Saber Eletronico 464

editorial
Editora Saber Ltda.

Diretor Hlio Fittipaldi
E o custo Brasil?
A indstria comea a reagir neste semestre e aponta para um 2013 mais promissor. O governo parece que comea a entender as dificuldades impostas indstria devido crise mundial e ao custo Brasil. Com o paliativo da desonerao de alguns setores da economia por meio da diminuio de alquotas de impostos, nosso pas se arrasta tentando sobreviver ao tsunami que atinge os pases desenvolvidos e que, em consequncia, tambm nos atinge. Mas no se iluda, caro leitor, pois apenas um paliativo. O governo federal e seus aliados encontram agora a hora da verdade e tero, no s de trabalhar, como tambm deter em seus quadros gente com verdadeiro conhecimento para encontrar os caminhos da bonana. Claro que o caminho ser dificlimo devido aos radicais corruptos e aos que defendem o seu prprio interesse em manter o status quo. As leis tero de mudar para podermos enfrentar os problemas da atualidade, e no os de 50 anos atrs de um mundo antigo ultrapassado. As leis trabalhistas precisaro ser revistas, assim como a da previdncia social,
Hlio Fittipaldi
www.sabereletronica.com.br twitter.com/editora_saber Editor e Diretor Responsvel Hlio Fittipaldi Conselho Editorial Joo Antonio Zuffo Redao Augusto Heiss, Rafaela Turiani Reviso Tcnica Eutquio Lopez Designers Carlos C. Tartaglioni, Diego M. Gomes Publicidade Caroline Ferreira, Nikole Barros Colaboradores Afonso Celso Turcato, Alexandre Capelli, Glauco Ribeiro dos Santos, Maria de Ftima N. C. Rosolem, Newton C. Braga, Raul Fernando Beck, Roberto Remaili, Vitor Torquato Arioli
PARA ANUNCIAR: (11) 2095-5339 publicidade@editorasaber.com.br Capa National - Divulgao Impresso Neograf Indstria Grfica e Editora Distribuio Brasil: DINAP Portugal: Logista Portugal tel.: 121-9267 800 ASSINATURAS
www.sabereletronica.com.br fone: (11) 2095-5335 / fax: (11) 2098-3366 atendimento das 8:30 s 17:30h Edies anteriores (mediante disponibilidade de estoque), solicite pelo site ou pelo tel. 2095-5330, ao preo da ltima edio em banca.
do cdigo civil, do penal, dos impostos e a burocracia que atualmente emperra o dia a dia das empresas e do cidado. Com tudo isto sendo ajustado, esperamos que venha a tempo de estancar a desindustrializao, como j est acontecendo no Mxico, onde empresas que estavam na sia comeam a se reinstalar no pas aumentando a oferta de empregos. Voc leitor, faa a sua parte. Continue estudando, pois a demanda do mercado ir requerer os novos conhecimentos da tecnologia.
Saber Eletrnica uma publicao bimestral da Editora Saber Ltda, ISSN 0101-6717. Redao, administrao, publicidade e correspondncia: Rua Jacinto Jos de Arajo, 315, Tatuap, CEP 03087-020, So Paulo, SP, tel./fax (11) 20955333. Associada da:
Submisses de Artigos Artigos de nossos leitores, parceiros e especialistas do setor sero bem-vindos em nossa revista. Vamos analisar cada apresentao e determinar a sua aptido para a publicao na Revista Saber Eletrnica. Iremos trabalhar com afinco em cada etapa do processo de submisso para assegurar um fluxo de trabalho flexvel e a melhor apresentao dos artigos aceitos em verso impressa e online.
Atendimento ao Leitor: atendimento@sabereletronica.com.br

Os artigos assinados so de exclusiva responsabilidade de seus autores. vedada a reproduo total ou parcial dos textos e ilustraes desta Revista, bem como a industrializao e/ou comercializao dos aparelhos ou ideias oriundas dos textos mencionados, sob pena de sanes legais. As consultas tcnicas referentes aos artigos da Revista devero ser feitas exclusivamente por cartas, ou e-mail (A/C do Departamento Tcnico). So tomados todos os cuidados razoveis na preparao do contedo desta Revista, mas no assumimos a responsabilidade legal por eventuais erros, principalmente nas montagens, pois tratam-se de projetos experimentais. Tampouco assumimos a responsabilidade por danos resultantes de impercia do montador. Caso haja enganos em texto ou desenho, ser publicada errata na primeira oportunidade. Preos e dados publicados em anncios so por ns aceitos de boa f, como corretos na data do fechamento da edio. No assumimos a responsabilidade por alteraes nos preos e na disponibilidade dos produtos ocorridas aps o fechamento.
Associao Nacional das Editoras de Publicaes Tcnicas, Dirigidas e Especializadas
2012 Setembro/Outubro I SABER ELETRNICA 464 I 3
ndice
14
Instrumentao
14 Conecte o LabVIEW a qualquer rede industrial ou CLP 20 Por dentro do Analisador de Espectro
Eletrnica Aplicada
28 Como Funciona o Telefone Celular - Parte 1 34 Diagnstico de redes PROFINET IO utilizando software Wireshark 41 Correo do Fator de Potncia
Desenvolvimento
46 Realimentao: Teoria Geral - Parte 1
Componentes
50 Conversores de Dados: Conhea as principais arquiteturas, e saiba como obter um melhor desempenho do seu projeto - Parte 2 56 Bateria de Ltio-on: Conceitos Bsicos e Suas Potencialidades
28 56
ndice de anunciantes
National ...................................................................................... 05 Honeywell ................................................................................... 07 SPS IPC Drives 2012 ................................................................... 09 Metaltex ....................................................................................... 11 Globtek ........................................................................................ 13
03 06
Editorial Acontece
06 Light apresenta carro eltrico i-MiEV e lana o primeiro sistema de recarga inteligente do mundo 08 A electronica 2012 apresentar produtos e solues para a eletromobilidade do futuro 08 Fonte de Alimentao alimenta Aplicaes de Dispositivos Mdicos Portteis 10 Novo testador da Fluke Networks soluciona os problemas mais comuns de rede em cerca de um minuto 11 B&K Precision apresenta um novo modelo de Fonte de Alimentao Dupla 12 Srie de sensores de reflexo LR-Z, da Keyence 13 Novo Sistema de Controle de Estabilidade Automotiva, da TRW
Farnell .......................................................................................... 17 Electronica 2012 .......................................................................... 19 Cika ............................................................................................... 27 Tato ............................................................................................... 33 Patola ............................................................................................ 33
Nova Saber ................................................................................... 55 Assinaturas .................................................................................. 61 Mouser ................................................................................. 2 Capa Nova Saber ......................................................................... 3 Capa ARM ..................................................................................... 4 Capa
4 I SABER ELETRNICA 464 I Setembro/Outubro 2012
acontece
Light apresenta carro eltrico i-MiEV e lana o primeiro sistema de recarga inteligente do mundo, 100% interativo com o veculo e com o motorista
Tecnologia desenvolvida pelo Programa Smart Grid Light-Cemig contribui para a implementao de veculos eltricos no Brasil
O futuro j chegou para a Light e a sua premissa a sustentabilidade. A companhia de energia apresentou em agosto, no Centro Cultural Light, um sistema pioneiro de recarga inteligente para carros eltricos. A tecnologia ser testada no primeiro veculo totalmente eltrico produzido em srie no mundo, o i-MiEV, desenvolvido pela Mitsubishi Motors. O evento contar com a participao dos presidentes da Light, Paulo Roberto Pinto, e da Cemig, Djalma Bastos de Morais, e do vice-presidente da Cemig, Arlindo Porto. O sistema de recarga inteligente desenvolvido pelo Programa Smart Grid Light - Cemig foi pensado de forma totalmente integrada ao i-MiEV da Mitsubishi Motors. Novidade no Brasil, o carro j vendido na Europa desde 2010, e nos Estados Unidos desde 2011. O veculo utiliza energia eltrica contida em um conjunto de baterias de ltio, que move o motor eltrico e inibe rudos e contribui para o meio ambiente, pois no h emisso de gases poluentes. A Light utilizar o i-MiEV para testar um inovador sistema de recarga inteligente para carros eltricos. Ao todo, dois veculos sero testados ao mesmo tempo, no Rio de Janeiro, pelos pesquisadores do Programa Smart Grid Light-Cemig, e em Curitiba, nos laboratrios do LACTEC (Instituto de Tecnologia para o Desenvolvimento). Os terminais de recarga chegam com caractersticas especficas que apontam para solues que facilitaro a implementao de veculos eltricos no Brasil. Estruturados de modo a possibilitar a recarga de at quatro veculos, simultaneamente, eles podero ser instalados em pontos estratgicos, como estacionamentos pblicos e privados (shoppings, prdios residenciais e empresas, entre outros). A interatividade, tanto com o veculo quanto com o cliente, outra marca deste sistema. Durante a recarga, os terminais so capazes de trocar informaes em tempo real com o i-MiEV. Estes dados podero ser acessadas na tela do prprio painel do carro e em outros canais de interao do Programa Smart Grid Light-Cemig, tais como computador, telefone celular e tablet atravs de diversas ferramentas. Dentre elas, foi desenvolvido um sistema denominado Smart Driver, que conta com um Econmetro. Ele permite ao motorista identificar o quanto poderia economizar e beneficiar o meio ambiente se conduzisse, utilizasse e recarregasse seu veculo de forma eficiente. O motorista poder identificar tambm o consumo de energia, o status da recarga e da bateria, as tarifas de energia e as condies da rede eltrica, em prol de um consumo seguro, consciente e sustentvel. Dentre outros benefcios, o cliente pode ainda estabelecer metas para melhor planejar e controlar seus gastos com energia, bem como programar a sua recarga a partir de diferentes parmetros, tais como tarifa e horrio. Posto de energia eltrica Os terminais de recargas inteligentes so como um posto de abastecimento destinado aos veculos eltricos. O proprietrio deste tipo de veculo dever solicitar junto Light um carto inteligente, que funcionar como uma chave para abertura do compartimento de recarga. Uma vez conectado o carro, os medidores inteligentes do terminal iro medir e faturar a recarga dos clientes de forma individual. Por meio de uma barra de LEDs, o cliente poder acompanhar o status da recarga e a tarifa em vigor naquele momento (na hiptese de tarifas diferenciadas em vigor, de acordo com a Agncia Nacional de Energia Eltrica - Aneel). O terminal tambm enfoca a segurana, pois possui sistema de proteo diferenciado, efetua desligamento automtico em casos de eventuais ocorrncias no fornecimento de energia e garante o correto aterramento do veculo durante a recarga, dentre outras vantagens. A integrao do i-MiEV com os terminais no para por a. A tecnologia do i-MiEV permite tambm a utilizao de um dispositivo chamado Power Box que possibilita a exportao de at 1 kW de energia durante 5 horas; o sistema tambm permitir gerenciar a exportao de energia em tempo real de forma isolada (Vehicle to Appliance - V2A) e futuramente para a rede eltrica (Vehicle to Grid V2G). Programa Smart Grid Light-Cemig O Programa Smart Grid Light - Cemig foi iniciado em setembro de 2010 e j criou e lanou medidores inteligentes com certificao digital e tomadas inteligentes, e vem desenvolvendo diversos outros produtos e servios aos clientes alm de canais de interao com o consumidor. A revoluo digital com o surgimento do conceito das redes eltricas inteligentes (ou Smart Grid) ser uma realidade nas residncias brasileiras, nos prximos anos. Preparar as distribuidoras para essa revoluo o objetivo da parceria firmada entre a Cemig e a Light, que, juntas, estimam investir R$ 65 milhes em Smart Grid, apenas em P&D at 2013.
acontece
Carro eltrico i-MiEV e carregador de veculo eltrico do Programa Smart Grid Light-Cemig.
Setembro/Outubro 2012 I SABER ELETRNICA 464 I 7
acontece
A electronica 2012 apresentar produtos e solues para a eletromobilidade do futuro
Na feira electronica prevista para o ms de novembro prximo (dias 13 a 16) em Munique (Alemanha), as empresas internacionais lderes iro apresentar os seus produtos, as solues mais recentes, e as mais importantes tendncias pertinentes ao tema da eletromobilidade. No frum automotivo, os especialistas da indstria fornecero ideias a respeito da tecnologia e dos mercados que so relevantes na prtica. Os experts da indstria examinaro diversas estratgias para a mobilidade do futuro no congresso automotivo da feira (ICM International Congress Center Mnchen) entre os dias 12 e 13 de novembro de 2012. Neste ano, mais de 1.000 exibidores apresentaro tecnologias e produtos para o segmento automotivo. Um dos focos desse setor e tema principal da feira a eletromobilidade. Alm do setor de exposio, esse tpico est refletido na programao de eventos dos fruns automotivos e no congresso de eletrnica automotiva, os quais, juntos completam o conceito dos 3 pilares da feira. Range de Produtos de PCIs para Veculos-conceito Pela primeira vez, a Visiteon ir apresentar o seu conceito e-Bee na electronica. Esse conceito automotivo explora novas proposies para o uso do veculo e da eletrnica do consumidor, com a utilizao de interface grfica do usurio para mostrar informao para perfis Cloud, o que torna possvel personalizar um carro para uma grande parte dos motoristas e suas exigncias. Um dos novos desenvolvimentos mais importantes que o conceito completamente compatvel com todas as plataformas comuns de veculos para electro-mobiles. A Mektec Europe tambm est ocupando-se com os desafios mais recentes da indstria automotiva, desde as fontes de alimentao e a iluminao do veculo at as tecnologias de controle alternativas e os sensores. Em quase todas essas reas, os carros modernos contam com circuitos impressos flexveis que combinam funes eletrnicas e mecnicas. Neste evento, a Mektec mostrar o seu patenteado Flex - Circuito Impresso Flexvel, com selagem integrada, que permite a transmisso simultnea dos sinais e das correntes de alimentao conforme so encontrados nos sistemas de controle hbridos. O frum automotivo no Hall A6 propiciar aos visitantes uma viso interna desse setor. Entre outras coisas, a programao de eventos inclui palestras sobre eletromobilidade, eletrnica de potncia, baterias e tecnologias de controle. Por exemplo, em um painel de discusses na quarta-feira, veteranos profissionais das indstrias AEL, NXP, Osram Opto e outras iro discutir Lighting concepts and LEDs. Uma folha atualizada do frum automotivo disponibilizada online. Desenvolvimentos, estratgias e konow-how inteligente no congresso automotivo da electronica Um dos eventos previstos na feira o congresso automotivo da electronica, nos dias 12 e 13 de novembro. Em algumas das 30 palestras, especialistas internacionais explicaro as mais recentes tecnologias e desenvolvimen-
Fonte de Alimentao alimenta Aplicaes de Dispositivos Mdicos Portteis

Fornecendo uma sada regulada de at 50 W com baixssimo ripple, a famlia GTM21097 de fontes de alimentao chaveadas da GlobTek foi projetada para alimentar dispositivos mdicos portteis e carregar seus sistemas de bateria. Fornecidas em um gabinete de policarbonato resistente a impactos e sem furos de ventilao, as fontes de alimentao resfriadas por conduo produzem uma tenso de sada desde 3,3 V at 48 V (em incrementos de 0,1V) em potncias de 36 W at 50 W, com uma entrada de 100 VCA at 250 VCA. Muitos projetistas se esquecem de assegurar-se que a fonte de alimentao externa que esto usando para alimentar seus sistemas mdicos tambm deve ser aprovada para aplicaes mdicas, diz Ed Seaman,VP de Vendas da GlobTek. Usando o parceiro de fontes de alimentao certo, voc pode obter a soluo correta que no apenas medicamente aprovada, mas tambm a melhor soluo para os requisitos do seu dispositivo. A fonte inclui proteo contra sobrecorrente, curto-circuito, sobretenso, e falha trmica. Atendem a exigncias de agncias de segurana, inclusive UL2601, CSA 22.2#601, e TUV EN60601, alm de normas de EMI/RFI, diretrizes de EMC/ CE, e FCC Class B para aplicaes mdicas aterradas, certificao CB, SIQ Mark e IEC 60601-1, 3 edio. Todos os modelos tambm carregam um selo UL, TUV e relatrio da marca CE gerado por um laboratrio certificador independente.Verses esto disponveis com operao em corrente constante e outras caractersticas para carga de bateria, e projetos modificados ou sob medida tambm esto disponveis. Uma opo Made in USA est disponvel sob consulta. Para mais informaes, incluindo o datasheet do produto, visite: www. globtek.com/product.php/portable-medical-power-supply.
acontece
tos de mercado que abrangem, por exemplo, temas como The Car in the Web; Energy - Efficient Mobility; Safe Driving e Design to Cost. O primeiro dia do congresso destina-se principalmente aos executivos-lderes das montadoras de automveis, das companhias de autopeas e das empresas eletrnicas. O programa de eventos inclui palestras com o Dr. Rupert Sttzle, chefe de Desenvolvimento de Sistema para Veculos Eltricos, sobre o tema Powertrain Electrification: Current Challenges and Solutions in Development of Power Electronics e com Wolfgang Sczygiol, diretor-gerente do Browse SEW, sobre Strategies of Suppliers in the Market of Motor and Inductive Charging for Electric Mobility. Outras palestras do primeiro dia do congresso sero sobre a crescente relao automvel-internet, o padro wireless mvel LTE, e assuntos como eletrnica de potncia, motores e unidades de carga para carros eltricos, etc. O segundo dia do congresso ser dividido em duas abordagens, ambas girando em torno de tecnologias que endeream o gerenciamento tcnico no automvel, auto-supply e empresas eletrnicas. O primeiro caminho enfoca a eletromobilidade (pela manh) e a eletrnica de potncia ( tarde). O segundo focaliza os temas da segurana e a Internet no automvel. Esse segundo dia concluir com uma discusso em mesa redonda sobre Concepts of Mobility. A folha completa do congresso de eletrnica automotiva estar disponvel online. O PCB Marketplace caracteriza-se por ser um programa de palestras extremamente diversificado para o frum e outras oportunidades de networking, sendo que ele convida os visitantes a participarem de uma intensa troca de informaes a respeito das placas de circuito impresso (PCIs), de outros porta-circuitos e de EMS. Ele ficar localizado no Hall C1. O Setor de Exibio ficar nos Halls B1 e C1, e apresentar empresas como FELA Leiterplattentechnik, Flextronics International Germany, Multek Europe, Italia, SANMINA SCI Holding, Wrth Elektronik e Zollner Elektronik. Cristoph Stoppok, diretor-gerente de Componentes Eletrnicos e Sistemas e das trade associations de PCIs e Sistemas Eletrnicos da ZVEI, diz:O conceito do PCB Marketplace como uma reunio central de comunicaes provou ser extremamente eficaz, de forma que ns decidimos introduzir este modelo vitorioso tambm na electronica. Os temas principais do programa de palestras incluem Conectores, PCIs e EMS (Electronic Manufacturing Services), MCD (Material Content Systems). Os primeiros itens da agenda j esto anunciados: em 14 de novembro, a ZVEI hospedar um painel de discusso sobre The World of Testing - Achieving the Desired Quality Safely. Depois desse, representantes das companhias Robert Bosch, Lackwerke Peters e Varioprint discutiro o tema PCB Reliability. Uma lista de todas as leituras do PCB Marketplace est disponvel no event database da electronica.
acontece
Novo testador da Fluke Networks soluciona os problemas mais comuns de rede em cerca de um minuto
O assistente de Rede OneTouch AT, otimizado para que os tcnicos consigam ajudar a resolver os problemas de rede dos usurios finais mais rapidamente, testa redes com e sem fio, do cliente at a nuvem
A Fluke Networks anuncia hoje o lanamento do assistente de rede OneTouch AT, nova ferramenta especialmente concebida para que os tcnicos de rede automatizem e realizem em cerca de um minuto o troubleshooting dos problemas mais comuns verificados pelos usurios finais, reduzindo em muito o tempo consumido na resoluo de problemas de rede e garantindo a satisfao do usurio. Tradicionalmente, os tcnicos de rede consomem mais de uma hora e utilizam uma variedade de ferramentas como analisadores de protocolo, utilitrios de PCs, testadores de cabo e redes, etc.,para resolver questes relacionadas a conectividade e performance. Soluo e ferramentas que fornecem informao limitada e pouco consolidada. O testador OneTouch AT combina as suas inovadoras funcionalidades em uma ferramenta customizada, porttil, com um nico boto de autoteste, que disponibiliza para o usurio final o modo mais veloz de troubleshooting do mercado, tarefa que normalmente consome at 25 % do trabalho dirio de um tcnico de rede. Com uma equipe pequena e sempre em movimento, ns no podemos ter tudo mo para a resoluo de problemas da rede, diz Tony Peffley, administrador de rede e sistemas da Elkhart County, empresa sediada em Indiana, EUA. Pelo menos era isso o que eu pensava at testar o OneTouch AT. Tudo o que posso dizer que fantstico, ele realmente contempla tudo, desde o teste de cabos mais bsico at o desempenho de rede em geral, com fio, sem fio e com fibra. Assim, estamos preparados para enfrentar qualquer situao.
Assistente de rede OneTouch AT, da Fluke Networks
De acordo com o vice-presidente da diviso de anlise de redes corporativas da Fluke Networks, Gary Ger, este exatamente o tipo de resposta que a equipe de inovao da companhia tinha em mente quando desenhou o testador OneTouch AT. Problemas de conectividade e desempenho podem se esconder em uma variedade de lugares em toda a rede e o tcnico de primeira linha de hoje no pode ser um especialista em todos eles. Quando uma comunicao de problema enviada, a maioria das organizaes aciona um tcnico. Porm,muitos destes profissionais podem no ter processos de teste padronizados e as ferramentas que possuem podem ser muito complexas e demoradas, refora Ger. O OneTouch AT automatizado foi especificamente projetado para atender esses desafios, economizando em uma organizao, em mdia, aproximadamente um homem-semana de resoluo de problemas por ms.
Principais recursos do OneTouch AT: Um boto de autoteste para identificao mais rpida do problema; Habilidade para teste em redes WiFi 802,11 a/b/g/n Wi-Fi, gigabit Ethernet de cobre e fibra; Captura de pacote de fibra e cobre, in-line; Cabo de mapeamento de fio, Power-Over-Ethernet (PoE) e testes de link; Acesso remoto para colaborao melhorada com colegas para resoluo de problemas de velocidade; Anlise de desempenho de servio e rede; Scripts de teste automatizados e padronizados para garantir que at o usurio mais novato possa resolver problemas; Novo formato com smartphone touchscreen e robustez reforada para durabilidade em campo. Para mais informaes sobre o One Touch AT, acesse: www.fluke networks.com.br.
acontece
B&K Precision apresenta um novo modelo de Fonte de Alimentao Dupla, oferecendo: Complementao do modelo atual (1737) com faixas de Corrente mais altas e Potncia at 350 W
A B&K Precision acaba de anunciar o acrscimo do Modelo 1747 sua ltima fonte de alimentao CC dupla. Entregando at 350 W de potncia com modos de tenso constante (CV) e corrente constante (CC), o novo modelo pode fornecer tenses mais altas para uma faixa de corrente mais baixa (0 60 V, 5 A), ou correntes mais altas para uma faixa de tenso mais baixa (0 35 V, 10 A) do que o modelo 1737. Essa nova fonte CC apropriada para uma ampla variedade de aplicaes: em fabricao eletrnica, em service e reparao, e tambm em laboratrio de eletrnica. O projeto de fontes duplas propicia aos usurios mais flexibilidade operacional, com ranges de tenso e corrente de acordo com as suas necessidades para a aplicao especfica. Ele ajuda tanto na economia de espao em bancada quanto no custo, eliminando a necessidade de dispor de mltiplas fontes de alimentao na bancada ou de adquirir mais potncia que o necessrio. Fornecendo aproximadamente 3 vezes mais potncia que o modelo anterior (1737), esta fonte dupla (1747) oferece um aumento suficiente na faixa de correntes, mantendo ao mesmo tempo as caractersticas de excelente regulao e baixo ripple disponveis naquele. Ambas, tenso e corrente, so ajustveis com botes de controle grosso e fino, enquanto dois brilhantes displays de LEDs de 4 dgitos mostram os seus valores. Outras caractersticas incluem recall automtico dos ltimos settings de alimentao ativa, sobrecarga, e proteo contra inverso de polaridade, acrescentando ainda um boto de On/Off de sada. Uma interface RS 232 no painel traseiro habilita unidade remota controlada do instrumento via PC, usando software ou comandos remotos. O software de aplicao pode ser baixado do website da B&K Precision. O modelo 1747 dual range DC power supply encontra-se disponvel por US$ 879. Para maiores informaes sobre especificaes tcnicas, acessrios, fotografias, e documentos de suporte, visite: www. bkprecision.com/search/1747.
acontece
Sensor de Reflexo LR-Z, da Keyence
Srie de sensores de reflexo LR-Z, da Keyence

