Captulo 4

Tcnicas de fabricacin de bras

4.1 Introduccin
Hasta ahora se ha visto el anlisis de las bras pticas desde el puntode vista terico y ahora vamos a acometer primero una descripcin tanto de los requerimientos de las bras desde el punto de vista prctico, as como un esbozo sobre los sistemas de fabricacin de estas. Para nalizar este apartado veremos las caractersticas de bras comerciales as como las de los cables, que son las bras ms los revestimientos que ofrecen rigidez y manejabilidad a las bras. Lo primero es ver qu debemos exigirles a las bras para que pueden ser usadas en sistemas prcticos, ser esencial que:


Puedan producirse bras con caractersticas de transmisin estables a precios bajos y de forma reproducible. Haya una variedad de tipos de bras en lo referente a tamaos,ndices de refraccin, longitud de onda de trabajo, materiales en el cableado, etc... Las bras ya en forma de cable sean manejables como un cable elctrico convencional sin problemas en el manejo que degraden su operatividad Las bras puedan soldarse o conectarse sin dicultades excesivas y sin grandes atenuaciones o disminucin de ancho de banda.

4.2 Fabricacin de bras

A partir de los anlisis sobre el comportamiento de las bras pticas parece claro que una parte fundamental para el guiado de seales pticas es el control de los ndices de refraccin en el interior de la bra. Al menos son necesarios dos materiales distintos que sean transparentes a la luz en el intervalo de longitudes de onda de trabajo. Como en la prctica la transparencia absoluta no existe se pide que los materiales tengan una atenuacin ptica muy baja y que tambin lo sea la absorcin intrnseca as como la dispersin espacial. Hay numerosos materiales que cumplen estas caractersticas. Tambin es fundamental evitar la dispersin espacial debida a motivos extrnsecos como puedan ser las burbujas, grietas, tensiones, grnulos, etc. Esto restringe el nmero de materiales tiles y los nicos que cumplen las especicaciones son algunos vidrios, plsticos y sustancias monocristalinas. 43

4.3. TCNICAS DE FASE LQUIDA

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Otro apartado importante es que ha de ser posible (para la fabricacin de bras con ndice gradual) la ligera modicacin del ndice de refraccin mediante la disolucin de varias sustancias y por tanto estas debern ser solubles en un amplio margen de composiciones (no es simple). Esta ltima caracterstica no puede obtenerse en materiales monocristalinos y por tanto tan slo nos quedan los vidrios para bras de ndice gradual aunque ambas pueden utilizarse en bras de ndice abrupto. La gran ventaja que ofrecen los vidrios los han hecho ser al nal los nicos materiales con uso real. Por ltimo los plsticos tienen caractersticas mucho peores aunque son mucho ms baratos y pueden usarse para sistemas de transmisin de corto alcance y pequeos anchos de banda. Una vez establecido cuales son los materiales con los que se van a fabricarlas bras pticas vamos a describir brevemente los distintos mtodospara la consecucin de bras de vidrio, stos son principalmente dos:


Tcnicas convencionales en las cuales se mantiene el material vtreo en estado fundido producindose as una estructura de vidrio multicapa. Mtodos de deposicin en fase vapor que permiten fabricar vidrios silicatados que no podran procesarse en fase lquida debido a su alto punto de fusin.

4.3 Tcnicas de fase lquida

Aqu el proceso se inicia a partir de obtener los materiales a mezclaren estado lo ms puro posible, de hecho ya comercialmente pueden encontrarse productos de alta pureza (1 parte de impurezas en 109 ), gran parte del precio del proceso radica en esta fase. Los materiales tpicos son xidos ( iO2 , S GeO2 ,B2 O2 y Al2 O3 ) y carbonatos (Na2 CO3 , K2 CO3 , CaCO3 y BaCO3 , ) que se descomponen como xidos en el proceso de fabricacin. Todos estos compuestos han sido secados adecuadamente para reducir en lo posible la aparicin de iones OH. Una vez que ya tenemos los materiales en estado puro se trata de obtener una mezcla uniforme y libre de burbujas, se puede conseguir el ndice de refraccin deseado mediante el intercambio inico de los componentes durante el proceso de fundido y mezclado. Este proceso se produce a temperaturas entre los 900 y 13000 C y se hace en el interior de un recipiente de silice (cuyo punto de fusin es mucho ms elevado). Los problemas en esta fase vienen dados por:


la contaminacin ambiental que puede incorporase a la mezcla en ambientes de alta pureza donde se elimine este problema hay incorporaciones de material del recipiente a la mezcla.

Un ejemplo del mtodo citado puede verse en la gura 4.1. Este ltimo problema puede solucionarse mediante el uso de recipientes de platino, o bien, cambiando el sistema de elevacin de temperatura, en lugar de utilizar el calentado mediante hornos se utilizan los sistemas de radiofrecuencia que sern absorbidos (y por lo tanto calentarn) por materiales inicos, que es el caso de la mezcla mientras que no calentarn el recipiente, de esta forma queda una pelcula de la mezcla sobre el recipiente que aisla la parte lquida del silice. Una vez conseguida la mezcla esta se enfra y nos quedan grandes cilindros del material del ncleo de la bra. Asmismo se hacen cilndros huecos del material que va a ser la envoltura.

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Figura 4.1: Sistema de fase lquida para obtencin de preformas para bra ptica.

4.3.1 Manufacturado de la bra

Por ltimo nos queda el proceso de estirado. La primera fase consiste en introducir el material del ncleo (cilindro macizo) en el interior de la envoltura (cilindro hueco) teniendo en cuenta que los tamaos de los cilindros son de algunos cm de dimetro. Ahora los dos cilndros concntricos pasan a travs de un horno que va a colapsar la estructura y a partir de una semilla se empezar a tirar del extremo, la velocidad con la que se tire jar el grosor del hilo que extraigamos, la conjuncin del horno ms el tirado forma la bra. Aqu hay que cuidar que el proceso de tirado sea muy uniforme al igual que el proceso del desplazamiento de los cilndros iniciales sobre el horno. El principal peligro de este proceso es que aparezcan inhomogeneidades en la intercara entre nucleo y envoltura como, por ejemplo, elementos extraos o burbujas. El proceso puede verse grcamente en la gura 4.2. Hay nuevos mtodos que evitan la fabricacin de los cilindros iniciales y consisten en el mtodo del doble recipiente (gura 4.3). En este mtodo tendremos dos recipientes uno dentro del otro, en el interior estr la mezla del ncleo y en el exterior el de la envoltura, ambos recipientes tienen una salida en la parte inferior y las dos son concntricas, al salir la temperatura disminuye y se solidica formndose la bra y al igual que anteriormente ahora el dimetro de la bra se regular mediante la velocidad con que se tire para obtener la bra. En este mtodo puede (al contrario que con el anterior) fabricarse bra de ndice gradual mediante la difusin entre ambos compuestos en la zona de solidicacin de la mezcla, de todas formas no puede obternerse el perfl deseado ya que este viene forzado por el mtodo de fabricacin. Se han conseguido atenuaciones del orden de entre 1 y 3 dB/Km y dispersiones de alrededor de 1-6 ns/Km. La gran ventaja es que el mtodo de produccin es contnuo con lo que pueden obtenerse bras de cualquier longitud.

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Figura 4.2: Formacin de una bra por estirado de preformas.

Figura 4.3: Mtodo del doble recipiente para procesado de bra contnua

4.4. TCNICAS DE FASE VAPOR

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Figura 4.4: Variacin del ndice de refraccin de la slice con distintos dopantes.

