MAKALAH PENGANTAR TEKNOLOGI SEMIKONDUKTOR

KARAKTERISTIK DIODA SAMBUNGAN P-N

Oleh :

I Gede Astina 0908205008

JURUSAN FISIKA FAKULTAS MATEMATIKA DAN ILMU PENGETAHUAN ALAM UNIVERSITAS UDAYANA 2012

BAB I PENDAHULUAN

1.1 LATAR BELAKANG Dioda merupakan suatu piranti dua elektroda dengan arah arus yang tertentu, dapat juga dikatakan dioda bekerja sebagai penghantar bila tegangan listrik diberikan dalam arah tertentu tetapi dioda akan bekerja sebagai isolator bila tegangan yang diberikan dalam arah berlawanan dari pergerakan elektron pembentuknya. Dioda adalah piranti semikonduktor dengan bahan tipe-n yang menyediakan elektron-elektron bebas dan bahan tipe-p yang disatukan (p-n junction). Semikonduktor adalah sebuah bahan dengan konduktivitas listrik yang berada di antara insulator dan konduktor. Semikonduktor disebut juga sebagai bahan setengah penghantar listrik. Sebuah semikonduktor bersifat

sebagai insulator pada temperatur yang sangat rendah, namun pada temperatur ruangan besifat sebagai konduktor. Bahan semikonduksi yang sering digunakan adalah silikon, germanium, dan gallium arsenide. Semikonduktor sangat berguna dalam bidang elektronik, karena konduktansinya yang dapat diubah-ubah dengan menyuntikkan materi lain yang disebut pendonor elektron. Berdasarkan tingkat kemurnian atom penyusunnya, terdapat dua kelompok semikonduktor yaitu intrinsik dan ekstrinsik. Untuk kelompok ekstrinsik terdapat dua jenis/tipe semikonduktor yaitu semikonduktor tipe-p dan semikonduktor tipe-n. Bahan semikonduktor yang banyak dipelajari dan secara luas telah dipakai adalah bahan silikon (Si). Semikonduktor instrinsik (murni) adalah semi konduktor yang tidak ataupun belum terkotori oleh atom-atom asing. Pada 0 oK pita valensi penuh, pita konduksi kosong sehingga bersifat sebagai isolator. Pada suhu yang lebih tinggi misal pada suhu kamar ada lektron pada pita valensi yang energinya melebihi energi gap sehingga dapat meloncat dari pita valensi ke pita konduksi menjadi elektron bebas dengan meninggalkan kekosongan pada pita valensi. Kekosongan ini disebut hole (lubang) dan dianggap bermuatan positif sebesar muatan elektron.

1.2 RUMUSAN MASALAH Rumusan masalah dalam penulisan makalah ini : 1. Bagaimana arus yang terjadi pada daerah persambungan p-n? 2. Bagaimana arah arus yang dapat dilewatkan sebuah diode?

1.3 BATASAN MASALAH Batasan masalah dalam penulisan makalah ini pada karakteristik sebuah diode sambungan p-n.

1.4 TUJUAN Tujuan dari penulisan makalah ini adalah untuk mengetahui karakteristik dari pada diode sambungan p-n.

BAB II PEMBAHASAN

Dioda merupakan suatu piranti dua elektroda dengan arah arus yang tertentu, dapat juga dikatakan dioda bekerja sebagai penghantar bila tegangan listrik diberikan dalam arah tertentu tetapi dioda akan bekerja sebagai isolator bila tegangan yang diberikan dalam arah berlawanan dari pergerakan elektron pembentuknya. Dioda adalah piranti semikonduktor dengan bahan tipe-n yang menyediakan elektron-elektron bebas dan bahan tipe-p yang disatukan (p-n junction).

