Fundamentos Fsicos de la Informtica

Jose Antonio Ceballos Leva

1Grado en ingeniera Informtica [UNED] 2011/2012

ndice
Tema 1: Campo elctrico I. Distribuciones discretas de carga ............................................................................... 13 Carga elctrica ................................................................................................................. 14 Definicin .................................................................................................................................... 14 Cuantizacin de la carga........................................................................................................ 14 Conservacin de la carga ...................................................................................................... 14 Conductores y aislantes ................................................................................................ 14 Definicin .................................................................................................................................... 14 Carga por induccin ................................................................................................................ 14 Ley de Coulomb ............................................................................................................... 15 Enunciado de la ley ................................................................................................................. 15 Fuerza ejercida por un sistema de cargas ...................................................................... 15 El campo elctrico........................................................................................................... 16 Definicin .................................................................................................................................... 16 Campo creado por una carga puntual .............................................................................. 16 Movimiento de cargas puntuales en campos elctricos ........................................... 16 Dipolos elctricos ........................................................................................................... 17 Definicin .................................................................................................................................... 17 Momento dipolar ..................................................................................................................... 17 Energa potencial en un dipolo ........................................................................................... 17 Lneas del campo elctrico .......................................................................................... 18 Definicin .................................................................................................................................... 18 Lneas de campo sobre una o dos carga puntual/es iguales ................................... 18 Reglas para la representacin de lneas de campo elctrico .................................. 18 Formulario ........................................................................................................................ 19 Tema 2: Campo elctrico II. Distribuciones continuas de carga ............................................................................ 21 Campo elctrico en distribuciones continuas de carga ..................................... 22 Distribucin continua de carga .......................................................................................... 22 Eje de carga lineal finita ........................................................................................................ 22 Fuera del eje de una carga lineal finita ............................................................................ 23 Carga lineal infinita ................................................................................................................. 23 El eje de un anillo cargado.................................................................................................... 23 El eje de un disco uniformemente cargado.................................................................... 24 Proximidad de un plano infinito de carga ...................................................................... 24 Ley de Gauss...................................................................................................................... 24 Flujo elctrico ............................................................................................................................ 24 Clculo del campo elctrico mediante la ley de Gauss....................................... 25 Simetra plana ........................................................................................................................... 25 Simetra esfrica....................................................................................................................... 25 Simetra cilndrica ................................................................................................................... 25 Carga y campo elctrico en la superficie de los conductores .......................... 26 Definicin .................................................................................................................................... 26 Formulario ........................................................................................................................ 27 Tema 3. Potencial elctrico................................................................................................................................................... 29 Diferencia de potencial ................................................................................................. 30 Definicin .................................................................................................................................... 30 Propiedades ............................................................................................................................... 30 Potencial debido a un sistema de cargas puntuales ........................................... 31 Potencial debido a una carga puntual .............................................................................. 31 Potencial debido a un grupo de cargas puntuales ...................................................... 31 Potencial debido a distribuciones continuas de carga ...................................... 32 3

Potencial en el eje de un anillo cargado .......................................................................... 32 Potencial en el eje de un disco cargado ........................................................................... 32 Potencial debido a un plano infinito de carga .............................................................. 32 Potencial debido a una carga lineal infinita................................................................... 32 Potencial debido a una corteza esfrica .......................................................................... 33 Determinar el campo elctrico a travs del potencial ....................................... 34 Definicin .................................................................................................................................... 34 Relacin entre E y V ................................................................................................................ 34 Superficies equipotenciales ........................................................................................ 35 Definicin .................................................................................................................................... 35 Formulario ........................................................................................................................ 36 Tema 4. Energa electroesttica y capacidad................................................................................................................. 37 Energa potencial electroesttica.............................................................................. 38 Definicin .................................................................................................................................... 38 Capacidad .......................................................................................................................... 39 Definicin .................................................................................................................................... 39 Almacenamiento de la energa elctrica ................................................................ 40 Definicin .................................................................................................................................... 40 Energa del campo electroesttico .................................................................................... 40 Condensadores ................................................................................................................ 41 Condensadores de placas plano-paralelas ..................................................................... 41 Condensadores cilndricos ................................................................................................... 41 Asociacin de condensadores ............................................................................................. 42 Dielctricos ....................................................................................................................... 43 Definicin .................................................................................................................................... 43 Energa almacenada en presencia de un dielctrico .................................................. 43 Formulario ........................................................................................................................ 44 Tema 5: El campo magntico ............................................................................................................................................... 49 Fuerza ejercida por un campo magntico sobre una carga mvil ................. 50 Definicin .................................................................................................................................... 50 Movimiento de una carga puntual en un campo magntico ................................... 50 Fuerza ejercida por un campo magntico sobre una corriente elctrica ... 51 Definicin .................................................................................................................................... 51 Fuerza magntica sobre un elemento de corriente .................................................... 51 Fuerza ejercida por un campo magntico sobre una espira............................ 52 Momento magntico ............................................................................................................... 52 Energa potencial de un dipolo elctrico en un campo magntico ....................... 52 Lneas del campo magntico ....................................................................................... 53 Definicin .................................................................................................................................... 53 Efecto Hall .......................................................................................................................... 53 Definicin .................................................................................................................................... 53 Formulario ........................................................................................................................ 54 Tema 6: Fuentes del campo magntico............................................................................................................................ 55 Campo magntico creado por cargas puntuales en movimiento ................... 56 Definicin .................................................................................................................................... 56 Campo elctrico creado por corrientes elctricas. Ley de Biot y Savart ..... 56 B debido a una espiral de corriente .................................................................................. 56 B debido a una corriente en un solenoide ...................................................................... 57 B debido a un conductor rectilneo................................................................................... 57 Fuerza magntica entre dos conductores rectilneos paralelos ............................ 58 Ley de Gauss para el magnetismo ............................................................................. 58 Definicin .................................................................................................................................... 58 4

Ley de Ampere ................................................................................................................. 59 Definicin .................................................................................................................................... 59 Formulario ........................................................................................................................ 60 Tema 7: Induccin magntica.............................................................................................................................................. 61 Flujo magntico ............................................................................................................... 62 Definicin .................................................................................................................................... 62 Ley de Faraday y la fuerza electromotriz ............................................................... 62 Definicin .................................................................................................................................... 62 Medios estacionarios. Ley de Lenz .................................................................................... 62 Medios en movimiento. FEM en movimiento ............................................................... 63 Inductancia ....................................................................................................................... 64 Autoinduccin ........................................................................................................................... 64 Induccin mutua ...................................................................................................................... 64 Energa magntica .......................................................................................................... 65 Definicin .................................................................................................................................... 65 Formulario ........................................................................................................................ 66 Tema 8: Circuitos de Corriente Continua ........................................................................................................................ 71 Corrientes elctricas y movimiento de cargas ..................................................... 72 Definicin .................................................................................................................................... 72 Resistencias y ley de Ohm ............................................................................................ 73 Definicin .................................................................................................................................... 73 Materiales hmicos y no hmicos ..................................................................................... 73 Resistividad ................................................................................................................................ 73 La energa en los circuitos elctricos ....................................................................... 74 Potencia disipada ..................................................................................................................... 74 Potencia suministrada por una FEM ................................................................................ 74 Batera ideal ............................................................................................................................... 74 Combinaciones de resistencias .................................................................................. 75 Resistencias en serie............................................................................................................... 75 Resistencias en paralelo ........................................................................................................ 75 Reglas de Kirchoff ........................................................................................................... 75 Definicin .................................................................................................................................... 75 Circuitos RC ....................................................................................................................... 76 Descarga de un condensador .............................................................................................. 76 Carga de un condensador ..................................................................................................... 77 Conservacin de la energa en la carga de un condensador ................................... 77 Circuitos RL ....................................................................................................................... 78 Definicin .................................................................................................................................... 78 Formulario ........................................................................................................................ 79 Tema 9: Circuitos de Corriente Alterna ........................................................................................................................... 81 Corriente alterna en resistencias, bobinas y condensadores ......................... 82 Resistencias en corriente alterna ...................................................................................... 82 Inductores en corriente alterna ......................................................................................... 83 Condensadores en corriente alterna ................................................................................ 84 Circuitos LCR sin generador ........................................................................................ 85 Circuitos LC ................................................................................................................................ 85 Circuitos LCR ............................................................................................................................. 86 Anlisis de circuitos en corriente alterna .............................................................. 87 Fasores ......................................................................................................................................... 87 Circuito LCR con generador en serie ................................................................................ 88 Resonancia ................................................................................................................................. 89 Tema 10: Introduccin a los dispositivos electrnicos. Diodos ............................................................................. 95 5

Teora de las bandas de los slidos .......................................................................... 96 tomos ......................................................................................................................................... 96 Estructuras cristalinas ........................................................................................................... 96 Bandas de energa ................................................................................................................... 96 Conduccin elctrica en semiconductores ............................................................ 97 Definicin .................................................................................................................................... 97 Conduccin en semiconductores intrnsecos ............................................................... 97 Conduccin en semiconductores extrnsecos ............................................................... 98 Mecanismos de transporte de cargas............................................................................... 98 Diodos. Polarizacin ...................................................................................................... 99 Definicin diodo ....................................................................................................................... 99 Polarizacin directa ................................................................................................................ 99 Polarizacin inversa ............................................................................................................... 99 Diodos. Curva caracterstica y modelos equivalentes .....................................100 Zonas de la curva caracterstica del diodo .................................................................. 100 Modelos equivalentes.......................................................................................................... 101 Diodos en conmutacin ..............................................................................................102 Definicin ................................................................................................................................. 102 Transicin de cierre ............................................................................................................. 102 Transicin de corte .............................................................................................................. 103 Tema 11: Transistores bipolares y MOSFET .............................................................................................................. 105 Transistores. Definicin .............................................................................................106 Definicin ................................................................................................................................. 106 Configuraciones ..................................................................................................................... 106 Propiedades elctricas ........................................................................................................ 106 Transistores. Funcin..................................................................................................107 Esquema de funcionamiento ............................................................................................ 107 Esquema elctrico ................................................................................................................ 107 Transistores. Estados ..................................................................................................108 El transistor en pequea seal ........................................................................................ 108 El transistor en corte-saturacin .................................................................................... 108 Transiciones entre estados de corte y saturacin ................................................... 109 Transistores MOSFET. Propiedades .......................................................................110 Definicin ................................................................................................................................. 110 Caractersticas........................................................................................................................ 110 Transistores MOSFET. Curva y modelo elemental ............................................111 Curva caracterstica ............................................................................................................. 111 Modelo elemental ................................................................................................................. 111 Tema 12: Familias bipolares ............................................................................................................................................. 113 Caractersticas de las puertas Lgicas ...................................................................114 Caractersticas estticas ..................................................................................................... 114 Margen de ruido .................................................................................................................... 114 Flexibilidad lgica ................................................................................................................. 114 Disipacin de potencia........................................................................................................ 115 Velocidad de actuacin ....................................................................................................... 115 Lgica resistencia-transistor ....................................................................................116 Inversor .................................................................................................................................... 116 Puerta NOR .............................................................................................................................. 116 Puerta NAND .......................................................................................................................... 117 Lgica diodo-transistor ..............................................................................................118 Parte lgica de una AND en DTL ..................................................................................... 118 Puerta NOR en DTL .............................................................................................................. 118 6

Puerta NAND en DTL ........................................................................................................... 119 Lgica transistor-transistor ......................................................................................120 Configuraciones ..................................................................................................................... 120 Puertas NAND en TTL ......................................................................................................... 121 Tema 13: Amplificadores y Familias MOS ................................................................................................................... 123 Amplificador diferencial ............................................................................................124 Definicin y configuraciones ............................................................................................ 124 Ganancia en modo comn ................................................................................................. 125 Ganancia en modo diferencial.......................................................................................... 125 Dispositivos en ECL ......................................................................................................126 Inversor ECL ........................................................................................................................... 126 Puerta NOR ECL ..................................................................................................................... 127 Dispositivos en NMOS ..................................................................................................128 Inversor en NMOS................................................................................................................. 128 Puerta NAND en NMOS ....................................................................................................... 129 Puerta NOR en NMOS .......................................................................................................... 129 Dispositivos en CMOS ..................................................................................................130 Inversor en CMOS ................................................................................................................. 130 Puerta NAND en CMOS ....................................................................................................... 131 Puerta NOR en CMOS........................................................................................................... 131 Tema 14: Dispositivos fotnicos ..................................................................................................................................... 137 Fuentes luminosas ........................................................................................................138 Lneas espectrales ................................................................................................................ 138 Espectros continuos............................................................................................................. 138 Propagacin de la luz...................................................................................................139 Principio de Huygens .......................................................................................................... 139 Principio de Fermat ............................................................................................................. 139 Reflexin y refraccin .................................................................................................140 Introduccin ........................................................................................................................... 140 Mecanismos fsicos de la reflexin y la refraccin ................................................... 140 Reflexin especular y difusa ............................................................................................. 140 Intensidad relativa de la luz reflejada y transmitida .............................................. 140 Reflexin interna total ........................................................................................................ 140 Polarizacin ....................................................................................................................141 Polarizacin por absorcin ............................................................................................... 141 Polarizacin por reflexin ................................................................................................. 141 Polarizacin por birrefringencia..................................................................................... 141 Formulario ......................................................................................................................142

BLOQUE I. ELECTRICIDAD

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ndice
Tema 1: Campo elctrico I. Distribuciones discretas de carga ............................................................................... 13 Carga elctrica ................................................................................................................. 14 Definicin .................................................................................................................................... 14 Cuantizacin de la carga........................................................................................................ 14 Conservacin de la carga ...................................................................................................... 14 Conductores y aislantes ................................................................................................ 14 Definicin .................................................................................................................................... 14 Carga por induccin ................................................................................................................ 14 Ley de Coulomb ............................................................................................................... 15 Enunciado de la ley ................................................................................................................. 15 Fuerza ejercida por un sistema de cargas ...................................................................... 15 El campo elctrico........................................................................................................... 16 Definicin .................................................................................................................................... 16 Campo creado por una carga puntual .............................................................................. 16 Movimiento de cargas puntuales en campos elctricos ........................................... 16 Dipolos elctricos ........................................................................................................... 17 Definicin .................................................................................................................................... 17 Momento dipolar ..................................................................................................................... 17 Energa potencial en un dipolo ........................................................................................... 17 Lneas del campo elctrico .......................................................................................... 18 Definicin .................................................................................................................................... 18 Lneas de campo sobre una o dos carga puntual/es iguales ................................... 18 Reglas para la representacin de lneas de campo elctrico .................................. 18 Formulario ........................................................................................................................ 19 Tema 2: Campo elctrico II. Distribuciones continuas de carga ............................................................................ 21 Campo elctrico en distribuciones continuas de carga ..................................... 22 Distribucin continua de carga .......................................................................................... 22 Eje de carga lineal finita ........................................................................................................ 22 Fuera del eje de una carga lineal finita ............................................................................ 23 Carga lineal infinita ................................................................................................................. 23 El eje de un anillo cargado.................................................................................................... 23 El eje de un disco uniformemente cargado.................................................................... 24 Proximidad de un plano infinito de carga ...................................................................... 24 Ley de Gauss...................................................................................................................... 24 Flujo elctrico ............................................................................................................................ 24 Clculo del campo elctrico mediante la ley de Gauss....................................... 25 Simetra plana ........................................................................................................................... 25 Simetra esfrica....................................................................................................................... 25 Simetra cilndrica ................................................................................................................... 25 Carga y campo elctrico en la superficie de los conductores .......................... 26 Definicin .................................................................................................................................... 26 Formulario ........................................................................................................................ 27 Tema 3. Potencial elctrico................................................................................................................................................... 29 Diferencia de potencial ................................................................................................. 30 Definicin .................................................................................................................................... 30 Propiedades ............................................................................................................................... 30 Potencial debido a un sistema de cargas puntuales ........................................... 31 Potencial debido a una carga puntual .............................................................................. 31 Potencial debido a un grupo de cargas puntuales ...................................................... 31 Potencial debido a distribuciones continuas de carga ...................................... 32 11

Potencial en el eje de un anillo cargado .......................................................................... 32 Potencial en el eje de un disco cargado ........................................................................... 32 Potencial debido a un plano infinito de carga .............................................................. 32 Potencial debido a una carga lineal infinita................................................................... 32 Potencial debido a una corteza esfrica .......................................................................... 33 Determinar el campo elctrico a travs del potencial ....................................... 34 Definicin .................................................................................................................................... 34 Relacin entre E y V ................................................................................................................ 34 Superficies equipotenciales ........................................................................................ 35 Definicin .................................................................................................................................... 35 Formulario ........................................................................................................................ 36 Tema 4. Energa electroesttica y capacidad................................................................................................................. 37 Energa potencial electroesttica.............................................................................. 38 Definicin .................................................................................................................................... 38 Capacidad .......................................................................................................................... 39 Definicin .................................................................................................................................... 39 Almacenamiento de la energa elctrica ................................................................ 40 Definicin .................................................................................................................................... 40 Energa del campo electroesttico .................................................................................... 40 Condensadores ................................................................................................................ 41 Condensadores de placas plano-paralelas ..................................................................... 41 Condensadores cilndricos ................................................................................................... 41 Asociacin de condensadores ............................................................................................. 42 Dielctricos ....................................................................................................................... 43 Definicin .................................................................................................................................... 43 Energa almacenada en presencia de un dielctrico .................................................. 43 Formulario ........................................................................................................................ 44

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Tema 1: Campo elctrico I. Distribuciones discretas de carga

1. Carga elctrica 2. Conductores y aislantes 3. Ley de Coulomb 4. Campo elctrico 5. Dipolos elctricos 6. Lneas del campo elctrico 7. Formulario

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Carga elctrica
Definicin
La materia est formada por tomos que son elctricamente neutros ya que poseen igual cantidad de protones y electrones. La carga de protones y electrones es igual en cantidad y contraria en carga, debido a esto la igualdad entre protones y electrones provoca la neutralidad elctrica.

Cuantizacin de la carga
Todas las cargas se presentan en cantidades enteras de la unidad fundamental de la carga e. As pues cualquier carga puede escribirse la manera Siendo N un nmero entero.

Conservacin de la carga
La ley de la conservacin de la carga elctrica describe como la carga solo se transfiere entre cuerpos y aunque en ocasiones se crean o destruyen cargas, es la misma cantidad de positiva y negativa por lo que la carga del universo nunca vara. La carga se mide en el SI mediante Culombios C, el cual se define en funcin del Amperio (A), siendo la cantidad de carga que fluye a travs de un cable durante un segundo siendo la intensidad de corriente de un Amperio.

Conductores y aislantes
Definicin
Los materiales se distribuyen en 2 grupos conductores y aislantes, los materiales conductores son aquellos con mayor cantidad de cargas libres o iones que son tomos con carga positiva o negativa y que posibilitan la conduccin de la corriente elctrica. Por otro lado los aislantes son aquellos con pocos tomos no neutrales y que por lo tanto dificultan la conduccin elctrica.

Carga por induccin

La carga por induccin consiste en la transferencia de cargas entre cuerpos neutros, quedando cuerpos polarizados que son por definicin conductores con cargas opuestas separadas.

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Ley de Coulomb
Enunciado de la ley
La fuerza ejercida por una carga puntual sobre otra est dirigida a lo largo de la lnea que las une. La fuerza varia inversamente con el cuadrado de la distancia que las separa y directamente con las cargas de estas y la contante de Coulomb. Siendo la constante de Coulomb : Siendo la distancia entre las 2 cargas la diferencia entre los vectores que sealan la posicin de cada una: Quedando as descrita matemticamente:

Fuerza ejercida por un sistema de cargas

En un sistema de cargas cada una de ellas ejerce una fuerza sobre cada una de las dems. Quedando la fuerza definida por la suma vectorial de las fuerzas individuales ejercidas sobre dicha carga por las restantes cargas del sistema. Para que un sistema de cargas permanezca estacionario deben existir otras fuerza que provoquen que la suma de las fuerzas resultante sea cero.

