Superficies y Vaco 18(2), 26-29, junio de 2005

Sociedad Mexicana de Ciencia y Tecnologa de Superficies y Materiales

Teora lineal del enfriamiento termoelctrico de Peltier

G.N.Logvinov, Jos Luis del Ro Valds SEPI-ESIME Culhuacn, Instituto Politcnico Nacional Av. Santa Ana 1000, Col. San Francisco, Culhuacn, C.P. 04430, D.F., Mxico, Mxico Yu.G.Gurevich* Depto. Fsica Aplicada-Electrnica, Universidad Salamanca Plaza de la Merced s/n, Edificio Trilinge, E-37008, Salamanca, Espaa (Recibido: 15 de abril de 2005; Aceptado: 23 de mayo de 2005)
Se sugiere un nuevo modelo de enfriamiento termoelctrico (efecto Peltier) en la unin de dos semiconductores. Esta teora se basa en el anlisis del principio de Le Chatelier-Braun, y en la ecuacin de balance de energa en la presencia de corriente elctrica y de flujo de calor a travs de la estructura de dos semiconductores. Se obtienen las distribuciones de temperatura que ilustran el efecto Peltier. Palabras clave: Enfriamiento termoelctrico; Efecto de Peltier A new model of thermoelectric cooling (the Peltiers effect) on the junction of two semiconductors is suggested. This theory is based on analysis of the Le Chatelier-Braun thermodynamic principle and the energy balance equation in a structure created from two semiconductors across which an electric current runs. The temperature distributions illustrating the Peltiers effect are obtained. Keywords: Thermoelectric cooling; Peltiers effect

1. Introduccin Actualmente el enfriamiento termoelctrico ha comenzado a llamar fuertemente la atencin, especialmente en el campo de la microelectrnica. Los enfriadores termoelctricos son ampliamente usados para el enfriamiento de dispositivos electrnicos [1]-[4] ya que son dispositivos de estado slido sin partes mviles, y pueden ser fabricados en tamaos muy pequeos, del orden de micrmetros [4]. Las ventajas indiscutibles de los enfriadores o refrigeradores termoelctricos son las siguientes: La habilidad de disipar calor de los dispositivos microelectrnicos, tales como los circuitos integrados. La habilidad de ser incorporados directamente en el chip proporcionando enfriamiento local. Las ventajas mencionadas permiten resolver problemas que surgen al incrementar las velocidades de procesamiento de los circuitos integrados, computadoras y otros sistemas electrnicos que requieren altos niveles de potencia y gran densidad de empaquetamiento. El diseo de microprocesadores con velocidades de reloj ms rpidas requiere de mayor potencia. El incremento en la densidad de los procesadores tambin resulta en un mayor requerimiento de potencia. Adems, el crecimiento en la digitalizacin y miniaturizacin de equipo portable tanto civil como militar requiere un incremento en los niveles de integracin entre la electrnica, fuentes de poder y control trmico. Actualmente, muchos dispositivos electrnicos de alta potencia, tales como amplificadores y microprocesadores, operan a altas temperaturas cercanas al 26

