Apostila de Eletrnica Linear 1

COLGIO DO INSTITUTO BATISTA AMERICANO
PROF. ABIMAILTON PRATTI DA SILVA

Rua Mariana N. 70 Retiro VoIta Redonda -
TeIefone: (24) 33381279
2
Colgio do Instituto Batista Americano Apostila de Eletrnica Linear
62/,&,7$d2
1mR WHPRV GLUHLWR DXWRUDO UHVHUYDGR SDUD R SUHVHQWH
WUDEDOKR3RUWDQWRHPFDVRGHXWLOL]DomRGHTXDOTXHUSDUWH
GHVWDDSRVWLODRTXHVROLFLWDPRVpDGLYXOJDomRGHVWDFRPR
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(QJ
R
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3
INDICE
1.0 INTRODUAO A ELETRNICA
1.1 HISTRICO
1.2 ESTRUTURA DA MATERIA
1.2.1 TOMO
1.2.2 NIVEIS DE ENERGIA
1.2.3 COVALNCIA
1.3 CONDUTORES
1.4 AAO DA TEMPERATURA NO CONDUTOR
1.5 ISOLANTES
1.6 SEMICONDUTORES
1.7 CONSTRUAO DO DIODO
1.7.1 FORMAAO DOS ELEMENTOS P
1.7.2 ELEMENTOS TRIVALENTES
1.7.3 ELEMENTOS TETRAVALENTES
1.7.4 DOPAGEM
1.7.5 IMPUREZA
1.8 FORMAAO DOS ELEMENTOS TIPO N
1.8.1 ELEMENTO PENTAVALENTE
1.9.1 1UNAO PN NAO POLARIZADA
1.9.2 1UNAO PN POLARIZADA INVERSAMENTE ou REVERSAMENTE POLARIZADA
1.9.3 1UNAO PN DIRETAMENTE POLARIZADA
1.9.4 SIMBOLOS
1.9.5 CURVA CARACTERISTICA DO DIODO
4
1.9.6 LINHA DE CARGA
1.9.7 PONTO Q (Quiescente)
1.10 NOTAAO
1.11 EFEITO DA TEMPERATURA NA CARACTERISTICA DIRETA DE UM DIODO
1.12 APROXIMAES DE UM DIODO
1.12.1 PRIMEIRA APROXIMAAO - DIODO IDEAL
1.12.2 SEGUNDA APROXIMAAO
1.12.3 TERCEIRA APROXIMAAO
2.0 GERADOR ELEMENTAR
2.1 VALOR MEDIO DE TENSAO (VDC) E CORRENTE (IDC) DE UM SINAL
PERIDICO
2.1.1 DEFINIAO DE FREQUNCIA
2.2 VALOR EFICAZ DE TENSAO E CORRENTE
2.2.1 PRINCIPAIS VALORES EFICAZES, DE TENSAO E DE CORRENTE PARA FORMAS
DE ONDA NOS RETIFICADORES
3.0 NOES DE TRANSFORMADORES
3.1 RELAES DE ESPIRAS
3.2 TIPOS DE TRANSFORMADORES
3.2.1 TRANSFORMADOR ELEVADOR DE TENSAO
3.2.2 TRANSFORMADOR ABAIXADOR OU REDUTOR DE TENSAO
4.0 RETIFICADORES
4.1 RETIFICADOR DE MEIA ONDA
4.1.1 FORMAS DE ONDAS
4.1.2 VALORES MEDIOS DE TENSAO E CORRENTE NA CARGA
4.1.3 VALORES EFICAZES DE TENSAO E CORRENTE NA CARGA
4.1.4 TENSAO DE PICO INVERSA (PIV)
5
4.1.5 CARACTERISTICAS DO DIODO
4.2 RETIFICADORES DE ONDA COMPLETA
4.2.1 RETIFICADOR COM DERIVAAO CENTRAL OU PONTO DE NEUTRO
4.2.3 TENSAO MEDIA E CORRENTE MEDIA NA CARGA
4.2.4 TENSAO EFICAZ E CORRENTE EFICAZ NA CARGA
4.3 RETIFICADOR EM PONTE
4.3.1 TENSAO REVERSA SOBRE OS DIODOS
4.3.2 FORMAS DE ONDA
4.3.6 FREQNCIA
4.4 RETIFICADORES COM FILTROS
4.4.1 FILTRAGEM DA MEIA ONDA
4.4.2 FILTRAGEM DE ONDA COMPLETA
4.4.3 TENSAO DA ONDULAAO
4.4.4 ORIENTAAO PARA PRO1ETO
4.4.5 TENSAO CC NA CARGA
4.5 ESPECIFICAES DO DIODO
4.5.1 ESPECIFICAES DO DIODO NO RETIFICADOR MEIA ONDA
4.5.2 ESPECIFICAES DO DIODO NO RETIFICADOR COM DERIVAAO
CENTRAL
6
4.5.3 ESPECIFICAES DO DIODO NO RETIFICADOR EM PONTE
4.6 CORRENTE DE SURTO (CORRENTE IMPULSIVA)
4.7 PRO1ETO DE RETIFICADOR EM PONTE COM FILTRO
5.0 DIODO ZENER
5.1 SIMBOLO
5.2 CURVA DO ZENER
5.3 PRO1ETO DE UM REGULADOR ZENER
5.3 .1 CIRCUITO REGULADOR
5.3.2 INTERPRETAAO DO CIRCUITO
5.3.3 LIMITAES
MINIMA TENSAO DE ENTRADA ADMISSIVEL
MXIMA TENSAO DE ENTRADA ADMISSIVEL
5.3.4 DIMENSIONAMENTO DO ZENER
PARA A MINIMA TENSAO DE ENTRADA:
PARA A MXIMA TENSAO DE ENTRADA:
5.3.5 PRO1ETO DE UM REGULADOR ZENER
PARA A MXIMA TENSAO DE ENTRADA
6.0 TRANSISTORES BIPOLARES
6.1 SIMBOLOGIA
6.2 POLARIZANDO O TRANSISTOR
6.2.1 TRANSISTOR SEM POLARIZAAO
6.2.2 POLARIZAAO DIRETA-DIRETA
6.2.3 POLARIZAAO REVERSA-REVERSA
6.2.4 POLARIZAAO DIRETA-REVERSA
7
6.2.5 RELAES DO TRANSISTOR
6.3. PARAMETROS DO TRANSISTOR
6.3.1 ALFA
6.3.2 BETA
6.3.3 RELAAO ENTRE ALFA E BETA
6.3.4 CORRENTES DE FUGA DO TRANSISTOR
6.3.5 TENSAO DE RUPTURA DE UM TRANSISTOR
6.4 CONFIGURAES DO TRANSISTOR E CURVAS CARACTERISTICAS
6.4.1 CONFIGURAAO BASE-COMUM / B.C
6.4.2 CURVA CARACTERISTICA PARA BASE-COMUM
6.4.3 CONFIGURAAO EMISSOR-COMUM / E.C
6.4.4 CURVA CARACTERISTICA PARA EMISSOR-COMUM
6.4.5 CONFIGURAAO COLETOR-COMUM / E.C
6.4.6 CURVA CARACTERISTICA PARA COLETOR-COMUM
6.4.7 ESPECIFICAES DO TRANSISTOR
6.4.8 PONTO DE OPERAAO
6.4.9 CORTE
6.4.10 SATURAAO
6.4.11 REGIAO ATIVA
6.5 CIRCUITOS POLARIZADORES DO TRANSISTOR
6.5.1 CIRCUITO DE POLARIZAAO FIXADA ( OU POLARIZAAO DA BASE)
6.5.2 RETA DE CARGA
6.6 EFEITO DA TEMPERATURANA POLARIZAAO
6.6.1 FATOR DE ESTABILIDADE S
8
6.6.2 ESTABILIZAAO DA POLARIZAAO
6.7 CIRCUITO DE POLARIZAAO COM RESISTOR DE EMISSOR
6.8 POLARIZAAO POR DIVISOR DE TENSAO (POLARIZAAO INDEPENDENTE DE
BETA)
6.8.1 EQUAES IMPORTANTES DO CIRCUITO DIVISOR DE TENSAO
7.0 IDENTIFICAAO DE TERMINAIS E TESTE DE TRANSISTORES
7.1 IDENTIFICAAO DE TERMINAIS DE TRANSISTORES
7.2 TESTE DE TRANSISTORES BIPOLARES
7.2 .1 PROVA DE 1UNAO
7.2.2 PROVA DE 1UNAO
APNDICE 1 - TABELA DE TRANSISTORES
APNDICE 2 - ENCAPSULAMENTO DE TRANSISTORES
APNDICE 3
CDIGO DE CORES DE RESISTORES
APNDICE 4
VALORES PADRAO DE RESISTORES
APNDICE 5
CDIGO DE CORES DE CAPACITORES
APNDICE 6
VALORES PADRAO DE CAPACITORES
9
1.0 INTRODUAO A ELETRNICA
1.1 HISTRICO
A era da eletrnica do estado slido, comeou realmente, na decada de 50, quando os
dispositivos do estado solido, comearam a se tornar disponiveis comercialmente.
Novos circuitos Ioram desenvolvidos para substituirem os circuitos a valvula. As
dimenses e o peso dos equipamentos eletrnicos diminuiram rapidamente. Na epoca os
transistores, os resistores e os capacitores, constituiam os equipamentos eletrnicos e eram
usados separadamente, como componentes discretos, Iormando circuitos para realizao de
diIerentes Iunes.
Em 1958, Ioram desenvolvidas unidades simples, que continham o equivalente a varios
transistores, resistores e capacitores, que atuassem juntos para realizar a tareIa de um circuito
completo. Esses circuitos integrados, tambem conhecidos como CI`s, desenvolveram-se
rapidamente, reduzindo os custos de montagem dos equipamentos e outra vez diminuindo as
dimenses, peso e energia requerida, com maior segurana.
A criao da tecnologia dos semicondutores de baixa potncia, conduziu ao rapido
desenvolvimento da tecnologia do circuito digital e mais Iunes Ioram introduzidas nos CI`s,
sua variedade aumentou enormemente. Esses dispositivos com integrao de dimenso mdia
(MSI), iniciaram a revoluo, que hoje observamos na eletrnica.
Em 1971, Ioram introduzidos os CHIP`s MICROPROCESSADORES, um circuito
integrado, que continham tudo, que era necessario, para constituir um sistema de controle e os
circuitos externos, que podiam realizar, um grande numero de Iunes de controle, simplesmente
atraves de mudanas nas instrues.
