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TEXAS INSTRUMENT
XTR110
DESCRIPCION
El XTR110 es un convertidor monoltico (en una sola pieza) de voltaje-a-corriente de buena precisin diseado para la transmisin de seales analgicas. Acepta entradas de 0 a 5V de 0 a 10V y puede ser conectado para obtener salidas de 4mA a 20mA, de 0mA a 20mA, de 5mA a 25mA, y muchos otros rangos de corriente que son muy comnmente usados. Tiene una red de resistencias de pelcula metlica incorporada en el chip que permiten escalar la entrada y desplazar la corriente (la puesta a cero de la corriente). Posee una referencia de tensin interna 10 V que se puede
APLICACIONES
CONTROL DE PROCESOS INDUSTRIALES TRANSMISORES DE PRESION/TEMPERATURA EXCITACION PARA PUENTES EN MODO CORRIENTE ACEPTA CIRCUITOS TRANSDUCTORES CON PUESTA A TIERRA (ATERRADOS) ES FUENTE DE CORRIENTE DE REFERENCIA PARA ADQUISICION DE DATOS FUENTE DE CORRIENTE PROGRAMABLE PARA EQUIPO DE PRUEBA FABRICACION AUTOMATIZADA
VRFF Force
15
V,N2 (5V)
externos de hasta 10 mA. Se le puede agregar un transistor externo para obtener ms corriente, por ejemplo 33 mA para puentes de 300 ohmios. El XTR110 es un componente clave en la adquisicin de datos diseado para transmisin de seales ya que tiene alta inmunidad al ruido causado por modo-corriente. Tambin es ideal como una fuente de corriente programable de alta precisin para circuitos transductores y equipos de prueba.
Proceso de prueba a altas temperaturas.- El proceso de prueba a altas temperaturas es una opcin disponible tanto para los envase plsticos como para los envases cermicos del XTR110. La duracin de este proceso de prueba es de 160 horas a las temperaturas que se indican a continuacin (o un equivalente de la combinacin tiempo y temperatura). Envase plstico- modelos con las letras -BI : +85C. Envase cermico- modelos con las letras -BI : +125C. Todas las unidades son probadas despus de este examen de quemado a altas temperatura para garantizar que se cumplan estas especificaciones para este grado. Para comprar con esta opcin de esta prueba de quemado, agregar las letras BI al nmero base del modelo.
Por favor tenga en cuenta que al final esta hoja de datos aparece una nota importante sobre los productos semiconductores de la Texas Instruments en lo que respecta a su disponibilidad comercial, garanta estndar y su uso en aplicaciones crticas, y la no- responsabilidad legal de las mismas. Todas las marcas registradas son propiedad de sus respectivos propietarios.
Copyright 1984-2009, Texas Instruments Incorporated
PRODUCTION DATA information is current as of publication date. Products conform to specifications per the terms of Texas Instruments standard warranty. Production processing does not necessarily include testing of all parameters.
M TEXAS INSTRUMENTS
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ENVOLTURA
JD JD N DW
NOTA: (1)Para obtener la infotrmacion mas actual sobre las envolturas y forma de compra ver el apndice de opciones de envolturas que esta al final de este documento o ir a la pagina o sitio web www.ti.com.
