MODUL KARAKTERISASI SEL SURYA A. TUJUAN 1. Memahami karakteristik rapat arus terhadap tegangan sel surya 2.

Menentukan efisiensi sel surya 3. Mengetahui pengaruh intensitas cahaya yang diberikan terhadap efisiensi sel surya 4. Mampu membedakan perbedaan prinsip kerja dan karakteristik sel surya organik dengan sel surya anorganik B. DASAR TEORI Salah satu dari pengukuran dasar untuk menentukan karakteristik sel surya adalah pengukuran arus tegangan (I V). Oleh karena arus bergantung pada luas daerah aktif dari sel surya, maka lebih berguna untuk mengukur rapat arus (J V) dibandingkan dengan mengukur arus saja. Maka pengukuran rapat arus tegangan (J V) di lakukan dengan menyinari divais sel surya dibawah penyinaran standar spektrum matahari AM1.5. Beberapa parameter yang penting yang digunakan untuk mengkarakterisasi sel surya dapat diperoleh dari kurva J - V adalah rapat arus hubung singkat, tegangan rangkaian terbuka, fill factor, dan efisiensi konversi daya. I. Karakteristik J V dalam keadaan gelap Dalam keadaan gelap, sel surya heterojunction berkelakuan seperti sebuah dioda semikonduktor. Jika arus seri diberikan pada divais, maka arus akan mengalir melewati divais dan deretannya. Ada dua macam arus didalam divais semikonduktor, salah satunya adalah arus hanyut (drift current) yang disebabkan oleh medan listrik didalam material. Untuk semikonduktor tipe-n, arus hanyut dapat dinyatakan sebagai :

Dimana e adalah muatan elektron, p adalah rapat hole, adalah medan listrik.

adalah mobilitas hole, dan E

Arus yang satunya lagi adalah arus difusi (diffusion current) yang disebabkan oleh variasi spasial dari konsentrasi muatan di dalam material. Arus akan mengalir dari konsentrasi yang tinggi menuju konsentrasi yang rendah. Arus difusi dapat dinyatakan sebagai :

Dimana

adalah koefisien difusi hole.

Dalam keadaan setimbang, tanpa tegangan luar, kedua jenis arus ini saling meniadakan satu dengan yang lainnya, sehingga arus totalnya menjadi nol.

Pada kasus dimana diberikan tegangan luar, terjadi pergeseran tingkat Fermi elektron. Tingkat Fermi ini akan sedikit bergeser dari tingkat Fermi intrinsic pada equilibrium yang disebut dengan quasi Fermi level. Pergeseran tingkat Fermi ini pada umumnya sama dengan besarnya tegangan luar yang diberikan kepada semikonduktor. Jika yang diberikan adalah tegangan maju (forward bias), maka arus hanyut akan tereduksi, dan difusi muatan meningkat. Ketika tegangan mundur (reverse bias) diberikan, maka arus difusi ditekan, sehingga arus akan mengalami saturasi. Secara eksperimen, persamaan arus dari sel surya dalam kedaan arus gelap diberikan oleh : [ ( ) ]

Dimana n adalah faktor ideal. Faktor ideal dapat diukur dari kemiringan kurva antara log I terhadap tegangan V.

II.

Karakteristik J V dalam keadaan disinari Ketika semikonduktor disinari dibawah cahaya, maka akan dihasilkan muatan dari penyerapan foton. Jumlah muatan yang dihasilkan sebanding dengan intensitas cahaya yang diberikan. Pada umumnya, pembentukan muatan menghasilkan pasangan pasangan elektron dan hole, dan pasangan elektron hole ini akan bergerak menuju lapisan muatan ruang (space charge layer), yang mempunyai medan listrik yang besar untuk memisahkan pasangan elektron hole tersebut. Jika muatan tersebut dapat dipisahkan, maka jumlah pembawa muatan bebas didalam material akan meningkat dan tingkat Fermi akan bergeser. Sebagai akibatnya, akan terjadi peningkatan konsentrasi elektron dan hole didalam daerah muatan ruang. Peristiwa ini akan menghasilkan arus yang lebih banyak dalam keadaan setimbang, jadi sebagai ganti akan terukur. Oleh karena itu arus total di dalam sel surya adalah sebagai berikut : [ ( ) ]

