INTRODUCCIN A LA ELECTRNICA DE POTENCIA

Introduccin En el mundo de hoy la electrnica de potencia cuenta con cuantiosas aplicaciones en diferentes reas, encontramos aplicaciones en el control de velocidad de motores, conversin de energa elctrica, amplificadores de RF, arranque de mquinas sncronas, aspiradoras, calentamiento por induccin, computadores, control de temperatura, electrodomsticos, elevadores, fotocopiadoras, fuentes de poder, en fin son innumerables las aplicaciones, que nos motivan a profundizar en el anlisis de los dispositivos y circuitos empleados para este fin

QUE ES LA ELECTRNICA DE POTENCIA Es la aplicacin de circuitos basados en dispositivos de estado slido (semiconductores) con el propsito de controlar y efectuar conversiones de la energa elctrica. La figura 1, muestra la concepcin de un sistema de electrnica de potencia bsico.

Figura 1. Sistema Bsico de Electrnica de Potencia. Obsrvese que un sistema de electrnica de potencia esta compuesto bsicamente de:

Fuente de energa elctrica: Provenientes de las redes elctricas de potencia AC, de fuentes DC como las bateras, rectificadores AC, paneles solares, de generadores elicos, etc. Circuito de potencia: Es la etapa de potencia, basada principalmente en la conmutacin (ON/OFF) de dispositivos semiconductores tales como diodos, SCR (Rectificadores Controlados de Silicio), TRIAC (Triodos AC), transistores MOSFET, Transistores BJT, Transistores IGBT. Tambin se utilizan elementos pasivos como transformadores, condensadores y bobinas. En esta etapa se manejas grandes valores de corriente y de tensin. Circuito de mando: Es la etapa de control, basada principalmente en microcontroladores, circuitos integrados lineales, DSP (Procesador Digital de Seal), con el propsito de gobernar el suicheo de los dispositivos semiconductores de potencia. Carga: Puede ser puramente resistiva (cuando se controla por ejemplo el calor) o compuesta resistiva-inductiva (RL), cuando se controlan velocidades de motores, en donde se regulan los valores DC o RMS de la tensin aplicada, la frecuencia o el numero de fases. Tambin pueden ser bateras en proceso de carga, lmparas incandescentes o fluorescentes en procesos de control de intensidad de iluminacin, etc.

DISPOSITIVOS EMPLEADOS EN LA ELECTRONICA DE POTENCIA En este punto es importante tener una primera aproximacin al empezar a conocer detalles de funcionamiento, como tambin caractersticas tcnicas, de los dispositivos semiconductores que se emplean en el campo de la electrnica. Algunos de los ms importantes son: Diodos de potencia Se encuentran en el mercado de tres clases: De uso general, disponibles con tensiones hasta 3KV y 3.5KA, empleados principalmente para rectificar AC de 60 Hz. La figura 2 muestra los encapsulados comerciales de estos dispositivos.

Figura 2. Encapsulado de diodos de potencia rectificadores de baja frecuencia

De alta velocidad o recuperacin rpida, disponibles con tensiones hasta 1.5KV y 1KA, con tiempos de recuperacin inversa menores a 5 s y su principal aplicacin est en convertidores de potencia de alta frecuencia (frecuencias mayores a 20 KHz), Inversores, UPS (Unidades de Potencia Ininterrumpida). Schottky, disponibles con tensiones hasta 100 V y 300 A, con tiempos de recuperacin inversa menores a 10 ns y su principal aplicacin est en fuentes conmutadas, convertidores, cargadores de bateras, diodos de libre paso (para descargar bobinas en conmutacin de alta frecuencia). Tiristores Son dispositivos de tres terminales, denominados nodo (A), ctodo (K) y compuerta (G). El tiristor conduce siempre que la tensin del nodo sea mayor a la del ctodo (como en el caso de los diodos) y que adems haya una pequea corriente circulando desde el terminal de la compuerta al ctodo. La figura 3 muestra la construccin interna de un tiristor, su modelo equivalente con base a transistores BJT y su smbolo electrnico.

