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Os transstores bipolares e os transstores de efeito de campo (Fet) distinguem-se pela sua estrutura e teoria de funcionamento; h no entanto uma diferena que determina a sua utilizao: O transstor bipolar comandado por corrente, enquanto o Fet comandado por tenso.
Tipos de Fet
J-Fet (Junction - Field Effect Transistor) MOS-Fet (Metal Oxide Semiconductor - Field Effect Transistor)
J-Fet
Zona de depleco
O J-Fet canal N constitudo basicamente por uma juno PN, sendo ambos os extremos da regio N dotada de terminais (Dreno e Fonte), formando a regio P (Gate ou porta) um anel em volta da regio N. Se ligarmos uma bateria entre os terminais da regio N circular uma corrente limitada apenas pela resistncia do VDS material semicondutor. Porm, se polarizarmos inversamente VGS a juno PN (Gate negativa em relao Fonte), formar-se- uma zona de depleco em volta da juno PN. Devido a esse NOTA: Para o J-Fet canal P devemos facto, ficar mais estreito o canal o que equivale a um inverter a polaridade das tenses aumento da resistncia interna da regio N. aplicadas aos terminais. Atravs da Gate podemos determinar o maior ou menor fluxo de corrente entre os terminais Fonte e Dreno. Fixando o valor da tenso dreno-fonte (VDS), a corrente de dreno (ID) ser funo da polarizao inversa da Gate que variar a espessura do canal por variao da zona de depleco.
Smbolos
D Drain (Dreno) S Source (Fonte) G Gate (Porta)
Funcionamento VDS
Para o Fet funcionar a Gate deve ser inversamente polarizada (no JFet canal N: Gate negativa em relao Fonte, no J-Fet canal P: gate positiva em relao Fonte), O Dreno (D) positivo em relao Fonte (S). A corrente dreno-fonte (IDS) ou simplesmente corrente de dreno (ID) inversamente proporcional tenso gate-fonte (VGS), conhecida por tenso de gate (VG). Assim se: VG ID (isto porque a zona de depleco vai aumentar e o canal vai estreitar o que provoca um aumento de resistncia e consequentemente uma diminuio da corrente) Mantendo-se constante VDS e fazendo variar VG, ID sofrer uma certa variao e a relao ID/VG d-nos a transcondutncia em Siemens do Fet, representada por gm.
RD IDS RG RS
J-Fet canal N
Considerando ID como sada e VGS como entrada, o J-Fet surge como uma fonte de corrente controlada por tenso.
Lucnio Preza de Arajo http://www.prof2000.pt/users/lpa
Mos-Fet
Evitar tocar com as mos nos terminais dos Fet j que todos eles, mas especialmente os de tecnologia MOS, so sensveis a cargas elctricas estticas que podem danificar permanentemente a sua estrutura interna. A sua resistncia de entrada muito elevada (da ordem dos 1015 ).
Os transstores de gate isolada (Mos-Fet ou Ig-Fet) recebem esse nome em virtude da gate ser uma pelcula metlica (de alumnio) isolada electricamente do canal (semicondutor) atravs de uma finssima camada de xido de silcio.
Tipos de Mos-Fet
Mos-Fet de empobrecimento ou depleco Mos-Fet de enriquecimento NMOS (canal tipo N) PMOS (canal tipo P) CMOS (transstor NMOS e PMOS no mesmo chip)
Mos-Fet de empobrecimento
Tal como no J-Fet um dos extremos do canal a Fonte, e o outro o Dreno; e sobre o canal existe uma delicada capa de xido de silcio (SiO 2) sobre a qual aplicada uma camada de alumnio (Al) para formar a Porta ou Gate. O Dreno ligado ao plo positivo da bateria e a Fonte ao negativo. Se a tenso na Gate ou Porta for zero (VG= 0 Volt) a corrente de dreno (ID) ser limitada apenas pela resistividade do canal n (que Substrato Al no elevada). Porm, se aplicarmos uma tenso inversa entre a gate e a fonte (Gate negativa em relao Fonte) forma-se um campo electrosttico que repelir os electres livres que no material N, so os portadores de corrente, formando-se, desta forma, uma zona de depleco, cuja profundidade depender da SiO2 Figura: tenso aplicada. NMOS de empobrecimento Quando a tenso de porta se Canal N Substrato P torna negativa o campo elctrico produzido pelo condensador (formado pela Porta SiO2 canal N) vai atrair cargas positivas para o canal. A presena das cargas positivas destri as negativas e isso produz um estreitamento do canal. Desta forma, tal como sucede nos J-Fet, a intensidade da corrente entre Fonte e Dreno (ID) ser inversamente proporcional tenso entre Gate e Fonte (VG) VG ID H um valor da tenso de Gate, chamada tenso de corte, no qual o canal ficar totalmente fechado e a corrente de dreno ser igual a zero. O menor valor negativo da tenso de Gate que elimina o canal designa-se por tenso limiar ou tenso de threshold (VT) ou VGS off.
Smbolos
NMOS de empobrecimento PMOS de empobrecimento
http://www.prof2000.pt/users/lpa
Mos-Fet de enriquecimento
A zona P mais larga, sendo o canal restrito a pequenas pores de material N junto fonte e ao dreno. Tal como no Canal induzido Fet de empobrecimento, a gate ou porta isolada do canal por uma camada de xido de silcio. Neste transstor, no entanto, a porta ou gate recebe uma tenso positiva em relao fonte, de modo que o campo electrosttico assim formado, em vez de repelir os electres, os atrai, formando um canal N entre a fonte e o dreno (a tracejado na figura). A formao deste canal permite, ento, a circulao da corrente de dreno (ID) Figura: cuja intensidade, ir depender da tenso de gate (VG), j que a NMOS de enriquecimento profundidade do canal entre a Fonte e o Dreno ser Canal N Substrato P determinada pelo campo electrosttico. Se a tenso gate fonte (VGS) for nula no se formar o canal induzido logo no haver corrente de dreno (ID). No caso do Mos-Fet de canal N o dreno deve ser ligado ao positivo da bateria, e a Fonte ao negativo, sendo a gate ou porta ligada ao positivo atravs de um divisor de tenso destinado a fornecer a exacta tenso da gate. importante recordar que, como a resistncia de entrada infinita (j que a gate electricamente isolada do canal) a gate de um MosFet no consome qualquer corrente, da a necessidade do divisor.
Smbolos
NMOS de enriquecimento PMOS de enriquecimento
m =