1

1. DIODE

Jonciunea PN este componenta electronic activ cu rol fundamental n funcionarea
dispozitivelor semiconductoare. O diod constituit dintr-o jonciune PN, a crei funcionare se
bazeaz pe efectul redresor, este numit diod redresoare, spre deosebire de acelea care utilizeaz
un efect special (Zener, avalan, tunel etc.), denumite diode speciale.

1.1. Diode redresoare

Diodele redresoare (rectifier diodes) sunt dispozitive electronice semiconductoare din siliciu,
utilizate n circuitele de conversie c.a.-c.c., de limitare a amplitudinii tensiunilor etc.
Dioda redresoare este un dipol constituit dintr-o jonciune PN abrupt, legat la doi electrozi
externi, numii anod (A) i catod (K). n fig. 1.1.1, sunt reprezentate simbolul grafic i structura
schematic a unei diode redresoare.

Fig. 1.1.1. Simbolul grafic i structura schematic a unei diode redresoare

n funcie de polaritatea tensiunii
AK
u aplicate la bornele diodei, componenta se poate gsi
n una din cele dou stri i anume :
n stare de conducie, atunci cnd dioda este polarizat n sens direct ( 0 u
AK
);
n stare de blocare, atunci cnd dioda este polarizat n sens invers ( 0 u
AK
).
n stare de conducie, dioda este caracterizat printr-un curent direct important, care circul de la anod
spre catod. Dimpotriv, o diod blocat este parcurs numai de un curent rezidual, de intensitate foarte
sczut, care circul de la catod spre anod. Dioda redresoare se comport ca o supap
semiconductoare, care permite trecerea curentului ntr-un singur sens, de la anod spre catod (sensul
indicat de sgeata din simbolul grafic).

1.1.1. Caracteristica static

Comportarea diodei n cele dou stri poate fi descris printr-o singur relaie funcional, care
leag curentul prin diod de tensiunea aplicat la bornele componentei, de forma
(
(

|
|

\
|
= 1
U
exp I i
T
AK
u
S A
. (1.1.1)
Relaia (1.1.1), care evideniaz principiul de funcionare al unei diode redresoare, este denumit
ecuaia caracteristic a diodei teoretice.
Curentul
S
I este curentul invers de saturaie al diodei. O diod ideal n stare de blocare este
caracterizat prin curent rezidual nul. n mod practic, curentul invers de saturaie al unei diode
redresoare este neglijabil fa de curenii direci care apar n circuitele de utilizare. Pentru diodele
redresoare din Si, curentul
S
I este de ordinul picoamperilor-nanoamperilor, n cazul componentelor
de mic putere, i poate atinge civa miliamperi, n cazul componentelor de putere mare.
n general, diodele reale nu respect ecuaia caracteristic a diodei teoretice. Ecuaia
caracteristic a unei diode reale este de forma
A K
P N
stratul
anodului
stratul
catodului
A K
u
AK
i
A

2


(
(

|
|

\
|

= 1
U n
exp I i
T
AK
u
S A
. (1.1.2)
ntruct factorul empiric n de corecie are valori ntre 1 i 2, din motive de simplificare a scrierii, se
va folosi modelul diodei teoretice (1.1.1), pentru toate diodele.
n regim static, comportarea diodei redresoare este descris de ecuaia caracteristic
(

|
|

\
|
= 1
U
U
exp I I
T
AK
S A
, (1.1.3)
n care curentul i tensiunea la borne sunt invariabile n timp.
Caracteristica static a diodei teoretice se obine prin reprezentarea grafic a relaiei (1.1.3),
pentru o temperatur constant a mediului ambiant. Comportarea diodei n stare de conducie
(
T AK
U 4 U ) poate fi descris cu ajutorul modelului simplificat,
|
|

\
|

T
AK
S A
U
U
exp I I , (1.1.4)
iar n cazul unei polarizri inverse, cu
T KA
U 4 U , dioda n stare de blocare poate fi descris prin
relaia
S A
I I . (1.1.5)
Caracteristica static a unei diode reale se abate de la aceea a diodei teoretice. La
polarizarea direct, diferenele sunt evideniate n fig. 1.1.2. Prin aplicarea unor tensiuni inverse
mari, curentul invers crete brusc i abrupt, datorit multiplicrii n avalan a purttorilor de
sarcin. Tensiunea la care se produce acest fenomen se numete tensiune de avalan sau de
strpungere i se noteaz cu
RA
V (Reverse Avalanche Voltage) sau
BR
V (Breakdown Voltage).
Atunci cnd se produce efectul de avalan, curentul care parcurge dioda este
S A
I M I = , (1.1.6)
Aceast strpungere electric este distructiv pentru toate diodele redresoare reale, motiv pentru
care tensiunea invers permis este limitat la o valoare inferioar celei de strpungere.

Fig. 1.1.2. Caracteristica static a diodei reale

Caracteristica static a diodei este foarte sensibil la temperatur, ca urmare a dependenei
puternice a curentului rezidual
S
I i a tensiunii termice
T
U de temperatura jonciunii. Pentru
diodele din Si, creterea relativ a curentului
S
I este de circa 7%/
o
C. n practic, se admite c
S
I i
dubleaz valoarea, la fiecare cretere a temperaturii cu 10
o
C. Tensiunea termic crete liniar cu
temperatura. La creterea temperaturii, se constat o deplasare a caracteristicii statice a diodei ca n
fig. 1.1.3a:
- ramura de conducie se deplaseaz n zona tensiunilor directe mai mici;
- ramura de blocare se deplaseaz n zona curenilor reziduali mai mari.
dioda reala
dioda
teoretica
T
a
= 25 C
O
0
U
AK
I
A

3

Fig. 1.1.3. Influena temperaturii jonciunii asupra caracteristicii statice a diodei redresoare

Din fig. 1.1.3b, se observ c, dac se menine constant tensiunea de la bornele diodei,
creterea temperaturii provoac o cretere a curentului direct. Coeficientul de temperatur al
tensiunii directe a diodei are expresia
ct I
AK
A
T
U
b
=

= , (1.1.7)
iar pentru diodele din Si, C / mV 2 b
o
.

1.1.2. Modele

a) Modele de semnal mare
Modelul matematic al diodei redresoare (relaia 1.1.1) arat c dioda este un element neliniar
de circuit. n studiul circuitelor cu diode, sunt preferate modelele cu circuite echivalente liniare
(dac sunt ndeplinite condiiile precizate la deducerea acestora).
Fie circuitul din fig. 1.1.4.a, pentru care se presupun cunoscute: caracteristica static a diodei,
rezistena
A
R i tensiunea continu
AA
V de alimentare. Punctul static de funcionare (p.s.f.) al
diodei, notat cu Q i caracterizat prin perechea de valori (
AQ
I ,
AKQ
U ), se poate determina grafic.
Pentru aceasta, se traseaz, pe acelai grafic, caracteristica diodei i dreapta de sarcin static
(
s
), descris de ecuaia
AK A A AA
U I R V + = . (1.1.8)
P.s.f. Q se gsete la intersecia acestei drepte cu caracteristica static a diodei.

Fig. 1.1.4. a. Circuitul diodei; b. Determinarea grafic a p.s.f. Q

Dac se traseaz tangenta la grafic, n p.s.f. Q, caracteristica static a diodei poate fi aproximat
prin dou semidrepte: semidreapta tangent n Q i semidreapta suprapus peste axa tensiunilor, cu
originea n punctul (

U ,0). Se admite, astfel, c o diod polarizat direct se comport ca o surs de
b.
0 U
AK
I
A
U
I
A
(T )
2
I
A
(T )
1
T
2
T
1
T >T
2 1
0
U
AK
I
A
a.
I
U
AK
(T )
2
U
AK
(T )
1
T
2
T
1
T >T
2 1
a.
I
AQ
U
AKQ
V
AA
R
A
0 U
AK
I
A
I
AQ
U
AKQ V
AA
V
AA
R
A T
a
= 25 C
O
Q
b.

4

tensiune continu

U , n serie cu un rezistor
d
r (fig. 1.1.5.b), iar o diod polarizat invers se
comport ca un ntreruptor deschis (fig. 1.1.5.c). Tensiunea

U se numete tensiune de prag a

diodei. Rezistena
d
r , dat de inversa pantei caracteristicii statice n punctul Q,
Q
AK
A
d
dU
dI
1
r = , (1.1.9)
este denumit rezisten dinamic a diodei n conducie. Att

U , ct i
d
r depind de parametrii
constructivi ai diodei, de poziia p.s.f. i, evident, de temperatur. Astfel, dac pentru diodele
redresoare de mic putere, din Si, V 6 , 0 U

, pentru componentele de putere mare, ( )V 2 .. 1 U

.
Fig. 1.1.5. a. Liniarizarea caracteristicii statice a diodei;
b. Modelul diodei n conducie; c. Modelul diodei blocate

Adeseori, modelul liniar al diodei n conducie poate fi simplificat prin neglijarea fie a
efectului sursei

U , fie a aceluia al rezistenei

d
r . Modelele din fig. 1.1.5 sunt folosite n studiul
circuitelor cu diode, atunci cnd regimul de funcionare al acestora este un regim static sau un
regim variabil de semnal mare i frecvene joase.

b) Modele de semnal mic
n circuitele de procesare a semnalelor analogice, cum sunt unele divizoare de tensiune,
detectoarele de semnal, dioda funcioneaz n regim de variaii mici, n jurul unui punct Q de
repaus (p.s.f.). Regimul variabil de semnal mic se suprapune ntotdeauna peste un regim static
(
a AQ A
i I i + = ). Atunci cnd tensiunea de la bornele diodei sufer variaii mici de frecvene joase
(
ak AK
u u = ), n jurul unei valori de repaus (
AKQ
U ), caracteristica exponenial a diodei poate fi
asimilat cu tangenta trasat n punctul Q de repaus. Astfel, poate fi stabilit o relaie liniar ntre
variaia tensiunii anod-catod (
ak
u ) i cea a curentului (
a
i ) :
d
ak
a
r
u
i = . (1.1.10)
Aceast dependen liniar apare dac este ndeplinit condiia de semnal mic :
T ak
U ) t ( u pentru t . (1.1.11)
n practic, aceast condiie devine mV 6 , 2 ) t ( u
ak
. n (1.1.10),
d
r este rezistena dinamic sau
diferenial a diodei. Dac p.s.f. Q este fixat pe ramura de caracteristic corespunztoare regimului
de conducie pronunat, rezistena
d
r are o valoare mic, iar dac Q este fixat pe ramura de
caracteristic corespunztoare regimului de blocare,
d
r are o valoare foarte mare.
a.
0 U

T
a
= 25 C
O
I
A
Q
panta 1/rd
U
AK
K A
I
A
U

U
AK
r
d
b.

5

Modelul matematic al diodei n regim variabil de semnal mic i frecvene joase, exprimat
prin relaia (1.1.10), poate fi transpus direct n circuitul echivalent din fig. 1.1.6.a.
Fig. 1.1.6. Modele de semnal mic: a. pentru frecvene joase;
b. pentru frecvene nalte

Cnd dioda funcioneaz ntr-un regim variabil de frecvene nalte, modelul dispozitivului este
cel din fig. 1.1.6.b, n care efectele inductivitii serie
s
L i rezistenei serie
s
r pot fi neglijate. Ca
urmare, dioda poate fi nlocuit cu un circuit echivalent, obinut prin punerea n paralel a rezistenei
d
r
cu capacitatea
j
C a jonciunii PN.
j
C are valori foarte mici (zeci sute de picofarazi) i este dat de
suma dintre capacitatea de barier (
b
C ) i capacitatea de difuzie (
d
C ).

1.2. Alte tipuri de diode

a) Dioda cu capacitate variabil
Diodele cu capacitate variabil sau varicap sunt diode speciale, de mic putere, destinate
acordului automat al unui circuit oscilant din circuite electronice oscilatoare, modulatoare de faz i
de frecven i din anumite tipuri de amplificatoare i filtre. Efectul pe care se bazeaz construcia
acestui tip de diode este acela de capacitate variabil, comandat de tensiunea de polarizare invers
a jonciunii PN. Simbolurile grafice utilizate pentru reprezentarea unei diode varicap evideniaz
aceast proprietate a componentei (fig. 1.2.1).

Fig. 1.2.1. Simboluri grafice pentru dioda cu capacitate variabil

Caracteristica static a diodei varicap nu difer ca alur de aceea a unei diode redresoare de
aceeai putere. Pentru un p.s.f. fixat pe ramura caracteristicii din cadranul III (zona de blocare),
capacitatea de barier are expresia
2
0
KA
0 b
b
U
U
1
C
C
|
|

\
|
+
= , (1.2.1)
fiind controlat de tensiunea invers aplicat dispozitivului. Capacitatea jonciunii,
b j
C C , poate
lua valori de la civa pF pn la circa 100pF, n domeniul de variaie al tensiunii inverse aplicate
( V V 10 ).Pentru creterea capacitii comandate pe cale electric, pot fi utilizate mai multe
diode identice, conectate n paralel.

b) Dioda tunel
Diodele tunel sunt diode speciale, de mic putere, destinate oscilatoarelor de foarte nalt
frecven. Efectul tunel, pe care se bazeaz construcia acestui tip de diode, se produce pentru
tensiuni foarte mici de polarizare direct i invers. Simbolurile grafice utilizate pentru
reprezentarea unei diode tunel sunt date n fig. 1.2.2. Caracteristica static a diodei tunel este net
diferit de aceea a unei diode redresoare de aceeai putere (fig. 1.2.3.). Dioda tunel este un excelent
a.
A
r
d
K K A
r
s
L
s
r
d
C
j
b.
K K K A A A

6

conductor att pentru o polarizare direct, ct i pentru o polarizare invers. O diod cu o astfel de
comportare nu poate fi folosit pentru redresarea unei tensiuni alternative.

Fig. 1.2.2. Simboluri grafice pentru dioda tunel
Fig. 1.2.3. Caracteristica static a diodei tunel

Pentru o tensiune direct de polarizare, curentul prezint dou extreme: un maxim P (
P
I ,
P
U ) i un minim V (
V
I ,
V
U ). La tensiuni mici, apropiate de
V
U , curentul direct este asigurat
prin efect tunel, iar la tensiuni directe ridicate, curentul direct crete exponenial cu tensiunea
aplicat, prin difuzia purttorilor. Pe caracteristic, se observ o regiune de rezisten diferenial
negativ, proprietate important a diodei tunel. Aceast regiune este poriunea de caracteristic
static cuprins ntre cele dou extreme P i V. Cnd dioda funcioneaz n regiunea P V,
modelul de semnal mic i frecvene nalte este cel din fig. 1.1.6.b, n care rezistena
d
r este
nlocuit de o conductan diferenial negativ
j
g , al crei modul are valori de ordinul
1
01 , 0

.

c) Dioda stabilizatoare de tensiune
Diodele stabilizatoare de tensiune, denumite i diode Zener, sunt dispozitive electronice
semiconductoare speciale din siliciu, destinate circuitelor de stabilizare a unei tensiuni la bornele
unei sarcini, circuitelor de limitare a amplitudinii tensiunilor i de protecie a dispozitivelor etc.
Atunci cnd este polarizat invers, n zona de strpungere, o astfel de diod i menine
tensiunea la borne aproape constant, pentru o variaie important a curentului invers ce o strbate.
Tensiunea stabilizat
Z
U poate avea valori de la civa voli, pn la cteva sute de voli, n toat
gama de puteri disipate. n fig. 1.2.4, sunt date trei simboluri grafice ce se utilizeaz pentru
reprezentarea acestui tip de diode.
Fig. 1.2.4. Simbolurile grafice utilizate n reprezentarea diodelor stabilizatoare de tensiune

Comportarea diodei polarizate direct i invers (cu tensiuni inferioare tensiunii de
strpungere) poate fi descris cu ajutorul ecuaiei caracteristice a diodei redresoare. Caracteristica
static a unei diode stabilizatoare de tensiune este prezentat n fig. 1.2.5.
A
A
K K
A A
A K K K
0
I
A
I
P
I
V
U
AK
U
P
U
V
U
PP
T
a
= 25 C
O P
V

7

Fig.1.2.5. Caracteristica static a unei diode stabilizatoare de tensiune

Tensiunea nominal de stabilizare,
ZT
U , este valoarea absolut a tensiunii stabilizate
(specificaie de catalog, mpreun cu tolerana), ce corespunde curentului invers
ZT
I . Pe
caracteristica static a diodei, mrimile
ZT
U i
ZT
I corespund p.s.f.
T
Q . Zona util a
caracteristicii statice este delimitat de valorile minim (
ZK
I ) i maxim (
ZM
I ) ale curentului
invers. La cureni mai mici dect
ZK
I , nu mai este posibil producerea strpungerii electrice a
jonciunii, iar pentru
ZM Z
I I > , sunt depite valorile termice limit absolut.

Fig. 1.2.6. Caracteristica static liniarizat a unei diode stabilizatoare de tensiune

Tensiunea stabilizat este influenat de temperatur :
( ) ( ) ( )
0 ZT VZ ZT
T U T 1 T U + = , (1.2.2)
I
ZK
I
ZT
I
ZM
U
AK
P
max
-U
ZT
T
a
= 25 C
O
I
A
I
Z
Q
T
Q
T
panta 1/r
ZT
-U
Z0
0 U

T
a
= 25 C
O
I
A
Q
panta 1/r
d
U
AK
I
Z

8

unde
VZ
este coeficientul de temperatur al tensiunii
ZT
U . Valoarea i semnul coeficientului
VZ
depind de construcia diodei. Astfel, diodele cu V 5 U
ZT
au 0
VZ
. Pentru diodele cu
V 8 U
ZT
, 0
VZ
. Pentru ( )V 8 ... 5 U
ZT
, coeficientul
VZ
poate fi negativ sau pozitiv.
Fig. 1.2.7. Modelele liniare de semnal mare, cu circuit echivalent, ale unei diode stabilizatoare de
tensiune: a. la polarizare direct (U
AK
>U); b. la polarizare invers (U
KA
>U
Z0
).

Variaii mici ale tensiunii n jurul valorii
Z
U antreneaz variaii mari ale curentului invers.
Aceast comportare a diodei la variaii de frecvene joase este caracterizat prin rezistena dinamic
sau diferenial,
T , Q
Z
Z
Z
I
U
r

= . (1.2.3)
Caracteristica static liniarizate pe poriuni este prezentat n fig. 1.2.6, iar modelele liniare
de semnal mare, cu circuit echivalent sunt cele din fig. 1.2.7.

1.3. Circuite cu diode

1.3.1. Redresorul bialternan n punte

Redresorul este un circuit capabil s converteasc semnale periodice (tensiuni, cureni) cu
valoare medie nul, n semnale periodice cu valoare medie nenul. n general, semnalele aplicate la
intrarea circuitului redresor sunt semnale sinusoidale. Circuitele redresoare sunt convertoare c.a.-
c.c. Redresoarele monofazate convertesc tensiunea unei singure faze a reelei de c.a. ntr-o tensiune
continu. Funcia de redresare a unei tensiuni alternative este realizat n aproape toate sursele de
alimentare cu tensiune continu. Structura general a unei surse de tensiune continu (fig. 1.3.1),
alimentat cu o tensiunea alternativ monofazat, conine urmtoarele blocuri:
un transformator de reea (TR), care convertete tensiunea reelei ntr-o alt tensiune pur
alternativ (sinusoidal), cu ali parametri;
un circuit redresor (R);
un filtru de netezire a ondulaiilor (F), care micoreaz pulsaiile tensiunii redresate;
un stabilizator de tensiune continu (ST), care ofer la ieire o tensiune U
O
aproximativ
constan.
Fig. 1.3.1. a. Schema bloc a unei surse de alimentare cu tensiune continu; b. Simbolurile grafice
utilizate pentru reprezentarea unui circuit redresor.

TR R F ST U
O
a.
b.
R
L
K A
I
Z
U
KA
U
Z0
r
ZT
b.
K A
I
A
U

U
AK
r
d
a.

9

n funcie de structur, circuitele redresoare cu diode pot converti o singur alternan a
tensiunii alternative sau ambele alternane. Din acest punct de vedere, rezult o clasificare a
redresoarelor monofazate, n: redresoare monoalternan i redresoare bialternan.
Pentru alegerea unor diode redresoare care s corespund aplicaiei i pentru aprecierea
calitii procesului de conversie, se calculeaz urmtoarele mrimi i indicatori sau parametri de
performan:
- valoarea medie a tensiunii redresate (U
O
),
- valoarea medie a curentului redresat (I
O
),
- valoarea de vrf a curentului prin fiecare diod n conducie (I
om
),
- valoarea efectiv a curentului redresat (I
Oef
sau I
Orms
),
- valoarea de vrf a tensiunii inverse la bornele fiecrei diode blocate (U
KAm
),
- rezistena de ieire a redresorului (R
o
),
- factorul de ondulaie (r),
- randamentul circuitului ().
ntr-un circuit redresor, diodele trec periodic din starea de conducie n starea de blocare i
invers, sub aciunea tensiunii alternative de frecven joas (50 Hz), aplicat la intrare. n concluzie,
diodele funcionnd n regim variabil de semnal mare i de frecven joas, vor fi nlocuite cu
modelele lor de semnal mare.
n redresoarele bialternan, se proceseaz ambele alternane ale tensiunii de intrare. Exist
dou configuraii de redresoare bialternan: redresorul cu transformator cu priz median i
redresorul n punte. Varianta de redresor n punte este preferat din cauza simplitii constructive a
transformatorului, a tensiunii inverse maxime pe o diod blocat i a posibilitii de a alege o punte
redresoare, realizat ca un circuit integrat. Prin conectarea a patru diode mperecheate, ca n fig.
1.3.2, se obine un redresor bialternan n punte. n acest circuit, fiecare alternan a tensiunii de
intrare este procesat de dou diode nseriate cu sarcina.