1 2 3 4 5 6 7 8
16 +VCC 15 VREF Force 14 Gate Drive 13 Source Sense 12 VREF Sense 11 VREF Adjust 10 4mA Span 9 16mA Span
REF
ln
VIN1 (10V) VIN2 (5V) Zero Adjust Zero Adjust Span Adjust
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XTR110
SBOS141C
CARACTERISTICAS ELECTRICAS
A TA = +25C y Vcc = +24V y RL = 250Q**,a menos que se indique lo contrario. PARAMETRO CONDICIONES MIN TRANSMISOR Funcion de Transferencia 5 Rango de Entrada: V!N1( )
V|N2
UNIDADES
Corriente, l0 Nolinealidad Corr. de desplazamiento, los Inicial vs Temperatura vs Fuente, Vcc Error de Max Rango Inicial vs Temperatura vs Alimentacion, Vcc Resistencia de Salida Resistencia de Entrada
Desempeo Especificado Desempeo Especificado 1 Desempeo Especificado( ) Operac a valores menores*1' 2 16mA/20mA Span< > l0 = 4mA<1>
(1) (1) (1)
0 0 4 0
l0 = 10 [(VREFln/16) + (VIN1/4) + (VIN2/2)] /R SPAN + 10 * +5 * 20 * 40 * 0.01 0.025 0.2 0.0003 0.0005 0.3 0.0025 0.003 9 10 X 10 27 22 19 15 20 1.3 0.4 0.005 0.005 0.6 0.005 0.005
0.002 0.02
* * * *
l0 = 20mA
(1) (1) (1)
* *
0.05 0.0009
*
0.2 0.003
(3)
* * *
kn kn
US US mA/|is
Respuesta Dinamica Tiempo de Asentamiento Velocidad de cambio VOLTAGE REFERENCIA Voltage de Salida vs Temperatura vs Fuente, Vcc vs Corriente de salida vs Tiempo Rango de Ajuste Corriente de salida FUENTE DE ALIMENTAC. Voltage de Entrada, Vcc Corriente de reposo RANGOTEMPERATURAS Especificacion: AG, BG KP, KU Operacion: AG, BG KP, KU
. *
+ 10.05 50 0.005 0.01 +0.25 +9.98 15
+9.95 Line Regulation Load Regulation -0.100 10 + 13.5 Excluding l0 -40 0 -55 -25
* * * *
+ 10.02 30
* * * * * * *
Specified Performance
* * *
* * *
c c
* Las especificaciones son las mismas que las de los grados AG/KP ** Las especificaciones son validas para el rango de valores de RL mostrados en las curvas de desempeo tipicas NOTAS: (1) Incluyendo la referencia interna. (2) El Alcance o Span es el cambio que se produce en la corriente de salida cuando el voltage de entrada cambia en todo su rango. (3) Dentro de la observancia o cumplimiento del rango, limitado por (+VCC-2V) +VDS que es requerido para la operacin lineal del FET. (4) Para el circuito del ajuste de VREF vea la Figura 3. (5) Para el circuito de excitacion extendida de lREF vea la Figura 4. (5) Se puede daar la unidad. Ver la seccion Rango de tensiones de entrada.
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^r TEXAS INSTRU
MENTS
www.ti.c om
10
>
0.01
0.001 0.1
0.01
0.001
<3
10
100
1k
10k
100k
10
100
1k
10k
100k
Increm ento de 40 la temper 20 atura de la unin 0 por encima de la temper atura ambient e
60
Vcc = +24V
VCC = +15V
10 Corriente de Salida de VREF (mA) (l0UT tiene un efecto minimo sobre T,)
lcc vs TEMPERATURE
"o = 2 0mA
RL MAXIMO vs
cc
xx
= 20mA
< E
-40
-20
20 Temperature (C)
40
60
80
15
20
25
+
30 VCC(V)
35
40
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V,N
OV
ov
l0 Error (0.01% of
MM
Span/Box)
RESPUESTA AL PULSO
TIEMPO DE ASENTAMIENTO CON UN ESCALON POSITIVO EN VIN ^MB M;.i 0V
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tener un valor mximo de voltaje igual o mayor que el valor mximo del voltaje de la fuente de alimentacin Vcc. En la Tabla I se recomiendan varios tipos de transistores MOSFET.