lmite de fiabilidad, lo cual puede afectar severamente el desempeo y tiempo de operacin [5]. La eliminacin de calor de tales dispositivos electrnicos puede hacerse mediante enfriamiento termoelctrico. La principal desventaja de los dispositivos de enfriamiento termoelctrico es su baja eficiencia. Los dispositivos termoelctricos actuales operan a alrededor del 10% de la eficiencia de Carnot, mientras que la eficiencia de un refrigerador basado en compresin, tales como los refrigeradores domsticos, operan a alrededor del 30% de la eficiencia de Carnot [2]. Por esta razn los dispositivos termoelctricos son usados donde la eficiencia es menos importante que un tamao pequeo, poco peso, o alta fiabilidad. El principal parmetro que determina el desempeo del enfriamiento termoelctrico de un material es la figura del mrito termoelctrica ZT [6], donde Z = , es el coeficiente de Seebeck, es la conductividad elctrica, es el coeficiente de conductividad trmica, y T es la temperatura. Entre mayor sea este parmetro, mayor ser la eficiencia termoelctrica. Los mejores materiales disponibles hoy en da, para dispositivos que operan cercanos a la temperatura ambiente, tienen un ZT alrededor de 1, un valor que se ha incrementado solamente en dcimas porcentuales desde finales de 1950. Estos materiales son aleaciones de antimonio y telurio de bismuto con algunos restos de otros elementos para dopar el semiconductor. Los enfriadores termoelctricos con ZT 1 operan solamente al 10% de la eficiencia de Carnot. Incrementando ZT por un factor de 4 permitira llegar al 30% de la eficiencia de Carnot [2]. La bsqueda de caminos para incrementar el parmetro
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ZT , define la principal investigacin experimental y tecnolgica en el rea del enfriamiento termoelctrico moderno. Inmediatamente se debe notar que este parmetro es obtenido basndose en el anlisis de los flujos trmicos en los dispositivos de enfriamiento termoelctrico, en los cuales se exhibe el efecto Peltier. Solamente este efecto sustenta la base del enfriamiento termoelctrico. Por esta razn es muy importante imaginar la fsica de este fenmeno y tener un modelo cerrado adecuado, que permita calcular correctamente todos los parmetros del enfriamiento termoelctrico. Desde nuestro punto de vista, la literatura cientfica actualmente disponible describe superficialmente el efecto Peltier y un modelo matemtico riguroso de este efecto no existe. El presente trabajo esta encaminado para tratar de solventar tal deficiencia.
2. Nuevo enfoque del efecto Peltier. Usualmente este efecto esta definido como la absorcin o emisin de calor, (en adicin al calor de Joule) en la unin de dos conductores a travs de los cuales una corriente DC circula (ver, por ejemplo, [7,8]). La absorcin de este calor o su emisin depende de la direccin de la corriente elctrica, y por unidad de tiempo es igual a: Q = ( 1 2 )J , (1) donde

el fenmeno termoelctrico discutido. El principio de Le Chatelier-Braun en el caso general puede ser formulado de la siguiente forma: Una influencia externa que cambia al sistema de algn estado termodinmico, estimula procesos en este mismo sistema que tienden a reducir los resultados de la influencia. El cambio del estado termodinmico del sistema causado por el cambio de los flujos de deriva, 1 J 2 J en la unin, deben ser compensados por otros flujos trmicos dirigidos contra los flujos de deriva tendiendo a regresar al sistema al estado termodinmico inicial. Estos flujos trmicos introducidos pueden ser nicamente los flujos de difusin trmica, los cuales crean la inhomogeneidad de la temperatura en la estructura. Por eso, el problema del enfriamiento termoelctrico se reduce al clculo de la distribucin de la temperatura en la estructura en presencia de la corriente elctrica. Con el propsito de ilustrar lo antes mencionado, debemos considerar un sistema heterogneo elemental compuesto de dos semiconductores homogneos distintos de tipo n (Fig. 1) a travs de los cuales flue una densidad de corriente j . Suponemos que los contactos elctricos de la estructura en x = d 1 y x = d 2 estn mantenidos a la temperatura de equilibrio T0 , las superficies laterales estn aisladas adiabticamente, y el rea de la seccin transversal es igual a la unidad en todas partes.

1, 2 son los coeficientes de Peltier de los materiales conductores y J es la corriente elctrica.

