Estado Slido 1.1 Estructura Atmica Toda la materia est compuesta de un elemento o combinacin de elementos.

Un elemento es una sustancia que no puede reducirse a una forma ms simple. Los ejemplos de elementos con los que se est en contacto todos los das son fierro, oro, plata, cobre, oxgeno, etc. Hay ms de 100 elementos conocidos de los que toda la materia est compuesta. Los elementos estn formados por tomos y encontramos que est bsicamente compuesto de electrones, protones, y neutrones. Adems, los electrones, protones y neutrones de un elemento son idnticos ha aquellos de cualquier otro elemento pero con diferentes cantidad y arreglo o configuracin, entonces existen tipos diferentes de elementos porque el nmero y el arreglo de electrones y protones son diferentes para cada elemento. El electrn lleva una carga negativa pequea de electricidad. El protn lleva una carga positiva de electricidad igual y opuesta a la carga del electrn. En los tomos existe una partcula neutra llamada neutrn. El neutrn tiene una masa aproximadamente igual a la de un protn, pero no tiene carga elctrica. Una estructura atmica idealizada muestra a los electrones, protones y neutrones de los tomos que estn colocados de una manera similar a un sistema solar en miniatura. Vea el tomo de helio (He) en la figura 1.1

Figura 1.1 Estructura del tomo con los elementos bsicos que lo forman.

Dos protones y dos neutrones forman el ncleo pesado con un carga positiva y alrededor giran dos electrones muy ligeros. El camino que cada electrn toma alrededor del ncleo se llama rbita. Los electrones se mueven continuamente en sus rbitas por la fuerza de atraccin del ncleo. Para mantener una rbita alrededor del ncleo, los electrones viajan a una velocidad que produce una contrafuerza igual a la fuerza de atraccin del ncleo. Tenemos que se exige energa para mover un electrn del ncleo. Se dice que el electrn est en el nivel de energa ms alta en la rbita ms grande o exterior. Los experimentos cientficos han mostrado que el electrn exige una cierta cantidad de energa para quedarse en una rbita. Esta cantidad se llama nivel de energa del electrn. En virtud solamente de su movimiento, el electrn contiene energa cintica y debido a su posicin, contiene tambin energa potencial. La energa total contenida por un electrn (energa cintica ms energa potencial) es el factor principal que determina el radio de la rbita del electrn. Para que un electrn permanezca en esta rbita, no debe perder ni ganar energa. Los electrones no siguen caminos al azar, al contrario ellos son restringidos a niveles de energa definidos. Visualice estos niveles como cscaras con cada cscara sucesiva espacindose una distancia mayor del ncleo. Las cscaras (o como se nombrar de aqu en adelante capas), y el nmero de electrones requerido para llenarlas, puede ser predicho usando el principio de exclusin de Pauli. Este principio especifica que cada capa contendr un mximo de 2n2 electrones, donde n corresponde al nmero de la capa que empieza con la primera ms cercana al ncleo. Por este principio, la segunda capa, por ejemplo, contendra 2(2)2 8 electrones cuando est llena.

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Adems de numerarse, a las capas se les dan tambin las designaciones de letras empezando con la ms cercana al ncleo y as progresivamente hacia afuera como se muestra en la figura 1.2. Se considera que las capas estn llenas, o completas, cuando ellas contienen las cantidades siguientes de electrones: 2 en la primera capa K, 8 en la segunda capa L, 18 en la tercera M, y as sucesivamente, de acuerdo con el principio de exclusin de Pauli. Cada una de estas capas es una capa mayor y puede ser dividida en subniveles de capas, de las cuales hay cuatro, nombradas s, p, d y f. Como las capas mayores, los subniveles estn tambin limitados al nmero de electrones que ellos contienen. As, el subnivel s est completo cuando contiene 2 electrones, el p cuando contiene 6, el d cuando contiene 10, y el f cuando contiene 14 electrones.