FABRICANTE Ferranti PART NO. ZVP1304A ZVP1304B ZVP1306A ZVP1306B IRF9513 BVDSS<1> 40V 40V 60V 60V BVGS(D 20V 20V 20V 20V PACKAGE TO-92 TO-39 TO-92 TO-39 TO-220
60V 80V
80V 80V 30V 30V 30V 80V 80V 80V 40V 40V 60V 60V
20V 20V
20V 20V 40V 40V 40V 40V 40V 40V 20V 20V 20V 20V
MTP8P08 RFL1P08 RFT2P08 VP0300B VP0300L VP0300M VP0808B VP0808L VP0808M VP1304N2 VP1304N3 VP1306N2 VP1306N3
TO-220 TO-39 TO-220 TO-39 TO-92 TO-237 TO-39 TO-92 TO-237 TO-220 TO-92 TO-220 TO-92
RCA
+ (1)
Siliconix (preferred)
R, RSPAN es la impedancia total, vista desde el emisor del transistor NPN interno con respecto al comn. Esta impedancia vara dependiendo de cmo se configuren las patillas 8, 9 and 10. En la Figura 1 se muestran configuraciones de las regiones de operacin tpicas. Tal como se explica ms adelante, se puede conectar una resistencia externa RSPAN para obtener otros rangos de corriente de salida. TRANSISTOR EXTERNO Como se muestra en la Figura 1, se requiere un transistor de paso externo, QEXT. Este transistor conduce la corriente de la seal de salida. Se recomienda usar un transistor MOSFET de canal P. Este transistor MOSFET debe
Supertex
NOTA: (1) BVDSSvoltaje de ruptura entre el Drenador-Surtidor del MOSFET. BVGS voltaje de ruptura entre la Compuerta-Surtidor del MOSFET.
i 0 /ioj ( R ?
RR 1562.5Q
PIN 3 Com
PIN 4 Input
PIN 5 Com
PIN 9 Com
PIN 10 Com
Com +10V Ref +10V Ref Com Com + 10V Ref +10V Ref
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XTR110
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Si el voltaje de la fuente de alimentacin, +VCC, excede el voltaje de ruptura de la compuerta-drenador VGD del QEXT, o si se rompe la conexin en la salida (drenador de QEXT), podra malograrse el transistor QEXT. Si en caso el voltaje de ruptura de la compuerta-drenador del QEXT en menor que +VCC, QEXT puede ser protegido con un diodo zener de 12V conectado entre la compuerta y el drenador del MOSFET. En vez del MOSFET QEXT, se puede usar dos transistores PNP discretos (conectados como Darlington) vea la Figura 2. Observe que en este caso es necesario usar un condensador adicional por consideraciones de estabilidad. No se recomienda usar transistores Darlington en circuito integrado porque sus resistencias internas entre la base y el emisor originan errores muy grandes. DISIPACION DEL TRANSISTOR EXTERNO QEXT La disipacin mxima de potencia de QEXT depende del voltaje de la fuente de alimentacin y de la corriente de salida mxima. Asumiendo que la Resistencia de carga es pequea, la potencia disipada por QEXT est dada por: PMAX = (+Vcc) IFS (2) Para evitar sobrecalentamiento del transistor Qext, se debe elegir el tipo de transistor y el disipador segn la mxima disipacin de potencia. En la Tabla II se dan recomendaciones generales segn el tipo de envoltura.
TIPO DE ENVOLTURA TO-92 TO-237 TO-39 TO-220 TO-3 DISIPACION DE POTENCIA PERMISIBLE La ms baja: Use la Fuente mnima y a +25C. Aceptable: Compromiso entre fuente y temperatura. Buena: Adecuada para la mayora de diseos. Excelente: Cuando se usan los valores mximos por tiempo prolongado. Usar este envase si se require un envase hermetico.
13 14 2
0.047uF
I T
Common
ji
* -
TIP30B etc.
,
L
>
XTR110 16
"REF
---- AV^1
Adjust Range 5% Optimum
-20k2
NOTA: (1) Rs da mas resolucin con rango reducido, para un rango ms grande ajustar Rs = 0Q.
