Fuente Conmutada Aislada de Medio Puente

Fuente Conmutada de Medio Puente

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Hoja: 1

Introduccin:
Una fuente conmutada es un dispositivo electrnico que transforma energa elctrica mediante transistores en conmutacin. Mientras que un regulador de tensin utiliza transistores polarizados en su regin activa de amplificacin, las fuentes conmutadas utilizan los mismos conmuttndolos activamente a altas frecuencias (20-100 Kilociclos tpicamente) entre corte (abiertos) y saturacin (Cerrados). La forma de onda cuadrada resultante es aplicada a transformadores con ncleo de ferrita (Los ncleos de hierro no son adecuados para estas altas frecuencias) para obtener uno o varios voltajes de salida de corriente alterna (CA) que luego son rectificados (con diodos rpidos)y filtrados (Inductores y capacitores)para obtener los voltajes de salida de corriente continua (CC).

Requerimientos:

Medio puente - Off-Line Potencia salida: 50w

Lnea de alimentacin: 200 a 240V RMS, 50 Hz Frecuencia de conmutacin: 80Khz Salida: 24V, 2,5A, lmite de corriente 3,5A. Salida: Ripple de 400mVp-p , regulacin en lnea y carga +/- 1%. Eficiencia 75% Aislacin de lnea 3750V

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Hoja: 2

Desarrollo:
El trmino Off-Line significa que el regulador (PWM) va en el primario del transformador de potencia y opera en forma independiente de la lnea. Aunque, el regulador PWM puede estar conectado en el lado de la carga. Adems, no utiliza transformador de alimentacin adicional, ya que se rectifica la lnea y se convierte a la tensin de salida V0 sin utilizar transformador adicional. El siguiente diagrama en bloque muestra los componentes de una fuente conmutada:

Circuitos auxiliares de proteccin

Entrada Vlinea

Filtro RFI + arranque suave

Rectificador y filtro

Elementos de conmutacin

Transformador de potencia Rectificador y Filtro

V0

Realimentacin aislada y lgica de control

El circuito de Entrada de lnea

El circuito de entrada tiene un supresor de RFI (Interferencia de Radiofrecuencia), para evitar que la fuente conmutada genere ruido en la lnea. Adems posee una NTC para generar un arranque suave. La NTC es un componente, que vara su resistencia en funcin de la temperatura. As, cuando reciben una temperatura mayor que la de ambiente disminuye su valor hmico y cuando es baja o de ambiente aumenta. La red supresora de RFI tiene los capacitores de alta tensin (> 500V ) y de alta frecuencia. Los capacitores C5 C6 tienen un valor de 150nF. Los diodos D5 a D8 funcionan como puente rectificador de onda completa para 220 voltios. El clculo de los capacitores C8 y C9 es el siguiente: C=
I t VRIPPLE

Line in_a D5 D1N4007 C5 150n D6 D1N4007 C7 470n L_EMI/RFI

High Voltage Capacitor

0 R16 100k C8 220u

V_Power in

CB1

NTC

1 U3

10

V_Power in/2

Line in_b D7 D1N4007

0 C6 150n R17 100k

1 U4 D8 D1N4007

C9 220u

donde I = corriente de carga t = tiempo en el que el capacitor suministra corriente VRIPPLE = mxima tensin de ripple permitido

Switch

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Eart in

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EMI/RFI Filter

Line Power Rectifier

Power Filter

Hoja: 3

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Hoja: 4

Trabajando a 115V, 50Hz, una potencia de conmutacin de 50W y =75% en el peor de los casos. Entonces:
Pin = P0 50W = =66,67W 0,75

V0 =220V * 2 =311Vpico
I CARGA = Pin 66,67W = = 0,21A V0 311V

Se asumir un ripple mximo de 30VPP y que el capacitor deber mantener la corriente durante el semiperodo (10ms para lnea de 50Hz).

C12 =

0,21A*10* 10 3 s = 70 F 30V

Se emplearn condensadores de 100uF y 200v de aislacin.

Los transistores de potencia

Ahora se estimar la corriente pico del transistor en una fuente conmutada semipuente simtrica forward. En el semiperiodo de la frecuencia de conmutacin, la corriente de trabajo es el doble.
ID = 2P0 DMAX Vin

Si = 80% DMAX = 0,8 (2 * 0,4), entonces Id queda:

IDMAX 3,125 P0 VinMIN = 3.125 50 =0.6 A 258

ID MAX 0,6A VCEV o VDSS VinMAX =339,4 V

Se elige el IRF820, con una corriente mxima de 2,5A y una tensin mxima VDSS=500V.