Figura 3. Construccin interna de un tiristor La figura 4, muestra los distintos tipos de encapsulados existentes, dependiendo de la capacidad de corriente manejada por el tiristor.

Figura 4. Tipos de encapsulados de tiristores

Hay varios tipos de tiristores en el mercado y se pueden clasificar de la siguiente manera: Rectificadores Controlados de Silicio (SCR): Una vez entra en conduccin el circuito de compuerta ya no tiene ningn control sobre el dispositivo. El tiristor dejar de conducir cuando el potencial del nodo es igual o menor al del ctodo y esto se logra por conmutacin natural (fuente de energa AC) o por conmutacin forzada mediante un circuito adicional (fuente de energa DC). Estn disponibles con tensiones hasta de unos 6 KV y corrientes hasta de 3.5 KA. Tiristor desactivado por compuerta (GTO): Es un tiristor de auto desactivacin, pues se activa como el SCR, pero se desactiva aplicando un pulso negativo a la compuerta de corta duracin, por lo tanto no requiere de circuitos de conmutacin forzada. Se aplican en conmutacin forzada de convertidores y su disponibilidad de tensin y corriente es del orden de 4 KV y 3 KA respectivamente. La figura 5 muestra el smbolo del tiristor GTO y sus principales caractersticas.

Figura 5. Smbolo del GTO

Tiristor de induccin esttico (SITH): Funciona semejante al GTO, su principal aplicacin est en convertidores de potencia mediana con frecuencias en el orden de los MHz, mucho mayores que la del GTO, con tensiones hasta 1.2 KV y corrientes hasta 0.3 KA. Tiristor de conduccin inversa (RCT): Es un tiristor que incluye un diodo conectado inversamente entre el nodo y el ctodo. Su tensin puede ir hasta 2.5 KV, 1 KA en conduccin directa y 0.5 KA en conduccin inversa, con tiempos de interrupcin menores a 40 s. Se aplican principalmente en sistemas de traccin donde se requiere interrupcin de alta velocidad. Tiristor desactivado con asistencia de compuerta (GATT): Funciona de manera similar al RCT, con velocidades de interrupcin de 8 s y tensiones de slo 1.2 KV y corrientes de 0.4 KA. Rectificador controlado de silicio fotoactivado (LASCR): Se utilizan principalmente en sistemas de alta tensin de hasta 6KV y 1.5 KA con velocidades de interrupcin de 300 s. La figura 6 muestra el smbolo de este tiristor y sus principales caractersticas.

Figura 6. Smbolo del LASCR Trodo de corriente alterna (TRIAC): Se comporta como dos SCR conectados en antiparalelo con un solo terminal de compuerta. El flujo de corriente se puede controlar en cualquier direccin. Su principal aplicacin es control de AC de baja potencia para controles de calor, iluminacin, motores universales e interruptor de AC. La figura 7 muestra la estructura interna y el smbolo de un TRIAC.

Figura 7. Smbolo y estructura interna del TRIAC Tiristor controlado por MOS (MCT): Entran en conduccin aplicando un pequeo pulso de voltaje negativo a la compuerta MOS respecto al nodo y se desactivan aplicando un pequeo pulso positivo. Se comporta similar a un GTO. Se consiguen con tensiones hasta 1 KV y corrientes de 0.1 KA. La figura 8 muestra el smbolo del MCT y sus principales caractersticas.

Figura 8. Smbolo del MCT

Transistores bipolares de unin (BJT): Los BJT de alta potencia se emplean en la mayora de las veces en los convertidores de energa que trabajan con frecuencias menores a 10 KHz, con tensiones hasta 1.2 KV y corrientes hasta de 0.4 KA. Se trabajan en los estados de saturacin (ON) y corte (OFF).