A introduo da integrao em larga escala (LSI) em 1973, permitiu a produo da
primeira calculadora de bolso. Essas calculadoras, tinham trs CI`s, cada um equivalente a 5000
circuitos transistorizados. Estamos agora, na era da integrao em escala muito grande (JLSI) e
dos circuitos integrados de velocidade muito alta (JHSIC), em que sistemas completos, esto
contidos em um unico chip, equivalente a centenas de milhares de circuitos transistorizados.
1.2 ESTRUTURA DA MATERIA
1.2.1 TOMO
DeIinimos o atomo, como sendo a menor particula, que compe a molecula. E esta por
sua vez, e composto de outras particulas, que so: Os protons, neutrons e os eletrons.
Os protons e neutrons constituem o nucleo, tendo os primeiros cargas positivas e os
segundos, no possuem carga alguma.
Os eletrons possuem carga eletrica negativa e giram ao redor do nucleo em orbitas
concntricas.
1.2.2 NIVEIS DE ENERGIA
A ultima camada, chamada camada de valncia, apresenta quando completa um total de 8
eletrons e recebe a denominao de eletrons de valncia.
10
As camadas inIeriores, uma vez completas, no cedem, nem recebem eletrons, logo os
eletrons de valncia, so os nicos em condio, de participarem de fenmenos quimicos ou
eltricos.
Um eletron pode girar, em torno de dois nucleos, quando encontra atomos simetricamente
dispostos.
camada N. maximo de eletrons por camada
K 02
L 08
M 18
N 32
O 32
P 18
Q 08
Tabela 1
1.2.3 COVALNCIA
Existe covalncia, quando os atomos usam em sociedade seus eletrons, para melhor
entendermos, temos a Iigura abaixo, uma molecula de CO2, representado apenas o nucleo e a
camada de valncia.
1.3 CONDUTORES
So elementos, que possuem eltrons livres, em grande quantidades, que por sua vez,
so fracamente ligados ao ncleo e que sobre a ao de uma diIerena de potencial, passam a se
locomover no interior do material em questo.
Quanto maior, o numero de eletrons livres presentes no material, maior sera o Iluxo de
corrente pelo mesmo, quando submetido a uma diIerena de potencial, consequentemente, maior
sera sua condutividade.
11
Os eletrons atraidos pelo polo positivo () da bateria, deixam um espao vazio, que podera ser
ocupado por outro eletron.
1.4 AAO DA TEMPERATURA NO CONDUTOR
Quanto mais aquecemos um condutor, mais energia estamos Iornecendo a ele, e
consequentemente, mais eletrons se movimentaro, ocorrendo choques e um movimento
desordenado no interior do condutor, diIicultando por conseguinte o movimento dos mesmos.
1.5 ISOLANTES
Os eltrons nos materiais isolantes, acham-se fortemente presos em suas ligaes, e
mesmo quando aquecidos, desprendem uma quantidade muito pequena de eletrons, evitando
dessa maneira a circulao de eletrons.
1.6 SEMICONDUTORES
Os materiais semicondutores, so elementos, cuja resistncia situa-se entre a dos
condutores e a dos isolantes. Os principais semicondutores utilizados, so: O germnio (Ge) e o
silicio (si), que em estado puro apresentam-se sob a Iorma cristalina, signiIicando, que seus
atomos, acham-se dispostos uniIormemente.
K 2 , L 8, M 4 K 2, L 8, M 18, N 14
Podemos notar, que o germnio e o silicio, possuem um total de 4 eletrons, na ultima
camada. Como sabemos o numero maximo de eletrons para a ultima camada e de 8, e como
ambos possuem 4, podemos Iormar ligaes covalentes e atingir um total de 8 eletrons. Na
estrutura cristalina de germnio ou silicio, se aplicarmos uma tenso, no resultara uma corrente,
pois no havendo eletrons livres, no havera conduo.
1.7 CONSTRUAO DO DIODO
1.7.1 FORMAAO DOS ELEMENTOS P
1.7.2 ELEMENTOS TRIVALENTES
12
So os atomos, que possuem em sua ultima camada, um total de 3 eletrons.
Ex.. Aluminio, Indio, Boro e Galio.
1.7.3 ELEMENTOS TETRAVALENTES
So os atomos, que possuem em sua ultima camada um total de 4 eletrons.
Ex.. Germnio e silicio.
1.7.4 DOPAGEM
E o processo utilizado, para construir os elementos P e N, atraves da adio junto ao Ge
ou Si, de quantidades bem reduzidas de impurezas.
1.7.5 IMPUREZA
Entende-se por impureza, todo material, que no e o Ge ou Si, tal como, aluminio por
exemplo.
Se o germnio, que e um material tetravalente (ou o silicio), introduzimos uma pequena
quantidade de material trivalente, teremos como conseqncia, que os eletrons desse elemento,
Iormaro ligaes de valncia com os eletrons do Ge ou do Si. Notamos pelo Iato de termos
introduzido um elemento trivalente, em uma das ligaes, Ialtara um eletron, pois o elemento
trivalente colaborou com 3 eletrons, enquanto que o Ge (ou o Si) possuem 4 eletrons. Essa Ialta
de eletron, comporta-se como uma carga positiva (lacuna), e nesse espao podera entrar um
eletron de uma outra unio.
1.8 FORMAAO DOS ELEMENTOS TIPO N
1.8.1 ELEMENTO PENTAVALENTE
Entende-se por pentavalente, todo elemento, que possua em sua ultima camada 5 eletrons.
Ex.. Antimnio, fosforo, Arsnico.
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Se em uma pequena barra de Si ou Ge, adicionarmos uma pequena quantidade de um
elemento pentavalente, teremos como resultado, que os eletrons do atomo da impureza Iormaro
ligaes, com o atomo de Ge ou Si.
Notamos, que a impureza, possui 5 eletrons de valncia, enquanto que o Ge ou si,
possuem 4 eletrons de valncia, como a ultima camada pode no maximo, se apresentar com 8
eletrons, teremos um eletron a mais, que no estara Iortemente ligado como os outros, podendo
por conseguinte, mover-se pelo cristal, quando este Ior submetido a uma tenso externa.
1.9 1UNAO PN - DIODO
Se unirmos substncias do tipo P, com substncia do tipo N, de maneira a construirmos
um cristal unico, esta juno PN ou diodo de juno.
Nos elementos tipo N, os eletrons sero denominados, portadores majoritarios de carga e
as lacunas portadores minoritarios.
Ja nos elementos tipo P, as lacunas sero denominadas, portadores majoritarios e os
eletrons portadores minoritarios.
1.9.1 1UNAO PN NAO POLARIZADA
O material N, apresenta um grande numero de eletrons e o material P, um grande numero de
lacunas, logo, quando Iormam uma juno, havera diIuso de lacunas do elemento P ao N, e
eletrons de N para P. Durante a diIuso, as areas que, se encontram em torno da juno, Iicaro
livres de portadores de carga, devido a recombinao entre esses portadores.
Com a Iormao de ions positivos de um dos lados da juno, e negativos do outro,
teremos uma barreira negativa do lado P, e uma positiva do lado A. Com o acumulo de ions
positivos e negativos nos lados da juno, teremos a Iormao de uma camada de carga espacial
(CCE) ou barreira de potencial, cuja diIerena de potencial (DDP), e de 0,3 Volts para o
germnio (Ge) e 0,7 Volts para o silicio (Si).
1.9.2 1UNAO PN POLARIZADA INVERSAMENTE ou REVERSAMENTE
POLARIZADA
Podemos notar na Iigura 7, que houve um alargamento da juno ( ou regio de depleo),
quando maior Ior a polarizao reversa, mais alargara a CCE, havendo um limite para esta tenso
reversa.
Ao introduzirmos uma polarizao reversa, estaremos aumentando o campo eletrico, de
modo a impedir a circulao de portadores majoritarios de carga, atraves da juno. Entretanto,
14
teremos um aumento na corrente dos portadores minoritarios, que ira do negativo para o positivo.
Esta corrente, aumenta com a variao da largura da CCE, ate o ponto maximo, onde ela no
aumenta mais. A essa corrente e atribuido o nome de corrente de saturao inversa, que e da
ordem de nano-amperes.
1.9.3 1UNAO PN DIRETAMENTE POLARIZADA
Com a juno diretamente polarizada, teremos uma diminuio na CCE, que diminui
tambem, a resistncia da juno, passando a ser um pouco maior, que uma ou duas dezenas de
Ohms. O elemento PN, conduz quando diretamente polarizado, e no conduz quando polarizado
inversamente (reverso).
1.9.4 SIMBOLOS
15
1.9.5 CURVA CARACTERISTICA DO DIODO
1.9.6 LINHA DE CARGA
E uma Ierramenta graIica usada, para se determinar, o valor da corrente e da tenso do
diodo.
1.9.7 PONTO Q (Quiescente)
O ponto Q, e a interseo da linha de carga, e a curva caracteristica do diodo.
1.10 NOTAAO
Em eletrnica, trabalhamos com numeros muito grandes e muito pequenos, numeros esses
que, alem de apresentar diIiculdades de leitura tornam-se inconvenientes.
Para resolver esta situao, Ioi estabelecida uma notao, para converso de numeros
muito grande ou muito pequenos, em valores substituidos por um simbolo, conIorme a tabela 2 .
16
FATOR PREFIXO SIMBOLO
10
18
EXA E
10
15
PENTA P
10
12
TERA T
10
9
GIGA G
10
6
MEGA M
10
3
KILO K
10
-3
MILI m
10
-6
MICRO
10
-9
NANO n
10
-12
PICO p
10
-15
FEMTO I
Tabela 2
- Nos exemplos abaixo iremos converter as grandezas :
1) 0,000003 A para A ---------- 3A
2) 0,005 V para mV ---------- 5mV
3) 10000 O para KO ---------- 10KO
1.11 EFEITO DA TEMPERATURA NA CARACTERISTICA DIRETA DE UM DIODO
A juno PN, soIre a inIluncia da temperatura, para cada aumento de 1 C na
temperatura, teremos uma queda de tenso direta, diminui cerca de 2,5 mV/ C, conIorme
podemos observar na Iigura 12.
17
1.12 APROXIMAES DE UM DIODO
1.12.1 PRIMEIRA APROXIMAAO - DIODO IDEAL
1.12.2 SEGUNDA APROXIMAAO
1.12.3 TERCEIRA APROXIMAAO
NOTA: na maioria dos trabalhos prticos, a segunda aproximao a mais
recomendada. Aesta primeira parte iremos usar a primeira aproximao.
18
- No exemplo abaixo, determinaremos a corrente do circuito considerando o diodo na
segunda aproximao.
2.0 GERADOR ELEMENTAR
Um gerador elementar consiste, em uma espira de Iio colocada, de tal Iorma, em um
campo magnetico estacionario, que ao se movimentar nas linhas de Iora desse campo, e
induzido nesta, uma fora contra eletromotriz (f.e.m), produzindo uma corrente, que passa pela
espira, aneis coletores, escovas, Amperimetro com zero no centro da escala e um resistor de
carga (figura 17).
