UNIVERSIDADE NOVA DE LISBOA

Faculdade de Cincias e Tecnologia Departamento de Engenharia Electrotcnica

Caracterizao Automtica de um Painel

Fotovoltaico
por

Miguel ngelo Silveiro Valente

Dissertao apresentada na Faculdade de Cincias e Tecnologia da Universidade Nova de Lisboa para obteno do grau de Mestre em Engenharia Electrotcnica e Computadores.

Orientador: Prof. Mrio Ventim Neves Co-Orientador: Eng. Pedro Pereira

2011

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Ttulo da dissertao de Mestrado: Caracterizao Automtica de um Painel Fotovoltaico, "Copyright", Miguel ngelo Silveiro Valente, Faculdade de Cincias e Tecnologia da Universidade Nova de Lisboa. "A Faculdade de Cincias e Tecnologia e a Universidade Nova de Lisboa tm o direito, perptuo e sem limites geogrcos, de arquivar e publicar esta dissertao atravs de exemplares impressos reproduzidos em papel ou de forma digital, ou por qualquer outro meio conhecido ou que venha a ser inventado, e de a divulgar atravs de repositrios cientcos e de admitir a sua copia e distribuio com objectivos educacionais ou de investigao, no comerciais, desde que seja dado crdito ao autor e editor".

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Resumo
A presente dissertao estuda, analisa e prope um mtodo para a caracterizao automtica de painis fotovoltaicos. O mtodo em causa consiste no desenvolvimento de um circuito electrnico de baixo custo, capaz de adquirir e representar as curvas I-V (corrente versus tenso) de painis fotovoltaicos, que posteriormente ser comparada com a curva ideal para cada painel. Ao longo da dissertao apresentado um modelo que permite estudar o funcionamento dos painis fotovoltaicos sob o ponto de vista da inuncia da irradincia e da temperatura. A abordagem terica tem como objectivo compreender um painel fotovoltaico, estudando as principais caractersticas: funcionamento, material de construo, tipos de ligao, inuncia da irradincia e temperatura no desempenho, pontos caractersticos e utilizao. Na componente prtica analisa-se e testa-se o modelo matemtico de um painel fotovoltaico. Depois de consolidados os conhecimentos, foi projectado e desenvolvido um modelo para caracterizao automtica de um painel fotovoltaico. O modelo contempla o circuito electrnico para aquisio dos dados e, uma aplicao elaborada atravs de ferramentas informticas (MATLAB) com o intuito de representar a curva caracterstica I-V atravs dos dados recolhidos do circuito.
Palavras-chave: Energia renovvel, sistemas fotovoltaicos, curva IV, painis fotovoltaicos.

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Abstract
This dissertation examines and proposes a method for automatic characterization of photovoltaic panels. This method consists in developing an inexpensive electronic circuit, able to acquire and represent IV curves (current versus voltage) of photovoltaic panels, which will later be compared with the ideal curve for each panel. Throughout the dissertation is presented a model that allows study the functioning of photovoltaic panels, analyzing the inuence of solar radiation and temperature. The theoretical approach aims to understand a photovoltaic panel, studying its main characteristics: operation, construction materials, connection types, inuence of solar radiation and temperature on performance, characteristic points and application. In the practical component is analyzed and tested the mathematical model of a photovoltaic panel. After consolidated of knowledge, was designed and developed the model for automatic characterization of a photovoltaic panel. The model considers the electronic circuitry for data acquisition and an application elaborated by computer tool (MATLAB) an application that represents the IV curve of the data collected through the circuit.
Keywords: Renewable energy, photovoltaic systems, IV curve, photovoltaic panels.

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Contedo
1 Introduo 1.1 Enquadramento . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.2 Objectivo da Dissertao . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.3 Estrutura da Dissertao . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2 Estado de Arte 2.1 Contribuio da dissertao . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3 Energia Solar Fotovoltaica 3.1 A Radiao Solar . . . . . . . . . . . . . . . . . 3.2 Contexto Histrico . . . . . . . . . . . . . . . . 3.2.1 As Clulas Fotovoltaicas . . . . . . . . . 3.3 Efeito Fotovoltaico . . . . . . . . . . . . . . . . 3.4 Tipos de Clulas Fotovoltaicas . . . . . . . . . . 3.5 Formas de Conexo de um Painel Fotovoltaico . 3.6 Caractersticas de um Painel Fotovoltaico . . . 3.6.1 Curva Caracterstica I-V . . . . . . . . . 3.6.2 Ponto de Potncia Mxima . . . . . . . 3.7 Sistemas Fotovoltaicos . . . . . . . . . . . . . . 3.7.1 Sistemas Interligados Rede . . . . . . 3.7.2 Sistemas Isolados . . . . . . . . . . . . . 3 3 4 4 7 14 15 15 16 17 18 19 20 21 21 23 24 25 25 29 29 31 32 32 35 46 48 49 53 54 58 65

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4 Caracterizao Automtica de um Painel Fotovoltaico 4.1 Modelo Elctrico de uma Clula Fotovoltaica . . . . . . . . . 4.1.1 Pontos de Funcionamento de uma Clula Fotovoltaica 4.2 Simulao do Circuito Elctrico . . . . . . . . . . . . . . . . . 4.2.1 Simulao em PSIM . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4.2.2 Simulao em MATLAB . . . . . . . . . . . . . . . . . 4.3 Prottipo Desenvolvido . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4.3.1 Esquema do Prottipo . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4.3.2 Simulao do Prottipo . . . . . . . . . . . . . . . . . 4.3.3 Montagem do Circuito . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4.3.4 Aplicao em MATLAB . . . . . . . . . . . . . . . . . 4.4 Validao do Modelo . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5 Concluso e Trabalhos Futuros

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Contedo
6 Bibliograa 67

Lista de Figuras
2.1 2.2 2.3 2.4 2.5 2.6 3.1 3.2 3.3 3.4 3.5 3.6 3.7 3.8 3.9 3.10 3.11 3.12 3.13 3.14 4.1 4.2 4.3 4.4 4.5 4.6 4.7 4.8 4.9 4.10 4.11 4.12 4.13 4.14 4.15 Sistema para aquisio das caractersticas de um painel fotovoltaico Sistema para aquisio das caractersticas de um painel fotovoltaico Sistema para aquisio das caractersticas de um painel fotovoltaico Sistema para aquisio das caractersticas de um painel fotovoltaico Sistema para aquisio das caractersticas de um painel fotovoltaico Sistema para aquisio das caractersticas de um painel fotovoltaico . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 8 9 9 10 11 12 15 18 19 20 21 22 23 23 24 24 25 25 26 27 29 31 33 34 34 36 36 37 37 38 38 39 41 42 42

Distribuio da radiao solar . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . Princpio de funcionamento de uma clula fotovoltaica . . . . . . . . . . . . . Desenvolvimento de um painel fotovoltaico . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . Os diferentes tipos de clulas de silcio, (a)- monocristalina, (b)-policristalino, (c)- amorfo . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . a) dodo bypass e b) dodo de bloqueio . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . Curva I-V de um painel fotovoltaico . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . Curva P-V de um painel fotovoltaico . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . Alterao da curva I-V com incidncia da radiao solar . . . . . . . . . . . . Alterao da curva I-V com a variao da temperatura . . . . . . . . . . . . . Alterao da curva P-V com a variao da temperatura . . . . . . . . . . . . Congurao bsica de um sistema interligado rede elctrica (centralizado) . Congurao bsica de um sistema interligado rede elctrica (distribudo) . Congurao bsica de um sistema isolado . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . Congurao bsica de um sistema hbrido . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . Modelo simplicado de uma clula fotovoltaica . . . . . . . . . . . . . . Esquema elctrico de uma clula fotovoltaica . . . . . . . . . . . . . . . Circuito de simulao do modelo elctrico de uma clula . . . . . . . . . Curva I-V obtida com a simulao do circuito elctrico . . . . . . . . . . Curva P-V obtida com a simulao do circuito elctrico . . . . . . . . . Fluxograma para simulao do cheiro . . . . . . . . . . . . . . . . . . . Curva I-V do painel BP MSX 110 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . Curva P-V do painel BP MSX 110 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . Curva I-V do painel BP MSX 110 em funo da temperatura . . . . . . Curva P-V do painel BP MSX 110 em funo da temperatura . . . . . . Curva I-V do painel BP MSX 110 em funo da irradincia . . . . . . . Curva P-V do painel BP MSX 110 em funo da irradincia . . . . . . . Fluxograma para a simulao do cheiro . . . . . . . . . . . . . . . . . Curvas I-V para os diferentes valores de Rs e Rp do painel BP MSX 110 Figura com subguras . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . xi . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

Lista de Figuras 4.16 4.17 4.18 4.19 4.20 4.21 4.22 4.23 4.24 4.25 4.26 4.27 4.28 4.29 4.30 4.31 4.32 4.33 4.34 4.35 4.36 4.37 4.38 4.39 4.40 4.41 4.42 4.43 4.44 4.45 4.46 4.47 Curva I-V ajustada do painel BP MSX 110 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . Curva P-V ajustada do painel BP MSX 110 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . Curva I-V ajustada do painel BP MSX 110 em funo da temperatura . . . . Curva P-V ajustada do painel BP MSX 110 em funo da temperatura . . . . Curva I-V ajustada do painel BP MSX 110 em funo da irradincia . . . . . Curva P-V ajustada do painel BP MSX 110 em funo da irradincia . . . . . Curvas caractersticas I-V de um painel BP MSX 110 fornecido pelo fabricante Smbolo de um MOSFET . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . Curva caracterstica de um MOSFET . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . Diagrama da unidade de teste . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . Esquema implementado em PSIM . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . Resultado da simulao do circuito . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . Curva da corrente em funo da tenso . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . Esquema implementado em OrCAD . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . Resultado da simulao do circuito . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . Curva da corrente em funo da tenso . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . Circuito e seus componentes . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . Fluxograma para as vrias etapas da aplicao . . . . . . . . . . . . . . . . . Aparncia da aplicao . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . Janela de insero dos valores referentes a um painel fotovoltaico . . . . . . . Curva caracterstica consoante os valores caractersticos do painel em questo Valores adquiridos . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . Figura com subguras . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . Figura com subguras . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . Sistema instalado no telhado do edifcio X . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . Fluxograma dos procedimentos a utilizar no teste . . . . . . . . . . . . . . . . Curva caracterstica I-V do painel em estudo em condies tpicas . . . . . . . Valores de corrente e tenso adquiridos pelo circuito . . . . . . . . . . . . . . Curva caracterstica I-V adquirida . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . Curva caracterstica P-V adquirida . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . Valores adquiridos de corrente . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . Valores adquiridos de tenso . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 43 43 44 44 45 45 45 47 47 48 50 50 51 51 52 52 53 54 55 55 56 56 57 57 58 59 60 61 61 62 62 63

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Lista de Tabelas
2.1 Diferenas entre as diversas solues descritas . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3.1 Rendimento das diferentes clulas fotovoltaicas . . . . . . . . . . . . . . . . . 4.1 Caractersticas do painel fotovoltaico BP MSX 110 . . . . . . . . . . . . . . . 4.2 Caractersticas do painel fotovoltaico em teste . . . . . . . . . . . . . . . . . . 13 20 33 59

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Lista de Tabelas '

LISTA DE SMBOLOS
AC DC G I
ISC Ipv Imax Id I0 iD

xima

Corrente alternada Corrente continua Irradincia solar global na superfcie da Terra Intensidade de corrente Corrente de curto-circuito de uma clula ou mdulo fotovoltaico Corrente gerada pelo painel Corrente produzida pela clula ou mdulo fotovoltaico no ponto de potncia mCorrente que circula atravs do dodo Corrente de saturao reversa do dodo Corrente que atravessa o dreno do MOSFET Constante de Boltzmann Metal Oxide Semiconductor Field Eect Transistor Factor de idealidade do dodo Potncia do mdulo Potncia mxima na curva caracterstica de uma clula ou mdulo fotovoltaico Carga elctrica do electro Resistncia srie de uma clula ou mdulo fotovoltaico Resistncia paralelo de uma clula ou mdulo fotovoltaico Condies de teste standard Temperatura da clula Tenso ou diferena de potencial Tenso aplicada aos terminais do dodo Tenso entre o dreno e a fonte Tenso entre a porta e a fonte Tenso para que ocorre a potncia mxima de uma clula ou mdulo fotovoltaico Tenso em circuito abreto Potencial trmico Tenso no limiar (valor de threshold)