-o+vr
TABLA II. Tipo de envoltura del Transistor externo Qext y Disipacin que puede soportar. RANGO DE VOLTAGES DE ENTRADA El XTR110 se malogra si a las entradas se le aplica un tensin menor que la del pin 2 que es el COMUN. Se puede malograr el op amp Al si a la entrada no inversora (la entrada +, es un nodo interno) del op amp Al se le coloca una tension negativa mayor de 0.5V por debajo del comun (0V). Esta situacion podria ocurrir si las patillas de entrada 3, 4 or 5 fueran excitadas con un amplificador operacional cuya salida podria tener excursions negativas bajo condiciones anormales. El voltage en la entrada de Al es:
'Al (VJ
(VREFIN)
(VIN1) (3)
HOVo
XTR110
Este voltaje VA1 no debe ser ms negativo que -0.5V. Si fuera necesario, se le puede conectar un diodo sujetador conectado entre la entrada que puede tener excursiones negativas y el comn, para sujetar la tensin de entrada. Viendo la funcin de transferencia, por ejemplo, asuma que se se esta usando la configuracin estndar que se muestra en la figura 1. En este caso, VREF IN = 10V y VIN2 =0V. La ecuacin se transforma en: (10/16) + (VIN1/4) + (0/2)=0 Re arreglando nos da: Vin1= -2.5V, el cual es el mximo
voltaje negativo el caul se le puede aplicar. Sin embargo note que esto solo se aplica nicamente sies que en VREF IN hay+10V presentes.Asi si por ejemplo por algn motivo se interrumpe la fuente de alimentacin del XTR110 , ya no se generaran los +10V en VREF y cualquier entrada negativa en VIN1 podria daar la unidad.
COMUN (Tierra) Se debe de prestar bastante atencin a la conexin adecuada de los comunes del circuito (las tierras). Todos los comunes deben de unirse en un punto que sea lo ms cercano posible al pin 2 del XTR110 que es el comn del integrado. La excepcin es el retorno de IOUT. Este comn (de IOUT) puede ser retornado a cualquier punto que no module al comn del XTR10 que es el pin 2. Para 100mA con Vcc hasta 40V
use el 2N3055 como QREF.
VOLTAGE DE REFERENCIA El voltaje de referencia de 10V est regulado con mucha exactitud en el pin 12 (VREF SENSE)- PARA SEGUIR MANTENIENDO ESTA EXACTITUD, cualquier carga incluyendo oad including pin
el pin 3 (VREF IN) del divisor de tensin debe de conectarse a este punto. El circuito de la Figura 4 muestra como se puede variar el valor del voltaje de referencia usando el pin 11, aqu tambin se muestra como realizar los ajustes fino y grueso del voltaje de referencia. La corriente mxima de la referencia interna del XTRllO es 10mA. Esta corriente se puede hacer mayor, si es que se desea, adicionndole un transistor externo del tipo NPN entre los pines 15 y 12 tal como se muestra en la Figura 4. ADJUSTE DEL DESPLAZAMIENTO (CERO) Se puede variar la corriente de desplazamiento (del cero de corriente) usando el potencimetro, R1, (entre los pines 6 y 7), tal como se muestra en la Figura 5. El procedimiento consiste en hacer el voltaje de entrada (en el pin 4) igual a cero y luego variar la resistencia R1 hasta obtener 4mA en la salida. Esto en caso de un cero vivo. Para rangos que van a empezar en 0 mA, se recomienda seguir el siguiente procedimiento especial: colocar en la entrada (el pin 4) un pequeo valor de tensin, muy cercano a cero pero que no sea cero, y luego variar el valor de la resistencia R1 hasta obtener la corriente de salida que se necesita. Cuando la entrada sea cero, la salida tambin debe ser cero. En las figuras 6 y 7 se muestra grficamente como se ajusta el desplazamiento o cero.
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Third Wire
24V . 13 XTR110
Span Adjust
FIGURA 6. Recta que muestra el Cero y el Mximo para la siguiente configuracin: entrada de 0V a +10V, Salida de 4mA a 20mA (vea la Figura 5).