Dari kurva ini, dapat ditemukan beberapa parameter; rapat arus hubung singkat (Jsc), tegangan rangkaian terbuka (Voc), fill factor (FF) dan efisiensi konversi daya ( ). Ketika kondisi hubung singkat diberikan, V = 0, maka tingkat Fermi dari elektroda kontak mengalami penyesuaian (aligned). Kemudian potensial built-in dalam semikonduktor akan mengalami pembengkokan (bend), menyatakan medan listrik built-in didalam daerah deplesi. Akibat adanya medan listrik built-in, maka elektron akan bergerak menuju katoda dan hole bergerak menuju anoda. Maka arus hubung singkat akan mengalir dari anoda menuju katoda. Ketika divais diberikan tegangan, pada suatu titik, tidak ada arus yang terukur. Titik ini disebut tegangan rangkaian terbuka (Voc). Pada keadaan ini pita energi dari material dalam keadaan sejajar sehingga tidak ada medan listrik didalam material, jadi tidak ada muatan dapat di ekstrak menjadi arus. Tegangan rangkaian terbuka diperoleh pada J = 0, maka dari persamaan ( )

Ketika sel surya bekerja pada sebuah keadaan dimana diberikan daya keluaran maksimum (Pmax), rapat arus dan tegangan pada titik tersebut disebut Jmpp dan Vmpp, dimana mpp menyatakan titik daya maksimum (maximum power point). Rasio P max terhadap hasil kali antara Voc dan Jsc didefinisikan sebagai fill factor (FF), yaitu sebagai berikuit :

Fill factor mengukur kualitas sel surya. Fill factor yang lebih tinggi menyatakan daya keluaran maksimum lebih dekat kepada nilai maksimum yang dapat dicapai untuk sel surya

ideal. Secara grafik, fill factor (FF) adalah ukuran dari kekotakan (squareness) dari kurva J-V sebuah sel surya. Parameter yang terakhir, tetapi merupakan parameter yang paling penting adalah efisiensi konversi daya (PCE/ ). PCE dari sel surya didefinisikan sebagai perbandingan antara daya keluaran maksimum (Pmax) terhadap daya total dari cahaya datang (Plight).

Efisiensi pada umumnya digunakan untuk membandingkan performa sel surya. Efisiensi bergantung terhadap spektrum dan intensitas cahaya dating juga temperatur dari divais. Untuk dapat memberikan perbandingan yang benar, performa sel surya diukur dibawah kondis AM1.5 dan pada temperature 250C (kondisi tes standar). AM1.5 adalah kondisi dengan intensitas cahaya 1000W/m2 dengan spektrum cahaya matahari, dan difilter dengan ketebalan atmosfer bumi 1.5. Sel surya yang dimaksudkan untuk penggunaan di luar angkasa diukur dibawah kondisi AM0. III. Pengukuran incident photon to charge carrier efficiency (IPCE) IPCE atau EQE (external quantum efficiency) dapat diperoleh melalui pengukuran responsivitas spketral dari divais. IPCE diberikan oleh persamaan : ( ) Dimana : ne adalah jumlah foto-elektron yang dihasilkan nph adalah jumlah foton datang Isc/Popt adalah responsivitas spectral Dalam keadaan bias mundur (reverse bias), arus hubung singkat (Isc) dapat dihitung dengan mengintegralkan EQE dan fluks foton dari iradiasi spectrum cahaya matahari dalam sebuah pita panjang gelombang. Dalam kasus ini integrasinya dapat dibentuk oleh penjumlahan dari perkalian keduanya, yaitu EQE dan fluks foton. ( ) ( ) ( )

Dimana IPCE ( ) adalah efisiensi kuantum eksternal (EQE)

AM( ) adalah rapat fluks foton dari spectrum cahaya matahari per satuan panjang gelombang Adalah penting untuk menghitung arus sebenarnya (real current) yang akan dihasilkan di dalam kondisi tes yang standar. Dari perhitungan rapat arus hubung singkat ini, factor mismatch terhadap has ail dari pengukuran J-V dapat ditentukan dan nilai kalibrasi yang benar untuk pengukuran J-V dapat diperoleh untuk pengukuran J-V yang lebih lanjut.

