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Capacitncia a
4.1 Capacitores e Capacitncia a
O capacitor um aparelho eletrnico usado para armazenar energia eltrica. e o e Consiste de dois condutores com um isolante entre eles. Os condutores tm carga Q, o que e estabelece uma diferena de potencial V entre eles. c Fato emp rico: Q V , e a constante de proporcionalidade C a capacitncia: e a Q = CV ou similarmente C = Q/V . Unidade de Capacitncia: C/V = F (Farad) a (4.1)
4.1.1
Para um capacitor de placas paralelas, podemos aproximar o campo como o de duas placas innitas, i.e. E = /0 (cada placa contribuindo com E = /20 ). Usando a Lei de Gauss Q = 0 E dA = 0 EdA = 0 EA (4.2)
e a diferena de potencial V = V+ V ca c
+
V =
E dl =
+
Edl = Ed
(4.3)
Portanto, C= 0 EA 0 A Q = = V Ed d (4.4)
37
38
4.1.2
Para um capacitor cil ndrico, similarmente a uma linha de carga innita, temos Q = 0 E dA = 0 EdA = 0 EA = 0 E(2rL) E= Q 20 Lr (4.5)
e a diferena de potencial: c
+ b
V =
E dl =
+
Edr =
a
Q 20 Lr
dr =
Q ln 20 L
b a
(4.6)
4.1.3
Capacitor Esfrico e
Para um capacitor esfrico e Q = 0 EdA = 0 E(4r2 ) E= Q 40 r2 (4.8)
e a diferena de potencial: c
b
=
+
Edr =
a
Q 40 r2
dr =
Q 40
1 1 a b (4.9)
= Portanto,
Q ba 40 ab
C=
Figura 4.3: (Halliday) Capacitor esfrico. e
Q ab = 40 V ba
(4.10)
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4.2
Combinao de Capacitores ca
Quando temos uma combinao de capacitores conectados, conveniente denir uma capacitncia ca e a equivalente, que imaginariamente poderia substituir os capacitores, com todos os seus efeitos no circuito.
4.2.1
Capacitores em Paralelo
Para capacitores conectados em paralelo, a a diferena de potencial V aplicada a todos os capac e citores. O capacitor equivalente tambm estar submetido a essa diferena de potencial, mas ter e a c a a carga total dos capacitores.
Assim, temos q1 = C1 V, A carga total na combinao ca e q = q1 + q2 + q3 = (C1 + C2 + C3 )V Portanto, a capacitncia equivalente ca a Ceq = q = C1 + C2 + C3 C (4.13) (4.12) q2 = C2 V, q3 = C3 V (4.11)
Ceq =
i=1
= Ci
(4.14)
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4.2.2
Capacitores em Srie e
Para capacitores conectados em srie, a carga q armazee nada em cada capacitor a mesma. O capacitor equivalente e tambm ter essa carga q, mas estar submetido a uma difee a a rena de potencial igual ` soma das diferenas de potencial de c a c cada capacitor: q , C1 q , C2 q C3
V1 =
V2 =
V3 =
(4.15)
V = V1 + V2 + V3 = q
(4.16)
Ceq = 1 Ceq =
(4.17)
1 = Ceq
Figura 4.5: (Halliday) Capacitores em Srie. e
1 Ci
(4.18)
1 1 1 = + Ceq C1 C2
Ceq =
(4.19)
4.3
Capacitor inicialmente descarregado. Imagine carga transferida de uma placa a outra, deixando uma positiva e outra negativa com a mesma carga. Quando a carga q e a diferena de potencial V = q/C, trabalho dW para mover uma carga e c dq e dW = V dq = q dq C (4.20)
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q dq =
0
q2 2C
(4.21)
Pode-se pensar que a energia potencial est armazenada no campo eltrico entre as placas. a e Dena densidade volumtrica de energia eltrica u = U/vol. Para capacitor de placas paralelas e e U U CV 2 (0 A/d)V 2 1 u= = = = = 0 vol Ad 2Ad 2Ad 2 Como V = Ed, temos 1 u = 0 E 2 2 densidade de energia eltrica proporcional ao quadrado do campo eltrico. e e e energia pode ser visualizada como sendo armazenada no prprio campo eltrico. o e Campo no mero artif matemtico para computar foras, mas entidade f a e cio a c sica, com e.g. energia associada a ele. (4.24) V d
2
(4.23)
4.4
Dieltricos e
Vamos analisar o que acontece com a capacitncia quando introduzimos um material diletrico a e entre as placas de um capacitor de placas paraleas. Essa questo induz ao questionamento de o a que ocorre com o campo eltrico na presena de um meio material, ao invs do simples vcuo. e c e a
4.4.1
Polarizao Eltrica ca e
Considere um capacitor de placas paralelas com vcuo entre suas placas. Nesta situao o a ca campo entre as placas E0 . e Introduza um dieltrico entre as placas do capacitor. e Na presena de um campo eltrico, molculas apolares se tornam polarizadas, formando c e e pequenos momentos de dipolo na direo do campo. ca Molculas polares tm seus dipolos aumentados e tambm alinhados com o campo. e e e Polarizao: P = momento de dipolo p por unidade de volume v ca P = p v (4.25)