Supondo a espira na posio inicial A (0)- (figura 18), e perpendicular ao campo
magnetico, nesta posio ele no corta as linhas de Iora e no ha I.e.m induzida.
A medida que, a espira passa da posio A para B, os condutores cortam um numero
maior de linhas de Iora, ate a posio B (90), temos desta Iorma, uma I.e.m induzida de zero a
um valor maximo .
O GERADOR ELEMEA1AR
19
FUACIOAAMEA1O DO GERADOR
2.1 VALOR MEDIO DE TENSAO (VDC) E CORRENTE (IDC) DE UM SINAL
PERIDICO
20
2.1.2 DEFINIAO DE FREQUNCIA
Em um movimento periodico, numero de oscilaes ou de vibraes realizadas pelo
movel na unidade de tempo; numero de ciclos que um sistema com movimento periodico eIetua
na unidade de tempo .
OBSERVAAO: A relao entre periodo (T) e Ireqncia (I) e : T 1/f e f 1/T.
2.2 VALOR EFICAZ DE TENSAO E CORRENTE
Na Iigura abaixo, temos uma Iorma de onda, de uma corrente periodica qualquer (Ik), esta
corrente, circulou atraves de uma resistncia R, durante um intervalo de tempo t , e dissipou uma
potncia P. Fez-se circular, pela mesma resistncia R , durante o mesmo intervalo de tempo, uma
corrente continua I , que dissipou a mesma potncia P, obtida anteriormente.
O que se pode dizer, e que o valor eIetivo da corrente periodica Ik, deve ser igual ao valor
da corrente continua I, para que possamos obter, nos dois casos o mesmo valor de potncia,
dissipada em R.
Ao valor eIetivo da corrente Ik, denominamos de corrente RMS (Root Mean Square), ou
simplesmente corrente eIicaz.
2.2.1 PRINCIPAIS VALORES EFICAZES, DE TENSAO E DE CORRENTE PARA
FORMAS DE ONDA NOS RETIFICADORES
21
3.0 NOES DE TRANSFORMADORES
3.1 RELAES DE ESPIRAS
Np/Ns Vp/Vs Is/Ip
3.2 TIPOS DE TRANSFORMADORES
22
3.2.1 TRANSFORMADOR ELEVADOR DE TENSAO
3.2.2 TRANSFORMADOR ABAIXADOR OU REDUTOR DE TENSAO
4.0 RETIFICADORES
4.1 RETIFICADOR DE MEIA ONDA
No semiciclo positivo da tenso do secundario, o diodo esta diretamente polarizado, para todas
tenses instantneas, maiores do que a tenso de limiar (CCE), resultando uma meia onda
senoidal de tenso, atraves da carga (RL) .
Utilizaremos a aproximao do diodo ideal, porque a tenso de pico a pico da Ionte, e
geralmente muito maior, que a tenso de limiar.
No semiciclo negativo, o diodo esta reversamente polarizado, e este no conduz, no
havendo tenso na carga, porque no existe corrente no circuito.
23
4.1.2 VALORES MEDIOS DE TENSAO E CORRENTE NA CARGA
VDC Vmax /t IDC Imax /t
4.1.3 VALORES EFICAZES DE TENSAO E CORRENTE NA CARGA
VEF Vmax / 2 IEF Imax / 2
4.1.4 TENSAO DE PICO INVERSA (PIV)
Quando a tenso do secundario, atinge o seu pico maximo negativo, chamamos esta
tenso maxima inversa, de tenso de pico inversa (PIV), que levaremos em considerao na
escolha de nosso diodo.
Na escolha do diodo, a ser aplicado no circuito, devemos observar suas caracteristicas,
que so Iornecidas pelo Iabricante.
Duas caracteristicas importantes so: A Tenso de Pico Inverso (PIV), isto e, a tenso que
o diodo suporta quando inversamente polarizado, e a corrente direta (Io), corrente que o diodo
suporta quando diretamente polarizado.
PIV ~ Vmax (Vmax no secundario ou Vs) e Io ~ Imax /t (IDC do diodo)
24
- No exemplo abaixo determinaremos os valores mdios e eficazes de tenso e corrente na
carga; determinaremos formas de onda no diodo e na carga; e as caractersticas do
diodo.
O primeiro passo, e calcular a tenso maxima do primario, ja que usaremos o valor maximo no
secundario.
VP Vrms x 2 110Vx 1,4112 155,56V
Calculamos agora o valor da tenso no secundario.
VS (NS/NP). VP (100/1000).155,56 V 15,556 V (este o valor mximo no secundrio)
Calculamos os valore eIicazes (EF) de tenso e corrente na carga:
VEF Vmax / RL 15,55V / 2 7,78 V para calcularmos IEF precisamos de Imax
Imx Vmax/RL 15,55/100 O 0,1555 A IEF Imax / 2 0,1555/2 0,07775 A
Calculamos os valores medios (DC) de tenso e corrente na carga:
VDC Vmax /t 15,55V /t 4,94 V IDC Imax /t 0,1555/t 0,04949 A
Calculamos os valores caracteristicos do diodo:
PIV ~ Vmax (Vmax no secundario ou Vs) e Io ~ Imax/t (IDC do diodo)
PIV ~ 15,55 V Io ~ 0,04949 A
25
Determinamos agora as Iormas de ondas:
4.2 RETIFICADORES DE ONDA COMPLETA
4.2.1 RETIFICADOR COM DERIVAAO CENTRAL OU PONTO DE NEUTRO
Quando Js1, estiver no semiciclo positivo, o diodo D1, estara com seu nodo positivo, e
este conduzira. Js2 que e negativo, esta sendo aplicado no nodo do diodo D2, e este se
comporta, como uma chave aberta, no conduzindo.
Quando Js1 passa, a ser negativo, o diodo D1 estara reversamente polarizado, se
comportando, como uma chave aberta, neste instante Js2, e positivo, e polariza o diodo D2
diretamente, que se comporta, como uma chave Iechada, passando assim, a conduzir.
26
Podemos notar, que cada diodo, conduz somente meio ciclo de onda, e sobre a carga,
teremos uma corrente continua pulsante, da mesma Iorma que a tenso.
Observamos ainda, que a tenso reversa, sobre cada diodo, e o dobro da tenso de pico no
secundario (Vmax). Usaremos como exemplo, o valor maximo do secundario de 12V, para
melhor explicarmos, porque a tenso reversa no diodo, e 2.Vmax.
No mesmo instante, em que aparece 12 Volts positivos no catodo de D2, no nodo
aparece 12 Volts negativos, sendo que a tenso reversa no diodo e 24 Volts.
O mesmo acontece com o diodo D1, quando este estiver cortado.
Quanto a Ireqncia, na carga do retiIicador de onda completa, e o dobro da Ireqncia no
primario do transIormador, por exemplo, se Ior 60 Hz, no primario, teremos na carga 120 Hz. E
so observar que, como o periodo na carga, agora e a metade ( de 2t para t), e como I 1/T, logo
a Ireqncia dobra.
27
VDC 2.Vmax / t IDC 2 Imax / t
VeI Vmax / 2 IeI Imax / 2
PIV ~ 2.Vmax Io ~ Imax / t
carga; determinaremos as formas de onda no diodo e na carga; e as caractersticas do
diodo.
secundario.
VP Vrms x 2 117Vx 1,4112 165,46V
28
VS1VS2(NS/NP).VP(100/1000).165,46V 16,546V (este o valor mximo no secundrio)
Calculamos os valores eIicazes (EF) de tenso e corrente na carga:
VEF Vmax / RL 16,54V / 2 11,69 V para calcularmos IEF precisamos de Imax
Imx Vmax/RL 16,54/100 O 0,1654 A IEF Imax / 2 0,1654 / 2 0,1169 A
VDC 2Vmax / t 33,08V /t 10,52 V IDC 2Imax /t 0,3308/ t 0,1052 A
PIV ~ 2Vmax (Vmax no secundario ou Vs) e Io ~ Imax/t (IDC do diodo)
PIV ~ 33,08 V Io ~ 0,05264 A
Determinamos agora as Iormas de onda:
29
4.3 RETIFICADOR EM PONTE
Esta e a Iorma mais Iacil, de se retiIicar, porque ele alcana a tenso de pico completa do
retiIicador e o valor medio e mais alto.
No instante em que temos VS positivo, os diodos D2 e D4 conduzem, pois estaro
diretamente polarizados, e Iaro com que circule uma corrente no circuito.
Quando VS inverte, a polaridade muda, e os diodos D1 e D3 esto diretamente
polarizados e estaro conduzindo, Iazendo com que circule uma corrente no circuito.
Ao instante Js Positivo, temos:
Ao instante Js negativo, temos:
4.3.2 TENSAO REVERSA SOBRE OS DIODOS
Quando Vs e positivo, os diodos D2 e D4 conduzem, e os diodos D1 e D3 encontram-se
inversamente polarizados, e a tenso maxima sobre eles e a maxima tenso Iornecida pelo
secundario. A tenso reversa sobre os diodos D2 e D4, sera a tenso maxima Iornecida pelo
secundario (Vs).
30
4.3.2 FORMAS DE ONDA
VDC 2.Vmax / t IDC 2. Imax / t
VeI Vmax / 2 IeI 2. Imax / 2
Io ~ Imax / t PIV ~ Vmax
4.3.6 FREQNCIA
Como o sinal de saida e uma onda completa, a Ireqncia de saida e o dobro da Ireqncia
de entrada, como a Ireqncia da rede e 60 Hz a Ireqncia na carga e 120 Hz.
31
carga; determinaremos as formas de onda no diodo e na carga; e as caractersticas do
diodo.
secundario.
VP Vrms x 2 120Vx 1,4112 169,34V
VS1VS2(NS/NP).VP(100/1000).169,34V 16,934V (este o valor mximo no secundrio)
Calculamos os valores eIicazes (EF) de tenso e corrente na carga:
VEF Vmax / 2 16,93 V / 2 11,97 V para calcularmos IEF precisamos de Imax
Imx Vmax/RL 16,93 V /100 O 0,1693 A IEF Imax / 2 0,1693 / 2 0,1197 A
VDC 2Vmax / t 33,86 V /t 10,77 V IDC 2Imax /t 0,3386/ t 0,1077 A
PIV ~ Vmax (Vmax no secundario ou Vs) e Io ~ Imax/t (IDC do diodo)
PIV ~ 16,93 V Io ~ 0,0539 A
32
Determinamos agora as Iormas de onda:
4.4 RETIFICADORES COM FILTROS
4.4.1 FILTRAGEM DA MEIA ONDA
A figura 50-a, mostra uma Ionte ca, que gera uma tenso senoidal, com uma tenso de
pico Vp. Durante o primeiro quarto do ciclo de tenso da Ionte, o diodo esta polarizado
diretamente, se comportando como uma chave Iechada. Como o diodo liga a Ionte atraves do
capacitar, o capacitar se carrega ate a tenso de pico Vp. Logo depois de passado o pico positivo,
o diodo para de conduzir, porque o capacitar tem Vp Volts, com a polaridade indicada e
ligeiramente maior, que a tenso da Ionte, e o diodo passa para polarizao reversa.