A deteco com sensores de reflexo muitas vezes difcultada, entre outros fatores, pela cor do alvo, pelo material e pela natureza da superfcie, pelo ambiente e especialmente pelo fundo mais ou menos aproximado. A srie de sensores LR-Z, da Keyence, dispem de uma funo de controle incorporada que monitoriza e regula automaticamente a sua sensibilidade at um fator mximo de 350.000x. A regulao o resultado da combinao de um elemento receptor CMOS com uma fonte de luz laser. Com a srie LR-Z, possvel obter-se uma deteco estvel, independentemente da cor, reflexo ou ngulo. Alm disso, os sensores oferecem no s a funo de supresso de fundo (BGS), como tambm a funo de supresso de frente (FGS), reduzindo assim as perturbaes resultantes do ambiente. Por fim, a funo Ponto de Referncia determina as condies de deteco, permitindo que qualquer alvo, independentemente das variaes de superfcie ou de forma, mesmo quando o ngulo de incidncia na pea importante (80 ), seja detectado. Desta forma, a deteco em superfcies irregulares e alvos pretos (ou refletores) torna-se possvel. Com esta nova srie, as definies de sensibilidade so configuradas de um modo mais simples (mtodo de ensino de um nico toque). As operaes de sensibilidade e deteco so simplificadas por um visor digital de 7 segmentos. Alm disso, com o visor digital, os problemas de deteco so mais facilmente identificados, uma vez que todos os sensores apresentam um valor de 0 quando no detectam nada ou 999 quando detectam alguma coisa. Outra nova funo um novo indicador de grandes propores que permite uma visibilidade notvel, mesmo a grandes distncias com um nico olhar. Durabilidade O corpo em ao inoxidvel SUS316L tem uma resistncia ao impacto de 100 g. Os riscos de deteriorao so reduzidos ao mnimo, mesmo quando est demasiado apertado ou quando sofre impactos de outras ferramentas ou equipamentos. tambm altamente resistente ao leo, cido e detergentes alcalinos. Esta srie estanque, estando em conformidade com a classe de proteo IP68/69K e NEMA 4X, 6P, 13 (NEMA250). Pode ser utilizada em ambientes rigorosos, mais prxima do alvo para conseguir detect-lo e sem necessidade de uma capa protetora adicional. Devido s suas funes, em combinao com as aplicaes de automao convencionais, a srie LR-Z um detector de presena/ausncia eficaz em indstrias alimentares, micromecnicas ou metalrgicas.
acontece
Novo Sistema de Controle de Estabilidade Automotiva, da TRW
A TRW Automotive Holdings Corp. lanou sua nova famlia de produtos EBC460, referente a sistemas eletrnicos de Controle de Estabilidade Automotiva nas quatro principais regies produtoras de carros do planeta. A EBC460 oferece mais qualidade, desempenho e compatibilidade atravs de uma ampla faixa de configuraes. A famlia EBC460 da TRW disponibiliza um projeto de produto padronizado unido capacidade de fabricao na Europa, Amrica do Norte, Amrica do Sul e sia, onde foram feitos investimentos significativos em equipamentos e engenharia de suporte. A famlia de produtos global possui sistemas standard, high e premium - os quais podem oferecer freios anti-lock, controle de trao, e funcionalidade ESC com variantes que do suporte tanto a veculos hbridos como totalmente eltricos. A tecnologia ESC um exemplo excelente de um sistema de segurana inteligente. Desde a poca em que a TRW lanou seu primeiro ESC (dez anos atrs), a companhia vem acrescentando continuamente mais especificaes e funes e, ao mesmo tempo, tornando o sistema menor, mais leve e mais barato, diz Peter Lake vice-presidente executivo de Vendas e Desenvolvimento de Negcios. A famlia EBC460 incorpora os trs temas de Segurana Cognitiva - advanced thinking, por sua capacidade de corrigir derrapagens e patinao; smart thinking, por suas muitas muitas formas de barateamento do produto; e green thinking, por sua compatibilidade com veculos hbridos e outros powertrains alternativos. A EBC460 inclui numerosas atualizaes (upgrades) para melhorar valor e desempenho, comparado aos sistemas anteriores. Ela utiliza bomba com motor de longa vida com um projeto de meia-junta opcional, dois sensores de presso integrados para aumentar a capacidade de produzir e manter a presso no freio; reduo da aspereza e vibrao ruidosa e aumento da vida do motor atravs do controle de sua velocidade em alta frequncia.
Produto EBC460, da TRW Automotive Holding Cortp
A plataforma EBC 460 especifica tambm a integrao de sensores de giro e acelerao com a sua unidade de controle EHCU, a qual capaz de funcionar como controlador para o sistema eltrico de freio para estacionar, da TRW um sistema integrado conhecido como EPBi. ESC uma tecnologia-chave que tem sido mandatria nos principais mercados europeus e dos Estados Unidos e fornece um bloco construtivo sobre o qual se baseia uma variedade de sistemas integrados de segurana, afirma Josef Pickenhahn, vice-presidente de Engenharia para os sistemas de freios. A EBC460 consiste na mais avanada ESC que ns j produzimos at agora, e ela proporcionar todos os benefcios das geraes anteriores e, ao mesmo tempo, incluir caractersticas como gerenciamento do rollover ativo para ajudar a evitar a probabilidade de balano e controlar a estabilidade do reboque (trailer), o que auxilia na manuteno da estabilidade de ambos (veculo e trailer). Funes adicionais sero possveis para prover um controle de viagem adaptativo atravs de freio emergencial automtico, altamente sofisticado, e sistemas de alvio de choque de modo a criar oportunidades estimulantes para a segurana dos futuros veculos.
Instrumentao
Conecte o LabVIEW
a qualquer rede industrial ou CLP
Os Controladores Programveis para Automao (PACs)da National Instruments e o LabVIEW podem acrescentar uma ampla variedade de funcionalidades para os CLPs e os sistemas industriais existentes. Monitoramento de condio de mquina, medies analgicas de alta velocidade e aplicaes personalizadas de viso de mquina so alguns dos exemplos de aplicaes tpicas de PAC. A comunicao entre os dois sistemas extremamente importante e deve ser simples, eficaz e muitas vezes determinstica. Este artigo vai mostrar os diferentes mtodos para conectar o LabVIEW e os PACs da National Instruments a qualquer rede industrial, dispositivo ou CLP.
E/S Digitais e Analgicas
Talvez a maneira mais simples de integrar PACs da National Instruments com CLPs existentes seja atravs de E/S Digitais e Analgicas. Todas essas plataformas PAC tm E/S digitais disponveis. A quantidade mnima de E/S digitais em uma plataforma est no Sistema NI Compact Vision, que oferece 15 entradas digitais e 14 sadas digitais. Com E/S digitais, voc pode comunicar dados atravs de uma variedade de mtodos. O mtodo mais simples seria mudar uma nica linha digital, permitindo-lhe enviar um bit de dados com algum status, ou aprovao/reprovao. Se precisar enviar mais informaes, como cdigos de erro, um valor, ou implementarhandshaking,vrias linhas de E/S digitais ou portas podero ser usadas. Com linhas de E/S digitais, voc pode ler e escrever at 256 valores distintos. Finalmente, voc pode gerar pulsos em uma linha digital. A gerao de pulsos pode ser usada para temporizao
precisa no acionamento de dispositivos de automao, tais como atuadores e CLPs. E/S analgicas tambm constituem uma boa opo para a comunicao entre um PAC da NI e um CLP. Com E/S analgicas, voc pode enviar uma quantidade muito maior de dados atravs de uma nica linha. Com um DAC de 16 bits, por exemplo, voc pode enviar milhares de valores distintos em uma nica linha. E/S analgicas so boas para o envio de mudanas incrementais com um valor especfico e utilizando o mnimo de fios. Uma das desvantagens do uso de E/S analgicas para a comunicao a possibilidade de rudo e falta de integridade do sinal. Se o seu sistema PAC ou CLP estiver sobre o cho de fbrica, poder haver muitos rudos que alterem o valor do sinal que voc est tentando ler ou escrever. Usar produtos de aquisio de dados isolados pode ajudar a proteger seus dados de malhas de terra, picos de tenso e ambientes ruidosos. Veja a figura 1.
F1. Plataforma NI CompactRIO.
Modbus TCP e Modbus Serial
Placas de Comunicao
Modbus TCP e Modbus Serial so dois dos protocolos/redes industriais mais utilizados no mercado. O NI LabVIEW introduziu o suporte nativo a Modbus TCP e Modbus Serial em qualquer porta Ethernet ou serial com dois toolkits adicionais do LabVIEW: LabVIEW Real-Time e LabVIEW DSC. Qualquer um destes mdulos permite que voc crie um servidor de E/S Modbus TCP ou Modbus Serial atravs de um assistente de configurao grfico. Com apenas alguns cliques no mouse, voc pode criar um Modbus Mestre ou Escravo, e especificar os diferentes registradores para ler e escrever. Se voc estiver usando uma verso antiga do LabVIEW ou no tiver os toolkits LabVIEW Real-Time ou DSC, voc poder usar a Biblioteca LabVIEW Modbus, que fornece um conjunto de VIs de baixo nvel para criar aplicaes Modbus Mestre ou Escravo com qualquer porta Ethernet ou serial. Para baixar esta biblioteca gratuita, use o link a seguir. Modbus TCP tambm uma ferramenta til para a utilizao de gateways para uma grande variedade de opes de conectividade. Para obter mais informaes sobre este assunto, consulte a seo gateways deste artigo.
Ao usar um computador desktop padro ou um chassi PXI, voc pode tirar vantagem dos slots PCI ou PXI disponveis para encaixar placas de comunicao. Algumas das vantagens do uso de placas de encaixe incluem: Comunicao direta com as redes industriais existentes, fornecendo conectividade a todos os componentes conectados. Comunicao determinstica com o processador; Funes de alto nvel (API) para o desenvolvimento rpido de aplicao. A National Instruments oferece placas de comunicao para PCI, PXI e PCMCIA para as seguintes redes industriais; PROFIBUS, DeviceNet, CANopen, CAN, Serial (RS232, RS422 e RS485) e FOUNDATION Fieldbus. As sees a seguir iro cobrir os diferentes tipos de placas de comunicao.
PC nas redes industriais PROFIBUS como poderosos mestres ou escravos. Esta interface inclui um driver do NI LabVIEW para interface homem-mquina (IHM) e aplicaes SCADA. Voc pode realizar o teste automatizado do dispositivo PROFIBUS usando estas interfaces. Elas acompanham um driver baseado em VISA que funciona em LabVIEW e LabVIEW Real-Time. Se voc estiver usando um PAC da NI que no tenha um slot de expanso PCI ou PXI, voc poder usar um gateway de outro fabricante para conectar o LabVIEW a redes e dispositivos PROFIBUS.
Interfaces DeviceNet
Interfaces PROFIBUS
O PROFIBUS foi desenvolvido em 1989 e um dos tipos de barramentos mais populares do mundo. Com mais de 20.000.000 de ns instalados, o PROFIBUS o mais popular na Europa e o padro usado em CLPs da Siemens. Observe a figura 2. A interface PROFIBUS PCI e PXI da NI conecta os controladores baseados em
DeviceNet comumente usado em aplicaes industriais e uma soluo simples, de rede aberta, que permite at 64 dispositivos se comunicarem uns com os outros em um barramento nico, reduzindo o custo e a complexidade da fiao e instalao de dispositivos de automao e fornecendo a interoperabilidade de componentes similares de diversos fornecedores. O DeviceNet baseado na camada fsica Controller Area Network (CAN) e uma soluo de baixo custo para conectar dispositivos industriais, tais como sensores fotoeltricos, leitores de cdigo de barras, E/S, PCs industriais, CLPs, displays e interfaces homem-mquina
Instrumentao
to passar as informaes pertinentes ao DeviceNet mestre (geralmente um CLP) com uma placa DeviceNet da NI no modo escravo, integrando os dois sistemas em uma nica rede.
NI DeviceNet Configurador
O Configurator uma poderosa ferramenta de configurao com suporte a Electronic Data Sheet (EDS). Cada dispositivo DeviceNet tem seu prprio arquivo EDS, que disponibilizado pelo fabricante do dispositivo. O configurator pode procurar uma rede DeviceNet para determinar informaes sobre os dispositivos conectados, carregar os arquivos EDS relacionados automaticamente, escrever e ler os parmetros do dispositivo e alterar o MAC ID de um dispositivo.
F2. Interfaces PROFIBUS PXI e PCI da NI.
NI DeviceNet Analisador
O Analyzer monitora a rede DeviceNet e interpreta as mensagens CAN capturadas de acordo com o protocolo DeviceNet. Ele exibe as mensagens juntamente com seus parmetros. Voc pode exibir certos tipos de mensagens usando filtros poderosos e opes de busca. Voc tambm pode obter as estatsticas de mensagem no Analyzer, que til para soluo de problemas e anlises em redes e sistemas DeviceNet. Se voc estiver usando um PAC da NI que no tenha disponvel uma placa DeviceNet, poder usar um gateway de outro fabricante para conectar o LabVIEW a uma rede ou dispositivo DeviceNet. Consulte a seo Gateway de Outros Fabricantes, abaixo, para mais informaes.
F3. Interfaces DeviceNet da National Instruments.
(IHM) a uma rede. A conectividade direta proporciona uma melhor comunicao entre dispositivos, bem como diagnsticos de dispositivos atravs de interfaces de E/S. As interfaces DeviceNet da National Instruments podem funcionar tanto como um mestre (scanner) quanto como um escravo. Estas so oferecidas nas formas PCI, PXI, e PCMCIA e usam o conector industrial padro combicon de 5 pinos para acessar dispositivos de redes DeviceNet. A placa PXI DeviceNet compatvel com o LabVIEW Real-Time para controle e comunicao determinstica nas redes e dispositivos DeviceNet. Todas as placas DeviceNet acompanham o driver NI-DNET, o qual
fornece funes de alto nvel fceis de usar para o desenvolvimento rpido de aplicativos. Alm disso, o NI-DNET oferece dois utilitrios para instalao e configurao de rede: Configurator e Analyzer. Atente para a figura 3. As interfaces DeviceNet da National Instruments so uma tima soluo para adicionar funcionalidade a uma rede DeviceNet existente. Por exemplo, se voc quiser adicionar monitoramento de condio de mquina para proteger seu equipamento, poder usar um PC ou chassi PXI com o NI LabVIEW e placas de Aquisio de Sinais Dinmicos para realizar o monitoramento de mquinas e anlises. Voc poderia en-
Interfaces CANopen
CANopen um protocolo de nvel superior com base na camada fsica CAN e foi desenvolvido como uma rede embarcada padronizada, com capacidade de configuraes extremamente flexveis. Originalmente concebido para aplicaes de controle de movimento, o protocolo CANopen comum em muitos segmentos da indstria, incluindo equipamentos mdicos, veculos off-road, transportes pblicos e automao predial. Para funcionalidades CANopen mestre, a National Instruments oferece a CANopen LabVIEW Library, que fornece funes no NI LabVIEW de alto nvel para criar aplicaes CANopen mestre. Como as funes CANopen trabalham em cima do
F4. Interfaces CANopen da National Instruments.
driver NI-CAN, todos os dispositivos de alta velocidade CAN Srie 2 da National Instruments para PCI, PXI e PCMCIA podem funcionar como interfaces CANopen mestre. Repare na figura 4. A NI CANopen LabVIEW Library fornece a funcionalidade que cobre todo o espectro de aplicaes CANopen mestre, incluindo transmisso e recepo de objetos de servio de dados (service data objects SDOs) e objetos de processo de dados (process data objects PDOs), gerenciamento de rede, pulsao e n de proteo, emergncias e objetos de sincronizao. Com estas funes, voc pode criar aplicativos que aderem plenamente norma CAN in Automation (CIA) DS310. A LabVIEW CANopen Library tambm trabalha com as unidades de movimento NI SoftMotion Controller for CANopen, ajudando os engenheiros a facilmente adicionarem qualquer E/S CANopen em suas redes CANopen de movimento. O NI SoftMotion Controller uma engine soft-motion que auxilia os engenheiros a fazer a interface entre o driver NI-Motion e unidades inteligentes distribudas. Os engenheiros agora podem programar unidades Accelnet e Xenus da Copley baseadas em CANopen com a API NI-Motion de fcil utilizao no LabVIEW. Se voc estiver usando um PAC da NI que no tenha disponvel uma placa CANopen, podr usar um gateway de outro fabricante para conectar o LabVIEW a redes
e dispositivos CANopen. Consulte a seo Gateway de outros fabricantes, abaixo, para mais informaes.
Interface Serial (RS232, RS422, e RS485)
Serial um protocolo de comunicao padro em quase todo PC. A maioria dos computadores desktop e laptop incluem uma ou mais portas seriais RS232. Serial tambm um protocolo comum de comunicao para instrumentao em muitos dispositivos e numerosos dispositivos compatveis com GPIB que vm com uma porta RS232. Alm disso, voc pode usar comunicao serial para adquirir os dados em conjunto com um dispositivo de amostragem remota. Enquanto o RS232 o protocolo serial mais comum, os RS422, RS485 tambm so protocolos seriais comumente encontrados.
Viso Geral sobre produtos Seriais da National Instruments

A empresa lder de mercado para controle de instrumentos e oferece uma linha completa de produtos de interfaces Seriais para protocolos RS232, RS422 e RS485. A NI oferece interfaces Seriais com uma grande variedade de barramentos de computador, fornecendo interfaces para PCI, PXI, PCMCIA, ExpressCard/34, USB e Ethernet. Todas as suas interfaces Seriais so totalmente configurveis por software. Alm disso, os hardware Seriais da NI oferecem recursos tais como taxas de transmisso
Instrumentao
ambiente de desenvolvimento grfico do LabVIEW com funcionalidades adicionais para o desenvolvimento de sistemas de medio, controle e aplicativos de monitorao com alto nmero de canais.Este mdulo fornece ferramentas para o ambiente LabVIEW, facilitando a criao de grficos de histrico ou grfico de tendncias em tempo real, melhora a segurana dos painis frontais, log de dados, e adiciona alarme e segurana para variveis compartilhadas. Alm disso, um dos maiores recursos que ele oferece a capacidade do LabVIEW funcionar como um cliente OPC, fornecendo conectividade para qualquer servidor OPC. O Mdulo DSC encontra todos os servidores OPC instalados no computador e l todas as informaes disponveis sobre o servidor. Para obter mais informaes sobre o mesmo, por favor, consulte os links abaixo.
F5. Interfaces Seriais da National Instruments.
Publicao de Dados do NI Data Acquisition (DAQ) como servidor OPC

Enquanto o Mdulo LabVIEW DSC necessrio para adicionar as funcionalidades de cliente OPC para LabVIEW, o NI-DAQmx driver fornece a capacidade de publicar os dados de qualquer dispositivo DAQ National Instruments com um servidor OPC, simplificando a criao de aquisio de dados distribuda e aplicaes de controle.
F6. OPC foi projetado para melhorar a conectividade do sistema da empresa.
Publicao de dados da NI Fieldpoint e Compact FieldPoint como OPC Server

Similar ao NI-DAQmx, o driver FieldPoint tambm contm um OPC server que permite que voc publique seus dados para qualquer OPC client. Portanto, se dois computadores esto ligados em rede, possvel que um OPC Client em um computador acesse o FieldPoint conectado como OPC Server.
flexveis, controle de fluxo por hardware e as interfaces seriais PCI e PXI tm utilizao mnima da CPU por meio de transferncias DMA e esto disponveis com isolamento opcional de 2000 V. Acompanhe na figura 5.
OPC
software. um padro aberto que permite acessar dados de campo em dispositivos de cho de fbrica. O seu objetivo definir uma interface comum que pode ser utilizada em aplicaes SCADA, IHM, ou pacotes de software personalizados. Veja a figura 6.
OLE para Controle Processo (OPC) o nome original de um padro desenvolvido em 1996 para automao industrial. O padro foi especificado para comunicao de dados da planta em tempo real entre dispositivos de controle de diferentes fabricantes. O padro agora mantido pela Fundao OPC e foi renomeado como padro OPC Data Access. A verso atual da especificao OPC Data Access OPC Data Access 3.0. O OPC foi projetado para superar os aplicativos Windows e hardwares baseados em controle de processos e aplicaes de
LabVIEW como um servidor OPC Server

Com o LabVIEW voc pode publicar qualquer dado que tenha de um servidor OPC nativo, usando a varivel compartilhada. Com esse mtodo, voc pode publicar qualquer dado que tenha em LabVIEW para qualquer aplicao que possa atuar como um cliente OPC.
Gateways de terceiros
Adicionando OPC Client no LabVIEW

