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COMPONENTES ELECTRNICOS DIODOS

Autor: Alfonso Vicente Sacn

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EL DIODO
Las propiedades de los materiales semiconductores se conocan en 1874, cuando se observ la conduccin en un sentido en cristales de sulfuro, 25 aos ms tarde se emple el rectificador de cristales de galena para la deteccin de ondas. Durante la Segunda Guerra Mundial se desarroll el primer dispositivo con las propiedades que hoy conocemos, el diodo de germanio.

POLARIZACIN DIRECTA
el nodo se conecta al positivo de la batera y el ctodo al negativo.

CIRCUITO

CARACTERSTICAS
El diodo conduce con una cada de tensin de 0,6 a 0,7V. El valor de la resistencia interna seria muy bajo. Se comporta como un interruptor cerrado El diodo no conduce y toda la tensin de la pila cae sobre el. Puede existir una corriente de fuga del orden de uA. El valor de la resistencia interna sera muy alto Se comporta como un interruptor abierto.

INVERSA
el nodo se conecta al negativo y el ctodo al positivo de la batera

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Autor: Alfonso Vicente Sacn . SIMBOLOGA

Diodo rectificador

Diodo Schottky

Diodo zener

Diodo varicap

Diodo Pin

Diodo tnel

Diodo LED

Fotodiodo

Puente rectificador

CARACTERISTICAS TECNICAS
Como todos los componentes electrnicos, los diodos poseen propiedades que les diferencia de los dems semiconductores. Es necesario conocer estas, pues los libros de caractersticas y las necesidades de diseo as lo requieren. En estos apuntes aparecern las ms importantes desde el punto de vista practico.

Valores nominales de tensin:

VF = Tensin directa en los extremos del diodo en conduccin. VR = Tensin inversa en los extremos del diodo en polarizacin inversa. VRSM = Tensin inversa de pico no repetitiva. VRRM = Tensin inversa de pico repetitiva. VRWM = Tensin inversa de cresta de funcionamiento.

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Autor: Alfonso Vicente Sacn . Valores nominales de corriente:
IF = Corriente directa. IR = Corriente inversa. IFAV = Valor medio de la forma de onda de la corriente durante un periodo. IFRMS = Corriente eficaz en estado de conduccin. Es la mxima corriente eficaz que el diodo es capaz de soportar. IFSM = Corriente directa de pico (inicial) no repetitiva.
AV= Average(promedio) RMS= Root Mean Square (raz de la media cuadrtica)

Valores nominales de temperatura

Tstg = Indica los valores mximos y mnimos de la temperatura de almacenamiento. Tj = Valor mximo de la temperatura que soporta la unin de los semiconductores.

TIPOS DE DIODOS.DIODOS METAL-SEMICONDUCTOR.- Los ms antiguos son los de germanio con punta de tungsteno o de oro. Su aplicacin ms importante se encuentra en HF, VHF y UHF. Tambin se utilizan como detectores en los receptores de modulacin de frecuencia. Por el tipo de unin que tiene posee una capacidad muy baja, as como una resistencia interna en conduccin que produce una tensin mxima de 0,2 a 0,3v. El diodo Schottky son un tipo de diodo cuya construccin se basa en la unin metal conductor con algunas diferencias respecto del anterior. Fue desarrollado por la Hewlett-Packard en USA, a principios de la dcada de los 70. La conexin se establece entre un metal y un material semiconductor con gran concentracin de impurezas, de forma que solo existir un movimiento de electrones, ya que son los nicos portadores mayoritarios en ambos materiales. Al igual que el de germanio, y por la misma razn, la tensin de umbral cuando alcanza la conduccin es de 0,2 a 0,3v. Igualmente tienen una respuesta notable a altas frecuencias, encontrando en este campo sus aplicaciones ms frecuentes. Un inconveniente de esto tipo de diodos se refiere a la poca intensidad que es capaz de soportar entre sus extremos. El encapsulado de estos diodos es en forma de cilindro , de plstico o de vidrio. De configuracin axial. Sobre el cuerpo se marca el ctodo, mediante un anillo serigrafiado.