Com o diodo agora aberto, o capacitar se descarrega atraves da resistncia de carga. A
constante de tempo de descarga ( R.C) e muito maior, do que o periodo T do sinal de entrada, por
causa disso, o capacitar perde somente uma pequena parte da sua carga, durante o tempo, em que
esta desligado do diodo.
33
Quando a tenso da Ionte atinge novamente o seu pico, o diodo conduz durante um breve
intervalo de tempo, e recarrega o capacitar ate a tenso de pico.
A tenso de carga e agora, uma tenso cc quase perIeita. O unico desvio de uma tenso cc
pura, so as pequenas ondulaes causadas pelas cargas e descargas do capacitar. Quanto menor
a ondulao, melhor e a retiIicao. Uma Iorma de se reduzir essa ondulao, e aumentar a
constante de tempo de descarga (RL.C).
4.4.2 FILTRAGEM DE ONDA COMPLETA
Uma outra Iorma de se reduzir a ondulao, e usar um retiIicador onda completa, ou um
retiIicador em ponte, onde teremos a Ireqncia da ondulao, com 120 Hz em vez de 60 Hz.
Neste caso o capacitar e carregado com a Ireqncia duas vezes maior, e tem somente metade do
tempo de descarga, e como conseqncia, a ondulao e menor e a tenso de saida cc, se
aproxima mais da tenso de pico.
4.4.3 TENSAO DA ONDULAAO
Vond Icc/ f.C
Vond - Tenso de pico a pico da ondulao
34
Icc - Corrente de carga cc
f - Freqncia da ondulao
C - Capacitncia
- Exemplo: Para uma corrente de carga cc de 10 mA, uma capacitncia de 470 F, em
um retificador em ponte com uma freqncia da rede 60 Hz, calcule a ondulao de pico a
pico, que produzida pelo capacitor .
Vond 10mA/ 120Hz.470 F 0.177 V
4.4.4 ORIENTAAO PARA PRO1ETO
Quando projetamos um Iiltro com capacitar de entrada, precisamos escolher um que seja
suIicientemente grande para manter a ondulao pequena.
Podemos utilizar a regra dos 1", que mantenha a ondulao em 10 da tenso de pico.
- Exemplo: Dado uma corrente de carga cc de 25 mA, em um circuito retificador de
meia onda, ligado a rede, e com uma tenso de carga igual a 12 V, calcule o valor correto
para o capacitor.
C Icc/ I. Vond 25 mA/ (60Hz. 1,2V) 347,22 F
4.4.5 TENSAO CC NA CARGA
Idealmente, a tenso de carga cc, e igual a tenso de pico. Como permitimos 10 de
ondulao, podemos usar a Iormula mais precisa:
Vcc Vpico - Vond /2
Exemplo: Se Vpico igual a 15V e considerando Vond 1,5V, temos:
Vcc 15V - 1,5 / 2 14,25 V
4.5 ESPECIFICAES DO DIODO
4.5.1 ESPECIFICAES DO DIODO NO RETIFICADOR MEIA ONDA
Com a introduo do capacitar no circuito, todas as caracteristicas do diodo se
modificam, pois o circuito agora no mais o mesmo.
Io > Icc e PIV > 2.Vmx
Io e como a corrente cc e indicada nas Iolhas de dados, e a corrente direta, que o diodo
suporta.
35
4.5.2 ESPECIFICAES DO DIODO NO RETIFICADOR COM DERIVAAO
CENTRAL
Io > Icc/ 2 e PIV > 2.Vmx
4.5.3 ESPECIFICAES DO DIODO NO RETIFICADOR EM PONTE
Io > Icc/ 2 e PIV > 2.Vmx
4.6 CORRENTE DE SURTO (CORRENTE IMPULSIVA)
Antes de ligarmos a alimentao, o capacitar do Iiltro esta descarregado. No instante em
que o circuito e energizado, o capacitar se parece como um curto, portanto a corrente inicial de
carga sera muito grande, esse Iluxo rapido de corrente e chamado corrente de surto.
No pior caso, o circuito pode ser energizado no instante em que, a tenso da linha (rede)
esta no seu maximo. Isto indica que a tenso de pico esta no secundario e o capacitar esta
descarregado. A resistncia a passagem de corrente e a resistncia dos enrolamentos e a
resistncia de corpo (rb) dos diodos, que indicamos como resistncia equivalente RTH,
olhando do capacitar para o retiIicador a pior situao e :
Isurto Vpico/RTH
- Exemplo: Com uma tenso pico de secundrio igual a 17,8V e RTH igual a
1,5 O, calcule corrente de surto ser :
Isurto 17,8V/1,5 O 11,9 A
Essa corrente comea a diminuir to logo o capacitar se carregue, se o capacitar Ior
relativamente grande, a corrente de surto, podera permanecer em um nivel alto por um
determinado instante e daniIicar o diodo.
Como escolhemos a capacitncia, que produza uma ondulao de 1" da tenso de
carga, se a capacitncia for menor que 12F, desprezamos a corrente de surto, porque ela
incapaz de danificar os diodos.
Podemos medir a resistncia de enrolamento com um Ohmimetro e a resistncia de corpo
podemos Iazer uma estimativa pela Iormula abaixo:
rb (Vd - 0,7)/Id rb Resistncia de corpo do diodo
Vd Tenso direta
Id Corrente direta
4.8 PRO1ETO DE RETIFICADOR EM PONTE COM FILTRO
Neste projeto utilizamos um transIormador que nos da uma tenso de pico no secundario
de 25 V, um capacitar de 1000F, sabendo ainda que a resistncia de enrolamento e de 0,8O e os
36
diodos 1N4001, que tem uma corrente direta tipica de 1,5 A para uma tenso direta de 1V e a
corrente de surto de 30 A .
Desenvolvimento:
Vpico25V IL25V/100O VondIL / (I.C)
Vond 0,25A/ ( 120. 1000F) 2,08 V
- Tornando a tenso em VL mais precisa, considerando a tenso de ondulao temos:
VL Vpico Vond/2 ~ VL 25 V 2,08V/2 24V
Incluindo as quedas de tenso dos diodos de silicio:
VL 24V 1,4V 22,6V
- VeriIicando a corrente de surto:
Rb (1,0V 0,7V)/1,5A 0,2O a resistncia total dos corpos dos diodos e:
Rb (total) 0,2O 0,2O 0,4O
- Calculando a corrente de surto: Isurto Vpico/RTH 25V/(0,8O + 0,4O) = 20,8 A
- Como a corrente de surto caracteristica e de 30 A para um ciclo, no ha problema para
essa corrente calculada.
Utilizando a regra dos 10 podemos calcular o valor 'correto do capacitar, utilizando o
Vpico 25V e IL 0,25 A teremos :
Vond IL/(I.C) C 0,25A/(120Hz.2,5V) 833 F
E como este valor no existe comercialmente, utilizaremos o valor comercial de
12F, que imediatamente superior ao valor calculado. Geralmente os capacitores
possuem uma tolerncia de fabricao de +/- 2" .
6.0 DIODO ZENER
E um diodo de silicio que o Iabricante otimiza para trabalhar na regio de ruptura. Ao
contrario dos diodos comuns, o diodo zener trabalha melhor nessa regio. O zener e um dos mais
importantes componentes dos reguladores de tenso, pois mantm a tenso da carga
praticamente constante, apesar das variaes na tenso da linha e da resistncia de carga.
37
5.1 SIMBOLO
5.2 CURVA DO ZENER
Variando o nivel de dopagem dos diodos de silicio, podemos produzir diodos zener com
tenses de ruptura de 2 a 200V. Esses diodos apresentam trs regies de trabalho: Direta, Iuga e
ruptura.
Na regio direta ele comea a conduzir em torno de 0,7 V, da mesma Iorma que um diodo
comum. Na regio de Iuga (entre zero e a ruptura), apresenta uma Iuga ou corrente reversa. Na
regio de ruptura ou de avalanche, apresenta um joelho muito acentuado, com um aumento de
corrente praticamente vertical, onde observamos que a tenso e praticamente constante,
aproximadamente igual a VZ.
5.3 PRO1ETO DE UM REGULADOR ZENER
5.3.1 CIRCUITO REGULADOR
A finalidade do circuito regulador, e compensar as variaes de entrada e de saida, de
modo a manter a tenso de sada constante.
38
5.3.2 INTERPRETAAO DO CIRCUITO
Supondo que o zener esteja trabalhando na regio de avalanche controlada, podemos
considerar VZ constante. Caso haja uma variao de corrente na carga ou na tenso de entrada, o
zener devera compensar essas variaes.
IL IZ IL donde I e constante
Se IL aumentar IZ diminuira e se IL diminuir IZ aumentara e com a variao de IZ, VZ
devera permanecer constante.
5.3.3 LIMITAES
MINIMA TENSAO DE ENTRADA ADMISSIVEL
- Existe uma tenso de entrada minima, para o qual o circuito no perde as
caracteristicas de regulao e a tenso de saida permanece aproximadamente constante
para esse valor minimo da tenso de entrada.
Vin VR VZ
Vin min VR min VZ
Vin min R.I VZ
Vin min R.(IZ IL) VZ
Vin min R.(IZ min IL max) VZ
MXIMA TENSAO DE ENTRADA ADMISSIVEL
- Existe uma tenso maxima, para a qual o circuito no perde as caracteristicas de
regulao. Esta tenso esta vinculada a potncia maxima dissipada pelo zener, pois
para o caso de RL (ckt aberto), circulara pelo zener Imax, que no caso devera ser
o Izmax, que e caracteristico do zener, Iornecido pelo Iabricante: Izmax Pzmax /VZ.
Vin VR VZ
Vin max VR max VZ
Vin max R.I VZ
Vin max R.(IZ IL) VZ
39
Vin max R.(IZ max IL min) VZ
5.3.4 DIMENSIONAMENTO DO ZENER
Vin min R.(IZ min IL max) VZ
IL max IZ min (Vin min VZ)/R (1)
PARA A MXIMA TENSAO DE ENTRADA:
Vin max R.(IZ max IL min) VZ
A pior situao sera quando RL , quando IL min 0 e toda corrente passar pelo Zener.