4.4 Tcnicas de fase vapor

Este tipo de proceso se utiliza para conseguir vidrios ricos en silice, con alta transparencia y ptimas propiedades pticas. Los materiales de partida son compuestos voltiles (gases o lquidos o slidos con alta presin de vapor) que pueden ser puricados como en el caso anterior hasta niveles de impurezas por debajo de 109 . La modicacin del ndice de refraccin se consigue mediante la adicin de materiales que no forman parte de la silice como por ejemplo T iO2 , GeO2 , P2 O5 , Al2 O3 , B2 O3 y F cada uno de ellos causa distintos efectos en el ndice de refraccin. En una cmara de reaccin se mexclan de forma gaseosa los formantes de la silice, los dopantes y oxgeno, se producen reacciones qumicas formndose los compuestos slidos deseados, la deposicin de estos compuestos tiene lugar sobre un sustrato o en la paredes de un tubo hueco y se va formando capa tras capa el material deseado, como podemos controlar la deposicin por capas, esto nos va a permitir, cambiando la composicin de los gases, llegar a los perles de ndice de refraccin que se hayan calculado previamente. Un ejemplo de la vvariacin de los ndices de refraccon con la concentraci de n dopante puede verse en la gura 4.4. Hay varias tcnicas que aprovechan el proceso antes citado cada una con sus ventajas e inconvenentes, vamos a describirlas someramente.

4.4.1 Proceso de oxidacin externa en fase vapor (OVPO).

Consiste en pasar los compuestos en fase vapor a travs de una llama generada por una reaccin O-H, de esa forma los vapores se hidrolizan en la llama y se van depositando sobre un tubo no y frio, el tubo va girando constantemente y se va depositando la pelcula por capas, el espesor de estas capas se puede regular mediante la velocidad de deposicin y la velocidad de giro. Como ya hemos dicho cambiando el tipo de gases va cambiando la pelcula pudiendo formarse el perl deseado (gura 4.5 a). Una vez depositado el material (se deposita un espesor de varios cm) este queda en forma de masa porosa, de ella tiene que extraese el tubo interno que sirvi como base de deposicin y posteriormente hay que cristalizar el cilndro hueco para eliminar la porosidad y por tanto el aire que pueda contener (gura 4.5 b). Finalmente se pasa a travs de un segundo horno donde ya se estira para conseguir la bra cerrando el hueco interno y dejando la bra en su estado nal (gura 4.5 c).

4.4. TCNICAS DE FASE VAPOR

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Figura 4.5: Esquema del proceso de oxidacin externo en fase vapor (OVPO) (a) Deposicin del material; (b) Eliminacin de la porosidad; (c) Estirado de la bra. Los problemas que plantea esta tcnica son varios, el primero es que la eliminacin del agua no es total y quedan trazas que contribuyen a la atenuacin, sta puede eliminarse si el proceso de compactado se realiza en presencia de Cl que elimina mejor el agua. El segundo de los problemas es que queda una depresin en el ndice de refraccin en el centro de la bra al eliminar el agujero central, tambin la eliminacin del tubo interno genera microfracturas que posteriormente actuaran en favor de la dispersin Mie. Como problema nal tenemos que es un proceso por lotes por lo que la dimensin nal de la bra queda limitado aunque se han conseguido bras de 250Km

4.4.2 Deposicin de vapor axial (VAD).

Este proceso fue desarrollado para conseguir un procesado continuo (en lugar de por lotes). Consiste en la deposicin de los materiales de formacin de la bra en un extremo en lugar de sobre toda la supercie. La barra de material se va desplazando durante el transcurso de la deposicin y sigue los mismos pasos que el proceso anterior eliminando los pasos determinados por la barra intermedia. Ahora la barra inicial crece en direccin axial y se desplaza a la velocidad de crecimiento, el perl es controlado por la temperatura en los distintos tipos del sustrato que se ja segn las condiciones de los ujos de gases (gura 4.6). Este tipo de bras tambin sufre de perdidas debidas a la absorcin de agua pero en ellas se evitan las microfacturas y la depresin debida al agujero central. Pueden conseguirse atenuaciones ms bajas que en el proceso anterior, en el rango entre 0.7 y 2dB/Km.