Fig. 1.3.2. a. Schema de principiu a redresorului bialternan n punte;
b. Reprezentarea simbolic a unei puni redresoare

Transformatorul de reea reduce sau ridic tensiunea din secundar, fa de tensiunea din
primar. Rezistena total a nfurrilor transformatorului, reflectat n secundar, se noteaz cu r
T
.
Analiza circuitului se bazeaz pe urmtoarele ipoteze:
- tensiunea din secundar are o amplitudine U
sm
>> 2U, permind neglijarea efectului tensiunii
de prag a unei diode;
- rezistena total de pierderi a circuitului este
R
O
= r
T
+ 2r
d
. (1.3.1)
Pe durata alternanei pozitive a tensiunii din primar, diodele D1 i D3 sunt polarizate direct
i conduc curentul i
O1
, iar diodele D2 i D4 sunt blocate. n alternana negativ a tensiunii de
intrare, diodele D2 i D4 conduc curentul i
O2
, iar diodele D1 i D3 sunt blocate. Circuitele
echivalente ale redresorului bialternan n punte, pe fiecare semiperioad, se prezint ca n fig.

10

1.3.3, iar formele de und ale curenilor prin cele dou perechi de diode i a tensiunii redresate sunt
artate n fig. 1.3.4.












Fig. 1.3.3. Circuitele echivalente ale redresorului bialternan n punte:
a. pentru alternana pozitiv; b. pentru alternana negativ

























Fig. 1.3.4. Formele de und ale curenilor prin diode i tensiunii redresate

Valoarea de vrf a curentului direct printr-o diod este
L O
sm
om
R R
U
I
+
= . (1.3.2)
Curentul redresat are o valoare efectiv
2
I
dt ) t ( i
T
1
I
om
T
0
2
O
Oef
= =

. (1.3.3)

11

Tensiunea la ieirea circuitului are aceeai form de und ca i curentul prin sarcina R
L
, iar
amplitudinea este
L O
sm
L om om
R / R 1
U
R I U
+
= = . (1.3.4)
Curentul redresat i
O
are valoarea medie,
( )

= =

om
T
0
O O
I 2
dt t i
T
1
I , (1.3.5)
iar valoarea medie a tensiunii de ieire este

= =
om om L
L O O
U 2 I R 2
R I U . (1.3.6)
Plecnd de la ultima relaie, n care se nlocuiesc U
om
cu expresia (1.3.4) i R
L
cu U
O
/I
O
, se
obine ecuaia caracteristicii de ieire (externe) a redresorului bialternan, de forma
O O
sm
O
R I
U 2
U

= . (1.3.7)
Reprezentarea grafic a ecuaiei (1.3.7) este dat n fig. 1.3.5.a. Caracteristica extern poate fi
transpus direct, ntr-un circuit echivalent ca acela din fig. 1.3.5.b.










Fig. 1.3.5. a. Caracteristica extern a redresorului bialternan n punte;
b. Circuitul echivalent corespunztor caracteristicii externe.

Dac ieirea redresorului ar fi n gol (I
O
=0), valoarea medie a tensiunii de ieire ar fi
/ U 2
sm
. Rezistena R
O
este rezistena de ieire sau rezistena intern a circuitului redresor.
Valoarea de vrf a tensiunii inverse la bornele unei diodei blocate este practic U
sm.
Cele patru diode ale punii pot fi gsite i sub forma unor arii de diode conectate i realizate
pe acelai strat semiconductor (puni redresoare integrate), n diverse variante, din punctul de
vedere al valorilor limit absolut (cureni direci i tensiuni inverse).
Factorul de ondulaie sau de riplu este definit ca raportul dintre valoarea efectiv a
componentei ondulatorii i valoarea medie a semnalului de ieire (tensiunea redresat sau curentul
redresat),
O
oef
U
U
r = sau
O
oef
I
I
r = . (1.3.8)
Pentru un redresor bialternan, factorul de ondulaie are valoarea 0,482.
Randamentul circuitului redresor.este definit ca raportul dintre puterea medie util la ieire
i puterea medie furnizat/absorbit la intrarea circuitului. n mod frecvent, acest raport care d
eficiena conversiei c.a.-c.c. este exprimat n procente,
| |
I
O
P
P
100 % = , (1.3.9)
iar pentru R
O
<<R
L
, rezult
max
80%.

12

Pentru reducerea componentei ondulatorii a tensiunii redresate, se utilizeaz filtre pasive. n
acest scop, se plaseaz un condensator n paralel cu sarcina (filtru capacitiv) sau o bobin n serie cu
sarcina (filtru inductive) sau o combinaie bobin-condensator (filtru LC sau filtru ), condensator-
bobin-condensator (filtru n ) etc.
Schema de principiu a unui redresor n punte, cu filtru capacitiv, este dat n fig. 1.3.6. Aciunea
de filtrare se bazeaz pe proprietatea condensatorului de a nmagazina energie pe durata conduciei
diodelor i de a restitui energie sarcinii, atunci cnd diodele sunt blocate. n acest mod, crete curentul
mediu prin sarcin, iar ondulaia se reduce.








Fig. 1.3.6. Schema de principiu a redresorului n punte, cu filtru capacitiv

Un ciclu de funcionare al redresorului cu sarcin capacitiv conine dou faze:
faza de ncrcare a condensatorului C , n care o pereche de diode este n conducie;
faza de descrcare a condensatorului C pe rezistena de sarcin, n care toate diodele sunt blocate.











Fig. 1.3.7. Forma de und a tensiunii de ieire a redresorului cu filtru capacitiv

Factorul de ondulaie al ansamblului redresor-filtru capacitiv este
L
O
O
O
O
oef
R C f 3 4
I
U 3 2
U
U
U
r

=

= . (1.3.10)
Cu ct R
L
i C sunt mai mari, cu att aciunea de filtrare este mai accentuat i, deci, ondulaia va fi
mai redus. Prin urmare, un filtru cu condensator este eficient la cureni slabi prin sarcin.

1.3.2. Stabilizatorul parametric de tensiune continu

Stabilizatoarele de tensiune continu sunt circuite electronice capabile s furnizeze la ieire
o tensiune continu cu un nivel cvasiconstant, atunci cnd tensiunea de alimentare, curentul prin
sarcin i temperatura mediului ambiant au variaii precizate.
Configuraia celui mai simplu stabilizator de tensiune continu (fig. 1.3.8.a) conine o diod
stabilizatoare de tensiune (DZ) i un rezistor (R), circuitul fiind alimentat de la o surs de tensiune
continu (U
S
). Dioda DZ este polarizat invers de tensiunea U
S
de alimentare, care provine de la un
redresor cu filtru sau de la alt circuit stabilizator. Se presupune c sursa de alimentare este ideal
(rezistena intern este nul). Tensiunea de ieire are un nivel cvasiconstant, att timp ct variaiile

13

tensiunii de alimentare, curentului prin sarcin i temperaturii mediului ambiant nu deplaseaz
punctul de funcionare al diodei n afara regiunii de stabilizare.










Fig. 1.3.8. a. Schema de principiu a stabilizatorului parametric de tensiune continu.
b. Circuitul echivalent de c.c. al stabilizatorului.

Stabilizarea tensiunii de ieire n acest tip de circuit se bazeaz pe urmtoarea proprietate a
diodei DZ: la polarizare invers, dioda i menine tensiunea la borne aproape constant, att timp
ct curentul I
Z
[I
ZK
, I
ZM
]. Punctul nominal de funcionare, Q (I
ZQ
, U
ZQ
), corespunde valorilor
nominale ale tensiunii de alimentare, curentului prin sarcin i temperaturii mediului ambiant (U
S
,
R
L
i T
a
). Prin nlocuirea diodei cu modelul de semnal mare, se obine circuitul echivalent de c.c. al
stabilizatorului, din fig. 1.3.8.b. Din acest circuit, rezult tensiunea de ieire, de forma
0 Z
L z
L
S
L z
L z
O
U
R // R r
R // R
U
R // r R
R // r
U
+
+
+
= . (1.3.11)
Expresia 1.3.11 arat c tensiunea de ieire este sensibil la variaiile tensiunii de alimentare,
rezistenei de sarcin i temperaturii.
Pentru explicarea funcionrii circuitului, se studiaz, pe rnd, efectul variaiei unei singure
mrimi dintre acelea care influeneaz tensiunea de ieire a stabilizatorului. n acest scop, se va
urmri deplasarea punctului de funcionare, pe caracteristica static a diodei, provocat de variaia
tensiunii de alimentare (T
a
= ct.), de variaia curentului prin sarcin sau de variaia temperaturii
mediului ambiant. Aplicnd teoremele lui Kirchhoff circuitului din fig. 1.3.8.a, se obine
( )
KA L Z S
U R / R 1 I R U + + = . (1.3.12)
Relaia 1.3.12 reprezint ecuaia dreptei de sarcin static () a circuitului. n fig. 1.3.9, este
trasat dreapta () n planul caracteristicii statice a diodei, pentru valorile nominale ale tensiunii de
alimentare, rezistenei de sarcin i temperaturii mediului ambiant.











Fig. 1.3.9. Poziia dreptei de sarcin pentru valorile nominale ale parametrilor U
S
, R
L
i T
a


Se consider, pe rnd, variaiile celor trei mrimi (U
S
, R
L
i T
a
) i se apreciaz modificrile
de poziie ale dreptei de sarcin. Considernd tensiunea de ieire a stabilizatorului ca o funcie de

14

cele trei variabile independente, U
O
= f(U
S
, I
O
, T), variaia total a tensiunii de ieire a
stabilizatorului poate fi exprimat prin relaia
T
T
U
I
I
U
U
U
U
U
O
O
O
O
S
S
O
O

= . (1.3.13)
Ecuaia 1.3.13 conine trei indicatori de performan ai stabilizatorului prezentat, care sunt:
- coeficientul (factorul) de stabilizare, definit prin relaiile
S
O
0
U
U
S
1

= sau
ct T ; ct I
S
O
0
O
U
U
S
1
= =

; (1.3.14)
- rezistena de ieire a stabilizatorului,
O
O
O
I
U
R

= sau
ct T ; ct U
O
O
O
S
I
U
R
= =

; (1.3.15)
- coeficientul de temperatur al tensiunii stabilizate,
T
U
K
O
T

= sau
ct I ; ct U
O
T
O S
T
U
K
= =

. (1.3.16)
Cu ct S
0
este mai mare, cu att variaia tensiunii de alimentare are un efect mai mic asupra
ieirii. Cu ct R
O
este mai mic, cu att tensiunea de ieire va fi mai puin sensibil la variaia
curentului prin sarcin. n fine, coeficientul de temperatur msoar influena temperaturii asupra
tensiunii de ieire. Folosind definiiile celor trei indicatori de performan ai unui stabilizator de
tensiune, relaia 1.3.13 de estimare a variaiei totale a tensiunii de ieire poate fi pus sub forma
T K I R U
S
1
U
T O O S
0
O
+ = . (1.3.17)
Coeficientul S
0
i rezistena R
O
de ieire pot fi determinai din circuitul echivalent al
stabilizatorului, n ipoteza unor variaii mici i lente ale tensiunii de alimentare i curentului prin
sarcin, n jurul valorilor nominale. Pentru calculul coeficientului de temperatur al tensiunii de
ieire, se folosete relaia de definiie a coeficientului
VZ
. Se obine, astfel,
( )
min a ZT VZ T
T U K = . (1.3.18)
O valoare mai mic a coeficientului de stabilizare ar putea fi obinut prin conectarea n
cascad a dou sau mai multe stabilizatoare simple. Valori mbuntite ale celor trei indicatori de
performan ai unui stabilizator de tensiune continu se obin n circuitele integrate stabilizatoare de
tensiune.

1.3.3. Limitatoare de amplitudine

Limitatoarele de amplitudine realizeaz funcia de limitare a tensiunii de ieire la o valoare
prescris. Astfel de circuite sunt utilizate pentru schimbarea formei semnalelor i pentru protecia
dispozitivelor electronice de putere, a intrrilor sau a ieirilor circuitelor electronice, a aparatelor
electronice de msurare. Pentru realizarea limitatoarelor de amplitudine, se folosesc diode
redresoare i/sau stabilizatoare de tensiune. n funcie de tipul i de numrul diodelor din structur,
circuitul va avea un numr de praguri de limitare, respectiv niveluri de limitare. Dup numrul
pragurilor i al nivelurilor de limitare, aceste circuite electronice se clasific n:
limitatoare de amplitudine cu un prag i un nivel de limitare (unilaterale);
limitatoare de amplitudine cu dou praguri i dou niveluri de limitare (bilaterale), simetrice
sau asimetrice.
Analiza unui limitator de amplitudine urmrete determinarea caracteristicii de transfer a
circuitului, u
O
=f(u
I
), i se bazeaz pe urmtoarele ipoteze:
- tensiunea de intrare are o variaie oarecare n timp, lent (semnal mare, de frecven joas),
ipotez care va permite utilizarea modelelor de semnal mare ale diodelor;

15

- ieirea circuitului este n gol.

a) Limitator unilateral cu diod redresoare
Circuitul din fig. 1.3.10.a este un limitator de amplitudine, cu un prag i un nivel de
limitare, realizat cu o diod redresoare i un rezistor serie. Tensiunea de ieire a circuitului este
tensiunea de la bornele diodei (u
O
= u
AK
). Atunci cnd tensiunea de intrare este pozitiv i u
i
> U

,
dioda este n conducie. Din circuitul echivalent al limitatorului, dat n fig. 1.3.10.b, se obine

+
+
+
= U
r R
R
u
r R
r
u
d
i
d
d
o
. (1.3.19)







Fig. 1.3.10. Limitator cu o diod redresoare. a. Schem de principiu. Circuite echivalente:
b. diod n conducie; c. diod blocat

Dac R >> r
d
, se obine

U u
o
. Atunci cnd u
i
U

, dioda este blocat (fig. 1.3.10.c) i tensiunea

de ieire urmrete tensiunea de intrare (
i o
u u = ).











Fig. 1.3.11. a. Caracteristica de transfer a limitatorului de amplitudine din fig. 1.3.10.a.
b. Formele de und ale tensiunilor de intrare i de ieire

Reprezentarea grafic din fig. 1.3.11.a evideniaz pragul de limitare (U
ip
) i nivelul de
limitare (U
ol
) ale circuitului: U
ip
= U
ol
= U

. n fig. 1.3.11.b, este reprezentat forma de und a

tensiunii de ieire, pentru o variaie precizat a tensiunii de intrare. Alte configuraii de limitatoare
unilaterale pot fi obinute prin inversarea locului diodei cu rezistorul R i/sau prin introducerea unei
surse de tensiune continu n serie cu dioda.

b) Limitator bilateral cu o diod stabilizatoare de tensiune
Limitatoarele bilaterale pot fi realizate cu diode redresoare (interconectnd dou limitatoare
unilaterale) sau cu diode stabilizatoare de tensiune. Structura stabilizatorului parametric cu diod
poate s funcioneze ca limitator bilateral de amplitudine, dac tensiunea continu de alimentare
este nlocuit cu un semnal bipolar de intrare (fig. 1.3.12).



16











Fig. 1.3.12. Limitator bilateral cu o diod stabilizatoare de tensiune.
a. Schem de principiu. b,c,d. Circuite echivalente: b. diod n regim de stabilizare a tensiunii; c.
diod blocat; d. diod n conducie direct












Fig. 1.3.13. a. Caracteristica de transfer a limitatorului bilateral asimetric; b. Formele de und ale
tensiunilor de intrare i de ieire

Din analiza circuitului, rezult c:
pentru
0 Z i
U u , dioda stabilizeaz tensiunea de la borne (circuitul echivalent din fig. 1.3.12.b)
i se obine

0 Z 0 Z
z
i
z
z
o
U U
r R
R
u
r R
r
u
+
+
+
= ; (1.3.20)
atunci cnd
0 Z i
U u U

, nici un curent nu circul prin diod (circuitul echivalent din fig.
1.3.12.c) i tensiunea de ieire urmrete tensiunea de intrare,
i o
u u = ; (1.3.21)
atunci cnd

U u
i
, dioda este n conducie direct (circuitul echivalent din fig. 1.3.12.d) i
tensiunea de ieire este


+

+
= U U
r R
R
u
r R
r
u
d
i
d
d
o
. (1.3.22)
Caracteristica de transfer, reprezentat n fig. 1.3.13.a, arat c circuitul studiat realizeaz
funcia de limitator bilateral cu praguri i niveluri asimetrice de limitare:
0 Z 1 ol 1 ip
U U U = = i

= = U U U
2 ol 2 ip
. Pentru scderea celui de-al doilea prag i, respectiv, nivel de limitare, se
introduce o a doua diod stabilizatoare de tensiune, n serie i n opoziie cu prima diod.


----- * -----
17

2. TRANZISTOARE BIPOLARE

2.1. Generaliti

Tranzistorul bipolar sau tranzistorul bipolar cu jonciuni (acronimul TB sau TBJ) este unul
dintre cele mai utilizate dispozitive semiconductoare n electronic. Numele de tranzistor pune n
eviden funcia de amplificare a semnalelor, realizat de dispozitiv, echivalent cu un transfer de
rezisten (transfer resistor). Denumirea bipolar provine din nsi funcionarea dispozitivului, bazat
pe deplasarea simultan a dou tipuri de purttori mobili de sarcin: electroni i goluri. Tranzistorul
bipolar poate juca rolul de surs comandat de curent sau de comutator.














Fig. 2.1.1. Structurile schematizate i simbolurile grafice pentru cele dou tipuri de TB:
a. TB de tip NPN; b. TB de tip PNP

Tranzistorul bipolar este constituit din trei straturi semiconductoare cu dopare alternant (NPN
sau PNP), care determin dou jonciuni PN. Prin urmare, dou configuraii sunt posibile: tranzistoare
bipolare NPN i tranzistoare bipolare PNP. Concentraia de impuriti difer n cele trei regiuni. Cele
dou straturi extreme de acelai tip sunt emitorul (E) - puternic dopat - i colectorul (C) - cu o dopare
mai slab cu impuriti, dar cu o lrgime mai mare. Stratul median, numit baz (B), este foarte ngust i
mai puin dopat dect emitorul. Electrozii metalici externi (terminalele TB) poart numele regiunilor
tranzistorului: emitor, baz i colector. Structurile schematizate i simbolurile grafice ale celor dou
tipuri de tranzistoare bipolare sunt date n fig. 2.1.1. n simbolul grafic al tranzistorului bipolar, sgeata
din emitor desemneaz jonciunea de comand a tranzistorului i este orientat n sensul curentului
direct al acesteia. Structura tranzistorului bipolar conine jonciunea baz-emitor, notat
BE
j i
denumit jonciune de comand, i jonciunea baz-colector, notat
BC
j .







Fig. 2.1.2. Sensurile normale ale curenilor TB.

E
N
++
N
+
P
+
C
B
a.
emitor baza colector
E
P
+
P N
C
B
emitor baza colector
E C
B
E C
B
b.
18
Tranzistorul bipolar poate fi privit ca un nod de circuit. Sensurile normale ale curenilor (fig.
2.1.2) corespund regimului activ normal de funcionare al TB i conduc la ecuaia
B C E
i i i + = . (2.1.1)
De asemenea, considernd ochiul de circuit care conine electrozii tranzistorului, se obine
0 u u u
BC EB CE
= + + . (2.1.2)
Ecuaiile (2.1.1) i (2.1.2) sunt valabile pentru ambele tipuri de tranzistoare bipolare.

a) Efectul de tranzistor
Utilizarea tranzistoarelor bipolare n aplicaii de tipul amplificatoarelor de semnal se bazeaz pe
efectul de tranzistor. Pentru ca apariia acestui efect s fie posibil, structura tranzistorului bipolar
trebuie s ndeplineasc urmtoarele dou condiii tehnologice:
- grosimea constructiv a bazei s fie foarte mic ;
- regiunea emitorului s fie mult mai dopat cu impuriti dect regiunea bazei.
Efectul de tranzistor apare ntr-un TB cu jonciunile polarizate n moduri diferite (una direct, iar
cealalt invers) i const n comanda unui curent invers important prin jonciunea polarizat invers,
prin intermediul curentului direct al celeilalte jonciuni.
Din cauza asimetriei tranzistorului n raport cu regiunea bazei, efectul de tranzistor este mult mai
pronunat n regim activ normal (j
BE
polarizat direct, iar j
BC
polarizat invers). n aceste condiii,
innd seama c i
T BC
U U , se obine
0 CB E N C
I I I + = . (2.1.3)
Coeficientul
N
(sau
F
) reprezint factorul static de amplificare n curent, ntre emitorul i
colectorul tranzistorului bipolar n regim activ normal.
Dac se exprim curentul de colector n funcie de cel de baz, n regim activ normal, se obine
( )
0 CB N B N C
I 1 I I + + = =
B N 0 CE B N
I I I + . (2.1.4)
Coeficientul
N
(sau
F
), este numit factor static de amplificare n curent, ntre baza i colectorul
tranzistorului bipolar n regim activ normal. Cei doi parametri statici, care descriu comportarea TB n
regim activ normal, au valori mult diferite:
N
este subunitar, n timp ce
N

este mult mai mare dect
unitatea ( 100 10 ). Din aceast cauz
0 CE
I >>
0 CB
I , dar ambii cureni pot fi neglijai.

b) Regimuri de funcionare. Modele de c.c.
n funcie de modul de combinare al polarizrilor jonciunilor baz-emitor i baz-colector ale
unui tranzistor bipolar, pot fi stabilite patru regimuri de funcionare, dup cum urmeaz:
- regimul activ normal (RAN), atunci cnd j
BE
este polarizat direct i j
BC
este polarizat invers;
- regimul activ invers (RAI), atunci cnd j
BE
este polarizat invers i j
BC
este polarizat direct;
- regimul de saturaie (RS), atunci cnd ambele jonciuni ale tranzistorului sunt polarizate direct;
- regimul de blocare (RB), atunci cnd ambele jonciuni ale tranzistorului sunt polarizate invers.
n tabelul 2.1.1, se prezint schematic aceste regimuri de funcionare, mpreun cu polaritile
tensiunilor
BE
U i
BC
U , pentru ambele tipuri de tranzistoare bipolare: NPN i PNP.
Considernd regimul activ normal al unui TB de tip NPN, pentru
T CB
U U se obine ecuaia
(2.1.3), n care I
CB0
este curentul rezidual de colector al TB cu emitorul n gol i poate fi neglijat n
raport cu I
C
. Modelul (simplificat) de c.c. al TB funcionnd n RAN, este cel din fig. 2.1.3.a.
Dac se ine seama de valorile foarte mici ale curenilor reziduali, modelul simplificat al unui
tranzistor bipolar blocat se rezum la un ntreruptor deschis, ca n fig. 2.1.3.b. Frontiera dintre
regimurile activ normal i de blocare ale unui tranzistor bipolar este descris de ecuaia 0 U
BE
= .

