Universitatea Politehnica Bucuresti Facultatea de Energetica

Calirea rapida a unei plachete semiconductoare

Calirea este tratamentul termic ce consta in incalzirea peste liniile de recristalizare fazica, urmata de racire energica cu viteze mai mari ca vitezele critice pentru a obtine constituenti in afara echilibrului. Parametrii tehnologici sunt temperatura de incalzire, durata mentinerii la aceasta temperatura si viteza de racire. In functie de transformarea in stare solida ce se produce la racire, calirea poate fi de punere in solutie sau calire martensitica. La randul ei calirea martensitica se poate executa prin mai multe procedee tehnologice: a) Calirea clasica (continua) intr-un singur mediu, consta in incalzirea cu mentinere a otelului pentru austenitizare urmata de racire rapida intr-un singur mediu de calire. De obicei viteza de racire este mai mare ca vcr si se obtine austenita reziduala. Mediul obisnuit de racire in acest caz este apa, dar se pot utiliza si ulei, sau aer daca urmarim sa obtinem troostita sau perlita sorbitica. Procedeul se aplica pieselor simple din oteluri carbon si aliate, putand fi automatizat. b) Calirea intrerupta (in doua medii) consta in racirea brusca la inceput a piesei intr-un mediu (apa) pana la temperaturi superioare lui Ms si apoi o racire mai lenta in alt mediu (ulei ). Cu acest procedeu se calesc sculele cu continut ridicat de carbon, racirea rapida asigurand pe o adancime mare, viteze mai mari ca vc, deci formarea martensitei, iar racirea lenta duce Ia scaderea tensiunilor interne si inlaturarea pericolului deformarii si fisurarii sculei. Este insa dificil de stabilit durata de mentinere a pieselor in primul mediu de racire, o durata prea mica avand drept urmare aparitia de constiuenti de tip perlitic ( alaturi de martensita), iar prea mare, coborand sub Ms, efectul uleiului ca mediu de racire, este anulat. c) Calirea in trepte poate reduce deformatiile si evita crapaturile de calire. Dupa austenitizare, piesele sunt racite pana la o temperatura putin superioara lui Ms, apoi mentinut izoterm intr-o baie de saruri, pana cand piesa capata temperatura baii ( 5... 15 min ), in final executandu-se racirea in aer. d) Calirea izoterma are ca scop obtinerea bainitei, procedeul asemanator celui al caliri in trepte, presupune mentineri mai lungi ( pana la 45 min), astfel incat austenita sa se transforme in bainita la temperaturi de mentinere cuprinse intre 300... 4000 C. e) Calirea sub 0C (prin frig) se aplica ca o continuare a tratamentului de calire martensitica prin raciri la -50...-100 0C, in medii criogene (azot lichid, zapada carbonica etc.) in scopul transformarii austenitei reziduale in martensita pentru produse ce necesita stabilitate dimensionala foarte buna (rulmenti, instrumente de masura, etc.). f) Calirea superficiala, aplicata in acele cazuri ce reclama un strat superficial dur care sa reziste la uzura si un miez tenace alcatuit din constituenti perlitici, asa incat distributia duritatilor pe sectiune sa se faca de o maniera brusca. Tratamentul se bazeaza pe un mod special de incalzire numai a stratului superficial, al carui racire rapida ulterioara sa-i asigure calirea la martensita; se va aplica intotdeauna o revenire joasa pentru detensionare produsului. Incalzirea se face de la o sursa exterioara (de obicei cu flacara) sau interioara prin curenti de inductie. Ultima modalitate va da si denumirea uzuala a tratamentului de CIF-are. Se mai realizeaza incalzirea in electrolit, bai de saruri sau prin contact. Toate tratamentele prezentate se aplica indeosebi otelurilor in scopul cresterii duritatii. Aparatul ce realizeaz c lirea rapid , utilizeaz l mpi cu infraro u, de mare putere, ca surse de nc lzire.Este important de asemenea s se evite supranc lzirea waferului (materialul semiconductor), dar i distribu ia neuniform a temperaturii pe acesta. Dificultatea dop rii unor astfel de semiconductoare const n modul de m surare a temperaturii waferului, n timpul

procesului. n general se utilizeat dou metode de m surare a temperaturii waferului: termocuple i senzori cu infraro u. Pentru a putea vedea cum influen eaz pozi ia senzorului fa de wafer i lamp m surarea temperaturii waferului, se va utiliza urm torul model creat n Comsol. n camera n care are loc c lirea, waferul, senzorul i lampa sunt a ezate astfel:

Fig1:Componentele modelului.

Dup cum se poate observ din distribu ia de temperatur a modelului, waferul nu are o temperatur uniform pe suprafa a sa, dup o expunere de 10 s. Waferul are o temperatur de aproximativ 1800 K pe margini, iar n centru acestuia temperatura tinde c tre 2000 K. Exist de asemenea o diferen de temperatur semnificativ ntre temperatura waferului i temperatura senzorului. Valoarea temperaturii senzorului este de aproximativ 1200 K, fiind mult mai mic dect cea a waferului.

Fig.2:.Distribu ia de temperatur pe fiecare component a sistemului n parte.

(Figure 2-53: Temperatures of the lamp, wafer, and sensor after 10 s of heating.)
Pentru a putea observa modul n care variaz temperatura ntr-un punct pe wafer, senzor, respectiv lamp , n cele 10 s, vom trasa urm torul grafic:

F Fig.3: Varia ia n timp a temperaturilor ale diferitele componente ale sistemului de c lire.

Cantitatea de c ldura reflectat de wafer c tre senzor este mic , acest lucru este reflectat i n grafic. Se observ c temperatura senzorului este mult mai mic dect cea a waferului.Forma caracterisiticii temperaturii waferului este asem n toare cu caracteristica Senz_irad.

Fig.4: Temperatures of the lamp, wafer, and sensor.