Vin max R.(IZ max) VZ
IZ max (Vin max VZ)/R (2)
A Dividindo a expresso (1) pela expresso (2), teremos:
IL max IZ min (Vin min VZ)/R (1)
IZ max (Vin max VZ)/R (2)
IZ mx (IL mx + IZ mn ) .(Vin mx - VZ) / (Vin mn - VZ)]
O Izmx calculado a corrente que o zener dever suportar. Nos projetos utilizamos
uma corrente de zener maior que a calculada.
5.3.5 PRO1ETO DE UM REGULADOR ZENER
Escolhemos o diodo BZX61/C10 com Pz max 1,3 W; IZ max 130 mA; VZ 10V e
IZ min 20 mA, para projetarmos um regulador com as seguintes caracteristicas: VL 10V;
IL max 20 mA e Vin 15 V /- 10 .
O primeiro passo e veriIicar se o diodo escolhido satisIaz a condio IZ max do diodo ~
IZ max calculado.
IL max ( 20 mA 20 mA) .|(16,5 10).(13,5 10)| 74,28 mA
SatisIeita a condio acima, passamos para o calculo de R;
PARA A MIAIMA 1EASO DE EA1RADA:
Vin min R.(IZ min IL max) VZ onde R (Vin min VZ)/(IL max IZ min)
40
Utilizando a tenso de entrada minima, um valor de R maior, Iaria com que IZ caisse
abaixo de Iz min.
R (13,5 10)/( 20 mA 20 mA) 87,5 O
PARA A MAXIMA 1EASO DE EA1RADA
Vin max R.(IL min Iz max) VZ , IL min 0, pois RL (situao critica)
R ~ (Vin max VZ )/ IZ max
Nesta condio de tenso maxima de entrada, para um valor menor de R, Iaria com que IZ
Iosse maior que o IZ max do diodo.
R ~ (16,5 10)/130 mA 50 O
No calculo de R por Vin max utilizamos Izmax e no Iz max calculado, isso nos da uma
Iaixa maior de variao de R, pois pelo zener utilizado pode circular 130 mA.
Como R esta compreendido entre 50O R 87,5 O, podemos utilizar 75 O .
A potncia dissipada pelo resistor sera : P V
2
/R , onde Vin max 16,5 V e VZ 10V
logo V Vin max VZ 6,5 V .
P (6,5)
2
/75 O = 563,3 mW e nosso resistor deve possuir 75 O e 1 W.
6.0 TRANSISTORES BIPOLARES
O transistor e um dispositivo Iormado por trs regies conhecidas como: emissor, base e
coletor. O emissor e densamente dopado; sua Iuno e de injetar eletrons na base. A base e
levemente dopada e muito Iina, ela permite que a maioria dos eletrons injetados pelo emissor
passe para o coletor. O coletor e assim chamado porque ele coleta os eletrons que vem da base, e
possui a regio mais extensa dos trs, para dissipar mais calor que as outras regies.
Por ter duas junes, uma entre o emissor e a base e outra entre a base e o coletor, o
transistor se assemelha a dois diodos.
41
6.1 SIMBOLOGIA
6.2 POLARIZANDO O TRANSISTOR
6.2.1 TRANSISTOR SEM POLARIZAAO
A diIuso de eletrons livres na juno, produz duas camadas de depleo. Para cada uma
dessas camadas o potencial da barreira e de aproximadamente 0,7 J em 25 C para um transistor
de silicio e 0,3 J para o de germnio. Pelo Iato das trs regies terem diIerentes niveis de
dopagem, as camadas de depleo no possuem a mesma largura.
6.2.2 POLARIZAAO DIRETA-DIRETA
A Ionte VEE polariza diretamente o diodo emissor e a Ionte VCC polariza diretamente o
coletor. Os eletrons livres (portadores de carga majoritarios) entram no emissor e no coletor e
juntam-se na base como os dois diodos esto polarizados diretamente as correntes do emissor e
do coletor so grandes.
42
6.2.4 POLARIZAAO REVERSA-REVERSA
Na figura 61 os diodos esto reversamente polarizados. Nessa condio o Iluxo de
corrente e pequeno, que consiste em dois tipos de portadores minoritarios: Os produzidos
termicamente e por Iuga.
6.2.4 POLARIZAAO DIRETA-REVERSA
Polarizando diretamente o diodo emissor e inversamente o diodo coletor, teremos uma
grande corrente de emissor e uma grande corrente de coletor, mesmo este ultimo estando
polarizado reversamente.
No momento em que o diodo emissor e polarizado, se VBE Ior maior que o potencial de
barreira (0,6 a 0,7 para silicio), muitos eletrons do emissor penetram na regio da base. Esses
eletrons na base podem Iluir em qualquer uma das direes: descendo pela Iina base e passando
pelo terminal externo, ou atraves da juno do coletor passando para a regio de coletor.
A corrente de base e pequena, porque a base e pouco dopada contendo poucas lacunas e
tambem muito Iina. Na maior parte dos transistores, em torno de 95 ou mais, os eletrons
injetados pelo emissor Iluem para o coletor, menos de 5 preenchem as lacunas da base e Iluem
para o terminal externo. A Juno base-emissor polarizada diretamente possui pequena uma
pequena barreira de potencial, consequentemente pequena resistncia, acelerando os eletrons em
relao a regio da base, que e estreita de modo a evitar as recombinaes de eletrons-lacunas. O
coletor sendo positivo em relao a base, atraira os eletrons nela injetados, estabelecendo trs
Iluxos de corrente.
43
6.2.5 RELAES DO TRANSISTOR
IE IC IB e VCE VCB VBE
6.4. PARAMETROS DO TRANSISTOR
6.3.1 ALFA
O alIa de um transistor indica o quanto a corrente de coletor se aproxima da corrente de
emissor, indicado da seguinte Iorma:
o cc IC/IE o ca ie/ie
Muitos transistores tem o cc maior que 0,99 e praticamente todos tem o cc maior que
0,95 e por isso podemos aproximar occ de 1 na maioria das analises.
6.4.2 BETA
E a relao entre a corrente de coletor e a corrente de base.
| cc IC/IB | ca ic/ib
Em outro sistema de analise o |cc e dado por hFE e |ca por hIe. Nas Iolhas de dados
pode aparecer, como no exemplo do transistor 2N3904, hFEmin 100 e hFEmax 300, o que
quer dizer que |cc varia de 100 a 300.
6.4.3 RELAAO ENTRE ALFA E BETA
o = |/(| + 1) | = o/(1 o)
6.4.4 CORRENTES DE FUGA DO TRANSISTOR
Nos trs casos abaixo temos uma juno PN reversamente polarizada, logo teremos
corrente de portadores minoritarios circulando pela juno.
44
IEBO Corrente entre emissor e base com coletor aberto.
ICEO Corrente entre coletor e emissor com a base em aberto.
ICBO Corrente entre coletor e base com emissor aberto.
6.3.5 TENSAO DE RUPTURA DE UM TRANSISTOR
Em um transistor quando aplicamos uma tenso reversa em uma das junes, devemos
observar a tenso de ruptura, que por segurana no devemos ultrapassa-la. O Iabricante Iornece
todas as inIormaes sobre o elemento incluindo as tenses de ruptura.
BVCBO Tenso de ruptura entre coletor e base quando o emissor esta aberto.
BVCEO Tenso de ruptura entre coletor e emissor quando a base esta aberta.
BVCES Tenso de ruptura entre coletor e emissor quando a base esta conectada ao emissor.
6.4 CONFIGURAES DO TRANSISTOR E CURVAS CARACTERISTICAS
6.4.1 CONFIGURAAAO BASE-COMUM
6.4.2 CURVA CARACTERISTICA BASE-COMUM
As correntes indicadas nos
circuitos possuem os sentidos
convencionais. E com finalidade
didtica deixamos de colocar os
resistores de polarizao
simplificando os desenhos.
45
6.4.3 CONFIGURAAO EMISSOR-COMUM / E.C
6.4.4 CURVA CARACTERISTICA PARA EMISSOR-COMUM
6.4.5 CONFIGURAAO COLETOR-COMUM / E.C
46
6.4.6 CURVA CARACTERISTICA PARA COLETOR-COMUM
6.4.7 ESPECIFICAES DO TRANSISTOR
Os transistores de pequenos sinais podem dissipar meio Watt ou menos, e os
transistores de potncia mais de meio Watt.
Nas Iolhas de dados de um transistor, temos indicados as especiIicaes maximas, que
Iixam os limites de correntes, tenses e outras quantidades do transistor.
Por exemplo o transistor 2N3904:
VCEO 40V
VCBO 60V
VEBO 6V
IC 200 mA cc
PD 310 mW
6.4.8 PONTO DE OPERAAO
Os transistores so usados em uma grande variedade de aplicaes e de varias maneiras
diIerentes. Para usarmos estes dispositivos para ampliIicao de sinal, ou como elementos de
controle (chave liga/desliga), ou qualquer outra aplicao, se Iaz necessario primeiro polarizar o
dispositivo. A razo de polarizar e para ativa-lo, e obter certa condio de corrente e tenso, no
chamado ponto de operao (ou ponto quiescente). O circuito de polarizao deve ser projetado
para Iixar a operao do dispositivo. Se nenhuma polarizao Ior usada, o dispositivo estara
As tenses especiIicadas so reversas, e de ruptura . O valor de IC
e a maxima corrente cc de coletor. E PD e a potncia maxima que
calculamos pela Iormula PD VCE.IC .
47
desligado, que resultaria em corrente e tenso nulas na Iigura abaixo seria o ponto A.
6.4.10 CORTE
E a condio em que o dispositivo no conduz, isto e, a tenso nos terminais do
dispositivo e alta e IC e aproximadamente :ero.
6.4.10 SATURAAO
O transistor operando no corte se comporta como uma
chave aberta, 'no tem corrente e tem tenso`.
Por analogia a um sistema hidraulico, o corte eqivaleria a
uma torneira Iechada.
48
E a condio em que o dispositivo conduz, isto e, a tenso nos terminais do dispositivo e
a menor possivel e a corrente IC e alta.
6.4.11 REGIAO ATIVA
Nesta regio, a juno emissor-base esta polarizada diretamente e a juno base-coletor .
Esta e a regio central do graIico de saida indicado na figura 72, onde as curvas so lineares e
utilizada principalmente na ampliIicao de sinais.
6.5 CIRCUITOS POLARIZADORES DO TRANSISTOR
6.5.1 CIRCUITO DE POLARIZAAO FIXADA ( OU POLARIZAAO DA BASE)
No circuito abaixo Fig. 75-c eliminamos a Ionte VBB, ate ento utilizada na
(figura 75-a), passando a utilizar apenas a Ionte VCC.