19

Tabelul 2.1.1. Regimurile de funcionare ale unui TB

Polarizarea Regimul de
funcionare
Tipul TB
jonciunii baz-emitor jonciunii baz-colector
Direct Invers
NPN 0 U
BE
0 U
BC

Regimul activ
normal
(RAN)
PNP 0 U
EB
0 U
CB

Invers Direct
NPN 0 U
BE
0 U
BC

Regimul activ invers
(RAI)
PNP 0 U
EB
0 U
CB

Direct Direct
NPN 0 U
BE
0 U
BC

Regimul de saturaie
(RS)
PNP 0 U
EB
0 U
CB

Invers Invers
NPN 0 U
BE
0 U
BC

Regimul de blocare
(RB)
PNP 0 U
EB
0 U
CB









a. b.
Fig. 2.1.3. Modelul simplificat de c.c. pentru un TB de tip NPN:
a. n RAN ; b. n RB.








Fig. 2.1.4. Modele simplificate de c.c., cu circuit echivalent, pentru un TB tip NPN, n RS:
a. modelul cu ntreruptor nchis; b. modelul cu surse de tensiune.

n regim de saturaie, TB are ambele jonciuni polarizate direct. Reprezentarea simplificat a
unui tranzistor bipolar saturat este aceea de ntreruptor nchis (fig. 2.1.4.a). Pentru tranzistoare de
mic putere, valorile uzuale ale
( ) sat BE
U sunt de V 8 , 0 V 7 , 0 , n timp ce
( ) sat CE
U are valori de
V 3 , 0 V 05 , 0 . Un model frecvent utilizat pentru reprezentarea unui tranzistor bipolar saturat este acela
din fig. 2.1.4.b, n care sunt evideniate cele dou tensiuni:
( ) sat BE
U

i
( ) sat CE
U .

B
b.
I
E(sat)
I
C(sat)
I
B(sat)
U
BE(sat)
U
CE(sat)
E
C
E
C
B
a.
I
E(sat)
I
C(sat)
I
B(sat)

20
2.2. Conexiuni. Caracteristici statice

a) Conexiunile tranzistorului bipolar
Unui TB i se poate asocia un cuadripol, prin apartenena unui electrod att la circuitul de
intrare, ct i la acela de ieire al cuadripolului. ntruct oricare dintre cei trei electrozi ai tranzistorului
poate s fie borna comun a circuitelor de intrare i de ieire ale cuadripolului, rezult trei moduri de
conectare ale dispozitivului, denumite conexiuni, i anume: conexiunea baz comun (BC) fig.
2.2.1.a, conexiunea emitor comun (EC) fig. 2.2.1.b i conexiunea colector comun (CC) fig. 2.2.1.c.
Pentru fiecare conexiune, electrodul din circuitul de intrare (CI) al cuadripolului i electrodul din
circuitul de ieire (CO) sunt cei precizai n fig. 2.2.1.









Fig. 2.2.1. Conexiunile TB: a. conexiunea baz comun (BC); b. conexiunea emitor comun (EC);
c. conexiunea colector comun (CC)

b) Caracteristicile statice ale tranzistorului bipolar
Caracteristicile statice exprim grafic dependena dintre curenii unui TB i tensiunile aplicate
la bornele acestuia, n regim static, la o temperatur precizat. Cuadripolul echivalent al tranzistorului
bipolar n regim static permite definirea a trei familii de caracteristici statice: de intrare, de ieire i de
transfer. Fiecare familie se reprezint n cadranul I i exprim grafic dependena dintre trei mrimi
(cureni sau tensiuni): una reprezentat pe ordonat, o alta reprezentat pe abscis, iar a treia mrime
este parametrul familiei. Frecvent, n foile de catalog, sunt date familiile de caracteristici statice ale
tranzistorului bipolar, pentru conexiunea EC.
Ca exemple, vor fi prezentate sumar cele trei familii de caracteristici statice ale unui TB de tip
NPN, de mic putere ( mW 300 P
max
= ), la temperatur constant ( C 25 T
o
a
= ) i pentru conexiunea
EC. Mrimile de intrare ale tranzistorului bipolar n conexiunea EC sunt curentul de baz i tensiunea
baz-emitor, iar cele de ieire sunt curentul de colector i tensiunea colector-emitor.
Familia caracteristicilor statice de intrare exprim grafic dependena dintre cele dou mrimi
de intrare ale TB n conexiune EC (
B
I i
BE
U ), avnd ca parametru o mrime de ieire (
CE
U ):
( )
ct T ; ct U
BE B
a CE
U f I
= =
= . (2.2.1)
Caracteristicile statice de intrare (fig. 2.2.2.a) sunt foarte apropiate unele de altele, ceea ce arat o slab
influen a tensiunii colector-emitor asupra curentului de baz.
Familia caracteristicilor statice de transfer exprim grafic dependena dintre curentul de ieire
i tensiunea de intrare ale TB n conexiune EC, considernd ca parametru al familiei tensiunea
CE
U :
( )
ct T ; ct U
BE C
a CE
U f I
= =
= . (2.2.2)
Valorile mrimilor electrice din (2.2.2) corespund regimului activ normal al TB. Reprezentarea grafic
a acestei familii de caracteristici este dat n fig. 2.2.2.b.
U
CB
E C
B B
U
EB
I
E
I
C
CI CO
a.
I
E
U
BC
E
C C
B
CI CO
c.
I
B
U
EC
U
CE
E E
C
B
U
BE
I
C
I
B
CI CO
b.

21
Familia caracteristicilor statice de ieire exprim grafic dependena dintre mrimile de ieire
ale TB n conexiune EC (
C
I i
CE
U ), avnd ca parametru o mrime de intrare (
B
I sau
BE
U ):
( )
ct T ; ct I
CE C
a B
U f I
= =
= . (2.2.3)
n planul familiei caracteristicilor statice de ieire, avnd ca parametru curentul de baz (fig.
2.2.3), pot fi separate trei regiuni, care se numesc ca i regimurile de funcionare crora le corespund:
regiunea activ normal (RAN), regiunea de saturaie (RS) i regiunea de blocare (RB).
n majoritatea aplicaiilor de amplificare a semnalelor, punctul de funcionare al tranzistorului
bipolar nu prsete regiunea activ normal, situaie n care, puterea disipat pe cele dou jonciuni,
CE C CB C BE E D
U I U I U I P + = , (2.2.4)
poate atinge valori mari.












a. b.

Fig. 2.2.2. a. Familia caracteristicilor statice de intrare. b. Familia caracteristicilor statice de
transfer.


















Fig. 2.2.3. Familia caracteristicilor statice de ieire



I m
C
[ A]
U
BE
[V]
T =25 C
a
O
U =15 V
CE
U =10 V
CE
U =5 V
CE
2
4
6
8
0
0,5 1


22
c) Influena temperaturii asupra caracteristicilor statice ale tranzistorului bipolar
Efectul variaiei temperaturii asupra caracteristicilor statice se manifest prin creterea
curenilor dispozitivului, odat cu creterea temperaturii, ca n fig. 2.2.4, n care s-a presupus c
parametrul familiei este meninut constant i se modific numai temperatura.












Fig. 2.2.4. TB n conexiunea EC, n RAN. Influena temperaturii asupra caracteristicilor statice:
a. de transfer; b. de ieire

Toi parametrii statici ai unui TB sunt funcii de temperatur. Curenii reziduali ai tranzistorului
bipolar cresc odat cu creterea temperaturii, ca i la dioda redresoare. n cazul particular al
funcionrii tranzistorului n regim activ normal, la un curent constant de colector (
C
I ), tensiunea baz-
emitor scade liniar la creterea temperaturii, dup relaia
( ) ( ) T b T U T U
C
I
0 BE
C
I
BE
+ =

, (2.2.5)
n care C / mV 2 b . n cazul factorilor statici de amplificare n curent,
N
i
N
, se constat
creterea valorii parametrului, la creterea temperaturii.
Modelele matematice ale TB n regim activ normal evideniaz dependena curentului de
colector de trei parametri statici,
( )
N BE 0 CB C
, U , I f I = . (2.2.6)
Curentul de colector are un coeficient pozitiv de temperatur, iar variaia curentului de colector poate fi
exprimat n funcie de variaiile parametrilor statici.

d) Solicitri maxime n curent i n tensiune
Pentru evitarea deteriorrii tranzistorului bipolar prin nclzire excesiv i pentru asigurarea
unei funcionri a acestui dispozitiv la parametrii garantai de productor, se impune s nu se
depeasc valorile limit absolut (VLA) precizate n catalog, oricare ar fi regimul de lucru al
dispozitivului. Pentru tranzistoarele bipolare de uz general i de mic putere, productorul specific
principalele valori limit absolut termice i electrice. Dintre valorile limit absolut de natur termic,
specificate la C 25 T
o
a
= , cele mai importante sunt : puterea disipat maxim admisibil
max
P (sau
tot
P ), temperatura maxim a jonciunilor (
max j
T ), valorile maxime ale rezistenelor termice jonciune-
mediu ambiant
a thj
R

i jonciune-capsul
c thj
R

. Pentru starea de conducie a tranzistorului bipolar,
sunt stabilite valorile limit ale curenilor de colector (
max C
I ) i de baz (
max B
I ). Tensiunea la care
se produce creterea rapid a unui curent rezidual reprezint tensiunea de strpungere a jonciunii sau
a structurii. Din aceast categorie de tensiuni, productorul specific
0 EB
U ,
0 CB
U ,
0 CE
U .
I
C
I
C
U
BE
T > T
0
U
CE
= ct
0
T
0
T
a.
I
C
U
CE
T > T
0
0
T
0
T
T
0
T
T
0
T
I
B2
I
B1
I
B
= 0
b.

23




















Fig. 2.2.5. Aria de funcionare n siguran n c.c. Fig. 2.3.1. Circuit de polarizare
cu rezisten n emitor

innd seama de toate limitrile care sunt impuse unui tranzistor bipolar n funcionare, n
planul caracteristicilor statice de ieire, se stabilete o zon de funcionare sigur a dispozitivului (fig.
2.2.5), numit arie de funcionare n siguran ; aceasta este delimitat de hiperbola de disipaie
maxim (
max
P ),
0 CE
U i
max C
I .

2.3. Circuite de polarizare

Circuitul de polarizare este un circuit electric de c.c., care permite fixarea punctului static de
funcionare (p.s.f.) al tranzistorului bipolar n regiunea activ normal a caracteristicilor statice i care
asigur meninerea poziiei (stabilizarea) punctului respectiv. Aceast problem este important n
practic, deoarece caracteristicile statice, ca i parametrii statici ai tranzistorului, au o mare dispersie de
fabricaie i, n plus, depind puternic de temperatur. Pentru toate circuitele cu tranzistoare bipolare,
p.s.f. al dispozitivului trebuie s se gseasc n interiorul ariei de funcionare n siguran (AFS).
Stabilizarea p.s.f. n raport cu condiiile de funcionare este asigurat n:
circuitele liniare de polarizare, prin utilizarea unei reacii negative n c.c., dup curentul de ieire
al tranzistorului sau dup tensiunea de ieire a acestuia;
circuitele neliniare de polarizare, prin alimentarea tranzistorului la curent constant.
n vederea comparrii diferitelor circuite de polarizare, din punctul de vedere al stabilizrii p.s.f., se
studiaz sensibilitatea mrimilor electrice I
C
i U
CE
, care caracterizeaz p.s.f., la variaiile principalilor
parametri statici ai TB i ale altor elemente de circuit (tensiuni continue de alimentare, rezistene).
Un circuit liniar de polarizare, frecvent ntlnit n aplicaii, este circuitul de polarizare cu
rezisten n emitor (fig. 2.3.1). O singur surs de tensiune continu stabilizat (+V
CC
) asigur
polarizarea corect a ambelor jonciuni ale tranzistorului (tensiunile U
BEQ
> 0 i U
CBQ
> 0 i de valori
impuse). Acest circuit permite meninerea p.s.f. ntr-o vecintate mic a poziiei iniiale. n circuitul de
polarizare din fig. 2.3.1, constituit din rezistorii R
B
, R
C
, R
E
i sursa de tensiune continu V
CC
, mrimile
electrice (I
BQ
, I
CQ
, I
EQ
, U
BEQ
, U
CEQ
, U
CBQ
) ce caracterizeaz p.s.f. Q al tranzistorului bipolar, fixat n
regiunea activ normal a caracteristicilor statice de ieire, satisfac ecuaiile:
E E BE B B CC
I R U I R V + + = , (2.3.1)
E E CE C C CC
I R U I R V + + = , (2.3.2)
CB C C B B
U I R I R + = , (2.3.3)
I
C max
I
C
U
CE
U
CE0
0
I
B
= ct
T
a
= 25 C
o
Aria
de functionare
in siguranta (AFS)
P
max


24
( )
0 CB N B N C
I 1 I I + + = . (2.3.4)
Considernd
N
>> 1 i R
E

N
>>R
B
, se obine expresia simplificat a curentului de colector de forma
( )
E
0 CB E B BE CC
C
R
I R R U V
I
+ +
. (2.3.5)
n aceste condiii, curentul de colector devine independent de parametrul static
N
.
Rezistorul R
E
asigur o reacie negativ serie de curent, prin intermediul creia se stabilizeaz
p.s.f. al tranzistorului. Astfel, orice tendin de modificare a curentului de colector este imediat sesizat
la intrarea circuitului i determin modificarea n sens opus a curentului de baz i a tensiunii baz-
emitor; aceste dou mrimi comand revenirea curentului de colector la valoarea iniial.

2.4. Modele de semnal mic

n cele mai multe circuite de procesare a semnalelor analogice, tranzistoarele bipolare
funcioneaz n regim de variaii mici, n jurul unui punct Q de repaus, din regiunea activ normal.
Poate fi stabilit un model liniar al tranzistorului bipolar, valabil pentru variaii mici i lente ale
diferitelor mrimi electrice, n jurul valorilor de regim static.
Regimul variabil de semnal mic este regimul variabil al tranzistorului bipolar, n care este
ndeplinit condiia de semnal mic :
T be
U u i
T bc
U u . (2.4.1)
n inegalitile de mai sus, apar variaiile tensiunilor U
BE
i U
BC
ale tranzistorului. Condiia de semnal
mic este aceeai indiferent de conexiunea dispozitivului.

a) Modelul cu parametri hibrizi
Pentru descrierea comportrii tranzistorului bipolar la variaii mici, de frecvene joase, este
preferat modelul cu parametri hibrizi. La frecvene joase, toi parametrii hibrizi au valori independente
de frecven. Modelul cu parametri hibrizi este reprezentat n fig. 2.4.1.b i corespunde reprezentrii
dispozitivului ca un cuadripol (fig. 2.4.1.a).







a. b.
Fig. 2.4.1. a. Cuadripolul asociat TB n regim variabil de semnal mic i frecvene joase.
b. Modelul general cu circuit echivalent, cu parametri hibrizi
Relaiile care definesc acest model sunt urmtoarele :
2 12 1 11 1
u h i h u + = , (2.4.2)
2 22 1 21 2
u h i h i + = . (2.4.3)
Curentul de intrare i tensiunea de ieire sunt variabilele independente, iar tensiunea de intrare i
curentul de ieire sunt variabilele dependente.
Mrimile
ij
h cu 2 , 1 j , i = reprezint parametrii dinamici de semnal mic ai tranzistorului bipolar,
numii parametri hibrizi, ntruct au semnificaii diferite (rezisten, conductan, adimensionali).
Valorile parametrilor hibrizi sunt diferite de la o conexiune la alta a TB, pentru acelai p.s.f. i la
aceeai temperatur. Pentru a distinge cele trei seturi de valori ale parametrilor hibrizi, ce
i
2
u
1
u
2
2
2
'
1
1
'
TB
i
1
2 1
u
1
i
2
i
1
h
21
i
1
h
12
u
2
h
11
h
22
u
2
1
2

25
caracterizeaz acelai TB, n aceleai condiii de msurare, se ataeaz acestora un indice suplimentar:
ije
h pentru conexiunea EC,
ijb
h conexiunea BC,
ijc
h pentru conexiunea CC. Parametrii hibrizi ai
tranzistorului bipolar, pentru o anumit conexiune, depind de datele tehnologice ale tranzistorului, de
p.s.f. ales i de temperatur. De exemplu, pentru un tranzistor bipolar tip NPN, cu codul BC 171C, n
p.s.f. mA 2 I
CQ
= , V 5 U
CEQ
= i la C 25 T
o
a
= , valorile parametrilor
ije
h sunt urmtoarele:
= k 7 , 8 h
e 11
;
4
e 12
10 3 h

= ; 675 h
e 21
= ;
1 5
e 22
10 6 h

= .
Dac
e 12
h i
e 22
h au valori foarte mici i poate fi neglijat rezistena 1/h
22e
n raport cu
rezistena extern conectat ntre C i E, tranzistorul poate fi nlocuit cu modelul hibrid simplificat,
obinut considernd 0 h
e 12
= i 0 h
e 22
= .

b) Modelul natural n
Elaborarea modelului natural n , denumit i modelul Giacoletto, s-a bazat pe analiza
proceselor fizice care se petrec ntr-un TB, n regim de variaii mici n jurul unui p.s.f. din regiunea
activ normal a caracteristicilor statice de ieire. Acest model de semnal mic, este prezentat n fig.
2.4.2, pentru TB n conexiunea EC. Aceeai structur poate fi utilizat i pentru descrierea comportrii
tranzistorului n conexiunile BC i CC, n orice domeniu de frecvene: joase, medii sau nalte.









Fig. 2.4.2. Modelul natural n al TB n conexiunea EC

La frecvene joase (domeniu n care poate fi neglijat efectul celor dou capaciti interne
e b
C

,
c b
C

), modelul Giacoletto va conine numai elementele de natur rezistiv (
b b
r

,
e b
r

,
c b
r

,
ce
r ) i este
echivalent cu modelul cu parametri hibrizi, al TB n conexiune EC. Pe baza acestei echivalene, se pot
determina, prin calcul, rezistenele modelului Giacoletto n funcie de parametrii
ije
h cu 2 , 1 j , i = .
Pentru valorile parametrilor hibrizi menionate mai sus, s-au obinut
e b
r

= k 65 , 8 ,
b b
r

= 50 ,
c b
r

= M 833 , 28 ,
ce
r = k 32 , 27 . n aceleai condiii, s-au obinut
m
g = V / mA 78 ,
e b
C

= pF 312 i
c b
C

= pF 45 , 0 . De cele mai multe ori, efectele rezistenelor
c b
r

i
ce
r se neglijeaz.

2.5. Caracteristici generale ale amplificatoarelor de semnal mic

ntr-un amplificator de semnal mic, se presupune ndeplinit condiia de semnal mic pentru
toate tranzistoarele. Performana funcional i rezistenele de intrare i de ieire reprezint
caracteristicile eseniale ale amplificatoarelor de semnal mic. Din caracteristicile de frecven ale
performanei funcionale, se extrag amplificarea n band i banda de trecere.

a) Caracteristici de regim armonic permanent
Amplificatoarele de semnal mic sunt circuite electronice liniare care nu modific forma
semnalului amplificat. n domeniul frecven, pentru descrierea comportrii amplificatorului n regim
B
u
be
u
ce
E
i
b
u
be
r
bb
B C
E
r
be
C
be
C
bc
r
bc
g
m
u
be
r
ce
i
c

26
armonic permanent, se folosete amplificarea complex ( A), definit ca raportul amplitudinilor
complexe ale semnalelor de ieire i de intrare, sau funcia de transfer A(s) (cu s = j i =2f),
definit ca raportul transformatelor Laplace ale semnalelor de ieire i de intrare (condiii iniiale nule):
i
o
X
X
A = sau ( )
( )
( ) s X
s X
s A
i
o
= . (2.5.1)
Funcia de transfer n frecven poate fi exprimat prin modulul A() i faza ():
( ) ( ) ( ) ( )
( )
= + = =
j
e A jQ P j A A . (2.5.2)
Amplificatoarele de semnal mic reale au caracteristici de frecven care difer de acelea ale
amplificatorului ideal: modulul amplificrii are o poriune de nivel maxim i aproape constant pe un
domeniu limitat de frecvene (fig. 2.5.1), iar faza amplificrii este o funcie neliniar de frecven.










Fig. 2.5.1. Caracteristica modul-frecven a amplificatorului real de c.a.

Pe caracteristica modulului amplificrii (fig. 2.5.1), sunt evideniai doi parametri importani
pentru caracterizarea comportrii amplificatoarelor de semnal mic n regim armonic permanent i
anume: amplificarea n band (A
0
), i banda de frecvene de trecere (B).
Amplificarea n band reprezint valoarea maxim a modulului amplificrii n banda de frecvene
de trecere (notaia general, A
0
).
Banda de frecvene de trecere, B, definit ca domeniul de frecvene cuprins ntre frecvena limit
inferioar (sau limit de jos)
j
f i frecvena limit superioar (sau limit de sus)
s
f . Cele dou
frecvene caracteristice sunt definite prin relaiile:
( )
707 , 0
A
j A
0
j
=

i
( )
707 , 0
A
j A
0
s
=

. (2.5.3)
Banda de frecvene de trecere a unui amplificator de c.c. este determinat de frecvena limit
superioar (
s
f B= ntruct 0 f
j
= ), iar n cazul unui amplificator de c.a.,
j s
f f B = .
Produsul amplificare-band, P, este o caracteristic a amplificatorului, definit de produsul dintre
amplificarea n band i banda de trecere:
( )
j s 0 0
f f A B A P = = , pentru amplificatoarele de c.a.; (2.5.4)
s 0 0
f A B A P = = , pentru amplificatoarele de c.c. (2.5.5)
Amplificatoarele pot fi de tip neinversor sau inversor, dup cum A
0
=A
0
sau A
0
= A
0
. n banda de
trecere, semnalul de ieire va fi n faz cu semnalul de intrare n cazul amplificatoarelor
neinversoare, sau defazat cu 180
0
n amplificatoarele inversoare.