2.1 SEMIKONDUKTOR Semikonduktor merupakan bahan dengan konduktivitas listrik yang berada diantara isolator dan konduktor. Disebut semi atau setengah konduktor, karena bahan ini memang bukan konduktor murni. Semikonduktor, umumnya diklasifikasikan berdasarkan harga resistivitas listriknya pada suhu kamar, yakni dalam rentang 10-2-109 cm. Sebuah semikonduktor akan bersifat sebagai isolator pada temperatur yang sangat rendah, namun pada temperatur ruang akan bersifat sebagai konduktor. Bahan semikonduktor yang banyak dikenal contohnya adalah silikon (Si), germanium (Ge) dan Galium Arsenida (GaAs). Germanium dahulu adalah bahan satu-satunya yang dikenal untuk membuat komponen semikonduktor. Namun belakangan, Silikon menjadi popular setelah ditemukan cara mengekstrak bahan ini dari alam. Silikon merupakan bahan terbanyak ke-dua yang ada dibumi setelah oksigen (O2). Pasir, kaca dan batu-batuan lain adalah bahan alam yang banyak mengandung unsur silikon. Berdasarkan murni atau tidak murninya bahan, semikonduktor dibedakan menjadi dua jenis, yaitu semikonduktor intrinsik dan ekstrinsik. 2.1.1 Semikonduktor Intrinsik

Semikonduktor intrinsik merupakan semikonduktor yang terdiri atas satu unsur saja, misalnya Si saja atau Ge saja. Pada Kristal semikonduktor Si, 1 atom Si yang memiliki 4 elektron valensi berikatan dengan 4 atom Si lainnya.

Gambar 1. Struktur kristal 2 dimensi kristal Si

Pada kristal semikonduktor instrinsik Si, sel primitifnya berbentuk kubus. Ikatan yang terjadi antar atom Si yang berdekatan adalah ikatan kovalen. Hal ini disebabkan karena adanya pemakaian 1 buah elektron bersama (kovalen) oleh dua atom Si yang berdekatan. Menurut tori pita energi, pada T = 0 K pita valensi semikonduktor terisi penuh elektron, sedangkan pita konduksi kosong. Kedua pita tersebut dipisahkan oleh celah energi kecil, yakni dalam rentang 0,18 sampai 3,7 eV. Pada suhu kamar Si dan Ge masing-masing memiliki celah energi 1,11 eV dan 0,66 eV. Bila mendapat cukup energi, misalnya berasal dari energi panas, elektron dapat melepaskan diri dari ikatan kovalen dan tereksitasi menyebrangi celah energi. Elektron valensi pada atom Ge lebih mudah tereksitasi menjadi elektron bebas dari pada elektron valensi pada atom Si, karena celah energi Si lebih besar dari pada celah energi Ge.

Gambar 2. Elektron dapat menyebrangi celah energi menuju pita konduksi sehingga menimbulkan hole pada pita valensi

Besarya energi yang diperlukan untuk melepaskan elektron dari pita valensi ke pita konduksi ini disebut energi terlarang (energy gap). Jika sebuah ikatan kovalen terputus, maka akan terjadi kekosongan atau lubang (hole). Pada daerah dimana terjadi kekosongan akan terdapat kelebihan muatan positif, dan daerah yang ditempati elektron bebas mempunyai kelebihan muatan negatif. Kedua muatan inilah yang memberikan kontribusi adanya aliran listrik pada semikonduktor murni. Jika elektron valensi dari ikatan kovalen yang lain mengisi hole tersebut, maka akan terjadi lubang baru di tempat yang lain dan seolah-olah sebuah muatan positif bergerak dari hole yang lama ke hole baru. Proses aliran muatan ini, yang biasa disebut sebagai arus drift. Peristiwa hantaran listrik pada semikonduktor adalah akibat adanya dua partikel masingmasing bermuatan positif dan negatif yang bergerak dengan arah yang berlawanan akibat adanya pengaruh medan listrik. 2.1.2 Semikonduktor Ekstrinsik Semikonduktor yang telah terkotori atau tidak murni lagi oleh atom dari jenis lainnya dinamakan semikonduktor ekstrinsik. Proses penambahan atom pengotor pada semikonduktor murni disebut pengotoran (doping). Dengan menambahkan atom pengotor (impurities), struktur pita dan resistivitasnya akan berubah. Ketidakmurnian dalam semikonduktor dapat menyumbangkan elektron maupun hole dalam pita energi. Dengan demikian, konsentrasi elektron dapat menjadi tidak sama dengan konsentrasi hole, namun masing-masing bergantung pada konsentrasi dan jenis bahan ketidakmurnian. Jika konsentrasi doping tidak merata (nonuniform) maka akan didapat konsentrasi partikel yang bermuatan yang tidak merata juga, sehingga kemungkinan terjadi mekanisme gerakan muatan tersebut melalui difusi. Dalam hal ini gerakan partikel harus random dan terdapat gradien konsentrasi. Misalnya konsentrasi elektron pada salah satu sisi bidang lebih besar dibandingkan sisi yang lain, sedangkan elektron bergerak secara random, maka akan terjadi gerakan elektron dari sisi yang lebih padat ke sisi yang kurang padat. Gerakan muatan ini menghasilkan arus difusi. Perlu dicatat bahwa masing-masing partikel yang bermuatan bergerak menjauhi bagian yang mempunyai konsentrasi lebih tinggi, namun gerakan