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El campo elctrico
Definicin
Una partcula crea un campo elctrico en todo el espacio y es este campo el que ejerce la fuerza sobre una partcula concreta. Los cambios ejercidos sobre el campo se propagan a la velocidad de la luz, lo que implica que un cambio en la posicin de la partcula tardara c/r en ser efectivo sobre el campo. El campo elctrico se define mediante la fuerza elctrica dividida por la partcula sobre la que se ejerce el campo. As pues el campo es un vector que describe la condicin en el espacio creada por el sistema de cargas puntuales, as pues la Fuerza ejercida sobre una carga puntual queda definida por:

Campo creado por una carga puntual

El campo elctrico debido a una sola carga puede calcularse partiendo de la ley de Coulomb situando una pequea carga testigo en algn punto de la carga. Siendo la fuerza que acta sobre el punto testigo de:

Siendo el campo elctrico en el punto P debido a la carga q:

Movimiento de cargas puntuales en campos elctricos

Cuando una partcula con carga q se coloca en un campo elctrico E, experimenta una Fuerza definida por qE. Si la fuerza elctrica es la nica significativa entonces se puede aplicar:

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Dipolos elctricos
Definicin
Consiste en un sistema formado por dos cargas iguales de signos contrarios y separados por una pequeas distancia. Su intensidad y orientacin se describen mediante el momento dipolar elctrico.

Momento dipolar
El momento dipolar es el vector que apunta desde la carga negativa hacia la positiva y cuyo modulo es igual a la carga absoluta |q| por el vector que apunta desde la carga negativa hacia la positiva.

Energa potencial en un dipolo

Cuando un dipolo se encuentra en un campo elctrico externo este tiende a alinearse con la direccin del campo de tal modo que se tiende a situar el momento dipolar en la direccin del campo elctrico. Siendo el par de fuerzas: Cuando el dipolo gira en un ngulo, el campo elctrico realiza un trabajo, igualando este trabajo con la disminucin de la energa potencial y posteriormente integrando obtenemos: (trabajo realizado) (disminucin de energa)

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Lneas del campo elctrico

Definicin
Las lneas del campo elctrico son representaciones de las lneas de fuerza ejercidas sobre una carga testigo positiva.

Lneas de campo sobre una o dos carga puntual/es iguales

En una carga positiva las lneas de campo actan de forma radal alejndose de la carga que las provoca, mientras que si es una carga negativa las lneas de campo seguiran siendo radiales a la carga pero hacia esta. A medida que las lneas de campo se alejan se van separando pues la intensidad de la fuerza disminuye con la distancia. Para dos cargas positivas iguales separadas por una distancia pequea, las cargas se inician de manera radial puesto que cuanto mas cerca se encuentra de la una de las cargas y mas lejos de la otra la lejana ejerce menos fuerza sobre la lneas de campo, segn se van alejando las lneas de las cargas que las producen estas tiendas a cambiar su direccin alejndose de la segunda. A larga distancia los efectos van desapareciendo y tienden a funcionar como dos cargas puntuales independientes.

Reglas para la representacin de lneas de campo elctrico

1. Las lneas de campo empiezan en las cargas positivas (o en el infinito) y terminan en las cargas negativas ( o en el infinito). 2. Las lneas de campo se dibujan uniformemente espaciadas. 3. El nmero de lneas que entran en una carga negativa o abandonan una carga positiva son proporcionales al mdulo de la carga. 4. La densidad de lneas es proporcional al mdulo del campo en ese punto. 5. A grandes distancias de un sistema de cargas, las lneas de campo se comportan como si fuera una carga puntual con la carga neta del sistema. 6. Dos lneas de campo nunca pueden cortarse.

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Formulario
Ley de Coulomb

Campo Elctrico

Movimiento en campos elctricos

Momento Dipolar

Par de Fuerzas

Energa potencial en dipolos

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Tema 2: Campo elctrico II. Distribuciones continuas de carga

1. Campo elctrico en distribuciones continuas de carga 2. Ley de Gauss 3. Clculo del campo elctrico mediante la ley de Gauss 4. Carga y campo en la superficie de los conductores 5. Formulario

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Campo elctrico en distribuciones continuas de carga

Distribucin continua de carga
Para el clculo del campo ejercido por una carga continua utilizamos la ley de coulomb: Siendo r la distancia de la carga al punto de observacin, dq la carga a lo largo de la carga y r el vector que apunta de la carga al punto de observacin. Para solucionar la ecuacin integramos el campo a lo largo del volumen de la distribucin continua de carga:

Eje de carga lineal finita

Para una carga distribuida a lo largo del eje x desde a hasta b y siendo la densidad de carga (siendo Q la carga y L la longitud). Se calcula la carga sobre un punto a lo largo del eje de la carga pero fuera de esta en la posicin c. La carga a lo largo de la distribucin es de dq y su posicin dx por lo que , la distancia del punto de referencia es igual a r-x, siendo r la distancia al inicio de la distribucin y x vara segn dx por lo que recorre todas las distancias respecto de la distribucin. Por lo que aplicando la ley de Coulomb: integrando a lo largo de la distribucin de carga: siendo: : ( ) | |

De lo cual se deduce que en largas distancias las distribuciones continuas de carga actan de la misma maneras que las distribuciones discretas de carga.

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Fuera del eje de una carga lineal finita

Si nos encontramos con una carga igual a la anterior pero con el punto de observacin fuera de su eje, provocar que el campo en el punto de observacin tenga componentes en los 2 ejes. Para calcular el campo generado sobre el eje y:

Mediante un cambio trigonomtrico: Mientras que en el eje x:

Carga lineal infinita

Para el clculo de una carga lineal infinitas utilizamos las mismas frmulas que para una carga lineal finita fuera del eje pero sabiendo que: Con lo que nos quedara:

El eje de un anillo cargado

Debido a la forma del anillo solo se producir carga sobre su eje puesto que el resto de componentes se anulan a lo largo del anillo. Conociendo este dato hallamos el campo sobre el eje del anillo solamente. Para ello calculamos la componente producida por un punto del anillo y su homnimo (anulando las fuerzas sobre cualquier componente diferente del mismo eje del anillo):

Por lo que el campo debido al anillo completo sera:

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El eje de un disco uniformemente cargado

Consideramos al disco como una serie de carga anilladas concntricas siendo el eje del anillo el eje x. Consideramos un anillo de radio a y de anchura da, con lo que tendra: Por lo que el campo producido por el anillo quedara definido como:

Hallamos el campo total integrando entre 0 y R (Siendo R el radio del ultimo anillo del disco):

Se hace un cambio de variable para la integracin, :

Si nos encontramos cerca del disco se comporta parecido a un plano infinito y cuando nos alejamos como una carga puntual

Proximidad de un plano infinito de carga

El campo de un plano infinito se puede obtener a partir de la ecuacin bsica de las cargas continuas haciendo que el cociente tienda a infinito:

Ley de Gauss
Flujo elctrico
Por definicin el flujo elctrico es el nmero de lneas de campo que atraviesan una superficie cerrada, . Matemticamente se define como: las unidades del flujo elctrico son En caso de que la superficie sea curva, se integra el flujo a lo largo de toda el rea, quedando definido matemticamente como: El flujo total o neto a travs de la superficie cerrada es positivo o negativo dependiendo de que E sea predominante hacia dentro o hacia fuera de la superficie.

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Clculo del campo elctrico mediante la ley de Gauss

Simetra plana
Se empieza a partir de la siguiente igualdad: Se calculan el flujo en el plano y la carga que contiene: (Al ser E y dA paralelos, y tener 2 caras) Conocidos ambos se calcula el campo:

Simetra esfrica
Nos basamos en la misma igualdad que la simetra plana, por lo que calculamos el flujo y la carga para empezar: La carga depende de si nos encontramos dentro o fuera de la esfera; si el radio de la gaussiana es inferior: Mientras que si la esfera de gauss est fuera de la original se utiliza la carga interior sin modificar. Para esferas de gauss menores(r<R):

Mientras que si la esfera de gauss es mayor(r=R):

Sin embargo si se trata de un cascarn de esfera cargado solo tendra carga en la superficie por lo que dentro de la esfera la carga sera 0. A lo largo de la corteza el campo es discontinuo.

Simetra cilndrica
Principalmente se usa para el clculo de distribuciones de carga lineal infinita, para el clculo de estas suponemos un cilindro formado por 3 partes la superficie lateral y las 2 bases. Calculamos el flujo en cada una de estas: El campo sera:

25

Carga y campo elctrico en la superficie de los conductores

Definicin
Todo conductor posee todo su carga en la superficie ya que en caso de que un campo elctrico actuase en el interior se producira una fuerza que dara lugar a una corriente elctrica, de manera que si no existe nada que mantenga esta corriente, la carga se redistribuye de manera que se crea un campo elctrico que anula cualquier campo externo dentro del conductor, encontrndose entonces el conductor en un estado de equilibrio electroesttico. As que el campo elctrico dentro de un conductor debe ser 0. Este hecho se demuestra mediante la ley de Gauss, puesto que considerando una superficie gaussiana completamente dentro del conductor sin importar su geometra. Como el campo elctrico es 0 en todos los puntos de este, tambin lo ser en todos los puntos de la gaussiana, provocando que la carga dentro de esta sea nula, puesto que toda la carga de este incide sobre su superficie. En la superficie el campo elctrico debe de ser perpendicular a la superficie, puesto que si existiera una componente tangencial del campo, la carga libre del conductor, sera acelerada tangencialmente a la superficie hasta anular esta componente. Puesto que es discontinuo en cualquier superficie en la cantidad y cero dentro del conductor, el campo en el exterior del conductor queda definido como:

26

Formulario
Carga lineal Finita

Carga Lineal Infinita

Eje de un anillo cargado

Eje de un disco cargado

Plano Infinito de carga

Ley de Gauss

Simetra plana

Simetra cilndrica

Simetra esfrica

27

28

Tema 3. Potencial elctrico

1. Diferencia de potencial 2. Potencial debido a un sistema de cargas puntuales 3. Potencial debido a distribuciones continuas de carga 4. Determinar el campo elctrico a travs del potencial 5. Superficies equipotenciales 6. Formulario

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Diferencia de potencial
Definicin
La diferencia de potencial se define como la variacin de energa potencial por unidad de carga, la cual se origina por el desplazamiento de una carga en un campo elctrico. Quedando definida mediante:

Quedando definida la variacin de potencial como el valor negativo del trabajo por unidad de carga realizado por el campo elctrico sobre una carga testigo que se desplaza del punto a al b. Al igual que cualquiera de los componentes del campo elctrico es una funcin de la posicin pero al contrario que el campo elctrico, es una funcin escalar. Su relacin con la energa potencial es:

Propiedades
Continuidad: el campo elctrico presenta una discontinuidad en un punto donde existe una densidad de carga superficial. En cambio. La funcin potencial es continua en todos los puntos del espacio, excepto en aquellos en los que el campo elctrico es infinito(puntos donde existe una carga puntual o una lnea de carga). Unidades: Como el potencial es la energa potencial electroesttica por unidad de carga, la unidad para el potencial y la diferencia de potencial es el julio por culombio, llamado Voltio(V). Como la energa potencial tienen caractersticas del potencial y de la carga la unidad que lo describe es el electrn-Voltio eV siendo: Potencial y lneas del campo elctrico: Si situamos una carga testigo positiva en el seno de un campo elctrico y la dejamos en libertad, se acelerar en la direccin del campo a lo largo de la lnea de campo. As la energa cintica aumenta mientras que la energa potencial disminuye, debido a esto las cargas se mueven en el sentido en que disminuye el potencial.

30

Potencial debido a un sistema de cargas puntuales

Potencial debido a una carga puntual
El potencial elctrico de una carga puede calcularse a travs de su campo: Para el desplazamiento infinitesimal reemplazamos dl por dr, pues Integrando desde un punto arbitrario hasta un punto de referencia: | | .

Donde reemplazamos el puntos aleatorio por el origen de coordenadas y utilizamos como punto de referencia el infinito quedndonos: Este potencial se conoce como el potencial de Coulomb y es positivo o negativo dependiendo del signo de la carga.

Potencial debido a un grupo de cargas puntuales

La energa de una carga testigo situada a una distancia r de la carga puntual q es(Es decir, la energa creada por un sistema de dos cargas puntuales):

El potencial en un punto debido a varias cargas se define como el sumatorio de los potenciales de las cargas que actan sobre el punto por separado:

31

Potencial debido a distribuciones continuas de carga

Potencial en el eje de un anillo cargado
Siendo dq un elemento de carga del anillo su radio r y la distancia del punto de observacin al centro del anillo x, lo cual implica que la distancia del anillo es , tenemos que el potencial sera:

Potencial en el eje de un disco cargado

Para conocer el potencial necesitamos los siguientes datos: A partir de los datos proporcionados llegamos a la siguiente frmula: Integrando desde r=0 hasta r=R: Se hace un cambio de variable para la integracin, :

Potencial debido a un plano infinito de carga

Para distribuciones de carga que se extienden hasta el infinito se debe elegir un V=0 en algn punto finito. Para calcular el potencial partimos del campo y calculamos segn su definicin: Integrando resulta: Donde es el potencial en x=0

Potencial debido a una carga lineal infinita

Al igual que en el plano infinito no podemos usar la notacin clsica sino que debemos partir del clculo del campo y aplicar la definicin de potencial situando el potencial de referencia en un punto que no sea el infinito. Aplicamos la simetra cilndrica para el clculo del campo obteniendo:

32

Potencial debido a una corteza esfrica

An siendo la una corteza esfrica una distribucin finita, debido a que el campo elctrico mediante la ley de gauss se obtiene fcilmente, calcularemos a partir de la definicin de potencial: El cambio de potencial fuera de la corteza viene dado por:

Para calcular el potencia dentro de la esfera sumamos el potencial producido en el exterior de esta y el producido en el interior tomando el punto de referencia en cualquier punto en el interior de la carcasa:

Un error frecuente es pensar que como el campo elctrico en el interior de la carcasa es 0 tambin el potencial ser 0 cuando realmente significa que al no haber campo el potencial no va a variar dentro de la esfera.

33

Determinar el campo elctrico a travs del potencial

Definicin
Si el potencial es conocido puede utilizarse para hallar el campo elctrico, siendo la variacin de potencial:

En caso de que el dl sea perpendicular al campo, dV=0 ya que el potencial no vara. Mientras que la variacin mas grande del potencial se produce cuando dl est dirigido a lo largo del campo. El campo elctrico es opuesto al gradiente del potencial. En caso de que el potencial dependa solo de la direccin x, el campo en y o z se considerar nulo por lo que la ecuacin quedara: Mientras que si nos encontramos con una carga esfrica el campo ser radial por lo que su variacin ser a lo largo de r: De lo que se deduce que conociendo el potencial o el campo se puede llegar a la otra magnitud, pero que se debe conocer el potencial en una regin, no solo en un punto para poder llegar al campo.

Relacin entre E y V
En general la funcin del potencial vienen dada en funcin de las direcciones rectangulares y la manera de hallar el campo es mediante las derivadas parciales:

34

Superficies equipotenciales
Definicin
Puesto que en el interior de los conductores no existe campo elctrico, la variacin de potencial de un punto a otro en el interior del interior es cero, lo que implica que el potencial es el mismo en todo el conductor, lo que implica que este ocupa un volumen equipotencial y es una superficie equipotencial. Como el potencial es constante, el cambio que experimenta una carga durante un desplazamiento dl paralelo a la superficie es cero, puesto que es cero para cualquier dl paralelo a la superficie, pues E es perpendicular a todos los dl paralelos a la superficie. Puesto que la nica manera de que esto ocurra es que E sea perpendicular a la superficie misma. Por lo tanto cualquier lnea de campo que atraviese una superficie equipotencial deber ser perpendicular a esta, por lo que como , las lneas del campo elctrico que surgen de la superficie deben ser perpendiculares a la superficie. En general, dos conductores que estn separados en el espacio no estarn al mismo potencial, puesto que la diferencia de potencial depende de sus formas geomtricas, de su separacin y de la carga neta en cada conductor, de manera que cuando se ponen en contacto dos conductores la carga se distribuye por s misma, de modo que en equilibrio electroesttico el campo elctrico es cero en el interior de conductores. En este caso los dos conductores que estn en contacto se consideran un solo conductor compartiendo una superficie equipotencial. Lo que implica que si juntamos dos conductores esfricos, uno cargado y otro sin carga, ambos compartirn la carga hasta llegar ambos a la misma diferencia de potencial, en caso de que los conductores sean idnticos la carga se distribuir a la mitad y en caso de que se separen cada uno se ir con la mitad de la carga original.

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Formulario
Definicin de Potencial

Potencial debido a cargas puntuales

Potencial debido a un anillo cargado

Potencial debido a un disco cargado

Potencial debido a un plano infinito

Potencial debido a una carga lineal infinita

Potencial debido a una corteza esfrica

Relacin entre E-V

( )

36

Tema 4. Energa electroesttica y capacidad

1. Energa potencial electroesttica 2. Capacidad 3. Almacenamiento de la energa elctrica 4. Condensadores 5. Dielctricos 6. Formulario

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Energa potencial electroesttica

Definicin
La energa potencial electroesttica de un sistema de cargas puntuales es el trabajo necesario para transportar las cargas desde una distancia infinita hasta sus posiciones finales. En el caso de un sistema formado por 3 cargas puntuales, la energa potencial electroesttica se define partiendo de la definicin de trabajo y de energa: ( )

A partir de los datos conocidos: ( ( ( ) ( ( ) ) ( ) ))

Para distribuciones de carga continua como un conductor esfrico de radio R, cuando contiene una carga q, partimos al igual que antes del potencial y de la definicin de energa:

En el caso de encontrarnos con una serie de conductores la carga total ser:

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Capacidad
Definicin
La cantidad de carga que se puede almacenar en un conductor es proporcional a la carga que contiene y depende del tamao de este, ya que a mayor tamao mayor cantidad de carga puede almacenar. As pues el cociente entre la carga (Q) y el potencial (V) es igual a la capacidad del conductor. Esta magnitud mide la capacidad de almacenar carga para una determinada variacin de potencial. Como el potencial es siempre proporcional a la carga, esta relacin no depende de la carga o el potencial sino solo del tamao o forma del conductor. As pues en un conductor esfrico: *La unidad de medida es el culombio por voltio y se denomina faradio, como el faradio es una unidad relativamente grande, se utilizan frecuentemente los submltiplos,

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Almacenamiento de la energa elctrica

Definicin
Cuando un condensador se carga, se transfieren electrones del conductor cargado positivamente al que lo est negativamente. El conductor cargado positivamente tiene un dficit de electrones igual al supervit del que lo est cargando negativamente. La energa potencial electroesttica almacenada en el condensador proceder del trabajo necesario para colocar las diferentes cargas en cada una de las placas. Por lo que cuando se transfiere una cantidad de carga del conductor negativo con potencial 0 al conductor positivo a un potencial V la energa potencial del condensador se incrementa en: Integrando a lo largo de todos los incrementos: Por lo que la relacin entre energa potencial electroesttica y capacidad se puede hacer de diversas maneras:

Energa del campo electroesttico

En el proceso de carga de un condensador se crea un campo elctrico entre las placas. El trabajo necesario para cargar el condensador puede considerarse como el requerido para crear el campo elctrico, es decir, que la energa almacenada reside en el campo elctrico y por ello se llama energa del campo electroesttico. Considerando un condensador de placas plano-paralelas es posible relacionar la energa almacenada en el condensador con el campo elctrico existente entre las placas, as podemos llegar a partir del potencial:

Siendo la densidad de energa por unidad de volumen igual a:

40

Condensadores
Condensadores de placas plano-paralelas
Est formado por dos placas conductoras separadas y aisladas una de otra por una lamina de plstico. Siendo A el rea de cada placa y d la distancia entre ellas. Situamos una carga +Q y Q en cada placa provocando que se atraigan entre s, como las placas estn muy prximas, el campo sera el mismo que entre dos planos infinitos de cargas iguales y opuestas, por lo que cada carga aporta un campo de . Resultando as un campo total de:

Como el campo que existe entre las placas es uniforme, la diferencia de potencial entre las placas es igual al campo multiplica por la separacin: Por lo que la capacidad sera, por definicin:

Condensadores cilndricos
Est formado por un pequeo alambre interior de radio concntrica con el anterior. y una corteza cilndrica mayor de radio

Situamos una carga +Q y Q en cada cilindro, debido su geometra se comportan como una simetra cilndrica, por lo que el campo es igual a:

Por lo que aplicando la definicin de potencial: Finalmente aplicamos la definicin de capacidad: ( ) ( )

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Asociacin de condensadores
Una combinacin de condensadores en un circuito puede reemplazarse por un solo condensador para el clculo de la diferencia de potencial pues almacena la misma cantidad de carga, a este condensador se le denomina condensador equivalente. Cuando los condensadores se conectan en paralelo, todos tienen el mismo potencial, y la carga equivalente, por lo que:

Por lo que la capacidad equivalente se halla mediante la definicin de capacidad:

Cuando los condensadores se conectan en serie, los potenciales son diferentes en cada condensador, mientras que la carga es constante en todos los condensadores, por lo que:

( Por la definicin de capacidad, la capacidad equivalente sera:

Lo cual implica que segn se aumentan los condensadores en serie la carga total disminuye pues se necesita mas diferencial de potencial para conseguir la misma carga.