27
b. Reprezentarea tip cuadripol a amplificatorului
Un amplificator poate fi reprezentat ca un cuadripol, la intrarea cruia se aplic un generator de
curent sau de tensiune, cu impedana intern
s
Z , iar la ieire se conecteaz o impedan de sarcin
(
L
Z ), ca n fig. 2.5.2.a sau b. Amplificatorul se comport fa de sarcin ca o surs echivalent de
tensiune sau de curent (comandat de semnalul de intrare), cu impedana intern
o
Z . n banda de
frecvene de trecere a amplificatorului, impedanele devin rezistene, curenii i tensiunile se noteaz ca
valori instantanee (
o i o i s
i , i , u , u , u etc.) iar performana funcional a circuitului (amplificarea de
tensiune, amplificarea de curent, rezistena de transfer sau conductana de transfer) este un numr real.














Fig. 2.5.2. Reprezentarea tip cuadripol a amplificatorului cu: a. surs de tensiune la intrare;
b. surs de curent la intrare

n banda de trecere, principalele performane ale unui amplificator sunt urmtoarele:
rezistena de intrare,
i
i
i
i
u
R = ; (2.5.6)
rezistena de ieire,
0 u
o
o
o
s
i
u
R
=
= sau
0 i
o
o
o
s
i
u
R
=
= ; (2.5.7)
amplificarea de tensiune,
i
o
0 U
u
u
A = ; (2.5.8)
amplificarea de curent,
i
o
0 I
i
i
A = . (2.5.9)
Pentru performanele funcionale A
U
i A
I
se mai definesc
amplificarea de tensiune cu ieirea n gol,

=
L
R
i
o
0 u
u
u
A , (2.5.10)
amplificarea de curent cu ieirea n scurtcircuit,
28
0 R
i
o
0 i
L
i
i
A
=
= . (2.5.11)
Ctigul unui amplificator este amplificarea exprimat n uniti logaritmice (decibeli). De
exemplu, ctigul n tensiune, G
U
, exprim amplificarea de tensiune n uniti logaritmice, prin relaia
[ ]
U U
A lg 20 dB G = . (2.5.12)
Dac pentru un amplificator se cunosc rezistena de intrare, rezistena de ieire i performana
funcional cu ieirea n gol sau n scurtcircuit, se poate deduce circuitul echivalent al amplificatorului.
n cele ce urmeaz vor fi prezentate circuitele echivalente ale amplificatorului de tensiune i
amplificatorului de curent.
Circuitul echivalent al unui amplificator de tensiune
Mrimile reprezentative ale unui amplificator de tensiune sunt
i
u i
o
u , iar la intrarea circuitului
se conecteaz un generator de tensiune. Amplificatorul se comport fa de sarcin tot ca un
generator de tensiune, cu tensiunea de ieire de mers n gol
i 0 u
u A i cu rezistena intern
o
R .
Circuitul echivalent al amplificatorului este dat n figura 2.5.3. Amplificarea global de tensiune a
circuitului are expresia
s i
i
o L
L
0 u
s
o
s 0 u
R R
R
R R
R
A
u
u
A
+

+
= = . (2.5.14)
Pentru a avea un transfer optim (maxim) n tensiune de la generatorul de semnal la amplificator
trebuie ca
s i
R R >> . Pentru ca transferul n tensiune de la amplificator la rezistena de sarcin s
fie optim trebuie ca
L o
R R << . n concluzie, rezistenele de intrare i de ieire ale unui
amplificator de tensiune trebuie s satisfac aceste dou inegaliti.









Fig. 2.5.3. Circuitul echivalent al amplificatorului de tensiune








Fig. 2.5.4. Circuitul echivalent al amplificatorului de curent

Circuitul echivalent al unui amplificator de curent
Mrimile reprezentative ale unui amplificator de curent sunt
i
i i
o
i , iar la intrarea circuitului
se conecteaz un generator de curent. Amplificatorul se comport fa de sarcin tot ca un
2 1
A
u0
u
i
1
2
R
L
R
O
R
I
u
o
u
s
R
s
u
i

2 1
A
i0
i
i
1
2
R
L
i
o
R
O R
s
R
I
i
s
i
i

29
generator de curent, cu curentul de ieire de scurtcircuit
i 0 i
i A i cu rezistena intern
o
R .
Circuitul echivalent este dat n fig. 2.5.4. Amplificarea global de curent a circuitului are
expresia
s i
s
o L
o
0 i
s
o
s 0 i
R R
R
R R
R
A
i
i
A
+

+
= = . (2.5.15)
Pentru a avea un transfer optim n curent de la generatorul de semnal la amplificator trebuie ca
s i
R R << . Pentru ca transferul n curent de la amplificator la rezistena de sarcin s fie maxim
trebuie ca
L o
R R >> . n concluzie, rezistenele de intrare i de ieire ale unui amplificator de
curent trebuie s satisfac ultimele dou inegaliti.

2.6. Circuite cu tranzistoare bipolare

2.6.1. Amplificatoare de semnal mic

Caracteristica general a tuturor amplificatoarelor de semnal mic este nivelul mic al semnalului
de ieire (n comparaie cu valoarea absolut maxim pe care ar putea s-o ating) i ndeplinirea
condiiei de semnal mic pentru toate dispozitivele active din structur.
n circuitele echivalente ale acestor amplificatoare intervin dou categorii de capaciti: cele de
cuplare i de decuplare (cu valori F 100 ... F ), respectiv capacitile interne ale dispozitivelor
active i capacitile parazite (cu valori pF 100 ... pF ). Valorile mult diferite ale acestor dou
catagorii de capaciti fac ca ele s nu influeneze simultan rspunsul n frecven al amplificatorului.
Comportarea n frecven a circuitului este de tip filtru trece band. La frecvene joase, rspunsul
amplificatorului este dictat de capacitile sale de cuplare sau de decuplare (cele interne sau parazite se
comport ca nite ntreruperi de circuit), iar rspunsul la frecvene nalte este determinat de capacitile
interne ale dispozitivelor active (capacitile de cuplare sau decuplare se comport ca nite
scurtcircuite). Circuitul echivalent pentru domeniul frecvenelor medii nu conine capaciti (cele de
cuplare sau decuplare sunt nlocuite cu scurtcircuite, iar cele interne - cu ntreruperi de circuit). Ca
urmare, studiul comportrii n frecven se va realiza pe trei circuite echivalente diferite, pentru
frecvene joase, medii, respectiv nalte.
Se va analiza comportarea la frecvene medii a unui amplificator de semnal mic, realizat cu un
tranzistor bipolar n conexiune emitor comun (semnalul de intrare se aplic pe baz, iar cel de ieire se
culege din colector). Schema de principiu a circuitului este dat n fig. 2.6.1. Tensiunea sinusoidal
aplicat de la generator provoac variaii sinusoidale ale potenialului bazei i curentului de baz, n
jurul nivelurilor de c.c. Datorit amplificrii n curent a TB, variaia curentului de baz are ca efect o
variaie mai mare a curentului de colector, n acelai sens. Variaia curentului de colector provoac
variaia n sens opus a tensiunii colector-emitor. TB este polarizat n regim activ normal, iar din
circuitul echivalent n curent continuu se poate determina punctul static de funcionare. Rezistena din
emitor asigur o reacie negativ n curent continuu, stabilizndu-se astfel p.s.f. al tranzistorului.
Prin capacitatea
1
C se cupleaz generatorul de semnal la intrarea amplificatorului, iar prin
capacitatea
3
C se cupleaz rezistena de sarcin
5
R la ieirea circuitului. La frecvene medii i nalte,
capacitatea
2
C decupleaz (scurtcircuiteaz) rezistena
4
R , eliminnd efectul reaciei negative. n
regim dinamic, punctul +V
CC
de potenial constant este conectat la masa montajului.
Circuitul echivalent la frecvene medii (fig. 2.6.2) se obine nlocuind capacitile de cuplare
(C
1
, C
3
) i de decuplare (C
2
) cu scurtcircuite i tranzistorul cu modelul su (simplificat) pentru
frecvene medii. S-a folosit notaia R
B
= R
1
//R
2
. Pe baza acestui circuit se calculeaz urmtoarele
performane ale amplificatorului:
30
( )
e b b b 12
b
be
i
i
i
r r // R
I
U
I
U
R

+ = = = , (2.6.1)
ce 3
0 U
c
o
o
r // R
I
U
R
s
= =
=
, (2.6.2)
( )
i s
i
0 U
s
i
e b b b
e b 5 3 ce m
s
i
i
o
s
o
0 US
R R
R
A
U
U
r r
r R // R // r g
U
U
U
U
U
U
A
+
=
+

= = =


, (2.6.3)
( ) ( )
( )
5 3 m
e b b b
5 3 ce 0
e b b b
e b 5 3 ce m
0 U
R // R g
r r
R // R // r
r r
r R // R // r g
A
+

=
+

=


. (2.6.4)












Fig. 2.6.1. Schema de principiu a unui amplificator de semnal mic cu TB n conexiunea EC









Fig. 2.6.2. Circuitul echivalent simplificat al amplificatorului pentru frecvene medii

Discuie
Pentru aceeai valoare a rezistenei de sarcin i considernd generatorul de semnal de la intrare
ideal, performanele amplificatoarelor realizate cu acelai tranzistor bipolar n conexiune EC, BC sau
CC sunt diferite. Dintre concluziile unei analize comparative, pot fi menionate urmtoarele:
rezistena R
i
are valoarea cea mai mic (zeci de ohmi) pentru conexiunea BC, valoarea cea mai
mare (sute de k) pentru conexiunea CC i o valoare moderat (k) pentru conexiunea EC.
rezistena R
o
are cea mai mic valoare (ohmi) pentru conexiunea CC, o valoare foarte mare (sute de
k) pentru conexiunea EC i cea mai mare valoarea (M) pentru conexiunea BC.
amplificatoarele cu TB n conexiune BC i CC sunt neinversoare, iar cel cu TB n conexiune EC
este inversor.
etajele cu tranzistoare n conexiunile EC i CC realizeaz amplificri de curent (n modul), de
valori mari (150200). La conexiunea BC,
0 I
A este subunitar i apropiat de 1.


31
amplificri de tensiune (n modul) de valori mari (150200) pot fi obinute n etajele realizate cu
tranzistoare n conexiunile EC i BC. La conexiunea CC,
0 U
A este subunitar i apropiat de 1,
motiv pentru care etajul de amplificare se numete repetor pe emitor.

2.6.2. Amplificatoare de putere

n principiu, structura intern a unui amplificator integrat conine etajul de intrare, etaje
intermediare i etajul de ieire (final). Etajul de intrare asigur o bun adaptare n impedan la intrarea
amplificatorului i are adesea dou borne calde de intrare i o singur born cald de ieire. Etajele
intermediare au ca funcie principal amplificarea. Etajul de ieire (amplificator de semnal mare sau de
putere) trebuie s asigure puterea util n sarcin, n condiiile unui nivel acceptabil de distorsionare a
semnalului de ieire, dar trebuie s asigure i o adaptare optim n impedan la ieirea amplificatorului
(ceea ce presupune o impedan de intrare foarte mare i o impedan de ieire foarte mic, dac este
un amplificator de tensiune). Alte cerine impuse etajului de ieire al unui amplificator sunt band de
frecvene ct mai mare i consum redus de putere n absena semnalului de intrare.
Etajele de ieire sunt amplificatoare de semnal mare, motiv pentru care analiza i proiectarea se
realizeaz pe baza modelelor obinute prin liniarizarea pe poriuni a caracteristicilor statice ale
dispozitivelor active. Structura i performanele unui etaj de ieire sunt determinate de clasa de
funcionare a dispozitivelor active care asigur nivelul dorit al curentului prin sarcin. Dac se
consider un semnal de intrare sinusoidal, se pot defini mai multe clase de funcionare pentru
amplificatoarele de semnal mare (A, AB, B, C), n funcie de zona caracteristicilor statice n care se
plaseaz p.s.f. ale dispozitivelor active, pe durata T a unei perioade a semnalului de intrare.
La un amplificator de putere clas A, prin dispozitivul activ circul un curent diferit de zero pe
durata T; aceste circuite sunt caracterizate prin distorsiuni neliniare foarte mici i un randament
redus (15 20%), fiind recomandate pentru asigurarea unor puteri utile reduse.
Clasele AB i B de funcionare presupun utilizarea unor dispozitive active pereche, comandate n
contratimp. Amplificatoarele n aceste clase au un randament ridicat (60 75%) i distorsioneaz
puin semnalul, fiind utilizate n amplificatoare de putere medie i mare.
Clasa C de funcionare se folosete n amplificatoarele de radiofrecven, iar clasa D (cu randament
peste 95%) presupune funcionarea dispozitivelor active n regim de comutaie.
Amplificatorul de putere n clas B conine dou repetoare pe emitor, realizate cu dou
tranzistoare complementare, care funcioneaz n contratimp; aceasta determin o putere mic disipat
pe dispozitive n regim de repaus. Schema de principiu a circuitului este dat n fig. 2.6.3.a. Etajul are
alimentare simetric, asigurat de dou surse de tensiune continu:
CC
V + i
CC
V . Tranzistoare sunt
n conexiune CC i sunt cuplate cu bazele mpreun i cu emitorii mpreun. Cele dou dispozitive
active conduc alternativ, aproape cte o jumtate de perioad fiecare, iar n absena semnalului de
intrare
i
u sunt blocate. Tensiunea aplicat la intrare se distribuie pe
BE
j a fiecrui tranzistor i pe
rezistena de sarcin
L
R . Considernd tranzistoarele mperecheate, tensiunile de deschidere ale
BE
j
au aceeai valoare ( V 6 . 0 ... 55 , 0 U U U
BEon on , 2 EB on , 1 BE
= = = ) i tensiunile de saturaie de asemenea
( V 2 , 0 U U U
CEsat sat , 2 EC sat , 1 CE
= = ). Cnd
BEon i
U u , ambele tranzistoare sunt blocate, ceea ce
determin o zon de insensibilitate (situat n jurul originii) pe caracteristica static de transfer a
circuitului (fig. 2.6.3.b). Tranzistoarele T1 i T2 funcioneaz n contratimp, astfel:
n alternana pozitiv a tensiunii
i
u , T1 conduce pn la saturaie, n timp ce T2 este blocat;
n alternana negativ a tensiunii
i
u , T2 conduce pn la saturaie, n timp ce T1 este blocat.

32












a. b.
Fig. 2.6.3. Amplificator de putere n clas B:
a. Schema de principiu; b. Caracteristica static de transfer

Dup intrarea n saturaie a oricruia dintre tranzistoare, tensiunea de ieire se limiteaz la o
valoare al crei modul este
CC CEsat CC max O
V U V U = (2.6.5)
i este mai mic dect tensiunea de intrare corespunztoare. Pe caracteristica static de transfer (fig.
2.6.3.b),
max O O
U U = ct timp T1 este saturat, respectiv
max O O
U U = cnd T2 este saturat. Dac
amplitudinea tensiunii sinusoidale de intrare nu depete nivelul
max O
U , curentul prin rezistena de
sarcin este tot sinusoidal, cu excepia zonei de trecere prin zero, n care apar distorsiunile de trecere
(determinate de zona de insensibilitate de pe caracteristica static de transfer). Eliminarea distorsiunilor
de trecere se asigur prin folosirea clasei AB de funcionare.
Randamentul maxim al amplificatorului se definete cu relaia
[ ]
abs
max u
max
P
P
100 % = , (2.6.6)
n care
max u
P este puterea util maxim, iar
abs
P este puterea absorbit de cele dou tranzistoare de la
sursele de alimentare. La amplificatorul n clas B, valoarea maxim a puterii utile n sarcin este

2
I V
2
I U
P
max O CC max O max O
max u
= . (2.6.7)
n timpul unei perioade a semnalului de intrare, fiecare tranzistor absoarbe putere de la una din surse,
curentul mediu prin dispozitiv fiind / I
max O
. Ca urmare,

max O CC abs
I V
2
P

= . (2.6.8)
Valoarea maxim teoretic, rezultat pentru randament, este % 5 , 78 4 / 100
max
= = .

2.6.3. Surse de curent

Circuitul echivalent al unei surse de curent constant este acelai cu al generatorului de curent din
fig. 2.5.4, mrimile caracteristice fiind curentul de ieire de scurtcircuit (
S
I ) i rezistena intern sau
de ieire a sursei (
o
R ); sunt de dorit valori ct mai mari ale acestei rezistene. Sursele de curent
constant (realizate cu tranzistoare bipolare sau unipolare) au o mare diversitate de configuraii i sunt
u
o
o
o
o
o
o
o o
R
L
u
i
+V
CC
T
1
T
2
-V
CC
i
o

U
BEon
-U
BEon
U
I
U
O
U
Omax
-U
Omax
0

33
frecvent ntlnite n circuitele integrate analogice. Utilizarea surselor de curent pentru polarizarea
tranzistoarelor asigur stabilizarea p.s.f., prin reducerea sensibilitii curentului prin tranzistor la
variaiile tensiunilor surselor de alimentare i temperaturii. n regim dinamic, circuitul echivalent al
sursei de curent constant se reduce la rezistena de ieire, motiv pentru care aceste circuite se folosesc
ca sarcini active pentru etajele de amplificare de c.a., n care substituie rezistene convenionale de
valori ridicate. Procedndu-se astfel, se obin valori mari ale modulului amplificrii de tensiune, pentru
valori rezonabil de mici ale tensiunilor de alimentare.
Pentru aprecierea performanei unei surse de curent constant, ca subcircuit al unei structuri
analogice integrate, se folosesc trei parametri de performan, care permit evaluarea influenei
variaiilor sarcinii sursei, temperaturii i tensiunii de alimentare asupra curentului de ieire I
O
.















Fig. 2.6.4. Sursa standard de curent

De exemplu, configuraia sursei standard de cureni mari (ordinul mA, n circuitele integrate
analogice) este cea din fig. 2.6.4. P.s.f. al tranzistorului amplificator T
2
, n conexiune EC, plasat n
regiunea activ normal a caracteristicilor statice de ieire, este fixat de curentul I
REF
, care circul prin
ramura ce conine T
1
, conectat ca diod (jonciunea baz-colector scurtcircuitat):
2 1
CC
2 1
1 BE CC
REF
R R
V
R R
U V
I
+

= . (2.6.9)
Expresia aproximativ se bazeaz pe satisfacerea condiiei V
CC
>> U
BE1
. n ipoteza diferenelor mici
dintre tensiunile baz-emitor ale celor dou TB, se poate scrie egalitatea

3 C 2 REF
R I R I = . (2.6.10)
Factorul de transfer n curent al sursei este
3
2
REF
C
REF
O
I
R
R
I
I
I
I
K = = = . (2.6.11)
Prin urmare, valoarea factorului K
I
este stabilit de raportul rezistenelor din emitorii tranzistoarelor T
1

i T
2
. Pe baza relaiilor anterioare, se obine expresia curentului de ieire al sursei (curentul de colector
al tranzistorului T
2
):
2 1
1 BE CC
3
2
REF
3
2
C
R R
U V
R
R
I
R
R
I
+

= = . (2.6.12)

34
Acest curent fiind independent de rezistena de sarcin a sursei (R
C
) i de parametrii i caracteristicile
tranzistoarelor, nu i schimb valoarea la nlocuirea dispozitivelor semiconductoare cu altele de
acelai tip sau la schimbarea rezistenei de sarcin.
Rezistena de ieire a sursei de curent este definit de relaia
ct T , ct V
C
CC
o
CC
I
V
R
= =

=
,
(2.6.13)
se determin dintr-un circuit echivalent n regim de variaii mici, iar valorile obinuite sunt de ordinul
sutelor de k.