La Eq. (1) usualmente se obtiene en la suposicin de una estructura isotrmica. Esto significa que la temperatura es uniforme en todos lados y es una cantidad constante. Naturalmente, los flujos trmicos, los cuales son proporcionales a T ( es la conductividad trmica, T es la temperatura) estn ausentes en la estructura. Los nicos flujos trmicos son aquellos que acompaan a la corriente elctrica. Para mantener el estado isotrmico en este caso es necesario incluir un bao trmico externo en las consideraciones. Su papel es el calentamiento de la unin cuando esta se enfra y el enfriamiento de la unin cuando esta se calienta [8]. Inmediatamente aparece una pregunta: El efecto Peltier puede existir en el circuito termoelctrico, sin la interaccin trmica de las uniones con el entorno?, es decir, El efecto Peltier puede existir como un fenmeno fsico en una estructura adiabticamente aislada? Desde nuestro punto de vista, S puede existir. Pero es necesario dejar de suponer el concepto de isotermia en la estructura. El concepto de enfriamiento o calentamiento de las uniones es necesario entenderlo como el decremento o incremento de la temperatura de esas reas en comparacin con otras partes del circuito elctrico. Por qu la inhomogeneidad de temperatura aparece, en un circuito termoelctrico heterogneo, en ausencia de interaccin trmica de la estructura del sistema con el medio ambiente? Desde nuestro punto de vista, aparece como resultado del principio de Le Chatelier-Braun [9] en 27

r j

T0

2j

T0

-d1

d2

Fig.1. Estructura semiconductora a travs de la cul circula una corriente elctrica d.c. Adems, suponemos que la unin en x = 0 es isotermica, es decir la temperatura en ella es continua, T1 ( x = 0) = T2 ( x = 0) . El flujo de calor de deriva q dr = j ( es el coeficiente de Peltier) fluye junto con una corriente elctrica a travs de la estructura. Este flujo sufre una discontinuidad en la unin de los dos medios distintos, a diferencia de la corriente elctrica, y esta discontinuidad es proporcional a El flujo de calor de deriva aumenta o disminuye en la unin (dependiendo de la relacin entre 1 y 2 ) a una corriente elctrica dada. Para esto, es necesario recordar que el signo de los coeficientes de Peltier depende del tipo de portadores de carga. En

( 1 2 ) j .

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semiconductores del tipo n, los considerados por nosotros, es negativo. Atribuimos que de acuerdo al principio general de Le Chatelier-Braun, otro flujo de calor debe aparecer en la estructura que tiende a reducir esta ruptura. Estos flujos de calor por su naturaleza deben ser solamente flujos trmicos de difusin. Justamente estos flujos llevan a la homogeneidad de la temperatura en la estructura. La magnitud de estas corrientes trmicas de difusin est controlada por la ecuacin de balance de energa. El flujo de corriente de difusin trmica siempre debe coincidir con la direccin del flujo de calor de deriva en el material de la estructura que tiene en valor absoluto el menor valor de . Al contrario, el flujo de difusin trmico siempre debe ser opuesto a la direccin del flujo de calor de deriva en el material que tiene en valor absoluto el mayor valor de . Tal asimetra de las direcciones de los flujos de difusin trmicos lleva a un rompimiento en la unin de la estructura. El rompimiento del flujo de difusin trmica en el problema formulado por nosotros (ver Fig. 1) necesariamente lleva al aumento o disminucin de la temperatura de la unin localizada en x = 0 (Fig. 2). Precisamente esta disminucin de la temperatura de la unin o su incremento causado por la aparicin de los flujos inducidos de difusin trmica es la esencia del efecto Peltier Por simplificacin asumimos que la conductividad trmica superficial [10] de la unin es igual a infinito, as que la temperatura en la unin es continua.
(1) (2 )

r r j2 divq ( j T ) = 0

(2)

r r r r Aqu q = qdr + qdif es el flujo total de calor; qdif = T es el r r flujo de difusin trmica, qdr = j es el flujo de calor de