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Dielctricos
Definicin
Un dielctrico es un material no conductor como sera el vidrio o la cermica, cuando el espacio entre los 2 conductores de un condensador se llena con un dielctrico su capacidad aumenta pues el campo entre ambos se debilita disminuyendo el potencial lo cual aumenta su capacidad. Siendo el campo en el campo del condensador sin el dielctrico, el campo en el dielctrico sera:

Lo que provoca que el potencial entre las placas de un dielctrico sea:

Originando una capacidad gracias al dielctrico de:

Siendo

la permitividad del dielctrico

As pues, los dielctricos no solo incrementan la capacidad del condensador, sino que adems proporcionan un medio para separar las placas conductoras paralelas e incrementan la diferencia de potencial a la que ocurre la ruptura dielctrica, permitiendo alcanzar mayores diferencias de potencial.

Energa almacenada en presencia de un dielctrico

La energa almacenada en un condensador de placas paralelas con dielctrico es:

Si expresamos la capacidad en funcin del rea y la separacin de las placas, y la diferencia del voltaje en funcin del campo elctrico y la separacin de las placas: ( )

Al ser (A d) el volumen entre las placas que contienen el dielctrico, la energa por unidad de volumen ser:

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Formulario
Energa potencial

Asociacin de condensadores en serie

Capacidad

Asociacin de condensadores en paralelo

Energa elctrica

Campo en un dielctrico

Densidad de energa Potencial en un dielctrico

Condensadores de placas plano-paralelas Capacidad en un dielctrico Condensadores cilndricos

Energa en un dielctrico

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BLOQUE II. MAGNETISMO

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46

ndice
Tema 5: El campo magntico ............................................................................................................................................... 49 Fuerza ejercida por un campo magntico sobre una carga mvil ................. 50 Definicin .................................................................................................................................... 50 Movimiento de una carga puntual en un campo magntico ................................... 50 Fuerza ejercida por un campo magntico sobre una corriente elctrica ... 51 Definicin .................................................................................................................................... 51 Fuerza magntica sobre un elemento de corriente .................................................... 51 Fuerza ejercida por un campo magntico sobre una espira............................ 52 Momento magntico ............................................................................................................... 52 Energa potencial de un dipolo elctrico en un campo magntico ....................... 52 Lneas del campo magntico ....................................................................................... 53 Definicin .................................................................................................................................... 53 Efecto Hall .......................................................................................................................... 53 Definicin .................................................................................................................................... 53 Formulario ........................................................................................................................ 54 Tema 6: Fuentes del campo magntico............................................................................................................................ 55 Campo magntico creado por cargas puntuales en movimiento ................... 56 Definicin .................................................................................................................................... 56 Campo elctrico creado por corrientes elctricas. Ley de Biot y Savart ..... 56 B debido a una espiral de corriente .................................................................................. 56 B debido a una corriente en un solenoide ...................................................................... 57 B debido a un conductor rectilneo................................................................................... 57 Fuerza magntica entre dos conductores rectilneos paralelos ............................ 58 Ley de Gauss para el magnetismo ............................................................................. 58 Definicin .................................................................................................................................... 58 Ley de Ampere ................................................................................................................. 59 Definicin .................................................................................................................................... 59 Formulario ........................................................................................................................ 60 Tema 7: Induccin magntica.............................................................................................................................................. 61 Flujo magntico ............................................................................................................... 62 Definicin .................................................................................................................................... 62 Ley de Faraday y la fuerza electromotriz ............................................................... 62 Definicin .................................................................................................................................... 62 Medios estacionarios. Ley de Lenz .................................................................................... 62 Medios en movimiento. FEM en movimiento ............................................................... 63 Inductancia ....................................................................................................................... 64 Autoinduccin ........................................................................................................................... 64 Induccin mutua ...................................................................................................................... 64 Energa magntica .......................................................................................................... 65 Definicin .................................................................................................................................... 65 Formulario ........................................................................................................................ 66

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48

Tema 5: El campo magntico

1. Fuerza ejercida por un campo magntico sobre una carga mvil 2. Fuerza ejercida por un campo magntico sobre una corriente elctrica 3. Fuerza ejercida por un campo magntico sobre una espira 4. Lneas del campo magntico 5. Efecto Hall 6. Formulario

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Fuerza ejercida por un campo magntico sobre una carga mvil

Definicin
Cuando una carga q con velocidad v se desplaza por un campo magntico B, aparece lo que se define como fuerza magntica, est fuerza es perpendicular a la velocidad de la carga y el campo magntico y proporcional a estos y a la carga de la partcula. Quedando definido como: La unidad en el SI del campo magntico es el Tesla (T). Una carga de un culombio que se mueve con una velocidad de un metro por segundo, perpendicular a un campo magntico de un tesla, experimenta una fuerza de un Newton.

Al ser el Tesla una unidad muy grande se suele usar G (gauss), el cual se relaciona con el tesla mediante:

Movimiento de una carga puntual en un campo magntico

La fuerza magntica que acta sobre una partcula cargada que se mueve a travs de un campo magntico es siempre perpendicular a la velocidad de la partcula. Por lo tanto, la fuerza magntica modifica la direccin de la velocidad pero no el mdulo. Lo que implica que los campos magnticos no realizan trabajo ya que no modifican la energa cintica. Partiendo de lo conocido:

Por lo que el periodo del movimiento circular, denominado periodo de ciclotrn, es el tiempo que tarda en dar una vuelta al circuito:

La frecuencia del movimiento, denominada frecuencia de ciclotrn sera:

As pues, se observa que el periodo, frecuencia y velocidad angular dependen de la masa, velocidad, carga y campo magntico pero nunca del radio.

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Fuerza ejercida por un campo magntico sobre una corriente elctrica

Definicin
Cuando en el interior de un campo magntico circula una corriente, existe una fuerza que se ejerce sobre el conductor que es simplemente la suma de las fuerzas magnticas sobre las partcula cargadas. La fuerza sobre cada carga sera: El nmero de cargas en el interior del segmento es el numero n de las que hay por unidad de volumen, multiplicado por el volumen total, A(Volumen del corte transversal) y L (longitud): Partiendo de la definicin de intensidad elctrica, la fuerza se puede escribir como: *Partiendo de un cable recto y finito

Fuerza magntica sobre un elemento de corriente

Cuando generalizamos a cualquier elemento de corriente sin tener en cuenta su forma, por lo que sustituimos la longitud conocida por una pequea parte de cualquier corriente dl, por lo que la ecuacin quedara:

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Fuerza ejercida por un campo magntico sobre una espira

Momento magntico
Una espira portadora de corriente no experimenta fuerza neta cuando se encuentra en un campo magntico uniforme, pero el par de fuerzas que actan sobre ella provocan que gire. La orientacin de la espira puede describirse convenientemente mediante un vector unitario que es perpendicular a la espira. Como la fuerza neta sobre la espira es cero, las fuerzas son iguales y con un mdulo igual a: Como estas fuerzas forman un par, el momento es el mismo en cualquier punto de la espira, por lo que se puede calcular en el punto mas conveniente, por lo que la magnitud sera: Este momento tiende a girar la espira de modo que el eje de la espira tenga la misma direccin que el campo magntico en el que se encuentra. El momento de la espira puede escribirse mediante su momento dipolar magntico o momento magntico: Con lo que el momento de la espira quedara: Comparando la ecuacin del momento magntico y de un dipolo en un campo elctrico resulta que actan del mismo modo una espira de corriente en un campo magntico y un dipolo en un campo elctrico.

Energa potencial de un dipolo elctrico en un campo magntico

Cuando un momento acta sobre un determinado cuerpo y este gira un determinado ngulo, se genera un trabajo que queda definido como:

Como el ngulo tiende a disminuir hasta conseguir poner el cuerpo perpendicular al campo magntico, haciendo el trabajo igual a la disminucin de energa potencial: Si elegimos la energa potencial de modo que sea 0 cuando potencial del dipolo es: , resulta que y la energa

52

Lneas del campo magntico

Definicin
Del mismo modo que el campo E puede representarse mediante lneas de campo, tambin el campo magntico B puede ser representado. En ambos casos la direccin y el sentido del campo vienen indicados por la direccin y sentido de las lneas de campo y el mdulo del campo por la intensidad de las lneas, sin embargo existen 2 grandes diferencias: 1. Las lneas del campo elctrico poseen la direccin de la fuerza elctrica actuando sobre una carga positiva, mientras que las lneas de campo magntico son perpendiculares a la fuerza del campo magntico sobre una carga mvil. 2. Las lneas del campo elctrico comienzan en las cargas positivas y acaban en las negativas o en el infinito, mientras que las lneas del campo magntico son cerradas.

Efecto Hall
Definicin
Puesto que cuando las cargas se mueven en un campo magntico experimentan una fuerza perpendicular a su movimiento, de manera que cuando estas se desplazan por un alambre son impulsadas hacia un lado de este. Debido a esto se produce una separacin de carga en el alambre denominada efecto Hall. Este fenmeno nos permite determinar el signo de la carga en un portador y el nmero de portadores n por unidad de volumen del conductor, adems de proporcionar un mtodo adecuado para medir campos magnticos. Poniendo como ejemplo dos cintas conductoras diferentes cada una transportando una corriente hacia la derecha pues tienen el polo positivo a su izquierda y el negativo a la derecha. Ambas se encuentran en un campo magntico perpendicular al papel, si suponemos que las cargas conductores son positivas, se mueven hacia la derecha y puesto que la fuerza magntica se define como , la fuerza se dirige hacia arriba separando las cargas y poniendo las positivas arriba y las negativas abajo y puesto que el potencial siempre va hacia los potenciales decreciente si medimos la diferencia de potencial podremos conocer el tipo de cargas que ejercen la conduccin. En el caso de la segunda cinta las cargas conductores son negativas y puesto que la corriente va hacia la derecha estas se mueven hacia la izquierda y como carga y direccin se invierten, las cargas conductoras siguen yendo arriba a causa del campo magntico, por lo que cuando midamos el potencial podremos saber tambin el tipo de cargas que ejercen la conduccin, siendo esto especialmente til cuando trabajos como semiconductores, puesto que la conduccin la pueden ejercer carga y huecos .La diferencia de potencial entre las partes superior e inferior se denomina voltaje Hall y calcularse a travs de la velocidad de movimiento por la ecuacin: *Siendo el voltaje Hall, el campo elctrico debido a la separacin de cargas y w la anchura de la cinta. El voltaje Hall tambin nos proporciona un mtodo para medir campos magnticos si reajustamos la ecuacin de la siguiente manera:

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Formulario
Fuerza de un campo magntico sobre una carga mvil

Movimiento de una carga en un campo magntico

| |

Fuerza magntica sobre una corriente elctrica

Fuerza magntica sobre un elemento de una corriente elctrica

Momento magntico de la espira

Momento de la espira

Energa potencial de un dipolo en un campo magntico

Voltaje Hall

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Tema 6: Fuentes del campo magntico

1. Campo magntico creado por cargas puntuales en movimiento 2. Campo elctrico creado por corrientes elctricas. Ley de Biot y Savart 3. Ley de Gauss para el magnetismo 4. Ley de Ampere 5. Formulario

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Campo magntico creado por cargas puntuales en movimiento

Definicin
Cuando una carga puntual q se mueve con velocidad v, se produce un campo magntico B en el espacio dado por: Donde es un vector unitario que apunta desde la carga q hasta el punto de referencia y permeabilidad en el espacio libre, de valor es la constante de

Campo elctrico creado por corrientes elctricas. Ley de Biot y Savart

B debido a una espiral de corriente
Una espira est formada por una serie de con un radio R y un vector apuntando hacia el centro de la misma. Por lo que el campo magntico en el centro de la espira vienen dado por: El ngulo que forman por lo que , as pues, el campo magntico total se consigue integrando sobre todos los elementos de corriente de la espira: Para hallar el campo a lo largo del eje de la espira cambiara la distancia y el vector por:

A grandes distancias de la espira x es mucho mayor que R de modo que

, por lo que:

Pero por la definicin de momento de la espira

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B debido a una corriente en un solenoide

Un solenoide es un alambre enrollado en forma de hlice con espiras muy prximas entre s. Se usa para producir un campo magntico intenso y uniforme en la regin rodeada por sus espiras. El campo magntico de un solenoide es el de una serie de espiras idnticas situadas unas junto a otras. Consideramos un solenoide de longitud L formado por N vueltas de espira que transporta una intensidad I. Tomamos el eje del solenoide como eje x. Si tomamos como nmero de vueltas por longitud, se dan n dx vueltas de alambre transportando cada una I. Por lo tanto la equivalencia con una espira sera , por lo que reemplazando I en la ecuacin de la espira por obtenemos: | | (

Cuando un solenoide es largo, es decir cuando su longitud es mucho mayor que su radio. En el interior y lejos de los extremos del solenoide el campo sera:

B debido a un conductor rectilneo

Para el clculo del campo producido por un conductor rectilneo debemos tener en cuenta la evolucin del ngulo respecto del punto de observacin del vector unitario, Para ello partimos del campo generado por una carga con velocidad, sustituyendo la carga y velocidad por la intensidad y el vector unitario por con lo que quedara:

Para sumar los campos elementales debemos buscar la manera de relacionar expresamos r y x en funcin del ngulo:

. Para ello

Sustituyendo en la ecuacin inicial:

En caso de que fuera un conductor muy largo el ngulo inicial y final tenderan a -90 y 90, por lo que la ecuacin que obtendramos sera: *donde R es la distancia perpendicular al conductor

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Fuerza magntica entre dos conductores rectilneos paralelos

Para hallar esta fuerza necesitamos de la ecuacin que define el campo creado por un conductor rectilneo y el efecto de un campo magntico sobre un conductor rectilneo. Entonces partimos de la ecuacin de fuerza magntica sobre un conductor rectilneo y sustituimos en el campo B por el campo generado por la otra lnea de carga:

Aplicando fuerza por unidad de longitud:

Ley de Gauss para el magnetismo

Definicin
Las lneas del campo magntico difieren del elctrico en que son lneas cerradas mientras que las del campo elctrico van de una carga a otra. El equivalente de una carga elctrica es un polo magntico, como los que existen en los extremos de un imn. Las lneas de campo divergen del polo norte y convergen el polo sur, mientras que dentro del imn las lneas lo atraviesan de sur a norte. De modo que si un extremo de una barra magntica est incluido en una superficie gaussiana las lneas de campo que dejan la superficie es igual a las que entran, por lo que el flujo neto es cero. Siendo la componente de B normal a la superficie cerrada en el elemento de rea dA. Siendo la definicin del flujo magntico anloga a la del flujo elctrico sustituyendo E por B. Siendo la afirmacin matemtica de que no existen mono polos magnticos y siendo la unidad bsica del magnetismo el dipolo magntico. Por esto las lneas cuando se alejan de los extremos son idnticas a las presentes en los campos elctricos pero entre los polos magnticos son contrarias.

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Ley de Ampere
Definicin
La ley de Ampere Relaciona la integral de la componente tangencial alrededor de una curva cerrada con una corriente que atraviesa la superficie limitada por aquella curva, lo cual permite obtener la expresin del campo magntico en casos de gran simetra:

Donde I es la corriente que penetra la superficie limitada por la curva y el sentido viene dado por la direccin de la corriente. La ley de Ampere se cumple para cualquier curva siempre que las corrientes sean estacionarias y continuas. La integral se denomina circulacin del campo B a lo largo de la curva C y la aplicacin ms simple de la determinacin del campo magntico creado por un conductor infinitamente largo y rectilneo portador de corriente. Como la direccin del campo magntico de cada elemento de corriente es tangente a la circunferencia, tiene la misma direccin que dl, siendo el mdulo constante en todo punto de la circunferencia:

Para el clculo del campo producido por un toroide (formado por espiras de conductor enrolladas alrededor de una figura en forma de donut), tenemos N vueltas del conductor, cada una con una corriente I, con lo que aplicamos la ley de Ampere. Para ello determinamos la integral de lnea alrededor de una circunferencia de radio r centrada en el centro del toroide, por simetra B es tangente a este crculo y constante en mdulo en todos los puntos del crculo:

Siendo a y b los radios interior y exterior del toroide, la corriente total a travs de la superficie limitada por el circulo de radio r entre a y b y con una , obtenemos:

Si r es menor que a o mayor que b, la corriente total es cero. Aunque el campo magntico en un toroide no es uniforme ya que decrece con r si el radio de las espiras es mucho menor que el radio del toroide la variacin desde es pequea y B es aproximadamente uniforme al igual que el solenoide.

59

Formulario
Campo magntico creado por varias cargas puntuales en movimiento

Campo magntico creado por una espiral de corriente

Campo magntico creado por un solenoide

( )

Campo magntico debido a un conductor rectilneo

Fuerza magntica entre dos conductores rectilneos paralelos

Ley de Gauss para el magnetismo

Ley de Ampere

Campo magntico creado por un toroide

60

Tema 7: Induccin magntica

1. Flujo magntico 2. Ley de Faraday y la fuerza electromotriz 3. Inductancia 4. Energa magntica 5. Formulario

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Flujo magntico
Definicin
El flujo magntico a travs de una superficie se calcula de forma anloga al flujo elctrico. Siendo dA un elemento de rea sobre la superficie, el vector unitario, normal a la superficie dentro de un campo magntico: Si nos encontramos una bobina con varias vueltas ltimo, la unidad del flujo magntico es el weber (Wb): , donde N, es el nmero de vueltas. Por

Ley de Faraday y la fuerza electromotriz

Definicin
La ley de Faraday demuestra que si el flujo magntico a travs de un rea rodeada por un circuito vara por algn medio, se induce una fem que es igual en mdulo a la variacin por unidad de tiempo del flujo que atraviesa el circuito. El flujo magntico a travs de una superficie encerrada puede variarse de muchas maneras, aumentando o disminuyendo la corriente que produce el campo magntico, acercar o alejar unos imanes, girar el circuito en un campo magntico o desplazarlo a una zona con un campo magntico fijo pero no uniforme; lo cual producir:

Este resultado es conocido como la ley de Faraday, el signo negativo concierne al sentido de la fem inducida. Considerando una sola espira, el flujo a travs de ella vara porque aumenta la intensidad del campo magntico, de modo que induce una fem. Como la fem es el trabajo realizado por unidad de carga, deben existir cargas mviles que realicen el trabajo sobre ella (la fem). Ni las fuerzas magnticas realizan trabajo ni las fuerza elctricas uniformes, pues su circulacin dentro de una superficie cerrada siempre es cero. Sin embargo, el campo elctrico resultante de un flujo magntico variable no es conservativo. Siendo la circulacin alrededor de C, productora de una fem igual a la variacin en el tiempo de l flujo magntico a travs de la superficie:

*fem inducida en un circuito estacionario en un campo magntico variable

Medios estacionarios. Ley de Lenz

La ley de Lenz especifica que la fem y la corriente inducidas poseen una direccin y sentido tal que tienden a oponerse a la variacin que se produce. Un ejemplo sera: Una barra magntica que se mueve acercndose a una espira de corriente, induciendo una fem y una corriente elctrica. La ley establece que la fem que se produce debe oponerse al movimiento del imn, por lo que la corriente elctrica producida debe generar un campo que repela a la barra magntica, funcionando la espira como un imn. Suponiendo que la corriente en la espira, al acercarse el imn a la espira producira una aceleracin constante de la corriente, lo cual volvera a generar fuerza en el imn y a volver a acelerar la corriente en la espira. Si esto fuera as aplicando una pequea fuerza al imn conseguiramos una aceleracin constante de la corriente en la espira sin aportacin energtica, lo cual violara el principio de conservacin de la energa. Por lo que la ley de Lenz se puede enunciar como:

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Cuando se produce una variacin en el flujo magntico que atraviesa una superficie, el campo magntico debido a la corriente inducida genera un flujo magntico sobre la misma superficie que se opone a la variacin. Otro ejemplo sera: Cuando nos encontramos con dos circuitos cercanos, con un interruptor apagado en uno de ellos, existe un flujo magntico en la superficie que los conecta. Cuando el interruptor se conecta no se consigue que la intensidad del circuito se mxima inmediatamente sino que tarda un breve tiempo en llegar al mximo, durante este tiempo el flujo est variando, ya que un incremento en la corriente implica un incremento en el campo del primer circuito al cual responde el segundo con una fem inducida que se opone. Cuando la corriente llega al mximo valor el flujo se estabiliza y la fem desaparece, en caso de desconectar el interruptor se producira un nuevo cambio en el flujo que producira una fem mientras la corriente llega a su valor final.