Figura 1.2 Designaciones de capas Ya que la capa K no puede contener ms de 2 electrones, debe tener slo un subnivel, el subnivel s. La capa M est compuesta de tres subniveles: s, p, y d. Si los electrones en los subniveles s, p, y d, son agregados tambin, se encuentra que su total es 18, el nmero exacto exigido para llenar la capa M. Note la configuracin del Cobre ilustrada en la figura 1.3. El tomo de Cobre (Cu) contiene 29 electrones que llenan completamente las primeras tres capas y subniveles, dejando un electrn en el subnivel s de la capa N. Una lista de todos los otros elementos conocidos, con el nmero de electrones en cada tomo, esta contenida en la Tabla Peridica de los Elementos, organizada por el nmero atmico (nmero total de protones). Un tomo natural es neutro y tiene nmero igual de electrones y protones.

Figura 1.3 tomo de cobre (Cu). El nmero de electrones en la capa externa de un tomo determina su valencia. Por esta razn, la capa exterior de un tomo se llama Banda de Valencia Capa de Valencia, y los electrones contenidos en esta capa se llaman electrones de valencia (Figura 1.4). La valencia de un tomo determina su habilidad para ganar o perder un electrn que a su vez determina las propiedades qumicas y elctricas del tomo.

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Figura 1.4 La capa de valencia es la primera en captar la energa. Cuando un tomo tiene en su capa de valencia 5 electrones, este trata de completar su carga a 8 electrones debido a que el nmero mximo en la capa de valencia es 8; la tendencia de este tomo es la de captar electrones y no la de cederlos. A los materiales que contienen ms de 5 electrones de valencia se les llama aislantes. Existen tomos con menos de 4 electrones de valencia y resulta ms fcil para ellos cederlos que captarlos de otros tomos; a este tipo de materiales se les llama conductores. Por lo tanto a los elementos que contienen cuatro electrones de valencia se les llama semiconductores, puesto que no son ni buenos conductores ni buenos aislantes. La actividad qumica de un tomo est determinada por el nmero de electrones en su capa de valencia. Cuando la capa de valencia est completa, el tomo es estable y muestra una pequea tendencia a combinarse con otros tomos para formar slidos. Slo los tomos que poseen ocho electrones de valencia tienen una capa exterior completa. Estos tomos son llamados tomos inertes o inactivos. Sin embargo, si en la capa de valencia de un tomo falta el nmero requerido de electrones para completarla, entonces la actividad del tomo se incrementa. El silicio (Si) y el germanio (Ge), por ejemplo, son los semiconductores ms frecuentemente usados. Los dos son bastante similares en su estructura y conducta qumica, cada uno tiene cuatro electrones en la capa de valencia. [1] El nmero atmico del tomo de Si es 14, significa que hay 14 electrones que orbitan alrededor del ncleo.

Figura 1.5 Distribucin electrnica de los electrones en las orbitas de un tomo de silicio (Si) Puesto que el silicio (Si), tiene menos que el nmero requerido de ocho electrones que se necesitan en la capa exterior, sus tomos se unirn con otros tomos hasta que los ocho electrones estn compartidos. Esto da un total de ocho electrones en cada tomo en su capa de valencia; cuatro propios y cuatro que pidi prestado de los tomos circundantes. El compartir electrones de valencia entre dos o ms tomos forman un enlace covalente entre los tomos. Como resultado de este proceso de compartir, los electrones de valencia se unen. Esto puede ser ilustrado mejor por la vista bidimensional del silicio en la figura 1.5. Los crculos en la figura representan los ncleos de los tomos, las lneas cortas indican electrones de valencia. Debido a que cada tomo en este modelo se une a cuatro tomos, los electrones no son libres de moverse dentro del cristal. Como resultado de esta unin, el silicio y el germanio puro son conductores pobres de electricidad.

