BLOQUE II.

- ESTRUCTURA

Tema 4.- Solidificacin y Difusin

* William F. Smith Fundamentos de la Ciencia e Ingeniera de Materiales. Tercera Edicin. Ed. Mc-Graw Hill * James F. Shackerlford Introduccin a la Ciencia de Materiales para Ingenieros. Cuarta edicin. Ed. Prentice Hall (1998) W. D. Callister Introduccin a la Ciencia e Ingeniera de los Materiales. Libro I (Captulo 7) Ed. Revert (2000)

Objetivos

Tema 4.Solidificacin y Difusin

Conocer el fenmeno de la solidificacin Nucleacin Crecimiento de grano Describir la influencia del tamao de granos sobre las propiedades de los materiales Analizar la influencia de los defectos Conocer los procesos y reacciones basados en la transferencia de masa Dentro del mismo slido Desde un lquido, gas u otro slido Entender el concepto de difusin: fenmeno de transporte por movimiento atmico Conocer y entender los diferentes mecanismos atmicos de la difusin Comprender las leyes de la difusin Influencia de las factores que influyen en la difusin Conocer algunas aplicaciones industriales del fenmeno de la difusin

Solidificacin

Tema 4.Solidificacin y Difusin

Proceso desde el estado fundido (lquido) a un estado slido. Es un importante proceso industrial ya que muchos metales se funden para moldearlos hasta darles una forma acabada o semiacabada. Etapas de la Solidificacin 1. 2. NUCLEACIN Formacin de ncleos/semillas (partculas slidas) estables en el fundido. CRECIMIENTO hasta la formacin de cristales y la formacin de una estructura granular Lmites /Fronteras de grano

Lquido

Ncleos

Cristales que formarn granos

Granos
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Mecanismos de Nucleacin

Tema 4.Solidificacin y Difusin

Formacin de ncleos/semillas slidos ESTABLES en el medio fundido (lquido)

Homognea
Durante el enfriamiento de un fundido puro Movimiento lento de los tomos: se forman ncleos homogneos con un tamao superior al tamao crtico

Heterognea
Durante el enfriamiento de un fundido Formacin de ncleos sobre la superficie de un agente de nucleacin slido (superficie del recipiente, impureza insoluble, )

Material Policristalino: slido con muchos monocristales/granos y lmites de grano Estruct. Granular Crecimiento de grano ( ordenados regularmente) pero con diferente orientacin
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Materiales Slidos
Estruct. Granular

Tema 4.Solidificacin y Difusin

Policristalinos:

Grano fino: n muchos puntos de

nucleacin y lmites de grano. (Metales y aleaciones con aplic. en Ingeniera) Grano Grueso: n pocos puntos de nucleacin. ( peores propiedades)

Granos ordenados atmicamente in situ Diferente orientacin entre granos Lmite de grano

Monocristales:
nico Cristal/grano

Disposicin atmica perfecta Celdillas enlazadas misma orientacin

Slo debe haber un nico punto de nucleacin. Componentes electrnicos y microelectrnica (monocristales de silicio, transistores, semiconductores y algunos tipos de diodos (no deben existir lmites de grano para no afectar las prop.)
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Difusin

Tema 4.Solidificacin y Difusin

Mecanismo por el que la materia se transporta a travs de la materia. Fenmeno de transporte por movimiento atmico Gases mov. tomos/molculas muy rpido Lquidos mov. ms lento Interacciones atmicas Slidos SLO vibraciones trmicas en posiciones equilibrio Difusin en slidos mov. tomos dentro de la red cristalina Tipos de difusin: Autodifusin.- Difusin de tomos a travs de un slido constituido por tomos de su misma naturaleza. Ejemplo: movimiento de iones en un conductor inico Difusin de solutos o impurezas.- tomos de soluto/impurezas se desplazan en una matriz de tomos diferentes. Ejemplo: difusin de C o N en matriz de Fe (procesos de cementacin y nitruracin)
J.F. SHACKELFORD. Introduccin a la ciencia de materiales para ingenieros. Ed. 6 Prentice Hall

Ejemplo de difusin
2 metales puros Cu-NI en contacto por sus caras

Tema 4.Solidificacin y Difusin

Proceso: elevada temperatura <Tm Largo periodo de tiempo

Difusin atm Cu

Cu

Aleacin Cu-Ni
Difusin atm Ni

Ni Extremos: Metales puros (Ni y Cu) Intermedio: regin ALEACIN

Concentracin Ni, Cu

Cu

Ni

Composicin variable con la distancia

distancia 7

Mecanismos de Difusin
DIFUSIN: mov. de atm de un sitio de la red a otro ocurrir siempre y cuando:

Tema 4.Solidificacin y Difusin

1. posicin reticular prxima vaca 2. atm debe tener suficiente Eg vibratoria como para romper enlaces con sus atm vecinos y distorsionar la red durante el desplazamiento

Hay dos mecanismos principales de difusin de los tomos en una red cristalina: I.- Mecanismo sustitucional o por vacantes II.- Mecanismo intersticial

I.- Mecanismo sustitucional o por vacantes

Habr Movimiento tomos vacantes o defectos prximos para movimiento Etrmica de los atm para vencer Eactivacin

Tema 4.Solidificacin y Difusin

[vacantes] Etrmica <> Eact

difusin

Tipo: Autodifusin difusin de impurezas

II.- Mecanismo Intersticial

Tema 4.Solidificacin y Difusin

tomos en posiciones intersticiales se desplazan a otras posiciones intersticiales vacas sin desplazar permanentemente a ningn tomo de la matriz

Los tomos que difunden intersticialmente son pequeos respecto de los de la matriz (ej: H, N, O, C, .... en redes cristalinas metlicas ).
Ej: Ej: atm atm C C pueden pueden difundir difundir intersticialmente intersticialmente en en FeFe- (BCC) (BCC) y y en en FeFe- (FCC) (FCC)

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Mecanismos de Difusin: Energa de Activacin

Tema 4.Solidificacin y Difusin

Mecanismo Sustitucional/vacantes

En general, Eactiv-mec. Sustit.>> Eactiv-mec. Interst.

Mecanismo Intersticial

Mayora de las aleaciones, la difusinintersticial es ms rpida difusinvacantes , ya 12 que los tm son ms pequeos y con ms movilidad

Proceso de Difusin

Tema 4.Solidificacin y Difusin

Macroscpicamente: difusin = f (tiempo) conocer velocidad

Flujo de Difusin (J) cantidad de masa (n de tomos) M que difunden perpendicularmente a travs de un rea (A) de un slido por unidad de tiempo t

1 dM J= A dt

(Kg/m2s atomos/m2 s)

Difusin en estado estacionario (J cte con tiempo): 1 ley Fick

Difusin en estado no estacionario (J no cte con tiempo): 2 ley Fick

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Difusin en estado estacionario: 1 Ley de Fick (I)

Tema 4.Solidificacin y Difusin

Estado Estacionario: J es constante ya que No cambia concentracin de tomos de soluto en un punto con el tiempo.
Ej: Difusin de tomos de un gas (H2) a travs de una fina lmina metlica de paladio cuyas concentraciones (o presiones) en ambos lados de la lmina se mantienen constantes Pd PA
H2

la

J
PB
H2

CA

Pd CB x

CA

Perfil de concentracin: pendiente es el gradiente de concentracin

CB
Posicin o distancia

PA >>PB
J: flujo neto de tomos

XA

XB

C C A C B = gradiente de concentracin = x X A X B

J = D

dC dX

Expresin matemtica: Difusin en estado estacionario en una direccin

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Difusin en estado estacionario: 1 Ley de Fick (II)

Tema 4.Solidificacin y Difusin

C J = D x

J= flujo de difusin ( = n tomos M que difunden por unidad de superficie y tiempo (at/m2s) C/x= gradiente de concentracin en una direccin ([at/m3]/m)

D = Difusividad o coeficiente de difusin

(m2/s)

C: masa de la sustancia o n de tomos por unidad de volumen del slido (Kg/m3) (atm/m3) El signo negativo indica que la direccin de difusin es contraria al gradiente de concentracin (desde elevada concentracin a baja concentracin)

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Difusin estado no estacionario: 2 Ley de Fick (I)

Tema 4.Solidificacin y Difusin

Mayora materiales difusin Estado NO Estacionario la concentracin de tomos de soluto en un punto del material cambia con el tiempo flujo de difusin y el gradiente de concentracin de tomos cambian con el tiempo.
Concentracin solutos

C(x) cte D = cte

t1< t2<t3

C x C = D t x x
2

2 Ley de Fick

Cuando D es independiente de composicin:

t3

t1

t2

c x cx =D 2 t x
distancia

Ejemplo: difusin de un gas (cuya concentracin superficial se considera constante); en el interior de un slido semi-infinito ( difusin de carbono en un acero, saturacin de un metal con gases atmosfricos, etc)
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Difusin estado no estacionario: 2 Ley de Fick (II)

Condiciones lmite: t=0, C=C0 para 0<x<. t>0, C=Csup (concentracin superficial cte) para x=0 C=C0 para x=