Medios en movimiento. FEM en movimiento

Una fem de movimiento es toda aquella inducida por el movimiento de un conductor en un campo magntico. Un ejemplo sera: Una varilla conductora que se desplaza perpendicular a dos conductores conectados mediante una resistencia. Considerando el flujo a travs de la superficie formada por los dos conductores, la resistencia y la varilla que se desplaza, cuando la varilla se mueve modifica el tamao de la superficie, lo que provoca un cambio en el flujo, lo cual provoca una fem. Esta variacin se podra definir como: Otro ejemplo sera: Un portador de carga positiva en una barra conductora que se mueve con velocidad constante a travs de un campo magntico uniforme dirigido hacia el papel. Como el portador se mueve horizontalmente con la barra, acta sobre l una fuerza magntica con su componente hacia arriba de mdulo . Debido a esta fuerza, los portadores de carga de la barra se mueve hacia arriba, lo que da lugar a una carga positiva en la parte superior y negativa en la parte inferior. Los portadores continan movindose hasta que el campo elctrico producido por las cargas separadas ejerce una fuerza de mdulo sobre las cargas separadas que equilibra la fuerza magntica. Por lo tanto en el equilibrio el mdulo del campo en la barra sera: La direccin y el sentido del campo elctrico son paralelos a la barra y estn dirigidos hacia abajo, con lo que la diferencia de potencial a travs de la barra es la variacin del campo elctrico a lo largo de ella: Siendo el potencial mayor en la parte alta de la barra. Esto es, cuando no hay corriente atravesando la varilla, la diferencia de potencial entre los extremos de la varilla es igual a la fem en movimiento, pero cuando hay corriente a travs de la varilla, la diferencia de potencial es: La ecuacin general de la fem en movimiento sera:

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Inductancia
Autoinduccin
El flujo magntico que atraviesa un circuito puede relacionarse con la corriente en el mismo y con las corrientes que circulan por los circuitos prximos. Considerando una bobina por la que circula una corriente, esta produce un campo magntico que vara de un punto a otro pero que siempre es proporcional a la corriente, por lo que el flujo tambin los es: siendo L la constante de autoinduccin de la bobina. Esta solo depende de la geometra de la bobina como se puede comprobar con un solenoide:

Cuando al intensidad de un circuito vara, el flujo magntico tambin se vara con lo que se produce una fem. Como la autoinduccin es constante, la variacin est relacionada con la intensidad:

La diferencia de potencial entre los extremos de un inductor queda definida por:

Induccin mutua
Cuando 2 o mas circuitos estn prximos, el flujo magntico que atraviesa uno de ellos no depende nicamente de la corriente en ese circuito, sino que tambin depende de la corriente circulando por los circuitos cercanos. Siendo responsables del flujo sobre una de las superficies los campos magnticos de cada circuito por sus respectivas intensidades de corriente, por lo tanto se podra expresar como: Donde M es la inductancia mutua de los dos circuitos, esta depende de la disposicin geomtrica entre ambos. Por ejemplo se puede calcular la inductancia mutua entre dos solenoides concntricos de espiras apretadas. Siendo el campo magntico debido a la corriente del solenoide interno: Por lo que el flujo que atraviesa el solenoide externo debido al campo generado por el interno sera: ( ) ( ) *La superficie se calcula sobre la r del solenoide pequeo, ya que fuera de ella el campo no existe. Siendo la inductancia mutua igual a: ( )

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Energa magntica
Definicin
Un inductor almacena energa magntica del mismo modo que un condensador la almacena de tipo de elctrico de manera que un circuito formado por una resistencia, un inductor, una fuente y un conmutador en serie, de modo que el interruptor est inicialmente abierto, cuando este cierre aparece una corriente en el circuito, que provoca una cada de potencial IR a travs de la resistencia y -L en el inductor, que aplicando malla de Kirchoff sera:

Puesto que el miembro de la izquierda de la ecuacin coincide con la potencia suministrada y puesto que el trmino representa la potencia disipada por la resistencia el ltimo trmino representa la energa que por unidad de tiempo disipa el inductor, por lo que:

Ecuacin que mediante integracin utilizando como lmite temporal desde ero hasta el infinito y como lmite de la corriente desde el principio hasta la corriente final: En el proceso de producir una corriente en un inductor, se crea un campo magntico en el interior de la bobina, de manera que la energa almacenada se encuentra en el campo creado y en el caso de un solenoide largo, el campo magntico viene relacionado con la corriente y el nmero de vueltas mediante: *Donde A es el rea transversal y l la longitud. Por lo que sustituyendo los valores de estas variables en la ecuacin anterior podemos obtener: ( )

Puesto que Al es el volumen de espacio dentro del solenoide, la energa por unidad de volumen o densidad de energa magntica sera:

*Esta ecuacin solo es aplicable a un solenoide largo.

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Formulario
Flujo magntico

Fuerza electromotriz esttica

Fuerza electromotriz en movimiento

Constante de induccin de la bobina

FEM generada por una bobina

Diferencia de potencial en una bobina

Inductancia mutua

Energa en un inductor

Densidad de energa en un inductor

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BLOQUE III. CIRCUITOS

67

68

ndice
Tema 8: Circuitos de Corriente Continua ........................................................................................................................ 71 Corrientes elctricas y movimiento de cargas ..................................................... 72 Definicin .................................................................................................................................... 72 Resistencias y ley de Ohm ............................................................................................ 73 Definicin .................................................................................................................................... 73 Materiales hmicos y no hmicos ..................................................................................... 73 Resistividad ................................................................................................................................ 73 La energa en los circuitos elctricos ....................................................................... 74 Potencia disipada ..................................................................................................................... 74 Potencia suministrada por una FEM ................................................................................ 74 Batera ideal ............................................................................................................................... 74 Combinaciones de resistencias .................................................................................. 75 Resistencias en serie............................................................................................................... 75 Resistencias en paralelo ........................................................................................................ 75 Reglas de Kirchoff ........................................................................................................... 75 Definicin .................................................................................................................................... 75 Circuitos RC ....................................................................................................................... 76 Descarga de un condensador .............................................................................................. 76 Carga de un condensador ..................................................................................................... 77 Conservacin de la energa en la carga de un condensador ................................... 77 Circuitos RL ....................................................................................................................... 78 Definicin .................................................................................................................................... 78 Formulario ........................................................................................................................ 79 Tema 9: Circuitos de Corriente Alterna ........................................................................................................................... 81 Corriente alterna en resistencias, bobinas y condensadores ......................... 82 Resistencias en corriente alterna ...................................................................................... 82 Inductores en corriente alterna ......................................................................................... 83 Condensadores en corriente alterna ................................................................................ 84 Circuitos LCR sin generador ........................................................................................ 85 Circuitos LC ................................................................................................................................ 85 Circuitos LCR ............................................................................................................................. 86 Anlisis de circuitos en corriente alterna .............................................................. 87 Fasores ......................................................................................................................................... 87 Circuito LCR con generador en serie ................................................................................ 88 Resonancia ................................................................................................................................. 89

69

70

Tema 8: Circuitos de Corriente Continua

1. Corrientes elctricas y movimiento de cargas 2. Resistencias y ley de Ohm 3. La energa en los circuitos elctricos 4. Combinaciones de resistencias 5. Reglas de Kirchoff 6. Circuitos RC 7. Circuitos RL 8. Formulario

71

Corrientes elctricas y movimiento de cargas

Definicin
La corriente elctrica se define como el flujo de cargas elctricas que por unidad de tiempo atraviesan un rea transversal:

El movimiento real de los electrones es muy complicado, si en el cable no existe ningn campo elctrico estos se mueven con direcciones aleatorias y velocidades grandes, adems los electrones chocan con los iones reticulares del cable. Como la orientacin es al azar la velocidad media es cero. Cuando se aplica un campo elctrico los electrones libres experimentan una aceleracin debido a la fuerza y adquieren una velocidad en sentido opuesto al campo. Sin embargo la energa cintica que adquieren es disipada por los choques con los iones del cable, siendo el resultado neto de esta aceleracin y disipacin de energa adquieren una velocidad media, llamad velocidad de desplazamiento. Consideramos una corriente en un cable conductor de seccin transversal A, siendo n el nmero de partculas libres portadoras de carga por unidad de volumen o densidad numrica de los portadores de carga. Finalmente suponemos que cada partcula lleva una carga q y una velocidad media . Por lo que en cada variacin de tiempo todas las partculas contenidas en , pasan por el rea A. Por lo que la carga total sera:

72

Resistencias y ley de Ohm

Definicin
La corriente en un conductor vienen impulsada por un campo elctrico dentro del conductor que ejerce una fuerza sobre las cargas libres. Como E posee la direccin y sentido de la fuerza que acta sobre una carga positiva, sta es la direccin de la corriente. Como el campo elctrico siempre va dirigido en la direccin de los potenciales decrecientes, la corriente como flujo de cargas positivas se mueve en la direccin en que el potencial decrece. Suponiendo que el campo es constante, la diferencia de potencial V sera: Donde el cociente entre la cada de potencial y la intensidad de la corriente se llama resistencia del segmento:

Materiales hmicos y no hmicos

Para algunos materiales, como es el caso de los metales, la resistencia no depende de la cada de voltaje o intensidad, ya que es constante, a estos materiales se les denomina hmicos. La cada de potencial a travs de una porcin de conductor es proporcional a la corriente: En los materiales no hmicos la resistencia depende de la corriente, de modo que V no es proporcional a la corriente, ya que a diferencia de los materiales hmicos la relacin es no lineal. Siendo la ley de Ohm no una relacin fundamental como la ley de Newton sino la descripcin emprica de una propiedad compartida por muchos materiales.

Resistividad
La resistividad es por definicin la constante de proporcionalidad entre su resistencia y su temperatura. La resistividad de cualquier metal depende de la temperatura, en las tablas suele darse la resistividad a 20c y a su vez el coeficiente de temperatura de la resistividad se define por:

73

La energa en los circuitos elctricos

Potencia disipada
Cuando s establece un campo elctrico en un conductor se incrementa la energa cintica debido al trabajo realizado por el campo sobre los electrones libres. Sin embargo, pronto se alcanza un estado estacionario pues esta energa adicional se convierte en temperatura en el conductor, por las colisiones entre electrones y los iones reticulares del conductor. El mecanismo por el que el incremento de temperatura interna del conductor da lugar a un incremento de su temperatura se denomina efecto Joule. Considerando un conductor de longitud L y rea transversal A que transporta una corriente estacionaria. La carga libre en el segmento sera Q y durante una variacin de tiempo sufre un pequeo desplazamiento lo cual implica una variacin de carga y por lo tanto una variacin en la energa potencial: La variacin temporal de la perdida de energa sera: *P=Potencia disipada Tambin se puede expresar como:

Potencia suministrada por una FEM

Con la finalidad de mantener una corriente estacionaria en un conductor necesitamos disponer de un suministro de energa elctrica: El aparato con la finalidad de suministrar energa elctrica es la fuente o fuente de fem, algunos ejemplos son una batera o pila(energa qumica a elctrica) o un generador(energa mecnica a elctrica). Dentro de las fuentes fem, la carga fluye de la regin con menos potencial a otra de mayor potencial; de modo que aumenta su energa potencial, as pues cuando una variacin de carga fluye a travs de la fuente ve aumentada su energa potencial en relacin con la fuente. En consecuencia, la carga fluye a travs de la resistencia donde esta energa potencial se disipa como energa trmica. El ritmo con que la fem proporciona energa se conoce como potencia suministrada:

Batera ideal
Una batera ideal es una fuente de fem que mantiene una diferencia de potencial constante entre sus dos terminales, independientemente del flujo de carga que exista entre ellos. La diferencia de potencial es igual en valor absoluto a la fem de la batera. Esto se denomina tensin en los bornes y no es simplemente igual al valor de la fem de la batera. En el caso de una batera real, si la resistencia se viera modificada, y se midiera la tensin en los bornes, resulta que esta decrece ligeramente a la vez que se incrementa la intensidad, lo cual indica que es como si existiera una pequea resistencia dentro de la fuente. As pues, una batera real se puede considerar una batera ideal con una pequea resistencia interna. Modificndose sus ecuaciones: De aqu obtenemos la intensidad:

74

Combinaciones de resistencias
Resistencias en serie
Cuando dos o ms resistencias se encuentran conectadas en serie, por todas ellas atraviesa la misma corriente. La cada de potencial a travs de cada una de ellas es igual a la resistencia por su intensidad, as pues la cada de potencial a lo largo de dos resistencias en serie sera: Por lo que la resistencia equivalente que representa la misma cada de potencial cuando circula a travs de ella una corriente sera:

Resistencias en paralelo
Cuando dos resistencias se conectan en paralelo reciben la misma diferencia de potencial, pero la intensidad de corriente se divide entre las dos resistencias. Siendo la intensidad de corriente que circula por cada rama proporcional a la cada de potencial y a la resistencia existente en la rama a considerar: As la resistencia equivalente de una combinacin de resistencias en paralelo se define como aquella resistencia para la cual la corriente total produce la cada de potencial total: ( De lo que se obtiene: )

Reglas de Kirchoff
Definicin
Existen dos reglas llamadas, reglas de Kirchoff que se aplican a cualquier circuito con mas de una fem: 1- La suma algebraica de las variaciones de potencial a lo largo de cualquier malla del circuito debe ser igual a cero. 2- En un nudo de un circuito donde puede dividirse la corriente, la suma de las corrientes que entran y salen del punto debe ser igual.

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Circuitos RC
Descarga de un condensador
En un circuito con un condensador cargado y una resistencia cerramos el interruptor lo cual cierra el circuito y provoca una diferencia de potencial a los dos lados de la resistencia, que obliga a pasar una cantidad de corriente. Siendo la corriente inicial:

El paso del flujo elctrico desde el condensador hasta la resistencia provoca un descenso de la carga en el condensador, siendo la intensidad igual a la disminucin de carga en el tiempo:

Aplicando la primera regla de Kirchoff la suma de los potenciales debe ser cero asique con una cada provocada por la resistencia de IR y un aumento provocado por el condensador de por lo que:

Como tanto I como Q son variables que varan en el tiempo segn la ecuacin descrita podemos aplicar:

Integrando en ambos lados a lo largo de la carga en la izquierda y del tiempo en la derecha:

Donde la llamada constante de tiempo, la cual define el tiempo durante el que la carga disminuye hasta de su valor original: La intensidad puede obtenerse la integracin de su ecuacin de carga por tiempo:

76

Carga de un condensador
En un circuito con un condensador inicialmente descargado, una fuente de fem y una resistencia con el interruptor abierto inicialmente, se abre este lo que provoca que la corriente comience a circular por la resistencia y a depositarse en el condensador. Se aplica la primera regla de Kirchoff por la que la suma del potencial incrementado por la fuente y la cada provocada por la resistencia y el condensador debe ser cero:

Analizando la ecuacin vemos que en el momento inicial la carga en el condensador es cero por lo que la intensidad sera , la carga entonces crece hasta alcanzar su valor final, disminuyendo la corriente hasta que esta llega a cero. Por lo que:

Finalmente sustituimos I en la ecuacin inicial obteniendo:

Integrando a lo largo del tiempo y de la carga del condensador: De lo que obtenemos:

Finalmente obtenemos la intensidad mediante su ecuacin inicial sustituyendo Q ahora que es conocida: ( )

Por ltimo sustituimos la intensidad inicial:

Conservacin de la energa en la carga de un condensador

Durante el proceso de carga fluye una cantidad energa de la batera al condensador de realizando un trabajo de: Siendo la energa almacenada en el condensador la mitad del trabajo realizado: ,

Mientras que la otra mitad de la energa se pierde por energa trmica mediante el efecto de Joule a travs de la batera: ( Integrando:

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Circuitos RL
Definicin
UN circuito que contenga una resistencia y un inductor se denomina RL y como a temperatura ambiente todos los circuitos contienen resistencia y autoinduccin, el anlisis se aplica a todo el circuito. Puesto que el circuito est formado por una fuente cc, una resistencia y un inductor si aplicamos mallas de Kirchoff obtenemos:

Justo antes de encender el interruptor la corriente es nula, de modo que IR es cero y el componente del inductor se puede igualar a la corriente del generador, obteniendo la ecuacin: | |

Mientras que cuando crece la intensidad tambin lo hace la componente de la resistencia, mientras que la componente del inductor disminuye. Hay que tener en cuenta que la intensidad no puede alcanzar un valor finito como lo hara sin el inductor, puesto que cuando la inductancia L no es despreciable, su variacin de intensidad en el tiempo es finita y por lo tanto esta corriente es continua en el tiempo. Tras un tiempo corto la corriente consigue alcanzar un valor positivo y su variacin se define como:

Puesto que la corriente es aun creciente, pero su ritmo va decreciendo, el valor final puede obtenerse haciendo que la relacin entre intensidad y tiempo sea igual a cero, de manera que el valor final de corriente sera:

Finalmente y basndose en la ecuacin que describe la carga de un condensador podemos encontrar la ecuacin que define la evolucin temporal de la intensidad, la cual se obtiene separando las variables e integrando de la siguiente forma: ( ) ( )

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Formulario
Definicin de intensidad

Resistividad

Potencia disipada

Combinacin de resistencias serie | paralelo

Descarga de en condensador

Carga de un condensador

Circuito con un inductor

( ) ( )

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Tema 9: Circuitos de Corriente Alterna

1. Corriente alterna en resistencias 2. Corriente alterna en condensadores y bobinas 3. Circuitos LCR sin generador 4. Anlisis de circuitos en corriente alterna 5. Formulario

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Corriente alterna en resistencias, bobinas y condensadores

Resistencias en corriente alterna
En un circuito simple de ca con un generador ideal y una resistencia, la cada de tensin a travs de la resistencia es igual a la fem del generador, por lo que en caso de una corriente sinusoidal: Como la constante es arbitraria nos conviene elegirle el valor , por lo que:

Aplicando la ley de Ohm podemos obtener el valor de la corriente:

De lo que podemos obtener la potencia disipada en la resistencia a lo largo del tiempo. Teniendo de valor instantneo: Mientras que el valor de la potencia media sera: ( Como el valor medio del sera: )

en uno o ms periodos es , por lo que la potencia disipada media

La mayora de ampermetros y voltmetros de ca estn diseados para medir valores eficaces de la corriente o de la tensin en lugar de los valores mximos. Su valor es la raz cuadrada del valor cuadrtico medio respectivo. As el valor eficaz es: Para una corriente sinusoidal, el valor medio es: As se demuestra que cualquier valor de una variable que vara sinusoidalmente es igual al valor mximo de esa magnitud dividido por . Sustituyendo en la ecuacin de la potencia disipada corriente mxima por eficaz obtenemos:

El valor eficaz de la corriente es igual al valor de la corriente continua constante que producira el mismo calentamiento Joule que la corriente alterna: { }

82

La corriente eficaz est relacionada con la cada de potencial eficaz de la misma manera que la corriente mxima esta relaciona con la cada mxima, por lo que:

Inductores en corriente alterna

Partiendo de un circuito con un generador de corriente alterna y una bobina en serie, podemos decir que cuando la corriente crece en el inductor se crea en ste una fuerza contra-electromotriz de valor: Normalmente esta fem es mucho mayor que la cada de potencial debida a IR por lo que esta es despreciada. Como la cada de potencial es igual a la fuerza electromotriz podemos obtener: Lo cual podemos sustituir en la ecuacin anterior:

Integramos a ambos lados de la ecuacin: Siendo C la valor de entrada de corriente continua y con un valor de cero nos queda:

Debido a la relacin la corriente con el seno y del voltaje con el coseno podemos determinar que la corriente se encuentra desfasada en 90 respecto del voltaje, lo cual se explica fsicamente pues la intensidad es provocada por el cambio en el flujo lo cual es provocado por el voltaje, asique este es el que induce la aparicin de la corriente despus de l. Yendo siempre la corriente un cuarto de ciclo por detrs del potencial. ( )

La relacin entre corriente y tensin de mxima a eficaz puede expresarse manera sencilla puesto que, tomamos el valor de reactancia o impedancia inductiva como:

Y puesto que

obtenemos:

Finalmente la potencia instantnea en la bobina sera: ( ) (

Siendo la potencia media nula puesto que la relacin trigonomtrica existente es la mitad del tiempo por encima de cero y la otra mitad con los mismos valores negativos.