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Diodo de punta de germanio

Diodo Schottky

DIODOS RECTIFICADORES.- Su construccin est basada en la unin PN siendo su principal aplicacin como rectificadores. Este tipo de diodos (normalmente de silicio) soportan elevadas temperaturas (hasta 200C en la unin), siendo su resistencia muy baja y la corriente en tensin inversa muy pequea. Gracias a esto se pueden construir diodos de pequeas dimensiones para potencias relativamente grandes, desbancando as a los diodos termoinicos desde hace tiempo. Sus aplicaciones van desde elemento indispensable en fuentes de alimentacin como en televisin, aparatos de rayos X y microscopios electrnicos, donde deben rectificar tensiones altsimas. En fuentes de alimentacin se utilizan los diodos formando configuracin en puente (con cuatro diodos en sistemas monofsicos), o utilizando los puentes integrados que a tal efecto se fabrican y que simplifican en gran medida el proceso de diseo de una placa de circuito impreso. Los distintos encapsulados de estos diodos dependen del nivel de potencia que tengan que disipar. Hasta 1w se emplean encapsulados de plstico. Por encima de este valor el encapsulado es metlico y en potencias ms elevadas es necesario que el encapsulado tenga previsto una rosca para fijar este a un radiador y as ayudar al diodo a disipar el calor producido por esas altas corrientes. Igual le pasa a los puentes de diodos integrados. DIODO RECTIFICADOR COMO ELEMENTO DE PROTECCION.- La desactivacin de un rel provoca una corriente de descarga de la bobina en sentido inverso que pone en peligro el elemento electrnico utilizado para su activacin. Un diodo polarizado inversamente cortocircuita dicha corriente y elimina el problema. El inconveniente que presenta es que la descarga de la bobina es ms lenta, as que la frecuencia a la que puede ser activado el rel es ms baja. Se le llama comnmente diodo volante. DIODO RECTIFICADOR COMO ELEMENTO DE PROTECCION DE UN DIODO LED EN ALTERNA.- El diodo LED cuando se polariza en c.a. directamente conduce y la tensin cae sobre la resistencia limitadora, sin embargo, cuando se polariza inversamente, toda la tensin se encuentra en los extremos del diodo, lo que puede destruirlo. DIODOS ZENER.- Se emplean para producir entre sus extremos una tensin constante e independiente de la corriente que las atraviesa segn sus especificaciones. Para conseguir esto se aprovecha la propiedad que tiene la unin PN cuando se polariza inversamente al llegar a la tensin de ruptura (tensin de zener), pues, la intensidad inversa del diodo sufre un aumento brusco. Para evitar la destruccin del diodo por la avalancha producida por el aumento de la intensidad se le pone en serie una resistencia que limita dicha corriente. Se producen desde 3,3v y con una potencia mnima de 250mW. Los encapsulados pueden ser de plstico o metlico segn la potencia que tenga que disipar.

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DIODOS LED ( Light Emitting Diode).-Es un diodo que presenta un comportamiento parecido al de un diodo rectificador sin embargo, su tensin de umbral, se encuentra entre 1,3 y 4v dependiendo del color del diodo. Color Infrarrojo Rojo Naranja Amarillo Verde Azul Tensin en directo 1,3v 1,7v 2,0v 2,5v 2,5v 4,0v

El conocimiento de esta tensin es fundamental para el diseo del circuito en el que sea necesaria su presencia, pues, normalmente se le coloca en serie una resistencia que limita la intensidad que circular por el. Cuando se polariza directamente se comporta como una lamparita que emite una luz cuyo color depende de los materiales con los que se fabrica. Cuando se polariza inversamente no se enciende y adems no deja circular la corriente. La intensidad mnima para que un diodo LED emita luz visible es de 4mA y, por precaucin como mximo debe aplicarse 50mA. Para identificar los terminales del diodo LED observaremos como el ctodo ser el terminal ms corto, siendo el ms largo el nodo. Adems en el encapsulado, normalmente de plstico, se observa un chafln en el lado en el que se encuentra el ctodo. Se utilizan como seal visual y en el caso de los infrarrojos en los mandos a distancia. Se fabrican algunos LEDs especiales: LED bicolor.- Estn formados por dos diodos conectados en paralelo e inverso. Se suele utilizar en la deteccin de polaridad. LED tricolor.- Formado por dos diodos LED (verde y rojo) montado con el ctodo comn. El terminal ms corto es el nodo rojo, el del centro, es el ctodo comn y el tercero es el nodo verde.

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Display.- Es una combinacin de diodos LED que permiten visualizar letras y nmeros. Se denominan comnmente displays de 7 segmentos. Se fabrican en dos configuraciones: nodo comn y ctodo comn. Estructura de un LED bicolor Estructura de un LED tricolor Display

Display de ctodo comn

Display de nodo comn

Disposicin de los pines en un display

FOTODIODO.- Son dispositivos semiconductores construidos con una unin PN, sensible a la incidencia de la luz visible o infrarroja. Para que su funcionamiento sea correcto se polarizarn inversamente, con lo que producirn una cierta circulacin de corriente cuando sean excitados por la luz. Debido a su construccin se comportan como clulas fotovoltaicas, es decir, en ausencia de tensin exterior, generan una tensin muy pequea con el positivo en el nodo y el negativo en el ctodo. Tienen una velocidad de respuesta a los cambios bruscos de luminosidad mayores a las clulas fotoelctricas. Actualmente, y en muchos circuitos ests ltimas se estn sustituyendo por ellos, debido a la ventaja anteriormente citada. DIODO DE CAPACIDAD VARIABLE (VARICAP).- Son diodos que basan su funcionamiento en el principio que hace que la anchura de la barrera de potencial en una unin PN varia en funcin de la tensin inversa aplicada entre sus extremos. Al aumentar dicha tensin, aumenta la anchura de esa barrera, disminuyendo as la capacidad del diodo. De este modo se obtiene un condensador variable controlado por tensin. Los valores de capacidad obtenidos van desde 1 a 500pF. La tensin inversa mnima tiene que ser de 1v. La aplicacin de estos diodos se encuentra en la sintona de TV, modulacin de frecuencia en transmisiones de FM y radio, sobre todo.