K MOSFET m

P q

Pmax Rs Rp

STC

V
VD VDS VGS Vmax VOC VT Vt

Captulo 1

Introduo
1.1 Enquadramento

Desde os tempos mais remotos, o homem utiliza diferentes formas de energia. Antigamente, utilizava-se a energia trmica proveniente da queima de troncos de rvores para obter calor e iluminao nos perodos nocturnos. Com o passar dos tempos, a dependncia do homem do uso de energia e do desenvolvimento do sector industrial, bem com da utilizao de equipamentos electromecnicos nas mais diversas actividades, fez com que a procura de energia sofresse aumentos exponenciais nas ltimas dcadas. O aumento da procura de energia aliado aos baixos investimentos realizados no sector da gerao de energia (fontes renovveis), resultou num perodo de colapso no sistema energtico, bem como num impacto ambiental bastante negativo, aumentando demasiado a emisso de gases para a atmosfera. No incio da dcada de 80, face ao crescimento da procura de energia elctrica e escassez de combustveis fsseis, as energias renovveis ganharam mais destaque, pois, alm de serem inesgotveis, praticamente no trazem danos ao meio ambiente. Poder considerar-se a energia fotovoltaica uma das mais promissoras, uma vez que aproveita a energia gerada pelo sol, abundante na escala terrestre do tempo, tanto como fonte de calor como de luz. Nos sistemas fotovoltaicos a energia proveniente do sol transformada directamente em electricidade. Um painel fotovoltaico constitudo por clulas, que so os dispositivos responsveis pela transformao da radiao solar em electricidade. Uma das principais caractersticas destes sistemas a possibilidade de dimensionamento, ou seja, os sistemas disporem de um conjunto de painis para produzir uma determinada quantidade de energia, existindo a hiptese de se poder aumentar o nmero de painis caso seja necessrio. A energia fotovoltaica inicialmente apresentava custos muito elevados. As primeiras clulas fotovoltaicas produzidas apresentavam um custo de US$600/W, mas com o evoluir dos tempos e a aplicao em pequenas reas, utilizando novos materiais semicondutores, permitiram o desenvolvimento da tecnologia de produo das clulas levando a que o custo de produo de energia dos sistemas fotovoltaicos atingisse nos dias de hoje nveis mais atractivos (US$8/W) [1], para a produo de energia. 3

Captulo 1. Introduo

Os sistemas fotovoltaicos apresentam diversas vantagens tais como: total ausncia de poluio; autonomia (visto no precisar de conexo rede elctrica ou a qualquer suplemento de combustveis fsseis); tempo de vida elevado para os painis; expanso medida das necessidades bastando para isso adicionar mais painis ao sistema. Este conjunto de caractersticas activou, nos pases preocupados com a reduo dos efeitos ambientais no sector energtico, estmulos para a implementao de sistemas fotovoltaicos em reas urbanas para operarem em paralelo com a rede elctrica convencional.

1.2

Objectivo da Dissertao

O objectivo desta dissertao a caracterizao automtica de um painel fotovoltaico, representando a curva caracterstica I-V. A curva caracterstica de um painel fotovoltaico um factor muito importante, quer na construo do painel, quer na obteno em tempo real dos pontos de potncia mxima, tenso em circuito aberto, corrente em curto-circuito e tambm no desempenho a longo prazo dos sistemas fotovoltaicos. Neste contexto torna-se evidente a importncia da correcta caracterizao dos sistemas fotovoltaicos. Esta caracterizao completa envolve ensaios elctricos e mecnicos. a partir da anlise da curva caracterstica corrente versus tenso (curva I-V) que so obtidos os principais factores que denem o comportamento elctrico de um painel fotovoltaico. Factores externos, tais como, irradincia no uniforme incidente no painel, uma brusca diferena de temperatura, instrumentos de medidas elctricas no calibrados ou inadequados, entre outros, so potenciais erros que podem reectir-se na distoro da curva caracterstica do painel e consequentemente no valor da potncia mxima. Para atingir o objectivo da dissertao, desenvolveu-se, um circuito para adquirir os valores da corrente e tenso do painel e uma aplicao em MATLAB para tratamento de dados e visualizao da curva. Este sistema, circuito e aplicao, permitem avaliar o desempenho de um painel fotovoltaico. Na aplicao desenvolvida, representa-se a curva I-V medida sobreposta com a curva I-V fornecida pelo fabricante, para concluir se o painel apresenta um bom rendimento.

1.3

Estrutura da Dissertao

Nesta dissertao alm deste captulo introdutrio, so apresentados mais quatro captulos onde se descrevem as principais caractersticas de um painel fotovoltaico e as metodologias utilizadas para alcanar o objectivo proposto. No segundo captulo demonstrado o interesse pelo mundo nas energias renovveis e as suas formas de aplicao. tambm neste captulo que se explica o objectivo desta dissertao, em consonncia com o que foi desenvolvido por outros investigadores. 4

1.3. Estrutura da Dissertao

No terceiro captulo explorado a vertente terica sobre painis fotovoltaicos. Descrevese o seu percurso histrico, observado pela primeira vez por Edmund Becquerel em 1839. tambm explicado o funcionamento das clulas, descrevendo o efeito fotovoltaico, os diferentes materiais de construo, os diversos tipos de conexes e as curvas e pontos fundamentais de clulas fotovoltaicas. ainda abordada a radiao solar explicando o seu efeito numa clula e os possveis esquemas de ligao de um sistema fotovoltaico. O quarto captulo composto pela componente prtica da dissertao, comeando por referenciar e explicar detalhadamente o modelo matemtico de uma clula fotovoltaica e, posteriormente, a sua simulao em PSIM e MATLAB. Apresenta-se o circuito e aplicao desenvolvidos para a caracterizao automtica de um painel fotovoltaico. No quinto captulo so apresentadas as concluses do trabalho desenvolvido, nos termos dos captulos anteriores, bem como sugestes para desenvolvimento de trabalhos futuros.

Captulo 1. Introduo

Captulo 2

Estado de Arte
A elevada preocupao da sociedade com os problemas ambientais e a escassez de combustveis fsseis, promoveu o desenvolvimento de medidas para tentar suster o aumento indiscriminado do uso de combustveis fsseis poluentes, reduzir a emisso de gases e, por conseguinte, incentivar o uso de energias renovveis. Assim, nos dias de hoje vemos um grande desenvolvimento das reas relacionadas com as energias renovveis nomeadamente com a energia fotovoltaica. No desenvolvimento dos sistemas fotovoltaicos, os investigadores/projectistas tm encontrado algumas diculdades relacionadas com a incerteza dos parmetros ambientais (irradincia e temperatura), aos quais os painis fotovoltaicos so submetidos durante a sua operao. Estas grandezas envolvidas no podem ser medidas com preciso pelos sentidos humanos. Pois impossvel a um Ser Humano quanticar a radiao solar ou a temperatura, sem que possua os instrumentos adequados para o efeito. No caso do estudo de sistemas fotovoltaicos, alm dos parmetros elctricos de sada (corrente e tenso do painel fotovoltaico), os parmetros de entrada, a irradincia e temperatura no podem ser apenas valores estimados. Assim, preciso efectuar a medio das grandezas elctricas e dos parmetros ambientais com rigor e de forma precisa, recorrendo a equipamentos adequados. Assim, com a nalidade de estudar o comportamento dos sistemas fotovoltaicos, este trabalho apresenta um projecto para a caracterizao automtica de um painel fotovoltaico. Descrevem-se os circuitos e programas desenvolvidos e implementados para a obteno de cada parmetro de um sistema fotovoltaico. Para a aquisio da curva caracterstica de um painel fotovoltaico foram desenvolvidos vrios estudos e solues. O Instituto de Educao Cles, envolvido no programa de educao cientca proporcionada pela Fundao Caritro [2], apresenta um esquema bastante simples que consiste num pequeno conjunto de equipamentos, um painel fotovoltaico, uma resistncia varivel, um ampermetro para medir a corrente e um voltmetro para medir a tenso, geradas respectivamente, pelo painel. a resistncia que simula uma carga externa. Aps a interligao destes equipamentos, como se pode observar na gura 2.1, possvel avanar com a simulao registando 7

Captulo 2. Estado de Arte os valores numa tabela. Realizada a simulao e com os valores representados na tabela possvel desenhar a curva caracterstica I-V.

Figura 2.1: Sistema para aquisio das caractersticas de um painel fotovoltaico [2] No decorrer da experincia, para se obter os valores da corrente e tenso, necessrio variar a resistncia manualmente, e medida que se vai variando a resistncia registam-se os valores referidos numa tabela. Um dos inconvenientes desta soluo passa pelo facto de, sempre que se varia a resistncia, ter de se anotar os valores correspondentes corrente e tenso. Ou seja, pelo facto da experincia ser realizada manualmente e com tarefas em simultneo existe uma forte possibilidade de ocorrerem erros, pois no permitido ao Ser Humano realizar operaes em milsimos de segundo e, tambm porque o processo pode tornar-se complicado e cansativo, se for repetido diversas vezes. Mas em contrapartida a sua implementao bastante simples e de baixo custo. Em [3], proposto um circuito para obter a curva caracterstica I-V de painis fotovoltaicos de baixa potncia com correntes at 5A, de fcil implementao e baixo custo. A ideia inicial obter a curva dos painis de forma automtica com a utilizao de um micro controlador, facilitando o processo e reduzindo os erros humanos na medio dos valores. No artigo so apresentadas duas formas de controlar a tenso de referncia, que o pontochave do projecto. atravs do controlo da tenso, que permitido encontrar as coordenadas I-V de um painel. O primeiro modo, ser controlar manualmente a tenso atravs de um divisor de tenso e o segundo modo seria atravs de um micro controlador que no foi implementado mas ca como ideia para projectos futuros. No circuito proposto na gura 2.2, o amplicador operacional (AmpOp) alimentado por uma tenso contnua VCC de origem externa. Para garantir que no ocorrem possveis interferncias entre tenses do painel e do circuito acrescentou-se um dodo para assegurar que a corrente inversamente polarizada no circule pelo circuito. No terminal no inversor do AmpOp, foi acrescentada uma tenso de referncia e atravs do curto-circuito entre os terminais do AmpOp, uma tenso Vref imposta por R1 , pois um dos terminais da resistncia est ligado ao terminal inversor do AmpOp. Pela Lei de Ohm, V 8

= R x I, que por sua vez, I = Vref /R1 , R1 possui um valor xo, pois a corrente I vai variando medida que Vref varia. Assim, pode-se observar as coordenadas de um painel, desde circuito aberto (sem carga) at ao curto-circuito (resistncia nula). As resistncias R2 e R3 , representadas no circuito da gura 2.2 em srie com o potencimetro, so utilizadas para obter uma maior preciso na aquisio dos valores de tenso e corrente. Est ainda representado no circuito, uma chave de seleco que teria como objectivo seleccionar entre o modo manual e automtico.

Figura 2.2: Sistema para aquisio das caractersticas de um painel fotovoltaico [3]

Figura 2.3: Sistema para aquisio das caractersticas de um painel fotovoltaico [3] Pela observao das guras 2.2 e 2.3, pode-se concluir que esta soluo apresenta um esquema mais elaborado em comparao com a gura 2.1. Foram inseridos alguns componentes para garantir uma maior preciso dos dados. Mas relativamente leitura dos dados depara-se com o mesmo tipo de problema que o modelo anterior, ou seja, uma vez que so utilizados dois multmetros para a leitura e o registo dos dados realizado manualmente, possibilita a 9

Captulo 2. Estado de Arte ocorrncia de erros. Outros sistemas foram desenvolvidos por Prieb e Hecktheu [4, 5], que apresentam uma soluo um pouco mais elaborada. Os autores no se limitaram apenas a adquirir os sinais da corrente e tenso, mas tambm a aplicar dispositivos para a leitura dos valores da temperatura e irradincia. Na gura 2.4 est representado o esquema de ligao dos equipamentos. Como se pode observar na gura 2.4, o sistema dispe de diversos equipamentos para medio e aquisio dos diversos dados necessrios para a caracterizao de um painel fotovoltaico na construo da curva caracterstica I-V, bem como os valores da temperatura e irradincia. Na gura esto representados o painel fotovoltaico em teste, uma clula de referncia do mesmo material que o painel para a medir a irradincia e os equipamentos so: um computador para tratamento e armazenamento dos dados, 3 multmetros (Hewellt Packard HP34401A de grande preciso, com capacidade de armazenagem at 512 leituras e que permitem a ligao ao computador atravs da interface GPIB) utilizados para registar os valores da corrente e tenso do painel fotovoltaico e da irradincia, uma fonte de tenso (Kepco BOP 50-20) que simboliza a carga electrnica e uma placa de aquisio de dados (da Hewellt Packard HP34970A) para a medio da temperatura.

Figura 2.4: Sistema para aquisio das caractersticas de um painel fotovoltaico [5] Os testes decorreram ao ar livre, utilizando radiao solar proveniente do Sol. A realizao dos testes comea com a medio da temperatura, medida por um termopar colocado no painel. Uma vez atingida a temperatura 25 C retirado o termopar do painel e disparada a fonte que ir polarizar o mesmo desde o curto-circuito at ao circuito aberto. Este processo controlado pelo computador. A corrente que circula pelo painel fotovoltaico medida a partir da queda de tenso sobre a resistncia e a tenso medida directamente nos terminais do painel. Os sinais, quer da tenso do painel, quer da tenso da resistncia (utilizada para medir a corrente do painel) bem como a tenso da clula de referncia (utilizada para medir a irradincia), so medidos simultaneamente atravs dos multmetros e posteriormente armazenados no computador. 10

O processo para aquisio da curva caracterstica I-V, demora aproximadamente 2 segundos, e so adquiridos 500 pares de pontos I-V. A temperatura medida duas vezes, no incio e no m da aquisio dos pares de pontos, sendo utilizada uma placa de aquisio de dados Hewlett Packard HP 34970 para exportar os dados para o PC. importante salientar que, no ensaio, a taxa de variao da temperatura no relevante, mas sim garantir que a temperatura no varie muito durante o teste. O controlo dos instrumentos utilizados e aquisio de dados realizado atravs do software TRACER 1.0, que foi desenvolvido no Laboratrio de Energia Solar da Universidade Federal do Rio Grande do Sul (UFRGS). Andr Tomaz de Carvalho [6], apresenta uma proposta de monitorizao constante da operao de painis fotovoltaicos inseridos num sistema isolado e num sistema interligado com a rede elctrica. A monitorizao realizada em condies reais, ou seja, os painis esto expostos ao ar livre directamente sob a radiao solar. O trabalho consiste na medio dos valores a cada minuto e no armazenamento dos dados, sendo depois disponibilizados numa pgina da internet. O estudo consiste na monitorizao dos parmetros elctricos (variveis de sada), e nos parmetros ambientais (variveis de entrada) dos sistemas fotovoltaicos, como ilustra a gura 2.5.