83

Condensadores en corriente alterna

Partiendo de un circuito con un condensador y un generador de corriente alterna en serie, la cada de voltaje a travs del condensador queda definida en la siguiente ecuacin:

Donde Q es la carga de la placa positiva, en este circuito la cada de potencial es igual a la fem producida por el generador, por lo que sera: Sustituimos en la ecuacin anterior para obtener la carga: Donde la corriente queda definida por:

De forma similar al inductor la corriente en el condensador se encuentra desfasada respecto de la cada de potencial en el condensador en 90: ( )

Finalmente definimos la reactancia o impedancia capacitiva como la relacin entre en ngulo del generador y la capacidad del condensador midindose en ohmios y dependiendo pues de la frecuencia.

As se nos permite establecer la relacin entre los valores eficaces de la corriente y la cada de potencial:

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Circuitos LCR sin generador

Circuitos LC
Un circuito LC consiste en un condensador y una bobina. Teniendo en cuenta que se inicia con un interruptor abierto y una carga inicial en el condensador, cuando cerramos el interruptor se inicia la circulacin de corriente del condensador a la bobina creando una intensidad de:

Por lo que aplicando las leyes de kirchoff a la malla obtenemos:

Sustituyendo la intensidad en la ecuacin anterior y multiplicando ambos miembros por -1:

Dividiendo cada miembro por L y reordenando obtenemos:

Mediante analoga con la ecuacin del muelle con masa, donde A sera la amplitud y la constante de fase, podemos obtener:

Tomando como valores iniciales , por lo que nos quedara:

entonces la constante de fase es nula y

En nuestro circuito al igual que en el muelle con masa afecta dos energas la elctrica y la magntica. Siendo la energa elctrica almacenada en el condensador:

Mientras que la energa magntica sera: Por lo que la energa total almacenada sera:

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Circuitos LCR
Aadiendo una resistencia al circuito anterior obtenemos un circuito LCR, que mediante las leyes de kirchoff obtenemos:

Que mediante la sustitucin de la corriente expresada como variacin de carga por tiempo, en la primera ecuacin nos permite obtener:

Al ser esta ecuacin anloga al oscilador armnico amortiguado podemos obtener:

Debido a la analoga con el oscilador con amortiguador podemos comprender, que la carga y la corriente oscilan con una frecuencia definida mientras que estas oscilaciones se van amortiguando debido al efecto de la resistencia, lo cual se pueden ver mediante el anlisis energtico de la ecuacin. La energa magntica viene dada por: ( )

Representando esta ecuacin a la energa elctrica que se convierte en magntica debido al inductor, mientras que la ecuacin representa la energa disipada en forma de calor por la resistencia y finalmente la ecuacin: ( )

Esta ecuacin representa la variacin en el tiempo de la energa potencial elctrica en el condensador, la cual puede ser positiva o negativa. En este circuito la suma de energa elctrica y magntica no es constante debido a la energa que se disipa de forma continuada en la resistencia.

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Anlisis de circuitos en corriente alterna

Fasores
En circuitos que contienen un generador ca ideal y dos o ms elementos conectados en serie, la suma de las diferencias de las diferencias de potencial entre todos los elementos es igual a la fem del generador en lo cual coinciden con los circuitos de cc. Sin embargo en un circuito ca las cadas de tensin entre los extremos de cada componente no tienen por qu estar en fase, por lo que la suma de los valores eficaces no tienen por qu coincidir con el valor eficaz del generador. Con vectores de dos dimensiones denominados fasores se pueden representar las relaciones de fase entre la corriente y la diferencia de potencial a travs de resistencias, condensadores e inductores. Quedando representados vectores que representan el potencial de un componente mediante su mdulo ( ) en el caso de una resistencia y su ngulo. Siendo el valor instantneo de la cada de tensin igual a la componente x del vector del potencial que gira en sentido anti horario con una frecuencia angular w , mientras que el valor de I puede expresarse mediante la componente x de su ecuacin. En caso de conectar varios componentes en un circuito en serie sus tensiones se suman y la corriente se mantiene mientras que si su conexin es en paralelo sus corrientes se suman mientras que su potencial se mantiene. Los fasores se emplean del siguiente modo, se expresa cualquier tensin o corriente mediante una frmula que a su vez se consideran como la componente x de estos fasores, por lo que en lugar se sumarse algebraicamente se suman vectorialmente mediante las componentes x de cada fasor.

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Circuito LCR con generador en serie

Partiendo de un circuito con un generador de corriente ca sinusoidal, una resistencia, un condensador y un inductor, sabemos que la cada de potencial aplicada por el generador al circuito es , por lo que la aplicacin de las leyes de Kirchoff sobre la malla nos dan:

Mediante la sustitucin de la intensidad por su ecuacin de variacin de carga en el tiempo:

Nos encontramos con una ecuacin anloga a la oscilacin forzada de una masa en un muelle. En ste caso la corriente consta de dos partes una transitoria que depende de las condiciones iniciales y una parte estacionaria que es independiente de estas condiciones. Puesto que la corriente transitoria disminuye exponencialmente con el tiempo y es finalmente despreciable nos concentramos en la corriente estacionaria: Donde el ngulo de fase viene dado por la ecuacin:

Por lo que podemos expresar la intensidad mxima mediante la impedancia del circuito LCR en serie:

Tambin se puede obtener la ecuacin de la corriente mediante el uso de fasores. Conociendo que el valor de la componente x en los fasores de cada componente es igual al valor instantneo de la cada de tensin, podemos expresar la cada de potencial proporcionada por la fuente mediante el uso de estos: Lo cual mediante la aplicacin de los mdulos de los fasores obtenemos: Pero sustituyendo por sus fasores:

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Resonancia
Puesto que cuando son iguales, la reactancia total es cero, la reactancia tiene su valor mnimo como Z igual a R e tiene su valor mximo, adems el ngulo de fase de la corriente es cero, lo que implica que esta se encuentra en fase con el generador. Siendo el valor de frecuencia que hace iguales a los valores de igual a: Cuando la frecuencia aplicada es igual a la frecuencia natural, se dice que el circuito est en resonancia, por lo que a esta frecuencia se la denomina frecuencia de resonancia. Puesto que ni las bobinas ni los condensadores consumen energa, la potencia media suministrada a un circuito LCR solo depende de la potencia que disipa la resistencia, con lo que sabiendo que la potencia instantnea suministrada a la resistencia es: [ ]

Al valor de se le denomina factor de potencia del circuito LCR, puesto que en resonancia el ngulo vale cero, el factor de potencia vale 1, aunque la potencia tambin puede expresarse en funcin de la frecuencia angular mediante la ecuacin de la corriente eficaz: ( )

Finalmente utilizando esta forma de la impedancia al cuadrado podemos fijar la potencia media en funcin de la frecuencia del generador mediante: ( )

Para definir la cantidad de energa que hay en el sistema junto a la perdida a lo largo del tiempo se utiliza el factor Q, el cual podemos aplicar por su similitud de funcionamiento de los circuitos LCR con los osciladores mecnicos de manera que identificamos el valor de L con el de la masa y el valor de R con la constate de amortiguamiento que nos permite obtener las siguiente ecuacin:

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90

BLOQUE IV. ELECTRNICA

91

92

ndice
Tema 10: Introduccin a los dispositivos electrnicos. Diodos ............................................................................. 95 Teora de las bandas de los slidos .......................................................................... 96 tomos ......................................................................................................................................... 96 Estructuras cristalinas ........................................................................................................... 96 Bandas de energa ................................................................................................................... 96 Conduccin elctrica en semiconductores ............................................................ 97 Definicin .................................................................................................................................... 97 Conduccin en semiconductores intrnsecos ............................................................... 97 Conduccin en semiconductores extrnsecos ............................................................... 98 Mecanismos de transporte de cargas............................................................................... 98 Diodos. Polarizacin ...................................................................................................... 99 Definicin diodo ....................................................................................................................... 99 Polarizacin directa ................................................................................................................ 99 Polarizacin inversa ............................................................................................................... 99 Diodos. Curva caracterstica y modelos equivalentes .....................................100 Zonas de la curva caracterstica del diodo .................................................................. 100 Modelos equivalentes.......................................................................................................... 101 Diodos en conmutacin ..............................................................................................102 Definicin ................................................................................................................................. 102 Transicin de cierre ............................................................................................................. 102 Transicin de corte .............................................................................................................. 103 Tema 11: Transistores bipolares y MOSFET .............................................................................................................. 105 Transistores. Definicin .............................................................................................106 Definicin ................................................................................................................................. 106 Configuraciones ..................................................................................................................... 106 Propiedades elctricas ........................................................................................................ 106 Transistores. Funcin..................................................................................................107 Esquema de funcionamiento ............................................................................................ 107 Esquema elctrico ................................................................................................................ 107 Transistores. Estados ..................................................................................................108 El transistor en pequea seal ........................................................................................ 108 El transistor en corte-saturacin .................................................................................... 108 Transiciones entre estados de corte y saturacin ................................................... 109 Transistores MOSFET. Propiedades .......................................................................110 Definicin ................................................................................................................................. 110 Caractersticas........................................................................................................................ 110 Transistores MOSFET. Curva y modelo elemental ............................................111 Curva caracterstica ............................................................................................................. 111 Modelo elemental ................................................................................................................. 111 Tema 12: Familias bipolares ............................................................................................................................................. 113 Caractersticas de las puertas Lgicas ...................................................................114 Caractersticas estticas ..................................................................................................... 114 Margen de ruido .................................................................................................................... 114 Flexibilidad lgica ................................................................................................................. 114 Disipacin de potencia........................................................................................................ 115 Velocidad de actuacin ....................................................................................................... 115 Lgica resistencia-transistor ....................................................................................116 Inversor .................................................................................................................................... 116 Puerta NOR .............................................................................................................................. 116 Puerta NAND .......................................................................................................................... 117 93

Lgica diodo-transistor ..............................................................................................118 Parte lgica de una AND en DTL ..................................................................................... 118 Puerta NOR en DTL .............................................................................................................. 118 Puerta NAND en DTL ........................................................................................................... 119 Lgica transistor-transistor ......................................................................................120 Configuraciones ..................................................................................................................... 120 Puertas NAND en TTL ......................................................................................................... 121 Tema 13: Amplificadores y Familias MOS ................................................................................................................... 123 Amplificador diferencial ............................................................................................124 Definicin y configuraciones ............................................................................................ 124 Ganancia en modo comn ................................................................................................. 125 Ganancia en modo diferencial.......................................................................................... 125 Dispositivos en ECL ......................................................................................................126 Inversor ECL ........................................................................................................................... 126 Puerta NOR ECL ..................................................................................................................... 127 Dispositivos en NMOS ..................................................................................................128 Inversor en NMOS................................................................................................................. 128 Puerta NAND en NMOS ....................................................................................................... 129 Puerta NOR en NMOS .......................................................................................................... 129 Dispositivos en CMOS ..................................................................................................130 Inversor en CMOS ................................................................................................................. 130 Puerta NAND en CMOS ....................................................................................................... 131 Puerta NOR en CMOS........................................................................................................... 131

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Tema 10: Introduccin a los dispositivos electrnicos. Diodos

1. Teora de las bandas de los slidos 2. Conduccin elctrica en semiconductores 3. Diodos. Polarizacin 4. Diodos. Curva caracterstica 5. Diodos en conmutacin 6. Formulario

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Teora de las bandas de los slidos

tomos
En un tomo los electrones se encuentran organizados en capas, y cada una de estas se clasifica por la cantidad de energa que la mantiene ligada al tomo, por lo que esta es mayor en las capas cercanas al ncleo. ste hecho nos lleva a clasificar los electrones por el nivel energtico, estando estos niveles energticos muy distantes unos de otros.

Estructuras cristalinas
La mayor parte de los slidos en la naturaleza son de origen cristalino, los cuales estn formados por retculos elementales o celdillas de unidad las cuales se repiten una y otra vez en una estructura peridica o red cristalina. Dentro de sta red las partcula ocupan posiciones definidas y sus movimientos se limitan a vibraciones en torno a los vrtices de la red dnde se hallan situadas. Todas las caractersticas de los slidos como dureza, resistencia a la deformacin, capacidad de conducir corriente y dems se encuentran ligadas a las fuerzas de enlace que unen las partculas elementales. Esta estructura hace que el modelo del tomo aislado con niveles de energa perfectamente diferenciables no sea viable. En un cristal la proximidad entre los tomos provoca que los niveles de energa mas externos de estos se vea se vean afectados, como consecuencia cuando dos tomos se acercan la energa de las capas exteriores se desdobla en dos niveles ligeramente diferentes que corresponden al sistema formado por los dos tomos. Por lo que aplicado al cristal completo formado por mucha cantidad de tomos provoca la aparicin de bandas de energa formada por niveles haciendo referencia a cada zona de energa. Estas bandas pueden estar muy separadas o incluso superpuestas.

Bandas de energa
Las bandas representan los valores de energa que pueden tener los electrones del material. Se denomina banda prohibida al espacio entre dos bandas, indicando los estados de energa que los electrones del material no pueden tener. El ancho de estas bandas vara segn el material y la estructura cristalina, fundamentalmente de la orientacin de los tomos en el espacio y su distancia. En los valores mas bajos de energa se encuentran los niveles correspondientes a los electrones internos de cada tomo que no se ven afectados por los dems componentes del cristal y en orden creciente encontramos los siguientes noveles de energa: Banda de valencia: llena de electrones ligados a los enlaces de los tomos del cristal. Estos electrones se denominan de valencia. Banda prohibida: corresponde a los valores de energa que no pueden tener los electrones. A menor distancia entre estos en la estructura menor ser el ancho de la banda. Banda de conduccin: es donde se encuentran los electrones libres que no pertenecen a ningn tomo en particular y que pueden moverse de forma libre por la red en caso de existir un campo elctrico.

Este modelo implica que los nicos electrones que pueden conducir la corriente elctrica son los de la banda de conduccin. Cuando un electrn de valencia recibe energa suficiente pasa de la banda de valencia a la de conduccin. Esta energa debe ser igual o mayor que el ancho de la banda de prohibicin. De esta manera podemos organizar los materiales en conductores cuando no existe banda de prohibicin, semiconductores cuando esta es muy pequea y aislantes cuando esta es grande.

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Conduccin elctrica en semiconductores

Definicin
Los semiconductores presentan una banda prohibida muy estrecha, que les permite actuar como aislantes o como conductores. Esto depende de la temperatura del material pues cuando esta frio la banda prohibida se hace demasiado ancha y no permite la salida de electrones de valencia a conduccin, sin embargo cuando este se calienta los enlaces covalentes se rompen lo cual permite a los electrones de valencia saltar la banda prohibida. El proceso por el que un tomo pasa de la banda de valencia a conduccin se denomina generacin y a lo contrario recombinacin. Cuando un electrn pasa a la banda de conduccin deja un hueco, lo cual da lugar a la aparicin de un electrn-hueco. Este hueco puede ser ocupado por otro electrn que tambin dejara un hueco, por lo que se puede decir que los huecos se mueven por la estructura. A determinadas temperaturas la velocidad de creacin y recombinacin se igualan de modo que la concentracin global de electrones y huecos es la misma, siendo n la concentracin de electrones y p la concentracin de huecos, cumplindose: *Siendo la concentracin intrnseca del semiconductor.

Conduccin en semiconductores intrnsecos

Los semiconductores intrnsecos son aquellos que son puros, siendo el nmero de electrones igual al nmero de huecos. Debido a los cambios trmicos se pueden producir generaciones o recombinaciones pero siempre se mantiene la constante de electrn-hueco. El elemento semiconductor mas utilizado es el silicio el cual tiene una estructura tridimensional con celdas formadas por formas de tetraedro con un tomo en cada vrtice. Los tomos del silicio tienen 14 electrones cuatro de los cuales son de valencia, por lo que el ncleo inico tiene una carga de +4. La fuerza de enlace entre los tomos es debida a que cada electrn de valencia es compartido por cada uno de sus vecinos ms prximos formando enlaces covalentes. Por lo que aun existiendo la disponibilidad de cuatro electrones pocos de ellos se encuentran disponibles a bajas temperaturas, mientras que cuando esta sube los enlaces covalentes se rompen permitiendo la conductividad. SI un semiconductor intrnseco es sometido a un campo elctrico, aparecen dos corrientes elctricas. Por un lado la debida al movimiento de electrones libres en un sentido contrario al campo y por otro lado la debida al movimiento de los huecos provocados por los electrones en la banda de valencia que tienden a saltar a los huecos disponibles. Este corriente se produce en la misma direccin y sentido que el campo aplicado pero con una velocidad y magnitud muy inferior a la existente en la banda de conduccin. Debido a que los mecanismos por los que se mueven electrones y huecos son diferentes, la movilidad de los portadores es distinta Aunque los sentidos de las corrientes son contrarias al tener cargas de signo contrario ambas corrientes tienen finalmente el mismo sentido. As que la corriente total sera: Aplicando la definicin de intensidad como variacin de carga en el tiempo: [ ] Aplicando la geometra del conductor y aplicando la velocidad de huecos y electrones: [ ] Como la movilidad depende del material, finalmente la densidad de corriente quedara: Por lo que la conductividad sera:

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Conduccin en semiconductores extrnsecos

Un semiconductor extrnseco consiste en la adicin de una pequea cantidad de impurezas a un semiconductor puro con el objetivo de aumentar el nmero de portadores, estos forman un semiconductor dopado. El aumento de portadores viene a causa de la aparicin de niveles de energa permitidos en la banda de prohibicin, lo que aumenta su conductividad. Si la impureza introducida es de cinco electrones de valencia al entrar en la red cada tomo tiene un electrn de ms que pasa a la banda de conduccin como un portador negativo. A este tipo de impurezas se las denomina donadoras o impurezas de tipo N, y al semiconductor formado semiconductor tipo N. Con la introduccin de estas impurezas aparecen niveles de energa permitida en la banda prohibida que facilitan el paso a la banda de conduccin del exceso de electrones introducidos con la impureza. Si la impureza introducida es de tres electrones al entrar en la red cristalina a cada tomo de impurezas le falta un electrn, quedando un hueco en el enlace covalente. Este hueco se comporta como un portador de carga positiva, llamando a esta impureza receptora o tipo P y al semiconductor dopado con ella semiconductor tipo P. Con la introduccin de estas impurezas aparecen niveles de energa en la banda prohibida muy prximas a la banda de valencia facilitando el paso de electrones a la banda de conduccin y generando huecos en el proceso. La introduccin de impurezas modifica la concentracin de portadores respecto de los materiales intrnsecos. De cualquier modo en condiciones de equilibrio trmico se verifica la ley de accin de masas que define la relacin entre portadores positivos, negativos y la cantidad de portadores totales como: El material extrnseco se clasifica segn sus portadores mayoritarios, por lo que en la generacin de portadores interviene la generacin intrnseca que es minoritaria y depende del material y la temperatura y la generacin extrnseca dependiente de la concentracin de las impurezas. Puesto que las impurezas estn ionizadas a temperatura ambiente, producirn una densidad de iones positivos o negativos dependiendo del tipo de semiconductor extrnseco . Para mantener el material elctricamente neutro la concentracin de cargas totales positivas y negativas debe ser igual. Por lo que considerando un material tipo N en el que , el nmero de electrones es mucho mayor que el nmero de huecos, de lo que se deduce: De lo que se deduce que en un material tipo N la concentracin de electrones libres es aproximadamente igual a la densidad de tomos donadores. De lo que se puede obtener la concentracin de huecos mediante:

La conductividad en conductores extrnsecos se calcula partiendo de la ecuacin de los intrnsecos y sustituyendo segn toque los huecos o electrones por su ecuacin: ( ) ( )

Mecanismos de transporte de cargas

En los semiconductores encontramos dos tipos de corriente, una regida por la ley de Ohm y denominada corriente de conduccin y otra debida a las diferencias de concentracin en el seno del material y denominada corriente de difusin. La densidad de corriente de difusin se calcula a partir del campo aplicado al material y la conductividad de este, mientras que la de difusin se calcula mediante las variaciones de concentracin de los portadores siendo estas: ( ) ( )

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Diodos. Polarizacin
Definicin diodo
Un diodo consiste en un semiconductor dopado con impurezas de tipos opuestas a cada lado lo cual provoca una unin PN. En esta unin se produce una corriente de difusin de electrones de la zona N a la P, lo cual provoca la aparicin de una densidad de corriente. Esta densidad de corriente provoca la aparicin de una zona denominada de transicin que se va ensanchando a medida que avanza el proceso de difusin, sin embargo la concentracin de iones positivos y negativos a los lados de la unin crea un campo elctrico que acta sobre los electrones libres de la zona N contrarrestando la corriente de difusin. Este campo elctrico sera lo equivalente a decir que existe una diferencia de potencial entre las dos zonas que resume el comportamiento esttico de una unin PN y dnde se explica la aparicin de 3 zonas. Cuando el diodo no recibe ninguna diferencia de potencial externa se denomina como no polarizado, dado que los electrones fluyen de la zona N a la P, denominndose a los extremos P nodo y al extremo N ctodo. Las caractersticas del dispositivo producen que este conduzca en un sentido y no en el contrario. Cuando a ste se le aplica una diferencia de potencial externa se dice que se encuentra polarizado, en caso de que el campo externo y la barrera de potencial tengan el mismo sentido la zona de transicin crece, en cambio si estos tienen sentidos opuestos sta decrece y se dice que el diodo se encuentra polarizado inversamente.