tersebut bukan karena adanya gaya tolak. Seperti halnya pada mobilitas, difusi merupakan penomena statistik. Dalam aplikasi terkadang hanya diperlukan bahan dengan pembawa muatan elektron saja, atau hole saja. Hal ini dilakukan dengan doping ketidakmurnian ke dalam semikonduktor. Terdapat tiga jenis semikonduktor ekstrinsik yaitu semikonduktor tipe-n, semikonduktor tipe-p, dan semikonduktor paduan. 1. Semikonduktor Ekstrinsik Tipe-n Semikonduktor dengan konsentrasi elektron lebih besar dibandingkan konsentrasi hole disebut semikonduktor ekstrinsik tipe-n. Semikonduktor tipe-n menggunakan semikoduktor intrinsik dengan menambahkan atom donor yang berasal dari kelompok VA pada susunan berkala, misalnya Ar (arsenic), Sb (Antimony), phosphorus (P). Atom campuran ini akan menempati lokasi atom intrinsik didalam kisi Kristal semikonduktor.

Gambar 3. Atom pengotor untuk menghasilkan semikonduktor ekstrinsik tipe-n

Konsentrasi elektron pada Si dan Ge dapat dinaikkan dengan proses doping unsur valensi 5. Sisa satu elektron akan menjadi elektron bebas, jika mendapatkan energi yang relatif kecil saja yang disebut sebagai energi ionisasi. Elektron ini akan menambah konsentrasi elektron pada pita konduksi. Elektron yang meninggalkan atom pengotor yang menjadi ion disebut dengan elektron ekstrinsik. Keberadan impuriti donor digambarkan dengan keadaan diskrit pada energi gap pada posisi didekat pita konduksi.

Gambar 4. (a) Kristal semikonduktor ekstrinsik tipe-n dua dimensi (b) Pita energi semikonduktor ekatrinsik tipe-n

Penambahan atom donor telah menambah level energi pada pita konduksi yang berada diatas energi gap sehingga mempermudah elektron untuk menyebrang ke pita konduksi. Pada suhu kamar sebagian besar atom donor terionisasi dan elektronnya tereksitasi ke dalam pita konduksi. Sehingga jumlah elektron bebas (elektron intrinsik dan elektron ekstrinsik) pada semikonduktor tipe-n jauh lebih besar dari pada jumlah hole (hole intrinsik). Oleh sebab itu, elektron di dalam semikonduktor tipe-n disebut pembawa muatan mayoritas, dan hole disebut sebagai pembawa

muatan minoritas. 2. Semikonduktor Ekstrinsik Tipe-p Semikonduktor tipe-p, dimana konsentrasi lubang lebih tinggi dibandingkan elektron, dapat diperoleh dengan menambahkan atom akseptor. Pada Si dan Ge, atomnya aseptor adalah unsur bervalensi tiga (kelompok III pada susunan berkala) misalnya B (boron), Al (alumunium), atau Ga (galium).