Figura 2.5: Sistema para aquisio das caractersticas de um painel fotovoltaico [6] utilizado um sensor adequado para medir o valor de cada parmetro, devolvendo um sinal referente a cada um. Esse sinal passa por um circuito condicionador de sinal, colocando-o em condies de ser lido pela placa de aquisio de dados. Em seguida, os sinais so tratados e armazenados por um programa. Depois de armazenados, os dados so colocados numa pgina da internet para visualizao. Para a aquisio dos valores dos parmetros ambientais instalou-se, no painel, um sensor para medir a irradincia (piranmetro) e quatro sensores para medir a temperatura (dodos), colocando um na parte frontal do painel (exposta ao sol) e os restantes trs na parte de trs do painel. No sistema isolado foram instalados, um sensor de corrente e um sensor de tenso, tanto no painel como no banco de baterias. No sistema interligado rede elctrica colocou-se 11

Captulo 2. Estado de Arte um sensor de corrente e um sensor de tenso no painel. O sistema proposto divide-se em duas componentes: a bancada de aquisio de dados e os circuitos colocados no topo do edifcio. A bancada de aquisio de dados contempla uma fonte de tenso simtrica de 12V, os circuitos para a medio dos parmetros elctricos (tenso e corrente) e um computador destinado ao armazenamento de dados. Os circuitos colocados no topo do edifcio consistem no painel fotovoltaico e nos sensores para a medio dos parmetros ambientais (irradincia e temperatura), que so posteriormente enviados para a bancada de aquisio de dados para tratamento e armazenamento. Para o tratamento dos dados, foi desenvolvido um software em Turbo Pascal for Windows que recebe os dados directos da placa de aquisio de dados. este software que controla todo o processo desde o incio, passando pela aquisio dos dados, tratamento, armazenamento, e visualizao na pgina da internet. Yingying Kuai [7], apresenta uma proposta de monitorizao das curvas caractersticas IV e P-V de um painel fotovoltaico. O trabalho apresenta uma carga electrnica (MOSFET) para testar um conjunto de painis fotovoltaicos. A gura 2.6 ilustra o esquema utilizado para a representao das curvas caractersticas corrente/tenso e potncia/tenso. No esquema utilizado um divisor de tenso para ser possvel a sua visualizao nos osciloscpios. Neste sistema dever ainda ser implementado o controlo de MOSFET para que a curva possa ser "varrida". Com este sistema possvel testar painis fotovoltaicos em qualquer lugar, bastando para isso dispor de um osciloscpio (para visualizao das curvas) e do esquema com todos os seus componentes implementados, como representa a gura 2.6.

Figura 2.6: Sistema para aquisio das caractersticas de um painel fotovoltaico [7] As propostas apresentadas pelos diversos autores anteriormente descritas podem dividir-se em dois grupos. No primeiro grupo os sistemas so simples e de fcil implementao ([2, 3]) e no segundo grupo, os sistemas apresentam alguma complexidade e com recursos que merecem alguma percia por parte do projectista para a sua implementao ([4, 5, 6, 7]). 12

Para uma melhor visualizao e comparao dos trabalhos apresentados, apresenta-se em seguida uma tabela com as caractersticas mais importantes de cada um. Tabela 2.1: Diferenas entre as diversas solues descritas
Caractersticas Fundao Calitro Esquema Complexidade de Implementao Utilizao Complexo Corrente, Dados adquiridos tenso Complexo Corrente, tenso Simples Corrente, tenso, temperatura, irradincia Variao de carga Possibilidade de erros de leitura Aquisio de dados Tratamento de Dados (software) Realizao dos testes Custos de equipamentos Laboratrio Baixo Laboratrio Baixo Condies reais Elevado Condies reais Mdio Condies reais Baixo Manual No Manual No Automtica Sim Automtica Sim Manual No Manual Sim Manual Sim Automtica No Simples Corrente, tenso, temperatura, irradincia Automtica No Automtica No Complexo Corrente, tenso Simples Simples Simples Simples Santos Sistemas propostos Prieb e Heckethrue Complexo Complexo Andr Caravalho Complexo Complexo Yingying Kuai Complexo Complexo

Em seguida, descreve-se de forma sucinta o signicado de cada caracterstica, para uma melhor percepo do teor exibido na tabela anterior:
Esquema - uma anlise sobre a concepo do sistema a implementar; Complexidade de implementao - saber se simples ou complexa a implementao

apresentada em cada soluo;

Utilizao - manuseamento do circuito depois de concebido; Dados adquiridos - que tipo de dados so analisados em cada soluo; Variao da carga - a variao da carga para a obteno dos valores de corrente e

13

Captulo 2. Estado de Arte tenso realizada manualmente (variao de uma resistncia ou potencimetro) ou realizada automaticamente, atravs de uma fonte de tenso controlada por computador;
Possibilidade de erros na leitura dos dados - existe a possibilidade de, no processo

de aquisio dos dados, ocorrerem erros de leitura;

Aquisio de dados - a aquisio dos dados realizada manualmente (leitura atravs

de um multmetro e registo numa tabela) ou realizada automaticamente, atravs de um computador;

Tratamento de dados - aps a aquisio dos dados, a soluo dispe de um software

para a anlise e visualizao;

Realizao de teste - descreve como os testes so realizados, ou em laboratrio ou em

condies reais, com o painel exposto radiao solar;

Custos de equipamentos - preo total da soluo apresentada.

2.1

Contribuio da dissertao

Esta dissertao prope um prottipo e uma aplicao que permite a visualizao da curva caracterstica I-V. O prottipo desenvolvido constitudo por um painel fotovoltaico, um MOSFET para simular a carga e uma placa de aquisio de dados para transmitir os dados para o computador. No computador desenvolveu-se uma aplicao em MATLAB, para visualizar os resultados. Da interligao do prottipo com a aplicao resultou num sistema para aquisio da curva caracterstica I-V. Este sistema permite caracterizar um painel fotovoltaico em qualquer ambiente real, devido sua portabilidade e fcil utilizao. Importa referir que a aplicao desenvolvida nesta dissertao permite uma fcil interpretao dos resultados obtidos bem como, a visualizao do resultado terico ideal consoante as circunstncias reais dos testes atravs da insero dos valores caractersticos. Em termos conclusivos, esta dissertao contribui para uma melhor avaliao do desempenho de painis fotovoltaicos, recorrendo a um sistema constitudo por componentes de baixo custo.

14

Captulo 3

Energia Solar Fotovoltaica

3.1 A Radiao Solar

O sol imprescindvel para a existncia e manuteno de seres vivos e da natureza no planeta: a nossa fonte de energia. Caracteriza-se por ser um recurso constante e imensurvel, podendo-se dizer que praticamente inesgotvel, fornecendo anualmente 10.000 vezes o consumo mundial de energia (avaliada em 1,5 x 1018 KWh) [8]. A superfcie terrestre recebe constantemente radiao solar, cuja distribuio alterada medida que passa atravs das nuvens, vapor de gua, gases, poeiras e vegetao. A radiao solar, aps atravessar a atmosfera, atinge a superfcie terrestre de trs formas distintas:
Radiao directa - atinge directamente a superfcie terrestre; Radiao difusa - desviada em diferentes direces pelos componentes da atmosfera; Radiao reectida - reectida pelo solo e objectos circundantes.

As trs formas de radiao solar que atingem a superfcie terrestre, a directa, a difusa e a reectida encontram-se exemplicadas a vermelho, verde e amarelo respectivamente na gura 3.1. A restante radiao solar existente absorvida ou reectida para fora da atmosfera pelos vrios elementos da atmosfera tambm exemplicado na gura 3.1 [1].

Figura 3.1: Distribuio da radiao solar, Fonte: http://www.energiasrenovaveis.com/

15

Captulo 3. Energia Solar Fotovoltaica O movimento da Terra em torno do Sol, descreve uma trajectria elptica com inclinao aproximadamente de 23, 5 em relao ao plano equatorial. Devido inclinao, cada hemisfrio recebe diferentes quantidades de energia, que associadas translao da terra determinam as estaes do ano: Primavera, Vero, Outono e Inverno [1]. Os movimentos efectuados pela Terra so o de rotao e o de translao. A rotao o movimento que a Terra faz em torno do seu eixo e a translao o movimento que a Terra realiza em torno do sol. Devido ao formato e movimento da Terra, o aproveitamento da energia solar fotovoltaica est directamente dependente da orientao e inclinao dos painis. Estes factores devem ser analisados para cada aplicao [9]. Uma vez que a produo de energia depende da radiao solar que incide nos painis, estes devero estar orientados de forma a receberem a maior exposio solar possvel ao longo do ano [1]. No caso da inclinao, depende da sua aplicao. Para sistemas isolados necessrio maximizar a produo de energia em alturas de menor radiao, necessitando de um ngulo de inclinao maior. Para sistemas ligados rede, em que o objectivo maximizar a produo anual de energia, necessrio de um ngulo menor [1, 9].

3.2

Contexto Histrico

Os principais momentos da histria das clulas fotovoltaicas:

1839 : Edmond Becquerel, descobriu o efeito fotovoltaico; 1873 : Willoughby Smith descobriu o efeito fotovoltaico num material semi-condutor (selnio); 1876 : Adams e Days detectaram o efeito fotovoltaico no selnio e constroem a primeira clula fotovoltaica com rendimento estimado de 1%; 1883 : Charles Fritts, descreveu as primeiras clulas constitudas a partir de junes de selnio; 1905 : Albert Einstein, props a ideia dos "Quanta de Luz"(os actuais ftons) e mostrou como poderiam ser utilizados para explicar fenmenos como o efeito fotovoltaico; 1954 : Anunciada a primeira clula fotovoltaica utilizando silcio, produzida nos laboratrios Bell; 1958 : Primeiras aplicaes espaciais, satlites Vanguard e Explorer; 1959 : Primeiras clulas de silcio multicristalino; 1976 : Primeiras clulas de silcio amorfo; 1990 : A dcada de 90 marcada pelo aparecimento das clulas de pelcula na; 2004 : Os cinco fabricantes (Sharp, Kyocera, Shell Solar, Bp Solar e RWE SHOTT SOLAR) formam 60% do mercado fotovoltaico; 2007 : Investigadores da Universidade de Delaware, Estados Unidos, desenvolvem clula fotovoltaica com rendimento de 42, 8%.

Em 1839, Alexander Edmond Becquerel, fsico francs descobriu o efeito fotovoltaico. Mas s em 1883 por Charles Fritts, foi produzida a primeira clula fotovoltaica utilizando selnio, a caracterstica de fotocondutividade deste material foi descoberta por Smith em 1983 [10]. A clula de selnio apresentava um rendimento inferior a 1%, mas com a evoluo cientca do incio do sculo XX, e em 1905 a teoria de Albert Einstein sobre o efeito fotovoltaico, referia que a mecnica quntica com a teoria das bandas de energia, fsica dos condutores com 16

3.2. Contexto Histrico os processos de puricao e dopagem aplicadas aos transmissores [11]. A primeira gerao de clulas fotovoltaicas teve incio em 1954 quando os laboratrios Bell, atravs de testes a materiais semicondutores, descobriram acidentalmente que o silcio dopado era extremamente sensvel luz [10, 11]. Esta descoberta teve como resultado a produo da primeira clula com rendimento de 6%, o que levou os Estados Unidos da Amrica em 1958 a adicionarem as primeiras clulas fotovoltaicas no seu satlite Explorer [11]. Esta nova gerao de energia viabilizou o desenvolvimento e o lanamento de satlites de posicionamento global e comunicaes, resultando num grande investimento na investigao e aperfeioamento das clulas fotovoltaicas. Em 2007, investigadores da Universidade de Delaware nos Estados Unidos, conseguiram bater o recorde de ecincia energtica de uma clula fotovoltaica (silcio), atingindo um rendimento de 42, 8% de converso sobre condies normais de iluminao [12].