Transistores MOSFET: Se emplean en convertidores de potencia de alta velocidad de conmutacin (varias decenas de KHz), con tensiones de hasta 1KV y corrientes de slo 50 A. La figura 9 muestra construccin interna de un MOSFET, sus smbolos y caractersticas ms importantes.

Figura 9. MOSFET: Estructura interna y smbolos

Transistores bipolares de compuerta aislada (IGBT): A diferencia de los BJT, estos no son controlados por corriente (la de Base), sino por tensin (la de Compuerta). Presentan una velocidad de conmutacin intermedia entre los BJT (la menor) y los MOSFET (la mayor), hasta unos 20 KHz. Su tensin y corriente de trabajo mximo se encuentran en 1.2 KV y 0.4 KA respectivamente. La figura 10 muestra el smbolo y la estructura interna de un IGBT canal N.

Figura 10. IGBT - N: Estructura interna y smbolos En conclusin, el componente bsico del circuito de potencia, es decir el elemento de conmutacin, debe cumplir los siguientes requisitos:

Tener dos estados claramente definidos, uno de alta impedancia (bloqueo, OFF, Apagado) y otro de baja impedancia (conduccin, ON, encendido). Poder controlar el paso de un estado a otro con facilidad y pequea potencia. Ser capaces de soportar grandes intensidades y altas tensiones cuando est en estado de bloqueo, con pequeas cadas de tensin entre sus terminales de potencia (Emisor Colector para el BJT, Drenador Surtidor para el MOSFET, nodo Ctodo para el tiristor), cuando est en estado de conduccin. Ambas condiciones lo capacitan para controlar grandes potencias. Rapidez de funcionamiento para pasar de un estado a otro (ON/OFF u OFF/ON).

El ltimo requisito se traduce en que, a mayor frecuencia de funcionamiento, habr una mayor disipacin de potencia. Por tanto, la potencia disipada depende de la frecuencia. La figura 11 muestra como los tiristores que trabajan a bajas frecuencias de conmutacin pueden manejar mayores potencias en contraste con los MOSFET que aunque conmutan a mayores frecuencias manejan menores potencias.

Figura 11. Relacin entre potencia manejada y frecuencia de conmutacin

CARACTERSTICAS DE CONTROL DE LOS DISPOSITIVOS DE POTENCIA Es importante ahora comprender cmo una tensin de control puede llevar al dispositivo de potencia a los estados de encendido (ON) y apagado (OFF). Desde el punto de vista de las caractersticas de control, los dispositivos de potencia se pueden clasificar en:

 Dispositivos con necesidad de seal continua en el terminal de control para el encendido (compuerta o base): BJT, MOSFET, IGBT. La figura 12 muestra este requisito en el caso del BJT. Obsrvese que para que el BJT se mantenga encendido durante el tiempo T ON se requiere obligatoriamente que durante ese mismo tiempo se este aplicando una seal de amplitud apropiada en el terminal de control que en este caso es la base, de esta manera el BJT entra en saturacin y prcticamente el colector y el emisor quedan en cortocircuito quedando conectada la fuente de energa VF a la resistencia de carga y por lo tanto el voltaje de salida VO es el mismo VF .
VB 1
VB

0 VO VF VO

VF

T ON

0
T ON T

Figura 12. Caracterstica de conmutacin de un BJT La figura 13, muestra la misma situacin anterior pero en este caso dispositivos de conmutacin son un MOSFET y un IGTB.
1 0 VF
VGS VGS

los

VF VO 0

VO

T ON

T ON

Figura 13. Caracterstica de conmutacin del MOSFET e IGBT Dispositivos con necesidad de slo un pulso en el terminal de control para el encendido (compuerta): SCR, GTO, MCT, SITH, TRIAC. La figura 14 muestra este requisito en el caso del SCR.