- - - - - * - - - - -




35


3. TRANZISTOARE UNIPOLARE

Tranzistoarele unipolare sau cu efect de cmp sunt unele dintre cele mai importante dispozitive
semiconductoare active i componente ale circuitelor integrate analogice i numerice. Pentru aceste
tranzistoare, sunt folosite acronimele TU i FET (Field Effect Transistor) sau TEC (Transistor Effet
de Champ, respectiv Tranzistor cu Efect de Cmp).
Un tranzistor unipolar reprezint o cale semiconductoare de curent, cu conductan comandat
de un cmp electric extern. Calea de curent, numit canal, este un semiconductor omogen (de tip N sau
de tip P), la ale crui capete sunt sudai doi electrozi numii surs (S ) i dren ( D). Prin canal circul
curentul de dren (
D
I ) i acesta este asigurat prin deplasarea unui singur tip de purttori mobili de
sarcin, motiv pentru care tranzistorul se numete unipolar. n funcionare, FET-urile se comport,
ntre dren i surs, fie ca un rezistor cu rezisten comandat, fie ca o surs comandat de curent,
comanda efectundu-se prin tensiunea aplicat ntre electrodul de comand (numit gril ( G ) sau
poart) i sursa tranzistorului. FET-urile sunt realizate pe un substrat semiconductor din siliciu, numit
baz (B). Dup modul de realizare a canalului, rezult dou familii de tranzistoare unipolare:
a) FET-uri cu gril jonciune (JFET sau TECJ), la care canalul este realizat n volumul substratului
semiconductor,
b) FET-uri cu gril izolat (IGFET sau MISFET), la care canalul este realizat la suprafaa substratului
semiconductor, adic apare o structur metal(M)izolator(I)semiconductor(S); dac izolatorul este
bioxidul de siliciu, acronimul folosit este MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect
Transistor) sau TECMOS.
Sensul convenional de circulaie a purttorilor mobili de sarcin prin canal este de la surs spre dren,
pentru toate FET-urile. Indiferent de familie, semiconductorul canalului i acela al substratului sunt de
tip opus. La baza funcionrii FET-urilor se afl efectul de cmp.
Efectul de cmp const n controlul curentului de dren al tranzistorului, prin cmpul electric
aplicat regiunilor de trecere ale jonciunilor unui JFET sau structurii MOS a unui tranzistor cu grila
izolat. La un JFET, curentul de dren este controlat prin grosimea efectiv a canalului, n timp ce la
un MOSFET prin grosimea efectiv a canalului i prin concentraia purttorilor majoritari din canal.
Cele mai importante proprieti ale FET-urilor, care justific larga rspndire a acestor
tranzistoare, sunt urmtoarele:
dimensiuni fizice mici n tehnologie integrat, comparativ cu tranzistoarele bipolare, motiv pentru
care FET-urile sunt preferate pentru obinerea unor densiti mari de integrare;
n anumite condiii de polarizare, se comport, ntre surs i dren, ca o rezisten controlat n
tensiune; astfel, un FET poate substitui o rezisten variabil convenional, care presupune
elemete n micare;
prezint o rezisten de intrare foarte mare i o capacitate de intrare foarte mic, ceea ce
recomand aceste tranzistoare ca elemente de memorare, n circuitele numerice

3.1. Tranzistoare unipolare cu gril jonciune

O seciune transversal prin structura unui JFET cu canal N este prezentat n fig. 3.1.1.a. Pe un
suport semiconductor puternic dopat de tip P
+
, numit substrat sau baz, se obin, succesiv, regiunea
canalului de tip N i regiunea grilei de tip P
+
. La un JFET cu canal P, substratul i regiunea grilei sunt
semiconductoare de tip N
+
(fig. 3.1.1b). Contactele ohmice ale sursei ( S ) i drenei ( D) se fixeaz la
capetele canalului.

36

Fig. 3.1.1. Seciune transversal prin structur: a. JFET cu canal N; b. JFET cu canal P
Fig. 3.1.2. Simboluri grafice: a. JFET cu canal N; b. JFET cu canal P

Tranzistoarele unipolare cu gril jonciune au trei sau patru terminale. n cazul dispozitivelor cu
trei terminale, utilizatorul nu are acces la substratul tranzistorului (baza este conectat la gril, prin
construcie). Simbolurile folosite n reprezentarea grafic a celor dou tipuri de JFET-uri (canal N i
canal P), cu trei i, respectiv, cu patru terminale, sunt date n fig. 3.1.2. Linia continu dintre dren i
surs, din simbolul grafic al unui JFET, calific aceste tranzistoare ca dispozitive normal deschise la
0 U
GS
= , ntruct electrozii sursei i drenei sunt legai prin canalul semiconductor. Sgeata indic
sensul curentului direct prin jonciunile gril-canal i baz-canal.
Structura unui JFET conine dou jonciuni PN (jonciunea gril-canal i jonciunea canal-
substrat) ale cror regiuni de trecere delimiteaz partea activ a componentei (grosimea efectiv a
canalului - zon prin care circul purttorii mobili de sarcin). Lrgimile regiunilor de trecere sunt
foarte sensibile la tensiunea de polarizare invers a jonciunilor. Ca urmare, un control eficient al
curentului de dren poate fi obinut numai dac cele dou jonciuni din structura tranzistorului sunt
polarizate invers. Trecerea curentului prin canal este asigurat prin polarizarea corespunztoare a
drenei, n raport cu sursa. La temperaturi normale de lucru, curentul de gril este neglijabil ( 0 I
G
) i
D G D S
I I I I + = . Curentul de gril, extrem de redus, asigur nu numai o comand avantajoas din
SiO
2
S
B
G D
canal N
substrat P
+
P
+
SiO
2
S
B
G D
canal P
substrat N
+
N
+
a.
b.
a.
b.
S
G
D
U
GS
U
DS
U
DG
I
D
S
G
D
B
S
G
D
U
DG
U
GS
U
DS
I
D
S
G
D
B

37
punctul de vedere al consumului de putere n circuitul de control al curentului de dren, ci i o
rezisten foarte mare ntre electrozii G i S ai tranzistorului. Polarizarea invers a jonciunilor
structurii se asigur aplicnd 0 U
GS
i 0 U
DS
, n cazul unui JFET cu canal N, respectiv 0 U
GS
i
0 U
DS
n cazul unui JFET cu canal P. Cu baza conectat la gril, cele dou jonciuni ale structurii
sunt conectate n paralel. Din acest motiv, n continuare, se va face referire la o singur jonciune,
anume jonciunea gril-canal, ce va fi notat
GC
j . Tensiunea
GC
U de polarizare invers a
GC
j variaz
n lungul canalului; ca urmare, lrgimea regiunii de trecere va crete de la surs ctre dren.
Pentru expunerea principiului de funcionare, vor fi analizate dou cazuri particulare de
polarizare i anume: 0 U
GS
(variabil) i 0 U
DS
= , respectiv
P GS
U U (constant) i 0 U
DS

variabil. Potenialul electric al sursei se consider cel de referin.
Dac 0 U
DS
= i 0 U
GS
variabil, regiunea de trecere a
GC
j va avea aceeai lrgime pe toat
lungimea canalului. ntruct 0 U
DS
= , se obine 0 I
D
= . Scderea tensiunii
GS
U va determina
reducerea grosimii efective a canalului, n mod uniform, pe toat lungimea lui. Tensiunea de prag,
notat
P
U , este tensiunea
GS
U la care canalul este obturat pe toat lungimea (cele dou regiuni de
trecere se unesc, grosimea efectiv a canalului anulndu-se). Tensiunea
P
U depinde de
temperatur i de datele tehnologice ale JFET-ului, iar pentru tranzistoarele de joas tensiune are
valori tipice de civa voli. Prin ajustarea tensiunii
GS
U de la zero la
P
U , conductana canalului
scade de la valoarea maxim (atins la 0 U
GS
= ), la zero (valoare atins la nchiderea canalului,
cnd
P GS
U U = ). ntre dren i surs, tranzistorul poate fi echivalat cu un rezistor cu rezisten
variabil (
VV
R ), comandat de
GS
U ,
VV
P
GS
0 VV
VV
G
1
U
U
1
R
R =

. (3.1.1)
Valabilitatea acestei relaii poate fi extins i la cazul tensiunilor
DS
U mici, cnd curentul de dren
crete liniar cu tensiunea dren-surs aplicat:
GS VV D
U G I = . (3.1.2)
Dac
P GS
U U (constant) i 0 U
DS
(variabil), nchiderea canalului se poate obine prin aciunea
combinat a tensiunilor
GS
U i
DS
U sau numai prin aciunea tensiunii
DS
U (dac 0 U
GS
= ). La
creterea tensiunii
DS
U , curentul
D
I va crete mai slab dect dependena liniar, datorit scderii
conductanei canalului. Pe msur ce canalul este parcurs de la surs pn la dren, tensiunea de
polarizare a
GC
j va scdea (de la
GS
U la
GD
U ). n acelai timp, grosimea efectiv a canalului se
va micora, anulndu-se n apropierea drenei, cnd
P GD
U U = ; n acel moment, curentul de dren
atinge valoarea maxim (se satureaz), corespunztoare tensiunii
GS
U aplicate. Tensiunea dren-
surs de nchidere a canalului (
DSP
U ), se atinge cnd
P GD
U U = i are expresia
P GS DSP
U U U = . (3.1.3)
Curentul care strbate canalul la 0 U
GS
= i
P DS
U U = este curentul nominal de saturaie,
DSP
U ; 0
GS
U
D DSS
I I
=
= . (3.1.4)
Curentul
DSS
I este un parametru static al tranzistorului a crui valoare ( mA ), specificat n foile
de catalog, depinde de temperatur i de datele tehnologice ale dispozitivului.

38
Dup nchiderea canalului (
DSP DS
U U ), curentul
D
I devine aproape independent de tensiunea
DS
U , iar regimul de funcionare se numete de saturaie n curent. Tranzistorul se comport ca o
surs comandat de curent, nivelul curentului fiind controlat prin tensiunea
GS
U :
2
P
GS
DSS D
U
U
1 I I

. (3.1.5)
Un JFET cu canal P are o comportare asemntoare, pentru aceleai condiii de funcionare.
Fenomenele care se petrec sunt aceleai ca la JFET-ul cu canal N, singurele diferene constnd n
polaritile opuse ale tensiunilor
GS
U i
DS
U i ale tensiunilor
P
U i
DSP
U , precum i n inversarea
sensului curentului
D
I .

3.2. Tranzistoare unipolare cu gril izolat

Tranzistoarele din aceast familie au grila metalic izolat de substratul semiconductor, printr-
un strat de bioxid de siliciu, de grosime foarte mic ( m 10 m 10
2 1


). Dup modul de realizare
a canalului, se disting: tranzistoare MOS cu canal indus i tranzistoare MOS cu canal iniial. La aceste
dispozitive, curentul de gril este mai mic de 10
5
ori i rezistena de intrare (ntre gril i surs) mai
mare de 10
5
ori dect la JFET-uri. Canalul i conducia curentului printr-un tranzistor MOS se
realizeaz la suprafaa substratului semiconductor. Controlul curentului de dren, exercitat de cmpul
electric aplicat structurii MOS, este realizat prin efectul variaiei concentraiei purttorilor majoritari
din canal i a grosimii efective a canalului. Pentru tranzistoarele acestei familii, se folosesc i
denumirile abreviate de tranzistor NMOS - pentru un tranzistor MOS cu canal N, i de tranzistor
PMOS - pentru acela cu canal P. Tehnologia circuitelor integrate CMOS utilizeaz componente MOS
complementare, adic perechi de componente NMOS i PMOS, cu caracteristici electrice identice.
Spre deosebire de componentele din dispozitive, structurile MOS din circuitele integrate actuale
prezint canale cu lungimi submicronice.

a) Tranzistoare MOS cu canal indus
La aceste dispozitive, canalul este format prin apariia stratului de inversie la suprafaa
substratului. Seciunile transversale prin structurile tranzistoarelor MOS cu canal indus N i P sunt date
n fig. 3.2.1.
Fig. 3.2.1. Seciuni transversale prin structurile tranzistoarelor MOS:
a. canal N indus; b. canal P indus

SiO
2
S
B
G D
substrat P
N
+
N
+
L
t
ox
a.
SiO
2
S
B
G D
substrat N
P
+
P
+
L
b.

39
Simbolurile grafice (fig. 3.2.2) evideniaz proprietatea c grila metalic este izolat de
substratul semiconductor, n care sunt realizate regiunile drenei i sursei. Linia ntrerupt dintre D i S,
din simbolul grafic al unui tranzistor MOS cu canal indus, calific aceste tranzistoare ca dispozitive
normal blocate la 0 U
GS
= , indiferent de valoarea i de polaritatea tensiunii
GS
U . La 0 U
GS
= ,
curentul
D
I este nul, ntruct nu exist canal, iar structura tranzistorului conine, ntre surs i dren,
dou jonciuni PN legate n serie i n opoziie. Sgeata din simbolul grafic indic sensul curentului
direct prin jonciunea baz-dren. La dispozitivele cu trei terminale, substratul este legat la surs, din
construcie.

Fig. 3.2.2. Simbolurile grafice ale tranzistoarelor MOS: a. canal N indus; b. canal P indus

La aplicarea tensiunii
GS
U , cmpul electric creat n stratul de oxid i n substrat, va trebui, mai
nti, s induc la interfaa oxid-substrat o zon de inversie, care constituie canalul (de acelai tip cu
semiconductorul regiunilor drenei i sursei). Tensiunea
P GS
U U = la care se induce canalul ntre
dren i surs se numete tensiune de prag; 0 U
P
, pentru tranzistoare NMOS, i 0 U
P
, pentru
tranzistoare PMOS. Dup formarea canalului, aplicarea unei tensiuni ntre dren i surs conduce la
apariia unui curent prin canal. Concentraia purttorilor mobili de sarcin din zona de inversie va
crete odat cu creterea tensiunii gril-surs, determinnd creterea conductanei canalului. Acest mod
de funcionare al tranzistoarelor MOS cu canal indus este cunoscut ca regim de mbogire. n cazul
tensiunilor
DS
U mici, calea curentului de dren poate fi modelat printr-o conductan variabil
VV
G ,
comandat prin tensiunea
GS
U , iar relaia dintre
D
I i
DS
U este liniar (ca la JFET). Creterea
tensiunii
DS
U are ca efect neuniformitatea concentraiei purttorilor majoritari din canal i a grosimii
zonei de inversie; valorile celor doi parametri scad n lungul canalului, odat cu micorarea tensiunii de
polarizare invers a jonciunii induse. Tensiunea dren-surs de nchidere a canalului,
DSP
U
(
P GS DSP
U U U = ), este tensiunea dren-surs la care canalul tranzistorului se obtureaz ntr-un
punct din apropierea drenei. Dac
DSP DS
U U > , lungimea canalului se reduce, prin extinderea regiunii
golite n interiorul canalului. Dup nchiderea parial a canalului, curentul de dren devine cvasi-
independent de tensiunea
DS
U (
D
I se satureaz):
( )
2
P GS D
U U
2
I

= ,
2 3 4
V / A 10 10

= . (3.2.1)

b) Tranzistoare MOS cu canal iniial
n fig. 3.2.3, sunt date seciunile transversale prin structurile tranzistoarelor MOS cu canal
iniial sau tehnologic, iar simbolurile grafice sunt cele din fig. 3.2.4. Acestea din urm evideniaz
proprietatea comun tranzistoarelor MOS, respectiv grila metalic izolat de substratul semiconductor
n care sunt realizate canalul i regiunile drenei i sursei. Linia continu dintre D i S , din simbolul
grafic al unui MOSFET cu canal iniial, calific aceste tranzistoare ca dispozitive normal deschise la
B
D
S
G
D
S
G
B
a.
D
S
G
D
S
G
b.

40
0 U
GS
= , ntruct regiunile sursei i drenei sunt legate printr-un canal semiconductor de acelai tip.
Sgeata din simbolul grafic indic sensul curentului direct prin jonciunea baz-dren.
Fig. 3.2.3. Seciuni transversale prin structurile tranzistoarelor MOS:
a. canal N iniial; b. canal P iniial

Spre deosebire de un tranzistor MOS cu canal indus, un tranzistor MOS cu canal iniial admite
tensiuni
GS
U de ambele polariti. Dac se consider comportarea tranzistorului cu grila
scurtcircuitat la surs ( 0 U
GS
= ), ca referin, pot fi stabilite dou regimuri de funcionare, numite
regimul de mbogire i regimul de srcire. n regim de mbogire, concentraia purttorilor
majoritari din canal crete odat cu evoluia tensiunii
GS
U , de polaritate opus aceleia a tensiunii
P
U
( 0 U
GS
, pentru tranzistor NMOS, i 0 U
GS
, pentru tranzistor PMOS). n regim de srcire,
concentraia purttorilor majoritari din canal scade, pe msur ce
GS
U se apropie de
P
U ( 0 U
GS
,
pentru tranzistor NMOS, i 0 U
GS
, pentru tranzistor PMOS). Atunci cnd
P GS
U U = , MOSFET-ul
va fi blocat (dispare practic calea de curent), iar 0 I
D
. Pentru un tranzistor NMOS, 0 U
P
, iar pentru
un tranzistor PMOS, 0 U
P
.

Fig. 3.2.4. Simbolurile grafice ale tranzistoarelor MOS: a. canal N iniial; b. canal P iniial;
c. Reprezentare simbolic simplificat

Pentru tensiuni
DS
U mici, canalul se comport ca o conductan variabil comandat de
tensiunea
GS
U , iar
D
I crete liniar cu
DS
U . Creterea tensiunii
DS
U conduce la micorarea tensiunii
GC
U i, implicit, la scderea concentraiei purttorilor majoritari din canal i a grosimii canalului, pe
msur ce canalul este parcurs de la surs la dren. Tensiunea dren-surs de nchidere a canalului,
SiO
2
S
B
G D
substrat N
P
+
P
+ P canal
b.
SiO
2
S
B
G D
substrat P
N
+
N
+ N canal
a.
L
D
S
G
D
S
G
c.
a.
B
D
S
G
D
S
G
B
D
S
G
D
S
G
b.

41
DSP
U (
P GS DSP
U U U = ), este tensiunea
DS
U la care canalul tranzistorului se obtureaz
punctiform, lng dren. Curentul care strbate canalul la 0 U
GS
= i
P DSP
U U = se numete
curent nominal de saturaie,
DSP
U ; 0
GS
U
D DSS
I I
=
= . (3.2.2)
Atunci cnd
DS
U depete
DSP
U , lungimea canalului se reduce, iar dup nchiderea parial
a canalului, curentul
D
I devine cvasi-independent de tensiunea
DS
U . Dependena ) U ( f I
GS D
= , poate
fi descris cu ajutorul relaiei (3.1.5) sau a relaiei echivalente (3.2.1).
La MOSFET-uri, valorile parametrilor statici
P
U ( V ) i
DSS
I ( mA ) depind de temperatur
i de datele tehnologice ale dispozitivului i sunt precizate n foile de catalog.

3.3. Modele de semnal mare

n funcie de relaia dintre
DS
U i
DSP
U , tranzistoarele unipolare cu canalul deschis pot
funciona n unul din urmtoarele regimuri:
atunci cnd
DSP DS
U U , se stabilete un regim cvasiliniar sau regim de conductan/rezisten
variabil comandat prin tensiunea
GS
U ; acest regim de funcionare este utilizat n divizoarele
active de tensiune, n circuitele de comand automat a amplificrii etc.;
atunci cnd
DSP DS
U U , se stabilete un regim activ sau regim de saturaie n curent, cnd
comportarea dispozitivului este aceea de surs de curent cvasiconstant, fixat de tensiunea
GS
U de
comand; acest regim de funcionare este utilizat n amplificatoarele liniare de semnale, n sursele
de curent etc.
Dac tranzistorul unipolar are canalul obturat pe toat lungimea, regimul de funcionare este un regim
de blocare sau de tiere a curentului de dren.
Fig. 3.3.1. Modele de semnal mare: a. regim cvasiliniar; b. regim activ

Modelele de semnal mare, cu circuit echivalent, sunt date n fig. 3.3.1.a i 3.3.1.b, pentru
regimul cvasiliniar, respectiv pentru regimul activ. n ambele modele, circuitul gril-surs este n gol
( 0 I
G
).

3.4. Conexiuni. Caracteristici statice

a) Conexiuni
Unui tranzistor unipolar i se poate asocia un cuadripol nereciproc. Fiecare electrod al
tranzistorului poate s fie borna comun a circuitelor de intrare i de ieire ale cuadripolului. Prin
urmare, tranzistorul unipolar poate fi conectat n trei moduri diferite i anume: conexiunea gril
comun ( GC), conexiunea surs comun ( SC) i conexiunea dren comun ( DC). Cele trei
conexiuni sunt reprezentate n fig. 3.4.1. De exemplu, la conexiunea surs comun (SC), borna sursei
G
S
D
S
U
DS
U
GS
I
D
b.
(U - U
P
)
2
GS

2
G
S
D
S
U
DS
U
GS
I
D
R
VV
a.

42
este comun circuitelor de intrare i de ieire ale cuadripolului, grila intr n circuitul de intrare, iar
drena aparine circuitului de ieire (fig. 3.4.1.b).
Fig. 3.4.1. Conexiunile tranzistorului unipolar: a. gril comun (GC); b. surs comun (SC);
c. dren comun (DC)

b) Caracteristici statice
Caracteristicile statice sunt reprezentri grafice ale relaiilor dintre curentul de dren i
tensiunile aplicate la bornele tranzistorului unipolar, n regim static. Aceste caracteristici pot fi
calculate din ecuaia curentului de dren sau ridicate experimental. n mod obinuit, cataloagele conin
caracteristicile statice ale tranzistorului n conexiunea SC. ntruct 0 I
G
, numai dou familii de
caracteristici statice prezint interes pentru un FET n conexiunea SC, respectiv:
familia caracteristicilor statice de ieire,
( )
ct T ; ct U ; ct U
DS D
a BS GS
U f I
= = =
= , (3.3.1)
familia caracteristicilor statice de transfer,
( )
ct
a
T ; ct
BS
U ; ct
DS
U
GS D
U f I
= = =
= . (3.3.2)
Fig. 3.4.2. Caracteristica static de transfer: a. JFET; b. MOSFET cu canal iniial;
c. MOSFET cu canal indus
c. b.
a.
I
D
I
D I
D
b.
I
D
b.
I
D
I
D
c.
I
D
I
D
a.
I
D
I
D
U
P
U
P
U
P
U
P
U
P
U
P

43
n fig. 3.4.2 a fost reprezentat cte o caracteristic static de transfer, pentru fiecare tip de FET
cu trei terminale, la temperatur i tensiune dren-surs (
DSP DS
U U ) constante.
n pofida diferenelor constructive ale acestor dispozitive, modelele simplificate arat o
comportare asemntoare a tranzistoarelor unipolare, n regim cvasiliniar sau activ; prin urmare,
caracteristicile statice de ieire vor avea forme asemntoare. Indiferent de tensiunea
DS
U , 0 I
D
=
cnd
P GS
U U = . De asemenea, exist o comportare simetric, n raport cu zona canalului, la tensiuni
DS
U mici. Pentru
DSP DS
U U , inversarea drenei cu sursa nu conduce dect la schimbarea sensului
curentului care strbate canalul.
Familia caracteristicilor statice de ieire, pentru un JFET cu canal N, n conexiunea SC, este
prezentat n fig. 3.4.3.a. n acest plan, curba
DSP
U reprezint frontiera dintre dou regiuni, ce
corespund celor dou regimuri de funcionare ale tranzistorului: regiunea ohmic sau cvasiliniar
( RO) n care dispozitivul se comport ca o rezisten controlat prin U
GS
, respectiv regiunea activ
( RA).
a. b.
Fig. 3.4.3. Familia caracteristicilor statice de ieire:
a. JFET cu canal N; b) MOSFET cu canal indus N