O LabVIEW Datalogging and Supervisory Control (DSC) Module amplia o
Qualquer computador ou controlador de automao programvel NI (PAC) com uma porta Ethernet (ou serial) pode se comunicar com CLPs, sensores inteligentes, atuadores e uma grande variedade de redes industriais usando gateways de terceiros. Com o mdulo DSC, mdulos em tempo real ou com a biblioteca Modbus para LabVIEW da National Instruments, voc pode usar qualquer porta Ethernet ou serial como Modbus TCP ou Modbus serial mestre ou escravo. E
Instrumentao
Por dentro do
Analisador de Espectro
Roberto Remaili
anlise de sinais utilizada na caracterizao de sistemas e no diagnstico de falhas. H trs maneiras de se analisar um sinal conforme mostra a figura 1, onde tem-se trs eixos: amplitude, frequncia e tempo. A primeira delas, e a mais conhecida, a da perspectiva P1, onde observa-se a tenso do sinal em funo do tempo e utilizando como ferramenta um osciloscpio. A segunda maneira, perspectiva P2, pela observao de suas componentes espectrais, medindo a amplitude e a frequncia, utilizando um analisador de espectro. Finalmente, pode-se examinar um sinal sob uma terceira perspectiva (P3), que seria a frequncia em funo do tempo utilizando um analisador de intervalo de tempo. Veremos agora detalhes sobre o funcionamento e aplicaes de um analisador de espectro, instrumento empregado para anlise de sinais segundo a perspectiva P2. O analisador de espectro surgiu nos anos 60, e era uma das poucas ferramentas para anlise de sinais de RF, ao lado do medidor de potncia e do contador de frequncias, sendo porm muito mais poderosa e verstil. Pode-se us-lo em diversas aplicaes no laboratrio: na caracterizao de osciladores, medidas de esprios e distoro em amplificadores, anlise de sinais modulados, anlise de conversores de frequncia. Quando em campo, na medida de espectro irradiado, identificao de interferncias, deteco de rdios piratas, entre outras.
2) que varresse cada frequncia do sinal de entrada e indicasse a sua amplitude na tela. O problema deste tipo de implementao que filtros variveis no apresentam a seletividade necessria, alm do que seu range de frequncia limitado. Na prtica, a melhora de um fator implica na piora do outro.
Como Funciona
A primeira ideia que se pode ter para implementar um analisador de espectro seria atravs de um filtro varivel (figura
Para solucionar esses problemas os analisadores de espectro so implementados como receptores heterdinos, conforme diagrama de blocos da figura 3. Um analisador de espectro de RF bsico costuma ter um range de frequncia de 9 kHz a 3 GHz, e amplitude de - 140 dBm a + 30 dBm. Neste tipo de implementao, o filtro de FI fixo e o espectro do sinal passa por ele conforme a frequncia do oscilador local. A frequncia do 1 filtro de FI est acima da frequncia mxima do sinal de entrada, e escolhida de acordo com as caractersticas do filtro passabaixas de entrada para adequada rejeio da frequncia imagem. Como exemplo numrico escolhemos a frequncia de 3,6 GHz. Assim, pela figura 4, quando o instrumento est medindo um sinal de entrada em 2,0 GHz, seu oscilador local encontra-se na frequncia de 5,6 GHz. Para cobrir todo range de frequncia de entrada o oscilador local varre a faixa de 3,069 GHz a 6,6 GHz. O filtro de entrada possui duas funes: a primeira, como j foi dito, eliminar os sinais de entrada na frequncia-imagem; a segunda funo atenuar o vazamento do sinal do oscilador local para a entrada do analisador de espectro (figura 5).
O Estgio de Entrada (RF)
O atenuador varivel de entrada (de 0 a 60 dB, em passos de 10 dB) controla o nvel do sinal na entrada do misturador (mixer). Mais adiante ser mostrado como fazer o ajuste timo deste atenuador. Como ltimo comentrio a respeito do estgio de entrada, deve-se salientar a no existncia de um capacitor de desacoplamento DC. Isso porque simplesmente no h um capacitor que opere satisfatoriamente em todo o range da frequncia de entrada. Os misturadores de frequncia desses instrumentos no toleram componente DC, danificando-se facilmente. Cabe ao usurio garantir que o circuito sob teste apresente 0 VDC (ou possua um capacitor de desacoplamento adequado para a frequncia do sinal a ser analisado).
F1. Trs maneiras de anlise de um sinal: pela amplitude, frequncia e tempo.
F2. Usando um filtro varivel para implementao de um analisador de espectro.
O Estgio de FI
Na prtica, tambm devido a problemas de implementao e seletividade, o mdulo de FI representado na figura 3, possui trs ou mais estgios conforme exemplo na figura 6. A cada estgio o filtro mais seletivo e no ltimo deles selecionado o filtro que define a banda de resoluo de medida (RBW do analisador de espectro, normalmente de 1kHz a 10 MHz em passos de 1,3,10). Para este ltimo filtro o formato escolhido o do filtro Gaussiano, que possui um menor atraso e permite uma maior velocidade de varredura quando comparado com outros filtros, tais como Butterworth e Chebyshev. A melhor resoluo (menor RBW) permite identificar sinais bem prximos em frequncia. No caso da medida de dois sinais senoidais de mesma amplitude com separao de frequncia igual resoluo do filtro RBW, tem-se como resultado na tela do analisador um gap de 3 dB (figura 8). Um dos fatores de mrito de um analisador de espectro o fator de forma de seu filtro RBW, que definido como:
F3. Receptor heterdino, em um diagrama de blocos simplificado (D.B.).
F4. A frequncia de FI a soma da frequncia do sinal entrada com a do oscilador local.
F5. Representao da ao do Filtro de Entrada no domnio das frequncias.
F6. Mdulo de FI real com 3 ou mais estgios, em um D.B.
Quanto menor este fator, melhor o filtro de RBW, aproximando-se do filtro ideal, que o filtro porta (ver figura 7). Normalmente, o fator de forma dado pelo fabricante nas especificaes
F7. Filtro porta (ideal) de um Analisador de Espectro.
F8. Imagem de um gap de 3 dB na tela do Analisador de Espectro.
2012 I Setembro/Outubro I SABER ELETRNICA 464 I 21
Instrumentao
F9. Mtodo simples para verificar a curva do filtro de RBW.
F10. Nvel de rudo de fundo inicial.
F11. Identificao de sinais muito fracos.
F12. Filtro de vdeo de largura varivel.
F13. Variao da amplitude do rudo (escala em dB).
F15. A minimizao do problema de mltiplas respostas para cada frequncia de entrada.
do produto, porm h tambm um mtodo muito simples de se verificar a curva do filtro de RBW. Para isto, basta fazer a medida de um sinal senoidal (CW), que o trao da tela a prpria curva do filtro (figura 9). Uma pergunta pertinente a essa altura, seria saber se possvel ter uma resoluo melhor que 1 kHz? Sim, h analisadores de espectro com resoluo de at 1 Hz! Esta resoluo normalmente conseguida atravs de filtros digitais ou anlise FFT. Porm no basta apenas um mtodo de filtragem melhor, o oscilador local tambm deve ter uma estabilidade maior de frequncia para garantir que a energia do sinal de entrada mantenha-se dentro do filtro de FI / RBW. O filtro de RBW tambm define a sensibilidade do analisador de espectro, ou seja, o nvel do rudo de fundo em uma determinada medida. Considerando o rudo branco gaussiano (densidade espectral de potncia uniforme dentro da faixa de frequncia e amplitude com distribuio estatstica gaussiana), a potncia de rudo em uma determinada banda definida por:
F14. Visualizao dos sinais de entrada de acordo com o range de frequncias e da FI. 22 I SABER ELETRNICA 464 I Setembro/Outubro 2012
F16. Estgio de entrada de um misturador harmnico (D. B.).
Prudo (W) =kTB Onde: k = 1,36 x 10 -23 W/Hz (constante de Boltzman) T = temperatura ambiente em Kelvin B = banda do sinal em Hz ou Prudo (dBm) = 10 log (KTB) + 30
tela, principalmente quando se escolhe a escala logartmica (dB) (figura 13). A escolha entre o amplificador logartmico ou linear define a escala da tela, dBm ou miliwatts respectivamente.
Ampliando o Range de Frequncia
Para temperatura ambiente, prxima de 290 K tem-se Prudo = - 174 dBm/Hz. Da expresso acima para cada fator de 10 que reduzimos a banda do rudo, a potncia detectada se reduz de 10 dB. Isto pode ser verificado na prtica na tela do analisador de espectro. Para um RBW inicial de 100 kHz tem-se um nvel de rudo de fundo inicial (ver figura 10). O valor absoluto deste depende de alguns fatores como a figura de rudo do analisador de espectro e a banda equivalente de rudo do filtro de FI, mas isto no vem ao caso agora. O importante que, diminuindo o RBW para 10 kHz, pode-se observar o nvel de rudo reduzir de 10 dB, e fazendo RBW = 1 kHz, o nvel decresce de 20 dB do valor inicial. Esta caracterstica importante na medida de esprios de misturadores e amplificadores. Quando desejamos medir sinais que so muito fracos (baixssima amplitude), a reduo da largura de RBW permite identific-los mesmo quando inicialmente mascarados no rudo (ver figura 11). Um exemplo numrico: Deseja-se identificar sinais esprios na sada de um amplificador com nvel de 115 dBm, usando um analisador de espectro que apresenta rudo de fundo de 96 dBm para RBW = 1 MHz. Para este RBW fica impossvel medir o esprio. Reduzindo o RBW para 1 kHz, o nvel de rudo cai para 126 dBm e o esprio fica 9 dB acima do trao de rudo de fundo.
O Detector
O detector utilizado simplesmente um detector de envoltria. O sinal de sada do detector passa por um filtro de vdeo, de largura varivel (figura 12). Este filtro tambm influencia no tempo de varredura do analisador de espectro. Sua largura modifica a amplitude do rudo em torno de seu trao mdio na
H duas maneiras de expandir a resposta em frequncia dos analisadores: Mixagem fundamental Mixagem harmnica. Na mixagem fundamental, somente a frequncia fundamental do oscilador local utilizada. Assim, para implementar um analisador at 26 GHz, o oscilador local deve ter um range de varredura tambm de 26 GHz. A perda de converso dos misturadores neste caso de apenas 8 dB. Estes analisadores possuem uma sensibilidade maior que os que utilizam mixers harmnicos, porm so bem mais caros, uma vez que o oscilador local tem um range de frequncia bem maior. Os analisadores de espectro com mixagem harmnica necessitam que o oscilador local tenha um range de varredura constante, de 3,6 GHz a 6,6 GHz segundo o exemplo numrico anterior. Os sinais de entrada de frequncia superior so convertidos para FI pelos harmnicos superiores do oscilador local. Quando a fundamental do oscilador varre de 3,6 GHz a 6,6 GHz, a segunda harmnica varre de 7,2 GHz a 13,2 GHz, a terceira harmnica de 10,8 GHz a 19,8 GHz, e assim por diante (ver a figura 14 A). Dependendo da frequncia do sinal de entrada, escolhe-se a harmnica do oscilador local necessria para convert-lo para a frequncia de FI. Se na mixagem harmnica fosse escolhida a 1 FI para converso do sinal, teramos como sinais de entrada convertidos para o detector as linhas tracejadas da figura 14 B, ou seja, fOL +/- 3,6 GHz e fica fcil ver que h mltiplas respostas para cada frequncia de entrada. Para minimizar este problema quando se utiliza a mixagem harmnica, o sinal convertido diretamente para a 2 FI, no caso 620 MHz (figura 15). Escolhendo convenientemente os batimentos, pode-se cobrir todo range do sinal de entrada. Por exemplo, escolhendo 2 e 4-, pode-se cobrir frequncias at 25,8 GHz.
O misturador harmnico pode ser interno ou externo. Para frequncias at 40 GHz existem no mercado analisadores de espectro com o misturador harmnico interno. A figura 16 ilustra o diagrama de blocos do estgio de entrada neste tipo de implementao. O duplexador separa o sinal para os dois caminhos. O filtro pr-seletor sintonizado na frequncia da raia que se deseja medir, eliminado todos os outros componentes do sinal de entrada, evitando assim que batimentos indesejados com outras harmnicas do oscilador local resultem em falsas medidas. Esse filtro est sincronizado com o oscilador local. Com misturadores externos pode-se estender ainda mais o range de frequncia de medida. Os analisadores de espectro possuem em seu painel dois conectores: um sendo a sada do oscilador local e o outro a entrada direta para a segunda FI. Um terceiro o sinal de controle de varredura para sincronizar o filtro pr-seletor externo. Com misturador externo possvel chegar frequncia de 75 GHz ou mais. Veja a figura 17.
Linearidade
A definio matemtica de um sistema linear :
E 1 e E 2 so os sinais aplicados na entrada do sistema e S1e S2 so os sinais resultantes na sada. Traduzindo da matemtica para o portugus, considerando o clculo abaixo:
Vemos que colocando um sinal com frequncia 1 na entrada de um sistema linear tem-se somente um sinal com frequncia 1 na sada, provavelmente com outra amplitude e fase, mas somente 1. O mesmo vale para um sinal com frequncia 2. A condio de linearidade garantida se, quando colocado na entrada do sistema um sinal, que a soma dos dois sinais individuais, tem-se na sada a soma dos dois sinais de sada tambm
Instrumentao
individuais, ou seja, na sada haver somente as frequncias dos sinais de entrada e mais nenhuma outra (ver figura 18). Na prtica, nenhum sistema perfeitamente linear. O analisador de espectro utilizado para medidas de no linearidade dos sistemas. O problema que o prprio analisador tambm possui no linearidades, e para realizar medidas corretamente preciso garantir que estas no linearidades sejam bem menores que a do sistema sob teste. Os sistemas operam na regio linear quando temos nveis pequenos dos sinais de entrada. A no linearidade se torna significativa quando temos grandes nveis do sinal de entrada. A expresso do sinal de sada de um sistema no linear em funo do sinal de entrada pode ser dada pelo polinmio.
F17. Analisador com mixer externo para chegar a 75 GHz ou mais (D. B.).
F18. Na sada haver somente as frequncias dos sinais de entrada.
Onde o termo a1 representa o ganho linear do sistema, a2 o coeficiente de segunda ordem, a3 o de terceira ordem e assim por diante. Em telecomunicaes, existem dois parmetros importantes que definem o grau de linearidade de um sistema, o primeiro so os pontos de interseco de segunda ordem, quando:
F19. Pontos de interseco de 2 ordem e de 3 ordem no grfico Ps x Pe.
E o segundo parmetro o ponto de interseco de terceira ordem, quando:
F20. Ponto timo para realizar a medida de intermodulao no grfico Rudo x Pe (mixer). 24 I SABER ELETRNICA 464 I Setembro/Outubro 2012
So representados pelo grfico da figura 19. Esses pontos de interseco no so atingidos na prtica, sendo obtidos por extrapolao linear de medidas feitas em nveis mais baixos de sinal de entrada. A reta pontilhada em azul seria essa extrapolao do ganho linear. A curva cheia azul representa o ganho real do sistema e sua compresso. Quando se realizam medidas de intermodulao com o analisador de espectro, no se pode ignorar que o mesmo tambm composto de circuitos reais e que inclusive
intermodulam, podendo apresentar resultados que no correspondam s caractersticas reais do sistema sob teste caso nveis elevados de sinal sejam aplicados ao misturador. Neste aspecto, quanto menor o sinal na entrada do misturador, menor a intermodulao do prprio analisador de espectro. Todavia, se o nvel do sinal for muito baixo, as raias de intermodulao que se deseja medir do sinal de entrada podem ficar abaixo do rudo de fundo do analisador de espectro, tambm impossibilitando a medida. Portanto, existe um ponto timo para realizar esta medida, ponto este que o analisador de espectro apresenta o seu maior range dinmico. O mesmo costuma ser indicado por um grfico parecido com o da figura 20 no catlogo de especificaes do instrumento. Nessa figura temos duas retas, uma pontilhada representando o nvel relativo de rudo em relao ao nvel de sinal de entrada, com inclinao de 1dB/dB, ou seja, a cada dB que aumentamos o sinal de entrada, a relao sinal/rudo cresce de 1 dB, e uma contnua com inclinao 2 dB / dB, ou seja, a cada 10 dB que reduzimos a potncia de entrada (como vimos anteriormente, o nvel absoluto da intermodulao de 3 ordem se reduz de 30 dB) o nvel relativo de intermodulao decresce de 20 dB. A potncia de entrada no misturador para obter o mximo range dinmico corresponde interseco dessas duas retas. O atenuador de entrada do analisador de espectro deve ser ajustado para esta condio.
e fazendo a integrao por toda a banda. Em alguns casos basta escolher somente a norma reguladora com que se deseja caracterizar o sinal e o instrumento ajusta os valores acima automaticamente.
Ocorrncia de fading seletivo

Na transmisso de dados de alta capacidade, 155 Mb/ s por exemplo, a banda de RF do canal aproximadamente 40 MHz. Apesar do uso de antenas parablicas de alta diretividade, certas rotas de rdio esto sujeitas a reflexes e interferncias de mltiplos caminhos conforme figura 21. A combinao do sinal direto com o sinal refletido na antena receptora provoca o que se chama fading seletivo no espectro do sinal recebido (figura 22), assim:
F21. Reflexes e interferncias que podem ocorrer nas transmisses de rdio (ex. um lago).
Onde: SA = Sinal da antena SD = Sinal direto SR = Sinal refletido
F22. Efeito do chamado fading seletivo na antena receptora.
Aplicaes para o Analisador de Espectro
As principais aplicaes dos analisadores de espectro so detalhadas a seguir:
Espectro Irradiado
rgos reguladores emitem normas limitando o espectro do sinal irradiado por transmissores de RF. Em geral so definidas mscaras que so comparadas com o espectro do sinal emitido pelo equipamento. Estas determinam a banda de guarda e a potncia irradiada nos canais adjacentes. Nos analisadores de espectro modernos pode-se inserir os dados da largura do canal e da banda de guarda para que ele realize todas as medidas automaticamente, medindo a densidade espectral de potncia
t a diferena de atraso entre percurso direto e o refletido e a a relao de amplitude entre os sinais. Tanto a quanto t, podem variar no tempo devido as condies de propagao. O analisador de espectro pode ser til na determinao de ocorrncias de fading. Com o recurso de minimum peak hold (detetor de mnimo), fica armazenada na tela a menor amplitude do sinal para cada frequncia, deixando registrado um evento espordico como o fading seletivo. Para realizar esta medida, conecta-se o instrumento sada auxiliar de FI do receptor do rdio digital. Atente para a figura 23.
F23. Uso do amplificador de espectro na medida do fading.
Medidas de interferncia
Devido o envelhecimento dos componentes do filtro de sada dos transmissores, estes podem interferir em outros canais. O analisador de espectro uma ferramenta muito til na procura de sinais interferentes. Uma vez identificado um sinal interferente, nos casos de modulao de sinais analgicos pode-se tambm saber qual a sua origem, demodulando-o e ouvindo a informao contida no mesmo.
F24. Exemplo de um sinal de FM demodulado na tela do Analisador de Espectro.
Instrumentao
Alguns instrumentos possuem internamente demoduladores de AM e FM e alto-falantes para este tipo de aplicao. Caso o analisador de espectro no possua estes circuitos demoduladores, ainda assim possvel fazer a demodulao do sinal. Para utilizar o analisador de espectro como um demodulador AM basta sintonizar a frequncia central na frequncia desejada, o span em zero Hz e RBW/VBW com largura suficiente para passar o sinal modulado. Na tela do espectro tem-se o sinal demodulado em funo do tempo, como em um osciloscpio. Para demodular sinais FM, a nica diferena que a frequncia central do analisador de espectro sintonizada acima ou abaixo da frequncia do sinal a ser demodulado de maneira que o filtro RBW mais o detector do analisador de espectro funcionem como um discriminador de frequncia (figura 24). Novamente na tela tem-se o sinal demodulado como na tela de um osciloscpio. como filtros, amplificadores, acopladores etc..., como se o mesmo fosse um analisador de redes. A grande vantagem do analisador de espectro nesse tipo de aplicao o seu grande range dinmico. Medir a atenuao de filtros da ordem de 80 dB perfeitamente possvel. Observe a figura 25. atraso luminncia-crominncia ou ainda assistir a um canal de TV na tela do analisador de espectro!
Concluso
Medidas de Figura de Rudo

Um parmetro importante na caracterizao de receptores de RF ou pr-amplificadores a figura de rudo, uma indicao do nvel de rudo interno desses dispositivos. Como o analisador de espectro um medidor seletivo de grande sensibilidade (podendo medir nveis de at 140 dBm), ele ideal para essa tarefa. Para facilitar o trabalho do operador, um software aplicativo especfico para essa medida utilizado. Esse software permite controlar a fonte de rudo calibrada (ligar e desligar), realizar a calibrao do sistema para descontar o rudo interno do analisador de espectro e apresentar na tela do instrumento o resultado j calculado da figura de rudo em funo da frequncia (figura 26).
O analisador de espectro ainda muito utilizado na caracterizao de sinais, medindo distoro, esprios, banda ocupada, frequncia central, rudo de fase, entre outras. Contudo, com a incorporao de microprocessadores e de hardware e software dedicados, o instrumento extrapolou muito o limite convencional de aplicaes, automatizando medidas e melhorando sua preciso, tendo seu lugar garantido na bancada de testes de qualquer laboratrio ou linha de produo. E
Testes de estao Radiobase

Os analisadores de espectro possuem microprocessadores internamente. Uma grande variedade de softwares aplicativos em conjunto com hardwares dedicados permitem a esses instrumentos demodular e analisar sinais complexos como CDMA, GSM e outros. Assim, eles se tornam poderosas ferramentas para teste dos transmissores das estaes Radiobase, fazendo anlise de potncia do canal, do canal adjacente, medindo a qualidade da modulao (t/4 DQPSK, por exemplo), nvel de potncia do canal no domnio do cdigo (no caso do CDMA) relao portadora/rudo, entre outras.
F25. Uso do Analisador de Espectro para medir a resposta em frequncia de um filtro.
Medidas de interferncia eletromagntica

As normas de compatibilidade eletromagntica exigem que os equipamentos irradiem sinais eletromagnticos abaixo de determinados valores sob diferentes condies de medidas. No software aplicativo j esto todas as mscaras com os limites de emisso, o analisador de espectro l os dados de calibrao das antenas atravs de um arquivo em disco, seleciona o detetor (quase-pico) e o filtro RBW corretos e indica automaticamente quando ocorre emisso acima da mscara e em que frequncia, j considerando todos os fatores de correo, figura 27.
Teste de resposta em frequncia

Alguns instrumentos possuem um gerador de varredura interno (chamado traking generator) cuja frequncia do sinal de sada exatamente igual frequncia que a entrada est medindo a cada instante, da seu nome. Ou seja, se a varredura do analisador ajustada entre 100 MHz e 500 MHz, a sada do gerador tambm varre o mesmo intervalo de frequncia. Desse modo, pode-se utilizar o analisador de espectro para medir a curva de resposta em frequncia de dispositivos
F26. Analisador de Espectro na medida de Figura de Rudo de um Amplificador RF.
Testes de TV a cabo
Com hardware especfico para demodulao de sinais de vdeo pode-se fazer todas as medidas recomendadas pelo FCC, como planicidade, estabilidade de amplitude e frequncia, frequncia das portadoras, relao de amplitude entre portadoras de vdeo e udio, distoro,
F27. O Analisador de Espectro nas medidas de Interferncia Eletromagntica.
Eletrnica Aplicada
Telecomunicaes
Como Funciona o Parte 1 Telefone Celular

Neste artigo abordaremos o princpio de funcionamento do telefone celular (com os diversos blocos que formam esse aparelho), como cada um deles opera e que tipos de sinais percorrem cada etapa. Este conhecimento fundamental no apenas para os profissionais das Telecomunicaes, como tambm para qualquer praticante da Eletrnica que deseje conhecer a base das tecnologias atuais.
amos analisar o princpio de funcionamento de um telefone celular baseados em documentao da Texas Instruments, que toma como modelo o padro IS-54.
Diagrama Funcional
Comeamos, ento, por mostrar um diagrama funcional do telefone celular digital em dual-mode na figura 1. O aparelho tpico contm as seguintes funes bsicas, exercidas por um ou mais blocos do diagrama que demos como exemplo: Transmissor; Receptor; Coordenador; Conjunto de antena; Painel de controle. O aparelho ideal dever ser capaz de operar tanto numa clula apenas analgica
como em uma clula dual-mode. Tanto o transmissor quanto o receptor devem suportar esquemas de FM analgico e digital TDMA (Time Division Multiple Access). A transmisso digital sempre preferida, de modo que quando este sistema est disponvel, ele deve ser utilizado pelo aparelho como preferncia, s passando para o analgico se ele no estiver disponvel. No circuito mostrado, o transmissor converte o sinal de udio captado a partir do microfone num sinal de RF, enquanto que o receptor converte o sinal de RF num sinal de udio reproduzido no fone. A antena tem por finalidade converter os sinais de RF em ondas eletromagnticas para a transmisso, e tambm converter as ondas eletromagnticas em sinais para o processo de recepo.
Newton C. Braga
F1. Diagrama de blocos do Telefone Celular Digital em Dual-Mode. 28 I SABER ELETRNICA 464 I Setembro/Outubro 2012
F2. Blocos funcionais da parte digital do telefone celular.
F3. Diagrama de blocos da seo de entrada do telefone celular.
F4. Codificao final pelo codificador de palavra.
A finalidade do painel de controle servir como um dispositivo de entrada e sada (I/O) para o usurio. Nele, temos um teclado, o display, o microfone e o fone de ouvido (alto-falante). Coordenando as atividades de todos os blocos h um circuito coordenador. Esse coordenador sincroniza as funes de transmisso e recepo do telefone celular. Na figura 2 apresentamos os blocos funcionais da parte digital do telefone celular dual-mode. A partir do que vimos, podemos fazer uma anlise detalhada de como funciona cada um dos blocos que formam um telefone celular digital.
de amostragem de 64 bps em um sinal com menor velocidade de dados. Depois, ele multiplexa a informao, controla essa informao, agrega bits que permitem proteger a integridade dos dados evitando erros e, ento, a transfere para um sistema de modulao e amplificao. O sinal, j na forma digital amplificado, e serve ento para modular o circuito transmissor. Neste ponto, o circuito coordenador insere no sinal informaes que permitem o controle do processo de comunicaes. Analisemos separadamente os blocos que formam o transmissor.
O Transmissor
Processamento de entrada
A finalidade do transmissor aplicar os sinais de baixo nvel que o microfone recebe e transform-los num sinal codificado de RF. Para isso, ele converte os dados codificados em modulao de cdigo de pulso (ou PCM) numa taxa
Os sinais que correspondem voz, obtidos a partir do microfone, so inicialmente amplificados e depois aplicados num filtro antifalseamento (anti-aliasing), e posteriormente amostrados numa velocidade de 8 kHz de modo a gerar um sinal digitalizado de 64 kbps.
Normalmente, nenhuma pr-nfase aplicada. A figura 3 ilustra o diagrama de blocos desta parte do aparelho de telefone celular. No padro de telefonia celular no se prev a utilizao de circuito cancelador de eco, mas recomendada a sua implementao. Os circuitos que formam esta etapa so os seguintes: Um amplificador com ganho especificado para produzir um sinal que seja 18 dB menor que o fim da escala; Um filtro passafaixa para evitar o falseamento; Um conversor analgico-digital. A resoluo mnima recomendada para este conversor de 13 bits para a converso PCM uniforme ou 8 bits u-law.
Codificador de Palavra
O codificador de palavra tem por finalidade reduzir a taxa de dados comprimindo o fluxo de dados de 64 kbps de modo a criar um fluxo de 7.950 kbps.
Eletrnica Aplicada
Telecomunicaes
O padro IS-54 aceita tambm uma codificao de palavra denominada Vector Sum Excited Linear Prediction (VSELP). Esse algoritmo pertence classe dos codificadores conhecidos como Code Excited Linear Prediective Coders (CELP), que utiliza um livro de cdigos para quantizar vetores de excitao do sinal. VSELP uma variao do CELP. O sinal que chega (de 64 kbps) agrupado em blocos ou frames de modo a formar um fluxo de 50 frames por segundo. Isso significa que cada frame contm 160 amostras e representa uma durao de 20 ms. Cada frame codificado em 159 bits. Com isso obtemos a codificao final de 50 x 159 = 7 950 kbps, que exibida na figura 4. O decodificador de palavra usa dois livros separados de cdigo. Cada cdigo tem um ganho independente. As excitaes dos livros de cdigo so multiplicadas pelos seus ganhos correspondentes e somadas para criar uma excitao combinada. Os parmetros empregados no codificador de palavra VSELP so dados na tabela 1.
F5. Blocos componentes do Codificador de Canal do telefone celular.
Codificador de Canal
F6. Esquema de proteo usando a codificao convolucional.
F7. Sistema de proteo contra erros usando redundncia cclica. Parmetro Taxa de amostragem Comprimento do frame Comprimento do subframe Ordem do Preditor de curto termo Np Nmero de tomadas para o preditor de longo termo Nmero de bits no cdigo 1 de palavras (n de vetores de base) Nmero de bits na palavra de cdigo (n de vetores de base) Notao s Nf N Np NL M1 M2 Especificao 8 kHz 150 amostras (20 ms) 10 amostras (5 ms) 10 1 T1. Parme7 bits tros usados no 7 bits codificador de palavra VSELP.
A funo principal da codificao de canal proteger o fluxo de dados contra o rudo e o desvanecimento, que so inerentes a um canal de rdio. O codificador faz isso adicionando bits extras ou redundantes. Quanto maior for o nmero de bits redundantes, maior ser a imunidade do sistema. O codificador de canal protege o fluxo de dados em quatro estgios: Codificao convolucional; Gerao de verificao cclica de redundncia (CRC); Interleaving; Gerao de burst. Os dois primeiros modos so operaes matemticas, enquanto que os dois ltimos so aproximaes heursticas. O receptor faz uma operao inversa para determinar quando erros ocorrem na transmisso. Na propagao dos sinais de rdio descobriu-se que o fading (desvanecimento) surge em condies localizadas no tempo e espao. Como resultado, o interleaving espalha as informaes do fluxo de dados em dois frames, porque no se deseja que um bit de erro ocorra em frames sucessivos.
Entre o interleaving e o gerador de burst, o codificador de canal multiplexa a informao de controle. Na figura 5 vemos os componentes desta parte do circuito de um telefone celular.
Na figura 7 indicamos como o sistema de proteo contra erros adiciona 101 bits a cada 20 ms, com um total adicional de 5050 bps.
Interleaving (Intercalao)
Esta funo tem por finalidade fornecer a capacidade de correo de erros pela adio de redundncia sequncia transmitida. A codificao convolucional implementada por shift-registers lineares. Um codificador convolucional descrito pela velocidade com que os dados entram no codificador e pela velocidade com que os dados o deixam. Por exemplo, um codificador convolucional Rate-1/2 aquele em que a cada 1 bit de dados que entram no codificador, 2 bits deixam o codificador. Tanto menor a relao (ratio), maior ser a redundncia. Para reduzir a taxa de bits, no so todos os 159 bits de um frame que so protegidos contra erros. Apenas 77 desses bits, chamados bits de classe 1, so protegidos contra erros. Os 82 bits restantes, denominados bits de classe 2, no so protegidos. A figura 6 mostra o que ocorre neste esquema de proteo.
Codificao Convolucional
Como explicamos, anteriormente, os dados de cada frame so divididos em dois blocos e espalhados antes de serem transmitidos, conforme ilustra a figura 8. Isso feito porque o desvanecimento pode destruir um frame, mas muito difcil que ele destrua dois frames sucessivos. Como resultado, no so todos os bits de um frame de palavra que so perdidos se tivermos apenas uma fatia perdida. Os 159 bits de um frame de palavra so classificados como bits classe 1 e bits classe 2. Os dados so colocados no array intercalado, nos quais os bits classe 1 so intermisturados com os bits classe 2. Esses bits seguem as seguintes locaes numricas: 0, 26, 52, 78; 93 at 129; 130, 156, 182, 208; 223 at 259
Verificao de Redundncia Cclica
Dos 77 bits que so protegidos contra erros, verifica-se que apenas 12 so significantes. Eles so ento protegidos por um processo de computao de redundncia cclica, antes de serem aplicados ao codificador convolucional. Um CRC de 7 bits computado dividindo os dados por uma constante especfica, e o restante transmitido como dados. O receptor detecta erros comparando o restante recebido com o que ele calculou previamente.
A informao do sinal de controle inserida nos intervalos entre dados. A informao de controle inclui: Canal de controle associado lento (Slow Associated Control Channel, ou SACCH); Canal de controle associado rpido (Fast Associated Control Channel, ou FACCH); Cdigo de cores de verificao digital (Digital Verification Color Code, ou DVCC); Palavra de sincronizao (SYNC). A figura 9 exemplifica como funciona este controle.
Multiplexao do Sinal de Controle
O SACCH (Canal de Controle Associado Lento) um canal de sinalizao para o trajeto da palavra na transmisso, servindo para a troca de mensagens de superviso na transmisso entre a estao-base e o telefone celular. Essas mensagens SACCH so continuamente mixadas com os dados do canal. So usados 12 bits para esta finalidade. O FACCH (Canal de Controle Associado Rpido) um canal de sinalizao para o controle de transmisso e de mensagens de superviso entre a estao-base e o telefone celular. Essas mensagens no so mixadas com os bits de informao. Elas substituem o bloco de informao do usurio, quando necessrio. DVCC (Cdigo de Cores de Verificao Digital) trata-se de um cdigo de 8 bits que enviado da base para o telefone e usado para gerar uma verificao. O campo do DVCC tem 12 bits, sendo que 8 servem para verificar o volume de trfego nos canais adjacentes. SYNC (Sincronismo) trata-se de um campo de 14 smbolos usados para sincronizao, temporizao e identificao dos blocos de informao.
Mobile Assisted Handoff
O Mobile Assisted Handoff, ou MAHO, um novo destaque do padro IS-54. A estao-base pode comandar o telefone celular para fornecer a medida da qualidade do sinal no canal em uso e em 12 outros canais. Desta forma, a unidade mvel (telefone celular) pode medir duas quantidades: A intensidade do sinal recebido (RSSI), que uma medida expressa em dB; A taxa de erros de bit (BER), que uma estimativa da informao sobre os erros pela medida do fluxo de dados de correo na entrada do decodificador.
F8. Intercalao dos dados de cada frame.
F9. Diagrama de funcionamento da Multiplexao do Sinal de Controle. 2012 I Setembro/Outubro I SABER ELETRNICA 464 I 31
Eletrnica Aplicada
Telecomunicaes
Essas medidas de qualidade do canal (RSSI e BER) so enviadas estao-base para ajudar na sua capacidade de manuseio dos sinais. Isso reduz a sua sobrecarga. Os sinais RSSI e BER normalmente so enviados via SACCH, se bem que eles tambm possam ser enviados via FACCH durante a descontinuidade da transmisso (DTX). DTX um modo de operao em que a unidade mvel transmite de modo autnomo entre dois nveis de potncia, enquanto a unidade mvel est no estado de conversao.
Gerador de Burst (Salva)