3.2.1

As Clulas Fotovoltaicas

A primeira gerao de clulas fotovoltaicas consiste numa juno simples p-n de material cristalino capaz de produzir energia elctrica a partir da luz solar [13]. A segunda gerao de clulas fotovoltaicas, baseia-se no uso de pequenos depsitos de semicondutores em cada clula, existindo dois tipos: o espacial e o terrestre. As clulas espaciais tm maior rendimento (28% a 30% em laboratrio) utilizadas apenas para satlites e estaes espaciais devido ao seu elevado custo de produo. Por outro lado as clulas terrestres que tm um rendimento mais baixo (7% a 9% em laboratrio) um custo de produo tambm mais baixo [14]. Esta tecnologia de clulas de segunda gerao possibilitou a produo de mdulos translcidos, e maleveis. Neste momento, esto em desenvolvimento as clulas denominadas de "clulas-nas"baseadas em Arsenieto de Glio (GaAs), com uma ecincia superior a 37%, para serem utilizadas em aplicaes que necessitem de elevada ecincia [13]. A terceira gerao de clulas fotovoltaicas reside em propsitos diferentes das anteriores geraes baseadas em semicondutores. Para aplicaes espaciais esto em desenvolvimento dispositivos base de nanotubos de carbono, que tm uma ecincia prevista de 45%. Para utilizaes terrestres tambm esto em desenvolvimento clulas solares de efeito fotoelectroquimico, base de polmeros e de micro cristais [13]. Pondera-se o aparecimento de uma quarta gerao, que permitir uma maior ecincia e um menor custo, tendo por base uma mistura de polmeros e nanoparticulas, criando uma camada multiespectro. Esta tecnologia , actualmente, utilizada pela NASA nas viagens a Marte, estando em desenvolvimento para utilizao terrestre num futuro prximo. Actualmente o perl de consumo mundial diferente em utilizaes terrestres e espaciais devido ao seu custo e rentabilidade. Cerca de 90% das aplicaes de clulas fotovoltaicas em ambiente espacial feita com clulas de 2a gerao sendo o restante utilizado de 1a gerao. J o consumo terrestre tem nas clulas de silcio a maior concentrao 86% do mercado global actualmente. 17

Captulo 3. Energia Solar Fotovoltaica

3.3 Efeito Fotovoltaico

O efeito fotovoltaico consiste, na transformao de energia solar em energia elctrica, ou seja, na transformao de energia que proporcionam os fotes (partculas de luz) incidentes sobre os materiais semicondutores, em electricidade. De entre os materiais mais utilizados destaca-se o silcio, que produzem uma corrente elctrica quando atingidos pela radiao luminosa. Tudo comeou com os tomos que absorvem os fotes (partculas de luz) e transferem a sua energia para os electres, que assim se libertam e atravs de um campo elctrico interno so conduzidos para os contactos, produzindo assim a corrente na clula fotovoltaica. Uma clula fotovoltaica constituda por cristais de silcio puro no produz energia elctrica. Para produzir energia elctrica, necessrio que exista um campo elctrico, ou seja, uma diferena de potencial entre as duas zonas da clula. A diferena de potencial numa clula fotovoltaica ocorre atravs do processo de dopagem do silcio, que consiste na introduo de elementos estranhos com o objectivo de alterar as propriedades elctricas do silcio. A dopagem do silcio cria na clula duas camadas, uma tipo p e outra tipo n, que possuem, respectivamente, um excesso de cargas positivas e negativas relativamente ao silcio [15]. Partindo do silcio puro, pode-se introduzir tomos de boro numa camada e tomos de fsforo na outra, formando o que se chama juno pn. O que ocorre na juno pn que os tomos livres do lado n passam para o lado p onde encontram buracos que os apreendem. Estas cargas capturadas do origem a um campo elctrico permanente que diculta a passagem dos electres do lado n para o lado p. Se a juno pn for exposta a fotes ocorrer a gerao de pares electro-lacuna, gerando assim, uma corrente atravs da juno. Este deslocamento de cargas d origem a uma diferena de potencial que se denomina de efeito fotovoltaico [14, 16].

Figura 3.2: Princpio de funcionamento de uma clula fotovoltaica, Fonte: http://www.electronica-pt.com Em 1839, Edmond Becquerel descreve, o efeito fotovoltaico como sendo a diferena de potencial nos extremos de um material semicondutor. A primeira clula fotovoltaica foi construda em 1964 pelos laboratrios Bell e tinha a sionomia indicada na gura 3.2 [1]. As clulas fotovoltaicas podem ser ligadas em srie, constituindo um mdulo que exibe normalmente aos seus terminais uma tenso contnua de 12 V. Por sua vez, os mdulos podem ser ligados em srie/paralelo para aumentar a potncia do conjunto, constituindo o painel 18

3.4. Tipos de Clulas Fotovoltaicas fotovoltaico, como mostra a gura 3.3. O silcio deteriora-se ao longo do tempo, sobretudo o silcio amorfo, pese embora, os fabricantes garantam tempos de vida til na ordem dos 20 anos para os painis.

Figura 3.3: Desenvolvimento de um painel fotovoltaico, Fonte: Adaptada de http://www.aros.it/ Desde as suas primeiras aplicaes, na dcada de 50, estes sistemas tm evoludo bastante, o que tem proporcionado uma diminuio do seu custo de produo e uma insero cada vez maior no mercado da energia. O custo da energia fornecida por estes sistemas relativamente baixo, armando-se como uma potencial soluo para os consumidores domsticos em regies rurais isoladas (sem rede elctrica).
3.4 Tipos de Clulas Fotovoltaicas

Uma clula fotovoltaica tem como propsito converter a energia proveniente do sol em energia elctrica. Esta converso realiza-se atravs do efeito fotovoltaico. Existem trs tipos de clulas fotovoltaicas mais comuns, as de silcio com cristais monocristalinos, com cristais policristalinos e as de silcio amorfo.
Silcio monocristalino - A clula de silcio monocristalino histrica e comercialmente

a mais utilizada na composio de painis fotovoltaicos. A uniformidade da estrutura molecular resulta da utilizao de um cristal nico, o que ideal para potenciar o efeito fotovoltaico. O rendimento mximo atingido em laboratrio ronda os 24%, o qual em utilizao prtica se reduz para cerca de 15%. A produo de silcio cristalino cara. Atingindo cerca de 60% do mercado [14, 16, 17].

Silcio policristalino - A clula de silcio policristalino constituda por um nmero

elevado de pequenos cristais da espessura milimtrica. Por este motivo os rendimentos em laboratrio e em utilizao prtica no excedem os 18% e 12%, respectivamente. Em contrapartida, o processo de fabricao mais barato do que o do silcio monocristalino. A utilizao desta clula representa uma quota de mercado de cerca de 30%. As descontinuidades da estrutura molecular dicultam o movimento de electres e encorajam a recombinao com as lacunas, o que reduz a potncia de sada [14, 16, 17]. eciente do que o silcio cristalino, pelo que possvel depositar uma na pelcula de silcio amorfo sobre um substrato (metal, vidro, plstico). Este processo de fabrico 19

Silcio amorfo - O silcio amorfo absorve a radiao solar de uma maneira muito mais

Captulo 3. Energia Solar Fotovoltaica ainda mais barato do que o silcio policristalino. Em laboratrio possvel obter rendimentos na ordem dos 13%, mas as propriedades conversoras do material deterioram-se na utilizao prtica, pelo que os rendimentos descem para cerca de 6%. Os equipamentos solares (calculadoras, relgios, entre outros) so habitualmente compostos com clulas de silcio amorfo, representando cerca de 4% do mercado [14, 16, 17]. A gura 3.4 mostra o aspecto das clulas fotovoltaicas de silcio.

Figura 3.4: Os diferentes tipos de clulas de silcio, (a)- monocristalina, (b)-policristalino, (c)- amorfo, Fonte:
http://www.domus-solaris.com/index.php?pg=16

Na tabela 3.1 observa-se uma comparao ao nvel de rendimento dos 3 tipos de clulas fotovoltaicas. Tabela 3.1: Rendimento das diferentes clulas fotovoltaicas
Clulas Rendimento tpico Monocristalinas Policristalinas Silcio amorfo 12-15% 11-14% 6-7% Rendimeno Mximo rendimento em aplicaes 22.7 % 15.3% 10.2% Mximo rendimento em laboratrio 24% 18.6% 12.7%

Pela tabela pode-se concluir que as clulas monocristalinas apresentam maior rendimento, embora representem 60% do mercado tem um custo de produo elevado. As clulas policristalinas e de silcio amorfo apresentam rendimentos inferiores mas custos de produo tambm inferiores.
3.5 Formas de Conexo de um Painel Fotovoltaico

Um mdulo fotovoltaico constitudo por inmeras clulas fotovoltaicas. A conexo das clulas dentro dos mdulos pode ser feita em srie ou em paralelo ou ento, em conexo mista. Os mdulos fotovoltaicos so conectados de modo a proporcionarem a tenso e corrente necessrias. Assim, quando necessrio uma tenso elevada, agrupa-se as clulas em srie. E 20

3.6. Caractersticas de um Painel Fotovoltaico quando se deseja uma corrente elevada, as clulas so agrupadas em paralelo. tambm possvel uma conexo mista, ou seja, em srie e paralelo, simultaneamente [1, 14]. Quando existir uma ligao em srie entre mdulos e se um dos mdulos dentro do sistema for encoberto por uma sombra, a potncia do sistema cair. Uma forma de resolver esta situao usar um dodo de "bypass"para cada mdulo (gura 3.5 a), assim, a corrente do sistema no se limitar corrente do mdulo encoberto. Este dodo serve de caminho alternativo para a corrente e limita a dissipao de calor do mdulo. Geralmente o uso do dodo de "bypass" feito no mdulo, o que torna os sistemas mais baratos, comparando com uma conexo do dodo a cada clula [16]. Outro problema que pode surgir, uma corrente negativa circular pelas clulas, ou seja, em vez do mdulo produzir corrente, passa a receber mais do que produz. Esta corrente pode causar diminuio na ecincia das clulas e, em casos mais drsticos, a clula pode ser separada do sistema provocando a perda total do uxo de energia do mdulo. Para evitar este tipo de problemas, pode se usar um dodo de bloqueio, que impede as correntes reversas de circularem pelo sistema, como ilustra a gura 3.5 b) [16].

Figura 3.5: a) dodo bypass e b) dodo de bloqueio

3.6

Caractersticas de um Painel Fotovoltaico

3.6.1

Curva Caracterstica I-V

Para a anlise do desempenho elctrico de um mdulo fotovoltaico imprescindvel o estudo da curva que relaciona a tenso com a corrente. Esta curva, denominada curva caracterstica I-V apresenta a mesma forma para qualquer painel fotovoltaico nas condies STC (Standard Test Conditions, irradincia de 1000W/m2 e temperatura 25 C ), como est ilustrado na gura 3.6 [18].

21

Captulo 3. Energia Solar Fotovoltaica

Figura 3.6: Curva I-V de um painel fotovoltaico [19] Na representao da curva caracterstica I-V considera-se que o painel est a produzir uma corrente positiva, quando recebe radiao solar, ou seja, o sol est a brilhar, e aplicada uma tenso positiva nos terminais do mesmo. Se os terminais do painel estiverem conectados a uma resistncia varivel R, o ponto de operao determinado pela interseco da curva caracterstica I-V do painel fotovoltaico com a recta de carga como ilustra a gura 3.6. Para uma carga resistiva, a caracterstica de carga uma linha recta com inclinao I/V = 1/R [19, 20]. Deve-se salientar que a potncia entregue carga depende unicamente do valor da resistncia. O funcionamento de um painel fotovoltaico pode ser de dois tipos. Se estiver na zona entre os pontos MN da curva e para um R pequeno, o painel considerado como uma fonte de corrente constante, sendo o valor da corrente igual ao da corrente de curto-circuito ISC . Se estiver na zona entre os pontos PS da curva com um R elevado, o seu comportamento como uma fonte de tenso constante e o valor da tenso igual ao valor da tenso em circuito aberto VOC . O painel transfere a potncia mxima na zona entre os pontos NP, e no ponto de coordenadas Imax e Vmax que o sistema disponibiliza a potncia mxima [19, 20]. Ainda no seguimento da gura 3.6, um painel fotovoltaico pode ser caracterizado pelos seguintes parmetros fundamentais [19, 20]:
Corrente de curto-circuito (Isc ) - corrente mxima que um dispositivo pode produzir,

correspondendo a tenso nula e consequentemente potncia nula.

Tenso de circuito-aberto (Voc ) - tenso mxima que um dispositivo pode produzir

correspondendo a corrente nula e consequentemente potncia nula.

Ponto de potncia mxima (Pmax ) - o valor mximo de potncia que um dispositivo

pode produzir. Corresponde ao ponto em que a curva P-V tem o seu valor mximo.

Corrente no ponto de mxima potncia (Imax ) - o valor da corrente para a

potncia mxima.

Tenso no ponto de mxima potncia (Vmax ) - valor da tenso para a potncia

mxima.

22

3.6. Caractersticas de um Painel Fotovoltaico

3.6.2 Ponto de Potncia Mxima

O ponto de potncia mxima o ponto de funcionamento ptimo, sendo este o ponto desejado para o funcionamento do painel. Mesmo no ponto de funcionamento ptimo, o painel tambm inuenciado por condies ambientais, mais concretamente pela temperatura e incidncia da radiao solar [30]. A gura 3.7 representa a curva caracterstica potncia versus tenso de um painel fotovoltaico.