Tugas Pendahuluan 1. Bagaimana perbedaan karakterisik J-V sel surya ketika dalam keadaan gelap dan keadaan disinari? 2. Jelaskan mekanisme terjadinya keseimbangan antara arus drift dan arus difusi pada sel surya dalam keadaan gelap! 3. Apa yang dimaksud dengan tingkat Fermi elektron? 4. Jelaskan perbedaan keadaan forward bias dan reverse bias pada sel surya ketika disinari! 5. Apa yang dimaksud dengan tegangan dan arus rangkaian terbuka? Jelaskan hubungannya dengan fill factor dan efisiensi sel surya! C. METODE PERCOBAAN Pengecekan sistem 1. Nyalakan komputer dan buka software labview untuk pengukuran I-V 2. Atur range tegangan dari -0,2 Volt s.d 0,6 V dengan selisih tegangan 0,02 Volt (rentang tegangan bisa disesuaikan. Tanyakan kepada asisten untuk Keterangan lebih lanjut) 3. Hubungkan masing-masing klip dari kutub positif dan negatif dengan resistor 4. Nyalakan sumber tegangan 5. Pastikan indicator LED untuk listen menyala 6. Klik operate run 7. Simpan data yang diperoleh. Buka file dengan software Microsoft Excel Pengukuran IV solar sel organik dalam keadaan gelap Hubungkan kutub positif dengan Ag dan kutub negative dengan ITO Matikan lampu ruangan Klik operate run Simpan data yang diperoleh. Buka file dengan software Microsoft Excel Pengukuran IV solar sel organik dalam keadaan disinari (daya bervariasi) 1. Nyalakan powermeter kemudian ceklist attenuator 2. Letakkan tissue di bawah lampu. 3. Letakkan sampel di bawah lampu dan pastikan posisi sampel solar sel tidak berubah-ubah

1. 2. 3. 4.

4. Dalam keadaan gelap, atur dimmer sampai lampu menyala dengan daya tertentu 5. Klik operate-run 6. Simpan data yang diperoleh 7. Tandai letak solar sel 8. Angkat solar sel 9. Ukur nilai daya lampu di lima titik yang berbeda (4 titik sudut dan 1 titik pusat) 10. Lakukan percobaan ini dengan 5 nilai daya lampu yang berbeda-beda! D. TUGAS LAPORAN 1. Pengecekan sistem a. Buatlah grafik I terhadap V! b. Untuk data I yang bernilai positif, kalikan dengan -1 (negatif 1) 2. Pengukuran IV solar sel organik dalam keadaan gelap a. Buatlah grafik J (rapat arus) terhadap V (luas penampang arus = 6 mm2)! b. Untuk data I yang bernilai positif, kalikan dengan -1 (negatif 1) 3. Pengukuran IV solar sel organik dalam keadaan disinari a. Buatlah 5 kurva J terhadap I untuk masing-masing intensitas dalam 5 grafik yang berbeda! Tentukan Nilai Voc dan Jsc dari grafik tersebut! b. Hitung nilai : i. Pmaksimum = Voc x Jsc ii. Pmpp = Daya maksimum yang diperoleh di dalam kurva iii. Fill Factor = Pmaksimum / Pmpp iv. Pin= v. Efisiensi = untuk masing-masing grafik! c. Apakah terdapat perbedaan jika daya lampu yang diberikan kepada solar sel bervariasi? 4. Bandingkan prinsip kerja dan karakteristik sel surya organik dan anorganik!