FIGURA 5. Circuito para el ajuste del cero y del mximo cuando la entrada es OV a +10V , y la salida es 4mA a 20mA. AJUSTE DEL ALCANCE O MAXIMO El alcance o rango es ajustado hasta obtener la mxima corriente de salida usando el potencimetro, R2, tal como se muestra en la Figura 5. Este ajuste interacta con el ajuste del cero, y ser necesario realizar unas cuantas iteraciones hasta ajustar los dos valores, el cero y el mximo correctamente. Para el circuito mostrado, coloque el voltaje de entrada al mximo que es +10V y luego vari R2 hasta obtener una salida mxima de 20mA. Las Figuras 6 y 7 muestran grficamente como se ajusta el alcance o mximo. Los valores de R2, R3, y R4 para ajustar el mximo de la corriente de salida son determinados de la siguiente manera: elija un R4 en serie para que disminuya ligeramente el valor mximo de la corriente; luego elija R2 y R3 para que aumenten el mximo de tal manera que se pueda ajustar en torno a su valor central. OPERACION CON RESISTENCIAS DE BAJO COEFICIENTE DE TEMPERATURA Aunque las resistencias de precisin en el XTR110 estn dentro del rango de l ppm/C, la corriente de salida depende del coeficiente de temperatura absoluto (TC) de cualquiera de las resistencias, R6, R7, R8, y R9. Como el coeficiente de temperatura absoluto (TC) de las resistencias es 20ppm/C, como mximo, entonces el TC de la corriente de salida puede tener un corrimiento de 20ppm/C. Si se quiere operar con bajos coeficientes de temperatura TC, se pueden cambiar las resistencias internas (R6 or R7) que se usan para ajustar el mximo y el mnimo del rango, por resistencias con cero TC, o tambin la Resistencia de surtidor (Re,) por una resistencia con cero TC pero no las dos al mismo tiempo.
^
20 E 15 Vea valores en la Figura 6.Ademas junte los pines 9 y 10.
<
FIGURA 7. Recta que muestra el Cero y el Mximo para la siguiente configuracin : Entrada 0V a +10VIN, Salida 0mA a 20mA (Vea la Figura 5).
COMO AGRANDAR EL RANGO Para rangos mximos mayores de 40mA, se puede reemplazar la Resistencia interna de 50 (R9) por una resistencia externa conectada entre los pines 13 y16. Su valor puede ser calculado como sigue: REXT = R9 (SpanViejo/SpanNuevo) Como las resistencias internas de pelcula-delgada tienen un 20% de tolerancia en valor absoluto, antes de determinar el valor final de REXT hay que medir R9. El auto calentamiento de REXT puede originar no-linealidades. Por lo tanto, elegir un REXT que tenga un coeficiente de temperatura TC bajo y un valor de potencia adecuado. En la figura 10 se muestra esta aplicacin de rango extendido.
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APPLICACIONES TIPICAS
El XTR110 es ideal para una gran variedad de aplicaciones que requieran transmisin de seales con alta inmunidad al ruido causado por el modo comn. La referencia de precisin de +10V se puede usar para excitar circuitos puente y transductores. El hecho que se puedan seleccionar los rangos lo hacen muy til como una fuente de corriente programable de alta precisin. Su diseo compacto y su bajo precio hacen que el XTR110 sea muy verstil con un mnimo de componentes externos y con un mnimo de tiempo para el diseo de ingeniera. Las figuras de la 8 a la 10 muestran aplicaciones tipicas del XTR110.
WW^
14
\2n
R4
-V\AA-W\A-
I-1
T.
Offset Adjust
2k2 402Q
Span Adjust
"-In
potencia continuamente. Para otros rangos de corriente, escale las dos resistencias 6. 7 proporcionalmente. A1 - A4: Usar potencimetro de 10 vueltas para obtener mayor Tr sensibilidad. T2: Resistencias de bajo TC . T,: 1/4 LM324 (alimentado con 15V). International Rectifier IR9513(1). International Rectifier IR513(1). International Rectifier IRFF9113(1).
R
R :
NOTA: (1)U OTRO transistor MOS con valor mximo de potencia adecuado.