Figura 3.7: Curva P-V de um painel fotovoltaico Fonte: adaptado [1] No caso da radiao solar, uma mudana na intensidade da radiao resulta numa variao na corrente de sada para qualquer valor de tenso. A corrente varia com a radiao de forma directamente proporcional. A tenso mantm-se praticamente constante, conforme se conclui a partir da gura 3.8.

Figura 3.8: Alterao da curva I-V com incidncia da radiao solar [30] Como se pode vericar na gura 3.8, o valor da corrente diminui com a diminuio do valor da radiao. O mesmo acontece com o ponto de potncia mxima (Pmax ) que tambm vai diminuir com a diminuio da radiao [30]. No caso da temperatura, uma mudana na temperatura resulta numa variao na tenso 23

Captulo 3. Energia Solar Fotovoltaica de sada para qualquer valor de corrente. A tenso varia com a temperatura de forma directamente proporcional, como se constata na gura 3.9.

Figura 3.9: Alterao da curva I-V com a variao da temperatura [30] Ao observar a gura 3.9, o valor da tenso diminui com o aumento da temperatura e o ponto de potncia mxima (Pmax ) tambm se altera (diminui) com o aumento da temperatura. Seguindo o mesmo pensamento, necessrio manter o ponto de funcionamento prximo do ponto de potncia mxima (Pmax ) de maneira a garantir a mxima ecincia do painel. A potncia igualmente afectada pelas condies ambientais, pois a potncia expressa por P = V I , como se apresenta na gura 3.10, para variaes de temperatura [30].

Figura 3.10: Alterao da curva P-V com a variao da temperatura [30]

3.7

Sistemas Fotovoltaicos

Os sistemas fotovoltaicos podem ser classicados em sistemas ligados rede ou sistemas isolados. Os sistemas so compostos por um conjunto de painis fotovoltaicos e por um conjunto de equipamentos complementares: baterias (armazenamento de energia), regulador de carga (unidade de controlo de potncia) e inversor. Estes componentes variam de acordo com a aplicao do sistema fotovoltaico.

24

3.7. Sistemas Fotovoltaicos

3.7.1 Sistemas Interligados Rede

Um outro modo de utilizar a energia fotovoltaica, consiste num sistema de energia interligado rede que actua como uma fonte de energia auxiliar. Os sistemas interligados rede podem ser centralizados ou distribudos. Os sistemas centralizados fornecem exclusivamente energia rede e os sistemas distribudos para alm da energia entregue rede fornecem tambm energia a cargas. Este sistema utiliza um elevado nmero de painis fotovoltaicos e no armazena energia, pois toda a energia produzida entregue rede e para consumo prprio. Todo o sistema interligado a inversores, que servem de elemento de interface entre o painel e a rede, de modo a adequar as grandezas elctricas em corrente contnua (DC) gerada pelo painel com a corrente alternada (AC) existente na rede. Estes inversores devem satisfazer as exigncias de qualidade e segurana para que a rede no seja afectada [1, 14]. Os sistemas interligados com a rede vm aumentar a capacidade de rentabilizao da utilizao de energia dos pases industrializados. Com as medidas da Unio Europeia em relao produo de energia atravs de energias alternativas, este sistemas podem ser um incentivo ao investimento de particulares, com algumas vantagens oferecidas pelos governos, com se verica em Portugal e em alguns pases da Unio Europeia.

Figura 3.11: Congurao bsica de um sistema interligado rede elctrica (centralizado)

Figura 3.12: Congurao bsica de um sistema interligado rede elctrica (distribudo)

3.7.2

Sistemas Isolados

Os sistemas isolados constituram o primeiro campo de operao econmica da tecnologia fotovoltaica. A aplicao deste tipo de sistemas, observa-se em regies onde o fornecimento de energia elctrica atravs da rede pblica, no se verica por razes tcnicas e/ou econmicas. Nestes casos, os sistemas fotovoltaicos podem constituir alternativas com uma vertente 25

Captulo 3. Energia Solar Fotovoltaica econmica de elevado interesse. Na prtica, os sistemas isolados precisam de armazenar energia, para compensar as diferenas entre a produo de energia e a procura de energia, para o funcionamento de equipamentos como luzes, bombas de gua, semforos, entre outros. As baterias recarregveis so apropriadas para a acumulao de energia [1, 14]. No caso de um sistema isolado em que o armazenamento da energia produzida feito por baterias, necessrio que o sistema disponha de:
Baterias - de modo a assegurar o abastecimento nos perodos em que o recurso insu-

ciente ou no est disponvel. As baterias so carregadas quando o recurso disponvel permite obter uma potncia superior potncia de carga.

Regulador de carga - tem como principal funo no deixar que ocorram danos nas

baterias por sobrecarga ou descarga total.

Inversor - quando existir a necessidade de alimentar equipamentos que funcionem em

corrente alternada.

Os sistemas isolados, encontram grandes oportunidades de mercado em pases em desenvolvimento, onde existem vastas zonas se fornecimento de energia elctrica. As sucessivas evolues tecnolgicas e a diminuio dos custos de produo nos pases industrializados, podero tambm contribuir para a generalizao deste tipo de aplicao. Este tipo de sistemas tambm pode ser aplicado em pequenos equipamentos nos quais s preciso um painel de pequena dimenso para o fornecimento de energia elctrica, podendo observar-se, por exemplo, em calculadoras, relgios, carregadores de pilhas ou baterias, lanternas e rdios.

Figura 3.13: Congurao bsica de um sistema isolado 26

3.7. Sistemas Fotovoltaicos

Os sistemas fotovoltaicos podem ainda fazer parte de sistemas hbridos. Os sistemas hbridos no esto ligados rede elctrica mas apresentam vrias fontes de gerao de energia, como por exemplo, turbinas elicas, gerao diesel, biomassa e painis fotovoltaicos, podendo estar interligados num nico sistema. A utilizao de vrias fontes de gerao de energia elctrica torna complexo o processo de controlo para uma mxima ecincia na entrega da energia [1, 14]. Em geral, os sistemas hbridos so implementados para sistemas de mdia a grande dimenso, de forma a contemplar um maior nmero de utilizadores. Devido grande complexidade dos sistemas e multiplicidades de opes, para maximizar um sistema necessrio um estudo personalizado para cada caso.

Figura 3.14: Congurao bsica de um sistema hbrido

27

Captulo 3. Energia Solar Fotovoltaica

28

Captulo 4

Caracterizao Automtica de um Painel Fotovoltaico

A caracterizao automtica de uma clula fotovoltaica, consiste na construo da curva I-V. Os parmetros que habitualmente so utilizados para caracterizar so a corrente em curtocircuito, a tenso em circuito aberto e o ponto de potncia mxima.

4.1

Modelo Elctrico de uma Clula Fotovoltaica

O conhecimento do modelo matemtico de uma clula fotovoltaica e consequentemente de um mdulo fotovoltaico essencial para o melhor entendimento do comportamento de um sistema de painis sob diferentes condies de operao. O circuito simplicado de uma clula fotovoltaica constitudo por uma fonte de corrente e um dodo. Este modelo pode ser considerado com uma aproximao ideal do seu funcionamento uma vez que no possui as resistncias associadas aos elementos parasitas [4, 15, 22, 23]. A gura 4.1 ilustra o circuito simplicado.

Figura 4.1: Modelo simplicado de uma clula fotovoltaica 29

Captulo 4. Caracterizao Automtica de um Painel Fotovoltaico

Ao observar a gura 4.1, reparamos que o circuito constitudo por uma fonte de corrente, que representa a corrente elctrica Ipv , gerada pelo feixe de radiao luminosa ao atingir a superfcie activa da clula (efeito fotovoltaico), enquanto Id a corrente que circula atravs do dodo. Aplicando a lei de Kircho ao circuito, podemos concluir que, a corrente I que a clula capaz de entregar carga a diferena entre a corrente Ipv e a corrente Id , expresso na equao 4.1: (4.1)

I = Ipv Id

A corrente que ui atravs do dodo, em funo da tenso, pode ser escrita pela equao 4.2:
VD ] 1} (m V T )

Id = I0 {exp[

(4.2)

Ao que corresponde:
I0 - corrente inversa de saturao do dodo; VD - tenso aplicada aos terminais do dodo; m - factor de idealidade do dodo (ideal m = 1, real m > 1); VT - designado por potencial trmico VT =
KT q ;

 K - representa a constante de Boltzmann (K = 1,38 x 1023 J/K);  T - temperatura absoluta da clula em K (K = 273, 16 + C );  q - carga elctrica do electro (q = 1,6 x 1019 C).

Atendendo a que VT =

K T q

, podemos substituir na equao 4.2 e obtem-se:

q .VD ] 1} mkT

Id = I0 {exp[

(4.3)

Substituindo a equao da corrente do dodo 4.3 na equao 4.1, resulta na corrente produzida pela clula fotovoltaica:
q V D ] 1} mkT

I = Ipv I0 {exp[

(4.4)

30

4.1. Modelo Elctrico de uma Clula Fotovoltaica

4.1.1 Pontos de Funcionamento de uma Clula Fotovoltaica

Existem dois pontos de operao da clula que merecem ateno, o ponto de curto-circuito e o ponto de circuito aberto. O ponto de curto-circuito o valor mximo da corrente, igual, portanto, corrente gerada pelo efeito fotovoltaico. O seu valor uma caracterstica da clula, sendo um dado fornecido pelo fabricante para determinadas condies de irradincia e temperatura (STC) [24]. Onde:
V = 0; Id = 0; I = Ipv = Isc ;

(4.5)

O ponto de circuito aberto o valor mximo de tenso nos terminais da clula. O seu valor fornecido pelo fabricante para determinadas condies de irradincia e temperatura (STC) [24]. Onde:
I = 0; Ipv = m VT ln(1 + ); I0

(4.6)

Voc

Este modelo no permite, contudo descrever correctamente o funcionamento da clula, dada a sua simplicidade. Assim, torna-se necessrio incluir alguns elementos adicionais no modelo para se obter uma descrio mais completa, obtendo-se o modelo da gura 4.2 [4, 15, 22, 23, 25].

Figura 4.2: Esquema elctrico de uma clula fotovoltaica Neste circuito mais complexo que caracteriza uma clula fotovoltaica real, a resistncia RS representa a resistncia dos contactos metlicos entre as clulas e entre o painel e a carga. A resistncia RP pode ser interpretada como uma resistncia de fugas [15, 22, 23, 25]. Considerando agora, o esquema elctrico da clula fotovoltaica representado na gura 4.2 e, aplicando as leis de Kircho novamente ao circuito, temos que a soma das correntes dada por: 31

Captulo 4. Caracterizao Automtica de um Painel Fotovoltaico

0 = Ipv Id IP I

(4.7)

E, analisando o mesmo circuito, sabendo que a corrente Id a corrente que atravessa o dodo representada na equao 4.3 e que VD = VL + I RS , pode-se deduzir a expresso de IP :
IP = VD VL + I RS = RP RP

(4.8)

Substituindo 4.3 e 4.8 em 4.7 obtm-se a equao que descreve a corrente de sada:
I = Ipv I0 {exp[ q VL + I RS (VL + I RS )] 1} mkT RP

(4.9)

A equao anterior pode ser resolvida iterativamente, recorrendo a um mtodo numrico, como Newton-Raphson. Este mtodo ser implementado em MATLAB [23, 25, 26, 27]. O valor das resistncias RS e RP do modelo pode ser calculado atravs das relaes que se seguem [23, 25]:
RS = VOC Vmax Imax Vmax ISC Imax

(4.10)

RP =

(4.11)

Em que,
ISC - corrente de curto-circuito (A) VOC - tenso em circuito aberto (V) Vmax - tenso no ponto de potncia mxima (V) Imax - corrente no ponto de potncia mxima (A)

O modelo acima descrito pode ser utilizado para a maioria das aplicaes que envolvem clulas fotovoltaicas, representando uma caracterizao do funcionamento.
4.2 Simulao do Circuito Elctrico

4.2.1

Simulao em PSIM

Para uma melhor compreenso do funcionamento de um painel fotovoltaico, utilizou-se o PSIM para simular o circuito da gura 4.2, software especco para a simulao de circuitos 32

4.2. Simulao do Circuito Elctrico de electrnica de potncia [28]. Para simular o circuito elctrico, dimensionou-se cada um dos componentes, utilizando os parmetros caractersticos de um painel fotovoltaico BP MSX 110 representados na tabela 4.1 [29]. Tabela 4.1: Caractersticas do painel fotovoltaico BP MSX 110
Caractersticas Valor

Nmero de clulas Potncia mxima (Pmax) Tenso em potncia mxima (Vmax ) Corrente em potncia mxima (Imax ) Corrente em curto-circuito (ICC ) Tenso em circuito aberto (VOC ) Coeciente de Temperatura de ICC Coeciente de Temperatura de VOC Coeciente de Temperatura da potncia Temperatura nominal de operao da clula

72 110 W 32,9 V 3,34 A 3,69 A 41,2 V (0,0650, 015)%/ C -(16010)mV / C -(0,50, 05)%/ C 472 C

Com as equaes (4.10) e (4.11) possvel calcular o valor das resistncias RS e RP , sendo os valores, respectivamente, RS = 2, 485 e RP = 117, 719. A tenso em circuito aberto dene a queda de tenso no dodo, correspondendo a VD = 41, 2V . Colocando na fonte de corrente o valor correspondente corrente de curto-circuito chega-se ao circuito elctrico para simular a clula escolhida. Apresenta-se o esquema do circuito na gura 4.3.