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CAP ITULO 4. CAPACITANCIA Se h N molculas no volume v, o momento de dipolo p = N pi onde pi = q d o momento a e e de dipolo de cada molcula. Para um campo constante, os momentos de dipolo induzidos so e a todos mais ou menos iguais, e a polarizao tambm constante e dada por ca e e P = p N qd = v v (4.26)
No interior do material dieltrico, como a polarizao constante, a carga total nula, mas e ca e e prximo `s superf o a cies das placas do capacitor, h uma carga de polarizaao QP que no se a c a cancela. Considerando essa ultima camada sobrevivente de espessura d e usando v = dA: QP = N q = Nq v = v Nq v (dA) = N qd A = P A = v P dA (4.27)
Portanto, P = QP /A P = P , i.e. a polarizao no material igual ` densidade de carga ca e a de polarizao no material dieltrico. ca e
Figura 4.6: Capacitor de placas paralelas com um dieltrico. Antes da introduao do dieltrico, h um campo e c e a E0 entre as placas. Introduzindo o dieltrico, o momento de dipolo de suas molculas se alinha com E0 . As e e cargas internas se cancelam, mas forma-se uma carga de polarizaao QP que cria um campo de polarizaao c c EP como outro capacitor, oposto a E0 . O campo nal E a soma de E0 e EP . (Halliday) e
4.4.2
Campo Eltrico E e
A densidade de carga de polarizao pode ser vista como um novo capacitor, com um campo ca Ep na direo oposta ao campo original E0 na ausncia do dieltrico. ca e e Como campos de capacitores, eles so dados por a E0 = 0 z 0 e EP = P z 0 (4.28)
onde 0 se refere ` carga nas placas do capacitor, e P `s cargas de polarizao induzidas no a a ca dieltrico. O campo total dado ento pela soma de E0 e EP : e e a E = E0 + EP = E0 P 0 (4.29)
4.4. DIELETRICOS Para um meio linear, a polarizao em si proporcional ao campo eltrico total: ca e e P = e 0 E e : susceptibilidade eltrica. e
43
(4.30)
4.4.3
Capacitncia C a
Como o campo entre as placas diminui de um fator , o potencial entre as placas tambm diminui e do mesmo fator: E0 d V0 =
V = Ed =
(4.32)
(4.33)
4.4.4
Deslocamento Eltrico D e
Considere uma regio do espao com cargas livres Qlivre e cargas de polarizao QP . A Lei de a c ca Gauss nos d a 0
S
E dA = Qtot = Qlivre + QP
(4.34)
Usando a relao QP = ca
P dA, obtemos 0
S
E dA = Qlivre
P dA
(4.35) (4.36)
0 E + P dA = Qlivre
(4.38)
i.e. D determinado apenas pelas cargas livres. Em um meio linear, P = e 0 E e temos e D = 0 E + e 0 P = (1 + e )0 E = 0 E = E = 0 a permissividade eltrica do meio. A Lei de Gauss para E ca ento e e a E dA = Qlivre (4.40) (4.39)
i.e. o efeito do dieltrico encapsulado na mudana 0 . e e c Exerc cio: Considere um capacitor de placas paralelas com rea A, distncia entre placas d a a e capacitncia no vacuo C0 . Se introduzirmos entre as placas do capacitor dois dieltricos com a e constantes dieltricas 1 e 2 , espessuras d1 e d2 = d d1 e rea A, a nova capacitncia passa a ser e a a C. Mostre que C igual ` capacitncia equivalente de dois capacitores em srie com capacitncias e a a e a C1 = 1 0 A/d1 e C2 = 2 0 A/d2 .
4.5
Calcular o campo entre duas placas paralelas de um capacitor pode ser fonte de confuso. Vamos a considerar primeiramente uma unica placa, para a qual podemos calcular o campo de duas formas: 1) Primeiro, como a placa condutora, a carga se distribui em ambos os lados da placa. e Incluindo uma superf gaussiana com uma tampa na parte externa onde se quer calcular o cie campo e outra no interior do condutor onde o campo nulo temos, pela Lei de Gauss, e E = 1 /0 , onde 1 a densidade de carga de um lado apenas da placa. e 2) Por outro lado, se colocarmos a superf gaussiana atravessando os dois lados do condutor, cie haver campo atravessando ambas as tampas e tambm uma carga duas vezes maior. A Lei de a e Gauss nos d 2E = /0 E = /20 , onde = 21 . a Portanto, como esperado, em ambos os casos o campo o mesmo, mas devemos ter cuidado com e o que exatamente chamamos de densidade de carga. No caso de uma placa supercial, representa o que chamamos de densidade de carga, no 1 . a Quando colocamos duas placas de cargas opostas, os campos das duas placas se adicionam e obtemos, entre as placas, E = /0 . Note que isto vlido mesmo se considerarmos que, quando e a as placas se aproximam, as cargas dos lados externos das placas migram para os lados internos. Neste caso, o campo sempre atravessa ambas as tampas da superf gaussiana, e engloba toda a cie carga; novamente concluimos que o campo devido a cada placa E = /20 . e