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Autor: Alfonso Vicente Sacn . En esta tabla no estn todos los encapsulados en los que se fabrican los diodos, pero si estn los ms importantes

DO-5

DO-35

DO-41

TO-220AC

TO-3

PWRTAB

PWRTABS

SOT-223

SMA

SMB

SMC

D618sl

D2pak

Dpak

TO-200AB

TO-200AC

Puentes rectificadores

B380C1000G(GS)

KBPC(D46)

KBB(D37)

GBL

GBU (IR) IN LINE 5S2(FAGOR)

GBPC(D34) (IR) POWER-L(FAGOR)

MB(D34) POWER (FAGOR)

MT(D63)

DF8(D71)

DF(D70)

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Todos los semiconductores tienen serigrafiados nmeros y letras que especifican y describen de que tipo de dispositivo se trata. Existen varias nomenclaturas o cdigos que pretenden darnos esta preciada informacin. De todas destacan tres: PROELECTRON (Europea) que consta de dos letras y tres cifras para los componentes utilizados en radio, televisin y audio o de tres letras y dos nmeros para dispositivos industriales. La primera letra precisa el material del que est hecho el dispositivo y la segunda letra el tipo de componente. El resto del cdigo, nmeros generalmente, indica la aplicacin general a la que se aplica. Para la identificacin de estos dispositivos se utiliza la tabla que sigue a continuacin. La primera letra indica el material semiconductor utilizado en la construccin del dispositivo A B C D R Germanio Silicio Arseniuro de Galio Antimoniuro de Indio Material de otro tipo La segunda letra indica la construccin y utilizacin principal del dispositivo A B C D E F L P R S Diodo de seal (diodo detector, de conmutacin a alta velocidad, mezclador). Diodo de capacidad variable (varicap). Transistor, para aplicacin en baja frecuencia. Transistor de potencia, para aplicacin en baja frecuencia Diodo tnel. Transistor para aplicacin en alta frecuencia. Transistor de potencia, para aplicacin en alta frecuencia Dispositivo sensible a las radiaciones. Dispositivo de conmutacin o de control, gobernado elctricamente y teniendo un efecto de ruptura (tiristor). Transistor de aplicacin en conmutacin.

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T U X Y Z

Dispositivo de potencia para conmutacin o control, gobernado elctricamente y teniendo un efecto de ruptura (tiristor). Transistor de potencia para aplicacin en conmutacin Diodo multiplicador (varactor). Diodo de potencia (rectificador, recuperador). Diodo Zener o de regulacin de tensin. La serie numrica consta:

a) De tres cifras (entre 100 a 999) para dispositivos proyectados principalmente en aparatos de aplicacin domstica (radio, TV, registradores, amplificadores). b) Una letra (X,Y,Z), seguida de dos cifras (de 10 a 99) para los dispositivos proyectados para usos principales en aplicaciones industriales y profesionales . Ejemplos: BC107 Transistor de silicio de baja frecuencia, adaptado principalmente para usos generales. BSX 51 Transistor de silicio de conmutacin, adaptado principalmente para aparatos industriales. En algunos casos, para indicar variaciones de un tipo ya existente, la serie numrica puede ir seguida de una letra: BSX51A Transistor similar al BSX51, pero especificado para una tensin ms alta .

En Estados Unidos se utiliza la nomenclatura de la JEDEC ( Joint Electronic Devices Engineering Council) regulado por la EIA (Electronic Industries Association), que consta de un nmero, una letra y un nmero de serie (este ltimo sin significado tcnico). El significado de los nmeros y letras es el siguiente: 1N Diodo o rectificador 2N Transistor o tiristor 3N Transistor de Efecto de Campo FET o MOSFET

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Los fabricantes japoneses utilizan el cdigo regulado por la JIS (Japanese Industrial Standards), que consta de un nmero, dos letras y nmero de serie (este ltimo sin ningn significado tcnico). El nmero y letras tienen el siguiente significado: Nmero 0 1 2 3 Foto transistor Diodo, rectificador o varicap Transistor, tiristor Semiconductor con dos puertas S Primera letra Semiconductor A B C D F G J K Ejemplo.- 2SG150: Tiristor de puerta N Segunda letra Transistor PNP de A.F. Transistor PNP de B.F. Transistor NPN de A.F. Transistor NPN de B.F. Tiristor de puerta P Tiristor de puerta N FET de canal P FET de canal N

PUENTES RECTIFICADORES
Existen varios cdigos para indicar las caractersticas de este tipo de dispositivo, la ms utilizada es la siguiente: Empieza por la letra B seguida de un nmero, que indica el valor eficaz mximo de tensin inversa que soporta, a continuacin, y seguida de la letra C, muestra la intensidad mxima en miliamperios que soporta en dos situaciones el componente: cuando est montado sobre chasis o radiador y cuando est sobre circuito impreso. Ejemplo: B 380 C 2000/1500 B380.Tensin inversa mxima que soporta de 380v. C 2000/1500.- Intensidad mxima en mA sobre chasis o radiador de 2000mA (2A) y 1500mA (1,5A) sobre circuito impreso.

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