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Barrera de aislamiento Isolation Barrier Fuente de Alimentacion Aislada Isolated Power Supply (722)
4-15V O
</ I t
I : I
1uF
-15V+15V ! -15V+15V
XTR110 15 0 to-10V 16
13 14 G
Salida de
4mA a 20mA
^OOQ(
IS0122
V
-o
+24V Q
' ^EXT
:o.m
O ------0Vto+10V Q XTR110 14 G OAto 10AOut
10
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NOTA: Los nmeros de las pginas de las revisiones anteriores pueden ser diferentes de los nmeros de pgina de la versin actual.
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* 71 TEXAS
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PACKAGING INFORMATION
Orderable Device XTR110AD XTR110AG XTR110BG XTR110KP XTR110KPG4 XTR110KU XTR110KU/1K XTR110KU/1KG4 XTR110KUG4
(1)
Status (1) Package Type OBSOLETE DIESALE NRND NRND ACTIVE ACTIVE ACTIVE ACTIVE ACTIVE ACTIVE CDIPSB CDIPSB PDIP PDIP SOIC SOIC SOIC SOIC
Package Drawing Y JD JD N N DW DW DW DW
Pins Package Eco Plan (2) Qty 0 16 16 16 16 16 16 16 16 1 1 TBD Green (RoHS & no Sb/Br) Green (RoHS & no Sb/Br)
Call Tl N /A for Pkg Type N /A for Pkg Type N /A for Pkg Type N /A for Pkg Type Level-3-260C-168HR Level-3-260C-168HR Level-3-260C-168HR Level-3-260C-168HR
25 Green (RoHS & no Sb/Br) 25 Green (RoHS & no Sb/Br) 40 Green (RoHS & no Sb/Br) 1000 Green (RoHS & no Sb/Br) 1000 Green (RoHS & no Sb/Br) 40 Green (RoHS & no Sb/Br)
The marketing status values are defined as follows: ACTIVE: Product device recommended for new designs. LIFEBUY: Tl has announced that the device will be discontinued, and a lifetime-buy period is in effect. NRND: Not recommended for new designs. Device is in production to support existing customers, but Tl does not recommend using this part in a new design. PREVIEW: Device has been announced but is not in production. Samples may or may not be available. OBSOLETE: Tl has discontinued the production of the device.
(2)
Eco Plan - The planned eco-friendly classification: Pb-Free (RoHS), Pb-Free (RoHS Exempt), or Green (RoHS & no Sb/Br) - please check http://www.ti.com/productcontent for the latest availability information and additional product content details. TBD: The Pb-Free/Green conversion plan has not been defined. Pb-Free (RoHS): Tl's terms "Lead-Free" or "Pb-Free" mean semiconductor products that are compatible with the current RoHS requirements for all 6 substances, including the requirement that lead not exceed 0.1 % by weight in homogeneous materials. Where designed to be soldered at high temperatures, Tl Pb-Free products are suitable for use in specified lead-free processes. Pb-Free (RoHS Exempt): This component has a RoHS exemption for either 1) lead-based flip-chip solder bumps used between the die and package, or 2) lead-based die adhesive used between the die and leadframe. The component is otherwise considered Pb-Free (RoHS compatible) as defined above. Green (RoHS & no Sb/Br): Tl defines "Green" to mean Pb-Free (RoHS compatible), and free of Bromine (Br) and Antimony (Sb) based flame retardants (Br or Sb do not exceed 0.1 % by weight in homogeneous material)
(3)
MSL, Peak Temp. - The Moisture Sensitivity Level rating according to the JEDEC industry standard classifications, and peak solder temperature. Important Information and DisclaimenThe information provided on this page represents Tl's knowledge and belief as of the date that it is provided. Tl bases its knowledge and belief on information provided by third parties, and makes no representation or warranty as to the accuracy of such information. Efforts are underway to better integrate information from third parties. Tl has taken and continues to take reasonable steps to provide representative and accurate information but may not have conducted destructive testing or chemical analysis on incoming materials and chemicals. Tl and Tl suppliers consider certain information to be proprietary, and thus CAS numbers and other limited information may not be available for release. In no event shall Tl's liability arising out of such information exceed the total purchase price of the Tl part(s) at issue in this document sold by Tl to Customer on an annual basis.