VG

1 0
VG

-1 VF VO 0 t VO

VF

Figura 14. Caracterstica de conmutacin del SCR Obsrvese que en el instante t = 0 se suministra un pulso de corta duracin en el terminal de compuerta del tiristor y este empieza a conducir, es decir, entra en el estado de encendido, de tal manera que se puede asumir que el nodo y el ctodo quedan en cortocircuito y por lo tanto el voltaje VO de la carga es el mismo de la fuente VF. En el estado de conduccin pulsos de compuerta negativos no tienen ningn efecto en el SCR. La figura 15 muestra este mismo requisito en el caso del GTO, MCT, SITH.

VG

1
VG

0 -1

VF

VO

VF

VO

0
T ON T

Figura 15. Caracterstica de conmutacin del GTO, MCT y SITH

En el caso del GTO y del SITH, se requiere de un solo pulso positivo en la compuerta para llevarlo al estado de encendido y un pulso negativo para apagarlo disparado en el tiempo TON .

En el MCT los pulsos son invertidos, es decir, pulso negativo en la compuerta para que el dispositivo se encienda y positivo para que se apague. Dispositivos de encendido controlado y apagado sin control: SCR, TRIAC. Esto significa que una vez que ha entrado en conduccin, desde el terminal de compuerta no se puede hacer nada para llevarlo al estado de apagado. En el caso de que la fuente de energa VF sea DC, el dispositivo queda enganchado en conduccin de forma indefinida hasta que por algn medio se interrumpa la corriente de potencia que circula entre nodo y ctodo. Esta caracterstica los hace tiles en circuitos de alarma. Cuando la fuente de energa es AC, por la misma naturaleza de la corriente alterna, al pasar del semiciclo positivo al negativo la corriente nodo ctodo se hace cero y adems el dispositivo queda polarizado inversamente, es decir, el nodo con menor tensin que el ctodo, entonces de forma natural el dispositivo se apaga (Vase la figura 14). Dispositivos con caractersticas de encendido y apagado controlado: BJT, MOSFET, GTO, IGBT, MCT, SITH. Esto significa que el encendido y apagado del dispositivo se puede controlar en cualquier momento desde el terminal de compuerta (Vase las figuras 13, 14 y 15) CAMPOS DE APLICACION DE LA ELECTRNICA DE POTENCIA Las aplicaciones de la electrnica de potencia son considerables. Pero, para tener una idea, las aplicaciones se pueden clasificar de acuerdo a la potencia elctrica manejada de la siguiente manera: Baja Potencia (menor a 100 W): - Alarmas - Balastos electrnicos - Fuentes de alimentacin DC - Herramientas elctricas Media Potencia (entre 100 W y 1 KW): - Cargadores de bateras - Secadores - Reguladores de velocidad (taladros) - Cobijas elctricas - Lavadoras Alta Potencia (entre 1 KW y 100 KW): - Hornos de induccin - Accionadores para locomotoras - Secadoras - Soldadura automtica - Equipos de Rayos X - Equipos Lser

La figura 16, muestra un equipo de RX, donde se requieren tensiones DC del orden de los 150 KV, para alimentar el tubo de RX y obtener imgenes del cuerpo humano.

Figura 16. Equipo de Rayos X Muy Alta Potencia (entre 100 KW y 1 MW): - Inversores para generadores - Corriente directa de alto voltaje (HVDC) - Aceleradores de partculas - Trenes elctricos de alta velocidad La figura 17, muestra un acelerador lineal de partculas (LINAC), empleado en radioterapia en tratamientos contra el cncer y en donde se utilizan las tcnicas de la electrnica de potencia.

Figura 17. Equipo de Radioterapia La figura 18 presenta el universo de aplicaciones actuales de los dispositivos de conmutacin de potencia, en donde se relaciona la capacidad de potencia manejada en volta-amperios (VA) versus la frecuencia de conmutacin en Hz.

Figura 18. Campos de aplicacin de los dispositivos de conmutacin