F10. Compresso dos dados no tempo pelo Gerador de Burst.
Depois que os dados so comprimidos e protegidos contra erros, o fluxo de bits recebe uma nova compresso (agora no tempo), passando ao formato de burst (salva), conforme mostra a figura 10. Essa figura mostra como os dados so comprimidos no tempo e usados no canal de 48,6 kbps.
Modulador /4 DQPSK do Transmissor e Amplificador de RF
F11. Indicao de origem cruzada para certas transmisses, o que causa impacto nos filtros.
F12. Alternativa: uso do esquema p / 4 no qual a origem nunca cruzada.
F13. No Modulador p / 4 DQPSK, os dados seriais so aplicados aos multiplicadores depois dos conversores DAC. 32 I SABER ELETRNICA 464 I Setembro/Outubro 2012
Os dados numa taxa de 48,6 kbps so agora aplicados a modulador do tipo Diferential Quaternary Phase-Shift Keying ou DQPSK. Este modulador agrupa dois bits ao mesmo tempo de modo a criar um smbolo. O termo diferencial usado porque os smbolos so transmitidos como mudanas relativas de fase, em lugar de valores absolutos de fase. Na figura 11 indicamos que para certas transmisses a origem deve ser cruzada. Isso implica que a potncia da envoltria no decodificador vai ser 0 quando a origem cruzada, causando um impacto indesejvel nos filtros. Para aliviar isso, o esquema p /4 usado, de acordo com a figura 12. Nesse esquema, as transmisses so +/- 45 graus ou +/- 135 graus e, com isso, a origem nunca cruzada na passagem de um estado para outro. A figura 13 mostra como os dados seriais so agora apresentados como dados paralelos de 2 bits e aplicados aos multiplicadores depois da converso digital- analgica.
Como dois conversores digital-analgicos (DAC) so necessrios, eles so referidos algumas vezes como Dual DACs. Os sinais binrios variam os sinais deslocados em fase atravs de multiplicadores. Filtros limitam a resposta dos impulsos dos sinais binrios de modo a assegurar que a portadora de RF ocupar apenas a faixa alocada. Os dois sinais so, ento, somados para formar uma portadora final deslocada em fase. A converso da banda base para RF, ou seja, a translao de frequncia da portadora modulada, tipicamente feita em diversas etapas de modo a se alcanar a faixa de 800 MHz.
Amplificador de RF
O amplificador de RF tem por finalidade aumentar a intensidade do sinal modulado para que ele alcance os nveis necessrios transmisso. Apesar da transmisso analgica, que emprega FM, o amplificador de RF para DQPSK deve
ser linear. Em FM, amplificadores push-pull no lineares classe C so usados para amplificao. Esses amplificadores tm uma eficincia de aproximadamente 50%. Entretanto, amplificadores no lineares no podem ser utilizados em DQPSK porque eles podem causar distores de fase. Os amplificadores lineares usados em DQPSK so menos eficientes, algo em torno de 30%. A figura 14 ilustra como funciona esta etapa. Enquanto um duplexador requerido para a seo analgica do telefone dual-mode, ele no necessrio para a parte digital porque, neste caso, o receptor e o transmissor no operam simultaneamente. Uma chave PN o suficiente para isolar o transmissor do receptor. Com isso, o duplexador pode ser removido da parte digital. Removendo-o, obtemos alguns benefcios: quando os sinais DQPSK esto passando atravs de um duplexador, uma distoro de fase pode ocorrer e, alm disso, existe alguma perda de potncia que exige ento um amplificador de maior
F14. Funcionamento do Amplificador de RF.
potncia. Assim, com a eliminao do duplexador, pode-se obter uma autonomia maior para bateria do telefone celular.
Concluso
Terminamos, assim, esta anlise do princpio de funcionamento do telefone celular e, no segundo artigo, desta srie trataremos do funcionamento do circuito receptor do aparelho. At l! E
Eletrnica Aplicada
Diagnstico de redes
O uso de solues Ethernet em redes para aplicaes industriais levanta a questo sobre o emprego de ferramentas para testes dessas redes. Ferramentas gratuitas, como o Wireshark, esto disponveis e oferecem a decodificao dos frames capturados em tempo real, inclusive para frames PROFINET IO. Este artigo d uma viso geral sobre as possibilidades de capturas de frames nessas redes, e mostra alguns casos de utilizao prtica dos filtros de captura e de visualizao do Wireshark para identificao rpida de diagnsticos na rede PROFINET IO.
Afonso Celso Turcato
Industrial
PROFINET IO utilizando software Wireshark
ada vez mais, fieldbuses baseados em Ethernet esto sendo utilizados em aplicaes reais. H a promessa de que solues baseadas em Ethernet sero mais flexveis e permitiro ao usurio final uma integrao harmoniosa dos equipamentos de campo com o mundo da TI (Tecnologia da Informao). Alm disso, h esperana de que a tecnologia Ethernet, teoricamente mais rpida, permitir uma resposta ainda mais rpida e com tempos de ciclos menores nas aplicaes de controle [1]. A maioria das aplicaes com controle distribudo ou com entradas e sadas remotas usam fieldbus, como o conhecido Profibus DP. Para essas aplicaes, ferramentas de diagnstico de diferentes fabricantes existem com preos razoveis. Elas permitem a verificao e validao do desempenho do barramento de campo. Mudar toda essa tecnologia para a uma rede baseada em Ethernet levanta dvidas acerca da disponibilidade de ferramentas de diagnstico que permitam essa mesma verificao e validao da soluo Ethernet, como o PROFINET IO.
Muito bem conhecido e disseminado no mundo, principalmente pelo pessoal de TI, e gratuitamente distribudo, o software Wireshark um analisador de rede que captura os frames Ethernet e os decodifica. Atualmente, o Wireshark tambm capaz de decodificar os frames PROFINET IO atravs de um dissector especialmente desenvolvido para esse propsito pelos criadores do software. Baseados nessa funcionalidade, descrevemos neste artigo como simples diagnsticos de rede PROFINET IO podem ser obtidos com a utilizao do Wireshark.
PROFINET IO: Viso Geral
PROFINET uma soluo para rede Ethernet Industrial, que usado para a expanso vertical de tecnologias fieldbus a fim de integrar automao industrial com a TI de negcios das empresas [3]. PROFINET IO um protocolo padronizado para a interconexo descentralizada de dispositivos de campo. Baseia-se na Ethernet e utiliza os padres Ethernet, como o TCP / IP, UDP e DCOM para troca de dados em
Eletrnica Aplicada
tempos no crticos, tais como diagnsticos e parametrizao. As diferentes reas de aplicao em automao industrial exigem uma ampla faixa de performance para comunicao. Estas vo desde aplicao de Non-Real-Time (NRT), aplicaes Real-Time (RT) at aplicaes de tempo crtico com sincronismo de tempo, as Isochronous Real-Time (IRT). Figura 1. Para aplicaes NRT, o PROFINET utiliza o protocolo UDP/IP e, por esse motivo, todos os equipamentos de campo PROFINET devem suportar este protocolo. A comunicao de dados sobre o TCP/ IP ou UDP/ IP utiliza uma grande quantidade de informaes administrativas e de controle (overhead) que retardam o trfego de dados. Assim, para se ter a capacidade de comunicao Real-Time para a troca de dados cclica, o PROFINET abandona parcialmente o protocolo IP (camada 3 do modelo OSI) e os protocolos TCP e UDP (camada 4 do modelo OSI) para comunicaes RT. As comunicaes RT e IRT so usadas para a integrao de I/O distribudos [4]. Para IRT tem-se um canal de tempo real disponvel para a transmisso de dados de temporizao do processo que utilizado para o sincronismo das aplicaes [5]. Veja a figura 2. Em PROFINET IO tambm pode ser utilizado o recurso de VLAN Tag conforme definido no padro IEEE 802.1Q, com o qual sete nveis de prioridade podem ser configurados para cada frame transmitido (figura 3 e 4). Outras redes fieldbus j existentes podem ser facilmente integradas ao PROFINET IO atravs de um dispositivo de Proxy. Assim, no h necessidade de se fazer alteraes nos dispositivos existentes, facilitando a integrao e protegendo os investimentos j realizados. Em PROFINET IO so especificados trs tipos de dispositivos: IO-Controller, IO-Supervisor e IO-Device como mostrado na figura 5. O IO-Controller um dispositivo inteligente que tem controle sobre um processo distribudo ao longo de um ou mais IO-Device(s). Ele gerencia dados de processo e de alarmes, processando-os de acordo com o programa de usurio. Em automao, um IO-Controller normalmente um Controlador Lgico Programvel (CLP), ou um DCS ou um PC. ele o responsvel pelo estabelecimento dos canais de comunicao durante a inicializao do sistema [5]. O IO-Supervisor um dispositivo de programao usado para tarefas como parametrizao, configurao e coleta de dados de diagnstico. Um IO-Device age como um servidor de I/O distribudo [6] fornecendo dados de processo para o IO-Controller. configu-
F1. Tempos de ciclos em redes PROFINET IO.
F2. Layers em redes PROFINET IO.
F3. Frame PROFINET IO.
F4. Frame PROFINET IO com VLAN.
Eletrnica Aplicada
Industrial
para estes canais definido pelo prprio fabricante do equipamento. Os canais especificam os dados de determinado SubSlot que podem ser lidos ou escritos cclica ou aciclicamente. O controle de acesso aos dados determinado na definio do Slot e/ou SubSlot e podem ser distribudos em diferentes IO-Controllers, porm o mapeamento para dados de escrita cclica e alarmes pode ser feito apenas por um IO-Controller. Em contrapartida, o acesso de leitura cclica pode ser feito por mltiplos IO-Controllers.
F5. Tipos de equipamentos em redes Profinet IO.
Estabelecimento da conexo
A fim de ser capaz de trocar dados cclicos e acclicos entre um IO-Controller/ IO-Supervisor e um IO-Device, os canais de comunicao so estabelecidos pelo IO-Controller quando o sistema inicializado. Conforme mencionado anteriormente, o IO-Controller estabelece uma AR com uma ou mais CR. Essa AR inclui todos as informaes necessrias para estabelecer a troca de dados com o IO-Device. Existem 3 tipos de CRs que podem sem configuradas em uma AR [4] , so elas: Acyclic CRs: so sempre as primeiras a serem estabelecidas e esto relacionadas transferncia de parmetros do equipamento, tais como parmetros de Startup e Diagnsticos; I/O CRs: relacionadas a troca cclica de dados de I/O; Alarm CR: relacionada a transferncia acclica de alarmes. Veja a figura 6. Cada IO-Controller ou IO-Supervisor pode estabelecer uma AR com um ou mais IO-Devices. Acessos de escrita concorrentes por mais de um IO-Controller em um mesmo IO-Device, so impedidos pelo prprio IO-Device.
F6. Tipos de CR.
rado pelo IO-Controller ou IO-Supervisor e pode manter conexo de troca de dados com vrios IO-Controllers e IO-Supervisors simultaneamente. Para que dois dispositivos sejam capazes de trocar dados entre si, necessrio estabelecer uma Application Relationship (AR) com uma ou mais Communication Relationship (CR). Estas devem ser estabelecidas pelo IO-Controller e se necessrio, pelo IO-Supervisor. A comunicao acontece por meio de leitura/escrita de pedidos dentro de um modelo de comunicao Produtor/ Consumidor. Um IO-Supervisor tem funcionalidade semelhante a um PROFIBUS Mestre Classe 2 e capaz de solicitar dados de diagnstico diretamente do IO-Device ou do IO-Controller atravs do estabelecimento de uma Supervisor AR com esses equipamentos [2]. Para a configurao dos dispositivos de campo em PROFINET, os Device Description Files (arquivos GSD) so usados [7]. Ao contrrio do PROFIBUS, esses arquivos so baseados na linguagem XML chamada de GSDML (Generic Station Description Language Markup). Topologias de rede so muitas vezes definidas para atender os requisitos de
instalaes da rede. As mais comuns para as redes PROFINET IO so: Estrela, Barramento, rvore e Anel (para redundncia). Na prtica, um sistema consiste de uma composio mista destas opes citadas e podem ser utilizados cabos STP (IEEE 802.3 100Base-TX) de cobre, ou fibra ptica (IEEE 802.3 100base-FX) monomodo ou multimodo. Os IO-Devices coletam ou atuam nos sinais de processo em um sistema de automao. Para fazerem isso, eles precisam de certo grau de inteligncia, integrado pelo fabricante quer numa forma fixa ou de uma forma configurvel. Assim, os dispositivos de campo dividem-se em dois grupos: Compact Devices so dispositivos de campo com parmetros fixos e capacidade imutvel para o intercmbio de dados do processo; Modular Devices so dispositivos de campo cujos recursos so adaptados para a aplicao durante a configurao. A camada de aplicao PROFINET IO descreve os dispositivos de campo como sendo representados por Slots. Um Slot pode conter um ou mais SubSlots, e estes por sua vez podem ter um ou mais canais, sendo que o mapeamento das entradas e sadas
Troca de dados Cclica

Para a troca cclica de dados e de alarmes, o PROFINET IO usa o canal RT (Real-Time). A transmisso de dados no PROFINET IO pode ocorrer das seguintes formas: Comunicao RT dentro de uma mesma rede (LAN): para este caso onde h necessidade de alta performance na comunicao, somente o canal Fast RT com frames EtherType 0x8892 utilizado, no sendo usada
Eletrnica Aplicada
comunicao com protocolo UDP/IP; Comunicao RT entre redes: para este caso tanto o canal Fast RT com frames EtherType 0x8892 e mecanismos do protocolo UDP/IP so utilizados; Comunicao IRT: com determinismo e dados de sincronismos requerem hardware especfico; Trfego de dados Multicast (Multicast Communication Relation MCR): baseia-se na RT, bem como na comunicao IRT e consiste de um produtor que publica dados no barramento em um ou mais consumidores que processam os dados. A troca de dados entre o IO-Device e o IO-Controller ocorre em um ciclo de polling configurado pelo IO-Controller. Esse ciclo especificado durante a configurao com a ferramenta de engenharia. Isto resulta na monitorao mtua da troca de dados e possibilidade de utilizao de mecanismos de watchdog tanto pelo IO-Controller quanto pelo IO-Device. Todos os dados cclicos so fornecidos com valores individuais de status que possibilita a validao dos dados recebidos. Em contraste com PROFIBUS, os dados transmitidos em PROFINET IO podem ser otimizados em frequncia isto , eles podem ser enviados em diferentes fases/frequncias individualizadas por tipo de dados e/ou dispositivo. Para alcanar este objetivo, o PROFINET IO define uma Reduction Ratio que determina a frequncia de transmisso de dados de cada equipamento.
Alarmes
PROFINET IO envia eventos dentro um processo de automao como alarmes que tm que ser reconhecidos pela aplicao que controla o processo. Estes alarmes incluem tanto eventos como a insero ou remoo de mdulos na rede, como alarmes definidos pelo usurio, tais como Falha de uma Entrada Analgica ou alarmes de processo, como, por exemplo, uma Temperatura Alta da gua. Diferentes tipos de eventos so especificados, sendo: Alarmes de processo: Eventos que vm do processo e so enviados para o sistema de controle; Alarmes de diagnstico: Eventos indicando um mau funcionamento de um dispositivo de campo; Alarmes de manuteno: Eventos que transmitem informaes a fim de impedir uma parada inesperada do dispositivo, ou seja, indicando a necessidade de manuteno preventiva; Alarmes especficos de diagnsticos configurados pelo fabricante. O PROFINET define um conjunto padro de causas de alarme, como por exemplo: Alarmes Pull e Plug: ocorrem quando um mdulo retirado ou conectado em um IO-Device do tipo modular; Alarmes Return-of-SubModule: ocorrem quando um IO-Device volta a fornecer dados de uma entrada em particular. Para identificao nica, alarmes so sempre referenciados com o nmero do Slot e do Subslot. Os alarmes de diagnstico e de processo podem ser priorizados de formas distintas pelo usurio.
Atribuio de um nico nome especfico para o IO-Device; Atribuio do endereo IP pelo IO-Controller antes da inicializao do sistema baseado nesse nome especfico do IO-Device. Ambas as etapas ocorrem atravs do protocolo DCP integrado ao PROFINET. Durante o startup da rede, o IO-Controller configura uma AR para cada IO-Device que pretende controlar. Para isso, uma transmisso UDP/IP DCE-RPC (Distributed Computing Environment / Remote Procedure Calls) usada. O endereo IP para cada dispositivo definido pela ferramenta de engenharia durante a fase de planejamento da rede e cabe ao IO-Controller atribuir o endereo para os IO-Devices existentes [8]. Observe a figura 7.
A soluo mais barata e mais simples atualmente a utilizao do sofware freeware Wireshark, que a ferramenta recomendada pela PROFIBUS International (PI). O software armazena os frames em disco e os decodifica. A verso utilizada para o desenvolvimento deste artigo a verso 1.6.8 que capaz tambm de decodificar os frames PROFINET IO.
Capturas em Redes PROFINET IO
Topologias e formas de captura
Troca de dados Acclica

A leitura e a escrita de informaes (servios de leitura/escrita) podem ser realizadas aciclicamente. Os seguintes servios rodam aciclicamente em PROFINET IO: A parametrizao de Submdulos individuais durante inicializao do sistema; A leitura de informaes de diagnstico; A leitura de informaes de identificao dos dispositivos de acordo com as funes de Identificao e Manuteno; A leitura de dados de I/O. A especificao de quais dados podem ser lidos ou escritos aciclicamente, determinada durante a configurao de cada canal.
Existem vrias consideraes a serem feitas sobre onde o melhor ponto para se conectar a ferramenta de captura e como utiliz-las.
Atribuio de Nomes e Endereos

Em todas as comunicaes baseadas no protocolo IP, todos os dispositivos devem ter endereos IPs nicos atribudos. O PROFINET IO usa o Discovery and Configuration Protocol (DCP) para atribuio de endereos IP. Na configurao de fbrica cada dispositivo de campo tem, entre outras coisas, um endereo MAC e um nome simblico armazenado. Sendo que estas informaes so suficientes para atribuir para cada dispositivo de campo um nome nico (apropriado para a aplicao). Para isso, a atribuio de endereo realizada em duas etapas:
F7. Atribuio de endereo IP para IO-Device.
Eletrnica Aplicada
No PROFIBUS DP, por exemplo, h um cabo onde todos os frames esto passando. Para monitorar o barramento, basta apenas plugar a ferramenta em qualquer lugar do cabo e se torna possvel ver todos os frames transferidos. Em uma rede Ethernet com switch, como a PROFINET, a situao bem diferente. Normalmente, no h lugar na rede onde seja possvel ver todo o trfego passando. Em redes com switch, os frames passam apenas pelos segmentos necessrios para chegar ao seu destino e no existe, por definio, um nico ponto onde todo o trfego passa. Outra questo importante a ser levantada como conectar o PC com Wireshark na rede. A primeira abordagem seria a de substituir o switch da rede (considerando que exista apenas um) por um hub (figura 8). Um hub copia todos os frames de entrada de uma porta para todas as outras portas e, portanto, permitiria captura de todos os frames. Porm, a implementao do stack de comunicao do PROFINET IO no permite esse mtodo. Ele verifica se a rede onde est conectado Full-Duplex e 100 MBit/s. Se este no for o caso, o mesmo se recusa a ficar online. Um hub por definio permite apenas conexes half-duplex e por isso, esta configurao NO funciona. Veja abaixo um exemplo de interligao tipo estrela entre um IO-Controller e dois IO-Devices. Outra forma usar uma disposio tipo sanduche. Neste caso, dois switches com um hub entre eles so usados (figura 9). Todos os IO-Devices utilizados na rede sentiro a configurao correta da linha, e o PC de monitoramento conectado ao hub ser capaz de receber todos os frames trafegando de um switch para o outro. Essa configurao funciona bem se houver apenas trfego baixo na rede, pois os switches para tentar evitar colises no lado half-duplex (hub) iro armazenar os frames e com isso inseriro atrasos na rede. O maior problema para esse caso tambm encontrar um hub que funcione a 100 MBit/s. Outra soluo muito mais robusta a utilizao de um switch gerencivel que possua a funcionalidade de espelhamento de porta, veja a figura 10. Um switch gerencivel pode ser mais caro do que a soluo sanduche com dois switches no gerenciveis e um hub, mas a maioria dos switches utilizados em redes industriais j so gerenciveis, fazendo dessa soluo uma das melhores.
Industrial
Type Protocol Meaning 0x0800 IP IP Header 0x0806 ARP Address Resolution 0x8100 VLAN Virtual LAN Header 0x8892 PN-RT PROFINET Real-Time T1. Ethernet Frames: Types mais comuns.
F8. Hub em rede PROFINET IO.
Porm, uma ressalva deve ser feita. Um switch com uma porta espelhada pode armazenar os frames para evitar colises na porta de espelhamento e este armazenamento pode inserir pequenos atrasos de tempo que podem ser indesejveis na medio. Uma soluo semelhante a essa, a adio de um Port Agregator (PA) entre o switch e o IO-Controller, atente para a figura 11. Um PA encaminha todos os frames de ambas as direes para a porta de monitorao, armazena os frames se for necessrio e, em caso de falha na alimentao, mantm o link fechado. Ele encaminha frames mesmo com erros (o switch no), porm, pode somente trabalhar com a carga da rede abaixo de 50%, ou seja tambm pode inserir atrasos na rede. Existe outra possibilidade para este cenrio que a adio de um TAP na rede (figura 12). O TAP copia todos os quadros do link analisado para dois links de monitoramento, um para cada direo. Existem os TAPs passivos e os ativos. Os passivos inserem carga na linha e podem causar perturbaes indevidas na rede, e, portanto os ativos so mais recomendados. A desvantagem nessa soluo, em combinao com a utilizao do Wireshark, que agora ambos os links tm que ser capturados separadamente atravs de duas interfaces de rede (Network Interface Card - NIC), em um PC com duas instncias do Wireshark ativas. Assim, com duas capturas separadas, necessrio efetuar uma mescla delas (isto pode ser feito pelo prprio Wireshark).
Estes filtros devem ser configurados de tal forma que os frames capturados/mostrados sejam apenas os que tenham algum significado na anlise da captura, diminuindo assim o arquivo gerado, focando a anlise e eliminando informao extra desnecessria. Veja nos prximos tpicos alguns exemplos prticos de utilizao.
Capturar apenas frames PROFINET IO RT

Conforme visto na figura 3, o frame ethernet possui um campo Type que define o tipo de dado contido no frame, veja a tabela 1. A fim de capturar apenas frames PROFINET RT, pode-se aplicar um filtro de captura no Wireshark onde apenas os frames com o campo tipo 0x8892 sero capturados. Para isso, o filtro de captura deve ser configurado como: ether proto 0x8892. Caso se queira aplicar um filtro de visualizao do Wireshark com o mesmo propsito, fica: eth.type == 0x8892 ou pn_rt. Desta forma, apenas os frames do tipo 0x8892 sero visualizados. Repare que a sintaxe diferente entre os filtros de captura e de visualizao.
Visualizar todos os frames oriundos de certo IO-Device para o IO-Controller