Pantele teoretice ale caracteristicilor din zona RO sunt date de conductanele
VV VV
R / 1 G =
(relaia 3.1.1). Teoretic, un JFET n regim activ se comport ca o surs ideal de curent, comandat
prin tensiunea U
GS
(relaia 3.1.5). Din caracteristicile experimentale, se observ o cretere uoar a
curentului de dren, odat cu creterea tensiunii U
DS
. La un JFET cu canal P, se schimb polaritile
tensiunilor U
GS
i U
DS
.
Familia caracteristicilor statice de ieire, pentru un MOSFET cu canal indus N, n conexiunea
SC, este prezentat n fig. 3.4.3.b, iar pentru un MOSFET cu canal iniial N n fig. 3.4.4.a. Se disting
regiunile de funcionare ohmic (RO) i activ (RA), n care dispozitivele au aceeai comportare ca i
JFET-ul.

c) Influena temperaturii asupra caracteristicilor statice
Temperatura intervine n funcionarea unui tranzistor unipolar, prin aciunea sa direct asupra
mobilitii purttorilor majoritari din canal i a concentraiei acestora. La creterea temperaturii,
mobilitatea scade, n timp ce concentraia purttorilor crete. Parametrii statici
P
U , i
DSS
I ai unui
6
2
4
8
10 5
0
U
DSP
U = 0
GS
T = 25
a
C
U = -1V
GS
U = -2V
GS
I
D
[mA]
U
DS
[V]
RO RA

44
tranzistor unipolar sunt funcii de temperatur, valorile lor scznd odat cu creterea temperaturii.
Scderea parametrului la creterea temperaturii determin scderea curentului
D
I . Pentru aceeai
cretere a temperaturii, scderea tensiunii de prag va determina o cretere a curentului de dren. La un
FET, se constat c exist un punct de funcionare stabilizat cu temperatura; acest punct se afl pe
poriunea puternic neliniar a caracteristicilor statice de transfer (la o tensiune U
GS
apropiat de U
P
).
Influena temperaturii asupra caracteristicilor statice de ieire poate fi observat n fig. 3.4.4.b.
a. b.
Fig. 3.4.4. a. MOSFET cu canal iniial N. Familia caracteristicilor statice de ieire
b. JFET cu canal N. Caracteristicile statice de ieire din regiunea activ, la dou temperaturi

Fig. 3.4.5. Aria de funcionare sigur n c.c.

d) Solicitri maxime n curent i n tensiune
Din considerente similare acelora prezentate la diode i la tranzistoare bipolare, i pentru un
tranzistor unipolar, se impune respectarea valorilor limit absolut (termice i electrice), precizate n
foaia de catalog a dispozitivului, oricare ar fi regimul de funcionare. Dintre acestea pot fi menionate
temperatura maxim a jonciunilor (
max j
T ), puterea total disipat (
tot
P sau
max
P ), valoarea maxim
a rezistenei termice jonciune-ambiant (
a thj
R

), valoarea limit absolut a curentului de dren
I
D
U
DS
T > T
0
T
0
T
0
T
0
T
0
,T
T
T
T
U
GS
=0
U
GS
= -1V
U
GS
< U
GS0
U
GS0
5
10
10 5
0
U
DSP
T = 25
a
C
U = +1V,
GS
U = 0
BS
I
D
[mA]
U
DS
[V]
U
GS
= 0V
U
BS
= +0.5V
U
BS
= -1V
U = -1V,
GS
U = 0
BS
RO RA
0
I
D
U
DS
AFS
/
/
/
/
/
/
/
/
/
/
/
/
/
/
/
/
/
/
/
/
/
/
/
/
/
/
/
/
/
/
/
/
/
/
/
/
/
/
/
/
/
/
/
/
/
/
/
/
/
U
DSmax
I
Dmax
P
tot
U
GS
= ct
T
a
= ct

45
(
max D
I ), tensiunea de strpungere a jonciunii gril-canal, prin avalan (
( )DG BR
U ) - la JFET,
tensiunea de strpungere prin avalan, ntre dren i surs (
( )DS BR
U ) la MOSFET etc.
innd seama de toate limitrile care sunt impuse unui tranzistor unipolar n funcionare, se
stabilete zona (aria) de funcionare sigur (AFS), n planul caracteristicilor statice de ieire ale
dispozitivului. Pentru regimul de c.c. sau de semnal mare i frecvene joase, AFS este delimitat de
hiperbola
tot
P de disipaie maxim admisibil, de valoarea maxim
max D
I a curentului de dren i de
valoarea maxim
max DS
U a tensiunii dren-surs (fig. 3.4.5).

3.5. Circuite de polarizare

Se numete circuit de polarizare al tranzistorului unipolar, circuitul electric de c.c. care
permite fixarea unui anumit punct static de funcionare i care asigur stabilizarea acestui punct.
Caracteristicile statice, ca i parametrii statici ai tranzistorului unipolar, prezint o mare dispersie de
fabricaie i, n plus, depind puternic de temperatur. Pentru toate circuitele cu tranzistoare unipolare,
p.s.f. al tranzistorului trebuie s se gseasc n interiorul AFS (fig. 3.4.5). n aplicaii de tipul
amplificatoarelor liniare sau surselor de curent, p.s.f. al tranzistorului va fi plasat ntotdeauna n
regiunea activ a caracteristicilor statice de ieire.
Stabilizarea p.s.f., n raport cu condiiile de funcionare, poate fi realizat n:
circuite liniare de polarizare, prin asigurarea unei reacii negative n c.c., dup curentul sau dup
tensiunea de ieire;
circuite neliniare de polarizare, prin folosirea surselor de curent constant.
Unul dintre cele mai folosite circuite liniare de polarizare este cel cu rezisten n surs. Se
consider configuraia unui circuit de amplificare, realizat cu un FET cu canal N, n conexiune SC, din
fig. 3.5.1.a. Circuitul de polarizare, constituit din rezistorii
D
R ,
S
R ,
G
R i sursa de tensiune continu
DD
V , trebuie s asigure un p.s.f. corespunztor regimului activ al tranzistorului i stabilizarea acestui
punct. Stabilizarea p.s.f. se bazeaz pe reacia negativ dup curentul de dren, introdus de
S
R .
Fig. 3.5.1. Circuit de amplificare, realizat cu unFET n conexiune SC: a. Schema de principiu;
b. Circuitul de polarizare, cu rezisten n surs

Din circuit, rezult ecuaiile
D S DS D D DD
I R U I R V + + = , (3.5.1)
D S GS
I R U = , (3.5.2)
R
L
C
D
u
s
+V
DD
R
G
R
D
R
S C
S
a.
S
G
D
+V
DD
R
G
S
G
D
R
D
I
D
I
G
I
D
R
S
U
DS
U
GS
b.
C
G

46
GS DS DG
U U U = , (3.5.3)
la care se adaug ecuaia curentului de dren,
( )
2
P GS D
U U
2
I

= . (3.5.4)
Mrimile electrice ce caracterizeaz p.s.f. Q al tranzistorului (
DQ
I ,
GSQ
U ,
DSQ
U ,
DGQ
U ), fixat n
regiunea activ a caracteristicilor statice de ieire, satisfac ecuaiile (3.5.1)(3.5.4).
Cu circuitul din fig. 3.5.1.b, nu poate fi fixat dect o tensiune
GS
U de polaritate opus
tensiunii
DS
U ; ca urmare, circuitul asigur polarizarea corect a JFET-urilor i MOSFET-urilor cu
canal inial, n regim de srcire, precum i meninerea p.s.f. ntr-o vecintate mic a poziiei iniiale.
Reducerea variaiei
D
I a curentului de dren impune creterea rezistenei
S
R . Mecanismul de
stabilizare a p.s.f. se bazeaz pe reacia negativ dup
D
I , introdus de rezistena nseriat cu sursa
tranzistorului. La alegerea rezistenei
G
R , se face un compromis, innd seama c acest element de
circuit determin rezistena de intrare a amplificatorului, n regim dinamic, i menine potenialul grilei
la zero, n regim static. Rezistene de ordinul 12M satisfac ambele cerine.

3.6. Modele de semnal mic

n cele mai multe circuite de procesare a semnalelor analogice, tranzistoarele unipolare
funcioneaz n regim variabil de semnal mic. Pentru variaii mici (
d
i ,
gs
u ,
ds
u ) ale mrimilor
electrice, n jurul unui p.s.f. Q (
DSQ GSQ DQ
U , U , I ) plasat n regiunea activ, poate fi stabilit un model
liniar al tranzistorului unipolar. Regimul variabil de semnal mic este regimul variabil al tranzistorului,
n care este ndeplinit condiia de semnal mic:
( ) ( )
P GSQ gs
U U 2 t u pentru t. (3.6.1)
Pentru domeniul frecvenelor joase, modelul de semnal mic al unui tranzistor unipolar este descris
prin ecuaiile
0 i
g
= , (3.6.2)
ds d gs m d
u g u g i + = . (3.6.3)
Ecuaia (3.6.3) poate fi rescris ca
ds gs d m d d
u u r g i r + = . (3.6.4)
n aceste relaii,

m
g este conductana de transfer a tranzistorului unipolar cu drena scurtcircuitat la surs,

d
g este conductana de ieire a tranzistorului unipolar cu grila scurtcircuit la surs,

d d
g / 1 r = reprezint rezistena de ieire a tranzistorului cu grila scurtcircuitat la surs,

d m
r g = este factorul de amplificare n tensiune, al tranzistorului cu ieirea n gol,
Parametrii dinamici de semnal mic depind de tipul FET-ului, de datele tehnologice ale
tranzistorului, de p.s.f. i de temperatur. Aceti parametri pot fi exprimai n funcie de mrimile
care descriu p.s.f. i parametrii statici ai tranzistorului.
Pe baza ecuaiilor (3.6.2), (3.6.3) i (3.6.4) pot fi desenate dou circuite echivalente (fig. 3.6.1.a,b)
care reprezint dou variante ale modelului (simplificat) de semnal mic i frecvene joase. Prezena
sursei comandate de curent sau de tensiune, n circuitul de ieire al modelului, atest calitatea de
dispozitiv activ

a tranzistorului unipolar. Modelul de semnal mic este acelai indiferent de tipul

47
FET-ului; acest model se deseneaz pentru conexiunea SC, dar poate fi utilizat i pentru celelalte
dou conexiuni, respectnd borna comun i bornele de intrare i de ieire ale conexiunii.
Fig. 3.6.1. Modele de semnal mic i frecvene joase, pentru un FET

La frecvene nalte, modelul, de semnal mic se completeaz cu capacitile interne ale
tranzistorului:
gs
C ( pF 1 ),
gd
C ( pF 1 , 0 ),
ds
C ( pF 5 , 0 pF 1 , 0 ). Prima variant de circuit
echivalent rezultat este cea din fig. 3.6.2.
Fig. 3.6.2. Model simplificat de semnal mic i frecvene nalte

Analiznd corespondena care exist ntre modelul de semnal mic al unui TB i cel al unui
FET, se constat c atunci cnd circuitul de amplificare trebuie s prezinte o rezisten mare de intrare,
se va alege un tranzistor unipolar, iar n cazul n care circuitul de amplificare trebuie s realizeze o
amplificare mare (n modul), va fi ales, ca dispozitiv activ, un tranzistor bipolar.

3.7. Circuite cu tranzistoare unipolare

3.7.1. Amplificatorul de semnal mic

Schema de principiu a unui etaj de amplificare de c.a., cu FET n conexiunea SC, este
prezentat n fig. 3.7.1.a.; la intrarea amplificatorului se aplic un generator de tensiune (u
s
), iar la
ieire se conecteaz o rezisten de sarcin (R
L
). La frecvene medii, circuitul echivalent de c.a. al
amplificatorului este acela dat n fig. 3.7.1.b, n care tranzistorul a fost nlocuit cu modelul simplificat
de semnal mic. Acest circuit echivalent se obine prin punerea tuturor punctelor reci (de potenial
constant) la masa montajului. n circuitul de polarizare, rezistena
G
R poate fi substituit de un divizor
rezistiv (
2 1
R , R ), conectat n gril; n acest caz, n circuitul echivalent,
G
R este nlocuit de
2 1 12
R // R R = . Se consider = M 10 R
G
, = k 2 , 1 R
D
, = k 10 R
L
, = 200 R
S
, iar tranzistorul -
un JFET cu canal N, tip BFW10, pentru care se cunosc: mA 10 I
DSS
= , V 4 U
P
= , V / mA 7 , 3 g
m
= ,
= k 200 r
d
.
Performanele amplificatorului (rezistena de intrare, rezistena ieire, amplificarea de tensiune,
amplificarea de curent) depind de rezistenele circuitului de polarizare:
a. b.

48
= = = M 10 R
i
u
R
G
i
gs
i
, (3.7.1)
= = =
=
k 2 , 1 R R // r
i
u
R
D D d
0 u
o
o
o
s
, (3.7.2)
( ) ( )
( )
96 , 3
R // R r
R // R
u
R // R i
u
u
A
D L d
D L
gs
D L d
i
o
0 U

+

=

= = , (3.7.3)
44 , 4
R r
R
A lim A
D d
D
0 U
R
0 u
L

+

= =

, (3.7.4)
( )
3954
R // R r
R
R R
R
i
i
R R
R
i
i
A
D L d
G
L D
D
i
d
L D
D
i
o
0 I

+

+
=
+
= = , (3.7.5)
37000 R g A lim A
G m 0 I
0 R
0 i
L
= = =

. (3.7.6)
a. b.
Fig. 3.7.1. Amplificator de semnal mic: a. Schema de principiu;
b. Circuitul echivalent de c.a., la frecvene medii

Pentru acelai etaj pot fi calculate i celelalte dou performane funcionale: conductana de
transfer i rezistena de transfer.
Dac
G
R i
D
R se consider infinite, atunci
i
R , = = k 200 r R
d o
, 740 A
0 u
= = ,

0 i
A .
Analiznd rezultatele obinute, se constat c circuitul se comport ca un amplificator cu
transfer de conductan.

3.7.2. Sursa de curent constant

Sursa de curent constant asigur la ieire un curent
O
I aproximativ constant la variaii ale
tensiunii continue de alimentare (V
DD
) i ale rezistenei de sarcin (R
L
), ntre anumite limite. O surs
simpl de curent, realizat cu un FET cu canal N, este cea din fig. 3.7.2.a, n care se consider
= k 5 R
S
, iar tranzistorul un JFET cu canal N, de tip BFW11, caracterizat de mA 10 I
DSS
= ,
V 3 U
P
= , V / mA 44 , 1 g
m
= , = k 100 r
d
. Curentul de ieire al sursei este curentul de dren al
. o
o
R
G R
D
R
s
u
s
u
i
i
i
u
gs
R
i
r
d
u
gs
R
o
R
L
i
o
u
o
i
d
o o
o
.
.
G
D
S


49
tranzistorului i poate fi considerat constant dac JFET-ul funcioneaz n regim activ (
DSP DS
U U > ).
n aceste condiii,
D
I respect relaia (3.1.5). Expresia tensiunii
GS
U se obine aplicnd teorema a
doua a lui Kirchhoff pe ochiul de intrare:

D S GS
I R U = . (3.7.7)
Rezolvnd sistemul format din ecuaiile (3.1.5) i 3.7.7), se obin valorile necunoscutelor:
mA 47 , 0 I
D
= i V 35 , 2 U
GS
= . Se calculeaz apoi V 65 , 0 U U U
P GS DSP
= = .
Aplicnd teorema a doua a lui Kirchhoff pe ochiul de ieire, se obine
D L DS D S DD
I R U I R V + + = . (3.7.8)
nlocuind valorile numerice cunoscute i impunnd V 65 , 0 U
DS
> , se obine urmtoarea inegalitate:
L DD
R 47 , 0 3 V + > , (3.7.9)
n care tensiunea este exprimat n voli, iar rezistena n k.
n concluzie, curentul de ieire rmne constant la valoarea mA 47 , 0 , chiar dac tensiunea de
alimentare i/sau rezistena de sarcin i schimb valoarea, cu condiia ca inegalitatea (3.7.9) s
rmn satisfcut.
Fig. 3.7.2. Surs de curent, cu rezisten mare de ieire: a. Schema de principiu;
b. Circuitul echivalent de c.a.

Pornind de la schema de principiu din fig. 3.7.2.a, se deseneaz un circuit echivalent n regim
variabil de semnal mic i frecvene medii (fig. 3.7.2.b), pe baza cruia se calculeaz rezistena de ieire
a sursei de curent:
= + + = k 827 R ) 1 ( r R
S d O
. (3.7.10)
n cazul particular 0 R
S
= , se obine un curent de ieire mA 10 I I
DSS O
= = i o rezisten de
ieire mai mic: = = k 100 r R
d O
. Exist mai multe configuraii de surse de curent, realizate cu unul
sau mai multe FET-uri. Creterea complexitii circuitului asigur o mbuntire a performanelor.

3.7.3. Divizorul rezistiv controlat n tensiune

Schema de principiu a unui divizor rezistiv controlat n tensiune este cea din fig. 3.7.3.a. Dac
tranzistorul unipolar este polarizat n regiunea ohmic din planul caracteristicilor statice de ieire,
atunci dispozitivul se comport, ntre surs i dren, ca o rezisten
VV
R , a crei valoare este
controlat prin tensiunea
GS
U :
b.
a.
U
DS
R
L
+V
DD
D
S
G
I
D
U
GS
R
S
r
d
u
dg
R
L
i
d
D
G
R
O
S
R
S
u
gs
u
gs

50
P
GS
0 VV
VV
U
U
1
R
R

. (3.7.11)











a. b.
Fig. 3.7.3. Divizor rezistiv controlat n tensiune:
a. Schema de principiu; b. Circuitul echivalent.

Raportul de divizare a tensiunii are urmtoarea expresie:
) U ( f
R R
R
u
u
K
GS
VV 1
VV
i
o
=
+
= = . (3.7.12)
La 0 U
GS
= ,
0 VV VV
R R = , iar K are cea mai mic valoare, n timp ce la
P GS
U U = ,
VV
R ,
iar raportul de divizare atinge valoarea maxim ( 1 K = ).



- - - - - * - - - - -





GS
U
R
1
o
o
o
o
o
o
u
i
u
o
o
o
o o
R
1
R
VV
R
u
o
u
i

62

5. AMPLIFICATOARE OPERAIONALE

5.1. Generaliti

Cele mai rspndite circuite integrate analogice liniare n aparatura electronic sunt
amplificatoarele operaionale (acronimul AO sau OA = Operational Amplifier) i stabilizatoarele de
tensiune continu. Amplificatorul operaional este un circuit versatil, ceea ce a determinat utilizarea sa
n fiecare domeniu al electronicii: prelucrarea semnalelor, regulatoare de tensiune, filtre active,
generatoare de funcii, instrumentaie, controlul proceselor, convertoare analog-digitale i digital-
analogice etc. AO este un amplificator integrat, cu o amplificare de tensiune n bucl deschis deosebit
de mare; aceast performan scade foarte mult i devine predictibil n condiiile nchiderii unei bucle
de reacie negativ. De cele mai multe ori, AO se folosete prevzut cu o reacie negativ, condiii n
care circuitul rezultat este mai stabil, iar performanele lui depind practic numai de elementele
circuitului de reacie, nu i de dispozitivele active i componentele pasive coninute de circuitul
integrat.
Amplificatorul operaional este un amplificator de tensiune, de c.c., cu o structur complex, cu
intrare simetric (dou borne calde de intrare) i ieire asimetric (o singur born cald de ieire),
destinat lucrului cu reacie extern. Borna de intrare, notat cu semnul (-) se numete born inversoare,
iar aceea notat cu semnul (+) este denumit born neinversoare. Circuitul poate fi alimentat
simetric, de la dou surse de tensiune, una pozitiv (+V) i cealalt negativ (-V),
asimetric, de la o singur surs de tensiune pozitiv (+V).
Dou simboluri folosite pentru AO sunt date n fig. 5.1.1.a.

















a. b.
Fig. 5.1.1. Amplificatoare operaionale: a. Simboluri; b. Caracteristica static de transfer

La un AO se definesc:
tensiunea diferenial de intrare (
id
u ) i tensiunea comun de intrare (
ic
u ),
I N id
u u u = ,
2
u u
u
N I
ic
+
= ; (5.1.1)
u
N
+
_
o
o
+V
+
-V
-
o
o
o
o
u
I
u
O
o

+
_
o
o
+V
+
o
u
O
o
o
o
o
u
N
u
I

U
Osat
U
id
U
OS
0
......
U
O
U
Osat
...
+
-


63
amplificarea de tensiune diferenial (
Ud
A ) i amplificarea de tensiune de mod comun (
Uc
A ),
0 u
id
0
Ud
ic
u
u
A
=
= ,
0 u
ic
0
Uc
id
u
u
A
=
= . (5.1.2)

a) Parametrii AO
Un AO este caracterizat de mai multi parametri statici i dinamici, precizai n foile de catalog
ale circuitului integrat. n cele ce urmeaz, vor fi definii cei mai importani dintre aceti parametri.

Parametri statici
Tensiunea de offset la intrare este tensiunea diferenial continu care trebuie aplicat la intrare
pentru anularea tensiunii de ieire,
V 0 U id OS
O
U U
=
= (5.1.3)
i are valori cuprinse ntre 0,2 i 40mV. Caracteristica static de transfer a AO, din fig.5.1.1.b,
evideniaz acest parametru static.
Curentul de offset la intrare este definit ca diferena celor doi cureni de polarizare ai intrrilor,
pentru care tensiunea de ieire este nul,
( )
V 0 U 2 B 1 B OS
O
I I I
=
= (5.1.4)
i are valori cuprinse ntre 0,05pA i 100 nA.
Curentul de polarizare la intrare se definete ca valoarea medie a celor doi cureni de polarizare de
la intrare, corespunztoare unei tensiuni nule de ieire,
0 U
2 B 1 B B
O
) I I (
2
1
I
=
+ = (5.1.5)
i are valori tipice cuprinse ntre 1pA i 100 nA.