4.4.3 Deposicin qumica de vapor modicada (MCVD).

La deposicin qumica de vapor es utilizada en los procesor decrecimiento de una capa aislante deSiO2 en la industria de los circuitos integrados y se traslado a los procesos de fabricacin de bra ptica. Consiste en la utilizacin de un compuesto muy votatl del Si, tipicamente SiH4 que entra en contacto con oxgeno y forma el SiO2 y agua que se evapora, pero hace falta una supercie inicial donde se produzca la reaccin. En el caso de la produccin de bra, esta supercie es el interior de un tubo de silice frio, las moleculas de gas que viajan en el interior del tubo forman partculas vitreas que se

4.5. FIBRAS DE FLUORUROS

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Figura 4.6: Proceso de deposicin de vapor axial. depositan en las paredes del tubo. El tubo puede ser la envoltura de la bra o una simple estructura de soporte que no va a participar en el guiado ptico. El ncleo se va formando por capas moviendo axialmente el horno sobre el tubo contenedor, nalmente la estructura resultante que es hueca pasa por otro horno se colapsa y se forma la bra resultante (gura 4.7). Esta es la tcnica que se usa predominantemente en la actualidad, tiene como ventajas la reducida contaminacin con agua y que al realizarse el proceso en una zona limpia las impurezas debidas al ambiente se reducen radicalmente. Mediante este tipo de bras es usual la obtencin de atenuaciones de 0.35dB/Km y anchos de banda en bra graduales multimodo que rozan los 5GHz Km. Su problema es que es una tcnica que utiliza el procesado por lotes limitando as la longitud mxima de las bras.

4.4.4 Deposicin qumica de vapor activada por plasma (PCVD).

Esta tcnica es una variacin de la anterior de forma que se vara el tipo de calentamiento de los vapores, mientras que en la anterior se usaba calor resistivo en este caso se calienta mediante plasma evitando la formacin de partculas que queden libres antes de su deposicin sobre la pelcula. Se pueden conseguir perles a volutad con mayor facilidad que con las dems estructuras y se llegan a depositar unas 2000 capas lo que nos da una idea del control que podemos tener sobre el perl (gura 4.8). Salvando este punto el proceso replica al anterior con sus ventajas e inconvenientes.

4.5 Fibras de uoruros

Como se puede deducir de los anlisis de atenuacin que se hicieron en captulos anteriores, si se cambiaba el material base y en lugar de silice se utilizaban uoruros las atenuaciones mnimas tericas podan llegar a 0.02dB/Km, para longitudes de onda entre las 2 y 5m. Para su realizacin se utilizan sistemas vtreos basados en uorozirconatos (ZrF4 ) y uorohafnatos (HfF4 ). Las bras de este tipo han sido realizadas mediante las mismas tcnicas descritas con anterioridad para silicatos, el problema es que se han encontrado que la utilizacin de recipientes tanto de silice como de platino. La solucin encontrada y que a primera vista es bastante artesanal ha sido la siguiente; sobre un recipiente frio se deposita el lquido que formar la envoltura de la bra, antes de que este termine de

4.5. FIBRAS DE FLUORUROS

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Figura 4.7: Esquema del mtodo de deposicin en fase vapor modicado: (a) Deposicin por capas; (b) Colapso del cilindro previo para obtener el cilindro preformado; (c) Estirado de la bra.

Figura 4.8: Sistema de deposicin qumica de vapor activada por plasma (PCVD).

4.5. FIBRAS DE FLUORUROS

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solidicar y dado que lo har primero en los bordes del recipiente se vacia el interior resultado un cilndro hueco, en este hueco se deposita el material formante del ncleo y se permite que solidique, a partir de aqu se puede utilizar las tcnicas de hilado vistas con anterioridad en el apartado 4.3.1. Medidas de campo han resultado en atenuaciones de 0.03dB/Km para un longitud de onda de 2.56 . m