Figura 4.3: Circuito de simulao do modelo elctrico de uma clula A fonte de tenso triangular representada no esquema, foi utilizada como carga para permitir gerar na sada do circuito uma tenso que percorresse toda a gama de valores necessrios ao estudo, ou seja, desde os 0V at ao 41,2V. Os resultados obtidos apresentam-se nas guras 4.4 e 4.5. 33

Captulo 4. Caracterizao Automtica de um Painel Fotovoltaico

Figura 4.4: Curva I-V obtida com a simulao do circuito elctrico

Figura 4.5: Curva P-V obtida com a simulao do circuito elctrico A anlise das guras 4.4 e 4.5, permite vericar que as curvas caractersticas so aproximadamente rectas. Esta aproximao deve-se ao facto de o programa utilizar componentes ideias na simulao. Em PSIM no possvel visualizar a variao das curvas caractersticas em funo da irradincia e da temperatura. Podendo-se dizer que a simulao do circuito elctrico caracteriza de forma imperfeita o funcionamento de uma clula fotovoltaica. Pese embora ainda com estas incorreces seja possvel vericar algumas caractersticas do comportamento das clulas fotovoltaicas. Entre elas pode-se vericar as trs zonas distintas da curva I-V como referido na seco 3.6.1. Verica-se, ainda, a existncia do ponto em que se transfere a potncia mxima, sendo o seu valor de 109,88 W, o que corresponde ao valor fornecido pelo fabricante de 110 W. Por esta razo optou-se por uma abordagem diferente que permita obter as curvas caractersticas das clulas em que sejam evidentes as no linearidades e ainda que permita vericar 34

4.2. Simulao do Circuito Elctrico a inuncia das condies climatricas.

4.2.2

Simulao em MATLAB

Este modelo baseia-se na simulao das equaes matemticas que descrevem o funcionamento das clulas. Para a simulao do funcionamento de painel fotovoltaico recorreu-se a equaes matemticas, e foram criados dois casos em MATLAB. No primeiro caso, foram desenvolvidos trs cheiros para a simulao de um painel fotovoltaico, o primeiro cheiro mostra a curva I-V e P-V para condies tpicas, e os outros dois cheiros mostram a variao das curvas I-V e P-V em funo da temperatura e da irradincia. E, no segundo caso, desenvolveu-se um cdigo que ajusta os valores de Rs e Rp para obter uma simulao mais perto do real, observando-se posteriormente a melhor soluo para diferentes valores de temperatura e irradincia. No primeiro caso foi desenvolvido um cdigo, para a simulao do painel em condies tpicas (G = 1000W/m2 e T = 25 C ), e posteriormente para diferentes valores de temperatura e irradincia. Em seguida exemplicam-se as equaes utilizadas no cdigo desenvolvido. As equaes de Corrente de curto circuito (Isc) e Tenso de circuito aberto (Voc) dependem da temparatura e irradiao.
Isc = Iscst (1 + aIsc (temp tempst));

(4.12) (4.13)

V oc = V ocst + aV oc (temp tempst);

A equao de corente do painel varia com a corrente de curto-circuio e tenso em circuito aberto.
i = Isc (1 exp((v V oc)/(V T ns)));

(4.14)

A potncia calculada atravs do valores da corrente e tenso.

P = v. i;

(4.15)

O vector das tenses de sada (v) composto pelo conjunto de valores de tenso de sada da clula. Este parmetro tem como objectivo simular uma carga, ou seja, fazer com que a curva I-V percorra todos os pontos para uma representao correcta. O vector criado com o comando v = [0 : 0.1 : 41.5], que representa um vector com valores desde 0V ate 41,5V com intervalos de 0,1V. A equao i representa os valores de corrente para cada valor de tenso criado pelo vector v. A gura 4.6 apresenta os passos seguidos na implementao o cdigo.

35

Captulo 4. Caracterizao Automtica de um Painel Fotovoltaico

Figura 4.6: Fluxograma para simulao do cheiro Simulando o cheiro desenvolvido segundo os parmetros do uxograma, obteve-se os resultados representados nas guras seguintes.

Figura 4.7: Curva I-V do painel BP MSX 110 A gura 4.7 apresenta a curva caracterstica I-V de um painel fotovoltaico sob intensidade de irradincia constante de 1000W/m2 e uma temperatura de 25 C .

36

4.2. Simulao do Circuito Elctrico

Figura 4.8: Curva P-V do painel BP MSX 110 Na gura 4.8 apresentada a curva P-V e o ponto de potncia mxima (Pmax = 109, 88W ), considerando a irradincia constante a 1000W/m2 e uma temperatura de 25 C . Em seguida representam-se as curvas I-V e P-V para diferentes valores de irradincia e temperatura.

Figura 4.9: Curva I-V do painel BP MSX 110 em funo da temperatura 37

Captulo 4. Caracterizao Automtica de um Painel Fotovoltaico A gura 4.9 apresenta a curva caracterstica I-V de um painel fotovoltaico sob intensidade de irradincia constante (1000W/m2 ) a diferentes temperaturas.

Figura 4.10: Curva P-V do painel BP MSX 110 em funo da temperatura Na gura 4.10 apresentada a curva P-V e o deslocamento do ponto de potncia mxima para a variao da temperatura, considerando a irradincia constante a 1000 W/m2 .

Figura 4.11: Curva I-V do painel BP MSX 110 em funo da irradincia

38

4.2. Simulao do Circuito Elctrico

Figura 4.12: Curva P-V do painel BP MSX 110 em funo da irradincia As guras 4.11 e 4.12 apresentam as curvas caractersticas I-V e P-V de um painel fotovoltaico sob temperatura constante (25 C ) a diferentes nveis de irradincia. As mesmas guras mostram uma caracterizao correcta do princpio do funcionamento das clulas fotovoltaicas. A anlise das guras anteriores mostra uma dependncia com a temperatura e irradincia. Na relao das curvas com a temperatura, nota-se um ligeiro aumento da corrente na curva I-V e P-V e, tambm, uma subida do ponto de potncia mxima. Na relao das curvas com a irradincia nota-se que na curva I-V considervel a descida do valor da corrente e na curva P-V observa-se uma descida acentuada da potncia. As trs zonas distintas do funcionamento, de clulas fotovoltaicas, encontram-se bem discriminadas e por analogia s guras da seco 3.6.1, pode-se tirar algumas concluses:
Na zona considerada de corrente constante, vericou-se uma dependncia directa com

temperatura, ou seja, com o aumento da temperatura a corrente aumenta. Por sua vez a irradincia afecta a corrente de maneira inversa. ratura e aumenta com a irradincia.

Na zona de tenso constante ocorre o fenmeno inverso, a tenso diminui com a tempe-

Como consequncia das armaes anteriores o ponto de potncia mxima desloca-se com a alterao dos parmetros como se pode observar nas guras anteriormente apresentadas. Com este cdigo possvel fazer uma simulao de um painel fotovoltaico, pese embora no seja uma simulao muito pormenorizada. Os grcos so construdos a partir dos valores de tenso em circuito aberto, corrente em curto-circuito e no ponto de potncia mxima. No segundo caso foi desenvolvido um cdigo mais complexo, tentando uma melhor caracterizao de um painel fotovoltaico. O objectivo encontrar os parmetros da equao I-V, 39

Captulo 4. Caracterizao Automtica de um Painel Fotovoltaico ajustando a curva em trs pontos: circuito aberto, potncia mxima e curto-circuito, fornecidos por todos os fabricantes de painis fotovoltaicos (datasheet). Este cdigo mais complexo, vai encontrar a melhor soluo para painis fotovoltaicos, incluindo os efeitos das resistncias srie e paralelo e, dizer se a potncia mxima coincide com a potncia mxima real. As linhas de cdigo descritas em seguida, representam o equaes utilizadas no cdigo desenvolvido. Valores mximos e mnimo das resistencias Rs e Rp respectivamente
Rsm ax = (V ocn V mp)/Imp; Rpm in = V mp/(Iscn Imp);

(4.16) (4.17)

Valores iniciais das resistencias Rp e Rs

Rs = 0; Rp = Rpm in;

(4.18) (4.19)

Em que Rp dado por:

Rp = V mp (V mp + Imp Rs)/(V mp Ipv V mp Io exp((V mp + Imp Rs)/V t/N s/a) + V mp Io P maxe );

(4.20)

Calcular a corrente atravs do mtodo Newnton-Raphson. Onde g(J) representa a funo da corrente , glin(j) a derivada da funo da corrente, I(j ) o valor da corrente actual e I(j) o valor da corrente que se queria calcular.
g (j ) = Ipv Io (exp((V (j ) + I (j ) Rs)/V t/N s/a) 1) (V (j ) + I (j ) Rs)/Rp I (j ); glin(j ) = Io Rs/V t/N s/a exp((V (j ) + I (j ) Rs)/V t/N s/a) Rs/Rp 1; I(j ) = I (j ) g (j )/glin(j ); I (j ) = I(j ) ;

(4.21) (4.22) (4.23) (4.24)

Calculo da potncia utilizando a equaao I-V

P = (Ipv Io (exp((V + I. Rs)/V t/N s/a) 1) (V + I. Rs)/Rp). V ;

(4.25)

Para uma melhor compreenso do cdigo descrito, na gura 4.13 descreve-se os passos seguidos na compilao do cheiro [20, 26, 30].

40

4.2. Simulao do Circuito Elctrico

Figura 4.13: Fluxograma para a simulao do cheiro O objectivo da simulao ajustar os valores de Rs e Rp de modo a obter a melhor soluo. Ao variar Rs e Rp, as curvas I-V e P-V tambm variam, uma vez que observando as equaes 4.21 at 4.25, constatamos que em todas as equaes aparece Rs e Rp. A simulao comea com valor de Rs = 0 e Rp = Rpmim , e estes valores vo variar at Rsmax incrementando Rs em 0,01 descrito na equaes 4.18 e 4.19. Para o ajuste dos valores recorreu-se ao mtodo iterativo Newton-Raphson [31], onde o prximo valor da corrente calculado sabendo o actual, segundo a equao descrita abaixo:
xn+1 = xn f (x) f (x)

(4.26)

Em que xn representa o valor actual da corrente, xn+1 o prximo valor e f(x) e f'(x) a funo que descreve o comportamento do sistema e a sua respectiva derivada [31]. No m da simulao obtm-se os valores de Rs e Rp para a melhor soluo, ou seja, rendimento mximo da clula [27]. Na simulao utilizou-se uma irradincia de 1000 W/m2 e uma temperatura de 25 C , para o ajuste do valor de Rs e Rp . Os resultados obtidos so apresentados nas guras 4.14 e 4.15. 41

Captulo 4. Caracterizao Automtica de um Painel Fotovoltaico

Figura 4.14: Curvas I-V para os diferentes valores de Rs e Rp do painel BP MSX 110

Figura 4.15: Curva P-V, a) para diferentes valores de Rs e Rp, b) zoom da curva P-V As guras 4.14 e 4.15 apresentam as curvas I-V e P-V para os diferentes valores de Rs e Rp . A gura 4.15 b) representa um seguemento da curva P-V, onde se observa diferentes

curvas para diferentes valores de Rs e Rp. Sendo que, a melhor soluo revela um valor para Rs = 0, 09 e Rp = 2044, 42. As guras 4.16 e 4.17 exibem as curvas I-V e P-V, respectivamente, para os melhores valores de Rs e Rp em condies tpicas.

42

4.2. Simulao do Circuito Elctrico

Figura 4.16: Curva I-V ajustada do painel BP MSX 110

Figura 4.17: Curva P-V ajustada do painel BP MSX 110

Encontrada a melhor soluo, pode-se agora visualizar as consequncias da alterao dos valores da temperatura e irradincia no desempenho de um painel fotovoltaico. As guras 4.18 a 4.21 representam a melhor soluo, para diferentes valores de temperatura e irradincia, onde possvel visualizar a afectao das curvas.

