se o mesmo ir trabalhar como amplificador ou como resistncia controlado por tenso. Vt (tenso limiar)

Comportamento resistivo (Estreitamento)

Saturao

Ruptura

Figura 3 Como amplificador, a regio de trabalho a zona da curva, na Figura 3, aps a condio de estreitamento e esquerda da regio de tenso VDS de ruptura. Se for como resistncia controlado por tenso a regio de trabalho entre VDS igual a zero e antes de atingir a condio de estreitamento.

CURVA DE TRANSCONDUTNCIA
A curva de transcondutncia de um JFET um grfico da corrente de sada versus a tenso de entrada, ID em funo de VGS. A sua equao :

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Figura 4

AUTOPOLARIZAO
A polarizao de um transstor JFET faz-se de maneira semelhante polarizao de transstor bipolar comum. Por outras palavras, usa-se o transstor JFET como se fosse um transstor bipolar. Para um JFET funcionar correctamente, deve ser recordado que, o mesmo deve estar inversamente polarizado entre porta e fonte. Na Figura 5 possvel observar um JFET polarizado, ou seja, com resistncias ligadas aos terminais para limitar tenses e correntes convenientemente, como fora j notado na polarizao de transstores bipolares.

Figura 5 Este o tipo de polarizao mais comum, e se tem a designao de autopolarizao por derivao de corrente, uma vez que o VGS aparece devido corrente de dreno sobre RS, o que resulta em VRS. Esta tenso distribui-se entre RG e a juno inversa, que, como tal, possui uma alta resistncia. Assim aparecem VRG e VGS que somadas perfazem VRS.

O dodo porta-fonte est inversamente polarizado e a corrente IG uma pequena corrente de fuga aproximadamente igual a zero.

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Unindo as duas equaes anteriores,

A corrente de fonte a soma da corrente de dreno e de porta. Naturalmente a corrente de dreno muito maior que a da porta. Ento: Da anlise da malha do lado direito do circuito, obtm-se:

RETA DE AUTOPOLARIZAO
Para a polarizao do JFET, uma alternativa o uso da curva de transcondutncia para encontrar o ponto Q de operao. Seja a curva da Figura 4 a base para encontrar o ponto Q. A corrente de dreno mxima de 13,5mA, e a tenso de corte da porta-fonte de -4V. Isto significa que a tenso da porta tem de estar entre 0 e -4V. Para determinar este valor, pode fazer-se o grfico da Figura 4 e ver onde ela intercepta a curva de transcondutncia. Exemplo: Se a resistncia da fonte de um circuito de autopolarizao for de 300. Qual o ponto Q. Usar o grfico da Figura 4. Soluo: A equao de VGS : VGS = -ID *300 Para traar a recta basta considerar ID = 0 e ID = IDSS. Para ID nulo, VGS=0 e para o outro valor de ID, VGS= 13,5m*300=-4V. Aplicando na curva, o ponto Q : VGS= -1,5V e ID =5mA

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SELEO DO RS
O ponto Q varia conforme o valor de RS. O ideal escolher um RS em que o ponto Q fique no na regio central, como o do Exemplo 1. O mtodo mais simples para escolher um valor para RS :

Este valor de RS no produz um ponto Q exactamente no centro da curva, mas aceitvel para a maioria dos circuitos.

TRANSCONDUTNCIA Grandeza designada por gm e dada por:

gm a inclinao da curva de transcondutncia (Figura 4) para cada pequena variao de VGS. Por outras palavras, uma medida de como a tenso de entrada controla efectivamente a corrente de sada. A unidade o mho, (razo entre a corrente e a tenso - 1/Ohm). O equivalente formal o Siemens. A Figura 6 mostra o circuito equivalente ca simples para um JFET, vlida para baixas frequncias. H uma resistncia RGS muito alta entre a porta e a fonte. Esse valor est na gama das centenas de M. O dreno do JFET funciona como uma fonte de corrente com um valor de gm VGS.

Figura 6 A Equao seguinte mostra como obter VGS(Off) a partir da corrente mxima de dreno e da transcondutncia para VGS= 0V (gmo ).

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J o valor de gm para um dado VGS, obtido:

TRANSCONDUTNCIA DE UM TRANSISTOR BIPOLAR

O conceito de transcondutncia pode ser usado em transstores bipolares. Onde definida da mesma forma que nos JFETs. Com base na equao anterior.

como re = vbe/ie

Esta relao ajuda no momento de comparar circuitos bipolares com JFETs.

AMPLIFICADOR FONTE COMUM

A Figura 7 mostra um amplificador fonte comum. Ele similar a um amplificador emissor comum. As regras aplicadas para a anlise so as mesmas.

Figura 7

Electrnica Transstores por Efeito de Campo Na Figura 8 o equivalente ca para a anlise do ganho.