Gambar 5. Atom pengotor untuk menghasilkan semikonduktor ekstrinsik tipe-p

Karena unsur tersebut hanya memiliki tiga elektron valensi, maka terdapat satu kekosongan untuk membentuk ikatan kovalen dengan atom induknya. Atom tersebut akan mengikat elektron dari pita velensi yang berpindah ke pita konduksi. Dengan penangkapan sebuah elektron tersebut, atom akseptor akan menjadi ion negatip. Atom akseptor akan menempati keadaan energi dalam energi gap di dekat pita valensi.

Gambar 6. (a) Kristal semikonduktor ekstrinsik tipe-p dalam dua dimensi (b) Pita energi semikonduktor ekstrinsik tipe-p

Pada semikonduktor tipe-p, atom dari golongan III dalam sistem periodik unsur misalnya Ga, dibubuhkan kedalam kristal semikonduktor intrinsik. Oleh karena galium termasuk golangan III dalam sistem periodik unsur, atom Ga memiliki tiga buah elektron valensi. Akibatnya, dalam berikatan dengan atom silikon di dalam kristal, Ga memerlukan satu elektron lagi untuk berpasangan dengan atom Si. Oleh sebab itu atom Ga dengan mudah menangkap elektron, sehingga disebut akseptor. Jika ini terjadi atom akseptor menjadi kelebihan elektron sehingga menjadi bermuatan negatif. Dalam hal ini dikatakan atom akseptor terionkan. Ion akseptor ini mempunyai muatan tak bebas, oleh karena tak bergerak dibawah medan listrik luar. Ion Si yang elektronnya ditangkap oleh atom akseptor terbentuk menjadi lubang, yang disebut lubang ekstrinsik. Jelaslah bahwa pada semikonduktor tipe-p, lubang merupakan pembawa muatan yang utama, sehingga disebut pembawa muatan mayoritas. Disini elektron bebas merupakan pembawa muatan minoritas. 3. Semikonduktor Campuran Semikonduktor campuran (compound semiconductor) dapat diperoleh dari unsur valensi tiga dan valensi lima (paduan III-V, misalnya GaAs atau GaSb) atau dari unsur valensi dua dan valensi enam (paduan II-VI, misalnya ZnS).

Ikatan kimia terbentuk dengan peminjaman elektron oleh unsur dengan velensi lebih tinggi kepada unsur dengan valensi lebih rendah Atom donor pada semikonduktor paduan adalah unsur dengan valensi lebih tinggi dibandingkan dengan unsur yang diganti. Atom akseptor adalah unsur dengan valensi lebih rendah dibandingkan dengan unsur yang diganti atau ditempati.

Gambar 7. (a) Kristal semikonduktor paduan GaAs dalam dua dimensi (b) Kristal semikonduktor paduan GaAs tipe-n dua dimensi

2.2 DIODE SAMBUNGAN p-n Diode sambungan p-n dibentuk dengan cara menyambungkan

semikonduktor tipe-p dan tipe-n. Pada saat terjadinya sambungan (junction) p dan n, hole-hole pada bahan p dan elektron-elektron pada bahan n disekitar sambungan cenderung untuk berkombinasi.

Gambar 8. Struktur Dioda Semikonduktor pembentukan sambungan dan daerah pengosongan

Pada sambungan sisi p terdapat hole bebas dan (-) atom pengotor akseptor yang diionisasi dengan konsentrasi sama dan secara keseluruhan bersifat netral. Pada sambungan sisi n terdapat elektron bebas dan sejumlah atom pengotor

donor yang diionisasi. Pembawa mayoritas pada sisi p adalah hole dan pada sisi n adalah elektron. Oleh karena itu pada sisi p tinggal ion-ion akseptor yang bermuatan negatif dan pada sisi n tinggal ion-ion donor yang bermuatan positif. Namun proses ini tidak berlangsung terus, karena potensial dari ion-ion positif dan negatif ini akan menghalanginya. Potenssial ini dikenal dengan potensial barrier yaitu beda potensial pada persambungan. Beda potensial ini menjadi cukup besar untuk menghalangi proses penyebaran difusi selanjutnya dari elektron-elektron bebas. Pada suhu ruangan potensial barrier bekerja sekitar 0,7 Volt untuk Silikon dan 0,3 Volt untuk German