43

Captulo 4. Caracterizao Automtica de um Painel Fotovoltaico

Figura 4.18: Curva I-V ajustada do painel BP MSX 110 em funo da temperatura

Figura 4.19: Curva P-V ajustada do painel BP MSX 110 em funo da temperatura

44

4.2. Simulao do Circuito Elctrico

Figura 4.20: Curva I-V ajustada do painel BP MSX 110 em funo da irradincia

Figura 4.21: Curva P-V ajustada do painel BP MSX 110 em funo da irradincia

Figura 4.22: Curvas caractersticas I-V de um painel BP MSX 110 fornecido pelo fabricante [29]

45

Captulo 4. Caracterizao Automtica de um Painel Fotovoltaico Concluindo, as guras 4.14 e 4.15 representam o ajusto de Rs e Rp para obteno da melhor soluo e, possvel visualizar as curvas para os diversos valores de Rs e Rp . As guras 4.16 e 4.17 representam a melhor soluo com Rs = 0, 09, Rp = 2044, 42 e uma potncia de 109,88 W. Na variao das curvas ajustadas em funo da temperatura repara-se uma diminuio da tenso com o aumento da temperatura, representadas nas guras 4.14 e 4.15. Na variao das curvas ajustadas em funo da irradincia diminui a corrente com a diminuio da irradincia, representadas nas guras 4.18 a 4.21. O ponto de potncia mxima diminui com a variao da temperatura e da irradincia como possvel constatar nas guras referidas. A gura 4.22 apresenta a curva caracterstica I-V em funo da temperatura do painel fotovoltaico BP MSX 110 fornecido pelo fabricante. As guras enumeradas mostram uma caracterizao correcta de uma clula fotovoltaica. Da anlise destas guras pode-se concluir a dependncia das clulas com a temperatura e irradincia. Para baixas temperaturas e maiores taxas de irradincia, a clula permite obter potncias maiores. Comparando a curva I-V em funo da temperatura, gura 4.18, com as curvas fornecidas pelo fabricante, gura 4.22, conclui-se que so muito idnticas e que o modelo caracteriza correctamente um painel fotovoltaico. Comprovada a validade das equaes e comparando estes resultados com as guras tericas descritas na seco 3.6 e com os dados do fabricante, podemos concluir que o modelo implementado permite o estudo correcto de painis fotovoltaicas.

4.3

Prottipo Desenvolvido

Com vista a alcanar os objectivos propostos, foram realizados estudos introdutrios e testes de montagens electrnicas para vericar possveis solues para a aquisio da curva I-V. Aps vrios estudos, a montagem que se vericou ser mais adequada baseia-se no autor Yingying Kuai [7], uma vez que o MOSFET permite uma rpida variao de carga, adaptandose as sucessivas alteraes atmosfricas. Para a aquisio dos valores de corrente e tenso necessrio efectuar o controlo do MOSFET. Mais especicamente, congurou-se o gerador de sinais para produzir uma onda sinusoidal com amplitude de 10V, visto que, para o MOSFET utilizado entrar em conduo (zona trodo) necessita de 2V. Nesta zona a corrente do dreno para a fonte controlada pela tenso VGS , com exemlica a gura 4.23. Para uma melhor compreenso, na gura 4.24 ilustrada a caracterstica corrente/tenso de funcionamento de um MOSFET.

46

4.3. Prottipo Desenvolvido

Figura 4.23: Smbolo de um MOSFET

Figura 4.24: Curva caracterstica de um MOSFET, Fonte: http://macao.communications.museum/ Observando a gura destaca-se trs zonas (trodo, saturao e corte) de funcionamento de um MOSFET. Nas zonas de trodo e saturao o transstor conduz. Na zona de trodo onde existem maiores variaes, quanto maior VGS maior ID , na zona de saturao o valor da corrente constante e pouco altera o seu funcionamento e na zona de corte o transstor no conduz at atingir o valor de threshold (no caso 2V) [32]. O transstor est na zona de trodo se:
VDS < VGS Vt

(4.27)

47

Captulo 4. Caracterizao Automtica de um Painel Fotovoltaico e nesse caso a corrente expressa por:
2 iD = k [(2(VGS Vt ) VDS VDS ]

(4.28)

em que k um parmetro que depende do material e das dimenses do transstor. importante notar que, se:
VDS << VGS Vt

(4.29)

ento a corrente expressa por:

iD = 2k (VGS Vt )DS

(4.30)

que signica que o transstor se comporta como uma resistncia RDS (entre o dreno e fonte) comandada por VGS : 1 RDS = 2k (VGS Vt ) (4.31) O transstor encontra-se na zona de saturao se:
VDS VGS Vt

(4.32)

e a corrente passa a ser independente de VDS

iD = k (VGS Vt )2

(4.33)

4.3.1

Esquema do Prottipo

O trabalho realizado por Yingying Kuai [7] serviu de base para o desenvolvimento de um circuito para a caracterizao automtica de um painel fotovoltaico. O circuito desenvolvido apresenta-se na gura 4.25.

Figura 4.25: Diagrama da unidade de teste 48

4.3. Prottipo Desenvolvido O trabalho desenvolvido divide-se em duas partes, uma parte corresponde ao circuito construdo para aquisio dos valores de corrente e tenso provenientes do painel fotovoltaico e outra parte uma aplicao desenvolvida para tratamento dos dados adquiridos. Na gura 4.25 observam-se os elementos que constituem o circuito: painel fotovoltaico, resistncia, MOSFET, gerador de sinais, divisor de tenso, sensor de corrente, placa de aquisio de dados, computador. As caractersticas destes elementos passam pela placa de aquisio de dados (NI USB 6008), que recebe os valores da corrente e tenso do circuito, transmitindo-os para o computador. Esta placa disponibiliza 8 entradas analgicas, 2 sadas analgicas e 12 entradas/sadas digitais e tenses de entrada entre os 10V . O MOSFET (IRFP048) disponibiliza uma corrente mxima no dreno de 64A. O divisor de tenso, por sua vez, divide o valor da tenso por um factor que ir permitir placa transmitir o valor da mesma (Vsaida = Ventrada/11), para o computador. O sensor de corrente (LEM HX-05), trata-se de um sensor de Hall, que recebe a corrente lida pelo circuito e devolve na sada um valor de corrente dentro dos parmetros da referida placa. As curvas caractersticas I-V e P-V so apresentadas no computador atravs da utilizao da placa de aquisio de dados. Para se conseguir observar a curva caracterstica I-V de um painel fotovoltaico necessrio existir uma carga para consumir a corrente produzida pelo painel. Essa carga simulada atravs do MOSFET que, injectando uma tenso (onda sinusoidal) na porta, o faz entrar em funcionamento, zona de trodo (VGS > 2V). Devido s caractersticas dos painis fotovoltaicos, mais concretamente, aos valores de corrente e tenso, no possvel ligar directamente o circuito placa de aquisio de dados, que apresenta valores de entrada de 10V , sendo, por isto, necessrio implementar um divisor de tenso e um sensor de corrente para colocar os valores em condies de serem lidos pela placa. A este sistema tem, ainda, de ser implementado o controlo do MOSFET para que as curvas possam ser percorridas desde a corrente de curto-circuito at tenso em circuito aberto. Controlo este, que efectuado pela aplicao de uma onda sinusoidal, com uma amplitude de 10V, visto que, para o MOSFET entrar em conduo (zona trodo) ser necessrio 2V (valor de treshold). Nesta zona, a corrente do dreno para a fonte controlada pela tenso VGS , denindo-se uma tenso com amplitude de 10V, para que esta no fosse muito elevada e o MOSFET no entrasse em "saturao". No seguimento deste sistema e, estando os valores em condies de serem lidos pela placa de aquisio de dados, passa-se segunda parte do trabalho, ou seja, a aplicao desenvolvida em MATLAB para tratamento dos dados, mais pormenorizada no ponto 4.3.4.. Os componentes utilizados foram dimensionados de acordo com os painis existentes para a realizao dos testes. Painis esses de baixa corrente at 5A.

4.3.2

Simulao do Prottipo

Antes de se proceder montagem do circuito com todos os seus componentes, foi simulado o circuito em PSIM e OrCAD a m de perceber se os resultados eram os pretendidos. Para esta simulao utilizou-se uma fonte de tenso parametrizada para 20V em vez de um painel fotovoltaico. Para o controlo do MOSFET utilizou-se uma onda sinusoidal com amplitude de 10V. 49

Captulo 4. Caracterizao Automtica de um Painel Fotovoltaico

Simlao em PSIM

Da simulao em PSIM observamos as curvas da corrente que atravessa o MOSFET, da onda sinusoidal, e da tenso. Na gura 4.26 est representado o circuito para a simulao.

Figura 4.26: Esquema implementado em PSIM

Figura 4.27: Resultado da simulao do circuito Na gura 4.27 observa-se as curvas resultantes da simulao do circuito da gura 4.26, sendo que, a curva verde corresponde onda sinusoidal de amplitude 10V, a azul a tenso e a vermelha a corrente que atravessa o MOSFET. Pelo grco contacta-se que, conforme o 50

4.3. Prottipo Desenvolvido andamento da onda sinusoidal os valores da tenso e corrente vo-se alterando. Quando a onda tem valores positivos a corrente tem o valor de 2A e a tenso tem de 0V. Quando a onda passa para valores negativos alteram-se os valores, passando a corrente para 0A e a tenso para 20V.

Figura 4.28: Curva da corrente em funo da tenso Na gura 4.28 pode-se visualizar a curva da corrente em funo da tenso para o circuito apresentado, e pode-se concluir que o resultado o esperado, pois apresenta a variao desde o curto-circuito at ao circuito aberto.
Simlao em OrCAD

Simulou-se o mesmo circuito em OrCAD e obtiveram-se as mesmas curvas. Embora este software seja mais indicado para a simulao de circuitos elctricos, pois permite obter resultados mais precisos como se observar nas guras 4.29 a 4.31. Sabendo que o MOSFET s conduz a partir dos 2V, neste software possvel observar essa caracterstica enquanto que em PSIM no, uma vez que o MOSFET conduzia a partir dos 0V.

Figura 4.29: Esquema implementado em OrCAD 51

Captulo 4. Caracterizao Automtica de um Painel Fotovoltaico

Figura 4.30: Resultado da simulao do circuito

Na gura 4.30 observa-se as curvas resultantes da simulao do circuito da gura 4.29, sendo que, a curva verde corresponde onda sinusoidal de amplitude 10V, a vermelha a tenso e a azul a corrente que atravessa o MOSFET. ainda possvel visualizar na mesma gura a caracterstica do MOSFET, quando a tenso VGS aplicada na porta do MOSFET atinge os 2V, a tenso da fonte comea a decrescer at aos 0V e a corrente comea a aumentar at aos 2V. E quando VGS atinge, novamente, os 2V acontece o oposto.

Figura 4.31: Curva da corrente em funo da tenso 52

4.3. Prottipo Desenvolvido Na gura 4.31 pode-se visualizar a curva da corrente em funo da tenso para o circuito apresentado,e pode-se concluir que o resultado o esperado, pois apresenta a variao desde o curto-circuito at ao circuito aberto.
4.3.3 Montagem do Circuito

Depois de simular o circuito e escolher os componentes, precedeu-se montagem. medida que se interligavam os componentes, realizaram-se testes para vericar se tudo estava de acordo como o pretendido, tendo em vista o objectivo nal do trabalho. Primeiro testou-se apenas o painel fotovoltaico com uma resistncia varivel e registou-se a resposta com um voltmetro e um ampermetro, tendo-se observado que, ao variar a resistncia, a corrente varia desde a corrente de curto-circuito at 0A e a tenso varia desde o circuito aberto at 0V. Seguidamente, parametrizou-se a onda para vericar o funcionamento do MOSFET. Devido s condies climatricas, as variaes no eram muito signicativas, pelo que se optou por utilizar uma fonte de tenso no lugar do painel fotovoltaico. Neste momento, o sistema era composto por fonte de tenso, gerador de sinais, MOSFET e osciloscpio onde se observou os resultados. Como os resultados foram satisfatrios seguiu-se para o passo seguinte. Implementou-se o sensor de corrente e o divisor de tenso a m de colocar os valores da corrente e tenso dentro da gama de valores lidos pela placa de aquisio de dados, para serem trabalhados na aplicao desenvolvida em MATLAB previamente construda. A gura 4.32 mostra os componentes utilizados para na montagem do circuito.

Figura 4.32: Circuito e seus componentes

53

Captulo 4. Caracterizao Automtica de um Painel Fotovoltaico A gura anterior mostra os equipamentos interligados utilizados no laboratrio para a caracterizao automtica de um painel fotovoltaico. De entre os equipamentos destacamos, uma resistncia varivel com o valor de 10, uma fonte de tenso que substituiu o painel fotovoltaico nos testes, um gerador de sinal que injecta uma onda no MOSFET para este funcionar, a placa de aquisio de dados para receber os valores da corrente e da tenso no computador, um sensor de corrente e um divisor de tenso para colocar os valores destes dentro dos limites da placa de aquisio. Desenvolveu-se em MATLAB uma aplicao para a visualizao das curvas I-V e P-V.
4.3.4 Aplicao em MATLAB

Depois da montagem, interligao e teste dos componentes, necessrio visualizar os dados adquiridos e para isso foi desenvolvido uma aplicao em MATLAB. Esta aplicao consiste, no s em mostrar as curvas adquiridas, bem como fazer uma pequena comparao entre a curva terica (ideal) com o que foi adquirido. Depois de muitas ideias e algumas executadas, construiu-se a aplicao. O uxograma da gura 4.33 revela como decorre o funcionamento da aplicao.

Figura 4.33: Fluxograma para as vrias etapas da aplicao Ao executar a aplicao a sua aparncia a da gura 4.34, onde se encontra um boto para inserir os dados relativos a um painel fotovoltaico, pois a aplicao dinmica adaptando-se a qualquer tipo de painel fotovoltaico. 54

4.3. Prottipo Desenvolvido

Figura 4.34: Aparncia da aplicao Ao pressionar o boto Inserir valores caractersticos aparecem na janela oito campos, seis deles referentes s caractersticas de um painel fotovoltaico e os outros campos dizem respeito irradincia e temperatura predenidos para as condies tpicas (G = 1000W/m2 e T = 25 C ), como exemplica a gura 4.35. Inserindo os valores em cada campo e clicando no boto Valores Inseridos ir aparecer na janela o grco da curva caracterstica I-V de acordo com os valores inseridos.