Considerando-se que: MAC Address do IO -Controller: 00:0E:8C:F7:53:B6 M AC A d d r e s s d o I O - D e v i c e : 00:0E:8C:F6:96:96 Configura-se o filtro de visualizao do Wireshark como: eth.dst == 00:0E:8C:F7:53:B6 && eth.src == 00:0E:8C:F6:96:96 Desta forma, apenas os frames oriundos do IO-Device para o IO-Controller sero visualizados. Expandindo esse raciocnio, pode-se fazer com que o Wireshark apenas capture/visualize frames que indicam possveis problemas na rede, como por exemplo, frames de alarmes.
Utilizao do Wireshark
Uma das grandes funcionalidades do Wireshark permitir a utilizao de filtros na captura da rede. Podem ser definidos dois tipos de filtros: filtro de captura e filtro de visualizao. Veja as figuras 13 e 14.
Eletrnica Aplicada
Conforme em [9], tem-se as faixas de valores de Frame ID de acordo com a tabela 2. Quando ocorre algum evento de alarme em um Submdulo (dentro de um dispositivo) ou quando existe um erro de ligao (por exemplo, um fio desconectado), um alerta disparado indicando que dados de diagnstico existem e precisam ser reconhecidos. Esses dados de alarmes so transmitidos em um canal RT para o IO-Controller (aciclicamente). Portanto, pode-se configurar o filtro para que sejam capturados/visualizados apenas os frames relacionados a alarmes, ou seja, aqueles que esto na faixa Acyclic transmission HIGH priority e Acyclic transmission LOW priority. O filtro de visualizao do Wireshark para este caso fica: (pn_rt.frame_id >= 0xFC00 && pn_rt.frame_id <= 0xFCFF) || (pn_rt.frame_id >= 0xFE00 && pn_rt.frame_id <= 0xFEFC) Desta forma, apenas os frames relacionados a alarmes sero visualizados no Wireshark. Seguindo com o mesmo princpio, possvel tambm obter estatstica sobre um alarme especfico que esteja ocorrendo em determinado IO-Device, para isso basta configurar o filtro do Wireshark para receber apenas os frames oriundos desse IO-Device e que sejam do tipo de alarme desejado.
F9. Hub sanduche em rede PROFINET IO.
F10. Switch com porta espelhada em rede PROFINET IO.
F11. Port Agregator em rede PROFINET IO.
Mostrar apenas os frames de alarmes do tipo Pull (um tipo padro de alarme) de um determinado IO-Device
Conforme a especificao PROFINET [9], alarmes do tipo Pull possuem o campo Alarm_Type igual a 3. Considerando que o MAC Address do IO-Device seja 00:0E:8C:F6:13:42 basta configurar o filtro do Wireshark como sendo: (eth.src == 00:0e:8c:f6:13:42) && (pn_io.alarm_type == 0x0003) Desta forma, todos os frames oriundos do IO-Device e que sejam do tipo de alarme escolhido sero visualizados no Wireshark. Uma forma de atravs do Wireshark descobrir se algum IO-Device previamente
F12. TAP em rede PROFINET IO. Frame ID 0x0000 - 0x00FF 0x0100 - 0x7FFF 0x8000 - 0xBFFF 0xC000 - 0xFBFF 0xFC00 - 0xFCFF 0xFD00 - 0xFDFF 0xFE00 - 0xFEFC 0xFEFD a 0xFEFF 0xFF00 a 0xFFFF Descrio Time Synchronization RT Class 3 Frames (IRT) RT Class 2 Frames (RT) RT Class 1 Frames (RT) Acyclic Transmission HIGH priority Reserved Acyclic Transmission LOW priority DCP Discovery and Configuration Protocol Reserved T2. Faixas de valores de Frame ID.
Eletrnica Aplicada
Industrial
F13. Configurao do filtro de captura.
F14. Configurao do filtro de visualizao no Wireshark.
configurado no IO-Controler est offline, configurando o filtro para que mostre apenas os frames DCP com endereo de destino 01:0E:CF:00:00:00 (PN-Multicast), com Service_ID igual a 5 (Identify) e com Service-Type igual a 0 (Request), conforme a especificao PROFINET [9]. Ou seja, sero mostrados todos os frames que o IO-Controller envia solicitando que determinado IO-Device se identifique (no campo NameOfStation destes frames possvel obter o nome do IO-Device configurado no IO-Controller). Esse tipo de solicitao sempre enviada pelo IO-Controller quando este percebe que o IO-Device parou de transmitir seus dados. Assim, para esse propsito, o filtro do Wireshark fica: (eth.dst == 01:0E:CF:00:00:00) && (pn_dcp.service_id == 5) && (pn_dcp.service_type == 0) Desta forma, todas as vezes que o IO-Controller enviar um frame multicast de requisio de identificao de determinado IO-Device (sem ser durante o start-up), sabe-se que este IO-Device parou de transmitir seus dados, ou seja, apresentou alguma falha. Essas so apenas algumas entre tantas possibilidades de se utilizar o Wireshark em busca de frames que possam indicar alguma anomalia na rede PROFINET IO.
simples. Para os casos onde so utilizados tempos de ciclo curtos, o risco de ocorrer sobrecarga no sistema de medio grande e os resultados obtidos podem no refletir o que de fato ocorre na rede. Assim, se a anlise a ser feita na captura for independente do tempo de ciclo, como por exemplo, as mostradas neste artigo, os resultados passam a ser vlidos e de grande valor. Porm, para uma anlise feita a fim de detectar valores extremos causados por determinado dispositivo, por exemplo, a anlise atravs do Wireshark pode no ser eficaz [1]. Como foi demonstrado, a topologia de rede utilizada e a forma com que a ferramenta de captura (PC + Wireshark) conectada na rede PROFINET tm grande influncia na anlise e devem ser criteriosamente analisadas. O Wireshark, por j possuir um dissector capaz de decodificar os frames PROFINET, torna-se uma ferramenta muito poderosa para diagnstico online/offline da rede PROFINET IO. Uma sugesto para um trabalho futuro a possibilidade da utilizao do protocolo SNMP Simple Network Management Protocol para obteno tambm de diagnstico de redes PROFINET, conforme proposto em [10]. E
Bibliografia 1. I. Schafer, M. Felser, Precision of Ethernet Measurements based on Software Tools 2. T. Keane, H. Kaghazchi, Retrieval of Diagnostic Information from PROFINET Networks 3. M. Popp, Dr. P. Wenzel, PROFInet Linking Worlds 4. M. Popp, K. Webber, The Rapid Way to PROFINET 5. PI International, PROFINET Open Solutions for the World of Automation 6. PROFIBUS Working Group 14, PROFINET IO Application Layer Service Definition, Application Layer Protocol Specification Version 1.95 7. J. Jasperneite, J. Feld, PROFINET: An Integration Platform for heterogeneous Industrial Communication Systems 8. M. Baud, M. Felser, Profinet IO-Device Emulator based on the Man-in-the-middle Attack 9. PI International, Application Layer protocol for decentralized periphery and distributed automation,Technical Specification for PROFINET IO, v. 2.3Ed2, Maio/2012 10. O. Kleineberg, M. Felser, Network Diagnostics for Industrial Ethernet
Concluso
Medies em redes Ethernet de tempo real sem hardware especial no so to
Afonso Celso Turcato - acturcato@ gmail.com - Departamento de Engenharia Eltrica da Escola de Engenharia de So Carlos EESC-USP So Carlos/SP
Eletrnica Aplicada
Correo do
Fator de Potncia
Hoje, independentemente da legislao, corrigir o fator de potncia tornou-se uma prtica obrigatria para as empresas cujos processos fabris demandam grande consumo de energia eltrica. Nesses casos, como veremos, um baixo fator de potncia reflete-se diretamente no preo do produto ou servio, tornando-as menos competitivas no mercado. A inteno deste artigo mostrar uma viso geral do gerenciamento da energia eltrica, tendo como foco principal tcnicas e solues para melhorar o cos j e, portanto, reduzir custos.
Alexandre Capelli
Para a ligao em estrela temos que a tenso de linha 3 vezes maior que a de fase (VL = Vf . 3 ). A corrente entre ambas, contudo, a mesma, ou seja: If = IL. Quando ligamos as cargas no esquema delta (tambm conhecido como tringulo), a tenso de fase igual a de linha (Vf = VL); enquanto a corrente de linha 3 vezes maior que a de fase: IL = If 3. A potncia dissipada em ambos os sistemas a mesma, e pode ser calculada atravs da frmula: P = 3 VL . IL . cos j. Onde cos j fator de potncia. Um sistema trifsico representado matematicamente atravs da figura 4, onde podemos observar a defasagem de 120 eltricos entre as tenses das trs fases. Supondo a tenso a como referncia teremos: Va = Vp sen w t Vb = Vp sen (w t 2p/3) Vc = Vp sen (w t 4p/3) Tambm podemos representar o sistema trifsico de modo fasorial (figura 5), onde:
O sistema de distribuio de energia eltrica dividido em duas redes: primria e secundria. A primria atinge tenses muito elevadas, e o valor depende muito das regies, porm, tenses acima de 69 kV so normais nessa linha. A rede secundria tambm tem seu valor varivel em funo do trecho e outras condies, mas bem mais baixo que a rede primria (13,8 kV, por exemplo). A figura 1 mostra um diagrama simplificado do processo. O fato que, sob o ponto de vista da secundria, o consumidor pode ligar sua carga em uma rede mono, bi, ou trifsica (figura 2). Repare que at 12 kW de potncia podemos optar por uma ligao monofsica (carga entre fase e neutro). Quando ultrapassamos este valor at o limite de 25 kW, entretanto, devemos fazer uma conexo bifsica (duas fase e neutro), por exemplo: vrios chuveiros em uma residncia; j para valores acima dos 25 kW temos de conectar as cargas em uma rede trifsica. Essa situao mais comum nas indstrias, em tenses de 220 V, 380 V, 440 V, ou 690 VCA. Conforme ilustra a figura 3 as cargas podem ser ligadas em delta (tringulo - D) ou estrela, sejam elas indutivas (motores) ou resistivas.
Viso Geral do Sistema de Potncia
Eletrnica Aplicada
Energia
F1. Diagrama simplificado da distribuio de energia eltrica.
F2. Redes: Monofsica, bifsica e trifsica.
Fator de Potncia
Bem, agora que j temos uma viso geral do sistema trifsico podemos explorar melhor o conceito de fator de potncia, tambm conhecido como cos j. A maior parte das cargas em um ambiente industrial de natureza indutiva (motores, transformadores, solenoides, etc.). Ora, para que qualquer dispositivo desse tipo funcione necessrio um campo eletromagntico. No motor, por exemplo, o rotor gira somente quando exposto a um campo eletromagntico. A tenso de um enrolamento primrio de um transformador, por sua vez, somente chega ao secundrio atravs desse mesmo campo. Desse modo duas potncias devem ser geradas: Potncia Reativa necessria para criar o campo eletromagntico, cuja unidade de medida VAR (volt ampre reativo). Potncia Ativa aquela que, de fato, realiza trabalho, gerando movimento no motor, calor em um banco de resistores, etc. O cos j nada mais do que uma relao matemtica entre essas potncias. Atravs do tringulo das potncias, representado na figura 6, podemos entender melhor. A potncia aparente, medida em VA (volt ampre) a soma vetorial das potncias ativa e reativa. Como o fator de potncia uma funo trigonomtrica, seu valor sempre um nmero entre 0 e 1. Algumas vezes ele tambm representado entre 0 e 100%.
F3. Ligaes estrela e tringulo.
F5. Representao fasorial de sistema trifsico.
F4. Representao matemtica de sistema trifsico.
Mas, qual o significado fsico disto?

Analisando o tringulo das potncias, veremos que, quanto maior for a potncia reativa, menor ser o fator de potncia, pois a ativa tambm ser menor. uma questo
de geometria, ou melhor, trigonometria. Ora, mas justamente a potncia ativa, tambm conhecida como potncia til, que realiza trabalho. A reativa no. Resumindo, se o cos j for baixo, significa que temos um baixo rendimento do sistema. Grande parte da energia gasta no produz nada. Quanto maior for a energia reativa, mais se paga e menos se produz. Por outro lado, tendo um cos j bom, a situao inversa, visto que temos uma menor perda.
Mudana do valor de cos j mnimo de 0,85 para 0,92. Faturamento da energia reativa excedente. Perodo de avaliao de mensal para horrio.
Quanto um cos j bom?

Em 1996, o DNAEE fez algumas alteraes nas normas de fiscalizao e tarifao. Dentre elas, temos:
Por que a concessionria de energia eltrica estabelece um valor mnimo pra o fator de potncia, e at estabelece multas para quem no o atingir?
Porque um baixo cos j no afeta apenas o consumidor que o gera, mas sim todos os demais que estiverem ligados no mesmo link. O baixo cos j favorece o surgimento
Eletrnica Aplicada
de harmnicas, polui a rede eltrica, e diminui a qualidade da energia. Isto gera prejuzos para os consumidores (mquinas paradas, falhas, etc.), e para a concessionria (desperdcio de energia gerada).
Tarifao da Energia Eltrica
Antes de tratarmos de tarifao, vamos a outro conceito importante quando tratamos do fator de potncia: demanda.
F6. Tringulo das potncias.
O que demanda?
Demanda a razo entre o consumo de energia pelo tempo em que ele ocorreu. Por essa razo ela medida em kWh. Podemos dividir os consumidores, basicamente, em dois grandes grupos: A e B. O grupo B representa os atendidos em baixas tenses. Neste grupo temos as residncias, pequenas plantas comerciais, e rural. Esses consumidores pagam apenas o consumo medido no ms, no importando em qual hora do dia, ou em qual poca do ano a energia tenha sido consumida. O grupo A aquele atendido com tenso de fornecimento igual ou superior a 2,3 kV, ou em baixa tenso, porm, em sistemas que utilizam o mesmo tipo de faturamento da conta (subterrneos, por exemplo). A maior parte das pequenas, mdias, e grandes indstrias enquadram-se nesta categoria, cuja tarifao horossazonal.
F7. Banco de capacitores ligado em paralelo com a carga.
F8. Aspecto fsico de um banco de capacitores.
Qual a diferena entre o consumidor horossazonal (grupo A) e o comum (grupo B)?

Enquanto o consumidor B tem sua conta baseada nica e exclusivamente no consumo mensal, no importando a hora ou poca de uso da energia eltrica, o grupo A paga por: consumo, demanda, e baixo fator de potncia. No Brasil, o perodo do dia onde h maior consumo de energia eltrica est compreendido entre 17 e 22 horas, tendo seu pico mximo s 19 horas. Podemos notar algumas discretas diferenas destes horrios em funo de algumas regies. Alm disso, nossa disponibilidade hdrica no homognea durante todo o ano. Entre maio e novembro, temos a poca denominada perodo seco e de dezembro a abril o perodo mido. No precisa dizer quando a energia mais cara ou barata em funo desses perodos.
F9. Banco de capacitores manobrados por contadores.
F10. Um banco de capacitores para cada carga - correo individual.
F11. Correo do fator de potncia por grupo de cargas.
Eletrnica Aplicada
E o que a demanda e o cos j tm a ver com isso?
O faturamento da energia eltrica que a concessionria exerce nos consumidores do grupo A feito atravs de intervalos de tempo regulares de medio. Mais precisamente, em 15 minutos, denominados intervalos de integrao. Em um ms ocorrem, aproximadamente, 3000 intervalos de quinze minutos. O fato de controlar cos j que a demanda estar sendo medida 3000 vezes por ms e, para fins de tarifao, a concessionria de energia ir considerar o valor mais alto, mesmo que este tenha sido medido uma nica vez. Ora, imagine que um determinado equipamento, por causa de uma falha qualquer, apresente um pico de demanda muito acima da normal por apenas quinze minutos e, logo aps, volte a funcionar normalmente. Como o grupo A paga pelo consumo, baixo cos j, e demanda, isto afetar diretamente a conta de energia no final do ms. cada fabricante, porm, como regra prtica, caso eles sejam colocados, eles devem ter uma corrente igual a 1,7 vezes a nominal do capacitor. Essa tcnica evita uma atuao indevida dos elementos de proteo em funo dos transitrios da manobra. A figura 9 mostra outro exemplo com o esquema de ligao com contatores para manobra de bancos de capacitores protegidos por fusveis. Antes de entrarmos na anlise matemtica para o clculo e dimensionamento dos bancos de capacitores para correo do cos j, vamos explorar um pouco mais os modos como podemos alocar esses dispositivos. H duas formas de utilizar os bancos de capacitores: modo fixo, e sistemas automticos centralizado de bancos.
Energia
A desvantagem deste sistema bvia, visto que precisamos de um banco para cada carga. Uma alternativa fazer a correo por grupo de cargas (figura 11). A vantagem que utilizamos um nmero menor de bancos, e a desvantagem que ainda h certa capacitncia indesejada na rede, medida que o desligamento de uma nica carga significa a desconexo dessa capacitncia.
Correo centralizada automtica

O melhor resultado quando a correo do cos j feita dinamicamente, segundo o monitoramento da rede em tempo real. A figura 12 ilustra um diagrama genrico onde um regulador mede o cos j todo o tempo, e liga ou desliga o banco de capacitores segundo a necessidade. Podemos encontrar equipamentos no mercado capazes de chavear mais de doze bancos. A figura 13 apresenta um desses modelos, da IMS. Agora, sim, vamos aos clculos. A figura 14 exibe dois tringulos das potncias. esquerda um com fator de potncia j definido, e o outro com cos j a ser corrigido. Por uma simples questo de geometria, temos:
Modo fixo
Correo do Fator de Potncia

Mas, corrigir o cos j a nica coisa que posso fazer para reduzir minha conta?
No. Na verdade, para que haja uma diminuio significativa dos custos com energia eltrica em uma indstria necessrio gerenciarmos a rede. Para isso, alm da correo do fator de potncia, estratgias da engenharia de produo, dispositivos automticos de monitoramento em tempo real, e cuidados com a instalao so fundamentais. Contudo, esse assunto no ser tratado nesta matria devido a sua extenso.
O modo fixo consiste em dimensionarmos o banco de capacitores segundo um fator de potncia mdio.
O que isto quer dizer?

Em uma fbrica, as cargas so ligadas e desligadas o tempo todo. Durante o dia, por exemplo, podemos ter vrios motores e transformadores operando. Nessa situao, o banco age com eficincia e eleva o fator de potncia. Suponha, porm, que a atividade v se modificando noite, ou at mesmo parando. Agora, apenas algumas lmpadas esto ligadas. O banco de capacitores passa a ser uma carga, e no um corretor, desperdiando energia. Para compensar este efeito podemos fazer a correo individual (figura 10), tendo um banco para cada carga. medida que cada carga desligada, o seu respectivo banco tambm desconectado da rede.
Fator de potncia da instalao cos j1 0,40 0,45 0,50 0,55 0,60 0,65 0,70 0,75 0,80 0,85 0,90 sen j 0,92 0,89 0,87 0,83 0,80 0,76 0,71 0,66 0,60 0,53 0,44 tan j 2,29 1,99 1,73 1,52 1,33 1,17 1,02 0,88 0,75 0,62 0,48
Como fazer para corrigir um baixo cos j?

Fisicamente, ligando em paralelo com a carga um elemento de compensao. Este elemento bsico o banco de capacitores (figura 7). Embora sejam capacitores, o banco no dimensionado em faradays ou seus submltiplos. Sua unidade de medida o VAR (volt ampre reativo), normalmente, multiplicado por mil [kVAR]. A figura 8 exibe o exemplo de um banco de capacitores ligado em paralelo com um motor trifsico. Esses capacitores podem (ou no) vir protegidos com fusveis. Isso uma opo de
Considerando j = ngulo de defasagem S1 = Potncia aparente no compensada S2 = Potncia aparente com compensao atravs de banco de capacitores. Teremos Qc = P.(tan j1 - tan j2), onde Qc a potncia reativa necessria do banco de capacitores, e P a potncia til. Alm da frmula, necessitamos de uma tabela para determinar a potncia do banco. Veja a tabela 1.
Fator de potncia desejado Cos j2 1,00 0,98 Tan j1 tan j2 2,29 2,09 1,99 1,79 1,73 1,53 1,52 1,32 1,33 1,13 1,17 0,97 1,02 0,82 0,88 0,68 0,75 0,55 0,62 0,42 0,48 0,28 0,96 2,00 1,70 1,44 1,23 1,04 0,88 0,73 0,59 0,46 0,33 0,19 0,94 1,93 1,63 1,37 1,16 0,97 0,81 0,66 0,52 0,39 0,26 0,12 0,92 0,90 0,85 0,80 0,75 0,70
1,86 1,81 1,67 1,54 1,41 1,27 1,56 1,51 1,37 1,24 1,11 0,97 1,30 1,25 1,11 0,98 0,85 0,71 1,09 1,04 0,90 0,77 0,64 0,50 0,90 0,85 0,71 0,58 0,45 0,31 0,74 0,69 0,55 0,42 0,29 0,15 0,59 0,54 0,40 0,27 0,45 0,40 0,26 0,13 0,32 0,27 0,13 0,19 0,14 0,05 T1. Determinao da potncia do banco de capacitores para correo de cos j1 e cos j2.
Eletrnica Aplicada
Exemplo prtico
Em uma rede trifsica de 380 V, com corrente aparente igual a 1400 A, desejamos elevar o atual cos j1 = 0,6 para um novo fator de potncia de 0,9 (cos j2 = 0,9). Qual a potncia do banco de capacitores a ser utilizada? Tenso U = 380 V Corrente (aparente) I = 1400 A cos j1 (fator de potncia s/ correo) = 0,6 O produto da tenso pela corrente aparente ser a potncia aparente. Como o sistema trifsico, teremos:
F12. Correo centralizada automtica do fator de potncia.
Dividimos por 1000 para utilizarmos o fator multiplicador k e, consequentemente, reduzir o nmero de zeros. Ora, a potncia ativa (til) justamente o produto da aparente pelo fator de potncia, ento:
Reparem que, embora possa ser complicados em um primeiro momento, utilizamos apenas as propriedades do tringulo das potncias e a tabela para determinar o valor do banco de capacitores. Resumindo:
F13. Equipamento IMS para chaveamento dos bancos de capaciotres.
Potncia reativa:
Consultando a tabela, veremos que se cos j1 = 0,6, sen j1 = 0,8. Obs: Consultar o valor de sen j1, na tabela segundo cos j1. baixa produtividade, manuteno, etc.) com a melhora da qualidade de energia eltrica. Na minha opinio, acredito que os fabricantes de mquinas de grande consumo de energia eltrica (sopradoras, mquinas-ferramenta, injetoras para termoplsticos, etc.) deveriam considerar a relao custo/ benefcio de equiparem seus produtos com corretores automticos de cos j, j de fbrica. Com certeza, um dispositivo que consome menos mais competitivo no mercado. Quanto instalao, optar por banco fixo de capacitores, correo pontual, ou por grupo de cargas, ou ainda uma correo centralizada automtica depender de caso a caso. Lembre-se sempre, porm, em futuras expanses de pontos de energia e qual agregar maior valor ao produto final (em qualidade e custo). E
Para um novo fator de potncia igual a 0,9 (cos j2 = 0,9) a potncia aparente ser:
Obs: Consultar o valor de sen f1, na tabela 1, segundo o novo fator de potncia desejado cos j2. Por fim:
A potncia necessria do banco de capacitores ser igual a diferena entre e potncia reativa na primeira situao (cos j1 = 0,6) e a segunda (cos j2 = 0,9) Se voltarmos tabela1: para um cos j = 0,9, temos que sen j = 0,44:
Concluso
Como vimos, a correo do fator de potncia um fator relevante nos custos de produo, Adequ-lo traz benefcios diretamente, no apenas sob a forma de uma menor conta de luz, mas tambm atravs da reduo de mquinas paradas (falhas,
Sendo assim, a potncia do banco de capacitores, nesta situao, para elevar o fator de potncia de 0,6 para 0,9 :
F14. Tringulos de potncia para o clculo do banco de capacitores necessrio.
Desenvolvimento
Realimentao
Teoria Geral
Parte 1
Uma das descobertas mais teis da Engenharia a realimentao. Ela descrita na Teoria de Controle e empregada nas mais diversas aplicaes como fontes de alimentao, amplificadores, PLLs, servos, controle de velocidade de motores, etc. A teoria geral da Realimentao na eletrnica o tema central desta primeira parte do artigo.
Roberto Remaili
realimentao existe em quase tudo que fazemos, mesmo que s vezes no percebamos. Por exemplo, o simples ato de enchermos um copo com gua um processo realimentado. Para execut-lo em malha aberta teramos de faz-lo de olhos fechados. O conceito de realimentao bem simples e o diagrama de um sistema genrico est representado na figura 1.
Amplificadores Operacionais
Este o exemplo mais simples onde a teoria da realimentao se aplica diretamente, veja a figura 2. Temos:
de carga, circuitos integrados de reguladores de tenso utilizam amplificadores de alto ganho. Em circuitos discretos pode-se substituir o transistor Q1 por um amplificador operacional.
Fontes Chaveadas
Considerando GH >> 1, observe a equao a seguir:
Substituindo erro na primeira equao, temos:
que o resultado conhecido para o circuito apresentado.
Um circuito genrico de uma fonte chaveada com secundrio isolado est representado na figura 4. Apesar de ser um circuito no linear, podemos fazer uma aproximao, adotando VAC = VACmx:
Fontes Lineares
Acompanhe a figura 3. Temos:
Esta a equao que exprime a funo de transferncia de um sistema realimentado. Os subsistemas G e H podem ser circuitos eletrnicos, componentes mecnicos, hidrulicos, pneumticos ou transdutores. A nica exigncia que E e a sada de H tenham a mesma grandeza e possam ser comparadas. Em geral, GH > > 1, ento:
Onde:
Vamos agora analisar alguns sistemas eletrnicos j conhecidos:
Para E = constante, a tenso de sada S ser constante, independentemente de VDC , pois H no depende de VDC . Na prtica, cargas que demandam alta corrente (baixos valores de RL) fazem com que a relao GH >> 1 no seja mais vlida, causando variao na tenso de sada da fonte. Para garantir uma melhor regulao
Onde: AV1 = 1 + Rx/Ry (ganho A.O.) AV2 bRC / (Rf + Rs) b = IC / I diodo KPWM = VACmax / Vtringulo Vtringulo = amplitude da onda triangular dentro do controlador PWM N = a relao de espiras do transformador N1/N2. F(s) = funo de transferncia do filtro LC. Para AV1.AV2. Kpwm/ N >>1 vale:
Ou seja, a tenso de sada da fonte depende somente da relao dos resistores R1
e R2 e da estabilidade da tenso do diodo zener DZ. por isso que a comparao de tenso feita no lado secundrio do transformador, usando uma referncia ao CI controlador. Se o circuito adotado fosse o da figura 5, utilizando a referncia interna e o amplificador de erro do controlador, o acoplador ptico ficaria na malha de realimentao e, portanto:
E = entrada S = sada F = funo de transferncia total G = funo de transferncia da malha direta H = funo de transferncia de malha de realimentao F1. Diagrama genrico da realimentao em um sistema. F2. Sistema com amplificador operacional realimentado.
logo
O problema que b varia com a temperatura, e consequentemente a tenso de sada tambm. No isso o que desejamos de uma fonte de alimentao. Logo, o esquema da figura 4 que normalmente empregado. A referncia de tenso interna do CI controlador de PWM geralmente usada em fontes cujo estgio de sada no isolado do de entrada. Voltando ao circuito da figura 4, a relao de tenso :
F3. Esquema eltrico de uma fonte linear com realimentao.
Amplificadores de Potncia
Os amplificadores de potncia de udio possuem uma topologia ligeiramente diferente, sendo que alguns componentes so inseridos para auxiliar na polarizao e estabilidade do estgio de ganho de corrente. Veja a figura 6. O ganho de tenso do estgio AI de sada 1. Portanto, referente ao diagrama da figura 7, podemos dizer que:
A realimentao ajuda a reduzir o efeito da distoro de crossover do estgio de sada. Calculando a funo de transferncia da entrada de AI para a sada, teramos:
F4. Circuito genrico de uma fonte chaveada com secundrio isolado.
Desenvolvimento
Adotando alguns valores tpicos como exemplo:
Logo, a amplitude da distoro do crossover na sada ser reduzida de 48 dB devido realimentao! O capacitor CR faz com que H = 1 para DC, mantendo a tenso DC de sada bem prxima de 0 V. Para as frequncias de udio H = R1/ R1 + R2, o ganho total do amplificador ser 1 + R2/R1.
Phase Locked Loop (PLL)
F5. Circuito adotado para a fonte chaveada em estudo.
O modelo genrico de um oscilador controlado por PLL mostrado na figura 8. O sinal de erro agora gerado pelo comparador de fase (misturador), onde somente a componente de baixa frequncia til para o controle da malha. K o ganho de converso (V/rad) do comparador de fase KVC0 o ganho de converso (rad/V.S) do VC0,
Onde w 0 a freqncia de oscilao livre do VCO.
F6. Esquema de um amplificador de udio (de potncia).
Da malha do PLL podemos obter vrias funes, dependendo do que consideramos entrada ou sada. Temos: moduladores de frequncia (FM), moduladores de fase PM, demoduladores, demoduladores de fase, sintetizadores de frequncia. Como a utilizao mais comum dos PLL como sintetizador de frequncia, esta ser a aplicao que analisaremos com detalhe. Na figura 9 temos novamente a malha do PLL, agora com o sinal qREF representado por um oscilador a cristal. Um oscilador LC possui um rudo de fase muito maior que um oscilador a cristal, para uma mesma distncia relativa da portadora. Para anlise do nosso mdulo vamos considerar todo rudo do VCO representado por r (t) e o VCO como sendo um oscilador ideal. A funo de transferncia da entrada para sada do VCO (com a malha fechada) fica:
F7. Diagrama do sistema do Amplificador de udio (de potncia) realimentado.
A figura 10 a mostra a densidade espectral de potncia de rudo de fase de um oscilador LC genrico que ser o VCO do sistema. A figura 10 b ilustra a funo de transferncia da equao anterior. Escolhendo o ganho da malha adequadamente, teremos wP wT e a curva de rudo de fase resultante do oscilador com a malha fechada em vermelho (tracejado), resultando em um oscilador com rudo de fase bem menor. O leitor poder estar se perguntando: Por que no pegar a sada diretamente do oscilador a cristal? Realmente, a aplicao mais interessante para o PLL quando colocamos CIs divisores de frequncia na entrada do comparador de fase, observe a figura 11. Como nas duas entradas do comparador de fase temos wREF, wVC0 = N x wREF. Portanto, utilizando um divisor de frequncia N = 16 e componentes apropriados, podemos ter um oscilador de 160 MHz tendo um cristal de 10 MHz.
F8. Modelo genrico de um oscilador controlado por PLL.
F9. Malha do PLL excitada por um oscilador a cristal.
Concluso
Existem vrias aplicaes para a realimentao em sistemas. Na maioria delas, queremos controlar uma sada de alta tenso ou alta potncia (ou grandezas no eltricas) atravs de um sinal eltrico de baixa corrente e baixa tenso. A ideia principal termos uma malha de alto ganho realimentada por uma rede linear (em geral um divisor resistivo). Na parte 2 deste artigo sero abordadas as questes de resposta em frequncia e estabilidade. E
F10. Densidade espectral da potncia de rudo de fase num oscilador LC genrico.
F11. Colocando CIs divisores de frequncia na entrada do comparador de fase.
Componentes
Conversores de Dados:
Conhea as principais arquiteturas, e saiba como obter um melhor P arte desempenho do seu projeto
No primeiro artigo desta srie de trs, discorremos sobre a importncia dos ADCs e DACs na Eletrnica moderna, ressaltando que a incorreta interpretao de suas caractersticas tcnicas pode comprometer um projeto. Continuamos nossa srie analisando as diversas arquiteturas desses circuitos, com especial nfase quelas que esto diretamente associadas ao bom desempenho de processadores, como nos DSPs. Este artigo baseado em informaes obtidas principalmente no Data Converter Selection Guide, da Texas Instruments.
Newton C. Braga
s ADCs e DACs podem ter as mais diversas arquiteturas, as quais dependem de diversos fatores como o nmero de bits, velocidade, preciso, etc. A variedade de arquiteturas um dos obstculos para os projetistas que nem sempre conhecem todas da forma como deveriam e, consequentemente, podem ser tentados a usar um tipo de conversor numa aplicao em que outro seria mais vantajoso. E, quando dizemos mais vantajoso, no estamos considerando apenas velocidade e custo. As aplicaes modernas so muito mais sensveis a caractersticas como tamanho, filtragem, sensibilidade a rudos, erros, etc. A seguir, daremos uma viso geral das diversas arquiteturas utilizadas nos conversores de dados, comeando pelos ADCs (Conversores Analgico-Digitais).
Delta-Sigma
Em um ADC Delta-Sigma, o sinal de entrada sobreamostrado por um modulador numa taxa de amostragem muito alta. Depois, esse sinal filtrado e decimado de modo a produzir um fluxo de dados de alta resoluo atravs de um filtro digital que opera numa velocidade menor. Na figura 1 temos um diagrama de blocos que representa esse tipo de conversor de dados. Os conversores Delta-Sigma podem apresentar uma preciso muito alta, sendo ideais para converter sinais analgicos que vo desde correntes contnuas at sinais de alguns mega-hertz. A arquitetura Delta-Sigma permite que haja uma relao contnua entre velocidade, resoluo e consumo de potncia, o que a torna extremamente flexvel. Como esses conversores fazem uma sobreamostragem das entradas, eles tambm podem realizar as filtragens antifalseamento no domnio digital.
F1. Diagrama de Blocos do Conversor Analgico Digital Delta Sigma. 50 I SABER ELETRNICA 464 I Setembro/Outubro 2012
Dentre as aplicaes tpicas para os ADCs Delta-Sigma, podemos citar as que envolvem o controle de processos industriais, instrumentao analtica e de teste, instrumentao mdica e udio digital. Ao se utilizar um ADC Delta-Sigma, devem ser feitas algumas consideraes de projeto que sero abordadas a seguir:
Taxa de Amostragem
O nmero de vezes por segundo em que o sinal de entrada amostrado define a taxa de amostragem, ou sampling rate. Em boa parte dos conversores comuns, essa taxa tambm aquela em que eles enviam os dados, ou taxa de dados (data rate). Nos conversores Delta-Sigma, a taxa de amostragem muito maior do que a taxa de dados.
Durante sua decorrncia, a sada do filtro faz uma aproximao do estado, eventualmente alcanando o nvel do sinal de entrada. O intervalo de tempo que demora para o filtro acomodar-se normalmente expresso em termos de ciclos de converso. Um filtro que se acomoda depois de quatro ciclos produz pelo menos trs sadas invlidas de dados. Quando se projetam circuitos multiplexados, essa caracterstica deve ser observada com cuidado.
Ordem do Modulador
O modulador mais simples de um conversor Delta-Sigma o de primeira ordem. Moduladores de ordem mais alta cortam o rudo de quantizao mais fortemente, produzindo menos rudo na faixa passante. Todavia, os moduladores de ordem mais elevada so mais difceis de projetar e consomem mais energia, alm de ocuparem mais espao no chip.
ENOB
Trata-se do acrnimo para Effective Number of Bits, ou Nmero Efetivo de Bits. uma forma de se expressar a relao sinal/ rudo inerente de um conversor de dados. Esse valor expresso em termos RMS.
Conversores SAR
Taxa de Dados
O nmero de amostragens enviadas por segundo define a taxa de dados, ou data rate. Os conversores Delta-Sigma amostram a entrada numa velocidade muitas vezes maior do que aquela em que eles enviam os dados. Em alguns casos, essa velocidade de envio de dados (data rate) pode ser programada.
Bits Livres de Rudo