Observe que at agora temos designado as fontes de tenso, usando o V de tenso,
repetindo ao lado as iniciais do terminal do transistor, mais o sinal do polo, ligado a este,
formando no caso + VCC, + VBB ou + VEE.
O transistor operando na saturao se comporta como
uma chave fechada, ~tem corrente e no tem tenso".
Por analogia a um sistema hidraulico, a saturao
eqivaleria a uma torneira aberta.
49
Para melhor compreendermos o circuito, descrevemos as equaes das malhas de entrada e de
saida
EQUAAO DA MALHA DE ENTRADA (In)
VCC VRB VBE
VCC IB.RB VBE
EQUAAO DA MALHA DE SAIDA (Out)
VCC VRC VCE
VCC IC.RC VCE
Com as equaes das malhas, podemos determinar IB, IC e VCE.
- Da equao da malha de entrada determinamos IB e IC.
IB (VCC VBE)/ RB e IC |.IB
- Da equao da malha de sada determinamos VCE .
VCE VCC VRC
VCE VCC IC.RC
Calculando IB, IC e VCE , determinamos os valores Quiescentes de tenso e corrente de
nosso circuito, conIorme indicado no graIico da figura 77.
50
- No exemplo abaixo determinaremos os valores quiescentes de IB, IC e VCE ,
considerando o transistor de silcio com | = 100.
IB (VCC VBE) / RB
IB (12V 0,7V) / 220KO = 51,36A
IC |.IB
IC 100. 51,36A 5,13mA
VCE VCC IC.RC
VCE 12V - 5,13mA.1200O =5,83V
6.5.2 RETA DE CARGA
A Reta de Carga permite uma analise graIica da polarizao, o que nos da uma melhor
viso na escolha do ponto de polarizao (Q). A Reta de Carga depende apenas da Ionte VCC e
do resistor de coletor (RC) e quando houver do resistor de emissor (RE).
Para traarmos qualquer reta, precisamos de 2 (dois) pontos, um que esta no eixo (V ), que
representa a tenso e outro eixo ( I ), que representa a corrente.
No eixo V marcarmos o valor de + VCC, e no eixo de I, dividimos VCC pelas
resistncias na malha de saida, RC ou RC + RE .
Determinado os pontos nos eixo V e I, traamos a reta de carga e determinamos o ponto
quiescente.
51
6.6 EFEITO DA TEMPERATURA NA POLARIZAAO
Um Iator muito importante que deve ser considerado, e o eIeito da temperatura. A
temperatura Iaz com que certas caracteristicas do dispositivo, tais como ganho de corrente e
corrente de Iuga, medem.
Uma temperatura mais alta resulta em uma corrente maior, prejudicando a condio de
operao Iixada. Por esta razo, o circuito de polarizao deve ter um grau de ESTABILIDADE
DE TEMPERATURA, de Iorma que as mudanas de temperatura do dispositivo resultem no
minimo de mudanas no ponto de operao. Esta manuteno do ponto de operao pode ser
especiIicada por um FATOR DE ESTABILIDADE S.
6.6.1 FATOR DE ESTABILIDADE S
O FATOR DE ESTABILIDADE S e uma quantidade numerica que representa a
variao total da corrente de coletor, devido as variaes em cada um dos parmetros que aIetam
a estabilidade da polarizao.
S (Ico) IC/ Ico S (VBE) IC/ VBE S (|) IC/ |
52
Observando o graIico, veriIicamos que o Fator de Estabilidade varia da situao ideal:
S 1, ate o valor mximo de S | + 1. Essencialmente, o Fator de Estabilidade S, melhor
para valores maiores de RE (resistor de emissor), isto e, a incluso de um resistor de emissor,
melhora a estabilidade da polarizao, tornando S menor .
Dos parmetros que aIetam a estabilidade da polarizao, o que mais varia e aIeta a
estabilidade do circuito e o | . Um bom circuito de polari:ao estabili:ado consiste, em grande
parte, em estabili:ar o efeito do | .
6.6.2 ESTABILIZAAO DA POLARIZAAO
Enquanto o circuito de polarizao Iixada resulta em ganho adequado para operar como
ampliIicador, torna-se diIicil manter a estabilidade da polarizao.
Nos circuitos ampliIicadores a corrente de coletor IC variara quando mudar a
temperatura, devido aos trs Iatores ja vistos:
1. A corrente de saturao inversa, Ico, que dobra a cada aumento de 10 C na temperatura.
2. A tenso base emissor (VBE), que diminui 2,5 mV por aumento de C.
3. O ganho de corrente | do transistor que aumenta com a temperatura .
Qualquer um destes itens, pode Iazer com que o ponto de polarizao estabelecido varie
com a mudana de temperatura. Abaixo temos os parmetros do transistor de silicio.
T (C) Ico (nA) | VBE (Volts)
-65 0,2 x 10
-3
20 0,85
25 0,1 50 0,65
100 20 80 0,48
175 3,3 x 10
3
120 0,30
53
Nos graIicos abaixo temos a caracteristica de um transistor na temperatura ambiente
25 C - Fig. 82, e o outro na temperatura de 100 C - Fig. 83.
Com o aumento de temperatura, resultou em um deslocamento do ponto quiescente,
Iazendo com que as curvas subissem. O ponto quiescente mudou para uma corrente de coletor
(IC) mais alta e uma tenso VCE menor, levando o ponto de operao proximo da saturao.
6.7 CIRCUITO DE POLARIZAAO COM RESISTOR DE EMISSOR
O circuito de polarizao com o resistor de emissor, produz uma estabilidade melhor do
que o circuito de polarizao Iixada, pois conIorme visto pela curva do Fator de Estabilidade
S, a presena do resistor de emissor melhora a estabilidade do circuito.
54
EQUAAO DA MALHA DE ENTRADA (In)
VCC VRB VBE VRE
VCC IB.RB VBE IE.RE
EQUAAO DA MALHA DE SAIDA (Out)
VCC VRC VCE VRE
VCC IC.RC VCE IE.RE
Com as equaes das malhas, podemos determinar IB, IC e VCE.
- Da equao da malha de entrada determinamos IB e IC.
IE IC IB e IC |.IB, substituindo temo s : IE |.IB IB
colocando IB em evidncia temos: IE (|+1).IB
Logo a equao de entrada Iica:
VCC IB.RB VBE (|+1).IB.RE
Ento determinamos a corrente IB:
IB (VCC VBE)/ RB (|+1).RE
Calculado IB, calculamos o valor de IC:
IC |.IB
- Da equao da malha de sada determinamos VCE .
VCC VRC VCE VRE
VCC IC.RC VCE IE.RE
Como IC~ IE temos:
VCE VCC IC (RC RE)
VCE pode ainda ser determinado por :
VCE VC VE e por VCE VCB VBE
Calculando IB, IC e VCE , determinamos os valores Quiescentes de tenso e corrente de
nosso circuito, conIorme indicado no graIico da figura 85.
55
- No exemplo abaixo determinaremos os valores quiescentes de IB, IC, VCE,
considerando o transistor de silcio com | = 100 e traaremos a reta de carga.
IB (VCC VBE)/ RB |. RE (15V 0,7V) / 390K 100.510 32,42 A
IC IB. | 32,42 A.100 3,24 mA
VCE VCC IC(RC RE) 15V - 3,24 mA(2K 510) 6,86V
6.8 POLARIZAAO POR DIVISOR DE TENSAO (POLARIZAAO
INDEPENDENTE DE BETA)
Nos circuitos anteriores os valores de corrente e tenso de polarizao de coletor
dependiam de |. Mas como | e sensivel a temperatura, principalmente para transistores de
56
silicio. Como o valor de | no e bem deIinido, sera desejavel um circuito de polarizao, que
seja independente de |. Este circuito e o divisor de tenso.
PELA MALHA DE ENTRADA (In)
VB VCC . R2/ (R1 R2)
VE VB VBE
IE VE / RE
PELA MALHA DE SAIDA (Out)
VCC VRC VCE VRE
VCC IC.RC VCE IE.RE
Como IC A IE temos que:
VCE VCC IC (RC RE)
VCE pode ainda ser determinado por :
VCE VC VE
VCE VCB VBE
OBS: Podemos verificar nos calculos acima, que | no foi utili:ado na
determinao dos valores quiescentes de tenso e correntes .
57
- No exemplo abaixo determinaremos os valores quiescentes de IB, IC, VCE,
considerando o transistor de silcio com | = 100 e traaremos a reta de carga.
VB VCC. R1 / R1 R2
VB 30V. 1KO / 1KO 6K8O 3,85 V
VE VB VBE
VE 3,85V 0,7V 3,15 V
IE A IC 3,15 /750O 4,2 mA
VCE VCC IC. (RC RE)
VCE 30V 4,2 mA ( 3KO 750O) 14,3V
6.8.1 EQUAES IMPORTANTES DO CIRCUITO DIVISOR DE TENSAO
Abaixo temos importantes equaes utilizadas neste circuito:
V1 VCC. R1 /( R1 R2) ou V1 VRC VCB
VB V2 VCC. R2/( R2 R1) ou VB VBE VRE
VRE VE IE . RE
VRC IC. RC
VC VCC VRC
VCB VCE VBE
58
7.0 IDENTIFICAAO DE TERMINAIS E TESTE DE TRANSISTORES
7.1 IDENTIFICAAO DE TERMINAIS DE TRANSISTORES
Com esta prova, podemos identiIicar os terminais de emissor (E), coletor (C), e a base (B)
de transistores de uso geral, RF e comutao de pequena, media e grande potncias com boa
preciso. A prova tambem permite estabelecer se o transistor e NPN ou PNP .
PROCEDIMENTO:
a) Coloque o multimetro na escala baixa de resistncias : OHMS x 1 ou OHMS x 10, se
Ior analogico. Use a escala de 200 ou 2000 Ohms se Ior digital.
b) Zere o multimetro se Ior analogico.
c) Mea as resistncias diretas e inversas entre os terminais , dois a dois, de Iorma
combinada, ate encontrar um par em que tanto a resistncia direta como a inversa
sejam altas. So 6 medidas realizadas.
d) O terminal que no e usado nesta medida e certamente a base (B).
e) Depois, mea a resistncia direta entre o terminal de base e os outros dois terminais. A
resistncia menor sera medida entre a base e o emissor de acordo com a Iigura .
I) Para saber se o transistor e NPN ou PNP, veriIique se na baixa resistncia , entre a
base e o emissor, e a ponta vermelha ou preta que esta na base. Se Ior vermelha, o
transistor e NPN, e se Ior preta, e PNP.
59
Para os multimetros digitais com a Iuno de prova dos transistores, a combinao
dos terminais serve para a identiIicao. Va ligando o transistor suspeito de diversas
Iormas ate que o multimetro indique um ganho para o componente. Quando isso
ocorrer, e possivel sua ligao no soquete estar certa e a identiIicao dos terminais
pode ser Ieita.