deriva (un flujo de calor que es transportado por los portadores de carga durante el proceso de su movimiento en el campo elctrico); es la energa, es la conductividad elctrica, j es la densidad de corriente elctrica, y es el coeficiente de Seebeck. El segundo trmino del lado izquierdo de la ecuacin (2) determina la evolucin del calor de Joule, el cual es cuadrtico con respecto a la corriente elctrica. El ltimo trmino corresponde a la evolucin o absorcin del calor de Thomson. La evolucin o absorcin de este calor depende de la orientacin mutua de los vectores j y T . Hemos precisado en la declaracin del problema que nos interesa, el gradiente de temperatura no es creado por alguna fuente externa, surge solamente debido a la corriente elctrica que circula. Por lo tanto, el calor de Thomson tambin es un trmino de segundo orden en j El primer trmino del lado izquierdo de la ecuacin (2) es el cambio espacial del flujo trmico total, y es lineal con respecto a la corriente elctrica. As, en la aproximacin lineal en j , la ecuacin se reduce para un medio homogneo a:
d 2T =0 dx 2

q dr = 1 j
(1) q dif = 1

T(x)

q dr = 2 j
(2 ) q dif = 2

(3)

dT1 dx
T0 0 T1(x) T2(x)

dT2 dx

Esta ecuacin tiene que ser complementada por las condiciones trmicas de frontera. Como se mencion anteriormente, por simplicidad hemos sugerido que:

T1 ( x = d1 ) = T2 ( x = d 2 ) = T0

(4)

-d1

d2

La siguiente condicin de frontera describe la continuidad de la temperatura en la unin:

T1 ( x = 0) = T2 ( x = 0)

(5)

Figura 2. Flujos trmicos y distribucin de temperatura en la estructura donde 2 < 1 .

Finalmente, la cuarta condicin de frontera determina la continuidad de los flujos trmicos a travs de la interfase x =0:

Es fcil mostrar que la unin es calentada (calentamiento termoelctrico) si 2 > 1 . 3. Modelo del efecto Peltier Para calcular la distribucin de temperatura en la estructura, usemos la ecuacin general de balance de energa para el caso estacionario, tomando en cuenta la ocurrencia de los flujos tanto elctrico como de calor en el sistema [11]: 28

dT1 dx

x =0

1 j = 2

dT2 dx

x =0

2 j

(6)

La ecuacin (3) junto con las condiciones de frontera (4)(6), da como resultado las siguientes distribuciones de temperatura:
j (d1, 2 x ) d 2,1 ( 1 2 ) = T0 1 + d d 2 , 1 T 1+ 2 0 1, 2 1 2 d1 x 0 , 0 x d2

(7)

T1, 2

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La ecuacin (7) determina las distribuciones de temperatura en la estructura de dos semiconductores en la cul una corriente elctrica fluye. Estas distribuciones corresponden al calentamiento o enfriamiento termoelctrico de Peltier considerado en la introduccin. Estas distribuciones muestran que la temperatura en cada punto de la estructura es ms baja o ms alta que T0 , es decir, la estructura se enfra o calienta dependiendo de la direccin de la corriente elctrica. La variacin mxima de temperatura con respecto a T0 est en la unin