1. Arus Difusi Karena sambungan tipe-n dan tipe-p maka adanya kelebihan hole pada tipep dan elektron pada tipe-n akan mengakibatkan terjadinya arus difusi, yakni arus difusi hole dari tipe-p menuju tipe-n dan arus difusi elektron dari tipen menuju tipe-p. Adanya arus difusi ini akan mengakibatkan munculnya daerah pengosongan muatan disekitar daerah batas tipe-p dan tipe-n. Daerah ini kemudian disebut juga sebagai daerah deplesi. Kemudian pada daerah deplesi ini akan terjadi penumpukan muatan positif (hole) di sekitar daerah batas tipe-n dan penumpukan muatan negatif pada batas tipe-p. Penumpukan muatan ini tidak lain disebabkan oleh pergerakan arus difusi yang terjadi bersamaan. Adanya penumpukan muatan ini kemudian akan menyebabkan munculnya medan listrik pada daerah deplesi.

2. Arus Drift Medan listrik ini mampu menggerakkan hole-hole minoritas pada tipe-n menuju tipe-p dan elektron minoritas dari tipe-p menuju tipe-n. Arus yang berlawanan dengan arus difusi ini kemudian dinamakan dengan arus drift. Pada keadaan kesetimbangan arus drift ini memiliki nilai yang sama besar dengan arus difusi sehingga secara keseluruhan tidak ada arus yang mengalir pada divais ini.

10

Gambar 9. Diagram aliran arus difusi dan drift pada sambungan p-n

2.3 SAMBUNGAN p-n YANG DI CATU Jika terminal positif dari catu daya disambungkan ke tipe-p dan terminal negatif ke tipe-n dari sambungan p-n, sambungan tersebut melewati arus besar yang mengalir lewat sambungan tersebut. Dalam hal ini, sambungan p-n dikatakan dicatu maju (forward biased) jika terminal-terminal dari sumber tegangan dibalik, yakni terminal positif disambungkan ke tipe-n, dan terminal negatif di tipe-p, sambungan akan mengalirkan arus kecil. Dalam keadaan ini sambungan p-n dikatakan dicatu balik (reverse biased).

Gambar 10. Diode sambungan p-n sebelum di catu

1. Bias Maju (Foward Bias) Tegangan catu maju VD mengakibatkan gaya pada hole di sisi tipe-p dan pada elektron di sisi tipe-n. Gaya ini mengakibatkan hole dan elektron bergerak menuju hubungan. Akibatnya, lebar muatan tidak tercakup berkurang dan halangan berkurang, yakni energi halangannya. Besarnya pengurangan energi halangan diberikan oleh eV, di mana VD adalah tegangan yang diberikan. Akibat berkurangnya tinggi halangan, maka arus mengalir terutama akibat pembawa mayoritas, yakni hole dari tipe-p ke tipe-n dan elektron dari tipe-n ke tipe-p naik.

11

Gambar 11. Diode sambungan p-n yang di bias maju

Sebaliknya, arus pembawa minoritas yang mengalir dalam arah sebaliknya dari arus pembawa mayoritas tidak dipengaruhi oleh catu maju. Hal ini disebabkan arus pembawa minoritas hanya tergantung pada temperatur. 2. Bias Mundur (Reverse Bias) Dalam hal ini tegangan yang diberikan sambungan mengakibatkan lobang dalam sisi jenis p dan elektron dalam sisi jenis n bergerak menjauhi hubungan. Hal ini menaikkan lebar muatan tidak tercakup sekeliling hubungan dan menaikkan tinggi halangan. Besarnya kenaikan energi halangan sama dengan eV, di mana VD besarnya tegangan yang diberikan. Akibat kenaikan tinggi halangan, sejumlah pembawa mayoritas yang dapat diabaikan akan dapat melewati hubungan dan arus akan sama dengan nol. Namun, pembawa minoritas yang melalui halangan potensial tetap tidak berubah dan memberikan arus yang kecil. Arus ini dinamakan arus jenuh balik (IS). Arus jenuh balik membesar dengan kenaikan temperatur dioda, tetapi sebagian besar tidak tergantung pada tegangan balik yang diberikan. Kenaikan temperatur mempercepat membesarnya konsentrasi pembawa minoritas yang mengarah ke kenaikan arus jauh balik.