7.2 TESTE DE TRANSISTORES BIPOLARES
7.3 .1 PROVA DE 1UNAO
PROCEDIMENTO:
a) Coloque o multimetro na escala mais baixa de resistncias: OHMS x 1 ou OHMS x
10, se Ior analogico. Se Ior digital use as escalas de 200 ou de 2000 OHMS.
b) Zere o instrumento se Ior analogico.
c) Faa as seguintes medidas:
Resistncia direta coletor-emissor
Resistncia reversa coletor-emissor
Resistncia direta base-coletor
Resistncia reversa base-emissor
Resistncia reversa base-coletor
SatisIeitas estas medidas, o transistor estara com as junes em bom estado. Para
transistores NPN e PNP, as polaridades das pontas de prova so diIerentes.
60
1UNAO MEDIDA CONDIAO
Coletor - Emissor Direta e reversa altas Bom
Coletor - Emissor Direta e reversa baixas Curto
Coletor - Base Direta baixa e reversa alta Bom
Coletor - Base Direta e reversa baixas Curto
Coletor - Base Direta e reversa altas Aberto
Base Emissor Direta baixa e reversa alta Bom
Base Emissor Direta e reversa baixas Curto
Base Emissor Direta e reversa altas Aberto
7.2.2 PROVA DE 1UNAO
PROCEDIMENTO:
a) Repita os procedimentos a e b do item 8.2.1.
b) Mea a resistncia entre coletor e emissor . Se a leitura Ior maior que 10 MO o
transistor esta em boa condio. Se a leitura estiver entre 1MO e 10 MO o transistor
esta com fuga. Se a leitura estiver abaixo de 1MO o transistor esta com muita fuga.
61
APNDICE 1 - TABELA DE TRANSISTORES
Cdigo Polari
dade
IC(max)
A
VCE(max)
Volts
HFE
min-max
Potncia
(Wats)
Frequncia
(MHz)
Encapsulamen
to
BC107 N 0,1 45 125-450 0,3 300 SOT-18(1)
BC108 N 0,1 20 110-800 0,3 300 SOT-18(1)
BC109 N 0,1 20 200-800 0,3 300 SOT-18(1)
BC177 P 0,1 45 75-260 0,3 150 SOT-18(1)
BC178 P 0,1 25 125-500 0,3 150 SOT-18(1)
BC179 P 0,1 20 125-500 0,3 150 SOT-18(1)
BC237 N 0,1 45 110-450 0,3 300 SOT-54(2)
BC238 N 0,1 20 110-800 0,3 300 SOT-54(2)
BC239 N 0,1 20 200-800 0,3 300 SOT-54(2)
BC307 P 0,1 45 75-475 0,3 150 SOT-54(2)
BC308 P 0,1 25 75-475 0,3 150 SOT-54(2)
BC309 P 0,1 20 125-475 0,3 150 SOT-54(2)
BC327 P 0,5 45 100-600 0,8 100 SOT-54(2)
BC328 P 0,5 25 100-600 0,8 100 SOT-54(2)
BC337 N 0,5 45 100-600 0,8 200 SOT-54(2)
BC338 N 0,5 25 100-600 0,8 200 SOT-54(2)
BC368 N 1 20 85-375 1 60 SOT-54(8)
BC369 P 1 20 85-375 1 60 SOT-54(8)
BC375 N 1 20 60-340 0,8 150 SOT-54(2)
BC376 P 1 20 60-340 0,8 150 SOT-54(2)
BC546 N 0,1 65 110-450 0,5 300 SOT-54(2)
BC547 N 0,1 45 110-800 0,5 300 SOT-54(2)
BC548 N 0,1 30 110-800 0,5 300 SOT-54(2)
BC549 N 0,1 30 200-800 0,5 300 SOT-54(2)
BC550 N 0,1 45 200-800 0,5 300 SOT-54(2)
BC556 P 0,1 65 75-250 0,5 150 SOT-54(2)
BC557 P 0,1 45 75-475 0,5 150 SOT-54(2)
BC558 P 0,1 30 75-475 0,5 150 SOT-54(2)
BC559 P 0,1 30 125-475 0,5 150 SOT-54(2)
BC560 P 0,1 45 125-475 0,5 150 SOT-54(2)
BC635 N 1 45 40-250 1 130 SOT-54(8)
BC636 P 1 45 40-250 1 50 SOT-54(8)
BC637 N 1 60 40-160 1 130 SOT-54(8)
BC638 P 1 60 40-160 1 50 SOT-54(8)
BC639 N 1 80 40-160 1 130 SOT-54(8)
BC640 P 1 80 40-160 1 50 SOT-54(8)
BCY30A P 0,05 64 10-35 0,6 7 SOT-5
BCY31A P 0,05 64 15-60 0,6 7 SOT-5
BCY32A P 0,05 64 20-70 0,6 7 SOT-5
62
Cdigo Polari
dade
IC(max)
A
VCE(max)
Volts
HFE
min-max
Potncia
(Wats)
Frequncia
(MHz)
Encapsulamen
to
BCY33A P 0,05 32 10-35 0,6 7 SOT-5
BCY34A P 0,05 32 15-60 0,6 7 SOT-5
BCY58 N 0,2 32 120-630 1 280 SOT-18(1)
BCY59 N 0,2 45 120-630 1 280 SOT-18(1)
BCY70 P 0,2 40 ~100 0,35 ~250 SOT-18(1)
BCY71 P 0,2 45 100-400 0,35 ~250 SOT-18(1)
BCY72 P 0,2 25 ~100 0,35 ~250 SOT-18(1)
BCY78 P 0,2 32 120-630 1 180 SOT-18(1)
BCY79 P 0,2 45 250-460 1 180 SOT-18(1)
BD115 N 0,15 180 ~22 6 145 SOT-39
BD135 N 1 45 40-250 8 250 SOT-32
BD136 P 1 45 40-250 8 75 SOT-32
BD137 N 1 60 40-250 8 250 SOT-32
BD138 P 1 60 40-250 8 75 SOT-32
BD139 N 1 80 40-250 8 250 SOT-32
BD140 P 1 80 40-250 8 75 SOT-32
BD232 N 0,25 300 25-150 15 20 SOT-32
BD233 N 2 45 40-250 25 ~3 SOT-32
BD234 P 2 45 40-250 25 ~3 SOT-32
BD235 N 2 60 40-250 25 ~3 SOT-32
BD236 P 2 60 40-250 25 ~3 SOT-32
BD237 N 2 80 40-250 25 ~3 SOT-32
BD238 P 2 80 40-250 25 ~3 SOT-32
BD262 P 4 60 ~750 40 7 SOT-32
BD262A P 4 80 ~750 40 7 SOT-32
BD262B P 4 100 ~750 40 7 SOT-32
BD263 N 4 60 ~750 40 7 SOT-32
BD263A N 4 80 ~750 40 7 SOT-32
BD263B N 4 100 ~750 40 7 SOT-32
BD291 N 6 45 ~30 60 ~3 SOT-82
BD292 P 6 45 ~30 60 ~3 SOT-82
BD293 N 6 60 ~30 60 ~3 SOT-82
BD294 P 6 60 ~30 60 ~3 SOT-82
BD329 N 3 20 85-375 15 130 SOT-32
BD330 P 3 20 85-375 15 100 SOT-32
BD331 N 6 60 ~750 60 7 SOT-82
BD332 P 6 60 ~750 60 7 SOT-82
BD333 N 6 80 ~750 60 7 SOT-82
BD334 P 6 80 ~750 60 7 SOT-82
BD335 N 6 100 ~750 60 7 SOT-82
BD336 P 6 100 ~750 60 7 SOT-82
63
BD433 N 4 22 85-475 36 ~3 SOT-32
Cdigo Polari
dade
IC(max)
A
VCE(max)
Volts
HFE
min-max
Potncia
(Wats)
Frequncia
(MHz)
Encapsulamen
to
BD434 P 4 22 85-475 36 ~3 SOT-32
BD435 N 4 32 85-475 36 ~3 SOT-32
BD436 P 4 32 85-475 36 ~3 SOT-32
BD437 N 4 45 85-375 36 ~3 SOT-32
BD438 P 4 45 85-375 36 ~3 SOT-32
BDX62 P 8 60 1000 90 100 TO-3
BDX62A P 8 80 1000 90 100 TO-3
BDX62B P 8 100 1000 90 100 TO-3
BDX63 N 8 60 1000 90 100 TO-3
BDX63A N 8 80 1000 90 100 TO-3
BDX63B N 8 100 1000 90 100 TO-3
BF115 N 0,03 30 45-165 0,145 230 SOT-18(2)
BF167 N 0,025 30 26 0,130 350 SOT-18(2)
BF173 N 0,025 25 38 0,260 550 SOT-18(2)
BF180 N 0,020 20 13 0,150 675 SOT-18(11)
BF181 N 0,020 20 13 0,150 600 SOT-18(11)
BF182 N 0,015 20 10 0,150 650 SOT-18(11)
BF183 N 0,015 20 10 0,150 800 SOT-18(11)
BF184 N 0,030 20 75-750 0,145 300 SOT-18(2)
BF185 N 0,030 20 34-140 0,145 220 SOT-18(2)
BF198 N 0,025 30 27 0,500 400 SOT-54(4)
BF199 N 0,025 25 37 0,500 550 SOT-54(4)
BF200 N 0,020 20 15 0,150 650 SOT-18(11)
BF254 N 0,030 20 115 0,300 260 SOT-54(4)
BF255 N 0,030 20 67 0,300 200 SOT-54(4)
BF324 P 0,025 30 25 0,250 450 SOT-54(2)
BF422 N 0,020 250 50 0,830 ~60 SOT-54(8)
BF423 P 0,020 250 50 0,830 ~60 SOT-54(8)
BF457 N 0,100 160 26 6 90 SOT-32(2)
BF458 N 0,100 250 26 6 90 SOT-32(2)
BF459 N 0,100 300 26 6 90 SOT-32(2)
BF480 N 0,020 15 26 0,140 1600 SOT-37(4)
BF494 N 0,030 20 115 0,500 260 SOT-54(4)
BF495 N 0,030 20 67 0,500 200 SOT-54(4)
TIP29 N 1 40 20 30 3 TO66
TIP29A N 1 60 20 30 3 TO66
TIP29B N 1 80 20 30 3 TO66