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Hoja: 5

Los rectificadores de salida

VRRM
IF( AV )

( V0 + VF ) Vin

MAX

D MAX VinMIN
2

+ perdidasinductivas =

(20 + 0.8)339.4 =34,2V

0.8 *258

I0MAX

=2.5 / 2 = 1,25 A

El transformador de potencia 1. Seleccionar el tipo de material, tipo de cazoleta. Los materiales Siemens ms usados en fuentes conmutadas son:
Material Rango de Frecuencia

N27 y N41 N67

25 a 150 KHz 100 a 300 KHz

Los tipos de cazoletas ms utilizados son:

Tipo Usado en Transmisin de mediana y baja potencia (preferentemente sin agujero central) Mediana potencia (posibilidades de bobinado automtico) Tcnicas de filtros de baja perdidas de flujo Potencias en rangos de 250W a 2KW Potencia mediana. Permite gran rea de bobinado. Puede ser montado horizontal o verticalmente Idem anterior Gran potencia. Hasta 20 KW Drivers y filtros de salida. Bajas prdidas. Baja potencia.

RM ETD Pot PM EC y ER E U Toroides

2. Determinar la excursin de la densidad de flujo El transformador se deber disear para operar en el mayor valor de B posible, resultando en una cantidad de vueltas menor en el devanado, incrementando el rango de potencia y obtenindose menores prdidas de inductancia debidas al devanado. El valor mximo de B est limitado por el valor de saturacin. Del manual Siemens SIFERRIT:

Selected curve: material N27T25

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Hoja: 6

Se utilizar un B de 300mT. A medida que aumenta la frecuencia se debe reducir la excursin mxima de densidad de flujo. 3. Determinar el tamao de la cazoleta. Este ser un procedimiento iterativo que permitir seleccionar un ncleo especfico que sea capaz de soportar los voltios por segundos sin saturar y con prdidas en el ncleo y en el devanado aceptables. Un mtodo til es aplicar la ecuacin del rea de producto, AP que es el producto del rea de la ventana del ncleo AW multiplicada por el rea efectiva del ncleo Ae. El valor de AP del ncleo seleccionado deber ser mayor o igual. Las siguientes ecuaciones se utilizan cuando el valor de B est limitado por el valor de saturacin, y cuando est limitada por las prdidas en el ncleo.

Pout 10 4 AP = A W A e = K t K u K p 420 B 2 f t Pout 10 4 Ae = K 120 B 2 f t

1.58

1.31

11.1 Pout = K B f t

cm 4

[ ]
4

AP = A W

. k H f t + k E f t2

0.66

[cm ]

donde :
Pout KT = Ku =
Kp =

Potencia de salida
Iin(DC) IP(RMS ) A' w Aw
Ap A' w

relac. I entrada /I primario, y depende de la topologa factor de utilizacin de la ventana factor de rea del primario (el rea relativa del primario total de todos los devanados, proporcionados )

respecto al rea
K =K t Ku Kp
J ft

densidad de corriente (420 A/cm2) frecuencia de operacin del transformador

Ku es la fraccin del rea de la ventana del ncleo que est llenada ahora con el bobinado. Ku se reduce por la aislacin, por la distancia en el final del recorrido de la bobina en aplicaciones de alta tensin, y por el factor de llenado (forma del rea del cableado y capas). Ku es tpicamente entre 0.4 y 0.3en fuentes off-line de alta aislacin.

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Hoja: 7

KP es el rea relativa del primario respecto al rea total de todos los devanados, proporcionados de manera tal que todos los devanados operen a la misma densidad de corriente RMS y la misma densidad de potencia. Para la mayora de los materiales ferrites, el coeficiente de histresis es k H = 4.10 5 y el coeficiente de corriente de Eddy es k E = 4.10 10 En las ecuaciones se asume que el bobinado ocupa el 40% del rea de la ventana, que las reas del primario y el secundario estn proporcionadas por igual densidad de potencia y que las prdidas del conductor y del ncleo resultan en una subida de 30 con enfriamiento por conveccin natural. La tabla siguiente muestra los valores tpicos de las constantes K:
Table I. K factors Forward converter Bridge / Half Bridge Full wave center-tap Note: SE/SE SE/CT CT/CT K 0.141 0.165 0.141 Kt 0.71 1.0 1.41 Ku 0.40 0.40 0.40 Kp 0.50 0.41 0.25