Figura 4.35: Janela de insero dos valores referentes a um painel fotovoltaico

55

Captulo 4. Caracterizao Automtica de um Painel Fotovoltaico

Figura 4.36: Curva caracterstica consoante os valores caractersticos do painel em questo Na gura 4.36, o boto Aquisio de Dados permite recolher e armazenar os dados do circuito, mostrando os valores referentes corrente e tenso adquiridos. Cada vez que se carrega no boto, o sistema parametrizado adquire 1000 amostras relativamente a cada caracterstica em 2 segundos. Para alm de exibir os dados adquiridos, a aplicao grava-os em dois cheiros distintos correspondendo um corrente e outro tenso. Sempre que os dados so guardados adicionado no incio, o dia, a hora e os minutos da aquisio, estando os dados distribudos por colunas.

Figura 4.37: Valores adquiridos 56

4.3. Prottipo Desenvolvido

Aps a aquisio dos valores, o sistema exibi-os e a janela complementa-se com o aparecimento de mais cinco botes, como exemplica a gura 4.37. Botes esses que reproduzem no grco as curvas referentes a cada opo. No caso do primeiro boto Curva caracterstica I-V, representa a curva adquirida da corrente em funo da tenso. O boto Curva caracterstica P-V, representa a curva adquirida da potncia em funo da tenso. Os botes, Curva da corrente e Curva da tenso representam no grco as curvas adquiridas da corrente e tenso, respectivamente. E o boto Curva caracterstica ideal, exibe a curva I-V ideal no grco.

Figura 4.38: Curvas adquiridas, a) curva I-V b) curva P-V

Figura 4.39: Valores adquiridas, a) valores de corrente b) valores de tenso As guras 4.38 e 4.39 representam as respostas da execuo dos botes. Na gura 4.38 no lado esquerdo corresponde curva caracterstica I-V e no lado direito corresponde curva caracterstica P-V. Na gura 4.39 corresponde aos valores adquiridos para a corrente e tenso, respectivamente. Uma vez adquiridos os dados, possvel em qualquer janela voltar a adquirir dados, bastando carregar novamente no boto Aquisio de Dados e volta a aparecer no grco os valores da corrente e tenso adquiridos e a possibilidade de visualizar as novas curvas carregando nos diferentes botes. 57

Captulo 4. Caracterizao Automtica de um Painel Fotovoltaico

4.4 Validao do Modelo

Neste ponto so apresentados os resultados obtidos com o sistema proposto ligado a um painel fotovoltaico. Aps a construo e realizao de testes ao prottipo proposto, concluiu-se que estava tudo a funcionar de acordo com o pretendido. Seguiu-se, deste modo, para o objectivo da dissertao, ou seja, testar o sistema proposto ligado a um painel fotovoltaico sob incidncia directa da radiao solar. Os testes foram realizados no telhado do edifcio X da Faculdade de Cincias e Tecnologia da Universidade Nova de Lisboa onde se encontram instalados 7 painis fotovoltaicos, sendo dois policristalinos e os cinco restantes de silcio amorfo. Para a realizao dos testes utilizou-se um dos painis policristalinos. O prottipo proposto, para a caracterizao automtica de um painel fotovoltaico, adquire 1000 amostras em 2 segundos, exibindo posteriormente as curvas caractersticas I-V e P-V. A gura 4.40 exibe o sistema instalado no telhado do edifcio para a realizao dos testes. Na gura observa-se o sistema implementado, composto por um painel fotovoltaico, gerador de sinais, circuito desenvolvido e um computador para a visualizao das curvas.

Figura 4.40: Sistema instalado no telhado do edifcio X 58

4.4. Validao do Modelo Com o sistema instalado e todos os equipamentos interligados no telhado, procedeu-se realizao dos testes. Primeiro testou-se o painel interligado com circuito desenvolvido, e observou-se os valores da corrente e tenso do painel num ampermetro e num voltmetro respectivamente, concluindo-se que os resultados eram satisfatrios. Prosseguindo a realizao dos testes, testou-se o sistema nal, ou seja, visualizando-se os dados e curvas caractersticas na aplicao desenvolvida, recebidos atravs da placa de aquisio de dados. Na tabela 4.2, apresentam-se os valores caractersticos do painel SWEA 130 watt utilizado para a realizao dos testes, para condies de irradiao de 1000W/m2 e temperatura de 25 C . Tabela 4.2: Caractersticas do painel fotovoltaico em teste
Caractersticas
Nmero de clulas Potncia mxima (Pmax) Corrente em curto-circuito (ICC ) Tenso em circuito aberto (VOC ) Tenso em potncia mxima (Vmax )

Valor

84 130 W 3.21 A 50.1 V 40.8 V

Para uma fcil compreenso e execuo do sistema proposto, a gura 4.41, representa os passos a seguir na aplicao para a obteno dos resultados.

Figura 4.41: Fluxograma dos procedimentos a utilizar no teste 59

Captulo 4. Caracterizao Automtica de um Painel Fotovoltaico A realizao dos testes decorreu durante o ms de Janeiro e Fevereiro de 2011. Estes meses apresentaram baixos nveis de radiao solar, temperaturas baixas e a existncia de nuvens bem como perodos de chuva, factores estes que inuenciaram os resultados, mas que, ainda assim, foram satisfatrios. Dos inmeros testes realizados, mostram-se em seguida os melhores resultados do prottipo desenvolvido. Inicializada a aplicao, inserem-se os dados caractersticos do painel (nmero de clulas, Icc , Voc , Vmax , Imax , Pmax ). Aps insero dos dados visualiza-se a curva caracterstica I-V, em condies tpicas (G = 1000W/m2 e T = 25 C ), que est representada na gura 4.42.

Figura 4.42: Curva caracterstica I-V do painel em estudo em condies tpicas Visualizada a curva terica do painel em estudo, iniciou-se o teste prtico. Este teste consiste na visualizao dos valores de corrente e tenso sob incidncia directa da radiao solar. Ao carregar no boto Aquisio de Dados presente na aplicao, adquiriram-se 1000 amostras para cada parmetro (corrente e tenso) provenientes do circuito, como ilustra a gura 4.43.

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4.4. Validao do Modelo

Figura 4.43: Valores de corrente e tenso adquiridos pelo circuito Na gura 4.43, esto representados os valores de corrente e tenso adquiridos pelo circuito e transmitidos para o computador. Destaca-se na gura os cinco botes que, ao serem pressionados, exibem as curvas referentes a cada um. Ao pressionar o boto Curva caracterstica I-V, exibe-se a curva da corrente em funo da tenso, como ilustra a gura 4.44.

Figura 4.44: Curva caracterstica I-V adquirida Ao observar a gura 4.44, constata-se que a corrente varia desde a corrente em curto-circuito at 0A. Comparando a curva obtida com as curvas simuladas em PSIM e MATLAB (descritas no ponto 4.2.2), pode-se concluir que so idnticas. 61

Captulo 4. Caracterizao Automtica de um Painel Fotovoltaico Pressionando o boto Curva caracterstica P-V, exibe a curva da potncia em funo da tenso.

Figura 4.45: Curva caracterstica P-V adquirida Para a gura 4.45, pode-se fazer a mesma analogia, comparando a curva adquirida como os resultados tericos, concluindo-se que as curvas so idnticas. Ao pressionar os botes Curva da corrente e Curva da tenso, so exibidos os valores adquiridos referentes a cada caracterstica, como ilustram as guras 4.46 e 4.47.

Figura 4.46: Valores adquiridos de corrente 62

4.4. Validao do Modelo

Figura 4.47: Valores adquiridos de tenso As guras 4.46 e 4.47 mostram os valores de corrente e tenso, respectivamente, do painel quando submetido carga produzida pelo MOSFET. As guras anteriores representam o melhor resultado obtido do sistema proposto. A gura 4.43 representa os valores de corrente e tenso adquiridos pelo prottipo. Nas guras 4.44 e 4.45 representam-se as curvas caractersticas I-V e P-V do painel. E as guras 4.46 e 4.47 representam, respectivamente, os valores de corrente e tenso produzidos pelo painel. De realar que, em todas as guras anteriores se encontra o boto de Aquisio de Dados que permite em qualquer instante adquirir novos dados, voltando ao incio da aplicao. Nas guras 4.44 e 4.45 possvel observar os parmetros fundamentais de um painel fotovoltaico. Na gura 4.44 possvel observar a corrente em curto-circuito e a tenso em circuito aberto. Na gura 4.45 observa-se o ponto de potncia mxima. As curvas caractersticas adquiridas pelo prottipo assemelham-se s curvas apresentadas na simulao de uma clula fotovoltaica em PSIM e esto prximas das apresentadas em MATLAB. A tenso aplicada porta do MOSFET foi uma onda sinusoidal. Devido sua amplitude elevada, essa tenso coloca na maior parte do tempo o MOSFET fora da zona de trodo, estando portanto o dispositivo na maior parte do tempo a funcionar na zona de corte ou na zona de saturao. Outro ponto, passa pela frequncia, ou seja, a frequncia do sinal de um certo modo elevada, o que faz o seu perodo ser pequeno, e o tempo de subida e descida da onda tambm vai ser pequeno, por outras palavras siginica que o sinal repete-se mais rpido. Como a frequncia muito rpida, o funcionamento do MOSFET semelhante a um interruptor, ou seja, salta rapidamente da zona de corte para a zona de saturao apanhando pouco pontos intermdios. Este fenmeno v-se claramente nas simulaes apresentadas na gura 4.30 e nos rsulta63

Captulo 4. Caracterizao Automtica de um Painel Fotovoltaico dos experimentais apresentadas na gura 4.37. Por isso, a maior parte das amostras obtidas ocorrem quando o MOSFET est na zona de corte ou na zona de saturao, e poucas se referem a pontos intermdios. Assim as curvas I-V tm poucos pontos de fora da zona de circuito aberto e de curto circuito, como se pode observar nas guras 4.44 e 4.45. Por estas razes, os resultados obtidos aparentam afastar-se da previso terica, mas isso deve-se essencialmente falta de pontos sucientes na zona de interesse. No seguimento dos estudos realizados na composio desta dissertao sobre um painel fotovoltaico, ou seja, os estudos tericos, a simulao de uma clula fotovoltaica em PSIM e MATLAB e a simulao do circuito proposto em PSIM e OrCAD, comparando com as curvas I-V e P-V adquiridas, pode-se concluir que o prottipo desenvolvido caracteriza correctamente um painel fotovoltaico.

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Captulo 5

Concluso e Trabalhos Futuros

A presente dissertao contempla o desenvolvimento de um sistema que permite a aquisio das curvas caractersticas de um painel fotovoltaico. Na execuo do prottipo teve-se em considerao a facilidade no seu manuseamento assim como o baixo custo. Sendo as energias renovveis tema da actualidade, a motivao para a realizao deste trabalho, deveu-se ao elevado nmero de instalaes de painis fotovoltaicos existentes e necessidade de comprovar o seu desempenho com o passar dos anos. Para desenvolvimento deste tipo de projectos, imprescindvel o estudo das caractersticas e factores que inuenciam as curvas caractersticas I-V e P-V. O prottipo desenvolvido consiste num MOSFET para simular a carga e representar as curvas caractersticas para painis de baixa corrente (at 5A). O sistema apresenta as curvas caractersticas I-V e P-V , bem como os valores de corrente e tenso produzidos pelo painel. , tambm, possvel observar nas curvas adquiridas os parmetros, corrente em curto-circuito e tenso em circuito aberto e ponto de potncia mxima. Os factores ambientais inuenciaram os resultados, embora se tivesse atingido os objectivos propostos. O prottipo desenvolvido cumpriu todos os requisitos esperados, caracterizou de forma automtica um painel fotovoltaico, representando as curvas I-V e P-V. Ao longo da realizao do trabalho, os objectivos dividiram-se entre a investigao e desenvolvimento de conhecimentos bem como na elaborao do prottipo. A ttulo de concluso do trabalho realizado pode-se armar que os resultados obtidos so satisfatrios, pelo que se pode considerar que o prottipo e aplicao desenvolvidos caracterizam de forma automtica um painel fotovoltaico. No desenvolvimento da dissertao, surgiram algumas ideias que, no tendo sido includas na dissertao, contriburam de forma importante para os resultados obtidos, podendo ser aplicadas em trabalhos futuros. Destacam-se alguns exemplos:
Redimencionamento do controlo do MOSFET. Complementar o sistema com possibilidade de caracterizar painis com correntes mais

elevadas.

65

Captulo 5. Concluso e Trabalhos Futuros

Complementar o sistema com aquisio dos valores de temperatura e de irradincia. Portabilidade do sistema, ou seja, implementando o gerador de onda e as alimentaes

dos componentes no circuito.

Possibilidade de visualizar na mesma gura, a curva terica e a curva adquirida para

valores de radicao solar e temperatura instantneas.

Possibilidade de interligao de prottipo com uma estao meteorolgica.

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