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Figura 1.6 Enlace covalente del silicio (Si) en forma bidimensional y tridimensional. En la configuracin del estado fundamental de un tomo de silicio tiene cuatro electrones de valencia. Estos electrones de valencia son los ms importantes, ya que constituyen los enlaces con otros tomos de Si. Dos tomos de Si se unen entre s cuando comparten entre si su electrn de valencia. Este es el enlace llamado covalente que est formado por dos electrones. Dado que tomo de Si tiene cuatro electrones de valencia que puede estar covalentemente unido a cuatro tomos de otro Si. En la forma cristalina cada tomo de Si est covalentemente unido a cuatro tomos de Si vecinos. Todos los enlaces tienen la misma longitud y los ngulos entre los enlaces son iguales. El nmero de enlaces que un tomo tiene con sus vecinos inmediatos en la estructura atmica se llama el nmero de coordinacin o coordinacin. As, en silicio monocristalino (c-Si), el nmero de coordinacin de todos los tomos de Si es de cuatro, tambin podemos decir que los tomos de Si son cuatro coordinados. Una celda unitaria se puede definir, como una red cristalina que se puede reproducir mediante la duplicacin de la clula unitaria en apilamiento y los duplicados uno al lado del otro. 1.2 Redes Cristalinas Una celda unitaria de red cristalina representa una estructura en red para un cristal de silicio sencilla. La figura 1.6a muestra la disposicin de la celda unitaria y la figura 1.6b muestra la estructura atmica de silicio de cristal nico. Cuando una constante de red de c-Si es de 5.4 es fcil calcular que hay aproximadamente 5 1022 tomos de Si por cm3. La figura 1.6 muestra la estructura cristalina atmica de Si con ningn tomo diferente al silicio.

Figura 1.7 (a) Una celda unitaria de red en diamante representando un cristal de Si sencillo de celda unitaria, (b) la estructura atmica de una parte de un cristal de silicio.

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En la prctica, una muestra de semiconductor siempre contiene algunos tomos de impurezas. Cuando la concentracin de tomos de impurezas en un semiconductor es insignificante nos referimos a semiconductor tal como un semiconductor intrnseco. En condiciones prcticas de funcionamiento, por ejemplo la temperatura ambiente (T = 300 Kelvin), siempre hay algunos de los enlaces covalentes rotos. La ruptura de los enlaces resulta en liberar a los electrones de valencia de los enlaces y hacindolos mvil a travs de la red cristalina. Nos referimos a estos electrones los electrones libres (de aqu en adelante referido simplemente como electrones). La posicin de un electrn que falta en un enlace, que puede ser considerado como de carga positiva, se conoce como un hueco. Esta situacin se puede visualizar fcilmente mediante el modelo de unin se muestra en la figura 1.7.

Figura 1.8 El modelo de enlace covalente del silicio (Si) , a) sin enlaces rotos, b) el enlace entre dos tomos es roto resultando un electrn en movimiento y un hueco. En el modelo de enlace de los ncleos atmicos (tomos sin electrones de valencia) estn representados por crculos y los electrones de valencia o de unin se representan por lneas de conexin entre los crculos. En el caso de c-Si un tomo de silicio tiene cuatro electrones de valencia y cuatro vecinos ms prximos. Cada uno de los electrones de valencia se comparte igualmente con el vecino ms cercano. Hay, pues, ocho lneas de terminacin en cada crculo. En el cristal ideal de Si a una temperatura 0 K todos los electrones de valencia participan en la formacin de enlaces covalentes entre tomos de Si y por lo tanto hay electrones libres en la red. Esta situacin se muestra esquemticamente en la figura 1.8a. A temperaturas superiores a 0 K los enlaces comienzan a romperse debido a la absorcin de energa trmica. Este proceso resulta en la creacin de electrones mviles y agujeros. La figura 1.8b muestra una situacin en la que un enlace covalente se rompe y un electrn se aparta de la unin dejando un hueco detrs. Una sola lnea entre los tomos en la figura 1.8b representa el electrn restante del enlace roto. Cuando un enlace se ha roto se ha creado un hueco, un electrn de valencia de un enlace vecino puede "saltar" a esta posicin vaca y restablecer el enlace. La consecuencia de esta transferencia es que al mismo tiempo, el electrn salta crea una posicin vaca en su enlace original. Los subsiguientes "saltos" de un electrn de valencia pueden ser vistos como un movimiento de la posicin vaca, huecos, en la direccin opuesta al movimiento de los electrones de valencia a travs de los enlaces. Debido a la rotura de un enlace covalente este conduce a la formacin de un par electrnhueco, en semiconductores intrnsecos la concentracin de electrones es igual a la concentracin de huecos. A 300 K hay aproximadamente 1.5 10 10 enlaces rotos por cm3 en el c-Si intrnseco. Este nmero da tambin la concentracin intrnseca de huecos, p, y los electrones, n, en el c-Si. Esto significa, que a 300 K, n = p = 1.5 1010 cm-3. Esta concentracin se conoce como concentracin de portadores intrnsecos y se denota ni.

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