Throughout the following calculations: Half-bridge Vin equals 1/2 the rail-to-rail input voltage C.T. primary All primary references are to 1/2 the total primary SE/SE: Single-ended primary / secundaries (forward converter, fly-back, boost) SE/CT: Single-ended primary / center- tap secundaries (Half bridge, Bridge) CT/CT: Center-Tap primary / secundaries (Full Wave Center-Tap)

Push pull feed forward converter at 100khz

Potencia (W)

100W

B150mT

t RM8
Material= N27 & N41 Volumen (Cm3)

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Hoja: 8

De la anterior se puede ver que con una potencia de 50W/0,8=62.5W se puede utilizar el RM8 con un volumen efectivo con agujero central de VEFECTIVO =1840mm3 (sin agujero central 2430 mm3). Por disponibilidad, se buscar en el manual una cazoleta E que tenga un volumen efectivo mayor o igual que 1840mm3. La cazoleta EE25.4/10/7 tiene un volumen efectivo de 1910 mm3 con material N27. El B del material N27 que se utilizar ser de 200mT 4. Calcular la cantidad de vueltas del devanado primario. Este es el clculo ms crtico. Por lo que deber ajustarse al valor definitivo por ensayo y error en laboratorio. EE25.4/10/7 con Amin= 38,4mm2. La frmula utilizada es la Ley de Faraday modificada, donde V es la tensin pico, si se considera que Dmax=0.45 por cada semiciclo,
NP 0,225 V 10 9 0,225*160*10 9 = = 39.06 f Sw B max A min f Sw 300 * 38,4

Se adopta en el primer ensayo NP = 40

NS =

(Vout + VFdiodo )NP (40 + 0.8)40 = =7,9

VinprimMIN *DMAX 258 * 0.8

Se adoptar NS =8

Adoptando una densidad de corriente de 4.2A / mm 2 , los dimetros de los conductores ser:
P = 4I 4 * 0,6 = = 0,42 .J * 4. 2

El dimetro del primario ser de

P = 0,45 mm

Por el secundario se reparte la mitad en un sector, y la mitad en el otro. Por lo que, si IOut=2,5A: Si Dmax=0.8
IRMS =2,5 DMAX =1,581A 2

S =

4I 4 * 1581 , = = 0,69 .J * 4 .2

S = 0,7 mm

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Hoja: 9

Clculo del choke L2, C3 y C10 de salida

T_Power D2 MUR420 C3 100u/63V +Vout HFC L2

Vout_gnd C10 470n/250V

Polyester

D3 MUR420

Este deber tener las siguientes caractersticas: Material de alto valor de saturacin de densidad de flujo en el material Alta capacidad de almacenamiento de energa Entrehierro inherente y calibrado (si es necesario), ya que ste operar en CC. El inductor operar con CC superpuesta que no se anular, y adems, trabajar en un slo cuadrante del ciclo B-H. Tpicamente se disea con una capacidad del 50% ms que la que requiere la carga, durante el ciclo de operacin. i Ipk
iL(high) iL(low)

Vi
40V

Imin T 2T t ton tof t

La cantidad de energa que almacena el inductor durante cada ciclo es:

1 2 E= L (iPK imin ) 2

La cantidad de energa remanente en el ncleo est dada por:

1 E resid = Li 2 min 2

La frecuencia aplicada en L es el doble que la de la fuente conmutada.

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Hoja: 10

1 t off (MAX ) =

Vout 20 1 Vin 40 = 3,125S = 2f 2* 80E3

20 * 3,125 * 106 = 100H 0,25 * 2 ,5

L=

Vout t off ( MAX ) 0,25 * Iout

PL =

1 1 L I 2 f = 100 *10 6 2 *160 * 10 3 = 32W L 2 2

PL 32W

Usando el E20/6, con un AL = 900nH

AL = L N2

N=

L 100 *10 6 = = 10,54 vueltas AL 900 *10 9

N=11 vueltas

Si Dmax=0.8
IRMS =2,5
choke =

DMAX =1,581A 2
4I 4 * 1,581 = = 0,69 .J * 4 .2

choke = 0,7 mm

Para calcular C3:

C3(min) = I out ( MAX ) Toff ( MAX ) V Ripple( MAX ) 2,5 * 3.125 * 10 6 = =19,6F 400 * 10 3

C 3= 100 F

Clculo C10: La topologa medio puente es muy usada en convertidores off-line debido a que la tensin de bloqueo de los transistores no es el doble de la alimentacin, como en el caso de los convertidores forward de simple switch, y la topologa push-pull. Otra ventaja de sta topologa es que permite balancear los Volts/segundo de cada transistor de conmutacin automticamente para prevenir la saturacin utilizando un mtodo sencillo de balanceo del intervalo de cada transistor sin emplear ncleos con entrehierro, y sin correctores de simetra. Este capacitor de acoplamiento es normalmente del tipo sin polaridad capaz de manejar la corriente del primario. Un aspecto importante relacionado con el valor del capacitor de acoplamiento es la tensin de carga de ste.