aproximacin cuadrtica para la corriente elctrica y generalizar las condiciones de frontera (5), en el caso de una conductividad trmica finita superficial en la unin. Slo esta aproximacin puede darnos la posibilidad de obtener las caractersticas energticas principales del enfriamiento termoelctrico, as como la eficiencia del enfriamiento termoelctrico y la temperatura ms baja posible en la unin. Teniendo en cuenta que la conductividad trmica superficial dar lugar a un modelo ms real para el clculo de la eficiencia termoelctrica. 5. Reconocimientos Este trabajo ha sido parcialmente apoyado por el Consejo Nacional de Ciencia y Tecnologa (CONACYT, Mxico). Los autores expresan tambin la gratitud a Dr. Felipe Prez Rodrguez y Prof. J. E. Velzquez Prez por la ayuda en la preparacin del manuscrito. Referencias
[1] 1998 ASHRAE Handbook: Refrigeration, ed., American Society of Heating, Refrigerating and Air-Conditioning Engineers, Inc, Atlanta, Georgia, 5.2, (1998). [2] F. J. DiSalvo, Science, 285, 703 (1999). [3] Patrick E.Phelon, Victor A. Chiriac, and Tien-Yu Tom Lee, IEEE Transactions on Components and Packaging Technologies, 25, 356, (2002). [4] Luciana W.de Silva, Massoud Kaviany, International Journal of Heat and Mass Transfer, 47, 2417 (2004). [5] J.-P. Fleurial et al, Proc.16-th International Conference on Thermoelectrics, 641, (1997). [6] A.F.Ioffe. Semiconductor Thermoelements and Thermoelectric Cooling, Infosearch, London, 1957. [7] Jan Tauc, Photo and Thermoelectric Effects in Semiconductors, Pergamon Press, New York-OxfordLondon-Paris, (1962). [8] Neil W. Ashcroft, N. David Mermin, Solid State Physics, (Cornell University, Tokyo,(1976). [9] S.R. de Groot and P. Mazur, Non-Equilibrium Thermodynamics (Dover, New York, 1984). [10] G.N.Logvinov, Yu.G.Gurevich, and I.M.Lashkevich, Jpn. J.Appl.Phys., 42, 4448 (2003). [11] Samoilovich A.G., Korenblit L.L, Uspekhi Fiz.Nauk 49, 243 (1953). [12] Yu. G. Gurevich and G.N.Logvinov, Sov. Phys.Semicond., 26, 1091 (1992). [13] Yu.G.Gurevich, G.N.Logvinov, O.Yu.Titov, and J.Giraldo, Surface Review and Letters, 9, 1703 (2002). [14] I.N.Volovichev, G.N.Logvinov, O.Yu.Titov, and Yu.G.Gurevich, J.Appl.Phys, 95, 4496 (2004).
En la actualidad el autor Dr. Yu.Gurevich del CINVESTAV del IPN (Mxico) se encuentra en periodo sabtico.
*

1 2 T ( x = 0) = T0 1 + T 0 ( 1 / d1 + 2 / d 2 )

(8)

Como ha sido mostrado en la Ref. [13], el valor (1 2 ) j determina el cambio del flujo de energa cintica en la unin. Este cambio depende completamente de los parmetros de la barrera de potencial elctrica en la unin, tal como las funciones de trabajo de los semiconductores en contacto y sus afinidades de electrn. Por esta razn, el enfriamiento o calentamiento es asociado con el efecto Peltier y EST asociado A la barrera elctrica en la unin. Ntese que todas las ecuaciones obtenidas anteriormente siguen siendo verdaderas para las estructuras compuestas de semiconductores con conductividad tipo p. En este caso, solamente es necesario tomar en consideracin que 1,2 > 0 [1]. El efecto Peltier tambin existe en la unin de semiconductores de tipo n-p. Sin embargo, como fue demostrado en [14] los procesos termoelctricos en este caso dependern esencialmente de la cantidad de recombinaciones en reas adjuntas a la unin. En el caso de la recombinacin infinitamente fuerte, todas las ecuaciones de este artculo son correctas para este tipo de estructura. La diferencia esencial entre este caso y los casos previos es que ahora el material con la conductividad tipo n es caracterizado por el coeficiente de Peltier n < 0 mientras que le material con la conductividad tipo p es caracterizado por el coeficiente de Peltier p > 0 . En este caso el enfriamiento es ms fuerte. 4. Conclusiones Se presenta la teora lineal del efecto Peltier. Permitiendo la comprensin de los mecanismos de enfriamiento en la unin de dos semiconductores y se presenta el efecto Peltier de forma analtica. La aproximacin sugerida puede ser generalizada para el caso no lineal y tambin para el caso en que se toma en cuenta la resistencia trmica en la unin. Por esto es necesario calcular la ecuacin (2) en la

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