O termo ingls usado Noise-Free Bits e consiste no nmero de bits mais significativos de um conversor que permanecem constantes para um sinal de entrada DC.
Frequncia do Modulador
Trata-se da frequncia segundo a qual, o modulador processa o sinal de entrada. Normalmente, mas no sempre, essa frequncia igual taxa de amostragem.
Relao de decimao
A relao entre a taxa de amostragem e a taxa de dados d a relao de decimao, ou decimation ratio. Em muitos conversores Delta-Sigma essa relao pode ser ajustada. Uma relao de decimao maior resulta numa taxa de envio de dados menor. Ela tambm chamada de relao de sobreamostragem, ou oversampling ratio.
Formatao de Rudo
Esse termo, chamado Noise Shaping em ingls, define a caracterstica especial de um modulador Delta-Sigma. Esses moduladores fazem a quantizao do sinal de entrada em um fluxo de alta velocidade, mas de baixa resoluo com uma propriedade especial: diferentemente dos sistemas normais de amostragem, a maior parte do rudo de quantizao aparece como rudo de alta frequncia. A formatao do rudo d ao conversor Delta-Sigma a importante vantagem em relao a outros sistemas de sobreamostragem: com ela pode ser obtida uma resoluo mais alta para uma determinada relao de sobreamostragem.
Tempo de Acomodao do Filtro

Normalmente, os conversores Delta-Sigma so utilizados para amostrar sinais numa faixa limitada de sinais. Quando um conversor se v diante de um sinal que varia de uma forma muito rpida como, por exemplo, um degrau ou um pulso, o seu filtro deve passar por um processo denominado acomodao ou setting. Esse processo ocorre porque a sada do filtro no pode mudar to rapidamente como a sua entrada.
SAR significa Sucessive-Approximation Register, ou Registrador de Aproximaes Sucessivas. Os ADCs-SAR so os preferidos quando se procura uma arquitetura com mdia para alta resoluo e velocidades mdias de amostragem. A faixa de resolues um ADC-SAR de 8 a 16 bits com velocidades tpicas menores do que 10 MSPS (Milhes de Amostragens por Segundo). O conversor SAR opera da mesma forma que uma balana de pesagem. Em um dos lados colocado um peso desconhecido, enquanto que no outro pesos conhecidos vo sendo colocados um a um at que ela encontre o ponto de equilbrio. O peso desconhecido pode, ento, ser medido pela simples contagem dos pesos que foram colocados at se obter o equilbrio. Na figura 2 temos um diagrama de blocos que representa esse tipo de arquitetura. No conversor SAR, o sinal o peso desconhecido que amostrado e retido. Essa tenso comparada sucessivamente com tenses conhecidas at que se obtenha o resultado. Ao se projetar um equipamento que utiliza esse tipo de conversor, devem ser feitas as consideraes tratadas a seguir:
Tempo de Aquisio
o tempo que o circuito interno de amostragem e reteno demora para adquirir o sinal e fix-lo com LSB da resoluo do conversor.
Rudo de Quantizao
Trata-se da diferena entre o sinal real e o sinal convertido aps sua quantizao, no incluindo os erros DC e de linearidade.
Tempo de Converso
o tempo que demora para o conversor SAR converter o sinal adquirido em um sinal digital.
Componentes
Esse tempo normalmente de N+1 ciclos de clock do conversor, onde N o nmero de bits de resoluo.
Nenhum cdigo ausente

Um conversor com mais de 1 LSB de no linearidade diferencial em dois cdigos adjacentes pode fazer com que dois valores diferentes de entrada apaream na sada como um nico valor (veja a parte 1 deste artigo). Isso significa que existe um cdigo faltando. Um conversor SAR ideal com N bits de resoluo tem N bits de nenhum cdigo ausente.
F2. Diagrama de Blocos de um Conversor SAR.
Clock interno/externo
O clock que controla o processo de converso pode estar embutido no conversor, ou pode ser externo (fornecido pelo usurio). O uso de um clock externo permite que a velocidade seja diminuda durante o processo de aquisio. Aumentando esse tempo, pode-se aumentar a preciso, uma vez que a entrada tem mais tempo para se acomodar. Um clock externo tambm permite que as funes do sistema sejam sincronizadas com outros circuitos do mesmo equipamento.
F3. Diagrama de Blocos do Conversor ADC Pipeline.
Entradas Bipolares/ Pseudobipolares

Muitos conversores SAR modernos operam com fonte de alimentao simples e podem apenas aceitar sinais de entrada que oscilem entre 0 e o valor mximo da tenso de alimentao. Em muitas aplicaes, o sinal de entrada bipolar oscilando entre valores positivo e negativos. Conversores que podem trabalhar com esses sinais so denominados bipolares. Em um conversor pseudobipolar, o que se faz trabalhar com uma entrada que oscile entre o ponto mdio da escala de tenses de entrada, sendo a metade superior para valores positivos e a inferior para valores negativos. O projetista dever tomar cuidado na escolha de um conversor que possa trabalhar com o tipo de sinal que ele vai ter na entrada.
F4. Diagrama de Blocos do Conversor DAC Delta Sigma. 52 I SABER ELETRNICA 464 I Setembro/Outubro 2012
ADCs que tenham taxas de converso de dezenas de MSPS so preferivelmente baseados na arquitetura pipeline. O ADC Pipeline consiste em N etapas idnticas cascateadas, conforme ilustra o diagrama de blocos da figura 3. A sada digital de cada etapa combinada de modo a produzir os bits paralelos de sada. Dessa forma, um valor digitalizado se torna disponvel a cada ciclo do clock. O processo de combinao dos dados internamente requer um intervalo digital ou latncia de dados, que designado normalmente por pipeline delay ou latncia de dados. Na maioria das aplicaes, esse valor no uma limitao para o projeto, podendo ser expresso na forma de um nmero de clocks, e tambm constante. Uma caracterstica importante dessa arquitetura que permite um alto desempenho em altas frequncias a entrada diferencial de sinais. A configurao de entrada diferencial resulta numa faixa dinmica tima, uma vez que ela distingue menores amplitudes de sinais e tem uma reduo de harmnicas de todas as ordens. Alm disso, esses ADCs utilizam alimentao simples de +5 V at 1,8 V. Os principais pontos a serem considerados em um projeto sero mencionados a seguir:
Conversores Pipeline
SFDR
SFDR o acrnimo para Spurius Free Dynamic Range, ou Faixa Dinmica Livre de Esprios. Essa especificao indica a distncia (em dB) da amplitude fundamental ao pico do componente esprio no espectro de frequncias de sada. O pico pode ter tanto de natureza harmnica como no harmnica.
o que os tornam ideais para o controle em lao fechado nas aplicaes de controle industrial, equipamento de teste e medida de alta resoluo, equipamentos alimentados por bateria e sistemas isolados. A rede R-2R de resistores o principal elemento dessa arquitetura. Ao desenvolver um projeto que utilize um conversor desse tipo, o projetista dever estar atento para aos pontos a seguir:
SNR
A relao sinal-rudo ou Sinal-to-Noise Ratio (SNR) indica a relao em termos rms entre o sinal e outros componentes espectrais, excluindo as primeiras cinco harmnicas e a componente DC. Essa relao especificada em unidades dBc ou dBFS para uma determinada frequncia e taxa de amostragem.
Erros Estticos
So os erros que afetam a preciso dos sinais e podem ser descritos em quatro termos, conforme analisamos de forma mais detalhada na primeira parte deste artigo.
Erros de Offset
Definidos como a diferena entre os pontos nominais e reais de offset, esses erros tambm foram abordados na primeira parte deste artigo.
Jitter de Abertura
A modulao em fase do clock de modulao provoca uma variao de amostra para amostra no momento exato em que o amplificador S/H adquire uma delas. O jitter de abertura caracteriza a capacidade do ADC de digitalizar rapidamente mudanas do sinal de entrada. Em aplicaes de subamostragem, essa caracterstica importante.
Erro de Ganho
O erro de ganho definido como a diferena entre os pontos de ganho reais e nominais na funo de transferncia depois que o erro de offset tenha sido corrigido para zero. Mais informaes podem ser obtidas na primeira parte deste artigo.
DACs
Erro de No Linearidade Diferencial (DNL)

Definido como a diferena entre a largura real de degrau para um ADC, ou a altura de um degrau para um DAC e o valor ideal de 1 LSB, esse erro tambm foi abordado em detalhes na primeira parte desse artigo.
Taxa de Amostragem
a velocidade mxima que o conversor pode adquirir e converter para a forma digital um sinal de entrada, mantendo uma determinada performance. Essa taxa de amostragem tambm leva em conta que muitos ADCs do tipo Pipeline possuem um circuito de amostragem e reteno interno (Sample-and-Hold ou S/H). A taxa de amostragem para conversores de alta velocidade normalmente indicada em MSPS (Mega Amostragens por Segundo).
Os conversores Digital-Analgicos ou DACs, tambm podem ser encontrados com diversas arquiteturas e, da mesma forma, o projetista precisar estar atento s caractersticas de cada uma ao fazer seu projeto. Passamos agora a analisar as caractersticas do DAC Delta-Sigma:
DAC Delta-Sigma
Os DACs Delta-Sigma consistem no inverso dos ADCs Delta-Sigma. comum o uso do termo converse em lugar de inverse na literatura inglesa, mas a palavra converso no existe em nosso idioma com o significado atribudo. Os DACs Delta-Sigma incluem uma interface serial, registradores de controle, modulador, capacitor comutado e um clock para o modulador e filtro. Na figura 4 apresentamos o diagrama de blocos de um conversor desse tipo. Esses conversores possuem uma alta resoluo, alm de exigirem pouca energia,
Erro de No Linearidade Integral (INL)

Trata-se do desvio dos valores da funo de transferncia real da reta ideal, abordado igualmente em detalhes na primeira parte do interior.
Caractersticas dinmicas
So as caractersticas de erros que afetam o comportamento de um DAC durante as transies dos sinais. Os itens seguintes descrevem os fatores que afetam esse comportamento.
Retardo da Pipeline
expresso pelo nmero de clocks a partir do instante em que a amostragem adquirida at estar disponvel na sada do ADC.
Tempo de Acomodao
J descrevemos o tempo de acomodao definindo como o tempo necessrio
Componentes
para que a sada alcance um valor final dentro dos limites definidos pela banda de valores. Para um DAC que tenham um erro de acomodao de +/- LSB numa escala de 5 V, ento, com 12 bits a banda de erros permitida ser de +/- 0,601 mV, e para um DAC de 16 bits um erro de +/- 0,038 mV. Observe que o dispositivo de 16 bits no mais lento que o de 12, ele simplesmente precisa de mais tempo para atingir as especificaes. arquitetura cujo nome em ingls current steering ou direcionamento de corrente. Na figura 5 temos um diagrama de blocos desse tipo de conversor. Nesse circuito temos fontes segmentadas de corrente. Existe no cerne do circuito um elemento com um array de fontes que, em conjunto, fornece a corrente total de sada, tipicamente de 20 mA. Um decodificador interno enderea a cada chave quando ela deve ou no fornecer corrente, cada vez que o DAC atualizado. Direcionando as correntes de todas as fontes, ao se somarem sobre uma carga, elas formam o sinal analgico de sada. Para que o desempenho seja o melhor, o ideal que a tenso sobre a carga seja a menor possvel, de modo a se obter maior linearidade do conversor. Ao utilizar esse tipo de conversor, o projetista dever estar atento para os itens a seguir. momento da comutao e aparece na sada durante uma mudana de cdigo. O impulso de glitch especifica a integral do tempo (rea) do valor analgico do transiente de glitch, e normalmente expressa em pV-segundo.
ACPR
Trata-se do acrnimo para Adjacent Channel Power Ratio e significa a comparao da potncia do sinal transmitida na faixa com as potncias do sinal que caem em canais adjacentes (fora da faixa).
Glitch
Quando se fala no tempo de acomodao, o tempo total para que os transientes sejam fixados foi considerado, mas para a natureza desses transientes. O glitch definido como a quantidade de carga injetada na sada analgica a partir das entradas digitais, quando as entradas mudam de estado. Essa medida feita quando a mudana ocorre entre estados em que a maior quantidade de bits alterada, por exemplo de 7FFF HEX para 8000 HEX. Os efeitos do glitch podem ter consequncias que dependem da aplicao.
Distoro por Intermodulao (IMD)

O IMD de dois tons a relao entre o tom fundamental com o pior produto de terceira ordem (ou maior) . Tipicamente, os produtos harmnicos de terceira ordem so dominantes e por estarem perto do fundamental, so difceis de serem eliminados por filtragem.
Taxa de Atualizao
a taxa na qual o conversor muda seu sinal de sada como consequncia da atualizao do latch interno. Essa taxa dada pela frequncia de clock.
Sen x/ x Rool-Off
Como um conversor DAC um sistema que faz amostragens, essa especificao descreve a atenuao do espectro de sada resultante da resposta de manuteno de ordem zero.
Feedthrough Digital
Esse termo, que no traduzimos, indica quando um DAC no selecionado e uma atividade lgica digital de alta frequncia aplicada na sua entrada, aparecendo na sada como rudo.
Complincia da Tenso de Sada Vco

Para um DAC que fornece sinais na forma de corrente, a tenso mxima que pode ser desenvolvida numa carga de sada determina sua performance. Excedendo esse limite de complincia, o resultado ser uma performance no linear com um rpido aumento na distoro do sinal.
Concluso
Distoro Harmnica Total + Rudo

definida como a relao entre a raiz quadrada da soma dos quadrados dos valores das harmnicas e os rudos em relao frequncia fundamental. Essa caracterstica expressa em termos de porcentagem, ou dB da amplitude da frequncia fundamental, numa determinada taxa de atualizao.
Impulso de Glitch
uma especificao no domnio do tempo que descreve o transiente que ocorre no
Conforme o leitor percebeu neste artigo, as caractersticas que devem ser observadas em um conversor de dados dependero no apenas de sua aplicao, mas tambm de sua arquitetura. Assim, para as diversas arquiteturas, o projetista dever estar habilitado a escolher o tipo certo, e em funo da escolha analisar as folhas de especificao com ateno especial aos dados relevantes, e ento partir para o projeto. E
Current Steering
A maioria dos conversores digital-analgicos modernos so fabricados em processos CMOS submcron, ou BiCMOS. Esses conversores conseguem alcanar taxas de converso de 500 MSPS, e resolues de 14 ou mesmo 16 bits. Para se conseguir tais velocidades e resolues, esses DACs empregam uma
F5. Diagrama de Blocos de um Conversor DAC Current Steering.
Componentes
Bateria de Ltio-on
Conceitos Bsicos e Suas Potencialidades
Conhea as caractersticas e vantagens da Bateria de Ltio-on e o impacto dela no meio ambiente.
Maria de Ftima N. C. Rosolem Raul Fernando Beck Glauco Ribeiro dos Santos Vitor Torquato Arioli
debate em torno do aquecimento global tem se intensificado no cenrio internacional e, cada vez mais, os pases esto realizando acordos de metas de reduo das emisses de gases de efeito estufa (GEE) na atmosfera. Na Conferncia Desenvolvimento Sustentvel Rio+20, ocorrida em junho de 2012 no Rio de Janeiro, foi divulgado pela Agncia Internacional de Energia (AIE) que as emisses globais de dixido de carbono (CO2) pela queima de combustvel fssil atingiram um recorde de 31,6 bilhes de toneladas. Foi um aumento de 3,2% em relao ao ano de 2010, que detinha a maior marca da histria at agora. Segundo o levantamento, a principal fonte do CO2 emitido em 2011 foi a queima de carvo, que respondeu por 45% desse tipo de poluio. Em seguida, aparecem o petrleo, com 35%, e o gs natural, com 20%. Reduzir as emisses de CO2 essencial para controlar o aquecimento global, j que o gs um dos principais responsveis pelo fenmeno. Segundo o estudo, o mximo que as emisses podem atingir por ano so 32,6 bilhes de toneladas, pico que dever ocorrer em 2017, para que o aumento da mdia da temperatura global no ultrapasse 2 C.
A China foi a principal responsvel pela alta nas emisses globais. Ela sozinha aumentou suas emisses em 720 milhes de toneladas o aumento absoluto global foi de 1 bilho de toneladas. Percentualmente, o pas, que o principal emissor de CO2 do mundo, teve aumento de 9,3%. No entanto, o relatrio ressalta que a China tem adotado medidas para aumentar sua eficincia energtica, e que as emisses esto crescendo menos que a economia, o que positivo. A ndia tambm teve um aumento significativo. O pas emitiu 140 milhes de toneladas a mais que em 2010, um crescimento relativo de 8,7%. Nos pases da Organizao para a Cooperao e Desenvolvimento Econmico (OCDE), grupo que inclui EUA, Canad, Austrlia, Japo e a maioria dos pases europeus, houve reduo de 0,6% das emisses. Segundo a AIE, as emisses norte-americanas caram 1,7% em 2011, principalmente pela substituio de usinas a carvo para gs natural e tambm por um inverno mais brando, que reduziu a demanda por aquecimento. Apesar dos nmeros, as emisses per capita dos dois pases mais populosos do mundo, China e ndia, ainda est bem abaixo
Diversos tipos de baterias de Litio-on.
dos pases ricos. Cada chins emitiu, em mdia, 63% do que emitiu um morador dos pases da OCDE. Na mesma comparao, um indiano emitiu 15% da mdia da OCDE. Nos grandes centros urbanos, um dos agentes que mais gera poluio do ar o gs carbnico oriundo dos meios de transportes rodovirios - carros, nibus, caminhes, etc. - que utilizam combustveis fsseis. No Brasil, o setor de transporte o segundo maior consumidor de energia e um grande emissor de GEE, pois a matriz de transporte nacional muito dependente do modal rodovirio, que participou em 2008 na movimentao de 58% das cargas transportadas no pas, emitindo 70,5% a mais de CO2 quando comparado a outros modais. H um consenso mundial na busca de solues e produtos que contribuam para a diminuio do efeito estufa e que sejam ambientalmente amigveis. Uma das solues tecnolgicas para reduzir esta poluio, principalmente nos centros urbanos, a utilizao de veculos eltricos e hbridos. O principal gargalo tecnolgico do desenvolvimento e disseminao dos veculos eltricos e hbridos o sistema de armazenamento de energia, isto , a bateria. Neste sentido h vrios consrcios de pes-
quisas nos EUA, Europa e sia que buscam encontrar um sistema de armazenamento de energia que viabilize estas solues, em termos tcnicos e econmicos. A bateria base de ltio um dos tipos de acumuladores de energia que tem recebido maior ateno e investimentos devido sua elevada densidade de potncia e de energia, caractersticas estas fundamentais para a viabilizao das tecnologias dos veculos eltricos e hbridos. Outra caracterstica importante da bateria de ltio-on sua reduzida agressividade ao meio ambiente, quando comparada com as tradicionais baterias chumbo-cida e nquel-cdmio.
Histrico
O ltio foi isolado em 1817 por Johan Arfvedson durante anlise de uma rocha do tipo petalite (LiAlSi4O10), e foi batizado com a palavra grega Lithos, que significa pedra. Em 1855, dois cientistas - Robert Bunsen e Augustus Matthiessen - produziram simultaneamente o ltio metlico em grande quantidade atravs da eletrlise do sal de cloreto de ltio. No entanto, sua potencialidade para sistema de armazenamento de energia s
foi investigada um sculo e meio aps sua descoberta. O ltio um metal leve com elevado potencial eletroqumico e um dos metais com maior densidade energtica, caractersticas estas muito atrativas para utilizao em sistemas de armazenamento de energia, que necessitam de elevadas densidades de potncia e energia. A primeira publicao sobre a utilizao de ltio em baterias saiu em 1958. As primeiras baterias primrias (no recarregveis), utilizando ltio como nodo, comearam a ser comercializadas no final da dcada de 1970. A primeira bateria recarregvel de ltio foi desenvolvida em 1980, empregando o nodo de ltio metlico. No entanto, quando o ltio utilizado como nodo na forma metlica em uma bateria recarregvel, existe um grande problema relacionado com a segurana devido alta reatividade do ltio metlico, originado de reaes violentas que pode ocasionar exploses e chamas. Uma alternativa a este problema foi a utilizao de ltio na forma inica, atravs do emprego de nodo base de grafite, e compostos de ltio com caractersticas de insero de ons de ltio como ctodo.
Componentes
Em 1991 a Sony apresentou comercialmente a primeira bateria recarregvel de ltio-on, baseada no nodo de grafite (C) e ctodo de cobaltato de ltio (LiCoO2). Esta clula tem uma tenso nominal de 3,6 V. Desde ento, devido s caractersticas atraentes da bateria de ltio-on como acumulador de energia para aplicaes que demandam alta densidade de energia e potncia, aliado necessidade do mercado por equipamentos portteis, como telefones celulares, computadores, etc., bem como o crescente interesse na viabilizao do veculo eltrico, este tipo de tecnologia de armazenamento de energia tem sido exaustivamente estudada e desenvolvida por diversos pases, atravs de consrcios mundiais entre empresas, universidades e centros de pesquisas. Durante o processo de descarga, a energia qumica armazenada nos eletrodos se transforma diretamente e espontaneamente em energia eltrica por meio das reaes de oxidao / reduo dos materiais ativos das placas. Durante o processo de carga necessrio fornecer energia eltrica para transformar os materiais gerados na descarga nos produtos eletroquimicamente ativos originais. O desempenho de uma bateria depende das caractersticas de fabricao de seus elementos. Os parmetros eletroqumicos mais utilizados para caracterizar uma clula ou bateria so abordados a seguir.
Energia especfica Wh:

Indica a quantidade de energia eltrica que uma clula ou bateria pode armazenar: Wh = E x C; A unidade de medida o watt-hora (Wh).
Energia especfica mssica Wm:

a quantidade de energia eltrica que uma clula ou bateria pode armazenar, normalizada em termos de massa: Wm = E x C / peso da bateria: A unidade de medida watt-hora por quilo (Wh/kg).
Tenso E:
Representa o potencial, ou fora eletromotriz, de uma clula eletroqumica, e a diferena entre os potenciais de oxidao e reduo dos materiais ativos dos ctodos e nodos; A unidade de medida o volt (V).
Energia especfica volumtrica Wv

a quantidade de energia eltrica que uma clula ou bateria pode armazenar, normalizada em termos de volume: Wv = E x C / volume da bateria; A unidade de medida watt-hora por litro (Wh/l).
Baterias - Conceitos Bsicos
Uma bateria recarregvel um dispositivo que armazena energia eltrica na forma de compostos eletroquimicamente ativos (energia qumica) e, vice-versa, transforma energia qumica em eltrica. , portanto, um dispositivo capaz de armazenar e gerar energia eltrica mediante reaes eletroqumicas de oxidao (perda de eltrons) e reduo (ganho de eltrons). Nestas reaes a transferncia dos eltrons ocorre no circuito eltrico externo, o que gera a corrente eltrica. Quando a bateria utilizada, isto , na descarga, a energia qumica armazenada nos eletrodos se transforma direta e espontaneamente em energia eltrica. Fisicamente a unidade bsica de uma bateria uma clula, tambm denominada elemento. A associao de dois ou mais elementos, em srie ou em paralelo, ou ambos, constitui uma bateria. Cada clula eletroqumica formada por dois eletrodos (placas positiva e negativa) isolados fisicamente por um material isolante eltrico, porm condutor inico (separador) e mergulhados ou envolvidos por um eletrlito (meio condutor). O eletrodo positivo (ctodo) constitudo pelo material ativo que possui maior potencial de oxirreduo (redox), por outro lado o eletrodo negativo (nodo) constitudo pelo material ativo com menor potencial redox. O separador geralmente um filme microporoso de fibra ou polmero, e o eletrlito pode ser lquido, slido ou gasoso.
Corrente I:
Representa o movimento ordenado de partculas eletricamente carregadas (eltrons), ou corrente eltrica, que uma clula eletroqumica pode aplicar sobre um circuito externo, definida como a razo entre a quantidade de carga que atravessa o condutor por unidade de tempo. relacionada com a velocidade das reaes de oxidao e reduo dos materiais ativos dos ctodos e nodos, influenciada pelo separador e eletrlito, em regime permanente (contnuo) ou de pico (curta durao); A unidade de medida o coulomb por segundo, chamado de ampre (A).
Potncia especfica P:
Reflete a capacidade de uma bateria para fornecer altas taxas de corrente, em regime permanente (contnuo) ou de pico (curta durao): P = E x I; A unidade de medida o watt (W); Para comparar diferentes tecnologias de baterias utiliza-se o valor de potncia normalizado em massa (W/kg) ou volume (W/l).
Potncia especfica mssica Pm:

a potncia especfica da bateria normalizada em termos de massa: Pm = E x I / peso da bateria; A unidade de medida W/kg (mssica).
Potncia especfica volumtrica Pv:

a potncia especfica da bateria normalizada em termos de volume: Pv = E x I / volume da bateria; A unidade de medida W/l (Volumtrica).
Capacidade especfica C:
a quantidade total de corrente por unidade de tempo que uma clula ou bateria capaz de fornecer at atingir sua tenso final de descarga: C = I x t; A unidade de medida o ampre-hora (Ah); Para comparar diferentes tecnologias de baterias utiliza-se o valor de capacidade normalizado em massa (Ah/kg) ou volume (Ah/l).
Ciclos de vida:
o nmero de ciclos de carga / descarga que a bateria pode realizar at que sua capacidade se reduza ao valor percentual limite (especificado por tecnologia) em relao ao valor nominal;
altamente recomendado que a bateria consiga atingir, no mnimo, 500 ciclos para aplicao em produtos eletroeletrnicos (celulares, notebooks, tablets, ferramentas eltricas, etc.), e 1.000 ciclos para aplicao em Veculo Eltrico (VE). O ltio metlico tem uma elevada densidade de energia, cerca de 12.000 Wh/kg, valor este prximo ao da gasolina e diesel. No entanto, na prtica esta densidade energtica menor devido aos seguintes fatores: O elemento reativo tem que ser combinado com outro para formar a clula e apresentar a reversibilidade; Somente uma frao da massa da bateria reativa, cerca de 25 a 40%, sendo o restante composto pelo eletrlito, coletores das placas (eletrodos), substratos dos eletrodos, etc; A presena de contaminantes fsico-qumicos (ainda que a nveis nfimos). A densidade de energia de uma bateria pode ser aumentada pelos seguintes fatores: Utilizando compostos reagentes com elevada densidade de energia terica, como por exemplo, ltio, alumnio, hidrognio, etc. Otimizando o design da bateria visando minimizar as reaes paralelas dos componentes da clula e reduzir a quantidade do eletrlito (isto , espcies lquidas, e filmes slidos finos). Utilizando compostos oxidantes, como por exemplo, as baterias de metal-ar. Utilizando compostos reagentes dos eletrodos armazenados externamente clula, como por exemplo, as baterias de fluxo, clulas a combustvel, etc.
F1. Curvas Ragone.
F2. Representao Esquemtica de uma Bateria de Ltio-on.
Principais Desafios
Os principais desafios tecnolgicos a serem vencidos, em relao bateria para aplicao em Veculo Eltrico, so: Alta confiabilidade; Alto desempenho (ciclos de vida e profundidade descarga); Alta densidade energtica (Wh/ kg e Wh/l); Ampla faixa de temperatura de operao; Tempo de recarga reduzido;
Vida til elevada; Peso e volume reduzidos; Custo razovel; Segurana; No agressividade com o meio ambiente. A figura 1 apresenta as faixas de Potncia Especfica Mssica (W/kg) e de Energia Especfica Mssica (Wh/kg), ou simplificadamente, Densidade de Potncia e Densidade Energtica, para vrios tipos e tecnologias de baterias. Como pode ser observado na figura 1, as baterias a base de ltio apresentam maiores nveis de Potncia e Energia por unidade de massa, devido ao fato do ltio ser um elemento pequeno, leve e que apresenta um alto potencial redox. Sua energia especfica duas vezes maior em comparao bateria
de nquel hidreto metlico, e quatro vezes maior em relao bateria chumbo-cida. Esta caracterstica constitui um dos principais atrativos para a utilizao desta tecnologia como fonte de energia para veculos eltricos e hbridos, alm do aspecto de baixo impacto ambiental de seus materiais constituintes.
Bateria de Ltio-on
A figura 2 apresenta o esquemtico de operao de uma bateria de ltio-on. A equao 1 mostra as reaes qumicas bsicas durante a carga e descarga das baterias de ltio-on:
(M. Winter - Advanced Battery Technologies for Automobiles Conference, Essen 2009).
Componentes
A principal caracterstica da bateria de ltio-on que os materiais ativos de ambos os eletrodos, nodo e ctodo, possuem compostos com propriedades de intercalao, isto , possibilitam inserir e extrair ons de ltio de modo reversvel entre os dois eletrodos, com a concomitante remoo e adio de eltrons pelo circuito externo da bateria. Neste tipo de bateria o on de ltio no sofre processo de oxidao e reduo, ele somente inserido e extrado dos materiais dos eletrodos. A oxidao e a reduo ocorrem nos outros componentes que compem os materiais dos eletrodos positivos e negativos (grafite, cobalto, mangans, ferro-fosfato, etc.). Para este processo ocorrer eficientemente necessrio que os materiais ativos possuam estruturas cristalinas abertas, onde existem espaos vazios, de modo que os ons possam ser inseridos ou extrados. Estas estruturas podem ser do tipo laminares, ou em camadas, como o grafite e o LiCoO2 (cobaltato de ltio), ou com canais estruturados (tipo espinel ou olivina), tais como no xido de mangans (LiMn2O4 espinel) e ferro-fosfato de ltio (LiFePO4 olivina). Estas estruturas permitem que os ons de ltio se movam de um eletrodo para o outro. A bateria de ltio-on fabricada com os materiais ativos dos eletrodos no estado de descarga. Para preparar o verdadeiro material ativo necessrio inicialmente carregar a bateria. O nodo (eletrodo negativo, ou placa negativa) constitudo inicialmente pelo grafite, e o ctodo (eletrodo positivo, ou placa positiva) pelo xido metlico de ltio - nesta fase inicial um dos materiais do eletrodo tem que possuir ons de ltio que, neste caso, o ctodo. Durante o processo da carga da bateria os ons de ltio (Li+) so extrados do eletrodo positivo, que se oxida e cede um eltron. Os ons de ltio e os eltrons so transportados at o eletrodo negativo, sendo que os ons se movem atravs do eletrlito e os eltrons pelo circuito eltrico externo (fonte / carregador). Quando os eltrons chegam ao eletrodo negativo, produzida simultaneamente a insero dos ons de ltio na estrutura do material andico e a reduo do estado de oxidao deste material, formando a fase litiada (por exemplo, carbeto de ltio). Ao final da etapa de carga formado in-situ os materiais ativos em ambos os eletrodos, isto , a fase litiada no nodo e a fase deslitiada no ctodo. Durante a descarga, quando a bateria gera energia, esta reao ocorre em sentido inverso, regenerando os materiais utilizados inicialmente. Neste tipo de bateria os ons de ltio so apenas transferidos entre os eletrodos (o on de ltio no sofre reaes de oxirreduo) e so fundamentais para este tipo de tecnologia - por este motivo estes acumuladores so denominados de baterias de ltio-on ou rocking-chair (traduo literal - cadeira de balano). As principais caractersticas das baterias de ltio so a tenso na ordem de 4 V e a densidade energtica entre 100 Wh/kg a 150 Wh/kg. O material mais utilizado no eletrodo negativo o grafite, sendo o eletrodo positivo composto por materiais a base de xidos metlicos de ltio, tais como LiMO2, LiCoO2, LiNiO2 e LiFePO4. O eletrlito normalmente um sal de ltio (LiPF6) diludo em solventes orgnicos (ethylene carbonate-dimethyl carbonate, EC-DMC), que embebido num separador (material isolante eltrico polimrico, que possui porosidade suficiente para o transporte dos ons de ltio e inerte perante o eletrlito e materiais dos eletrodos). As baterias de ltio possuem as seguintes vantagens: Tenso elevada: a bateria de ltio o acumulador de energia que possui tenso mais elevada (3 a 4 V) em relao aos 1,2 V da bateria de nquel-hidreto metlico (NiMH) e aos 2,0 V da bateria de chumbo-cido; Elevada energia especfica: das tecnologias atualmente aplicveis em VE, a bateria de ltio a que apresenta maior energia especfica, o dobro em relao bateria de nquel-hidreto metlico e quatro vezes superior bateria de chumbo-cido; Elevado nmero de ciclos de carga e descarga: as baterias de ltio-on apresentam excelente desempenho em ciclabilidade, sendo que vrias tecnologias conseguem atingir capacidade igual ou superior a 80% em relao ao seu valor nominal quando submetidas a mais de 1000 ciclos de carga/descarga; Seu impacto no meio ambiente de moderado a baixo, pois no possuem materiais txicos como chumbo, cdmio e mercrio. Estas vantagens tcnicas em relao s demais tecnologias de armazenamento de energia fazem com que a bateria de ltio-on se apresente como o estado da arte em baterias avanadas para aplicao em VE tendo, consequentemente, papel fundamental para a viabilizao em grande escala dos VE.
Bateria de ltio-on convencional de C/LiCoO2
A primeira bateria recarregvel de ltio foi comercializada pela Sony em 1991. Sua composio bsica o grafite (C) como material do nodo, e um xido laminar de cobaltato de ltio como ctodo (LiCoO2). O potencial do eletrodo de grafite em relao a um eletrodo de referncia de ltio 0,05 V, e deste em relao ao cobaltato de ltio 4 V, apresentando uma capacidade especfica elevada, cerca de 137 Ah/kg. Do ponto de vista superficial, a reao eletroqumica de extrao e insero de ons de ltio presentes na bateria de ltio-on aparenta ser um simples processo entre dois eletrodos. Entretanto, na operao prtica desta bateria, este processo bem mais complicado. Ocorrero reaes do eletrlito, tanto no eletrodo negativo como no positivo. Na formao da bateria, nos primeiros ciclos de carga / descarga ocorre uma decomposio do eletrlito resultando na formao de um filme protetor no eletrodo negativo (SEI - Solid Electrolyte Interphase). Este filme protege a ocorrncia da decomposio deste eletrodo durante a vida til da bateria, devido aos ciclos de carga / descarga. No eletrodo positivo, em potenciais mais altos durante a carga, o eletrlito reduzido gerando reaes exotrmicas, portanto a bateria tem que operar em tenses inferiores da tenso limite de oxidao do eletrlito em caso de sobrecarga o eletrlito oxidado, provocando a acelerao de falha da bateria devido degradao dos materiais ativos de ambos os eletrodos. De forma geral, a decomposio das placas positiva e negativa implica em consumo da massa ativa e do eletrlito, acompanhado de evoluo de gases, o que provoca a diminuio da capacidade da bateria e riscos de segurana. As principais barreiras para uso deste tipo de bateria de ltio na aplicao para VE so: baixa segurana intrnseca, reduzida vida cclica, custo elevado, reduzida faixa operacional de temperatura e baixa dis-
ponibilidade de materiais (cobalto). Este tipo de bateria de ltio-on amplamente utilizada em aplicaes portteis, como telefones celulares, laptops, etc.
Bateria de C/ LiNiO2
A bateria de ltio-on base de xido de nquel - LiNiO2 - tambm tem sido largamente estudada, pois este material apresenta uma estrutura cristalogrfica laminar plana igual da bateria de LiCoO2. O xido de nquel mais barato e possui uma densidade energtica em torno de 20% (em peso) superior ao LiCoO2, no entanto menos estvel, sua estrutura cristalina menos ordenada do que o cobalto. O baixo grau de ordenao dos ons de nquel impede que as reaes de carga e descarga da bateria ocorram de forma eficiente. O LiNiO2 apresenta uma capacidade irreversvel no primeiro ciclo, bem como uma limitada estabilidade trmica e baixa reteno da capacidade durante a ciclagem, desta forma no muito empregado como material catdico. Entretanto, pesquisas recentes apresentaram uma nova sntese estequiomtrica do LiNiO2, onde este material mostrou bom desempenho de reteno de capacidade na condio de ciclagem (1200 ciclos) sem apresentar modificaes estruturais. Porm a questo de segurana ainda no foi solucionada, pois durante a carga este material atinge um grande pico exotrmico, de aproximadamente 200 C. No entanto, pesquisas tm demonstrado interesse prtico em compostos com substituio parcial de Ni. Por remoo de 60 % do Li, formando Li0,975Ni1,025O2, o volume diminui 1,4 %, enquanto com composto Li0,992Ni1,008O2 a variao somente 0,4 %. Tomando como referncia o LiNiO2, diversos tipos de ctions tm sido utilizados para substituir Ni, tais como: Co, Mg, Al, Fe, Ti, Ga. Em alguns casos o oxignio foi parcialmente substitudo por F ou S. O Co o mais fcil para substituir Ni, formando LiNi1-xCoxO2. A presena de Co reduz a irreversibilidade da capacidade, que causada pela oxidao dos Ni+2 nas camadas de Li+ que removem preferencialmente os Li+ em torno dos ons de Ni, provocando um colapso da estrutura local. O Co tambm aumenta a estabilidade trmica deste composto durante a carga, devido s ligaes entre Co-O serem mais
fortes do que as ligaes de Ni-O. A ligao forte entre Co-O tambm contribui para estabilizar a estrutura de Li+ durante o processo de insero / extrao. Adicionalmente o Co tambm ajuda a diminuir a irreversibilidade da capacidade observada no primeiro ciclo, bem como aumenta o desempenho na aptido ciclagem deste material, e seu custo menor. Outro ction investigado na insero no composto LiNi1-xCoxO2 o magnsio, formando material do tipo Li(Ni0,75Co0,25O2)1MgxO2. A insero do Mg aumenta o de-x sempenho do ctodo em relao a ciclagem e estabilidade da capacidade. A insero dos ons Mn, Ti e Al tambm tem contribudo para aumentar o desempenho na aptido ciclagem. O composto LiNi1-xCoxAlyO2 tambm tem recebido especial ateno em nveis tecnolgicos e acredita-se que este material ser um candidato promissor para as novas geraes de baterias de ltio-on.
Bateria de ltio-on de C/LiMnO4
Um dos materiais que tem despertado muito interesse para ser utilizado como eletrodo positivo o mangans, em compostos com estrutura molecular tipo espinel - LiMnO4. A principal diferena em relao bateria de ltio a base de cobalto a substituio do material do ctodo (eletrodo positivo - cobaltato) por outro xido metlico da famlia do mangans. A primeira vantagem desta substituio a maior abundncia do mangans em relao ao cobalto (950 e 25 ppm, respectivamente), portanto seus compostos tm preos inferiores aos compostos a base de cobalto. Outra vantagem importante que o mangans produz um menor impacto ao meio ambiente - por exemplo, na gua permitido presena de mangans na concentrao de at 200 ppm, enquanto que a presena de cobalto no pode superar a 0,7 ppm. A capacidade terica desta bateria 148 Ah/kg, porm experimentalmente os valores nominais atingidos so da ordem de 120 Ah/kg. O perfil da curva de tenso de carga e descarga bastante plano, apresentando uma tenso mdia em torno de 4,0 V, potencial este ligeiramente mais alto do que a bateria a base de cobalto. Um das principais limitaes da bateria de xido de ltio-mangans sua progressiva perda de capacidade durante a descarga. Esta perda de capacidade ocasionada
Componentes
devido dissoluo do mangans, especialmente em temperaturas prximas a 50 C. Este fato limita a utilizao deste ctodo em aplicaes especficas. Esta limitao atrasou a comercializao de bateria com este tipo de material. Uma estratgia que tem sido investigada para aumentar o desempenho deste tipo de bateria a substituio parcial dos ons de mangans por outros ons metlicos, e a modificao da superfcie do eletrodo atravs da cobertura com outros xidos metlicos. Um dos materiais que vem apresentando resultados interessantes so os espinis de LiNi0,5Mn1,5O4. Este material apresenta uma capacidade terica de 146 Ah/kg (prxima da bateria a base de cobalto), tenso de 4,5 V e energia especfica de 698 Wh/kg. A alta tenso operacional uma potencialidade deste material para conseguir um aumento substancial na densidade energtica, aproximadamente 30% superior em relao ao convencional xido de ltio-mangans. Outra vertente de estudo a substituio parcial do nquel por cobalto Li[Mn1,42Ni0,42Co0,16O4] que reduz a formao parcial do LixNi1-XOx, produto este que reduz o desempenho da clula durante a ciclagem Porm, paradoxalmente, a desvantagem deste material o fato dos eletrlitos orgnicos atualmente em uso, base de carbonato, se decomporem em tenses acima de 4,3 V. Projetos de pesquisas esto em andamento visando o desenvolvimento de outros eletrlitos que suportem tenses mais elevadas, a fim de viabilizar industrialmente a utilizao deste material. Apresenta uma capacidade terica de 170 Ah/kg e tenso de 3,4 V. A principal vantagem desta bateria que, apesar de fornecer menor tenso entre os materiais dos eletrodos positivos de ltio, apresenta maior estabilidade frente ao eletrlito (ligao do P-O forte, apresentando baixa probabilidade de evoluo de O2), atingindo assim mais de 1.000 ciclos de carga e descarga. Seu custo tambm menor em relao bateria a base de cobalto, e seu perfil de tenso de descarga muito plano, mantendo-se praticamente constante em toda a descarga. Uma das desvantagens deste eletrodo seu baixo desempenho nas aplicaes que exigem altas taxas de corrente de descarga, causada pela alta resistncia hmica deste material e a lenta difuso do on de ltio na interface do eletrodo positivo. A diminuio da resistncia alcanada atravs da aplicao de uma cobertura de carbono sobre este material, melhorando sensivelmente suas caractersticas eletroqumicas, principalmente na disponibilidade para drenar altas taxas de corrente de descarga. O aumento da difuso do on de ltio na interface do eletrodo positivo tem sido alcanado atravs da preparao de ferrofosfato de ltio com partculas de pequeno tamanho (nanomateriais). Outras olivinas, tais como LiMnPO4 e LiCoPO4, esto sendo estudadas a fim de verificar suas potencialidades na sua aplicao como material ativo do eletrodo positivo de bateria de ltio-on, bem como as misturas destas olivinas com o LiFePO4. Nestas misturas h um aumento da tenso operacional da clula devido ao aumento da quantidade de mangans. superiores a 70 C, o que prejudica sua aplicao prtica. Para diminuir a temperatura de operao so preparados eletrlitos mais espessos, na ordem de 200 mcrons, o que reduz a densidade energtica da bateria. Os eletrlitos polimricos gelificados so constitudos pelo sal de ltio na matriz polimrica, acrescido de um solvente orgnico que atua como um plastificante. Estes eletrlitos apresentam condutividade inica na ordem dos eletrlitos lquidos orgnicos. Estes eletrlitos so compatveis com os trs tipos de baterias apresentados. Sua principal vantagem a estabilidade, inclusive frente ao nodo de ltio. Esta caracterstica melhora a segurana da bateria e diminui sua autodescarga. Em relao densidade de energia, as baterias com estes eletrlitos apresentam desempenho semelhante s baterias com os eletrlitos lquidos. Estes eletrlitos so processados na forma de lminas (filmes) flexveis com excelentes propriedades mecnicas. Esta caracterstica permite reduo no custo e maior automatizao no processo de fabricao da bateria, e tambm possibilita a fabricao de baterias de diferentes formatos e leiautes. Vrios fabricantes japoneses esto fabricando baterias de ltio-polmero utilizando eletrlitos Gel (GPEs) com caractersticas retardantes a chama. Cabe ressaltar que neste tipo de bateria, os materiais de nodo e ctodo so os mesmos utilizados nas baterias com eletrlito orgnico lquido.
Bateria de ltio-on de C/LiFePO4
Tendncias dos Materiais Catdicos
Os xidos de ltio com estrutura morfolgica da famlia das Olivinas, em particular o xido de ferro-fosfato de ltio, um dos novos materiais empregados como material do eletrodo positivo. Este material tem despertado o interesse devido a suas excelentes caractersticas eletroqumicas. Dentre os materiais metlicos presentes nos eletrodos positivos da bateria de ltio, o ferro o mais abundante na crosta terrestre (50.000 ppm da crosta terrestre) e seu preo o mais baixo entre todos (0,23 US$/kg). Apresenta tambm menor impacto ambiental em relao aos outros materiais, pois a concentrao de ferro admissvel na gua de at 330 ppm.
Bateria de ltio-on com eletrlito polimrico