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Hoja: 11

Debido a que el capacitor se carga y descarga todos los semiciclos de fS, la componente en continua se adicionar a
VC = I t C Vin 2

es la tensin de carga del capacitor.

I =corr.enel primario C =valor del capacitor t =int ervalodetiempo dec arg a del capac.

t = T DMAX = tON

y T=

1 fS

Para un convertidor de 80Khz, el ciclo de trabajo DMAX = 0,8. El intervalo de carga es: t = T DMAX = 12,5 * 10-6 * 0,8 = 10 s. La tensin de carga deber tener un valor mximo razonable, del 10 al 20% de
Vin = 160VNOMINAL 2 Vin . Esto es, si: 2

entonces:

16 VC 32V

Esto ser, para una buena regulacin del convertidor.

dt C=I dVC
I=corr. primario promedio dt = int ervalo de c arg a dVC =valor arbitrario entre10%y20%Vin

C=

IDMAX DMAX T 0,6 * 0,8 * 10 * 10 6 = =300nF VC 20

Finalmente: C10=330nF/400V Seleccin del transistor de potencia Se deber elegir un transistor con una Ic0,6 y una Vds320V por lo tanto el IRF820 ser el apropiado. De la siguiente figura de la hoja de datos, y para VGS de 10V, la Q = 55nC tenemos:

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Hoja: 12

td(on) =14nS td(off) =33nS tr =54nS tf =35nS El tiempo de conmutacin admitido deber ser mayor que td(on) + tr = 68nS, y mayor que td(off) + tf = 68nS Se tomar tc =100nS
IG = Q G 55 nC = = 0,55A tc 100 nS

Potencia del Driver: Pdrv = Q G VGS f c = 55nC * 10V * 80KHz = 44 mW Impedancia del Driver: Parte plana: 15nC a casi 40nC
RG = VGS( sat ) VGS(plana ) 55 25 = =54,54 I G( sat ) 0,55

40-15=25nC

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Hoja: 13

Mediciones realizadas: Gate-Surtidor IRF 820

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Hoja: 14

Tensin en el primario del transformador e potencia

Ripple en la carga (8 ohm)

Circuito Completo:

Line in_a D5 D1N4007 10 C5 150n D6 D1N4007 C7 470n L_EMI/RFI

High Voltage Capacitor

0 R16 100k C8 220u

V_Power in

CB1

NTC

1 U3

V_Power in/2 R17 100k C9 220u

Line in_b D7 D1N4007

0 C6 150n

1 U4 D8 D1N4007

Switch

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Eart in

Fuente Conmutada de Medio Puente

EMI/RFI Filter

Line Power Rectifier

Power Filter

Hoja: 15

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Hoja: 16

+12V Ref out_a

+12V

R3 100k

R1 10k 15 3 5 6 1 2 7 8 R8 330 R7 1k

16 4 VREF OSC

U1 13 11 14

Ref out_b R5 1k
From Optocoupler

COMP

SHUT

R6 1k

GND

VIN C SYNC CT RT OUTA ERR- OUTB ERR+ DIS START

V1a V2a

12

R4 1k

R2 10k

10

SG1525

RT 10k

CT 6.3n

C1 1u

R19 100

Pulse Width Modulator

G_M1 V1a R10a2 100 S_M1 V2a G_M2 R10b2 100 S_M2
Driver Transformer

Driver - option 1

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Hoja: 17

V_Power in

M1 G_M1 Dz1a 15V_0.5W Dz1b 15V_0.5W S_M1 IRF820 R11a 1k T_Power D2 MUR420 C3 100u/63V +Vout HFC L2

Vout_gnd C10 M2 G_M2 Dz1a 15V_0.5W Dz1b 15V_0.5W S_M2 V_Power in/2 IRF820 R11b 1k
Power Transformer

470n/250V
Polyester

D3 MUR420

0
Power Switching