Polarizacin directa
Cuando conectamos el nodo de un diodo al extremo positivo de una batera y el ctodo al negativo, decimos que ste se encuentra en polarizacin directa, lo cual estrecha la zona de transicin debido a que la batera provoca la liberacin de electrones de la zona N a la unin y la conexin del ctodo provoca el direccionamiento de huecos a la zona de transicin. Lo cual provoca que el diodo conduzca. Cuando la diferencia de potencial suministrada es mayor que la diferencia de potencial de la carga espacial, es decir supera la tensin umbral del diodo, los electrones libres de la zona N adquieren energa para saltar a los huecos de la zona P, lo cual provoca que el electrn paso a la zona de valencia en la zona P, y que este sea atrado posteriormente por la batera, lo cual genera una corriente elctrica constante.

Polarizacin inversa
En el caso de conectar la batera al revs que en el caso anterior lo que sucede es un aumento de la zona de transicin y la tensin en dicha zona hasta que se alcanza el valor de tensin de la batera. Esto se debe a que el polo positivo de la batera atrae a los electrones libres de la zona N los cuales salen hacia el conductor, lo cual provoca que los enlaces pentavalentes al verse desprendidos de su electrn pasen de ser neutro a ser iones positivos, mientras que el polo negativo cede electrones a la zona P que van cubriendo los huecos convirtiendo a los tomos trivalentes neutros en iones negativos. Bajo esta situacin el diodo no debera de conducir pero debido a la temperatura aparece lo que se conoce como corriente inversa de saturacin, adems de otra pequea corriente en la superficie del diodo debido a que los tomos de silicio no estn rodeados de suficientes tomos para realizar los cuatro enlaces covalentes necesarios para su estabilidad.

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Diodos. Curva caracterstica y modelos equivalentes

Zonas de la curva caracterstica del diodo
Los componentes de la curva caracterstica de un diodo son los siguientes: - Tensin umbral, de codo o de partida( : La tensin umbral de polarizacin directa coincide con la tensin de transicin del diodo no polarizado. Al polarizar directamente, la barrera de potencial inicial se va reduciendo, incrementando la corriente. Sin embargo cuando es una tensin externa la que supera la tensin umbral la barrera de potencial desaparece, de forma que pequeos incrementos de potencial producen grandes variaciones de corriente. -Corriente mxima( ): Es la intensidad mxima soportada por el diodo sin fundirse por el efecto Joule. -Corriente inversa de saturacin( ): Es la pequea corriente que aparece al polarizar inversamente el diodo por la formacin de pares electrnhueco debido al aumento de temperatura, duplicndose con el aumento de cada 10. -Corriente superficial de fugas: Es la pequea corriente que circula por la superficie del diodo, esta corriente es proporcional a la tensin aplicada al diodo. *Tensin de ruptura ( : Es la tensin inversa mxima que el diodo puede soportar antes de darse el efecto de avalancha. Tericamente, al polarizar inversamente el diodo este conduce la corriente inversa de saturacin; en realidad a partir de un determinado valor de la tensin la ruptura se debe al efecto avalancha, mientras que en los diodos Zner la ruptura se puede deber a otros efectos: -Efecto avalancha (diodos poco dopados): Cuando en polarizacin inversa la corriente inversa es elevada los electrones se aceleran incrementando su energa cintica pudiendo provocar que salten a la banda de conduccin, los electrones liberados a su vez se aceleran por el efecto de la tensin, chocando con ms electrones y provocando una avalancha de electrones que provoca una corriente grande. Este fenmeno ocurre con valores de tensin superiores a 6V. -Efecto Zner (diodos muy dopados): Cuanto ms dopado es el material mas estrecha es la zona de transicin. Puesto que el campo elctrico se expresa como cociente de la tensin y la distancia, un diodo muy dopado, la distancia es pequea, el campo elctrico ser grande, lo que puede provocar que el propio campo pueda arrancar electrones de valencia incrementando la corriente. Este efecto ocurre en tensiones inferiores de 4V. Para tensiones de entre 4 y 6V pueden darse ambos efectos

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Modelos equivalentes
EL modelo matemtico empleado para la aproximacin del comportamiento de un diodo es el de Shockley. Esta ecuacin relaciona la intensidad de corriente y la diferencia de potencial: (
( )

* I es la intensidad que atraviesa el diodo. * es la diferencia de tensin entre sus extremos. * es la corriente de saturacin. * q es la carga del electrn. * T es la temperatura absoluta de la unin. * k es la constante de Boltzmann. * n es el coeficiente de emisin, el cual vara segn el material tomando valores de 1 para el germanio y 2 para el silicio. Con el objetivo de evitar el uso de exponenciales se emplean modelos ms sencillos, que modelan el funcionamiento del diodo por tramos rectos, a estos modelos se los denomina modelos de continua, cuyo el objetivo es marcar si un dispositivo concreto est o no conduciendo. 1. Cuando V < ; es decir, que el diodo no conduce, el circuito equivalente sera un circuito abierto. 2. Cuando V > ; es decir el diodo conduce, el circuito equivalente puede elegirse entre varas posibilidades dependiendo del circuito: a- Si las tensiones son muy superiores a la tensin umbral podemos considerar que la cada de potencial en el diodo es despreciable pudiendo sustituir por un cortocircuito. b- Si las tensiones en el circuito son del mismo orden que la tensin umbral y las intensidades muy pequeas podemos sustituir por una fuente de tensin con el valor , la polarizacin de la fuente dese ser la misma que la tensin aplicada. c- Si las tensiones del circuito son del mismo orden que la tensin umbral y las intensidades no son muy pequeas, podemos sustituir el diodo por una fuente de tensin con valor mas una resistencia en serie.

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Diodos en conmutacin
Definicin
La electrnica digital se basa en que solo se pueden tener 2 valores asociados a los estados lgicos, y . En este caso el diodo opera entre corte (polarizacin inversa) y activa (polarizacin directa) y nos interesa diferenciar estos estados y sus transiciones, lo que implica estudiar la respuesta de la unin ante cambios de tensin ya que estos procesos limitarn la de velocidad de conmutacin en el circuito digital. Estos retardos se deben esencialmente a la necesidad de extraer la carga almacenada en la unin. En polarizacin directa esta carga se almacena como exceso de portadores en las regiones P y N. En polarizacin inversa la carga se almacena en la zona de transicin. Por eso se estudia solo lo que pasa con la carga.

Transicin de cierre
Suponemos un circuito con un diodo en serie con una resistencia al que aplicamos una tensin suficiente para polarizarlo directamente. Vemos como se modifican las concentraciones en el intervalo hasta que se estabiliza la situacin, momento en que la tensin entre los extremos del diodo es constante. Al aplicar una tensin de polarizacin directa suficientemente mayor que la tensin umbral, la cada en la resistencia de polarizacin marca la corriente que atraviesa el diodo:

Esto produce un cambio en el valor de la pendiente de concentracin de portadores en la frontera de la zona de transicin que deja de ser 0. Este cambio en el valor de la pendiente es muy rpido ya que basta con inyectar unos pocos portadores para que la nueva corriente vaya aumentando la carga almacenada, aumentando la curva del exceso de concentracin hasta que se alcanza el estado estacionario.

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Transicin de corte
Partiendo de la situacin anterior en la que el diodo se encuentra polarizado directamente y con una tensin estacionaria, vamos a realizar la conmutacin mediante el cambio de la tensin externa en magnitud y signo con objetivo de polarizar el diodo inversamente. As estudiamos el comportamiento transitorio hasta que vuelve a alcanzar el estado estacionario en polarizacin inversa, ya que de este modo conoceremos el tiempo que tarda en realizarse una conmutacin completa, parmetro que definir la frecuencia mxima a la que pueden funcionar los circuitos electrnicos a partir de uniones P-N.

*(a) situacin estacionaria en directa. (b) Situacin transitoria tras el cambio de tensin. Lo primero que cambia es la magnitud y el signo de la corriente, pues para ello basta con cambiar la pendiente de la concentracin, hecho que ocurre con slo mover unos cuantos electrones. Al invertir la corriente cambia la pendiente, pero el diodo sigue en polarizacin directa pues la corriente inversa se gasta en compensar el exceso de carga y la tensin no cambia de signo hasta que no pasa por V(0). La disminucin de la carga es proporcional a la integral entre del exceso, , se debe a la extraccin y recombinacin. Tras la inversin los huecos almacenados son insuficientes para mantener la pendiente por lo que no se pudiendo ocurrir dos cosas: puede mantener el ritmo de extraccin 1- En caso de estar alimentando por un generador, se producir la tensin inversa hasta introducir al diodo en zona de ruptura. 2- En caso de que sea superior a la tensin de ruptura y el generador no sea ideal, la corriente inversa cae hasta el valor de saturacin. El tiempo que tarda en invertirse la tensin despus de haberse invertido la corriente se conoce como tiempo de retardo por almacenamiento, y lgicamente cuanto mayor sea la corriente inversa y menor el tiempo de vida de los portadores, disminuir el tiempo de retardo. Siendo el tiempo retardo el tiempo necesario para eliminar toda la carga almacenada.

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Tema 11: Transistores bipolares y MOSFET

1. Transistores. Definicin 2. Transistor. Funcin 3. Transistor. Estados 4. Transistores MOSFET

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Transistores. Definicin
Definicin
Un transistor bipolar es un dispositivo de tres terminales (base, emisor y colector) constituido por dos uniones PN muy cercanas entre s. Hay dos tipos de transistores los NPN y PNP, donde las uniones de ambos tipos se encuentras invertidas. El comportamiento de ambos es equivalente y las propiedades son iguales pero con corrientes y tensiones invertidas. Su funcionamiento consiste en conseguir transferir un mismo nivel de corriente desde una impedancia baja (unin base-emisor) a una alta (unin base-colector), con la evidente n de tensin y potencia. A estos dispositivos se los denomina bipolares porque la conduccin se lleva a cabo en las dos bandas en contraposicin a los diodos, que son dispositivos unipolares y deben su conduccin a un tipo de portador mayoritario.

Configuraciones
En funcin de la polarizacin en la que se encuentren cada una de sus uniones PN, existen cuatro configuraciones posibles: corte, saturacin, activa directa y activa inversa, los dos ltimos empleados en la electrnica analgica. Unin Emisor-Base Polarizacin Directa Polarizacin Directa Polarizacin inversa Polarizacin inversa Unin Base-Colector Polarizacin Directa Polarizacin inversa Polarizacin Directa Polarizacin inversa Modo de funcionamiento Saturacin Activa Directa Activa Inversa Corte

Propiedades elctricas
La unin del emisor se encuentra polarizada directamente con lo que inyecta huecos en la base, . La otra componente de la corriente del emisor, representa a los huecos que se pierden en la frontera de la zona de transicin con el objetivo de recombinarse con los electrones que inyecta la base en el emisor, dando: Los portadores que se inyectan en la base la atraviesan sin recombinarse y llegan a la corriente de huecos del colector, . Sin embargo algunos de esos portadores se pierden durante el trnsito por la zona neutra de la base, dando lugar a una pequea corriente, . La otra componente de la corriente del colector es la propia de una unin PN en polarizacin inversa, por tanto: Finalmente la corriente en la base posee tres componentes, inyeccin en el emisor, , extraccin del colector, y el aporte de electrones al recombinarse en la zona neutra, , de lo que se obtiene: Por la ley de la conservacin de carga tenemos que:

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Transistores. Funcin
Esquema de funcionamiento
El comportamiento de los transistores bipolares consiste en un dispositivo de 3 terminales en un circuito dividido en dos bucles, uno llamado lazo de control y el otro lazo controlado, los cuales mantienen una conexin de referencia, que fija la tensin entre ambos y por la que no circula corriente. La finalidad de este circuito es controlar un circuito de gran potencia mediante otro externo de menor. Debido a sus tres conexiones este dispositivo se utiliza en 3 configuraciones dependiendo de cual sea el terminal comn.

Esquema elctrico
Primero analizamos el comportamiento de la configuracin con emisor comn. Para ello estudiamos el punto de funcionamiento del dispositivo y despus analizamos el comportamiento ante pequeos cambios en la seal de entrada y ante grandes cambios.

Vemos en la figura el dispositivo de 3 terminales descompuesto en dos dispositivos de dos terminales, el dispositivo del lazo de control es equivalente a un diodo mientras que el controlado no tiene un dispositivo equivalente. Dependiendo del punto de funcionamiento el comportamiento del dispositivo controlado vara , pudindose representar mediante combinaciones de componentes simples. Otra opcin es utilizar la representacin grfica de su curva caracterstica I=f(V) y resolver el sistema de ecuaciones de forma grfica, mtodo en el que la idea es buscar el punto de insercin de las dos curvas que representan grficamente las dos ecuaciones que describen el punto de funcionamiento del circuito analizado por caminos distintos. Como se ve en la figura el lazo de entrada determina la corriente de base del transistor, la cual fija la curva que relaciona la corriente con la tensin en el lazo de salida, por otro lado la corriente tambin puede ser calculada a travs de la resistencia y el generador E, dando lugar a una recta de pendiente , denominada recta de carga:

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Transistores. Estados
El transistor en pequea seal
Tomando como ejemplo un circuito en el que el transistor trabaja en pequea seal y cuya seal encarga de excitar la unin B-E o lazo de control consiste en un generador de continua en serie con una seal de pequea amplitud y variable en el tiempo. La funcin de este generador consiste en polarizar la unin-E del transistor en el punto de funcionamiento adecuado, siendo el generador la fuente de informacin que se desea amplificar con el objetivo de atacar la impedancia .

Esto provoca que el punto de funcionamiento oscile alrededor del punto Q, provocando que pequeas variaciones en la fuente de continua provoquen variaciones en la corriente , lo que provoca una cambio en la curva caracterstica del dispositivo y finalmente en la zona de actividad de este. La interseccin de la curva caracterstica correspondiente con la recta de carga proporciona el punto de funcionamiento del dispositivo en cada instante, mientras que la variacin en la entrada sea pequea, el punto de funcionamiento no saldr de la zona activa y el comportamiento ser casi lineal.

El transistor en corte-saturacin
En caso de que la excitacin de la entrada sea muy grande o muy pequea, la unin B-E queda polarizada en zona de saturacin y corte. Esto provoca que el punto de funcionamiento sale de la zona activa dirigindose a los extremos de la curva caracterstica. Este tipo de funcionamiento es empleado en la electrnica digital ya que se comporta como un interruptor en saturacin a 0 y corte a 1.

Para conocer el estado en este tipo de circuitos se analiza la curva caracterstica que determina el punto de funcionamiento del transistor: - Para el estado de corte la tensin de entrada no debe ser muy superior a la tensin umbral del diodo, lo que hace que sea despreciable y el transistor no conduzca y la tensin venga fijado por el resto de la malla de salida (E y ). - Para el estado de saturacin la tensin de entrada debe ser superior a la tensin de polarizacin directa del diodo ( ), lo que provoca que la corriente sea grande y por tanto el transistor conduzca con una controlada por la recta de carga y quede fijada a 0,2V.

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Transiciones entre estados de corte y saturacin

En los circuitos digitales se utilizan principalmente los estados de corte y saturacin con lo que pasamos a analizar el tiempo de transicin entre estos puesto que el potencial de entrada puede variar instantneamente mientras que la corriente necesita mas tiempo, ya que depende del flujo de cargas negativas o electrones y por lo tanto debe esperar a la modificacin de las zonas de transicin y las concentraciones de las zonas neutras. En la transicin de corte a saturacin tenemos: o tiempo de retardo: es el tiempo que transcurre desde que t=0 hasta que se inicia la respuesta a la entrada. Durante este tiempo se inyectan cargas al dispositivo, pero estas no salen de l pues se usan para reducir las zonas de transicin y acumular efectivos en las zonas neutras. o tiempo de subida: es el tiempo desde que debido a la variacin en la entrada empieza a crecer la corriente hasta que =0,9 . Durante este tiempo las cargas acumuladas aumentan la pendiente de la concentracin de minoritarios y con ello la componente debida a la corriente de difusin. En la transicin de saturacin a corte: o tiempo de almacenamiento: Desde que comienza la excitacin de paso al corte hasta que inicia la disminucin de . Durante este tiempo no se modifica la pendiente de la concentracin de portadores por lo que la corriente se mantiene. o tiempo de cada: es el tiempo que transcurre desde el final de la fase anterior hasta que . Al continuarse extrayendo portadores, comienza a modificarse la pendiente de la concentracin de portadores y con ello la componente de la corriente de salida dependiente de la corriente de difusin.

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Transistores MOSFET. Propiedades

Definicin
Al igual que los transistores bipolares se trata de dispositivos con 3 terminales en los que uno de ellos se encuentra aislado del semiconductor mediante una capa de xido de Silicio. Su funcionamiento se basa en el control de la conductividad de un canal superficial que conecta los terminales del drenador (D) y de la fuente (S) mediante el campo elctrico creado por el potencial del terminal de puerta (G). SU funcionamiento es similar al de un condensador pues la polarizacin de una placa provoca conductora induce carga en el interior del semiconductor. Los potenciales de drenador y puerta van referidos al de la fuente, es decir que, , sin embargo cuando el potencial de la fuente (S) est a tierra los otros potenciales se simplifican. En la superficie de un semiconductor aparece una barrera de potencial asociada a cierta distribucin de carga espacial mvil, la cual se puede deber a un campo externo o por el contacto con un material de distinto potencial o por ltimo, por la prdida de periodicidad que se produce en los extremos de la red cristalina provocando nuevos estados elctricos permitidos debido a los cambios en las bandas de valencia. Estos estados superficiales pueden tener una energa prxima a la banda de valencia o a la de conduccin.

Caractersticas
Suponiendo que inicialmente el potencial en la superficie es nulo y aplicamos una tensin de polarizacin externa, podemos provocar tres situaciones: 1. Acumulacin o realce. La placa conductora se polariza positivamente con respecto al semiconductor provocando una concentracin de electrones mayor en la superficie que en el interior del semiconductor lo cual permite aumentar la conductividad de este. 2. Deplexin o vaciamiento. La placa conductora se polariza negativamente con respecto al conductor inducindole cargas positivas que se recombinan con los electrones de la superficie permitiendo aumentar la concentracin de electrones en el interior y a su vez reduciendo se conductividad. 3. Inversin. Cuando la polarizacin negativa es an ms intensa que en el caso anterior, apareciendo un exceso de carga positiva provocando que an siendo el material de tipo N (electrones mayoritarios) se comporte como uno de tipo P (huecos mayoritarios). Al existir un canal con portadores entre el drenador y la fuente, cuando aplicamos una tensin entre ambos se provoca un campo elctrico que a su vez provoca un movimiento de los portadores lo que conlleva la aparicin de una intensidad que es la magnitud que buscamos controlar mediante la tensin que aplicamos entre la fuente y la puerta. Lo que provoca que esta intensidad dependa tanto de la tensin entre fuente y drenador como entre fuente y puerta. Estos transistores son especialmente tiles debido a la sencillez de su estructura fsica, su alta impedancia de entrada, bajo consumo y facilidad de aislamiento, lo cual permite una alta densidad de empaquetamiento para el desarrollo a gran escala como sera microprocesadores y memorias.