Parametri dinamici
Amplificarea de tensiune diferenial, n bucl deschis, cu ieirea n gol (
0 Ud
A sau
0
A ),
reprezint raportul dintre variaiile de semnal mic ale tensiunii de ieire i tensiunii difereniale de
intrare, la frecvene joase i medii,

= =
L
R
Ud 0 0 Ud
A A A , (5.1.6)
cu valori cuprinse ntre 10
4
i 10
14
. Dac se consider, pe rnd, cte o born de intrare conectat la
mas i se calculeaz
0
u , se justific denumirile celor dou borne de intrare.
Amplificarea
0
A reprezint panta segmentului de dreapt din jurul originii caracteristicii statice de
transfer (fig. 5.1.1.b), ce corespunde unei dependene liniare intrare-ieire; circuitul funcioneaz
liniar numai pentru valori foarte mici (sub 1mV) ale
id
U . n cazurile n care U
N
i U
I
sunt mult
mai mari dect 1mV, se poate considera c bornele inversoare i neinversoare sunt la acelai
potenial. Amplificarea
0 Ud
A scade la frecvene nalte, din cauza efectelor capacitilor
jonciunilor.
Banda de amplificare unitar (
t
f ) este definit ca frecvena la care ctigul n bucl deschis se
anuleaz.
Frecvena limit de sus (
dB 3
f

) i produsul amplificare - band ( P ) sunt definite ca la

amplificatorul de semnal mic (Capitolul 2.5).

64
Factorul de rejecie a modului comun este definit ca raportul dintre
Ud
A i
Uc
A , calculate la
frecvene joase i medii, raport exprimat n decibeli,
0 Uc
0 Ud
A
A
lg 20 CMRR = ; (5.1.7)
valorile tipice sunt n domeniul 160 70 dB.
Rezistena de intrare sau rezistena diferenial de intrare (
id
R ) este definit ca raportul dintre
variaia tensiunii difereniale de intrare i variaia corepunztoare a curentului de intrare, la
frecvene joase i medii; valorile tipice sunt cuprinse ntre 100k i 70M.
Rezistena de ieire (R
o
) se definete ca raportul dintre variaia tensiunii de ieire i variaia
corespunztoare a curentului de ieire, pentru semnal diferenial de intrare nul; valorile tipice sunt
cuprinse ntre 0,1 i 10
3
.
Viteza maxim de variaie a tensiunii de ieire, SR (Slew-Rate), reprezint un parametru important
al AO funcionnd la frecvene nalte:
max
O
dt
du
SR

= , (5.1.8)
cu valori n domeniul 500 1 1 0 . , V/s.

b) Modelul amplificatorului operaional ideal
Parametrii statici i dinamici ai unui AO au valori mai mici sau mai mari, n funcie de structura
intern i tehnologia de realizare a circuitului. n modelul AO ideal (frecvent folosit n analizele
simplificate ale aplicaiilor), parametrii
OS
U ,
OS
I ,
B
I ,
o
R au valori nule, n timp ce parametrii
0
A ,
id
R , CMRR ,
dB 3
f

, P ,
t
f , SR sunt infinii. Modelul AO ideal este desenat n fig. 5.1.2. Cele dou
simplificri importante, folosite ulterior n analiza circuitelor cu AO, sunt urmtoarele:
curenii prin cele dou borne de intrare ale AO sunt nuli;
cele dou borne de intrare au acelai potenial electric, dac AO funcioneaz n zona liniar a
caracteristicii statice de transfer.









Fig. 5.1.2. Modelul AO ideal

Amplificatoarele operaionale pot fi mprite n dou mari categorii;
AO de uz general, caracterizate prin pre de cost sczut i performane moderate; un circuit
integrat poate conine unul, dou sau patru AO complet independente ntr-o capsul;
AO care, la cel puin o specificaie de catalog, se apropie de AO ideal, mult mai bine dect
circuitele de uz general; mbuntirea performanelor se obine prin creterea preului de cost.
Perfecionarea proceselor de fabricaie a condus la obinerea unor circuite care aproximeaz foarte bine
proprietile dispozitivului ideal.
+
_
o
o
o
o
u
id
u
o
o
A
Ud0
u
id


65
Pentru marea majoritate a AO, structura corespunde unui amplificator de c.c., cu mai multe
etaje de amplificare: un etaj diferenial de intrare, urmat de un etaj diferenial cu ieire asimetric, etaje
intermediare (pentru deplasarea nivelului de c.c. i realizarea valorii necesare a amplificrii) i etajul
de ieire (prevzut cu circuit de limitare a curentului de ieire).

5.2. Aplicaii ale amplificatoarelor operaionale

5.2.1. Amplificatorul inversor

Schema de principiu a unui amplificator liniar de tensiune, de c.c., de tip inversor este
prezentat n fig. 5.2.1 (mrimile electrice au fost notate ca amplitudini complexe). La intrarea
circuitului s-a conectat un generator de tensiune (u
s
), iar la ieire un rezistor (R
L
). AO are prevzut o
bucl de reacie negativ, asigurat prin intermediul rezistorului R
2
. Considernd AO ideal (cele dou
borne de intrare sunt la acelai potenial i curenii prin aceste borne sunt nuli), se constat c borna
neinversoare este conectat la masa montajului i transmite potenialul 0V i intrrii inversoare, care
devine o mas virtual.













Fig. 5.2.1. Amplificator de tensiune, de tip inversor

Din egalitatea curenilor
s
i i
r
i ,

2
o
1
s
R
u
- =
R
u
, (5.2.1)
rezult c amplificarea de tensiune, n banda de trecere, este fixat de raportul rezistenelor rezistorilor
conectai pe calea de reacie (R
2
) i la intrarea AO (R
1
),

1
2
s
o
0 U
R
R
- =
u
u
= A . (5.2.2)
Deci, amplificarea este predictibil i independent de parametrii i caracteristicile AO. Semnul minus,
din expresia amplificrii, arat c ieirea este defazat cu 180
o
fa de intrare (amplificator de tip
inversor).

5.2.2. Amplificatorul neinversor

Schema de principiu a unui amplificator liniar de tensiune, de c.c., de tip neinversor este
prezentat n fig. 5.2.2. Amplificarea de tensiune n banda de trecere este stabilit de rezistenele
rezistorilor R
1
i R
2
. Folosind conceptul de AO ideal, din egalitatea curenilor prin cei doi rezistori,


66

1
s
2
s o
R
u
=
R
u - u
, (5.2.3)
se obine amplificarea de tensiune n band,

1
2
s
o
0 U
R
R
+ 1 =
u
u
= A . (5.2.4)














Fig. 5.2.2. Amplificator de tensiune, de tip neinversor Fig. 5.2.3. Repetor de tensiune

n cazul eliminrii rezistorului R
1
din circuit (R
1
= ), amplificarea devine unitar, circuitul
fiind numit repetor de tensiune, pentru c tensiunea de ieire repet (amplitudine i faz) tensiunea
aplicat de la generator. Rezultatul se menine i n cazul eliminrii rezistorului R
2
(fig. 5.2.3).
Amplificatorul neinversor se apropie cel mai mult de un amplificator ideal de tensiune:
i
R
i 0 R
o
. Din aceste motive, repetorul de tensiune cu AO este folosit adesea ca adaptor de impedan
pentru transfer maxim n tensiune.

5.2.3. Amplificatorul sumator

Un amplificator inversor sau neinversor cu mai multe intrri efectueaz funcia de sumare
ponderat a tensiunilor aplicate la intrri. Circuitul din fig. 5.2.4 este un sumator de tip inversor.












Fig. 5.2.4. Sumator de tip inversor

u
i
+
_
o
o
+V
+
-V
-
o
o
o
u
o
=u
i
o
.



67
Curenii care intr n nodul bornei inversoare (mas virtual) sunt cei care circul prin R
1
, R
2
i R
3
:

1
1 i
1
R
u
= i ,
2
2 i
2
R
u
= i ,
3
o
3
R
u
= i . (5.2.5)
Aplicnd teorema I a lui Kirchhoff n nodul respectiv ( 0 i i i
3 2 1
= + + ), se obine

+ =
2 i
2
3
1 i
1
3
o
u
R
R
u
R
R
u . (5.2.6)
Pentru rezistene egale (R
1
= R
2
= R
3
), circuitul furnizeaz la ieire suma tensiunilor de intrare, cu
semnul minus.

5.2.4. Amplificatorul diferenial

Amplificatorul cu configuraia din fig. 5.2.5 poate amplifica diferena celor dou tensiuni de
intrare,
2 i 1 i 12 id
u u u = . Acest amplificator cu dou intrri este o combinaie de dou amplificatoare
cu cte o intrare: un amplificator neinversor pentru tensiunea
1 i
u , divizat cu factorul R
2
/(R
1
+R
2
), i
un amplificator inversor pentru tensiunea
2 i
u . Aplicnd principiul superpoziiei, se obine
( )
12 id
1
2
2 i 1 i
1
2
2 i
1
2
1 i
2 1
2
1
2
o
u
R
R
u u
R
R
u
R
R
u
R R
R
R
R
1 u = =
+

+ = . (5.2.7)












Fig. 5.2.5. Amplificator diferenial

Rezultatul (5.2.7) arat c amplificatorul diferenial multiplic diferena a dou tensiuni de intrare, cu o
constant pozitiv.

5.2.5. Comparatorul de tensiuni cu histerezis

Comparatorul cu histerezis (numit i trigger Schmitt) este un element de memorare, realizat ca
un sistem cu reacie pozitiv. O intrare a AO este utilizat pentru aplicarea semnalului, cealalt intrare
fiind meninut la un potenial constant. Schema de principiu a unui comparator inversor cu histerezis
este reprezentat n fig. 5.2.6.a; AO este presupus ideal. n regim staionar, ieirea comparatorului este
fie n starea U
OH
(High), fie n starea U
OL
(Low), valori care corespund nivelurilor de saturaie ale
ieirii AO. Pentru alimentare simetric a comparatorului (
+
= V V ), U
OH
= - U
OL
. ntr-un astfel de
sistem, instabilitatea se manifest pe durata tranziiilor (de la U
OH
la U
OL
, respectiv de la U
OL
la U
OH
),
care se produc la valori date ale mrimii de intrare, numite praguri: U
PH
i U
PL
. Caracteristica de
transfer a circuitului este dat n fig. 5.2.6.b.

68








a. b.
Fig. 5.2.6. Comparator inversor cu histerezis: a. Schema de principiu;
b. Caracteristica static de transfer

Tranziiile se produc atunci cnd punctul de funcionare al comparatorului intr n zona de
amplificare a caracteristicii de transfer, adic pentru U
id
= 0:
0 U U
R R
R
U U U
I O
2 1
1
I N id
=
+
= = . (5.2.8)
n relaia (5.2.8), U
O
este U
OH
sau U
OL
, n funcie de starea din care se produce tranziia. Valorile
tensiunii de intrare la care ieirea comut sunt cele dou praguri de basculare U
PH
i U
PL
:
OH
2 1
1
PH
U
R R
R
U
+
= ,
OL
2 1
1
PL
U
R R
R
U
+
= . (5.2.9)
Dac U
OH
= - U
OL
, cele dou praguri de basculare vor fi simetrice.

5.2.6. Integratorul

Circuitul din fig. 5.2.7 este capabil s integreze, n raport cu timpul, o tensiune u
i
variabil n
timp. n practic, acest circuit se folosete ca mijloc de msurare, deoarece ieirea circuitului este
proporional cu aria cuprins de graficul tensiunii de intrare pe un interval dat de timp.










Fig. 5.2.7. Integratorul

Considernd AO ideal (cureni de intrare nuli i 0 u
id
= ),
2 1
i i = ,
1
I
1
R
u
i = ,
dt
du
C i
O
2
= . (5.2.10)
uO o
o
+V
+
o
o
.
o
uI
R
1
-V
-
_
+
. o
o
i2
i1
C
uid=0


69
Tensiunea de ieire a circuitului are expresia
( ) ( ) ( )

=
t
0
I
i
C O
d u
T
1
0 u t u , (5.2.11)
unde
1 i
R C T = este constanta de timp de integrare, iar ( ) 0 u
C
este tensiunea la bornele
condensatorului la t=0 (n condiii iniiale).
Diagrama modul-frecven a funciei de transfer arat c circuitul este instabil (modulul
funciei de transfer crete nelimitat) la frecvene joase; acest dezavantaj poate fi eliminat prin
conectarea unui rezistor pe calea de reacie negativ, n paralel cu condensatorul C. Procedndu-se
astfel, modulul amplificrii la frecvene joase va fi limitat superior la valoarea
1 2
R / R .

5.2.7. Derivatorul

Circuitul care realizeaz operaia de derivare se obine din circuitul integrator, prin schimbarea
locului ntre rezistor i condensator (fig. 5.2.8). AO se consider ideal.










Fig. 5.2.8. Derivatorul

n condiii iniiale nule ( ( ) 0 0 u
C
= ), se obine
dt
) t ( du
T
dt
) t ( du
C R R i ) t ( u
I
d
I
1 1 2 O
= = = . (5.2.12)
Tensiunea de ieire a circuitului este egal cu derivata tensiunii de intrare, n raport cu timpul (panta
graficului), multiplicat cu o constant (-T
d
). Din diagrama modul-frecven a funciei de transfer, se
constat c circuitul derivator este instabil la frecvene nalte. Pentru reducerea amplificrii la frecvene
nalte, se conecteaz un rezistor R
2
n serie cu condensatorul. n aceste condiii, la pulsaii mai mari
dect
C R
1
2
, modulul amplificrii circuitului se limiteaz la valoarea
2 1
R / R ; circuitul efectueaz
operaia de derivare pentru semnale de intrare cu
C R 2
1
f
2
max i

< .

5.2.8. Amplificatorul logaritmic

Un tip special de amplificator neliniar l reprezint amplificatorul logaritmic care ofer la ieire
o tensiune proporional cu logaritmul natural al tensiunii de intrare, de forma general
( )
I 2 1 O
u K ln K u = . (5.2.13)


u
O o
o
+V
+
o
o
.
o
u
I
-V
-
_
+
. o
o
i
2
i
1
C
u
id
=0
R
1


70









Fig. 5.2.9. Amplificatorul logaritmic

In configuraia de baz, un amplificator logaritmic conine un AO, un rezistor R conectat la
intrare i un tranzistor sau o diod (fig. 5.2.9) pe calea de reacie. Considernd AO ideal, tensiunea de
ieire a circuitului este

= =
S 1
I
T
S
2
T AK O
I R
u
ln U
I
i
ln U u u . (5.2.14)
Coeficienii K
1
i K
2
din relaia (5.2.13) sunt puternic dependeni de temperatur. Pentru compensarea
variaiei cu temperatura, se utilizeaz elemente neliniare de circuit, cu caracteristici dependente de
temperatur (diode, rezistoare).

5.2.9. Sursa de tensiune de referin

Sursele de tensiune de referin realizate cu AO furnizeaz o tensiune de ieire continu,
independent de variaia temperaturii i a rezistenei de sarcin; curentul de ieire al sursei este de
ordinul mA. Una dintre configuraii este cea din fig. 5.2.10. Circuitul conine o diod Zener
compensat cu temperatura i un amplificator inversor realizat cu AO. Rezistena de ieire a sursei este
practic nul.


















Fig. 5.2.10. Surs de tensiune de referin

u
O
o
o
+V
+
o
o
.
o
u
I
R
-V
-
_
+
. o
o
i
2
i
1
u
id
=0
u
AK

U
O
o
o
+V
+
o
o
.
o
-V
-
_
+
.
+V
+
U
Z
o
.
o
U
AK
U
AK
D
1
D
n
R
1
R
2
I
S

71
Tensiunea de ieire a circuitului are urmtoarea expresie:
) U n U (
R
R
U
AK Z
1
2
O
+ = . (5.2.15)
O diod redresoare are coeficientul de temperatur al tensiunii U
AK
negativ i de valoare cunoscut
( C / mV 2
T
U
b
o AK

= ). Dioda Zener se alege cu coeficientul de temperatur al tensiunii U

ZT

pozitiv ( 0
T ) T ( U
U
0 ZT
ZT
VZ
>

= ). Astfel, nseriind n diode redresoare, cu dioda Zener, se

compenseaz variaia cu temperatura a tensiunii U
Z
:
AK Z
U n U .




----- * -----
Circuite logice secveniale


87



CAPITOLUL 5


Circuite logice secveniale


Circuitele logice combinaionale, fig. 4.1, sunt considerate sisteme digitale de
ordin zero, avnd ca element reprezentativ poarta logic elementar. Ele sunt
circuite fr memorie i se caracterizeaz prin faptul c semnalele de ieire sunt
combinaii logice ale semnalelor de intrare, relaia 4.1, existnd numai atta timp ct
semnalele de intrare exist.
La circuitele logice secveniale (c.l.s.), considerate sisteme de ordin 1, starea
ieirilor depinde nu numai de starea actual a intrrilor, dar i de strile anterioare
ale circuitului. Din acest motiv, se spune c circuitele logice secveniale sunt
circuite cu memorie.
Schema bloc a unui circuit logic secvenial este prezentat n fig. 5.1, n care
am notat cu x
1
, x
2
, , x
n
intrrile principale, cu y
1
, y
2
, , y
m
ieirile principale, cu
q
1
, q
2
, ,q
l
strile interne prezente ale circuitului i cu q
1
, q
2
, ,q
l
- strile
interne urmtoare ale acestuia.

















Fig. 5.1. Schema bloc a unui circuit logic secvenial

Expresiile ieirilor i strilor urmtoare ale unui circuit logic secvenial n
funcie de intrri i strile prezente pot fi scrise astfel:




C.L.C
1
t
2
t
l
t
q
1

q
2

q
l

q
1

q
2

q
l

q
1

q
2

q
l

C.L.S.
Ieiri
principale
Intrri
principale

y
1
y
2
y
m
x
1

x
2
x
n
Capitolul 5


88
y
k
=y
k
(x
1
, x
2
, , x
n
, q
1
, q
2
, , q
l
);
q
i
= q
i
(x
1
, x
2
, , x
n
, q
1
, q
2
, , q
l
). (5.1)
n aceast form, relaiile 5.1 definesc un automat Mealy.
n cazul n care y
k
nu depinde dect de intrrile x
1
, x
2
, , x
n
, spunem c
relaiile 5.1 astfel modificate, definesc un automat de tip Moore.
Strile urmtoare q
i
devin prezente dup un interval de timp determinat de
ntrzierile t
1
, t
2
, , t
l
, special introduse n circuit.
Dac t
1
t
2
t
l
, spunem c c.l.s. este de tip asincron, iar dac
t
1
=t
2
= = t
l
= t, deci modificarea strilor are loc dup un acelai interval de
timp, t, la comanda unui impuls de tact, spunem c c.l.s. este de tip sincron.
Se observ c trecerea de la sisteme de ordinul zero (c.l.c.) la cele de ordin
superior (c.l.s) se face prin introducerea unor reacii, care confer ieirilor circuitului
o autonomie parial, la limit total, fa de intrri, deci calitatea de memorie.


5.1. Circuite basculante bistabile SR

Circuitele basculante bistabile SR (CBB-SR) se obin prin introducerea unei
reacii ntr-un sistem elementar de ordin zero. Sistemul astfel obinut este de ordin 1.
CBB-SR pot fi realizate n varianta asincron, sincron sau "Master-Slave"
(stpn-sclav).


5.1.1. Circuitul basculant bistabil SR asincron

Circuitul basculant bistabil SR asincron, cunoscut - datorit proprietilor sale
de a memora - i sub denumirea de latch (zvor), poate fi realizat cu NOR-uri sau cu
NAND-uri.


5.1.1.1. Circuitul basculant bistabil SR asincron realizat cu NOR-uri

Circuitul basculant bistabil SR asincron realizat cu NOR-uri prezint schema
din fig. 5.2 i tabelul de tranziie tab. 5.1, n care s-a notat cu indice n - valoarea
logic prezent i cu n+1 - valoarea logic viitoare.
Expresia ieirii Q a circuitului poate fi obinut din schema din fig. 5.2,
astfel:
n n n n n n 1 n
Q R S Q R S Q + =
|

\
|
+ + =
+
. (5.2)
Eliminnd negaia n ambii membri ai relaiei 5.2, obinem:

n n n 1 n
Q R S Q + =
+
. (5.3)
Un alt mod de a obine expresia 5.3 l reprezint utilizarea diagramei VK din
fig. 5.3, n locaiile creia au fost trecute valorile logice ale lui Q
n+1
.
Circuite logice secveniale


89
Completarea locaiilor diagramei s-a fcut innd seama de tabelul de
tranziie, tab. 5.1, astfel:











a) Schema logic b) Schema bloc

Fig. 5.2. CBB-SR asincron, varianta NOR


Tab.5.1. Tabel de tranziie al CBB-SR asincron, varianta NOR

S
n
R
n
Q
n+1

0 0 Q
n

0 1 0
1 0 1
1 1 x











Fig. 5.3. Diagrama VK pentru CBB-SR asincron - varianta NOR

- pentru S
n
R
n
= 00, Q
n+1
=Q
n
(prima linie a tabelului de tranziie), deci valorile
logice ale lui Q
n
se trec n coloana S
n
R
n
= 00 a diagramei VK;
- pentru S
n
R
n
=01(10), Q
n+1
=0(1) indiferent de valorile lui Q
n
i locaiile din
coloana a doua (a patra) a diagramei VK se completeaz cu 0(1).
- pentru S
n
R
n
=11, ieirile celor dou pori sunt forate simultan n 0 logic,
deci s-ar ajunge la situaia inadmisibil n care:
0 Q Q
1 n 1 n
= =
+ +
. (5.4)

S R
P
1
P
2

Q Q
S R

Q Q
0 0
x 1
1 0
x 1
1
0
00 01 11 10
Q
n

S
n
R
n

S
n

n
Q
n
R

Capitolul 5


90
Din acest motiv combinaia de intrare S
n
R
n
=11 este interzis (de obicei prin
logic suplimentar) iar n locaiile corespunztoare ale tab. 5.1 i diagramei VK din
fig. 5.3, se pune semnul "x", specific locaiilor n care funcia este nedefinit.
n urma minimizrii, se obine relaia 5.3.
Denumirile S (SET) i R (RESET) ale intrrilor latch-ului SR asincron provin
din limba englez i au semnificaiile: nscriere, respectiv tergere.
ntr-adevr, observm c pentru S
n
R
n
=10, intrarea de nscriere S
n
este
activat i n memoria elementar se nscrie 1 logic, deci Q
n+1
=1.
Similar, pentru S
n
R
n
=01, intrarea de tergere R
n
este activat i memoria este
tears: Q
n+1
=0.
Relaia 5.3 se verific cu uurin pentru primele 3 linii ale tab. 5.1.