Uma das alternativas para substituio do eletrlito lquido orgnico (e o separador microporoso de fibra ou polmero) o eletrlito slido polimrico, que utilizado nas baterias denominadas ltio-polmero. Os eletrlitos polimricos se dividem em duas categorias: o eletrlito seco (tipo dry) e o eletrlito gelificado (tipo gel). Os eletrlitos do tipo seco so constitudos por uma matriz polimrica como, por exemplo, o polixido de etileno, misturado com um sal de ltio, como o LiPF6. No entanto, estas membranas s apresentam condutividade inica em temperaturas
As pesquisas com materiais catdicos a serem utilizados em baterias recarregveis de ltio-on tm se intensificado de maneira substancial. Os critrios para seleo de um material catdico eficiente so baseados nas seguintes caractersticas cinticas e termodinmicas: O material deve possuir caractersticas de intercalao (para estrutura em camada plana), ou insero (para estruturas mono e tridimensionais) dos ons de Li+; Deve apresentar tenso elevada em circuito aberto (OCV); O potencial do eletrodo dever ter variaes limitadas em funo da quantidade do Li+;
O nmero de sites (espaos, stios, lacunas) para os ons de Li+ deve ser grande e as molculas hospedeiras tm que apresentar baixo peso molecular e alta densidade (alta capacidade gravimtrica e volumtrica); O conjunto de difuso dos eltrons e dos ons de ltios nos sites das molculas hospedeiras, em funo do gradiente de concentrao, deve ser rpido o suficiente para garantir uma boa taxa de capacidade (alta potncia); A intercalao / insero dos ons de Li tem que ser reversvel, a fim de permitir ciclagem; O ctodo deve ser estvel no eletrlito em toda a faixa operacional de tenso. Estes critrios devem que ser adicionados aos seguintes pr-requisitos: Baixo custo; Baixa ou nula toxidez; Sntese fcil. Entretanto, evidente que as caractersticas e critrios citados anteriormente so necessrios, porm no suficientes, desta forma necessrio adicionar as seguintes caractersticas: A interface do eletrlito e a superfcie do ctodo devem ser estveis (um ctodo pode ser estvel em um determinado eletrlito, mas pode ser afetado pela alta resistncia da interface); A sntese do material no necessariamente tem que ser simples, mas reprodutvel e seguir uma produo de materiais com partculas de tamanhos definidos (um recurso de extrema importncia); Dever ser possvel preparar um material encapsulado em outro, como forma de proteo em relao s reaes indesejveis com o eletrlito; O material tem que apresentar processamento fcil a fim de se obter um eletrodo com aplicao prtica. A seleo de um ctodo deve ser orientada para a sua aplicao. Em baterias para aplicao porttil (telefones, notebooks, tablets, etc.) pode ser tolerado um material com custo relativamente alto e com desempenho moderado em aplicaes com altas correntes. Entretanto, para aplicaes que exigem potncias elevadas, tais como VE, o
Tenso (V) 5,0 4,0 4,0 - 3,0 3,5 3,0 2,0 1,5
Material Tpico LiMn2-xMxO4 LiNiO2, LiCoO2, LiCo1-x-yNixMyO2, LiMn2O4, Li1+yMn2-xMxO4 LiMnO2, LiyMn1-yMyO2, Li(LxMnyM1-x-y) LiFePO4 Mn espinel, LixMnO2, LixVyOz S e Polisulfidos FeS2 T1. Materiais de Ctodos e suas Faixas de Tenso.
baixo custo e a capacidade so caractersticas mandatrias. A tabela 1 apresenta os principais materiais que tem atrado a ateno para as pesquisas nos ltimos 10 a 15 anos. A seleo da tcnica de sntese para produzir o material catdico das baterias de ltio-on deve levar em conta o tipo de partcula obtida, o tamanho, sua distribuio, a morfologia e densidade, caractersticas estas que apresentam papis fundamentais no desempenho da bateria. Os compostos a base de nanopartculas constituem uma nova classe de materiais catdicos e apresentam excelente caractersticas sob o ponto de vista de ciclagem, pois as nanopartculas diminuem o caminho de difuso dos ons de Li, provocando menor alterao dimensional da estrutura sobre condies cclicas.
Tendncias de materiais do nodo
Conforme visto nos itens anteriores, a pesquisa e o desenvolvimento de novos materiais e compostos para o ctodo das baterias de ltio-on tem sido determinante para elevar as caractersticas eltricas e de desempenho das diferentes tecnologias dessas baterias. O desenvolvimento de materiais avanados que iro substituir o atual estado da arte de ctodos, e tambm de nodos, baseia-se na melhoria da densidade de energia e de potncia da bateria, alm da sua vida cclica e segurana. O nodo de grafite atual, assim como o ctodo de ltio-cobalto, utilizados tradicionalmente na qumica das baterias de ltio-on, esto a um passo de serem extintos, pois esto se aproximando do limite de inovaes tecnolgicas que possam melhorar notavelmente seu desempenho. As novas geraes de tecnologias de nodo buscam elevar seu potencial em reter os ons de ltio e, de modo geral, tem sido bem menos pesquisadas que os materiais
dos ctodos. Atualmente so desenvolvidas pesquisas de viabilidade de novos materiais para o nodo baseado no silcio, em nanoestruturas de carbono, em xidos de titnio, vandio, estanho, alumnio, etc. O silcio tem a maior capacidade terica para ons de ltio, mas at recentemente tem tido problemas com durabilidade. No entanto, modificaes estruturais no eletrodo de silcio tm apresentado resultados que o colocam como uma tecnologia potencialmente disruptiva neste mercado. O nodo de silcio uma tecnologia que est sendo muito pesquisada em meios acadmicos e empresas menores de alta tecnologia, com expectativas de forte impacto na indstria. Embora tenha um cronograma de desenvolvimento mais longo, tem potencial considervel para causar impacto neste mercado. Muitas pesquisas tm sido direcionadas para nodo a base de xidos de titnio, tais como TiO2 (TO) e Li4Ti5O12 (LTO). Baterias de ltio com estes tipos de nodo apresentam menor tenso e capacidade em relao as baterias convencionais com eletrodo a base de carbono, resultando em baterias com densidade energtica inferior. No entanto, o interesse em se pesquisar este material devido s suas seguintes atrativas caractersticas: Baixa alterao de volume da sua estrutura cristalina (1%) durante a ciclagem, o que corresponde a nveis elevados de estabilidade da bateria durante aplicao cclica; No h decomposio do eletrlito, no apresentando a formao da camada de interface (SEI); Capacidade de operar em condies cclicas que exigem elevada taxa de corrente e baixa temperatura; Elevada estabilidade trmica, tanto na carga como na descarga. Vale a pena destacar que j existem baterias comerciais que esto utilizando eletrodos negativos a base de titnio.
Componentes
Outra linha de pesquisa a tecnologia de nanomateriais na estrutura fsica do material ativo do eletrodo. Esta tecnologia busca aumentar a rea superficial para o armazenamento de carga e tambm resolver problemas com durabilidade, devido significativa expanso e contrao de alguns materiais quando eles capturam ou liberam ons de ltio, que provoca fissura no material ativo dos eletrodos. As nanopartculas ou nanotubos, sob a forma de um p, so o ponto de partida para o desenvolvimento de binders (material aglutinante da massa ativa dos eletrodos) que prov uma matriz condutora na qual as nanoestruturas podem ser incorporadas. Os binders so normalmente usados para dar consistncia massa ativa dos eletrodos base de p e melhorar sua condutividade, ao mesmo tempo em que aumentam sua rea superficial para a absoro de ons de ltio, sendo aplicados em camada homognea com espessura controlada sobre as lminas de cobre e alumnio que vo formar os eletrodos da bateria (nodo e ctodo, respectivamente). -on, devido aos seguintes motivos: Este sal menos txico do que o LiAsF6, e adequado para ambos os nodos, de Li (metlico) e Li-C; Uma camada passivadora mais eficiente no coletor de corrente de alumnio para o ctodo alcanada com solues de LiPF6, provavelmente devido formao de AlF3 (reaes de traos de HF, indesejadamente presente em todos as solues de LiPF6 com alumnio); A condutividade dos alquil-carbonatos / LiPF6 relativamente elevada; A estabilidade trmica da bateria baseada nas solues de LiPF6 aceitvel, comparada com sistemas contendo LiClO4, que so explosivos; A produo em massa de LiPF6 relativamente simples e seu preo aceitvel. Entretanto o LiPF6 tem uma desvantagem, que sua indesejvel contaminao com HF. O LiPF6 se decompe formando LiF e PF5 nas reaes de equilbrio. Estas espcies, na presena de apenas traos de umidade, se hidrolisam com as substncias prtipas para formar POxFyP(OR)xFy e HF, o qual reage com ROLi ou ROCO2Li (molculas da superfcie formadas por reduo dos alquil-carbonatos), que so substitudos pelo filme altamente resistivo de LiF. O HF tambm reage com os materiais do ctodo LixMoy. O impacto das reaes do HF sobre a passivao dos eletrodos negativo, e a impedncia dos eletrodos aumenta com o aumento da intensidade das reaes de superfcie do HF. Em concluso, as solues padres de eletrlito para baterias de Li-on so LiPF6 com misturas de alquil-carbonatos, que sempre contm EC (carbonato de etileno) como um componente altamente polar e precursor para formao de uma boa camada passivante. Misturas ternrias, tais como EC-DMC-DEC, proporcionam condutividade aceitvel para solues de LiPF6, no entanto, tambm apresentam o problema de contaminao de HF, o qual interfere na camada de passivao de ambos os eletrodos. Em temperaturas elevadas h uma acelerao das reaes de superfcie em ambos os eletrodos, aumentando a impedncia e provocando a aparente fadiga da capacidade. H muitos projetos de P&D para aumentar o desempenho dos eletrlitos das baterias de ltio-on. Os principais focos de pesquisas em busca de novas solues de eletrlitos para baterias de Li-on so: Aumento da estabilidade andica; Aumento da temperatura em condutividade baixa; Busca de solventes no inflamveis; Uso de cidos com propriedades de aprisionamento (scavengers); Busca de sais mais estveis e sem contaminantes; Aumento da passivao dos eletrodos, especialmente em temperaturas elevadas; Proteo a sobrecargas. Deve ser enfatizado que baixa a possibilidade de encontrar substitutos para os solventes hoje utilizados, alquil-carbonatos e LiPF6. Uma maneira mais rpida e fcil para aumentar a estabilidade da interface e a condutividade utilizar aditivos. Como exemplo, recentemente, complexo de Li organoborato foi sugerido como aditivo promissor para aumentar o desempenho da bateria em temperaturas elevadas. Est havendo tambm um esforo para introduzir novas famlias de sais. Outros tipos de eletrlitos tm sido alvo de vrias pesquisas, tais como sais fundidos (inicos), polimricos, vtreos e cermicos.
Eletrlito
Nos ltimos anos uma grande quantidade de solventes, sais e aditivos foram testados como eletrlito para bateria de ltio-on. Estes estudos intensivos convergiram para o desenvolvimento de solues padronizadas de eletrlitos que so comumente utilizados para a produo comercial de baterias de ltio-on. Estas solues incluem LiPF6 como um eletrlito e solventes de alquil-carbonatos. Os alquil-carbonatos so mais aplicveis devido sua alta estabilidade andica em relao a outras famlias de solventes, tais como steres e teres. Tambm em baixos potenciais ambos, Li e Li-C, formam uma boa camada de passivao numa variedade de solues de alquil-carbonatos. Os steres e teres no so suficientemente reativos para formar uma camada passivadora com potencial elevado. As molculas dos teres podem facilmente cointercalar dentro do grafite com os ons de Li e, por esfoliao, destruir a estrutura do grafite. A reduo dos produtos dos steres no aderente o suficiente para formar a camada de filme superficial sobre o eletrodo de carbono. O eletrlito LiPF6 o sal padro mais empregado atualmente em baterias de ltio-
Separador
O separador um componente crtico em baterias de ltio-on com eletrlito lquido, sendo posicionado entre os eletrodos positivo e negativo com a funo de isol-los eletricamente (bloquear a passagem de eltrons), mas deve ter condutividade suficiente para permitir o transporte dos ons entre os eletrodos. constitudo por uma camada microporosa de membrana polimrica, ou uma manta de um material poroso. Deve apresentar estabilidade qumica e eletroqumica em relao ao eletrlito e aos materiais dos eletrodos, bem como apresentar estabilidade eltrica e mecnica para suportar tenses elevadas e esforos fsicos durante a operao da bateria. Estruturalmente os separadores devero ter porosidade suficiente para absorver o eletrlito lquido, que possui condutividade inica elevada. Entretanto a presena do
separador aumenta a resistncia eltrica e limita o espao dentro da bateria, afetando adversamente o desempenho da bateria. No entanto, a seleo apropriada de um separador um fator crtico para o desempenho da bateria, influenciando densidade de energia, potncia, vida cclica e segurana. Para densidades de potncia elevadas necessrio um separador muito fino e altamente poroso, porm este no pode perder sua fora mecnica. Por questo da segurana, o separador dever ser capaz de interromper o fluxo de ons da bateria e deslig-la, caso ocorra uma situao de superaquecimento, pois caso contrrio poder ocorrer curto-circuito e avalanche trmica. A funo de interromper a operao da bateria pode ser obtida atravs do design de multicamadas, no qual em caso de aquecimento, em temperaturas inferiores da ocorrncia da avalanche trmica, a ltima camada do separador se funde provocando o fechando dos poros e, consequentemente, interrompendo o transporte dos ons, sendo que as demais camadas continuam provendo fora mecnica, o que previne o contato fsico entre os eletrodos. De acordo com a estrutura e composio,.. os separadores podem ser divididos em trs tipos: Membrana polimrica microporosa; Manta porosa; Membrana de compsitos inorgnicos. Estes trs tipos de separadores so caracterizados por sua reduzida espessura, alta porosidade e excelente estabilidade trmica. Alm deles, as membranas de poliolefinas tm sido muito utilizadas com eletrlitos lquidos devido a sua vantagem em relao ao desempenho, segurana e custo da bateria. O requisito de segurana a prioridade principal para baterias recarregveis de ltio-ion, especialmente as utilizadas em veculos eltricos e aplicaes que exigem elevada potncia. Os separadores baseados em PE atuam como proteo para a bateria, promovendo a interrupo de sua operao quando esta atinge temperaturas na faixa de 90 a 130 C, conforme suas propriedades, tais como peso molecular e a composio das misturas utilizadas. Os separadores cermicos, que combinam as caractersticas de flexibilidade
dos polmeros e hidroflicas dos materiais cermicos, apresentam excepcional estabilidade e excelente permeao. O separador cermico exibe vantagens em termos de segurana e permeabilidade do eletrlito. Desenvolvimentos futuros de separadores para baterias de ltio-on devem ser balanceados para conseguir desempenho, segurana e baixo custo. Os custos elevados dos separadores muitas vezes so devidos aos seus custos dos processos de produo, assim sendo, o desenvolvimento de processos com menor custo efetivo muito importante para a reduo do seu custo final. Os separadores que combinam as caractersticas de interrupo trmica de operao e separadores cermicos so altamente desejveis, tais como os separadores que combinam a matriz PET com poros de matriz PE com caractersticas de interrupo trmica.
numa diminuio da capacidade e vida til da bateria. Desta forma, para um desempenho adequado de baterias, alm do circuito eletrnico em cada clula, deve haver tambm um sistema eletrnico para monitorar e controlar a tenso individual de cada clula e de suas configuraes em srie ou paralelo. Para melhor desempenho da bateria o ideal que este sistema seja ativo, de maneira a realizar o balanceamento de carga de cada clula, na recarga e na descarga.
Bateria Ltio/Ar
BMS Sistema de Controle e Monitorao da Bateria
Apesar de todo esforo e pesquisa para aperfeioar a tecnologia da bateria de ltio-on, um dos seus desafios a questo da segurana e a operao equilibrada quando as clulas so interligadas em srie e/ou paralelo. Conforme comentado anteriormente, o eletrlito da bateria de ltio um material orgnico, que reativo e opera numa faixa bem definida de tenso. Caso os limites de tenso sejam ultrapassados, podem ocorrer reaes exotrmicas culminando com a exploso e queima da bateria. Uma maneira de viabilizar a utilizao da bateria de ltio-on foi introduzir na clula, independentemente de sua aplicao, um circuito eletrnico de maneira a controlar sua operao, impedindo condies de risco tais como sobrecarga, subcarga, temperatura elevada, curto-circuito externo, etc. ou seja, se um dos limites ultrapassado, o circuito eletrnico desabilita a bateria, prevenindo a ocorrncia destes fatores indesejveis. Geralmente a faixa de tenso de uma bateria para veculo eltrico varia entre 300 a 600 V, com capacidade que depende da potncia e autonomia do sistema. Para se conseguir a tenso e potncia definidas para o veculo ser necessrio utilizar clulas de ltio interligadas em srie e/ou paralelo, e nesta configurao pode haver um desequilbrio da tenso entre elas, acarretando
Acumuladores de energia baseados na configurao nodo metlico, eletrlito e oxignio como material catdico apresentam elevada densidade energtica, devido ao fato do material ativo do ctodo ser oxignio e no haver necessidade de ser estocado na bateria, pois obtido diretamente do ambiente. Assim, vrios sistemas de metal/ar em meio aquoso ou orgnico tm sido foco de pesquisas, tais como ltio/ar, zinco/ar, alumnio/ar, magnsio/ar, silcio/ar, etc. Ltio/Ar um sistema eletroqumico com grande potencialidade para acumulao de energia, devido a sua alta densidade energtica, que pode alcanar valores em torno de 3000 Wh/kg para baterias recarregveis. Uma diferena da bateria Li/Ar em relao a bateria Zn/Ar que seu eletrlito orgnico, pois em sistemas aquosos o nodo de Li apresenta alta taxa de corroso e o eletrlito decomposto. Em 1996 foi apresentado o primeiro sistema Li/Ar em eletrlito no aquoso. A bateria de Li/Ar consiste de um nodo contendo ltio (usualmente utilizado ltio metlico), um eletrlito no aquoso e um ctodo de ar, cuja tenso em circuito aberto 3,1 V. No nodo o ltio metlico oxidado a ons de ltio, e no ctodo os ons de ltio (Li+) so reduzidos, formando xido de ltio (Li2O) e perxido de ltio (Li2O2). A utilizao de eletrlitos no aquosos com este par eletroqumico resultou na maior supresso da corroso do nodo, no aumento substancial da tenso da clula Li/Ar e no aumento da energia especfica da clula. Atualmente a bateria Li/Ar est em estgio de desenvolvimento, e os resultados experimentais esto aqum dos valores tericos previstos para este sistema. Em
Caractersticas
C/LiCoO2
C/LiMn2O4
C/LiFePO4
Energia especfica terica (Wh/kg) 600 425 385 Energia especfica obtida (Wh/kg) 130 - 140 85 - 100 80 - 115 Densidade de energia (Wh/l) 300 - 375 125 - 432 110 - 170 Potncia mssica (W/kg) 1.800 1700 - 2400 600 - 3.000 Potncia volumtrica (W/l) 4.700 -1.200 - 5.800 Nmero de ciclos (at atingir 80%) 400 > 1.000 1.000 - 3.000 Temperatura de operao (C) -30 / +60 -25 / +75 -10 / +75 T2. Parmetros Eletroqumicos Caractersticos de Baterias de Ltio-on.
Bibliografia
G. A. Nazri e G. Pistoia, Lithium Batteries Science and Technology, Springer, 1 Edition, 2009. B. Scrosati e J. Garche, Lithium batteries: Status, prospects and future Journal of Power Sources 195 (2010), 24192430. M. G. Kim e J. Cho, Reversible and High-Capacity Nanostructured Electrode Materials for Li-Ion Batteries, Advanced Funcional Materials, 2011. Sheng Shui Zhang, A review on the separators of liquid electrolyte Li-ion batteries, Journal of Power Sources 164 (2007), 351364. Jeffrey W. Fergus, Recent developments in cathode materials for lithium ion batteries, Journal of Power Sources 195 (2010), 939954. Wei-Jun Zhang, Lithium insertion/ extraction mechanism in alloy anodes for lithium-ion batteries, Journal of Power Sources 196 (2011), 877885. Next generation lithium ion batteries for electrical vehicles, Edited by Chong Rae Park, First published April 2010. Claus Daniel, Materials and Processing for Lithium-Ion Batteries, Materials and Coatings,Vol. 60 No. 9, September 2008. www.BatteryPowerOnline.com, 2009 Resource Guide Battery Power Products & Technology, Redefining Energy Storage in Transportation Markets. The Lithium Revolution, Anu Elizabeth Cherian, Industry Analyst - Frost & Sullivan. Improving battery safety, charging, and fuel gauging in portable media applications - by Jinrong Qian. Battery Management Applications Manager, Texas Instruments Incorporated, Power Management. Cost and performance of EV batteries Final report, 21/03/2012, Relatrio da Axeon, Element Energy Limited, 20 Station Road, Cambridge CB1 2JD. Alexander Kraytsberg,Yair Ein-Eli, Review on Li-air batteries - Opportunities, limitations and perspective, Journal of Power Sources 196 (2011), 886-893. www.electrochem.org/dl/ma/201/ pdfs/0259.pdf www.ehow.com/about_6114119_history-lithium-ion-batteries.html www.chemicool.com/elements/lithium.html www.administradores.com.br/informe-se/ administracao-e-negocios/federacoes-das-industrias-elaboram-documento-propondo-acoes-pro-desenvolvimento-sustentavel/5 www.farolcomunitario.com.br/meio_ ambiente_000_0516-emissao-de-gases-de-efeito-estufa-e-matriz-dos-transportes.php
experimentos laboratoriais, a capacidade especfica de energia mxima obtida para a bateria Li/Ar foi de 362 Wh/kg (a bateria de Li-on comercial existente hoje no mercado apresenta densidade energtica em torno de 200 Wh/kg). As clulas de Li/Ar tambm apresentaram reduo de capacidade de 50% aps 50 ciclos (as baterias de Li-on comerciais perdem em torno de 25% de capacidade aps 300 ciclos). As pesquisas atuais indicam que a bateria Li/Ar tem vrios desafios que tero que ser solucionados para esta tecnologia se tornar um produto vivel comercialmente. Dois principais fatores limitam a capacidade da clula de Li/Ar. O primeiro fator o consumo do eletrlito durante a reao no ctodo (no caso dos eletrlitos que contm duas camadas, envolvendo um eletrlito aquoso) e o segundo fator a precipitao dos xidos de ltio dentro do ctodo, no caso do eletrlito no aquoso. Uma das grandes dificuldades obter uma configurao de eletrodos contendo ltio metlico e oxignio, de forma a se conseguir uma bateria recarregvel, eficiente e segura. O nodo de Li causa srios riscos de segurana na presena de pequenos traos da molcula de gua. O ctodo de ar apresenta problemas de mecanismo de reaes, onde na sua superfcie ocorre o depsito de Li2O2. Estes fatores podem ser minimizados com a utilizao de catalisadores, porm estes apresentam custos elevados. Coberturas com material a base de cermica vtrea e o emprego de eletrlitos hidrofbicos lquidos esto sendo propostos como alternativas para proteger o nodo de ltio da presena de eventuais traos de gua, aumentando assim a segurana da clula. Para viabilizar esta tecnologia h necessidade de alcanar avanos tecnolgicos, tanto do ponto de vista de engenharia como de materiais, buscando aperfeioamentos principalmente relacionados questes
de porosidade, estrutura e composio da estrutura do ctodo (para prevenir a deposio do xido de ltio).
Concluses
A tabela 2 apresenta as caractersticas eltricas das diferentes tecnologias das baterias de ltio-on. No panorama atual esto sendo apresentadas ao mercado baterias de ltio-on com diferentes materiais qumicos. Para implementar uma destas tecnologias na aplicao de VE ou VEH, necessrio uma anlise profunda de cada tecnologia. Cada tipo de material tem seus pontos fortes e fracos - para a seleo adequada necessrio priorizar entre os diferentes parmetros de anlise. Devido potencialidade que estas baterias vm apresentando, bem como necessidade de se viabilizar os veculos eltricos, h vrios consrcios mundiais pesquisando variados materiais para nodo, ctodo, separador e eletrlito. O objetivo principal refinar a tecnologia de maneira que se consiga obter maior desempenho e segurana com menor custo. Vale a pena destacar que a bateria de ltio-on industrial j est sendo empregada como sistema de armazenamento de energia em projetos-piloto de Smart Grid, associados ou no a energias renovveis, tais como fotovoltaico e elico, e tambm na aplicao em sistemas estacionrios, como sistema de backup de energia em telecomunicaes, subestao de energia eltrica, etc., pois nestas aplicaes a questo de segurana e preo no to crtica como para os VE e VEH. E
Os autores so da Fundao CPqD (Centro de Pesquisa e Desenvolvimento em Telecomunicaes) - rea de Sistemas de Energia da Diretoria de Laboratrios e Infraestrutura de Redes Campinas - SP

Saber Eletronico 464

Uploaded by

Document Information

Copyright

Available Formats

Share this document

Share or Embed Document

Sharing Options

Did you find this document useful?

Is this content inappropriate?

Copyright:

Available Formats

Saber Eletronico 464

Uploaded by

Copyright:

Available Formats

editorial

Editora Saber Ltda.

Atendimento ao Leitor: atendimento@sabereletronica.com.br

Associao Nacional das Editoras de Publicaes Tcnicas, Dirigidas e Especializadas

2012 Setembro/Outubro I SABER ELETRNICA 464 I 3

4 I SABER ELETRNICA 464 I Setembro/Outubro 2012

6 I SABER ELETRNICA 464 I Setembro/Outubro 2012

Setembro/Outubro 2012 I SABER ELETRNICA 464 I 7

Fonte de Alimentao alimenta Aplicaes de Dispositivos Mdicos Portteis

8 I SABER ELETRNICA 464 I Setembro/Outubro 2012

Setembro/Outubro 2012 I SABER ELETRNICA 464 I 9

Assistente de rede OneTouch AT, da Fluke Networks

10 I SABER ELETRNICA 464 I Setembro/Outubro 2012

Setembro/Outubro 2012 I SABER ELETRNICA 464 I 11

Sensor de Reflexo LR-Z, da Keyence

Srie de sensores de reflexo LR-Z, da Keyence

12 I SABER ELETRNICA 464 I Setembro/Outubro 2012

Produto EBC460, da TRW Automotive Holding Cortp

Setembro/Outubro 2012 I SABER ELETRNICA 464 I 13

E/S Digitais e Analgicas

14 I SABER ELETRNICA 464 I Setembro/Outubro 2012

F1. Plataforma NI CompactRIO.

Modbus TCP e Modbus Serial

Setembro/Outubro 2012 I SABER ELETRNICA 464 I 15

F2. Interfaces PROFIBUS PXI e PCI da NI.

16 I SABER ELETRNICA 464 I Setembro/Outubro 2012

F4. Interfaces CANopen da National Instruments.

Interface Serial (RS232, RS422, e RS485)

Viso Geral sobre produtos Seriais da National Instruments

Setembro/Outubro 2012 I SABER ELETRNICA 464 I 17

F5. Interfaces Seriais da National Instruments.

Publicao de Dados do NI Data Acquisition (DAQ) como servidor OPC

F6. OPC foi projetado para melhorar a conectividade do sistema da empresa.

Publicao de dados da NI Fieldpoint e Compact FieldPoint como OPC Server

LabVIEW como um servidor OPC Server

Adicionando OPC Client no LabVIEW

18 I SABER ELETRNICA 464 I Setembro/Outubro 2012

O Estgio de Entrada (RF)

20 I SABER ELETRNICA 464 I Setembro/Outubro 2012

F1. Trs maneiras de anlise de um sinal: pela amplitude, frequncia e tempo.

F2. Usando um filtro varivel para implementao de um analisador de espectro.

F3. Receptor heterdino, em um diagrama de blocos simplificado (D.B.).

F4. A frequncia de FI a soma da frequncia do sinal entrada com a do oscilador local.

F5. Representao da ao do Filtro de Entrada no domnio das frequncias.

F6. Mdulo de FI real com 3 ou mais estgios, em um D.B.

F7. Filtro porta (ideal) de um Analisador de Espectro.

F8. Imagem de um gap de 3 dB na tela do Analisador de Espectro.

2012 I Setembro/Outubro I SABER ELETRNICA 464 I 21

F9. Mtodo simples para verificar a curva do filtro de RBW.

F10. Nvel de rudo de fundo inicial.

F11. Identificao de sinais muito fracos.

F12. Filtro de vdeo de largura varivel.

F13. Variao da amplitude do rudo (escala em dB).

F15. A minimizao do problema de mltiplas respostas para cada frequncia de entrada.

F16. Estgio de entrada de um misturador harmnico (D. B.).

Ampliando o Range de Frequncia

A definio matemtica de um sistema linear :

2012 I Setembro/Outubro I SABER ELETRNICA 464 I 23

F18. Na sada haver somente as frequncias dos sinais de entrada.

F19. Pontos de interseco de 2 ordem e de 3 ordem no grfico Ps x Pe.

E o segundo parmetro o ponto de interseco de terceira ordem, quando:

Ocorrncia de fading seletivo

Onde: SA = Sinal da antena SD = Sinal direto SR = Sinal refletido

F22. Efeito do chamado fading seletivo na antena receptora.