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Transistores MOSFET. Curva y modelo elemental

Curva caracterstica
Una vez estudiado el funcionamiento del transistor de campo pasamos al estudio de su curva de funcionamiento, la cual obtenemos para los distintos valores de la tensin proporcionada por la puerta. Cuando aplicamos una tensin constante y suficientemente grande como para crear el canal de inversin, la corriente en el canal ser funcin de , tensin que se obtiene integrando la densidad de corriente a travs de una seccin transversal del canal, con valor: * +

El cambio entre las distintas regiones de funcionamiento se produce de la siguiente manera. Al aplicar un potencial en el terminal de puerta mayor que el umbral se crea el canal de inversin que permite la conexin entre drenador y fuente. Mediante la aplicacin de un potencial positivo respecto de la fuente y pequeo en el terminal drenador, aparece una corriente de drenador proporcional a la tensin del drenador con una tensin de puerta constante, entrando entonces en la regin trodo en la que el canal se comporta como una resistencia cuyo valor se controla mediante la tensin de la puerta, matemticamente quedara definido como: [ ] En caso de aumentar , pero conservando su valor por debajo de , acta la correccin cuadrtica y entramos en la zona trodo, para la que no podemos usar la aproximacin si no la frmula completa, existiendo para cada tensin de y de una tensin de saturacin que marca el lmite de la zona. Si seguimos aumentando el valor de hasta el valor de saturacin, comienza la regin de saturacin. A partir de este punto posteriores incrementos dejan constante la corriente del drenador, que se mantiene en el valor mximo de la regin anterior.

Modelo elemental
Aunque hemos trabajado con transistores MOS de canal N en modo realce existen 4 tipos de transistores MOS, teniendo canal N con modo realce y vaciamiento y canal P con los dos modos antes mencionados. Las distintas zonas de trabajo de un transistor NMOS de realce son las siguientes, teniendo en cuenta que en caso de ser un transistor PMOS funciona igual pero con polaridades y sentidos de corrientes opuestas. Zona de corte: Cuando la tensin de puerta no supera el valor de la tensin umbral, con lo que no se produce el canal de inversin entre drenador y fuente, por lo que el transistor no conduce. Zona hmica: Cuando aplicamos a la puerta una tensin superior a la tensin umbral y constante y aumentamos la tensin del drenador vemos que la corriente sube de forma proporcional a esta, cumplindose: Zona de saturacin: Cuando aumentamos la tensin de drenador hasta alcanzar la tensin de conduccin, el transistor pasa a la zona de saturacin, es decir, que la tensin de la puerta es superior a la tensin umbral y que la tensin del drenador es superior a la tensin de contraccin, con lo que el transistor se comporta como un cortocircuito y la corriente depende del resto del circuito

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Tema 12: Familias bipolares

1. Caractersticas de las puertas Lgicas 2. Lgica resistencia-transistor 3. Lgica diodo-transistor 4. Lgica transistor-transistor

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Caractersticas de las puertas Lgicas

Caractersticas estticas
Entre las caractersticas estticas encontramos las de transferencia y las de entrada y salida: 1. Caractersticas de transferencia: Representan la relacin entre la tensin de entrada y de salida, siendo necesario especificar el nmero de entradas conectadas a alta y baja como el nmero de circuitos conectados a la salida. La forma de calcular la curva de transferencia consiste en suponer que la puerta sobre la que medimos encuentra conectada su entrada y su salida a puertas de la misma familia. 2. Caractersticas de entrada y salida: Representan las tensiones de entrada o salida en funcin de las corrientes suministradas o absorbidas por la entrada o salida, las cuales se miden conectando puertas similares a la de prueba para tener en cuenta los efectos de la carga.

Margen de ruido
El ruido se entiende como cualquier seal no deseada en un circuito electrnico, su origen puede ser de tipo externo o interno. Son de origen externo los debidos a la alimentacin, disparadores y dems seales de medida (como los trics), siendo de tipo interno los generados por impedancias parsitas o las espigas de corriente causadas por la conmutacin de los propios circuitos lgicos. El margen de ruido consiste en el grado de inmunidad del circuito lgico ante las seales no deseadas, siendo los valores correspondientes a los lmites de ruido para V(0) y V(1), quedando definidos por las funciones: Siendo los valores mnimo del estado V(1) y la tensin mnima de entrada necesaria para el estado V(1), mientras que son los valores mximos que puede adquirir V(0) y la tensin mxima de entrada para el estado V(0). Por lo que cualquier seal que est por debajo del valor del lmite no alterar el estado de la puerta.

Flexibilidad lgica
Es una medida de capacidad, versatilidad o variedad de uso de una familia lgica, siendo la forma de valorarla mediante las siguientes caractersticas: 1. Cableado lgico: Es la capacidad de realizar una funcin lgica a partir de la conexin externa sin la necesidad de emplear una puerta adicional. 2. Salidas complementarias: Consiste en la disponibilidad de la salida en estado natural y complementado. 3. Fan-out: Consiste en el nmero de circuitos de similares caractersticas que puede suministrar la puerta en cuestin. 4. Fan-in: Consiste en el nmero de entradas que puede admitir sin producir una salida indeterminada o incorrecta. 5. Compatibilidad familiar: Consiste en la capacidad de interconexin con las puertas de una misma familia o de otras.

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Disipacin de potencia
Como se observa en la figura son las ondas de tensin y corriente en un circuito de puerta lgica, en el que se observa que la disipacin total de la potencia de la puerta es debido tanto a disipacin esttica como dinmica. Como se observa ni la intensidad ni la tensin son nunca nulos en ninguno de los estados por lo que siempre existe disipacin interna y externa y la puerta consume energa en cualquiera de sus estados. Mientras que la disipacin dinmica tampoco es nula ya que en los momentos de transicin entre estados ni tensin ni corriente son nunca nulas.

Velocidad de actuacin
La velocidad a la que puede trabajar una puerta depende del tiempo necesario para que una seal llegue desde la entrada hasta la salida y del tiempo de transicin entre estados. En la figura se muestran las ondas de entrada y salida de un inversor. Los tiempos de subida y bajada miden los tiempos de transicin entre estados lgicos, ambos trminos se definen por el tiempo transcurrido durante la variacin de tensin desde el 10 al 90% de la diferencia V(1) y V(0). Los tiempos de subida y bajada tienen tambin importancia debido a que los flancos de subida o bajada suelen ser utilizados como medio de excitacin. Por otro lado el tiempo de retardo se define como la media de los retardos de subida y bajada del impulso correspondiente a la tensin de entrada. Finalmente el retardo de propagacin es la diferencia entre los momentos en que las tensiones de entrada y salida se encuentran al 50% de su valor.

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Lgica resistencia-transistor
Inversor
En la figura observamos que el inversor RTL est formado por un transistor y 2 resistencias. Segn el grfico cuando la tensin de entrada es menor o igual a la de corte, el transistor se encuentra en estado de corte y despreciando la corriente , la tensin de salida ser la de la fuente. Sin embargo cuando la tensin de entrada es superior a la tensin umbral, la pequea corriente del colector que se forma hace decrecer la tensin de salida por lo que:

Por lo que se demuestra que la tensin de salida decrece cuando aumenta la tensin de entrada, lo cual provoca que cuando la seal de entrada aumenta la tensin de salida decrece hasta saturarse provocando que . Mediante los puntos en que la pendiente vale -1 podemos definir los lmites de ruido. Una vez representamos la caracterstica de transferencia mediante 3 segmentos rectos podemos observar mediante los puntos de inflexin que .

Puerta NOR
En la figura se muestra una puerta NOR de 3 entradas en tecnologa RTL, con un transistor para cada entrada y con los colectores unidos y apoyados a la fuente de alimentacin a travs de la resistencia de la fuente. Para comprobar su funcionamiento debemos chequear las dos posibles situaciones, es decir cuando todas las entradas son cero, lo cual debe generar una salida positiva y en caso de que cualquier entrada sea uno generar salida negativa. 1. Con todas las entradas a cero: Los transistores se encontraran en corte, es decir con por lo que la tensin de salida tiende a ser igual a la tensin de alimentacin. En caso de querer conocer el valor de la tensin de salida en el estado de alta deberamos conocer el nmero de puertas que se conectan a la salida de esta, ya que cuantas mas se conectan menor ser el valor de la impedancia en paralelo y mayor la corriente , lo cual har que sea mayor la cada en la resistencia de la fuente. El lmite se establece al evitar que se confunda el estado de alta. 2. Alguna de las entradas a nivel lgico uno: Cuando al menos una de las entradas est en alta el transistor de esa entrada tiene en su base una tensin suficiente para poner el transistor en saturacin y fijando la tensin de salida a V(0).

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Puerta NAND
La figura muestra el circuito correspondiente a una puerta NAND de dos entradas en tecnologa RTL, formada por 2 transistores de manera que el colector del primero est unido a la resistencia de la fuente mientras que su emisor al colector del segundo y el emisor del segundo a tierra. Para comprobar su funcionamiento debemos chequear las 2 situaciones posibles, es decir; cuando todas las entradas se encuentran en alta cuya salida ser a baja y cuando cualquier entrada est a baja con lo que la salida estar a alta: 1. Con todas las entradas a nivel lgico 1: Cuando las dos entradas se encuentra en alta, ambos transistores conducen, por lo que estn saturados y la tensin colector-emisor de ambos es cero, resultando que la tensin de salida sea cero tambin. 2. Alguna de las entradas est a nivel lgico 0: En este caso la entrada conectada a baja implica que si se resistencia es suficientemente pequea, la intensidad de base correspondiente es baja y dicho transistor estar en corte, por lo que la corriente del colector ser cero. Todos los transistores que estn por encima de ste no conducirn y los que estn debajo cuando su entrada est en alta conducirn su unin base-emisor a tierra. Como la corriente del colector es cero, la cada de tensin en la resistencia de la fuente es nula resultando que la tensin de salida es igual a la de la fuente resultando que esta sea igual a la tensin de la fuente.

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Lgica diodo-transistor
Parte lgica de una AND en DTL
En la figura se muestra una puerta AND en DTL, formado por dos diodos, una resistencia y la fuente. El problema de esta puerta es que el nivel de tensin que requiere para ver un nivel alto pues 4V los interpreta como lgico bajo y la diferencia entre el estado bajo y alto es pequeo por lo que su inmunidad al ruido tambin es baja. Analizamos sus dos posibilidades: 1. Alguna de las entradas a nivel lgico bajo: Cuando cualquiera de las entradas se encuentra a nivel bajo, el diodo conectada a esa entrada est bien polarizado colocando una salida a un nivel de tensin de 0,9V resultando de la suma de la tensin de entrada ( y los 0,7 que aparecen en el diodo en conduccin, es decir, que la salida est a un nivel lgico de cero. La otra entrada no afectara ya que si el diodo est conduciendo llegaran 0,9V que seran insuficientes. 2. Todas las entradas a nivel lgico alto: En este caso ningn diodo puede conducir ya que no existe posibilidad de que su nodo est por encima de 5,7 (resultado de la suma del valor de entrada en alta y la cada de tensin de un diodo en conduccin), lo que implica que no hay circulacin por la resistencia y de ello se deduce se encuentra a 5V, o nivel lgico alto.

Puerta NOR en DTL

En la figura se muestra una puerta NOR en DTL formada por 4 diodos, un transistor y 3 resistencias para 2 entradas. Analizamos los 2 estados: 1. Todas las entradas a nivel lgico bajo: Para que el transistor conduzca es necesario que a los diodos 3 y 4 llegue suficiente tensin para que conduzcan y que todava quede corriente para que el transistor pase a conducir, as la tensin necesaria ser de: Como los diodos 1 y 2 no conducen, ya que sus entradas estn en baja el punto P queda conectado a tierra a travs de la resistencia, con lo que la tensin es insuficiente para polarizar el transistor en activa y la tensin de salida ser igual a la fuente. Por lo tanto estado lgico alto. 2. Alguna entrada a nivel lgico alto: El diodo asociado con nivel lgico uno conducir por lo que en el punto P tendremos una tensin de: Donde es la tensin en conduccin del diodo en alta. Esta tensin es suficiente para conducir a los diodos 3 y 4 y al transistor, provocando que la tensin de salida sea a baja.

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Puerta NAND en DTL

En la figura se muestra una puerta NAND en DTL que est basada en el diseo de la AND pero que incluye un par de diodos a la salida y un transistor con el objetivo de restaurar el nivel de tensin perdido por los diodos y mejorando las caractersticas de la salida. Analizamos las salidas: 1. Alguna de las entradas a nivel lgico bajo: El diodo asociado conducir y por tanto en el punto P tendremos una tensin de: donde es la tensin del diodo en conduccin. Para que el transistor conduzca es necesario que en el punto P haya suficiente tensin para hacer conducir a los diodos 3 y 4 y al transistor pase a zona activa. lo que la tensin necesaria ser de: Como tenemos 0,9V la tensin no es suficiente y el transistor no conduce con lo que la salida ser igual a la fuente. 2. Todas las entradas a nivel lgico alto: Al no conducir los diodos de las entradas permiten que conduzcan los diodos 3 y 4, y dado que en el punto P habr una tensin igual a la de la fuente menos la cada de tensin en la resistencia, permitir conducir al transistor y provocar que la salida lgica sea baja.

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Lgica transistor-transistor
Configuraciones
Por resistencia de colector: La resistencia de polarizacin va integrada en el propio circuito, esta configuracin presenta el problema de que cuando el transistor conduzca existe una disipacin de potencia en la resistencia provocando un calentamiento que hay que disipar y que por lo tanto impide un alta nivel de integracin.

Ttem-Pole: Mediante el transistor 2 se consigue que cuando el transistor 4 conduce el transistor 3 est abierto. De esta manera, se consigue tener una salida alta pero con la ventaja de que aunque la corriente pasa por el transistor 4 como su tensin de cada es casi nula, su disipacin de potencia es tambin cercana a cero y la potencia disipada por la resistencia 4 es tambin baja debido a su baja resistencia. En la otra posicin es el transistor 2 el que consigue que el transistor 3 conduzca y por lo tanto el 4 funcione como un circuito abierto, provocando que la intensidad en este ltimo sea nula y por lo tanto la potencia disipada tambin. Como el transistor 3 conduce su tensin colector-emisor es casi nula y por lo tanto su potencia disipada tambin. Puesto que en ambos caso la potencia disipada es baja permite una alto nivel de integracin.

Colector abierto: La configuracin es igual a la de resistencia colector con la diferencia de que la resistencia est externa. Se usan para el gobierno de cargas que precisan unas tensiones o corrientes superiores a las de la familia. Tambin permiten la realizacin de puertas AND al unir en paralelo salidas.

Triestado: Esta configuracin es similar a la ttem-pole pero aadiendo un quinto transistor que es gobernado por una funcin de inhibicin de forma que permite hacer que el primer transistor conduzca y provocando el corte del segundo y tercero al mismo tiempo que el cuarto por el nuevo transistor.

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Puertas NAND en TTL

En la figura se muestra una puerta NAND en TTL cuyo funcionamiento es anlogo a su correspondiente en DTL, sustituyendo los diodos de entrada por un transistor multiemisor, cuya unin de colector sustituye a los diodos de umbral. Adems incorpora una etapa de salida en configuracin ttem-pole que acta como una fuente de intensidad aumentando el fan-out y la velocidad de transmisin. Las ventajas del transistor multiemisor es que presenta un camino de baja impedancia para extraer la carga del segundo transistor hacia tierra cuando este pasa de saturacin a corte, aumentando la velocidad de conmutacin haciendo de la familia TTL la de saturacin ms rpida. En TTL se sustituye la resistencia del colector por un transistor el cual forma un par activo (transistores 3 y 4). En la base del transistor 3 se aade una resistencia para retirar la carga cuando este pasa de saturacin a corte, mientras que el transistor 4 acta como un seguidor de emisor, generando una baja impedancia de salida. Finalmente el diodo evita que el transistor 4 conduzca cuando el transistor 3 se encuentra en saturacin ofreciendo una resistencia de colector alta. Analizamos su funcionamiento en cada caso: 1. Todas las entradas a nivel lgico alto: Cuando las dos entradas estn en alta, los diodos base-emisor del transistor multiemisor estn en corte, con lo que la tensin base tiende a la de la fuente, por otro lado para que la unin base-colector est polarizada y los transistores 2 y 3 conduzcan se necesitaran 2,1V para activar los 3 transistores, por lo que los transistores 2 y 3 se encuentran en saturacin y aparece en la salida siendo realmente la tensin en la base del transistor 1 igual a , lo cual provocar que el transistor 4 gracias al diodo permanezca en corte, ya que en caso contrario la tensin en su base sera de la cual es suficiente para que conduzca pues necesitara , adems que ste disminuye el consumo en el circuito. 2. Alguna entrada a nivel lgico bajo: Si al menos una de las entradas est en baja tendremos una tensin en base-emisor de , como est tensin no es suficiente para activar los transistores 2 y 3 estos permanecen en corte, provocando la saturacin del transistor 4 y permitiendo que la tensin se salida se acerque a la de la fuente.

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Tema 13: Amplificadores y Familias MOS

1. Amplificador diferencial 2. Dispositivos en ECL 3. Dispositivos en NMOS 4. Dispositivos en CMOS

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Amplificador diferencial
Definicin y configuraciones
Es la configuracin de transistor ms importante empleada en circuitos integrados, en estos la salida es proporcional a la diferencia entre sus dos entradas. En la figura se muestra la configuracin bsica formada por dos transistores idnticos y con dos resistencias de colectores tambin iguales adems de dos entradas y salidas. Dada la simetra del circuito, al tomar la salida entre los dos colectores se elimina la parte comn y se obtiene la diferencia. Por esto se definen la parte comn y la parte diferencial en funcin de las entradas como:

Si aplicamos el principio de superposicin cuando solo tenemos activa la primera entrada obtenemos: Anlogamente cuando solo tenemos presente la segunda salida: Por consiguiente cuando se encuentren ambas entradas activas y tomamos la salida entre los dos colectores obtenemos: Pero como el circuito es simtrico, se cumple que y , resultando:

Lo cual implica que la seal de salida es proporcional a la diferencia de las entradas con un coeficiente de proporcionalidad igual a la ganancia diferencial.

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Ganancia en modo comn

Como por la resistencia de tierra, comn a ambos emisores pasa una corriente de suministran corriente. A nivel matemtico esta ecuacin es igual a: , ya que ambos le

Lo cual nos permite simplificar el circuito tal como se muestra en la figura para calcular la ganancia comn. Para ello realizamos las siguientes aproximaciones: La intensidad de colector es igual a la de emisor (2V) y despreciamos la cada de tensin de la unin base-emisor(0,6V). Lo cual nos permite enunciar:

Lo que nos deja un valor muy bajo debido a que la resistencia del colector es pequea en comparacin con el doble de la resistencia de tierra. Adems se disea haciendo la resistencia de tierra muy grande mediante un generador de corriente.

Ganancia en modo diferencial

Tambin se puede simplificar el clculo debido a que las tensiones de los transistores cumplen , de manera que la corriente en sus terminal de base son iguales en magnitud y contrarios en signo, ocurriendo lo mismo con los emisores. Debido a esto la tensin en la resistencia de tierra es nula lo cual permite eliminar a esta del circuito. En el circuito simplificado que obtenemos es donde calculamos la ganancia en modo diferencial repitiendo las aproximaciones antes mencionadas y determinando la resistencia interna del emisor como muy pequea:

El valor de la ganancia diferencial es muy grande debido a que la resistencia del colector es mucho mayor que la interna del transistor, adems es el gran valor de la ganancia diferencial el causante de la alta velocidad de conmutacin en esta familia lgica.