5.1.1.2. Circuitul basculant bistabil SR asincron realizat cu NAND-uri

Schema circuitului basculant bistabil SR asincron realizat cu NAND-uri este
prezentat n fig. 5.4, iar tabelul de tranziie este tab. 5.2.











a) schema logic b) schema bloc

Fig.5.4. CBB-SR asincron, varianta NAND

Tab.5.2. Tabel de tranziie al CBB-SR asincron, varianta NAND

S
n

R
n

Q
n+1

1 1 Q
n

1 0 0
0 1 1
0 0 x

Pe schema din fig. 5.4 putem scrie:
n n n n n n 1 n
Q R S Q R S Q + =
|

\
|
=
+
,


S R

Q Q
S R
P
1
P
2

Q
Q
Circuite logice secveniale


91
relaie identic cu rel. 5.3, obinut n cazul circuitului basculant bistabil SR realizat
cu NOR-uri.
Aceeai relaie se obine i n urma minimizrii funciei logice Q
n+1
cu
ajutorul diagramei VK din fig. 5.5.









Fig. 5.5. Diagrama VK pentru CBB-SR asincron, varianta NAND

Indiferent de varianta de implementare adoptat, CBB-SR asincron prezint
urmtoarele deficiene:
- aceleai semnale care indic modul cum (n care) trebuie s se fac
nscrierea, dicteaz i momentul cnd trebuie s aib loc aceasta;
- pentru anumite tranziii ale intrrilor circuitului, starea ieirilor este
imprevizibil.

Exemplu: Tranziia 1100 a intrrilor, poate aduce ieirile Q, ale CBB din
fig. 5.2 n oricare din cele dou stri posibile. Astfel, pentru S
n
R
n
=11, ambele
ieiri vor fi forate n 0, Q = =0, validnd prin intermediul legturilor de reacie
porile P
1
, P
2
. Aplicnd acum S
n
R
n
=00 i admind c poarta P
1
este mai rapid, se
va obine un 1 logic la ieirea , ceea ce determin - prin reacie - un 0 logic la
ieirea Q. Evident, dac aplicm aceeai supoziie pentru poarta P
2
, valorile logice
ale ieirilor se inverseaz.


5.1.2. Circuitul basculant bistabil SR sincron

Circuitul basculant bistabil SR sincron se obine din cel asincron prin
adugarea a dou pori, 3 i 4, validabile de un impuls de tact (fig. 5.6 i 5.7).
Funcionarea celor dou CBB-SR sincrone fiind similar, ne vom limita la
explicarea funcionrii circuitului din fig. 5.6 a.
Observm c pentru 1 CLK = , porile 3 i 4 sunt inhibate i orice modificare
a lui S i R nu va afecta CBB-ul SR asincron format din porile 1 i 2. ntr-adevr,
pentru 1 CLK = , intrrile acestuia vor fi S
n
R
n
=00 i, conform primei linii din tab.
5.1, Q
n+1
=Q
n
i ieirile vor rmne neschimbate.
Cnd 0 CLK = , porile 3 i 4 vor fi validate i intrrile S R , transformate n
SR, vor avea acces la intrrile CBB-SR asincron, acionnd conform tab. 5.1.
n
n
R S
x 1 0 0
x 1
1 0
1
0
00 01 11 10 Q
n

S
n

n n
Q R
Q
Q
Q
Capitolul 5


92
Pentru o funcionare sincron a circuitului este necesar ca 0 CLK = , care
dicteaz cnd s se execute comenzile date de intrrile S R , s apar numai dup ce
acestea s-au stabilizat. Modificarea lui S R n intervalul de timp n care porile de
intrare 3 i 4 sunt deschise, conduce la o funcionare asincron a circuitului. Din
acest motiv, sunt necesare condiii restrictive pentru relaia de timp dintre CLK i
S R .















a) schema logic b) schema bloc

Fig. 5.6. CBB-SR sincron, varianta NOR


















a) schema logic b) schema bloc

Fig. 5.7. CBB-SR sincron, varianta NAND


3
4
CLK S
1 2
S
R
R
Q Q
S CLK R

Q Q

S CLK R

Q Q
Q Q
CLK
1
4
2
3
S
R
R
S
Circuite logice secveniale


93
Circuitul din fig. 5.7 funcioneaz similar, impulsul de tact fiind de aceast
dat activ pe palierul superior (1 logic) al impulsului de tact.


5.1.3. Circuitul basculant bistabil SR Master-Slave

Dup cum reiese din fig. 5.8, circuitul basculant bistabil SR Master-Slave
reprezint o extensie serie a bistabilului SR sincron implementat cu NAND-uri (v.
fig. 5.7). Schema logic este prezentat n fig. 5.9 a, iar diagramele impulsurilor
CLK i CLK - n fig. 5.9 b i c.



















Fig. 5.8. CBB-SR-MS - Schema bloc

Funcionare
n intervalul (1)-(2), v. diagramele b i c din fig. 5.9, porile de intrare (3M,
4M) i de transfer (3S, 4S) sunt blocate, iar MASTER-ul este izolat att de intrri ct
i de SLAVE.
n intervalul (2)-(3), CLK=1 i porile 3M, 4M sunt validate, iar informaia se
nscrie n MASTER; porile 3S, 4S fiind blocate ( 0 CLK = ), bistabilul SLAVE este
n continuare izolat fa de MASTER.
n intervalul (3)-(4) se repet situaia din intervalul (1)-(2) cnd MASTER-ul
era izolat att de intrri ct i de SLAVE.
n sfrit, dup momentul (4), porile 3M, 4M sunt blocate (MASTER-ul
izolat fa de intrri) iar porile 3S, 4S sunt validate i informaia din MASTER se
transfer n SLAVE.
Concluzionnd, nscrierea informaiei n MASTER are loc nainte de
momentul (3) (posibil chiar pe frontul descresctor al CLK), iar transferul ei n

S
M
R
M

M
Q
M

M
Q
S
S
CLK R
S

S
Q
S

S
Q
S R CLK
Q Q
Capitolul 5


94
SLAVE (i deci la ieire) are loc dup momentul (4) (deci pe acelai front
descresctor al CLK).





















a)






















Fig. 5.9. CBB-SR-MS: a) schem; b), c) diagrame


Q
CLK
1M
4M
2M
3M
R S
1S
4S
2S
3S
Q
CLK
Pori
intrare
CBB-SR
MASTER
asincron
CBB-SR
MASTER
sincron
Pori
transfer
CBB-SR
SLAVE
asincron
CBB-SR
SLAVE
sincron
CLK
"0"
"0"
"1"
"1"
b)
c)
(1)
(2) (3)
(4)
(2)
(1)
(3)
(4)
CLK
t
t
Circuite logice secveniale


95
Prin urmare, pentru nscrierea fr erori a informaiei n CBB-SR-MS, este
necesar ca aceasta s rmn stabil la intrare un interval de timp n jurul
intervalului (3)-(4).
Dei realizeaz o mult mai bun separaie ntre cnd i cum trebuie s se
modifice informaia memorat, CBB-SR-MS nu elimin dezavantajul reprezentat de
posibilitatea apariiei tranziiilor nedeterminate (v. tab. 5.1 i 5.2).
Evident, se pot construi CBB-SR-MS care s comute pe tranziia pozitiv a
impulsului de tact.


5.2. Circuite basculante bistabile de tip D

Circuitele basculante bistabile de tip D pot fi realizate n varianta asincron,
sincron i Master-Slave.


5.2.1. Circuitul basculant bistabil de tip D asincron

Circuitul basculant bistabil de tip D asincron, fig. 5.10, se obine dintr-un
CBB-SR asincron (fig. 5.2, tab. 5.1 sau fig. 5.4, tab. 5.2), prin ataarea unui inversor
n scopul eliminrii strilor nedeterminate.












Fig. 5.10. Circuitul basculant bistabil de tip D asincron

Datorit inversorului, din tabelul 5.1 rmn numai liniile 2 i 3 pentru care
n n n
R S D = = , obinndu-se tabelul 5.3.

Tab. 5.3. Tabelul de tranziie al CBB de tip D






n n n
R S D = == = = == =
Qn Qn+1
1 x 1
0 x 0
S R

Q Q
D
Capitolul 5


96
Deoarece repet practic instantaneu la ieire ceea ce i se aplic la intrare (v.
tab. 5.3), circuitul nu prezint interes practic.


5.2.2. Circuitul basculant bistabil de tip D sincron

Variantele de CBB tip D sincron perezentate n fig. 5.11 i 5.12 au fost
obinute prin ataarea cte unui inversor circuitelor basculante bistabile SR sincrone
din fig. 5.6 i 5.7.












a) modul de obinere b) schema bloc

Fig. 5.11. CBB-D sincron comandat de palierul inferior al CLK












a) modul de obinere b) schema bloc

Fig. 5.12. CBB-D sincron comandat de palierul superior al CLK

Ca i n cazul CBB-SR sincron, pentru a realiza o comutare sincronizat de
CLK, este necesar ca informaia de la intrarea D s se modifice n afara palierului
activ al impulsului de tact ( 0 CLK = pentru fig. 5.11 i CLK=1 pentru fig. 5.12), n
timpul palierului respectiv aceasta trebuind s rmn stabil. Apariia palierului
activ al impulsului de CLK declanaz operaiunea de nscriere a informaiei n
bistabil i permite citirea acesteia la ieire.

CLK
S R

Q Q
D
D CLK

Q Q

CLK
D CLK

Q Q

S R

Q Q
D
Circuite logice secveniale


97
Intervalul de timp scurs ntre momentul apariiei informaiei la intrarea
bistabilului i momentul n care aceasta poate fi citit la ieire, reprezint o
temporizare comandat prin CLK. De fapt, denumirea de bistabil de tip D, provine
din englezescul DELAY=ntrziere.
Bistabilul de tip D sincron are numeroase aplicaii practice, dintre care
amintim: latch-ul adresabil, memoria RAM, etc.


5.2.2.1. Latch-ul adresabil

Latch-ul adresabil, fig. 5.14, reprezint o extensie paralel a circuitului
basculant bistabil (latch-ului) de tip D sincron din fig. 5.11 i se compune din 8
astfel de circuite bistabile i un decodificator de adres.















Fig. 5.14. Latch-ul adresabil

Datele de intrare D
IN
sosesc ntr-o manier serial, fiecare bit fiind distribuit
la intrrile D ale celor 8 latch-uri sincrone. Combinaia logic a liniilor de adres A,
B, C, activeaz una din liniile de ieire ale decodificatorului, selectnd astfel latch-ul
n care urmeaz a fi nscris informaia n timpul palierului activ al impulsului de
CLK. Evident, urmtorul bit de informaie va fi dirijat de ctre combinaia logic a
liniilor de adres ctre un alt bistabil, .a.m.d.
Observm c latch-ul adresabil este de fapt o memorie n care informaia este
nscris bit cu bit, putnd ns fi citit integral la ieirile celor 8 bistabile. Prin
urmare, latch-ul adresabil poate fi privit i ca un convertor serie-paralel.
Latch-ul adresabil realizeaz o bun separaie ntre unde, cnd i cum trebuie
s se nscrie informaia. Astfel, combinaia logic a liniilor de adres stabilete unde
(n ce bistabil) urmeaz a fi nscris informaia, impulsul CLK dicteaz momentul
cnd s aib loc nscrierea, iar valoarea logic a fiecrui bit din componena D
IN

stabilete modul cum urmeaz s se modifice informaia din bistabilul selectat.

DCD


A
CLK
Q
0
Q
1 Q
7
_
E
D
IN

B
C
7 . . . 1 0
D CLK

Q
D CLK

Q
D CLK

Q
Capitolul 5


98

5.2.2.2. Memoria RAM

Memoria RAM (Random Acces Memory = memoria cu acces aleator)
prezint schema din fig. 5.15 i poate fi obinut din latch-ul adresabil prin
adugarea la cele dou niveluri (de decodificare i memorare) a unui al treilea nivel,
de multiplexare.
Funcionarea memoriei RAM cuprinde dou regimuri de lucru i anume:
nscrierea i citirea informaiei.
Regimul de nscriere se realizeaz pentru 0 WE = (Write Enable = autorizare
de nscriere), situaie n care decodificatorul este activat n timp ce multiplexorul
este inhibat.

















Fig. 5.15. Memoria RAM

Combinaia logic a celor n linii de adres va activa una din cele 2
n
linii de
ieire ale decodificatorului, selectnd astfel una din cele 2
n
celule de memorare n
care urmeaz a se nscrie bitul de informaie sosit pe linia de date D
IN
.
Dup epuizarea tuturor celor 2
n
combinaii logice posibile ale liniilor de
adres, un numr de 2
n
bii sosii pe intrarea serial de date D
IN
se vor afla deja
nscrii n cele 2
n
locaii ale memoriei RAM.
Regimul de citire se realizeaz pentru 1 WE = , situaie n care multiplexorul
este activat, iar decodificatorul este inhibat.
Combinaia logic a liniilor de adres va selecta locaia de memorie al crei
coninut trebuie s aib acces la ieirea MUX-ului.
Putem astfel avea acces practic instantaneu la informaia stocat n oricare
din cele 2
n
celule de memorie, cu condiia aplicrii combinaiei logice
corespunztoare a liniilor de adres.
DCD
1 din 2
n

_
E
2
n

CELULE
DE MEMORIE

MUX

_
E
WE



2
n

2
n
D
OUT
D
IN
Adrese

n

n

Circuite logice secveniale


99
Baleierea aleatoare (n orice ordine) a tuturor celor 2
n
combinaii de adres,
va permite o citire serial, ntr-o ordine oarecare, a coninutului tuturor celor 2
n

locaii de memorie.


5.2.3. Circuitul basculant bistabil D Master-Slave

Circuitul basculant bistabil D Master-Slave se obine, ca i omologul su n
variant SR, din dou bistabile D sincrone conectate n cascad i comandate n
contratimp de impulsul de CLK.
n funcie de tipul de bistabile D sincrone din care este constituit, bistabilul D
Master-Slave poate comuta fie pe frontul anterior, fie pe cel posterior al impulsului
de CLK.
Dintre cele mai frecvente aplicaii ale sale, menionm registrele: registrul de
deplasare serie, paralel, combinat, universal, etc.


5.2.3.1. Registrul de deplasare serie

Registrul de deplasare serie, fig. 5.16, este format din 4 bistabili de tip D
Master-Slave.






Fig. 5.16. Schema general a unui registru de deplasare serie

n timpul funcionrii, latch-urile de tip master sunt deschise simultan pentru
CLK=0, cele de tip slave fiind nchise. n timpul tranziiei din 0 n 1 a semnalului de
CLK, latch-urile master se blocheaz iar cele slave se deschid i primesc informaia
din master. Se remarc faptul c n nici un moment nu exist o cale deschis ntre
intrarea i ieirea registrului.
Pe baza schemei din fig. 5.16 putem scrie urmtoarele relaii:

D
OUT
n
=Q
3
n
=D
3
n-1
=Q
2
n-1
=D
2
n-2
=Q
1
n-2
=D
1
n-3
=Q
0
n-3
=D
0
n-4
=D
IN
n-4
(5.5)

Se observ c informaia D
IN
ajunge la ieirea registrului dup 4 impulsuri de
tact.
Registrele de deplasare pot fi construite att n variante statice ct i n
variante dinamice. n cazul structurilor dinamice va trebui impus o frecven
minim a semnalului de ceas pentru ca datele nscrise n celulele de memorare s se
poat regenera sigur prin transferul n celulele urmtoare
Registrele de deplasare serie pot fi utilizate ca memorii cu acces serie (SAR -
Serial Acces Memory/Register). Ele sunt construite pentru un numr foarte mare de
D
0
Q
0


CLK
D
1
Q
1


CLK
D
2
Q
2


CLK
D
3
Q
3


CLK
D
IN

CLK
D
OUT

Capitolul 5


100
bii, creterea numrului de celule de memorare neavnd nici un fel de implicaii
asupra numrului de conexiuni externe ale integratului.


5.2.3.2. Registrul paralel

Registrul paralel (de stocare, tampon) prezentat n fig. 5.17, este format din 4
bistabili de tip D acionai sincron de un tact comun.
n momentul aplicrii tactului, cuvntul binar de 4 bii prezent la intrrile I
0
,
I
1
, I
2
, I
3
, este nscris n cele 4 celule de memorie i poate fi citit la ieirile Q
0
, Q
1
, Q
2
,
Q
3
.
Funcia principal a unui astfel de registru este aceea de a stoca temporar
anumite configuraii binare n scopul unui acces uor la ele n vederea prelucrrii.












Fig. 5.17. Schema general a unui registru paralel

Registrul paralel este memoria zonelor de vitez maxim dintr-un sistem
digital de prelucrare a datelor.

















CLK D

Q
I
3

Q
3

I
2

Q
2

I
1

Q
1

CLK
I
0

Q
0

CLK D

Q
CLK D

Q
CLK D

Q
Circuite logice secveniale


101
5.2.3.4. Registrul universal bidirecional de 4 bii

Registrul universal (RU) bidirecional de 4 bii SN 74194, fig. 5.19, acoper
practic toate variantele de registre prezentate anterior.




























Fig. 5.19. Registrul universal bidirecional de 4 bii (SN 74194)

El este format din 4 module identice (A, B, C, D), fiecare coninnd cte 3
pori I, o poart NOR i un circuit basculant bistabil D Master-Slave (CBB-D-MS).
Dup valorile logice pe care le iau intrrile de selecie S
1
S
0
, distingem 4
regimuri de funcionare:

1. S
1
S
0
=00 Funcionarea RU este blocat iar datele deja existente n registru
sunt pstrate.
ntr-adevr, pentru S
1
S
0
=00, la ieirile inversoarelor 1 i 2 vom avea
combinaia logic 11 care se aplic la intrrile porii 4. Aceasta va elabora un 1 logic
la ieire care va fora n 0 logic ieirea porii 5, indiferent de valorile logice ale
semnalului de CLK. n consecin tactul este blocat iar cele 4 bistabile D din
structura RU i vor pstra coninutul logic anterior, disponibil n continuare la
ieirile Q
0
, Q
1
, Q
2
i Q
3
.

D Q

CLK CL
I
0
(3)
D Q

CLK CL
I
1
(4)
D Q

CLK CL
I
2
(5)
D Q

CLK CL
I
3
(6)
S
0
(9)
S
1
(10)
RI(2) LI(7)
Q
3
(12)
(RO)
Q
1
(14) Q
2
(13) Q
0
(15)
(LO)
CLK (11)
) 1 ( CL
1A 2A 3A 1B 2B 3B
1C
2C 3C
1D 2D 3D
4
3
2
1
5
D C B A
Bara 3
Bara 2
Bara 1
Capitolul 5


102
2. S
1
S
0
=01 Regim de registru de deplasare la dreapta.
La intrrile porii 4 vom avea combinaia logic 10, deci la ieirea acestei
pori i la intrarea porii 5 vom avea 0 logic. Poarta 5 va fi prin urmare validat, iar
impulsurile de CLK vor avea cale liber ctre cele 4 bistabile.
n acelai timp, combinaia logic S
1
S
0
=01 activeaz (1 logic) bara 3 i
dezactiveaz (0 logic) barele 1 i 2. Ca urmare, porile 1A, 1B, 1C i 1D vor fi
validate, permind funcionarea n regim de registru de deplasare la dreapta a RU.
ntr-adevr, intrarea de date serial RI este cuplat prin poarta 1A la intrarea
bistabilului A, ieirea acestuia este conectat prin poarta 1B la intrarea bistabilului
B, ieirea bistabilului B, prin poarta 1C, la intrarea bistabilului C, ieirea bistabilului
C, prin poarta 1D, la intrarea bistabilului D, iar ieirea acestuia din urm, la ieirea
serial RO.
n rest, funcionarea este identic cu cea descris n 5.2.3.1.

3. S
1
S
0
=10 Regim de registru de deplasare la stnga
De aceast dat, singura bar activat va fi bara 1 care va valida porile 3A,
3B, 3C i 3D. Intrarea serial pentru deplasare la stnga LI (Left Input) va fi
conectat prin intermediul portii 3D la intrarea bistabilului D, ieirea acestuia, prin
intermediul porii 3C, la intrarea bistabilului C, .a.m.d., n final, ieirea bistabilului
A reprezentnd ieirea serial LO (Left Output) a registrului de deplasara la stnga.
Funcionarea este cea deja descris n 5.2.3.1.

4. S
1
S
0
=11 Regim de registru paralel (tampon)
Pentru S
1
S
0
=11, pe barele 1 i 3 vom avea 0 logic, iar pe bara 2 1 logic.
Porile validate vor fi de aceast dat 2A, 2B, 2C i 2D, prin intermediul crora
intrrile paralel I
0
, I
1
, I
2
i I
3
se vor aplica la intrrile bistabilelor A, B, C i D. La
apariia primului front activ al semnalului de CLK, cei 4 biti informaionali vor fi
nscrii simultan n cele 4 bistabile, fiind disponibili n acelai timp la ieirile
acestora.