TIP29C N 1 100 20 30 3 TO66
TIP30 P 1 40 20 30 3 TO66
TIP30A P 1 60 20 30 3 TO66
64
TIP30B P 1 80 20 30 3 TO66
TIP30C P 1 100 20 30 3 TO66
Cdigo Polari
dade
IC(max)
A
VCE(max)
Volts
HFE
min-max
Potncia
(Wats)
Frequncia
(MHz)
Encapsulamen
to
TIP31 N 3 40 20 40 3 TO66
TIP31A N 3 60 20 40 3 TO66
TIP31B N 3 80 20 40 3 TO66
TIP31C N 3 100 20 40 3 TO66
TIP32 P 3 40 20 40 3 TO66
TIP32A P 3 60 20 40 3 TO66
TIP32B P 3 80 20 40 3 TO66
TIP32C P 3 100 20 40 3 TO66
TIP33 N 10 40 20 80 3 TO3
TIP33A N 10 60 20 80 3 TO3
TIP33B N 10 80 20 80 3 TO3
TIP33C N 10 100 20 80 3 TO3
TIP34 P 10 40 20 80 3 TO3
TIP34A P 10 60 20 80 3 TO3
TIP34B P 10 80 20 80 3 TO3
TIP34C P 10 100 20 80 3 TO3
TIP35 N 25 40 25 125 3 TO3
TIP35A N 25 60 25 125 3 TO3
TIP35B N 25 80 25 125 3 TO3
TIP35C N 25 100 25 125 3 TO3
TIP36 P 25 40 25 125 3 TO3
TIP36A P 25 60 25 125 3 TO3
TIP36B P 25 80 25 125 3 TO3
TIP36C P 25 100 25 125 3 TO3
TIP41 N 6 40 20 65 3 TO66
TIP41A N 6 60 20 65 3 TO66
TIP41B N 6 80 20 65 3 TO66
TIP41C N 6 100 20 65 3 TO66
TIP42 P 6 40 20 65 3 TO66
TIP42A P 6 60 20 65 3 TO66
TIP42B P 6 80 20 65 3 TO66
TIP42C P 6 100 20 65 3 TO66
TIP47 N 1 250 25 40 10 TO66
TIP48 N 1 300 25 40 10 TO66
TIP49 N 1 350 25 40 10 TO66
TIP50 N 1 400 25 40 10 TO66
2N696 N 0,001 40 20 1 200 TO5(18)
2N698 N 0,0005 80 20 0,8 200 TO39
2N717 N 1 40 40 0,75 200 TO5(18)
65
2N730 N 1 40 20 0,75 200 TO5(18)
2N917 N 15 5 0,20 60 TO72
2N918 N 50 15 6 0,20 200 TO72
Cdigo Polari
dade
IC(max)
A
VCE(max)
Volts
HFE
min-max
Potncia
(Wats)
Frequncia
(MHz)
Encapsulamen
to
2N1131 P 0,6 35 15 1 TO39
2N1132 P 0,6 35 25 1 TO39
2N1140 N 1 30 100 1,7 TO5(18)
2N1613 N 50 40 1,7 TO5(18)
2N1711 N 1 50 100 1,7 TO5(18)
2N1889 N 80 40 0,8 TO39
2N1890 N 80 100 0,8 TO39
2N1893 N 0,5 100 40 0,8 TO39
2N2992 N 1 50 40 0,8 TO39
2N2193 N 1 50 20 0,8 TO39
2N2194 N 1 40 12 0,8 TO39
2N2217 N 0,8 30 20 0,8 TO5(18)
2N2218 N 0,8 30 40 0,8 TO5(18)
2N2219 N 0,8 30 100 0,8 TO5(18)
2N2220 N 0,8 30 20 0,8 TO5(18)
2N2221 N 0,8 30 40 0,8 TO5(18)
2N2222 N 0,8 30 100 0,5 TO5(18)
2N2243 N 1 80 40 0,8 TO39
2N2369 N 15 20 500 TO52
2N2411 P 0,1 20 20 0,3 TO18
2N2412 P 0,1 20 40 0,3 TO18
2N2432 N 0,1 30 50 0,3 TO19
2N2483 N 0,05 60 100 0,36 TO18
2N2484 N 0,05 60 200 0,36 TO18
2N2861 P 0,1 20 50 0,30 TO18
2N2862 P 0,1 20 25 0,30 TO18
2N2865 N 0,05 13 20 0,20 TO18
2N2904 P 0,6 40 40 0,6 TO5(18)
2N2905 P 0,6 40 100 0,6 TO5(18)
2N2905A P 0,6 60 100 0,6 TO5(18)
2N2906 P 0,6 40 40 0,4 TO5(18)
2N2906A P 0,6 60 40 0,4 TO5(18)
2N2908 P 0,6 40 100 0,4 TO5(18)
2N3012 P 0,2 12 30 0,36 TO18
2N3015 N 30 30 0,8 TO18
2N3036 N 1,2 80 25 0,8 TO39
2N3053 N 0,7 40 50 1 TO39
2N3054 N 4 55 25 25 TO66
66
2N3055 N 15 90 15 70 TO3
2N3418 N 1 60 10 1 TO5
2N3419 N 1 80 10 1 TO5
2N3420 N 1 60 10 1 TO5
Cdigo Polari
dade
IC(max)
A
VCE(max)
Volts
HFE
min-max
Potncia
(Wats)
Frequncia
(MHz)
Encapsulamen
to
2N3421 N 1 80 10 1 TO5
2N3583 N 1 175 25 20 TO66
2N3584 N 2 250 10 20 TO66
2N3585 N 2 300 10 20 TO66
2N3713 N 10 60 15 150 4 TO3
2N3714 N 10 80 15 150 4 TO3
2N3715 N 10 60 30 150 4 TO3
2N3716 N 10 80 30 150 4 TO3
2N3771 N 30 50 40 150 4 TO3
2N3772 N 20 80 40 150 4 TO3
2N3773 N 20 100 30 150 4 TO3
2N3902 N 2,5 400 10 100 4 TO3
2N3903 N 0,2 40 50 0,31 200 TO92
2N3904 N 0,2 40 100 0,31 200 TO92
2N3905 P 0,2 40 50 0,31 200 TO92
2N3906 P 0,2 40 100 0,31 200 TO92
2N3962 P 0,2 60 100 0,36 TO18
2N3963 P 0,2 80 100 0,36 TO18
2N3964 P 0,2 45 200 0,36 TO18
2N3965 P 0,2 60 200 0,36 TO18
2N4026 P 1 60 25 0,5 TO18
2N4027 P 1 80 25 0,5 TO18
2N4028 P 1 60 70 0,5 TO18
2N4029 P 1 80 70 0,5 TO18
2N4030 P 1 60 25 0,8 TO18
2N4031 P 1 80 25 0,8 TO18
2N4032 P 1 60 70 0,8 TO18
2N4033 P 1 80 70 0,8 TO18
2N4036 P 1 65 40 1 TO39
2N4037 P 1 40 40 1 TO39
2N5239 N 1 700 10 100 5 TO39
2N5240 N 7,5 300 30 100 TO3
2N5301 N 30 40 15 200 2 TO3
2N5302 N 30 60 15 200 2 TO3
2N5303 N 30 80 15 200 2 TO3
2N5333 P 2 80 30 15 30 TO3
2N5671 P 10 90 10 80 50 TO3
67
2N5672 P 10 120 10 80 50 TO3
2N5683 P 50 60 15 300 2 TO3
2N5684 P 50 80 15 300 2 TO3
2N5685 N 50 60 15 300 2 TO3
2N5686 N 50 80 15 300 2 TO3
68
APNDICE 2 - ENCAPSULAMENTO DE TRANSISTORES
69
APNDICE 3
CDIGO DE CORES DE RESISTORES
COR
1
a
FAIXA 2
a
FAIXA
MULTIPLICADOR TOLERANCIA
Preto 0 0 X 1
Marrom 1 1 X 10 1
Vermelho 2 2 X 100 2
Laranja 3 3 X 1000 3
Amarelo 4 4 X 10.000 4
Verde 5 5 X 100.000
Azul 6 6 X 1.000.000
Violeta 7 7
Cinza 8 8
Branco 9 9
Ouro X 0,1 5
Preta X 0,01 10
Sem cor 20
70
APNDICE 4
VALORES PADRAO DE RESISTORES
O O O KO KO KO MO MO
1,0 10 100 1,0 10 100 1,0 10
1,1 11 110 1,1 11 110 1,1
1,2 12 120 1,2 12 120 1,2
1,3 13 130 1,3 13 130 1,3
1,5 15 150 1,5 15 150 1,5
1,6 16 160 1,6 16 160 1,6
1,8 18 180 1,8 18 180 1,8
2,0 20 200 2,0 20 200 2,0
2,2 22 220 2,2 22 220 2,2
2,4 24 240 2,4 24 240 2,4
2,7 27 270 2,7 27 270 2,7
3,0 30 300 3,0 30 300 3,0
3,3 33 330 3,3 33 330 3,3
3,6 36 360 3,6 36 360 3,6
3,9 39 390 3,9 39 390 3,9
4,3 43 430 4,3 43 430 4,3
4,7 47 470 4,7 47 470 4,7
5,1 51 510 5,1 51 510 5,1
5,6 56 560 5,6 56 560 5,6
6,2 62 620 6,2 62 620 6,2
6,8 68 680 6,8 68 680 6,8
7,5 75 750 7,5 75 750 7,5
8,2 82 820 8,2 82 820 8,2
9,1 91 910 9,1 91 910 9,1
71
APNDICE 5
CDIGO DE CORES DE CAPACITORES
COR
1
a
FAIXA 2
a
FAIXA 3
a
FAIXA
(N. DE ZEROS)
4
a
FAIXA
(TOLERANCIA)
5
a
FAIXA
(TENSAO
NOMINAL)
Preto 0 0 X 1 20
Marrom 1 1 X 10
Vermelho 2 2 X 100 250 V
Laranja 3 3 X 1000
Amarelo 4 4 X 10.000 400 V
Verde 5 5 X 100.000
Azul 6 6 X 1.000.000 630 V
Violeta 7 7
Cinza 8 8
Branco 9 9 10
72
APNDICE 6
VALORES PADRAO DE CAPACITORES
pF F F F F
10 0,001 0,1 10 1000
12 0,0012
13 0,0013
15 0,0015 0,15 15
18 0,0018
20 0,002
22 0,0022 0,22 22 2200
24
27
30
33 0,0033 0,33 33 3300
36
43
47 0,0047 0,47 47 4700
51
56
62
68 0,0068 0,68 68 6800
75
82
100 0,01 1,0 100 10.000
110
120
130
150 0,015 1,5
180
200
220 0,022 2,2 220 22.000
240
270
300
330 0,033 3,3 330
360
390
430
470 0,047 4,7 470 47.000
510
560
620
680 0,068 6,8
750
820 82.000
910

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PROF. ABIMAILTON PRATTI DA SILVA

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