(a)modo comn (b) y (c) modo diferencial

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Dispositivos en ECL
Inversor ECL
Como vemos el circuito tienes dos mdulos bien diferenciados: un amplificador operacional y sus dos seguidores de emisor que ofrecen a la salida . En este circuito cualquiera de las fuentes puede llevarse a tierra pero tiene que cumplirse . La mayor inmunidad al ruido se consigue con conectada a tierra, aunque de todas maneras el margen de ruido siempre ser bajo pues tienen muy poca diferencia entre los niveles lgicos. El principio de funcionamiento de estos circuitos consiste en introducir por la base del transistor 1 la tensin de entrada y por la del transistor 2 una tensin fija de referencia que define el modo comn. Lo que quiere decir que en caso de que la entrada sea igual a ambas entradas son iguales y la salida diferencial es cero. Este nivel de continua se encuentra entre los dos valores lgicos de tal manera que al conmutar la entrada se atraviesa el valor de referencia y con toda la ganancia del modo diferencial el circuito conmuta dando lugar a la funcin del inversor. La seal entre los colectores de los transistores 1 y 2 depende de las variaciones de potencial en la base del transistor 1, ya que la tensin en la base del segundo transistor est fijada. Hay que tener en cuenta que en este circuito los transistores 1 y 2 nunca pasan de corte a saturacin pues siempre estn trabajando en zona activa y por lo tanto conduciendo an con distintos valores en la salida del colector que son los que provocan la variacin en la salida lo cual se traslada a la base de los transistores de seguimiento. Pasamos a analizar el comportamiento del inversor: 1. es baja y menor que la tensin de referencia: En este caso el transistor 1 est cortado con lo que la seal en el colector es igual a y la salida del terminal es igual a la cual es un valor alto. Mientras en la salida negada debido a que el transistor 2 est conduciendo lo cual permite que conduzca el transistor 3 y provoca que el valor de esta salida sea de . es alta: Ahora el transistor 1 conduce y la tensin del emisor ser por lo que el transistor 2 se corta, siendo la situacin actual simtrica a la anterior, siendo la seal en la tensin de colector de un transistor en activa por lo que la salida queda en baja tras pasar por el seguidor de emisor, mientras la salida en es y despus de pasar por el seguidor de emisor la salida negada queda en alta.

2.

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Puerta NOR ECL

Para conseguir la funcin, tal y como se muestra en la figura, se conectan al igual que se hara en el inversor ECL pero en paralelo uno por entrada. Siendo los terminales A, B y C las entradas de la puerta en ECL y consistiendo su modo de funcionamiento en: 1. Todas las entradas a nivel lgico bajo: Entonces todos los transistores se encontrarn cortados lo que har que el transistor de referencia se encuentre activo. Esto implica que en el nivel lgico es alto y por lo tanto la salida de la puerta tambin lo es. Mientras en la salida negada obtenemos la funcin OR. 2. Alguna entrada a nivel lgico alto: El transistor de entrada correspondiente a la seal en alta conducir cortando al transistor de referencia, provocando una situacin contraria a la anterior, con lo que a llegar una seal lgica baja y la salida NOR se encontrar igualmente a nivel lgico bajo. Por otro lado la salida de la funcin OR se encontrar en alta.

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Dispositivos en NMOS
Inversor en NMOS
El inversor de esta familia que se muestra en la figura el que la cual aparecen dos transistores de canal N con sustrato comn y trabajando en modo realce, siendo su estructura anloga a la existente en tecnologa RTL pero sustituyendo el transistor bipolar por uno MOS y la resistencia de carga por otro transistor operando en zona de trodo o saturacin y con sustrato a tierra.

En primer lugar, el transistor de carga, cuando varan las tensiones entre puerta (G) y sustrato (S), provoca que el transistor en modo realce empiece a conducir cuando su tensin de puerta (G) supera un valor umbral, y lo hace sobre la curva caracterstica correspondiente a , pasando primero por las zonas lineal y cuadrtica(regin trodo) y entrando despus en saturacin. A partir de ese momento la tensin permanece constante, sin embargo cuando se une la puerta con el drenador provocamos que , con lo que el transistor no conduce hasta que no alcance el valor umbral. Por lo que el transistor 1 est permanentemente en conduccin en zona de corriente constante debido a la polarizacin que fuerza que el drenador y la puerta estn al mismo potencial y funcionando como carga para el transistor 2. Por otro lado, el transistor impulsor no tiene ninguna limitacin ya que su terminal de fuente no est unido al drenador, por tanto su punto de trabajo puede estar en cualquier posicin sobre sus curvas caractersticas. Cuando , el transistor 2 estar en corte puesto que su tensin de puerta no supera la tensin umbral, presentando una alta impedancia y no dejando pasar corriente: Cuando la tensin de entrada supera el valor umbral, el transistor 2 empieza a conducir en su zona lineal de manera que a medida que aumenta aumenta tambin la corriente del drenador. Al seguir aumentando el transistor 2 conduce en regin trodo con mayor valor de corriente de drenador y con mayor cada de tensin en el transistor 1 con lo que disminuye la tensin de salida, segn la expresin: En todo momento est saturado el transistor 1 pero cada vez con un mayor valor de corriente en su drenador. Este proceso continua hasta que la tensin de entrada se acerca a la de la fuente. El momento en que no alcanza el valor umbral, el transistor 1 pasar a corte ofreciendo una alta impedancia en la que cae la tensin de la fuente, de forma que la tensin de salida es prcticamente cero. Este valor bajo de la tensin de salida coincide con la conduccin del segundo transistor en su valor ms alto de corriente. Lo que hace que este circuito sea notablemente ms sencillo que su equivalente en tecnologa TTL aun manteniendo un consumo permanente de potencia, este es menor dado que con el transistor 2 cortado n hay conduccin entre fuente y tierra y el consumo de potencia se produce cuando la salida est en bajo y en las conmutaciones.

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Puerta NAND en NMOS

En la figura se muestra el esquema de una puerta NAND en NMOS la cual consta de 3 transistores NMOS en serie, dos de ellos cumpliendo la funcin de impulsores y el tercero actuando como carga activa. El esquema es parecido al existente en RTL pero sustituyendo la resistencia por un transistor. Al estar los dos impulsores en serie solo cuando ambas entradas se encuentran en alta, existe conduccin entra la fuente y tierra con lo que la salida estara en baja. En cambio, cuando alguna de las entrada est en baja, el transistor NMOS correspondiente estar en corte al no tener en su puerta tensin suficiente, provocando que no exista circulacin de corriente entre drenador y surtidor, provocando que no haya cada de tensin en el transistor superior y la tensin de salida sea igual a la fuente, o lo que es lo mismo, nivel lgico alto.

Puerta NOR en NMOS

En la figura se muestra el esquema de una puerta NOR en NMOS la cual consta de tres transistores NMOS, dos de ellos en paralelo haciendo la funcin de impulsores y el tercero actuando de carga activa. El esquema es parecido al existente en RTL pero sustituyendo la resistencia por un transistor. Al estar los dos impulsores en paralelo bastar con que uno tenga la entrada en alta para que entre en conduccin y la tensin en su drenador sea la correspondiente en baja. Sin embargo cuando ambas entradas estn en baja los transistores impulsores no conducen, no hay corriente en el transistor de carga y la tensin de salida coincide con la tensin de la fuente.

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Dispositivos en CMOS
Inversor en CMOS
Los circuitos CMOS combinan transistores PMOS y NMOS. La figura muestra el circuito inversor en CMOS, este tiene conectados dos MOSFET en serie de modo que el dispositivo de canal P tiene su fuente conectada a fuente mientras el dispositivo de canal N tiene su fuente conectada a tierra. Las puertas ambos dispositivos se interconectan con una entrada comn mientras que los drenadores se conectan con la salida comn. De modo que este inversor combina la rpida conmutacin asociada a un MOS en conduccin con un bajo consumo al estar siempre uno de los transistores sin conducir. El funcionamiento del inversor CMOS es como un conmutador de manera que para tensiones de puertasustrato menores de la tensin umbral no conduce y cuando se supera este valor el MOS conduce comportndose como una resistencia de valor . Por lo que cuando la entrada es cercana al valor de fuente el transistor NMOS conduce y el PMOS se queda como un circuito abierto, por lo que la seal que llega a la salida es tierra. Por el contrario cuando la entrada es baja, el transistor NMOS se encuentra en corte mientras el PMOS conduce por lo que la tensin que llega a salida es la de la fuente

En la siguiente figura se muestra un inversor CMOS de 3 estados en donde se puede observar como el inversor convencional se le han aadido dos nuevos transistores uno de canal P en serie con el de carga y uno de canal N en serie con el impulsor. Adems, se incluye una entrada ms para el control de la inhibicin de forma que cuando la seal de control se encuentra en baja los dos nuevos transistores no conducen y la salida queda aislada, sin embargo cuando la seal de control se encuentra en alta, los dos nuevos transistores conducen con una impedancia muy baja de manera que funciona como un inversor comn.

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Puerta NAND en CMOS

Como se muestra en la figura la puerta NAND en CMOS se forma introduciendo transistores de canal P en paralelo y transistores de canal N en serie al inversor bsico. El circuito funciona de manera que un estado bajo en cualquiera de las entradas hace conducir a los transistores de canal P y corta a los transistores de canal N, provocando que con una sola entrada baja el transistor N no conduzca mientras que el P entra en saturacin o zona trodo con lo que la salida queda en alta. Por el contrario, si todas las entradas estn en alta, lo transistores de canal N conducirn, mientras los transistores de canal P estarn cortados provocando una salida baja.

Puerta NOR en CMOS

Como se muestra en la figura la puerta NOR en CMOS se forma introduciendo transistores de canal P en serie y transistores de canal N en paralelo al inversor bsico. Con esta configuracin bastara que cualquiera de las entradas estuviera en alta para que el transistor de canal P correspondiente no conduzca mientras el transistor de tipo N est en saturacin, con lo que la salida estar en baja. Por el contrario, mientras ambas entradas estn en baja, los dos transistores de canal P estarn en conduccin, mientras que los de canal N se encuentran cortados, resultando que la salida se encuentre en valor alto.

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BLOQUE V. LUMNICA

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ndice
Tema 14: Dispositivos fotnicos ..................................................................................................................................... 137 Fuentes luminosas ........................................................................................................138 Lneas espectrales ................................................................................................................ 138 Espectros continuos............................................................................................................. 138 Propagacin de la luz...................................................................................................139 Principio de Huygens .......................................................................................................... 139 Principio de Fermat ............................................................................................................. 139 Reflexin y refraccin .................................................................................................140 Introduccin ........................................................................................................................... 140 Mecanismos fsicos de la reflexin y la refraccin ................................................... 140 Reflexin especular y difusa ............................................................................................. 140 Intensidad relativa de la luz reflejada y transmitida .............................................. 140 Reflexin interna total ........................................................................................................ 140 Polarizacin ....................................................................................................................141 Polarizacin por absorcin ............................................................................................... 141 Polarizacin por reflexin ................................................................................................. 141 Polarizacin por birrefringencia..................................................................................... 141 Formulario ......................................................................................................................142

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Tema 14: Dispositivos fotnicos

1. Fuentes luminosas 2. Propagacin de la luz 3. Reflexin y refraccin 4. Polarizacin 5. Formulario

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Fuentes luminosas
Lneas espectrales
Las fuentes ms comunes de luz visible son las transiciones de los electrones externos que tienen lugar en los tomos, pues normalmente un tomo se encuentra con sus electrones en sus niveles energticos permitidos ms bajos. Los electrones de baja energa se encuentran ms cercanos al ncleo, mientras que el electrn o los dos electrones de estados energticos ms altos, ms lejos del ncleo son ms fcilmente excitables para ocupar los estados energticos vacantes ms elevados. Estos electrones externos son los responsables de los cambios energticos del tomo que se producen en la emisin o absorcin de luz. Cuando un tomo choca con otro o con un electrn libre, o cuando absorbe energa electromagntica, los electrones externos pueden excitarse a estados energticos ms elevados. Despus de aproximadamente , los electrones externos verifican transiciones a estados energticos ms bajos con la emisin de un fotn. Este proceso, llamado emisin espontnea, es aleatorio; puesto que los fotones emitidos por dos tomos diferentes no tienen entre s ninguna correlacin, por lo que la luz emitida no es coherente. De acuerdo con el principio de conservacin de la energa, la energa del fotn emitido es la diferencia entre las energas de los estados final e inicial, estando la frecuencia de la onda relacionada con la energa por la ecuacin de Einstein, por lo que la longitud de onda emitida sera: Las energas de los fotones correspondientes a las longitudes de onda ms corta (400nm) y ms larga (700nm) del espectro visible son: Debido a que los niveles energticos de los tomos forman una serie discreta, los espectros de luz procedentes de tomos aislados o gases a baja presin constan de una serie de lneas discretas y definidas que son caractersticas del elemento, estando estas ensanchadas por los desplazamientos Doppler debidos al movimiento relativo del tomo respecto al observador y por las colisiones con otros tomos, aunque si la densidad es suficientemente baja, las lneas del espectro son estrechas y bien separadas.

Espectros continuos
Cuando los tomos estn prximos entre s e interaccionan fuertemente, los niveles energticos individuales se dispersan apareciendo bandas de energa continuas con diferentes niveles. Cuando estas bandas se solapan se genera un espectro continuo de energas posibles con un espectro de emisin continua. En un material incandescente los electrones se aceleran aleatoriamente por las colisiones obteniendo como resultado un espectro amplio de radiacin trmica. La radiacin emitida por un cuerpo a temperaturas por debajo de 600 est en la zona de infrarrojos, mientras que cuando se calienta entre 600 y 700 la energa radiada corresponde al espectro visible con un color rojo oscuro el cual se va haciendo ms brillante cuanto ms se caliente para llegar por ltimo al color blanco. La longitud de onda para la cual la potencia es un mximo vara de forma inversamente proporcional con la temperatura, resultado que se conoce de la ley de Wien.

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Propagacin de la luz
Principio de Huygens
Este principio permite definir el lugar geomtrico de los puntos con fase constante. As pues si el radio de la fuente de las ondas es r, su radio en el instante es , siendo c la velocidad de la onda. Esto podra cambiar en caso de que la onda pasase a lo largo de diferentes medios, momento en que sera mucho ms difcil y se utilizara el principio de Huygens que explica como cada punto de un frente de onda primario sirve como foco de ondas esfricas secundarias que avanzan con una velocidad y frecuencia igual a las de la onda primaria, mientras que el frente de la onda primario al cabo de un tiempo es la envolvente de estas ondas elementales. Este principio fue posteriormente modificado por Augustin Fresnel, de modo que se calculaba el nuevo frente de onda a partir del frente de onda primitivo mediante la superposicin de las ondas elementales considerando sus amplitudes y fases relativas, para que posteriormente Kirchoff demostrara que este principio era una consecuencia de la ecuacin de ondas y proveyndole una base matemtica firme.

Principio de Fermat
EL principio de Fermat explica que la trayectoria seguida por la luz para pasar de un punto a otro es aquella para la cual el tiempo de recorrido es mnimo.

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Reflexin y refraccin
Introduccin
La reflexin y refraccin son leyes que se aplican a las ondas de luz, pero para su comprensin han de entenderse antes algunos conceptos como el ndice de refraccin. El ndice de refraccin se define como la relacin entre la velocidad de la luz en el vaco y en un medio determinado, pues cualquier medio ofrece una cierta resistencia, provocando que la velocidad por este sea menor. Cuando la luz incide sobre una superficie que es lmite entre dos medios, parte de la energa luminosa se refleja y parte entra en el segundo medio, provocando que cuando la luz incidente no es perpendicular a la superficie, provoca que la refleja no siga el mismo ngulo, denominndose a este cambio de direccin refraccin. Puesto que el ngulo de refraccin de salida depende del de incidencia y de la velocidad relativa o ndice de refraccin, los ngulos y velocidades vienen relacionados mediante: *A esta relacin se la denomina ley de Snell o de la refraccin.

Mecanismos fsicos de la reflexin y la refraccin

El mecanismo fsico de la reflexin de la luz consiste en que cuando la luz que se transmite por un medio llega a otro con un ndice de refraccin mayor, los tomos de este absorben luz y la irradian con la misma frecuencia en todas las direcciones, provocando que las onda irradiadas hacia atrs interfieran de manera constructiva en un ngulo igual al de incidencia, produciendo as la onda reflejada. La onda transmitida es el resultado de la interferencia entre la onda incidente y la onda producida por la absorcin del medio, puesto que cuando la luz incide sobre un material con mayor ndice de refraccin existir un retraso de fase entre las ondas, lo cual implica que la posicin de la cresta de la onda transmitida est retardada respecto a la emitida, provocando que una cresta de la onda no llegue tan lejos en el medio como la incidente e implicando que la velocidad de la onda transmitida es menor a la de la incidente. Como la frecuencia de la luz no vara, pero la velocidad si lo hace, la longitud de onda de la luz transmitida es diferente pues esta se define como la relacin entre frecuencia y velocidad de lo que obtenemos:

Reflexin especular y difusa

La reflexin sobre una superficie suave y lisa se denomina reflexin especular, difiriendo de la reflexin difusa en que esta produce reflexiones aleatorias que no divergen de ningn punto y por lo tanto no permiten formar una imagen.

Intensidad relativa de la luz reflejada y transmitida

La fraccin de energa luminosa reflejada en una superficie lmite, como en una interfase aire-agua, depende de una forma compleja del ngulo de incidencia, de la orientacin del vector campo elctrico asociado a la onda y de los ndices de refraccin, siendo para el caso especial de incidencia perpendicular: ( )

Reflexin interna total

Todos los rayos no perpendiculares se desvan alejndose de la normal y al ir aumentando el ngulo de incidencia el de refraccin crece hasta alcanzar el ngulo de incidencia crtico, para el cual el ngulo de refraccin es 90, de manera que aquellos ngulos mayores no provocan un rayo reflectado, pues la energa se refleja al completo, siendo la ecuacin que define este ngulo:

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Polarizacin
Polarizacin por absorcin
Considerando un haz de luz no polarizada que se propaga por z e incide sobre una pelcula polarizada con su eje de transmisin en el eje x, tras lo que incide sobre una segunda pelcula polarizada, cuyo eje de transmisin forma un ngulo con el eje x. Si E es la amplitud del campo elctrico del haz que incide sobre esta segunda pelcula, la componente paralela al eje de transmisin ser mientras que el perpendicular ser , con lo que la pelcula absorbe y transmite de modo que la amplitud del campo transmitido ser este y el campo estar polarizada linealmente en la direccin del eje de transmisin. Puesto que la intensidad de la luz es proporcional al mdulo de la amplitud del campo elctrico las intensidades de la luz transmitida respecto de la recibida ser: Como tenemos un rayo de luz no polarizada sobre una lmina polarizadora, la direccin del campo elctrico vara en los distintos lugares de la lmina y en cada lugar vara con el tiempo, pero como en cada lugar el ngulo promedio entre el campo elctrico y el eje de transmisin es de 45, poder entender que el rayo transmitido ser , con lo que si situamos a lo largo de un haz de luz no polarizada dos elementos polarizadores perpendiculares conseguiremos que no pase nada de luz a travs de ellos.

Polarizacin por reflexin

Cuando la luz no polarizada se refleja en una superficie plana entre dos medios transparentes, la luz reflejada est parcialmente polarizada, dependiendo del ngulo de incidencia y de los ndices de refraccin la cantidad de polarizacin ser diferente. Para cierto ngulo de incidencia la luz reflejada se encuentra completamente polarizada, provocando que cuando el ngulo de incidencia y de polarizacin coinciden, los rayos reflejado y refractado son perpendiculares entre s. El campo elctrico de la luz incidente puede descomponerse en dos componentes, una paralela y otra perpendicular al plano de incidencia, estando la luz reflejada completamente polarizada con su vector del campo elctrico perpendicular al plano de incidencia, de manera que se puede establecer una relacin entre el ngulo de polarizacin y los ndices de refraccin mediante la ley de Snell: ( )

Aunque la luz reflejada est completamente polarizada cuando el ngulo de incidencia es , la luz transmitida est solo parcialmente polarizada debido a que solo se refleja una pequea fraccin de la luz incidente, de manera que si la propia luz incidente est polarizada con su vector del campo elctrico contenido en el plano de incidencia, no existe ninguna ningn luz reflejada cuando el ngulo de incidencia es .

Polarizacin por birrefringencia

La birrefringencia o doble refraccin es un fenmeno complicado que se presenta en la calcita y otros cristales no cbicos y en algunos plsticos como el celofn. Este fenmeno ocurre debido a que mientras en la mayora de los materiales la velocidad en todas direcciones es la misma, mientras que estos materiales la velocidad depende del plano de polarizacin y de su direccin de propagacin, de manera que cuando un rayo incide sobre este tipo de material, puede separarse en dos rayos diferentes denominados rayo ordinario y extraordinario, los cuales estn polarizados en direcciones mutuamente perpendiculares y se propagan con diferentes velocidades. Dependiendo de la orientacin relativa del material y de la luz incidente, los rayos pueden propagarse tambin en direcciones diferentes.

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Formulario
Longitud de onda

ndice de refraccin

Ley de la refraccin

Relacin entre longitud de onda emitida y reflejada

Relacin entra la intensidad de onda emitida y reflejada

( )

ngulo de mxima reflexin

Polarizacin por reflexin

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