Tema 4.Solidificacin y Difusin

C x C0 x = 1 erf Cs C0 2 Dt
Cx = concentracin a una distancia x tras un tiempo t Erf = funcin de error gausiana
Cs
Concentracin, C

Cs-C0 Cx
Cx-C0

C0
Distancia a la superficie, x
J.F. SHACKELFORD. Introduccin a la ciencia de materiales para ingenieros. Ed. Prentice Hall

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Factores del Coeficiente de Difusin (I)

Tema 4.Solidificacin y Difusin

La magnitud del coeficiente de difusin D es indicativo de la velocidad de difusin atmica

a) Tipo de mecanismo: a) Intersticial b) Sustitucional/por vacantes b) Tipo de red de la matriz anfitrin c) Existencia de defectos a) Tipo de defecto d) Tipo de soluto y concentracin de soluto e) Temperatura

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Factores del Coeficiente de Difusin (I)

Tema 4.Solidificacin y Difusin

a) Mecanismo de difusin C (Ratm. Pequeo) difunde intersticialmente en Fe- (FCC) y en el Fe- (BCC) Cu (Ratm ) difunde sustitucionalmente en una red metalica de Al

W.F. SMITH Fundamentos de la ciencia e ingeniera de materiales. Ed. McGraw-Hill

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Factores del Coeficiente de Difusin (II)

Tema 4.Solidificacin y Difusin

b) Tipo de estructura cristalina de la red cristalina anfitriona/matriz D (C en Fe-, FCC)=5.10-15 m2/s < D(C en Fe-, BCC)=10-12 m2/s
f(BCC) =0.68< f(FCC)=0.74

c) Tipo de imperfecciones o defectos en el cristal: -Estructuras abiertas ( canales, planos, ) D - Dsuperficie > Dborde grano> Dinterior d) Concentracin especies que difunden
1. 2. Variacin de las fuerzas de cohesin entre tomos. Direcciones preferenciales de migracin para disminuir la eg interna de la red
J.F. SHACKELFORD. Introduccin a la ciencia de materiales para ingenieros. Ed. Prentice Hall

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Factores del Coeficiente de Difusin (III)

e) Temperatura: T D Difusin de tomos: al T Energa trmica atm. mayor probabilidad de mov. D D = f (T) (dependencia tipo Arrhenius):

Tema 4.Solidificacin y Difusin

D = D0 e

E act RT
J.F. SHACKELFORD. Introduccin a la ciencia de materiales para ingenieros. Ed. Prentice Hall

D = difusividad (m2/s) Do= cte proporcionalidad (factor de frecuencia) Eact= E activacin necesaria para producir el movimiento difusivo de 1 mol de tomos R = cte. gases T= Temperatura (K) Al Tf ED (ya que E enlace)
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Aplicacin en procesos industriales

Tema 4.Solidificacin y Difusin

BUSCAR EJEMPLOS DE APLICACIONES INDUSTRIALES DONDE SE PRODUZCA EL FENMENO DE LA DIFUSIN

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Aplicacin en procesos industriales

Tema 4.Solidificacin y Difusin

1. Endurecimiento superficial del acero (engranajes o ejes): procesos de Carburacin o Cementacin (CH4-N2): contenido en C 2. Fabricacin de circuitos electrnicos integrados con obleas de Si dopados con impurezas para modificar las caractersticas de la conductividad trmica. 3. Nitruracin de polvo de Si: Si3N4

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Tema 4.Solidificacin y Difusin

DIFUSIN Y EL PROCESADO DE MATERIALES 1. Endurecimiento superficial del acero (engranajes o ejes): procesos de Carburacin o Cementacin: contenido en C superf. y Nitruracin
contenido en N superf.

2.

Fabricacin de circuitos electrnicos integrados con obleas de Si dopados con impurezas para modificar las caractersticas de la conductividad elctrica. Descarburacin: perdida superficialmente en los aceros Sinterizacin Soldadura por difusin de carbono

3. 4. 5.

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Cementacin

Tema 4.Solidificacin y Difusin

Endurecimiento Superficial: Superficie: fase martenstica (muy dura) Interior: estruct. baintica y perltica (muy dctiles y tenaces)

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Sinterizacin

Tema 4.Solidificacin y Difusin

Formacin de puentes o cuellos entre las partculas o granos independientes, para formar un compacto con las partculas ya unidas

Importante: conformado/fabricacin de materiales cermicos

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Soldadura por difusin

Tema 4.Solidificacin y Difusin

Formacin de puentes o cuellos entre las partculas o granos independientes, para formar un compacto con las partculas ya unidas
Tensin

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