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Figura 8 A resistncia de carga est em paralelo com a resistncia de dreno. Simplificando:

Quando a corrente de sada gm vent flui atravs de rd, esta produz uma tenso de sada Dividindo ambos os lados por vent, finalmente o ganho de tenso ca para fonte comum

Notar a semelhana com a do amplificador em emissor comum

AMPLIFICADOR COM REALIMENTAO PARCIAL

Figura 9

Electrnica Transstores por Efeito de Campo O ganho por analogia com o transstor bipolar, considerando re = 1/ gm, :

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AMPLIFICADOR SEGUIDOR DE FONTE A Figura 10 mostra um seguidor de fonte

Figura 10 Novamente por analogia:

3. MOSFET
O FET de xido de semicondutor e metal, MOSFET, tem uma fonte, uma porta e um dreno. A diferena bsica para o JFET o facto da porta se encontrar electricamente isolada do canal. Por isso, a corrente de porta extremamente pequena, para qualquer tenso positiva ou negativa.

MOSFET DE MODO DEPLEO A Figura 11 mostra um MOSFET de modo depleo canal n e o seu smbolo. O substrato em geral ligado fonte (pelo fabricante), Em algumas aplicaes usa-se o substrato para controlar tambm a corrente de dreno. Neste caso o encapsulamento tem quatro terminais. Os electres livres podem fluir da fonte para o dreno atravs do material n. A regio p chamada de substrato, ela cria um estreitamento para a passagem dos electres livres da fonte ao dreno.

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Figura 11

A fina camada de dixido de silcio (SiO2), que um isolante, impede a passagem de corrente da porta para o material n.

Figura 12

A Figura 12 mostra o MOSFET de modo depleo com uma tenso de porta negativa. A tenso VDD fora os electres livres a fluir atravs do material n. Como no JFET a tenso da porta controla a largura do canal. Quanto mais negativa a tenso, menor a corrente de dreno. At um momento que a camada de depleo fecha o canal e impede fluxo dos electres livres. Com VGS negativo o funcionamento similar ao JFET. Como a porta est isolada electricamente do canal, pode-se aplicar uma tenso positiva na porta (inverso de polaridade da fonte VGG do circuito da Figura 12). A tenso positiva na porta aumenta o nmero de electres livres que fluem atravs do canal. Quanto maior a tenso, maior a corrente de dreno. Isto o que o diferencia de um JFET. MOSFET DE MODO CRESCIMENTO OU INTENSIFICAO

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O MOSFET de modo crescimento ou intensificao uma evoluo do MOSFET de modo depleo, de uso generalizado na indstria electrnica em especial nos circuitos digitais.

Figura 13

A Figura 13 mostra um MOSFET de canal n do tipo crescimento e o seu smbolo. O substrato estende-se por todo o caminho at ao dixido de silcio. Deixa de existir um canal n que liga a fonte e o dreno. Quando a tenso da porta zero, a alimentao VDD fora a passagem dos electres livres da fonte para o dreno, mas, o substrato p tem apenas alguns electres livres produzidos termicamente. Assim, quando a tenso da porta zero, o MOSFET fica no estado desligado (Off). Isto totalmente diferente dos dispositivos JFET e MOSFET de modo depleo. Quando a porta positiva, esta atrai electres livres na regio p. Os electres livres recombinam-se com as lacunas na regio prxima ao dixido de silcio. Quando a tenso suficientemente positiva, todas as lacunas encostadas a dixido de silcio so preenchidas e os electres livres comeam a fluir da fonte para o dreno. O efeito o mesmo que a criao de uma fina camada de material tipo n prximo do dixido de silcio. Essa camada chamada de camada de inverso tipo n. Quando ela existe o dispositivo, normalmente aberto, de repente conduz e os electres livres fluem facilmente da fonte para o dreno. O VGS mnimo que cria a camada de inverso tipo n chamado tenso de limiar, simbolizado por VGS(th) ou Vt. Quando VGS menor que VGS(th), a corrente de dreno zero. Mas quando VGS maior VGS(th), uma camada de inverso tipo n liga a fonte ao dreno e a corrente de dreno alta. VGS(th) pode variar de menos de 1V at mais de 5V dependendo do MOSFET. A Figura 14 mostra as curvas ID x VDS e ID x VGS do MOSFET de modo intensificao e a recta de carga tpica. No grfico ID x VDS, a curva mais baixa para VGS(th). Quando VGS maior do que VGS(th), a corrente de dreno controlada pela tenso da porta. Neste estgio o MOSFET pode trabalhar como uma resistncia (regio hmica) ou como

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uma fonte de corrente. A curva ID x VGS, a curva de transcondutncia e uma curva quadrtica. O incio da parbola est em VGS(th). Esta representada pela seguinte equao:

onde k uma constante que depende do MOSFET em particular. O fabricante fornece os valores de ID(On) e VGS(On). Ento, rescrevendo a frmula:

Onde,

Figura 14 TENSO PORTA-FONTE MXIMA Os MOSFET tm uma fina camada de dixido de silcio, um isolante que impede a circulao de corrente da porta tanto para tenses positivas como negativas. Essa camada isolante mantida to fina quanto possvel para dar porta um melhor controlo sobre a corrente de dreno. Como a camada muito fina, fcil destru-la com uma tenso porta fonte excessiva. Alm da aplicao directa de tenso excessiva entre a porta fonte, pode destruir-se a camada isolante devido a regimes transitrios de tenso causados por retirada/colocao do componente com o sistema ligado. O simples acto de tocar um MOSFET pode depositar cargas estticas suficiente que excedam a especificao de VGS mximo. Alguns MOSFET so protegidos por dodos zener internos em paralelo com a porta e a fonte. Mas, tem como inconveniente, diminuir a impedncia de entrada.

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