Addendum-Page 1
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INSTRUMENT
S
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k-KO
-P1 -
I 4>
Reel Diameter
& <J> 0 # / AO
& & $
"1 'i
,*
O (BO
*1 ) Cavity
-/-I AO
4-
) I
J "
Dimension designed to accommodate the component width Dimension designed to accommodate the component length designed to accommodate the component thickness width of the carrier tape Pitch between successive cavity
Reel Width (W1) QUADRANT ASSIGNMENTS FOR PIN 1 ORIENTATION IN TAPE Sprocket Holes
Package Drawing
Pins
SPQ
BO (mm) 10.8
KO (mm)
P1 (mm) 12.0
W (mm) 16.0
Pin1 Quadrant
XTR110KU/1K
DW
16
1000
2.7
Q1
Pack Materials-Page 1
* 71 TEXAS
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S
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Package Drawing DW
Pins 16
SPQ 1000
Pack Materials-Page 2
MECHANICAL DATA
JD (R-CDIP-T**)
20 PINS SHOWN
20
0.065 (1,65) ~ 0.045 (1,14) 0.175 (4,45) 0.140 (3,56) 0.320 (8,13) 0.290 (7,36)"
4 Places
rx
i i
JL.
iii
II
0.100 (2,54)
0.021 (0,53)
0.125(3,1
0.012 (0,30)
0.008 (0,20)
^\PINS ** DIM ^\
A MAX
8
0.405 (10,29)
14
0.757 (19,23)
16
0.810 (20,57)
18
0.910 (23,11)
20
1.010 (25,65)
24
1.100 (27,94)
4040086-2/F 07/03 NOTES: A. All linear dimensions are in inches (millimeters). B. This drawing is subject to change without notice. C. This package is hermetically sealed with a metal lid. D. The terminals are gold plated. E. Falls within MIL STD 1835 CDIP2 - T8, T14, T16, T18, T20 and T24 respectively.
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MECHANICAL DATA
N (R-PDIP-T**)
16 PINS SHOWN
16
DIM ^\
14
16
18
20
r-ir^-ir^-ir^-ir^-ir^-ir^-ir-n A MAX 0.775 (19,69) 0.745 (18,92) AA 0.775 (19,69) 0.745 (18,92) BB 0.920 (23,37) 0.850 (21,59) AC 1.060 (26,92) 0.940 (23,88) AD
T A
MIN
MS-001 VARIATIO N
A
0.045 (1,14) 0.030 (0,76)
MAX
f 0.200 (5,08)
X____ Seating Plane
0.015 (0,38)
1.125 (3,1
T
|*H 0.100 (2,54)1
0.021 (0,53) 0.010 (0,25) 0.430 (10,92) MAX 14/18 Pin Only 20 Pin vendor option / D\
4040049/E NOTES: A A. All linear dimensions are in inches (millimeters). B. This drawing is subject to change without notice. Falls within JEDEC MS-001, except 18 and 20 pin minimum body length (Dim A). /D\ The 20 pin end lead shoulder width is a vendor option, either half or full width.
12/2002
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MECHANICAL DATA
DW (R-PDS0-G16)
Pin 1
|-0-10.010 (0,25) @ |
F
-0.104 (2,65) Max
1L I
| 0.010 (0,25)| Gauge Plane ~ -
^i 0.004 (0,10)
T
0.050 (1,27) 0.016 (0,40)
Seating Plane
NOTES:
A. All linear dimensions are in inches (millimeters). B. This drawing is subject to change without notice. C. Body dimensions do not include mold flash or protrusion not to exceed 0.006 (0,15). D. Falls within JEDEC MS-013 variation AA.
^ TEXAS INSTRUMENTS
4040000-2/F 06/2004
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