Gambar 12. Diode sambungan p-n yang di bias mundur

12

2.4 KARAKTERISTIK VOLT-AMPER DARI SAMBUNGAN p-n Perlu ditekankan bahwa batas arus yang biasanya berlaku untuk dioda yang bekerja pada arah maju jauh lebih besar daripada arus jenuh balik. Misalnya, jika arus maju berada pada batas sekitar mA (nilai amper), arus jenuh balik dalam batas A (mikro amper) akan kurang. Dari karakteristik Gambar 13. terlihat, bahwa pada tegangan balik yang ditunjukkan oleh titik B pada karakteristik arus balik mendadak naik. Dioda sambungan p-n jika bekerja di daerah garis putus-putus dinamakan dioda breakdown (patahan).

Gambar 13. Karakteristik arus tegangan khas dari dioda sambungan p-n.

Jika dioda sambungan p-n bekerja dalam daerah garis putus-putus dari karakteristik tegangan balik gambar 13, dioda-dioda tersebut dinamakan dioda patah (breakdown). Dua mekanisme berikut merupakan pernyebab patahan dalam dioda hubungan p-n : 1. Patahan Avalans : Pada saat catu-balik yang diberikan dalam sambungan p-n naik, medan lewat hubungan akan naik pula. Pada suatu harga catu, medan menjadi sedemikian besar sehingga pembawa yang dibangkitkan secara panas pada saat melintasi hubungan memperoleh sejumlah energi dari medan. Kemudian pembawa ini dapat melepaskan ikatan kovalen dan membentuk pasangan hole baru pada saat membentuk ion tidak bergerak. Pembawa baru ini mengambil lagi energi yang cukup dari medan yang diberikan dan membentuk ion tidak bergerak sambil membangkitkan pasangan hole-elektron hole berikutnya. Proses ini sifatnya akumulatif dan menghasilakan avalans atau longsoran pembawa dalam waktu

13

yang sangat singkat. Mekanisme pembangkitan pembawa ini dinamakan penggadaan avalans. 2. Patahan Zener Patahan zener terjadi jika medan catu balik lewat hubungan p-n sedemikian rupa sehingga medan dapat memberikan gaya pada elektron terikat dan melepaskannya dari ikatan kovalen. Jadi, sejumlah besar pasangan elektron-hole akan dibangkitkan lewat putusnya langsung ikatan kovalen. Pasangan elektron hole demikian memperbesar arus balik. Dalam patahan zener pembangkitan pembawa tidak disebabkan oleh tumbukan pembawa dengan ion-ion diam seperti halnya dalam peristiwa penggandaan avalans.

14

BAB III PENUTUP

Kesimpulan Kesimpulan dari penulisan makalah ini adalah 1. Sambungan p-n akan menyebabkan terjadinya arus difusi. Ini disebabkan oleh perbedaan kosentrasi pembawa pada sambungan tipe-p dan sambungan tipe-n. Akibat dari arus difusi akan menyebabkan pengosongan muatan pada daerah persambungan, sehingga mengakibatkan penumpukan muatan. Penumpukan muatan ini akan memberikan sebuah medan listrik, sehingga akan terjadi arus drift. 2. Dioda sambungan p-n hanya dapat melewatkan satu arah arus saja jika diberikan prategang maju dan tidak melewatkan arus yang dengan arah yang sebaliknya jika diberikan prategang mundur.

15

DAFTAR PUSTAKA

Bucha, David. 1993. Applied Electronic and Instrumentation dan Mesurement . Maxwell Press. Sydney.

http://id.wikipedia.org/wiki/Semikonduktor diakses tanggal 14 april 2012

Rio, Reka S. 1982. Fisika Dan Teknologi Semikonduktor. P.T Pradnya Paramitha : Jakarta.

16